JPWO2018155289A1 - Dryness sensor - Google Patents

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Abstract

乾燥度センサ(1)は、水による吸収が大きな第一波長帯の光を抽出する第一バンドパスフィルタ(32)と、水による吸収が第一波長帯よりも小さい第二波長帯の光を抽出する第二バンドパスフィルタ(42)と、対象物(2)によって反射され、第一バンドパスフィルタ(32)を透過した第一波長帯の光を第一電気信号に変換する第一受光部(33)と、対象物(2)によって反射され、第二バンドパスフィルタ(42)を透過した第二波長帯の光を第二電気信号に変換する第二受光部(43)と、第一電気信号及び第二電気信号に基づいて対象物(2)の乾燥度を検出する演算処理部(56)と、を備えている。第一波長帯の中心波長と、第二波長帯の中心波長とは、1400nm以上1600nmから選択される組み合わせであって、対象物(2)をなす複数の素材候補のそれぞれで、信号比の変化が得られる組み合わせである。The dryness sensor (1) extracts a first bandpass filter (32) that extracts light in a first wavelength band that is highly absorbed by water, and light in a second wavelength band that is less absorbed by water than the first wavelength band. A second band pass filter (42) to be extracted and a first light receiving unit that converts light in the first wavelength band reflected by the object (2) and transmitted through the first band pass filter (32) into a first electric signal. (33), a second light receiving unit (43) that converts light of the second wavelength band reflected by the object (2) and transmitted through the second bandpass filter (42) into a second electrical signal, An arithmetic processing unit (56) for detecting the dryness of the object (2) based on the electrical signal and the second electrical signal. The center wavelength of the first wavelength band and the center wavelength of the second wavelength band are combinations selected from 1400 nm to 1600 nm, and each of the plurality of material candidates constituting the object (2) changes in signal ratio. Is a combination that can be obtained.

Description

本発明は、乾燥度センサに関する。   The present invention relates to a dryness sensor.

従来、例えば、水分による赤外線の吸収を利用して、対象物に含まれる水分量を測定する赤外線水分計が知られている(例えば、特許文献1参照)。対象物に含まれる水分量が測定できれば当該対象物の乾燥度も検出できる。   Conventionally, for example, an infrared moisture meter that measures the amount of moisture contained in an object using absorption of infrared rays by moisture is known (see, for example, Patent Document 1). If the amount of water contained in the object can be measured, the dryness of the object can also be detected.

特開平5−118984号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-118984

ところで、対象物の素材によって赤外線の吸収特性が変わるため、素材の違いによって、乾燥度センサの検出結果にばらつきが生じてしまうのが実状である。乾燥度センサの検出結果にばらつきが生じれば、乾燥度の検出も正確性を欠いてしまう。   By the way, since the infrared absorption characteristic varies depending on the material of the object, the actual condition is that the detection result of the dryness sensor varies depending on the material. If variations occur in the detection results of the dryness sensor, the dryness detection also lacks accuracy.

そこで、本発明は、対象物の素材の違いに起因した水分量検出の結果のばらつきを抑制して、乾燥度検出の正確性を高めることを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to improve the accuracy of dryness detection by suppressing variations in the results of moisture content detection due to differences in materials of objects.

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る乾燥度センサは、対象物に対して光を発し、当該対象物からの反射光に基づいて対象物の乾燥度を検出する乾燥度センサであって、水による吸収が所定値よりも大きな第一波長帯を含む検知光と、水による吸収が前記所定値以下である第二波長帯を含む参照光とを対象物に向けて発する発光部と、第一波長帯の光を抽出する第一バンドパスフィルタと、第二波長帯の光を抽出する第二バンドパスフィルタと、対象物によって反射され、第一バンドパスフィルタを透過した検知光を受光し、第一電気信号に変換する第一受光部と、対象物によって反射され、第二バンドパスフィルタを透過した参照光を受光し、第二電気信号に変換する第二受光部と、第一電気信号及び第二電気信号の信号比を算出し、当該信号比の変化に基づいて対象物の乾燥度を検出する演算処理部と、を備え、光学的なバンドパスフィルタの最大透過率の半値である波長の中心値で定義される中心波長に関して、第一波長帯の中心波長と、第二波長帯の中心波長とは、1400nm以上1600nm以下から選択される組み合わせであって、対象物をなす複数の素材候補のそれぞれで、信号比の変化が得られる組み合わせである。   In order to achieve the above object, a dryness sensor according to one embodiment of the present invention is a dryness sensor that emits light to an object and detects the dryness of the object based on reflected light from the object. A light emitting unit that emits detection light including a first wavelength band in which absorption by water is greater than a predetermined value and reference light including a second wavelength band in which absorption by water is equal to or less than the predetermined value toward an object. A first bandpass filter that extracts light in the first wavelength band, a second bandpass filter that extracts light in the second wavelength band, and detection light reflected by the object and transmitted through the first bandpass filter A first light receiving unit that receives the reference light reflected by the object and transmitted through the second bandpass filter, and a second light receiving unit that converts the light into a second electric signal; Calculate the signal ratio of the first and second electrical signals And a processing unit that detects the dryness of the object based on the change in the signal ratio, and the center wavelength defined by the center value of the wavelength that is half the maximum transmittance of the optical bandpass filter The center wavelength of the first wavelength band and the center wavelength of the second wavelength band are combinations selected from 1400 nm to 1600 nm, and the signal ratio changes in each of a plurality of material candidates constituting the object. Is a combination that can be obtained.

本発明に係る乾燥度センサは、対象物の素材の違いに起因した水分量検出の結果のばらつきを抑制して、乾燥度検出の正確性を高めることができる。   The dryness sensor according to the present invention can improve the accuracy of dryness detection by suppressing variations in the results of moisture content detection due to differences in the materials of the object.

図1は、実施の形態に係る乾燥度センサの構成と対象物とを示す模式図である。Drawing 1 is a mimetic diagram showing composition and a subject of a dryness sensor concerning an embodiment. 図2は、実施の形態に係る乾燥度センサの制御構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a control configuration of the dryness sensor according to the embodiment. 図3は、水分と水蒸気との吸光スペクトルを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing absorption spectra of moisture and water vapor. 図4は、実施の形態に係る対象物をなす複数の素材候補の、吸光スペクトルを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an absorption spectrum of a plurality of material candidates constituting the object according to the embodiment. 図5は、規格化信号比の変化率と、乾燥度との関係を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the relationship between the change rate of the normalized signal ratio and the dryness.

以下では、本発明の実施の形態に係る乾燥度センサについて、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。   Below, the dryness sensor which concerns on embodiment of this invention is demonstrated in detail using drawing. Note that each of the embodiments described below shows a preferred specific example of the present invention. Therefore, the numerical values, shapes, materials, components, component arrangements, connection forms, and the like shown in the following embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present invention. Therefore, among the constituent elements in the following embodiments, constituent elements that are not described in the independent claims showing the highest concept of the present invention are described as optional constituent elements.

また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺などは必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。   Each figure is a mimetic diagram and is not necessarily illustrated strictly. Therefore, for example, the scales and the like do not necessarily match in each drawing. Moreover, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected about the substantially same structure, The overlapping description is abbreviate | omitted or simplified.

(実施の形態)
[概要]
まず、実施の形態に係る乾燥度センサの概要について説明する。
(Embodiment)
[Overview]
First, an outline of the dryness sensor according to the embodiment will be described.

図1は、実施の形態に係る乾燥度センサ1の構成と対象物2とを示す模式図である。図2は、実施の形態に係る乾燥度センサ1の制御構成を示すブロック図である。   FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of a dryness sensor 1 and an object 2 according to an embodiment. FIG. 2 is a block diagram showing a control configuration of the dryness sensor 1 according to the embodiment.

乾燥度センサ1は、対象物2に対して光を発し、当該対象物2からの反射光に基づいて対象物2の乾燥度を検出する乾燥度センサである。   The dryness sensor 1 is a dryness sensor that emits light to the object 2 and detects the dryness of the object 2 based on the reflected light from the object 2.

本実施の形態では、図1及び図2に示すように、乾燥度センサ1は、空間3を隔てて離れた位置に位置する対象物2に含まれる水分を検出する。   In the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the dryness sensor 1 detects moisture contained in the object 2 located at a position separated from the space 3.

