KR102162392B1 - Light cleaning treatment device - Google Patents

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KR102162392B1
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게이타 요시하라
겐이치 히로세
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우시오덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 석영 유리로 이루어지는 템플릿의 표면의 세정 처리를 단시간에 실행하는 것이 가능한 광 세정 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 광 세정 처리 장치는, 나노 임프린트에 사용되는 석영 유리로 이루어지는 템플릿의 표면을 자외선에 의해 서정 처리하는 광 세정 처리 장치로서, 처리 대상인 템플릿이 배치되고, 처리용 가스가 공급되는 처리실을 형성하는 처리실 형성재와, 상기 처리실에 배치된 상기 템플릿에 간극을 두고 대향하여 설치된, 자외선을 투과시키는 창 부재를 가지는 하우징과, 상기 하우징 내에 배치된, 상기 템플릿에 상기 창 부재를 통해 자외선을 조사하는 자외선 광원과, 상기 템플릿을 가열하는 가열 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.An object of the present invention is to provide a light cleaning treatment apparatus capable of performing a cleaning treatment on the surface of a template made of quartz glass in a short time. The light cleaning treatment device of the present invention is a light cleaning treatment device for lyrifying the surface of a template made of quartz glass used for nanoimprint with ultraviolet rays, wherein the template to be treated is disposed, and a treatment chamber is formed in which a treatment gas is supplied. A housing having a processing chamber forming material and a window member that transmits ultraviolet rays, installed opposite to each other with a gap in the template disposed in the processing chamber, and irradiating ultraviolet rays to the template disposed in the housing through the window member An ultraviolet light source and heating means for heating the template are provided.

Description

광 세정 처리 장치Light cleaning treatment device

본 발명은, 나노 임프린트용으로 사용되는 석영 유리로 이루어지는 템플릿의 표면을 자외선에 의해 세정 처리하기 위한 광 세정 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light cleaning treatment apparatus for cleaning the surface of a template made of quartz glass used for nanoimprinting with ultraviolet rays.

최근, 반도체 칩이나 바이오 칩의 제조에 있어서, 종래의 포토리소그래피 및 에칭을 이용한 패턴 형성 방법과 비교하여 저비용으로 제조하는 것이 가능한 방법으로서, 광 나노 임프린트 기술이 주목되고 있다. In recent years, in the manufacture of a semiconductor chip or a biochip, as a method capable of manufacturing at a lower cost compared to a conventional method of forming a pattern using photolithography and etching, optical nanoimprint technology has attracted attention.

이러한 광 나노 임프린트 기술을 이용한 패턴 형성 방법에 있어서, 사용되는 석영 유리로 이루어지는 템플릿의 표면에, 레지스트 잔사 등의 이물이 존재하면, 얻어지는 패턴에 흠결이 생기기 때문에, 템플릿의 표면을 세정 처리하는 것이 필요하다.In the pattern formation method using such optical nanoimprint technology, if foreign matters such as resist residues exist on the surface of the template made of quartz glass to be used, the resulting pattern is scratched, so it is necessary to clean the surface of the template. Do.

종래, 템플릿의 표면을 세정 처리하는 수단으로서, 템플릿의 표면에 자외선을 조사하는 것에 의해, 해당 템플릿의 표면에 부착된 이물을 분해 제거하는 광 세정 처리 장치가 제안되어 있다(특허문헌 1 참조).Conventionally, as a means for cleaning the surface of a template, a light cleaning treatment device has been proposed that decomposes and removes foreign matter adhering to the surface of the template by irradiating ultraviolet rays onto the surface of the template (see Patent Document 1).

일본국 특허공개 2011-155160호 공보Japanese Patent Publication No. 2011-155160

그러나, 상기 광 세정 처리 장치에 있어서, 템플릿의 표면을 충분히 세정 처리하기 위해서 상당히 긴 시간을 필요로 하고, 그 결과, 반도체 칩 등의 제조에 있어서 생산성이 저하된다는 문제가 있다.However, in the above optical cleaning treatment apparatus, a considerably long time is required to sufficiently clean the surface of the template, and as a result, there is a problem that productivity decreases in the manufacture of semiconductor chips and the like.

여기서, 본 발명의 목적은, 석영 유리로 이루어지는 템플릿의 표면의 세정 처리를 단시간에 실행하는 것이 가능한 광 세정 처리 장치를 제공하는 것이다.Here, an object of the present invention is to provide a light cleaning treatment apparatus capable of performing a cleaning treatment on the surface of a template made of quartz glass in a short time.

본 발명의 광 세정 처리 장치는, 나노 임프린트에 사용되는 석영 유리로 이루어지는 템플릿의 표면을 자외선에 의해 세정 처리하는 광 세정 처리 장치에 있어서, 처리 대상인 템플릿이 배치되고, 처리용 가스가 공급되는 처리실을 형성하는 처리실 형성재와, 상기 처리실에 배치된 상기 템플릿에 간극을 두고 대향하여 설치된, 자외선을 투과시키는 창 부재를 가지는 하우징과, 상기 하우징 내에 배치된, 상기 템플릿에 상기 창 부재를 통해 자외선을 조사하는 자외선 광원과, 상기 템플릿을 가열하는 가열 수단을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The light cleaning treatment device of the present invention is a light cleaning treatment device that cleans the surface of a template made of quartz glass used for nanoimprint with ultraviolet rays, in which a processing target template is disposed and a processing chamber is supplied with a processing gas. A housing having a processing chamber forming material to be formed, a window member that transmits ultraviolet rays, installed opposite to each other with a gap in the template disposed in the processing chamber, and the template disposed in the housing is irradiated with ultraviolet rays through the window member And an ultraviolet light source and a heating means for heating the template.

본 발명의 광 세정 처리 장치에 있어서, 상기 가열 수단은, 상기 처리실 내에 배치되어 있는 것이 바람직하다. In the light washing treatment apparatus of the present invention, it is preferable that the heating means is disposed in the treatment chamber.

또한, 상기 처리실 형성재는, 상기 창 부재에 대향하여 설치된 적외선 투과 창 부재를 가지고, 상기 가열 수단은, 상기 적외선 투과 창 부재의 외면에 대향하여 배치되어 있어도 좋다. Further, the processing chamber forming material may have an infrared-transmitting window member disposed opposite to the window member, and the heating means may be disposed to face an outer surface of the infrared-transmitting window member.

또한, 상기 가열 수단은, 적외선을 조사하는 카본 히터 또는 할로겐 히터로 이루어지는 것이 바람직하다. Further, the heating means is preferably made of a carbon heater or a halogen heater that irradiates infrared rays.

또한, 본 발명의 광 세정 처리 장치에 있어서, 상기 가열 수단은, 상기 창 부재에 설치된, 저항 가열에 의해 발열하는 발열체로 이루어진 것이어도 좋다.Further, in the light washing treatment apparatus of the present invention, the heating means may be formed of a heat generating element provided on the window member and generating heat by resistance heating.

