JPWO2020161552A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020161552A5
JPWO2020161552A5 JP2020570660A JP2020570660A JPWO2020161552A5 JP WO2020161552 A5 JPWO2020161552 A5 JP WO2020161552A5 JP 2020570660 A JP2020570660 A JP 2020570660A JP 2020570660 A JP2020570660 A JP 2020570660A JP WO2020161552 A5 JPWO2020161552 A5 JP WO2020161552A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
electrically connected
drain
source
output terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020570660A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2020161552A1 (ja
JP7412360B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/IB2020/050458 external-priority patent/WO2020161552A1/ja
Publication of JPWO2020161552A1 publication Critical patent/JPWO2020161552A1/ja
Publication of JPWO2020161552A5 publication Critical patent/JPWO2020161552A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7412360B2 publication Critical patent/JP7412360B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (9)

  1. シフトレジスタと、昇圧回路と、画素と、を有する表示装置であって、
    前記シフトレジスタは、第1の出力端子と、第2の出力端子と、第3の出力端子と、を有し、
    前記昇圧回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第1のキャパシタと、を有し、
    前記画素は、第5のトランジスタを有し、
    前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第1のキャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
    前記第1のキャパシタの一方の電極は、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第5のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第1のキャパシタの他方の電極は、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方および前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのゲートおよび前記第4のトランジスタのゲートは、前記第1の出力端子と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのゲートは、前記第2の出力端子と電気的に接続され、
    前記第3のトランジスタのゲートは、前記第3の出力端子と電気的に接続される表示装置。
  2. 請求項1において、
    前記シフトレジスタは、前記第1の出力端子、前記第2の出力端子、前記第3の出力端子の順に信号電圧を出力する表示装置。
  3. 請求項1または2において、
    前記昇圧回路は、さらに第6のトランジスタと、第2のキャパシタと、を有し、
    前記第6のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第1の出力端子と電気的に接続され、
    前記第6のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2のキャパシタの一方の電極および前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第2のキャパシタの他方の電極は、前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている表示装置。
  4. 請求項1または2において、
    前記昇圧回路は、さらに第7のトランジスタと、第8のトランジスタと、第3のキャパシタと、を有し、
    前記第7のトランジスタのゲートは、前記第3の出力端子と電気的に接続され、
    前記第7のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第3のキャパシタの一方の電極、前記第3のトランジスタのゲートおよび前記第8のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第8のトランジスタのゲートは、前記第1の出力端子と電気的に接続される表示装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一項において、
    前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの他方とは電気的に接続されている表示装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一項において、
    前記画素は、表示素子を有し、
    前記画素は、第1のデータおよび第2のデータに基づいて第3のデータを生成する機能、および前記第3のデータに応じて前記表示素子で表示を行う機能を有する表示装置。
  7. 請求項6において、
    前記表示素子は、液晶デバイスである表示装置。
  8. 請求項1乃至7のいずれか一項において、
    前記昇圧回路および前記画素が有するトランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有し、前記金属酸化物は、Inと、Znと、M(MはAl、Ti、Ga、Ge、Sn、Y、Zr、La、Ce、NdまたはHf)と、を有する表示装置。
  9. 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の表示装置と、カメラと、を有する電子機器。
JP2020570660A 2019-02-05 2020-01-22 表示装置および電子機器 Active JP7412360B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019018781 2019-02-05
JP2019018781 2019-02-05
PCT/IB2020/050458 WO2020161552A1 (ja) 2019-02-05 2020-01-22 表示装置および電子機器

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2020161552A1 JPWO2020161552A1 (ja) 2020-08-13
JPWO2020161552A5 true JPWO2020161552A5 (ja) 2023-01-19
JP7412360B2 JP7412360B2 (ja) 2024-01-12

Family

ID=71947043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020570660A Active JP7412360B2 (ja) 2019-02-05 2020-01-22 表示装置および電子機器

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11735134B2 (ja)
JP (1) JP7412360B2 (ja)
KR (1) KR20210116657A (ja)
CN (1) CN113348501A (ja)
WO (1) WO2020161552A1 (ja)

