JPWO2017204044A1 - 偏光マーキング - Google Patents
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Abstract
励起光として紫外線を照射すると、直線偏光した蛍光を発するマーキングであって、偽造が困難で汎用性が高く、顕像化が容易なマーキングの提供を目的とし、紫外線の照射により発する直線偏光した蛍光によって潜像を顕像化することから、従来の反射によって顕像化するマーキングとは異なり、入射光の影響を受けにくく、蛍光色によるマーキングの判別が可能となり、また、当該蛍光によって顕像化されるマーキングが直線偏光した蛍光によって形成されることから、マーキングの顕像化を容易にしつつ、偏光方向の設定により偽造を防止することができ、加えて、紫外線を励起光とし、蛍光による顕像化を用いることから、通常の自然光での使用時に於いて、常にマーキングを潜像化させることが可能となる、腕時計等、外観に付加価値が要求される宝飾品等やアクセサリーも含めて、高い汎用性と共に前記効果を付与したマーキング。【選択図】図1
Description
本発明はマーキングに関する。
現在、パスポート等の認証媒体のみならず、腕時計等の宝飾品に至るまで、偽造防止用のマーキングが広く用いられている。これらのマーキングには、目視による判定を前提として付与されるものと、紫外線等の照射によって顕像化することを前提として付与されるものとがあり、偽造防止の観点から後者による真贋の判定が有効となっている。特定の照射光によって顕像化するマーキングの内、代表的なものとして、特開平08−276659号公報(以下、特許文献1として記載)、及び特許第5365291号公報(以下、特許文献2として記載)が公開又は登録されている。それぞれのマーキングでは、偏光性を付与した潜像の顕像化を可能としている。
これら2件のうち、特許文献1記載のマーキングは、反射層上面に対し一定方向に配向された配向層を設けて、偏光性を付与したことをその技術的特徴としている。また、当該技術的特徴により、特許文献1記載のマーキングは、記録内容を目視で認識できない記録媒体となり、記録された情報を完全に目視できないようにした情報記録媒体及び情報カードを提供する。更に、偏光フィルムを介することによる、記録された情報の再生という効果を得ている。
一方、特許文献2記載のマーキングでは、偏光子からなる偏光層を積層することで偏光性を付与しており、対応する偏光シートを重ねることによる偏光潜像部の顕像化を可能にしている。
上述した効果を有している一方、特許文献1記載のマーキングはその原理上、複数の薄膜を積層する必要があった。更に薄膜毎の機能が限定されている為、マーキング自体の偽造が容易であるとの課題が有った。
また、特許文献2に記載のマーキングでは、顕像化用シートを別途用いることで当該偽造を困難にしている。しかしその反面、マーキング毎に個別のシートを用意する必要があり、マーキングの汎用性が低下するとの課題が有った。
本発明は、上記課題に鑑みて成されたものであり、偽造が困難で汎用性が高く、顕像化が容易なマーキングの提供を目的とする。
上記目的の為に本発明のマーキングは、励起光として紫外線を照射すると、直線偏光した蛍光を発する事を、その技術的特徴としている。
より具体的には、当該紫外線の照射時に、一様な方向に揃えられたマーキングが当該紫外線により励起されて直線偏光した蛍光を発し、当該蛍光がマーキングを形成していることを特徴としている。
また、本発明第2の態様に記載のマーキングは、マーキングが一様な方向に配向した希土類金属錯体を有することを、その技術的特徴としている。
より具体的には、希土類金属錯体が紫外線を吸収して蛍光を発する際に、希土類金属錯体を一様な方向に配向させておくことで、蛍光を偏光させることを特徴としている。
また、本発明第3の態様に記載のマーキングは、基材の表面に一様な方向の凹みを設け、当該凹み内に希土類金属錯体を有するマーキングとしたことを、その技術的特徴としている。
より具体的には、マーキングに対し、一様に配列された凹み群を基材の表面に設け、当該凹み内に紫外線を吸収して蛍光を発する希土類金属錯体を充填したことをその特徴としている。
