JPWO2018123122A1 - 光送信器、光トランシーバおよび光送信器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
光送信器は、互いに異なる波長を有する光信号を送出し、かつ光信号の波長を変更可能に構成された、複数の発光部を備える。複数の発光部のうちの少なくとも1つの発光部は、波長を調整可能に構成される。
Description
本発明は、光送信器、光トランシーバおよび光送信器の製造方法に関する。本出願は、2016年12月28日に出願した日本特許出願である特願2016−256477号に基づく優先権を主張する。当該日本特許出願に記載された全ての記載内容は、参照によって本明細書に援用される。
光通信における伝送容量は飛躍的に高められている。近年では、100Gbpsの伝送容量を有する光通信が提案されている。
たとえば、100ギガビットイーサネット(注:イーサネットは登録商標)あるいは100G−EPON(Ethernet(登録商標) Passive Optical Network)では、速度25.8Gbpsの互いに波長が異なる4本の光信号が送信される。具体的には、これら4本の光信号は波長分割多重(WDM)方式に従って多重化される。波長多重光は、光ファイバを通して伝送される。
光ファイバのゼロ分散波長と波長多重信号の複数の波長とが、所定の条件を満たす場合に、その光ファイバの内部において4光波混合が生じる。4光波混合によって発生した光は、複数のチャネルのうちのあるチャネルの光信号に重畳することによって、クロストークノイズを誘発する。このために通信品質の劣化という問題が起こり得る。光信号の長距離の伝送のために光信号(波長多重光)のパワーを大きくするほど、4光波混合による信号の歪が大きくなる。
特開2007−5484号公報(特許文献1)は、4光波混合の低減に向けられた光増幅装置を開示する。この光増幅装置は、信号帯域で正の波長分散を持ち、かつ波長多重化信号を増幅する光ファイバと、その光ファイバに励起光を入射する励起部とを有する。
小林 亘、外5名、「SOA集積EADFBレーザによる消費電力削減と伝送距離延伸」、信学技報、電気情報通信学会、2015年10月、OSC2015−78(非特許文献1)は、SOA(半導体光増幅器)が集積されたEADFBレーザ(電界吸収型変調器集積分布帰還型レーザ)によって、従来のEADFBレーザに比べて消費電力の低減および光出力の増加が可能であることを報告する。
小林 亘、外5名、「SOA集積EADFBレーザによる消費電力削減と伝送距離延伸」、信学技報、電気情報通信学会、2015年10月、OSC2015−78
本発明の一態様に係る光送信器は、互いに異なる波長を有する光信号を送出し、かつ光信号の波長を変更可能に構成された、複数の発光部と、光信号の波長を発光部ごとに個別に調整可能に構成された波長調整部とを備える。
[本開示が解決しようとする課題]
本開示の目的は、4光波混合によるクロストークノイズの影響を、光送信器によって抑制することである。
本開示の目的は、4光波混合によるクロストークノイズの影響を、光送信器によって抑制することである。
[本発明の実施形態の説明]
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
(1)本発明の一態様に係る光送信器は、互いに異なる波長を有する光信号を送出する複数の発光部を備える。複数の発光部のうちの少なくとも1つの発光部は、波長を調整可能に構成される。
上記によれば、4光波混合によるクロストークノイズの影響を、光送信器によって抑制することができる。複数の発光部のうち、少なくとも1つの発光部は、光信号の波長を調整可能に構成される。その発光部からの光信号の波長を調整することによって、4光波混合歪みが発生する条件が成立しないように、複数の発光部の各々から光信号を送出することができる。
(2)好ましくは、光送信器は、複数の発光部に対して共通に設けられて、複数の発光部の温度を制御する熱電クーラと、熱電クーラに熱的に接続されるとともに、複数の発光部のそれぞれに熱的に接続される複数の熱抵抗と、複数の発光部に個別に駆動電流を供給するように構成された電流供給部とをさらに備える。
上記によれば、複数の発光部は、熱抵抗によって互いに熱的に分離される。各発光部の温度は、熱電クーラおよび熱抵抗によって制御可能である。波長を調整可能な発光部に供給される駆動電流を変化させることによって、その発光部の温度を変化させることができる。これにより、その発光部から出力される光信号の波長を調整することができる。
