JPWO2018008365A1 - Optical cleaning equipment - Google Patents
Optical cleaning equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2018008365A1 JPWO2018008365A1 JP2018525998A JP2018525998A JPWO2018008365A1 JP WO2018008365 A1 JPWO2018008365 A1 JP WO2018008365A1 JP 2018525998 A JP2018525998 A JP 2018525998A JP 2018525998 A JP2018525998 A JP 2018525998A JP WO2018008365 A1 JPWO2018008365 A1 JP WO2018008365A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- template
- window member
- processing chamber
- cleaning
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 46
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 55
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/70—Maintenance
- B29C33/72—Cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/002—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
本発明は、石英ガラスよりなるテンプレートの表面の洗浄処理を短時間で実行することができる光洗浄処理装置を提供することを目的とする。本発明の光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面を紫外線によって洗浄処理する光洗浄処理装置であって、処理対象であるテンプレートが配置され、処理用ガスが供給される処理室を形成する処理室形成材と、前記処理室に配置された前記テンプレートに間隙を介して対向して設けられた、紫外線を透過する窓部材を有する筐体と、前記筐体内に配置された、前記テンプレートに前記窓部材を介して紫外線を照射する紫外線光源と、前記テンプレートを加熱する加熱手段とを備えてなることを特徴とする。An object of the present invention is to provide a light cleaning apparatus capable of performing the cleaning process of the surface of a template made of quartz glass in a short time. The optical cleaning apparatus according to the present invention is an optical cleaning apparatus for cleaning the surface of a template made of quartz glass used for nanoimprinting with ultraviolet light, wherein the template to be processed is disposed and a processing gas is supplied. A housing having a processing chamber forming material for forming a processing chamber, a window member disposed opposite to the template disposed in the processing chamber via a gap and having a window member transparent to ultraviolet light, and disposed in the housing An ultraviolet light source for irradiating the template with ultraviolet light through the window member, and a heating means for heating the template are provided.
Description
本発明は、ナノインプリントに用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面を紫外線によって洗浄処理するための光洗浄処理装置に関する。 The present invention relates to a light cleaning apparatus for cleaning the surface of a template made of quartz glass used for nanoimprinting with ultraviolet light.
近年、半導体チップやバイオチップの製造においては、従来のフォトリソグラフィーおよびエッチングを利用したパターン形成方法に比較して低コストで製造することが可能な方法として、光ナノインプリント技術が注目されている。
この光ナノインプリント技術を利用したパターン形成方法においては、用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面に、レジスト残渣などの異物が存在すると、得られるパターンに欠陥が生じるため、テンプレートの表面を洗浄処理することが必要である。
従来、テンプレートの表面を洗浄処理する手段として、テンプレートの表面に紫外線を照射することによって、当該テンプレートの表面に付着した異物を分解除去する光洗浄処理装置が提案されている(特許文献1参照。)。In recent years, in the manufacture of semiconductor chips and biochips, photo nanoimprint technology has attracted attention as a method that can be manufactured at low cost as compared to conventional pattern formation methods using photolithography and etching.
In the pattern formation method using this photo nanoimprint technique, if a foreign matter such as a resist residue is present on the surface of the template made of quartz glass, a defect is generated in the obtained pattern, so the surface of the template is washed. is necessary.
Heretofore, as a means for cleaning the surface of a template, there has been proposed an optical cleaning apparatus for decomposing and removing foreign matter attached to the surface of the template by irradiating the surface of the template with ultraviolet light (see Patent Document 1). ).
しかしながら、上記の光洗浄処理装置においては、テンプレートの表面を十分に洗浄処理するために相当に長い時間を要し、その結果、半導体チップなどの製造において生産性が低下する、という問題がある。 However, in the above-described light cleaning processing apparatus, it takes a considerably long time to sufficiently clean the surface of the template, and as a result, there is a problem that the productivity is reduced in the manufacture of semiconductor chips and the like.
そこで、本発明の目的は、石英ガラスよりなるテンプレートの表面の洗浄処理を短時間で実行することができる光洗浄処理装置を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide an optical cleaning apparatus capable of performing the cleaning process of the surface of a template made of quartz glass in a short time.
本発明の光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面を紫外線によって洗浄処理する光洗浄処理装置であって、
処理対象であるテンプレートが配置され、処理用ガスが供給される処理室を形成する処理室形成材と、
前記処理室に配置された前記テンプレートに間隙を介して対向して設けられた、紫外線を透過する窓部材を有する筐体と、
前記筐体内に配置された、前記テンプレートに前記窓部材を介して紫外線を照射する紫外線光源と、
前記テンプレートを加熱する加熱手段と
を備えてなることを特徴とする。The optical cleaning apparatus of the present invention is an optical cleaning apparatus for cleaning the surface of a template made of quartz glass used for nanoimprinting with ultraviolet light,
A processing chamber forming material for forming a processing chamber in which a template to be processed is disposed and to which a processing gas is supplied;
A housing having a window member through which ultraviolet light passes, provided opposite to the template disposed in the processing chamber via a gap;
An ultraviolet light source disposed in the housing for irradiating the template with ultraviolet light through the window member;
And heating means for heating the template.
本発明の光洗浄処理装置においては、前記加熱手段は、前記処理室内に配置されていることが好ましい。
また、前記処理室形成材は、前記窓部材に対向して設けられた赤外線透過窓部材を有し、前記加熱手段は、前記赤外線透過窓部材の外面に対向して配置されていてもよい。
また、前記加熱手段は、赤外線を照射するカーボンヒータまたはハロゲンヒータよりなることが好ましい。In the light cleaning treatment apparatus of the present invention, the heating means is preferably disposed in the treatment chamber.