対象物2は、特に限定されない場合、例えば衣類などである。衣類以外の対象物2としては、シーツ、枕カバーなどの寝具が挙げられる。例えば、乾燥度センサ1を衣類乾燥装置などに取り付けることで、衣類の乾燥具合を確認することができる。これにより、乾燥のし過ぎによる衣類の痛みの発生などを抑制することができる。   The object 2 is, for example, clothing or the like when not particularly limited. Examples of the object 2 other than clothing include bedding such as sheets and pillow covers. For example, by attaching the dryness sensor 1 to a clothes drying device or the like, it is possible to check the drying condition of the clothes. Thereby, generation | occurrence | production of the pain of the clothing by drying too much can be suppressed.

空間3は、乾燥度センサ1と対象物2との間の空間(自由空間)である。空間3は、乾燥度センサ1の筐体10の外部空間である。   The space 3 is a space (free space) between the dryness sensor 1 and the object 2. The space 3 is an external space of the casing 10 of the dryness sensor 1.

図1及び図2に示すように、乾燥度センサ1は、筐体10と、発光部20と、第一受光モジュール30と、第二受光モジュール40と、信号処理回路50とを備えている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the dryness sensor 1 includes a housing 10, a light emitting unit 20, a first light receiving module 30, a second light receiving module 40, and a signal processing circuit 50.

以下では、乾燥度センサ1の各構成要素について詳細に説明する。   Below, each component of the dryness sensor 1 is demonstrated in detail.

[筐体]
筐体10は、発光部20と、第一受光モジュール30と、第二受光モジュール40と、信号処理回路50とを収容する筐体である。筐体10は、遮光性の材料から形成されている。これにより、外光が筐体10内に入射するのを抑制することができる。具体的には、筐体10は、第一受光モジュール30と第二受光モジュール40とが受光する光に対して遮光性を有する樹脂材料又は金属材料から形成されている。
[Case]
The housing 10 is a housing that houses the light emitting unit 20, the first light receiving module 30, the second light receiving module 40, and the signal processing circuit 50. The housing 10 is made of a light shielding material. Thereby, it can suppress that external light injects into the housing | casing 10. FIG. Specifically, the housing 10 is formed of a resin material or a metal material that has a light shielding property with respect to light received by the first light receiving module 30 and the second light receiving module 40.

筐体10の外壁には、複数の開口が設けられており、これらの開口に、発光部20のレンズ21と、第一受光モジュール30のレンズ31と、第二受光モジュール40のレンズ41とが取り付けられている。   A plurality of openings are provided on the outer wall of the housing 10, and the lens 21 of the light emitting unit 20, the lens 31 of the first light receiving module 30, and the lens 41 of the second light receiving module 40 are provided in these openings. It is attached.

[発光部]
発光部20は、水による吸収が所定値よりも大きな第一波長帯を含む検知光と、水による吸収が所定値以下である第二波長帯を含む参照光とを対象物2に向けて発する発光部である。具体的には、発光部20は、レンズ21と、光源22とを備えている。
[Light emitting part]
The light emitting unit 20 emits detection light including a first wavelength band in which absorption by water is larger than a predetermined value and reference light including a second wavelength band in which absorption by water is equal to or less than a predetermined value toward the object 2. It is a light emitting part. Specifically, the light emitting unit 20 includes a lens 21 and a light source 22.

レンズ21は、光源22が発した光を、対象物2に対して集光する集光レンズである。レンズ21は、樹脂製の凸レンズであるが、これに限らない。   The lens 21 is a condensing lens that condenses the light emitted from the light source 22 onto the object 2. The lens 21 is a resin convex lens, but is not limited thereto.

光源22は、検知光をなす第一波長帯と参照光をなす第二波長帯とを含み、ピーク波長が第二波長帯側にある連続した光を発するLED(Light Emitting Diode)光源である。具体的には、光源22は、化合半導体からなるLED光源である。   The light source 22 is an LED (Light Emitting Diode) light source that emits continuous light having a first wavelength band that forms detection light and a second wavelength band that forms reference light, and a peak wavelength on the second wavelength band side. Specifically, the light source 22 is an LED light source made of a compound semiconductor.

図3は、水分と水蒸気との吸光スペクトルを示す図である。図3に示すように、水分は、約1450nm及び約1940nmの波長に吸収ピークを有する。水蒸気は、水分の吸収ピークよりやや低い波長、具体的には約1350nm〜1400nm及び約1800nm〜1900nmの波長に吸収ピークを有する。   FIG. 3 is a diagram showing absorption spectra of moisture and water vapor. As shown in FIG. 3, moisture has absorption peaks at wavelengths of about 1450 nm and about 1940 nm. Water vapor has absorption peaks at wavelengths slightly lower than the absorption peak of moisture, specifically at wavelengths of about 1350 nm to 1400 nm and about 1800 nm to 1900 nm.

このため、検知光をなす第一波長帯としては、水の吸光度が高い波長帯を選択し、参照光をなす第二波長帯としては、第一波長帯よりも水の吸光度が小さい波長帯を選択する。そして、第二波長帯の平均波長は、第一波長体の平均波長よりも長くする。また、光学的なバンドパスフィルタの最大透過率の半値である波長の中心値で定義される中心波長に関して、第一波長帯の中心波長と、第二波長帯の中心波長とは、1400nm以上1600nmから選択される組み合わせとなっている。この組み合わせについて詳細に説明する。   For this reason, a wavelength band with a high water absorbance is selected as the first wavelength band for the detection light, and a wavelength band with a lower water absorbance than the first wavelength band is selected as the second wavelength band for the reference light. select. And the average wavelength of a 2nd wavelength band is made longer than the average wavelength of a 1st wavelength body. Regarding the center wavelength defined by the center value of the wavelength that is half the maximum transmittance of the optical bandpass filter, the center wavelength of the first wavelength band and the center wavelength of the second wavelength band are 1400 nm to 1600 nm. It is a combination selected from. This combination will be described in detail.

図4は、実施の形態に係る対象物2をなす複数の素材候補の、吸光スペクトルを示す図である。図4は、分子構造総合討論会2003講演要旨集 4Pp063からの引用である。ここでは、素材候補としては、例えば、綿、麻、PEs(ポリエステル)、PET(ポリエチレンテレフタレート)、キュプラ、アセテート、PP(ポリプロピレン)、レーヨン、絹、ビニロン、ウールを例示している。これら以外の素材を、対象物2をなす素材候補として用いることも可能である。   FIG. 4 is a diagram illustrating an absorption spectrum of a plurality of material candidates constituting the object 2 according to the embodiment. FIG. 4 is a quote from 4Pp063, Abstracts of Lecture 2003, General Meeting of Molecular Structures. Here, examples of material candidates include cotton, hemp, PEs (polyester), PET (polyethylene terephthalate), cupra, acetate, PP (polypropylene), rayon, silk, vinylon, and wool. It is also possible to use materials other than these as material candidates for the object 2.

そして、第一波長帯の中心波長は、1450nm以上1500nm以下の範囲から選択されている。例えば、本実施の形態では第一波長帯の中心波長を1450nmとしており、図4においてL1に相当する。一方、第二波長帯の中心波長は、第一波長帯の中心波長の選択範囲よりも水の吸光度が小さい1530nm以上1580nm以下の範囲から選択されている。例えば、本実施の形態では、第二波長帯の中心波長を1550nmとしており、図4においてL2に相当する。   The center wavelength of the first wavelength band is selected from the range of 1450 nm to 1500 nm. For example, in the present embodiment, the center wavelength of the first wavelength band is 1450 nm, which corresponds to L1 in FIG. On the other hand, the center wavelength of the second wavelength band is selected from a range of 1530 nm or more and 1580 nm or less in which the absorbance of water is smaller than the selection range of the center wavelength of the first wavelength band. For example, in the present embodiment, the center wavelength of the second wavelength band is 1550 nm, which corresponds to L2 in FIG.

