JPWO2019077970A1 - イオン源及びイオン注入装置 - Google Patents
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Abstract
Description
このため、従来技術では、イオン源のメンテナンスを頻繁に行わなければならないという課題があった。
また、本発明は、前記フッ素化合物ガスは前記熱電子によってプラズマにされ、前記原料ブロックの前記リペラ電極に向けられて前記プラズマと接触する面である蒸発面は、前記リペラ電極の前記カソード電極に向けられた表面と前記電子放出面との間に位置し、前記蒸発面が位置する平面と前記電子放出面との間の距離が、前記蒸発面が位置する平面と前記電子放出面に向けられた前記リペラ電極の表面との間の距離よりも小さくなる位置に配置されたイオン源である。
また、本発明は、前記原料ブロックは、前記カソード電極の発熱によって1200℃以上1700℃以下の温度範囲中の温度に昇温されるイオン源である。
本発明は、前記原料ブロックは原料支持体の先端に配置されたイオン源であって、前記原料支持体の先端には、前記原料支持体の側面とは垂直な外側方向に突出された突状部が設けられ、前記原料ブロックが前記突状部の前記リペラ電極に向いた表面に配置され、裏面には装着部材が配置され、前記原料ブロックと前記装着部材とはネジによって互いに押圧され、前記原料ブロックと前記装着部材とで前記突状部が挟まれ、前記原料ブロックが前記原料支持体に固定されるイオン源である。
本発明は、イオン源を有するイオン注入装置であって、前記イオン源は、チャンバー内の一端に配置されたカソード電極と、前記チャンバー内の他端に配置され、前記カソード電極の表面と対面されたリペラ電極と、前記カソード電極の裏面側に配置されたフィラメントと、前記チャンバーに設けられ、フッ素化合物ガスが導入されるガス導入孔と、前記チャンバー内から正電荷のイオンが引き出される放出孔と、を有し、前記チャンバー内には原料ブロックが配置され、通電された前記フィラメントによって前記カソード電極は加熱され、表面の電子放出面から前記リペラ電極に向かって熱電子が放出され、前記熱電子が前記カソード電極と前記リペラ電極との間で往復移動して、前記ガス導入孔から導入された前記フッ素化合物ガスを分解してプラズマを生成し、前記プラズマ中のフッ素が前記原料ブロックと反応して正電荷のアルミニウムイオンが生成されるイオン源であって、前記原料ブロックは、前記カソード電極の側面の近傍に前記カソード電極と前記チャンバーとは非接触で配置され、前記原料ブロックは窒化アルミニウムであり、前記フッ素化合物ガスは三フッ化リンガスであり、前記原料ブロックと前記フッ素化合物ガスとから生成されたフッ化アルミニウムが前記熱電子によって分解されて前記チャンバーから引き出されるアルミニウムイオンが生成されるイオン源であり、前記放出孔の近傍に配置され、前記チャンバー内の正電荷の前記イオンを引き出す引出電極と、前記引出電極によって引き出された前記イオンを質量分析する質量分析装置と、前記質量分析されたイオンを照射する基板が配置される注入室と、を有するイオン注入装置である。
本発明は、前記フッ素化合物ガスは前記熱電子によってプラズマにされ、前記原料ブロックの前記リペラ電極に向けられて前記プラズマと接触する面である蒸発面は、前記リペラ電極の前記カソード電極に向けられた表面と前記電子放出面との間に位置し、前記蒸発面が位置する平面と前記電子放出面との間の距離が、前記蒸発面が位置する平面と前記電子放出面に向けられた前記リペラ電極の表面との間の距離よりも小さくなる位置に配置されたイオン注入装置である。
さらに、本発明は、前記原料ブロックは、前記カソード電極の発熱によって1200℃以上1700℃以下の温度範囲中の温度に昇温されるイオン注入装置である。
また、本発明は、前記イオン源の前記原料ブロックは原料支持体の先端に配置され、前記原料支持体の先端には、前記原料支持体の側面とは垂直な外側方向に突出された突状部が設けられ、前記原料ブロックが前記突状部の前記リペラ電極に向いた表面に配置され、裏面には装着部材が配置され、前記原料ブロックと前記装着部材とはネジによって互いに押圧され、前記原料ブロックと前記装着部材とで前記突状部が挟まれ、前記原料ブロックが前記原料支持体に固定されるイオン注入装置である。
原料ブロックの交換が簡単である。
<イオン注入装置>
