JPWO2019065346A1 - Ink and light emitting element - Google Patents

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Abstract

液滴吐出法による安定吐出が可能であり、かつ発光効率の高い発光層を形成し得るインク、および発光効率の高い発光素子を提供する。本発明のインクは、液滴吐出法により吐出されるインクであり、発光性を有する半導体ナノ結晶と、該半導体ナノ結晶に担持された分散剤とから構成された粒子と、大気圧下における沸点が180〜340℃である分散媒とを含有し、前記分散媒の25℃における粘度をV1[mPa・s]とし、当該インクの25℃における粘度をV2[mPa・s]としたとき、V2/V1が1.3以下であることを特徴とする。Provided are an ink capable of stably ejecting by a droplet ejection method and capable of forming a light emitting layer having high luminous efficiency, and a light emitting element having high luminous efficiency. The ink of the present invention is an ink ejected by a droplet ejection method, and is composed of a semiconductor nanocrystal having light emission, a particle composed of a dispersant supported on the semiconductor nanocrystal, and a boiling point under atmospheric pressure. The ink contains a dispersion medium having a temperature of 180 to 340 ° C., and the viscosity of the dispersion medium at 25 ° C. is V1 [mPa · s], and the viscosity of the ink at 25 ° C. is V2 [mPa · s]. It is characterized in that / V1 is 1.3 or less.

Description

本発明は、インクおよび発光素子に関する。 The present invention relates to inks and light emitting devices.

LEDや有機EL素子などの電界発光を利用した素子は、各種表示装置等の光源として広く利用されている。近年では、発光材料に量子ドットや量子ロッドなどの発光性を有する半導体ナノ結晶を用いた発光素子が注目されている。半導体ナノ結晶から得られる発光は、有機EL素子よりスペクトル幅が小さく、色域が広がるため、色再現性に優れる。この発光素子における発光層は、半導体ナノ結晶を分散媒に分散させた分散液をノズル孔から液滴として吐出することにより形成される(例えば、特許文献1参照)。 Elements that utilize electroluminescence, such as LEDs and organic EL elements, are widely used as light sources for various display devices and the like. In recent years, attention has been paid to light emitting devices using semiconductor nanocrystals having light emitting properties such as quantum dots and quantum rods as light emitting materials. The light emission obtained from the semiconductor nanocrystal has a smaller spectrum width and a wider color gamut than the organic EL element, and therefore has excellent color reproducibility. The light emitting layer in this light emitting element is formed by ejecting a dispersion liquid in which semiconductor nanocrystals are dispersed in a dispersion medium as droplets from a nozzle hole (see, for example, Patent Document 1).

しかしながら、半導体ナノ結晶は凝集し易いため、分散液中に半導体ナノ結晶の凝集体が形成されると、ノズル孔に目詰まりが生じ、液滴の安定的な吐出が困難となる。また、半導体ナノ結晶の凝集体が存在する状態で、発光層が形成されると発光効率が著しく低下する。
特許文献1では、分散液を安定的に吐出することを目的に、用いる分散媒について検討されているが、発光層の発光効率について検討がなされておらず、さらなる改良の余地がある。
However, since semiconductor nanocrystals are easily aggregated, when agglomerates of semiconductor nanocrystals are formed in the dispersion liquid, the nozzle holes are clogged and it becomes difficult to stably eject droplets. Further, if a light emitting layer is formed in the presence of agglomerates of semiconductor nanocrystals, the luminous efficiency is significantly lowered.
In Patent Document 1, a dispersion medium to be used has been studied for the purpose of stably discharging the dispersion liquid, but the luminous efficiency of the light emitting layer has not been studied, and there is room for further improvement.

特開2009−76282号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-76282

本発明の目的は、液滴吐出法による安定吐出が可能であり、かつ発光効率の高い発光層を形成し得るインク、および発光効率の高い発光素子を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an ink capable of stable ejection by a droplet ejection method and capable of forming a light emitting layer having high luminous efficiency, and a light emitting element having high luminous efficiency.

このような目的は、下記の(1)〜(4)の本発明により達成される。
(1) 液滴吐出法により吐出されるインクであって、
発光性を有する半導体ナノ結晶と、該半導体ナノ結晶に担持された分散剤とから構成された粒子と、
大気圧下における沸点が180〜340℃である分散媒とを含有し、
前記分散媒の25℃における粘度をV1[mPa・s]とし、当該インクの25℃における粘度をV2[mPa・s]としたとき、V2/V1が1.3以下であることを特徴とするインク。
Such an object is achieved by the present invention of the following (1) to (4).
(1) Ink ejected by the droplet ejection method.
Particles composed of luminescent semiconductor nanocrystals and a dispersant supported on the semiconductor nanocrystals,
It contains a dispersion medium having a boiling point of 180 to 340 ° C. under atmospheric pressure.
When the viscosity of the dispersion medium at 25 ° C. is V1 [mPa · s] and the viscosity of the ink at 25 ° C. is V2 [mPa · s], V2 / V1 is 1.3 or less. ink.

(2) 前記分散剤の重量平均分子量は、250〜10,000である上記(1)に記載のインク。 (2) The ink according to (1) above, wherein the dispersant has a weight average molecular weight of 250 to 10,000.

(3) 前記分散媒は、芳香族化合物および脂肪族化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物である上記(1)または(2)に記載のインク。 (3) The ink according to (1) or (2) above, wherein the dispersion medium is at least one compound selected from the group consisting of aromatic compounds and aliphatic compounds.

(4) 一対の電極と、
該一対の電極間に設けられ、上記(1)から(3)のいずれかに記載のインクの乾燥物で構成された発光層と、
該発光層と、前記一対の電極の少なくとも一方の電極との間に設けられた電荷輸送層とを備えることを特徴とする発光素子。
(4) A pair of electrodes and
A light emitting layer provided between the pair of electrodes and composed of a dried product of the ink according to any one of (1) to (3) above.
A light emitting device including a charge transport layer provided between the light emitting layer and at least one of the pair of electrodes.

本発明によれば、インクを安定的に吐出可能であり、発光効率の高い発光層を形成することができる。 According to the present invention, it is possible to stably eject ink and form a light emitting layer having high luminous efficiency.

本発明の発光素子の一実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Embodiment of the light emitting element of this invention.

以下、本発明のインクおよび発光素子について、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
<インク>
本発明のインクは、ピエゾ方式またはサーマル方式の液滴吐出法(インクジェット印刷法)によりノズル孔から液滴として吐出されるインクである。このインクは、発光性を有する半導体ナノ結晶と、この半導体ナノ結晶に担持された分散剤とから構成された粒子と、この粒子を分散する主分散媒および副分散媒とを含む分散媒とを含有する。
なお、本発明のインクは、必要に応じて、例えば、電荷輸送材料、界面活性剤等を含有してもよい。
Hereinafter, the ink and the light emitting device of the present invention will be described in detail based on the preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
<Ink>
The ink of the present invention is an ink ejected as droplets from a nozzle hole by a piezo method or a thermal method droplet ejection method (inkjet printing method). This ink contains particles composed of luminescent semiconductor nanocrystals, dispersants supported on the semiconductor nanocrystals, and a dispersion medium containing a main dispersion medium and a sub-dispersion medium for dispersing the particles. contains.
The ink of the present invention may contain, for example, a charge transport material, a surfactant, or the like, if necessary.

<<粒子>>
粒子は、半導体ナノ結晶と、この半導体ナノ結晶に担持された分散剤とから構成されている。半導体ナノ結晶(以下、単に「ナノ結晶」と言うこともある。)は、励起光を吸収して蛍光または燐光を発光するナノサイズの結晶体(ナノ結晶粒子)であり、例えば、透過型電子顕微鏡または走査型電子顕微鏡によって測定される最大粒子径が100nm以下である結晶体である。
ナノ結晶は、例えば、所定の波長の光エネルギーや電気エネルギーにより励起され、蛍光または燐光を発することができる。
<< Particles >>
The particles are composed of semiconductor nanocrystals and a dispersant supported on the semiconductor nanocrystals. Semiconductor nanocrystals (hereinafter, also referred to simply as “nanocrystals”) are nano-sized crystals (nanocrystal particles) that absorb excitation light and emit fluorescence or phosphorescence, and are, for example, transmitted electrons. A crystal having a maximum particle size of 100 nm or less as measured by a microscope or a scanning electron microscope.
Nanocrystals can be excited by, for example, light energy or electrical energy of a predetermined wavelength to emit fluorescence or phosphorescence.

ナノ結晶は、605〜665nmの波長範囲に発光ピークを有する光(赤色光)を発する赤色発光性の結晶であってよく、500〜560nmの波長範囲に発光ピークを有する光(緑色光)を発する緑色発光性の結晶であってよく、420〜480nmの波長範囲に発光ピークを有する光(青色光)を発する青色発光性の結晶であってもよい。また、一実施形態において、インクは、これらのナノ結晶のうちの少なくとも1種を含むことが好ましい。
なお、ナノ結晶の発光ピークの波長は、例えば、紫外可視分光光度計を用いて測定される蛍光スペクトルまたは燐光スペクトルにおいて確認することできる。
The nanocrystal may be a red light emitting crystal that emits light having an emission peak in the wavelength range of 605 to 665 nm (red light), and emits light having an emission peak in the wavelength range of 500 to 560 nm (green light). It may be a green light emitting crystal, or may be a blue light emitting crystal that emits light (blue light) having an emission peak in the wavelength range of 420 to 480 nm. Also, in one embodiment, the ink preferably contains at least one of these nanocrystals.
The wavelength of the emission peak of the nanocrystal can be confirmed, for example, in the fluorescence spectrum or the phosphorescence spectrum measured by using an ultraviolet-visible spectrophotometer.

赤色発光性のナノ結晶は、665nm以下、663nm以下、660nm以下、658nm以下、655nm以下、653nm以下、651nm以下、650nm以下、647nm以下、645nm以下、643nm以下、640nm以下、637nm以下、635nm以下、632nm以下または630nm以下の波長範囲に発光ピークを有することが好ましく、628nm以上、625nm以上、623nm以上、620nm以上、615nm以上、610nm以上、607nm以上または605nm以上の波長範囲に発光ピークを有することが好ましい。
これらの上限値および下限値は、任意に組み合わせることができる。なお、以下の同様の記載においても、個別に記載した上限値および下限値は任意に組み合わせ可能である。
Red-emitting nanocrystals are 665 nm or less, 663 nm or less, 660 nm or less, 658 nm or less, 655 nm or less, 653 nm or less, 651 nm or less, 650 nm or less, 647 nm or less, 645 nm or less, 643 nm or less, 640 nm or less, 637 nm or less, 635 nm or less, It is preferable to have an emission peak in a wavelength range of 632 nm or less or 630 nm or less, and it is preferable to have an emission peak in a wavelength range of 628 nm or more, 625 nm or more, 623 nm or more, 620 nm or more, 615 nm or more, 610 nm or more, 607 nm or more or 605 nm or more. preferable.
These upper and lower limit values can be combined arbitrarily. In the same description below, the upper limit value and the lower limit value described individually can be arbitrarily combined.

緑色発光性のナノ結晶は、560nm以下、557nm以下、555nm以下、550nm以下、547nm以下、545nm以下、543nm以下、540nm以下、537nm以下、535nm以下、532nm以下または530nm以下の波長範囲に発光ピークを有することが好ましく、528nm以上、525nm以上、523nm以上、520nm以上、515nm以上、510nm以上、507nm以上、505nm以上、503nm以上または500nm以上の波長範囲に発光ピークを有することが好ましい。 Green luminescent nanocrystals have emission peaks in the wavelength range of 560 nm or less, 557 nm or less, 555 nm or less, 550 nm or less, 547 nm or less, 545 nm or less, 543 nm or less, 540 nm or less, 537 nm or less, 535 nm or less, 532 nm or less or 530 nm or less. It is preferable to have an emission peak in the wavelength range of 528 nm or more, 525 nm or more, 523 nm or more, 520 nm or more, 515 nm or more, 510 nm or more, 507 nm or more, 505 nm or more, 503 nm or more, or 500 nm or more.

青色発光性のナノ結晶は、480nm以下、477nm以下、475nm以下、470nm以下、467nm以下、465nm以下、463nm以下、460nm以下、457nm以下、455nm以下、452nm以下または450nm以下の波長範囲に発光ピークを有することが好ましく、450nm以上、445nm以上、440nm以上、435nm以上、430nm以上、428nm以上、425nm以上、422nm以上または420nm以上の波長範囲に発光ピークを有することが好ましい。 Blue luminescent nanocrystals have emission peaks in the wavelength range of 480 nm or less, 477 nm or less, 475 nm or less, 470 nm or less, 467 nm or less, 465 nm or less, 463 nm or less, 460 nm or less, 457 nm or less, 455 nm or less, 452 nm or less, or 450 nm or less. It is preferable to have an emission peak in a wavelength range of 450 nm or more, 445 nm or more, 440 nm or more, 435 nm or more, 430 nm or more, 428 nm or more, 425 nm or more, 422 nm or more, or 420 nm or more.

ナノ結晶が発する光の波長(発光色)は、井戸型ポテンシャルモデルのシュレディンガー波動方程式の解によれば、ナノ結晶のサイズ(例えば、粒子径)に依存するが、ナノ結晶が有するエネルギーギャップにも依存する。そのため、構成材料およびサイズを変更することにより、ナノ結晶の発光色を選択(調節)することができる。 The wavelength of light emitted by a nanocrystal (emission color) depends on the size of the nanocrystal (for example, particle size) according to the solution of the Schrodinger wave equation of the well-type potential model, but it also depends on the energy gap of the nanocrystal. Dependent. Therefore, the emission color of nanocrystals can be selected (adjusted) by changing the constituent material and size.

ナノ結晶は、半導体材料で構成されていればよく、各種構造とすることができる。例えば、ナノ結晶は、第1の半導体材料で構成されるコアのみから構成されてもよく、第1の半導体材料で構成されるコアと、このコアの少なくとも一部を被覆し、第1の半導体材料と異なる第2の半導体材料で構成されるシェルとを有する構成でもよい。換言すれば、ナノ結晶の構造は、コアのみからなる構造(コア構造)であってよく、コアとシェルとからなる構造(コア/シェル構造)であってもよい。 The nanocrystals need only be made of a semiconductor material and can have various structures. For example, a nanocrystal may be composed of only a core made of a first semiconductor material, or covers the core made of the first semiconductor material and at least a part of the core, and the first semiconductor. It may have a structure having a shell made of a second semiconductor material different from the material. In other words, the structure of the nanocrystal may be a structure consisting of only a core (core structure) or a structure consisting of a core and a shell (core / shell structure).

また、ナノ結晶は、第2の半導体材料で構成されるシェル(第1のシェル)の他に、このシェルの少なくとも一部を被覆し、第1および第2の半導体材料と異なる第3の半導体材料で構成されるシェル(第2のシェル)をさらに有していてもよい。換言すれば、ナノ結晶の構造は、コアと第1のシェルと第2のシェルとからなる構造(コア/シェル/シェル構造)であってもよい。
さらに、コアおよびシェルのそれぞれは、2種以上の半導体材料を含む混晶(例えば、CdSe+CdS、CIS+ZnS等)で構成されてもよい。
Further, the nanocrystal covers at least a part of the shell (first shell) composed of the second semiconductor material, and is different from the first and second semiconductor materials in the third semiconductor. It may further have a shell made of material (second shell). In other words, the nanocrystal structure may be a structure (core / shell / shell structure) including a core, a first shell, and a second shell.
Further, each of the core and the shell may be composed of a mixed crystal (for example, CdSe + CdS, CIS + ZnS, etc.) containing two or more kinds of semiconductor materials.

ナノ結晶は、II−VI族半導体、III−V族半導体、I−III−VI族半導体、IV族半導体およびI−II−IV−VI族半導体からなる群より選択される少なくとも1種の半導体材料で構成されることが好ましい。 The nanocrystal is at least one semiconductor material selected from the group consisting of II-VI group semiconductors, III-V group semiconductors, I-III-VI group semiconductors, IV group semiconductors and I-II-IV-VI group semiconductors. It is preferably composed of.

具体的な半導体材料としては、例えば、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、CdHgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、Si、Ge、SiC、SiGe、AgInSe、CuGaSe、CuInS、CuGaS、CuInSe、AgInS、AgGaSe、AgGaSおよびC等が挙げられる。Specific semiconductor materials include, for example, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSte, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSte, HgSeS, HgSeS, HgSeS CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, CdHgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSeTe, CdHgSeTe, CdHgSe InN, InP, InAs, InSb, COLP, PLGAs, PLACSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNAP, GaAlNAs, GaAlNASb GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSeS, SnSeT, SnSeS, SnSeS, SnPbSeTe, SnPbSTe, Si, Ge, SiC, SiGe, AgInSe 2, CuGaSe 2, CuInS 2, CuGaS 2, CuInSe 2, AgInS 2, AgGaSe 2, AgGaS 2 and C and the like.

