KR0125496Y1 - Klystron - Google Patents

Klystron

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KR0125496Y1
KR0125496Y1 KR2019950003169U KR19950003169U KR0125496Y1 KR 0125496 Y1 KR0125496 Y1 KR 0125496Y1 KR 2019950003169 U KR2019950003169 U KR 2019950003169U KR 19950003169 U KR19950003169 U KR 19950003169U KR 0125496 Y1 KR0125496 Y1 KR 0125496Y1
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klystron
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한석진
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김광호
삼성전자주식회사
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/16Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
    • H01J23/18Resonators
    • H01J23/20Cavity resonators; Adjustment or tuning thereof

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  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

본 고안은 마이크로파를 발생시키는 클라이스트론에 관한 것으로서, 캐소드(11)로부터 콜렉터(71)로 향해 가속되는 전자빔의 밀도를 변조시키도록 상기 캐소드(11)와 콜렉터(71)사이에 튜브(50)가 배설된 클라이스트론에 있어서, 상기 튜브(50)는 계단 용기형으로 형성된 튜브본체(51)와, 상기 튜브본체(51)내의 계단부에 접합되어 캐비티를 형성하는 플레이트(53,55,57,59)와, 상기 전자빔의 통로를 형성시키도록 상기 튜브본체(51) 및 플레이트(53,55,57,59)를 관통하여 튜브본체(51)내에 배설된 채널관(61,63,65,67,69)으로 이루어진 것을 특징으로 하며, 이와 같이 구성되어 있으므로, 외관을 미려하게 함과 동시에 튜브의 재료비 및 가공비를 줄여 튜브의 제조비용을 절감시킨다.The present invention relates to a klystron that generates microwaves, wherein a tube 50 is disposed between the cathode 11 and the collector 71 to modulate the density of the electron beam accelerated from the cathode 11 toward the collector 71. In the Klystron, the tube 50 is a tube body 51 formed in a stepped container shape, the plate (53, 55, 57, 59) is joined to the step portion in the tube body 51 to form a cavity; And channel channels 61, 63, 65, 67, and 69 disposed in the tube body 51 through the tube body 51 and the plates 53, 55, 57, and 59 to form a passage of the electron beam. Characterized in that, because it is configured as described above, while reducing the material cost and processing cost of the tube while at the same time beautiful appearance and reduces the manufacturing cost of the tube.

Description

클라이스트론klystron

제1도는 종래의 클라이스트론을 도시한 종단면도.1 is a longitudinal sectional view showing a conventional klystron.

제2도는 제1도의 튜브본체를 도시한 사시도.2 is a perspective view showing the tube body of FIG.

제3도는 본 고안의 일실시예에 의한 클라이스트론을 도시한 종단면도.Figure 3 is a longitudinal cross-sectional view showing a klystron according to an embodiment of the present invention.

제4도는 제3도의 튜브본체를 도시한 사시도이다.4 is a perspective view showing the tube body of FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

11 : 캐소드 50 : 튜브11: cathode 50: tube

51 : 튜브본체 53,55,57,59 : 플레이트51: tube body 53, 55, 57, 59: plate

61,63,65,67,69 : 채널관 71 : 콜렉터61,63,65,67,69 Channel Channel 71 Collector

본 고안은 마이크로파를 발생시키는 클라이스트론에 관한 것으로서, 특히, 계단 용기형의 튜브본체를 구비한 클라이스트론에 관한 것이다.The present invention relates to a klystron for generating microwaves, and more particularly to a klystron having a tube body of a stepped container type.