そして、図4において、各素材候補の吸光スペクトルを、第一波長帯の中心波長L1と、第二波長帯の中心波長L2とで比較すると、いずれの素材候補においても、中心波長L1と、中心波長L2とでは概ね同等の吸光度となっている。換言すると、中心波長L1での吸光度と、中心波長L2での吸光度との差分がいずれの素材候補においても、僅かである。このように、中心波長L1の第一波長帯を検知光とし、中心波長L2の第二波長帯を参照光として用いることで、乾燥度検出における素材の違いの影響を抑制することが可能となる。   In FIG. 4, when the absorption spectrum of each material candidate is compared between the center wavelength L1 of the first wavelength band and the center wavelength L2 of the second wavelength band, the center wavelength L1 and the center The absorbance is almost equivalent to the wavelength L2. In other words, the difference between the absorbance at the center wavelength L1 and the absorbance at the center wavelength L2 is small in any material candidate. Thus, by using the first wavelength band of the center wavelength L1 as the detection light and using the second wavelength band of the center wavelength L2 as the reference light, it becomes possible to suppress the influence of the difference in the material in the dryness detection. .

なお、上述したように、第一波長帯の中心波長の選択範囲を1450nm以上1500nm以下の範囲とし、第二波長帯の中心波長の選択範囲を1530nm以上1580nm以下の範囲としているので、この範囲内での組み合わせであれば、乾燥度検出における素材の違いの影響は許容できる程度である。しかしながら、素材の違いの影響をより小さくするためには、各素材候補における吸光度の差分が全体として最も小さくなるように、第一波長帯の中心波長と第二波長帯の中心波長との組み合わせを選択すればよい。「各素材候補における吸光度の差分が全体として最も小さくなる」とは、例えば、第一波長帯の中心波長での吸光度と、第二波長帯の中心波長での吸光度との差分を、全ての素材候補で求め、その合計値が最も小さくなる場合が挙げられる。   As described above, the selection range of the center wavelength of the first wavelength band is in the range of 1450 nm to 1500 nm, and the selection range of the center wavelength of the second wavelength band is in the range of 1530 nm to 1580 nm. In the case of the combination in the above, the influence of the difference in the material on the dryness detection is acceptable. However, in order to further reduce the influence of the difference in material, the combination of the center wavelength of the first wavelength band and the center wavelength of the second wavelength band is made so that the difference in absorbance between the material candidates is the smallest overall. Just choose. “The difference in absorbance of each material candidate as a whole is the smallest” means, for example, that the difference between the absorbance at the center wavelength of the first wavelength band and the absorbance at the center wavelength of the second wavelength band is the same for all materials. A case where it is obtained by a candidate and the total value becomes the smallest is mentioned.

このように、光源22が、第一波長帯と第二波長帯とを連続して含む光を照射するので、対象物2には、水による吸収が大きな第一波長帯を含む検知光と、水による吸収が第一波長帯よりも小さい第二波長帯を含む参照光が照射される。さらに、対象物2の素材の違いによる影響も抑制されている。   Thus, since the light source 22 irradiates light including the first wavelength band and the second wavelength band continuously, the object 2 has detection light including the first wavelength band that is largely absorbed by water, Reference light including a second wavelength band whose absorption by water is smaller than the first wavelength band is irradiated. Furthermore, the influence by the difference in the material of the target object 2 is also suppressed.

[第一受光モジュール]
図1に示すように第一受光モジュール30は、レンズ31と、第一バンドパスフィルタ32と、第一受光部33とを備えている。
[First light receiving module]
As shown in FIG. 1, the first light receiving module 30 includes a lens 31, a first band pass filter 32, and a first light receiving unit 33.

レンズ31は、対象物2によって反射された反射光を第一受光部33に集光するための集光レンズである。レンズ31は、例えば、焦点が第一受光部33の受光面に位置するように筐体10に固定されている。レンズ31は、例えば、樹脂製の凸レンズであるが、これに限らない。   The lens 31 is a condensing lens for condensing the reflected light reflected by the object 2 on the first light receiving unit 33. The lens 31 is fixed to the housing 10 such that the focal point is located on the light receiving surface of the first light receiving unit 33, for example. The lens 31 is, for example, a resin convex lens, but is not limited thereto.

第一バンドパスフィルタ32は、反射光から第一波長帯の光を抽出するバンドパスフィルタである。具体的には、第一バンドパスフィルタ32は、レンズ31と、第一受光部33との間に配置されており、レンズ31を透過して第一受光部33に入射する反射光の光路上に設けられている。そして、第一バンドパスフィルタ32は、第一波長帯の光を透過し、かつ、それ以外の波長帯の光を吸収する。   The first band pass filter 32 is a band pass filter that extracts light in the first wavelength band from the reflected light. Specifically, the first band pass filter 32 is disposed between the lens 31 and the first light receiving unit 33, and is on the optical path of the reflected light that passes through the lens 31 and enters the first light receiving unit 33. Is provided. The first band pass filter 32 transmits light in the first wavelength band and absorbs light in other wavelength bands.

第一受光部33は、対象物2によって反射され、第一バンドパスフィルタ32を透過した第一波長帯の光を受光し、第一電気信号に変換する受光素子である。第一受光部33は、受光した第一波長帯の光を光電変換することで、当該光の受光量(すなわち、強度)に応じた第一電気信号を生成する。生成された第一電気信号は、信号処理回路50に出力される。第一受光部33は、例えば、フォトダイオードであるが、これに限定されない。例えば、第一受光部33は、フォトトランジスタ、又は、イメージセンサでもよい。   The first light receiving unit 33 is a light receiving element that receives light in the first wavelength band reflected by the object 2 and transmitted through the first band pass filter 32 and converts the light into a first electric signal. The first light receiving unit 33 photoelectrically converts the received light in the first wavelength band to generate a first electrical signal corresponding to the amount of light received (that is, intensity). The generated first electric signal is output to the signal processing circuit 50. The first light receiving unit 33 is, for example, a photodiode, but is not limited thereto. For example, the first light receiving unit 33 may be a phototransistor or an image sensor.

[第二受光モジュール]
第二受光モジュール40は、レンズ41と、第二バンドパスフィルタ42と、第二受光部43とを備えている。
[Second light receiving module]
The second light receiving module 40 includes a lens 41, a second band pass filter 42, and a second light receiving unit 43.

レンズ41は、対象物2によって反射された反射光を第二受光部43に集光するための集光レンズである。レンズ41は、例えば、焦点が第二受光部43の受光面に位置するように筐体10に固定されている。レンズ41は、例えば、樹脂製の凸レンズであるが、これに限らない。   The lens 41 is a condensing lens for condensing the reflected light reflected by the object 2 on the second light receiving unit 43. The lens 41 is fixed to the housing 10 such that the focal point is located on the light receiving surface of the second light receiving unit 43, for example. The lens 41 is, for example, a resin convex lens, but is not limited thereto.

第二バンドパスフィルタ42は、反射光から第二波長帯の光を抽出するバンドパスフィルタである。具体的には、第二バンドパスフィルタ42は、レンズ41と、第二受光部43との間に配置されており、レンズ41を透過して第二受光部43に入射する反射光の光路上に設けられている。そして、第二バンドパスフィルタ42は、第二波長帯の光を透過し、かつ、それ以外の波長帯の光を吸収する。   The second bandpass filter 42 is a bandpass filter that extracts light in the second wavelength band from the reflected light. Specifically, the second band pass filter 42 is disposed between the lens 41 and the second light receiving unit 43, and is on the optical path of the reflected light that passes through the lens 41 and enters the second light receiving unit 43. Is provided. The second bandpass filter 42 transmits light in the second wavelength band and absorbs light in other wavelength bands.

第二受光部43は、対象物2によって反射され、第二バンドパスフィルタ42を透過した第二波長帯の光を受光し、第二電気信号に変換する受光素子である。第二受光部43は、受光した第二波長帯の光を光電変換することで、当該光の受光量(すなわち、強度)に応じた第二電気信号を生成する。生成された第二電気信号は、信号処理回路50に出力される。第二受光部43は、第一受光部33と同形の受光素子である。つまり、第一受光部33がフォトダイオードである場合には、第二受光部43もフォトダイオードである。   The second light receiving unit 43 is a light receiving element that receives light in the second wavelength band reflected by the object 2 and transmitted through the second band pass filter 42 and converts the light into a second electric signal. The second light receiving unit 43 photoelectrically converts the received light in the second wavelength band, thereby generating a second electric signal corresponding to the amount of light received (that is, intensity). The generated second electric signal is output to the signal processing circuit 50. The second light receiving unit 43 is a light receiving element having the same shape as the first light receiving unit 33. That is, when the first light receiving unit 33 is a photodiode, the second light receiving unit 43 is also a photodiode.

