JPWO2019177866A5 - - Google Patents

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プラズマ負荷１１６の一例は、変圧器結合プラズマ（ＴＣＰ）プラズマチャンバである。プラズマ負荷１１６は、変圧器ＴＣＰコイルなどの電極１２２と、点火時のプラズマとを含む。無整合プラズマ源１０３は、接続１１３、リアクタンス回路１３０、および接続１２６を介して電極１２２に結合される。接続１１３または接続１２６などの接続の一例は、導体、またはＲＦストラップ、またはシリンダ、またはブリッジ導体、またはそれらの組み合わせである。接続１１３は、出力Ｏ１１をリアクタンス回路１３０に結合する。プラズマ負荷１１６は、抵抗（ここでは抵抗器によって表される）を有する。接続１２６は、リアクタンス回路１３０をプラズマ負荷１１６の電極１２２に結合する。 An example of a plasma load 116 is a transformer coupled plasma (TCP) plasma chamber. The plasma load 116 includes an electrode 122 such as a transformer TCP coil and plasma at the time of ignition. The unmatched plasma source 103 is coupled to the electrode 122 via the connection 113, the reactance circuit 130, and the connection 126. An example of a connection, such as connection 113 or connection 126, is a conductor, or RF strap, or cylinder, or bridge conductor, or a combination thereof. The connection 113 couples the output O11 to the reactance circuit 130 . The plasma load 116 has a resistance (represented here by a resistor). The connection 126 couples the reactance circuit 130 to the electrode 122 of the plasma load 116.

信号発生器１１４は、ゲートドライバ１１８Ａの入力に結合され、ゲートドライバ１１８Ｂの入力にも結合される。さらに、ゲートドライバ１１８Ａの出力は、トランジスタ１１２Ａの入力ゲート端子に結合され、ゲートドライバ１１８Ｂの出力は、トランジスタ１１２Ｂの入力ゲート端子に結合される。トランジスタ１１２Ａのドレイン端子Ｄは、直流（ＤＣ）電圧源Ｖｄｃに結合され、トランジスタ１１２Ｂのソース端子Ｓは、接地電位に結合される。出力Ｏ１１は、トランジスタ１１２Ａのソース端子に結合され、電流プローブ１１０の入力にも結合される。出力Ｏ１１および電流プローブ１１０の入力は、リアクタンス回路１３０に結合される。電流プローブ１１０の出力は、信号発生器１１４の入力に結合される。 The signal generator 114 is coupled to the input of the gate driver 118A and is also coupled to the input of the gate driver 118B. Further, the output of the gate driver 118A is coupled to the input gate terminal of the transistor 112A, and the output of the gate driver 118B is coupled to the input gate terminal of the transistor 112B. The drain terminal D of the transistor 112A is coupled to the direct current (DC) voltage source Vdc, and the source terminal S of the transistor 112B is coupled to the ground potential. The output O11 is coupled to the source terminal of the transistor 112A and is also coupled to the input of the current probe 110. The output O11 and the input of the current probe 110 are coupled to the reactance circuit 130. The output of the current probe 110 is coupled to the input of the signal generator 114.