(3)好ましくは、複数の熱抵抗の各々は、発光部が実装されるサブマウントである。
上記によれば、ヒータ等の追加の素子を不要としながら発光部の温度を変化させることができる。なお、サブマウントの材料として公知の材料を採用することができる。
上記によれば、ヒータ等の追加の素子を不要としながら発光部の温度を変化させることができる。なお、サブマウントの材料として公知の材料を採用することができる。
(4)好ましくは、電流供給部は、インタフェースを通じて制御信号を受けて、波長を調整可能な少なくとも1つの発光部の動作点を変化させるように構成される。
上記によれば、動作点を変化させることによって、波長を調整可能な発光部から出る光信号の波長を変化させることができる。これにより4光波混合歪みの影響を抑制することができる。
(5)好ましくは、光送信器は、波長を調整可能な少なくとも1つの発光部から出力されるべき光信号の波長に関する波長情報を、光送信器の外部に出力するためのインタフェースをさらに備える。
上記によれば、インタフェースを通じて、光信号の波長についての情報を光送信器から取得することができる。これにより、たとえば4光波混合の影響の有無を判断することができる。また、波長を測定するために光送信器から実際に光を出力することを不要にすることができる。
(6)好ましくは、光送信器は、波長を調整可能な少なくとも1つの発光部の動作点を記憶する記憶部をさらに備える。
上記によれば、記憶された動作点に従って、波長を調整可能な少なくとも1つの発光部を制御することができる。したがって、4光波混合歪みの影響を抑制することができる。
(7)本発明の一態様に係る光トランシーバは、(1)から(6)のいずれかに記載の光送信器と、光受信器とを備える。
上記によれば、4光波混合歪みの影響を抑制可能な光トランシーバを提供することができる。
(8)本発明の一態様に係る光送信器の製造方法は、互いに異なる波長を有する光信号を送出する複数の発光部を備えた光送信器の製造方法であって、複数の発光部のうちの少なくとも1つの発光部は、波長を調整可能に構成され、製造方法は、複数の発光部から出力される光信号の波長が、4光波混合歪みの発生する条件から外れるように、波長を調整可能な少なくとも1つの発光部の動作点を設定する工程と、設定する工程において設定された動作点を、光送信器に記憶させる工程とを備える。
上記によれば、4光波混合歪みの影響を抑制可能な光送信器を製造できる。
(9)本発明の一態様に係る光送信器は、互いに異なる波長を有する光信号を送出する複数の発光部を備える。複数の発光部のうちの少なくとも1つの発光部は、波長を調整可能に構成される。光送信器は、複数の発光部から出力される光信号の波長が4光波混合歪みの発生する条件から外れるための、波長を調整可能な少なくとも1つの発光部の動作点を記憶する記憶部をさらに備える。
(9)本発明の一態様に係る光送信器は、互いに異なる波長を有する光信号を送出する複数の発光部を備える。複数の発光部のうちの少なくとも1つの発光部は、波長を調整可能に構成される。光送信器は、複数の発光部から出力される光信号の波長が4光波混合歪みの発生する条件から外れるための、波長を調整可能な少なくとも1つの発光部の動作点を記憶する記憶部をさらに備える。
上記によれば、4光波混合歪みの影響を抑制可能な光送信器を製造できる。
[本発明の実施形態の詳細]
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
[本発明の実施形態の詳細]
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
図1は、一実施形態に係る光通信システムの構成例を示した図である。図1において、PONシステム300は、一実施形態に係る光通信システムである。PONシステム300は、局側装置301と、宅側装置302と、PON回線303と、光スプリッタ304とを備える。
局側装置(OLT(Optical Line Terminal))301は、通信事業者の局舎に設置される。局側装置301は、ホスト基板(図示せず)を搭載する。ホスト基板には、電気信号と光信号とを相互に変換する光トランシーバ(図示せず)が接続される。
宅側装置(ONU(Optical Network Unit))302は、ユーザ側に設置される。複数の宅側装置302の各々は、PON回線303を介して局側装置301に接続される。
