KR0136359B1 - Exposure method for wafer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 노광방법에 관한 것으로, 반도체 소자 제조 공정중 웨이퍼 위에 패턴을 형성하기 위한 노광 작업시 웨이퍼 끝부분의 불균일성을 극복하기 위하여 웨이퍼 끝부분을 필드(field) 구분이 아닌 다이(die) 구분으로 가림막(blade)을 지정해 주므로써 수율 향상 및 초점 불량을 방지할 수 있는 웨이퍼 노광 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer exposure method. In order to overcome the nonuniformity of the wafer tip during the exposure operation for forming a pattern on the wafer during the semiconductor device manufacturing process, the wafer tip is separated from the die rather than the field. It relates to a wafer exposure method that can improve the yield and prevent focus failure by specifying a bladder.
Description
제1 및 제2도는 종래의 노광방법에 의해 웨이퍼상에 노광면적을 형성한 상태의 웨이퍼 평면도1 and 2 are plan views of a wafer in which an exposure area is formed on a wafer by a conventional exposure method.
제2도는 본 발명에 의해 웨이퍼상에 노광면적을 형성한 상태의 웨이퍼 평면도2 is a plan view of a wafer in which an exposure area is formed on a wafer according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1 : 웨이퍼, 2A : 감광막 제거영역,1: wafer, 2A: photoresist removal region,
2B : 감광막 영역, 3 : 노광면적,2B: photoresist region, 3: exposure area,
3A : 단위 필드 3B : 단위 다이3A: Unit Field 3B: Unit Die
본 발명은 웨이퍼 노광방법에 관한 것으로, 특히 반도체 소자 제조 공정중 웨이퍼 위에 패턴을 형성하기 위한 노광 작업시 웨이퍼 끝부분의 불균일성을 극복하기 위하여 웨이퍼 끝부분을 필드(field) 구분이 아닌 다이(die) 구분으로 가림막(blade)을 지정해 주므로써 수율 향상 및 초점 불량을 방지할 수 있는 웨이퍼 노광방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer exposure method. In particular, in order to overcome the nonuniformity of the wafer tip during an exposure operation for forming a pattern on the wafer during a semiconductor device manufacturing process, the wafer tip is not a field division but a die. It relates to a wafer exposure method that can improve yield and prevent focal defects by specifying a bladder as a division.
일반적으로 노광기를 사용하여 웨이퍼 위에 패턴을 형성하여 잡 파일(job file)을 작성할 때 가림막을 사용하여 하나의 필드를 노광하게 된다. 하나의 필드는 가림막을 사용하여 1회 노광하는 면적을 말하며, 하나의 필드는 여러개의 다이로 구성되고, 하나의 다이는 반도체 소자 한 개를 말한다.In general, when a pattern is formed on a wafer using an exposure machine to create a job file, a mask is used to expose one field. One field refers to an area exposed once using a shielding film, one field consists of several dies, and one die refers to one semiconductor device.
그런데, 웨이퍼 노광 주입시 웨이퍼 끝부분에는 노광기의 자동초점 조절이 안되어 초점 불량에 의한 노광 재작업을 초래하는 경우가 많고, 이에 따라 웨이퍼 끝부분에 형성되는 소정의 필드에서의 다이는 대부분 리젝트 다이(reject die)가 되어지는 문제가 있다.By the way, during the exposure of the wafer exposure, the autofocus of the exposure machine is not adjusted at the end of the wafer, which often results in rework of the exposure due to poor focus. Accordingly, most die in a predetermined field formed at the end of the wafer are reject die. There is a problem of (reject die).
이를 제1도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.This will be described with reference to FIG. 1.
제1도는 웨이퍼(1)상에 감광막을 도포하여 감광막 제거영역(2A)과 감광막 영역(2B)으로 확정한 후 노광기에서 웨이퍼(1) 전체면을 동일한 필드 구분으로 노광면적(3)을 형성한 상태를 도시한 것이다.FIG. 1 shows that the photoresist film is applied onto the wafer 1 to determine the photoresist removal region 2A and the photoresist region 2B, and then the exposure area 3 is formed in the exposure machine with the same field division in the entire surface of the wafer 1. The state is shown.
