JPWO2023026909A5 - 基板処理方法及び基板処理システム - Google Patents

Description

【０００１】
技術分野
［０００１］
本開示は、基板処理方法及び基板処理システムに関する。
背景技術
［０００２］
特許文献１には、半導体インゴットをスライスして得られたウェハの少なくともおもて面を平坦化する工程と、平坦化されたウェハのおもて面をスピンエッチングによりエッチングする工程と、を含む半導体ウェハの製造方法が開示されている。
先行技術文献
特許文献
［０００３］
特許文献１：特開平１１－１３５４６４号公報
発明の概要
発明が解決しようとする課題
［０００４］
本開示にかかる技術は、研削後の基板表面を適切に洗浄する。
課題を解決するための手段
［０００５］
本開示の一態様は、基板を処理する基板処理方法であって、金属を含むポーラスチャックの上で前記基板を保持した状態で前記基板の表面を研削することと、研削後の前記基板の表面にエッチング液を供給して、当該表面を面内均一にするためのエッチングすることと、エッチング後の前記基板の表面に洗浄液を供給して、当該表面に付着した金属を除去することと、を有する。
発明の効果
［０００６］
本開示によれば、研削後の基板表面を適切に洗浄することができる。
図面の簡単な説明
［０００７］
［図１］本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を示す平面図である。
［図２］エッチング装置の構成の概略を示す側面図である。

Claims (20)

1. 基板を処理する基板処理方法であって、
   金属を含むポーラスチャックの上で前記基板を保持した状態で前記基板の表面を研削することと、
   研削後の前記基板の表面にエッチング液を供給して、当該表面を面内均一にするためのエッチングすることと、
   エッチング後の前記基板の表面に洗浄液を供給して、当該表面に付着した金属を除去することと、を有する、基板処理方法。
2. 前記基板の表面に付着した金属を除去することは、金属を含む前記ポーラスチャックから付着した金属を除去することである、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記洗浄液は、フッ酸を含む、請求項１又は２に記載の基板処理方法。
4. 前記洗浄液は、フッ酸と過酸化水素が混合された液である、請求項３に記載の基板処理方法。
5. 前記金属を除去する際、前記洗浄液は、２流体ノズルにおいてガスと混合されて、前記基板の表面に噴射される、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
6. 前記エッチング液は、フッ酸、硝酸及びリン酸を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
7. 前記エッチングにおいて、前記基板の表面のエッチング量は５μｍ以下である、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
8. 金属を含む前記ポーラスチャックの上で前記基板を保持した状態で前記基板の表面を研削することは、金属を含む前記ポーラスチャックの上で前記基板の第１の表面を保持した状態で前記基板の第２の表面を研削することと、金属を含む前記ポーラスチャックの上で前記第２の表面を保持した状態で前記第１の表面を研削することと、を含み、
   研削後の前記基板の表面にエッチング液を供給して、当該表面を面内均一にするためのエッチングすることと、エッチング後の前記基板の表面に洗浄液を供給して、当該表面に付着した金属を除去することとは、前記第１の表面と前記第２の表面に対して実施される、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
9. 前記基板の第１の面と第２の面をエッチングした後の、当該基板の厚みを複数点で測定することを有する、請求項８に記載の基板処理方法。
10. 基板の厚み分布に基づいて、次にエッチングされる基板に対して用いられるエッチング液の組成比率を調整することを有する、請求項９に記載の基板処理方法。
11. 基板を処理する基板処理システムであって、
    金属を含むポーラスチャックの上で前記基板を保持した状態で前記基板の表面を研削する研削部と、
    研削後の前記基板の表面にエッチング液を供給して、当該表面を面内均一にするためのエッチングするエッチング液供給部と、
    エッチング後の前記基板の表面に洗浄液を供給して、当該表面に付着した金属を除去する洗浄液供給部と、を有する、基板処理システム。
12. 前記洗浄液供給部は、金属を含む前記ポーラスチャックから前記基板の表面に付着した金属を除去する、請求項１１に記載の基板処理システム。
13. 前記洗浄液は、フッ酸を含む、請求項１１又は１２に記載の基板処理システム。
14. 前記洗浄液は、フッ酸と過酸化水素が混合された液である、請求項１３に記載の基板処理システム。
15. 前記洗浄液供給部は、前記洗浄液とガスを混合して噴射する２流体ノズルを有する、請求項１１～１４のいずれか一項に記載の基板処理システム。
16. 前記エッチング液は、フッ酸、硝酸及びリン酸を含む、請求項１１～１５のいずれか一項に記載の基板処理システム。
17. 制御装置を有し、
    前記制御装置は、前記エッチングにおいて、前記基板の表面のエッチング量を５μｍ以下にする制御を行う、請求項１１～１６のいずれか一項に記載の基板処理システム。
18. 前記基板を反転する反転装置と、
    前記エッチング液供給部と前記洗浄液供給部を備えた複数の液処理装置と、を有し、
    前記複数の液処理装置は、
    前記基板の第１の面を面内均一にするためのエッチングする第１の液処理装置と、
    前記第１の液処理装置で前記基板の第１の面をエッチングし、更に前記反転装置で前記基板を反転した後、当該基板の第２の面を面内均一にするためのエッチングする第２の液処理装置と、を含む、請求項１１～１７のいずれか一項に記載の基板処理システム。
19. 前記基板の厚みを測定する厚み測定装置を有し、
    前記厚み測定装置は、前記第２の液処理装置で前記基板の第２の面をエッチングした後の当該基板の厚みを複数点で測定する、請求項１８に記載の基板処理システム。
20. 制御装置を有し、
    前記制御装置は、前記厚み測定装置で測定された基板の厚み分布に基づいて、次にエッチングされる基板に対して用いられるエッチング液の組成比率を調整する、請求項１９に記載の基板処理システム。