図２は、システム２００の一実施形態の図であり、電流プローブ１１０を無整合プラズマ源２１５と共に使用することを例示するための図である。無整合プラズマ源２１５は、図１の無整合プラズマ源１０３の一例である。無整合プラズマ源２１５は、入力部２０１と出力部２０４とを含む。入力部２０１は、コントローラボード２０２と、ゲートドライバ２１１の一部とを含む。ゲートドライバ２１１は、図１のゲートドライバ回路１０４の一例である。ゲートドライバ２１１は、コントローラボード２０２に結合される。出力部２０４は、ゲートドライバ２１１の残りの部分と、ハーフブリッジＦＥＴ回路２１８とを含む。ハーフブリッジＦＥＴ回路２１８は、図１のハーフブリッジ回路１０８の一例である。ハーフブリッジＦＥＴ回路２１８は、ゲートドライバ２１１に結合される。本明細書で説明されるハーフブリッジＦＥＴ回路は、本明細書では増幅回路と呼ばれることもある。 FIG. 2 is a diagram of an embodiment of the system 200, for exemplifying the use of the current probe 110 with the unmatched plasma source 215. The unmatched plasma source 215 is an example of the unmatched plasma source 103 of FIG. The unmatched plasma source 215 includes an input unit 201 and an output unit 204 . The input unit 201 includes a controller board 202 and a part of the gate driver 211. The gate driver 211 is an example of the gate driver circuit 104 in FIG. The gate driver 211 is coupled to the controller board 202. The output unit 204 includes the rest of the gate driver 211 and the half-bridge FET circuit 218. The half-bridge FET circuit 218 is an example of the half-bridge circuit 108 in FIG. The half-bridge FET circuit 218 is coupled to the gate driver 211. The half-bridge FET circuit described herein may also be referred to herein as an amplifier circuit.

増幅ＲＦ電力の電流の流れの方向性に基づいて、二次巻線２１６Ｂまたは二次巻線２１６Ｃのいずれかが、閾値電圧を有するゲート駆動信号を生成する。例えば、増幅ＲＦ電力の電流が一次巻線２１６Ａの正に帯電した端子（黒丸で示す）から一次巻線２１６Ａの負に帯電した端子（黒丸なし）に流れるとき、二次巻線２１６Ｂはトランジスタ１１２Ａをオンにする閾値電圧を有するゲート駆動信号１０６Ａを生成し、二次巻線２１６Ｃは閾値電圧を生成せず、トランジスタ１１２Ｂはオフである。一方、増幅ＲＦ電力の電流が一次巻線２１６Ａの負に帯電した端子から一次巻線２１６Ａの正に帯電した端子に流れるとき、二次巻線２１６Ｃはトランジスタ１１２Ｂをオンにする閾値電圧を有するゲート駆動信号１０６Ｂを生成し、二次巻線２１６Ｂは閾値電圧を生成せず、トランジスタ１１２Ａはオフである。 Based on the direction of the current flow of the amplified RF power, either the secondary winding 216B or the secondary winding 216C produces a gate drive signal with a threshold voltage. For example, when the current of the amplified RF power flows from the positively charged terminal of the primary winding 216A (indicated by a black circle) to the negatively charged terminal of the primary winding 216A (without a black circle), the secondary winding 216B is a transistor 112A. Generates a gate drive signal 106A with a threshold voltage to turn on, the secondary winding 216C does not generate a threshold voltage, and the transistor 112B is off. On the other hand, when the current of the amplified RF power flows from the negatively charged terminal of the primary winding 216A to the positively charged terminal of the primary winding 216A, the secondary winding 216C is a gate having a threshold voltage to turn on the transistor 112B. The drive signal 106B is generated, the secondary winding 216B does not generate a threshold voltage, and the transistor 112A is off.

