JPWO2019239829A1 - Memsデバイスの製造方法およびmemsデバイス - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
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- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00277—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
- B81C1/00293—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS maintaining a controlled atmosphere with processes not provided for in B81C1/00285
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
- B81B7/0041—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS maintaining a controlled atmosphere with techniques not provided for in B81B7/0038
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0235—Accelerometers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0264—Pressure sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0292—Sensors not provided for in B81B2201/0207 - B81B2201/0285
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0111—Bulk micromachining
- B81C2201/0116—Thermal treatment for structural rearrangement of substrate atoms, e.g. for making buried cavities
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0109—Bonding an individual cap on the substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0145—Hermetically sealing an opening in the lid
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Abstract
Description
図1乃至図3は、本発明の実施の形態のMEMSデバイスの製造方法およびMEMSデバイスを示している。
図1は、作動素子がジャイロ(Gyro)から成るMEMSデバイスの製造方法を示しており、図1の例に沿って、本発明の実施の形態のMEMSデバイスの製造方法を説明する。
CAPウエハ12に形成された通気孔23の径を0.6μm、深さを5μmとしたとき、水素ガス雰囲気中で、1100℃で15分の熱処理を行うことにより、CAPウエハ12のシリコンの表面流動で通気孔23を封止することができる。
CAPウエハ12に形成された通気孔23の径を0.4μm、深さを3μmとしたとき、水素ガス雰囲気中で、1000℃で15分の熱処理を行うことにより、CAPウエハ12のシリコンの表面流動で通気孔23を封止することができる。
CAPウエハ12に形成された通気孔23の径を0.8μm、深さを6μmとしたとき、水素ガス雰囲気中で、1130℃で15分の熱処理を行うことにより、CAPウエハ12のシリコンの表面流動で通気孔23を封止することができる。
CAPウエハ12に形成された通気孔23の径を1μm、深さを8μmとしたとき、水素ガス雰囲気中で、1150℃で15分の熱処理を行うことにより、CAPウエハ12のシリコンの表面流動で通気孔23を封止することができる。
11 MEMSデバイスウエハ
11a Si基板
11b Si単結晶膜
11c SiO2膜
11d 熱酸化膜
21 作動素子
22 非可動部
12 CAPウエハ
12a Si基板
12b Si単結晶膜
12c SiO2膜
12d 表面流動したシリコン
23 通気孔
23a 凹状キャビティ(内側孔)
23b 貫通孔(外側孔)
24 電極領域
13 作動空間
Claims (14)
- 基板上に作動素子を形成したMEMSデバイスウエハと、前記作動素子を作動可能に収容する作動空間を形成するよう、前記MEMSデバイスウエハを覆って設けられたCAPウエハとを有するMEMSデバイスの製造方法であって、
前記CAPウエハはシリコン製で、前記作動空間に連通するよう形成された通気孔を有しており、
前記CAPウエハと前記MEMSデバイスウエハとを接合した状態で、前記CAPウエハのシリコンの表面流動で前記通気孔を塞ぐよう、水素ガス雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記作動空間を封止することを
特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 基板上に作動素子を形成したMEMSデバイスウエハと、前記作動素子を作動可能に収容する作動空間を形成するよう、前記MEMSデバイスウエハを覆って設けられたCAPウエハとを有するMEMSデバイスの製造方法であって、
前記基板はシリコン製で、前記作動空間に連通するよう形成された通気孔を有しており、
前記CAPウエハと前記MEMSデバイスウエハとを接合した状態で、前記基板のシリコンの表面流動で前記通気孔を塞ぐよう、水素ガス雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記作動空間を封止することを
特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 基板上に作動素子を形成したMEMSデバイスウエハと、前記作動素子を作動可能に収容する作動空間を形成するよう、前記MEMSデバイスウエハを覆って設けられたCAPウエハとを有するMEMSデバイスの製造方法であって、
