JPWO2021019812A1 - Ｒｆｉｃモジュール及びｒｆｉｄタグ - Google Patents

Abstract

インピーダンス整合回路のうち、インダクタ（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４）はコイル状導体パターンで構成され、第５インダクタ（Ｌ５）は非巻回状の導体パターンで構成される。第１インダクタ（Ｌ１）及び第３インダクタ（Ｌ３）は基板（１）の異なる層にそれぞれ形成され、且つコイル開口が重なる関係に配置され、第２インダクタ（Ｌ２）及び第４インダクタ（Ｌ４）は基板（１）の異なる層にそれぞれ形成され、それぞれコイル開口が重なる関係に配置される。そして、ＲＦＩＣの搭載位置を挟む２つのコイルは１８０°回転対称関係にある。

Description

本発明は、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）モジュール及びそれを備えるＲＦＩＤ（Radio Frequency IDentifier）タグに関する。

特許文献１には、アンテナとして作用させる導体に結合するＲＦＩＣモジュールが示されている。このＲＦＩＣモジュールは、基板と、この基板に搭載されたＲＦＩＣチップと、このＲＦＩＣチップに接続されて構成される複数のコイルによる整合回路とを備える。

国際公開第２０１６／０８４６５８号

特許文献１に記載の構造のＲＦＩＣモジュールでは、それを薄型化、小型化しようとすると、上記整合回路を構成する複数のコイルのうち２つのコイル間が非常に近接する場合がある。このようにコイル間が近接すると、コイルの巻回方向やコイル形状によっては、不要輻射や不要結合が生じる。また、複数のＲＦＩＣモジュールが近接する状況下では、その近接するＲＦＩＣモジュールのコイル間でも不要輻射や不要結合が生じる。そして、このことにより外乱の影響を受けやすくなり、ＲＦＩＣモジュール及びＲＦＩＤタグの特性が劣化する。

そこで、本発明の目的は、整合回路のコイルからの不要輻射の影響や、整合回路を構成する複数のコイルの不要結合の影響を抑制したＲＦＩＣモジュール及びそれを備えるＲＦＩＤタグを提供することにある。

本発明のＲＦＩＣモジュールは、基板と、この基板に搭載されるＲＦＩＣと、このＲＦＩＣが接続される、ＲＦＩＣ側第１端子電極及びＲＦＩＣ側第２端子電極と、前記基板に形成されて、それぞれアンテナに直接接続又は容量結合されるアンテナ側第１端子電極及びアンテナ側第２端子電極と、前記基板に形成されて、前記ＲＦＩＣ側第１端子電極、前記ＲＦＩＣ側第２端子電極、前記アンテナ側第１端子電極及び前記アンテナ側第２端子電極に接続されるインピーダンス整合回路と、を備える。そして、前記インピーダンス整合回路は、第１インダクタ、第２インダクタ、第３インダクタ、第４インダクタ及び第５インダクタを含んで構成され、前記第１インダクタは前記アンテナ側第１端子電極と前記ＲＦＩＣ側第１端子電極との間に接続され、前記第２インダクタは前記アンテナ側第２端子電極と前記ＲＦＩＣ側第２端子電極との間に接続され、前記第３インダクタの一端は前記アンテナ側第１端子電極に接続され、前記第４インダクタの一端は前記アンテナ側第２端子電極に接続され、前記第５インダクタは前記第３インダクタの他端と前記第４インダクタの他端との間に接続され、前記第１インダクタ、前記第２インダクタ、前記第３インダクタ及び前記第４インダクタは、前記基板の面に沿って巻回されたコイル状の導体パターンで構成され、前記第５インダクタは非巻回状の導体パターンで構成され、前記第１インダクタ及び前記第３インダクタは前記基板の異なる層にそれぞれ形成され、且つコイル開口が重なる関係に配置され、前記第２インダクタ及び前記第４インダクタと、前記第１インダクタ及び前記第３インダクタとは、前記ＲＦＩＣの搭載位置を前記基板の面に沿って挟む位置関係に配置されたことを特徴とする。

また、本発明のＲＦＩＤタグは、アンテナと、当該アンテナに接続される又は結合するＲＦＩＣモジュールとで構成され、このＲＦＩＣモジュールの構成は上記のとおりである。

本発明によれば、整合回路のコイルからの不要輻射の影響や、整合回路を構成する複数のコイルの不要結合の影響が抑制されたＲＦＩＣモジュール及びそれを備えるＲＦＩＤタグが得られる。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０１の平面図である。図１（Ｂ）は、ＲＦＩＤタグ２０１が備えるＲＦＩＣモジュール１０１の、絶縁体フィルム６０に対する搭載部分の拡大平面図である。 図２はＲＦＩＣモジュール１０１の断面図である。 図３はＲＦＩＣモジュール１０１の基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。 図４はＲＦＩＣモジュール１０１の回路図である。 図５（Ａ）は図１（Ｂ）におけるＹ−Ｙ部分の断面図であり、図５（Ｂ）は図１（Ｂ）におけるＸ−Ｘ部分の断面図である。 図６はインピーダンス整合回路の各インダクタについての電流及び磁束の関係を示す図である。 図７はインピーダンス整合回路の各インダクタ形成用コイルによる閉磁路の形成について示す図である。 図８はインダクタＬ３，Ｌ４，Ｌ５と、アンテナの導体パターン６１，６２との接続関係を示す図である。 図９は、ＲＦＩＣモジュール１０１の導体パターンのずれに対する特性の安定性について示す図である。 図１０は、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４とインダクタＬ５との不要結合の抑制について示す図である。 図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）は、絶縁体フィルム６０に貼付した、第２の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０２の断面図である。 図１２（Ａ）は絶縁体フィルム６０及びＲＦＩＣモジュール１０２の上部にラベル８を貼着した状態での断面図である。図１２（Ｂ）は、その比較例としての断面図である。 図１３は、絶縁体フィルム６０に、第３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０３Ａを貼着した状態での断面図である。 図１４は、絶縁体フィルム６０に、第３の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１０３Ｂを貼着した状態での断面図である。 図１５は、第４の実施形態に係るＲＦＩＣモジュールの基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。 図１６は、第４の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０４の、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。 図１７は、第５の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０５Ａの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。 図１８は、第５の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１０５Ｂの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。 図１９は、第５の実施形態に係るさらに別のＲＦＩＣモジュール１０５Ｃの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。 図２０（Ａ）は、第６の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０６Ａの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。図２０（Ｂ）は、第６の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１０６Ｂの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。図２０（Ｃ）は、第６の実施形態に係る更に別のＲＦＩＣモジュール１０６Ｃの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。 図２１は、第７の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０７Ａの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。 図２２は、第７の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１０７Ｂの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。 図２３は、第８の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０８Ａの平面図である。 図２４は、第８の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０８Ａの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。 図２５は、第８の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１０８Ｂの平面図である。 図２６は、第８の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０８Ｂの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。 図２７は、第８の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０８Ｃの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。 図２８（Ａ）から図２８（Ｊ）までの各図は、第９の実施形態に係るＲＦＩＣモジュールの平面図である。 図２９は、第１０の実施形態に係るＲＦＩＤタグの、ＲＦＩＣモジュール１０１と導体パターン６１Ｐ，６２Ｐとの位置関係及び大きさの関係を示す平面図である。 図３０（Ａ）、図３０（Ｂ）は、第１０の実施形態に係るＲＦＩＤタグの、ＲＦＩＣモジュール１０１と導体パターン６１Ｐ，６２Ｐとの位置関係及び大きさの関係を示す平面図である。 図３１（Ａ）、図３１（Ｂ）は、第１０の実施形態に係るＲＦＩＤタグの、ＲＦＩＣモジュール１０１と導体パターン６１Ｐ，６２Ｐとの位置関係及び大きさの関係を示す平面図である。 図３２（Ａ）は第１１の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２１１の平面図である。図３２（Ｂ）は、ＲＦＩＤタグ２１１が備えるＲＦＩＣモジュール１１１Ａの搭載部分の拡大平面図である。 図３３はＲＦＩＣモジュール１１１Ａの断面図である。 図３４はＲＦＩＣモジュール１１１Ａの基板１の各層に形成されている導体パターンを示す平面図である。 図３５はＲＦＩＣモジュール１１１Ａの回路図である。 図３６は、第１１の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１１１Ｂの平面図である。 図３７（Ａ）は第１２の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２１２の平面図である。図３７（Ｂ）は、ＲＦＩＤタグ２１２が備えるＲＦＩＣモジュール１１２Ａの搭載部分の拡大平面図である。 図３８はＲＦＩＤタグ２１２の回路図である。 図３９は第１２の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１１２Ｂの回路図である。