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3243581B2 (ja) * 1992-01-31 2002-01-07 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス液晶光バルブ
EP0559321B1 (en) 1992-01-31 1997-07-09 Canon Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal light valve with driver circuit
JP2003288062A (ja) 2002-01-22 2003-10-10 Seiko Epson Corp 制御信号の生成方法、制御信号生成回路、データ線駆動回路、素子基板、電気光学装置および電子機器
KR100574363B1 (ko) 2002-12-04 2006-04-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터
US7304502B2 (en) * 2004-06-28 2007-12-04 Samsung Sdi Co., Ltd Level shifter and flat panel display comprising the same
KR20060034025A (ko) 2004-10-18 2006-04-21 삼성전자주식회사 전압 발생 장치 및 그의 방법과, 이를 구비한 표시 장치및 그의 구동 장치
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP5064747B2 (ja) 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
EP1998375A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
WO2007080813A1 (en) 2006-01-07 2007-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
TWI427602B (zh) 2006-10-17 2014-02-21 Semiconductor Energy Lab 脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置
CN101241247B (zh) * 2007-02-09 2010-05-26 群康科技(深圳)有限公司 移位寄存器及液晶显示装置
KR102241160B1 (ko) 2008-11-28 2021-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
WO2010146738A1 (ja) 2009-06-15 2010-12-23 シャープ株式会社 シフトレジスタおよび表示装置
EP2494597A4 (en) 2009-10-30 2015-03-18 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
KR20190124813A (ko) 2009-11-20 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011099360A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR102455879B1 (ko) 2010-02-23 2022-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011108367A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Boosting circuit and rfid tag including boosting circuit
US8528827B2 (en) 2010-06-18 2013-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Antenna, semiconductor device, and method of manufacturing antenna
WO2012053374A1 (en) 2010-10-20 2012-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
DE112012004996T5 (de) 2011-11-30 2014-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
KR102397388B1 (ko) 2014-07-24 2022-05-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 모듈 및 전자 기기
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
CN104332144B (zh) 2014-11-05 2017-04-12 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其栅极驱动电路
US10418385B2 (en) * 2016-11-18 2019-09-17 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Array substrate and fabrication method thereof, display panel
US11145268B2 (en) * 2017-04-10 2021-10-12 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate including setting thin film transistor and resetting thin film transistor and display device including same
JP7092767B2 (ja) 2017-08-11 2022-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
US11990502B2 (en) 2017-08-31 2024-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11302278B2 (en) 2017-09-15 2022-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel and electronic device
WO2019092540A1 (en) 2017-11-09 2019-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
KR102579125B1 (ko) 2017-11-09 2023-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 그 동작 방법, 및 전자 기기
CN111406280B (zh) 2017-12-06 2022-12-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、显示装置、电子设备及工作方法
US11048134B2 (en) 2017-12-21 2021-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US11120764B2 (en) 2017-12-21 2021-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN111448608A (zh) 2017-12-22 2020-07-24 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
CN112639944A (zh) 2018-09-12 2021-04-09 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN112655039A (zh) 2018-09-21 2021-04-13 株式会社半导体能源研究所 触发器电路、驱动电路、显示面板、显示装置、输入输出装置、数据处理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019185000A5 (ja)
US10416739B2 (en) Shift register units, driving methods and driving apparatuses thereof, and gate driving circuits
JP4425547B2 (ja) パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器
US9349331B2 (en) Shift register unit circuit, shift register, array substrate and display apparatus
TWI386707B (zh) 陣列基板及具有該陣列基板之顯示裝置
EP3531411A1 (en) Goa driver circuit and liquid crystal display device
JP2003167543A5 (ja)
US20120044132A1 (en) Shift register, scanning line drive circuit, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2004222256A5 (ja)
US20190114952A1 (en) Shift register unit, gate driving circuit and display device
US20190114951A1 (en) Gate driving circuits and display apparatuses
JP2011090761A5 (ja) 半導体装置、表示装置及び電子機器
JP2013148910A5 (ja) 半導体装置、表示装置及び電子機器
JPWO2019207440A5 (ja)
US10896654B2 (en) GOA circuit and liquid crystal display device
TWI421827B (zh) 移位暫存器
JP2006269808A5 (ja)
US10467937B2 (en) Shift register unit, driving method thereof, gate driving circuit and display device
JP2008009058A5 (ja)
CN108461062B (zh) 一种移位寄存器、阵列基板及其驱动方法、显示装置
US8669971B2 (en) Display device and electronic apparatus
US11538380B2 (en) Shift register, driving method therefor, gate driving circuit and display device
US10529296B2 (en) Scanning line drive circuit and display device including the same
CN108305581B (zh) 一种移位寄存器及栅极驱动电路
JPWO2020008299A5 (ja)