종래, 다수의 전자빔을 형성하는 클라이스트론은 제1도에 도시한 바와 같이, 전자를 방출하는 캐소드(11)와, 상기 캐소드(11)로부터 발생된 전자를 수집하는 콜렉터(13)와, 상기 캐소드(11)로부터 콜렉터(13)로 가속되는 전자들로 구성된 다수의 전자빔(15)의 밀도를 변조시키도록 상기 캐소드(11)와 콜렉트(13)사이에 배설된 튜브(40)와, 상기 전자빔(15)의 확산을 방지하여 상기 전자빔(15)이 일정한 크기를 유지하도록 상기 전자빔(15)의 길이방향을 따라 자속을 형성시키는 좌 우측마그네트(17,19)와, 상기 좌 우측마그네트(17,19)가 각각 배설되는 좌 우측폴피스(21,23)와, 상기 캐소드(11)로부터 전자를 발생시키도록 상기 캐소드(11)를 가열하는 히터(25)와, 상기 콜렉터(13)에 부딪치는 전자에 의해 콜렉터(13)로부터 발생되는 열을 외부로 방출하도록 상기 콜렉터(13)에 배설된 방열부재(27)와, 상기 콜렉터(13) 및 방열부재(27)가 체결수단에 의해 좌우측에 각각 체결됨과 동시에 우측폴피스(23)를 지지하는 지지부재(29)와, 밀도변화에 따른 마이크로파에너지를 상기 튜브(40)로부터 끌어내는 출력단(31)으로 이루어져 있다.Conventionally, as shown in FIG. 1, a klystron forming a plurality of electron beams includes a cathode 11 for emitting electrons, a collector 13 for collecting electrons generated from the cathode 11, and the cathode ( A tube 40 disposed between the cathode 11 and the collect 13 so as to modulate the density of the plurality of electron beams 15 composed of electrons accelerated from the collector 13 to the collector 13 and the electron beam 15 Left right magnets (17, 19) and the left right magnets (17, 19) to form a magnetic flux along the longitudinal direction of the electron beam 15 to prevent the diffusion of the electron beam 15 to maintain a constant size Is disposed on the left and right pole pieces 21 and 23, the heater 25 for heating the cathode 11 to generate electrons from the cathode 11, and the electrons colliding with the collector 13. To the collector 13 to release heat generated from the collector 13 to the outside. The installed heat dissipation member 27, the collector 13 and the heat dissipation member 27 are fastened to the left and right sides by fastening means, and at the same time, the support member 29 supporting the right pole piece 23 and the density change. It consists of an output stage 31 which draws microwave energy from the tube 40.

또한, 상기 캐소드(11)와 콜렉터(13)간에는 상기 전자빔(15)을 가속시키도록 상기 캐소드(11)와 콜렉터(13)간에 일정한 전압을 걸어주는 도시하지 않은 가속수단이 배설되어 있다.Further, an acceleration means (not shown) is provided between the cathode 11 and the collector 13 to apply a constant voltage between the cathode 11 and the collector 13 to accelerate the electron beam 15.

그리고, 상기 캐소드(11)로부터 발생되는 전자가 다수의 전자빔(15)을 형성하도록 상기 콜렉터(13)와 마주보는 캐소드(11)의 면의 다수곳에는 오목면이 형성되어 있고, 상기 오목면 이외의 캐소드(11)면에서는 전자가 방출되지 않도록 상기 오목면 이외의 캐소드(11)면에는 전자방출을 억제하는 재질(몰리브덴등)이 코팅되어 있다.In addition, a concave surface is formed at a plurality of portions of the surface of the cathode 11 facing the collector 13 so that electrons generated from the cathode 11 form a plurality of electron beams 15, and other than the concave surface. The cathode 11 surface is coated with a material (molybdenum or the like) for suppressing electron emission on the cathode 11 surface other than the concave surface so that electrons are not emitted.

상기 좌 우측마그네트(17,19)는 상기 캐소드(11)와 콜렉터(13)의 외측에 각각 배설되어 상기 캐소드(11)로부터 콜렉터(13)로 흐르는 전자의 방향에 대해 반대방향으로 자속을 형성하도록 상기 좌측 마그네트(17)의 내주면은 S극으로 형성되어 있음과 동시에 그 외주면은 N극으로 형성되어 있고, 상기 우측 마그네트(19)의 내주면은 N극으로 형성되어 있음과 동시에 그 외주면은 S극으로 형성되어 있다.The left and right magnets 17 and 19 are respectively disposed outside the cathode 11 and the collector 13 so as to form magnetic flux in a direction opposite to the direction of electrons flowing from the cathode 11 to the collector 13. The inner circumferential surface of the left magnet 17 is formed of the S pole, and the outer circumferential surface thereof is formed of the N pole, and the inner circumferential surface of the right magnet 19 is formed of the N pole, and the outer circumferential surface thereof is the S pole. Formed.

상기 히터(25)의 좌측에는 상기 히터(25)를 지지하는 지지대(33a,33b)가 배설되어 있고, 상기 지지대((33a,33b)의 좌측단부에는 상기 지지대(33a,33b)를 지지하는 세라믹 홀더(35)가 배설되어 있으며, 상기 세라믹홀더(35)의 좌측면에는 도시하지 않은 전원공급장치에 전기적으로 접속되도록 전선(37a,37b)이 접속된 러그(39a,39b)가 배설되어 있다.Supports 33a and 33b for supporting the heater 25 are disposed on the left side of the heater 25, and ceramics for supporting the supports 33a and 33b on the left ends of the supports 33a and 33b. The holder 35 is disposed, and lugs 39a and 39b to which the electric wires 37a and 37b are connected are electrically arranged on the left side of the ceramic holder 35 so as to be electrically connected to a power supply device (not shown).

