JPWO2018123725A1 - 円偏光板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、表示装置に適用した際に、斜め方向から視認時の外光反射および色味変化がより抑制される、円偏光板、および、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。本発明の円偏光板は、偏光子、λ／２板、および、λ／４板をこの順で有し、偏光子の吸収軸とλ／４板の面内遅相軸とのなす角度が２０〜７０°の範囲にあり、λ／４板のＮｚファクターが０．３０〜０．７０であり、偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが直交または平行であり、偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、λ／２板のＮｚファクターが０．１０〜０．４０であり、偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、λ／２板のＮｚファクターが０．６０〜０．９０である。

Description

本発明は、円偏光板、および、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。

従来から、外光反射による悪影響を抑制するために、円偏光板が有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置などに使用されている。円偏光板としては、例えば、特許文献１に記載されるように、第１光学異方性層、λ／４板、および、偏光子を組み合わせた態様が開示されている。なお、特許文献１の実施例においては、第１光学異方性層として、Ｎｚファクターが０または１を示すλ／２板が使用されている。

国際公開第２０１５／１６６９９１号パンフレット

一方、近年、有機ＥＬ表示装置に代表される表示装置においては、視野角特性のより一層の向上が求められている。より具体的には、円偏光板を含む表示装置においては、斜め方向から視認した際の外光反射のより一層の低減が求められている。
本発明者が、特許文献１に記載の円偏光板を含む有機ＥＬ表示装置の外光反射特性について検討を行ったところ、斜め方向から見た際には外光反射の抑制が昨今求められるレベルまで到達しておらず、更なる改良が必要であった。
また、斜め方向からの視認時において、方位角を変えて視認した際に、色味の変化が小さいことも求められている。つまり、斜め方向から視認した際の色味変化がより抑制されることが求められている。

本発明は、上記実情に鑑みて、表示装置に適用した際に、斜め方向から視認した際の外光反射および色味変化がより抑制される、円偏光板を提供することを目的とする。
また、本発明は、上記円偏光板を有する有機ＥＬ表示装置を提供することも目的とする。

本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討した結果、所定の構成の円偏光板を用いることにより、上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。

（１） 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルと、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル上に配置された円偏光板とを含む、有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
円偏光板が、偏光子、λ／２板、および、λ／４板をこの順で有し、
偏光子の吸収軸とλ／４板の面内遅相軸とのなす角度が２０〜７０°の範囲にあり、
λ／４板のＮｚファクターが０．３０〜０．７０であり、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが直交または平行であり、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、λ／２板のＮｚファクターが０．１０〜０．４０であり、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、λ／２板のＮｚファクターが０．６０〜０．９０である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（２） 偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、λ／２板のＮｚファクターが０．１５〜０．３５であり、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、λ／２板のＮｚファクターが０．６５〜０．８５である、（１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（３） λ／４板のＮｚファクターが０．４０〜０．６０である、（１）または（２）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（４） λ／２板が、逆波長分散性を示す、（１）〜（３）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（５） λ／４板が、逆波長分散性を示す、（１）〜（４）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（６） 偏光子、λ／２板、および、λ／４板をこの順で有し、
偏光子の吸収軸とλ／４板の面内遅相軸とのなす角度が２０〜７０°の範囲にあり、
λ／４板のＮｚファクターが０．３０〜０．７０であり、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが直交または平行であり、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、λ／２板のＮｚファクターが０．１０〜０．４０であり、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、λ／２板のＮｚファクターが０．６０〜０．９０である、円偏光板。
（７） 偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、λ／２板のＮｚファクターが０．１５〜０．３５であり、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、λ／２板のＮｚファクターが０．６５〜０．８５である、（６）に記載の円偏光板。
（８） λ／４板のＮｚファクターが０．４０〜０．６０である、（６）または（７）に記載の円偏光板。
（９） λ／２板が、逆波長分散性を示す、（６）〜（８）のいずれかに記載の円偏光板。
（１０） λ／４板が、逆波長分散性を示す、（６）〜（９）のいずれかに記載の円偏光板。
（１１） 反射防止用途に用いられる、（６）〜（１０）のいずれかに記載の円偏光板。
（１２） 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルと、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル上に配置された円偏光板とを含む、有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
円偏光板が、偏光子、λ／２板、λ／４板、および、ポジティブＣプレートをこの順で有し、
偏光子の吸収軸とλ／４板の面内遅相軸とのなす角度が２０〜７０°の範囲にあり、
ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈ（５５０）が、後述する式（１）の関係を満たし、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが直交または平行であり、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、λ／２板のＮｚファクターが０．１０〜０．４０であり、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、λ／２板のＮｚファクターが０．６０〜０．９０である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（１３） ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈ（５５０）が、後述する式（２）の関係を満たす、（１２）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（１４） λ／２板が、逆波長分散性を示す、（１２）または（１３）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（１５） λ／４板が、逆波長分散性を示す、（１２）〜（１４）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（１６） 偏光子、λ／２板、λ／４板、および、ポジティブＣプレートをこの順で有し、
偏光子の吸収軸とλ／４板の面内遅相軸とのなす角度が２０〜７０°の範囲にあり、
ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈ（５５０）が、後述する式（１）の関係を満たし、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが直交または平行であり、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、λ／２板のＮｚファクターが０．１０〜０．４０であり、
偏光子の吸収軸とλ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、λ／２板のＮｚファクターが０．６０〜０．９０である、円偏光板。
（１７） ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈ（５５０）が、後述する式（２）の関係を満たす、（１６）に記載の円偏光板。
（１８） λ／２板が、逆波長分散性を示す、（１６）または（１７）に記載の円偏光板。
（１９） λ／４板が、逆波長分散性を示す、（１６）〜（１８）のいずれかに記載の円偏光板。
（２０） 反射防止用途に用いられる、（１６）〜（１９）のいずれかに記載の円偏光板。

本発明によれば、表示装置に適用した際に、斜め方向から視認時の外光反射および色味変化がより抑制される、円偏光板を提供できる。
また、本発明によれば、上記円偏光板を有する有機ＥＬ表示装置を提供できる。

本発明の円偏光板の第１実施態様の断面図である。 本発明の円偏光板の第１実施態様における、偏光子の吸収軸、λ／２板の面内遅相軸、および、λ／４板の面内遅相軸の関係を示す図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の断面図である。 本発明の円偏光板の第２実施態様の断面図である。 本発明の円偏光板の第２実施態様における、偏光子の吸収軸、λ／２板の面内遅相軸、および、λ／４板の面内遅相軸の関係を示す図である。 本発明の円偏光板の第３実施態様の断面図である。 本発明の円偏光板の第３実施態様における、偏光子の吸収軸、λ／２板の面内遅相軸、および、λ／４板の面内遅相軸の関係を示す図である。 本発明の円偏光板の第４実施態様の断面図である。 本発明の円偏光板の第４実施態様における、偏光子の吸収軸、λ／２板の面内遅相軸、および、λ／４板の面内遅相軸の関係を示す図である。 各軸方向のオーダーパラメータを説明するための図である。

以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。まず、本明細書で用いられる用語について説明する。

本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレタデーションおよび厚み方向のレタデーションを表す。特に記載がないときは、波長λは、５５０ｎｍとする。
本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）はＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１（オプトサイエンス社製）において、波長λで測定した値である。ＡｘｏＳｃａｎにて平均屈折率（（Ｎｘ＋Ｎｙ＋Ｎｚ）／３）と膜厚（ｄ（μｍ））を入力することにより、
遅相軸方向（°）
Ｒｅ（λ）＝Ｒ０（λ）
Ｒｔｈ（λ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
が算出される。
なお、Ｒ０（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１で算出される数値として表示されるものであるが、Ｒｅ（λ）を意味している。

本明細書において、屈折率ｎｘ、ｎｙ、および、ｎｚは、アッベ屈折率（ＮＡＲ−４Ｔ、アタゴ（株）製）を使用し、光源にナトリウムランプ（λ＝５８９ｎｍ）を用いて測定する。また、波長依存性を測定する場合は、多波長アッベ屈折計ＤＲ−Ｍ２（アタゴ（株）製）にて、干渉フィルタとの組み合わせで測定できる。
また、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、および、各種光学フィルムのカタログの値を使用できる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、および、ポリスチレン（１．５９）。
また、本明細書において、Ｎｚファクターとは、Ｎｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）で与えられる値である。

なお、本明細書では、「可視光」とは、３８０〜８００ｎｍのことをいう。
また、本明細書において、角度（例えば「９０°」などの角度）、およびその関係（例えば「直交」、「平行」、および「４５°で交差」など）については、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。例えば、厳密な角度±１０°の範囲内であることなどを意味し、厳密な角度との誤差は、５°以下であることが好ましく、３°以下であることがより好ましい。

なお、本明細書において、Ｃプレートは以下のように定義される。
Ｃプレートは、ポジティブＣプレート（正のＣプレート）とネガティブＣプレート（負のＣプレート）との２種があり、ポジティブＣプレートは式（Ｃ１）の関係を満たすものであり、ネガティブＣプレートは式（Ｃ２）の関係を満たすものである。なお、ポジティブＣプレートはＲｔｈが負の値を示し、ネガティブＣプレートはＲｔｈが正の値を示す。
式（Ｃ１） ｎｚ＞ｎｘ≒ｎｙ
式（Ｃ２） ｎｚ＜ｎｘ≒ｎｙ
なお、上記「≒」とは、両者が完全に同一である場合だけでなく、両者が実質的に同一である場合も包含する。「実質的に同一」とは、例えば、（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ただし、ｄはフィルムの厚みである）が、０〜１０ｎｍ、好ましくは０〜５ｎｍの場合も「ｎｘ≒ｎｙ」に含まれる。

本明細書において、偏光子の「吸収軸」は、吸光度の最も高い方向を意味する。「透過軸」は、「吸収軸」と９０°の角度をなす方向を意味する。
本明細書において、λ／２板およびλ／４板の「面内遅相軸」は、面内において屈折率が最大となる方向を意味する。