상기 형성된 노광면적(3)에서 웨이퍼(1)의 끝부분의 단위 필드(3A)에서 절단되는 부위가 생겨 노광기의 자동초점 범위를 벗어나서 초점불량을 발생하게 되어 노광작업을 능률을 저하시킨다.In the formed exposure area 3, a portion cut in the unit field 3A at the end of the wafer 1 is generated, which causes a focal defect beyond the autofocus range of the exposure machine, thereby reducing the efficiency of the exposure operation.
초점불량 발생지역은 부호 D에 의해 지시된다.The out of focus area is indicated by code D.
상기한 문제점을 해결하기 위한 다른 방법으로는 제2도에 도시된 바와같이 제1도의 웨이퍼 끝부분의 단위필드(3A)를 형성시키지 않는 방법이다.Another method for solving the above problem is a method of not forming the unit field 3A at the end of the wafer of FIG. 1 as shown in FIG.
이러한 방법은 상기한 문제점을 해결할 수 있으나, 수율의 저하를 초래하여 생산성을 감소시키는 비경제적인 방법이다.This method can solve the above problems, but it is an uneconomical method of reducing productivity by causing a decrease in yield.
따라서, 본 발명은 노광기의 자동초점 에러에 의한 초점불량을 방지하면서 웨이퍼 끝부분을 최대한 활용하여 소자의 수율을 증가시킬 수 있는 웨이퍼 노광방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer exposure method that can increase the yield of the device by maximizing the wafer edge while preventing the focus failure caused by the autofocus error of the exposure machine.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼 노광방법은 웨이퍼 중앙부분은 가로 및 세로로 배열된 다수의 다이를 갖는 단위 필드별로 가림막을 사용한 노광 작업을 실시하고, 하나의 단위 필드를 노광하기에는 공간이 부족한 웨이퍼 외곽 부분은 하나의 단위 필드가 갖고 있는 다수의 다이중 세로로 배열된 다이들 및 가로로 배열된 다이들이 선택적으로 노광되도록 상기 가람막의 수치를 조절하여 단위 다이별로 노광 작업을 실시하는 것을 특징으로 한다.In the wafer exposure method of the present invention for achieving the above object, the wafer central portion performs an exposure operation using a shielding film for each unit field having a plurality of dies arranged horizontally and vertically, and there is a space for exposing one unit field. The insufficient outer portion of the wafer is configured to perform exposure operation for each unit die by adjusting the value of the light film so that the vertically arranged dies and the horizontally arranged dies among the plurality of dies in one unit field are selectively exposed. It is done.
이하, 본 발명을 웨이퍼상에 노광면적을 형성한 상태의 웨이퍼 평면도를 도시한 제3도를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3, which shows a plan view of a wafer in which an exposure area is formed on a wafer.
웨이퍼(1)상에 감광막을 도포하여 감광막 제거영역(2A)과 감광막 영역(2B)으로 확정한 후 웨이퍼(1)의 중앙 부분은 정상적으로 가림막을 사용한 노광 작업을 단위 필드별로 수 내지 수십차례 실시하여 단위 필드가 배열된 노광면적(3)을 형성하고, 웨이퍼(1) 외곽 부분은 가림막 수치를 조절하여 단위 다이(3B)별로 노광한다.After the photoresist was applied onto the wafer 1 to determine the photoresist removal region 2A and the photoresist region 2B, the center portion of the wafer 1 was normally subjected to several to several tens of exposure operations per unit field. The exposure area 3 in which the unit fields are arranged is formed, and the outer portion of the wafer 1 is exposed for each unit die 3B by adjusting the screen value.
통상적으로 하나의 단위 필드는 가로 및 세로로 배열된 여러개의 단위 다이로 구성된다.Typically, one unit field consists of several unit dies arranged horizontally and vertically.
웨이퍼(1) 중앙 부분에는 하나의 단위 필드를 노광하기에 충분한 공간이 확보되기 때문에 노광 작업에 문제가 발생되지 않지만, 하나의 단위 필드를 노광하기에는 공간이 부족한 웨이퍼(1) 외곽 부분은 노광 작업시 초점 불량의 발생으로 원하는 패턴을 웨이퍼에 형성하기 어려운 문제가 있다.In the center part of the wafer 1, since there is enough space for exposing one unit field, there is no problem in the exposure operation, but the outer portion of the wafer 1, which has insufficient space for exposing one unit field, is exposed during the exposure operation. There is a problem that it is difficult to form a desired pattern on a wafer due to the occurrence of focus failure.