In addition, the processing chamber formation material may have an infrared ray transmitting window member provided to face the window member, and the heating unit may be disposed to face the outer surface of the infrared ray transmitting window member.
Moreover, it is preferable that the said heating means consist of a carbon heater or a halogen heater which irradiates infrared rays.
また、本発明の光洗浄処理装置においては、前記加熱手段は、前記窓部材に設けられた、抵抗加熱により発熱する発熱体よりなるものであってもよい。 Further, in the light cleaning treatment apparatus of the present invention, the heating means may be a heating element provided in the window member and generating heat by resistance heating.
本発明の光洗浄処理装置によれば、加熱手段によって、テンプレートを加熱することができるので、テンプレートの表面に付着したレジスト残渣などの異物がテンプレートを介して加熱される。このため、テンプレートの表面に付着した異物の分解反応が促進され、その結果、テンプレートの表面の洗浄処理を短時間で実行することができる。 According to the light cleaning treatment apparatus of the present invention, since the template can be heated by the heating means, foreign matter such as resist residue attached to the surface of the template is heated via the template. For this reason, the decomposition reaction of the foreign matter adhering to the surface of the template is promoted, and as a result, the surface of the template can be cleaned in a short time.
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光洗浄処理装置の構成を示す説明用断面図である。図1に示す光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられるテンプレートの表面を光洗浄処理するためのものである。処理対象であるテンプレートは、例えば石英ガラスにより構成されている。
この光洗浄処理装置は、処理対象であるテンプレート1が配置される処理室11を形成する直方体状の箱型の処理室形成材10を有する。テンプレート1の光洗浄処理中においては、処理室11内にオゾンが発生するため、処理室形成材10を構成する材料としては、耐紫外線性を有すると共に耐オゾン性を有するものを用いることが好ましい。処理室形成材10を構成する材料の具体例としては,ステンレス、硬質アルマイト処理されたアルミニウムなどが挙げられる。
処理室形成材10の底壁部には開口12が形成され、この開口12を塞ぐよう光源ユニット20が配置されている。また、処理室形成材10における底壁部または上壁部の内面には、テンプレート1の四隅を保持する保持部材(図示省略)が固定されている。また、処理室形成材10には、処理室11に処理用ガスを供給するためのガス供給口(図示省略)および処理室11内のガスを排出するガス排出口(図示省略)が形成されている。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of a light cleaning processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. The light cleaning processing apparatus shown in FIG. 1 is for light cleaning processing of the surface of a template used for nanoimprinting. The template to be processed is made of, for example, quartz glass.
The light cleaning processing apparatus has a rectangular parallelepiped box-shaped processing
An
光源ユニット20は、直方体状の箱型の筐体21を有する。筐体21を構成する材料としては、耐紫外線性を有するものを用いることが好ましく、その具体例としては、硬質アルマイト処理されたアルミニウムなどが挙げられる。
筐体21内には、紫外線光源としてエキシマランプ25が配置されている。筐体21の上面には、エキシマランプ25からの紫外線を透過する窓部材22が、枠状の固定板23によって固定されて設けられている。窓部材22を構成する材料としては、例えば合成石英ガラスを用いることができる。また、筐体21には、当該筐体21内に、例えば窒素ガスなどのパージ用ガスを供給するためのパージ用ガス供給管(図示省略)が設けられている。
そして、光源ユニット20は、窓部材22が処理室11に配置されたテンプレート1に間隙を介して対向するよう配置されている。窓部材22の外面とテンプレート1のパターン面との間の離間距離は、例えば0.3〜10.0mmである。The
In the
The
エキシマランプ25は、筐体21内において、窓部材22を介してテンプレート1に紫外線を照射することができるよう配置されている。
図2は、エキシマランプ25の斜視図であり、図3は、図2に示すエキシマランプ25の説明用断面図である。このエキシマランプ25は、内部に放電空間Sが形成された全体が扁平な板状の放電容器26を有する。この放電容器26の両端には口金29が設けられている。また、放電容器26の放電空間S内には、エキシマ用ガスが気密に封入されている。放電容器26の一面には、網状の高電圧側電極27が配置され、当該放電容器26の他面には、網状のアース側電極28が配置されている。高電圧側電極27およびアース側電極28の各々は、高周波電源(図示省略)に電気的に接続されている。そして、エキシマランプ25は、放電容器26における高電圧側電極27が配置された一面が、筐体21における窓部材22と対向するよう配置されている。The
FIG. 2 is a perspective view of the
放電容器26を構成する材料としては、真空紫外線を良好に透過するもの、具体的には、合成石英ガラスなどのシリカガラス、サファイアガラスなどを用いることができる。
高電圧側電極27およびアース側電極28を構成する材料としては、アルミニウム、ニッケル、金などの金属材料を用いることができる。また、高電圧側電極27およびアース側電極28は、上記の金属材料を含む導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、或いは上記の金属材料を真空蒸着することにより、形成することもできる。
放電容器26の放電空間S内に封入されるエキシマ用ガスとしては、真空紫外線を放射するエキシマを生成し得るもの、具体的には、キセノン、アルゴン、クリプトン等の希ガス、または、希ガスと、臭素、塩素、ヨウ素、フッ素等のハロゲンガスとを混合した混合ガスなどを用いることができ、これらの中では、キセノンが好適である。エキシマ用ガスの具体的な例を、放射される紫外線の波長と共に示すと、キセノンガスでは172nm、アルゴンとヨウ素との混合ガスでは191nm、アルゴンとフッ素との混合ガスでは193nmである。
また、エキシマ用ガスの封入圧は、例えば10〜100kPaである。As a material of which the
As a material which comprises the high
The excimer gas sealed in the discharge space S of the
Further, the filling pressure of the excimer gas is, for example, 10 to 100 kPa.