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０１の平面図である。図１（Ｂ）は、ＲＦＩＤタグ２０１が備えるＲＦＩＣモジュール１０１の搭載部分の拡大平面図である。

ＲＦＩＤタグ２０１は、アンテナ６と、このアンテナ６に結合するＲＦＩＣモジュール１０１とで構成される。アンテナ６は絶縁体フィルム６０と、この絶縁体フィルム６０に形成された導体パターン６１，６２とで構成される。絶縁体フィルム６０は例えばポリエチレンテレフタレート（PET）のフィルムであり、導体パターン６１，６２は例えばアルミニウム箔のパターンである。

導体パターン６１は導体パターン６１Ｐ，６１Ｌ，６１Ｃで構成され、導体パターン６２は導体パターン６２Ｐ，６２Ｌ，６２Ｃで構成される。導体パターン６１，６２はダイポールアンテナを構成する。

導体パターン６１Ｐ，６２ＰにはＲＦＩＣモジュール１０１が搭載される。導体パターン６１Ｌ，６２Ｌはメアンダライン形状であって、インダクタンス成分の高い領域として作用する。また、導体パターン６１Ｃ，６２Ｃは平面形状であって、キャパシタンス成分の高い領域として作用する。このことにより、電流強度の高い領域のインダクタンス成分を大きくし、電圧強度の高い領域のキャパシタンス成分を大きくして、アンテナの導体パターン６１，６２の形成領域を縮小化している。

図２はＲＦＩＣモジュール１０１の断面図である。このＲＦＩＣモジュール１０１は、基板１と、この基板１に実装されるＲＦＩＣ２とを備える。基板１は例えばポリイミド等のフレキシブル基板である。ＲＦＩＣ２が実装された基板１の上面には保護膜３が被覆されている。この保護膜３は例えばポリウレタン等のエラストマーやエチレン酢酸ビニル（EVA）のようなホットメルト剤である。基板１の下面にはカバーレイフィルム４が設けられている。このカバーレイフィルム４は例えばポリイミドフィルムである。したがって、基板１、保護膜３、カバーレイフィルム４のいずれもが柔らかく、このＲＦＩＣモジュール１０１全体が柔らかい。

なお、保護膜３は熱硬化性樹脂であってもよい。この場合、保護膜３の厚さｔ２は基板１の厚さｔ１より厚くすれば、ＲＦＩＣモジュール１０１の製造時や使用時における反りが軽減される。つまり、一般的に積層体の各層を構成する材料の熱収縮に差があると、歪みが生じて積層体に反りが発生するが、保護膜３の厚さｔ２が基板１の厚さｔ１より厚いことにより、保護膜３の厚さが支配的となる。そのことで、保護膜３に対する他の層の熱収縮差の影響を受けにくくなって、上記反りが軽減される。

図３はＲＦＩＣモジュール１０１の基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。図３において上部は基板１の上面に形成されている導体パターンの平面図であり、図３の下部は基板１の下面に形成されている導体パターンの平面図である。

基板１の上面には、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２、第１インダクタＬ１の主要部の導体パターンＬ１１、及び第２インダクタＬ２の主要部の導体パターンＬ２１が形成されている。ＲＦＩＣ側第１端子電極３１は上記導体パターンＬ１１の一方端に繋がっていて、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２は上記導体パターンＬ２１の一方端に繋がっている。これら導体パターンは例えば銅箔をフォトリソグラフィによってパターンニングしたものである。

基板１の下面には、アンテナ６の導体パターン６１Ｐ，６２Ｐに容量結合されるアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２が形成されている。また、基板１の下面には、第１インダクタＬ１の一部の導体パターンＬ１２、第２インダクタの一部の導体パターンＬ２２、第３インダクタＬ３の導体パターン、第４インダクタＬ４の導体パターン及び第５インダクタＬ５の導体パターン（二点鎖線で囲む導体パターン）が形成されている。これら導体パターンも例えば銅箔をフォトリソグラフィによってパターンニングしたものである。

上記第１インダクタＬ１の一部の導体パターンＬ１２の一方端及び第３インダクタＬ３の導体パターンの一方端は上記アンテナ側第１端子電極１１に繋がっている。同様に、上記第２インダクタＬ２の一部の導体パターンＬ２２の一方端及び第４インダクタＬ４の導体パターンの一方端は上記アンテナ側第２端子電極１２に繋がっている。第３インダクタＬ３の導体パターンの他方端と、第４インダクタＬ４の導体パターンの他方端との間には第５インダクタＬ５の導体パターンが繋がっている。

第１インダクタＬ１の導体パターンＬ１２の他方端と第１インダクタＬ１の主要部の導体パターンＬ１１の他方端とはビア導体Ｖ１を介して接続されている。同様に、第２インダクタＬ２の導体パターンＬ２２の他方端と第２インダクタＬ２の主要部の導体パターンＬ２１の他方端とはビア導体Ｖ２を介して接続されている。

上記ＲＦＩＣ側第１端子電極３１及びＲＦＩＣ側第２端子電極３２にＲＦＩＣ２が搭載されている。つまり、ＲＦＩＣ２の端子２１がＲＦＩＣ側第１端子電極３１に接続されていて、ＲＦＩＣ２の端子２２がＲＦＩＣ側第２端子電極３２に接続されている。

第１インダクタＬ１及び第３インダクタＬ３は基板１の異なる層にそれぞれ形成され、且つコイル開口が重なる関係に配置されている。同様に、第２インダクタＬ２及び第４インダクタＬ４は基板１の異なる層にそれぞれ形成され、且つコイル開口が重なる関係に配置されている。そして、第２インダクタＬ２及び第４インダクタＬ４と、第１インダクタＬ１及び第３インダクタＬ３とは、ＲＦＩＣ２の搭載位置を基板１の面に沿って挟む位置関係に配置されている。

さらに、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１から第３インダクタＬ３の他端までの巻回方向と、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２から第４インダクタＬ４の他端までの巻回方向とは同方向である。図３に示す向きではいずれも右旋方向である。このことは、第１インダクタＬ１と第３インダクタＬ３との組と、第２インダクタＬ２と第４インダクタＬ４との組とが、ＲＦＩＣ２の搭載位置を挟んで１８０°回転対称関係にある、と言うこともできる。

図４はＲＦＩＣモジュール１０１の回路図である。ＲＦＩＣモジュール１０１はＲＦＩＣ２とインピーダンス整合回路７とで構成されている。インピーダンス整合回路７は、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２に接続される。また、インピーダンス整合回路７は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第３インダクタＬ３、第４インダクタＬ４及び第５インダクタＬ５を含んで構成される。

