JPWO2018037802A1 - High frequency heating device - Google Patents

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Abstract

高周波加熱装置（１ａ）は、生成部（８）と表面波励振体（１０）と第１結合部（１２）と再利用部（１４）とを備える。生成部（８）はマイクロ波を生成する。表面波励振体（１０）は、周期構造体を有し、マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物（６）を加熱する。第１結合部（１２）は、表面波励振体（１０）の一つの端部（１５）に設けられる。第１結合部（１２）を介して、生成部（８）により生成されたマイクロ波が表面波励振体（１０）に供給される。再利用部（１４）は、表面波励振体（１０）の一つの端部（１５）からマイクロ波の伝播方向に位置する表面波励振体（１０）の別の端部（１７）に到達したマイクロ波を、加熱対象物（６）の加熱のために再利用する。本態様によれば、加熱対象物に吸収されなかったマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用することができる。The high frequency heating device (1a) includes a generation unit (8), a surface wave excitation body (10), a first coupling unit (12), and a reuse unit (14). The generator (8) generates microwaves. The surface wave exciter (10) has a periodic structure and propagates microwaves in the surface wave mode to heat the heating target (6). The first coupling portion (12) is provided at one end (15) of the surface acoustic wave driver (10). The microwave generated by the generation unit (8) is supplied to the surface wave exciter (10) via the first coupling unit (12). The recycling unit (14) reached from the one end (15) of the surface wave exciter (10) to the other end (17) of the surface wave exciter (10) located in the microwave propagation direction The microwaves are recycled for the heating of the heating object (6). According to this aspect, the microwaves not absorbed by the heating object can be reused for heating the heating object.

Description

本開示は、電子レンジなどの高周波加熱装置に関する。   The present disclosure relates to a high frequency heating device such as a microwave oven.

従来、表面波伝送線路にマイクロ波を供給して、食品などの加熱対象物を加熱する高周波加熱装置が開発されている。   Conventionally, a high frequency heating apparatus has been developed which supplies microwaves to a surface wave transmission line to heat an object to be heated such as food.

例えば、特許文献１は、表面波伝送線路に直接的にマイクロ波を供給することで、表面波伝送線路に載置された冷凍寿司を解凍する高周波加熱装置を開示する。   For example, Patent Document 1 discloses a high-frequency heating device that thaws frozen sushi placed on a surface wave transmission line by supplying microwaves directly to the surface wave transmission line.

特開平８−１６６１３３号公報JP-A-8-166133

高周波加熱装置の分野では、加熱対象物を効率的に加熱することが長年の課題である。本開示は、上記課題の解決に寄与する高周波加熱装置を提供することを目的とする。   In the field of high frequency heating devices, efficient heating of the object to be heated has been a problem for many years. The present disclosure aims to provide a high frequency heating device that contributes to the solution of the above-mentioned problem.

本開示の一態様の高周波加熱装置は、生成部と表面波励振体と第１結合部と再利用部とを備える。   A high frequency heating apparatus according to an aspect of the present disclosure includes a generation unit, a surface wave exciter, a first coupling unit, and a reuse unit.

生成部はマイクロ波を生成する。表面波励振体は、周期構造体を有し、マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物を加熱する。第１結合部は、表面波励振体の一つの端部に設けられる。第１結合部を介して、生成部により生成されたマイクロ波が表面波励振体に供給される。   The generator generates microwaves. The surface wave exciter has a periodic structure and propagates microwaves in a surface wave mode to heat the object to be heated. The first coupling portion is provided at one end of the surface wave exciter. The microwave generated by the generating unit is supplied to the surface wave exciter via the first coupling unit.

再利用部は、表面波励振体の一つの端部からマイクロ波の伝播方向に位置する表面波励振体の別の端部に到達した表面波モードのマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用する。   The recycling unit is configured to heat the microwaves in the surface wave mode that have reached the other end of the surface wave exciter located in the propagation direction of the microwaves from one end of the surface wave exciter to heat the object to be heated. To reuse.

本態様によれば、加熱対象物に吸収されなかったマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用することができる。その結果、マイクロ波のエネルギーの利用効率を向上させることができる。   According to this aspect, the microwaves not absorbed by the heating object can be reused for heating the heating object. As a result, the utilization efficiency of microwave energy can be improved.

図１は、実施の形態１に係る高周波加熱装置の構成を模式的に示す縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the high-frequency heating device according to the first embodiment. 図２は、実施の形態１に係る高周波加熱装置の構成を模式的に示す横断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the high-frequency heating device according to the first embodiment. 図３は、実施の形態２に係る高周波加熱装置の構成を模式的に示す横断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the high-frequency heating device according to the second embodiment. 図４は、実施の形態３に係る高周波加熱装置の構成を模式的に示す横断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the high-frequency heating device according to the third embodiment. 図５は、実施の形態３に係る表面波励振体の構成を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing the configuration of the surface acoustic wave body according to the third embodiment. 図６は、実施の形態３に係る表面波励振体の構成を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of the surface acoustic wave body according to the third embodiment. 図７は、実施の形態４に係る高周波加熱装置の構成を模式的に示す横断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the high-frequency heating device according to the fourth embodiment.

本開示の第１の態様の高周波加熱装置は、態様の高周波加熱装置は、生成部と表面波励振体と第１結合部と再利用部とを備える。   A high frequency heating apparatus according to a first aspect of the present disclosure is a high frequency heating apparatus according to the aspect including a generation unit, a surface wave excitation body, a first coupling unit, and a reuse unit.

生成部はマイクロ波を生成するように構成される。表面波励振体は、周期構造体を有し、マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物を加熱するように構成される。第１結合部は、表面波励振体の一つの端部に設けられる。第１結合部を介して、生成部により生成されたマイクロ波が表面波励振体に供給される。   The generator is configured to generate microwaves. The surface wave exciter has a periodic structure and is configured to propagate microwaves in a surface wave mode to heat the object to be heated. The first coupling portion is provided at one end of the surface wave exciter. The microwave generated by the generating unit is supplied to the surface wave exciter via the first coupling unit.