본 발명의 광 세정 처리 장치에 의하면, 가열 수단에 의해, 템플릿을 가열하는 것이 가능하므로, 템플릿의 표면에 부착된 레지스트 잔사 등의 이물이 템플릿을 통해 가열된다. 이로 인해, 템플릿의 표면에 부착된 이물의 분해 반응이 촉진되고, 그 결과, 템플릿의 표면의 세정 처리를 단시간에 실행하는 것이 가능하다.According to the light cleaning treatment apparatus of the present invention, since the template can be heated by the heating means, foreign substances such as resist residue adhered to the surface of the template are heated through the template. For this reason, the decomposition reaction of the foreign matter adhering to the surface of the template is promoted, and as a result, it is possible to perform the cleaning treatment of the surface of the template in a short time.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치의 구성을 나타낸 설명용 단면도이다.
도 2는, 도 1에 나타낸 광 세정 처리 장치에 있어서의 엑시머 램프의 사시도이다.
도 3은, 도 2에 나타낸 엑시머 램프의 설명용 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치의 구성을 나타낸 설명용 단면도이다.
도 5는, 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치의 구성을 나타낸 설명용 단면도이다.
도 6은, 본 발명의 제4 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치의 구성을 나타낸 설명용 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining the configuration of a light cleaning processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view of an excimer lamp in the light cleaning treatment apparatus shown in FIG. 1.
3 is a cross-sectional view for explaining the excimer lamp shown in FIG. 2.
Fig. 4 is a cross-sectional view for explaining a configuration of a light cleaning treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a cross-sectional view for explaining a configuration of a light cleaning processing device according to a third embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view for explaining a configuration of a light cleaning processing device according to a fourth embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치의 구성을 나타낸 설명용 단면도이다. 도 1에 나타낸 광 세정 처리 장치는, 나노 임프린트에 사용되는 템플릿의 표면을 광 세정 처리하기 위한 것이다. 처리 대상인 템플릿은, 예를 들어 석영 유리에 의해 구성되어 있다. 1 is a cross-sectional view for explaining the configuration of a light cleaning processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. The light cleaning treatment apparatus shown in Fig. 1 is for light cleaning the surface of a template used for nanoimprinting. The template to be processed is made of, for example, quartz glass.

이러한 광 세정 처리 장치는, 처리 대상인 템플릿(1)이 배치된 처리실(11)을 형성하는 직육면체 형상의 상자형의 처리실 형성재(10)를 가진다. 템플릿(1)의 광 세정 처리중에 있어서, 처리실(11) 내에 오존이 발생하므로, 처리실 형성재(10)를 구성하는 재료로서는, 내자외선성을 가짐과 더불어 내오존성을 가지는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 처리실 형성재(10)를 구성하는 재료의 구체적 예시로서는, 스테인리스 스틸, 경질 알루마이트 처리된 알루미늄 등을 들 수 있다.Such a light cleaning processing apparatus has a box-shaped processing chamber forming material 10 of a rectangular parallelepiped shape that forms a processing chamber 11 in which the template 1 to be processed is disposed. During the light cleaning treatment of the template 1, ozone is generated in the treatment chamber 11, so it is preferable to use a material that has ultraviolet ray resistance and ozone resistance as a material constituting the processing chamber forming material 10. . As a specific example of the material constituting the processing chamber forming material 10, stainless steel, hard anodized aluminum, and the like may be mentioned.

처리실 형성재(10)의 바닥부에는 개구(12)가 형성되고, 상기 개구(12)를 막도록 광원 유닛(20)이 배치되어 있다. 또한, 처리실 형성재(10)에 있어서 바닥부 또는 천장부의 내면에는, 템플릿(1)의 4개의 귀퉁이를 유지하는 유지 부재(도시 생략)가 고정되어 있다. 또한, 처리실 형성재(10)에는, 처리실(11)에 처리용 가스를 공급하기 위한 가스 공급구(도시 생략) 및 처리실(11)내의 가스를 배출하는 가스 배출구(도시 생략)가 형성되어 있다.An opening 12 is formed at the bottom of the processing chamber forming material 10, and a light source unit 20 is disposed to close the opening 12. In addition, a holding member (not shown) for holding the four corners of the template 1 is fixed to the inner surface of the bottom or ceiling of the processing chamber forming material 10. Further, the processing chamber forming material 10 is provided with a gas supply port (not shown) for supplying a processing gas to the processing chamber 11 and a gas discharge port (not shown) for discharging the gas in the processing chamber 11.

광원 유닛(20)은, 직육면체의 상자형 하우징(21)을 가진다. 하우징(21)을 구성하는 재료로서는, 내자외선성을 가지는 것을 사용하는 것이 바람직하고, 그 구체적인 예로서는, 경질 알루마이트 처리된 알루미늄 등을 들 수 있다. The light source unit 20 has a box-shaped housing 21 of a rectangular parallelepiped. As the material constituting the housing 21, it is preferable to use a material having ultraviolet ray resistance, and a specific example thereof includes hard anodized aluminum and the like.

하우징(21) 내에는, 자외선 광원으로서 엑시머 램프(25)가 배치되어 있다. 하우징(21)의 상면에는, 엑시머 램프(25)로부터의 자외선을 투과시키는 창 부재(22)가, 틀 형상의 고정판(23)에 의해 고정되어 설치되어 있다. 창 부재(22)를 구성하는 재료로서는, 예를 들어 합성 석영 유리를 사용하는 것이 가능하다. 또한, 하우징(21)에는, 해당 하우징(21) 내에, 예를 들어 질소 가스 등의 퍼지용 가스를 공급하기 위한 퍼지용 가스 공급관(도시 생략)이 설치되어 있다. In the housing 21, an excimer lamp 25 is disposed as an ultraviolet light source. On the upper surface of the housing 21, a window member 22 that transmits ultraviolet rays from the excimer lamp 25 is fixed and installed by a frame-shaped fixing plate 23. As the material constituting the window member 22, it is possible to use, for example, synthetic quartz glass. Further, in the housing 21, a purge gas supply pipe (not shown) for supplying a purge gas such as nitrogen gas is provided in the housing 21.

그리고, 광원 유닛(20)은, 창 부재(22)가 처리실(11)에 배치된 템플릿(1)에 간극을 두고 대향하도록 배치되어 있다. 창 부재(22)의 외면과 템플릿(1)의 패턴면의 사이의 이간 거리는, 예를 들어 0.3~10.0mm이다.And the light source unit 20 is arrange|positioned so that the window member 22 may be opposed to the template 1 arrange|positioned in the processing chamber 11 with a gap. The separation distance between the outer surface of the window member 22 and the pattern surface of the template 1 is, for example, 0.3 to 10.0 mm.

엑시머 램프(25)는, 하우징(21) 내에 있어서, 창 부재(22)를 통해 템플릿(1)에 자외선을 조사하는 것이 가능하도록 배치되어 있다. The excimer lamp 25 is arranged in the housing 21 so that it is possible to irradiate the template 1 with ultraviolet rays through the window member 22.

도 2는, 엑시머 램프(25)의 사시도이고, 도 3은, 도 2에 나타낸 엑시머 램프(25)의 설명용 단면도이다. 이 엑시머 램프(25)는, 내부에 방전 공간(S)이 형성된 전체가 평평한 판 형상의 방전 용기(26)를 가진다. 이 방전 용기(26)의 양단에는 소켓(29)이 설치되어 있다. 또한, 방전 용기(26)의 방전 공간(S) 내에는, 엑시머용 가스가 기밀하게 봉입되어 있다. 방전 용기(26)의 한 면에는, 망 형상의 고전압측 전극(27)이 배치되고, 해당 방전 용기(26)의 타면에는, 망 형상의 접지측 전극(28)이 배치되어 있다. 고전압측 전극(27) 및 접지측 전극(28) 각각은, 고주파 전원(도시 생략)에 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 엑시머 램프(25)는, 방전 용기(26)에 있어서 고전압측 전극(27)이 배치된 한 면이 하우징(21)에 있어 창 부재(22)와 대향하도록 배치되어 있다.FIG. 2 is a perspective view of the excimer lamp 25, and FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the excimer lamp 25 shown in FIG. 2. This excimer lamp 25 has an entirely flat plate-shaped discharge container 26 with a discharge space S formed therein. Sockets 29 are provided at both ends of the discharge vessel 26. In addition, the excimer gas is hermetically sealed in the discharge space S of the discharge container 26. A mesh-shaped high-voltage side electrode 27 is disposed on one side of the discharge container 26, and a net-shaped ground-side electrode 28 is disposed on the other side of the discharge container 26. Each of the high voltage side electrode 27 and the ground side electrode 28 is electrically connected to a high frequency power supply (not shown). In addition, the excimer lamp 25 is disposed so that one surface of the discharge container 26 on which the high voltage side electrode 27 is disposed is in the housing 21 and faces the window member 22.