さらに、任意波形発生器２０９は、電圧値を有する整形制御信号２２１を生成し、電圧源Ｖｄｃを任意波形発生器２０９に結合する導体を介して整形制御信号２２１を電圧源Ｖｄｃに供給する。電圧値は、例えば、０～８０ボルトの範囲であり、したがって俊敏なＤＣレール２１３がその範囲で動作する。電圧値は、電圧源のＶｄｃによって生成された電圧信号の大きさであり、電圧信号の整形された包絡線を定義し、さらに、出力Ｏ３１における正弦波電流波形の整形された包絡線を定義する。例えば、出力Ｏ３１において連続波形を生成するために、電圧値は、連続波形のピークツーピークの大きさを提供する。ピークツーピークの大きさは、連続波形の整形された包絡線を定義する。別の例として、パルス形状の整形された包絡線を有する正弦波電流波形を出力Ｏ３１において生成するために、電圧値は、実質的に瞬時に（例えば、一度に、または事前設定された期間中に）変更され、それにより正弦波電流波形のピークツーピークの大きさは、第１のパラメータレベル（高レベルなど）から第２のパラメータレベル（低レベルなど）に変化するか、または第２のパラメータレベルから第１のパラメータレベルに変化する。電圧値は、パルス形状の整形された包絡線を達成するために定期的に変更される。さらに別の例として、任意形状の整形された包絡線を有する正弦波電流波形を出力Ｏ３１において生成するために、電圧値は、任意波形発生器２０９によって任意の方式で変更され、それにより正弦波電流波形のピークツーピークの大きさは、事前設定された方式で変化する。さらに別の例として、複数状態のパルス形状の整形された包絡線を有する正弦波電流波形を出力Ｏ３１において生成するために、電圧値は、実質的に瞬時に（例えば、一度に）変更され、それにより正弦波電流波形のピークツーピークの大きさは、高パラメータレベルから１つまたは複数の中間レベルに変化し、その後、その１つまたは複数の中間レベルから別のレベル（低パラメータレベルまたは高パラメータレベルなど）に変化する。複数状態のパルス形状の整形された包絡線を有する正弦波電流波形は、任意の数（例えば、２～１０００の範囲）の状態を有することに留意されたい。 Further, the arbitrary waveform generator 209 generates a shaping control signal 221 having a voltage value, and supplies the shaping control signal 221 to the voltage source Vdc via a conductor that couples the voltage source Vdc to the arbitrary waveform generator 209. Voltage values are, for example, in the range of 0-80 volts, so the agile DC rail 213 operates in that range. The voltage value is the magnitude of the voltage signal generated by the voltage source Vdc, which defines the shaped envelope of the voltage signal and further defines the shaped envelope of the sinusoidal current waveform at the output O31. .. For example, in order to generate a continuous waveform at the output O31, the voltage value provides a peak-to-peak magnitude of the continuous waveform. The peak-to-peak magnitude defines a well-formed envelope of continuous waveforms. As another example, in order to generate a sinusoidal current waveform with a pulse-shaped shaped envelope at output O31, the voltage values are substantially instantaneous (eg, at once or during a preset period). The peak-to-peak magnitude of the sinusoidal current waveform is changed from the first parameter level (high level etc.) to the second parameter level (low level etc.) or the second. It changes from the parameter level to the first parameter level. The voltage value is changed periodically to achieve a pulse-shaped shaped envelope. As yet another example, in order to generate a sinusoidal current waveform with a well-formed envelope of arbitrary shape at the output O31, the voltage value is changed in any manner by the arbitrary waveform generator 209, thereby the sinusoidal wave. The peak-to-peak magnitude of the current waveform varies by a preset method. As yet another example, the voltage values are changed substantially instantaneously (eg, at once) in order to generate a sinusoidal current waveform at output O31 with well-formed envelopes in a multi-state pulse shape. Thereby, the peak-to-peak magnitude of the sinusoidal current waveform changes from a high parameter level to one or more intermediate levels, and then from that one or more intermediate levels to another level (low parameter level or high). It changes to parameter level etc.). It should be noted that a sinusoidal current waveform with a shaped envelope of multiple states pulse shape has any number of states (eg, in the range of 2 to 1000).