再利用部は、表面波励振体の一つの端部からマイクロ波の伝播方向に位置する表面波励振体の別の端部に到達した表面波モードのマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用するように構成される。   The recycling unit is configured to heat the microwaves in the surface wave mode that have reached the other end of the surface wave exciter located in the propagation direction of the microwaves from one end of the surface wave exciter to heat the object to be heated. Configured to be reused.

本開示の第２の態様の高周波加熱装置によれば、第１の態様において、再利用部は、表面波励振体の別の端部に設けられ、表面波励振体の別の端部に到達したマイクロ波を反射するように構成された反射部を含む。   According to the high frequency heating device of the second aspect of the present disclosure, in the first aspect, the reuse part is provided at the other end of the surface wave excitation body and reaches the other end of the surface wave excitation body And a reflector configured to reflect the microwaves.

本開示の第３の態様の高周波加熱装置によれば、第２の態様において、反射部は、表面波励振体の別の端部を覆う導波管である。   According to the high frequency heating device of the third aspect of the present disclosure, in the second aspect, the reflecting portion is a waveguide covering another end of the surface acoustic wave body.

本開示の第４の態様の高周波加熱装置によれば、第１の態様において、再利用部は、表面波励振体の別の端部に設けられ、別の端部に到達した表面波モードのマイクロ波を、インピーダンス整合によりモード変換するように構成された整合部を含む。   According to the high-frequency heating device of the fourth aspect of the present disclosure, in the first aspect, the reuse part is provided at another end of the surface wave excitation body, and the surface wave mode reaches another end. It includes a matching unit configured to perform mode conversion of microwaves by impedance matching.

本開示の第５の態様の高周波加熱装置は、第４の態様に加えて、直流電力を蓄える蓄電部をさらに備える。再利用部は、整合部によりモード変換されたマイクロ波を直流電力に変換し、直流電力を蓄電部に供給するように構成された変換部をさらに含む。   The high frequency heating apparatus of the fifth aspect of the present disclosure further includes a power storage unit that stores DC power, in addition to the fourth aspect. The reuse unit further includes a conversion unit configured to convert the microwave mode-converted by the matching unit into direct current power and supply the direct current power to the storage unit.

本開示の第６の態様の高周波加熱装置によれば、第４の態様において、再利用部は、表面波励振体のいずれかの端部に設けられた第２結合部と、整合部と第２結合部とを接続するマイクロ波伝送線とをさらに含む。   According to the high frequency heating device of the sixth aspect of the present disclosure, in the fourth aspect, the reuse part includes a second coupling part provided at any end of the surface wave excitation body, a matching part, and a matching part And a microwave transmission line connecting the two couplers.

本開示の第７の態様の高周波加熱装置によれば、第１の態様において、表面波励振体は、第１結合部を介して供給されたマイクロ波から得られた表面波を伝播させる第１部分と、第１部分に接続され、表面波の伝播方向を変更するように構成された第２部分と、第２部分に接続され、変更された伝播方向に表面波を伝播させる第３部分と、を含む。本態様において、再利用部は第２部分および第３部分である。   According to the high frequency heating device of the seventh aspect of the present disclosure, in the first aspect, the surface wave exciter propagates the surface wave obtained from the microwave supplied through the first coupling portion. A second part connected to the first part and configured to change the propagation direction of the surface wave; and a third part connected to the second part to propagate the surface wave in the changed propagation direction ,including. In this aspect, the reuse part is the second part and the third part.

本開示の第８の態様の高周波加熱装置によれば、第１から第７の態様のいずれかにおいて、周期構造体が、水平方向に周期的に配置された複数の柱状のピンを有する。   According to the high-frequency heating device of the eighth aspect of the present disclosure, in any of the first to seventh aspects, the periodic structure has a plurality of columnar pins periodically arranged in the horizontal direction.

以下、本開示に係る高周波加熱装置の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。本開示の高周波加熱装置は、具体的には電子レンジである。しかし、本開示の高周波加熱装置はこれに限定されるものではなく、誘電加熱を利用した加熱装置、生ゴミ処理機、半導体製造装置などを含む。   Hereinafter, preferred embodiments of a high-frequency heating apparatus according to the present disclosure will be described with reference to the attached drawings. The high frequency heating apparatus of the present disclosure is specifically a microwave oven. However, the high frequency heating apparatus of the present disclosure is not limited to this, and includes a heating apparatus using dielectric heating, a garbage disposal, a semiconductor manufacturing apparatus, and the like.

以下の説明において、同一または同等の構成要素には同じ参照符号を付し、重複する説明を省略する。   In the following description, the same or equivalent constituent elements are given the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

（実施の形態１）
＜全体構成＞
図１、図２はそれぞれ、本開示の実施の形態１に係る高周波加熱装置１ａの構成を模式的に示す縦断面図、横断面図である。Embodiment 1
<Overall configuration>
FIG. 1:, FIG. 2 is the longitudinal cross-sectional view which shows typically the structure of the high frequency heating apparatus 1a which concerns on Embodiment 1 of this indication, respectively, It is a cross-sectional view.

図１、図２に示すように、高周波加熱装置１ａは、加熱室２と生成部８と表面波励振体１０と結合部１２と反射部１４と制御部１６とを備える。高周波加熱装置１ａは、載置台４の上に載置された加熱対象物６を、表面波励振体１０の表面を表面波モードで伝播するマイクロ波によって加熱するように構成される。   As shown to FIG. 1, FIG. 2, the high frequency heating apparatus 1a is provided with the heating chamber 2, the production | generation part 8, the surface wave excitation body 10, the coupling part 12, the reflection part 14, and the control part 16. The high frequency heating device 1 a is configured to heat the heating target 6 placed on the mounting table 4 by microwaves propagating in the surface wave mode on the surface of the surface wave excitation body 10.

なお、図２は、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体１０を伝播する様子、および、載置台４（図２では不図示）上の加熱対象物６の載置位置を模式的に示している。   Note that FIG. 2 schematically shows how microwaves in the surface wave mode propagate the surface wave excitation body 10 and the placement position of the heating target 6 on the placement table 4 (not shown in FIG. 2). ing.