半導体材料は、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、InP、InAs、InSb、GaP、GaAs、GaSb、AgInS、AgInSe、AgInTe、AgGaS、AgGaSe、AgGaTe、CuInS、CuInSe、CuInTe、CuGaS、CuGaSe、CuGaTe、Si、C、GeおよびCuZnSnSからなる群より選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。
これらの半導体材料で構成されるナノ結晶は、発光スペクトルの制御が容易であり、信頼性を確保しつつ、生産コストを低減し、量産性を向上させることができる。
Semiconductor materials, CdS, CdSe, CdTe, ZnS , ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, InP, InAs, InSb, GaP, GaAs, GaSb, AgInS 2, AgInSe 2, AgInTe 2, AgGaS 2, AgGaSe 2 , AgGaTe 2 , CuInS 2 , CuInSe 2 , CuInTe 2 , CuGaS 2 , CuGaSe 2 , CuGaTe 2 , Si, C, Ge and Cu 2 ZnSnS 4 preferably contains at least one selected from the group.
Nanocrystals composed of these semiconductor materials can easily control the emission spectrum, can reduce production costs and improve mass productivity while ensuring reliability.

赤色発光性のナノ結晶としては、例えば、CdSeのナノ結晶;CdSeのロッド状のナノ結晶;CdSのシェルとCdSeのコアとを備えるロッド状のナノ結晶;CdSのシェルとZnSeのコアとを備えるロッド状のナノ結晶;CdSのシェルとCdSeのコアとを備えるナノ結晶;CdSのシェルとZnSeのコアとを備えるナノ結晶;ZnSのシェルとInPのコアとを備えるナノ結晶;ZnSのシェルとCdSeのコアとを備えるナノ結晶;CdSeとZnSとの混晶のナノ結晶;CdSeとZnSとの混晶のロッド状のナノ結晶;InPのナノ結晶;InPのロッド状のナノ結晶;CdSeとCdSとの混晶のナノ結晶;CdSeとCdSとの混晶のロッド状のナノ結晶;ZnSeとCdSとの混晶のナノ結晶;ZnSeとCdSとの混晶のロッド状のナノ結晶等が挙げられる。 Examples of the red-emitting nanocrystals include CdSe nanocrystals; CdSe rod-shaped nanocrystals; rod-shaped nanocrystals having a CdS shell and a CdSe core; and a CdS shell and a ZnSe core. Rod-shaped nanocrystals; nanocrystals with CdS shells and CdSe cores; nanocrystals with CdS shells and ZnSe cores; nanocrystals with ZnS shells and InP cores; ZnS shells and CdSe Nanocrystals with cores; mixed crystal nanocrystals of CdSe and ZnS; mixed rod-shaped nanocrystals of CdSe and ZnS; InP nanocrystals; InP rod-shaped nanocrystals; CdSe and CdS Mixed crystal nanocrystals; mixed crystal rod-shaped nanocrystals of CdSe and CdS; mixed crystal nanocrystals of ZnSe and CdS; mixed crystal rod-shaped nanocrystals of ZnSe and CdS, and the like.

緑色発光性のナノ結晶としては、例えば、CdSeのナノ結晶;CdSeのロッド状のナノ結晶;ZnSのシェルとInPのコアとを備えるナノ結晶;ZnSのシェルとCdSeのコアとを備えるナノ結晶;CdSeとZnSとの混晶のナノ結晶;CdSeとZnSとの混晶のロッド状のナノ結晶等が挙げられる。 Examples of the green luminescent nanocrystals include CdSe nanocrystals; CdSe rod-shaped nanocrystals; nanocrystals having a ZnS shell and an InP core; nanocrystals having a ZnS shell and a CdSe core; Examples include mixed crystal nanocrystals of CdSe and ZnS; rod-shaped nanocrystals of mixed crystals of CdSe and ZnS.

青色発光性のナノ結晶としては、例えば、ZnSeのナノ結晶;ZnSeのロッド状のナノ結晶;ZnSのナノ結晶;ZnSのロッド状のナノ結晶;ZnSeのシェルとZnSのコアとを備えるナノ結晶;ZnSeのシェルとZnSのコアとを備えるロッド状のナノ結晶;CdSのナノ結晶;CdSのロッド状のナノ結晶等が挙げられる。 Examples of the blue luminescent nanocrystals include ZnSe nanocrystals; ZnSe rod-shaped nanocrystals; ZnS nanocrystals; ZnS rod-shaped nanocrystals; and nanocrystals having a ZnSe shell and a ZnS core; Examples thereof include rod-shaped nanocrystals having a ZnSe shell and a ZnS core; CdS nanocrystals; and CdS rod-shaped nanocrystals.

なお、ナノ結晶は、同一の化学組成であっても、それ自体の平均粒子径を設計することにより、ナノ結晶から発光させるべき色を赤色にも緑色にも変更することができる。
また、ナノ結晶は、それ自体として、人体等に対する悪影響が極力低いことが好ましい。したがって、カドミウム、セレン等が極力含まれないナノ結晶を選択して単独で用いるか、上記元素(カドミウム、セレン等)を含有するナノ結晶を用いる場合には、上記元素が極力少なくなるようにその他のナノ結晶と組み合わせて用いることが好ましい。
Even if the nanocrystals have the same chemical composition, the color to be emitted from the nanocrystals can be changed to red or green by designing the average particle size of the nanocrystals themselves.
Further, it is preferable that nanocrystals themselves have as little adverse effect on the human body as possible. Therefore, when nanocrystals containing as little cadmium, selenium, etc. as possible are selected and used alone, or when nanocrystals containing the above elements (cadmium, selenium, etc.) are used, the above elements should be reduced as much as possible. It is preferable to use it in combination with nanocrystals of.

ナノ結晶の形状は、特に限定されず、任意の幾何学的形状であってもよく任意の不規則な形状であってもよい。ナノ結晶の形状としては、例えば、球状、正四面体状、楕円体状、角錐形状、ディスク状、枝状、網状、ロッド状等が挙げられる。しかしながら、ナノ結晶の形状としては、方向性の少ない形状(例えば、球状、正四面体状等)が好ましい。かかる形状のナノ結晶を用いることにより、インクの均一性および流動性をより高めることができる。 The shape of the nanocrystal is not particularly limited, and may be any geometric shape or any irregular shape. Examples of the shape of the nanocrystals include a spherical shape, a regular tetrahedron shape, an ellipsoidal shape, a pyramidal shape, a disc shape, a branch shape, a net shape, and a rod shape. However, as the shape of the nanocrystal, a shape having less directionality (for example, a spherical shape, a regular tetrahedron shape, etc.) is preferable. By using nanocrystals having such a shape, the uniformity and fluidity of the ink can be further improved.

ナノ結晶の平均粒子径(体積平均径)は、40nm以下であることが好ましく、30nm以下であることがより好ましく、20nm以下であることがさらに好ましい。かかる平均粒子径を有するナノ結晶は、所望の波長の光を発し易いことから好ましい。
また、ナノ結晶の平均粒子径(体積平均径)は、1nm以上であることが好ましく、1.5nm以上であることがより好ましく、2nm以上であることがさらに好ましい。かかる平均粒子径を有するナノ結晶は、所望の波長の光を発し易いのみならず、インクへの分散性および保存安定性を向上させ得ることからも好ましい。
なお、ナノ結晶の平均粒子径(体積平均径)は、透過型電子顕微鏡または走査型電子顕微鏡により測定し、体積平均径を算出することにより得られる。
The average particle size (volume average diameter) of the nanocrystals is preferably 40 nm or less, more preferably 30 nm or less, and further preferably 20 nm or less. Nanocrystals having such an average particle size are preferable because they easily emit light having a desired wavelength.
The average particle size (volume average diameter) of the nanocrystals is preferably 1 nm or more, more preferably 1.5 nm or more, and further preferably 2 nm or more. Nanocrystals having such an average particle size are preferable not only because they easily emit light having a desired wavelength, but also because they can improve dispersibility in ink and storage stability.
The average particle size (volume average diameter) of the nanocrystals can be obtained by measuring with a transmission electron microscope or a scanning electron microscope and calculating the volume average diameter.

ところで、ナノ結晶は、配位サイトとなりうる表面原子を有するため、高い反応性を有している。ナノ結晶は、このような高い反応性を有することや、一般の顔料に比べ大きい表面積を有することから、凝集を起こし易い。
ナノ結晶は、量子サイズ効果によって発光を生じる。このため、ナノ結晶は、凝集すると消光現象が生じ、蛍光量子収率の低下を招き、輝度および色再現性が低下する。すなわち、本発明のようなナノ結晶を分散媒に分散してなるインクは、有機発光材料を溶媒に溶解してなるインクと異なり、凝集による発光特性の低下を生じ易い。このため、本発明のインクでは、ナノ結晶の分散安定性を確保する観点からの調製が重要となる。
By the way, nanocrystals have high reactivity because they have surface atoms that can serve as coordination sites. Nanocrystals are prone to agglomeration because they have such high reactivity and have a large surface area as compared with general pigments.
Nanocrystals emit light due to the quantum size effect. Therefore, when nanocrystals aggregate, a quenching phenomenon occurs, which causes a decrease in fluorescence quantum yield and a decrease in brightness and color reproducibility. That is, unlike the ink obtained by dissolving an organic light emitting material in a solvent, an ink obtained by dispersing nanocrystals in a dispersion medium as in the present invention tends to cause deterioration of light emitting characteristics due to aggregation. Therefore, it is important to prepare the ink of the present invention from the viewpoint of ensuring the dispersion stability of nanocrystals.

<<分散剤>>
このようなことから、本発明では、ナノ結晶の表面に分散媒と相溶性のある分散剤(有機リガンド)が担持(保持)されて、換言すれば、ナノ結晶の表面が分散剤によって不活性化されている。この分散剤の存在により、ナノ結晶のインク中での分散安定性を向上させることができる。
なお、分散剤は、ナノ結晶の表面に、例えば、共有結合、配位結合、イオン結合、水素結合、ファンデルワールス結合等により担持されている。本明細書中において、「担持」とは、分散剤がナノ結晶の表面に吸着、付着または結合された状態を総称する用語である。また、分散剤は、ナノ結晶の表面から脱離することができ、ナノ結晶による担持とナノ結晶からの脱離とが平衡状態となり、これらを繰り返すことができる。
<< Dispersant >>
Therefore, in the present invention, a dispersant (organic ligand) compatible with the dispersion medium is supported (retained) on the surface of the nanocrystal, in other words, the surface of the nanocrystal is inactive by the dispersant. Has been transformed. The presence of this dispersant can improve the dispersion stability of nanocrystals in the ink.
The dispersant is supported on the surface of the nanocrystal by, for example, a covalent bond, a coordination bond, an ionic bond, a hydrogen bond, a van der Waals bond, or the like. In the present specification, "supporting" is a general term for a state in which a dispersant is adsorbed, adhered or bonded to the surface of nanocrystals. Further, the dispersant can be desorbed from the surface of the nanocrystal, and the support by the nanocrystal and the desorption from the nanocrystal are in an equilibrium state, and these can be repeated.

分散剤は、ナノ結晶のインク中での分散安定性を向上させ得る化合物であれば、特に限定されない。分散剤は、低分子分散剤と高分子分散剤とに分類される。本明細書中において、「低分子」とは、重量平均分子量(Mw)が5,000以下の分子を意味し、「高分子」とは、重量平均分子量(Mw)が5,000超の分子を意味する。
なお、本明細書中において、「重量平均分子量(Mw)」は、ポリスチレンを標準物質としたゲル浸透クロマトグラフィ(GPC)を用いて測定された値を採用するものとする。
The dispersant is not particularly limited as long as it is a compound capable of improving the dispersion stability of nanocrystals in the ink. Dispersants are classified into low molecular weight dispersants and high molecular weight dispersants. In the present specification, "small molecule" means a molecule having a weight average molecular weight (Mw) of 5,000 or less, and "polymer" means a molecule having a weight average molecular weight (Mw) of more than 5,000. Means.
In the present specification, the “weight average molecular weight (Mw)” shall be a value measured by gel permeation chromatography (GPC) using polystyrene as a standard substance.

低分子分散剤としては、例えば、TOP(トリオクチルフォスフィン)、TOPO(トリオクチルフォスフィンオキサイド)、オレイン酸、オレイルアミン、オクチルアミン、トリオクチルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタンチオール、ドデカンチオール、ヘキシルホスホン酸(HPA)、テトラデシルホスホン酸(TDPA)およびオクチルホスフィン酸(OPA)が挙げられる。 Examples of low molecular weight dispersants include TOP (trioctylphosphine), TOPO (trioctylphosphine oxide), oleic acid, oleylamine, octylamine, trioctylamine, hexadecylamine, octanethiol, dodecanethiol, and hexylphosphone. Acids (HPA), tetradecylphosphonic acid (TDPA) and octylphosphinic acid (OPA) can be mentioned.

高分子分散剤としては、例えば、ナノ結晶の表面に担持し得る官能基を有する高分子化合物を用いることができる。
このような官能基としては、1級アミノ基、2級アミノ基、3級アミノ基、リン酸基、リン酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、ホスフィン酸基、ホスフィン酸エステル基、チオール基、チオエーテル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、ヒドロキシル基、エーテル基、イミダゾリル基、トリアジニル基、ピロリドニル基、イソシアヌル酸基、ホウ酸エステル基、ボロン酸基等が挙げられる。
As the polymer dispersant, for example, a polymer compound having a functional group that can be supported on the surface of nanocrystals can be used.
Examples of such a functional group include a primary amino group, a secondary amino group, a tertiary amino group, a phosphoric acid group, a phosphoric acid ester group, a phosphonic acid group, a phosphonic acid ester group, a phosphinic acid group, and a phosphinic acid ester group. Thiol group, thioether group, sulfonic acid group, sulfonic acid ester group, carboxylic acid group, carboxylic acid ester group, hydroxyl group, ether group, imidazolyl group, triazinyl group, pyrrolidonyl group, isocyanuric acid group, boric acid ester group, boric acid The group etc. can be mentioned.

これらの中でも、複数の官能基を組み合わせ、ナノ結晶への担持能力を高めた高分子化合物を合成し易い点から、1級アミノ基、2級アミノ基、3級アミノ基、カルボン酸エステル基、ヒドロキシル基、エーテル基が、単独であっても十分なナノ結晶への担持能力を有する点から、リン酸基、リン酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、カルボン酸基が好ましい。
さらに、インク中で適切にナノ結晶への高い担持能力を有する点から、1級アミノ基、2級アミノ基、3級アミノ基、リン酸基、ホスホン酸基、カルボン酸基がより好ましい。
Among these, a primary amino group, a secondary amino group, a tertiary amino group, a carboxylic acid ester group, and the like, because it is easy to synthesize a polymer compound having an enhanced carrying capacity on nanocrystals by combining a plurality of functional groups. A phosphoric acid group, a phosphoric acid ester group, a phosphonic acid group, a phosphonic acid ester group, and a carboxylic acid group are preferable because the hydroxyl group and the ether group have a sufficient carrying ability on nanocrystals even when they are used alone.
Further, a primary amino group, a secondary amino group, a tertiary amino group, a phosphoric acid group, a phosphonic acid group, and a carboxylic acid group are more preferable from the viewpoint of appropriately having a high carrying ability on nanocrystals in ink.

1級アミノ基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリアルキレングリコールアミン、ポリエステルアミン、ウレタン変性ポリエステルアミン、ポリアルキレングリコールジアミン、ポリエステルジアミン、ウレタン変性ポリエステルジアミンのような直鎖型アミン、(メタ)アクリル系重合体の側鎖にアミノ基を有する櫛型ポリアミン等が挙げられる。
2級アミノ基を有する高分子分散剤としては、例えば、多数の2級アミノ基を有する直鎖型ポリエチレンイミン骨格を含む主鎖と、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリウレタン等の側鎖とを有する櫛型ブロックコポリマー等が挙げられる。
Examples of the polymer dispersant having a primary amino group include linear amines such as polyalkylene glycol amines, polyester amines, urethane-modified polyester amines, polyalkylene glycol diamines, polyester diamines, and urethane-modified polyester diamines (meth). ) A comb-type polyamine having an amino group in the side chain of the acrylic polymer can be mentioned.
Examples of the polymer dispersant having a secondary amino group include a comb type having a main chain containing a linear polyethyleneimine skeleton having a large number of secondary amino groups and side chains such as polyester, acrylic resin, and polyurethane. Examples include block copolymers.