第1の実施の形態に係る光洗浄処理装置において、処理室形成材10の上壁部には、赤外線を透過する赤外線透過窓部材13が設けられている。処理室形成材10の外部には、テンプレート1を加熱する加熱手段として、赤外線透過窓部材13を介してテンプレート1に赤外線を照射するランプヒータ30が、当該赤外線透過窓部材13に対向するよう配置されている。
赤外線透過窓部材13を構成する材料としては、耐熱性を有し、かつ真空紫外線を透過しないものを用いることが好ましい。赤外線透過窓部材13が真空紫外線を透過するものである場合には、エキシマランプ25からの真空紫外線が赤外線透過窓部材13を透過することにより、処理室形成材10の外部にオゾンが発生するため、好ましくない。赤外線透過窓部材13を構成する材料の具体例としては、パイレックス(登録商標)ガラス、テンパックスガラス(登録商標)等の耐熱ガラス、溶融石英ガラス、ゲルマニウム、シリコンなどが挙げられる。
なお、窓部材22と赤外線透過窓部材13との距離が十分に離れている場合には、真空紫外線が処理室11内の大気雰囲気に吸収され、赤外線透過窓部材13まで到達しないため、赤外線透過窓部材13は真空紫外線を透過するものであってもよい。この場合には、赤外線透過窓部材13を構成する材料の具体例としては、真空紫外線を透過する材料、例えばサファイア、フッ化カルシウム、フッ化バリウムなどを使用することができる。
ランプヒータ30としては、例えば波長が0.8〜1000μmの赤外線を放射するものを用いることができる。ランプヒータ30の具体例としては、ハロゲンヒータ、カーボンヒータなどが挙げられる。これらの中では、ハロゲンヒータが好ましい。
ハロゲンヒータとしては、反射鏡付シングルエンドタイプのもの、ダブルエンドタイプものなどを用いることができる。
また、ランプヒータ30には、赤外線をテンプレート1に集光するための反射ミラーが設けられていてもよい。In the light cleaning processing apparatus according to the first embodiment, the upper wall portion of the processing
As a material which comprises the infrared permeation |
In the case where the distance between the
As the
As a halogen heater, a single end type with a reflecting mirror, a double end type, or the like can be used.
In addition, the
ハロゲンヒータなどのランプヒータ30から放射される赤外線のうち、どの波長域の赤外線をテンプレートに照射するかを赤外線透過窓部材13の材質の種類によって選択することができる。
例えば近赤外線領域の赤外線をテンプレート1に照射する場合には、赤外線透過窓部材13の材質の具体例としては、パイレックス(登録商標)ガラス、テンパックスガラス(登録商標)等の耐熱ガラス、溶融石英ガラスが挙げられる。
また、近赤外線領域から中赤外線領域の赤外線をテンプレート1に照射する場合には、赤外線透過窓部材13の材質の具体例としては、サファイアが挙げられる。
また、近赤外線領域から遠赤外線領域の赤外線をテンプレート1に照射する場合には、赤外線透過窓部材13の材質の具体例としては、ゲルマニウム、シリコン、フッ化カルシウム、フッ化バリウムが挙げられる。
また、テンプレート1自体を高温に加熱しても問題ない場合には、テンプレート1自体が加熱されると共に、テンプレート1の表面に付着したレジスト残渣などの異物も加熱されるため、より効率的となる。テンプレート1自体を加熱するか否かによって赤外線透過窓部材13を遠赤外線を透過する部材にするか、遠赤外線を吸収する部材にするかを選択することが好ましい。Of the infrared rays emitted from the
For example, when irradiating the
In the case of irradiating the
Moreover, when irradiating the
Further, if there is no problem even if the
上記の光洗浄処理装置においては、先ず、処理対象であるテンプレート1が、処理室形成材10内に設けられた保持部材(図示省略)に保持される。この状態で、ランプヒータ30が点灯されると共に、処理室形成材10に形成されたガス供給口(図示省略)から処理用ガスが処理室11に供給される。その結果、ランプヒータ30からの赤外線が、赤外線透過窓部材13およびテンプレート1を介して、当該テンプレート1の表面に付着したレジスト残渣などの異物に照射されることにより、当該異物が加熱される。また、処理室11は、処理用ガスに置換される。
ここで、赤外線透過窓部材13の材質として遠赤外線を吸収する材料を選択した場合には、ランプヒータ30から放射された赤外線のうち、波長が0.8〜2μmの近赤外線は、赤外線透過窓部材13およびテンプレート1の各々を透過し、テンプレート1の表面に付着した異物に照射されて吸収される結果、異物が加熱される。一方、波長が4〜1000μmの遠赤外線は、赤外線透過窓部材13に吸収される。
また、赤外線透過窓部材13の材質として遠赤外線を透過する材料を選択した場合には、遠赤外線は、テンプレート1およびテンプレート1の表面に付着した異物に照射されて吸収される結果、異物と共にテンプレート1自体を加熱することができる。In the above-described light cleaning processing apparatus, first, the
Here, when a material that absorbs far infrared rays is selected as the material of the infrared ray transmitting
Further, when a material that transmits far infrared rays is selected as the material of the infrared ray transmitting
そして、この状態で、光源ユニット20において、エキシマランプ25が点灯することにより、当該エキシマランプ25からの紫外線が窓部材22を介してテンプレート1の表面に照射され、テンプレート1の光洗浄処理が実行される。
その後、エキシマランプ25およびランプヒータ30が消灯され、この状態で、処理用ガスの供給が継続されることにより、テンプレート1が風冷されると共に、処理室11内に生じたオゾンなどがガス排出口(図示省略)から排出される。
以上のようにして、テンプレート1の光洗浄処理が達成され、その後、テンプレート1が処理室11から取り出される。Then, in this state, in the
Thereafter, the
As described above, the light cleaning process of the
以上において、処理用ガスとしては、クリーンドライエアーなどの酸素を含むガス、窒素ガス、またはクリーンドライエアーと窒素ガスとの混合ガスを用いることができる。
処理室11に供給される処理用ガスの流量は、例えば0〜100L/minである。
ランプヒータ30を点灯してから光洗浄処理の開始(エキシマランプ25の点灯)までの予熱時間は、例えば5〜60秒間である。
光洗浄処理中において、テンプレート1の表面に付着した異物の温度は、例えば50〜200℃である。
また、光洗浄処理の処理時間、すなわち紫外線の照射時間は、例えば3〜600秒間である。In the above, as the processing gas, a gas containing oxygen such as clean dry air, nitrogen gas, or a mixed gas of clean dry air and nitrogen gas can be used.