방전 용기(26)를 구성하는 재료로서는, 진공 자외선을 양호하게 투과시키는 것, 구체적으로는, 합성 석영 유리 등의 실리카 유리, 사파이어 유리 등을 사용하는 것이 가능하다.As the material constituting the discharge vessel 26, it is possible to use a material that satisfactorily transmits vacuum ultraviolet rays, specifically, silica glass such as synthetic quartz glass, sapphire glass, or the like.

고전압측 전극(27) 및 접지측 전극(28)을 구성하는 재료로서는, 알루미늄, 니켈, 금 등의 금속 재료를 사용하는 것이 가능하다. 또한, 고전압측 전극(27) 및 접지측 전극(28)은, 상기 금속 재료를 포함하는 도전성 페이스트를 스크린 인쇄하는 것에 의해, 또는 상기 금속 재료를 진공 증착하는 것에 의해, 형성하는 것도 가능하다.As the material constituting the high voltage side electrode 27 and the ground side electrode 28, it is possible to use metal materials such as aluminum, nickel, and gold. Further, the high voltage side electrode 27 and the ground side electrode 28 may be formed by screen printing a conductive paste containing the metal material or by vacuum evaporating the metal material.

방전 용기(26)의 방전 공간(S)에 봉입되는 엑시머용 가스로서는, 진공 자외선을 방사하는 엑시머를 생성할 수 있는 것, 구체적으로는, 크세논, 아르곤, 크립톤 등의 희가스, 또는, 희가스와, 브롬, 염소, 요오드, 불소 등의 할로겐 가스를 혼합한 혼합 가스 등을 사용하는 것이 가능하고, 이들 중에는, 크세논이 최적이다. 엑시머용 가스의 구체적인 예를, 방사되는 자외선의 파장과 같이 나타내면, 크세논 가스에서는 172nm, 아르곤과 요오드의 혼합 가스에서는 191nm, 아르곤과 불소의 혼합 가스에서는 193nm이다.The excimer gas enclosed in the discharge space S of the discharge container 26 is one capable of generating an excimer that emits vacuum ultraviolet rays, specifically, a rare gas such as xenon, argon, krypton, or a rare gas, It is possible to use a mixed gas or the like in which a halogen gas such as bromine, chlorine, iodine, or fluorine is mixed, and among them, xenon is most suitable. A specific example of the excimer gas is 172 nm in the xenon gas, 191 nm in the mixed gas of argon and iodine, and 193 nm in the mixed gas of argon and fluorine.

또한, 엑시머용 가스의 봉입 압력은, 예를 들어 10~100kPa이다.In addition, the sealing pressure of the excimer gas is 10 to 100 kPa, for example.

제1 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치에 있어서, 처리실 형성재(10)의 천장부에는, 적외선을 투과시키는 적외선 투과 창 부재(13)가 설치되어 있다. 처리실 형성재(10)의 외부에는, 템플릿(1)을 가열하는 가열 수단으로서, 적외선 투과 창 부재(13)를 통과하여 템플릿(1)에 적외선을 조사하는 램프 히터(30)가, 해당 적외선 투과 창 부재(13)에 대향하도록 배치되어 있다. In the light washing treatment apparatus according to the first embodiment, an infrared transmitting window member 13 that transmits infrared rays is provided on the ceiling portion of the processing chamber forming material 10. Outside of the processing chamber forming material 10, as a heating means for heating the template 1, a lamp heater 30 that passes through the infrared transmitting window member 13 and irradiates the template 1 with infrared rays is transmitted. It is arranged so as to face the window member 13.

적외선 투과 창 부재(13)를 구성하는 재료로서는, 내열성을 가지고, 또한 진공 자외선을 투과시키지 않는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 적외선 투과 창 부재(13)가 진공 자외선을 투과시키는 것인 경우에는, 엑시머 램프(25)로부터의 진공 자외선이 적외선 투과 창 부재(13)를 투과하는 것에 의해, 처리실 형성재(10)의 외부에 오존이 발생하므로, 바람직하지 않다. 적외선 투과 창 부재(13)를 구성하는 재료의 구체적인 예로서는, 파이렉스(pyrex)(등록 상표) 유리, 템팍스(TEMPAX) 유리(등록 상표) 등의 내열 유리, 용융 석영 유리, 게르마늄, 실리콘 등을 들 수 있다.As the material constituting the infrared-transmitting window member 13, it is preferable to use a material that has heat resistance and does not transmit vacuum ultraviolet rays. In the case where the infrared transmitting window member 13 transmits vacuum ultraviolet rays, the vacuum ultraviolet rays from the excimer lamp 25 pass through the infrared transmitting window member 13 to the outside of the processing chamber forming material 10. Ozone is generated, which is not preferable. Specific examples of the material constituting the infrared-transmitting window member 13 include heat-resistant glass such as pyrex (registered trademark) glass, TEMPAX glass (registered trademark), fused quartz glass, germanium, and silicon. I can.

또한, 창 부재(22)와 적외선 투과 창 부재(13)의 거리가 충분히 떨어져 있는 경우에는, 진공 자외선이 처리실(11) 내의 대기 분위기에 흡수되어, 적외선 투과 창 부재(13)까지 도달하지 않으므로, 적외선 투과 창 부재(13)는 진공 자외선을 투과시키는 것이어도 좋다. 이 경우에는, 적외선 투과 창 부재(13)를 구성하는 재료의 구체적인 예로서는, 진공 자외선을 투과시키는 재료, 예를 들어 사파이어, 불화 칼슘, 불화 바륨 등을 사용하는 것이 가능하다.In addition, when the distance between the window member 22 and the infrared transmitting window member 13 is sufficiently separated, the vacuum ultraviolet rays are absorbed by the atmospheric atmosphere in the processing chamber 11 and do not reach the infrared transmitting window member 13, The infrared transmitting window member 13 may transmit vacuum ultraviolet rays. In this case, as a specific example of the material constituting the infrared transmitting window member 13, it is possible to use a material that transmits vacuum ultraviolet rays, such as sapphire, calcium fluoride, barium fluoride, or the like.

램프 히터(30)로서는, 예를 들어 파장이 0.8~1000um의 적외선을 방사하는 것을 사용하는 것이 가능하다. 램프 히터(30)의 구체적인 예로서는, 할로겐 히터, 카본 히터 등을 들 수 있다. 이들 중에는, 할로겐 히터가 바람직하다.As the lamp heater 30, it is possible to use an infrared ray having a wavelength of 0.8 to 1000 μm, for example. As a specific example of the lamp heater 30, a halogen heater, a carbon heater, etc. are mentioned. Among these, a halogen heater is preferable.

할로겐 히터로서는, 반사경이 붙어있는 싱글 엔드 타입의 것, 더블 엔드 타입의 것 등을 사용하는 것이 가능하다.As the halogen heater, it is possible to use a single-ended type or double-ended type with a reflector.

또한, 램프 히터(30)에는, 적외선을 템플릿(1)에 집광하기 위한 반사 미러가 설치되어 있어도 좋다.Further, the lamp heater 30 may be provided with a reflection mirror for condensing infrared rays onto the template 1.

할로겐 히터 등의 램프 히터(30)로부터 방사된 적외선 중, 어느 파장 영역의 적외선을 템플릿에 조사할지를 적외선 투과 창 부재(13)의 재질의 종류에 의해 선택하는 것이 가능하다.Among the infrared rays radiated from the lamp heater 30 such as a halogen heater, it is possible to select the type of the material of the infrared transmitting window member 13 to irradiate the template with infrared rays in a wavelength range.

예를 들어 적외선 영역의 적외선을 템플릿(1)에 조사하는 경우에는, 적외선 투과 창 부재(13)의 재질의 구체적인 예로서, 파이렉스(등록 상표) 유리, 템팍스 유리(등록 상표) 등의 내열 유리, 용융 석영 유리를 들 수 있다.For example, in the case of irradiating infrared rays in the infrared region to the template 1, as a specific example of the material of the infrared transmitting window member 13, heat-resistant glass such as Pyrex (registered trademark) glass and Tempax glass (registered trademark) And fused quartz glass.