PON回線303は、光ファイバにより構成された光通信回線である。PON回線303は、幹線光ファイバ305、および、少なくとも1つの支線光ファイバ306を含む。光スプリッタ304は、幹線光ファイバ305および支線光ファイバ306に接続される。PON回線303には、複数の宅側装置302が接続可能である。
局側装置301から送信された光信号は、PON回線303を通り、光スプリッタ304によって複数の宅側装置302へと分岐される。一方、各々の宅側装置302から送信された光信号は、光スプリッタ304によって集束されるとともに、PON回線303を通って局側装置301に送られる。光スプリッタ304は、外部からの電源供給を特に必要とすることなく、入力された信号から受動的に信号を分岐または多重する。
高速PONシステムとして、上り信号または下り信号に複数波長が割り当てられ、複数波長を波長多重して上り信号または下り信号を構成する波長多重型PONシステムが検討されている。たとえば100Gbps級PONでは、上りおよび下りに、1波長あたりの伝送容量が25.8Gbpsの光信号をそれぞれ4波長割り当て、それらを波長多重する構成とすることができる。
図2は、一実施形態における、光波長多重通信に関する構成の概略を示したブロック図である。図2を参照して、光トランシーバ111が、ホスト基板1に実装される。光トランシーバ111は、25.8Gbps×4波長光トランシーバである。光トランシーバ111は、光トランシーバ111の動作を制御するコントローラ41を含む。
ホスト基板1は、光トランシーバ監視制御ブロック20を有する。光トランシーバ監視制御ブロック20は、半導体集積回路により実現可能である。光トランシーバ監視制御ブロック20は、マネージメントインタフェースを通じて、光トランシーバ111から波長多重光の少なくとも1つの波長に関する情報を取得することができる。波長情報はコントローラ41の内部に記憶される。
光トランシーバ監視制御ブロック20は、マネージメントインタフェースを通じて、コントローラ41に制御信号を送ることができる。コントローラ41は、制御信号に応じて、光トランシーバ111から出力される波長多重光の少なくとも1つの波長を調整することができる。光トランシーバ監視制御ブロック20は、光トランシーバ111から出力される情報に基づいて、光トランシーバ111の異常を検出してもよい。この場合、光トランシーバ監視制御ブロック20は、管理装置200にその異常の発生を通知してもよい。たとえば4光波混合によるクロストークノイズ(4光波混合歪み)の影響が生じる可能性がある場合は、光トランシーバ監視制御ブロック20は、管理装置200に通知する。
図3は、この実施の形態に適用可能な光トランシーバの概略的な構成を示した図である。図3に示されるように、光トランシーバ111は、コントローラ41と、電気インタフェース43と、クロックデータ再生(CDR(Clock Data Recovery))IC44と、電源IC45と、温度制御IC46と、光送信モジュール50と、光受信モジュール60とを含む。この実施の形態において、光受信モジュール60は、光トランシーバに含まれる光受信器を実現する。
コントローラ41は、光トランシーバ111を監視および制御する。コントローラ41は、光トランシーバ111から出力される波長多重光の波長に関する情報を記憶することができる。波長に関する情報を記憶するメモリが、コントローラ41とは別に光トランシーバ111の内部に設けられてもよい。コントローラ41は、温度制御IC46などの他のICと統合されていてもよい。
電気インタフェース43は、電気信号を入力および出力する。光送信モジュール50は、クロックデータ再生IC44からのデータを光信号の形態で出力する。電気インタフェース43は、波長情報を光送信器の内部から光送信器の外部に出力するためのインタフェースである。電気インタフェース43は、光送信器の外部から制御信号を受けるためのインタフェースでもある。光送信モジュール50は、制御信号に応じて、複数の発光部(図4を参照)のうちの少なくとも1つの動作点を変化させるように構成される。
光送信モジュール50は、光送信モジュール50内に配置された複数の発光素子の温度を制御する熱電クーラ(TEC)48を含む。熱電クーラ48は、ペルチェ素子によって実現可能である。温度制御IC46は、熱電クーラ48の温度を制御するために熱電クーラ48に制御信号を送る。後述するように、光送信モジュール50の内部には、1つの熱電クーラ(TEC)48が複数の発光素子(レーザダイオード)に対して共通して設けられる。