[信号処理回路]
信号処理回路50は、発光部20の光源22を点灯制御するとともに、第一受光部33及び第二受光部43から出力された第一電気信号及び第二電気信号を処理することで、乾燥度を検出する回路である。
[Signal processing circuit]
The signal processing circuit 50 controls the lighting of the light source 22 of the light emitting unit 20 and processes the first electric signal and the second electric signal output from the first light receiving unit 33 and the second light receiving unit 43, thereby reducing the dryness. Is a circuit for detecting

信号処理回路50は、筐体10に収容されていてもよく、又は、筐体10の外側面に取り付けられていてもよい。あるいは、信号処理回路50は、無線通信などの通信機能を有し、第一受光部33からの第一電気信号及び第二受光部43からの第二電気信号を受信してもよい。   The signal processing circuit 50 may be housed in the housing 10 or may be attached to the outer surface of the housing 10. Alternatively, the signal processing circuit 50 may have a communication function such as wireless communication, and may receive the first electric signal from the first light receiving unit 33 and the second electric signal from the second light receiving unit 43.

具体的には、図2に示すように、信号処理回路50は、光源制御部51、第一増幅部52、第二増幅部53、第一信号処理部54、第二信号処理部55及び演算処理部56を備えている。   Specifically, as shown in FIG. 2, the signal processing circuit 50 includes a light source control unit 51, a first amplification unit 52, a second amplification unit 53, a first signal processing unit 54, a second signal processing unit 55, and an arithmetic operation. A processing unit 56 is provided.

光源制御部51は、駆動回路及びマイクロコントローラで構成される。光源制御部51は、光源22の制御プログラムが格納された不揮発性メモリ、プログラムを実行するための一時的な記憶領域である揮発性メモリ、入出力ポート、プログラムを実行するプロセッサなどを有する。   The light source control unit 51 includes a drive circuit and a microcontroller. The light source control unit 51 includes a non-volatile memory in which a control program for the light source 22 is stored, a volatile memory that is a temporary storage area for executing the program, an input / output port, a processor for executing the program, and the like.

光源制御部51は、光源22の点灯及び消灯が所定の発光周期で繰り返されるように、光源22を制御する。具体的には、光源制御部51は、所定の周波数(例えば、1kHz)のパルス信号を光源22に出力することで、光源22を所定の発光周期で点灯及び消灯させる。   The light source control unit 51 controls the light source 22 so that turning on and off of the light source 22 is repeated at a predetermined light emission period. Specifically, the light source control unit 51 outputs a pulse signal having a predetermined frequency (for example, 1 kHz) to the light source 22 to turn on and off the light source 22 at a predetermined light emission cycle.

第一増幅部52は、第一受光部33が出力した第一電気信号を増幅して第一信号処理部54に出力する。具体的には、第一増幅部52は、第一電気信号を増幅するオペアンプである。   The first amplifying unit 52 amplifies the first electric signal output from the first light receiving unit 33 and outputs the amplified first electric signal to the first signal processing unit 54. Specifically, the first amplifying unit 52 is an operational amplifier that amplifies the first electric signal.

第一信号処理部54は、マイクロコントローラで構成される。第一信号処理部54は、第一電気信号に対する処理プログラムが格納された不揮発性メモリ、プログラムを実行するための一時的な記憶領域である揮発性メモリ、入出力ポート、プログラムを実行するプロセッサなどを有する。第一信号処理部54は、第一電気信号に対して、通過帯域制限を行うとともに当該通過帯域制限による位相遅延を補正してから、光源22の発光周期との乗算処理を施す。この第一電気信号に対する処理は、いわゆるロックインアンプ処理である。これにより、外乱光に基づくノイズを第一電気信号から抑制することが可能である。   The first signal processing unit 54 is configured by a microcontroller. The first signal processing unit 54 is a non-volatile memory in which a processing program for the first electric signal is stored, a volatile memory that is a temporary storage area for executing the program, an input / output port, a processor for executing the program, and the like Have The first signal processing unit 54 performs a multiplication process with the light emission period of the light source 22 after limiting the passband and correcting the phase delay due to the passband restriction on the first electric signal. The process for the first electric signal is a so-called lock-in amplifier process. Thereby, the noise based on disturbance light can be suppressed from the first electric signal.

第二増幅部53は、第二受光部43が出力した第二電気信号を増幅して第二信号処理部55に出力する。具体的には、第二増幅部53は、第二電気信号を増幅するオペアンプである。   The second amplifying unit 53 amplifies the second electric signal output from the second light receiving unit 43 and outputs the amplified second electric signal to the second signal processing unit 55. Specifically, the second amplifying unit 53 is an operational amplifier that amplifies the second electric signal.

第二信号処理部55は、マイクロコントローラで構成される。第二信号処理部55は、第二電気信号に対する処理プログラムが格納された不揮発性メモリ、プログラムを実行するための一時的な記憶領域である揮発性メモリ、入出力ポート、プログラムを実行するプロセッサなどを有する。第二信号処理部55は、第二電気信号に対して、通過帯域制限を行うとともに当該通過帯域制限による位相遅延を補正してから、光源22の発光周期との乗算処理を施す。この第二電気信号に対する処理は、いわゆるロックインアンプ処理である。これにより、外乱光に基づくノイズを第二電気信号から抑制することが可能である。   The second signal processing unit 55 is configured by a microcontroller. The second signal processing unit 55 includes a nonvolatile memory in which a processing program for the second electric signal is stored, a volatile memory that is a temporary storage area for executing the program, an input / output port, a processor for executing the program, and the like. Have The second signal processing unit 55 performs a multiplication process with the light emission period of the light source 22 after performing the passband restriction and correcting the phase delay due to the passband restriction on the second electric signal. The process for the second electric signal is a so-called lock-in amplifier process. Thereby, the noise based on disturbance light can be suppressed from the second electric signal.

演算処理部56は、第一受光部33から出力された第一電気信号と、第二受光部43から出力された第二電気信号とに基づいて、対象物2が含む成分を検出する。具体的には、演算処理部56は、第一電気信号の電圧レベルと第二電気信号の電圧レベルとの比(信号比)に基づいて、対象物2の乾燥度を検出する。本実施の形態では、演算処理部56は、第一信号処理部54によって処理された第一電気信号と、第二信号処理部55によって処理された第二電気信号とに基づいて、対象物2が含む水分量を検出する。そして、演算処理部56は検出した水分量を基に、対象物2の乾燥度を検出する。具体的な乾燥度の検出(算出)方法については後で説明する。   The arithmetic processing unit 56 detects a component included in the object 2 based on the first electric signal output from the first light receiving unit 33 and the second electric signal output from the second light receiving unit 43. Specifically, the arithmetic processing unit 56 detects the dryness of the object 2 based on the ratio (signal ratio) between the voltage level of the first electric signal and the voltage level of the second electric signal. In the present embodiment, the arithmetic processing unit 56 is based on the first electric signal processed by the first signal processing unit 54 and the second electric signal processed by the second signal processing unit 55. The amount of water contained in is detected. And the arithmetic processing part 56 detects the dryness of the target object 2 based on the detected moisture content. A specific dryness detection (calculation) method will be described later.

演算処理部56は、例えば、マイクロコントローラである。演算処理部56は、信号処理プログラムが格納された不揮発性メモリ、プログラムを実行するための一時的な記憶領域である揮発性メモリ、入出力ポート、プログラムを実行するプロセッサなどを有する。   The arithmetic processing unit 56 is, for example, a microcontroller. The arithmetic processing unit 56 includes a nonvolatile memory in which a signal processing program is stored, a volatile memory that is a temporary storage area for executing the program, an input / output port, and a processor that executes the program.

演算処理部56は、検出した対象物2の乾燥度を入出力ポートから外部の機器に出力する。なお、乾燥度センサ1自体に表示部を設けて、当該表示部に乾燥度を表示してもよい。   The arithmetic processing unit 56 outputs the detected dryness of the object 2 from the input / output port to an external device. In addition, a display part may be provided in dryness sensor 1 itself, and a dryness may be displayed on the said display part.

[信号処理(検出処理)]
続いて、演算処理部56による信号処理(乾燥度の検出処理)について説明する。
[Signal processing (detection processing)]
Next, signal processing (dryness detection processing) by the arithmetic processing unit 56 will be described.