3級アミノ基を有する高分子分散剤としては、例えば、トリ(ポリアルキレングリコール)アミンのような星型アミン等が挙げられる。
また、1級アミノ基、2級アミノ基および3級アミノ基を有する高分子分散剤としては、例えば、特開2008−037884号公報、特開2008−037949号公報、特開2008−03818号公報、特開2010−007124号公報に記載された直鎖型または多分岐型ポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックとを有する高分子化合物等が挙げられる。
Examples of the polymer dispersant having a tertiary amino group include star-shaped amines such as tri (polyalkylene glycol) amine.
Examples of the polymer dispersant having a primary amino group, a secondary amino group and a tertiary amino group include JP-A-2008-037884, JP-A-2008-037949, and JP-A-2008-03818. , A polymer compound having a linear or multi-branched polyethyleneimine block and a polyethylene glycol block described in JP-A-2010-007124.

リン酸基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリアルキレングリコールモノリン酸エステル、ポリアルキレングリコールモノアルキルエーテルモノリン酸エステル、パーフルオロアルキルポリオキシアルキレンリン酸エステル、パーフルオロアルキルスルホンアミドポリオキシアルキレンリン酸エステル、アシッドホスホキシエチルモノ(メタ)アクリレート、アシッドホスホキシプロピルモノ(メタ)アクリレート、アシッドホスホキシポリオキシアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレートのようなモノマーから得られるホモポリマーまたはこのモノマーとその他のコモノマーとから得られるコポリマー;特許4697356号公報に記載された方法で得られるリン酸基を有する(メタ)アクリル重合体等が挙げられる。
なお、リン酸基を有する高分子分散剤は、アルカリ金属水酸化物やアルカリ土類金属水酸化物を反応させることで塩を形成させ、pHを調整することも可能である。
Examples of the polymer dispersant having a phosphoric acid group include polyalkylene glycol monophosphate ester, polyalkylene glycol monoalkyl ether monophosphate ester, perfluoroalkyl polyoxyalkylene phosphoric acid ester, and perfluoroalkyl sulfonamide polyoxyalkylene phosphorus. Homopolymers obtained from monomers such as acid esters, acid phosphoxyethyl mono (meth) acrylates, acid phosphoxypropyl mono (meth) acrylates, acid phosphooxypolyoxyalkylene glycol mono (meth) acrylates or other monomers and other Copolymers obtained from comonomer; (meth) acrylic polymers having a phosphate group obtained by the method described in Japanese Patent No. 4697356 and the like can be mentioned.
The polymer dispersant having a phosphoric acid group can also adjust the pH by forming a salt by reacting an alkali metal hydroxide or an alkaline earth metal hydroxide.

ホスホン酸基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリアルキレングリコールモノアルキルホスホン酸エステル、ポリアルキレングリコールモノアルキルエーテルモノアルキルホスホン酸エステル、パーフルオロアルキルポリオキシアルキレンアルキルホスホン酸エステル、パーフルオロアルキルスルホンアミドポリオキシアルキレンアルキルホスホン酸エステル、ポリエチレンホスホン酸;ビニルホスホン酸、(メタ)アクリロイルオキシエチルホスホン酸、(メタ)アクリロイルオキシプロピルホスホン酸、(メタ)アクリロイルオキシポリオキシアルキレングリコールホスホン酸のようなモノマーから得られるホモポリマーまたはこのモノマーとその他のコモノマーとから得られるコポリマー等が挙げられる。
なお、ホスホン酸基を有する高分子分散剤は、アルカリ金属水酸化物やアルカリ土類金属水酸化物を反応させることで塩を形成させ、pHを調整することも可能である。
Examples of the polymer dispersant having a phosphonic acid group include polyalkylene glycol monoalkylphosphonic acid ester, polyalkylene glycol monoalkyl ether monoalkylphosphonic acid ester, perfluoroalkyl polyoxyalkylenealkylphosphonic acid ester, and perfluoroalkyl sulfone. Amidopolyoxyalkylene alkyl phosphonic acid ester, polyethylene phosphonic acid; monomers such as vinyl phosphonic acid, (meth) acryloyloxyethyl phosphonic acid, (meth) acryloyloxypropylphosphonic acid, (meth) acryloyloxypolyoxyalkylene glycol phosphonic acid Examples thereof include homopolymers obtained from phosphopolymers or copolymers obtained from this monomer and other phosphopolymers.
The polymer dispersant having a phosphonic acid group can also adjust the pH by forming a salt by reacting an alkali metal hydroxide or an alkaline earth metal hydroxide.

ホスフィン酸基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリアルキレングリコールジアルキルホスフィン酸エステル、パーフルオロアルキルポリオキシアルキレンジアルキルホスフィン酸エステル、パーフルオロアルキルスルホンアミドポリオキシアルキレンジアルキルホスフィン酸エステル、ポリエチレンホスフィン酸;ビニルホスフィン酸、(メタ)アクリロイルオキシジアルキルホスフィン酸、(メタ)アクリロイルオキシポリオキシアルキレングリコールジアルキルホスフィン酸のようなモノマーから得られるホモポリマーまたはこのモノマーとその他のコモノマーとから得られるコポリマー等が挙げられる。 なお、ホスフィン酸基を有する高分子分散剤は、アルカリ金属水酸化物やアルカリ土類金属水酸化物を反応させることで塩を形成させ、pHを調整することも可能である。 Examples of the polymer dispersant having a phosphinic acid group include polyalkylene glycol dialkylphosphinic acid ester, perfluoroalkyl polyoxyalkylene dialkyl phosphinic acid ester, perfluoroalkyl sulfonamide polyoxyalkylene dialkyl phosphinic acid ester, and polyethylene phosphinic acid; Examples thereof include homopolymers obtained from monomers such as vinylphosphinic acid, (meth) acryloyloxydialkylphosphinic acid, and (meth) acryloyloxypolyoxyalkylene glycol dialkylphosphinic acid, or copolymers obtained from this monomer and other comonomer. .. The polymer dispersant having a phosphinic acid group can also adjust the pH by forming a salt by reacting an alkali metal hydroxide or an alkaline earth metal hydroxide.

チオール基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリビニルチオール、ポリアルキレングリコールエチレンチオール等が挙げられる。
チオエーテル基を有する高分子分散剤としては、例えば、特開2013−60637号公報に記載されたメルカプトプロピオン酸とグリシジル変性ポリアルキレングリコールとを反応させて得られるポリアルキレングリコールチオエーテル等が挙げられる。
Examples of the polymer dispersant having a thiol group include polyvinyl thiol and polyalkylene glycol ethylene thiol.
Examples of the polymer dispersant having a thioether group include polyalkylene glycol thioether obtained by reacting mercaptopropionic acid and glycidyl-modified polyalkylene glycol described in JP2013-60637.

スルホン酸基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリアルキレングリコールモノアルキルスルホン酸エステル、ポリアルキレングリコールモノアルキルエーテルモノアルキルスルホン酸エステル、パーフルオロアルキルポリオキシアルキレンアルキルスルホン酸エステル、パーフルオロアルキルスルホンアミドポリオキシアルキレンアルキルスルホン酸エステル、ポリエチレンスルホン酸;ビニルスルホン酸、(メタ)アクリロイルオキシアルキルスルホン酸、(メタ)アクリロイルオキシポリオキシアルキレングリコールスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸のようなモノマーから得られるホモポリマーまたはこのモノマーとその他のコモノマーとから得られるコポリマー等が挙げられる。
なお、スルホン酸基を有する高分子分散剤は、アルカリ金属水酸化物やアルカリ土類金属水酸化物を反応させることで塩を形成させ、pHを調整することも可能である。
Examples of the polymer dispersant having a sulfonic acid group include polyalkylene glycol monoalkyl sulfonic acid ester, polyalkylene glycol monoalkyl ether monoalkyl sulfonic acid ester, perfluoroalkyl polyoxyalkylene alkyl sulfonic acid ester, and perfluoroalkyl sulfone. Amidopolyoxyalkylene alkyl sulfonic acid ester, polyethylene sulfonic acid; homopolymer obtained from monomers such as vinyl sulfonic acid, (meth) acryloyloxyalkyl sulfonic acid, (meth) acryloyloxypolyoxyalkylene glycol sulfonic acid, polystyrene sulfonic acid. Alternatively, copolymers obtained from this monomer and other commonomers may be mentioned.
The polymer dispersant having a sulfonic acid group can also adjust the pH by forming a salt by reacting an alkali metal hydroxide or an alkaline earth metal hydroxide.

カルボン酸基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリアルキレングリコールカルボン酸、パーフルオロアルキルポリオキシアルキレンカルボン酸、ポリエチレンカルボン酸、ポリエステルモノカルボン酸、ポリエステルジカルボン酸、ウレタン変性ポリエステルモノカルボン酸、ウレタン変性ポリエステルジカルボン酸;ビニルカルボン酸、(メタ)アクリロイルオキシアルキルカルボン酸、(メタ)アクリロイルオキシポリオキシアルキレングリコールカルボン酸のようなモノマーから得られるホモポリマーまたはこのモノマーとその他のコモノマーとから得られるコポリマー等が挙げられる。
なお、カルボン酸基を有する高分子分散剤は、アルカリ金属水酸化物やアルカリ土類金属水酸化物を反応させることで塩を形成させ、pHを調整することも可能である。
Examples of the polymer dispersant having a carboxylic acid group include polyalkylene glycol carboxylic acid, perfluoroalkyl polyoxyalkylene carboxylic acid, polyethylene carboxylic acid, polyester monocarboxylic acid, polyester dicarboxylic acid, urethane-modified polyester monocarboxylic acid, and urethane. Modified polyester dicarboxylic acid; homopolymers obtained from monomers such as vinylcarboxylic acid, (meth) acryloyloxyalkylcarboxylic acid, (meth) acryloyloxypolyoxyalkylene glycol carboxylic acid, or copolymers obtained from this monomer and other commonomers. And so on.
The polymer dispersant having a carboxylic acid group can also adjust the pH by forming a salt by reacting an alkali metal hydroxide or an alkaline earth metal hydroxide.

エステル基を有する高分子分散剤は、前記カルボン酸基を有する高分子分散剤に、例えばモノアルキルアルコールを脱水縮合させることにより得ることができる。
ピロリドニル基を有する高分子分散剤としては、例えば、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。
The polymer dispersant having an ester group can be obtained by dehydrating and condensing, for example, a monoalkyl alcohol with the polymer dispersant having a carboxylic acid group.
Examples of the polymer dispersant having a pyrrolidonyl group include polyvinylpyrrolidone and the like.

なお、特定の官能基を有する高分子分散剤は、合成品であっても市販品であってもよい。
市販品としては、例えば、ビックケミー社製のDISPERBYKシリーズに含まれるDISPERBYK−102、DISPERBYK−103、DISPERBYK−108、DISPERBYK−109、DISPERBYK−110、DISPERBYK−111、DISPERBYK−118、DISPERBYK−140、DISPERBYK−145、DISPERBYK−161、DISPERBYK−164、DISPERBYK−168、DISPERBYK−168、DISPERBYK−180、DISPERBYK−182、DISPERBYK−184、DISPERBYK−185、DISPERBYK−190、DISPERBYK−191、DISPERBYK−2000、DISPERBYK−2001、DISPERBYK−2008、DISPERBYK−2009、DISPERBYK−2010、DISPERBYK−2012、DISPERBYK−2013、DISPERBYK−2022、DISPERBYK−2025、DISPERBYK−2050、DISPERBYK−2060、DISPERBYK−9070、DISPERBYK−9077;エボニック社製のTEGO Dispersシリーズに含まれるTEGO Dispers 610、TEGO Dispers 630、TEGO Dispers 650、TEGO Dispers 651、TEGO Dispers 652、TEGO Dispers 655、TEGO Dispers 660C、TEGO Dispers 662C、TEGO Dispers 670、TEGO Dispers 685、TEGO Dispers 700、TEGO Dispers 710、TEGO Dispers 715W、TEGO Dispers 740W、TEGO Dispers 750W、TEGO Dispers 752W、TEGO Dispers 755W、TEGO Dispers 760W;BASF社製のEFKAシリーズに含まれるEFKA−44、EFKA−46、EFKA−47、EFKA−48、EFKA−4010、EFKA−4050、EFKA−4055、EFKA−4020、EFKA−4015、EFKA−4060、EFKA−4300、EFKA−4330、EFKA−4400、EFKA−4406、EFKA−4510、EFKA−4800;日本ルーブリゾール社製のSOLSPERSEシリーズに含まれるSOLSPERS−3000、SOLSPERS−9000、SOLSPERS−16000、SOLSPERS−17000、SOLSPERS−18000、SOLSPERS−13940、SOLSPERS−20000、SOLSPERS−24000、SOLSPERS−32550、SOLSPERS−71000;味の素ファインテクノ社製のアジスパーシリーズに含まれるアジスパー(AJISPUR)PB−821、アジスパーPB−822、アジスパーPB−823;楠本化成製のDISPARLONシリーズに含まれるDISPARLON DA325、DISPARLON DA375、DISPARLON DA1800、DISPARLON DA7301;共栄社化学社製のフローレンシリーズに含まれるフローレン(FLORENE)DOPA−17HF、フローレンDOPA−15BHF、フローレンDOPA−33、フローレンDOPA−44等が挙げられる。
なお、これら高分子分散剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
The polymer dispersant having a specific functional group may be a synthetic product or a commercially available product.
Examples of commercially available products include DISPERBYK-102, DISPERBYK-103, DISPERBYK-108, DISPERBYK-109, DISPERBYK-110, DISPERBYK-111, DISPERBYK-118, and DISPERBYK-140, which are included in the DISPERBYK series manufactured by Big Chemie. 145, DISPERBYK-161, DISPERBYK-164, DISPERBYK-168, DISPERBYK-168, DISPERBYK-180, DISPERBYK-182, DISPERBYK-184, DISPERBYK-185, DISPERBYK-190, DISPERBYK-191, DISPERBYK-191, DISPERBYK-2008, DISPERBYK-2009, DISPERBYK-2010, DISPERBYK-2012, DISPERBYK-2013, DISPERBYK-2022, DISPERBYK-2025, DISPERBYK-2050, DISPERBYK-2060, DISPERBYK-2060, DISPERBYK- TEGO Dispers 610, TEGO Dispers 630 included in the series, TEGO Dispers 650, TEGO Dispers 651, TEGO Dispers 652, TEGO Dispers 655, TEGO Dispers 660C, TEGO Dispers 662C, TEGO Dispers 670, TEGO Dispers 685, TEGO Dispers 700, TEGO Dispers 710, TEGO Dispers 715W, TEGO Dispers 740W, TEGO Dispers 750W, TEGO Dispers 752W, TEGO Dispers 755W, TEGO Dispers 755W, TEGO Dispers 760W, TEGO Dispers 760W, TEGO Dispers 760W, TEGO Dispers 760W, TEGO Dispers 760W , EFKA-4010, EFKA-4050, EFKA-4055, EFKA-4020, EFKA-4015, EFKA-4060, EFKA-4300, EFKA-4330, EFKA-4400, EFKA-4406, EFKA- 4510, EFKA-4800; SOLSPERS-3000, SOLSPERS-9000, SOLSPERS-16000, SOLSPERS-17000, SOLSPERS-18000, SOLSPERS-13940, SOLSPERS-20000, SOLSPERS-24000 -23550, SOLSPERS-71000; AJISPUR PB-821, Ajispur PB-822, Ajispur PB-823 included in Ajinomoto Fine-Techno's Ajispur series; DISPALLON DA325, DISPARLON included in Kusumoto Kasei's DISPALLON series. DA375, DISPARLON DA1800, DISPARLON DA7301; Floren DOPA-17HF, Floren DOPA-15BHF, Floren DOPA-33, Floren DOPA-44 and the like included in the Floren series manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.
In addition, these polymer dispersants may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

以上のような分散剤は、その分子のほぼ全体がナノ結晶に接触した状態で担持されていてもよいし、その分子の一部のみがナノ結晶に接触した状態で担持されていてもよい。いずれの状態であっても、分散剤は、ナノ結晶を安定的に分散媒に分散させる分散機能を好適に発揮する。
かかる観点から、分散剤の重量平均分子量(Mw)は、50,000以下であることが好ましく、100〜50,000程度であることがより好ましい。なお、低分子分散剤のうち重合体でない化合物の質量を表す場合には、「重量平均分子量」に代えて「分子量」を用いる。
The dispersant as described above may be supported in a state where almost the entire molecule is in contact with the nanocrystals, or only a part of the molecule may be supported in a state where it is in contact with the nanocrystals. In any state, the dispersant preferably exerts a dispersion function of stably dispersing nanocrystals in a dispersion medium.
From this point of view, the weight average molecular weight (Mw) of the dispersant is preferably 50,000 or less, and more preferably about 100 to 50,000. When expressing the mass of a compound that is not a polymer among low molecular weight dispersants, "molecular weight" is used instead of "weight average molecular weight".