상기 히터(25)의 내부에는 전원의 공급에 따라 저항열을 발생하는 도시하지 않은 코일이 배설되어 있고, 상기 지지대(33a,33b)의 내부에는 상기 코일에 전원이 공급하도록 일단은 상기 코일에 전기적으로 접속됨과 동시에 타단은 상기 러그(39a,39b)에 전기적으로 접속되는 도시하지 않은 전선이 배설되어 있다.A coil (not shown) for generating resistance heat according to the supply of power is disposed inside the heater 25, and one end of the heater 25 is electrically connected to the coil to supply power to the coil. At the same time, wires (not shown) that are electrically connected to the lugs 39a and 39b at the other end are disposed.

상기 튜브(40)는 튜브본체(41)와, 상기 튜브본체(41)내에 배설되어 상기 전자빔(15)이 흐르는 통로를 형성하는 채널관(43)으로 이루어져 있다.The tube 40 is composed of a tube body 41 and a channel tube 43 disposed in the tube body 41 to form a passage through which the electron beam 15 flows.

상기 방열부재(27)의 단부에는 상기 콜렉터(13)로부터 발생되는 열이 외부로 용이하게 방출되도록 외부공기와 접촉면적이 넓은 다수의 방열핀(271)이 일정간격을 두고 배열설치되어 있다.At the end of the heat dissipation member 27, a plurality of heat dissipation fins 271 having a wide contact area with external air are arranged at regular intervals so that heat generated from the collector 13 is easily discharged to the outside.

상기 방열부재(27)의 단부에는 상기 콜렉터(13)로부터 발생되는 열이 외부로 용이하게 방출되도록 외부공기와의 접촉면적이 넓은 다수의 방열판(271)이 일정간격을 두고 배열설치되어 있다.At the end of the heat dissipation member 27, a plurality of heat dissipation plates 271 having a large contact area with external air are arranged at regular intervals so that heat generated from the collector 13 is easily discharged to the outside.

상기 튜브(40)는 튜브본체(41)와, 상기 튜브본체(41)내에 설치되어 상기 전자빔(15)이 흐르는 통로를 형성하는 채널관(43)으로 이루어져 있다.The tube 40 is composed of a tube body 41 and a channel tube 43 formed in the tube body 41 to form a passage through which the electron beam 15 flows.

상기 튜브본체(41)내에는 상기 전자빔(15)의 속도를 변화시킴으로써 상기 전자빔(15)의 밀도변조를 유도하는 다수의 캐비티(411,412,413,414)가 관통형되어 있고, 상기 캐비티(411,412,413,414)내에는 도시하지 않은 신호원에 의해 고주파전계가 가해지는 갭(431,432,433,434)이 각각 형성됨과 동시에 인접한 각 갭(431,432,433,434)사이에 관통되게 다수의 드리프트공간(435)이 형성된 채널관(43)이 배설되어 있다.In the tube body 41, a plurality of cavities 411, 412, 413, 414 for inducing density modulation of the electron beam 15 by varying the speed of the electron beam 15 are passed through, and are not shown in the cavities 411, 412, 413, 414. The gaps 431, 432, 433 and 434, to which the high frequency electric field is applied, are formed by the signal source, and the channel pipe 43 in which the plurality of drift spaces 435 are formed to penetrate between the adjacent gaps 431, 432, 433 and 434 is disposed.

즉, 상기 체널관(43)의 내부에 형성된 다수의 갭공간 및 관통구멍에 의해 상기 갭(431,432,433,434) 및 다수의 드리프트공간(435)이 형성된다.That is, the gaps 431, 432, 433, 434 and the plurality of drift spaces 435 are formed by a plurality of gap spaces and through holes formed in the channel tube 43.

그리고 상기 콜렉터(13)에 인접한 캐비티(414)에는 상기 출력단(31)이 배설되어 있다.The output end 31 is disposed in the cavity 414 adjacent to the collector 13.