以下、各構成要素について説明する。   Each component will be described below.

＜生成部＞
生成部８は、マグネトロンとインバータとを有し、制御部１６の制御の下、マイクロ波を生成するように構成される。固体発振器と電力増幅器とが生成部８を構成してもよい。<Generation unit>
The generation unit 8 includes a magnetron and an inverter, and is configured to generate a microwave under the control of the control unit 16. The solid oscillator and the power amplifier may constitute the generating unit 8.

＜表面波励振体＞
表面波励振体１０は、載置台４の下方に設けられる。表面波励振体１０は、マイクロ波を表面波モードで伝播させて、載置台４に載置された加熱対象物６を加熱する。<Surface wave exciter>
The surface wave exciter 10 is provided below the mounting table 4. The surface wave exciter 10 propagates microwaves in the surface wave mode to heat the heating target 6 mounted on the mounting table 4.

表面波励振体１０は、金属周期構造体であるスタブ型表面波励振体である。表面波励振体１０は、金属板１３上に所定間隔で配置された複数の金属板１１を有する。   The surface wave exciter 10 is a stub type surface wave exciter which is a metal periodic structure. The surface wave exciter 10 has a plurality of metal plates 11 arranged at predetermined intervals on the metal plate 13.

表面波励振体１０は、スタブ型表面波励振体ではなく、金属板を交差指状に打ち抜いたインターデジタル型表面波励振体でもよい。表面波励振体１０は、金属周期構造体ではなく、アルミナ板、ベークライト板などの誘電体板で構成されてもよい。   The surface wave exciter 10 may not be a stub type surface wave exciter, but may be an interdigital surface wave exciter in which a metal plate is punched in the shape of a cross finger. The surface wave exciter 10 may be made of a dielectric plate such as an alumina plate or a bakelite plate instead of the metal periodic structure.

表面波励振体１０の励振周波数は、材料、寸法などに依存する。スタブ型表面波励振体の場合、金属板１１の高さ、間隔などを適切に選択することで、励振周波数を所望の値に設定することができる。一般的に、表面波励振体１０の励振周波数は、金属板１１の高さが低いほど高く、金属板１１の間隔が狭いほど高い。   The excitation frequency of the surface wave exciter 10 depends on the material, size, and the like. In the case of a stub type surface wave exciter, the excitation frequency can be set to a desired value by appropriately selecting the height, interval, and the like of the metal plate 11. Generally, the excitation frequency of the surface wave exciter 10 is higher as the height of the metal plate 11 is lower, and higher as the distance between the metal plates 11 is narrower.

金属板１１の各々は、互いに平行に配置される。表面波励振体１０は、金属板１１に垂直な方向、すなわち金属板１１の配列方向に表面波を伝播させる。表面波励振体１０上を、表面波モードで伝播するマイクロ波の伝播方向は、金属板１１の配列方向と一致する。   Each of the metal plates 11 is arranged in parallel to one another. The surface wave exciter 10 propagates surface waves in a direction perpendicular to the metal plate 11, that is, in a direction in which the metal plates 11 are arranged. The propagation direction of the microwaves propagating on the surface wave exciter 10 in the surface wave mode coincides with the arrangement direction of the metal plates 11.

＜結合部＞
表面波励振体１０の一つの端部（図１、図２では表面波励振体１０の左端）である給電辺１５に、結合部１２が設けられる。生成部８で生成されたマイクロ波は、結合部１２を介して給電辺１５から表面波励振体１０に供給される。本実施の形態では、結合部１２は方形導波管である。結合部１２は第１結合部に相当する。<Joint part>
The coupling portion 12 is provided on the feeding side 15 which is one end of the surface wave excitation body 10 (the left end of the surface wave excitation body 10 in FIG. 1 and FIG. 2). The microwaves generated by the generation unit 8 are supplied from the feeding side 15 to the surface wave exciter 10 through the coupling unit 12. In the present embodiment, the coupling portion 12 is a rectangular waveguide. The coupling portion 12 corresponds to a first coupling portion.

＜反射部＞
終端辺１７を覆うように、反射部１４が設けられる。終端辺１７は、給電辺１５から伝播方向Ｄ１に位置する表面波励振体１０の別の端部（図１、図２では表面波励振体１０の右端）である。反射部１４は、表面波励振体１０の表面を伝播した表面波モードのマイクロ波を終端辺１７で全反射する。本実施の形態では、反射部１４は方形導波管である。<Reflection part>
The reflective portion 14 is provided to cover the end side 17. The termination side 17 is another end of the surface wave excitation body 10 (FIG. 1, the right end of the surface wave excitation body 10 in FIG. 2) located from the feeding side 15 in the propagation direction D1. The reflector 14 totally reflects the microwaves of the surface wave mode propagated on the surface of the surface wave exciter 10 at the termination side 17. In the present embodiment, the reflecting portion 14 is a rectangular waveguide.

＜表面波励振体の作用＞
表面波励振体１０の作用について、図２を用いて説明する。<Action of surface wave exciter>
The action of the surface wave exciter 10 will be described with reference to FIG.

図２に示すように、生成部８により生成されたマイクロ波は、結合部１２を介して給電辺１５から表面波励振体１０に供給される。   As shown in FIG. 2, the microwave generated by the generation unit 8 is supplied from the feeding side 15 to the surface wave exciter 10 through the coupling unit 12.

マイクロ波の供給により、表面波励振体１０の表面を伝播する表面波Ｓ１が発生する。表面波Ｓ１は、伝播方向Ｄ１（図では左から右への方向）に伝播し、加熱対象物６を下方から加熱する。   The supply of the microwave generates a surface wave S1 propagating on the surface of the surface wave exciter 10. The surface wave S1 propagates in the propagation direction D1 (direction from left to right in the drawing), and heats the heating target 6 from below.