光受信モジュール60は、光信号を受信して、その光信号を電気信号に変換する。光受信モジュール60からの電気信号は、クロックデータ再生IC44へと送られる。クロックデータ再生IC44は、光トランシーバ111に内蔵されるよう限定されず、光トランシーバ111の外部、かつホスト基板1上に設けられてもよい。
送信側のクロックデータ再生ICと受信側のクロックデータ再生ICとは個別に設けられてもよい。それぞれのICは、光トランシーバ111に内蔵されてもよく、光トランシーバ111の外部、かつホスト基板1上に設けられてもよい。
図4は、図3に示された光送信モジュール50の構成を概略的に示したブロック図である。図4に示されるように、光送信モジュール50は、温度モニタ10と、レーザダイオード11,12,13,14と、サブマウント21,22,23,24と、ドライバ30と、光波長多重器(光MUX)42と、熱電クーラ48とを備える。光送信モジュール50は、TOSA(Transmitter Optical SubAssembly)型の光送信モジュールであってもよい。
ドライバ30は、光送信モジュール50の外部(たとえば図3に示されたクロックデータ再生IC44)からの信号に応答して、レーザダイオード11,12,13,14の各々に駆動電流を供給する。レーザダイオード11,12,13,14の各々は、ドライバ30から電流が供給されることにより、レーザ光を出力する。レーザ光の中心波長は、レーザダイオード11,12,13,14の間で互いに異なる。
発光部としてのレーザダイオード11,12,13,14は、各々供給される駆動電流に応じて発振波長を変化させることができる。レーザダイオード11,12,13,14には、たとえば分布帰還型レーザダイオード(DFB−LD)あるいは、電界吸収型変調器集積分布帰還型レーザダイオード(EA−DFB−LD)あるいは、半導体光増幅器(SOA)が集積されたSOA集積EA−DFB−LDを用いることができる。
光波長多重器42は、レーザダイオード11,12,13,14から出力された、異なる波長を有する4つの光信号を合波する。光波長多重器42は、複数の波長を有する光信号を、図示しない光ファイバ(PON回線)へと出力する。
レーザダイオード11,12,13,14は、サブマウント21,22,23,24にそれぞれ実装される。サブマウント21,22,23,24は、比較的高い熱伝導率を有する材料からなる。一実施形態では、サブマウント21,22,23,24は、窒化アルミニウム(AlN)からなる。
サブマウント21,22,23,24は熱電クーラ48に接触している。熱電クーラ48の表面において、サブマウント21,22,23,24は、互いに分離されて配置される。温度モニタ10は、熱電クーラ48の表面の温度をモニタする。
図5は、図4に示されたレーザダイオード、サブマウントおよび熱電クーラの間の熱的な接続を説明するための模式図である。図5に示されるように、サブマウント21,22,23,24の各々は、対応するレーザダイオードに熱的に接続されるとともに、熱電クーラ48に熱的に接続される。サブマウント21,22,23,24の各々は、熱抵抗を有する素子である。レーザダイオード11,12,13,14は、互いに熱的に分離されている。
ドライバ30(図4参照)は、レーザダイオード11,12,13,14にそれぞれ駆動電流I1,I2,I3,I4を供給する。ドライバ30は、駆動電流I1,I2,I3,I4を個別に調整することができる。これによりレーザダイオード11,12,13,14の各々から出力されるレーザ光の中心波長を個別に調整することができる。なお、波長の調整の際には、4つのレーザダイオード11,12,13,14のうち少なくとも1つが駆動電流に応じて発振波長を変化させるのでもよい。
波長を調整するために、駆動電流を調整するだけでなく、熱電クーラ48の温度も調整してもよい。この実施の形態において、ドライバ30およびサブマウント21,22,23,24は、光信号の波長を発光部(レーザダイオード)ごとに個別に調整できるように構成される。
図6は、この実施の形態に適用可能なレーザダイオード(DFB−LD)について、駆動電流とレーザ光の中心波長との間の関係の例を示した図である。一例として、レーザダイオードの温度Tldが50℃であるときの駆動電流と中心波長との間の関係が示される。図6には、25.8Gbps特性と、信頼性保証との観点から調整可能な、駆動電流Iopの範囲の一例が示される。たとえば32mAから46mAまでの駆動電流Iopの範囲内では、中心波長を1299.8nmから1300.0nmまで変化させることが可能である。この駆動電流Iopの範囲の中から、所望の波長を有する光信号を出力するための駆動電流が決定される。すなわち、レーザダイオードの動作点が決定される。図6は、レーザダイオード11〜14のうちのいずれか1つの特性の例を示す。レーザダイオード11〜14の残りのレーザダイオードについても、中心波長は異なるものの、駆動電流に応じて中心波長を変化させることができる。