前記下限値以上の重量平均分子量を有する分散剤は、ナノ結晶に対する担持能力に優れるため、インク中におけるナノ結晶の分散安定性を十分に確保することができる。一方、前記上限値以下の重量平均分子量を有する分散剤は、その単位重量あたりの官能基数が十分であり、結晶性が高くなり過ぎないため、インク中におけるナノ結晶の分散安定性を高めることができる。また、分散剤の重量平均分子量が高か過ぎないため、得られる発光層において電荷移動が阻害されることも防止または抑制することができる。 Since the dispersant having a weight average molecular weight equal to or higher than the lower limit has excellent carrying ability for nanocrystals, it is possible to sufficiently secure the dispersion stability of nanocrystals in the ink. On the other hand, a dispersant having a weight average molecular weight equal to or less than the upper limit has a sufficient number of functional groups per unit weight and the crystallinity does not become too high, so that the dispersion stability of nanocrystals in the ink can be improved. it can. Further, since the weight average molecular weight of the dispersant is not too high, it is possible to prevent or suppress the inhibition of charge transfer in the obtained light emitting layer.

ナノ結晶に対する分散剤(特に、高分子分散剤)の量は、ナノ結晶100質量%に対して50質量%以下であることが好ましい。これにより、ナノ結晶に分散剤を担持させる際に、ナノ粒子の表面に不要な有機物が残留または析出し難い。このため、分散剤による層が電荷の移動を阻害する絶縁層となり難く、発光特性の悪化を防止することができる。
一方、ナノ結晶に対する分散剤の量は、ナノ結晶100質量%に対して1質量%以上であることが好ましく、3質量%以上であることがより好ましく、5質量%以上であることがさらに好ましい。これにより、インク中におけるナノ結晶の十分な分散安定性を保持することができる。
The amount of the dispersant (particularly, the polymer dispersant) with respect to the nanocrystals is preferably 50% by mass or less with respect to 100% by mass of the nanocrystals. As a result, when the dispersant is supported on the nanocrystals, unnecessary organic substances are less likely to remain or precipitate on the surface of the nanoparticles. Therefore, the layer made of the dispersant is unlikely to be an insulating layer that inhibits the movement of electric charges, and deterioration of light emission characteristics can be prevented.
On the other hand, the amount of the dispersant with respect to the nanocrystals is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, and further preferably 5% by mass or more with respect to 100% by mass of the nanocrystals. .. This makes it possible to maintain sufficient dispersion stability of the nanocrystals in the ink.

<<電荷輸送材料>>
電荷輸送材料は、通常、発光層に注入された正孔および電子を輸送する機能を有する。
電荷輸送材料は、正孔および電子を輸送する機能を有するものであれば、特に限定されない。電荷輸送材料は、高分子電荷輸送材料と低分子電荷輸送材料とに分類される。
<< Charge transport material >>
The charge transport material usually has the function of transporting holes and electrons injected into the light emitting layer.
The charge transport material is not particularly limited as long as it has a function of transporting holes and electrons. The charge transport material is classified into a high molecular charge transport material and a low molecular charge transport material.

高分子電荷輸送材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリ(9−ビニルカルバゾール)(PVK)のようなビニル重合体;ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン](poly−TPA)、ポリフルオレン(PF)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(Poly−TPD)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−コ−(4,4’−(N−(−sec−ブチルフェニル)ジフェニルアミン)](TFB)、ポリフェニレンビニレン(PPV)のような共役系化合物重合体、これらのモノマー単位を含む共重合体等が挙げられる。 The polymer charge transport material is not particularly limited, but is, for example, a vinyl polymer such as poly (9-vinylcarbazole) (PVK); poly [N, N'-bis (4-butylphenyl) -N, N. '-Bis (phenyl) -benzidine] (poly-TPA), polyfluorene (PF), poly [N, N'-bis (4-butylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine (Poly-) TPD), poly [(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) -co- (4,4'-(N- (-sec-butylphenyl) diphenylamine)] (TFB), polyphenylene vinylene ( Examples thereof include a conjugated compound polymer such as PPV) and a copolymer containing these monomer units.

低分子電荷輸送材料としては、特に限定されないが、例えば、4,4’−ビス(9H−カルバゾール−9−イル)ビフェニル(CBP)、9,9’−(p−tert−ブチルフェニル)−3,3−ビスカルバゾール、1,3−ジカルバゾリルベンゼン(mCP)、4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−2,2’−ジメチルビフェニル(CDBP)、N,N’−ジカルバゾリル−1,4−ジメチルベンゼン(DCB)、5,11−ジフェニル−5,11−ジハイドロインドロ[3,2−b]カルバゾールのようなカルバゾール誘導体;ビス(2−メチル−8−キノリノレート)−4−(フェニルフェノラト)アルミニウム(BAlq)のようなアルミニウム錯体、2,7−ビス(ジフェニルホスフィンオキシド)−9,9−ジメチルフルオレン(P06)のようなホスフィンオキシド誘導体;3,5−ビス(9−カルバゾリル)テトラフェニルシラン(SimCP)、1,3−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン(UGH3)のようなシラン誘導体;4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α―NPD)のようなトリフェニルアミン誘導体、9−(4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン−2−イル)−9H−カルバゾール、9−(2,6−ジフェニルピリミジン−4−イル)−9H−カルバゾールのような複素環誘導体、これらの化合物の誘導体等が挙げられる。 The low molecular weight charge transport material is not particularly limited, but is, for example, 4,4'-bis (9H-carbazole-9-yl) biphenyl (CBP), 9,9'-(p-tert-butylphenyl) -3. , 3-Biscarbazole, 1,3-dicarbazolylbenzene (mCP), 4,4'-bis (9-carbazolyl) -2,2'-dimethylbiphenyl (CDBP), N, N'-dicarbazolyl-1 , 4-Dimethylbenzene (DCB), 5,11-diphenyl-5,11-dihydroindro [3,2-b] Carbazole derivatives such as carbazole; bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- Aluminum complexes such as (phenylphenolato) aluminum (BAlq), phosphine oxide derivatives such as 2,7-bis (diphenylphosphine oxide) -9,9-dimethylfluorene (P06); 3,5-bis (9-). Silane derivatives such as carbazolyl) tetraphenylsilane (SimCP), 1,3-bis (triphenylsilyl) benzene (UGH3); 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl Triphenylamine derivatives such as (α-NPD), 9- (4,6-diphenyl-1,3,5-triazine-2-yl) -9H-carbazole, 9- (2,6-diphenylpyrimidine-4) -Il) -9H-Carbazole and other heterocyclic derivatives, derivatives of these compounds and the like can be mentioned.

<<界面活性剤>>
界面活性剤としては、例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、炭化水素系界面活性剤等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、電荷をトラップし難いことから、シリコーン系界面活性剤および/または炭化水素系界面活性剤が好ましい。
<< Surfactant >>
As the surfactant, for example, one or a combination of two or more of a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, a hydrocarbon-based surfactant, and the like can be used. Among these, silicone-based surfactants and / or hydrocarbon-based surfactants are preferable because they are difficult to trap charges.

シリコーン系界面活性剤および炭化水素系界面活性剤としては、低分子型または高分子型の界面活性剤を用いることができる。
これらの具体例としては、例えば、ビックケミー社製のBYKシリーズ、日信化学工業株式会社製のサーフィノール等が挙げられる。これらの中でも、インクを塗布した際に平滑性の高い塗膜が得られることから、有機変性シロキサンからなるシリコーン系界面活性剤を好適に用いることができる。
As the silicone-based surfactant and the hydrocarbon-based surfactant, low-molecular-weight or high-molecular-weight surfactants can be used.
Specific examples of these include BYK series manufactured by Big Chemie Co., Ltd., Surfinol manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd., and the like. Among these, a silicone-based surfactant made of an organically modified siloxane can be preferably used because a coating film having high smoothness can be obtained when the ink is applied.

<<分散媒>>
このような分散剤を担持したナノ結晶からなる粒子が分散媒に分散されている。
分散媒としては、特に限定されないが、例えば、芳香族炭化水素化合物、芳香族エステル化合物、芳香族エーテル化合物、芳香族ケトン化合物、脂肪族炭化水素化合物、脂肪族エステル化合物、脂肪族エーテル化合物、脂肪族ケトン化合物、アルコール化合物、アミド化合物、他の化合物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
<< Dispersion medium >>
Particles composed of nanocrystals carrying such a dispersant are dispersed in a dispersion medium.
The dispersion medium is not particularly limited, but for example, an aromatic hydrocarbon compound, an aromatic ester compound, an aromatic ether compound, an aromatic ketone compound, an aliphatic hydrocarbon compound, an aliphatic ester compound, an aliphatic ether compound, and a fat. Examples thereof include group ketone compounds, alcohol compounds, amide compounds, and other compounds, and one or a combination of two or more of these can be used.

芳香族炭化水素化合物としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン、メシチレン、tert−ブチルベンゼン、インダン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、1、2、3、4−テトラヒドロナフタレン、ナフタレン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、1−メチルナフタレン、ビフェニル、2−エチルナフタレン、1−エチルナフタレン、オクチルベンゼン、ジフェニルメタン、1,4−ジメチルナフタレン、ノニルベンゼン、イソプロピルビフェニル、3−エチルビフェニル、ドデシルベンゼン等が挙げられる。 Aromatic hydrocarbon compounds include toluene, xylene, ethylbenzene, cumene, mecitylene, tert-butylbenzene, indan, diethylbenzene, pentylbenzene, 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene, naphthalene, hexylbenzene, heptylbenzene, cyclohexyl. Examples thereof include benzene, 1-methylnaphthalene, biphenyl, 2-ethylnaphthalene, 1-ethylnaphthalene, octylbenzene, diphenylmethane, 1,4-dimethylnaphthalene, nonylbenzene, isopropylbiphenyl, 3-ethylbiphenyl and dodecylbenzene.

芳香族エステル化合物としては、酢酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、プロピオン酸フェニル、安息香酸イソプロピル、4−メチル安息香酸メチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペンチル、エチル p−アニセート、フタル酸ジメチル等が挙げられる。 Examples of aromatic ester compounds include phenyl acetate, methyl benzoate, ethyl benzoate, phenyl propionate, isopropyl benzoate, methyl 4-methylbenzoate, propyl benzoate, butyl benzoate, isopentyl benzoate, ethyl p-anisate, Examples thereof include dimethyl phthalate.

芳香族エーテル化合物としては、ジメトキシベンゼン、メトキシトルエン、エチルフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、4−メチルアニソール、2,6−ジメチルアニソール、エチルフェニルエーテル、プロピルフェニルエーテル、2,5−ジメチルアニソール、3,5−ジメチルアニソール、4−エチルアニソール、2,3−ジメチルアニソール、ブチルフェニルエーテル、p−ジメトキシベンゼン、p−プロピルアニソール、m−ジメトキシベンゼン、2-メトキシ安息香酸メチル、1,3−ジプロポキシベンゼン、ジフェニルエーテル、1−メトキシナフタレン、3−フェノキシトルエン、2−エトキシナフタレン、1−エトキシナフタレン等が挙げられる。 Examples of the aromatic ether compound include dimethoxybenzene, methoxytoluene, ethylphenyl ether, dibenzyl ether, 4-methylanisole, 2,6-dimethylanisole, ethylphenyl ether, propylphenyl ether, 2,5-dimethylanisole, 3, 5-Dimethylanisole, 4-Ethylanisole, 2,3-Dimethylanisole, Butylphenyl ether, p-dimethoxybenzene, p-propylanisole, m-dimethoxybenzene, 2-methoxymethyl benzoate, 1,3-dipropoxybenzene , Diphenyl ether, 1-methoxynaphthalene, 3-phenoxytoluene, 2-ethoxynaphthalene, 1-ethoxynaphthalene and the like.

芳香族ケトン化合物としては、アセトフェノン、プロピオフェノン、4’−メチルアセトフェノン、4’−エチルアセトフェノン、ブチルフェニルケトン等が挙げられる。
脂肪族炭化水素化合物としては、ペンタン、ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
Examples of the aromatic ketone compound include acetophenone, propiophenone, 4'-methylacetophenone, 4'-ethylacetophenone, butylphenyl ketone and the like.
Examples of the aliphatic hydrocarbon compound include pentane, hexane, octane and cyclohexane.

脂肪族エステル化合物としては、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸ヘキシル、乳酸ブチル、乳酸イソアミル、アミルバレラート、エチルレブリレート、γ−バレロラクトン、オクタン酸エチル、γ−ヘキサラクトン、イソアミルヘキサネート、アミルヘキサネート、酢酸ノニル、デカン酸メチル、グルタル酸ジエチル、γ−ヘプタラクトン、ε−カプロラクトン、オクタラクトン、炭酸プロピレン、γ−ノナノラクトン、ヘキサン酸ヘキシル、アジピン酸ジイソプロピル、δ−ノナノラクトン、グリセロール三酢酸、δ−デカノラクトン、アジピン酸ジプロピル、δ−ウンデカラクトン等が挙げられる。 Examples of aliphatic ester compounds include ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, hexyl acetate, butyl lactate, isoamyl lactate, amylvalerate, ethyl revilliate, γ-valerolactone, ethyl octanoate, γ-hexalactone, and isoamylhexa. Ester, amylhexanate, nonyl acetate, methyl decanoate, diethyl glutarate, γ-heptalactone, ε-caprolactone, octalactone, propylene carbonate, γ-nonanolactone, hexyl hexanoate, diisopropyl adipate, δ-nonanolactone, glycerol tri Examples thereof include acetic acid, δ-decanolactone, dipropyl adipate, and δ-undecalactone.

脂肪族エーテル化合物としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジヘキシルエーテル、1,3−ブタンジオールジアセテート、1,4−ブタンジオールジアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジヘプチルエーテル、ジオクチルエーテル等が挙げられる。 Examples of the aliphatic ether compound include tetrahydrofuran, dioxane, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol diacetate, diethylene glycol isopropyl methyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol diacetate, and diethylene glycol butyl methyl ether. , Diethylene glycol monoethyl ether acetate, dihexyl ether, 1,3-butanediol diacetate, 1,4-butanediol diacetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol dibutyl ether, diheptyl ether, dioctyl ether and the like.

脂肪族ケトン化合物としては、ジイソブチルケトン、シクロヘプタノン、イソホロン、6−ウンデカノン等が挙げられる。
アルコール化合物としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、1−ヘプタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、プロピレングリコ−ル、エチレングリコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチル 3−ヒドロキシヘキサネート、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、シクロヘキサノール等が挙げられる。
Examples of the aliphatic ketone compound include diisobutyl ketone, cycloheptanone, isophorone, and 6-undecanone.
Alcohol compounds include methanol, ethanol, isopropyl alcohol, 1-heptanol, 2-ethyl-1-hexanol, propylene glycol, ethylene glycol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, ethyl 3-hydroxyhexanate, and triethylene. Glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol, cyclohexanol and the like can be mentioned.

アミド化合物としてはN,N−ジメチルアセトアミド、2−ピロリドン、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
他の化合物としては、水、ジメチルスルホキシド、アセトン、クロロホルム、塩化メチレン等が挙げられる。
Examples of the amide compound include N, N-dimethylacetamide, 2-pyrrolidone, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide and the like.
Examples of other compounds include water, dimethyl sulfoxide, acetone, chloroform, methylene chloride and the like.

以上のような分散媒の25℃における粘度は、1〜20mPa・s程度であることが好ましく、1.5〜15mPa・s程度であることがより好ましく、2〜10mPa・s程度であることがさらに好ましい。分散媒の常温下における粘度が前記範囲であれば、液滴吐出ヘッドのノズル孔から吐出された液滴が主滴と小液滴とに分離される現象(サテライト現象)の発生を防止または抑制することができる。このため、液滴の被着体に対する着弾精度を向上させることができる。 The viscosity of the dispersion medium as described above at 25 ° C. is preferably about 1 to 20 mPa · s, more preferably about 1.5 to 15 mPa · s, and more preferably about 2 to 10 mPa · s. More preferred. When the viscosity of the dispersion medium at room temperature is within the above range, the occurrence of the phenomenon (satellite phenomenon) in which the droplets ejected from the nozzle hole of the droplet ejection head are separated into the main droplet and the small droplet is prevented or suppressed. can do. Therefore, the landing accuracy of the droplet on the adherend can be improved.