前記MEMSデバイスウエハの前記CAPウエハとの接合部および/または前記CAPウエハはシリコン製であり、
前記CAPウエハと前記MEMSデバイスウエハとを接合し、その接合界面に、前記作動空間に連通する通気孔が形成された状態で、前記接合部および/または前記CAPウエハのシリコンの表面流動で前記通気孔を塞ぐよう、水素ガス雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記作動空間を封止することを
特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 前記通気孔は、少なくとも一部の径が、前記表面流動で閉塞可能な大きさを有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 前記通気孔は、互いに径が異なる前記作動空間側の内側孔と、前記作動空間とは反対側の外側孔とを連通して成り、前記内側孔の径をφ1、前記外側孔の径をφ2とすると、φ1>φ2であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 前記通気孔は、互いに径が異なる前記作動空間側の内側孔と、前記作動空間とは反対側の外側孔とを連通して成り、前記内側孔の径をφ1、前記外側孔の径をφ2とすると、φ1<φ2であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 前記通気孔はテーパ状を成し、前記作動空間側の表面での径をφ1、前記作動空間とは反対側の表面での径をφ2とすると、φ1>φ2であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 前記通気孔はテーパ状を成し、前記作動空間側の表面での径をφ1、前記作動空間とは反対側の表面での径をφ2とすると、φ1<φ2であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 水素ガス雰囲気中で前記熱処理を行うことにより、熱拡散で水素ガスが前記作動空間から流出して、前記作動空間が真空状態または低圧力状態になることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 不活性ガスを含有する水素ガス雰囲気中で前記熱処理を行うことにより、熱拡散で水素ガスが前記作動空間から流出して、前記作動空間が前記不活性ガスの低圧力状態になることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 前記不活性ガスはArガスであることを特徴とする請求項10記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 前記熱処理は、熱処理温度が1000℃〜1150℃、熱処理時間が10分間以上1時間以内であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 基板上に作動素子を形成したMEMSデバイスウエハと、
前記作動素子を作動可能に収容する作動空間を形成するよう、前記MEMSデバイスウエハを覆って設けられたCAPウエハとを有し、
前記MEMSデバイスウエハおよび前記CAPウエハは、それぞれSOIウエハまたはSiウエハから成り、
前記作動空間は、前記SOIウエハおよび/または前記Siウエハ由来の材料のみで内壁が形成され、封止されていることを
特徴とするMEMSデバイス。 - 前記MEMSデバイスウエハはSOIウエハから成り、前記作動素子が、前記SOIウエハのSi基板上に形成されていることを特徴とする請求項13記載のMEMSデバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018112531 | 2018-06-13 | ||
JP2018112531 | 2018-06-13 | ||
PCT/JP2019/020225 WO2019239829A1 (ja) | 2018-06-13 | 2019-05-22 | Memsデバイスの製造方法およびmemsデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019239829A1 true JPWO2019239829A1 (ja) | 2021-08-26 |
JP7282342B2 JP7282342B2 (ja) | 2023-05-29 |
Family
ID=68842647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020525385A Active JP7282342B2 (ja) | 2018-06-13 | 2019-05-22 | Memsデバイスの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210229985A1 (ja) |
EP (1) | EP3808699A4 (ja) |
JP (1) | JP7282342B2 (ja) |
CN (1) | CN112292345A (ja) |
WO (1) | WO2019239829A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2019
- 2019-05-22 JP JP2020525385A patent/JP7282342B2/ja active Active
- 2019-05-22 CN CN201980037632.6A patent/CN112292345A/zh active Pending
- 2019-05-22 WO PCT/JP2019/020225 patent/WO2019239829A1/ja active Search and Examination
- 2019-05-22 US US16/972,409 patent/US20210229985A1/en not_active Abandoned
- 2019-05-22 EP EP19818793.2A patent/EP3808699A4/en not_active Withdrawn
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A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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