한편, 상기 튜브본체(41)는 제2도에 도시한 바와 같이 육면체형상으로서, 상기 튜브본체(41)에는 그 전면으로부터 후면으로 다수개의 캐비티(411,412,413,414)가 관통되게 형성되어 있고, 상기 캐비티(411,412,413,414)의 관통방향에 대해 수직방향으로 상기 튜브본체(41)의 측면 중앙에는 상기 채널관(43)이 삽입에 의해 배설되도록 제1관통구멍(415)이 형성되어 있으며, 상기 튜브본체(41)의 상면에 대해 상기 네번째 캐비티(414)방향에는 상기 출력단(31)을 배설하도록 제2관통구멍(416)이 형성되어 있다.On the other hand, the tube body 41 is a hexahedral shape, as shown in Figure 2, the tube body 41 is formed so that a plurality of cavities (411, 412, 413, 414) penetrates from the front to the rear, the cavity (411, 412, 413, 414) The first through hole 415 is formed in the center of the side of the tube body 41 in the direction perpendicular to the penetrating direction of the tube body 43 so as to be discharged by insertion. The second through hole 416 is formed in the direction of the fourth cavity 414 with respect to the upper surface so as to arrange the output end 31.

이와 같이 구성된 종래의 클라이스트론에서, 도시하지 않은 가속수단, 히터(25) 및 도시하지 않은 신호원에 전원이 인가되면, 상기 히터(25)내에 배설된 도시하지 않은 코일의 저항열에 의해 히터(25)가 발열하여 캐소드(11)를 가열한다. 상기 캐소드(11)가 가열되어 고온으로 되면, 상기 캐소드(11)의 오목면으로부터 전자가 방출된다.In the conventional Klystron configured as described above, when power is applied to an acceleration unit (not shown), a heater (25) and a signal source (not shown), the heater (25) is formed by the resistance heat of the coil (not shown) disposed in the heater (25). Generates heat to heat the cathode 11. When the cathode 11 is heated to a high temperature, electrons are emitted from the concave surface of the cathode 11.

상기 전자는 도시하지 않은 가속수단에 의해 상기 캐소드(11)와 클렉터(13)간에 인가되어 있는 가속전압에 의해 채널관(43)에 형성된 다수의 관통구멍을 통하여 다수의 전자빔(15)으로 형성되면서 튜브(40)의 채널관(43)내에 유입된다. 이때, 상기 전자빔(15)은 좌 우측마그네트(17,19)에 의해 형성되는 방향의 자속에 의해 확산이 방지되어 일정한 크기로 유지됨과 동시에 화살표방향의 자속의 자속밀도에 의해 더욱 가속된다. 즉, 전자는 입자의 흐름이므로 N극에서 S극방향으로 형성되는 자속의 자속밀도가 커지면 오른쪽 방향으로 흐르는 전자의 유동력은 커지는 것이다.The electrons are formed into a plurality of electron beams 15 through a plurality of through holes formed in the channel tube 43 by an acceleration voltage applied between the cathode 11 and the selector 13 by an acceleration unit (not shown). While being introduced into the channel pipe 43 of the tube 40. At this time, the electron beam 15 is prevented from being diffused by the magnetic flux in the direction formed by the left and right magnets 17 and 19 to be maintained at a constant size and further accelerated by the magnetic flux density of the magnetic flux in the arrow direction. That is, since the electrons are the flow of particles, the flow force of the electrons flowing in the right direction increases as the magnetic flux density of the magnetic flux formed in the N pole in the S pole direction increases.

상기 튜브(40)의 채널관(43)내에 유입된 전자들이 첫번째 캐비티(411)의 갭(431)에 도달하면, 상기 갭(431)에는 도시하지 않은 신호원에 의해 고주파전계가 형성되어 있으므로 이 전자들은 이 고주파전계에 의해 제각기 속도가 변한다. 즉, 이 전자들은 속도변조되는 것이다.When the electrons introduced into the channel tube 43 of the tube 40 reach the gap 431 of the first cavity 411, a high frequency electric field is formed in the gap 431 by a signal source (not shown). The electrons vary in speed by this high frequency field. That is, these electrons are speed modulated.

속도변조를 받은 상기 전자들은 전계가 변화된 드리프트 공간(435)을 지나갈때 변조된 제각기의 속도를 나아간다. 따라서, 가속을 받은 전자는 평균보다 앞쪽으로 나아가고, 감속을 받은 전자는 평균보다 늦어져서 점차 전자들은 덩어리를 만들게 된다. 이 작용에 의해 각 전자빔내에는 전자밀도의 불균일이 생긴다. 즉, 각 전자빔(15)은 밀도변조되는 것이다.The speed modulated electrons advance the speed of each modulated field as the electric field passes through the changed drift space 435. Therefore, the accelerated electrons move forward than the average, and the decelerated electrons are later than the average so that the electrons form a lump. This action causes non-uniformity of electron density in each electron beam. That is, each electron beam 15 is density modulated.