第１インダクタＬ１は、図３に示した導体パターンＬ１１，Ｌ１２で構成され、第２インダクタＬ２は、図３に示した導体パターンＬ２１，Ｌ２２で構成される。第１インダクタＬ１はアンテナ側第１端子電極１１とＲＦＩＣ側第１端子電極３１との間に接続されている。第２インダクタＬ２はアンテナ側第２端子電極１２とＲＦＩＣ側第２端子電極３２との間に接続されている。第３インダクタＬ３の一端はアンテナ側第１端子電極１１に接続されていて、第４インダクタＬ４の一端はアンテナ側第２端子電極１２に接続されていて、第５インダクタＬ５は第３インダクタＬ３の他端と第４インダクタＬ４の他端との間に接続されている。

ここで、ＲＦＩＤタグ２０１における、アンテナ６に対するＲＦＩＣモジュール１０１の搭載位置の断面構造を示す。図５（Ａ）は図１（Ｂ）におけるＹ−Ｙ部分の断面図であり、図５（Ｂ）は図１（Ｂ）におけるＸ−Ｘ部分の断面図である。この図５（Ａ）、図５（Ｂ）に表れているように、アンテナ６の絶縁体フィルム６０に接着剤層５を介してＲＦＩＣモジュール１０１が接着されている。この接着剤層５は絶縁性接着材の層であり、例えばアクリル系接着剤である。アンテナ側第１端子電極１１は接着剤層５を介してアンテナ６の導体パターン６１Ｐに対向し、アンテナ側第２端子電極１２は接着剤層５を介してアンテナ６の導体パターン６２Ｐに対向する。この構造により、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２はアンテナ６の導体パターン６１Ｐ，６２Ｐにそれぞれ容量結合する。

なお、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５の導体パターンの形成領域の長手方向と、アンテナ６の導体パターン６１，６２の形成領域の長手方向とは直交する関係としている。そのため、ＲＦＩＣモジュール１０１を搭載するためのスペースが最小限なものとなり、ＲＦＩＤタグが小型化できる。

次に、本実施形態のＲＦＩＣモジュール及びＲＦＩＤタグの有利な作用効果について順に示す。

図６及び図７は、上記インピーダンス整合回路７の各インダクタ形成用コイルによる閉磁路の形成について示す図である。

図６は上記インピーダンス整合回路７の各インダクタについての電流及び磁束の関係を示す図である。図６において、実線の矢印は、ＲＦＩＣ２を主体にみて流れる電流の向きを示す。また、破線はコイルの開口を通る磁束を示す。電流の向きが図６に示す向きであるとき、第２インダクタＬ２及び第４インダクタＬ４のコイル開口を通り、且つ、第１インダクタＬ１及び第３インダクタＬ３のコイル開口を通る磁束が生じる。

このように、第１インダクタＬ１を構成するコイル、第２インダクタＬ２を構成するコイル、第３インダクタＬ３を構成するコイル、及び第４インダクタＬ４を構成するコイルで発生する、ほぼＹ−Ｚ面に沿った磁束が閉磁路を形成する。つまり、第２インダクタＬ２及び第４インダクタＬ４のコイル開口と、第１インダクタＬ１及び第３インダクタＬ３のコイル開口との間（近接するコイル開口の間）に発生する磁束が閉じた関係となるため、漏れ磁束が減少し、外乱に対して影響を受けにくくなる。また、上記近接するコイル間は正の結合となっているので、磁束を互いに強め合い、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４のＱ値が向上する。

図７は、二つのＲＦＩＤタグ２０１Ａ，２０１Ｂが近接しているときの、上記閉磁路形成の利点を示す図である。図７においては、ＲＦＩＣモジュール１０１の構造及びアンテナの導体パターン６１，６２の形状を簡略化している。図７において破線は上記閉磁路の磁束を表している。

例えば複数の書類や書籍にそれぞれＲＦＩＤタグが設けられていて、それらが重なっているとき、ＲＦＩＤタグ同士が近接する場合がある。ＲＦＩＤタグは、リーダ／ライタから送信された電波を反射することで通信を行うが、従来のＲＦＩＤタグでは、その際に、他のＲＦＩＤタグで電波のエネルギーが大きく吸収されてしまい、適正な通信ができない。また、他ＲＦＩＤタグが近接することにより、自ＲＦＩＤタグのＲＦＩＣからみたインピーダンスが規定値から外れると、適正な通信ができなくなる。

これに対し、本実施形態のＲＦＩＤタグでは、ＲＦＩＤタグ２０１Ａ，２０１ＢのＲＦＩＣモジュール１０１同士の不要な磁界結合が抑制されるので、各ＲＦＩＤタグのＲＦＩＤタグとしての特性劣化が抑制される。

図８及び図９は、ＲＦＩＣモジュール１０１の導体パターンのずれに対する特性の安定性について示す図である。

図８は、第３インダクタＬ３、第４インダクタＬ４と、アンテナの導体パターン６１，６２との接続関係を示す図である。図８中のキャパシタＣａはアンテナの導体パターン６１，６２間に生じる容量成分である。また、キャパシタＣ１１はアンテナの導体パターン６１とアンテナ側第１端子電極１１との間に生じる容量成分であり、キャパシタＣ１２はアンテナの導体パターン６２とアンテナ側第２端子電極１２との間に生じる容量成分である。インダクタＬ３，Ｌ４のインダクタンスと、キャパシタＣａ，Ｃ１１，Ｃ１２のキャパシタンスとで並列共振回路が構成される。この共振回路の共振周波数は、例えばＲＦＩＤタグ２０１の通信周波数帯の中心周波数に合わせる。

図９はＲＦＩＣモジュール１０１における、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２の位置関係を示す概念的断面図である。図３、図５（Ａ）にも示したとおり、基板１の上面に第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の主要部がそれぞれ形成されていて、基板１の下面に第３インダクタＬ３、第４インダクタＬ４及び第５インダクタＬ５が形成されている。そして、これら第３インダクタＬ３、第４インダクタＬ４、第５インダクタＬ５と共にアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２が形成されている。

インダクタＬ３，Ｌ４，Ｌ５とアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２が別の層に形成されていると、それら導体パターンの位置ずれによって、インダクタＬ３，Ｌ４，Ｌ５の一部がアンテナ側第１端子電極１１又はアンテナ側第２端子電極１２と重なるおそれがある。この重なりが生じると、インダクタＬ３，Ｌ４，Ｌ５のインダクタンスが低下する。これに対し、本実施形態のように、インダクタＬ３，Ｌ４，Ｌ５がアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２と同一層にあると、それら導体パターンの位置ずれによって、インダクタＬ３，Ｌ４，Ｌ５の一部がアンテナ側第１端子電極１１又はアンテナ側第２端子電極１２と重なることがなく、インダクタＬ３，Ｌ４，Ｌ５のインダクタンスの低下による上記共振周波数のずれが生じない。このことにより安定した通信特性が得られる。

図１０は、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４とインダクタＬ５との不要結合の抑制について示す図である。

図１０において、Ｘ方向の実線の矢印はインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１及びＲＦＩＣ側第２端子電極３２に流れる電流のうち特にインダクタＬ５に近接する部分に流れる電流を示す。Ｙ方向の矢印はインダクタＬ５に流れる電流のうち、上記Ｘ方向の電流に直交する電流を示す。また、インダクタＬ５に流れる電流のうちＸ方向の電流はインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１及びＲＦＩＣ側第２端子電極３２に流れる電流と結合する電流であり、電流の向きが逆である。したがって、この結合によって、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５のインダクタンス値は減少する。ただし、本実施形態では、インダクタＬ５はメアンダライン形状であるので、所望のインダクタンス値を得るために導体パターン形成範囲を大きくする際、電流が直交する電極部を長くすることで、上記結合量を減らせる。このことにより、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５のインダクタンス値の低下を抑制できる。