또한, 근적외선 영역부터 중적외선 영역의 적외선을 템플릿(1)에 조사하는 경우에는, 적외선 투과 창 부재(13)의 재질의 구체적인 예로서, 사파이어를 들 수 있다.Further, in the case of irradiating the template 1 with infrared rays in the near-infrared region to the mid-infrared region, sapphire can be mentioned as a specific example of the material of the infrared transmitting window member 13.

또한, 근적외선 영역부터 원적외선 영역의 적외선을 템플릿(1)에 조사하는 경우에는, 적외선 투과 창 부재(13)의 재질의 구체적인 예로서, 게르마늄, 실리콘, 불화 칼슘, 불화 바륨을 들 수 있다.In the case of irradiating the template 1 with infrared rays in the near-infrared region to the far-infrared region, as specific examples of the material of the infrared-transmitting window member 13, germanium, silicon, calcium fluoride, and barium fluoride are mentioned.

또한, 템플릿(1) 자체를 고온으로 가열하여도 문제없는 경우에는, 템플릿(1) 자체가 가열됨과 더불어, 템플릿(1)의 표면에 부착된 레지스트 잔사 등의 이물도 가열되므로, 더욱 효율적으로 된다. 템플릿(1) 자체를 가열할지 말지에 의해 적외선 투과 창 부재(13)를 원적외선을 투과시키는 부재로 할지, 원적외선을 흡수하는 부재로 할지를 선택하는 것이 바람직하다.In addition, if there is no problem even if the template 1 itself is heated to a high temperature, not only the template 1 itself is heated, but also foreign substances such as resist residues adhered to the surface of the template 1 are heated, making it more efficient. . It is preferable to select whether to heat the template 1 itself or not to make the infrared-transmitting window member 13 a member that transmits far infrared rays or a member that absorbs far infrared rays.

상기 광 세정 처리 장치에 있어서, 우선, 처리 대상인 템플릿(1)이, 처리실 형성재(10) 내에 설치된 유지 부재(도시 생략)에 유지된다. 이 상태에서, 램프 히터(30)가 점등됨과 더불어, 처리실 형성재(10)에 형성된 가스 공급구(도시 생략)로부터 처리용 가스가 처리실(11)에 공급된다. 그 결과, 램프 히터(30)로부터의 적외선이, 적외선 투과 창 부재(13) 및 템플릿(1)을 통해, 해당 템플릿(1)의 표면에 부착된 레지스트 잔사 등의 이물질에 조사되는 것에 의해, 해당 이물이 가열된다. 또한, 처리실(11)은, 처리용 가스로 치환된다.In the light washing treatment apparatus, first, the template 1 to be processed is held by a holding member (not shown) provided in the processing chamber forming material 10. In this state, the lamp heater 30 is turned on, and the processing gas is supplied to the processing chamber 11 from a gas supply port (not shown) formed in the processing chamber forming material 10. As a result, infrared rays from the lamp heater 30 are irradiated to foreign substances such as resist residues attached to the surface of the template 1 through the infrared transmitting window member 13 and the template 1 Foreign matter is heated. In addition, the processing chamber 11 is replaced with a processing gas.

여기서, 적외선 투과 창 부재(13)의 재질로서 원적외선을 흡수하는 재료를 선택한 경우에는, 램프 히터(30)로부터 방사된 적외선 중, 파장이 0.8~2um의 근적외선은, 적외선 투과 창 부재(13) 및 템플릿(1) 각각을 투과하여, 템플릿(1)의 표면에 부착된 이물에 조사되어 흡수되는 결과, 이물이 가열된다. 한편, 파장이 4-1000um의 원적외선은, 적외선 투과 창 부재(13)에 흡수된다.Here, when a material that absorbs far-infrared rays is selected as the material of the infrared-transmitting window member 13, the near-infrared rays having a wavelength of 0.8 to 2 μm among the infrared rays emitted from the lamp heater 30 are the infrared-transmitting window members 13 and As a result of passing through each of the templates 1 and being irradiated and absorbed by the foreign matter adhering to the surface of the template 1, the foreign matter is heated. Meanwhile, far-infrared rays having a wavelength of 4-1000 μm are absorbed by the infrared transmitting window member 13.

또한, 적외선 투과 창 부재(13)의 재질로서 원적외선을 투과시키는 재료를 선택한 경우에는, 원적외선은, 템플릿(1) 및 템플릿(1)의 표면에 부착된 이물에 조사되어 흡수되는 결과, 이물과 더불어 템플릿(1) 자체를 가열하는 것이 가능하다. In addition, when a material that transmits far-infrared rays is selected as the material of the infrared-transmitting window member 13, the far-infrared rays are irradiated to and absorbed by the template 1 and the foreign matter adhered to the surface of the template 1, together with the foreign matter. It is possible to heat the template 1 itself.

그리고, 이 상태에서, 광원 유닛(20)에 있어서, 엑시머 램프(25)가 점등하는 것에 의해, 해당 엑시머 램프(25)로부터의 자외선이 창 부재(22)를 통해 템플릿(1)의 표면에 조사되어, 템플릿(1)의 광 세정 처리가 실행된다.And, in this state, in the light source unit 20, when the excimer lamp 25 is lit, the ultraviolet ray from the excimer lamp 25 is irradiated to the surface of the template 1 through the window member 22. Thus, the light cleaning process of the template 1 is executed.

그 후, 엑시머 램프(25) 및 램프 히터(30)가 소등되고, 이 상태에서, 처리용 가스의 공급이 계속되는 것에 의해, 템플릿(1)이 공랭됨과 더불어, 처리실(11) 내에 생긴 오존 등이 가스 배출구(도시 생략)로부터 배출된다.After that, the excimer lamp 25 and the lamp heater 30 are turned off, and in this state, the supply of the processing gas continues, so that the template 1 is air-cooled and the ozone generated in the processing chamber 11 is removed. It is discharged from a gas outlet (not shown).

위와 같이 하여, 템플릿(1)의 광 세정 처리가 달성되고, 그 후, 템플릿(1)이 처리실(11)로부터 취출된다.In this way, the light cleaning process of the template 1 is achieved, and after that, the template 1 is taken out from the processing chamber 11.

이상에 있어서, 처리용 가스로서는, 클린 드라이 에어(CDA) 등의 산소를 포함한 가스, 질소 가스, 또는 클린 드라이 에어와 질소 가스의 혼합 가스를 사용하는 것이 가능하다.In the above, it is possible to use a gas containing oxygen such as clean dry air (CDA), nitrogen gas, or a mixed gas of clean dry air and nitrogen gas.

처리실(11)에 공급되는 처리용 가스의 유량은, 예를 들어 0~100L/min이다.The flow rate of the processing gas supplied to the processing chamber 11 is, for example, 0 to 100 L/min.

램프 히터(30)를 점등하고부터 광 세정 처리의 개시(엑시머 램프(25)의 점등)까지의 예열 시간은, 예를 들어 5~60초간이다.The preheating time from lighting the lamp heater 30 to the start of the light cleaning process (lighting on the excimer lamp 25) is, for example, 5 to 60 seconds.

광 세정 처리 중에 있어서, 템플릿(1)의 표면에 부착된 이물의 온도는, 예를 들어 50~200℃이다.During the light washing treatment, the temperature of the foreign matter adhering to the surface of the template 1 is, for example, 50 to 200°C.

또한, 광 세정 처리의 처리 시간, 즉, 자외선의 조사 시간은, 예를 들어 3~600초간이다.In addition, the treatment time of the light washing treatment, that is, the irradiation time of ultraviolet rays is, for example, 3 to 600 seconds.

상기 광 세정 처리 장치에 의하면, 램프 히터(30)에 의해, 템플릿(1)을 가열하는 것이 가능하므로, 템플릿(1)의 표면에 부착된 레지스트 잔사 등의 이물이 템플릿(1)을 통해 가열된다. 그로 인해, 템플릿(1)의 표면에 부착된 이물의 분해 반응이 촉진되고, 그 결과, 템플릿(1)의 표면의 세정 처리를 단시간에 실행하는 것이 가능하다.According to the light cleaning treatment apparatus, since it is possible to heat the template 1 by the lamp heater 30, foreign matters such as resist residues adhered to the surface of the template 1 are heated through the template 1 . Therefore, the decomposition reaction of the foreign matter adhering to the surface of the template 1 is promoted, and as a result, it is possible to perform the cleaning treatment of the surface of the template 1 in a short time.

도 4는, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치의 구성을 나타낸 설명용 단면도이다. 도 4에 나타낸 광 세정 처리 장치는, 나노 임프린트에 사용되는 템플릿의 표면을 광 세정 처리하기 위한 것이다.Fig. 4 is a cross-sectional view for explaining a configuration of a light cleaning treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention. The light cleaning treatment apparatus shown in Fig. 4 is for light cleaning the surface of a template used for nanoimprint.

제2 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치에 있어서, 램프 히터(30)는, 광원 유닛(20)의 하우징(21) 내에 있어서 엑시머 램프(25)의 배후에 배치되어 있다. 또한, 창 부재(22)는, 적외선을 투과시키는 재료로 구성되어 있다. 또한, 엑시머 램프(25)에 있어서 고전압측 전극(27) 및 접지측 전극(28)은 각각 망 형상이고(도 2 및 도 3 참고), 그로 인해, 방전 용기(26)에 있어서 고전압측 전극(27) 및 접지측 전극(28)이 형성되어있지 않은 부분이, 램프 히터(30)로부터의 적외선을 투과시키는 적외선 투과부가 된다.In the light cleaning apparatus according to the second embodiment, the lamp heater 30 is disposed behind the excimer lamp 25 in the housing 21 of the light source unit 20. Further, the window member 22 is made of a material that transmits infrared rays. In addition, in the excimer lamp 25, the high voltage side electrode 27 and the ground side electrode 28 are each mesh-shaped (refer to Figs. 2 and 3), and therefore, in the discharge vessel 26, the high voltage side electrode ( 27) and the portion where the ground-side electrode 28 is not formed becomes an infrared transmitting portion through which infrared rays from the lamp heater 30 are transmitted.

제2 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치에 있어서 나머지 구성은, 처리실 형성재(11)에 적외선 투과창 부재가 설치되지 않은 것을 제외하고, 제1 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치와 동일하다.In the light washing treatment apparatus according to the second embodiment, the rest of the configuration is the same as that of the light washing treatment apparatus according to the first embodiment, except that an infrared transmitting window member is not provided in the treatment chamber forming material 11.

상기 광 세정 처리 장치에 있어서, 템플릿(1)이, 처리실 형성재(10) 내에 설치된 유지 부재(도시 생략)에 유지된 상태에서, 램프 히터(30)가 점등됨과 더불어, 처리실 형성재(10)에 형성된 가스 공급구(도시 생략)로부터 처리용 가스가 처리실(11)에 공급된다. 그 결과, 램프 히터(30)로부터의 적외선이, 엑시머 램프(25)의 방전 용기(26) 및 창 부재(22)를 통하여, 해당 템플릿(1)의 표면에 부착된 레지스트 잔사 등의 이물에 조사되는 것에 의해, 해당 이물이 가열된다. 또한, 처리실(11)은, 처리용 가스로 치환된다.In the light washing treatment apparatus, the template 1 is held in a holding member (not shown) installed in the processing chamber forming member 10, the lamp heater 30 is turned on, and the processing chamber forming member 10 The gas for processing is supplied to the processing chamber 11 from a gas supply port (not shown) formed in FIG. As a result, infrared rays from the lamp heater 30 are irradiated to foreign matters such as resist residues attached to the surface of the template 1 through the discharge vessel 26 and the window member 22 of the excimer lamp 25 As a result, the foreign matter is heated. In addition, the processing chamber 11 is replaced with a processing gas.

여기서, 램프 히터(30)로부터 방사된 적외선 중, 근적외선은, 엑시머 램프(25)에 있어서 적외선 투과부, 즉, 방전 용기(26)에 있어서 고전압측 전극(27) 및 접지측 전극(28)이 형성되어 있지 않은 부분, 창 부재(22) 각각을 나란히 통과하여, 템플릿(1)의 표면에 부착된 이물에 조사되어 흡수되는 결과, 이물이 가열된다. 한편, 원적외선은, 방전 용기(26) 또는 창 부재(22)에 흡수된다.Here, among the infrared rays emitted from the lamp heater 30, the near-infrared rays are formed by the infrared transmissive portion of the excimer lamp 25, that is, the high voltage side electrode 27 and the ground side electrode 28 in the discharge vessel 26. As a result of being irradiated and absorbed by the foreign matter adhering to the surface of the template 1 by passing through each of the undisclosed portions and the window members 22 side by side, the foreign matter is heated. On the other hand, far-infrared rays are absorbed by the discharge container 26 or the window member 22.

그리고, 제1 실시 형태에 관한 광 세정 장치와 동일하게, 템플릿(1)의 광 세정 처리가 달성되고, 템플릿(1)이 처리실(11)로부터 취출된다.Then, in the same manner as in the light cleaning apparatus according to the first embodiment, the light cleaning process of the template 1 is achieved, and the template 1 is taken out from the processing chamber 11.

이상에 있어서, 램프 히터(30)에 의한 예열 시간이나 기타 광 세정 처리 조건에 대해서는, 제1 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치와 동일하다.In the above, the preheating time and other light cleaning treatment conditions by the lamp heater 30 are the same as those of the light cleaning treatment device according to the first embodiment.

상기 광 세정 처리 장치에 의하면, 램프 히터(30)에 의해, 템플릿(1)을 가열하는 것이 가능하므로, 템플릿(1)의 표면에 부착된 레지스트 잔사 등의 이물이 템풀릿(1)을 통해 가열된다. 그로 인해, 템플릿(1)의 표면에 부착된 이물의 분해 반응이 촉진되고, 그 결과, 템플릿(1)의 표면의 세정 처리를 단시간에 실행하는 것이 가능하다.According to the light cleaning treatment apparatus, it is possible to heat the template 1 by the lamp heater 30, so that foreign substances such as resist residues adhered to the surface of the template 1 are heated through the template 1 do. Therefore, the decomposition reaction of the foreign matter adhering to the surface of the template 1 is promoted, and as a result, it is possible to perform the cleaning treatment of the surface of the template 1 in a short time.

도 5는, 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치의 구성을 나타낸 설명용 단면도이다. 도 5에 나타낸 광 세정 처리 장치는, 나노 임프린트에 사용되는 템플릿의 표면을 광 세정 처리하기 위한 것이다.Fig. 5 is a cross-sectional view for explaining a configuration of a light cleaning processing device according to a third embodiment of the present invention. The light cleaning treatment apparatus shown in Fig. 5 is for light cleaning the surface of a template used for nanoimprint.

제3 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치에 있어서, 광원 유닛(20)에 있어서 창 부재(22)의 내면에, 가열 수단으로서, 저항 가열에 의해 발열하는 띠형의 막으로 이루어지는 발열체(35)가 설치되어 있다. 이와 같은 발열체(35)는, 창 부재(22)에 전도성 페이스트를 인쇄하여 소성하는 것에 의해 형성하는 것이 가능하다. 발열체(35)의 발열량은, 예를 들어 0.5~10kW이다.In the light washing treatment apparatus according to the third embodiment, in the light source unit 20, on the inner surface of the window member 22, a heating element 35 made of a strip-shaped film that generates heat by resistance heating is provided as a heating means. Has been. Such heating element 35 can be formed by printing a conductive paste on the window member 22 and firing. The heating value of the heating element 35 is 0.5 to 10 kW, for example.

제3 실시 형태에 관한 광 세정 장치에 있어서 기타 구성은, 램프 히터(30)가 설치되어 있지 않은 것을 제외하고, 제2 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치와 동일하다.Other configurations in the light cleaning device according to the third embodiment are the same as the light cleaning treatment device according to the second embodiment, except that the lamp heater 30 is not provided.

상기 광 세정 처리 장치에 있어서, 템플릿(1)이, 처리실 형성재(10) 내에 설치된 유지 부재(도시 생략)에 유지된 상태로, 발열체(35)가 통전됨과 더불어, 처리실 형성재(10)에 형성된 가스 공급구(도시 생략)로부터 처리용 가스가 처리실(11)에 공급된다. 그 결과, 발열체(35)가 저항 가열에 의해 발열하고, 그 복사열에 의해, 템플릿(1)의 표면에 부착된 레지스트 잔사 등의 이물이 가열된다. 또한, 처리실(11)은, 처리용 가스로 치환된다.In the light washing treatment apparatus, the template 1 is held in a holding member (not shown) installed in the processing chamber forming material 10, the heating element 35 is energized, and the processing chamber forming material 10 The gas for processing is supplied to the processing chamber 11 from the formed gas supply port (not shown). As a result, the heating element 35 generates heat by resistance heating, and by the radiant heat, foreign substances such as resist residue adhered to the surface of the template 1 are heated. In addition, the processing chamber 11 is replaced with a processing gas.

그리고, 제1 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치와 동일하게, 템플릿(1)의 광 세정 처리가 달성되고, 템플릿(1)이 처리실(11)로부터 취출된다.Then, in the same manner as in the light cleaning processing apparatus according to the first embodiment, the light cleaning processing of the template 1 is achieved, and the template 1 is taken out from the processing chamber 11.

이상에 있어서, 발열체(35)에 통전하고부터 광 세정 처리의 개시(엑시머 램프(25)의 점등)까지의 예열 시간은, 예를 들어 5~60초간이다. 기타 광 세정 처리 조건에 대해서는, 제1 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치와 동일하다.In the above, the preheating time from energizing the heat generating element 35 to the start of the light cleaning process (lighting of the excimer lamp 25) is, for example, 5 to 60 seconds. Other light cleaning treatment conditions are the same as those of the light cleaning treatment device according to the first embodiment.

상기의 광 세정 처리 장치에 의하면, 발열체(35)에 의해, 템플릿(1)을 가열하는 것이 가능하므로, 템플릿(1)의 표면에 부착된 레지스트 잔사 등의 이물이 템플릿(1)을 통해 가열된다. 그로 인해, 템플릿(1)의 표면에 부착된 이물의 분해 반응이 촉진되고, 그 결과, 템플릿(1)의 표면의 세정 처리를 단시간에 실행하는 것이 가능하다.According to the light cleaning treatment apparatus described above, since it is possible to heat the template 1 by the heating element 35, foreign matters such as resist residues adhered to the surface of the template 1 are heated through the template 1 . Therefore, the decomposition reaction of the foreign matter adhering to the surface of the template 1 is promoted, and as a result, it is possible to perform the cleaning treatment of the surface of the template 1 in a short time.

도 6은, 본 발명의 제4 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치의 구성을 나타낸 설명용 단면도이다. 도 6에 나타낸 광 세정 처리 장치는, 나노 임프린트에 사용되는 템플릿의 표면을 광 세정 처리하기 위한 것이다.6 is a cross-sectional view for explaining a configuration of a light cleaning processing device according to a fourth embodiment of the present invention. The light cleaning treatment apparatus shown in Fig. 6 is for light cleaning the surface of a template used for nanoimprint.

제4 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치에 있어서, 처리실(11) 내에, 템플릿(1)을 가열하는 가열 수단으로서, 템플릿(1)에 적외선을 조사하는 램프 히터(30)가, 템플릿(1)의 이면에 대향하도록 배치되어 있다.In the light washing treatment apparatus according to the fourth embodiment, as a heating means for heating the template 1 in the processing chamber 11, a lamp heater 30 for irradiating infrared rays to the template 1 is provided as the template 1 It is arranged so as to face the back side of.

제4 실시 형태에 관한 광 세정 장치에 있어서 기타 구성은, 하우징(21) 내에 있어서 엑시머 램프(25)의 배후에 램프 히터(30)가 설치되어 있지 않은 것을 제외하고, 제2 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치와 동일하다.In the light cleaning device according to the fourth embodiment, other configurations are light according to the second embodiment, except that the lamp heater 30 is not provided behind the excimer lamp 25 in the housing 21. It is the same as the washing treatment device.

램프 히터(30)로서는, 카본 히터를 사용하는 것이 바람직하다.As the lamp heater 30, it is preferable to use a carbon heater.

카본 히터는, 불활성 가스가 봉입된 석영관 내에 탄소 섬유로 이루어지는 발열체가 배치되어 이루어지는 것이다. 카본 히터로부터 방사된 적외선은, 예를 들어 파장이 2.0~4.0um의 중적외선의 영역에 피크를 가지는 것이다. 이 중적외선은, 템플릿(1)을 구성하는 석영 유리에 흡수되므로, 템플릿(1)을 효율 좋게 가열하는 것이 가능하다.In the carbon heater, a heating element made of carbon fiber is disposed in a quartz tube filled with an inert gas. Infrared radiation emitted from the carbon heater has a peak in the mid-infrared range of, for example, a wavelength of 2.0 to 4.0 μm. Since this mid-infrared ray is absorbed by the quartz glass constituting the template 1, it is possible to heat the template 1 efficiently.

상기 광 세정 처리 장치에 있어서, 템플릿(1)이, 처리실 형성재(10) 내에 설치된 유지 부재(도시 생략)에 유지된 상태로, 램프 히터(30)가 점등됨과 더불어, 처리실 형성재(10)에 형성된 가스 공급구(도시 생략)로부터 처리용 가스가 처리실(11)에 공급된다. 그 결과, 램프 히터(30)로부터의 적외선이, 템플릿(1)의 표면에 부착된 레지스트 잔사 등의 이물에 조사되는 것에 의해, 해당 이물이 가열된다. 또한, 처리실(11)은, 처리용 가스로 치환된다.In the light cleaning treatment apparatus, the template 1 is held in a holding member (not shown) installed in the processing chamber forming member 10, the lamp heater 30 is turned on, and the processing chamber forming member 10 The gas for processing is supplied to the processing chamber 11 from a gas supply port (not shown) formed in FIG. As a result, the foreign matter is heated by irradiating infrared rays from the lamp heater 30 to foreign matter such as a resist residue adhered to the surface of the template 1. In addition, the processing chamber 11 is replaced with a processing gas.

여기서, 램프 히터(30)로부터 방사된 적외선 중, 근적외선은, 템플릿(1)을 투과하고, 템플릿(1)의 표면에 부착된 이물에 조사되어 흡수되는 결과, 이물이 가열된다. 한편, 중적외선 및 원적외선은, 템플릿(1)에 흡수되는 결과, 템플릿(1)이 가열되어, 이물에 전열된다.Here, among the infrared rays emitted from the lamp heater 30, the near-infrared rays pass through the template 1 and are irradiated to and absorbed by the foreign substances adhered to the surface of the template 1, resulting in heating the foreign substances. On the other hand, as a result of the mid-infrared rays and far-infrared rays being absorbed by the template 1, the template 1 is heated and transferred to foreign matter.

그리고, 제1 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치와 동일하게, 템플릿(1)의 광 세정 처리가 달성되고, 템플릿(1)이 처리실(11)로부터 취출된다.Then, in the same manner as in the light cleaning processing apparatus according to the first embodiment, the light cleaning processing of the template 1 is achieved, and the template 1 is taken out from the processing chamber 11.

이상에 있어서, 램프 히터(30)에 있어서의 예열 시간이나 기타 광 세정 처리 조건에 대해서는, 제1 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치와 동일하다.In the above, the preheating time and other light cleaning treatment conditions in the lamp heater 30 are the same as those of the light cleaning treatment apparatus according to the first embodiment.