상기 전자빔(15)내의 전자가 계속진행하여 두번째 캐비티(412), 세번째 캐비티(413) 및 네번째 캐비티(414)에 순차적으로 도달될 때도 위에서 설명한 바와 같은 작용에 의해 전자의 속도변조가 일어나게 된다. 이로 인해 전자빔(15)내에서 전자밀도가 높았던 부분의 전자밀도는 더욱 높아진다. 이 높은 전자밀도를 갖는 전자빔(15)은 네번째 캐비티(414)에서 도시하지 않은 촐력회로에 의해 마이크로파에너지로 변환되어 출력단(31)을 통해 외부로 출력된다. 즉, 전자빔(15)의 밀도변화에 따른 에너지, 도시하지 않은 가속수단의 가속전압에 의한 전자의 운동에너지 및 좌 우측마그네트(17,19)에 의해 형성되는 자속의 자속밀도에 의한 전자의 운동에너지가 출력단(31)을 통해 외부로 출력되는 것이다.When the electrons in the electron beam 15 continue to reach the second cavity 412, the third cavity 413, and the fourth cavity 414 sequentially, the speed modulation of the electrons occurs by the above-described action. For this reason, the electron density of the part where the electron density was high in the electron beam 15 becomes further high. The electron beam 15 having this high electron density is converted into microwave energy by an output circuit not shown in the fourth cavity 414 and output to the outside through the output stage 31. That is, the kinetic energy of the electron due to the energy of the density change of the electron beam 15, the kinetic energy of the electron due to the acceleration voltage of the acceleration means (not shown), and the magnetic flux density of the magnetic flux formed by the left right magnets 17 and 19 Is output to the outside through the output terminal 31.

그리고, 상기 전자빔(15)들의 밀도변조경향은 각 캐비티의 내부표면적에 비례하여 커진다는 것이 실험적으로 알려져 있다.It is experimentally known that the density modulation tendency of the electron beams 15 increases in proportion to the inner surface area of each cavity.

출력에 의한 운동에너지를 손실한 전자, 즉 전자빔(15)의 밀도변화의 매개체인 전자는 계속 진행하여 콜렉터(13)의 표면에 이른다. 상기 콜렉터(13)표면에 이른 전자는 상기 콜렉터(13)표면에 부딪치면서 상기 콜렉터(13)에 흡수되어 소멸한다. 이때, 마이크로파에너지로 변환되지 못한 운동에너지에 의해 상기 콜렉터(13)표면에 부딪친 전자의 운동에너지는 열네너지로 변환되고, 상기 열에너지는 방열부재(27)를 통해 외부에 방산된다.Electrons that have lost kinetic energy due to output, that is, electrons, which are mediators of the density change of the electron beam 15, continue to reach the surface of the collector 13. Electrons that reach the surface of the collector 13 are absorbed and extinguished by the collector 13 while colliding with the surface of the collector 13. At this time, the kinetic energy of the electrons hitting the collector 13 surface by the kinetic energy that is not converted into microwave energy is converted into thermal energy, and the thermal energy is dissipated to the outside through the heat radiating member 27.

그런데, 이와 같이 구성된 종래의 클라이스트론에서는 튜브(40)의 튜브본체(41)가 한개의 부재로 형성되어 있다. 따라서, 상기 튜브본체(41)를 제작하기 위해서는 먼저, 육면체 형상의 중실재(속이 찬 부재)를 준비하고, 상기 중실재의 상기 다수개의 캐비티(411,412,413,414)및 제1관통구멍(415)를 형성시키는 와이어컷팅가공을 한 후, 제2관통구멍(416)을 형성시키는 드릴링가공을 한다.By the way, in the conventional klystron configured as described above, the tube body 41 of the tube 40 is formed of one member. Therefore, in order to manufacture the tube body 41, first, a solid material (solid member) having a hexahedron shape is prepared, and the wires forming the plurality of cavities 411, 412, 413, 414 and the first through hole 415 of the solid material. After cutting, drilling is performed to form the second through hole 416.