The flow rate of the processing gas supplied to the
The preheating time from the lighting of the
The temperature of the foreign matter attached to the surface of the
Further, the processing time of the light cleaning process, that is, the irradiation time of the ultraviolet light is, for example, 3 to 600 seconds.
上記の光洗浄処理装置によれば、ランプヒータ30によって、テンプレート1を加熱することができるので、テンプレート1の表面に付着したレジスト残渣などの異物がテンプレート1を介して加熱される。そのため、テンプレート1の表面に付着した異物の分解反応が促進され、その結果、テンプレート1の表面の洗浄処理を短時間で実行することができる。
According to the above-described light cleaning processing apparatus, since the
図4は、本発明の第2の実施の形態に係る光洗浄処理装置の構成を示す説明用断面図である。図4に示す光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられるテンプレートの表面を光洗浄処理するためのものである。
第2の実施の形態に係る光洗浄処理装置においては、ランプヒータ30は、光源ユニット20の筐体21内におけるエキシマランプ25の背後に配置されている。また、窓部材22は、赤外線を透過する材料により構成されている。また、エキシマランプ25における高電圧側電極27およびアース側電極28はそれぞれ網状であり(図2および図3参照)、そのため、放電容器26における高電圧側電極27およびアース側電極28が形成されていない部分が、ランプヒータ30からの赤外線を透過する赤外線透過部となる。
第2の実施の形態に係る光洗浄処理装置におけるその他の構成は、処理室形成材11に赤外線透過窓部材が設けられていないことを除き、第1の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of a light cleaning processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. The light cleaning processing apparatus shown in FIG. 4 is for light cleaning processing of the surface of a template used for nanoimprinting.
In the light cleaning apparatus according to the second embodiment, the
The other configuration of the light cleaning processing apparatus according to the second embodiment is the same as the light cleaning processing apparatus according to the first embodiment except that an infrared transmitting window member is not provided in the processing
上記の光洗浄処理装置においては、テンプレート1が、処理室形成材10内に設けられた保持部材(図示省略)に保持された状態で、ランプヒータ30が点灯されると共に、処理室形成材10に形成されたガス供給口(図示省略)から処理用ガスが処理室11に供給される。その結果、ランプヒータ30からの赤外線が、エキシマランプ25の放電容器26および窓部材22を介して、当該テンプレート1の表面に付着したレジストレジスト残渣などの異物に照射されることにより、当該異物が加熱される。また、処理室11は、処理用ガスに置換される。
ここで、ランプヒータ30から放射された赤外線のうち、近赤外線は、エキシマランプ25における赤外線透過部、すなわち放電容器26における高電圧側電極27およびアース側電極28が形成されていない部分、並びに窓部材22の各々を透過し、テンプレート1の表面に付着した異物に照射されて吸収される結果、異物が加熱される。一方、遠赤外線は、放電容器26または窓部材22に吸収される。
そして、第1の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様にして、テンプレート1の光洗浄処理が達成され、テンプレート1が処理室11から取り出される。
以上において、ランプヒータ30による予熱時間やその他の光洗浄処理条件については、第1の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。In the above-described light cleaning processing apparatus, the
Here, among the infrared rays radiated from the
Then, similarly to the light cleaning processing device according to the first embodiment, the light cleaning processing of the
In the above, the preheating time by the
上記の光洗浄処理装置によれば、ランプヒータ30によって、テンプレート1を加熱することができるので、テンプレート1の表面に付着したレジスト残渣などの異物がテンプレート1を介して加熱される。そのため、テンプレート1の表面に付着した異物の分解反応が促進され、その結果、テンプレート1の表面の洗浄処理を短時間で実行することができる。
According to the above-described light cleaning processing apparatus, since the
図5は、本発明の第3の実施の形態に係る光洗浄処理装置の構成を示す説明用断面図である。図5に示す光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられるテンプレートの表面を光洗浄処理するためのものである。
第3の実施の形態に係る光洗浄処理装置においては、光源ユニット20における窓部材22の内面に、加熱手段として、抵抗加熱により発熱する帯状の膜よりなる発熱体35が設けられている。このような発熱体35は、窓部材22に導電性ペーストを印刷し焼成することによって形成することができる。発熱体35の発熱量は、例えば0.5〜10kWである。
第3の実施の形態に係る光洗浄処理装置におけるその他の構成は、ランプヒータ30が設けられていないことを除き、第2の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。FIG. 5 is an explanatory cross-sectional view showing the configuration of the optical cleaning treatment apparatus according to the third embodiment of the present invention. The light cleaning processing apparatus shown in FIG. 5 is for light cleaning processing of the surface of a template used for nanoimprinting.