本実施の形態では、演算処理部56は、反射光に含まれる検知光の光エネルギーPdと、参照光の光エネルギーPrとを比較することで、対象物2に含まれる成分量を検出する。なお、光エネルギーPdは、第一受光部33から出力される第一電気信号の強度に対応し、光エネルギーPrは、第二受光部43から出力される第二電気信号の強度に対応する。   In the present embodiment, the arithmetic processing unit 56 detects the amount of component included in the target object 2 by comparing the light energy Pd of the detection light included in the reflected light with the light energy Pr of the reference light. The light energy Pd corresponds to the intensity of the first electric signal output from the first light receiving unit 33, and the light energy Pr corresponds to the intensity of the second electric signal output from the second light receiving unit 43.

光エネルギーPdは、次の(式1)で表される。   The light energy Pd is expressed by the following (Formula 1).

(式1) Pd=Pd0×Gd×Rd×Td×Aad×Ivd   (Formula 1) Pd = Pd0 × Gd × Rd × Td × Aad × Ivd

ここで、Pd0は、光源22が発した光のうち、検知光をなす第一波長帯の光の光エネルギーである。Gdは、第一波長帯の光の第一受光部33に対する結合効率(集光率)である。具体的には、Gdは、光源22が発した光のうち、対象物2で拡散反射される成分の一部(すなわち、反射光に含まれる検知光)になる部分の割合に相当する。   Here, Pd0 is the light energy of the light in the first wavelength band that forms the detection light among the light emitted from the light source 22. Gd is the coupling efficiency (condensing rate) of the light in the first wavelength band to the first light receiving unit 33. Specifically, Gd corresponds to the proportion of the light emitted from the light source 22 that becomes a part of the component that is diffusely reflected by the object 2 (that is, the detection light included in the reflected light).

Rdは、対象物2による検知光の反射率である。Tdは、第一バンドパスフィルタ32により検知光の透過率である。Ivdは、第一受光部33における反射光に含まれる検知光に対する受光感度である。   Rd is the reflectance of the detection light from the object 2. Td is the transmittance of the detection light by the first band pass filter 32. Ivd is the light receiving sensitivity for the detection light included in the reflected light in the first light receiving unit 33.

Aadは、対象物2に含まれる成分(水分)による検知光の吸収率あり、次の(式2)で表される。   Aad is the absorptance of the detection light by the component (moisture) contained in the object 2, and is expressed by the following (Expression 2).

(式2) Aad=10−αa×Ca×D (Formula 2) Aad = 10 −αa × Ca × D

ここで、αaは、予め定められた吸光係数であり、具体的には、成分(水分)による検知光の吸光係数である。Caは、対象物2に含まれる成分(水分)の体積濃度である。Dは、検知光の吸収に寄与する成分の厚みの2倍である寄与厚みである。   Here, αa is a predetermined extinction coefficient, specifically, the extinction coefficient of the detection light by the component (water). Ca is a volume concentration of a component (moisture) contained in the object 2. D is a contribution thickness that is twice the thickness of the component that contributes to the absorption of the detection light.

より具体的には、水分が均質に分散した対象物2では、光が対象物2に入射し、内部で反射して対象物2から出射する場合において、Caは、対象物2の成分に含まれる体積濃度に相当する。また、Dは、内部で反射して対象物2から出射するまでの光路長に相当する。例えば、対象物2が繊維などの網目状の固形物、又は、スポンジなどの多孔性の固形物である場合、固形物の表面で光が反射されると仮定する。この場合、例えば、Caは、固形物を覆っている液相に含まれる水分の濃度である。また、Dは、固形物を覆っている液相の平均的な厚みとして換算される寄与厚みである。   More specifically, in the target object 2 in which moisture is uniformly dispersed, when light enters the target object 2 and is reflected and emitted from the target object 2, Ca is included in the components of the target object 2. This corresponds to the volume concentration. Further, D corresponds to the optical path length from the reflection inside to the emission from the object 2. For example, when the object 2 is a mesh-like solid such as a fiber or a porous solid such as a sponge, it is assumed that light is reflected on the surface of the solid. In this case, for example, Ca is the concentration of water contained in the liquid phase covering the solid. Moreover, D is the contribution thickness converted as an average thickness of the liquid phase which covers the solid substance.

したがって、αa×Ca×Dは、対象物2に含まれる成分量(水分量)に相当する。以上のことから、対象物2に含まれる水分量に応じて、第一電気信号の強度に相当する光エネルギーPdが変化することが分かる。なお、水分と比べて湿気の吸光度は極端に小さいので、無視することができる。   Therefore, αa × Ca × D corresponds to the amount of component (water content) contained in the object 2. From the above, it can be seen that the light energy Pd corresponding to the intensity of the first electric signal changes according to the amount of water contained in the object 2. In addition, since the light absorbency of moisture is extremely small compared with moisture, it can be disregarded.

同様に、第二受光部43に入射する参照光の光エネルギーPrは、次の(式3)で表される。   Similarly, the optical energy Pr of the reference light incident on the second light receiving unit 43 is expressed by the following (Expression 3).

(式3) Pr=Pr0×Gr×Rr×Tr×Ivr   (Formula 3) Pr = Pr0 * Gr * Rr * Tr * Ivr

本実施の形態では、対象物2に含まれる成分(水分)による第一波長帯の検知光の吸収と、第二波長帯の参照光の吸収との差分から水分による吸収率Aadを求めている。なお、参照光は、対象物2に含まれる成分によって実質的には吸収されないとみなすことができるので、(式1)と比較して分かるように、水分による吸収率Aadに相当する項は(式3)には含まれていない。   In the present embodiment, the absorption rate Aad due to moisture is obtained from the difference between the absorption of the detection light in the first wavelength band by the component (water) contained in the object 2 and the absorption of the reference light in the second wavelength band. . In addition, since it can be considered that reference light is not substantially absorbed by the component contained in the target object 2, the term corresponding to the absorption rate Aad due to moisture is ( It is not included in Equation 3).

(式3)において、Pr0は、光源22が発した光のうち、参照光をなす第二波長帯の光の光エネルギーである。Grは、光源22が発した参照光の第二受光部43に対する結合効率(集光率)である。具体的には、Grは、参照光のうち、対象物2で拡散反射される成分の一部(すなわち、反射光に含まれる参照光)になる部分の割合に相当する。Rrは、対象物2による参照光の反射率である。Trは、第二バンドパスフィルタ42による参照光の透過率である。Ivrは、第二受光部43の反射光に対する受光感度である。   In (Expression 3), Pr0 is the light energy of the light in the second wavelength band that forms the reference light among the light emitted from the light source 22. Gr is the coupling efficiency (condensation rate) of the reference light emitted from the light source 22 to the second light receiving unit 43. Specifically, Gr corresponds to the proportion of the portion of the reference light that becomes part of the component diffusely reflected by the object 2 (that is, the reference light included in the reflected light). Rr is the reflectance of the reference light by the object 2. Tr is the transmittance of the reference light by the second band pass filter 42. Ivr is the light receiving sensitivity with respect to the reflected light of the second light receiving unit 43.

本実施の形態では、光源22から照射される光、つまり、検知光と参照光とは、同軸かつ同スポットサイズで照射されるため、検知光の結合効率Gdと参照光の結合効率Grとは略等しくなる。また、検知光と参照光とはピーク波長が比較的近いので、検知光の反射率Rdと参照光の反射率Rrとが略等しくなる。   In the present embodiment, the light emitted from the light source 22, that is, the detection light and the reference light are irradiated coaxially and at the same spot size, so that the detection light coupling efficiency Gd and the reference light coupling efficiency Gr are It becomes almost equal. Further, since the peak wavelengths of the detection light and the reference light are relatively close, the detection light reflectance Rd and the reference light reflectance Rr are substantially equal.

したがって、(式1)と(式3)との比を取ることにより、次の(式4)が導き出される。   Therefore, the following (Expression 4) is derived by taking the ratio of (Expression 1) and (Expression 3).

(式4) Pd/Pr=Z×Aad   (Formula 4) Pd / Pr = Z × Aad

ここで、Zは、定数項であり、(式5)で示される。   Here, Z is a constant term and is represented by (Equation 5).