＜第１実施態様＞
以下に、本発明の円偏光板の第１実施態様について図面を参照して説明する。図１に、本発明の円偏光板の第１実施態様の断面図を示す。なお、本発明における図は模式図であり、各層の厚みの関係や位置関係などは必ずしも実際のものとは一致しない。以下の図も同様である。
円偏光板１０Ａは、偏光子１２と、λ／２板１４Ａと、λ／４板１６とをこの順で有する。
また、図２において、偏光子１２の吸収軸、λ／２板１４Ａの面内遅相軸、および、λ／４板１６の面内遅相軸の関係を示す。図２中、偏光子１２中の矢印は吸収軸の方向を、λ／２板１４Ａおよびλ／４板１６中の矢印はそれぞれの層中の面内遅相軸の方向を表す。
以下、円偏光板１０Ａに含まれる各部材について詳述する。

（偏光子）
偏光子１２は、光を特定の直線偏光に変換する機能を有する部材（直線偏光子）であればよく、例えば、吸収型偏光子が挙げられる。
吸収型偏光子としては、例えば、ヨウ素系偏光子、二色性染料を利用した染料系偏光子、および、ポリエン系偏光子が挙げられる。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子には、塗布型偏光子と延伸型偏光子とがあり、いずれも適用できる。なかでも、ポリビニルアルコールにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸して作製される偏光子が好ましい。
また、基材上にポリビニルアルコール層を形成した積層フィルムの状態で延伸および染色を施すことで偏光子を得る方法として、特許第５０４８１２０号公報、特許第５１４３９１８号公報、特許第５０４８１２０号公報、特許第４６９１２０５号公報、特許第４７５１４８１号公報、および、特許第４７５１４８６号公報に記載の方法が挙げられ、これらの偏光子に関する公知の技術も好ましく利用できる。
なかでも、取り扱い性の点で、偏光子１２は、ポリビニルアルコール系樹脂（−ＣＨ₂−ＣＨＯＨ−を繰り返し単位として含むポリマー、特に、ポリビニルアルコールおよびエチレン−ビニルアルコール共重合体からなる群から選択される少なくとも１つが好ましい。）を含む偏光子であることが好ましい。

偏光子１２の厚みは特に制限されないが、取り扱い性に優れると共に、光学特性にも優れる点より、３５μｍ以下が好ましく、３〜２５μｍがより好ましく、４〜１５μｍがさらに好ましい。上記厚みであれば、画像表示装置の薄型化に対応可能となる。

（λ／２板１４Ａ）
λ／２板１４Ａは、上記偏光子１２と後述するλ／４板１６との間に配置される層である。この層を設けることにより、円偏光板を含む表示装置において、斜め方向からの視認の際に外光反射および色味変化がより抑制される。
なお、λ／２板１４Ａは、単層構造であることが好ましい。

λ／２板１４Ａとは、特定の波長λｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（λ）がＲｅ（λ）≒λ／２を満たす光学異方性層のことをいう。この式は、可視光域のいずれかの波長（例えば、５５０ｎｍ）において達成されていればよい。
なかでも、円偏光板を表示装置に適用した際に、斜め方向での視認において外光反射および／または色味変化がより抑制される点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（５５０）は、２００〜４００ｎｍであることが好ましく、２４０〜３２０ｎｍであることがより好ましく、２５０〜３００ｎｍであることがさらに好ましい。

図２に示すように、偏光子１２の吸収軸とλ／２板１４Ａの面内遅相軸とは直交するように配置される。
直交とは、偏光子１２の吸収軸とλ／２板１４Ａの面内遅相軸とのなす角度が９０±１０°であることを意図し、上記なす角度は８５〜９５°が好ましく、８８〜９２°がより好ましく、８９〜９１°がさらに好ましい。
なお、上記角度は、偏光子１２表面の法線方向から視認した際の、偏光子１２の吸収軸とλ／２板１４Ａの面内遅相軸とのなす角度を意図する。

λ／２板１４Ａは、順波長分散性（面内レタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなる特性。）を示しても、逆波長分散性（面内レタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなる特性。）を示してもよいが、本発明の効果がより優れる点で、逆波長分散性を示すことが好ましい。なお、上記順波長分散性および逆波長分散性は、可視光域において示されることが好ましい。
なお、λ／２板１４Ａの面内レタデーションを適切に逆波長分散性とするためには、具体的には、λ／２板１４ＡのＲｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）は、０．７０以上１．００未満であることが好ましく、０．８０〜０．９０であることがより好ましく、０．８１〜０．８７であることがさらに好ましく、λ／２板１４ＡのＲｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）は、１．００超１．２０以下であることが好ましく、１．０４〜１．１８であることがより好ましい。
なお、上記Ｒｅ（４５０）およびＲｅ（６５０）は、それぞれ波長４５０ｎｍおよび波長６５０ｎｍで測定したλ／２板１４Ａの面内レタデーションを示す。

λ／２板１４ＡのＮｚファクターは、０．１０〜０．４０であり、本発明の効果がより優れる点で、０．１５〜０．３５が好ましく、０．２０〜０．３０がより好ましく、０．２３〜０．２７がさらに好ましい。Ｎｚファクターの算出方法は上述の通りである。

λ／２板１４Ａの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈ（５５０）は、本発明の効果がより優れる点で、−１２０〜−２０ｎｍであることが好ましく、−８０〜−５０ｎｍであることがより好ましい。

λ／２板１４Ａは、液晶化合物を用いて形成されることが好ましい。ただし、上述した面内レタデーションなど所定の特性を満たせば、他の材料で構成されていてもよい。例えば、ポリマーフィルム（特に、延伸処理が施されたポリマーフィルム）から形成されていてもよい。
なお、従来、有機ＥＬ表示パネルは剛直な平面型が主流であったが、近年、折り畳みが可能なフレキシブルな有機ＥＬ表示パネルが提案されている。このようなフレキシブルな有機ＥＬ表示パネルに用いる円偏光板としては、それ自体がフレキシブル性に優れることが求められる。この観点からは、液晶化合物を用いて形成されたλ／２板１４Ａであれば、ポリマーフィルムよりもフレキシブル性に優れるため、フレキシブルな有機ＥＬ表示パネルに好適に適用できる。
また、後段で詳述するλ／４板１６も、上記理由から、液晶化合物を用いて形成されたλ／４板であることが好ましい。
つまり、液晶化合物を用いて形成されたλ／２板および液晶化合物を用いて形成されたλ／４板を含む円偏光板であれば、フレキシブルな有機ＥＬ表示パネルにより好適に適用できる。

液晶化合物の種類は特に制限されないが、その形状から、棒状タイプ（棒状液晶化合物）と円盤状タイプ（円盤状液晶化合物。ディスコティック液晶化合物）とに分類できる。さらにそれぞれ低分子タイプと高分子タイプとがある。高分子とは一般に重合度が１００以上のものを指す（高分子物理・相転移ダイナミクス，土井 正男 著，２頁，岩波書店，１９９２）。２種以上の棒状液晶化合物、２種以上の円盤状液晶化合物、または、棒状液晶化合物と円盤状液晶化合物との混合物を用いてもよい。

λ／２板１４Ａは、光学特性の温度変化および湿度変化を小さくできることから、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）を用いて形成されることがより好ましい。液晶化合物は２種類以上の混合物でもよく、その場合、少なくとも１つが２以上の重合性基を有していることが好ましい。
つまり、λ／２板１４Ａは、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
上記重合性基の種類は特に制限されず、ラジカル重合またはカチオン重合が可能な重合性基が好ましい。
ラジカル重合性基としては、公知のラジカル重合性基を用いることができ、アクリロイル基またはメタアクリロイル基が好ましい。
カチオン重合性基としては、公知のカチオン重合性基を用いることができ、具体的には、脂環式エーテル基、環状アセタール基、環状ラクトン基、環状チオエーテル基、スピロオルソエステル基、および、ビニルオキシ基などが挙げられる。なかでも、脂環式エーテル基またはビニルオキシ基が好ましく、エポキシ基、オキセタニル基、または、ビニルオキシ基がより好ましい。
特に、好ましい重合性基の例としては下記が挙げられる。

なかでも、後述する延伸処理および／または収縮処理によりＮｚファクターの制御がよりしやすい点で、重合性基を有する液晶化合物としては、一般式（Ｉ）で表される化合物が好ましい。
一般式（Ｉ） Ｌ₁−Ｇ₁−Ｄ₁−Ａｒ−Ｄ₂−Ｇ₂−Ｌ₂

Ｄ₁およびＤ₂は、それぞれ独立に、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−、−ＣＲ¹Ｒ²−、−ＣＲ¹Ｒ²−ＣＲ³Ｒ⁴−、−Ｏ−ＣＲ¹Ｒ²−、−ＣＲ¹Ｒ²−Ｏ−、−ＣＲ¹Ｒ²−Ｏ−ＣＲ³Ｒ⁴−、−ＣＲ¹Ｒ²−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ¹Ｒ²−、−ＣＲ¹Ｒ²−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ³Ｒ⁴−、−ＣＲ¹Ｒ²−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ³Ｒ⁴−、−ＮＲ¹−ＣＲ²Ｒ³−、−ＣＲ¹Ｒ²−ＮＲ³−、−ＣＯ−ＮＲ¹−、または、−ＮＲ¹−ＣＯ−を表し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、およびＲ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、または炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｇ₁およびＧ₂は、それぞれ独立に、炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表し、脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、または、−ＮＲ⁶−で置換されていてもよく、Ｒ⁶は水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｌ₁およびＬ₂は、それぞれ独立に、１価の有機基を表し、Ｌ₁およびＬ₂からなる群から選ばれる少なくとも一種が、重合性基を有する１価の基を表す。なかでも、Ｌ₁およびＬ₂の一方が重合性基を有する１価の基を表し、他方が重合性基を含まない１価の有機基を表すか、または、Ｌ₁およびＬ₂の一方がラジカル重合性基で、他方がカチオン重合性基であることが好ましい。
Ａｒは、一般式（ＩＩ−１）、一般式（ＩＩ−２）、一般式（ＩＩ−３）、または、一般式（ＩＩ−４）で表される２価の芳香環基を表す。