動作４０４において、大きさ｜ｉ｜nを｜ｉ｜n+1と比較するか、または大きさ｜ｉ｜mを｜ｉ｜m+1と比較する。電流の大きさが周波数探索方向に増加している場合（例えば、｜ｉ｜nと｜ｉ｜n+1を比較する場合）、動作周波数は、動作４０６において周波数探索方向にｆn+1まで増加する。しかし、電流の大きさが周波数探索方向に減少している場合（例えば、｜ｉ｜mと｜ｉ｜m+1の場合）、動作４１２において周波数探索方向が逆になり、動作４１４において周波数ｆmがｆm-1に減少する。すなわち、図３のグラフ３００によって表される｜ｉ｜－ｆ曲線が信号発生器１１４の現在の動作周波数で正の勾配を有する場合、動作周波数を増加させる。｜ｉ｜－ｆ曲線が信号発生器１１４の現在の動作周波数で負の勾配を有する場合、動作周波数を減少させる。 In operation 404, the magnitude | i | n is compared with | i | n + 1 , or the magnitude | i | m is compared with | i | m + 1 . When the magnitude of the current increases in the frequency search direction (for example, when comparing | i | n and | i | n + 1 ), the operating frequency is up to f n + 1 in the frequency search direction in operation 406. To increase. However, when the magnitude of the current decreases in the frequency search direction (for example, in the case of | i | m and | i | m + 1 ), the frequency search direction is reversed in the operation 412, and the frequency f in the operation 414. m decreases to f m-1 . That is, if the | i | -f curve represented by graph 300 in FIG. 3 has a positive gradient at the current operating frequency of the signal generator 114 , the operating frequency is increased. If the | i | -f curve has a negative gradient at the current operating frequency of the signal generator 114, it reduces the operating frequency.

次に、動作４０８、４１６、４１０、および４１８を実施する。信号発生器１１４の動作周波数がｆcに達すると、ここでは、ｆc+1におけるグラフ３００の勾配が負であり、ｆc-1におけるグラフ３００の勾配が正である。この時点で、信号発生器１１４の動作周波数探索プロセスが完了し、動作周波数は、ハーフブリッジ回路の出力における複素電流の略最大の大きさを達成する値に同調される。動作周波数がハーフブリッジ回路の出力における複素電流の略最大の大きさを達成する値に同調されると、動作４２０において動作周波数が最適化される。動作４２２に続いて、信号発生器１１４の動作周波数の同調の次のサイクルが行われる。例えば、方法４００が繰り返される。 Next, operations 408, 416, 410, and 418 are carried out. When the operating frequency of the signal generator 114 reaches f c , here the gradient of graph 300 at f c + 1 is negative and the gradient of graph 300 at f c-1 is positive. At this point, the operating frequency search process for the signal generator 114 is complete and the operating frequency is tuned to a value that achieves approximately the maximum magnitude of the complex current at the output of the half-bridge circuit. The operating frequency is optimized in operation 420 when the operating frequency is tuned to a value that achieves approximately the maximum magnitude of the complex current at the output of the half-bridge circuit. Following the operation 422, the next cycle of tuning the operating frequency of the signal generator 114 is performed. For example, method 400 is repeated.

次に、方法４００のフローチャートを詳細に説明する。動作４０１において、プロセッサ２０５は、信号発生器１１４を動作周波数ｆnまたはｆmで動作させる。例えば、プロセッサ２０５は、信号発生器１１４を値ｆnまたはｆmで動作させるため、制御信号を周波数入力２０８（図２）に送信する。周波数入力２０８は、制御信号を受信すると、値ｆnまたはｆmを信号発生器１１４に提供する。信号発生器１１４は、値ｆnまたはｆmを受信すると、周波数ｆnまたはｆmを有するパルス信号１０２を生成する。 Next, the flowchart of the method 400 will be described in detail. In operation 401, processor 205 operates the signal generator 114 at an operating frequency f n or f m . For example, the processor 205 transmits a control signal to the frequency input 208 (FIG. 2) to operate the signal generator 114 at a value f n or f m . Upon receiving the control signal, the frequency input 208 provides the value f n or f m to the signal generator 114. Upon receiving the value f n or f m , the signal generator 114 generates a pulse signal 102 having a frequency f n or f m .

