JPWO2020044531A1 - イオンミリング装置 - Google Patents
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Description
Claims (15)
- イオン源と、
前記イオン源からの非集束のイオンビームを照射することにより加工される試料が載置される試料ステージと、
前記イオン源と前記試料ステージとの間に配置され、第1の方向に延在する線状のイオンビーム測定部材を前記第1の方向と直交する第2の方向に移動させる駆動ユニットと、
制御部とを有し、
前記制御部は、前記イオン源から第1の照射条件で前記イオンビームが出力された状態で、前記駆動ユニットにより前記イオンビーム測定部材を前記イオンビームの照射範囲で移動させ、前記イオンビームが前記イオンビーム測定部材に照射されることにより前記イオンビーム測定部材に流れるイオンビーム電流を測定するイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記制御部は、前記イオンビーム電流と当該イオンビーム電流が測定されたときの前記イオンビーム測定部材の位置との関係を示すイオンビーム電流プロファイルを記憶するイオンミリング装置。 - 請求項2において、
前記制御部は、前記イオンビーム電流プロファイルに基づき、前記第1の照射条件の調整値を求めるイオンミリング装置。 - 請求項3において、
前記制御部は、前記イオンビーム電流プロファイルとあらかじめ設定した基準イオンビーム電流プロファイルとを比較して、前記第1の照射条件の調整値を求めるイオンミリング装置。 - 請求項4において、
前記制御部は、前記イオンビーム電流プロファイルのピーク値及び半値幅が、前記基準イオンビーム電流プロファイルのピーク値及び半値幅に等しくなる、あるいは近似するように、前記第1の照射条件の調整値を求めるイオンミリング装置。 - 請求項3〜5のいずれか1項において、
試料室と、
前記試料室に設置されるイオン源位置調整機構とを有し、
前記イオン源は前記イオン源位置調整機構を介して前記試料室に取り付けられ、
前記イオン源は、ぺニング型イオン源であり、
前記制御部は、前記第1の照射条件の調整値を求めるパラメータとして、前記イオン源の放電電圧、前記イオン源のガス流量及び前記イオン源と前記試料との距離の少なくとも1つを含むイオンミリング装置。 - 請求項4において、
前記イオンビーム電流プロファイルと前記基準イオンビーム電流プロファイルとを重畳表示する表示部を有するイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記イオン源からの前記イオンビームのイオンビーム中心は、前記第1の方向と前記第2の方向により形成される平面に対して直交するイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記イオンビーム測定部材は、断面が円柱形状であり、径が前記イオンビームの半値幅以下であるグラファイトカーボンの線状材であるイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記試料ステージと前記駆動ユニットとの間に、前記イオン源からの前記イオンビームから前記試料を遮蔽する試料保護シャッタを有するイオンミリング装置。 - 試料室と、
前記試料室に設置されるイオン源位置調整機構と、
前記イオン源位置調整機構を介して前記試料室に取り付けられるイオン源と、
前記イオン源からの非集束のイオンビームを照射することにより加工される試料が載置される試料ステージと、
制御部とを有し、
前記制御部は、前記イオン源から第1の照射条件で前記試料にイオンビームを照射したときのイオン分布に基づき、前記第1の照射条件の調整値を求め、
前記イオン源は、ぺニング型イオン源であり、
前記第1の照射条件の調整値を求めるパラメータとして、前記イオン源の放電電圧、前記イオン源のガス流量及び前記イオン源と前記試料との距離の少なくとも1つを含むイオンミリング装置。 - 請求項11において、
前記制御部は、前記イオン源から前記第1の照射条件で前記試料にイオンビームを照射したときのイオン分布とあらかじめ設定した基準イオン分布とを比較して、前記第1の照射条件の調整値を求めるイオンミリング装置。 - 請求項12において、
前記制御部は、前記イオン源から前記第1の照射条件で前記試料にイオンビームを照射したときのイオン分布のピーク値及び半値幅が、前記基準イオン分布のピーク値及び半値幅に等しくなる、あるいは近似するように、前記第1の照射条件の調整値を求めるイオンミリング装置。 - 請求項11において、
前記イオン源と前記試料ステージとの間に配置され、第1の方向に延在する線状のイオンビーム測定部材を前記第1の方向と直交する第2の方向に移動させる駆動ユニットを有し、
前記制御部は、前記イオン源から前記第1の照射条件でイオンビームが出力された状態で、前記駆動ユニットにより前記イオンビーム測定部材を前記イオンビームの照射範囲で移動させ、前記イオンビームが前記イオンビーム測定部材に照射されることにより前記イオンビーム測定部材に流れるイオンビーム電流を測定し、
前記イオンビーム電流を当該イオンビーム電流が測定されたときの前記イオンビーム測定部材の位置における前記イオン分布とみなすイオンミリング装置。 - 請求項14において、
前記イオン源からの前記イオンビームのイオンビーム中心は、前記第1の方向と前記第2の方向により形成される平面に対して直交するイオンミリング装置。
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US11715622B2 (en) * | 2020-08-05 | 2023-08-01 | Kla Corporation | Material recovery systems for optical components |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073359A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法 |
JP2008047459A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置におけるビーム進行角補正方法 |
JP2008262748A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Sen Corp An Shi & Axcelis Company | イオン注入装置 |
JP2016031869A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンガン及びイオンミリング装置、イオンミリング方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10241588A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工方法およびその装置 |
JP2002216653A (ja) | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Hitachi Ltd | イオンビーム分布制御方法およびイオンビーム処理装置 |
US8835869B2 (en) * | 2003-02-04 | 2014-09-16 | Veeco Instruments, Inc. | Ion sources and methods for generating an ion beam with controllable ion current density distribution |
US7109499B2 (en) * | 2004-11-05 | 2006-09-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and methods for two-dimensional ion beam profiling |
JP4882456B2 (ja) | 2006-03-31 | 2012-02-22 | 株式会社Ihi | イオン注入装置 |
US7550748B2 (en) * | 2007-03-30 | 2009-06-23 | Tel Epion, Inc. | Apparatus and methods for systematic non-uniformity correction using a gas cluster ion beam |
JP6100619B2 (ja) * | 2013-06-04 | 2017-03-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオン源およびイオンミリング装置 |
DE112014002250T5 (de) * | 2013-06-10 | 2016-02-18 | Hitachi High-Technologies Corporation | lonenbearbeitungsvorrichtung |
WO2015170400A1 (ja) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置、及び試料加工方法 |
US11004656B2 (en) * | 2014-10-15 | 2021-05-11 | Gatan, Inc. | Methods and apparatus for determining, using, and indicating ion beam working properties |
US9738968B2 (en) * | 2015-04-23 | 2017-08-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for controlling implant process |
JP6638479B2 (ja) | 2015-08-05 | 2020-01-29 | 日新電機株式会社 | イオンビーム照射方法およびイオンビーム照射装置 |
DE112016007058B4 (de) * | 2016-07-14 | 2022-02-10 | Hitachi High-Tech Corporation | Ionenätzvorrichtung |
US10395889B2 (en) * | 2016-09-07 | 2019-08-27 | Axcelis Technologies, Inc. | In situ beam current monitoring and control in scanned ion implantation systems |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073359A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法 |
JP2008047459A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置におけるビーム進行角補正方法 |
JP2008262748A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Sen Corp An Shi & Axcelis Company | イオン注入装置 |
JP2016031869A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンガン及びイオンミリング装置、イオンミリング方法 |
Also Published As
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