In the light cleaning processing apparatus according to the third embodiment, on the inner surface of the
The other configuration of the optical cleaning apparatus according to the third embodiment is the same as that of the optical cleaning apparatus according to the second embodiment except that the
上記の光洗浄処理装置においては、テンプレート1が、処理室形成材10内に設けられた保持部材(図示省略)に保持された状態で、発熱体35が通電されると共に、処理室形成材10に形成されたガス供給口(図示省略)から処理用ガスが処理室11に供給される。その結果、発熱体35が抵抗加熱により発熱し、その輻射熱によって、テンプレート1の表面に付着したレジスト残渣などの異物が加熱される。また、処理室11は、処理用ガスに置換される。
そして、第1の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様にして、テンプレート1の光洗浄処理が達成され、テンプレート1が処理室11から取り出される。
以上において、発熱体35に通電してから光洗浄処理の開始(エキシマランプ25の点灯)までの予熱時間は、例えば5〜60秒間である。その他の光洗浄処理条件については、第1の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。In the light cleaning processing apparatus described above, the
Then, similarly to the light cleaning processing device according to the first embodiment, the light cleaning processing of the
In the above, the preheating time from the energization of the
上記の光洗浄処理装置によれば、発熱体35によって、テンプレート1を加熱することができるので、テンプレート1の表面に付着したレジスト残渣などの異物がテンプレート1を介して加熱される。そのため、テンプレート1の表面に付着した異物の分解反応が促進され、その結果、テンプレート1の表面の洗浄処理を短時間で実行することができる。
According to the above-described light cleaning processing apparatus, the
図6は、本発明の第4の実施の形態に係る光洗浄処理装置の構成を示す説明用断面図である。図6に示す光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられるテンプレートの表面を光洗浄処理するためのものである。
第4の実施の形態に係る光洗浄処理装置においては、処理室11内に、テンプレート1を加熱する加熱手段として、テンプレート1に赤外線を照射するランプヒータ30が、テンプレート1の裏面に対向するよう配置されている。
第4の実施の形態に係る光洗浄処理装置におけるその他の構成は、筐体21内におけるエキシマランプ25の背後にランプヒータ30が設けられていないことを除き、第2の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。FIG. 6 is an explanatory cross-sectional view showing the configuration of the optical cleaning treatment apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. The light cleaning processing apparatus shown in FIG. 6 is for light cleaning processing of the surface of a template used for nanoimprinting.
In the light cleaning processing apparatus according to the fourth embodiment, a
The other configuration of the optical cleaning apparatus according to the fourth embodiment is the light according to the second embodiment except that the
ランプヒータ30としては、カーボンヒータを用いることが好ましい。
カーボンヒータは、不活性ガスが封入された石英管内に炭素繊維よりなる発熱体が配置されてなるものである。カーボンヒータから放射される赤外線は、例えば波長が2.0〜4.0μmの中赤外線の領域にピークを有するものである。この中赤外線は、テンプレート1を構成する石英ガラスに吸収されるので、テンプレート1を効率よく加熱することができる。It is preferable to use a carbon heater as the
The carbon heater is formed by arranging a heating element made of carbon fiber in a quartz tube in which an inert gas is sealed. The infrared radiation emitted from the carbon heater has, for example, a peak in the mid-infrared region with a wavelength of 2.0 to 4.0 μm. The mid-infrared rays are absorbed by the quartz glass constituting the
上記の光洗浄処理装置においては、テンプレート1が、処理室形成材10内に設けられた保持部材(図示省略)に保持された状態で、ランプヒータ30が点灯されると共に、処理室形成材10に形成されたガス供給口(図示省略)から処理用ガスが処理室11に供給される。その結果、ランプヒータ30からの赤外線が、テンプレート1の表面に付着したレジスト残渣などの異物に照射されることにより、当該異物が加熱される。また、処理室11は、処理用ガスに置換される。
ここで、ランプヒータ30から放射された赤外線のうち、近赤外線は、テンプレート1を透過し、テンプレート1の表面に付着した異物に照射されて吸収される結果、異物が加熱される。一方、中赤外線および遠赤外線は、テンプレート1に吸収される結果、テンプレート1が加熱され、異物に伝熱される。
そして、第1の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様にして、テンプレート1の光洗浄処理が達成され、テンプレート1が処理室11から取り出される。
以上において、ランプヒータ30による予熱時間やその他の光洗浄処理条件については、第1の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。In the above-described light cleaning processing apparatus, the
Here, among the infrared rays emitted from the
Then, similarly to the light cleaning processing device according to the first embodiment, the light cleaning processing of the
In the above, the preheating time by the
上記の光洗浄処理装置によれば、ランプヒータ30によって、テンプレート1を加熱することができるので、テンプレート1の表面に付着したレジスト残渣などの異物がテンプレート1を介して加熱される。そのため、テンプレート1の表面に付着した異物の分解反応が促進され、その結果、テンプレート1の表面の洗浄処理を短時間で実行することができる。
According to the above-described light cleaning processing apparatus, since the
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said embodiment, It is possible to add a various change.