ハーフブリッジ回路の出力における複素電流の大きさが信号発生器１１４の動作周波数の減少に伴って減少していると決定すると、プロセッサ２０５は、ハーフブリッジ回路の出力における複素電流が略最大である値ｆcで信号発生器１１４を動作させるため、動作４１８において、周波数値ｆc-1をｆcにインクリメントする制御信号を周波数入力２０８に送信する。すなわち、ハーフブリッジ回路の出力における正弦波電流波形の複素電流の大きさの勾配が正になったと決定すると、プロセッサ２０５は、ハーフブリッジ回路の出力における複素電流が略最大である値ｆcで信号発生器１１４を動作させるため、動作４１８において、周波数値ｆc-1をｆcにインクリメントする制御信号を周波数入力２０８に送信する。動作４２０によって表されるように、動作周波数の値がｆcであるとき、動作周波数が最適化される。 When the processor 205 determines that the magnitude of the complex current at the output of the half-bridge circuit decreases as the operating frequency of the signal generator 114 decreases, the processor 205 determines that the complex current at the output of the half-bridge circuit is approximately maximum. In order to operate the signal generator 114 with fc, in operation 418, a control signal for incrementing the frequency value fc-1 to fc is transmitted to the frequency input 208. That is, when it is determined that the gradient of the magnitude of the complex current of the sinusoidal current waveform at the output of the half-bridge circuit becomes positive, the processor 205 generates a signal at a value fc at which the complex current at the output of the half-bridge circuit is substantially maximum. In order to operate the device 114, in the operation 418, a control signal for incrementing the frequency value fc-1 to fc is transmitted to the frequency input 208. As represented by operation 420, the operating frequency is optimized when the value of the operating frequency is fc.

いくつかの実施形態では、略最大の大きさが達成される動作周波数ｆＲＦは、プラズマチャンバ２１７（図２）の状態の変化に関係なく同じである。例えば、プラズマチャンバ２１７内の圧力が第１のレベルから別のレベルに変化すると、略最大の大きさが達成される動作周波数ＲＦはｆcである。別の例として、プラズマチャンバ２１７（図２）内の温度が第１のレベルから別のレベルに変化すると、略最大の大きさが達成される動作周波数ＲＦはｆcである。したがって、プラズマチャンバ２１７の状態に変化があるとき、ハーフブリッジ回路の出力における複素電流の大きさを測定する必要はない。さらに、プラズマチャンバ２１７の状態に変化があるとき、ハーフブリッジ回路の出力における複素電流の大きさが略最大であるかどうかを決定する必要はない。 In some embodiments, the operating frequency fRF at which a substantially maximum magnitude is achieved is the same regardless of changes in the state of the plasma chamber 217 (FIG. 2 ). For example, when the pressure in the plasma chamber 217 changes from the first level to another level, the operating frequency RF at which a substantially maximum magnitude is achieved is f c . As another example, when the temperature in the plasma chamber 217 (FIG. 2) changes from the first level to another, the operating frequency RF at which the approximately maximum magnitude is achieved is f c . Therefore, it is not necessary to measure the magnitude of the complex current at the output of the half-bridge circuit when there is a change in the state of the plasma chamber 217. Furthermore, when there is a change in the state of the plasma chamber 217, it is not necessary to determine if the magnitude of the complex current at the output of the half-bridge circuit is approximately maximal.

Claims (29)

信号発生器を含む無整合プラズマ源の電力出力を最適化するための方法であって、
前記信号発生器が動作周波数で動作し、正弦波電流波形を発生させるために使用されるパルス信号を生成するように、前記信号発生器を制御することと、
前記正弦波電流波形の電流の大きさを測定することと、
前記電流の大きさを測定し続けている間に前記信号発生器の前記動作周波数を調整することと、
前記調整中に、前記電流を最大化する目標周波数を識別することと
を含む、方法。 A method for optimizing the power output of unmatched plasma sources, including signal generators.
Controlling the signal generator to operate at an operating frequency and generate a pulsed signal used to generate a sinusoidal current waveform.
Measuring the magnitude of the current in the sinusoidal current waveform and
Adjusting the operating frequency of the signal generator while continuing to measure the magnitude of the current
A method comprising identifying a target frequency that maximizes the current during the adjustment. 請求項１に記載の方法であって、
前記目標周波数は、前記信号発生器の動作のためのものである、方法。 The method according to claim 1.