また、図１０に示す例では、第１インダクタの主要部の導体パターンＬ１１の巻回領域が第３インダクタＬ３の導体パターンの巻回領域より僅かに小さく、第１インダクタの主要部の導体パターンＬ１１と第３インダクタＬ３の導体パターンとの重なり部は、これら導体パターンの線幅の約１／２だけ重なっている。また、第１インダクタの主要部の導体パターンＬ１１と第３インダクタＬ３の導体パターンとが相対的にずれた場合に、そのずれ方向の一方の辺での、第１インダクタの主要部の導体パターンＬ１１と第３インダクタＬ３の導体パターンとの重なり量が減れば、対辺での、第１インダクタの主要部の導体パターンＬ１１と第３インダクタＬ３の導体パターンとの重なり量が増える関係となっている。

同様に、第２インダクタの主要部の導体パターンＬ２１の巻回領域が第４インダクタＬ４の導体パターンの巻回領域より僅かに小さく、第２インダクタの主要部の導体パターンＬ２１と第４インダクタＬ４の導体パターンとの重なり部は、これら導体パターンの線幅の約１／２だけ重なっている。また、第２インダクタの主要部の導体パターンＬ２１と第４インダクタＬ４の導体パターンとが相対的にずれた場合に、そのずれ方向の一方の辺での、第２インダクタの主要部の導体パターンＬ２１と第４インダクタＬ４の導体パターンとの重なり量が減れば、対辺での、第２インダクタの主要部の導体パターンＬ２１と第４インダクタＬ４の導体パターンとの重なり量が増える関係となっている。

このような構造により、上記「ずれ」による、層の異なる導体パターン間の磁界結合量の変動が抑制され、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４のインダクタンス値の変動を抑制できる。

なお、第１インダクタの主要部の導体パターンＬ１１の巻回領域と第３インダクタＬ３の導体パターンの巻回領域との大小関係は逆であってもよい。ただし、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２とは異なる層に形成されている、第１インダクタの主要部の導体パターンＬ１１及び第２インダクタの主要部の導体パターンＬ２１の形成領域を小さくする方が、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２との重なりを防止する点で好ましい。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、基板１の構成及び保護膜３の構成が第１の実施形態とは異なるＲＦＩＣモジュールについて例示する。

図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）は、絶縁体フィルム６０に貼付した、第２の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０２の断面図である。図１１（Ａ）は第１の実施形態において図１（Ｂ）に示したＹ−Ｙ部分での断面図であり、図１１（Ｂ）は図１（Ｂ）に示したＸ−Ｘ部分での断面図である。

第２の実施形態のＲＦＩＣモジュール１０２の保護膜３の構成は第１の実施形態で示した例とは異なる。第２の実施形態では、保護膜３は基板１の全面を覆うのではなく、ＲＦＩＣ２を覆う箇所で、基板１の一部に形成されている。

図１２（Ａ）は絶縁体フィルム６０及びＲＦＩＣモジュール１０２の上部にラベル８を貼着した状態での断面図である。図１２（Ｂ）は、絶縁体フィルム６０及び比較例としてのＲＦＩＣモジュール１０２Ｅの上部にラベル８を貼着した状態での断面図である。ラベル８の内面には粘着層が形成されている。ラベル８は絶縁体フィルム６０及びＲＦＩＣモジュール１０２の上部を覆い、上記粘着層を介して貼着される。このように、ラベル８が貼着された状態で、ラベル８の外面に所定の文字、マーク、絵柄等がリボン熱転写方式で印刷される。絶縁体フィルム６０の下面にも粘着層が形成されていて、この粘着層を介して、ＲＦＩＤタグ２０２は物品に貼付される。

図１２（Ｂ）に示す、比較例としてのＲＦＩＣモジュール１０２Ｅでは、第１の実施形態で示したように、基板１の全面に保護膜３が形成されている。そのため、ラベル８を貼着した状態で、ラベル８には、ＲＦＩＣモジュール１０２Ｅの厚み分の大きな凹凸が生じる。そのため、段差の大きな凹凸部の印刷性が悪く、ラベル８に鮮明な印刷ができない場合がある。

一方、図１２（Ａ）に示す、本実施形態のＲＦＩＤタグ２０２では、ラベル８には、ＲＦＩＣモジュール１０２の全体の厚み分より小さな凹凸しか生じない。また、絶縁体フィルム６０から最も高い部分の幅ＷはＲＦＩＣモジュール１０２の幅より小さい。そのため、ラベル８に鮮明な印刷ができる。

なお、ＲＦＩＣモジュール１０２の基板１に形成されている導体パターンによるインピーダンス整合回路は、以上に示した回路に限らない。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、基板１の構成及びＲＦＩＣ２の実装構造が、これまでに示した例とは異なる例を示す。

図１３は、絶縁体フィルム６０に、第３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０３Ａを貼着した状態での断面図である。この例では、基板１は多層基板で構成されていて、複数の基材層に導体パターンが形成されている。このように多層基板を用いると、図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示した例のようなカバーレイフィルム４が不要となる。カバーレイフィルムは通常、薄く接着強度が低いためブレードダイシング等の物理的な分割加工では加工条件により剥がれ、バリが発生する。本実施形態では、カバーレイフィルムが不要になることで、この現象を回避できる。

図１４は、絶縁体フィルム６０に、第３の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１０３Ｂを貼着した状態での断面図である。この例では、多層基板による基板１にキャビティＣＡが形成されていて、そのキャビティＣＡ内にＲＦＩＣ２が埋設されている。このように基板１内にＲＦＩＣ２を埋設することによって低背化できる。

なお、ＲＦＩＣ２以外に他のチップ部品を基板１内に埋設してもよい。例えば、比較的サイズの大きなハーベスティング用チップキャパシタや各種センサ等を埋設してもよい。

なお、ＲＦＩＣモジュール１０３Ａ，１０３Ｂの基板１に形成されている導体パターンによるインピーダンス整合回路は、以上に示した回路に限らない。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２の位置及び形状がこれまでに示した例とは異なるＲＦＩＣモジュールについて例示する。

図１５は、第４の実施形態に係るＲＦＩＣモジュールの基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。

基板１の上面には、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２、第１インダクタＬ１の主要部の導体パターンＬ１１、及び第２インダクタＬ２の主要部の導体パターンＬ２１が形成されている。ＲＦＩＣ側第１端子電極３１は上記導体パターンＬ１１の一方端に繋がっていて、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２は上記導体パターンＬ２１の一方端に繋がっている。

基板１の下面には、アンテナ６の導体パターン６１Ｐ，６２Ｐに容量結合されるアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２が形成されている。また、基板１の下面には、第１インダクタＬ１の一部の導体パターンＬ１２、第２インダクタの一部の導体パターンＬ２２、第３インダクタＬ３の導体パターン、第４インダクタＬ４の導体パターン及び第５インダクタＬ５の導体パターンが形成されている。

上記第１インダクタＬ１の一部の導体パターンＬ１２の一方端及び第３インダクタＬ３の導体パターンの一方端は上記アンテナ側第１端子電極１１に繋がっている。同様に、上記第２インダクタＬ２の一部の導体パターンＬ２２の一方端及び第４インダクタＬ４の導体パターンの一方端は上記アンテナ側第２端子電極１２に繋がっている。第３インダクタＬ３の導体パターンの他方端と、第４インダクタＬ４の導体パターンの他方端との間には第５インダクタＬ５の導体パターンが繋がっている。

第１インダクタＬ１の導体パターンＬ１２の他方端と第１インダクタＬ１の主要部の導体パターンＬ１１の他方端とはビア導体Ｖ１を介して接続されている。同様に、第２インダクタＬ２の導体パターンＬ２２の他方端と第２インダクタＬ２の主要部の導体パターンＬ２１の他方端とはビア導体Ｖ２を介して接続されている。