Ｑ₁は、−Ｓ−、−Ｏ−、または−ＮＲ¹¹−を表し、Ｒ¹¹は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｙ₁は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、または、炭素数３〜１２の芳香族複素環基を表す。Ｚ₁、Ｚ₂、および、Ｚ₃は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基、１価の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、−ＮＲ¹²Ｒ¹³または−ＳＲ¹²を表す。Ｚ₁およびＺ₂は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成してもよく、Ｒ¹²およびＲ¹³は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ａ₁およびＡ₂は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＮＲ²¹−（Ｒ²¹は水素原子または置換基を表す。）、−Ｓ−および−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｘは水素原子または置換基が結合していてもよい第１４〜１６族の非金属原子を表す。Ａｘは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、または、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ＡｘおよびＡｙが有する芳香環は置換基を有していてもよく、ＡｘとＡｙとは結合して、環を形成していてもよい。Ｑ₂は、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。

一般式（Ｉ）で表される化合物の各置換基の定義および好ましい範囲については、特開２０１２−２１０６８号公報に記載の化合物（Ａ）のＤ¹、Ｄ²、Ｇ¹、Ｇ²、Ｌ¹、Ｌ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｘ¹、Ｙ¹、Ｑ¹、および、Ｑ²に関する記載をそれぞれ上記一般式（Ｉ）のＤ₁、Ｄ₂、Ｇ₁、Ｇ₂、Ｌ₁、Ｌ₂、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｑ_１、Ｙ₁、Ｚ₁、および、Ｚ₂について参照でき、特開２００８−１０７７６７号公報に記載の一般式（Ｉ）で表される化合物のＡ₁、Ａ₂、および、Ｘに関する記載をそれぞれ上記一般式（Ｉ）のＡ₁、Ａ₂、および、Ｘについて参照でき、ＷＯ２０１３／０１８５２６に記載の一般式（Ｉ）で表される化合物のＡｘ、Ａｙ、および、Ｑ¹に関する記載をそれぞれ上記一般式（Ｉ）に関するＡｘ、Ａｙ、および、Ｑ₂について参照できる。Ｚ₃については、特開２０１２−２１０６８号公報に記載の化合物（Ａ）のＱ¹に関する記載を参照できる。

Ｌ₁およびＬ₂の一方は、−Ｄ₃−Ｇ₃−Ｓｐ−Ｐ₃で表される基であることが好ましい。
Ｄ₃は、Ｄ₁と同義である。
Ｇ₃は、単結合、炭素数６〜１２の２価の芳香環基もしくは複素環基、または、炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表し、上記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、または、−ＮＲ⁷−で置換されていてもよく、ここでＲ⁷は水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｓｐは、単結合、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ⁸−、または、これらを組み合わせた基を表す。上記組み合わせた基としては、例えば、−（ＣＨ₂）_n−、−（ＣＨ₂）_n−Ｏ−、−（ＣＨ₂−Ｏ−）_n−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−）_m、−Ｏ−（ＣＨ₂）_n−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_n−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ₂−Ｏ−）_n−、−Ｏ−（ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−）_m、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ₂）_n−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ₂）_n−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ₂−Ｏ−）_n−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−）_m、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ⁸−（ＣＨ₂）_n−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ⁸−（ＣＨ₂）_n−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ⁸−（ＣＨ₂−Ｏ−）_n−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ⁸−（ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−）_m、および、−（ＣＨ₂）_n−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ₂）_n−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ₂）_n−が挙げられる。ここで、ｎは２〜１２の整数を表し、ｍは２〜６の整数を表し、Ｒ⁸は水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｐ₃は重合性基を示す。重合性基の定義は、上述した通りである。

Ｌ₁およびＬ₂の他方は、重合性基を含まない１価の有機基か、Ｐ₃とは異なる重合性基であることが好ましく、例えば、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基、および、１価の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が挙げられる。なお、上記脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素基、および、芳香族炭化水素基には、置換基が置換していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基が挙げられる。

一般的に、液晶化合物の配向の程度を表すパラメータとして、オーダーパラメータが知られている。オーダーパラメータは、結晶のように分布がない場合に１、液体状態のように完全にランダムな場合に０となる。例えば、ネマチック液晶では、通常０．６程度の値をとるといわれている。オーダーパラメータについては、例えば、ＤＥ ＪＥＵ，Ｗ．Ｈ．（著） 「液晶の物性」（共立出版、１９９１年、１１頁）に詳しく記載があり、次の式で表される。

ここでθは、配向要素（例えば、液晶化合物）の平均的な配向軸方向と、各配向要素の軸とのなす角度である。

本明細書においては、図１０に示すように、λ／２板およびλ／４板などの位相差板の面内遅相軸方向をｘ軸、面内で遅相軸方向と直交する方向をｙ軸、位相差板の厚み方向をｚ軸とし、配向解析により得られた液晶化合物に由来するメソゲン基の平均配向方向Ｍと、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸との角度をそれぞれθ_Ｘ、θ_Ｙ、θ_Ｚとしたとき、メソゲン基のｘ方向のオーダーパラメータＳｘ、ｙ方向のオーダーパラメータＳｙ、ｚ方向のオーダーパラメータＳｚはそれぞれ下記式で表される。
なお、メソゲン基とは、液晶化合物に含まれる構造であり、剛直かつ配向性を有する官能基である。メソゲン基の構造としては、例えば、芳香環基および脂環基からなる群から選択される基が、複数個、直接または連結基（例えば、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは、水素原子、または、アルキル基を表す）、または、これらを組み合わせた基）を介して連なった構造が挙げられる。

位相差板中のメソゲン基の各方向におけるオーダーパラメータの測定方法としては、偏光ラマンスペクトル測定が挙げられる。
より具体的には、測定装置としては、偏光ラマンスペクトル測定にはｎａｎｏｆｉｄｅｒ（東京インスツルメンツ社製）を用いる。まず、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１（オプトサイエンス社製）を用いて、位相差板の面内遅相軸（ｘ軸）方向を特定する。次に、位相差板の主面（ｘｙ面）、位相差板の第１断面（ｘｚ面）、および、位相差板の第２断面（ｙｚ面）を測定面として、偏光ラマンスペクトル測定を行う。なお、上記第１断面および第２断面は、位相差板を所定の方向で切断して露出される断面である。第１断面はｘ軸に平行で、かつ、主面に対して垂直な方向で位相差板を切断して形成される断面である。第２断面は、ｙ軸に平行で、かつ、主面に対して垂直な方向で位相差板を切断して形成される断面である。
偏光ラマンスペクトル測定の具体的な方法としては、所定の励起波長（例えば、７８５ｎｍ）で偏光をいくつかの角度で回転させ、それに対して平行な方向と垂直な方向との偏光ラマンスペクトルを測定する。次に、Naoki Hayashi, Tatsuhisa Kato, Phys. Rev. E, 63, 021706 (2001)に記載の方法に従って、位相差板中に含まれるメソゲン基の骨格に由来するピークをもつバンドに対し、理論的に導いた式により最小二乗法に基づくフィッティング解析を行い、測定面内の２次オーダーパラメータＳｘｙ、Ｓｙｘ、Ｓｙｚ、Ｓｚｙ、Ｓｘｚ、および、Ｓｚｘを算出する。さらに以下の式に基づき各軸方向のオーダーパラメータＳｘ、Ｓｙ、および、Ｓｚを算出する。
Ｓｘ＝（Ｓｘｙ＋Ｓｘｚ）／２
Ｓｙ＝（Ｓｙｘ＋Ｓｙｚ）／２
Ｓｚ＝（Ｓｚｘ＋Ｓｚｙ）／２
なお、位相差板中におけるメソゲン基の構造は、熱分解ＧＣ−ＭＳ（Gas chromatography-mass spectrometry）、ＩＲ（infrared）スペクトル測定、および、ＮＭＲ（nuclear magnetic resonance）測定により決定できる。使用される液晶化合物の構造が予めわかっている場合は、その構造より位相差板中におけるメソゲン基の構造を決定できる。

なお、メソゲン基の配向解析に用いる構造部位がメソゲン基の基準軸に平行である場合、解析結果をそのまま用いることができる。また、メソゲン基の配向解析に用いる構造部位がメソゲン基の基準軸に直交している場合、解析結果をメソゲン基の基準軸に方向に変換する。例えば、メソゲン基の配向解析に用いる構造部位がメソゲン基の基準軸に直交している液晶化合物がネマチック液晶性を示す場合は、液晶化合物は一軸性で配向しているため、上記測定により得られた測定値（Ｓ_Ｘ⊥、Ｓ_Ｙ⊥、Ｓ_Ｚ⊥）を以下の式（Ｘ）〜式（Ｚ）により変換することにより、各軸に沿ったメソゲン基のオーダーパラメータを算出できる。
なお、上記基準軸はオーダーパラメータを算出する際の軸であり、メソゲン基の種類によって異なる。詳細は、後段で詳述する。

上記オーダーパラメータを算出する際には、メソゲン基の種類によって基準軸が変わる。具体的には、メソゲン基が棒状である場合、メソゲン基の長軸を基準としてオーダーパラメータが算出される。つまり、メソゲン基の長軸が基準軸となり、メソゲン基の長軸の平均配向方向と、上述したｘ軸、ｙ軸、および、ｚ軸とのなす角度をそれぞれθ_Ｘ、θ_Ｙ、および、θ_Ｚとして、オーダーパラメータを算出する。
また、メソゲン基が円盤状である場合、メソゲン基の円盤面に直交する軸を基準としてオーダーパラメータが算出される。つまり、メソゲン基の円盤面に直交する軸が基準軸となり、メソゲン基の円盤面に直交する軸の平均配向方向と、上述したｘ軸、ｙ軸、および、ｚ軸とのなす角度をそれぞれθ_Ｘ、θ_Ｙ、および、θ_Ｚとして、オーダーパラメータを算出する。

λ／２板１４Ａにおいて、液晶化合物由来のメソゲン基が棒状の場合は、式（Ａ１）〜（Ａ３）の要件を満たすことが好ましい。
式（Ａ１） Ｓｘ＞Ｓｚ＞Ｓｙ
式（Ａ２） −０．３＜Ｓｚ＜０．２（好ましくは、−０．１０＜Ｓｚ＜０．１０）
式（Ａ３） Ｓｘ＞０．０５
上記Ｓｘは、０．１以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、０．４以下の場合が多い。
また、Ｓｙは、−０．１以下であることが好ましく、−０．２以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、−０．４以上の場合が多い。
また、Ｓｘの絶対値とＳｙの絶対値との差は、０．１以下であることが好ましく、０．０４以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、０が好ましい。