The method, wherein the target frequency is for the operation of the signal generator. 請求項１に記載の方法であって、
前記動作周波数を調整することは、前記電流の大きさが減少し始めるまで、前記動作周波数を所定の増分量だけインクリメントすることを含む、方法。 The method according to claim 1.
Adjusting the operating frequency comprises incrementing the operating frequency by a predetermined increment until the magnitude of the current begins to decrease. 請求項１に記載の方法であって、
前記動作周波数を調整することは、前記電流の大きさが減少し始めるまで、前記動作周波数を所定の減分量だけデクリメントすることを含む、方法。 The method according to claim 1.
Adjusting the operating frequency comprises decrementing the operating frequency by a predetermined decrement until the magnitude of the current begins to decrease. 請求項１に記載の方法であって、
前記電流の大きさが増幅回路の出力において測定され、前記増幅回路がゲートドライバ回路に結合され、前記ゲートドライバ回路が前記信号発生器に結合される、方法。 The method according to claim 1.
A method in which the magnitude of the current is measured at the output of the amplifier circuit, the amplifier circuit is coupled to the gate driver circuit, and the gate driver circuit is coupled to the signal generator. 請求項１に記載の方法であって、
前記電流の大きさを前記測定することは、電圧／電流センサまたは電圧センサによって実施されない、方法。 The method according to claim 1.
The measurement of the magnitude of the current is not performed by a voltage / current sensor or a voltage sensor, a method. 請求項１に記載の方法であって、
前記電流は、前記電流の略最大の大きさが達成されると最大化され、前記略最大の大きさは、前記動作周波数が調整される電流のすべての値の中の最大値である、方法。 The method according to claim 1.
The current is maximized when a substantially maximum magnitude of the current is achieved , wherein the approximately maximum magnitude is the maximum of all values of the current for which the operating frequency is adjusted. .. 無整合プラズマ源の電力出力を最適化するためのシステムであって、
信号発生器と、
前記信号発生器に結合されたゲートドライバ回路と、
前記ゲートドライバ回路に結合された増幅回路と、
前記信号発生器に結合されたコントローラであって、前記信号発生器が動作周波数で動作し、正弦波電流波形を発生させるために使用されるパルス信号を生成するように前記信号発生器を制御するよう構成されるコントローラと、
前記増幅回路の出力に結合された電流プローブであって、前記電流プローブは、前記正弦波電流波形の電流の大きさを測定するように構成される電流プローブと
を備え、
前記コントローラは、前記電流の大きさの測定中に前記動作周波数を調整するように構成され、
前記コントローラは、前記動作周波数の前記調整中に、前記電流を最大化する目標周波数を識別するように構成される、
システム。 A system for optimizing the power output of an unmatched plasma source.
With a signal generator,
The gate driver circuit coupled to the signal generator and
The amplifier circuit coupled to the gate driver circuit and
A controller coupled to the signal generator that controls the signal generator to operate at an operating frequency and generate a pulsed signal used to generate a sinusoidal current waveform. With a controller configured to
A current probe coupled to the output of the amplifier circuit, wherein the current probe comprises a current probe configured to measure the magnitude of the current in the sinusoidal current waveform.
The controller is configured to adjust the operating frequency during the measurement of the magnitude of the current.
The controller is configured to identify a target frequency that maximizes the current during the adjustment of the operating frequency.
system. 請求項８に記載のシステムであって、
前記目標周波数は、前記信号発生器の動作のためのものである、システム。 The system according to claim 8.
The target frequency is for the operation of the signal generator, the system. 請求項８に記載のシステムであって、
前記コントローラは、前記電流の大きさが減少し始めるまで、前記動作周波数を所定の増分量だけインクリメントすることによって前記動作周波数を調整するように構成される、システム。 The system according to claim 8.
The controller is configured to adjust the operating frequency by incrementing the operating frequency by a predetermined increment until the magnitude of the current begins to decrease. 請求項８に記載のシステムであって、
前記コントローラは、前記電流の大きさが減少し始めるまで、前記動作周波数を所定の減分量だけデクリメントすることによって前記動作周波数を調整するように構成される、システム。 The system according to claim 8.