表面波Ｓ１のうちの一部である表面波Ｓ２は、加熱対象物６に吸収されずに、表面波励振体１０の表面を伝播方向Ｄ１にさらに伝播し、表面波励振体１０の終端辺１７に到達する。反射部１４は、表面波Ｓ２を終端辺１７で反射し、表面波Ｓ２の伝播方向を反転させる。表面波Ｓ２の伝播方向は、伝播方向Ｄ１から伝播方向Ｄ２（図では右から左への方向）に変更される。   The surface wave S2 which is a part of the surface wave S1 is not absorbed by the heating object 6 and propagates further on the surface of the surface wave excitation body 10 in the propagation direction D1, and the termination side 17 of the surface wave excitation body 10 To reach. The reflection unit 14 reflects the surface wave S2 at the termination side 17, and reverses the propagation direction of the surface wave S2. The propagation direction of the surface wave S2 is changed from the propagation direction D1 to the propagation direction D2 (the direction from right to left in the drawing).

反射部１４により反射された表面波Ｓ２は、表面波励振体１０の表面を終端辺１７から給電辺１５に向かって伝播し、加熱対象物６を下方から加熱する。   The surface wave S2 reflected by the reflection unit 14 propagates from the end side 17 toward the feeding side 15 of the surface of the surface wave excitation body 10, and heats the heating target 6 from below.

従来の高周波加熱装置は、加熱対象物６に吸収されずに表面波励振体の終端辺に到達した表面波モードのマイクロ波を空間に放射していた。空間に放射されたマイクロ波は加熱対象物６の加熱に寄与しないため、マイクロ波のエネルギーの利用効率は低下する。   The conventional high frequency heating apparatus radiates to the space the microwaves of the surface wave mode which are not absorbed by the object to be heated 6 and reach the terminal edge of the surface wave exciter. Since the microwaves radiated into the space do not contribute to the heating of the heating target 6, the utilization efficiency of the microwave energy is lowered.

本実施の形態では、表面波Ｓ１だけでなく、反射部１４により反射された表面波Ｓ２によっても、加熱対象物６が加熱される。このようにして、高周波加熱装置１ａは、加熱対象物に吸収されなかったマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用することができる。その結果、マイクロ波のエネルギーの利用効率を向上させることができる。   In the present embodiment, the heating target 6 is heated not only by the surface wave S1 but also by the surface wave S2 reflected by the reflection unit 14. In this way, the high frequency heating device 1a can reuse the microwaves that are not absorbed by the heating target for heating the heating target. As a result, the utilization efficiency of microwave energy can be improved.

すなわち、本実施の形態では、反射部１４が、加熱対象物６に吸収されずに表面波励振体の終端辺に到達したマイクロ波を再利用するように構成された再利用部に相当する。   That is, in the present embodiment, the reflection unit 14 corresponds to a reuse unit configured to reuse microwaves that are not absorbed by the heating target 6 and reach the end side of the surface wave excitation body.

（実施の形態２）
本開示の実施の形態２に係る高周波加熱装置１ｂについて、実施の形態１との相違点を中心に説明する。図３は、高周波加熱装置１ｂの構成を模式的に示す横断面図である。図３は、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体１０を伝播する様子、および、載置台４（図３では不図示）上の加熱対象物６の載置位置を模式的に示している。Second Embodiment
A high frequency heating apparatus 1b according to a second embodiment of the present disclosure will be described focusing on differences from the first embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the high-frequency heating device 1b. FIG. 3 schematically shows how microwaves in the surface wave mode propagate the surface wave exciter 10, and the mounting position of the heating target 6 on the mounting table 4 (not shown in FIG. 3). .

実施の形態１では、表面波励振体１０の終端辺１７に到達した表面波Ｓ２を反射することで、マイクロ波の再利用が行われる。一方、実施の形態２では、インピーダンス整合により、表面波モードのマイクロ波を別のモードのマイクロ波に変換することで、マイクロ波の再利用が行われる。   In the first embodiment, microwaves are reused by reflecting the surface wave S2 that has reached the terminal side 17 of the surface wave exciter 10. On the other hand, in the second embodiment, the microwaves are reused by converting the microwaves of the surface wave mode into the microwaves of another mode by impedance matching.

図３に示すように、高周波加熱装置１ｂは、反射部１４の代わりに、整合部２２と変換部２４とを備える。本実施の形態では、整合部２２と変換部２４とが再利用部に相当する。高周波加熱装置１ｂはさらに蓄電部２６を備える。   As shown in FIG. 3, the high frequency heating device 1 b includes a matching unit 22 and a conversion unit 24 instead of the reflection unit 14. In the present embodiment, the matching unit 22 and the conversion unit 24 correspond to the reuse unit. The high frequency heating device 1 b further includes a power storage unit 26.

整合部２２は、表面波励振体１０の終端辺１７に接続される。変換部２４は、マイクロ波伝送線２３を介して整合部２２に接続され、直流電力伝送線２５を介して蓄電部２６に接続される。蓄電部２６は生成部８に接続され、生成部８に電力を供給する。   The matching portion 22 is connected to the terminal side 17 of the surface wave excitation body 10. Converter 24 is connected to matching unit 22 via microwave transmission line 23 and connected to power storage 26 via DC power transmission line 25. The storage unit 26 is connected to the generation unit 8 and supplies power to the generation unit 8.

整合部２２は、マイクロ波に対してインピーダンス整合を行うように構成されたインピーダンス整合器である。インピーダンス整合により、表面波モードのマイクロ波を同軸モードのマイクロ波または導波管モードのマイクロ波に変換することができる。以下、これをインピーダンス整合によるモード変換という。   The matching unit 22 is an impedance matching device configured to perform impedance matching on microwaves. By impedance matching, it is possible to convert surface wave mode microwaves to coaxial mode microwaves or waveguide mode microwaves. Hereinafter, this is called mode conversion by impedance matching.

表面波モードのマイクロ波を導波管モードへ変換する場合には、整合部２２が、階段状のスタブ構造を有してもよい。表面波モードのマイクロ波を同軸モードのマイクロ波に変換する場合には、整合部２２が、表面波モードのマイクロ波を導波管モードのマイクロ波に変換し、その後、同軸モードのマイクロ波に変換する２段階の構成を有してもよい。整合部２２はこれらに限らず、種々の構成を採り得る。   In the case of converting a surface wave mode microwave into a waveguide mode, the matching portion 22 may have a stepped stub structure. When converting the surface wave mode microwave to the coaxial mode microwave, the matching unit 22 converts the surface wave mode microwave to the waveguide mode microwave and then to the coaxial mode microwave. It may have a two-stage configuration to convert. Alignment part 22 can take not only these but various composition.