図1は、本発明のイオン源を用いた本発明のイオン注入装置1の全体を示す概略構成図である。
なお、このイオン注入装置1は、イオン源10、走行室2、加速装置4、注入室6が、真空排気装置9a〜9dによってそれぞれ真空排気されるようになっている。
ここでは、アルミニウムイオンが通過して加速装置4に入射される。
図2は、本発明に係るイオン源10の内部を説明するための図面であり、イオン源10には筒状(ここでは四角筒)のチャンバー21が配置されており、チャンバー21の内部は、図1に示した真空排気装置9aによって真空雰囲気に真空排気されている。
フィラメント20に近い底面31の取付孔47には、原料支持体26と電極支持体33が挿通されており、電極支持体33の一端である先端は、チャンバー21の内部に配置され、他端である根元部分はベース板30に固定されている。カソード電極22は図示しない構造により電極支持体33の先端に取り付けられている。なお、電極支持体33とカソード電極22は一体構造としてもかまわない。
支持棒36は絶縁体41によってチャンバー21に固定され、支持棒36とチャンバー21との間は絶縁されている。
原料支持体26の根元はベース板30に固定されており、先端には固体のアルミニウム化合物が所定形状に成形された原料ブロック28が取り付けられている。ここではアルミニウム化合物は窒化アルミニウム(AlN)である。
ここでは窓穴27の形状は円形であり、カソード電極22の形状は円盤状であり、窓穴27の直径の方がカソード電極22の直径よりも大きくされている。
放電電源52の正電圧端子には、チャンバー21が電気的に接続されている。
このように、一次電子はカソード電極22とリペラ電極23との間を繰り返し往復移動する。
ガス導入孔34はガス供給部12に接続されており、ガス供給部12からフッ素化合物ガスが供給されると、フッ素化合物ガスは、チャンバー21の内部で往復運動する一次電子によって分解され、フッ素イオンやフッ素ラジカルが生成される。
原料ブロック28はカソード電極22の近傍にカソード電極22とは非接触で配置されており、また、原料ブロック28はチャンバー21とは非接触で配置されている。
従って、原料ブロック28は、カソード電極22から放出される熱線によって、チャンバー21に熱が流出しないように加熱され、昇温する。
放出されたフッ化アルミニウムは、チャンバー21内で往復運動する一次電子によって分解され、アルミニウムイオン(Al+)が生成される。
電極支持体33と原料支持体26とは、この例では円筒であり、この例では電極支持体33の直径の方が原料支持体26の直径よりも小さくなるようにされている。
電極支持体33と原料支持体26とは、中心軸線が一致するようにされて、電極支持体33が原料支持体26の中空内部に配置されてそれぞれベース板30に固定されている。
原料ブロック28にはネジを挿入することができる挿通穴29aが形成され、装着部材44には内周面にネジ溝が形成されたねじ穴29bが設けられている。
このため、突状部46を挟むために取り付けるネジ43の締結トルクは小さくても良い。
また、締結トルクが小さくて済むことは、原料ブロック28を取り付ける際の作業が容易になる。
10…イオン源
12……ガス供給部
20……フィラメント
21……チャンバー
22……カソード電極
23……リペラ電極
26……原料支持体
28……原料ブロック
38……電子放出面
Claims (8)
- チャンバー内の一端に配置されたカソード電極と、
前記チャンバー内の他端に配置され、前記カソード電極の表面と対面されたリペラ電極と、
前記カソード電極の裏面側に配置されたフィラメントと、
前記チャンバーに設けられ、フッ素化合物ガスが導入されるガス導入孔と、
前記チャンバー内から正電荷のイオンが引き出される放出孔と、
を有し、
前記チャンバー内には原料ブロックが配置され、
通電された前記フィラメントによって前記カソード電極は加熱され、表面の電子放出面から前記リペラ電極に向かって熱電子が放出され、前記熱電子が前記カソード電極と前記リペラ電極との間で往復移動して、前記ガス導入孔から導入された前記フッ素化合物ガスを分解してプラズマを生成し、前記プラズマ中のフッ素が前記原料ブロックと反応して正電荷のアルミニウムイオンが生成されるイオン源であって、
前記原料ブロックは、前記カソード電極の側面の近傍に前記カソード電極と前記チャンバーとは非接触で配置され、