The controller is configured to adjust the operating frequency by decrementing the operating frequency by a predetermined decrement until the magnitude of the current begins to decrease. 請求項８に記載のシステムであって、
前記電流の大きさが前記増幅回路の前記出力において測定される、システム。 The system according to claim 8.
A system in which the magnitude of the current is measured at the output of the amplifier circuit. 請求項８に記載のシステムであって、
前記電流の大きさは電圧／電流センサまたは電圧センサによって測定されない、システム。 The system according to claim 8.
The magnitude of the current is not measured by a voltage / current sensor or a voltage sensor, the system. 請求項８に記載のシステムであって、
前記電流は、前記電流の略最大の大きさが達成されると最大化され、前記略最大の大きさは、前記動作周波数が調整される電流のすべての値の中の最大値である、システム。 The system according to claim 8.
The current is maximized when a substantially maximum magnitude of the current is achieved, the approximate maximum magnitude being the maximum of all values of the current for which the operating frequency is adjusted. .. 信号発生器を含む無整合プラズマ源の電力出力を最適化するためのコントローラであって、
前記コントローラは、プロセッサと、前記プロセッサに結合されたメモリデバイスとを備えており、
前記プロセッサは、前記信号発生器が動作周波数で動作し、正弦波電流波形を発生させるために使用されるパルス信号を生成するように前記信号発生器を制御するよう構成され、
前記プロセッサは、前記正弦波電流波形の電流の大きさを受信するように構成され、
前記プロセッサは、前記電流の大きさの測定中に前記動作周波数を調整するように構成され、
前記プロセッサは、前記動作周波数の前記調整中に、前記電流を最大化する目標周波数を識別するように構成されており、
前記メモリデバイスは、前記目標周波数を格納するように構成されている、コントローラ。 A controller for optimizing the power output of unmatched plasma sources, including signal generators.
The controller comprises a processor and a memory device coupled to the processor.
The processor is configured to control the signal generator to operate at an operating frequency and generate a pulsed signal used to generate a sinusoidal current waveform.
The processor is configured to receive the magnitude of the current in the sinusoidal current waveform.
The processor is configured to adjust the operating frequency during the measurement of the magnitude of the current.
The processor is configured to identify a target frequency that maximizes the current during the adjustment of the operating frequency.
The memory device is a controller configured to store the target frequency. 請求項１５に記載のコントローラであって、
前記目標周波数は、前記信号発生器の動作のためのものである、コントローラ。 The controller according to claim 15.
The target frequency is for the operation of the signal generator, the controller. 請求項１５に記載のコントローラであって、
前記動作周波数を調整するために、前記プロセッサは、前記電流の大きさが減少し始めるまで、前記動作周波数を所定の増分量だけインクリメントするように構成される、コントローラ。 The controller according to claim 15.
To adjust the operating frequency, the processor is configured to increment the operating frequency by a predetermined increment until the magnitude of the current begins to decrease. 請求項１５に記載のコントローラであって、
前記動作周波数を調整するために、前記プロセッサは、前記電流の大きさが減少し始めるまで、前記動作周波数を所定の減分量だけデクリメントするように構成される、コントローラ。 The controller according to claim 15.
To adjust the operating frequency, the processor is configured to decrement the operating frequency by a predetermined decrement until the magnitude of the current begins to decrease. 請求項１５に記載のコントローラであって、
前記電流の大きさは増幅回路の出力において測定される、コントローラ。 The controller according to claim 15.
The magnitude of the current is measured at the output of the amplifier circuit, the controller. 請求項１５に記載のコントローラであって、
前記電流は、電流プローブによって測定され、電圧／電流センサまたは電圧センサによって測定されない、コントローラ。 The controller according to claim 15.
The controller, said current is measured by a current probe and not by a voltage / current sensor or voltage sensor. 請求項１５に記載のコントローラであって、
前記電流は、前記電流の略最大の大きさが達成されると最大化され、前記略最大の大きさは、前記動作周波数が調整される電流のすべての値の中の最大値である、コントローラ。 The controller according to claim 15.
