KR0140072Y1 - 마그네트론의 스트랩구조 - Google Patents

Abstract

본 고안은 마그네트론의 스트랩구조에 관한 것으로 특히 스트랩과 베인의 브레이징 결합시 고온의 수소로 중에서 스트랩에 도금되어 있는 브레이징재가 요홈으로 흘러 들어가도록 함으로서 스트랩과 베인의 브레이징 효율을 향상시키기 위한 것으로서, 베인과 접촉되는 내,외스트랩의 측면단부에 접촉면을 메우고 남은 은도금이 유입될 수 있는 요홈을 각각 형성한 것이다.

Description

마그네트론의 스트랩구조

제1도는 일반적인 마그네트론의 단면도.

제2도는 종래 공진부의 단면도.

제3도는 종래 스트랩을 나타낸 것으로서,

(a)는 내스트랩 구성도.

(b)는 외스트랩 구성도.

(c)는 내,외스트랩의 단면 비교도.

제4도는 종래 베인의 구성 사시도.

제5도는 종래 베인과 스트랩의 조립 단면도.

제6도는 본 고안 내,외스트랩의 단면 비교도.

제7도는 본 고안 스트랩과 베인의 조립 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

101 : 아노드 102 : 베인

103 : 내스트랩 104 : 외스트랩

105,106 : 홈부

본 고안은 마그네트론에 관한 것으로서, 특히 마그네트론의 공진부를 구성하는 스트랩과 베인의 브레이징결합시 스트랩에 도금된 브레이징재가 균등하게 결합면 사이로 흘러들어갈 수 있도록 하는 마그네트론의 스트랩구조에 관한 것이다.

일반적인 마그네트론은 제1도에 도시된 바와같이 열전자를 방출하는 음극의 필라멘트(14)와, 상기 필라멘트(14)를 중심축으로 방사상으로 배치되어진 양극부 베인(2)과, 상기 베인(2)의 상하측에 설치된 내,외 스트랩(3,4)과, 외부로 마이크로파 에너지를 토출하기 위한 안테나(5)와, 상기 베인(2)과 필라멘트(14) 사이의 작용공간(15)으로 자속을 인가해 주기 위한 외부요크(16), 자석(13), 자극(6)으로 구성되는 자기회로와, 전원인가선을 통해 나오는 불요고주파를 막아주는 필터박스(12), 쵸크코일(10), 관통형콘덴서(11)로 구성되었다.

도면중 미설명 부호 7은 안테나씰을 나타낸다.

이와같이 구성되는 종래 마그네트론은 자석(13)에 형성된 자계가 자기회로를 형성하며 베인(2)과 필라멘트(14) 사이의 작용공간(15)에 자기장을 형성시킨다.

또한 베인(2)과 필라멘트(14) 사이에 형성된 전계와 자계에 의해서 음극인 필라멘트(14)에서 발생하는 열전자가 작용공간(15)내에서 수평으로 싸이클로이드 운동을 하면서 운동에너지를 얻어 이 에너지를 베인(2)에 줌으로서 마이크로파가 생성되며, 이파가 안테나(5)를 통하여 외부로 방사되고, 전자레인지의 오븐내에 전달되어 해동 및 가열을 하게 되며 아노드 원통(1)외부에 알루미늄으로 된 방열판(미도시)이 수매결합되어 아노드 원통(1) 내부에서 발생하는 열을 냉각시키게 된다.

상기와 같이 동작되는 종래 마그네트론의 공진부를 구성하는 내,외스트랩(3,4)은 제2도와 같이 그 단면이 사각형상으로서 구리동판을 프레스 작업으로서 만들고, 그 표면에 브레이징 결합되도록 은(Ag)도금을 하였다.

제4도와 제5도는 베인(2)을 나타낸 것으로서 내,외스트랩(3,4)과 결합되어 브레이징되는 부위(C,D)는 내,외스트랩의 내,외측면(E,F)과 대응하여 직선상으로 이루어지게 형성하였으며, 아노드(1)의 내부에 베인조립용 지그를 이용하여 베인(2)과 아노드(1)의 접합부위에 브레이징재를 위치시키고 고온의 수소로 중에서 브레이징결합하여 아노드어셈블리를 만든다.

그러나 이러한 종래 구조는 베인(2)과 내,외스트랩(3,4)을 브레이징 결합시킬 때 은 도금된 스트랩과 베인과의 결합면 사이로 은이 균등하게 녹아흘러 들어가지 않는 부분이 생겨 브레이징 불량이 다수 발생하게되는 문제점이 발생하였다.

본 고안은 이러한 점을 감안하여 내,외스트랩의 베인과 접촉되는 측단면부에 접촉면을 메우고 남은 은도금이 유입될 수 있는 요홈을 각각 구비함으로서, 접촉면이 균등하게 브레이징될 수 있도록 하는데 목적이 있다.

본 고안을 제6도 및 제7도를 참조하여 이하에서 상세히 설명한다.

먼저 구성을 살펴보면 제7도와 같이 아노드(101)의 내벽에 방사상으로 배치되는 복수개의 베인(102)과, 상기 베인(102)과 고온에서 접착이 되도록 은도금 되있는 내,외스트랩(103,104) 구조에 있어서, 상기 베인(102)과 접촉되는 내,외스트랩(103,104)의 측단면부에 접촉면을 메우고 남은 은도금이 유입될 수 있는 요홈(105,106)을 각각 형성하였다.

이와같이 구성된 상태에서 베인(102)과 내,외스트랩(103,104)을 브레이징결합시키는 동작을 살펴보면 베인(102)의 조립용지그의 하부에 본 고안의 내,외스트랩(103,104)을 위치시키고 복수개의 베인(102)을 조립한 뒤 베인(102) 상부에 내,외스트랩(103,104)을 결합위치에 위치시킨 뒤 아노드(101)를 결합하고 가운데에 센터핀(미도시)을 압입시킨다.

그리고 고온의 수소로 내에서 일정시간 경과시키면 베인(102)과 내,외스트랩(103,104)이 접촉되어 있는 면을 따라 내,외스트랩에 도금되어 있는 은이 접촉면 상부에서 하부로 녹아들어가게 되고 이에따라 녹아들어가는 은도금은 접촉면을 메우게 되는데 이때 남은 은도금은 본 고안에 의한 내,외스트랩의 요홈(105,106)으로 흘러가게 되어 베인(102)을 따라 균등하게 브레이징되어 아노드어셈블리를 만들게 되는 것이다.

이상에서 살펴본 바와같은 본 고안은 스트랩과 베인의 브레이징 결합시 스트랩에 도금되어 있는 브레이징재가 요홈으로 흘러 들어가도록 함으로서 스트랩과 베인의 브레이징 효율을 향상시키도록 하는 고안이다.

Claims (3)

1. 아노드의 내벽에 방사상으로 배치되는 복수개의 베인과, 상기 베인과 고온에서 접착이 되도록 도금 되있는 내,외스트랩 구조에 있어서, 상기 베인과 접촉되는 내,외스트랩의 측면단부에 접촉면을 메우고 남은 도금이 유입될 수 있는 요홈을 각각 형성한 것을 특징으로 하는 마그네트론의 스트랩구조.
2. 제1항에 있어서, 상기 내스트립의 요홈은 내측단부에 형성되고, 외스트립의 요홈은 외측단부에 형성된 것을 특징으로 하는 마그네트론의 스트랩구조.
3. 제1항에 있어서, 상기 내,외스트랩의 도금이 은으로 된 것을 특징으로 하는 마그네트론의 스트랩구조.