DFB−LDの場合には、駆動電流を変更することにより動作点を変更した場合には、光出力パワーも変化する。このために、光出力パワーがばらつくことが起こり得る。一方、レーザダイオード11,12,13,14にEA−DFB−LDを採用した実施の形態では、たとえば図7および図8に示されるように、DFB−LD部の駆動電流を変えることにより光出力パワーが上がったとしても、EA変調器のバイアスレベルを変えることによってEA変調器の光吸収量を増やすことができる。これにより、EA変調器において、光出力パワーを減らす方向に光出力パワーを補正することができる。なお、EA変調器のバイアスレベルの変化は、波長の変化に寄与しないが、光波形は多少変化しうる。したがって、ドライバ30の変調信号出力のデューティ比も変化させることが好ましい。
同様に、レーザダイオード11,12,13,14がSOA集積EA−DFB−LDである場合、DFB−LD部に供給される電流によって波長を調整できるとともに、EA部およびSOA部において光出力パワーを調整することができる。したがって、レーザダイオード11,12,13,14にSOA集積EA−DFB−LDを採用した実施の形態では、よりフレキシブルな調整を実現できるので、波長の調整範囲を広げることができる。
図9は、光トランシーバに含まれるコントローラの構成例を示したブロック図である。図9に示されるように、コントローラ41は、記憶部65を備えることができる。記憶部65は、コントローラ41とは別に光トランシーバの内部に設けられてもよい。
記憶部65は、レーン情報70と、波長情報71〜74とを記憶することができる。レーン情報70は、レーン1,レーン2,レーン3,レーン4の4つのレーン(通信路)と、各レーンで伝送される光信号の波長(λd1,λd2,λd3,λd4)とを関連付ける情報である。送信波長λd1,λd2,λd3,λd4は、それぞれ、レーザダイオード11,12,13,14から送信される光信号の波長である。波長情報71〜74は、それぞれ、送信波長λd1,λd2,λd3,λd4に関する情報であり、レーザダイオード11〜14の動作点の情報に相当する。
図10は、波長情報の一例を示した図である。図10に示されるように、波長情報71〜74の各々は、送信波長の情報(λd1,λd2,λd3,λd4)と、波長制御機能が有効または無効のいずれであるかを示す情報(たとえばフラグ)、および波長調整レジスタを含む。波長調整レジスタは、たとえば+Aから−A(Aは正の整数)までのいずれかの値を受けて、その値を保持する。波長調整レジスタに書き込まれた値によって、送信波長の調整幅が決定される。たとえば、レジスタの値を一段階変化させるごとに送信波長が0.05nm変化する。波長調整レジスタの値は、レーザダイオードの温度の変化分またはレーザダイオードの駆動電流の変化分に紐づけられている。
ある波長情報において波長制御機能が有効であるように波長制御機能が設定されている場合には、コントローラ41は、その波長情報によって指定される送信波長を調整することができる。コントローラ41は、波長調整レジスタに書き込まれた値に基づいて、レーザダイオード11〜14のうちの対応するレーザダイオードの動作点を決定する。コントローラ41は、その動作点に従って、レーザダイオードの駆動電流を制御する。これによりドライバ30は、レーザダイオードの駆動電流を制御する。コントローラ41は、さらに、熱電クーラ48の温度を制御してもよい。なお、記憶部65は、波長λd1,λd2,λd3,λd4のうち、変化させる波長の情報のみを記憶していればよい。したがって、記憶部65は、少なくとも1つの波長情報を記憶する。
たとえばITU−T G.652 で示されているシングルモードファイバのゼロ分散波長の仕様は、1300nm〜1324nmとして規定されている。100GbEでの送信波長は、λ1=1295.56nm(1294.53nm〜1296.59 nm)、λ2=1300.05nm(1299.02nm〜1301.09nm)、λ3=1304.58nm(1303.54nm〜1305.63nm)、λ4=1309.14nm(1308.09nm〜1310.19nm)であると規定される。
