JPWO2019146429A1 - 誘電エラストマートランスデューサーの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
次に、同図(b),(c)に示すように、予備伸縮工程を行う。予備伸縮工程においては、誘電エラストマー層11に第1荷重以上の荷重を付与することにより、第1張力を生じさせる伸長処理を1回以上行う。第1張力は、誘電エラストマー層に生じる歪みが、低弾性率領域に含まれる大きさである。図示された例においては、同図(b)に示すように、伸長処理を1回のみ行っている。この伸長処理により、誘電エラストマー層11の代表長さは、長さL1となる。
次に、同図(d)に示す誘電エラストマー層固定工程を行う。同工程においては、誘電エラストマー層11に第2張力が生じ、代表長さが長さL2である状態で、誘電エラストマー層11をたとえば支持部材2に固定する。これにより、誘電エラストマー層11は、第2荷重が解除された後も、支持部材2によって支持されることにより、第2張力を生じ、且つ代表長さが長さL2である状態が維持される。
長さL0を65mmに設定し、試料の両端を固定した。すなわち、固定箇所間の距離が、長さL0(65mm)である。
実施例と同様に、長さL0を65mmに設定し、試料の両端を固定した。
図5は、実施例および比較例の延伸結果を示している。同図(a)は、実施例であり、同図(b)は、比較例である。
誘電エラストマー層と、前記誘電エラストマー層を挟む一対の電極層と、を備える誘電エラストマートランスデューサーの製造方法であって、
前記誘電エラストマー層の引張側の応力歪み曲線が、歪みが0である状態を含む領域であり且つ傾きが相対的に大である小歪み高弾性率領域と、前記小歪み高弾性率領域に対して大歪み側に繋がり且つ傾きが相対的に小である低弾性率領域と、前記低弾性率領域に対して大歪み側に繋がり且つ傾きが相対的に大であるかまたは破断点を含む大歪み領域と、を有し、
前記一対の電極層を設ける前の前記誘電エラストマー層に、第1荷重以上の荷重を付与することにより前記低弾性率領域に含まれる大きさである第1張力を生じさせる伸長処理を1回以上行うことにより、前記誘電エラストマー層の弾性挙動におけるヒステリシスを縮小させる予備伸縮工程と、
前記予備伸縮工程の後に、前記誘電エラストマー層に前記第1荷重よりも小さい第2荷重を与えることにより、前記第1張力よりも小さい第2張力が生じた状態で、前記誘電エラストマー層を支持部材に固定する、誘電エラストマー層固定工程と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
[付記2]
前記予備伸縮工程における最終の前記伸長処理に引き続き、前記誘電エラストマー層の張力を前記第1張力から前記第2張力に単純減少させて、前記誘電エラストマー層固定工程を行う、付記1に記載の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
[付記3]
前記予備伸縮工程においては、前記伸長処理を1回のみ行う、付記1または2に記載の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
Claims (3)
- 誘電エラストマー層と、前記誘電エラストマー層を挟む一対の電極層と、を備える誘電エラストマートランスデューサーの製造方法であって、
前記誘電エラストマー層の引張側の応力歪み曲線が、歪みが0である状態を含む領域であり且つ傾きが相対的に大である小歪み高弾性率領域と、前記小歪み高弾性率領域に対して大歪み側に繋がり且つ傾きが相対的に小である低弾性率領域と、前記低弾性率領域に対して大歪み側に繋がり且つ傾きが相対的に大であるかまたは破断点を含む大歪み領域と、を有し、
前記一対の電極層を設ける前の前記誘電エラストマー層に、第1荷重以上の荷重を付与することにより前記低弾性率領域に含まれる大きさである第1張力を生じさせる伸長処理を1回以上行うことにより、前記誘電エラストマー層の弾性挙動におけるヒステリシスを縮小させる予備伸縮工程と、
前記予備伸縮工程の後に、前記誘電エラストマー層に前記第1荷重よりも小さい第2荷重を与えることにより、前記第1張力よりも小さい第2張力が生じた状態で、前記誘電エラストマー層を支持部材に固定する、誘電エラストマー層固定工程と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。 - 前記予備伸縮工程における最終の前記伸長処理に引き続き、前記誘電エラストマー層の張力を前記第1張力から前記第2張力に単純減少させて、前記誘電エラストマー層固定工程を行う、請求項1に記載の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
- 前記予備伸縮工程においては、前記伸長処理を1回のみ行う、請求項1または2に記載の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
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