λ／２板１４Ａにおいて、液晶化合物由来のメソゲン基が円盤状の場合、式（Ａ４）〜（Ａ６）の要件を満たす。
式（Ａ４） Ｓｙ＞Ｓｚ＞Ｓｘ
式（Ａ５） −０．２＜Ｓｚ＜０．３（好ましくは、−０．１０＜Ｓｚ＜０．１０）
式（Ａ６） Ｓｙ＞０．０５
上記Ｓｘは、−０．１以下であることが好ましく、−０．２以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、−０．４以上の場合が多い。
また、Ｓｙは、０．１以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、０．４以下の場合が多い。
また、Ｓｘの絶対値とＳｙの絶対値との差は、０．１以下であることが好ましく、０．０４以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、０が好ましい。

λ／２板１４Ａの形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
なかでも、Ｎｚファクターの制御がしやすい点で、重合性基を有する液晶化合物（以後、単に「重合性液晶化合物」とも称する）を含むλ／２板形成用組成物（以後、単に「組成物」とも称する）を塗布して塗膜を形成し、塗膜に配向処理を施して重合性液晶化合物を配向させ、得られた塗膜に対して硬化処理（紫外線の照射（光照射処理）または加熱処理）を施し、硬化処理が施された膜に対して延伸処理および収縮処理の少なくとも一方を施して、λ／２板を得る方法が好ましい。
以下、上記方法を、工程１〜工程３に分けて詳述する。

（工程１）
工程１は、支持体上に、組成物を塗布して塗膜を形成し、塗膜に配向処理を施して重合性液晶化合物を配向させる工程である。
本工程で使用される組成物は、重合性液晶化合物を含む。重合性液晶化合物の定義および好適範囲は、上述した通りである。

組成物中における重合性液晶化合物の含有量は特に制限されないが、Ｎｚファクターの制御がしやすい点で、組成物中の全固形分に対して、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、９９質量％以下の場合が多い。
なお、組成物中の全固形分には、溶媒は含まれない。

上記組成物には、上述した重合性液晶化合物以外の成分が含まれていてもよい。
例えば、組成物には、重合開始剤が含まれていてもよい。使用される重合開始剤は、重合反応の形式に応じて選択され、例えば、熱重合開始剤、光重合開始剤が挙げられる。例えば、光重合開始剤としては、α−カルボニル化合物、アシロインエーテル、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物、多核キノン化合物、および、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせなどが挙げられる。
組成物中における重合開始剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．５〜５質量％であることがより好ましい。

また、組成物には、塗工膜の均一性、および、膜の強度の点で、重合性モノマーが含まれていてもよい。
重合性モノマーとしては、ラジカル重合性またはカチオン重合性の化合物が挙げられる。重合性モノマーとしては、多官能性ラジカル重合性モノマーが好ましく、上記の重合性基を有する液晶化合物と共重合性のものがより好ましい。例えば、特開２００２−２９６４２３号公報中の段落［００１８］〜［００２０］に記載のものが挙げられる。
組成物中における重合性モノマーの含有量は、重合性液晶化合物の全質量に対して、１〜５０質量％であることが好ましく、２〜３０質量％であることがより好ましい。

また、組成物には、塗工膜の均一性、および、膜の強度の点で、界面活性剤が含まれていてもよい。
界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、フッ素系化合物が好ましい。具体的には、例えば特開２００１−３３０７２５号公報中の段落［００２８］〜［００５６］に記載の化合物、特願２００３−２９５２１２号明細書中の段落［００６９］〜［０１２６］に記載の化合物が挙げられる。

また、組成物には、溶媒が含まれていてもよい。溶媒としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒としては、アミド（例、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例、ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例、ピリジン）、炭化水素（例、ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例、クロロホルム、ジクロロメタン）、エステル（例、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル）、ケトン（例、アセトン、メチルエチルケトン）、および、エーテル（例、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）が挙げられる。なかでも、アルキルハライドまたはケトンが好ましい。２種類以上の有機溶媒を併用してもよい。

また、組成物には、垂直配向剤、および、水平配向剤などの各種配向制御剤が含まれていてもよい。これらの配向制御剤は、界面側において液晶化合物を水平または垂直に配向制御可能な化合物である。

さらに、組成物には、上記成分以外に、密着改良剤、可塑剤、および、ポリマーなどの他の添加剤が含まれていてもよい。

工程１で使用される支持体は、組成物を塗布するための基材として機能を有する部材である。支持体は、組成物を塗布および硬化させた後に剥離される仮支持体、または、延伸した後に剥離される仮支持体であってもよい。

支持体（仮支持体）としては、プラスチックフィルムの他、ガラス基板を用いてもよい。プラスチックフィルムを構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステル、ポリカーボネート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリオレフィン、セルロース誘導体、シリコーン、および、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などが挙げられる。
支持体の厚みとしては、５〜１０００μｍ程度であればよく、１０〜２５０μｍが好ましく、１５〜９０μｍがより好ましい。

なお、必要に応じて、支持体上には、配向層を配置してもよい。
配向層は、一般的には、ポリマーを主成分とする。配向層用ポリマーとしては、多数の文献に記載があり、多数の市販品を入手できる。利用されるポリマーは、ポリビニルアルコール、ポリイミド、または、その誘導体が好ましい。
なお、配向層には、公知のラビング処理が施されることが好ましい。
配向層の厚みは、０．０１〜１０μｍであることが好ましく、０．０１〜１μｍであることがより好ましい。

組成物の塗布方法としては、カーテンコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、印刷コーティング法、スプレーコーティング法、スロットコーティング法、ロールコーティング法、スライドコーティング法、ブレードコーティング法、グラビアコーティング法、および、ワイヤーバー法などの公知の方法が挙げられる。いずれの方法で塗布する場合においても、単層塗布が好ましい。

支持体上に形成された塗膜に、配向処理を施して、塗膜中の重合性液晶化合物を配向させる。
配向処理は、室温により塗膜を乾燥させる、または、塗膜を加熱することにより行うことができる。サーモトロピック性液晶化合物の場合、一般に温度または圧力の変化により、塗膜中の相状態を液晶相に転移させることができる。リオトロピック性をもつ液晶化合物の場合には、溶媒量などの組成比によっても、塗膜中の相状態を液晶相に転移させることができる。
なお、塗膜を加熱する場合の条件は特に制限されないが、加熱温度としては５０〜１５０℃が好ましく、加熱時間としては１０秒間〜５分間が好ましい。

（工程２）
工程２は、重合性液晶化合物が配向された塗膜に対して硬化処理を施す工程である。
重合性液晶化合物が配向された塗膜に対して実施される硬化処理の方法は特に制限されず、例えば、光照射処理および加熱処理が挙げられる。なかでも、製造適性の点で、光照射処理が好ましく、紫外線照射処理がより好ましい。
光照射処理の照射条件は特に制限されないが、５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ²の照射量が好ましい。

（工程３）
工程３は、工程２で得られた硬化膜に対して、延伸処理および収縮処理の少なくとも一方を施して、λ／２板を得る工程である。本工程では、延伸処理および収縮処理の両方を実施してもよく、例えば、一方向では延伸処理、他方向では収縮処理などのように方向に応じて処理の種類を変更してもよい。
延伸処理の方法としては、一軸延伸および二軸延伸などの公知の延伸処理の方法が挙げられる。
収縮処理（特に、熱収縮処理）の方法としては、例えば、特開２００６−２１５１４２号公報、特開２００７−２６１１８９号公報、および、特許４２２８７０３号公報などに記載の方法を参照できる。
また、上述した支持体としては、延伸時の加熱処理の際に特定の方向に収縮する支持体（熱収縮性支持体）なども挙げられる。例えば、このような支持体を用いることにより、特定の方向に延伸させつつ、支持体の収縮方向においては硬化膜を収縮させることもできる。

硬化膜に対して延伸処理および／または収縮処理を施す方向は、使用される重合性液晶化合物の種類およびその配向方向によって、適宜最適な方向が選択される。
例えば、重合性液晶化合物として棒状液晶化合物を用い、かつ、工程１において塗膜表面に対して垂直方向に重合性液晶化合物が配向している場合は、硬化膜の表面（主面）に平行な一方向に硬化膜を延伸させ、かつ、面内において上記一方向に直交する方向に硬化膜を収縮させることにより、所定のＮｚファクターを示すλ／２板を得ることができる。

上記では、延伸処理および収縮処理の方法を示したが、本発明は上記に制限されず、使用される液晶化合物の種類に応じて適宜最適な処理が実施される。

（λ／４板）
λ／４板１６は、上記λ／２板１４Ａ上に配置される層である。
なお、λ／４板１６は、単層構造であることが好ましい。

λ／４板（λ／４機能を有する板）１６とは、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に（または、円偏光を直線偏光に）変換する機能を有する板である。より具体的には、所定の波長λｎｍにおける面内レタデーションがλ／４（または、この奇数倍）を示す板である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（５５０）は、１００〜２００ｎｍであることが好ましく、１２０〜１６０ｎｍであることがより好ましく、１３０〜１５０ｎｍであることがさらに好ましい。

図２に示すように、偏光子１２の吸収軸と、λ／４板１６の面内遅相軸とのなす角度θは２０〜７０°の範囲である。言い換えると、角度θは２０〜７０°の範囲にある。本発明の効果がより優れる点で、角度θは３５〜５５°であることが好ましく、４０〜５０°であることがより好ましく、４３〜４７°であることがさらに好ましい。
なお、上記角度とは、偏光子１２表面の法線方向から視認した際の、偏光子１２の吸収軸とλ／４板１６の面内遅相軸とのなす角度を意図する。

