KR0137947Y1 - Vaporizing device for chemical vapor deposition apparatus - Google Patents
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Abstract
본 고안은 화학기상증착장치의 기화장치에 관한 것으로, 종래 기술에 의한 화학기상증착장치의 기화장치는 히터와 액체소오스를 공급하는 공급관의 접촉면적이 작아 기화효율이 떨어 질뿐만 아니라 사용시간이 증가함에 따라 상기 히터에서 기화된 액체소오스에 의하여 상기 공급관이 막히게 되는 문제점을 초래하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 고안은 아래 도면에 도시된 바와 같이 단부에 형성된 다지관(14a')을 갖는 공급관(14a) 또는 단부가 확산된 공급관, 그리고 소정의 직경을 갖는 다수개의 공급관, 그리고 또 단부에 소정의 공간을 갖도록 공간부가 형성된 공급관, 그리고 또 단부에 다수개의 공급구가 형성된 공급관을 설치하므로써, 상기 공급관(14a)과 히터(13a)의 접촉면적이 증대하게 되어 그 히터에 의하여 흡수되고 가열기화되는 상기 액체소오스의 기화효율이 증대됨과 아울러 상기 기화된 액체소오스에 의하여 상기 공급관(14a)이 막히는 현상을 방지할 수 있는 효과가 있게 된다.The present invention relates to a vaporization apparatus of a chemical vapor deposition apparatus, the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus according to the prior art has a small contact area between the supply pipe for supplying the heater and the liquid source not only decreases the vaporization efficiency but also increases the use time. As a result, the supply pipe was blocked by the vaporized liquid source in the heater. In order to solve this problem, the present invention provides a supply pipe 14a having a multi-pipe 14a 'formed at an end or a supply pipe having an end portion spread therein, and a plurality of supply pipes having a predetermined diameter, and By providing a supply pipe having a space portion at the end and a supply pipe having a plurality of supply holes at the end, the contact area between the supply pipe 14a and the heater 13a is increased to be absorbed by the heater. The vaporization efficiency of the liquid source to be vaporized is increased and the effect of preventing the supply pipe 14a from being blocked by the vaporized liquid source is prevented.
Description
본 고안은 화학기상증착장치의 기화장치에 관한 것으로, 특히 샤워헤드의 헤드관부위에 설치되는 히터와 액체소스를 공급하는 공급관의 접촉면적을 크게 하여 기화 효율을 증대함과 아울러 상기 공급관의 막힘 현상을 방지할 수 있도록 한 화학기상증착장치의 기화장치에 관한 것이다.The present invention relates to a vaporization apparatus of a chemical vapor deposition apparatus, and in particular, the contact area between the heater and the supply pipe for supplying a liquid source to the head pipe portion of the shower head is increased to increase the vaporization efficiency and the clogging phenomenon of the supply pipe. It relates to a vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus to prevent the.
종래 기술에 의한 기화장치를 구이한 화학기상증착장치(1)는 상기 제1도에 도시된 바와 같이, 소정의 크기를 갖는 밀폐된 챔버(2)가 형성되어 있고, 그 챔버(2)의 내측 하부에는 반도체 웨이퍼(W)에 일정한 온도를 가함과 아울러 그 반도체 웨이퍼(W)를 고정하는 스테이지(3)가 설치되어 있으며, 상기 챔버(2)의 상부에는 상기 반도체 웨이퍼(W)를 증착할 수 있는 증착가스를 분출할 수 있도록 기화장치(4)가 구비된 샤워헤드(5)가 설치되어 있다.In the chemical vapor deposition apparatus 1 roasting the vaporization apparatus according to the prior art, a sealed chamber 2 having a predetermined size is formed, as shown in FIG. 1, and the inside of the chamber 2 is formed. In the lower part, a stage 3 is applied to the semiconductor wafer W and the semiconductor wafer W is fixed. The semiconductor wafer W can be deposited on the chamber 2. The shower head 5 provided with the vaporization apparatus 4 so that the vapor deposition gas which exists may be provided.