상기의 광 세정 처리 장치에 의하면, 램프 히터(30)에 의해, 템플릿(1)을 가열하는 것이 가능하므로, 템플릿(1)의 표면에 부착된 레지스트 잔사 등의 이물이 템플릿(1)을 통해 가열된다. 그로 인해, 템플릿(1)의 표면에 부착된 이물의 분해 반응이 촉진되고, 그 결과, 템플릿(1)의 표면의 세정 처리를 단시간에 실행하는 것이 가능하다.According to the light cleaning treatment apparatus described above, since it is possible to heat the template 1 by the lamp heater 30, foreign substances such as resist residues adhered to the surface of the template 1 are heated through the template 1 do. Therefore, the decomposition reaction of the foreign matter adhering to the surface of the template 1 is promoted, and as a result, it is possible to perform the cleaning treatment of the surface of the template 1 in a short time.

이상으로, 본 발명의 실시 형태를 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 각종의 변경을 더하는 것이 가능하다.As described above, the embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be added.

(1) 가열 수단으로서, 램프 히터(30)나 발열체(35) 대신에, 처리실에 공급되는 처리용 가스를 가열하는 것을 사용하는 것이 가능하다. (1) As the heating means, instead of the lamp heater 30 or the heating element 35, it is possible to use a heating gas supplied to the processing chamber.

이와 같은 가열 수단을 가지는 광 세정 처리 장치에 있어서는, 처리실 형성재(10) 내에 설치된 유지 부재(도시 생략)에 유지된 상태로, 램프 히터(30)가 점등됨과 더불어, 처리실 형성재(10)에 형성된 가스 공급구(도시 생략)로부터, 가열된 처리용 가스가 처리실(11)에 공급되는 것에 의해, 처리실(11)이, 가열된 처리용 가스로 치환된다.In the light cleaning treatment apparatus having such a heating means, the lamp heater 30 is turned on while being held by a holding member (not shown) installed in the processing chamber forming material 10, and the processing chamber forming material 10 The heated processing gas is supplied to the processing chamber 11 from the formed gas supply port (not shown), so that the processing chamber 11 is replaced with the heated processing gas.

그리고, 제1 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치와 동일하게, 템플릿(1)의 광 세정 처리가 달성되고, 템플릿(1)이 처리실(11)로부터 취출된다.Then, in the same manner as in the light cleaning processing apparatus according to the first embodiment, the light cleaning processing of the template 1 is achieved, and the template 1 is taken out from the processing chamber 11.

이상에 있어서, 가열된 처리실 가스의 온도는, 예를 들어 50~200℃이다.In the above, the temperature of the heated processing chamber gas is 50 to 200°C, for example.

상기의 광 세정 처리 장치에 의하면, 가열 수단에 의해 처리용 가스가 가열되므로, 그 처리용 가스에 의해 템플릿(1)의 표면에 부착된 레지스트 잔사 등의 이물이 템플릿(1)을 통해 가열되고 해당 이물의 분해 반응이 촉진되고, 그 결과, 템플릿(1)의 표면의 세정 처리를 단시간에 실행하는 것이 가능하다.According to the above light cleaning treatment apparatus, since the processing gas is heated by the heating means, foreign substances such as resist residues adhered to the surface of the template 1 by the processing gas are heated through the template 1 The decomposition reaction of the foreign matter is accelerated, and as a result, it is possible to perform the cleaning treatment of the surface of the template 1 in a short time.

(2) 제3 실시 형태에 관한 광 세정 처리 장치에 있어서, 발열체(35)는, 창 부재(22)의 외면(템플릿(1)에 대향하는 면)에 설치되어 있어도 좋다. 다만, 이와 같은 구성에 있어서, 발열체(35)는 처리실(11)에 노출되게 되므로, 처리실(11) 내에, 발열체(35)를 구성하는 재료에 기인하는 먼지가 혼입될 우려가 있으므로, 발열체(35)는, 창 부재(22)의 내면에 설치되어 있는 것이 바람직하다.(2) In the light washing treatment apparatus according to the third embodiment, the heat generating element 35 may be provided on the outer surface of the window member 22 (the surface facing the template 1). However, in this configuration, since the heating element 35 is exposed to the processing chamber 11, there is a possibility that dust caused by the material constituting the heating element 35 may be mixed in the processing chamber 11, so that the heating element 35 ) Is preferably provided on the inner surface of the window member 22.

(실시예 1) 도 6에 나타낸 구성에 따라 자외선 처리 장치를 제작하였다. 이 자외선 처리 장치의 사양은 이하와 같다. 이를 자외선 처리 장치(1)이라 한다.(Example 1) An ultraviolet treatment apparatus was manufactured according to the configuration shown in FIG. 6. The specifications of this ultraviolet treatment device are as follows. This is referred to as an ultraviolet treatment device 1.

- 히터 램프: 카본 히터-Heater lamp: carbon heater

- 카본 히터의 전력: 3kW-Power of carbon heater: 3kW

- 카본 히터의 크기: 100mm×200mm-Size of carbon heater: 100mm×200mm

- 카본 히터의 직경: 5mm-Diameter of carbon heater: 5mm

- 카본 히터 하면으로부터 템플릿 상면까지의 거리: 50mm-Distance from the bottom of the carbon heater to the top of the template: 50mm

상기 자외선 처리 장치(1)를 사용하여, 하기의 광 세정 처리 조건(처리 가스의 공급 조건 및 자외선 조사 조건 및 가열 조건)에 의해, 특정 두께로 레지스트가 도포된 피처리물(템플릿)의 광 세정 처리를 행했다.Using the ultraviolet treatment device 1, light cleaning of a target object (template) coated with a resist with a specific thickness under the following light cleaning treatment conditions (processing gas supply conditions, ultraviolet irradiation conditions, and heating conditions) Processing was performed.

- 처리 가스 종류: CDA(Clean Dry Air)-Process gas type: CDA (Clean Dry Air)

- 처리 가스 공급량: 1L/min-Process gas supply: 1L/min

- 처리 가스 퍼지 시간: 60초간-Process gas purge time: 60 seconds

- 창 부재에 있어서의 자외선 조도: 70mW/㎠-UV irradiance in the window member: 70mW/㎠

- 자외선 조사 시간: 35초간-UV irradiation time: 35 seconds

- 카본 히터에 의한 가열 시간: 50초간-Heating time by carbon heater: 50 seconds

- 템플릿에 도포된 레지스트의 온도: 100℃-Temperature of resist applied to template: 100℃

그 결과, 레지스트를 제거하는 속도가 2nm/s였다.As a result, the rate at which the resist was removed was 2 nm/s.

또한, 카본 히터에 의한 가열 시간 50초간은, 처리 가스의 퍼지 시간 60초간에 포함되므로, 카본 히터에 의한 가열 시간이 템플릿의 세정 처리에 있어서 쓰루풋(throughput)에 추가되지 않는다.In addition, 50 seconds of heating time by the carbon heater is included in 60 seconds of the purge time of the processing gas, so that the heating time by the carbon heater is not added to the throughput in the cleaning treatment of the template.

(실시예 2) 도 1에 나타낸 구성에 따라 자외선 처리 장치를 제작하였다. 이 자외선 처리 장치의 사양은 이하와 같다. 이를 자외선 처리 장치(2)이라 한다.(Example 2) An ultraviolet treatment device was fabricated according to the configuration shown in FIG. 1. The specifications of this ultraviolet treatment device are as follows. This is referred to as an ultraviolet treatment device 2.

- 적외선 투과 창 부재: 템팍스 유리(등록 상표)-Infrared transparent window member: Tempax glass (registered trademark)

- 적외선 투과 창 부재의 크기:

Figure 112018126621483-pct00001
50mm-Size of infrared transmitting window member:
Figure 112018126621483-pct00001
50mm

- 적외선 투과 창 부재의 두께: 2mm-Thickness of infrared-transmitting window member: 2mm

- 적외선 투과 창 부재 하면으로부터 창 부재 상면까지의 거리: 80mm-Distance from the lower surface of the infrared transmitting window member to the upper surface of the window member: 80mm

- 램프 히터: 할로겐 히터-Lamp heater: Halogen heater

- 할로겐 히터의 전력: 500W-Halogen heater power: 500W

상기 자외선 처리 장치(2)를 사용하여, 하기의 광 세정 처리 조건(처리 가스의 공급 조건 및 자외선 조사 조건 및 가열 조건)에 의해, 특정 두께로 레지스트가 도포된 피처리물(템플릿)의 광 세정 처리를 행했다.Using the ultraviolet treatment device 2, light cleaning of a target object (template) coated with a resist with a specific thickness under the following light cleaning treatment conditions (processing gas supply conditions, ultraviolet irradiation conditions, and heating conditions) Processing was performed.