λ／４板１６は、可視光域において、順波長分散性を示しても、逆波長分散性を示してもよいが、本発明の効果がより優れる点で、逆波長分散性を示すことが好ましい。なお、上記波長分散性は、可視光域において示されることが好ましい。
なお、λ／４板１６の面内レタデーションを適切に逆波長分散性とするためには、具体的には、λ／４板１６のＲｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）は、０．７０〜１．００であることが好ましく、０．８０〜０．９０であることがより好ましく、０．８１〜０．８７であることがさらに好ましく、λ／４板１６のＲｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）は、１．００〜１．２０であることが好ましく、１．０４〜１．１８であることがより好ましい。
なお、上記Ｒｅ（４５０）およびＲｅ（６５０）は、それぞれ波長４５０ｎｍおよび６５０ｎｍで測定したλ／４板１６の面内レタデーションを示す。

λ／４板１６のＮｚファクターは、０．３０〜０．７０であり、本発明の効果がより優れる点で、０．４０〜０．６０が好ましく、０．４５〜０．５５がより好ましい。Ｎｚファクターの算出方法は上述の通りである。

波長５５０ｎｍで測定したλ／４板１６の厚み方向のレタデーションであるＲｔｈ（５５０）は、本発明の効果がより優れる点で、−５０〜５０ｎｍであることが好ましく、−２０〜２０ｎｍであることがより好ましく、−１０〜１０ｎｍであることがさらに好ましい。

λ／４板１６を構成する材料は上記特性を示せば特に制限されず、上述したλ／２板１４Ａで述べた態様が挙げられる。なかでも、上記特性の制御がしやすい点で、λ／４板１６は、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
λ／４板１６中において液晶化合物由来のメソゲン基のオーダーパラメータは、液晶化合物の種類において、式（Ａ１）〜（Ａ３）、または、式（Ａ４）〜（Ａ６）を満たすことが好ましい。

λ／４板１６の形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したλ／２板１４Ａを形成する方法が挙げられる。

（その他の層）
上記円偏光板１０Ａは、本発明の効果を損なわない範囲で、偏光子１２、λ／２板１４Ａ、および、λ／４板１６以外の他の層を有していてもよい。
例えば、円偏光板１０Ａには、液晶化合物の配向方向を規定する機能を有する配向層が含まれていてもよい。配向層の配置位置は特に制限されないが、例えば、偏光子１２とλ／２板１４Ａとの間、および、λ／２板１４Ａとλ／４板１６との間が挙げられる。
配向層を構成する材料、および、配向層の厚みは、上述した通りである。
また、円偏光板１０Ａには各層間を接着するための接着層または粘着層が含まれていてもよい。

さらに、偏光子１２の表面上には、偏光子保護フィルムが配置されていてもよい。
偏光子保護フィルムの構成は特に制限されず、例えば、透明支持体またはハードコート層であってもよく、透明支持体とハードコート層との積層体であってもよい。
ハードコート層としては、公知の層を使用でき、例えば、上述した多官能モノマーを重合硬化して得られる層であってもよい。
また、透明支持体としては、公知の透明支持体を使用でき、例えば、透明支持体を形成する材料としては、トリアセチルセルロースに代表されるセルロースポリマー（以下、セルロースアシレートという）、熱可塑性ノルボルネン樹脂（日本ゼオン（株）製のゼオネックス、ゼオノア、ＪＳＲ（株）製のアートンなど）、アクリル樹脂、および、ポリエステル樹脂が挙げられる。
偏光子保護フィルムの厚みは特に限定されないが、偏光板の厚みを薄くできる点で、４０μｍ以下が好ましく、２５μｍ以下がより好ましい。

なお、円偏光板１０Ａの製造方法は特に制限されず、例えば、それぞれ用意した偏光子、λ／２板、および、λ／４板を接着剤または粘着剤を介して貼り合わせる方法が挙げられる。

上記円偏光板１０Ａは、種々の用途に適用でき、特に、反射防止用途に好適に適用できる。より具体的には、有機ＥＬ表示装置などの表示装置の反射防止用途に好適に適用できる。
円偏光板１０Ａを含む表示装置の態様としては、図３に示すように、矢印で示す視認側から、円偏光板１０Ａと、有機ＥＬ表示パネル１８とをこの順で有する有機ＥＬ表示装置２０が挙げられる。なお、円偏光板Ａ中の偏光子１２が視認側に配置される。
有機ＥＬ表示パネル１８は、電極間（陰極および陽極間）に有機発光層（有機エレクトロルミネッセンス層）を挟持してなる有機ＥＬ素子を用いて構成された表示パネルである。
有機ＥＬ表示パネルの構成は特に制限されず、公知の構成が採用される。

＜第２実施態様＞
以下に、本発明の円偏光板の第２実施態様について図面を参照して説明する。図４に、本発明の円偏光板の第２実施態様の断面図を示す。
円偏光板１０Ｂは、偏光子１２と、λ／２板１４Ｂと、λ／４板１６とをこの順で有する。
また、図５において、偏光子１２の吸収軸、λ／２板１４Ｂの面内遅相軸、および、λ／４板１６の面内遅相軸の関係を示す。図５中、偏光子１２中の矢印は吸収軸の方向を、λ／２板１４Ｂおよびλ／４板１６中の矢印はそれぞれの層中の面内遅相軸の方向を表す。
図４に示す円偏光板１０Ｂは、λ／２板１４Ｂの点を除いて、図１に示す円偏光板１０Ａと同様の層を有するものであるので、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、以下では、主に、λ／２板１４Ｂについて詳述する。
なお、図５に示すように、偏光子１２の吸収軸とλ／４板１６の面内遅相軸とのなす角度θは、第１の実施態様と同じように、２０〜７０°の範囲内である。その好適範囲は、上述の通りである。また、円偏光板１０Ｂは、上述した円偏光板１０Ａが有していてもよい他の層を有していてもよい。

（λ／２板１４Ｂ）
λ／２板１４Ｂは、λ／２板１４Ａと同様に、偏光子１２とλ／４板１６との間に配置される層である。
λ／２板１４Ｂは、面内遅相軸の方向、および、Ｎｚファクターの点を除いて、上述したλ／２板１４Ａの定義と同義である。より具体的には、λ／２板１４Ｂの面内レタデーションは、上述したλ／２板１４Ａの面内レタデーションの範囲と同義である。また、λ／２板１４Ｂの厚み方向のレタデーションは、上述したλ／２板１４Ａの厚み方向のレタデーションの範囲と同義である。また、λ／２板１４Ｂは順波長分散性または逆波長分散性を示してもよく、逆波長分散性を示すことが好ましい。
以下、λ／２板１４Ｂの面内遅相軸の方向、および、Ｎｚファクターについて詳述する。

λ／２板１４Ｂの面内遅相軸は、偏光子１２の吸収軸と平行となるように配置される。
平行とは、偏光子１２の吸収軸とλ／２板１４Ｂの面内遅相軸とのなす角度が０〜１０°であることを意図し、上記なす角度は０〜５°が好ましく、０〜２°がより好ましく、０〜１°がさらに好ましい。
なお、上記角度は、偏光子１２表面の法線方向から視認した際の、偏光子１２の吸収軸とλ／２板１４Ｂの面内遅相軸とのなす角度を意図する。
また、λ／２板１４ＢのＮｚファクターは、０．６０〜０．９０であり、本発明の効果がより優れる点で、０．６５〜０．８５であることが好ましく、０．７０〜０．８０であることがより好ましい。Ｎｚファクターの算出方法は上述の通りである。

λ／２板１４Ｂを構成する材料は上記特性を示せば特に制限されず、上述したλ／２板１４Ａで述べた態様が挙げられる。なかでも、上記特性の制御がしやすい点で、λ／２板１４Ｂは、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
λ／２板１４Ｂの形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したλ／２板１４Ａを形成する方法が挙げられる。

上記円偏光板１０Ｂは、上述した円偏光板１０Ａと同様の用途に好適に適用できる。具体的な適用例としては、円偏光板１０Ｂを含む有機ＥＬ表示装置が挙げられる。

＜第３実施態様＞
以下に、本発明の円偏光板の第３実施態様について図面を参照して説明する。図６に、本発明の円偏光板の第３実施態様の断面図を示す。
円偏光板１０Ｃは、偏光子１２と、λ／２板１４Ａと、λ／４板２２と、ポジティブＣプレート２４とをこの順で有する。
また、図７において、偏光子１２の吸収軸、λ／２板１４Ａの面内遅相軸、および、λ／４板２２の面内遅相軸の関係を示す。図７中、偏光子１２中の矢印は吸収軸の方向を、λ／２板１４Ａおよびλ／４板２２中の矢印はそれぞれの層中の面内遅相軸の方向を表す。
図６に示す円偏光板１０Ｃは、λ／４板２２およびポジティブＣプレート２４の点を除いて、図１に示す円偏光板１０Ａと同様の層を有するものであるので、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、以下では、主に、λ／４板２２およびポジティブＣプレート２４について詳述する。
なお、図７に示すように、偏光子１２の吸収軸とλ／２板１４Ａの面内遅相軸とは直交するように配置される。また、円偏光板１０Ｃは、上述した円偏光板１０Ａが有していてもよい他の層を有していてもよい。

（λ／４板２２）
λ／４板（λ／４機能を有する板）２２とは、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に（または、円偏光を直線偏光に）変換する機能を有する板である。より具体的には、所定の波長λｎｍにおける面内レタデーションがλ／４（または、この奇数倍）を示す板である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（５５０）は、１００〜２００ｎｍであることが好ましく、１２０〜１６０ｎｍであることがより好ましく、１３０〜１５０ｎｍであることがさらに好ましい。

図７に示すように、偏光子１２の吸収軸と、λ／４板２２の面内遅相軸とのなす角度θは２０〜７０°の範囲である。言い換えると、角度θは２０〜７０°の範囲にある。本発明の効果がより優れる点で、角度θは３５〜５５°であることが好ましく、４０〜５０°であることがより好ましく、４３〜４７°であることがさらに好ましい。
なお、上記角度とは、偏光子１２表面の法線方向から視認した際の、偏光子１２の吸収軸とλ／４板２２の面内遅相軸とのなす角度を意図する。