상기 와이어컷팅 가공법은 와이어라는 절삭공구를 사용하여 피절삭물에 일정한 형상의 관통구멍 또는 윤곽을 형성시키는 가공법이다. 즉, 와이어컷팅 가공법으로 피절삭물에 일정한 형상의 관통구멍을 형성시키기 위해서는 먼저, 피절삭물의 면에 상기 와이어가 삽입될 정도의 소관통구멍을 드릴링머시인등으로 형성시킨 후, 상기 와이어를 이 소관통구멍에 관통되게 삽입함과 동시에 상기 와이어 및 피절삭물을 와이어컷팅 머시인에 설치한다.The wire cutting processing method is a processing method of forming a through hole or contour having a constant shape in a workpiece by using a cutting tool called a wire. That is, in order to form a through hole having a predetermined shape in the workpiece by the wire cutting method, first, a small through-hole is inserted into the surface of the workpiece to be inserted into the surface of the workpiece, such as by drilling machine. The wire and the workpiece are installed in the wire cutting machine while being inserted through the small through hole.

다음에 와이어컷팅 머시인을 작동시켜 형성될 관통구멍의 원주면을 따라 상기 와이어를 이동시키면, 상기 피절삭물에 원하는 형상의 관통구멍을 형성시킬 수 있는 것이다.Next, by moving the wire along the circumferential surface of the through hole to be formed by operating a wire cutting machine, it is possible to form a through hole of a desired shape in the workpiece.

상기 와이어컷팅 가공법으로 하나의 피절삭물에 다수개의 관통구멍을 형성시키기 위해서는 관통구멍의 수에 따라 와이어를 착탈해야 하므로 연속적인 절삭작업이 불가능하므로 가공시간이 길어 진다.In order to form a plurality of through holes in one workpiece by the wire cutting process, the wires must be attached and detached according to the number of through holes, so that continuous cutting operations are not possible, thereby increasing the processing time.

따라서, 종래 한개의 부재로 형성된 튜브본체(41)는 중실재(속이 찬 부재)로부터 불필요한 부분을 제거하여 제작되므로 재료의 손실이 많고, 와이어컷팅 가공 및 드릴링 가공등의 절삭가공에 의해 제작되므로 가공시간이 길어 전체적으로 클라이스트론의 제조비용을 높인다는 문제점이 있었다.Therefore, the tube body 41 formed of a single member is manufactured by removing unnecessary parts from a solid material (solid member), so that there is a lot of material loss, and is manufactured by cutting such as wire cutting and drilling. The long time had a problem in that the overall cost of manufacturing Klystron.

본 고안은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 본 고안의 목적은 계단 용기형의 튜브본체에 플레이트를 용이하게 접합하여 캐비티를 형성하므로써, 튜브의 재료비 및 가공비를 줄여 튜브의 제조비용을 절감시키는 클라이스트론을 제공하는데 있다.The present invention is made to solve such a problem, the object of the present invention is to form a cavity by easily bonding the plate to the tube body of the staircase container type, reducing the material cost and processing cost of the tube to reduce the manufacturing cost of the tube To provide Klystron.

상기 목적을 달성하기 위하여 이루어진 본 고안에 의한 클라이스트론은 캐소드로부터 콜렉터로 향해 가속되는 전자빔의 밀도를 변조시키도록 상기 캐소드와 콜렉터사이에 튜브가 배설된 클라이스트론에 있어서, 상기 튜브는 계단 용기형으로 형성된 튜브본체와, 상기 튜브본체내의 계단부에 접합되어 캐비티를 형성하는 다수의 플레이트와, 상기 전자빔의 통로를 형성시키도록 상기 플레이트를 관통하여 튜브본체내에 배설된 다수의 채널관으로 이루어진 것을 특징으로 한다.The klystron according to the present invention made to achieve the above object is a klystron in which a tube is disposed between the cathode and the collector to modulate the density of the electron beam accelerated from the cathode to the collector, wherein the tube is formed in a stepped container shape. A main body, a plurality of plates joined to the stepped portion in the tube body to form a cavity, and a plurality of channel tubes disposed in the tube body through the plate to form a passage of the electron beam, characterized in that the.

이하, 본 고안의 일실시예에 관하여 첨부도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 또, 제1도에 도시한 부분과 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 중복되는 설명은 생략한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the part same as the part shown in FIG. 1, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

제3도 및 제4도에 도시한 바와 같이, 캐소드(1)의 우측에는 상기 캐소드(11)로부터 유입된 전자들로 구성된 다수의 전자빔(15)의 밀도를 변조시키도록 튜브(50)가 배설되어 있고, 상기 튜브(50)의 우측에는 상기 튜브(50)내를 지나면서 마이크로파 에너지를 출력시킨 전자들이 흡수되는 콜렉터(71)가 배설되어 있으며, 상기 콜렉터(71)의 우측에는 상기 콜렉터(71)에 부딪치는 전자에 의해 콜렉터(71)로부터 발생되는 열을 외부로 방출하도록 방열부재(73)가 배설되어 있다.As shown in FIGS. 3 and 4, on the right side of the cathode 1, a tube 50 is arranged to modulate the density of a plurality of electron beams 15 composed of electrons introduced from the cathode 11. On the right side of the tube 50, a collector 71 is disposed to absorb electrons that output microwave energy while passing through the tube 50. On the right side of the collector 71, the collector 71 is disposed. The heat radiating member 73 is arrange | positioned so that the heat | fever which generate | occur | produces from the collector 71 may be discharged | emitted to the outside by the electron which hit | attains the