第１の実施形態で図３に示した例とは、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２に対する、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２の引き出し方向が異なる。つまり、第４の実施形態では、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２に対して、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２を同方向に引き出している。また、第１インダクタＬ１のＲＦＩＣ側第１端子電極３１からアンテナ側第１端子電極１１までの導体パターンの巻回方向と、第２インダクタＬ２のＲＦＩＣ側第２端子電極３２からアンテナ側第２端子電極１２までの導体パターンの巻回方向とは逆である。

図１６は、第４の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０４の、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。図１６においては、絶縁体フィルムの外形線は表れていない。絶縁体フィルムには、ダイポールアンテナの端部である導体パターン６１Ｐ，６２Ｐが形成されている。ＲＦＩＣモジュール１０４のアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２は、導体パターン６１Ｐ及び導体パターン６２Ｐにそれぞれ対向する。

本実施形態によれば、アンテナの導体パターン６１Ｐ，６２Ｐの配置間隔を狭くできるので、導体パターン６１Ｐ，６２Ｐの端子間容量が増加することでアンテナの共振周波数を低周波数側へシフトできる。これにより、所望の周波数での、導体パターン６１Ｐ，６２Ｐの配置方向についてのアンテナの長さ（形成領域）を短くできる。

なお、ＲＦＩＣモジュール１０４の基板１に形成されている導体パターンによるインピーダンス整合回路は、以上に示した回路に限らない。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２の位置や形状がこれまでに示した例とは異なるＲＦＩＣモジュールについて例示する。

図１７、図１８、図１９は、いずれも第５の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０５Ａ，１０５Ｂ，１０５Ｃの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。これらの図においては、絶縁体フィルムの外形線は表れていない。インピーダンス整合回路の基本構成はこれまでに示した例と同様である。いずれの例でも、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２は、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の並び方向に対して平行に配置されている。

図１７に示すＲＦＩＣモジュール１０５Ａでは、アンテナ６の導体パターン６１Ｐ，６２Ｐとアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２との間に生じる容量を大きくし易く、アンテナのＸ方向の長さ（形成領域）を短くできる。

図１７に示すＲＦＩＣモジュール１０５Ａと、図１８に示すＲＦＩＣモジュール１０５Ｂとでは、基板１の縦横比が異なる。第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の並び方向の幅に制限がある場合には、図１８に示すＲＦＩＣモジュール１０５Ｂのように、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２の並び方向に長くてもよい。また、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の並び方向に対する直交方向（Ｘ方向）に、これら導体パターンを偏平化してもよい。

図１９に示すＲＦＩＣモジュール１０５Ｃでは、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２を挟む位置にアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２が配置されている。また、このＲＦＩＣモジュール１０５Ｃのように、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２の並び方向の幅に制限がある場合に、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の並び方向（Ｙ方向）に偏平化してもよい。

なお、ＲＦＩＣモジュール１０５Ａ，１０５Ｂ，１０５Ｃの基板１に形成されている導体パターンによるインピーダンス整合回路は、以上に示した回路に限らない。

《第６の実施形態》
第６の実施形態では、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２の位置及び形状がこれまでに示した例とは異なるＲＦＩＣモジュールについて例示する。

図２０（Ａ）、図２０（Ｂ）、図２０（Ｃ）は、第６の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０６Ａ，１０６Ｂ，１０６Ｃの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。これらの図においては、絶縁体フィルムの外形線は表れていない。インピーダンス整合回路の基本構成はこれまでに示した例と同様である。

図２０（Ａ）に示すＲＦＩＣモジュール１０６Ａでは、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２は、単純な矩形状ではなく、Ｌ字状である。

図２０（Ｂ）に示すＲＦＩＣモジュール１０６Ｂでは、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２はそれぞれ正方形状である。

上記ＲＦＩＣモジュール１０６Ａ，１０６Ｂにおいては、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２は、基板１の対角線上に配置されている。

図２０（Ｃ）に示すＲＦＩＣモジュール１０６Ｃでは、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２はそれぞれ三角形状であり、基板１の対角線上に配置されている。また、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の並び方向が基板１の辺に対して傾斜している。

本実施形態で示すように、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２は、基板１の対角線上に配置してもよい。また、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の位置関係も基板１の対角線上にあってもよい。

本実施形態によれば、アンテナ側第１端子電極１１とアンテナ側第２端子電極１２との間に生じる不要な寄生容量を小さくできる。この寄生容量が小さいことにより、例えば貼り付け対象の誘電率や損失等による影響で、アンテナの共振周波数や利得の変化を抑制できる。

なお、ＲＦＩＣモジュール１０６Ａ，１０６Ｂ，１０６Ｃの基板１に形成されている導体パターンによるインピーダンス整合回路は、以上に示した回路に限らない。

《第７の実施形態》
第７の実施形態では、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２の数が、これまでに示した例とは異なるＲＦＩＣモジュールについて例示する。

図２１は、第７の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０７Ａの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図であり、図２２は、第７の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１０７Ｂの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。これらの図においては、絶縁体フィルムの外形線は表れていない。インピーダンス整合回路の基本構成はこれまでに示した例と同様である。

図２１に示すＲＦＩＣモジュール１０７Ａでは、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ及びアンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂを備える。アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂは導通していて、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の並び方向に対する直交方向に分離配置されている。同様に、アンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂは導通していて、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の並び方向に対する直交方向に分離配置されている。

図２２に示すＲＦＩＣモジュール１０７Ｂでも、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ及びアンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂを備える。アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂは導通していて、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の並び方向に分離配置されている。同様に、アンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂは導通していて、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の並び方向に分離配置されている。

本実施形態で示すように、アンテナ側第１端子電極及びアンテナ側第２端子電極は複数に分離配置されていてもよい。

なお、ＲＦＩＣモジュール１０７Ａ，１０７Ｂの基板１に形成されている導体パターンによるインピーダンス整合回路は、以上に示した回路に限らない。

《第８の実施形態》
第８の実施形態では、複数のアンテナ側第１端子電極１１及び複数のアンテナ側第２端子電極１２の配置が、これまでに示した例とは異なるＲＦＩＣモジュールについて例示する。

図２３は、第８の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０８Ａの平面図である。このＲＦＩＣモジュール１０８Ａは、基板１にアンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ及びアンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂを備える。また、インピーダンス整合回路を構成する複数のインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５が基板１に設けられている。

これまでに示した例では、インピーダンス整合回路を構成するインダクタＬ１〜Ｌ５の形成領域が一連であったが、この例のように、インダクタごとに分離配置されていてもよい。また、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂの配列方向と、アンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂの配列方向とが交差していてもよい。

図２４は、第８の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０８Ａの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。この図においては、絶縁体フィルムの外形線は表れていない。アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂはアンテナの導体パターン６１の端部付近に対向する。また、アンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂはアンテナの導体パターン６２の端部付近に対向する。

図２５は、第８の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０８Ｂの平面図である。このＲＦＩＣモジュール１０８Ｂは、基板１に、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ、アンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂ、インピーダンス整合回路を構成する複数のインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５がそれぞれ基板１に設けられている。アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂの配列方向と、アンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂの配列方向とは平行であり、かつ基板１の辺に対して傾斜している。

図２６は、第８の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０８Ｂの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。この図においては、絶縁体フィルムの外形線は表れていない。アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂはアンテナの導体パターン６１に対向する。また、アンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂはアンテナの導体パターン６２に対向する。

図２７は、第８の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０８Ｃの、絶縁体フィルムに対する搭載部分の拡大平面図である。この例では、インダクタＬ１〜Ｌ５の形成位置の余白である、基板１の四隅に、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ及びアンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂが配置されている。

なお、ＲＦＩＣモジュール１０８Ａ，１０８Ｂ，１０８Ｃの基板１に形成されている導体パターンによるインピーダンス整合回路は、以上に示した回路に限らない。

《第９の実施形態》
第９の実施形態では、基板に対するアンテナ側第端子電極及びインピーダンス整合回路の形成位置がこれまでに示した例とは異なるＲＦＩＣモジュールについて例示する。