λ／４板２２は、可視光域において、順波長分散性を示しても、逆波長分散性を示してもよいが、本発明の効果がより優れる点で、逆波長分散性を示すことが好ましい。なお、上記波長分散性は、可視光域において示されることが好ましい。
なお、λ／４板２２の面内レタデーションを適切に逆波長分散性とするためには、具体的には、λ／４板２２のＲｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）は、０．７０〜１．００であることが好ましく、０．８０〜０．９０であることがより好ましく、０．８１〜０．８７であることがさらに好ましく、λ／４板２２のＲｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）は、１．００〜１．２０であることが好ましく、１．０４〜１．１８であることがより好ましい。
なお、上記Ｒｅ（４５０）およびＲｅ（６５０）は、それぞれ波長４５０ｎｍおよび６５０ｎｍで測定したλ／４板２２の面内レタデーションを示す。

λ／４板２２の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈ（５５０）は、本発明の効果がより優れる点で、−５０〜５０ｎｍであることが好ましく、−２０〜２０ｎｍであることがより好ましく、−１０〜１０ｎｍであることがさらに好ましい。

λ／４板２２を構成する材料は上記特性を示せば特に制限されず、上述した第１実施態様のλ／２板１４Ａで述べた態様が挙げられる。なかでも、上記特性の制御がしやすい点で、λ／４板２２は、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
λ／４板２２の形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したλ／２板１４Ａを形成する方法で述べた工程１および２を含む方法が挙げられる。

（ポジティブＣプレート２４）
ポジティブＣプレート２４は、円偏光板１０Ｃ中において上記λ／４板２２の偏光子１２側とは反対側の表面上に配置される層である。なお、ポジティブＣプレート２４は、単層構造であることが好ましい。
ポジティブＣプレート２４の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈ（５５０）は、以下の式（１）の関係を満たす。
式（１） −｛（λ／４板２２の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション）×１／２＋３０ｎｍ｝≦Ｒｔｈ（５５０）≦−｛（λ／４板２２の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション）×１／２−３０ｎｍ｝
例えば、λ／４板２２の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションが１３８ｎｍである場合、ポジティブＣプレート２４の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈ（５５０）は、−９９〜−３９ｎｍの範囲にある。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、以下の式（２）の関係を満たすのが好ましい。
式（２） −｛（λ／４板２２の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション）×１／２＋１５ｎｍ｝≦Ｒｔｈ（５５０）≦−｛（λ／４板２２の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション）×１／２−１５ｎｍ｝
なお、上記Ｒｔｈ（５５０）の具体的な数値としては、本発明の効果がより優れる点で、−１００〜−５０ｎｍが好ましく、−９０〜−６０ｎｍがより好ましく、−８０〜−６０ｎｍがさらに好ましい。

ポジティブＣプレート２４の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションは特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、０〜１０ｎｍが好ましい。

ポジティブＣプレート２４は、順波長分散性を示しても、逆波長分散性を示してもよいが、本発明の効果がより優れる点で、逆波長分散性を示すことが好ましい。なお、上記順波長分散性および逆波長分散性は、可視光域において示されることが好ましい。
なお、ポジティブＣプレート２４が順波長分散性を示すとは、ポジティブＣプレート２４の厚み方向のレタデーションが順波長分散性を示すことを意味する。つまり、ポジティブＣプレート２４の厚み方向のレタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなることを意味する。
また、ポジティブＣプレート２４が逆波長分散性を示すとは、ポジティブＣプレート２４の厚み方向のレタデーションが逆波長分散性を示すことを意味する。つまり、ポジティブＣプレート２４の厚み方向のレタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなることを意味する。

なお、ポジティブＣプレート２４の厚み方向のレタデーションを適切に逆波長分散性とするためには、具体的には、ポジティブＣプレート２４のＲｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）は、０．７０以上１．００未満であることが好ましく、０．８０〜０．９０であることがより好ましく、ポジティブＣプレート２４のＲｔｈ（６５０）／Ｒｔｈ（５５０）は、１．００超１．２０以下であることが好ましく、１．０２〜１．１０であることがより好ましい。
なお、上記Ｒｔｈ（４５０）およびＲｔｈ（６５０）は、それぞれ波長４５０ｎｍおよび波長６５０ｎｍで測定したポジティブＣプレート２４の厚み方向のレタデーションを示す。

ポジティブＣプレート２４の厚みは特に制限されず、厚み方向のレタデーションが所定の範囲となるように調整されるが、位相差フィルムの薄型化の点で、６μｍ以下が好ましく、０．５〜５．０μｍがより好ましく、０．５〜２．０μｍがさらに好ましい。
なお、本明細書において、ポジティブＣプレート２４の厚みとは、ポジティブＣプレート２４の平均厚みを意図する。上記厚みは、ポジティブＣプレート２４の任意の５点以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。

ポジティブＣプレート２４を構成する材料は上記特性を示せば特に制限されず、上述した第１実施態様のλ／２板１４Ａで述べた態様が挙げられる。なかでも、上記特性の制御がしやすい点で、ポジティブＣプレート２４は、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
ポジティブＣプレート２４の形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したλ／２板１４Ａを形成する方法で述べた工程１および２を含む方法が挙げられる。

なお、λ／２板１２Ａ、λ／４板２２、および、ポジティブＣプレート２４のうち少なくとも１つが逆波長分散性を示すことが好ましく、全てが逆波長分散性を示すことがより好ましい。

上記円偏光板１０Ｃは、上述した円偏光板１０Ａと同様の用途に好適に適用できる。具体的な適用例としては、円偏光板１０Ｃを含む有機ＥＬ表示装置が挙げられる。

＜第４実施態様＞
以下に、本発明の円偏光板の第４実施態様について図面を参照して説明する。図８に、本発明の円偏光板の第４実施態様の断面図を示す。
円偏光板１０Ｄは、偏光子１２と、λ／２板１４Ｂと、λ／４板２２と、ポジティブＣプレート２４とをこの順で有する。
また、図９において、偏光子１２の吸収軸、λ／２板１４Ｂの面内遅相軸、および、λ／４板２２の面内遅相軸の関係を示す。図９中、偏光子１２中の矢印は吸収軸の方向を、λ／２板１４Ｂおよびλ／４板２２中の矢印はそれぞれの層中の面内遅相軸の方向を表す。
図８に示す円偏光板１０Ｄは、λ／２板１４Ｂの点を除いて、図６に示す円偏光板１０Ｃと同様の層を有するものであるので、同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
また、図８に示す円偏光板１０Ｄ中のλ／２板１４Ｂは、上述した第２実施態様で説明した態様と同一であり、その説明を省略する。
なお、図９に示すように、λ／２板１４Ｂの面内遅相軸は、偏光子１２の吸収軸と平行となるように配置される。また、偏光子１２の吸収軸とλ／４板２２の面内遅相軸とのなす角度θは、第１の実施態様と同じように、２０〜７０°の範囲内である。その好適範囲は、上述の通りである。また、円偏光板１０Ｄは、上述した円偏光板１０Ａが有していてもよい他の層を有していてもよい。

上記円偏光板１０Ｄは、上述した円偏光板１０Ａと同様の用途に好適に適用できる。具体的な適用例としては、円偏光板１０Ｄを含む有機ＥＬ表示装置が挙げられる。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。

［実施例１］
＜＜偏光子の作製＞＞
＜保護膜の作製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し攪拌して、各成分を溶解し、コア層セルロースアシレートドープを調製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――――
アセチル置換度２．８８のセルロースアセテート １００質量部
エステルオリゴマー（化合物１−１） １０質量部
耐久性改良剤（化合物１−２） ４質量部
紫外線吸収剤（化合物１−３） ３質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４３８質量部
メタノール（第２溶媒） ６５質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――

［外層セルロースアシレートドープの作製］
上記のコア層セルロースアシレートドープ９０質量部に下記組成のマット剤分散液を１０質量部加え、外層セルロースアシレートドープを調製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――――
平均粒子サイズ２０ｎｍのシリカ粒子
（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製） ２質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７６質量部
メタノール（第２溶媒） １１質量部
コア層セルロースアシレートドープ１ １質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――

［セルロースアシレートフィルムの作製］
上記コア層セルロースアシレートドープとその両側に外層セルロースアシレートドープとを３層同時に流延口から２０℃のドラム上に流延した。ドラム上のフィルムの溶媒含有率が略２０質量％の状態となったところでフィルムを剥ぎ取り、剥ぎ取ったフィルムの幅方向の両端をテンタークリップで固定し、フィルム中の残留溶媒が３〜１５質量％の状態で、フィルムを横方向に１．２倍延伸しつつ乾燥した。その後、延伸されたフィルムを熱処理装置のロール間に搬送することにより、厚さ２５μｍのセルロースアシレートフィルムを作製し、偏光板保護膜とした。

＜ハードコート層の作製＞
ハードコート層形成用の塗布液として、下記表１に記載のハードコート用硬化性組成物を調製した。

上記ハードコート用硬化性組成物を、上記にて作製した偏光板保護膜の表面上へ塗布し、その後、偏光板保護膜上の塗膜を１００℃で６０秒間乾燥し、窒素０．１％以下の条件でＵＶ（ultraviolet）を１．５ｋＷ、３００ｍＪにて照射し、硬化させ、厚み３μｍのハードコート層を有するハードコート層付保護膜を作製した。なお、ハードコート層の膜厚の調整は、スロットダイを用い、ダイコート法において塗布量を調整することにより行った。

＜片面保護膜付偏光板の作製＞
１）フィルムのケン化
作製したハードコート層付保護膜を３７℃に調温した４．５ｍｏｌ/Ｌの水酸化ナトリウム水溶液（ケン化液）に１分間浸漬した後、ハードコート層付保護膜を取り出して水洗した。その後、ハードコート層付保護膜を０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸水溶液に３０秒間浸漬した後、ハードコート層付保護膜を取り出して、さらに水洗浴に通した。そして、得られたフィルムをエアナイフによる水切りを３回繰り返し、水を落とした後に７０℃の乾燥ゾーンに１５秒間滞留させて乾燥し、ケン化処理したハードコート層付保護膜を作製した。
２）偏光子の作製
特開２００１−１４１９２６号公報の実施例１に従い、乾燥条件を変更して、２対のニップロール間に周速差を与え、長手方向に延伸し、幅１３３０ｍｍ、厚み１５μｍの偏光子を調製した。
３）貼り合わせ
作製した偏光子と、ケン化処理したハードコート層付保護膜とを、ＰＶＡ（（株）クラレ製、ＰＶＡ−１１７Ｈ）３質量％水溶液を接着剤として、偏光子の吸収軸とフィルム（ハードコート層付保護膜）の長手方向とが平行となるようにロールツーロールで貼り合わせて片面保護膜付偏光子を作製した。
このとき、ハードコート層付保護膜のセルロースアシレートフィルム側が、偏光子側になるように貼り合わせた。

＜＜λ／２板の作製＞＞
＜仮支持体の作製＞
下記一般式（ＩＩ）で表されるラクトン環構造を有するアクリル系樹脂｛共重合モノマー質量比＝メタクリル酸メチル／２−（ヒドロキシメチル）アクリル酸メチル＝８／２、ラクトン環化率約１００％、ラクトン環構造の含有割合１９．４％、重量平均分子量１３３０００、メルトフローレート６．５ｇ／１０分（２４０℃、１０ｋｇｆ）、Ｔｇ１３１℃｝９０質量部と、アクリロニトリル−スチレン（ＡＳ）樹脂｛トーヨーＡＳ ＡＳ２０、東洋スチレン社製｝１０質量部との混合物（Ｔｇ１２７℃）のペレットを二軸押出機に供給し、約２８０℃でシート状に溶融押出しした。その後、溶融押出しされたシートを、縦一軸延伸機において、給気温度１３０℃、シート面温度１２０℃、延伸速度３０％／分、および、延伸倍率３５％で縦延伸した。その後、縦延伸されたシートを、テンター式延伸機において、給気温度１３０℃、シート面温度１２０℃、延伸速度３０％／分、および、延伸倍率３５％で横延伸した。その後、横延伸されたシートを、巻取り部前で両端部を切り落とし、長さ４０００ｍのロールフィルムとして巻き取りして、厚み４０μｍの長尺状の仮支持体を得た。

上記一般式（ＩＩ）中、Ｒ¹は水素原子であり、Ｒ²およびＲ³はメチル基である。

＜配向層の形成＞
上記仮支持体に、下記組成の配向層塗布液（Ａ）を＃１４のワイヤーバーで連続的に塗布した。配向層塗布液が塗布された仮支持体を、６０℃の温風で６０秒間、さらに１００℃の温風で１２０秒間乾燥し、仮支持体上に配向層を形成した。
使用した変性ポリビニルアルコールの鹸化度は９６．８％であった。

−配向層塗布液（Ａ）の組成−
下記の変性ポリビニルアルコール １０質量部
水 ３０８質量部
メタノール ７０質量部
イソプロパノール ２９質量部
光重合開始剤（ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）２９５９、ＢＡＳＦ社製）
０．８質量部

変性ポリビニルアルコールの組成割合は、モル分率である。

＜液晶層の形成＞
次に、棒状液晶化合物がネマチック相で垂直配向されて固定化された液晶層の形成について説明する。
後述する表２に示す組成物１を、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）に溶解して、固形分濃度が１０質量％となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、１２０℃で２分間加熱熟成を行って、塗布膜中において棒状液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗布膜を１２０℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて１２０℃、１００ｍＪ／ｃｍ²にて紫外線照射して、液晶層（膜厚：１７μｍ）を形成した。

＜変形＞
上記のように作製した仮支持体および液晶層を含むフィルムを、４辺をテンターで固定したバッチ延伸機において、給気温度１４０℃、フィルム面温度１３０℃、変形速度３０％／分で表３に記載の変形倍率（Ｘ方向７５％延伸、Ｙ方向１０％収縮）になるよう変形した。その後、得られたフィルムの４辺の端部を切り落とし、延伸された仮支持体とλ／２板とを含むフィルムＡを得た。
なお、上記Ｘ方向とは面内遅相軸方向を意図し、Ｙ方向は面内においてＸ方向に直交する方向である。なお、後述する実施例および比較例でも同様である。

＜＜λ／４板の作製（Ａ）＞＞
上記＜＜λ／２板の作製＞＞で述べた方法に沿って、配向層付き仮支持体を製造した。

＜液晶層の形成＞
次に、棒状液晶化合物がネマチック相で垂直配向されて固定化された液晶層の形成について説明する。
後述する表２に示す組成物１を、ＭＥＫに溶解して、固形分濃度が１０質量％となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、１２０℃で２分間加熱熟成を行って、塗布膜中において棒状液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗布膜を１２０℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて１２０℃、１００ｍＪ／ｃｍ²にて紫外線照射して、液晶層（膜厚：８μｍ）を形成した。

＜変形＞
上記のように作製した仮支持体および液晶層を含むフィルムを、４辺をテンターで固定したバッチ延伸機において、給気温度１４０℃、フィルム面温度１３０℃、変形速度３０％／分で表３に記載の変形倍率（Ｘ方向８０％延伸、Ｙ方向１０％収縮）になるよう変形した。その後、得られたフィルムの４辺の端部を切り落とし、延伸された仮支持体とλ／４板とを含むフィルムＢを得た。

＜＜円偏光板の作製＞＞
上記で得られた片側保護膜付き偏光子の偏光子側の表面上に、偏光子とλ／２板とが対向するように市販のアクリル接着剤（東亜合成株式会社製ＵＶ−３３００）を介して、片側保護膜付き偏光子とフィルムＡとを貼り合わせて、貼合体を得た。メタルハライドランプを用いて、仮支持体側から照射量１００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を上記貼合体に照射して、接着剤を硬化させた後、得られたフィルムから延伸された仮支持体を剥離した。
次に、片側保護膜付き偏光子とλ／２板とを含むフィルムのλ／２板側の表面上に、λ／２板とλ／４板とが対向するように市販のアクリル接着剤（東亜合成株式会社製ＵＶ−３３００）を介して、上記フィルムとフィルムＢとを貼り合わせて、貼合体を得た。メタルハライドランプを用いて、仮支持体側から照射量１００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を上記貼合体に照射して、接着剤を硬化させた後、得られたフィルムから延伸された仮支持体を剥離し、偏光子とλ／２板とλ／４板とをこの順で有する円偏光板を作製した。
なお、後述する表３に示す「λ／２板の面内遅相軸と偏光子の吸収軸となす角度（°）」および「λ／４板の面内遅相軸と偏光子の吸収軸となす角度（°）」に記載の角度となるように、各層の貼り合わせを実施した。

［実施例２〜１１、比較例１〜３］
＜＜λ／２板の作製＞＞および＜＜λ／４板の作製（Ａ）＞＞の際の組成物の種類、液晶層の厚み、変形倍率、および、λ／２板の面内遅相軸と偏光子の吸収軸となす角度（°）を後述する表３に記載の通り変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、円偏光板を作製した。

なお、フィルムＡおよびフィルムＢからそれぞれ延伸された仮支持体を剥離し、λ／２板およびλ／４板のＲｅ(λ)、Ｒｔｈ(λ)、および、遅相軸方向をＡｘｏＳｃａｎにより測定し、さらに、Ｎｚファクターを算出した。

なお、組成物１〜５の組成を表２にまとめて示す。
表２中の各数値は「質量部」を表す。

［円偏光板の有機ＥＬ表示パネルへの実装および表示性能の評価］
（円偏光板の有機ＥＬ表示装置への実装）
有機ＥＬ表示パネル搭載のＳＡＭＳＵＮＧ社製ＧＡＬＡＸＹ Ｓ ＩＶを分解し、円偏光板を剥離して、実施例１〜１１および比較例１〜３の円偏光板をそれぞれ有機ＥＬ表示パネル上に貼合し、有機ＥＬ表示装置を作製した。

（表示性能の評価）
作製した有機ＥＬ表示装置について、明光下にて反射率および反射色味を評価した。外光反射光が最も視認されやすい黒表示にて、極角４５°から蛍光灯を映し込んだときの反射光を観察した。具体的には、視野角方向（極角４５°、方位角を１５°刻みで０〜１６５°）の反射光を分光放射計ＳＲ―３（トプコン社製）により測定し、比較例１を基準として下記の基準で評価した。
（反射率）
Ａ：比較例１での反射光の最大輝度に対する、反射光の最大輝度の割合が４０％以下である場合
Ｂ：比較例１での反射光の最大輝度に対して、反射光の最大輝度の割合が４０％超６０％以下である場合
Ｃ：比較例１での反射光の最大輝度に対して、反射光の最大輝度の割合が６０％超８０％以下である場合
Ｄ：比較例１での反射光の最大輝度に対して、反射光の最大輝度の割合が８０％超である場合

（色味変化）
色味変化（反射色味変化）は、全測定角度での反射光の色味ａ＊およびｂ＊の変化の大きさΔａ＊ｂ＊を下記式で定義した。

Ａ：比較例１での反射光の反射色味変化に対する、反射光の反射色味変化の割合が４０％以下である場合
Ｂ：比較例１での反射光の反射色味変化に対する、反射光の反射色味変化の割合が４０％超６０％以下である場合
Ｃ：比較例１での反射光の反射色味変化に対する、反射光の反射色味変化の割合が６０％超８０％以下である場合
Ｄ：比較例１での反射光の反射色味変化に対する、反射光の反射色味変化の割合が８０％超である場合

表３中においては、得られたλ／２板およびλ／４板の、Ｒｅ（５５０）、Ｒｔｈ（５５０）、Ｎｚ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）、および、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）を示す。
また、表３中、「λ／２板作製条件」欄は、使用された液晶組成物の種類、液晶層膜厚、Ｘ方向の変形率（Ｘ変形率）、および、Ｙ方向の変形率（Ｙ変形率）をそれぞれ表す。なお、Ｘ変形率欄およびＹ変形率欄において、マイナス表記は収縮を意図し、プラス表記は延伸を意図する。