상기 기화장치(4)는 제2도에 도시된 바와 같이, 상기 샤워헤드(5)의 연장된 헤드관(5a)과 그 헤드관(5a)의 내측에 설치되어 액체소오스를 흡수할 수 있도록 메탈스폰지로 형성된 히터(7)와 그 히터(7)의 상면에 접촉되어 상기 액체소오스를 공급하는 공급관(8)으로 구성되어 있다.As shown in FIG. 2, the vaporization apparatus 4 is installed inside the extended head tube 5a of the shower head 5 and the head tube 5a so as to absorb the liquid source. It consists of the heater 7 formed from the sponge, and the supply pipe 8 which contacts the upper surface of the heater 7, and supplies the said liquid source.
도면상의 미설명 부호 6은 액체소오스 탱크이다.Reference numeral 6 in the drawings is a liquid source tank.
상기와 같이 구성된 기화장치(4)를 갖는 화학기상증착장치(1)는 먼저, 액체소오스탱크(6)에 처장된 상기 액체소오스가 상기 공급관(8)을 통하여 상기 히터(7)에 흡수됨과 아울러 가열기화되어 증착가스로 변환되고, 그 증착가스는 상기 샤워헤드(5)를 통하여 상기 챔버(2) 내로 분출하게 되어 상기 스테이지(3)에 고정되어 있는 반도체 웨이퍼(W)에 증착되게 되는 것이다.In the chemical vapor deposition apparatus 1 having the vaporization apparatus 4 configured as described above, the liquid source mounted on the liquid source tank 6 is first absorbed into the heater 7 through the supply pipe 8. Heated and converted into a deposition gas, the deposition gas is ejected into the chamber 2 through the shower head 5 to be deposited on the semiconductor wafer (W) fixed to the stage (3).
그러나, 상기와 같이 구성된 기화장치는 상기 히터와 액체소오스를 공급하는 공급관의 접촉면적이 작아 기화효율이 떨어질 뿐만 아니라 사용시간이 증가함에 따라 상기 히터에서 기화된 액체소오스에 의하여 상기 공급관이 막히게 되는 문제점을 초래하였다.However, the vaporization apparatus configured as described above has a problem that the contact area between the supply pipe for supplying the heater and the liquid source is not only small, but the vaporization efficiency is decreased, and the supply pipe is blocked by the liquid source vaporized in the heater as the use time increases. Resulted.
따라서, 본 고안의 목적은 상기의 문제점을 해결하여 기화효율을 높임과 아울러 상기 액체소오스를 공급하는 공급관의 막힘 현상을 방지할 수 있는 화학기상증착장치의 기화장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a vaporization apparatus of a chemical vapor deposition apparatus that can solve the above problems to increase the vaporization efficiency and to prevent the clogging of the supply pipe for supplying the liquid source.
제1도는 종래 기술에 의한 기화장치를 구비한 화학기상증착장치의 구조를 보인 개략도.1 is a schematic view showing the structure of a chemical vapor deposition apparatus having a vaporization apparatus according to the prior art.
제2도는 종래 기술에 화학기상증착장치의 기화장치의 구조를 보인 단면도.2 is a cross-sectional view showing the structure of a vaporization apparatus of a chemical vapor deposition apparatus in the prior art.