マイクロ波伝送線２３は、例えば、同軸線路または導波管路により構成することができる。本実施の形態によれば、整合部２２により、表面波モードのマイクロ波が同軸モードまたは導波管モードに変換される。このため、マイクロ波伝送線２３を介して、別の構成要素である変換部２４にマイクロ波を伝送することができる。   The microwave transmission line 23 can be configured by, for example, a coaxial line or a waveguide. According to the present embodiment, the matching unit 22 converts the microwaves in the surface wave mode into the coaxial mode or the waveguide mode. Therefore, microwaves can be transmitted to the converting unit 24 which is another component via the microwave transmission line 23.

変換部２４は、交流電力であるマイクロ波を直流電力に変換する部材である。変換部２４には、例えばレクテナ（Rectifying antenna）を用いてもよい。   The conversion unit 24 is a member that converts microwaves, which are AC power, into DC power. For example, a rectifying antenna may be used for the conversion unit 24.

上記構成において、結合部１２を介して供給されたマイクロ波から得られた表面波Ｓ１によって加熱対象物６が加熱される。加熱対象物６に吸収されずに表面波励振体１０を伝播した表面波Ｓ２が終端辺１７に到達する。   In the above configuration, the heating target 6 is heated by the surface wave S <b> 1 obtained from the microwave supplied through the coupling unit 12. The surface wave S <b> 2 which is propagated to the surface wave exciter 10 without being absorbed by the heating target 6 reaches the end side 17.

整合部２２は、終端辺１７に到達した表面波モードのマイクロ波（表面波Ｓ２）を、インピーダンス整合によりモード変換し、同軸モードまたは導波管モードのマイクロ波を生成する。整合部２２は、モード変換されたマイクロ波を、マイクロ波伝送線２３を介して変換部２４に伝送する。   The matching unit 22 performs mode conversion of the surface wave mode microwave (surface wave S2) that has reached the termination side 17 by impedance matching, and generates a coaxial mode or waveguide mode microwave. The matching unit 22 transmits the mode-converted microwave to the conversion unit 24 via the microwave transmission line 23.

変換部２４は、そのマイクロ波を直流電力に変換し、直流電力伝送線２５を介して直流電力を蓄電部２６に伝送する。蓄電部２６は、直流電力を生成部８に供給する電力として蓄える。   Converter 24 converts the microwaves into DC power, and transmits DC power to power storage unit 26 via DC power transmission line 25. Power storage unit 26 stores DC power as power supplied to generation unit 8.

以上のように、高周波加熱装置１ｂは、加熱対象物６に吸収されなかったマイクロ波を、整合部２２および変換部２４を用いて直流電力に変換する。その直流電力は蓄電部２６に蓄えられ、必要な場合に生成部８に供給される。   As described above, the high-frequency heating device 1 b converts the microwaves not absorbed by the heating target 6 into DC power using the matching unit 22 and the conversion unit 24. The DC power is stored in power storage unit 26 and supplied to generation unit 8 when necessary.

このようにして、高周波加熱装置１ｂは、加熱対象物に吸収されなかったマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用することができる。その結果、マイクロ波のエネルギーの利用効率を向上させることができる。   In this manner, the high-frequency heating device 1b can reuse microwaves that are not absorbed by the heating target for heating the heating target. As a result, the utilization efficiency of microwave energy can be improved.

（実施の形態３）
本開示の実施の形態３に係る高周波加熱装置１ｃについて、実施の形態２との相違点を中心に説明する。図４は、高周波加熱装置１ｃの構成を模式的に示す横断面図である。図４は、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体２０を伝播する様子、および、載置台４（図４では不図示）上の加熱対象物６の載置位置を模式的に示している。Third Embodiment
A high frequency heating apparatus 1c according to a third embodiment of the present disclosure will be described focusing on differences from the second embodiment. FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the high-frequency heating device 1c. FIG. 4 schematically shows how microwaves in the surface wave mode propagate the surface wave exciter 20 and the mounting position of the heating target 6 on the mounting table 4 (not shown in FIG. 4). .

図４に示すように、高周波加熱装置１ｃは、変換部２４と蓄電部２６とを備えず、その代わりに結合部３２を備える。高周波加熱装置１ｃは、表面波励振体１０の代わりに表面波励振体２０を備える。表面波励振体２０は、実施の形態２に係る表面波励振体１０の構成と異なる構成を有する。結合部３２は第２結合部に相当する。   As shown in FIG. 4, the high frequency heating device 1 c does not include the conversion unit 24 and the storage unit 26, and instead includes a coupling unit 32. The high frequency heating device 1 c includes a surface wave exciter 20 instead of the surface wave exciter 10. The surface wave excitation body 20 has a configuration different from the configuration of the surface wave excitation body 10 according to the second embodiment. The coupling portion 32 corresponds to a second coupling portion.

高周波加熱装置１ｃは、結合部１２に加えて結合部３２を有する。結合部３２は、給電辺１５および終端辺１７以外の表面波励振体２０の端部である給電辺３３に設けられる。本実施の形態では、表面波励振体２０は、平面視で略正方形の形状を有し、結合部３２は、給電辺１５に直交する給電辺３３に設けられる。結合部３２は、マイクロ波伝送線３１を介して整合部２２に接続される。   The high-frequency heating device 1 c has a joint 32 in addition to the joint 12. The coupling portion 32 is provided on a feed side 33 which is an end of the surface wave excitation body 20 other than the feed side 15 and the termination side 17. In the present embodiment, the surface wave excitation body 20 has a substantially square shape in a plan view, and the coupling portion 32 is provided on the feed side 33 orthogonal to the feed side 15. The coupling unit 32 is connected to the matching unit 22 via the microwave transmission line 31.