4光波混合は、光ファイバのゼロ分散波長と送信波長が一致し、各波長間の位相整合条件を満たした場合に強く発生する。入力光の周波数が(fi,fj,fk)の場合、発生する光の周波数は(fi+fj−fk)となることが知られている。シングルモードファイバのゼロ分散波長は、規格1300nm〜1324nmの中心付近1312nmを中心に分布していると考えられる。このため、100GbEの波長配置においては、波長λ4が光ファイバのゼロ分散波長と一致する確率が最も高く、次に、波長λ3が光ファイバのゼロ分散波長と一致する確率が高い。
4つの光信号の波長が等間隔に配置されている場合、4光波混合により発生した光の波長は信号光の波長と同一となる。このため、受信側では、O/E変換前に光バンドパスフィルタでの除去が不可能となる。したがって受信側における受信特性に影響が生じる。特に、4光波混合により発生した光の波長が信号光の波長に非常に近接する場合には、4光波混合により発生した光がコヒーレントクロストークノイズになる。受信機側では、コヒーレントクロストークノイズは、光バンドパスフィルタで除去できないだけでなく、O/E変換後の低域通過フィルタでも除去することができない。したがって、コヒーレントクロストークノイズは、受信特性の大きな劣化を引き起こす要因となる。
たとえば波長λ3がゼロ分散波長に一致する場合を想定する。4光波混合が発生した場合に、送信波長領域と同一波長領域に入る可能性がある波長λFWMは、下記のとおりである。
λFWM=λ3+λ3−λ2≒λ4
λFWM=λ3+λ3−λ4≒λ2
λFWM=λ4+λ2−λ3≒λ3
この実施の形態では、4つの光信号の波長λd1,λd2,λd3,λd4を個別に調整することが可能である。波長λd1,λd2,λd3,λd4の調整のタイミングは特に限定されるものではない。一実施形態では、製造段階において、4つの光信号の波長λd1,λd2,λd3,λd4が個別に調整されてもよい。
λFWM=λ3+λ3−λ4≒λ2
λFWM=λ4+λ2−λ3≒λ3
この実施の形態では、4つの光信号の波長λd1,λd2,λd3,λd4を個別に調整することが可能である。波長λd1,λd2,λd3,λd4の調整のタイミングは特に限定されるものではない。一実施形態では、製造段階において、4つの光信号の波長λd1,λd2,λd3,λd4が個別に調整されてもよい。
図11は、この実施の形態に係る光送信器の製造方法を説明するフローチャートである。このフローチャートに示される処理は、光送信器の製造段階において実行されてもよく、光送信器と光受信器とを組み合わせて光トランシーバを組み立てる段階において実行されてもよい。
図11を参照して、ステップS1において、レーザダイオードから出力される光信号の波長が、4光波混合歪の影響が生じない所定の波長となるように、レーザダイオード11,12,13,14の動作点を設定する。4光波混合歪みの発生を回避できるのであれば、波長λd1,λd2,λd3,λd4のうちの少なくとも1つが調整されればよい。したがって、必要に応じて、レーザダイオード11,12,13,14の動作点のうちの少なくとも1つの動作点が調整される。
4光波混合によるクロストークノイズの問題を解決するため、たとえば、まず複数の波長のうち、調整可能な少なくとも1つの波長を粗く調整し、次に複数の波長に対して4光波混合によるクロストークの影響を判別してもよい。たとえばホスト基板1上の光トランシーバ監視制御ブロック20が波長λd1,λd2,λd3,λd4の値を受け付けて、それら4つの波長が4光波混合歪の発生条件を満たすかどうかを判定してもよい。4光波混合歪の発生条件を満たす場合には、波長λd1,λd2,λd3,λd4のうちの少なくとも1つの値が変更されて、判定処理が実行されてもよい。4光波混合によるクロストークの影響が生じる可能性があると判別された場合には、その可能性を低減するような波長組み合わせを考慮して、調整可能な少なくとも1つの波長を再調整(微調整)してもよい。
ステップS2において、ステップS1の処理により決定されたレーザダイオードの動作点を記憶部65に記憶させる。すなわち、光送信器および光トランシーバは、レーザダイオードの動作点の情報を保持する。ステップS1の処理により決定された波長λd1,λd2,λd3,λd4にそれぞれ関連付けられる駆動電流I1,I2,I3,I4の値が記憶部65に記憶されてもよい。