제3도는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 기화장치의 제1 실시예에 의한 구조를 보인 단면도.3 is a cross-sectional view showing the structure according to the first embodiment of the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
제4도는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 기화장치의 제2 실시예에 의한 구조를 보인 단면도.Figure 4 is a cross-sectional view showing a structure according to a second embodiment of the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
제5도는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 기화장치의 제3 실시예에 의한 구조를 보인 단면도.Figure 5 is a cross-sectional view showing a structure according to a third embodiment of the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
제6도는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 기화장치의 제4 실시예에 의한 구조를 보인 단면도.6 is a cross-sectional view showing a structure according to a fourth embodiment of the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
제7도는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 기화장치의 제5 실시예에 의한 구조를 보인 단면도.7 is a cross-sectional view showing a structure according to a fifth embodiment of the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
11a,11b,11c,11d : 기화장치 12a,12b,12c,12d,12e : 헤드관11a, 11b, 11c, 11d: Vaporizer 12a, 12b, 12c, 12d, 12e: Head tube
13a,13b,13c,13d,13e : 히터 14a,14b,14c,14d,14e : 공급관13a, 13b, 13c, 13d, 13e: heater 14a, 14b, 14c, 14d, 14e: supply pipe
14a' : 다지관 14d' : 공간부14a ': Dodge building 14d': Space part
14e' : 공급구14e ': Supply port
본 고안의 목적은 화학기상증착장치의 챔버 내의 증착가스를 분사하는 샤워헤드의 헤드관과, 그 헤드관 내에 설치되어 액체 소오스를 흡수함과 아울러 그 액체 소오스를 가열하여 기화할 수 있는 히터와, 그 히터와 접촉면적을 크게 하여 상기 액체 소오스를 공급할 수 있도록 단부가 다지관이 형성된 공급관을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 기화장치에 의하여 달성된다.The object of the present invention is a head tube of the shower head for injecting the deposition gas in the chamber of the chemical vapor deposition apparatus, a heater installed in the head tube to absorb the liquid source and to heat and vaporize the liquid source, The vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus, characterized by comprising a supply pipe formed with a multi-tube tube at its end to supply the liquid source by increasing the contact area with the heater.
또, 본 고안의 목적은 화학기상증착장치의 챔버내에 증착가스를 분사하는 샤워헤드의 헤드관과, 그 헤드관내에 설치되어 액체 소오스를 흡수함과 아울러 그 액체 소오스를 가열하여 기화할 수 있는 히터와, 그 히터와 접촉면적을 크게하여 상기 액체 소오스를 공급할 수 있도록 단부가 확산된 공급관을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 기화장치에 의하여 달성된다.It is also an object of the present invention to provide a head tube of a shower head for injecting deposition gas into a chamber of a chemical vapor deposition apparatus, and a heater installed in the head tube to absorb a liquid source and to heat and vaporize the liquid source. And a supply pipe with an end portion diffused so as to supply the liquid source by increasing the contact area with the heater.
그리고 또, 본 고안의 목적은 화학기상증착장치의 챔버 내에 증착가스를 분사하는 샤워헤드의 헤드관과, 그 헤드관 내에 설치되어 액체 소오스를 흡수함과 아울러 그 액체 소오스를 가열하여 기화할 수 있는 히터와, 그 히터와 접촉면적을 크게 하여 상기 액체 소오스를 공급할 수 있도록 다수개의 공급관을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 기화장치에 의하여 달성된다.In addition, an object of the present invention is the head tube of the shower head for injecting the deposition gas into the chamber of the chemical vapor deposition apparatus, and installed in the head tube to absorb the liquid source and to heat and vaporize the liquid source A vaporization apparatus of a chemical vapor deposition apparatus comprising a heater and a plurality of supply pipes for supplying the liquid source with a large contact area with the heater.
그리고 또, 본 고안의 목적은 화학기상증착장치의 챔버 내에 증착가스를 분사하는 샤워헤드의 헤드관과, 그 헤드관 내에 설치되어 액체 소오스를 공급할 수 있도록 단부에 일정 공간을 형성할 수 있는 공간부를 갖는 공급관과, 상기 공급관의 공간부를 감싸고 그 공간부를 통하여 공급된 상기 액체 소오스를 흡수함과 아울러 그 액체 소오스를 가열하여 기화할 수 있는 히터를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 기화장치에 의하여 달성된다.In addition, an object of the present invention is to provide a head tube of the shower head for injecting the deposition gas into the chamber of the chemical vapor deposition apparatus, and a space that can be formed in the head tube to form a predetermined space at the end to supply the liquid source And a heater for encapsulating the space portion of the supply pipe and absorbing the liquid source supplied through the space portion, and for heating and vaporizing the liquid source. Is achieved.