前記原料ブロックは窒化アルミニウムであり、
前記フッ素化合物ガスは三フッ化リンガスであり、
前記原料ブロックと前記フッ素化合物ガスとから生成されたフッ化アルミニウムが前記熱電子によって分解されて前記チャンバーから引き出されるアルミニウムイオンが生成されるイオン源。 - 前記フッ素化合物ガスは前記熱電子によってプラズマにされ、
前記原料ブロックの前記リペラ電極に向けられて前記プラズマと接触する面である蒸発面は、前記リペラ電極の前記カソード電極に向けられた表面と前記電子放出面との間に位置し、前記蒸発面が位置する平面と前記電子放出面との間の距離が、前記蒸発面が位置する平面と前記電子放出面に向けられた前記リペラ電極の表面との間の距離よりも小さくなる位置に配置された請求項1記載のイオン源。 - 前記原料ブロックは、前記カソード電極の発熱によって1200℃以上1700℃以下の温度範囲中の温度に昇温される請求項1記載のイオン源。
- 前記原料ブロックは原料支持体の先端に配置されたイオン源であって、
前記原料支持体の先端には、前記原料支持体の側面とは垂直な外側方向に突出された突状部が設けられ、前記原料ブロックが前記突状部の前記リペラ電極に向いた表面に配置され、裏面には装着部材が配置され、
前記原料ブロックと前記装着部材とはネジによって互いに押圧され、前記原料ブロックと前記装着部材とで前記突状部が挟まれ、前記原料ブロックが前記原料支持体に固定される請求項1記載のイオン源。 - イオン源を有するイオン注入装置であって、
前記イオン源は、
チャンバー内の一端に配置されたカソード電極と、
前記チャンバー内の他端に配置され、前記カソード電極の表面と対面されたリペラ電極と、
前記カソード電極の裏面側に配置されたフィラメントと、
前記チャンバーに設けられ、フッ素化合物ガスが導入されるガス導入孔と、
前記チャンバー内から正電荷のイオンが引き出される放出孔と、
を有し、
前記チャンバー内には原料ブロックが配置され、
通電された前記フィラメントによって前記カソード電極は加熱され、表面の電子放出面から前記リペラ電極に向かって熱電子が放出され、前記熱電子が前記カソード電極と前記リペラ電極との間で往復移動して、前記ガス導入孔から導入された前記フッ素化合物ガスを分解してプラズマを生成し、前記プラズマ中のフッ素が前記原料ブロックと反応して正電荷のアルミニウムイオンが生成されるイオン源であって、
前記原料ブロックは、前記カソード電極の側面の近傍に前記カソード電極と前記チャンバーとは非接触で配置され、
前記原料ブロックは窒化アルミニウムであり、
前記フッ素化合物ガスは三フッ化リンガスであり、
前記原料ブロックと前記フッ素化合物ガスとから生成されたフッ化アルミニウムが前記熱電子によって分解されて前記チャンバーから引き出されるアルミニウムイオンが生成されるイオン源であり、
前記放出孔の近傍に配置され、前記チャンバー内の正電荷の前記イオンを引き出す引出電極と、
前記引出電極によって引き出された前記イオンを質量分析する質量分析装置と、
前記質量分析されたイオンを照射する基板が配置される注入室と、
を有するイオン注入装置。 - 前記フッ素化合物ガスは前記熱電子によってプラズマにされ、
前記原料ブロックの前記リペラ電極に向けられて前記プラズマと接触する面である蒸発面は、前記リペラ電極の前記カソード電極に向けられた表面と前記電子放出面との間に位置し、前記蒸発面が位置する平面と前記電子放出面との間の距離が、前記蒸発面が位置する平面と前記電子放出面に向けられた前記リペラ電極の表面との間の距離よりも小さくなる位置に配置された請求項5記載のイオン注入装置。 - 前記原料ブロックは、前記カソード電極の発熱によって1200℃以上1700℃以下の温度範囲中の温度に昇温される請求項5記載のイオン注入装置。
- 前記イオン源の前記原料ブロックは原料支持体の先端に配置され、
前記原料支持体の先端には、前記原料支持体の側面とは垂直な外側方向に突出された突状部が設けられ、前記原料ブロックが前記突状部の前記リペラ電極に向いた表面に配置され、裏面には装着部材が配置され、
前記原料ブロックと前記装着部材とはネジによって互いに押圧され、前記原料ブロックと前記装着部材とで前記突状部が挟まれ、前記原料ブロックが前記原料支持体に固定される請求項5記載のイオン注入装置。
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