このように構成において、結合部１２を介して供給されるマイクロ波から得られた表面波Ｓ１によって、加熱対象物６が加熱される。表面波Ｓ１のうちの一部である表面波Ｓ２は、加熱対象物６に吸収されずに表面波励振体１０を伝播し、終端辺１７に到達する。   Thus, in the configuration, the heating target 6 is heated by the surface wave S <b> 1 obtained from the microwave supplied through the coupling unit 12. The surface wave S2, which is a part of the surface wave S1, is not absorbed by the heating target 6, propagates through the surface wave exciter 10, and reaches the termination side 17.

整合部２２は、終端辺１７に到達した表面波モードのマイクロ波（表面波Ｓ２）をインピーダンス整合によりモード変換し、同軸モードまたは導波管モードのマイクロ波を生成する。整合部２２は、モード変換されたマイクロ波を、マイクロ波伝送線３１を介して結合部３２に伝送する。   The matching unit 22 performs mode conversion of the surface wave mode microwave (surface wave S2) that has reached the termination side 17 by impedance matching, and generates a coaxial mode or waveguide mode microwave. The matching unit 22 transmits the mode-converted microwave to the coupling unit 32 via the microwave transmission line 31.

このマイクロ波は、結合部３２を介して、給電辺３３から表面波励振体２０に供給される。このマイクロ波から、表面波Ｓ１、Ｓ２の伝播方向Ｄ１と直交する伝播方向Ｄ３に伝播する表面波Ｓ３が生じる。表面波Ｓ３によっても加熱対象物６が加熱される。すなわち、本実施の形態では、整合部２２と結合部３２とが再利用部に相当する。   The microwaves are supplied from the feeding side 33 to the surface wave exciter 20 via the coupling portion 32. From this microwave, a surface wave S3 propagating in the propagation direction D3 orthogonal to the propagation direction D1 of the surface waves S1 and S2 is generated. The object to be heated 6 is also heated by the surface wave S3. That is, in the present embodiment, the matching unit 22 and the coupling unit 32 correspond to the reuse unit.

本実施の形態に係る表面波励振体２０は、ピン型スタブ構造を有する。ピン型スタブ構造とは、水平方向に周期的に配置された複数の柱状のピンを有する周期構造体である。   The surface wave exciter 20 according to the present embodiment has a pin stub structure. The pin type stub structure is a periodic structure having a plurality of columnar pins periodically arranged in the horizontal direction.

図５、図６は、ピン型スタブ構造の例を示している。図５に示す表面波励振体２０は、四角柱形状のピン２０ａを有する。図６に示す表面波励振体２０は、円柱形状のピン２０ｂを有する。表面波励振体２０では、ピンの配列方向に沿って、すなわち、ピンが配置された水平面に平行な任意の方向に表面波が伝播することができる。   5 and 6 show examples of a pin type stub structure. The surface wave exciter 20 shown in FIG. 5 has a square pole shaped pin 20a. The surface wave excitation body 20 shown in FIG. 6 has a cylindrical pin 20b. In the surface wave exciter 20, surface waves can propagate along the arrangement direction of the pins, that is, in any direction parallel to the horizontal plane in which the pins are arranged.

以上のように、高周波加熱装置１ｃは、加熱対象物６に吸収されなかったマイクロ波を、結合部３２を介して表面波励振体２０に供給し直す。このようにして、高周波加熱装置１ｃは、加熱対象物に吸収されなかったマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用することができる。その結果、マイクロ波のエネルギーの利用効率を向上させることができる。   As described above, the high-frequency heating device 1 c resupplys the surface wave exciter 20 with the microwaves not absorbed by the object 6 to be heated via the coupling portion 32. In this manner, the high frequency heating device 1c can reuse microwaves that are not absorbed by the heating target for heating the heating target. As a result, the utilization efficiency of microwave energy can be improved.

（実施の形態４）
本開示の実施の形態４に係る高周波加熱装置１ｄについて、実施の形態１との相違点を中心に説明する。図７は、高周波加熱装置１ｄの構成を模式的に示す横断面図である。図７は、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体３０を伝播する様子、および、載置台４（図７では不図示）上の加熱対象物６の載置位置を模式的に示している。Embodiment 4
A high frequency heating device 1d according to a fourth embodiment of the present disclosure will be described focusing on differences from the first embodiment. FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the high frequency heating device 1d. FIG. 7 schematically shows how microwaves in the surface wave mode propagate the surface wave exciter 30, and the mounting position of the heating target 6 on the mounting table 4 (not shown in FIG. 7). .

高周波加熱装置１ｄは、再利用部である反射部１４を備えず、その形状により加熱対象物６に吸収されなかったマイクロ波を再利用することが可能な表面波励振体３０を備える。   The high-frequency heating device 1 d does not include the reflection unit 14 that is a reuse unit, and includes the surface wave exciter 30 that can reuse microwaves that are not absorbed by the heating target 6 due to its shape.

図７に示すように、表面波励振体３０は、平面視においてＵ字状に湾曲した形状を有する。具体的には、表面波励振体３０は、直線部３０ａと、湾曲部３０ｂと、直線部３０ｃとを有する。加熱対象物６は直線部３０ａ、３０ｃにまたがるように、載置台４（不図示）に載置される。直線部３０ａ、湾曲部３０ｂ、直線部３０ｃは、第１部分、第２部分、第３部分にそれぞれ相当する。   As shown in FIG. 7, the surface wave exciter 30 has a U-shaped curved shape in plan view. Specifically, the surface wave excitation body 30 has a linear portion 30a, a curved portion 30b, and a linear portion 30c. The heating target 6 is mounted on the mounting table 4 (not shown) so as to straddle the straight portions 30a and 30c. The linear portion 30a, the curved portion 30b, and the linear portion 30c correspond to a first portion, a second portion, and a third portion, respectively.

直線部３０ａは、平面視において直線状に延在し、結合部１２を介して供給されたマイクロ波から得られた表面波Ｓ１を伝播方向Ｄ１に伝播させる。表面波Ｓ１の一部である表面波Ｓ２は、加熱対象物６に吸収されずに直線部３０ａをさらに伝播し、直線部３０ａの終端に到達する。   The straight portion 30a extends in a straight line in plan view, and propagates the surface wave S1 obtained from the microwave supplied via the coupling portion 12 in the propagation direction D1. The surface wave S2 which is a part of the surface wave S1 is not absorbed by the object to be heated 6 and propagates further through the linear portion 30a to reach the end of the linear portion 30a.