- 처리 가스 종류: CDA(Clean Dry Air)-Process gas type: CDA (Clean Dry Air)

- 처리 가스 공급량: 1L/min-Process gas supply: 1L/min

- 처리 가스 퍼지 시간: 60초간-Process gas purge time: 60 seconds

- 창 부재에 있어서의 자외선 조도: 70mW/㎠-UV irradiance in the window member: 70mW/㎠

- 자외선 조사 시간: 35초간-UV irradiation time: 35 seconds

- 할로겐 히터에 의한 가열 시간: 600초간-Heating time by halogen heater: 600 seconds

- 템플릿에 도포된 레지스트의 온도: 100℃-Temperature of resist applied to template: 100℃

그 결과, 레지스트를 제거하는 속도가 2nm/s였다.As a result, the rate at which the resist was removed was 2 nm/s.

또한, 본 실시예의 조건의 전력에서는, 할로겐 히터에 의한 가열 시간이 600초 정도 걸리나, 레지스트를 제거하는 속도는, 실시예 1의 자외선 처리 장치와 동등하였다.Further, under the electric power under the conditions of this example, the heating time by the halogen heater took about 600 seconds, but the rate of removing the resist was equivalent to that of the ultraviolet treatment apparatus of Example 1.

(비교예) 적외선 투과 창 부재 및 할로겐 히터를 설치하지 않은 것 이외에는, 자외선 처리 장치(2)와 동일한 사향의 자외선 처리 장치(3)를 제작하였다.(Comparative example) The same musk ultraviolet treatment device 3 as the ultraviolet treatment device 2 was produced except that the infrared transmitting window member and the halogen heater were not provided.

상기 자외선 처리 장치(3)를 사용하여, 하기의 광 세정 처리 조건(처리 가스의 공급 조건 및 자외선 조사 조건 및 가열 조건)에 의해, 실시예와 동일한 특정 두께로 레지스트가 도포된 피처리물(템플릿)의 광 세정 처리를 행했다.Using the ultraviolet treatment device 3, under the following light cleaning treatment conditions (processing gas supply conditions, ultraviolet irradiation conditions, and heating conditions), the target object (template ) Light washing treatment was performed.

- 처리 가스 종류: CDA(Clean Dry Air)-Process gas type: CDA (Clean Dry Air)

- 처리 가스 공급량: 1L/min-Process gas supply: 1L/min

- 처리 가스 퍼지 시간: 60초간-Process gas purge time: 60 seconds

- 창 부재에 있어서의 자외선 조도: 70mW/㎠-UV irradiance in the window member: 70mW/㎠

- 자외선 조사 시간: 100초간-UV irradiation time: 100 seconds

그 결과, 레지스트를 제거하는 속도가 0.7nm/s였다.As a result, the rate at which the resist was removed was 0.7 nm/s.

상기 결과로부터, 실시예 1에 관한 자외선 처리 장치(1) 및 실시예 2에 관한 자외선 처리 장치(2)에 의하면, 카본 히터 또는 할로겐 히터로 이루어지는 가열 수단이 설치되어 있음으로써, 레지스트를 제거하는 속도를 대폭 올릴 수 있는 것이 가능하고, 따라서, 레지스트의 세정 처리 시간을 단축하는 것이 가능한 것이 확인되었다.From the above results, according to the ultraviolet treatment device 1 according to Example 1 and the ultraviolet treatment device 2 according to Example 2, the speed of removing the resist by providing a heating means comprising a carbon heater or a halogen heater It has been confirmed that it is possible to increase significantly, and thus, it is possible to shorten the cleaning treatment time of the resist.

1: 템플릿 10: 처리실 형성재
11: 처리실 12: 개구
13: 적외선 투과 창 부재 20: 광원 유닛
21: 하우징 22: 창 부재
23: 고정판 25: 엑시머 램프
26: 방전 용기 27: 고전압측 전극
28: 접지측 전극 29: 소켓
30: 램프 히터 35: 발열체
S: 방전 공간1: Template 10: Treatment chamber forming material
11: processing chamber 12: opening
13: infrared transmission window member 20: light source unit
21: housing 22: window member
23: fixed plate 25: excimer lamp
26: discharge vessel 27: high voltage side electrode
28: ground electrode 29: socket
30: lamp heater 35: heating element
S: discharge space

Claims (5)

나노 임프린트에 사용되는 석영 유리로 이루어지는 템플릿의 표면을 자외선에 의해 세정 처리하는 광 세정 처리 장치로서,
처리 대상인 템플릿이 배치되고, 처리용 가스가 공급되는 처리실을 형성하는 처리실 형성재와,
상기 처리실에 배치된 상기 템플릿에 간극을 두고 대향하여 설치된, 자외선을 투과시키는 창 부재를 가지는 하우징과,
상기 하우징 내에 배치되고, 상기 템플릿에 상기 창 부재를 통해 자외선을 조사하는 자외선 광원과,
상기 템플릿을 가열하는 가열 수단을 구비하고,
상기 처리실 형성재는, 상기 창 부재에 대향하여 설치된 적외선 투과 창 부재를 가지고,
상기 가열 수단은, 상기 적외선 투과 창 부재의 외면에 대향하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 광 세정 처리 장치.As a light cleaning treatment device for cleaning the surface of a template made of quartz glass used for nanoimprint by ultraviolet rays,
A processing chamber forming material that forms a processing chamber in which a processing target template is disposed, and a processing gas is supplied,
A housing having a window member that transmits ultraviolet rays, which is installed opposite the template disposed in the processing chamber with a gap,
An ultraviolet light source disposed in the housing and irradiating ultraviolet light to the template through the window member,
And a heating means for heating the template,
The processing chamber forming material has an infrared transmitting window member provided opposite to the window member,
The heating means is arranged to face the outer surface of the infrared-transmitting window member. 청구항 1에 있어서,
상기 가열 수단은, 적외선을 방사하는 카본 히터 또는 할로겐 히터로 이루어지는, 광 세정 처리 장치.The method according to claim 1,
The heating means comprises a carbon heater or a halogen heater emitting infrared rays. 나노 임프린트에 사용되는 석영 유리로 이루어지는 템플릿의 표면을 자외선에 의해 세정 처리하는 광 세정 처리 장치로서,
처리 대상인 템플릿이 배치되고, 처리용 가스가 공급되는 처리실을 형성하는 처리실 형성재와,
상기 처리실에 배치된 상기 템플릿에 간극을 두고 대향하여 설치된, 자외선을 투과시키는 창 부재를 가지는 하우징과,
상기 하우징 내에 배치되고, 상기 템플릿에 상기 창 부재를 통해 자외선을 조사하는 자외선 광원과,
상기 템플릿을 가열하는 가열 수단을 구비하고,
상기 가열 수단은, 상기 창 부재에 설치된, 저항 가열에 의해 발열하는 발열체로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 광 세정 처리 장치.As a light cleaning treatment device for cleaning the surface of a template made of quartz glass used for nanoimprint by ultraviolet rays,
A processing chamber forming material that forms a processing chamber in which a processing target template is disposed, and a processing gas is supplied,
A housing having a window member that transmits ultraviolet rays, which is installed opposite the template disposed in the processing chamber with a gap,
An ultraviolet light source disposed in the housing and irradiating ultraviolet light to the template through the window member,
And a heating means for heating the template,
The heating means is a light washing treatment apparatus, characterized in that the heating means is provided in the window member and is formed of a heat generating element that generates heat by resistance heating. 삭제delete 삭제delete
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