記憶部65に記憶された波長λd1,λd2,λd3,λd4のうち、少なくとも1つの値が、光トランシーバ111の使用時に変更されてもよい。これにより、光トランシーバ111の使用時において、4光波混合歪を生じさせないように光信号の波長を調整することができる。
以上のように、本発明の実施の形態では、互いに異なる波長を有する光信号を送出する複数の発光部(レーザダイオード11〜14)を備え、複数の発光部のうちの少なくとも1つの発光部は、波長を調整可能に構成される。これにより、4光波混合歪を生じさせないように構成された光送信器を実現できる。さらに、本発明の実施の形態では、4光波混合歪が生じる可能性を低下させることが可能な光送信器を含む光トランシーバを実現できる。さらに、本発明の実施の形態では、4光波混合歪が生じる可能性を低下させることが可能な光送信器、および、その光送信器を備えた光トランシーバを製造することができる。
光送信器(光トランシーバ)の使用時に、4光波混合歪が生じる可能性を低下させることができる。この結果、光信号を受信する側において受信特性の劣化を防ぐことができる。
通常では、レーザダイオードチップは、所望の波長の光を出射するように設計および製造される。しかしながら出来上がったレーザダイオードチップの発光波長は必ずしも設計通りではなく、発光波長が仕様上の比較的広い範囲内でばらついている可能性がある。本発明の実施の形態によれば、各レーザダイオードからの温度を、熱電クーラ48および熱抵抗(サブマウント21〜24のうちの対応するサブマウント)によって制御可能である。これにより、光送信器の組み立て後において、4光波混合歪の影響が生じないように波長を調整することができる。
さらに、光送信器は、調整後の波長の情報を記憶することができる。光送信器が波長の情報を記憶することにより、インタフェースを通じて、光信号の波長についての情報を光送信器から取得することができる。光送信器が波長の情報を有さない場合には、波長の情報を得るために、光送信器から実際に光を出力して、波長を測定する必要がある。本発明の実施の形態によれば、光送信器から実際に光を出力することを不要にしながら光信号の波長についての情報を取得することができる。
本発明の実施の形態は、互いに異なる波長を有する複数の光信号をそれぞれ出力する発光部を備えた光伝送システムに適用可能である。したがって以下に例示されるように、この実施の形態において、光トランシーバは、4波長光トランシーバに限定されるものではない。また、1台の光トランシーバから少なくとも3つの波長情報を取得するように限定されず、複数の光トランシーバから少なくとも3つの波長に関する情報を取得してもよい。
図12は、この実施の形態に係るホスト基板の1つの構成例を示した概略図である。図12に示されるように、光トランシーバ112,111aがホスト基板1に実装される。光トランシーバ111aは、3波長光トランシーバであり、波長λ2,λ3,λ4を有する光信号を出力する。光トランシーバ112は、波長λ1を有する光信号を出力する。図示しないが、光波長多重器が光トランシーバ112,111aの各々から光信号を受けて、波長多重光信号を生成する。なお、光トランシーバ111aの3つの波長は、波長λ1,λ2,λ3,λ4のうちの任意の3つであってもよい。
光トランシーバ監視制御ブロック20は、マネージメントインタフェースを通じて、光トランシーバ112のコントローラ51から、波長λ2,λ3,λ4を示す情報を読み取る。光トランシーバ監視制御ブロック20は、マネージメントインタフェースを通じて、光トランシーバ111aのコントローラ41から、波長λ1を示す情報を読み取ってもよい。光トランシーバ112,111aの各々がホスト基板1にプラグインされたときに、波長の情報が、その光トランシーバから光トランシーバ監視制御ブロック20へと送られる。コントローラ41,51の構成は、図9に示された構成と同様であるので以後の説明は繰り返さない。
光トランシーバ監視制御ブロック20は、光トランシーバ112,111aからの波長情報に基づいて4光波混合歪の影響の有無を判定する。4光波混合歪の影響がある場合には、光トランシーバ監視制御ブロック20は、光トランシーバ112のコントローラ51に制御信号を送り波長λ2,λ3,λ4を調整する。
図13は、この実施の形態に係るホスト基板の別の構成例を示した概略図である。図13に示されるように、光トランシーバ113a,113bがホスト基板1に実装される。光トランシーバ113a,113bの各々は、2波長光トランシーバである。光トランシーバ113aは、波長λ1,λ2を有する光信号を出力する。光トランシーバ113bは波長λ3,λ4を有する光信号を出力する。光トランシーバ113a,113bの2つの波長の組み合わせは限定されない。