상기 튜브(50)는 그 자체에 중공의 계단 원통형으로 된 튜브본체(51)가 형성되고, 상기 튜브본체(51)내의 계단부에는 캐비티를 형성하는 플레이트(53,55,57,59)가 순차적으로 배설되며, 상기 전자빔(15)의 통로를 형성시키도록 튜브본체(51)내에는 상기 플레이트(53,55,57,59)를 관통하여 채널관(61,63,65,67,69)이 배설된 구조로 되어 있다.The tube 50 has a tube body 51 having a hollow staircase cylindrical shape on its own, and plates 53, 55, 57, 59 forming a cavity are sequentially formed on the stepped portion of the tube body 51. And the channel pipes 61, 63, 65, 67, and 69 pass through the plates 53, 55, 57, and 59 in the tube body 51 to form a passage of the electron beam 15. It is an excreted structure.

상기 튜브본체(51)는 제1,제2,제3,제4캐비티(511,512,513,514)가 상기 플레이트(53,55,57,59)에 의해 용이하게 형성되도록 4단으로 된 중공의 원통형상으로 되고, 그 자체의 내부의 끝단에는 상기 채널관(69)이 삽입배설되도록 관통구멍(515)이 형성되고, 상기 제4캐비티(514)를 형성하는 제4단의 외주면에는 출력단(31)이 삽입 배설되도록 관통구멍(516)이 형성된 구조로 되어 있다.The tube body 51 has a hollow cylindrical shape having four stages so that the first, second, third, and fourth cavities 511, 512, 513, and 514 are easily formed by the plates 53, 55, 57, and 59. The through-hole 515 is formed at the inner end of the channel tube 69 so that the channel tube 69 is inserted and disposed, and the output end 31 is inserted and disposed at the outer circumferential surface of the fourth stage forming the fourth cavity 514. The through-hole 516 is formed as much as possible.

상기 플레이트(53,55,57,59)의 중심부에는 상기 각 채널관(61,63,65,67)이 삽입배설되도록 관통구멍(531,551,571,591)이 각각 형성되어 있다. 그리고, 상기 플레이트(57)에는 상기 관통구멍(571)의 원주면과 일정한 간격을 두고 그 둘레면에는 상기 제2캐비티(512) 및 제3캐비티(513)의 내부 표면적을 크게 하도록 엠보스가공된 엠보싱부(572)가 형성되어 있다.Through-holes 531, 551, 571, 591 are formed at the center of the plates 53, 55, 57, 59 so that the channel tubes 61, 63, 65, 67 are inserted and disposed. The plate 57 is embossed to increase the inner surface area of the second cavity 512 and the third cavity 513 at regular intervals from the circumferential surface of the through hole 571. An embossed portion 572 is formed.

상기 채널관(61,63,65,67,69)의 내부에는 상기 전자빔(15)을 안내하도록 다수의 관통구멍이 형성되어 있다.A plurality of through holes are formed in the channel tubes 61, 63, 65, 67, and 69 to guide the electron beam 15.

상기 콜렉터(71)에는 전자들의 흡수를 용이하게 하도록 요입부(711)가 형성되어 있고, 상기 방열부재(73)의 단부에는 상기 콜렉터(71)로부터 발생되는 열이 외부로 용이하게 방출되도록 외부공기와의 접촉면적이 넓은 다수의 방열핀(731)이 형성되어 있다.The collector 71 is provided with a concave inlet 711 to facilitate the absorption of electrons, and at the end of the heat dissipation member 73 so that heat generated from the collector 71 is easily discharged to the outside. A plurality of heat dissipation fins 731 having a large contact area with each other are formed.

이와 같이 구성된 본 고안의 일실시예에 의한 클라이스트론의 작용 및 효과를 다음에 설명한다.The operation and effects of Klystron according to an embodiment of the present invention configured as described above will be described below.