湾曲部３０ｂは、平面視において中心角が１８０度の扇形形状を有し、直線部３０ａと直線部３０ｃを接続する。直線部３０ａから湾曲部３０ｂに伝播方向Ｄ１に伝播した表面波Ｓ２は、湾曲部３０ｂから直線部３０ｃに伝播方向Ｄ２に伝播する。すなわち、湾曲部３０ｂは、表面波Ｓ２の伝播方向を変更する。本実施の形態では、表面波Ｓ２の伝播方向は反転する。   The curved portion 30 b has a fan-like shape having a central angle of 180 degrees in a plan view, and connects the straight portion 30 a and the straight portion 30 c. The surface wave S2 propagated in the propagation direction D1 from the linear portion 30a to the curved portion 30b propagates in the propagation direction D2 from the curved portion 30b to the linear portion 30c. That is, the bending portion 30b changes the propagation direction of the surface wave S2. In the present embodiment, the propagation direction of the surface wave S2 is reversed.

直線部３０ｃは、湾曲部３０ｂに接続されて平面視において直線状に延在する。直線部３０ｃは、湾曲部３０ｂにより伝播方向が反転された表面波Ｓ２を伝播方向Ｄ２に伝播させる。   The straight portion 30 c is connected to the curved portion 30 b and extends linearly in plan view. The straight portion 30c propagates the surface wave S2 whose propagation direction is reversed by the bending portion 30b in the propagation direction D2.

上記構成によれば、結合部１２を介して供給されたマイクロ波が直線部３０ａを伝播することで得られた表面波Ｓ１によって、加熱対象物６が加熱される。それに加えて、湾曲部３０ｂにより反転された伝播方向に直線部３０ｃを伝播する表面波Ｓ２によっても、加熱対象物６が加熱される。   According to the above configuration, the heating target 6 is heated by the surface wave S <b> 1 obtained by the microwave supplied through the coupling portion 12 propagating through the linear portion 30 a. In addition to that, the heating object 6 is also heated by the surface wave S2 propagating in the linear portion 30c in the propagation direction reversed by the curved portion 30b.

本実施の形態では、再利用部は、実施の形態１、２のように反射部１４、整合部２２などの別部材により構成されない。表面波励振体３０に含まれた湾曲部３０ｂおよび直線部３０ｃが再利用部として機能する。   In the present embodiment, the reuse unit is not configured by separate members such as the reflection unit 14 and the matching unit 22 as in the first and second embodiments. The curved portion 30 b and the straight portion 30 c included in the surface wave exciter 30 function as a reuse unit.

以上のように、高周波加熱装置１ｄは、加熱対象物６に吸収されなかったマイクロ波を、再度、加熱対象物６の加熱のために用いる。このようにして、高周波加熱装置１ｄは、加熱対象物に吸収されなかったマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用することができる。その結果、マイクロ波のエネルギーの利用効率を向上させることができる。   As described above, the high-frequency heating device 1 d uses the microwaves not absorbed by the heating target 6 again for heating the heating target 6. Thus, the high-frequency heating device 1d can reuse the microwaves not absorbed by the heating target for heating the heating target. As a result, the utilization efficiency of microwave energy can be improved.

以上、実施の形態１〜４について説明したが、本開示はこれらの実施の形態に限定されるものではない。   The first to fourth embodiments have been described above, but the present disclosure is not limited to these embodiments.

例えば、実施の形態１では、反射部１４が、表面波励振体１０の終端辺１７を覆うように設けられる。しかし、表面波を反射させることができれば、他の構成も適用可能である。例えば、反射部１４が表面波励振体１０の全体を覆うようにしもよい。   For example, in the first embodiment, the reflecting portion 14 is provided to cover the terminal side 17 of the surface acoustic wave body 10. However, other configurations are also applicable as long as the surface waves can be reflected. For example, the reflector 14 may cover the entire surface wave exciter 10.

実施の形態１では、表面波励振体１０に含まれた金属板１１が全て同じ高さを有する。しかし、例えば、反射部１４に覆われた金属板１１が、終端辺１７に近づくにつれて段階的に低くなる高さを有してもよい。この構成により、表面波をより精度良く反射することができる。   In the first embodiment, all the metal plates 11 included in the surface wave excitation body 10 have the same height. However, for example, the metal plate 11 covered by the reflective portion 14 may have a height that gradually decreases toward the end side 17. With this configuration, surface waves can be reflected more accurately.

実施の形態２では、変換部２４の例としてレクテナが挙げられる。しかし、マイクロ波を直流電力に変換することができれば、これに限定されるものではない。   In the second embodiment, a rectenna is given as an example of the conversion unit 24. However, the invention is not limited to this as long as microwaves can be converted to direct current power.

実施の形態３では、結合部３２は、給電辺１５および終端辺１７以外の表面波励振体２０の端部である給電辺３３に設けられる。しかし、給電辺１５または終端辺１７に給電辺３３が設けられてもよい。   In the third embodiment, the coupling portion 32 is provided on the feed side 33 which is an end portion of the surface wave excitation body 20 other than the feed side 15 and the termination side 17. However, the feed side 33 may be provided on the feed side 15 or the termination side 17.

本開示では、実施の形態３に係る表面波励振体２０だけがピン型スタブ構造を有する。しかし、実施の形態１，２に係る表面波励振体１０、実施の形態４に係る表面波励振体３０がピン型スタブ構造を有してもよい。   In the present disclosure, only the surface wave exciter 20 according to the third embodiment has a pin stub structure. However, the surface wave exciter 10 according to Embodiments 1 and 2 and the surface wave exciter 30 according to Embodiment 4 may have a pin stub structure.