The current is maximized when a substantially maximum magnitude of the current is achieved, the approximate maximum magnitude being the maximum of all values of the current for which the operating frequency is adjusted. .. 請求項１に記載の方法であって、さらに、 The method according to claim 1, further
プラズマチャンバの状態の変化に依存しないで前記目標周波数で動作するように前記信号発生器を制御し続けることを含む、方法。 A method comprising continuing to control the signal generator to operate at the target frequency independently of changes in the state of the plasma chamber. 請求項１に記載の方法であって、 The method according to claim 1.
前記動作周波数を調整することは、 Adjusting the operating frequency is
前記動作周波数を増加させることと、 Increasing the operating frequency and
前記動作周波数の前記増加に伴って前記電流の増加があるかどうかを決定することと、 Determining whether or not there is an increase in the current with the increase in the operating frequency.
前記動作周波数の前記増加に伴って前記電流が増加したと決定すると、前記電流が減少し始めるまで前記動作周波数をさらに増加させ続けることと、 When it is determined that the current increases with the increase in the operating frequency, the operating frequency is further increased until the current starts to decrease.
前記電流が減少し始めると、前記動作周波数を所定の量だけ減少させることであって、前記動作周波数を前記所定の量だけ減少させることは、前記目標周波数を決定するために実施されることと、 When the current starts to decrease, the operating frequency is reduced by a predetermined amount, and the reduction of the operating frequency by a predetermined amount is performed to determine the target frequency. ,
を含む、方法。Including, how. 請求項１に記載の方法であって、 The method according to claim 1.
前記動作周波数を調整することは、 Adjusting the operating frequency is
前記動作周波数を減少させることと、 To reduce the operating frequency and
前記動作周波数の前記減少に伴って前記電流の増加があるかどうかを決定することと、 Determining if there is an increase in the current with the decrease in the operating frequency.
前記動作周波数の前記減少に伴って前記電流が増加したと決定すると、前記電流が減少し始めるまで前記動作周波数をさらに減少させ続けることと、 When it is determined that the current increases with the decrease in the operating frequency, the operating frequency is further decreased until the current starts to decrease.
前記電流が減少し始めると、前記動作周波数を所定の量だけ増加させることであって、前記動作周波数を前記所定の量だけ増加させることは、前記目標周波数を決定するために実施されることと、 When the current starts to decrease, the operating frequency is increased by a predetermined amount, and increasing the operating frequency by a predetermined amount is performed to determine the target frequency. ,
を含む、方法。Including, how. 請求項１に記載の方法であって、さらに、 The method according to claim 1, further
前記正弦波電流波形の包絡線を整形することを含む、方法。 A method comprising shaping the envelope of the sinusoidal current waveform. 請求項１に記載の方法であって、さらに、 The method according to claim 1, further
前記正弦波電流波形の高調波周波数を除去して、前記正弦波電流波形の基本周波数を得ることを含む、方法。 A method comprising removing the harmonic frequency of the sinusoidal current waveform to obtain the fundamental frequency of the sinusoidal current waveform. 請求項１に記載の方法であって、 The method according to claim 1.
前記信号発生器は、デジタルクロック信号発生器である、方法。 The method, wherein the signal generator is a digital clock signal generator. 請求項１に記載の方法であって、 The method according to claim 1.
無整合プラズマ源は、リアクタンス回路を介してプラズマチャンバに結合され、前記無整合プラズマ源と前記プラズマチャンバとの間にインピーダンス整合回路は存在しない、方法。 A method in which an unmatched plasma source is coupled to a plasma chamber via a reactance circuit and there is no impedance matching circuit between the unmatched plasma source and the plasma chamber. 請求項１に記載の方法であって、 The method according to claim 1.
前記電流は、前記電流の略最大の大きさが達成されると最大化される、方法。 The method, wherein the current is maximized when a substantially maximum magnitude of the current is achieved.
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