따라서, 웨이퍼(1) 외곽 부분에도 노광 작업을 실시하기 위해 가림막의 수치를 조절한다.Therefore, the numerical value of the shielding film is adjusted in order to perform exposure work also in the outer part of the wafer 1.
가림막의 수치조절은 하나의 단위 필드가 갖고 있는 다수의 다이중 일부 즉, 세로로 배열된 다이들 또는 가로로 배열된 다이들만이 노광되도록 한다.Numerical adjustment of the screen allows the exposure of only some of the plurality of dies in one unit field, that is, dies arranged vertically or dies arranged horizontally.
예를 들어, 하나의 단위 피드가 가로 및 세로로 단위 다이가 2개씩 배열된 구조이고, 하나의 단위 필드가 갖고 있는 다수의 다이중 일부 즉, 세로로 배열된 다이들 또는 가로로 배열된 다이들만이 노광되도록 한다.For example, one unit feed has a structure in which two unit dies are arranged horizontally and vertically, and only a part of a plurality of dies in one unit field, that is, vertically arranged dies or horizontally arranged dies To be exposed.
예를 들어, 하나의 단위 필드가 가로 및 세로로 단위 다이가 2개씩 배열된 구조이고, 하나의 단위 다이의 크기가 5mm×5mm라고 가정할 경우, 단위 필드를 형성하기 위한 가림막 영역은 10mm×10mm으로 정의된다.For example, assuming that one unit field has two unit dies arranged horizontally and vertically, and that one unit die has a size of 5 mm x 5 mm, the screen area for forming the unit field is 10 mm x 10 mm. Is defined.
이러한 크기의 가림막으로 웨이퍼(1) 중앙 부분에 단위 필드들을 순차적으로 형성한다.Unit fields are sequentially formed in the central portion of the wafer 1 with this sized shielding film.
그런데, 웨이퍼(1)의 외곽 부분은 라운딩 되어 있기 때문에 공간상으로 단위 필드(10mm×10mm)를 완전하게 노광시킬 수 없고, 단지 몇 개의 단위 다이만을 노광시킬 수 있는 공간만이 있게 된다.However, since the outer part of the wafer 1 is rounded, it is impossible to completely expose the unit field (10 mm x 10 mm) in space, and there is only a space capable of exposing only a few unit dies.
이러한 공간 부분에도 다이를 형성시키기 위해 가림막 영역을 5mm×10mm(세로로 배열된 단위 다이들이 노광됨)로 정의되도록 하거나, 10mm×5mm(가로로 배열된 단위 다이들이 노광됨)로 정의되도록 수치를 조절한다.In order to form a die in this space part, the numerical value is defined such that the screen area is defined as 5 mm x 10 mm (the vertically arranged unit dies are exposed) or 10 mm x 5 mm (the horizontally arranged unit dies are exposed). Adjust
상술한 바와 같이 웨이퍼의 중앙 부분은 물론 웨이퍼의 외곽 부분도 초점 불량없이 선택적으로 양호한 다이를 형성하므로써, 웨이퍼 전체 부분에 형성되는 다이수를 최대한 증대시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.As described above, not only the center portion of the wafer but also the outer portion of the wafer selectively forms a good die without a poor focus, thereby increasing the number of dies formed on the entire portion of the wafer to maximize productivity.
Claims (1)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019940013496A KR0136359B1 (en) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | Exposure method for wafer |
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| KR1019940013496A KR0136359B1 (en) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | Exposure method for wafer |
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| KR960001906A KR960001906A (en) | 1996-01-26 |
| KR0136359B1 true KR0136359B1 (en) | 1998-04-24 |
Family
ID=19385343
Family Applications (1)
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| KR1019940013496A KR0136359B1 (en) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | Exposure method for wafer |
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1994
- 1994-06-15 KR KR1019940013496A patent/KR0136359B1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
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| KR960001906A (en) | 1996-01-26 |
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