(式5) Z=(Pd0/Pr0)×(Td/Tr)×(Ivd/Ivr)   (Formula 5) Z = (Pd0 / Pr0) × (Td / Tr) × (Ivd / Ivr)

光エネルギーPd0及びPr0はそれぞれ、光源22の初期出力として予め定められている。また、透過率Td及び透過率Trはそれぞれ、第一バンドパスフィルタ32及び第二バンドパスフィルタ42の透過特性により予め定められている。受光感度Ivd及び受光感度Ivrはそれぞれ、第一受光部33及び第二受光部43の受光特性により予め定められている。したがって、(式5)で示されるZは、定数とみなすことができる。   Each of the light energies Pd0 and Pr0 is predetermined as an initial output of the light source 22. Further, the transmittance Td and the transmittance Tr are predetermined by the transmission characteristics of the first band-pass filter 32 and the second band-pass filter 42, respectively. The light receiving sensitivity Ivd and the light receiving sensitivity Ivr are predetermined by the light receiving characteristics of the first light receiving unit 33 and the second light receiving unit 43, respectively. Therefore, Z shown in (Expression 5) can be regarded as a constant.

演算処理部56は、第一電気信号に基づいて検知光の光エネルギーPdを算出し、第二電気信号に基づいて参照光の光エネルギーPrを算出する。具体的には、第一電気信号の信号レベル(電圧レベル)が光エネルギーPdに相当し、第二電気信号の信号レベル(電圧レベル)が光エネルギーPrに相当する。   The arithmetic processing unit 56 calculates the light energy Pd of the detection light based on the first electric signal, and calculates the light energy Pr of the reference light based on the second electric signal. Specifically, the signal level (voltage level) of the first electric signal corresponds to the light energy Pd, and the signal level (voltage level) of the second electric signal corresponds to the light energy Pr.

したがって、演算処理部56は、(式4)に基づいて、対象物2に含まれる水分の吸収率Aadを算出することができる。これにより、演算処理部56は、(式2)に基づいて水分量を算出することができる。   Therefore, the arithmetic processing unit 56 can calculate the absorption rate Aad of moisture contained in the target object 2 based on (Equation 4). Thereby, the arithmetic processing part 56 can calculate a moisture content based on (Formula 2).

ここで、上述したように、中心波長L1の第一波長帯が検知光とされ、中心波長L2の第二波長帯が参照光とされているので、素材の違いの影響を受けることなく、対象物2の水分量が検出される。換言すると、対象物2の素材を考慮しなくとも、対象物2の水分量を正確に検出することが可能である。   Here, as described above, since the first wavelength band of the center wavelength L1 is the detection light and the second wavelength band of the center wavelength L2 is the reference light, the target is not affected by the difference in material. The water content of the object 2 is detected. In other words, it is possible to accurately detect the moisture content of the object 2 without considering the material of the object 2.

なお、空間3には湿気(水蒸気)も存在しているが、水蒸気によって検知光及び参照光が吸収される場合も想定される。例えば、第一波長帯の中心波長は1450nm以上1500nm以下の範囲から選択され、第二波長帯の中心波長は1530nm以上1580nm以下の範囲から選択されている場合、図3の水蒸気の吸光スペクトルの関係から、水蒸気による吸光の影響を抑制することも可能である。   In addition, although moisture (water vapor | steam) also exists in the space 3, the case where detection light and reference light are absorbed by water vapor | steam is assumed. For example, when the center wavelength of the first wavelength band is selected from the range of 1450 nm to 1500 nm and the center wavelength of the second wavelength band is selected from the range of 1530 nm to 1580 nm, the relationship of the water vapor absorption spectrum of FIG. Therefore, it is also possible to suppress the influence of light absorption by water vapor.

そして、演算処理部56は、水分量に基づいて対象物2の乾燥度を検出する。例えば、対象物2の乾燥時における重量をW1とし、対象物2が含有する水分量をW2(αa×Ca×Dに相当)とすると、乾燥度Drは、Dr=W1/(W1+W2)×100[%]で求めることができる。   And the arithmetic processing part 56 detects the dryness of the target object 2 based on a moisture content. For example, when the weight of the object 2 during drying is W1 and the amount of water contained in the object 2 is W2 (corresponding to αa × Ca × D), the dryness Dr is Dr = W1 / (W1 + W2) × 100. [%].

また、水分量も求めなくとも、信号比(第一電気信号の電圧レベルと第二電気信号の電圧レベルとの比)の変化率と、対象物2の乾燥度との関係を示すテーブルを演算処理部56の不揮発性メモリに予め記憶させていれば、演算処理部56は、検出した信号比とテーブルとに基づいて、対象物2の乾燥度Drを検出することができる。   Further, a table indicating the relationship between the rate of change of the signal ratio (ratio between the voltage level of the first electrical signal and the voltage level of the second electrical signal) and the dryness of the object 2 is calculated without obtaining the moisture content. If stored in advance in the nonvolatile memory of the processing unit 56, the arithmetic processing unit 56 can detect the dryness Dr of the object 2 based on the detected signal ratio and the table.

例えば、テーブルは、信号比の変化率と、乾燥度Drとの関係を示す検量線にて定義付けられている。具体的に、対象物2の乾燥時における重量をW1とし、対象物2が含有する水分量をW2(αa×Ca×Dに相当)としたときの乾燥度Drは、Dr=W1/(W1+W2)×100[%]で示される。また、第一電気信号をS1、第二電気信号をS2としたときの信号比Rは、R=S1/S2で示される。乾燥度が100%である場合の第一電気信号をs1、第二電気信号をs2としたときの基準信号比rは、r=s1/s2で示される。信号比の変化率は、信号比Rと基準信号比rとの比(規格化信号比)R/rで示される。そして、検量線は、比R/rと乾燥度Drとの関係で求められている。   For example, the table is defined by a calibration curve indicating the relationship between the change rate of the signal ratio and the dryness Dr. Specifically, the dryness Dr when the weight of the object 2 during drying is W1 and the amount of water contained in the object 2 is W2 (corresponding to αa × Ca × D) is Dr = W1 / (W1 + W2). ) × 100 [%]. The signal ratio R when the first electric signal is S1 and the second electric signal is S2 is represented by R = S1 / S2. When the dryness is 100%, the reference signal ratio r when the first electric signal is s1 and the second electric signal is s2 is represented by r = s1 / s2. The rate of change of the signal ratio is indicated by the ratio (standardized signal ratio) R / r between the signal ratio R and the reference signal ratio r. The calibration curve is obtained from the relationship between the ratio R / r and the dryness Dr.

図5は、規格化信号比の変化率(ΔR/r)と、乾燥度Drとの関係を示すグラフである。図5に示すように、乾燥度Drが60%よりも大きくなると、変化率ΔR/rは、概ね線形の変化を示す。このため、乾燥度Drが60%以上における変化率ΔR/rと、乾燥度Drとの一次近似直線Cを検量線とする。この検量線に基づいてテーブルを作成し、演算処理部56の不揮発性メモリに予め記憶しておけばよい。   FIG. 5 is a graph showing the relationship between the change rate (ΔR / r) of the normalized signal ratio and the dryness Dr. As shown in FIG. 5, when the dryness Dr becomes larger than 60%, the change rate ΔR / r shows a substantially linear change. Therefore, a linear approximation line C between the change rate ΔR / r when the dryness Dr is 60% or more and the dryness Dr is used as a calibration curve. A table may be created based on the calibration curve and stored in advance in the nonvolatile memory of the arithmetic processing unit 56.