本発明のインクにおいて、ナノ結晶を含む粒子が酸素や水等により失活して、安定的に機能しない可能性がある場合、当該インクを調製する際に、溶存気体や水分を出来るだけ除去した分散媒を用いたり、インクを調製した後に、インク中から溶存酸素や水分を出来るだけ除去する後処理を行うことが好ましい。この後処理としては、例えば、脱気処理、不活性ガスを飽和または過飽和させる処理、加熱処理、乾燥剤を通過させて行う脱水処理等が挙げられる。
なお、インク中の溶存酸素や水分は、200ppm以下にすることが好ましく、100ppm以下にすることがより好ましく、10ppm以下にすることがさらに好ましい。
In the ink of the present invention, when particles containing nanocrystals may be inactivated by oxygen, water, etc. and may not function stably, dissolved gas and water were removed as much as possible when preparing the ink. After using a dispersion medium or preparing an ink, it is preferable to perform a post-treatment to remove dissolved oxygen and water from the ink as much as possible. Examples of the post-treatment include a degassing treatment, a treatment for saturating or supersaturating an inert gas, a heat treatment, and a dehydration treatment performed by passing a desiccant.
The dissolved oxygen and water content in the ink are preferably 200 ppm or less, more preferably 100 ppm or less, and even more preferably 10 ppm or less.

インク中に含まれる粒子の量は、0.01〜20質量%程度であることが好ましく、0.01〜15質量%程度であることがより好ましく、0.1〜10質量%程度であることがさらに好ましい。インク中に含まれる粒子の量を前記範囲に設定することにより。インクの吐出安定性をより向上させることができる。また、粒子(ナノ結晶)同士が凝集し難くなり、得られる発光層の発光効率を高めることもできる。
ここで、粒子の質量は、ナノ結晶の質量とこのナノ結晶に担持された分散剤の質量との合計値を指す。
The amount of particles contained in the ink is preferably about 0.01 to 20% by mass, more preferably about 0.01 to 15% by mass, and about 0.1 to 10% by mass. Is even more preferable. By setting the amount of particles contained in the ink within the above range. The ink ejection stability can be further improved. In addition, the particles (nanocrystals) are less likely to aggregate with each other, and the luminous efficiency of the obtained light emitting layer can be improved.
Here, the mass of the particles refers to the total value of the mass of the nanocrystal and the mass of the dispersant supported on the nanocrystal.

なお、本明細書中において、「インク中に含まれる粒子の量」とは、インクが粒子と分散媒とから構成される場合、粒子と分散媒との合計を100質量%としたときの、粒子の質量%を指し、インクが粒子、粒子以外の不揮発成分および分散媒で構成される場合、粒子と不揮発成分と分散媒との合計を100質量%としたときの、粒子の質量%を指す。 In the present specification, the "amount of particles contained in the ink" means that when the ink is composed of particles and a dispersion medium, the total of the particles and the dispersion medium is 100% by mass. Refers to the mass% of particles, and when the ink is composed of particles, non-volatile components other than particles, and a dispersion medium, it refers to the mass% of particles when the total of the particles, the non-volatile components, and the dispersion medium is 100 mass%. ..

本発明では、前述したような分散媒の中から、大気圧(1気圧)下における沸点(以下、単に「沸点」とも言う。)が180〜340℃である少なくとも1種の分散媒を用いる。かかる温度範囲の沸点を有する分散媒を用いることにより、インクが液滴吐出ヘッドのノズル孔付近で乾燥することを好適に防止することができるので、ノズル孔が目詰まりすることがない。その結果、インクの吐出安定性が長期にわたって維持され、発光層の形成効率を向上させることができる。
分散媒の沸点は、180〜340℃であればよいが、200〜330℃程度であることが好ましく、210〜320℃程度であることがより好ましい。これにより、インクが液滴吐出ヘッドのノズル孔で乾燥することをより確実に防止することができる。
In the present invention, at least one kind of dispersion medium having a boiling point under atmospheric pressure (1 atm) (hereinafter, also simply referred to as “boiling point”) of 180 to 340 ° C. is used from the above-mentioned dispersion media. By using a dispersion medium having a boiling point in such a temperature range, it is possible to preferably prevent the ink from drying in the vicinity of the nozzle hole of the droplet ejection head, so that the nozzle hole is not clogged. As a result, the ejection stability of the ink is maintained for a long period of time, and the efficiency of forming the light emitting layer can be improved.
The boiling point of the dispersion medium may be 180 to 340 ° C., but is preferably about 200 to 330 ° C., more preferably about 210 to 320 ° C. This makes it possible to more reliably prevent the ink from drying in the nozzle holes of the droplet ejection head.

さらに、本発明では、分散媒の25℃における粘度をV1[mPa・s]とし、インクの25℃における粘度をV2[mPa・s]としたとき、V2/V1が1.3以下となるような分散媒が選択される。V2/V1が1.3以下であれば、インク中で粒子が均一に分散(安定分散)していると判断することができる。かかるインクは、液滴吐出ヘッド内で静置した場合でも、インク中で粒子が沈殿(凝集)し難く、分散媒の沸点を規定することでの効果と相まって、ノズル孔の目詰まりをより確実に防止することができる。 Further, in the present invention, when the viscosity of the dispersion medium at 25 ° C. is V1 [mPa · s] and the viscosity of the ink at 25 ° C. is V2 [mPa · s], V2 / V1 is 1.3 or less. Dispersion medium is selected. When V2 / V1 is 1.3 or less, it can be determined that the particles are uniformly dispersed (stable dispersion) in the ink. Even when such ink is allowed to stand in the droplet ejection head, particles are less likely to precipitate (aggregate) in the ink, and combined with the effect of defining the boiling point of the dispersion medium, clogging of the nozzle holes is more reliable. Can be prevented.

また、インク中で粒子が凝集することなく、均一に分散しているため、粒子は、形成される発光層中でも均一に分布する。ここで、発光層中で粒子が凝集(集合)すると、粒子が隣接する粒子が発する光を吸収してしまう現象(自己吸収現象)が生じる。本発明では、発光層中で粒子を均一に分布させることができるため、このような現象の発生を防止することができ、発光層の発光効率を高めることができる。 Further, since the particles are uniformly dispersed in the ink without agglutination, the particles are uniformly distributed even in the formed light emitting layer. Here, when the particles aggregate (aggregate) in the light emitting layer, a phenomenon (self-absorption phenomenon) occurs in which the particles absorb the light emitted by the adjacent particles. In the present invention, since the particles can be uniformly distributed in the light emitting layer, it is possible to prevent the occurrence of such a phenomenon and improve the luminous efficiency of the light emitting layer.

なお、V2/V1は、1.3以下であればよいが、1.2以下であることが好ましく、1.1以下であることがより好ましい。これにより、発光層の発光効率をより確実に高めることができる。
また、インクの25℃における粘度の具体的な値は、特に限定されないが、1.1〜25mPa・s程度であることが好ましく、1.6〜18mPa・s程度であることがより好ましく、2.2〜13mPa・s程度であることがさらに好ましい。
V2 / V1 may be 1.3 or less, but preferably 1.2 or less, and more preferably 1.1 or less. As a result, the luminous efficiency of the light emitting layer can be increased more reliably.
The specific value of the viscosity of the ink at 25 ° C. is not particularly limited, but is preferably about 1.1 to 25 mPa · s, more preferably about 1.6 to 18 mPa · s, 2 It is more preferably about 2 to 13 mPa · s.

以上のような条件を満足し得る分散媒としては、例えば、1、2、3、4−テトラヒドロナフタレン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、1−メチルナフタレン、ビフェニル、2−エチルナフタレン、1−エチルナフタレン、オクチルベンゼン、ジフェニルメタン、1,4−ジメチルナフタレン、ノニルベンゼン、イソプロピルビフェニル、3−エチルビフェニル、ドデシルベンゼンのような芳香族炭化水素化合物、安息香酸イソプロピル、4−メチル安息香酸メチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペンチル、エチル p−アニセート、フタル酸ジメチルのような芳香族エステル化合物、p−プロピルアニソール、m−ジメトキシベンゼン、2-メトキシ安息香酸メチル、1,3−ジプロポキシベンゼン、ジフェニルエーテル、1−メトキシナフタレン、3−フェノキシトルエン、2−エトキシナフタレン、1−エトキシナフタレンのような芳香族エーテル化合物、4’−メチルアセトフェノン、4’−エチルアセトフェノン、ブチルフェニルケトンのような芳香族エーテル化合物等の芳香族化合物;アミルバレラート、エチルレブリレート、γ−バレロラクトン、オクタン酸エチル、γ−ヘキサラクトン、イソアミルヘキサネート、アミルヘキサネート、酢酸ノニル、デカン酸メチル、グルタル酸ジエチル、γ−ヘプタラクトン、ε−カプロラクトン、オクタラクトン、炭酸プロピレン、γ−ノナノラクトン、ヘキサン酸ヘキシル、アジピン酸ジイソプロピル、δ−ノナノラクトン、グリセロール三酢酸、δ−デカノラクトン、アジピン酸ジプロピル、δ−ウンデカラクトンのような脂肪族エステル化合物、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセテート、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジヘプチルエーテル、ジオクチルエーテルのような脂肪族エーテル化合物等の脂肪族化合物等が挙げられる。これらの化合物は、1種のみを単独で用いても、2種以上を組み合わせても使用することができる。 Examples of the dispersion medium capable of satisfying the above conditions include 1, 2, 3, 4-tetrahydronaphthalene, hexylbenzene, heptylbenzene, cyclohexylbenzene, 1-methylnaphthalene, biphenyl, 2-ethylnaphthalene and 1-. Aromatic hydrocarbon compounds such as ethylnaphthalene, octylbenzene, diphenylmethane, 1,4-dimethylnaphthalene, nonylbenzene, isopropylbiphenyl, 3-ethylbiphenyl, dodecylbenzene, isopropyl benzoate, methyl 4-methylbenzoate, benzoic acid Aromatic ester compounds such as propyl, butyl benzoate, isopentyl benzoate, ethyl p-anisate, dimethyl phthalate, p-propylanisole, m-dimethoxybenzene, methyl 2-methoxybenzoate, 1,3-dipropoxybenzene , Diphenyl ether, 1-methoxynaphthalene, 3-phenoxytoluene, 2-ethoxynaphthalene, 1-ethoxynaphthalene and other aromatic ether compounds, 4'-methylacetophenone, 4'-ethylacetophenone, butylphenyl ketone and other aromatic compounds. Aromatic compounds such as ether compounds; amylvalerate, ethylrebrilate, γ-valerolactone, ethyl octanoate, γ-hexalactone, isoamylhexanate, amylhexanate, nonyl acetate, methyl decanoate, diethyl glutarate, Like γ-heptalactone, ε-caprolactone, octalactone, propylene carbonate, γ-nonanolactone, hexyl hexanoate, diisopropyl adipate, δ-nonanolactone, glycerol triacetic acid, δ-decanolactone, dipropyl adipate, δ-undecalactone. Aliphatic ester compounds, diethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate, dihexyl ether, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol dibutyl ether, diheptyl ether, aliphatic ethers such as dioctyl ether Aliphatic compounds such as compounds can be mentioned. These compounds can be used alone or in combination of two or more.

このような分散媒を用いる場合、分散剤の重量平均分子量は、250〜10,000程度がより好ましく、250〜5,000程度がさらに好ましい。かかる分散媒と分散剤とを組み合わせて用いることにより、V2/V1を1.3以下に比較的容易に調製することができる。また、重量平均分子量が250以上の分散剤を用いることにより、ナノ結晶の分散安定性をより向上させることができる。 When such a dispersion medium is used, the weight average molecular weight of the dispersant is more preferably about 250 to 10,000, and even more preferably about 250 to 5,000. By using such a dispersion medium and a dispersant in combination, V2 / V1 can be relatively easily prepared to 1.3 or less. Further, by using a dispersant having a weight average molecular weight of 250 or more, the dispersion stability of nanocrystals can be further improved.

また、分散媒としては、前述したような化合物の中でも、芳香族炭化水素化合物および芳香族エーテル化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。このような分散媒を用いることにより、分散剤の種類によらず、V2/V1を1.3以下に比較的容易に調製することができる。 Further, the dispersion medium preferably contains at least one selected from the group consisting of aromatic hydrocarbon compounds and aromatic ether compounds among the above-mentioned compounds. By using such a dispersion medium, V2 / V1 can be relatively easily prepared to 1.3 or less regardless of the type of dispersant.

<発光素子>
本発明の発光素子は、陽極および陰極(一対の電極)と、これらの間に設けられ、本発明のインクの乾燥物で構成された発光層と、発光層と陽極および陰極の少なくとも一方の電極との間に設けられた電荷輸送層とを備えている。
なお、電荷輸送層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層からなる群より選択される少なくとも1層を含むことが好ましい。また、本発明の発光素子は、さらに、封止部材等を備えてもよい。
<Light emitting element>
The light emitting element of the present invention includes an anode and a cathode (a pair of electrodes), a light emitting layer provided between them and composed of a dried product of the ink of the present invention, and at least one electrode of the light emitting layer and the anode and the cathode. It is provided with a charge transport layer provided between the and.
The charge transport layer preferably includes at least one layer selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. Further, the light emitting element of the present invention may further include a sealing member or the like.

図1は、本発明の発光素子の一実施形態を示す断面図である。
なお、図1では、便宜上、各部の寸法およびそれらの比率を誇張して示し、実際とは異なる場合がある。また、以下に示す材料、寸法等は一例であって、本発明は、それらに限定されず、その要旨を変更しない範囲で適宜変更することが可能である。
以下では、説明の都合上、図1の上側を「上側」または「上方」と、上側を「下側」または「下方」と言う。また、図1では、図面が煩雑になることを避けるため、断面を示すハッチングの記載を省略している。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a light emitting device of the present invention.
In FIG. 1, for convenience, the dimensions of each part and their ratios are exaggerated and may differ from the actual ones. In addition, the materials, dimensions, etc. shown below are examples, and the present invention is not limited thereto, and can be appropriately changed without changing the gist thereof.
Hereinafter, for convenience of explanation, the upper side of FIG. 1 is referred to as “upper side” or “upper side”, and the upper side is referred to as “lower side” or “lower side”. Further, in FIG. 1, in order to avoid complicating the drawing, the description of the hatching showing the cross section is omitted.

図1に示す発光素子1は、陽極2と、陰極3と、陽極2と陰極3との間に、陽極2側から順次積層された正孔注入層4、正孔輸送層5、発光層6、電子輸送層7および電子注入層8とを有している。
以下、各層について順次説明する。
The light emitting element 1 shown in FIG. 1 includes a hole injection layer 4, a hole transport layer 5, and a light emitting layer 6 which are sequentially laminated from the anode 2 side between the anode 2, the cathode 3, and the anode 2 and the cathode 3. , An electron transport layer 7 and an electron injection layer 8.
Hereinafter, each layer will be described in sequence.

[陽極2]
陽極2は、外部電源から発光層6に向かって正孔を供給する機能を有する。
陽極2の構成材料(陽極材料)としては、特に限定されないが、例えば、金(Au)のような金属、ヨウ化銅(CuI)のようなハロゲン化金属、インジウムスズ酸化物(ITO)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)のような金属酸化物等が挙げられる。これらは、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[Anode 2]
The anode 2 has a function of supplying holes from an external power source toward the light emitting layer 6.
The constituent material (anolyte material) of the anode 2 is not particularly limited, and for example, a metal such as gold (Au), a metal halide such as copper iodide (CuI), indium tin oxide (ITO), and oxidation. Examples thereof include metal oxides such as tin (SnO 2 ) and zinc oxide (ZnO). These may be used alone or in combination of two or more.

陽極2の厚さは、特に制限されないが、10〜1,000nm程度であることが好ましく、10〜200nm程度であることがより好ましい。
陽極2は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法のような乾式成膜法により形成することができる。この際、フォトリソグラフィー法やマスクを用いた方法により、所定のパターンを有する陽極2を形成してもよい。
The thickness of the anode 2 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 1,000 nm, and more preferably about 10 to 200 nm.
The anode 2 can be formed by, for example, a dry film forming method such as a vacuum deposition method or a sputtering method. At this time, the anode 2 having a predetermined pattern may be formed by a photolithography method or a method using a mask.

[陰極3]
陰極3は、外部電源から発光層6に向かって電子を供給する機能を有する。
陰極3の構成材料(陰極材料)としては、特に限定されないが、例えば、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、銀、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、希土類金属等が挙げられる。これらは、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[Cathode 3]
The cathode 3 has a function of supplying electrons from an external power source toward the light emitting layer 6.
The constituent material (cathode material) of the cathode 3 is not particularly limited, and for example, lithium, sodium, magnesium, aluminum, silver, sodium-potassium alloy, magnesium / aluminum mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / indium mixture, aluminum. / Aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, rare earth metals and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

陰極3の厚さは、特に限定されないが、0.1〜1,000nm程度であることが好ましく、1〜200nm程度であることがより好ましい。
陰極3は、例えば、蒸着法やスパッタリング法のような乾式成膜法により形成することができる。
The thickness of the cathode 3 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 1,000 nm, and more preferably about 1 to 200 nm.
The cathode 3 can be formed by, for example, a dry film forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method.