図２８（Ａ）から図２８（Ｊ）までの各図は、第９の実施形態に係るＲＦＩＣモジュールの平面図である。図２８（Ａ）〜図２８（Ｆ）に示す例では、基板１に、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ、アンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂ及びインピーダンス整合回路７が設けられている。図２８（Ｇ）〜図２８（Ｊ）に示す例では、基板１に、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ、アンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂ及びインピーダンス整合回路７ａ，７ｂが設けられている。

図２８（Ａ）、図２８（Ｂ）、図２８（Ｃ）の例では、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ及びアンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂが一列に配置されていて、これら端子電極の列とインピーダンス整合回路７とが平行に配置されている。

図２８（Ｄ）、図２８（Ｅ）、図２８（Ｆ）の例では、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ及びアンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂがまとめて配置されていて、その残余部にインピーダンス整合回路７が配置されている。

図２８（Ｇ）、図２８（Ｈ）、図２８（Ｉ）の例では、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ及びアンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂがまとめて配置されていて、その両側にインピーダンス整合回路７ａ，７ｂが分離配置されている。

図２８（Ａ）、図２８（Ｂ）、図２８（Ｃ）では、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ及びアンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂの配置順がそれぞれ異なる。図２８（Ｄ）、図２８（Ｅ）、図２８（Ｆ）では、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ及びアンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂの配置位置がそれぞれ異なる。図２８（Ｇ）、図２８（Ｈ）、図２８（Ｉ）についても、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ及びアンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂの配置位置がそれぞれ異なる。

図２８（Ｊ）の例では、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ及びアンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２ＢがＴ字状に交差するようには配置されていて、その残余部にインピーダンス整合回路７ａ，７ｂが分離配置されている。

なお、図２８（Ａ）〜図２８（Ｊ）において、上下又は左右を反転させた配置も採り得る。また、各ＲＦＩＣモジュールの基板１に形成されている導体パターンによるインピーダンス整合回路は、以上に示した回路に限らない。

このように、基板に対するアンテナ側端子電極及びインピーダンス整合回路の形成位置は種々採り得る。

《第１０の実施形態》
第１０の実施形態では、ＲＦＩＣモジュールのアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２に対するアンテナの導体パターン６１Ｐ，６２Ｐの位置関係及び大きさの関係について例示する。

図２９は、第１０の実施形態に係るＲＦＩＤタグの、ＲＦＩＣモジュール１０１とアンテナの導体パターン６１Ｐ，６２Ｐとの位置関係及び大きさの関係を示す平面図である。この例では、Ｚ方向に視て（平面視で）、アンテナの導体パターン６１Ｐの全体がアンテナ側第１端子電極１１の内側に入るように配置されている。同様に、アンテナの導体パターン６２Ｐの全体がアンテナ側第２端子電極１２の内側に入るように配置されている。

図３０（Ａ）、図３０（Ｂ）は、第１０の実施形態に係るＲＦＩＤタグの、ＲＦＩＣモジュール１０１と導体パターン６１Ｐ，６２Ｐとの位置関係及び大きさの関係を示す平面図である。図３０（Ａ）に示す例では、平面視で、アンテナの導体パターン６１ＰのＸ方向の全幅がアンテナ側第１端子電極１１の内側に入るように配置されている。同様に、アンテナの導体パターン６２ＰのＸ方向の全幅がアンテナ側第２端子電極１２の内側に入るように配置されている。図３０（Ｂ）に示す例では、平面視で、アンテナの導体パターン６１ＰのＹ方向の略全幅がアンテナ側第１端子電極１１の内側に入るように配置されている。同様に、アンテナの導体パターン６２ＰのＹ方向の略全幅がアンテナ側第２端子電極１２の内側に入るように配置されている。

図３１（Ａ）、図３１（Ｂ）は、第１０の実施形態に係るＲＦＩＤタグの、ＲＦＩＣモジュール１０１と導体パターン６１Ｐ，６２Ｐとの位置関係及び大きさの関係を示す平面図である。いずれの例でも、平面視で、アンテナの導体パターン６１ＰのＸ方向の先端部が、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２等によるインピーダンス整合回路の形成領域に重なる。図３１（Ｂ）の例では、アンテナ側第１端子電極１１の全体がアンテナの導体パターン６１Ｐの内側に入るように配置されている。同様に、アンテナ側第２端子電極１２の全体がアンテナの導体パターン６２Ｐの内側に入るように配置されている。

図３０（Ａ）、図３１（Ａ）に示す例では、アンテナの導体パターンが形成された絶縁体フィルムに対するＲＦＩＣモジュール１０１のＸ方向の位置ずれがあっても、アンテナの導体パターン６１Ｐ，６２Ｐに対するアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２の結合容量変化は小さい。また、図２９、図３０（Ａ）、図３０（Ｂ）、図３１（Ａ）、図３１（Ｂ）に示すいずれの例でも、アンテナの導体パターンが形成された絶縁体フィルムに対するＲＦＩＣモジュール１０１のＹ方向の位置ずれがあっても、上記結合容量変化は小さい。

なお、本実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０１の基板１に形成されている導体パターンによるインピーダンス整合回路は、以上に示した回路に限らない。

《第１１の実施形態》
第１１の実施形態では、ＲＦＩＣ２と共に他の部品を備えたＲＦＩＣモジュールについて例示する。

図３２（Ａ）は第１１の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２１１の平面図である。図３２（Ｂ）は、ＲＦＩＤタグ２１１が備えるＲＦＩＣモジュール１１１Ａの搭載部分の拡大平面図である。

ＲＦＩＤタグ２１１は、アンテナ６と、このアンテナ６に結合するＲＦＩＣモジュール１１１Ａとで構成される。アンテナ６は絶縁体フィルム６０と、この絶縁体フィルム６０に形成された導体パターン６１，６２とで構成される。絶縁体フィルム６０及び導体パターン６１，６２の構成は第１の実施形態で示したとおりである。

導体パターン６１は導体パターン６１Ｐ，６１Ｌ，６１Ｃで構成され、導体パターン６２は導体パターン６２Ｐ，６２Ｌ，６２Ｃで構成される。導体パターン６１，６２はダイポールアンテナを構成する。導体パターン６１Ｐ，６２ＰにはＲＦＩＣモジュール１１１Ａが搭載される。

図３３はＲＦＩＣモジュール１１１Ａの断面図である。このＲＦＩＣモジュール１１１Ａは、基板１と、この基板１に実装されるＲＦＩＣ２及びチップキャパシタＣＣ１とを備える。ＲＦＩＣ２及びチップキャパシタＣＣ１が実装された基板１の上面には保護膜３が被覆されている。基板１の下面にはカバーレイフィルム４が設けられている。基板１の基本構成は第１の実施形態で示したとおりである。

図３４はＲＦＩＣモジュール１１１Ａの基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。図３４において上部は基板１の上面に形成されている導体パターンの平面図であり、図３４の下部は基板１の下面に形成されている導体パターンの平面図である。

基板１の上面には、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２、第１インダクタＬ１の主要部の導体パターンＬ１１、及び第２インダクタＬ２の主要部の導体パターンＬ２１が形成されている。ＲＦＩＣ側第１端子電極３１は上記導体パターンＬ１１の一方端に繋がっていて、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２は上記導体パターンＬ２１の一方端に繋がっている。

基板１の下面には、アンテナ６の導体パターン６１Ｐ，６２Ｐに容量結合されるアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２が形成されている。また、基板１の下面には、第１インダクタＬ１の一部の導体パターンＬ１２、第２インダクタの一部の導体パターンＬ２２、第３インダクタＬ３の導体パターン、第４インダクタＬ４の導体パターン及び第５インダクタＬ５の導体パターンが形成されている。これらの導体パターンは第１の実施形態で示したとおりである。

ＲＦＩＣ側第１端子電極３１及びＲＦＩＣ側第２端子電極３２にＲＦＩＣ２が搭載されている。つまり、ＲＦＩＣ２の端子２１がＲＦＩＣ側第１端子電極３１に接続されていて、ＲＦＩＣ２の端子２２がＲＦＩＣ側第２端子電極３２に接続されている。また、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１及びＲＦＩＣ側第２端子電極３２にチップキャパシタＣＣ１が搭載されて、チップキャパシタＣＣ１がＲＦＩＣ側第１端子電極３１とＲＦＩＣ側第２端子電極３２との間に接続されている。

図３５はＲＦＩＣモジュール１１１Ａの回路図である。ＲＦＩＣモジュール１１１Ａは、ＲＦＩＣ２と、インピーダンス整合回路７とで構成されている。インピーダンス整合回路７は、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２に接続される。インピーダンス整合回路７は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第３インダクタＬ３、第４インダクタＬ４、第５インダクタＬ５及びチップキャパシタＣＣ１を含んで構成される。チップキャパシタＣＣ１は、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１とＲＦＩＣ側第２端子電極３２との間に接続される。

第１インダクタＬ１は、図３４に示した導体パターンＬ１１，Ｌ１２で構成され、第２インダクタＬ２は、図３４に示した導体パターンＬ２１，Ｌ２２で構成される。第１インダクタＬ１はアンテナ側第１端子電極１１とＲＦＩＣ側第１端子電極３１との間に接続されている。第２インダクタＬ２はアンテナ側第２端子電極１２とＲＦＩＣ側第２端子電極３２との間に接続されている。第３インダクタＬ３の一端はアンテナ側第１端子電極１１に接続されていて、第４インダクタＬ４の一端はアンテナ側第２端子電極１２に接続されていて、第５インダクタＬ５は第３インダクタＬ３の他端と第４インダクタＬ４の他端との間に接続されている。

本実施形態において、チップキャパシタＣＣ１は、インピーダンス整合回路７の一部である。第１の実施形態において図８に示したキャパシタＣａ，Ｃ１１，Ｃ１２のキャパシタンスは、ＲＦＩＣモジュール１０１の導体パターンの構成によって定まり、一定である。一方、基板１に搭載されるＲＦＩＣ２の特性は必ずしも一定ではない。このような状況下で、ＲＦＩＣ２の入出力部のインピーダンスと導体パターン６１，６２によるアンテナとのインピーダンス整合を適正に行うために、ＲＦＩＣ２の特性に応じたキャパシタンスのチップキャパシタＣＣ１を選定すればよい。したがって、本実施形態によれば、入出力部のインピーダンスの異なる複数種のＲＦＩＣ２を採用可能となる。

図３６は、第１１の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１１１Ｂの平面図である。この例では、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２から延出された導体パターンが形成されていて、その導体パターンにチップキャパシタＣＣ１が実装されている。このようにして、チップキャパシタＣＣ１をＲＦＩＣ２から分離してもよい。

なお、ＲＦＩＣモジュール１１１Ａ，１１１Ｂのインピーダンス整合回路は、以上に示した回路に限らない。

《第１２の実施形態》
第１２の実施形態では、アンテナの特性に応じたチップキャパシタを実装可能としたＲＦＩＣモジュール及びＲＦＩＤタグの例を示す。

図３７（Ａ）は第１２の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２１２の平面図である。図３７（Ｂ）は、ＲＦＩＤタグ２１２が備えるＲＦＩＣモジュール１１２Ａの搭載部分の拡大平面図である。

ＲＦＩＤタグ２１２は、アンテナ６と、このアンテナ６に結合するＲＦＩＣモジュール１１２Ａとで構成される。アンテナ６は、絶縁体フィルム６０と、この絶縁体フィルム６０に形成された導体パターン６１，６２とで構成される。

第１１の実施形態で示した例と同様に、導体パターン６１は導体パターン６１Ｐ，６１Ｌ，６１Ｃで構成され、導体パターン６２は導体パターン６２Ｐ，６２Ｌ，６２Ｃで構成される。導体パターン６１，６２はダイポールアンテナを構成する。

導体パターン６１Ｐ，６２ＰにはＲＦＩＣモジュール１１２Ａ及びチップキャパシタＣＣ２が搭載される。

図３８はＲＦＩＤタグ２１２の回路図である。ＲＦＩＣモジュール１１２ＡはＲＦＩＣ２と、インピーダンス整合回路７とで構成されている。インピーダンス整合回路７は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第３インダクタＬ３、第４インダクタＬ４及び第５インダクタＬ５を含んで構成される。チップキャパシタＣＣ２は、導体パターン６１の根元部と導体パターン６２の根元部との間に接続される。

上記チップキャパシタＣＣ２は、図８に示した、アンテナの導体パターン６１，６２間に生じる容量成分であるキャパシタＣａに並列接続される。

図８に示したキャパシタＣａ，Ｃ１１，Ｃ１２のキャパシタンスは、ＲＦＩＣモジュール１１２Ａの導体パターンの構成によって定まり、一定である。一方、アンテナ６とＲＦＩＣモジュール１１２Ａとは個別の部品であり、独立して設計できる。本実施形態によれば、導体パターン６１，６２間に生じる容量成分であるキャパシタＣａの値をチップキャパシタＣＣ２のキャパシタンスによって変更できるので、アンテナ６の導体パターン６１，６２は必ずしも一定でなくてもよい。つまり、このような状況下で、導体パターン６１，６２に応じたキャパシタンスのチップキャパシタＣＣ２を選定して実装すればよい。

図３９は第１２の実施形態に係る別のＲＦＩＣモジュール１１２Ｂの回路図である。ＲＦＩＣモジュール１１２ＢはＲＦＩＣ２と、インピーダンス整合回路７とで構成されている。インピーダンス整合回路７は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２、第３インダクタＬ３、第４インダクタＬ４、第５インダクタＬ５及びチップキャパシタＣＣ２を含んで構成される。チップキャパシタＣＣ２は、アンテナ側第１端子電極１１とアンテナ側第２端子電極１２との間に接続される。この本実施形態によれば、アンテナ側第１端子電極１１とアンテナ側第２端子電極１２との間のキャパシタンスをチップキャパシタＣＣ２のキャパシタンスによって変更できるので、アンテナ６の導体パターン６１，６２は必ずしも一定でなくてもよい。つまり、このような状況下で、導体パターン６１，６２に応じたキャパシタンスのチップキャパシタＣＣ２を選定して実装すればよい。

なお、ＲＦＩＣモジュール１１２Ａ，１１２Ｂのインピーダンス整合回路は、以上に示した回路に限らない。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

例えば、図５（Ｂ）に示した例では、アンテナ側第１端子電極１１とアンテナの導体パターン６１Ｐとが容量結合し、アンテナ側第２端子電極１２とアンテナの導体パターン６２Ｐとが容量結合するようにしたが、この容量結合部分を直接（直流的に）接続してもよい。また、一方を直接接続し、他方を容量結合させてもよい。

Ｃａ…キャパシタ
Ｌ１…第１インダクタ
Ｌ１１，Ｌ１２…第１インダクタの導体パターン
Ｌ２…第２インダクタ
Ｌ２１，Ｌ２２…第２インダクタの導体パターン
Ｌ３…第３インダクタ
Ｌ４…第４インダクタ
Ｌ５…第５インダクタ
Ｖ１，Ｖ２…ビア導体
１…基板
２…ＲＦＩＣ
３…保護膜
４…カバーレイフィルム
５…接着剤層
６…アンテナ
７…インピーダンス整合回路
８…ラベル
１１…アンテナ側第１端子電極
１２…アンテナ側第２端子電極
２１，２２…ＲＦＩＣ端子
３１…ＲＦＩＣ側第１端子電極
３２…ＲＦＩＣ側第２端子電極
６０…絶縁体フィルム
６１，６１Ｐ，６１Ｌ，６１Ｃ…導体パターン
６２，６２Ｐ，６２Ｌ，６２Ｃ…導体パターン
１０１，１０２，１０３Ａ，１０３Ｂ，１０４，１０５Ａ，１０５Ｂ，１０５Ｃ，１０６Ａ，１０６Ｂ，１０６Ｃ，１０７Ａ，１０７Ｂ，１０８Ａ，１０８Ｂ，１０８Ｃ，１１１Ａ，１１１Ｂ，１１２Ａ，１１２Ｂ…ＲＦＩＣモジュール
１０２Ｅ…比較例のＲＦＩＣモジュール
２０１，２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２，２１１，２１２…ＲＦＩＤタグ

図１７に示すＲＦＩＣモジュール１０５Ａと、図１８に示すＲＦＩＣモジュール１０５Ｂとでは、基板１の縦横比が異なる。第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の並び方向の幅に制限がある場合には、図１８に示すＲＦＩＣモジュール１０５Ｂのように、基板１はアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２の並び方向に長くてもよい。また、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の並び方向（Ｘ方向）に、これら導体パターンを偏平化してもよい。

図１９に示すＲＦＩＣモジュール１０５Ｃでは、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２を挟む位置にアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２が配置されている。また、このＲＦＩＣモジュール１０５Ｃのように、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２の並び方向の幅に制限がある場合に、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２を、その並び方向に対する直交方向（Ｙ方向）に偏平化してもよい。

図２５は、第８の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０８Ｂの平面図である。このＲＦＩＣモジュール１０８Ｂは、アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂ、アンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂ、インピーダンス整合回路を構成する複数のインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５がそれぞれ基板１に設けられている。アンテナ側第１端子電極１１Ａ，１１Ｂの配列方向と、アンテナ側第２端子電極１２Ａ，１２Ｂの配列方向とは平行であり、かつ基板１の辺に対して傾斜している。

《第９の実施形態》
第９の実施形態では、基板に対するアンテナ側端子電極及びインピーダンス整合回路の形成位置がこれまでに示した例とは異なるＲＦＩＣモジュールについて例示する。

Claims (6)

1. 基板と、
   前記基板に搭載されるＲＦＩＣと、
   前記ＲＦＩＣが接続される、ＲＦＩＣ側第１端子電極及びＲＦＩＣ側第２端子電極と、
   前記基板に形成されて、それぞれアンテナに直接接続又は容量結合されるアンテナ側第１端子電極及びアンテナ側第２端子電極と、
   前記基板に形成されて、前記ＲＦＩＣ側第１端子電極、前記ＲＦＩＣ側第２端子電極、前記アンテナ側第１端子電極及び前記アンテナ側第２端子電極に接続されるインピーダンス整合回路と、
   を備え、
   前記インピーダンス整合回路は、第１インダクタ、第２インダクタ、第３インダクタ、第４インダクタ及び第５インダクタを含んで構成され、
   前記第１インダクタは前記アンテナ側第１端子電極と前記ＲＦＩＣ側第１端子電極との間に接続され、
   前記第２インダクタは前記アンテナ側第２端子電極と前記ＲＦＩＣ側第２端子電極との間に接続され、
   前記第３インダクタの一端は前記アンテナ側第１端子電極に接続され、
   前記第４インダクタの一端は前記アンテナ側第２端子電極に接続され、
   前記第５インダクタは前記第３インダクタの他端と前記第４インダクタの他端との間に接続され、
   前記第１インダクタ、前記第２インダクタ、前記第３インダクタ及び前記第４インダクタは、前記基板の面に沿って巻回されたコイル状の導体パターンで構成され、
   前記第５インダクタは非巻回状の導体パターンで構成され、
   前記第１インダクタ及び前記第３インダクタは前記基板の異なる層にそれぞれ形成され、且つコイル開口が重なる関係に配置され、
   前記第２インダクタ及び前記第４インダクタは前記基板の異なる層にそれぞれ形成され、且つコイル開口が重なる関係に配置され、
   前記第２インダクタ及び前記第４インダクタと、前記第１インダクタ及び前記第３インダクタとは、前記ＲＦＩＣの搭載位置を前記基板の面に沿って挟む位置関係に配置された、
   ＲＦＩＣモジュール。
2. 前記ＲＦＩＣ側第１端子電極から前記第３インダクタの他端までの巻回方向と、前記ＲＦＩＣ側第２端子電極から前記第４インダクタの他端までの巻回方向とは同方向である、
   請求項１に記載のＲＦＩＣモジュール。
3. 前記第３インダクタ、前記第４インダクタ、前記第５インダクタ、前記アンテナ側第１端子電極及び前記アンテナ側第２端子電極は、前記基板の同一層に形成された導体パターンで構成される、
   請求項１又は２に記載のＲＦＩＣモジュール。
4. 前記第５インダクタはメアンダライン形状であり、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタの配置方向の成分が、当該配置方向に直交する方向の成分より多い、請求項１から３のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
5. アンテナとＲＦＩＣモジュールとを備えるＲＦＩＤタグであって、
   前記ＲＦＩＣモジュールは、
   基板と、
   前記基板に搭載されるＲＦＩＣと、
   前記ＲＦＩＣが接続される、ＲＦＩＣ側第１端子電極及びＲＦＩＣ側第２端子電極と、
   前記基板に形成されて、それぞれ前記アンテナに直接接続又は容量結合されるアンテナ側第１端子電極及びアンテナ側第２端子電極と、
   前記基板に形成されて、前記ＲＦＩＣ側第１端子電極、前記ＲＦＩＣ側第２端子電極、前記アンテナ側第１端子電極及び前記アンテナ側第２端子電極に接続されるインピーダンス整合回路と、
   を備え、
   前記インピーダンス整合回路は、第１インダクタ、第２インダクタ、第３インダクタ、第４インダクタ及び第５インダクタを含んで構成され、
   前記第１インダクタは前記アンテナ側第１端子電極と前記ＲＦＩＣ側第１端子電極との間に接続され、
   前記第２インダクタは前記アンテナ側第２端子電極と前記ＲＦＩＣ側第２端子電極との間に接続され、
   前記第３インダクタの一端は前記アンテナ側第１端子電極に接続され、
   前記第４インダクタの一端は前記アンテナ側第２端子電極に接続され、
   前記第５インダクタは前記第３インダクタの他端と前記第４インダクタの他端との間に接続され、
   前記第１インダクタ、前記第２インダクタ、前記第３インダクタ及び前記第４インダクタは、前記基板の面に沿って巻回されたコイル状の導体パターンで構成され、
   前記第５インダクタは非巻回状の導体パターンで構成され、
   前記第１インダクタ及び前記第３インダクタは前記基板の異なる層にそれぞれ形成され、且つコイル開口が重なる関係に配置され、
   前記第２インダクタ及び前記第４インダクタは前記基板の異なる層にそれぞれ形成され、且つコイル開口が重なる関係に配置され、
   前記第２インダクタ及び前記第４インダクタと、前記第１インダクタ及び前記第３インダクタとは、前記ＲＦＩＣの搭載位置を前記基板の面に沿って挟む位置関係に配置された、
   ＲＦＩＤタグ。
6. 前記アンテナはフレキシブルな絶縁体フィルムに形成された２つの導体パターンを備え、
   前記ＲＦＩＣモジュールは前記絶縁体フィルムに貼付され、
   前記ＲＦＩＣモジュールの前記アンテナ側第１端子電極及び前記アンテナ側第２端子電極は前記アンテナの２つの導体パターンのそれぞれ端部に対向する、
   請求項５に記載のＲＦＩＤタグ。

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