그리고 또, 본 고안의 목적은 화학기상증착장치의 챔버 내에 증착가스를 분사하는 샤워헤드의 헤드관과, 그 헤드관 내에 설치되어 액체소오스를 공급할 수 있도록 단부에 다수개의 공급구가 형성된 공급관과, 상기 공급관의 공급구를 감싸고 그 응급구를 통하여 공급된 상기 액체소오스를 흡수함과 아울러 그 액체소오스를 가열하여 기화할 수 있는 히터를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 기화장치에 의하여 달성된다.In addition, the object of the present invention is a head tube of the shower head for injecting the deposition gas into the chamber of the chemical vapor deposition apparatus, and a supply tube formed in the head tube and a plurality of supply ports formed at the end to supply the liquid source, By the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus surrounding the supply port of the supply pipe and absorbing the liquid source supplied through the emergency exit and the heater to vaporize the liquid source by heating Is achieved.
다음은, 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 기화장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.Next, a preferred embodiment of the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제3도는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 기화장치의 제1 실시예에 의한 구조를 보인 단면도이고, 제4도는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 기화장치의 제2 실시예에 의한 구조를 보인 단면도이며, 제5도는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 기화장치의 제3 실시예에 의한 구조를 보인 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the structure according to the first embodiment of the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, Figure 4 is a structure according to the second embodiment of the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention 5 is a cross-sectional view showing the structure according to the third embodiment of the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
그리고, 제6도는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 기화장치의 제4 실시예에 의한 구조를 보인 단면도이고, 제7도는 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 기화장치의 제5 실시예에 의한 구조를 보인 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing the structure according to the fourth embodiment of the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, Figure 7 is a fifth embodiment of the vaporization apparatus of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention It is a cross-sectional view showing the structure.
[제1 실시예][First Embodiment]
상기 제3도에 도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 기화장치(11a)는 상기 호학기상증착장치의 챔버(미도시) 내의 증착가스를 분사하는 샤워헤드의 헤드관(12a)이 있고, 그 헤드관(12a) 내에는 액체소오스를 흡수함과 아울러 그 액체소오스를 가열하여 기화할 수 있도록 메탈스폰지로 형성된 히터(13a)가 설치되어 있으며, 또 상기 히터(13a)와 접촉면적을 크게 하여 상기 액체소오스를 공급할 수 있도록 단부가 다지관(14a')이 형성된 공급관(14a)이 설치되어 있다.As shown in FIG. 3, the vaporization apparatus 11a of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention is a head tube 12a of the shower head which injects deposition gas in a chamber (not shown) of the arc vapor deposition apparatus. In the head tube 12a, a heater 13a formed of a metal sponge is provided to absorb the liquid source and to heat and vaporize the liquid source, and the contact area with the heater 13a. A supply pipe 14a having an end portion formed with a multi-pipe tube 14a 'so as to supply the liquid source with a larger size is provided.
상기와 같이 구성된 화학기상증착장치의 기화장치(11a)는 먼저, 상기 공급관(14a)을 통하여 그 공급관(14a)의 단부에 형성된 다지관(14a')으로 상기 액체 소오스가 공급되고, 그 다지관(14a')으로 공급된 상기 엑체소오스는 상기 히터(13a)에 흡수됨과 아울러 가열기화되어 상기 샤워헤드의 헤드관(12a)을 통하여 분사되게 되는 것이다.The vaporization apparatus 11a of the chemical vapor deposition apparatus configured as described above is first supplied with the liquid source to a multi-pipe 14a 'formed at the end of the supply pipe 14a through the supply pipe 14a, and the paper pipe The exoxose supplied to 14a 'is absorbed by the heater 13a and is heated to be sprayed through the head tube 12a of the shower head.
[제2 실시예]Second Embodiment
상기 제4도에 도시된 바와 같이, 본 고안에 화학기상증착장치의 다른 기화장치(11b)는 상기 화학기상증착장치의 챔버 내에 증착가스를 분사하는 샤워헤드의 헤드관(12b)이 있고, 그 헤드관(12b) 내에는 액체 소오스를 흡수함과 아울러 그 액체 소오스를 가열하여 기화할 수 있도록 메탈스폰지로 형성된 히터(13b)가 설치되어 있으며, 또 상기 히터(13b)와 접촉면적을 크게 하여 상기 액체 소오스를 공급할 수 있도록 소정의 직경을 갖는 다수개의 공급관(14b)이 설치되어 있다.As shown in FIG. 4, another vaporization apparatus 11b of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention includes a head tube 12b of the shower head for injecting deposition gas into the chamber of the chemical vapor deposition apparatus. In the head tube 12b, a heater 13b formed of a metal sponge is provided to absorb the liquid source and to heat and vaporize the liquid source, and to increase the contact area with the heater 13b. A plurality of supply pipes 14b having a predetermined diameter are provided to supply a liquid source.