[効果など]
以上のように、本実施の形態によれば、対象物2に対して光を発し、当該対象物2からの反射光に基づいて対象物2の乾燥度を検出する乾燥度センサ1であって、水による吸収が所定値よりも大きな第一波長帯を含む検知光と、水による吸収が所定値以下である第二波長帯を含む参照光とを対象物2に向けて発する発光部20と、第一波長帯の光を抽出する第一バンドパスフィルタ32と、第二波長帯の光を抽出する第二バンドパスフィルタ42と、対象物2によって反射され、第一バンドパスフィルタ32を透過した検知光を受光し、第一電気信号に変換する第一受光部33と、対象物2によって反射され、第二バンドパスフィルタ42を透過した参照光を受光し、第二電気信号に変換する第二受光部43と、第一電気信号及び第二電気信号の信号比を算出し、当該信号比の変化に基づいて対象物の乾燥度を検出する演算処理部56と、を備え、光学的なバンドパスフィルタの最大透過率の半値である波長の中心値で定義される中心波長に関して、第一波長帯の中心波長は、1450nm以上1500nm以下の範囲から選択され、第二波長帯の中心波長は、1530nm以上1580nm以下の範囲から選択されている。
[Effects, etc.]
As described above, according to the present embodiment, the dryness sensor 1 emits light to the target object 2 and detects the dryness of the target object 2 based on the reflected light from the target object 2. A light emitting unit 20 that emits detection light including a first wavelength band in which absorption by water is greater than a predetermined value and reference light including a second wavelength band in which absorption by water is equal to or less than a predetermined value toward the object 2; The first bandpass filter 32 that extracts light in the first wavelength band, the second bandpass filter 42 that extracts light in the second wavelength band, and the first bandpass filter 32 that is reflected by the object 2. The first light receiving unit 33 that receives the detected light and converts it into a first electric signal, and the reference light reflected by the object 2 and transmitted through the second bandpass filter 42 is received and converted into a second electric signal. The second light receiving unit 43, the first electric signal and the second electric signal And a calculation processing unit 56 that detects the dryness of the object based on the change in the signal ratio, and the center value of the wavelength that is a half value of the maximum transmittance of the optical bandpass filter The center wavelength of the first wavelength band is selected from the range of 1450 nm to 1500 nm, and the center wavelength of the second wavelength band is selected from the range of 1530 nm to 1580 nm.

この構成によれば、第一波長帯の中心波長が1450nm以上1500nm以下の範囲から選択され、第二波長帯の中心波長が1530nm以上1580nm以下の範囲から選択されているので、乾燥度検出における素材の違いの影響を抑制することが可能となる。したがって、乾燥度検出の正確性を高めることができる。   According to this configuration, the center wavelength of the first wavelength band is selected from the range of 1450 nm to 1500 nm, and the center wavelength of the second wavelength band is selected from the range of 1530 nm to 1580 nm. It becomes possible to suppress the influence of the difference. Therefore, the accuracy of dryness detection can be improved.

また、演算処理部56は、信号比の変化率と乾燥度との関係を示す検量線に基づいて、信号比を乾燥度に変換する。   In addition, the arithmetic processing unit 56 converts the signal ratio into the dryness based on a calibration curve indicating the relationship between the change rate of the signal ratio and the dryness.

この構成によれば、演算処理部56が検出した信号比を、検量線に基づいて乾燥度に変換するので、逐一乾燥度を算出する場合に比べても、処理効率を高めることができる。   According to this configuration, since the signal ratio detected by the arithmetic processing unit 56 is converted into the dryness based on the calibration curve, the processing efficiency can be improved compared to the case where the dryness is calculated one by one.

また、対象物2の乾燥時における重量をW1とし、対象物2が含有する水分量をW2としたときの乾燥度Drは、Dr=W1/(W1+W2)×100[%]で示され、第一電気信号をS1、第二電気信号をS2としたときの信号比Rは、R=S1/S2で示され、乾燥度が100%である場合の第一電気信号をs1、第二電気信号をs2としたときの基準信号比rは、r=s1/s2で示され、変化率が信号比Rと基準信号比rとの比R/rで示され、検量線は、比R/rと乾燥度Drとの関係で求められている。   Further, the dryness Dr when the weight of the object 2 during drying is W1 and the water content of the object 2 is W2 is shown by Dr = W1 / (W1 + W2) × 100 [%] The signal ratio R when one electric signal is S1 and the second electric signal is S2 is indicated by R = S1 / S2, and when the dryness is 100%, the first electric signal is s1, and the second electric signal is The reference signal ratio r when s2 is represented by r = s1 / s2, the rate of change is represented by the ratio R / r of the signal ratio R and the reference signal ratio r, and the calibration curve is represented by the ratio R / r. And the dryness Dr.

この構成によれば、検量線が、比R/rと乾燥度Drとの関係で求められているので、基準信号比rを考慮して乾燥度Drを求めることができる。つまり、対象物2の乾燥時の重量W1が分からなくとも、乾燥度Drを求めることができる。   According to this configuration, since the calibration curve is obtained from the relationship between the ratio R / r and the dryness Dr, the dryness Dr can be obtained in consideration of the reference signal ratio r. That is, the dryness Dr can be obtained without knowing the weight W1 when the object 2 is dried.

また、検量線は、乾燥度Drが60%以上における比R/rと、乾燥度Drとの一次近似直線である。   The calibration curve is a linear approximation line of the ratio R / r when the dryness Dr is 60% or more and the dryness Dr.

この構成によれば、乾燥度Drが60%以上における比R/rと、乾燥度Drとの一次近似直線Cを検量線としているので、比R/rと乾燥度Drとの関係を単純化することができる。したがって、テーブルの作成を容易化することができる。   According to this configuration, since the linear approximation line C between the ratio R / r at a dryness Dr of 60% or more and the dryness Dr is used as a calibration curve, the relationship between the ratio R / r and the dryness Dr is simplified. can do. Therefore, creation of the table can be facilitated.

また、例えば、発光部20は、第一波長帯の光と第二波長帯の光とを含み、ピーク波長が第二波長帯側にある連続した光を発するLED光源(光源22)を備える。   In addition, for example, the light emitting unit 20 includes an LED light source (light source 22) that emits continuous light that includes light in the first wavelength band and light in the second wavelength band and has a peak wavelength on the second wavelength band side.

この構成によれば、1つの光源22によって、第一波長帯の光と第二波長帯の光とを照射することができる。また、この光源22がLED光源であるので、経年変化による第一波長帯と第二波長帯とのエネルギーが同率で変化する。これにより、熱型の光源に比べて、経年変化による影響を抑制することができる。さらに、光源22は、水分の吸収が小さい第二波長帯側をピーク波長としているので、水分量による減衰率の温度変化を抑制することができる。   According to this configuration, it is possible to irradiate light in the first wavelength band and light in the second wavelength band by one light source 22. Further, since the light source 22 is an LED light source, the energy of the first wavelength band and the second wavelength band due to aging changes at the same rate. Thereby, the influence by secular change can be suppressed compared with a heat-type light source. Furthermore, since the light source 22 has the peak wavelength on the second wavelength band side where moisture absorption is small, it is possible to suppress the temperature change of the attenuation rate due to the amount of moisture.

また、例えば、第一受光部33と第二受光部43とは、互いに同型の受光素子を備えている。   In addition, for example, the first light receiving unit 33 and the second light receiving unit 43 include light receiving elements of the same type.

この構成によれば、第一受光部33と第二受光部43とが互いに同形の受光素子を備えているので、第一受光部33と第二受光部43との感度の経年変化が同傾向となり、経年変化の影響を抑制することができる。   According to this configuration, since the first light receiving unit 33 and the second light receiving unit 43 are provided with light receiving elements having the same shape, the secular change in sensitivity between the first light receiving unit 33 and the second light receiving unit 43 has the same tendency. Thus, the influence of secular change can be suppressed.

(その他)
以上、本発明に係る乾燥度センサ1について、上記の実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
(Other)
As mentioned above, although the dryness sensor 1 which concerns on this invention was demonstrated based on said embodiment, this invention is not limited to said embodiment.

例えば、上記実施の形態では、第一波長帯の中心波長が1450nm以上1500nm以下の範囲から選択され、第二波長帯の中心波長が1530nm以上1580nm以下の範囲から選択されている場合を例示して説明した。しかしながら、第一波長帯の中心波長と、第二波長帯の中心波長とは、1400nm以上1600nm以下から選択される組み合わせであって、対象物2をなす複数の素材候補のそれぞれで、信号比の変化が得られる組み合わせであればよい。このとき、第二波長帯の中心波長は、第一波長帯の中心波長よりも長波長とする。ここで言う信号比の変化とは、基準信号比に対しての信号比の変化である。これを満たす組み合わせであれば、乾燥度検出における素材の違いの影響を許容できる程度に抑えることができる。   For example, in the above embodiment, the case where the center wavelength of the first wavelength band is selected from the range of 1450 nm to 1500 nm and the center wavelength of the second wavelength band is selected from the range of 1530 nm to 1580 nm is exemplified. explained. However, the center wavelength of the first wavelength band and the center wavelength of the second wavelength band are combinations selected from 1400 nm to 1600 nm, and each of the plurality of material candidates constituting the object 2 has a signal ratio of Any combination that provides a change may be used. At this time, the center wavelength of the second wavelength band is longer than the center wavelength of the first wavelength band. The change of the signal ratio here is a change of the signal ratio with respect to the reference signal ratio. If it is a combination satisfying this, it is possible to suppress the influence of the difference in the material in the dryness detection to an allowable level.