튜브(50)를 제작하기 위해서는 먼저, 상기 튜브본체(51),플레이트(53,55,57,59) 및 채널관(61,63,65,67,69)을 상술한 형상으로 프레스가공 또는 절삭가공을 한 후, 상기 플레이트(53,55,57,59)의 각 관통구멍(531,551,571,591)에 상기 채널관(61,63,65,67)을 일정한 양만큼 삽입하여 용접등에 의해 서로 접합한다.In order to manufacture the tube 50, first, the tube body 51, the plates (53, 55, 57, 59) and the channel tubes (61, 63, 65, 67, 69) are pressed or cut into the above-described shapes. After processing, the channel pipes 61, 63, 65, and 67 are inserted into the through holes 531, 551, 571, and 591 of the plates 53, 55, 57, and 59 by a fixed amount, and joined to each other by welding or the like.

다음에, 상기 튜브본체(51)의 관통구멍(515)에 상기 채널관(69)를 삽입하여 서로 용접에 의해 접합한 후, 상기 채널관(67,65,63)이 각각 결합된 플레이트(59,57,55)를 상기 튜브본체(51)의 내부에 삽입하여 순차적으로 상기 튜브본체(51)의 계단부에 용접한 다음, 상기 채널관(61)이 결합된 플레이트(53)를 상기 튜브본체(51)의 단부에 밀착 용접하면, 상기 튜브(50)의 제작이 완료된다.Next, the channel tubes 69 are inserted into the through holes 515 of the tube body 51 and joined to each other by welding, and then the plates 59 to which the channel tubes 67, 65, and 63 are coupled, respectively. And 57 and 55 are inserted into the tube body 51 and sequentially welded to the stepped portions of the tube body 51, and then the plate 53 to which the channel tube 61 is coupled is connected to the tube body. If it welds closely to the edge part of 51, manufacture of the said tube 50 is completed.

이때, 상기 튜브본체(51)내면에는 단이 형성되어 있으므로, 상기 플레이트(59,57,55)를 일정한 위치에 용이하게 접합할수 있는 것이다.At this time, since the end is formed on the inner surface of the tube body 51, the plates (59, 57, 55) can be easily bonded to a predetermined position.

그리고, 상기 튜브본체(51)는 계단형의 원통형상으로 프레스가공에 의해 간단히 제조될 뿐만 아니라, 버려지는 그 재료의 양이 적은 것이다.The tube body 51 is not only simply manufactured by press working in a stepped cylindrical shape, but also has a small amount of material discarded.

따라서, 튜브(50)의 재료비 및 가공비가 절감되어 그 제조비용이 절감되는 것이다.Therefore, the material cost and processing cost of the tube 50 is reduced and the manufacturing cost thereof is reduced.

앞에서 설명한 바와 같이 본 고안에 의한 클라이스트론은 계단 용기형의 튜브본체에 플레이트를 용이하게 접합하여 캐비티를 형성하므로써, 외관을 미려하게 함과 동시에 튜브의 재료비 및 가공비를 줄여 튜브의 제조비용을 절감시킨다는 매우 실용적인 고안이다.As described above, the Klystron according to the present invention forms a cavity by easily joining a plate to a tube body of a stepped container type, thereby reducing the material cost and processing cost of the tube and reducing the manufacturing cost of the tube. It is a practical design.

Claims (2)

캐소드(11)로부터 콜렉터(71)로 향해 가속되는 전자빔의 밀도를 변조시키도록 상기 캐소드(11)와 콜렉터(71)사이에 튜브(50)가 배설된 클라이스트론에 있어서, 상기 튜브(50)는 계단 용기형으로 형성된 튜브본체(51)와, 상기 튜브본체(51)내의 계단부에 접합되어 캐비티를 형성하는 플레이트(53,55,57,59)와, 상기 전자빔의 통로를 형성시키도록 상기 튜브본체(51)내에 배설된 채널관(61,63,65,67,69)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 클라이스트론.In Klystron, in which the tube 50 is disposed between the cathode 11 and the collector 71 to modulate the density of the electron beam accelerated from the cathode 11 toward the collector 71, the tube 50 is a step. A tube body 51 formed in a container shape, plates 53, 55, 57, and 59 joined to the stepped portion of the tube body 51 to form a cavity, and the tube body to form a passage of the electron beam. A klystron characterized by consisting of channel tubes (61, 63, 65, 67, 69) disposed in (51). 제1항에 있어서, 상기 튜브본체(51)는 중공의 원통형으로 형성된 것을 특징으로 하는 클라이스트론.The klystron according to claim 1, wherein the tube body is formed in a hollow cylindrical shape.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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