(1)加熱手段としては、ランプヒータ30や発熱体35の代わりに、処理室に供給される処理用ガスを加熱するものを用いることができる。
このような加熱手段を有する光洗浄処理装置においては、処理室形成材10内に設けられた保持部材(図示省略)に保持された状態で、ランプヒータ30が点灯されると共に、処理室形成材10に形成されたガス供給口(図示省略)から、加熱された処理用ガスが処理室11に供給されることにより、処理室11が、加熱された処理用ガスに置換される。
そして、第1の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様にして、テンプレート1の光洗浄処理が達成され、テンプレート1が処理室11から取り出される。
以上において、加熱された処理用ガスの温度は、例えば50〜200℃である。(1) As the heating means, in place of the
In the light cleaning processing apparatus having such heating means, the
Then, similarly to the light cleaning processing device according to the first embodiment, the light cleaning processing of the
In the above, the temperature of the heated processing gas is, for example, 50 to 200 ° C.
上記の光洗浄処理装置によれば、加熱手段によって処理用ガスが加熱されるので、その処理用ガスによってテンプレート1の表面に付着したレジスト残渣などの異物が加熱されて当該異物の分解反応が促進され、その結果、テンプレート1の表面の洗浄処理を短時間で実行することができる。
According to the above light cleaning apparatus, since the processing gas is heated by the heating means, the foreign substance such as the resist residue attached to the surface of the
(2)第3の実施の形態に係る光洗浄処理装置においては、発熱体35は、窓部材22の外面(テンプレート1に対向する面)に設けられていてもよい。但し、このような構成においては、発熱体22は処理室11に露出することとなり、処理室11内に、発熱体35を構成する材料に起因する塵埃が混入する虞があるため、発熱体35は、窓部材22の内面に設けられていることが好ましい。
(2) In the light cleaning treatment apparatus according to the third embodiment, the
〈実施例1〉
図6に示す構成に従って紫外線処理装置を作製した。この紫外線処理装置の仕様は以下の通りである。これを紫外線処理装置〔1〕とする。
・ヒータランプ:カーボンヒータ
・カーボンヒータの電力:3kW
・カーボンヒータの大きさ:100mm×200mm
・カーボンヒータの直径:5mm
・カーボンヒータ下面からテンプレート上面までの距離:50mmExample 1
An ultraviolet treatment apparatus was manufactured according to the configuration shown in FIG. The specifications of this ultraviolet treatment apparatus are as follows. This is referred to as an ultraviolet treatment apparatus [1].
-Heater lamp: Carbon heater-Electric power of carbon heater: 3 kW
· Size of carbon heater: 100 mm × 200 mm
· Diameter of carbon heater: 5 mm
・ The distance from the bottom of the carbon heater to the top of the template: 50 mm
上記の紫外線処理装置〔1〕を用いて、下記の光洗浄処理条件(処理ガスの供給条件および紫外線の照射条件および加熱条件)により、特定の厚みでレジストが塗布された被処理物(テンプレート)の光洗浄処理を行った。
・処理ガス種:CDA
・処理ガスの供給量:1L/min
・処理ガスのパージ時間:60秒間
・窓部材における紫外線照度:70mW/cm2
・紫外線の照射時間:35秒間
・カーボンヒータによる加熱時間:50秒間
・テンプレートに塗布されたレジストの温度:100℃
その結果、レジストを除去する速度は2nm/sであった。
なお、カーボンヒータによる加熱時間50秒間は、処理ガスのパージ時間60秒間に含まれるため、カーボンヒータによる加熱時間がテンプレートの洗浄処理においてスループットに追加されることはない。An object (template) to which a resist is applied with a specific thickness under the following light cleaning conditions (supply conditions of treatment gas and irradiation conditions of ultraviolet light and heating conditions) using the above-mentioned ultraviolet treatment apparatus [1] Light cleaning process was performed.
Processing gas type: CDA
・ Supply amount of processing gas: 1 L / min
Processing gas purge time: 60 seconds UV illuminance at the window member: 70 mW / cm 2
UV irradiation time: 35 seconds Heating time by carbon heater: 50 seconds Temperature of resist applied to template: 100 ° C.
As a result, the rate of removing the resist was 2 nm / s.
The heating time by the carbon heater is included in the processing gas purge time of 60 seconds, so the heating time by the carbon heater is not added to the throughput in the cleaning process of the template.
〈実施例2〉
図1に示す構成に従って紫外線処理装置を作製した。この紫外線処理装置の仕様は以下の通りである。これを紫外線処理装置〔2〕とする。
・赤外線透過窓部材:テンパックスガラス(登録商標)
・赤外線透過窓部材の大きさ:φ50mm
・赤外線透過窓部材の厚み:2mm
・赤外線透過窓部材下面から窓部材上面までの距離:80mm
・ランプヒータ:ハロゲンヒータ
・ハロゲンヒータの電力:500WExample 2
An ultraviolet treatment apparatus was manufactured according to the configuration shown in FIG. The specifications of this ultraviolet treatment apparatus are as follows. This is referred to as an ultraviolet treatment apparatus [2].
-Infrared transmitting window member: Tempax glass (registered trademark)
· Size of infrared ray transmitting window member: φ 50 mm
・ Thickness of infrared ray transmitting window member: 2 mm
-Distance from the lower surface of the infrared transmitting window member to the upper surface of the window member: 80 mm
-Lamp heater: Halogen heater-Electric power of halogen heater: 500 W
上記の紫外線処理装置〔2〕を用いて、下記の光洗浄処理条件(処理ガスの供給条件および紫外線の照射条件および加熱条件)により、特定の厚みでレジストが塗布された被処理物(テンプレート)の光洗浄処理を行った。
・処理ガス種:CDA
・処理ガスの供給量:1L/min
・処理ガスのパージ時間:60秒間
・窓部材における紫外線照度:70mW/cm2
・紫外線の照射時間:35秒間
・ハロゲンヒータによる加熱時間:600秒間
・テンプレートに塗布されたレジストの温度:100℃
その結果、レジストを除去する速度は2nm/sであった。
なお、本実施例の条件の電力では、ハロゲンヒータによる加熱時間が600秒程度かかるが、レジストを除去する速度は、実施例1の紫外線処理装置と同等であった。An object to be treated (template) to which a resist is applied with a specific thickness under the following light cleaning treatment conditions (supply conditions of treatment gas and irradiation conditions of ultraviolet rays and heating conditions) using the above-mentioned ultraviolet treatment apparatus [2] Light cleaning process was performed.