また、上記実施の形態では、光源22がLED光源である場合を例示したが、光源は半導体レーザ素子又は有機EL素子などでもよい。   Moreover, although the case where the light source 22 was an LED light source was illustrated in the said embodiment, a semiconductor laser element or an organic EL element etc. may be sufficient as a light source.

また、上記実施の形態では、検知光をなす第一波長帯と参照光をなす第二波長帯とを含む連続した光を1つの光源22が発する場合を例示して説明した。しかしながら、複数の光源を設け、1つの光源が検知光を発し、他の光源が参照光を発するようにしてもよい。   Moreover, in the said embodiment, the case where the one light source 22 emitted the continuous light containing the 1st wavelength band which makes detection light, and the 2nd wavelength band which makes reference light demonstrated. However, a plurality of light sources may be provided so that one light source emits detection light and another light source emits reference light.

また、上記実施の形態では、信号処理回路50に備わる光源制御部51、第一信号処理部54、第二信号処理部55及び演算処理部56がそれぞれ専用のマイクロコントローラからなる場合を例示して説明したが、信号処理回路は、全体として1つのマイクロコントローラで実現されてもよい。   Moreover, in the said embodiment, the case where the light source control part 51 with which the signal processing circuit 50 is equipped, the 1st signal processing part 54, the 2nd signal processing part 55, and the arithmetic processing part 56 each consist of a dedicated microcontroller is illustrated. Although described, the signal processing circuit may be realized by a single microcontroller as a whole.

その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。   In addition, the embodiment can be realized by arbitrarily combining the components and functions in each embodiment without departing from the scope of the present invention, or a form obtained by subjecting each embodiment to various modifications conceived by those skilled in the art. Forms are also included in the present invention.

1 乾燥度センサ
2 対象物
20 発光部
22 光源(LED光源)
30 第一受光モジュール
32 第一バンドパスフィルタ
33 第一受光部
40 第二受光モジュール
42 第二バンドパスフィルタ
43 第二受光部
56 演算処理部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dryness sensor 2 Object 20 Light emission part 22 Light source (LED light source)
30 first light receiving module 32 first band pass filter 33 first light receiving unit 40 second light receiving module 42 second band pass filter 43 second light receiving unit 56 arithmetic processing unit

Claims (7)

対象物に対して光を発し、当該対象物からの反射光に基づいて前記対象物の乾燥度を検出する乾燥度センサであって、
水による吸収が所定値よりも大きな第一波長帯を含む検知光と、水による吸収が前記所定値以下である第二波長帯を含む参照光とを前記対象物に向けて発する発光部と、
前記第一波長帯の光を抽出する第一バンドパスフィルタと、
前記第二波長帯の光を抽出する第二バンドパスフィルタと、
前記対象物によって反射され、前記第一バンドパスフィルタを透過した前記検知光を受光し、第一電気信号に変換する第一受光部と、
前記対象物によって反射され、前記第二バンドパスフィルタを透過した前記参照光を受光し、第二電気信号に変換する第二受光部と、
前記第一電気信号及び前記第二電気信号の信号比を算出し、当該信号比の変化に基づいて前記対象物の乾燥度を検出する演算処理部と、を備え、
光学的なバンドパスフィルタの最大透過率の半値である波長の中心値で定義される中心波長に関して、
前記第一波長帯の中心波長と、前記第二波長帯の中心波長とは、1400nm以上1600nm以下から選択される組み合わせであって、前記対象物をなす複数の素材候補のそれぞれで、前記信号比の変化が得られる組み合わせである
乾燥度センサ。
A dryness sensor that emits light to an object and detects the dryness of the object based on reflected light from the object,
A light emitting unit that emits detection light including a first wavelength band in which absorption by water is greater than a predetermined value and reference light including a second wavelength band in which absorption by water is equal to or less than the predetermined value toward the object;
A first bandpass filter for extracting light in the first wavelength band;
A second bandpass filter for extracting light in the second wavelength band;
A first light receiving unit that receives the detection light reflected by the object and transmitted through the first bandpass filter, and converts the detection light into a first electrical signal;
A second light receiving unit that receives the reference light reflected by the object and transmitted through the second bandpass filter, and converts the reference light into a second electrical signal;
An arithmetic processing unit that calculates a signal ratio between the first electric signal and the second electric signal, and detects a dryness of the object based on a change in the signal ratio;
For the center wavelength defined by the center value of the wavelength, which is half the maximum transmittance of the optical bandpass filter,
The center wavelength of the first wavelength band and the center wavelength of the second wavelength band are combinations selected from 1400 nm to 1600 nm, and each of the plurality of material candidates constituting the object includes the signal ratio. The dryness sensor is a combination that can change
前記第一波長帯の中心波長は、1450nm以上1500nm以下の範囲から選択され、
前記第二波長帯の中心波長は、1530nm以上1580nm以下の範囲から選択されている
請求項1に記載の乾燥度センサ。
The center wavelength of the first wavelength band is selected from the range of 1450 nm to 1500 nm,
The dryness sensor according to claim 1, wherein the center wavelength of the second wavelength band is selected from a range of 1530 nm to 1580 nm.
前記演算処理部は、前記信号比の変化率と前記乾燥度との関係を示す検量線に基づいて、前記信号比を前記乾燥度に変換する
請求項1又は2に記載の乾燥度センサ。
The dryness sensor according to claim 1 or 2, wherein the arithmetic processing unit converts the signal ratio into the dryness based on a calibration curve indicating a relationship between a change rate of the signal ratio and the dryness.
前記対象物の乾燥時における重量をW1とし、前記対象物が含有する水分量をW2としたときの乾燥度Drは、Dr=W1/(W1+W2)×100[%]で示され、
前記第一電気信号をS1、前記第二電気信号をS2としたときの前記信号比Rは、R=S1/S2で示され、
前記乾燥度が100%である場合の前記第一電気信号をs1、前記第二電気信号をs2としたときの基準信号比rは、r=s1/s2で示され、
前記変化率が前記信号比Rと前記基準信号比rとの比R/rで示され、
前記検量線は、前記比R/rと前記乾燥度Drとの関係で求められている
請求項3に記載の乾燥度センサ。
The dryness Dr when the weight of the object at the time of drying is W1 and the amount of water contained in the object is W2 is shown by Dr = W1 / (W1 + W2) × 100 [%],
The signal ratio R when the first electric signal is S1 and the second electric signal is S2 is represented by R = S1 / S2.
When the dryness is 100%, the reference signal ratio r when the first electric signal is s1 and the second electric signal is s2, is represented by r = s1 / s2.
The rate of change is indicated by a ratio R / r between the signal ratio R and the reference signal ratio r;
The dryness sensor according to claim 3, wherein the calibration curve is obtained from a relationship between the ratio R / r and the dryness Dr.
前記検量線は、前記乾燥度Drが60%以上における前記比R/rと、前記乾燥度Drとの一次近似直線である
請求項4に記載の乾燥度センサ。
The dryness sensor according to claim 4, wherein the calibration curve is a linear approximation line between the ratio R / r and the dryness Dr when the dryness Dr is 60% or more.
前記発光部は、前記検知光をなす波長帯と前記参照光をなす波長帯とを含み、ピーク波長が前記第二波長帯側にある連続した光を発するLED光源である
請求項1〜5のいずれか一項に記載の乾燥度センサ。
The light emitting unit is an LED light source that emits continuous light having a wavelength band that forms the detection light and a wavelength band that forms the reference light, and a peak wavelength on the second wavelength band side. The dryness sensor according to any one of the above.
前記第一受光部と前記第二受光部とは、互いに同型の受光素子を備える
請求項1〜6のいずれか一項に記載の乾燥度センサ。
The dryness sensor according to any one of claims 1 to 6, wherein the first light receiving unit and the second light receiving unit include light receiving elements of the same type.
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