上記表３に示すように、所定のＮｚファクターの関係を満たす円偏光板を用いると、所望の効果が得られることが確認された。
なかでも、実施例１〜５の比較から分かるように、λ／２板のＮｚファクターが０．１５〜０．３５の場合に効果がより優れ、０．２０〜０．３０の場合に効果がさらに優れることが確認された。
また、実施例１と実施例６〜７の比較から分かるように、λ／４板のＮｚファクターが０．４０〜０．６０の場合に効果がより優れ、０．４５〜０．５５の場合に効果がさらに優れることが確認された。
また、実施例１と実施例８との比較より、λ／２板が逆波長分散性を示す場合により効果が優れることが確認された。
また、実施例９〜１１の比較から分かるように、λ／２板のＮｚファクターが０．６５〜０．８５の場合に効果がより優れることが確認された。

なお、上述した方法に従って、実施例１で用いられたλ／２板およびλ／４板中のメソゲン基のオーダーパラメータを算出した。結果を以下の表４に示す。

［実施例１２］
上述した＜＜λ／２板の作製＞＞と同様の手順に従って、λ／２板を作製した。

＜＜λ／４板の作製（Ｂ）＞＞
上記＜＜λ／２板の作製＞＞で述べた方法に沿って、仮支持体を作製した。
上記仮支持体に、上述した配向層塗布液（Ａ）を＃１４のワイヤーバーで連続的に塗布した。配向層塗布液が塗布された仮支持体を、６０℃の温風で６０秒間、さらに１００℃の温風で１２０秒間乾燥し、仮支持体上に塗膜を形成した。さらに、塗膜に対して、仮支持体の長手方向にラビング処理を施し、配向層を形成した。

次に、後述する表５に示す組成物６を、ＭＥＫに溶解させて、固形分濃度が１０質量％となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、１２０℃で２分間加熱熟成を行って、塗膜中において液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗膜を１２０℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて１２０℃、１００ｍＪ／ｃｍ²にて紫外線照射して、λ／４板（膜厚：２．２μｍ）を形成した。上記手順によって、仮支持体、配向層、および、λ／４板を有するフィルムＣを得た。

＜＜ポジティブＣプレートの作製＞＞
上記＜＜λ／４板の作製（Ｂ）＞＞で述べた方法に沿って、配向層付き仮支持体を製造した。ただし、ラビング処理は実施しなかった。
次に、後述する表５に示す組成物７を、ＭＥＫに溶解させて、固形分濃度が１０質量％となるよう調製し、塗布液を得た。得られた塗布液を上記配向層上にバー塗布して、１２０℃で２分間加熱熟成を行って、塗膜中において液晶化合物の均一な配向状態を得た。その後、この塗膜を１２０℃に保持し、これにメタルハライドランプを用いて１２０℃、１００ｍＪ／ｃｍ²にて紫外線照射して、ポジティブＣプレート（膜厚：１．１μｍ）を形成した。上記手順によって、仮支持体、配向層、および、ポジティブＣプレートを有するフィルムＤを得た。

＜＜円偏光板の作製＞＞
上記で得られた片側保護膜付き偏光子の偏光子側の表面上に、偏光子とλ／２板とが対向するように市販のアクリル接着剤（東亜合成株式会社製ＵＶ−３３００）を介して、片側保護膜付き偏光子とフィルムＡとを貼り合わせて、貼合体を得た。メタルハライドランプを用いて、仮支持体側から照射量１００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を上記貼合体に照射して、接着剤を硬化させた後、得られたフィルムから延伸された仮支持体を剥離した。
上記フィルムＡの代わりに、フィルムＣ〜フィルムＤを用いて上記と同様の手順を繰り返し、偏光子上に、λ／４板、および、ポジティブＣプレートをさらに貼り合わせた。上記手順によって、偏光子、λ／２板、λ／４板、および、ポジティブＣプレートをこの順で有する円偏光板を作製した。
なお、後述する表６に示す「λ／２板の面内遅相軸と偏光子の吸収軸となす角度（°）」および「λ／４板の面内遅相軸と偏光子の吸収軸となす角度（°）」に記載の角度となるように、各層の貼り合わせを実施した。

［実施例１３〜１７］
λ／２板のＲｔｈおよびＮｚ、並びに、ポジティブＣプレートのＲｔｈ（５５０）の値を表６に示す値に調整した以外は、実施例１２と同様の手順に従って、円偏光板を作製した。

得られた実施例１２〜１７の円偏光板を用いて、上述した［円偏光板の有機ＥＬ表示パネルへの実装および表示性能の評価］を実施した。結果を表６に示す。

なお、組成物６〜７の組成を表５にまとめて示す。
表５中の各数値は「質量部」を表す。

棒状液晶化合物（４）

垂直配向剤３

表６中、「式（１）を満たすか否か」欄は、ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈ（５５０）が上述した式（１）の関係を満たす場合は「Ａ」、満たさない場合は「Ｂ」とする。
「式（２）を満たすか否か」欄は、ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈ（５５０）が上述した式（２）の関係を満たす場合は「Ａ」、満たさない場合は「Ｂ」とする。

上記表６に示すように、所定の層構成の円偏光板を用いると、所望の効果が得られることが確認された。
なかでも、ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈ（５５０）が上述した式（２）の関係を満たす場合、より効果が優れることが確認された。

１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ 円偏光板
１２ 偏光子
１４Ａ，１４Ｂ λ／２板
１６，２２ λ／４板
１８ 有機ＥＬ表示パネル
２０ 有機ＥＬ表示装置
２４ ポジティブＣプレート

Claims (20)

1. 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルと、前記有機エレクトロルミネッセンス表示パネル上に配置された円偏光板とを含む、有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記円偏光板が、偏光子、λ／２板、および、λ／４板をこの順で有し、
   前記偏光子の吸収軸と前記λ／４板の面内遅相軸とのなす角度が２０〜７０°の範囲にあり、
   前記λ／４板のＮｚファクターが０．３０〜０．７０であり、
   前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが直交または平行であり、
   前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、前記λ／２板のＮｚファクターが０．１０〜０．４０であり、
   前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、前記λ／２板のＮｚファクターが０．６０〜０．９０である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
2. 前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、前記λ／２板のＮｚファクターが０．１５〜０．３５であり、
   前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、前記λ／２板のＮｚファクターが０．６５〜０．８５である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
3. 前記λ／４板のＮｚファクターが０．４０〜０．６０である、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
4. 前記λ／２板が、逆波長分散性を示す、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
5. 前記λ／４板が、逆波長分散性を示す、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
6. 偏光子、λ／２板、および、λ／４板をこの順で有し、
   前記偏光子の吸収軸と前記λ／４板の面内遅相軸とのなす角度が２０〜７０°の範囲にあり、
   前記λ／４板のＮｚファクターが０．３０〜０．７０であり、
   前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが直交または平行であり、
   前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、前記λ／２板のＮｚファクターが０．１０〜０．４０であり、
   前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、前記λ／２板のＮｚファクターが０．６０〜０．９０である、円偏光板。
7. 前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、前記λ／２板のＮｚファクターが０．１５〜０．３５であり、
   前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、前記λ／２板のＮｚファクターが０．６５〜０．８５である、請求項６に記載の円偏光板。
8. 前記λ／４板のＮｚファクターが０．４０〜０．６０である、請求項６または７に記載の円偏光板。
9. 前記λ／２板が、逆波長分散性を示す、請求項６〜８のいずれか１項に記載の円偏光板。
10. 前記λ／４板が、逆波長分散性を示す、請求項６〜９のいずれか１項に記載の円偏光板。
11. 反射防止用途に用いられる、請求項６〜１０のいずれか１項に記載の円偏光板。
12. 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルと、前記有機エレクトロルミネッセンス表示パネル上に配置された円偏光板とを含む、有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    前記円偏光板が、偏光子、λ／２板、λ／４板、および、ポジティブＣプレートをこの順で有し、
    前記偏光子の吸収軸と前記λ／４板の面内遅相軸とのなす角度が２０〜７０°の範囲にあり、
    前記ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈ（５５０）が、以下の式（１）の関係を満たし、
    式（１） −｛（前記λ／４板の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション）×１／２＋３０ｎｍ｝≦Ｒｔｈ（５５０）≦−｛（前記λ／４板の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション）×１／２−３０ｎｍ｝
    前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが直交または平行であり、
    前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、前記λ／２板のＮｚファクターが０．１０〜０．４０であり、
    前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、前記λ／２板のＮｚファクターが０．６０〜０．９０である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
13. 前記ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈ（５５０）が、以下の式（２）の関係を満たす、請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
    式（２） −｛（前記λ／４板の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション）×１／２＋１５ｎｍ｝≦Ｒｔｈ（５５０）≦−｛（前記λ／４板の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション）×１／２−１５ｎｍ｝
14. 前記λ／２板が、逆波長分散性を示す、請求項１２または１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
15. 前記λ／４板が、逆波長分散性を示す、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
16. 偏光子、λ／２板、λ／４板、および、ポジティブＣプレートをこの順で有し、
    前記偏光子の吸収軸と前記λ／４板の面内遅相軸とのなす角度が２０〜７０°の範囲にあり、
    前記ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈ（５５０）が、以下の式（１）の関係を満たし、
    式（１） −｛（前記λ／４板の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション）×１／２＋３０ｎｍ｝≦Ｒｔｈ（５５０）≦−｛（前記λ／４板の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション）×１／２−３０ｎｍ｝
    前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが直交または平行であり、
    前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが直交する場合、前記λ／２板のＮｚファクターが０．１０〜０．４０であり、
    前記偏光子の吸収軸と前記λ／２板の面内遅相軸とが平行である場合、前記λ／２板のＮｚファクターが０．６０〜０．９０である、円偏光板。
17. 前記ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈ（５５０）が、以下の式（２）の関係を満たす、請求項１６に記載の円偏光板。
    式（２） −｛（前記λ／４板の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション）×１／２＋１５ｎｍ｝≦Ｒｔｈ（５５０）≦−｛（前記λ／４板の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション）×１／２−１５ｎｍ｝
18. 前記λ／２板が、逆波長分散性を示す、請求項１６または１７に記載の円偏光板。
19. 前記λ／４板が、逆波長分散性を示す、請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の円偏光板。
20. 反射防止用途に用いられる、請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の円偏光板。