Processing gas type: CDA
・ Supply amount of processing gas: 1 L / min
Processing gas purge time: 60 seconds UV illuminance at the window member: 70 mW / cm 2
UV irradiation time: 35 seconds Heating time by halogen heater: 600 seconds Temperature of resist applied to template: 100 ° C.
As a result, the rate of removing the resist was 2 nm / s.
In addition, in the electric power of the conditions of a present Example, although the heating time by a halogen heater takes about 600 seconds, the speed | rate which removes a resist was equivalent to the ultraviolet processing apparatus of Example 1. FIG.
〈比較例〉
赤外線透過窓部材およびハロゲンヒータを設けなかったこと以外は、紫外線処理装置〔2〕と同様の仕様の紫外線処理装置〔3〕を作製した。Comparative Example
An ultraviolet processing apparatus [3] of the same specification as the ultraviolet processing apparatus [2] was produced except that the infrared transmitting window member and the halogen heater were not provided.
上記の紫外線処理装置〔3〕を用いて、下記の光洗浄処理条件(処理ガスの供給条件および紫外線の照射条件および加熱条件)により、実施例と同様の特定の厚みでレジストが塗布された被処理物(テンプレート)の光洗浄処理を行った。
・処理ガス種:CDA
・処理ガスの供給量:1L/min
・処理ガスのパージ時間:60秒間
・窓部材における紫外線照度:70mW/cm2
・紫外線の照射時間:100秒間
その結果、レジストを除去する速度は0.7nm/sであった。Using the above-described ultraviolet treatment apparatus [3], a resist is coated with a specific thickness similar to that of the example under the following light cleaning processing conditions (processing gas supply conditions and ultraviolet irradiation conditions and heating conditions). A light cleaning process was performed on the processed product (template).
Processing gas type: CDA
・ Supply amount of processing gas: 1 L / min
Processing gas purge time: 60 seconds UV illuminance at the window member: 70 mW / cm 2
UV irradiation time: 100 seconds As a result, the resist removal rate was 0.7 nm / s.
上記の結果から、実施例1に係る紫外線処理装置〔1〕および実施例2に係る紫外線処理装置〔2〕によれば、カーボンヒータまたはハロゲンヒータよりなる加熱手段が設けられているため、レジストを除去する速度を大幅に上げることができ、従って、テンプレートの洗浄処理時間を短縮することができることが確認された。 From the above results, according to the ultraviolet treatment apparatus [1] according to the first embodiment and the ultraviolet treatment apparatus [2] according to the second embodiment, since the heating means comprising the carbon heater or the halogen heater is provided, the resist It has been found that the removal rate can be significantly increased, thus reducing the cleaning time of the template.
1 テンプレート
10 処理室形成材
11 処理室
12 開口
13 赤外線透過窓部材
20 光源ユニット
21 筐体
22 窓部材
23 固定板
25 エキシマランプ
26 放電容器
27 高電圧側電極
28 アース側電極
29 口金
30 ランプヒータ
35 発熱体
S 放電空間DESCRIPTION OF
Claims (5)
処理対象であるテンプレートが配置され、処理用ガスが供給される処理室を形成する処理室形成材と、
前記処理室に配置された前記テンプレートに間隙を介して対向して設けられた、紫外線を透過する窓部材を有する筐体と、
前記筐体内に配置された、前記テンプレートに前記窓部材を介して紫外線を照射する紫外線光源と、
前記テンプレートを加熱する加熱手段と
を備えてなることを特徴とする光洗浄処理装置。A light cleaning apparatus for cleaning the surface of a template made of quartz glass used for nanoimprinting with ultraviolet light,
A processing chamber forming material for forming a processing chamber in which a template to be processed is disposed and to which a processing gas is supplied;
A housing having a window member through which ultraviolet light passes, provided opposite to the template disposed in the processing chamber via a gap;
An ultraviolet light source disposed in the housing for irradiating the template with ultraviolet light through the window member;
And a heating unit for heating the template.