[正孔注入層4]
正孔注入層4は、陽極2から供給された正孔を受け取り、正孔輸送層5に注入する機能を有する。なお、正孔注入層4は、必要に応じて設けるようにすればよく、省略することもできる。
[Hole injection layer 4]
The hole injection layer 4 has a function of receiving the holes supplied from the anode 2 and injecting them into the hole transport layer 5. The hole injection layer 4 may be provided as needed, and may be omitted.

正孔注入層4の構成材料(正孔注入材料)としては、特に限定されないが、例えば、銅フタロシアニンのようなフタロシアニン化合物;4,4’,4’’−トリス[フェニル(m−トリル)アミノ]トリフェニルアミンのようなトリフェニルアミン誘導体;1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノ−キノジメタンのようなシアノ化合物;酸化バナジウム、酸化モリブデンのような金属酸化物;アモルファスカーボン;ポリアニリン(エメラルディン)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT−PSS)、ポリピロールのような高分子等が挙げられる。 The constituent material (hole injection material) of the hole injection layer 4 is not particularly limited, but for example, a phthalocyanine compound such as copper phthalocyanine; 4,4', 4''-tris [phenyl (m-tolyl) amino ] Triphenylamine derivatives such as triphenylamine; 1,4,5,8,9,12-hexazatriphenylene hexacarbonitrile, 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8- Cyano compounds such as tetracyano-quinodimethane; metal oxides such as vanadium oxide and molybdenum oxide; amorphous carbon; polyaniline (emeraldine), poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -poly (styrene sulfonic acid) (PEDOT -PSS), polymers such as polypyrrole, and the like.

これらの中でも、正孔注入材料としては、高分子であることが好ましく、PEDOT−PSSであることがより好ましい。
また、上述の正孔注入材料は、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Among these, as the hole injection material, a polymer is preferable, and PEDOT-PSS is more preferable.
Further, the hole injection material described above may be used alone or in combination of two or more.

正孔注入層4の厚さは、特に限定されないが、0.1〜500nm程度であることが好ましく、1〜300nm程度であることがより好ましく、2〜200nm程度であることがさらに好ましい。
正孔注入層4は、単層構成であっても、2層以上が積層された積層構成であってもよい。
このような正孔注入層4は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。
The thickness of the hole injection layer 4 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 500 nm, more preferably about 1 to 300 nm, and even more preferably about 2 to 200 nm.
The hole injection layer 4 may have a single-layer structure or a laminated structure in which two or more layers are laminated.
Such a hole injection layer 4 can be formed by a wet film forming method or a dry film forming method.

正孔注入層4を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の正孔注入材料を含有するインクを各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット法(液滴吐出法)、スピンコート法、キャスト法、LB法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、正孔注入層4を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等を好適に用いることができる。
When the hole injection layer 4 is formed by a wet film forming method, an ink containing the hole injection material described above is usually applied by various coating methods, and the obtained coating film is dried. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include an inkjet method (droplet ejection method), a spin coating method, a casting method, an LB method, a letterpress printing method, a gravure printing method, a screen printing method, and a nozzle printing printing method. Be done.
On the other hand, when the hole injection layer 4 is formed by a dry film forming method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method or the like can be preferably used.

[正孔輸送層5]
正孔輸送層5は、正孔注入層4から正孔を受け取り、発光層6まで効率的に輸送する機能を有する。また、正孔輸送層4は、電子の輸送を防止する機能を有していてもよい。なお、正孔輸送層5は、必要に応じて設けるようにすればよく、省略することもできる。
[Hole transport layer 5]
The hole transport layer 5 has a function of receiving holes from the hole injection layer 4 and efficiently transporting them to the light emitting layer 6. Further, the hole transport layer 4 may have a function of preventing the transport of electrons. The hole transport layer 5 may be provided as needed, and may be omitted.

正孔輸送層5の構成材料(正孔輸送材料)としては、特に限定されないが、例えば、TPD(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’ジアミン)、α−NPD(4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル)、m−MTDATA(4、4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン)のような低分子トリフェニルアミン誘導体;ポリビニルカルバゾール;ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン](poly−TPA)、ポリフルオレン(PF)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(Poly−TPD)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−コー(4,4’−(N−(sec−ブチルフェニル)ジフェニルアミン))(TFB)、ポリフェニレンビニレン(PPV)のような共役系化合物重合体;およびこれらのモノマー単位を含む共重合体等が挙げられる。 The constituent material (hole transport material) of the hole transport layer 5 is not particularly limited, but for example, TPD (N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -1,1'. -Biphenyl-4,4'diamine), α-NPD (4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl), m-MTDATA (4,4', 4''- Low molecular weight triphenylamine derivatives such as tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine); polyvinylcarbazole; poly [N, N'-bis (4-butylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -Benzidine] (poly-TPA), polyfluorene (PF), poly [N, N'-bis (4-butylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine (Poly-TPD), poly [( Conjugated compounds such as 9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) -co (4,4'-(N- (sec-butylphenyl) diphenylamine)) (TFB), polyphenylene vinylene (PPV). Polymers; and copolymers containing these monomer units and the like.

これらの中でも、正孔輸送材料としては、トリフェニルアミン誘導体、置換基が導入されたトリフェニルアミン誘導体を重合することにより得られた高分子化合物であることが好ましく、置換基が導入されたトリフェニルアミン誘導体を重合することにより得られた高分子化合物であることがより好ましい。
また、上述の正孔輸送材料は、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Among these, the hole transporting material is preferably a triphenylamine derivative or a polymer compound obtained by polymerizing a triphenylamine derivative into which a substituent has been introduced, and a triphenylamine having a substituent introduced therein. More preferably, it is a high molecular compound obtained by polymerizing a phenylamine derivative.
Further, the hole transporting material described above may be used alone or in combination of two or more.

正孔輸送層5の厚さは、特に限定されないが、1〜500nm程度であることが好ましく、5〜300nm程度であることがより好ましく、10〜200nm程度であることがさらに好ましい。
正孔輸送層5は、単層構成であっても、2層以上が積層された積層構成であってもよい。
このような正孔輸送層5は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。
The thickness of the hole transport layer 5 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 500 nm, more preferably about 5 to 300 nm, and even more preferably about 10 to 200 nm.
The hole transport layer 5 may have a single-layer structure or a laminated structure in which two or more layers are laminated.
Such a hole transport layer 5 can be formed by a wet film forming method or a dry film forming method.

正孔輸送層5を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の正孔輸送材料を含有するインクを各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット法(液滴吐出法)、スピンコート法、キャスト法、LB法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、正孔輸送層5を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等を好適に用いることができる。
When the hole transport layer 5 is formed by a wet film forming method, an ink containing the hole transport material described above is usually applied by various coating methods, and the obtained coating film is dried. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include an inkjet method (droplet ejection method), a spin coating method, a casting method, an LB method, a letterpress printing method, a gravure printing method, a screen printing method, and a nozzle printing printing method. Be done.
On the other hand, when the hole transport layer 5 is formed by a dry film forming method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method or the like can be preferably used.

[電子注入層8]
電子注入層8は、陰極3から供給された電子を受け取り、電子輸送層7に注入する機能を有する。なお、電子注入層8は、必要に応じて設けるようにすればよく、省略することもできる。
[Electron injection layer 8]
The electron injection layer 8 has a function of receiving the electrons supplied from the cathode 3 and injecting them into the electron transport layer 7. The electron injection layer 8 may be provided as needed, and may be omitted.

電子注入層8の構成材料(電子注入材料)としては、特に制限されないが、例えば、LiO、LiO、NaS、NaSe、NaOのようなアルカリ金属カルコゲナイド;CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、MgO、CaSeのようなアルカリ土類金属カルコゲナイド;CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaClのようなアルカリ金属ハライド;8−ヒドロキシキノリノラトリチウム(Liq)のようなアルカリ金属塩;CaF、BaF、SrF、MgF、BeFのようなアルカリ土類金属ハライド等が挙げられる。The constituent material (electron injection material) of the electron injection layer 8 is not particularly limited, and for example, alkali metal chalcogenides such as Li 2 O, LiO, Na 2 S, Na 2 Se, and NaO; CaO, BaO, SrO, Alkaline earth metal chalcogenides such as BeO, BaS, MgO, CaSe; alkali metal halides such as CsF, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl, NaCl; alkalis such as 8-hydroxyquinolinolatritium (Liq) Metal salts; examples include alkaline earth metal halides such as CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 , and BeF 2 .

これらの中でも、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属ハライド、アルカリ金属塩であることが好ましい。
また、上述の電子注入材料は、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Among these, alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal halides, and alkali metal salts are preferable.
Further, the above-mentioned electron injection material may be used alone or in combination of two or more.

電子注入層8の厚さは、特に限定されないが、0.1〜100nm程度であることが好ましく、0.2〜50nm程度であることがより好ましく、0.5〜10nm程度であることがさらに好ましい。
電子注入層8は、単層構成であっても、2層以上が積層された積層構成であってもよい。
このような電子注入層8は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。
The thickness of the electron injection layer 8 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 100 nm, more preferably about 0.2 to 50 nm, and further preferably about 0.5 to 10 nm. preferable.
The electron injection layer 8 may have a single-layer structure or a laminated structure in which two or more layers are laminated.
Such an electron injection layer 8 can be formed by a wet film forming method or a dry film forming method.

電子注入層8を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の電子注入材料を含有するインクを各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット法(液滴吐出法)、スピンコート法、キャスト法、LB法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、電子注入層8を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等が適用され得る。
When the electron injection layer 8 is formed by a wet film forming method, an ink containing the above-mentioned electron injection material is usually applied by various coating methods, and the obtained coating film is dried. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include an inkjet method (droplet ejection method), a spin coating method, a casting method, an LB method, a letterpress printing method, a gravure printing method, a screen printing method, and a nozzle printing printing method. Be done.
On the other hand, when the electron injection layer 8 is formed by a dry film forming method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method or the like can be applied.

[電子輸送層7]
電子輸送層7は、電子注入層8から電子を受け取り、発光層6まで効率的に輸送する機能を有する。また、電子輸送層7は、正孔の輸送を防止する機能を有していてもよい。なお、電子輸送層7は、必要に応じて設けるようにすればよく、省略することもできる。
[Electron transport layer 7]
The electron transport layer 7 has a function of receiving electrons from the electron injection layer 8 and efficiently transporting them to the light emitting layer 6. Further, the electron transport layer 7 may have a function of preventing the transport of holes. The electron transport layer 7 may be provided as needed, and may be omitted.

電子輸送層7の構成材料(電子輸送材料)としては、特に制限されないが、例えば、トリス(8−キノリラート)アルミニウム(Alq3)、トリス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム(Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム(BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(p−フェニルフェノラート)アルミニウム(BAlq)、ビス(8−キノリノラート)亜鉛(Znq)のようなキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体;ビス[2−(2’−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラート]亜鉛(Zn(BOX)2)のようなベンズオキサゾリン骨格を有する金属錯体;ビス[2−(2’−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラート]亜鉛(Zn(BTZ)2)のようなベンゾチアゾリン骨格を有する金属錯体;2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(TAZ)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(OXD−7)、9−[4−(5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル)フェニル]カルバゾール(CO11)のようなトリまたはジアゾール誘導体;2,2’,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール)(TPBI)、2−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]−1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール(mDBTBIm−II)のようなイミダゾール誘導体;キノリン誘導体;ペリレン誘導体;4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BPhen)のようなピリジン誘導体;ピリミジン誘導体;トリアジン誘導体;キノキサリン誘導体;ジフェニルキノン誘導体;ニトロ置換フルオレン誘導体;酸化亜鉛(ZnO)、酸化チタン(TiO)のような金属酸化物等が挙げられる。The constituent material (electron transport material) of the electron transport layer 7 is not particularly limited, and for example, tris (8-quinolinate) aluminum (Alq3), tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (Almq3), bis ( Kinolins such as 10-hydroxybenzo [h] quinolinate) berylium (BeBq2), bis (2-methyl-8-quinolinolate) (p-phenylphenolate) aluminum (BAlq), bis (8-quinolinolate) zinc (Znq) Metal derivatives with skeleton or benzoquinolin skeleton; metal complexes with benzoxazoline skeleton such as bis [2- (2'-hydroxyphenyl) benzoxazolate] zinc (Zn (BOX) 2); bis [2-( 2'-Hydroxyphenyl) benzothiazolate] A metal complex having a benzothiazolin skeleton such as zinc (Zn (BTZ) 2); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1 , 3,4-Oxaziazole (PBD), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ), 1,3- Bis [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (OXD-7), 9- [4- (5-phenyl-1,3,4-) Oxaziazole-2-yl) phenyl] Tri or diazole derivatives such as carbazole (CO11); 2,2', 2''-(1,3,5-benzenetriyl) tris (1-phenyl-1H-) Imidazole derivatives such as benzoimidazole) (TPBI), 2- [3- (dibenzothiophen-4-yl) phenyl] -1-phenyl-1H-benzoimidazole (mDBTBIm-II); quinoline derivatives; perylene derivatives; 4, Pyridine derivatives such as 7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); pyrimidine derivatives; triazine derivatives; quinoxaline derivatives; diphenylquinone derivatives; nitro-substituted fluorene derivatives; zinc oxide (ZnO), titanium oxide (TiO 2 ) Metal oxides and the like.

これらの中でも、電子輸送材料としては、イミダゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、金属酸化物(無機酸化物)であることが好ましい。
また、上述の電子輸送材料は、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
電子輸送層7の厚さは、特に限定されないが、5〜500nm程度であることが好ましく、5〜200nm程度であることがより好ましい。
電子輸送層7は、単層であっても、2以上が積層されたものであってもよい。
このような電子輸送層7は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。
Among these, the electron transport material is preferably an imidazole derivative, a pyridine derivative, a pyrimidine derivative, a triazine derivative, or a metal oxide (inorganic oxide).
Further, the above-mentioned electron transport materials may be used alone or in combination of two or more.
The thickness of the electron transport layer 7 is not particularly limited, but is preferably about 5 to 500 nm, and more preferably about 5 to 200 nm.
The electron transport layer 7 may be a single layer or a stack of two or more.
Such an electron transport layer 7 can be formed by a wet film forming method or a dry film forming method.

電子輸送層7を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の電子輸送材料を含有するインクを各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット法(液滴吐出法)、スピンコート法、キャスト法、LB法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、電子輸送層7を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等が適用されうる。
When the electron transport layer 7 is formed by a wet film forming method, an ink containing the above-mentioned electron transport material is usually applied by various coating methods, and the obtained coating film is dried. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include an inkjet method (droplet ejection method), a spin coating method, a casting method, an LB method, a letterpress printing method, a gravure printing method, a screen printing method, and a nozzle printing printing method. Be done.
On the other hand, when the electron transport layer 7 is formed by a dry film forming method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method or the like can be applied.

[発光層6]
発光層6は、発光層6に注入された正孔および電子の再結合により生じるエネルギーを利用して発光を生じさせる機能を有する。
発光層6は、本発明のインクの乾燥物で構成される。したがって、発光層6中には、ナノ結晶が均一に分散して存在するため、発光層6は、優れた発光効率を有する。
[Light emitting layer 6]
The light emitting layer 6 has a function of generating light emission by utilizing the energy generated by the recombination of holes and electrons injected into the light emitting layer 6.
The light emitting layer 6 is composed of a dried product of the ink of the present invention. Therefore, since the nanocrystals are uniformly dispersed and present in the light emitting layer 6, the light emitting layer 6 has excellent luminous efficiency.

発光層6の厚さは、特に限定されないが、1〜100nm程度であることが好ましく、1〜50nm程度であることがより好ましい。
発光層8は、湿式成膜法により形成することができ、本発明のインクを、液滴吐出法を用いて供給し、得られた塗膜を乾燥する。
The thickness of the light emitting layer 6 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 100 nm, and more preferably about 1 to 50 nm.
The light emitting layer 8 can be formed by a wet film forming method, the ink of the present invention is supplied by using a droplet ejection method, and the obtained coating film is dried.

なお、発光素子1は、さらに、例えば、正孔注入層4、正孔輸送層5および発光層6を区画するバンク(隔壁)を有していてもよい。
バンクの高さは、特に限定されないが、0.1〜5μm程度であることが好ましく、0.2〜4μm程度であることがより好ましく、0.2〜3μm程度であることがさらに好ましい。
The light emitting element 1 may further have, for example, a bank (partition wall) for partitioning the hole injection layer 4, the hole transport layer 5, and the light emitting layer 6.
The height of the bank is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 5 μm, more preferably about 0.2 to 4 μm, and even more preferably about 0.2 to 3 μm.