実施の形態４では、表面波励振体３０はＵ字形状を有する。しかし、表面波励振体３０を伝播した表面波Ｓ２の伝播方向を変更するものであれば、表面波励振体３０の形状は、これに限るものではない。   In the fourth embodiment, the surface wave exciter 30 has a U-shape. However, the shape of the surface wave exciter 30 is not limited to this as long as the propagation direction of the surface wave S2 propagated through the surface wave exciter 30 is changed.

本開示は、電子レンジ、乾燥装置、陶芸用加熱装置、生ゴミ処理機、半導体製造装置などに適用可能である。   The present disclosure is applicable to a microwave oven, a drying device, a heating device for ceramics, a garbage processing device, a semiconductor manufacturing device, and the like.

１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ 高周波加熱装置
４ 載置台
６ 加熱対象物
８ 生成部
１０，２０，３０ 表面波励振体
１２ 結合部（第１結合部）
１４ 反射部（再利用部）
１５ 給電辺（表面波励振体の一つの端部）
１６ 制御部
１７ 終端辺（表面波励振体の別の端部）
２０ａ，２０ｂ ピン
２２ 整合部（再利用部）
２３，３１ マイクロ波伝送線
２４ 変換部（再利用部）
２５ 直流電力伝送線
２６ 蓄電部
３０ａ 直線部（第１部分）
３０ｂ 湾曲部（第２部分）
３０ｃ 直線部（第３部分）
３２ 結合部（第２結合部、再利用部）
３３ 給電辺1a, 1b, 1c, 1d High-frequency heating device 4 mounting table 6 heating object 8 generation unit 10, 20, 30 surface wave exciter 12 coupling unit (first coupling unit)
14 Reflector (Reuse Unit)
15 Feeding edge (one end of surface wave exciter)
16 control section 17 end side (another end of surface wave exciter)
20a, 20b Pin 22 Alignment unit (reuse unit)
23, 31 microwave transmission line 24 conversion unit (reuse unit)
25 DC power transmission line 26 power storage unit 30a straight portion (first portion)
30b Curved part (second part)
30c straight part (third part)
32 joint (second joint, reuse part)
33 feeding side

Claims (8)

マイクロ波を生成するように構成された生成部と、
周期構造体を有し、前記マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物を加熱するように構成された表面波励振体と、
前記表面波励振体の一つの端部に設けられ、前記生成部により生成された前記マイクロ波が前記表面波励振体に供給される第１結合部と、
前記表面波励振体の前記一つの端部から前記マイクロ波の伝播方向に位置する前記表面波励振体の別の端部に到達した表面波モードの前記マイクロ波を、前記加熱対象物の加熱のために再利用するように構成された再利用部と、を備えた高周波加熱装置。A generator configured to generate microwaves;
A surface wave exciter having a periodic structure and configured to propagate the microwave in a surface wave mode to heat the object to be heated;
A first coupling unit provided at one end of the surface wave exciter, the microwave generated by the generator being supplied to the surface wave exciter;
In the heating of the object to be heated, the microwave in the surface wave mode that has reached the other end of the surface wave exciter located in the propagation direction of the microwaves from the one end of the surface wave exciter And (f) a recycling unit configured to be reused. 前記再利用部が、前記表面波励振体の前記別の端部に設けられ、前記表面波励振体の前記別の端部に到達した前記マイクロ波を反射するように構成された反射部を含む請求項１に記載の高周波加熱装置。   The recycling unit is provided at the other end of the surface wave exciter, and includes a reflector configured to reflect the microwave that has reached the other end of the surface wave exciter. The high frequency heating device according to claim 1. 前記反射部が、前記表面波励振体の前記別の端部を覆う導波管である請求項２に記載の高周波加熱装置。   The high frequency heating apparatus according to claim 2, wherein the reflection part is a waveguide covering the other end of the surface wave excitation body. 前記再利用部が、前記表面波励振体の前記別の端部に設けられ、前記別の端部に到達した表面波モードの前記マイクロ波を、インピーダンス整合によりモード変換するように構成された整合部を含む請求項１に記載の高周波加熱装置。   A matching unit, wherein the reuse unit is provided at the other end of the surface wave exciter, and configured to perform mode conversion of the microwave in the surface wave mode that has reached the other end by impedance matching. The high frequency heating device according to claim 1 including a part. 直流電力を蓄える蓄電部をさらに備えた高周波加熱装置であって、
前記再利用部が、前記整合部によりモード変換された前記マイクロ波を直流電力に変換し、前記直流電力を前記蓄電部に供給するように構成された変換部をさらに含む請求項４に記載の高周波加熱装置。A high frequency heating apparatus further comprising a storage unit for storing DC power, wherein
5. The apparatus according to claim 4, further comprising: a conversion unit configured to convert the microwave mode-converted by the matching unit into direct current power and to supply the direct current power to the storage unit. High frequency heating device. 前記再利用部が、前記表面波励振体のいずれかの端部に設けられた第２結合部と、前記整合部と前記第２結合部とを接続するマイクロ波伝送線と、をさらに含む請求項４に記載の高周波加熱装置。   The recycling unit further includes a second coupling unit provided at any one end of the surface wave excitation body, and a microwave transmission line connecting the matching unit and the second coupling unit. The high-frequency heating device according to Item 4. 前記表面波励振体が、前記第１結合部を介して供給された前記マイクロ波から得られた表面波を伝播させる第１部分と、前記第１部分に接続され、前記表面波の伝播方向を変更するように構成された第２部分と、前記第２部分に接続され、変更された伝播方向に前記表面波を伝播させる第３部分と、を含み、
前記再利用部が前記第２部分および前記第３部分である請求項１に記載の高周波加熱装置。The surface wave exciter is connected to a first portion for propagating a surface wave obtained from the microwave supplied through the first coupling portion, and the first portion, and the propagation direction of the surface wave is A second part configured to change, and a third part connected to the second part to propagate the surface wave in a modified direction of propagation,
The high frequency heating apparatus according to claim 1, wherein the reuse unit is the second portion and the third portion. 前記周期構造体が、水平方向に周期的に配置された複数の柱状のピンを有する請求項１に記載の高周波加熱装置。   The high frequency heating device according to claim 1, wherein the periodic structure body has a plurality of columnar pins periodically arranged in the horizontal direction.
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