[제3 실시예]Third Embodiment
상기 제5도에 도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 화학기상증착장치의 또 다른 기화 장치(11c)는 상기 화학기상증착장치의 챔버 내에 증착가스를 분사하는 샤워헤드의 헤드관(12c)이 있고, 그 헤드관(12c) 내에는 액체 소오스를 흡수함과 아울러 그 액체 소오스를 가열하여 기화할 수 있도록 메탈스폰지로 형성된 히터(13c)가 설치되어 있으며, 또 상기 히터(13c)와 접촉면적을 크게 하여 상기 액체 소오스를 공급할 수 있도록 단부가 확산된 공급관(14c)이 설치되어 있다.As shown in FIG. 5, another vaporization apparatus 11c of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention has a head tube 12c of the shower head for injecting deposition gas into the chamber of the chemical vapor deposition apparatus. In the head tube 12c, a heater 13c formed of a metal sponge is provided to absorb the liquid source and to heat and vaporize the liquid source, and to increase the contact area with the heater 13c. In order to supply the liquid source, the supply pipe 14c having its end spread is provided.
상기와 같이 구성된 화학기상증착장치의 기화장치(11c)는 먼저, 상기 단부가 확산된 공급관(14c)을 통하여 액체소오스가 공급되고, 그 공급관으로 공급된 상기 액체 소오스는 상기 히터(13c)에 흡수됨과 아울러 가열 기화되어 상기 샤워헤드의 헤드관(12c)을 통하여 분사되게 되는 것이다.In the vaporization apparatus 11c of the chemical vapor deposition apparatus configured as described above, first, a liquid source is supplied through a supply pipe 14c having the end portion diffused, and the liquid source supplied to the supply pipe is absorbed by the heater 13c. In addition, the heat is vaporized and is injected through the head tube 12c of the shower head.
[제4 실시예][Example 4]
상기 제6도에 도시된 바와 같이, 본 고안에 화학기상증착장치의 또 다른 기화장치(11d)는 상기 화학기상증착장치의 챔버 내에 증착가스를 분사하는 샤워헤드의 헤드관(12d)이 있고, 그 헤드관(12d) 내에는 액체 소오스를 공급할 수 있도록 단부에 일정 공간을 형성할 수 있는 공간부(14d')를 갖는 공급관(14d)이 설치되어 있으며, 또 상기 공급관(14d)의 공간부(14d')를 감싸고 그 공간부(14d')를 통하여 공급된 상기 액체 소오스를 흡수함과 아울러 그 액체 소오스를 가열하여 기화할 수 있도록 메탈스폰지로 형성된 히터(13d)가 설치되어 있다.As shown in FIG. 6, another vaporization apparatus 11d of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention has a head tube 12d of the shower head for injecting deposition gas into the chamber of the chemical vapor deposition apparatus. In the head tube 12d, a supply tube 14d having a space portion 14d 'capable of forming a predetermined space at an end portion thereof so as to supply a liquid source is provided, and a space portion of the supply tube 14d ( 14d ') is provided with a heater 13d formed of metal sponge so as to absorb the liquid source supplied through the space portion 14d' and to heat and vaporize the liquid source.
상기와 같이 구성된 화학기상증착장치의 기화장치(11d)는 먼저, 상기 공급관(14d)의 단부에 형성된 공간부(14d')를 통하여 상기 액체 소오스가 공급되고, 그 공급관(14d)의 공간부(14d')를 통하여 공급된 상기 액체 소오스는 상기 히터(13d)에 흡수됨과 아울러 가열 기화되어 상기 샤워헤드의 헤드관(12d)을 통하여 분사되게 되는 것이다.In the vaporization apparatus 11d of the chemical vapor deposition apparatus configured as described above, first, the liquid source is supplied through the space portion 14d 'formed at the end of the supply pipe 14d, and the space portion of the supply pipe 14d ( The liquid source supplied through 14d ') is absorbed by the heater 13d and vaporized by heat and sprayed through the head tube 12d of the shower head.