バンクの開口の幅は、10〜200μm程度であることが好ましく、30〜200μm程度であることがより好ましく、50〜100μm程度であることがさらに好ましい。
バンクの開口の長さは、10〜400μm程度であることが好ましく、20〜200μm程度であることがより好ましく、50〜200μm程度であることがさらに好ましい。
また、バンクの傾斜角度は、10〜100°程度であることが好ましく、10〜90°程度であることがより好ましく、10〜80°程度であることがさらに好ましい。
The width of the opening of the bank is preferably about 10 to 200 μm, more preferably about 30 to 200 μm, and even more preferably about 50 to 100 μm.
The length of the opening of the bank is preferably about 10 to 400 μm, more preferably about 20 to 200 μm, and even more preferably about 50 to 200 μm.
The inclination angle of the bank is preferably about 10 to 100 °, more preferably about 10 to 90 °, and even more preferably about 10 to 80 °.

<発光素子の製造方法>
発光素子の製造方法は、前述したようなインクを支持体上に、液滴吐出法(インクジェット法)を用いて供給して塗膜を形成し、塗膜を乾燥することにより発光層を形成する工程(以下、「発光層形成工程」とも称する)を有している。
支持体は、図1に示す構成では、正孔輸送層5または電子輸送層7であるが、製造目的の発光素子によって異なる。
<Manufacturing method of light emitting element>
In the method for manufacturing a light emitting element, the ink as described above is supplied onto a support by using a droplet ejection method (injection method) to form a coating film, and the coating film is dried to form a light emitting layer. It has a step (hereinafter, also referred to as a "light emitting layer forming step").
In the configuration shown in FIG. 1, the support is a hole transport layer 5 or an electron transport layer 7, but it differs depending on the light emitting element for manufacturing purposes.

例えば、陽極、正孔輸送層、発光層および陰極で構成される発光素子を製造する場合には、支持体は、正孔輸送層または陰極である。また、陽極、正孔注入層、発光層、電子注入層および陰極で構成される発光素子を製造する場合には、支持体は、正孔注入層または電子注入層である。
このように、支持体としては、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層または陰極であり得る。なお、支持体は、好ましくは陽極、正孔注入層または正孔輸送層であり、より好ましくは正孔注入層または正孔輸送層であり、さらに好ましくは正孔輸送層である。
For example, in the case of manufacturing a light emitting device composed of an anode, a hole transport layer, a light emitting layer and a cathode, the support is a hole transport layer or a cathode. Further, in the case of manufacturing a light emitting device composed of an anode, a hole injection layer, a light emitting layer, an electron injection layer and a cathode, the support is a hole injection layer or an electron injection layer.
As described above, the support may be an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer or a cathode. The support is preferably an anode, a hole injection layer or a hole transport layer, more preferably a hole injection layer or a hole transport layer, and even more preferably a hole transport layer.

なお、支持体には、前述したようなバンクを形成してもよい。バンクを形成することにより、支持体上の所望の箇所にのみ発光層6を形成することができる。
液滴吐出法では、本発明のインクを液滴吐出ヘッドのノズル孔から間欠的に支持体上に所定のパターンで吐出する。液滴吐出法によれば、高い自由度で描画パターニングを行うことができる。中でも、ピエゾ方式の液滴吐出法によれば、分散媒の選択性を高めることができるとともに、インクに対する熱負荷を低減することができる。
The support may be formed with a bank as described above. By forming the bank, the light emitting layer 6 can be formed only at a desired portion on the support.
In the droplet ejection method, the ink of the present invention is intermittently ejected from the nozzle hole of the droplet ejection head onto the support in a predetermined pattern. According to the droplet ejection method, drawing patterning can be performed with a high degree of freedom. Above all, according to the piezo type droplet ejection method, the selectivity of the dispersion medium can be improved and the heat load on the ink can be reduced.

この際、インクの吐出量は、特に限定されないが、1〜50pL/回であることが好ましく、1〜30pL/回であることがより好ましく、1〜20pL/回であることがさらに好ましい。
また、ノズル孔の開口径は、5〜50μm程度であることが好ましく、10〜30μm程度であることがより好ましい。これにより、ノズル孔の目詰まりを防止しつつ、吐出精度を高めることができる。
At this time, the ejection amount of the ink is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 pL / time, more preferably 1 to 30 pL / time, and further preferably 1 to 20 pL / time.
The opening diameter of the nozzle hole is preferably about 5 to 50 μm, more preferably about 10 to 30 μm. As a result, the ejection accuracy can be improved while preventing the nozzle hole from being clogged.

塗膜を形成する際の温度は、特に限定されないが、10〜50℃程度であることが好ましく、15〜40℃程度であることがより好ましく、15〜30℃程度であることがさらに好ましい。かかる温度で液滴を吐出するようにすれば、インク中に含まれる各種成分((ナノ結晶、分散剤、電荷輸送材料等)の結晶化を抑制することができる。 The temperature at which the coating film is formed is not particularly limited, but is preferably about 10 to 50 ° C., more preferably about 15 to 40 ° C., and even more preferably about 15 to 30 ° C. By ejecting the droplets at such a temperature, it is possible to suppress the crystallization of various components ((nanocrystals, dispersants, charge transport materials, etc.) contained in the ink).

また、塗膜を形成する際の相対湿度も、特に限定されないが、0.01ppm〜80%程度であることが好ましく、0.05ppm〜60%程度であることがより好ましく、0.1ppm〜15%程度であることがさらに好ましく、1ppm〜1%程度であることが特に好ましく、5〜100ppm程度であることが最も好ましい。
相対湿度が前記下限値以上であると、塗膜を形成する際の条件の制御が容易となることから好ましい。一方、相対湿度が前記上限値以下であると、得られる発光層6に悪影響を及ぼし得る塗膜に吸着する水分量を低減することができることから好ましい。
The relative humidity at the time of forming the coating film is also not particularly limited, but is preferably about 0.01 ppm to 80%, more preferably about 0.05 ppm to 60%, and 0.1 ppm to 15%. It is more preferably about%, particularly preferably about 1 ppm to 1%, and most preferably about 5 to 100 ppm.
When the relative humidity is at least the above lower limit value, it is preferable because the conditions for forming the coating film can be easily controlled. On the other hand, when the relative humidity is not more than the upper limit value, the amount of water adsorbed on the coating film which may adversely affect the obtained light emitting layer 6 can be reduced, which is preferable.

得られた塗膜を乾燥することにより、発光層6が得られる。
乾燥は、室温(25℃)で放置して行っても、加熱することにより行ってもよい。乾燥を加熱により行う場合、乾燥温度は、特に限定されないが、40〜150℃程度であることが好ましく、40〜120℃程度であることがより好ましい。
The light emitting layer 6 is obtained by drying the obtained coating film.
The drying may be carried out by leaving it at room temperature (25 ° C.) or by heating it. When the drying is carried out by heating, the drying temperature is not particularly limited, but is preferably about 40 to 150 ° C., and more preferably about 40 to 120 ° C.

また、乾燥は、減圧下で行うことが好ましく、0.001〜100Paの減圧下で行うことがより好ましい。
さらに、乾燥時間は、1〜90分であることが好ましく、1〜30分であることがより好ましい。
Further, the drying is preferably performed under reduced pressure, more preferably under reduced pressure of 0.001 to 100 Pa.
Further, the drying time is preferably 1 to 90 minutes, more preferably 1 to 30 minutes.

以上、本発明のインクおよび発光素子について説明したが、本発明は、前述した実施形態の構成に限定されるものではない。
例えば、本発明のインクおよび発光素子は、それぞれ、前述した実施形態に構成において、他の任意の構成を追加して有していてもよいし、同様の機能を発揮する任意の構成と置換されていてよい。
また、本発明のインクは、ノズルプリント印刷法によりノズル孔から液柱としてストライプ状に塗布するインクとしても好適に用いることができる。
Although the ink and the light emitting device of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the configuration of the above-described embodiment.
For example, the ink and the light emitting element of the present invention may each have an additional arbitrary configuration in the configuration described above, or may be replaced with an arbitrary configuration exhibiting the same function. You may be.
In addition, the ink of the present invention can also be suitably used as an ink that is applied in stripes as a liquid column from a nozzle hole by a nozzle print printing method.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
1.ナノ結晶の製造
1−1.コアの製造
1000mLのフラスコに、酢酸インジウム17.48gと、トリオクチルホスフィンオキサイド25.0gと、ラウリン酸35.98gとを仕込み、混合液を得た。この混合液を、窒素ガスでバブリングしながら160℃で40分撹拌した。
さらに、混合液を250℃で20分間撹拌した後、300℃まで加熱して、この温度で撹拌を続けた。
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
1. 1. Manufacture of nanocrystals 1-1. Preparation of Core A mixture was obtained by charging 17.48 g of indium acetate, 25.0 g of trioctylphosphine oxide, and 35.98 g of lauric acid in a 1000 mL flask. The mixture was stirred at 160 ° C. for 40 minutes while bubbling with nitrogen gas.
Further, the mixed solution was stirred at 250 ° C. for 20 minutes, then heated to 300 ° C., and stirring was continued at this temperature.

次に、窒素雰囲気下でトリス(トリメチルシリル)ホスフィン4.0gをトリオクチルホスフィン15.0gに溶解させ、溶解液を得た後、ガラス注射器に充填した。この溶解液を300℃に保たれたフラスコ内の混合液に注入し、250℃で10分間反応させ、反応液を得た。
さらに、窒素雰囲気下でトリス(トリメチルシリル)ホスフィン7.5gをトリオクチルホスフィン30.0gに溶解させ、溶解液を得た後、この溶解液5mLを上記反応液に12分間かけ滴下し、その後、使い切るまで15分間隔で5mLずつ反応液に加えた。
Next, 4.0 g of tris (trimethylsilyl) phosphine was dissolved in 15.0 g of trioctylphosphine under a nitrogen atmosphere to obtain a solution, which was then filled in a glass syringe. This solution was poured into a mixed solution in a flask kept at 300 ° C. and reacted at 250 ° C. for 10 minutes to obtain a reaction solution.
Further, 7.5 g of tris (trimethylsilyl) phosphine was dissolved in 30.0 g of trioctylphosphine under a nitrogen atmosphere to obtain a solution, and then 5 mL of this solution was added dropwise to the above reaction solution over 12 minutes, and then used up. 5 mL each was added to the reaction solution at intervals of 15 minutes.

別の三口フラスコに、酢酸インジウム5.595gと、トリオクチルホスフィンオキシド10.0gと、ラウリン酸11.515gとを仕込み、混合液を得た。この混合液を、窒素ガスでバブリングしながら160℃で40分撹拌した。
さらに、混合液を250℃で20分間撹拌、300℃まで加熱した後、70℃まで冷却し、冷却された混合液を前記反応液に加えた。
To another three-necked flask, 5.595 g of indium acetate, 10.0 g of trioctylphosphine oxide, and 11.515 g of lauric acid were charged to obtain a mixed solution. The mixture was stirred at 160 ° C. for 40 minutes while bubbling with nitrogen gas.
Further, the mixed solution was stirred at 250 ° C. for 20 minutes, heated to 300 ° C., cooled to 70 ° C., and the cooled mixed solution was added to the reaction solution.

グローブボックス内で、トリス(トリメチルシリル)ホスフィン4.0gをトリオクチルホスフィン15.0gに溶解させ、溶解液を得た。この溶解液5mLを再度、前記反応液に12分間かけ滴下し、その後、使い切るまで15分間隔で5mLずつ反応液に加えた。
反応液の攪拌を1時間維持し、室温まで冷却した後、反応液にトルエン100mLとエタノール400mLとを加えて、微粒子を凝集させた。
In the glove box, 4.0 g of tris (trimethylsilyl) phosphine was dissolved in 15.0 g of trioctylphosphine to obtain a lysate. 5 mL of this solution was added dropwise to the reaction solution over 12 minutes, and then 5 mL each was added to the reaction solution at intervals of 15 minutes until it was used up.
Stirring of the reaction solution was maintained for 1 hour, and after cooling to room temperature, 100 mL of toluene and 400 mL of ethanol were added to the reaction solution to aggregate the fine particles.

次に、遠心分離機を用いて、反応液中で微粒子を沈殿させた後、上澄み液を廃棄し、沈殿した微粒子をトリオクチルホスフィンに添加した。これにより、赤色発光性のリン化インジウム(InP)ナノ結晶で構成されるコアを含むトリオクチルホスフィン分散液を得た。 Next, the fine particles were precipitated in the reaction solution using a centrifuge, the supernatant was discarded, and the precipitated fine particles were added to trioctylphosphine. As a result, a trioctylphosphine dispersion containing a core composed of red-emitting indium phosphide (InP) nanocrystals was obtained.

1−2.シェルによるコアの被覆
まず、1000mLのフラスコに、得られたコアを含むトリオクチルホスフィン分散液がコア3.6g、トリオクチルホスフィン90gになるよう調整した。その後、分散液に窒素雰囲気下、トリオクチルホスフィンオキシド90gと、ラウリン酸30gとを加え、80℃まで過熱攪拌した。
別途、窒素雰囲気下で1Mのジエチル亜鉛のヘキサン溶液42.9mLと、9.09質量%のビストリメチルシリルスルフィドのトリオクチルホスフィン溶液92.49gとを、トリオクチルホスフィン162gに混合して、混合液を作製した。
1-2. Covering the core with a shell First, the trioctylphosphine dispersion containing the obtained core was adjusted to 3.6 g of core and 90 g of trioctylphosphine in a 1000 mL flask. Then, 90 g of trioctylphosphine oxide and 30 g of lauric acid were added to the dispersion under a nitrogen atmosphere, and the mixture was heated and stirred to 80 ° C.
Separately, 42.9 mL of a hexane solution of 1M diethylzinc and 92.49 g of a trioctylphosphine solution of 9.09% by mass of bistrimethylsilylsulfide were mixed with 162 g of trioctylphosphine under a nitrogen atmosphere to prepare a mixed solution. Made.

次に、この混合液を前記フラスコ内の分散液に15mLを添加し、その後、180℃までの昇温の間に、10分ごとに15mLの混合液を添加し続けた。最後の混合液の分散液への添加が終了後、さらに10分間反応液の温度を維持し、反応を終了させて、反応液を得た。
反応終了後、反応液を常温まで冷却させ、トルエン500mLとエタノール2000mLとを反応液に加えて、シェルでコアを被覆してなるナノ結晶を沈殿させた。
Next, 15 mL of this mixed solution was added to the dispersion in the flask, and then 15 mL of the mixed solution was continuously added every 10 minutes while the temperature was raised to 180 ° C. After the addition of the final mixed solution to the dispersion was completed, the temperature of the reaction solution was maintained for another 10 minutes, and the reaction was terminated to obtain a reaction solution.
After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, 500 mL of toluene and 2000 mL of ethanol were added to the reaction solution, and nanocrystals formed by coating the core with a shell were precipitated.

次に、遠心分離機を用い、反応液中でナノ結晶を沈殿させた後、デカンテーションを行い、不純物を除去して、沈殿物を得た。その後、ナノ結晶の含有量が20質量%となるように、沈殿物を再度トルエンに溶解させた。これにより、ZnSのシェルとInPのコアとを備えるナノ結晶のトルエン分散液を得た。 Next, the nanocrystals were precipitated in the reaction solution using a centrifuge, and then decantation was performed to remove impurities to obtain a precipitate. Then, the precipitate was dissolved again in toluene so that the content of the nanocrystals was 20% by mass. As a result, a nanocrystal toluene dispersion having a ZnS shell and an InP core was obtained.

2.ナノ結晶への分散剤の担持
(QD−Aの作製)
まず、オレイルアミン(分子量:267)をトルエンに溶解させ、オレイルアミンのトルエン溶液を得た。
2. Supporting dispersant on nanocrystals (preparation of QD-A)
First, oleylamine (molecular weight: 267) was dissolved in toluene to obtain a toluene solution of oleylamine.

次に、アルゴン雰囲気下、室温(25℃)にて、ナノ結晶のトルエン分散液へ、分散剤であるオレイルアミンのトルエン溶液を滴下して、反応液を得た。この反応液を12時間攪拌した後、アルゴンガス雰囲気から大気雰囲気へ変更した。その後、反応液に蒸発飛散した量と同量のトルエンを添加した後、適量のエタノールを滴下した。 Next, a toluene solution of oleylamine, which is a dispersant, was added dropwise to the toluene dispersion of nanocrystals at room temperature (25 ° C.) under an argon atmosphere to obtain a reaction solution. After stirring this reaction solution for 12 hours, the atmosphere was changed from an argon gas atmosphere to an atmospheric atmosphere. Then, the same amount of toluene as the amount evaporated and scattered was added to the reaction solution, and then an appropriate amount of ethanol was added dropwise.