光トランシーバ監視制御ブロック20は、マネージメントインタフェースを通じて、光トランシーバ113aのコントローラ41aから、波長λ1,λ2を示す波長情報を読み取る。同じく、光トランシーバ監視制御ブロック20は、マネージメントインタフェースを通じて、光トランシーバ113bのコントローラ41bから、波長λ3,λ4を示す波長情報を読み取る。コントローラ41a,41bの構成は、図9に示された構成と同様であるので以後の説明は繰り返さない。
光トランシーバ監視制御ブロック20は、光トランシーバ113a,113bからの波長情報に基づいて4光波混合歪の影響の有無を判定する。4光波混合歪の影響がある場合には、光トランシーバ監視制御ブロック20は、コントローラ41a,41bに制御信号を送り、波長λ2,λ3,λ4を調整する。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 ホスト基板、10 温度モニタ、11,12,13,14 レーザダイオード、20 光トランシーバ監視制御ブロック、21,22,23,24 サブマウント、30 ドライバ、41,41a,41b,51 コントローラ、42 光波長多重器、43 電気インタフェース、44 クロックデータ再生IC、45 電源IC、46 温度制御IC、48 熱電クーラ、50 光送信モジュール、60 光受信モジュール、65 記憶部、70 レーン情報、71〜74 波長情報、111,111a,112,113a,113b 光トランシーバ、200 管理装置、300 PONシステム、301 局側装置、302 宅側装置、303 PON回線、304 光スプリッタ、305 幹線光ファイバ、306 支線光ファイバ、S1,S2 ステップ。
Claims (9)
- 互いに異なる波長を有する光信号を送出する複数の発光部を備え、
前記複数の発光部のうちの少なくとも1つの発光部は、前記波長を調整可能に構成される、光送信器。 - 前記光送信器は、
前記複数の発光部に対して共通に設けられて、前記複数の発光部の温度を制御する熱電クーラと、
前記熱電クーラに熱的に接続されるとともに、前記複数の発光部のそれぞれに熱的に接続される複数の熱抵抗と、
前記複数の発光部に個別に駆動電流を供給するように構成された電流供給部とをさらに備える、請求項1に記載の光送信器。 - 前記複数の熱抵抗の各々は、前記発光部が実装されるサブマウントである、請求項2に記載の光送信器。
- 前記電流供給部は、インタフェースを通じて制御信号を受けて、前記波長を調整可能な前記少なくとも1つの発光部の動作点を変化させるように構成される、請求項2または請求項3に記載の光送信器。
- 前記波長を調整可能な前記少なくとも1つの発光部から出力されるべき前記光信号の前記波長に関する波長情報を、前記光送信器の外部に出力するためのインタフェースをさらに備える、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の光送信器。
- 前記波長を調整可能な前記少なくとも1つの発光部の動作点を記憶する記憶部をさらに備える、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光送信器。
- 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光送信器と、
光受信器とを備える、光トランシーバ。 - 互いに異なる波長を有する光信号を送出する複数の発光部を備えた光送信器の製造方法であって、前記複数の発光部のうちの少なくとも1つの発光部は、前記波長を調整可能に構成され、
前記複数の発光部から出力される前記光信号の前記波長が、4光波混合歪みの発生する条件から外れるように、前記波長を調整可能な前記少なくとも1つの発光部の動作点を設定する工程と、
前記設定する工程において設定された前記動作点を、前記光送信器に記憶させる工程とを備える、光送信器の製造方法。 - 互いに異なる波長を有する光信号を送出する複数の発光部を備え、
前記複数の発光部のうちの少なくとも1つの発光部は、前記波長を調整可能に構成され、
前記複数の発光部から出力される前記光信号の前記波長が4光波混合歪みの発生する条件から外れるための、前記波長を調整可能な前記少なくとも1つの発光部の動作点を記憶する記憶部をさらに備える、光送信器。
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