[제 5실시예][Example 5]
상기 제7도에 도시된 바와 같이, 본 고안에 화학기상증착장치의 또 다른 기화장치(11e)는 상기 화학기상증착장치의 챔버 내에 증착가스를 분사하는 샤워헤드의 헤드관(12e)이 있고, 그 헤드관(12e) 내에는 액체 소오스를 공급할 수 있도록 단부에 다수개의 공급구(14e')가 형성된 공급관(14e)이 설치되어 있으며, 또 상기 공급관(14e)의 공급구(14e')를 감싸고 그 공급구(14e')를 통하여 공급된 상기 액체 소오스를 흡수함과 아울러 그 액체소오스를 가열하여 기화할 수 있도록 메탈스폰지로 형성된 히터(13e)가 설치되어 있다.As shown in FIG. 7, another vaporization apparatus 11e of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention includes a head tube 12e of the shower head for injecting deposition gas into the chamber of the chemical vapor deposition apparatus. The head pipe 12e is provided with a supply pipe 14e having a plurality of supply holes 14e 'formed at an end thereof to supply a liquid source, and surrounds the supply hole 14e' of the supply pipe 14e. A heater 13e formed of a metal sponge is provided to absorb the liquid source supplied through the supply port 14e 'and to heat and vaporize the liquid source.
상기와 같이 구성된 화학기상증착장치의 기화장치(11e)는 먼저, 상기 공급관(14e)의 단부에 형성된 다수개의 공급구(14e')를 통하여 상기 액체 소오스가 공급되고, 그 공급관(14e)의 공급구(14e')를 통하여 공급된 상기 액체 소오스는 상기 히터(13e)에 흡수됨과 아울러 가열 기화되어 상기 샤워헤드의 헤드관(13e)을 통하여 분사되게 되는 것이다.In the vaporization apparatus 11e of the chemical vapor deposition apparatus configured as described above, the liquid source is first supplied through a plurality of supply ports 14e 'formed at the end of the supply pipe 14e, and the supply of the supply pipe 14e is performed. The liquid source supplied through the sphere 14e 'is absorbed by the heater 13e and heated and vaporized to be injected through the head tube 13e of the shower head.
상기와 같이 단부에 형성된 다지관을 갖는 공급관과, 단부가 확산된 공급관과, 그리고 소정의 직경을 갖는 다수개의 공급관과, 그리고 또 단부에 소정의 공간을 갖도록 공간부가 형성된 공급관과, 그리고 또 단부에 다수개의 공급구가 형성된 공급관을 설치하므로써, 상기 공급관과 히터의 접촉면적이 증대하게 되어 그 히터에 의하여 흡수되고 가열기화되는 상기 액체소오스의 기화효율이 증대됨과 아울러 상기 기화된 액체소오스에 의하여 상기 공급관이 막히는 현상을 방지할 수 있는 효과가 있게 된다.A supply pipe having a multi-column pipe formed at the end as described above, a supply pipe having an end spread therein, a plurality of supply pipes having a predetermined diameter, and a supply pipe having a space portion so as to have a predetermined space at the end, and at the end By providing a supply pipe having a plurality of supply ports, the contact area between the supply pipe and the heater is increased to increase the vaporization efficiency of the liquid source absorbed and heated by the heater, and the supply pipe by the vaporized liquid source. There is an effect that can prevent this clogging phenomenon.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960040071U KR0137947Y1 (en) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Vaporizing device for chemical vapor deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960040071U KR0137947Y1 (en) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Vaporizing device for chemical vapor deposition apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980027152U KR19980027152U (en) | 1998-08-05 |
| KR0137947Y1 true KR0137947Y1 (en) | 1999-03-20 |
Family
ID=19473844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019960040071U KR0137947Y1 (en) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Vaporizing device for chemical vapor deposition apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0137947Y1 (en) |
-
1996
- 1996-11-14 KR KR2019960040071U patent/KR0137947Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980027152U (en) | 1998-08-05 |
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