次に、遠心分離によって沈殿物を反応液から分離した。さらに、得られた沈殿物をトルエンと混合して分散液とした。この分散液にエタノールを滴下することにより再沈殿させ、精製された沈殿物が沈殿した再沈殿液を得た。得られた再沈殿液を遠心分離した後、濾取することにより、オレイルアミンが担持されたナノ結晶(QD−A)を得た。 The precipitate was then separated from the reaction by centrifugation. Further, the obtained precipitate was mixed with toluene to prepare a dispersion. Ethanol was added dropwise to this dispersion to reprecipitate, and a reprecipitated solution in which the purified precipitate was precipitated was obtained. The obtained reprecipitated solution was centrifuged and then collected by filtration to obtain nanocrystals (QD-A) carrying oleylamine.

(QD−Bの作製)
オレイルアミンをグルタチオン酸(分子量:307)に変更したこと以外は、前記QD−Aの作製と同様にして、グルタチオン酸が担持されたナノ結晶(QD−B)を得た。
(Preparation of QD-B)
Glutathione-supported nanocrystals (QD-B) were obtained in the same manner as in the preparation of QD-A, except that oleylamine was changed to glutathionic acid (molecular weight: 307).

(QD−Cの作製)
オレイルアミンを分散剤L1(分子量:864)に変更したこと以外は、前記QD−Aの作製と同様にして、分散剤L1が担持されたナノ結晶(QD−C)を得た。
(Preparation of QD-C)
Nanocrystals (QD-C) carrying the dispersant L1 were obtained in the same manner as in the preparation of QD-A, except that the oleylamine was changed to the dispersant L1 (molecular weight: 864).

Figure 2019065346
Figure 2019065346

(QD−Dの作製)
オレイルアミンを分散剤L2(重量平均分子量:5,000)に変更したこと以外は、前記QD−Aの作製と同様にして、分散剤L2が担持されたナノ結晶(QD−D)を得た。
(Preparation of QD-D)
Nanocrystals (QD-D) carrying the dispersant L2 were obtained in the same manner as in the preparation of QD-A, except that the oleylamine was changed to the dispersant L2 (weight average molecular weight: 5,000).

Figure 2019065346
Figure 2019065346

(QD−Eの作製)
オレイルアミンを分散剤L3(重量平均分子量:10,000)に変更したこと以外は、前記QD−Aの作製と同様にして、分散剤L3が担持されたナノ結晶(QD−E)を得た。
(Preparation of QD-E)
Nanocrystals (QD-E) carrying the dispersant L3 were obtained in the same manner as in the preparation of QD-A, except that the oleylamine was changed to the dispersant L3 (weight average molecular weight: 10,000).

Figure 2019065346
Figure 2019065346

(QD−Fの作製)
オレイルアミンを分散剤L4(重量平均分子量:50,000)に変更したこと以外は、前記QD−Aの作製と同様にして、分散剤L4が担持されたナノ結晶(QD−F)を得た。
(Preparation of QD-F)
Nanocrystals (QD-F) carrying the dispersant L4 were obtained in the same manner as in the preparation of QD-A, except that the oleylamine was changed to the dispersant L4 (weight average molecular weight: 50,000).

Figure 2019065346
Figure 2019065346

なお、上記QD−A〜Fのそれぞれから複数のサンプルを取り出し、各サンプルを熱分解質量計で燃焼させ、その際の重量減少量を求めた。その結果、分散剤の担持量は、ナノ結晶100質量%に対して10〜30質量%程度であった。 A plurality of samples were taken out from each of the above QD-A to F, and each sample was burned with a pyrolysis mass meter, and the amount of weight loss at that time was determined. As a result, the amount of the dispersant supported was about 10 to 30% by mass with respect to 100% by mass of the nanocrystals.

3.インクの調製
(実施例1)
1.0質量%になるように、上記QD−Aを安息香酸ブチルに分散させることにより、インクを調製した。
(実施例2)
安息香酸ブチルを1−メトシキナフタレンに変更したこと以外は、前記実施例1と同様にして、インクを調製した。
3. 3. Ink preparation (Example 1)
The ink was prepared by dispersing the above QD-A in butyl benzoate so as to be 1.0% by mass.
(Example 2)
Inks were prepared in the same manner as in Example 1 above, except that butyl benzoate was changed to 1-methocyquinaphthalene.

(実施例3)
安息香酸ブチルをジエチレングリコールジブチルエーテルに変更したこと以外は、前記実施例1と同様にして、インクを調製した。
(実施例4)
安息香酸ブチルをシクロヘキシルベンゼンに変更したこと以外は、前記実施例1と同様にして、インクを調製した。
(Example 3)
An ink was prepared in the same manner as in Example 1 above, except that butyl benzoate was changed to diethylene glycol dibutyl ether.
(Example 4)
An ink was prepared in the same manner as in Example 1 above, except that butyl benzoate was changed to cyclohexylbenzene.

(実施例5、6、比較例1、2)
QD−Aを上記QD−Bに変更したこと以外は、前記実施例1〜4と同様にして、インクを調製した。
(実施例7〜9、比較例3)
QD−Aを上記QD−Cに変更したこと以外は、前記実施例1〜4と同様にして、インクを調製した。
(Examples 5 and 6, Comparative Examples 1 and 2)
Inks were prepared in the same manner as in Examples 1 to 4 except that QD-A was changed to QD-B.
(Examples 7 to 9, Comparative Example 3)
Inks were prepared in the same manner as in Examples 1 to 4 except that QD-A was changed to QD-C.

(実施例10〜13)
QD−Aを上記QD−Dに変更したこと以外は、前記実施例1〜4と同様にして、インクを調製した。
(実施例14、15、比較例4、5)
QD−Aを上記QD−Eに変更したこと以外は、前記実施例1〜4と同様にして、インクを調製した。
(Examples 10 to 13)
Inks were prepared in the same manner as in Examples 1 to 4 except that QD-A was changed to QD-D.
(Examples 14 and 15, Comparative Examples 4 and 5)
Inks were prepared in the same manner as in Examples 1 to 4 except that QD-A was changed to QD-E.

(比較例6〜9)
QD−Aを上記QD−Fに変更したこと以外は、前記実施例1〜4と同様にして、インクを調製した。
なお、分散媒および得られたインクの粘度(25℃)は、粘度測定装置(MCR102、AntonPaar社製)を用いて測定した。
(Comparative Examples 6-9)
Inks were prepared in the same manner as in Examples 1 to 4 except that QD-A was changed to QD-F.
The viscosity (25 ° C.) of the dispersion medium and the obtained ink was measured using a viscosity measuring device (MCR102, manufactured by AntonioPaar).

4.評価
各実施例および各比較例で得られたインクについて、以下の評価を行った。
4−1.吐出安定性の評価
まず、ITOがストライプ状にパターニングされたガラス基板(40mm×70mm)上に、フッ素界面活性剤を添加したポジ型フォトレジストをスピンコートした。その後、ポジ型フォトレジストに対して、フォトリソグラフィーによるパターニングにより、縦300μm、横100μm(縦ピッチ350μm、横ピッチ150μm)のピクセルを区画するバンクを形成した。これにより、バンク付き支持体を得た。
なお、バンクの厚さを光干渉表面形状計測装置(株式会社菱化システム製)を用いて測定し、厚さ2.0μmのバンクが形成されていることを確認した。
4. Evaluation The following evaluations were performed on the inks obtained in each Example and each Comparative Example.
4-1. Evaluation of Discharge Stability First, a positive photoresist to which a fluorine surfactant was added was spin-coated on a glass substrate (40 mm × 70 mm) in which ITO was patterned in a striped shape. Then, the positive photoresist was patterned by photolithography to form a bank for partitioning pixels having a length of 300 μm and a width of 100 μm (length 350 μm, width 150 μm). As a result, a support with a bank was obtained.
The thickness of the bank was measured using an optical interference surface shape measuring device (manufactured by Ryoka System Co., Ltd.), and it was confirmed that a bank having a thickness of 2.0 μm was formed.

次に、インクジェットプリンター(DMP2831、カートリッジボックスDMC−11610、富士フイルム株式会社製)を用いて、バンク付き支持体の横50ピクセル、縦20ピクセル(計1,000ピクセル)内に、インクを吐出した。1,000ピクセルを光学顕微鏡にて検査し、ピクセル内に正常に液滴が吐出されているか否かを確認した。そして、正常に液滴が吐出されているピクセルの数をカウントし、吐出安定性を以下の基準に従って評価した。 Next, using an inkjet printer (DMP2831, cartridge box DMC-11610, manufactured by FUJIFILM Corporation), ink was ejected into a support with a bank in a width of 50 pixels and a length of 20 pixels (1,000 pixels in total). .. 1,000 pixels were inspected with an optical microscope to confirm whether or not droplets were normally ejected into the pixels. Then, the number of pixels in which droplets were normally ejected was counted, and the ejection stability was evaluated according to the following criteria.

◎:正常に液滴が吐出されているピクセルの数が900以上である。
○:正常に液滴が吐出されているピクセルの数が800以上、900未満である。
△:正常に液滴が吐出されているピクセルの数が700以上、800未満である。
×:正常に液滴が吐出されているピクセルの数が700である。
この評価結果を表1および表2に示す。
⊚: The number of pixels in which droplets are normally ejected is 900 or more.
◯: The number of pixels in which droplets are normally ejected is 800 or more and less than 900.
Δ: The number of pixels in which droplets are normally ejected is 700 or more and less than 800.
X: The number of pixels in which droplets are normally ejected is 700.
The evaluation results are shown in Tables 1 and 2.

4−2.発光効率の評価
まず、前記と同じインクジェットプリンターを用いて、前記と同様にして作製したバンク付き支持体のピクセル内に、45nmの正孔注入層と、30nmの正孔輸送層と、30nmの発光層とを順次を形成した。
なお、正孔注入層は、PEDOT/PSS(CLEVIOUS P JET)を、正孔輸送層は、1.0質量%のTFBのテトラリン溶液を、発光層は、上記で得られたインクをそれぞれ用いて形成した。
また、発光層を形成する際に、塗膜(インクのパターン)を、0.003Paの減圧下に25℃で30分間乾燥させた。
4-2. Evaluation of Luminous Efficiency First, using the same inkjet printer as above, a 45 nm hole injection layer, a 30 nm hole transport layer, and 30 nm light emission were contained in the pixels of the banked support produced in the same manner as described above. Layers were formed in sequence.
The hole injection layer uses PEDOT / PSS (CLEVIOUS P JET), the hole transport layer uses a 1.0% by mass TFB tetralin solution, and the light emitting layer uses the ink obtained above. Formed.
Further, when forming the light emitting layer, the coating film (ink pattern) was dried at 25 ° C. for 30 minutes under a reduced pressure of 0.003 Pa.

次に、発光層まで形成された支持体を真空蒸着機に搬送し、40nmの電子輸送層と、0.5nmの電子注入層と、100nmの陰極とを蒸着により順次形成した。
なお、電子輸送層は、TPBIを、電子注入層は、フッ化リチウムを、陰極は、アルミニウムをそれぞれ用いて形成した。
さらに、陰極まで形成された支持体をグローブボックスに搬送し、エポキシ樹脂を塗布した封止ガラスを支持体に貼りあわせた。これにより、発光素子を作製した。
Next, the support formed up to the light emitting layer was conveyed to a vacuum vapor deposition machine, and an electron transport layer of 40 nm, an electron injection layer of 0.5 nm, and a cathode of 100 nm were sequentially formed by vapor deposition.
The electron transport layer was formed of TPBI, the electron injection layer was formed of lithium fluoride, and the cathode was made of aluminum.
Further, the support formed up to the cathode was conveyed to the glove box, and the sealing glass coated with the epoxy resin was attached to the support. As a result, a light emitting device was manufactured.

得られた発光素子に対して、10mA/cmの電流を印加して発光させた。この際の輝度を輝度計((株)トプコン BM−9)にて測定し、発光効率を以下の基準で評価した。A current of 10 mA / cm 2 was applied to the obtained light emitting element to cause light emission. The brightness at this time was measured with a luminance meter (Topcon BM-9 Co., Ltd.), and the luminous efficiency was evaluated according to the following criteria.

◎:発光効率が2.0cd/A以上である。
○:発光効率が1.5cd/A以上、2.0cd/A未満である。
△:発光効率が1.0cd/A以上、1.5cd/A未満である。
×:発光効率が1.0cd/A未満である。
この評価結果を表1および表2に示す。
⊚: Luminous efficiency is 2.0 cd / A or more.
◯: Luminous efficiency is 1.5 cd / A or more and less than 2.0 cd / A.
Δ: Luminous efficiency is 1.0 cd / A or more and less than 1.5 cd / A.
X: Luminous efficiency is less than 1.0 cd / A.
The evaluation results are shown in Tables 1 and 2.

Figure 2019065346
Figure 2019065346

Figure 2019065346
Figure 2019065346

表1に示すように、各実施例で得られたインクは、インクジェットヘッドのノズル孔からの吐出安定性に優れ、得られた発光素子(発光層)は、発光効率が高かった。また、粘度上昇率を適宜変更することにより、吐出安定性および発光効率がより向上した。
これに対して、各比較例で得られたインクでは、十分な吐出安定性および高い発光効率を実現することができなかった。
As shown in Table 1, the inks obtained in each example were excellent in ejection stability from the nozzle holes of the inkjet head, and the obtained light emitting element (light emitting layer) had high luminous efficiency. Further, by appropriately changing the viscosity increase rate, the discharge stability and the luminous efficiency were further improved.
On the other hand, the inks obtained in each comparative example could not achieve sufficient ejection stability and high luminous efficiency.

本発明のインクは、発光性を有する半導体ナノ結晶と、該半導体ナノ結晶に担持された分散剤とから構成された粒子と、大気圧下における沸点が180〜340℃である分散媒とを含有し、前記分散媒の25℃における粘度をV1[mPa・s]とし、当該インクの25℃における粘度をV2[mPa・s]としたとき、V2/V1が1.3以下であるので、例えば、インクの適用方法として液滴吐出法を採用した際の安定吐出が可能であり、かつ発光効率の高い発光層を形成し得るインク、および発光効率の高い発光素子を提供できる。 The ink of the present invention contains particles composed of a semiconductor nanocrystal having light emission, a dispersant supported on the semiconductor nanocrystal, and a dispersion medium having a boiling point of 180 to 340 ° C. under atmospheric pressure. Then, when the viscosity of the dispersion medium at 25 ° C. is V1 [mPa · s] and the viscosity of the ink at 25 ° C. is V2 [mPa · s], V2 / V1 is 1.3 or less. It is possible to provide an ink capable of stably ejecting when the droplet ejection method is adopted as an ink application method and capable of forming a light emitting layer having high emission efficiency, and a light emitting element having high emission efficiency.

1 発光素子
2 陽極
3 陰極
4 正孔注入層
5 正孔輸送層
6 発光層
7 電子輸送層
8 電子注入層
1 Light emitting element 2 Anode 3 Cathode 4 Hole injection layer 5 Hole transport layer 6 Light emitting layer 7 Electron transport layer 8 Electron injection layer

Claims (4)

液滴吐出法により吐出されるインクであって、
発光性を有する半導体ナノ結晶と、該半導体ナノ結晶に担持された分散剤とから構成された粒子と、
大気圧下における沸点が180〜340℃である分散媒とを含有し、
前記分散媒の25℃における粘度をV1[mPa・s]とし、当該インクの25℃における粘度をV2[mPa・s]としたとき、V2/V1が1.3以下であることを特徴とするインク。
Ink ejected by the droplet ejection method
Particles composed of luminescent semiconductor nanocrystals and a dispersant supported on the semiconductor nanocrystals,
It contains a dispersion medium having a boiling point of 180 to 340 ° C. under atmospheric pressure.
When the viscosity of the dispersion medium at 25 ° C. is V1 [mPa · s] and the viscosity of the ink at 25 ° C. is V2 [mPa · s], V2 / V1 is 1.3 or less. ink.
前記分散剤の重量平均分子量は、250〜10,000である請求項1に記載のインク。 The ink according to claim 1, wherein the dispersant has a weight average molecular weight of 250 to 10,000. 前記分散媒は、芳香族化合物および脂肪族化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物である請求項1または2に記載のインク。 The ink according to claim 1 or 2, wherein the dispersion medium is at least one compound selected from the group consisting of aromatic compounds and aliphatic compounds. 一対の電極と、
該一対の電極間に設けられ、請求項1から3のいずれかに記載のインクの乾燥物で構成された発光層と、
該発光層と、前記一対の電極の少なくとも一方の電極との間に設けられた電荷輸送層とを備えることを特徴とする発光素子。
With a pair of electrodes,
A light emitting layer provided between the pair of electrodes and composed of a dried product of the ink according to any one of claims 1 to 3.
A light emitting device including a charge transport layer provided between the light emitting layer and at least one of the pair of electrodes.
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