前記加熱手段は、前記赤外線透過窓部材の外面に対向して配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光洗浄処理装置。The processing chamber forming material has an infrared transmitting window member provided opposite to the window member,
The said cleaning means is arrange | positioned facing the outer surface of the said infrared rays transmissive window member, The optical cleaning processing apparatus of Claim 1 or Claim 2 characterized by the above-mentioned.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016135648 | 2016-07-08 | ||
JP2016135648 | 2016-07-08 | ||
PCT/JP2017/022318 WO2018008365A1 (en) | 2016-07-08 | 2017-06-16 | Light washing treatment device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018008365A1 true JPWO2018008365A1 (en) | 2019-04-25 |
JP6888624B2 JP6888624B2 (en) | 2021-06-16 |
Family
ID=60912708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018525998A Active JP6888624B2 (en) | 2016-07-08 | 2017-06-16 | Light cleaning processing equipment |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6888624B2 (en) |
KR (1) | KR102162392B1 (en) |
CN (1) | CN109414849B (en) |
TW (1) | TWI712480B (en) |
WO (1) | WO2018008365A1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6949191B1 (en) * | 2020-12-18 | 2021-10-13 | ホッティーポリマー株式会社 | 3D printer |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01141828A (en) * | 1987-11-27 | 1989-06-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Production of quartz glass pipe |
JPH07321046A (en) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Hitachi Ltd | Device and method for thin film formation |
JP2002043240A (en) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Japan Storage Battery Co Ltd | Ultraviolet processing system |
JP2004202926A (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Towa Corp | Cleaning method of component in resin molding and apparatus therefor |
US20100072671A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-03-25 | Molecular Imprints, Inc. | Nano-imprint lithography template fabrication and treatment |
JP2012256724A (en) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
JP2013248841A (en) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Ushio Inc | Template washing method, pattern forming method, photowashing apparatus and nanoimprint apparatus |
CN104308452A (en) * | 2014-08-21 | 2015-01-28 | 清华大学 | Amorphous alloy micro-nano structure stamping forming mould and preparation and application methods thereof |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001155160A (en) | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Komatsu Ltd | Device for inspecting external appearance of electronic component |
CN101780699B (en) * | 2009-01-20 | 2014-01-08 | 晟铭电子科技股份有限公司 | Microstructure forming device and method and light guide plate thereof |
JP5471514B2 (en) | 2010-01-28 | 2014-04-16 | ウシオ電機株式会社 | Light processing equipment |
JP2011245384A (en) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Ushio Inc | Light irradiation device |
JP5906037B2 (en) * | 2010-09-09 | 2016-04-20 | キヤノン株式会社 | Manufacturing method of optical components |
JP5235977B2 (en) * | 2010-12-16 | 2013-07-10 | 富士フイルム株式会社 | Image forming apparatus and image forming method |
JP5987522B2 (en) | 2012-07-23 | 2016-09-07 | ウシオ電機株式会社 | Template cleaning light irradiation apparatus, nanoimprint apparatus, template cleaning method, and pattern forming method |
JP6111783B2 (en) * | 2013-03-27 | 2017-04-12 | 大日本印刷株式会社 | Imprint method and imprint apparatus |
JP6550964B2 (en) * | 2015-06-26 | 2019-07-31 | ウシオ電機株式会社 | Optical processing apparatus and manufacturing method thereof |
-
2017
- 2017-06-16 WO PCT/JP2017/022318 patent/WO2018008365A1/en active Application Filing
- 2017-06-16 CN CN201780041541.0A patent/CN109414849B/en active Active
- 2017-06-16 JP JP2018525998A patent/JP6888624B2/en active Active
- 2017-06-16 KR KR1020187036577A patent/KR102162392B1/en active IP Right Grant
- 2017-06-27 TW TW106121464A patent/TWI712480B/en active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01141828A (en) * | 1987-11-27 | 1989-06-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Production of quartz glass pipe |
JPH07321046A (en) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Hitachi Ltd | Device and method for thin film formation |
JP2002043240A (en) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Japan Storage Battery Co Ltd | Ultraviolet processing system |
JP2004202926A (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Towa Corp | Cleaning method of component in resin molding and apparatus therefor |
US20100072671A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-03-25 | Molecular Imprints, Inc. | Nano-imprint lithography template fabrication and treatment |
JP2012256724A (en) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
JP2013248841A (en) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Ushio Inc | Template washing method, pattern forming method, photowashing apparatus and nanoimprint apparatus |
CN104308452A (en) * | 2014-08-21 | 2015-01-28 | 清华大学 | Amorphous alloy micro-nano structure stamping forming mould and preparation and application methods thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109414849A (en) | 2019-03-01 |
KR20190009339A (en) | 2019-01-28 |
TW201811530A (en) | 2018-04-01 |
TWI712480B (en) | 2020-12-11 |
WO2018008365A1 (en) | 2018-01-11 |
JP6888624B2 (en) | 2021-06-16 |
KR102162392B1 (en) | 2020-10-06 |
CN109414849B (en) | 2022-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5471514B2 (en) | Light processing equipment | |
JP5861696B2 (en) | Light irradiation device | |
JP6142797B2 (en) | Light irradiation device | |
JP2705023B2 (en) | Oxidation method of workpiece | |
JP2018113116A (en) | Ultraviolet radiation device | |
JPH0494123A (en) | Method and device for optical excitation dry cleaning | |
JP6888624B2 (en) | Light cleaning processing equipment | |
JP5987815B2 (en) | Ashing method and ashing apparatus | |
JP5729034B2 (en) | Light irradiation device | |
JP3653980B2 (en) | UV irradiation equipment | |
JPS6235811B2 (en) | ||
JP4479466B2 (en) | Excimer light irradiation equipment | |
JP2000066003A (en) | Method for cleaning optical parts | |
TW574722B (en) | Optical irradiation device | |
JPH06343938A (en) | Adhering substance cleaning method and apparatus therefor | |
JPH09120950A (en) | Ultraviolet cleaning equipment | |
JP7056386B2 (en) | Gas treatment equipment and gas treatment method | |
JP2001219053A (en) | Oxidizing method and oxidizing device using dielectric barrier discharge | |
EP1158574B1 (en) | Ultraviolet radiation producing apparatus | |
US6787787B1 (en) | Ultraviolet radiation producing apparatus | |
KR100462750B1 (en) | Ultraviolet light irradiation apparatus | |
JPH09302326A (en) | Ultraviolet light-resistant material, ultraviolet light irradiation device and ultraviolet light treating device | |
JP6915352B2 (en) | Excimer lamp and light irradiation device | |
WO2015076030A1 (en) | Ashing device and object-to-be-treated holding structure | |
JP2017221918A (en) | Optical element washing equipment and optical element washing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191213 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20200709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210420 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210503 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6888624 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |