JP7060180B2 - Ｒｆｉｃモジュール、ｒｆｉｄタグ及び物品 - Google Patents

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Description

本発明は、高周波信号を処理するＩＣを有するＲＦＩＣモジュール、このＲＦＩＣモジュールを備えるＲＦＩＤタグ及び物品に関する。
ＲＦＩＤタグとして用いるアンテナ搭載型の通信用ＩＣユニットは、例えば特許文献１に示されている。
特許文献１には、コイルが形成された基板を積層してなるアンテナ部と、このアンテナ部に接続されるＩＣチップとを含み、アンテナ部は、複数のコイルが直列接続されてなる主エレメントと、開放部を有する１ターン未満のコイルからなる副エレメントとを備え、主エレメントと副エレメントとが電磁結合するように配置された、アンテナ搭載形の通信用ＩＣユニットが示されている。また、切り欠き部が形成された導体を備え、この導体の切り欠き部に副エレメントの開放部が重ねられた、導体付きアンテナ搭載形の通信用ＩＣユニットが示されている。
国際公開第２０１８／０７９７１８号
特許文献１に記載の通信用ＩＣユニットにおいては、主エレメント及び副エレメントのサイズを小さくしようとすると、各コイルのコイル開口を小さくすることになるが、ＩＣチップについては縮小化できない。そのため、通信用ＩＣユニットを小型化するほど、各コイルのコイル開口のサイズがＩＣチップの面積に近くなる。その結果、各コイルのコイル開口がＩＣチップ及びその実装電極で磁気的に遮蔽されることになり、通信性能が低下する。
そこで、本発明の目的は、ＩＣチップによるコイル開口の遮蔽を抑制し、通信性能の低下を抑制しつつ小型化したＲＦＩＣモジュール、このＲＦＩＣモジュールを備えるＲＦＩＤタグ及び物品を提供することにある。
本開示の一例としてのＲＦＩＣモジュールは、
Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に平行な第１側面及び第２側面、前記Ｘ軸方向に平行な第３側面及び第４側面、前記Ｘ軸方向及び前記Ｙ軸方向に平行な第１平面及び第２平面を有する直方体形状の絶縁基板と、当該絶縁基板の前記第１側面、前記第２側面、前記第３側面及び前記第４側面に沿って、かつ前記絶縁基板内の複数の層に亘って形成された、導体パターンによる積層コイルと、前記絶縁基板の前記第１平面に実装されたＲＦＩＣと、前記絶縁基板の前記第２平面に形成され、一部に切り欠かれた形状の開放部を有し、前記絶縁基板の前記第１平面に対する垂直方向に視て、前記積層コイルに重なる平面コイルと、を備え、
前記積層コイルと前記ＲＦＩＣとは接続され、
前記ＲＦＩＣは、前記絶縁基板の前記第１側面寄りかつ前記第３側面寄りの位置に配置され、前記絶縁基板の前記第１平面に対する垂直方向に視て、前記ＲＦＩＣの一部は前記積層コイルに重なり、
前記平面コイルの開放部は前記第１側面寄りの位置に形成されている。
上記構成のＲＦＩＣモジュールでは、ＲＦＩＣは、絶縁基板の第１側面寄りかつ第３側面寄りの位置に配置されているので、ＲＦＩＣによる積層コイルのコイル開口の遮蔽が抑制される。また、絶縁基板の第１平面に対する垂直方向に視て、ＲＦＩＣの一部は積層コイルに重なっているので、その分、ＲＦＩＣ及びその実装電極で遮蔽されないコイル開口の面積が確保される。
本開示のＲＦＩＤタグは、上記ＲＦＩＣモジュールと、面方向に切り欠かれた形状の陥凹部を一部に有する面状導体と、を備え、ＲＦＩＣモジュールの前記絶縁基板の第１平面に対する垂直方向に視て、前記平面コイルの開放部は前記面状導体の陥凹部に重なる。
上記構成のＲＦＩＤタグでは、面状導体が放射素子の一部として作用する。
本開示の物品は、上記ＲＦＩＣモジュールと、面状導体とを有する物品であり、前記面状導体は、面方向に切り欠かれた形状の陥凹部を一部に有し、前記絶縁基板の第１平面に対する垂直方向に視て、前記平面コイルの開放部は前記面状導体の陥凹部に重なる。
本開示の物品では、物品が有する面状導体が放射素子の一部として作用する。
本発明によれば、ＲＦＩＣ及びその実装電極によるコイル開口の遮蔽を抑制し、通信性能の低下を抑制しつつ小型化したＲＦＩＣモジュールが得られる。また、このＲＦＩＣモジュールを備える小型のＲＦＩＤタグ及び物品が得られる。
図１（Ａ）は、第１の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０１の平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＢ－Ｂ部分での断面図である。 図２（Ａ）は本実施形態のＲＦＩＣモジュールにおける積層コイル２のコイル開口を通過する磁束を示す平面図である。図２（Ｂ）は比較例としてのＲＦＩＣモジュールにおける積層コイル２とＲＦＩＣ３との位置関係を示す平面図である。 図３はＲＦＩＣモジュール１０１の等価回路図である。 図４は第２の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０１の平面図である。 図５（Ａ）は面状導体６の陥凹部６ＰＰとＲＦＩＣモジュール１０１との位置関係を示す部分平面図である。図５（Ｂ）は図５（Ａ）におけるＢ－Ｂ部分の断面図である。 図６（Ａ）は第２の実施形態に係る物品３０１の斜視図である。図６（Ｂ）は第２の実施形態に係る物品３０２の斜視図である。 図７は第３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０３の斜視図である。 図８は第３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０３の内部の導体部分の分解斜視図である。 図９は第４の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０４の斜視図である。 図１０は第４の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０４の内部の導体部分の分解斜視図である。 図１１はＲＦＩＣモジュール１０４の等価回路図である。 図１２は第５の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０５の斜視図である。 図１３は第５の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０５の内部の導体部分の分解斜視図である。 図１４はＲＦＩＣモジュール１０５の等価回路図である。 図１５（Ａ）は第６の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０６の斜視図であり、図１５（Ｂ）はＲＦＩＤタグ２０６の分解斜視図である。
《第１の実施形態》
図１（Ａ）は、第１の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０１の平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＢ－Ｂ部分での断面図である。
このＲＦＩＣモジュール１０１は、直方体形状の絶縁基板１と、この絶縁基板１に形成された、導体パターンによる積層コイル２と、絶縁基板１の第１平面Ｐ１に実装されたＲＦＩＣ３と、絶縁基板１に形成された平面コイル４と、を備える。
絶縁基板１は例えばガラス・エポキシ基板等の樹脂基材である。絶縁基板１は、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に平行な第１側面Ｓ１及び第２側面Ｓ２、Ｘ軸方向に平行な第３側面Ｓ３及び第４側面Ｓ４、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に平行な第１平面Ｐ１及び第２平面Ｐ２を有する。
積層コイル２は、絶縁基板１の第１側面Ｓ１、第２側面Ｓ２、第３側面Ｓ３及び第４側面Ｓ４に沿って、かつ絶縁基板１内の複数の層に亘って形成された、導体パターンで構成されている。
平面コイル４は、絶縁基板１の第２平面Ｐ２に形成されている。図１（Ａ）に表れているように、平面コイル４は、一部に切り欠かれた形状の開放部４ＯＰを有する。また、平面コイル４は、絶縁基板１の第１平面Ｐ１に対する垂直方向に視て、積層コイル２に重なる。
積層コイル２は、絶縁基板１の所定の層に形成された導体パターン２Ａ，２Ｂ及びビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３で構成されている。絶縁基板１の第１平面Ｐ１にはＲＦＩＣ３を実装するための実装電極３Ｐ１，３Ｐ２が形成されている。実装電極３Ｐ１はビア導体Ｖ１を介して導体パターン２Ａの一端に導通していて、実装電極３Ｐ２はビア導体Ｖ２を介して導体パターン２Ｂの一端に導通している。導体パターン２Ａ，２Ｂの他端同士はビア導体Ｖ３を介して導通している。このようにして、ほぼ２ターンの積層コイル２がＲＦＩＣ３に接続されている。導体パターン２Ａ，２Ｂはいずれもパターンニングされた、例えば銅箔である。
ＲＦＩＣ３は、絶縁基板１の第１側面Ｓ１寄りかつ第３側面Ｓ３寄りの位置に配置されている。また、絶縁基板１の第１平面Ｐ１に対する垂直方向に視て、ＲＦＩＣ３の一部は積層コイル２に重なる。絶縁基板１の第１平面Ｐ１には樹脂モールド材層５が設けられている。
平面コイル４の開放部４ＯＰは第１側面Ｓ１寄りの位置に形成されている。
図１（Ｂ）中に磁束φで示すように、積層コイル２と平面コイル４とは電磁界結合する。この磁束φは、積層コイル２のコイル開口及び平面コイル４のコイル開口を通過する磁束である。
図２（Ａ）は本実施形態のＲＦＩＣモジュールにおける積層コイル２のコイル開口を通過する磁束φを示す平面図である。図２（Ｂ）は比較例としてのＲＦＩＣモジュールにおける積層コイル２とＲＦＩＣ３との位置関係を示す平面図である。
図２（Ｂ）に示す比較例では、ＲＦＩＣ３が積層コイル２のコイル開口の中心に同軸的に配置されているので、積層コイル２のコイル開口ＣＯがＲＦＩＣ３で磁気的に遮蔽されることになり、通信性能が低い。
これに対し、本実施形態のＲＦＩＣモジュールでは、ＲＦＩＣ３が絶縁基板１の第１側面Ｓ１寄りかつ第３側面Ｓ３寄りの位置に配置されているので、ＲＦＩＣ３及びその実装電極３Ｐ１，３Ｐ２による積層コイル２のコイル開口ＣＯの遮蔽が抑制される。また、絶縁基板１の第１平面Ｐ１に対する垂直方向に視て、ＲＦＩＣ３の一部は積層コイル２に重なっているので、その分、ＲＦＩＣ３で遮蔽されないコイル開口ＣＯの面積が確保される。図２（Ａ）中の破線はコイル開口ＣＯを通過する磁束φを表している。
図３はＲＦＩＣモジュール１０１の等価回路図である。ＲＦＩＣ３は給電回路とそれに並列接続されたキャパシタＣ３とで表すことができる。このＲＦＩＣ３は積層コイル２に接続されている。積層コイル２とＲＦＩＣ３のキャパシタＣ３とで第１の共振回路が構成されている。平面コイル４は、その開放部４ＯＰにキャパシタＣ４が構成されていて、平面コイル４に生じるインダクタンスと開放部４ＯＰに生じるキャパシタンスとで第２の共振回路が構成されている。第１の共振回路の共振周波数と第２の共振回路の共振周波数とは一致又は近接している。そして、積層コイル２と平面コイル４とは電磁界結合する。また、第１の共振回路と第２の共振回路とは相互に結合する。ＲＦＩＣ３の処理する通信信号の周波数は例えば900MHz帯（860MHz～960MHz）である。
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、ＲＦＩＤタグ及び物品について例示する。
図４は第２の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０１の平面図である。このＲＦＩＤタグ２０１は、ＲＦＩＣモジュール１０１と面状導体６とを備える。ＲＦＩＣモジュール１０１の構成例は第１の実施形態で示したとおりである。面状導体６は、面方向に切り欠かれた形状の陥凹部６ＰＰを一部に有する。
図５（Ａ）は面状導体６の陥凹部６ＰＰとＲＦＩＣモジュール１０１との位置関係を示す部分平面図である。図５（Ｂ）は図５（Ａ）におけるＢ－Ｂ部分の断面図である。
図５（Ａ）に表れているように、絶縁基板１の第１平面Ｐ１に対する垂直方向に視て、平面コイル４の開放部４ＯＰは面状導体６の陥凹部６ＰＰに重なる。
ＲＦＩＤタグ２０１において、平面コイル４の磁界と面状導体６に発生する渦電流による磁界とは結合する。そのことで、面状導体６はコイルの一部と見なされ、アンテナの実質的な受信面積が大きくなって、通信性能が改善される。このとき、面状導体６の陥凹部６ＰＰには渦電流が流れないので（陥凹部６ＰＰを迂回するように渦電流が流れるので）、陥凹部６ＰＰでの磁界は弱い。平面コイル４の開放部４ＯＰは面状導体６の陥凹部６ＰＰに重なることで、ＲＦＩＣ３は磁界強度の弱い箇所に存在することとなり、平面コイル４と面状導体６との磁界結合に対するＲＦＩＣ３の悪影響を最小限に抑えることができる。
図６（Ａ）は第２の実施形態に係る物品３０１の斜視図である。この物品３０１は、少なくとも表面が絶縁性の絶縁性部材３１０と、この絶縁性部材３１０に貼付されたＲＦＩＤタグ２０１とで構成される。ＲＦＩＤタグ２０１の構成は既に示したとおりである。
図６（Ｂ）は第２の実施形態に係る物品３０２の斜視図である。この物品３０２は、絶縁性部材３１０と、この絶縁性部材３１０の表面に形成された面状導体６と、この面状導体６の表面に設けられたＲＦＩＣモジュール１０１とで構成される。ＲＦＩＣモジュール１０１と面状導体６との関係は図４，図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示したとおりである。
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、積層コイルの構成に特徴を有するＲＦＩＣモジュールについて例示する。
図７は第３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０３の斜視図であり、図８はその内部の導体部分の分解斜視図である。図７においては、内部の構造を透視して表している。
ＲＦＩＣモジュール１０３は、直方体形状の絶縁基板１と、この絶縁基板１に形成された、導体パターンによる積層コイル２と、絶縁基板１に実装されたＲＦＩＣ３と、絶縁基板１に形成された平面コイル４と、を備える。
絶縁基板１の幅Ｗ、奥行きＤ、高さＨの各部の寸法は、この例では次のとおりである。
Ｗ：1.2mm
Ｄ：1.2mm
Ｈ：0.165mm
また、樹脂モールド材層５を含む全体の高さは0.465mmである。このように、全体に非常に小さなＲＦＩＣモジュールである。
図７、図８に表れているように、絶縁基板１の内部に４層に亘って形成された導体パターン２Ａ～２Ｄ及びビア導体による積層コイル２が形成されている。導体パターン２Ａ～２Ｄは、絶縁基板１の第１側面Ｓ１、第２側面Ｓ２、第３側面Ｓ３及び第４側面Ｓ４に沿って形成されている。破線はビア導体を表している。
導体パターン２Ａの一端はビア導体を介してＲＦＩＣ３の実装電極３Ｐ１に接続されている。導体パターン２Ｄの一端は複数のビア導体を介してＲＦＩＣ３の実装電極３Ｐ２に接続されている。
導体パターン２Ａ，２Ｃの内外径は導体パターン２Ｂ，２Ｄの内外径より僅かに小さく、絶縁基板１の平面視で、４つの導体パターン２Ａ～２Ｄが完全には重ならず、部分的に重なる。そのため、導体パターン２Ａ～２Ｄの形成位置のずれ（絶縁基板１の各層の積みずれ）があっても、そのずれによる影響を受けにくい。例えば、導体パターン２Ａ，２Ｃの外径は導体パターン２Ｂ．２Ｄの外径と内径との中間値である。
平面コイル４の開口径は、導体パターン２Ａ～２Ｄの内径とほぼ等しい。そのため、導体パターン２Ａ～２Ｄに流れる電流の経路と、平面コイル４の開口の内縁に沿って流れる渦電流の経路とがほぼ一致して、積層コイル２と平面コイル４とは強く電磁界結合する。
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、積層コイルに接続されるキャパシタを備えるＲＦＩＣモジュールについて例示する。
図９は第４の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０４の斜視図であり、図１０はその内部の導体部分の分解斜視図である。図９においては、内部の構造を透視して表している。
ＲＦＩＣモジュール１０４は、直方体形状の絶縁基板１と、この絶縁基板１に形成された、導体パターンによる積層コイル２と、絶縁基板１に実装されたＲＦＩＣ３と、絶縁基板１に形成された平面コイル４と、を備える。
本実施形態では、絶縁基板１の第１平面（図９に示す向きで絶縁基板１の下面）にチップ状のキャパシタＣ２が実装されている。図１０において、ＲＦＩＣ３の実装電極３Ｐ１，３Ｐ２に連続するキャパシタの実装電極Ｃ２Ｐ１，Ｃ２Ｐ２が形成されている。その他の構成は第３の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０３と同様である。
図１１はＲＦＩＣモジュール１０４の等価回路図である。ＲＦＩＣ３は給電回路とそれに並列接続されたキャパシタＣ３とで表している。このＲＦＩＣ３は積層コイル２に接続されていて、キャパシタＣ２が積層コイル２に対して並列接続されている。積層コイル２とＲＦＩＣ３のキャパシタＣ３及び外付けのキャパシタＣ２とで第１の共振回路が構成されている。平面コイル４に生じるインダクタンスと開放部４ＯＰに生じるキャパシタンスとして第２の共振回路が構成されている。そして、積層コイル２と平面コイル４とは電磁界結合する。また、第１の共振回路と第２の共振回路とは相互に結合する。
本実施形態では、ＲＦＩＣ３の内部に含むキャパシタＣ３の容量が規定のキャパシタンスに満たない場合に、所定キャパシタンスのキャパシタＣ２を外付けすることで、第１共振回路の共振周波数を所定の周波数に定めることができる。
《第５の実施形態》
第５の実施形態では、積層コイルに接続されるキャパシタを備えるＲＦＩＣモジュールについて例示する。
図１２は第５の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０５の斜視図であり、図１３はその内部の導体部分の分解斜視図である。図１２においては、内部の構造を透視して表している。
ＲＦＩＣモジュール１０５は、直方体形状の絶縁基板１と、この絶縁基板１に形成された、導体パターンによる積層コイル２と、絶縁基板１に実装されたＲＦＩＣ３と、絶縁基板１に実装されたキャパシタＣ２と、絶縁基板１に形成された平面コイル４と、を備える。
図１３に表れているように、絶縁基板１の内部に６層に亘って形成された導体パターン２Ａ～２Ｆ及びビア導体による積層コイル２が形成されている。導体パターン２Ａの一端はビア導体を介してキャパシタＣ２の実装電極Ｃ２Ｐ２に接続されている。導体パターン２Ｆの一端は複数のビア導体を介してＲＦＩＣ３の実装電極３Ｐ２に接続されている。ＲＦＩＣ３の実装電極３Ｐ１には連続してキャパシタＣ２の実装電極Ｃ２Ｐ１が形成されている。その他の構成は、第３の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０３及び第４の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０４と同様である。
図１４はＲＦＩＣモジュール１０５の等価回路図である。ＲＦＩＣ３は給電回路とそれに並列接続されたキャパシタＣ３とで表している。キャパシタＣ２は積層コイル２に対して直列接続されている。ＲＦＩＣ３は積層コイル２とキャパシタＣ２との直列回路に接続されている。積層コイル２とＲＦＩＣ３のキャパシタＣ３及び外付けのキャパシタＣ２とで第１の共振回路が構成されている。平面コイル４に生じるインダクタンスと開放部４ＯＰに生じるキャパシタンスとして第２の共振回路が構成されている。そして、積層コイル２と平面コイル４とは電磁界結合する。また、第１の共振回路と第２の共振回路とは相互に結合する。
本実施形態では、ＲＦＩＣ３の内部に含むキャパシタＣ３の容量が規定のキャパシタンスを超える場合に、所定キャパシタンスのキャパシタＣ２を外付けすることで、第１共振回路の共振周波数を所定の周波数に定めることができる。
《第６の実施形態》
第６の実施形態では、第２の実施形態で示した例とは異なる面状導体を備えるＲＦＩＤタグについて示す。
図１５（Ａ）は第６の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０６の斜視図であり、図１５（Ｂ）はＲＦＩＤタグ２０６の分解斜視図である。ＲＦＩＤタグ２０６は、ＲＦＩＣモジュール１０３と面状導体６とで構成されている。図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）では、面状導体６を透視して表している。
図１５（Ｂ）に表れているように、面状導体６は陥凹部６ＰＰを有する。この陥凹部６ＰＰは、面状導体６の外縁から内側へ陥凹する幅の狭い陥凹部６ＰＰ１と、内部で幅の拡がった陥凹部６ＰＰ２とで構成されている。
図１５（Ａ）に表れているように、ＲＦＩＣモジュール１０３の平面視で、平面コイル４の開放部４ＯＰは面状導体６の陥凹部６ＰＰ１に重なる。また、平面コイル４のコイル開口と面状導体６の陥凹部６ＰＰ２のサイズはほぼ等しく、互いに重なる。平面コイル４は面状導体６に対してはんだ付け、または導電性接合材を介して接合されている。
図５に示した例では、面状導体６の陥凹部６ＰＰの幅が一定であったが、本実施形態で示すように、面状導体６の外縁に接する箇所は幅の狭い形状であってもよい。そのことにより、面状導体６の陥凹部６ＰＰと平面コイル４との接合長は平面コイル４の周長にほぼ等しくなる。
本実施形態では、図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）に示した平面コイル４と面状導体６との接合面積を広くすることができるので、両者の高い固着強度が得られる。このため、外部からの衝撃でＲＦＩＣモジュール１０３が脱落する、といったことを軽減できる。
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
例えば、通信周波数は900MHz帯に限られるものではなく、その他の周波数帯、例えば2.45GHz帯等にも同様に適用できる。
また、以上に示した各実施形態では、積層コイル２と平面コイル４とは、絶縁基板１の第１平面Ｐ１に対する垂直方向に視て、互いに重なる例を示したが、積層コイル２と平面コイル４とが部分的に重なる構造であってもよい。また、積層コイル２と平面コイル４とはそれぞれの内外径が近似しているだけでもよい。
Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４…キャパシタ
Ｃ２Ｐ１，Ｃ２Ｐ２…キャパシタの実装電極
ＣＯ…コイル開口
Ｐ１…第１平面
Ｐ２…第２平面
Ｓ１…第１側面
Ｓ２…第２側面
Ｓ３…第３側面
Ｓ４…第４側面
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３…ビア導体
１…絶縁基板
２…積層コイル
２Ａ～２Ｆ…導体パターン
３…ＲＦＩＣ
３Ｐ１，３Ｐ２…ＲＦＩＣの実装電極
４…平面コイル
４ＯＰ…開放部
５…樹脂モールド材層
６…面状導体
６ＰＰ，６ＰＰ１，６ＰＰ２…陥凹部
１０１，１０３，１０４，１０５…ＲＦＩＣモジュール
２０１，２０６…ＲＦＩＤタグ
３０１，３０２…物品
３１０…絶縁性部材

Claims (5)

  1. Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に平行な第１側面及び第２側面、前記Ｘ軸方向に平行な第３側面及び第４側面、前記Ｘ軸方向及び前記Ｙ軸方向に平行な第１平面及び第２平面を有する直方体形状の絶縁基板と、当該絶縁基板の前記第１側面、前記第２側面、前記第３側面及び前記第４側面に沿って、かつ前記絶縁基板内の複数の層に亘って形成された、導体パターンによる積層コイルと、前記絶縁基板の前記第１平面に実装されたＲＦＩＣと、前記絶縁基板の前記第２平面に形成され、一部に切り欠かれた形状の開放部を有し、前記絶縁基板の前記第１平面に対する垂直方向に視て、前記積層コイルに重なる平面コイルと、を備え、
    前記積層コイルと前記ＲＦＩＣとは接続され、
    前記ＲＦＩＣは、前記絶縁基板の前記第１側面寄りかつ前記第３側面寄りの位置に配置され、前記絶縁基板の前記第１平面に対する垂直方向に視て、前記ＲＦＩＣの一部は前記積層コイルに重なり、
    前記平面コイルの開放部は前記第１側面寄りの位置に形成されている、
    ＲＦＩＣモジュール。
  2. 前記積層コイルの前記複数の層に形成された前記導体パターンは、前記絶縁基板の前記第１平面に対する垂直方向に視て、互いに部分的に重なる、
    請求項１に記載のＲＦＩＣモジュール。
  3. 前記平面コイルに生じるインダクタンスと前記開放部に生じるキャパシタンスとで共振回路が構成され、
    前記積層コイルに接続されて、当該積層コイルと共に共振回路の一部を構成するキャパシタを備える、
    請求項１又は２に記載のＲＦＩＣモジュール。
  4. 請求項１から３のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュールと、面方向に切り欠かれた形状の陥凹部を一部に有する面状導体と、を備え、
    前記絶縁基板の前記第１平面に対する垂直方向に視て、前記平面コイルの開放部は前記面状導体の陥凹部に重なる、
    ＲＦＩＤタグ。
  5. 請求項１から３のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュールと、面状導体とを有する物品であり、
    前記面状導体は、面方向に切り欠かれた形状の陥凹部を一部に有し、
    前記絶縁基板の前記第１平面に対する垂直方向に視て、前記平面コイルの開放部は前記面状導体の陥凹部に重なる、
    物品。
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