また、本発明第4の態様に記載のマーキングは、希土類金属錯体が、異なる希土類原子を含む少なくとも2種類の希土類金属錯体の混合物からなることを、その技術的特徴としている。
より具体的には、希土類金属錯体が、紫外線の吸収により発する蛍光の最も強度の強いピーク波長、すなわち色相が異なる少なくとも2種類の希土類金属錯体の混合物から成ることをその特徴としている。
上述した技術的特徴によって本願記載の発明は、偽造が困難で汎用性が高く、顕像化が容易なマーキングの提供を可能にしている。
即ち、本発明のマーキングは、紫外線の照射により発する直線偏光した蛍光によって潜像を顕像化する。この為、従来の反射によって顕像化するマーキングとは異なり、入射光の影響を受けにくく、蛍光色によるマーキングの判別が可能となる。また、当該蛍光によって顕像化されるマーキングが直線偏光した蛍光によって形成されることで、マーキングの顕像化を容易にしつつ、偏光方向の設定により偽造を防止することができる。加えて、紫外線を励起光とし、蛍光による顕像化を用いることで、通常の自然光での使用時に於いて、常にマーキングを潜像化させることが可能となる。この為、腕時計等、外観に付加価値が要求される宝飾品等やアクセサリーも含めて、高い汎用性と共に前記効果を付与したマーキングを提供することができる。
また、本願第2の態様を用いることで前記マーキングの偏光方向を、希土類金属錯体の配向方向によって設定することが可能となる。より具体的には、当該錯体をマーキング内に配向させて設けることで、その分子配向によってマーキングが発する蛍光を偏光とすることができる。即ち、本態様における希土類金属錯体は励起光の通り道となる光アンテナとして紫外線のエネルギーを吸収し、その後エネルギードナーとして機能する有機配位子と、有機配位子からエネルギーを受け取って蛍光を発する希土類金属イオンとによって構成されている。希土類金属錯体においては、前記有機配位子から希土類金属イオンへのエネルギーの受け渡しが高効率に行われるため、非常に高い発光効率を示し、明瞭なマーキングとして機能することが出来る。加えて、前記マーキング内の錯体が照射された紫外線を吸収し、紫外線励起によって発光する際、予め錯体の分子を特定方向へと一様に配向することで、配向方向に沿った偏光方向の紫外線を選択的に吸収する。これにより、本態様では特定の紫外線により励起されて直線偏光した蛍光を発しマーキングを顕在化させることが可能となっている。
更に、本願第3の態様を用いることで、前記マーキングの偏光を凹みの形成方向によって設定することが可能となる。より具体的には、一様な方向の凹みを基材表面に設け、当該凹み内に紫外線の吸収によって蛍光する希土類金属錯体を設けることで、前記第2の態様と同様に当該凹み内で配向された希土類金属錯体から直線偏光した蛍光を発し、特定の方向に偏光した紫外線照射時にのみマーキングを顕像化させることができる。尚、本態様記載のマーキングでは、凹み内に配向させることで希土類金属錯体の配向方向を揃え、直線偏光した蛍光を発する。この為、配向方向をより明確に設定することができると共に、より高い精度と共に前記特定の方向に偏光した紫外線に対してのみ顕像を蛍光させることが可能となっている。
更に、本願第4の態様を用いることで、紫外線の照射によりマーキングから発する蛍光の分光強度分布を、ピーク波長の異なるそれぞれの希土類金属錯体由来の蛍光の重ね合せとする事が出来る。従って、偏光フィルタを用いてその偏光フィルタの偏光透過方向を、何れか一方の希土類金属錯体の配向方向に対して直交するように挿入することで、前記何れか一方の希土類金属錯体に由来する蛍光の強度をより大きく低減させる事が可能となる。従って、相対的な強度の分布が変化する事により、マーキングから発せられる蛍光の色相の変化を確認する事が出来る。よって、偏光フィルタの挿入に伴うマーキングの明暗変化による偽造防止効果に加え、色相変化による偽造防止効果もマーキングに付与することが可能となり、より一層マーキングの偽造を困難なものとする事が出来る。
以上述べたように、本願請求項記載の発明を用いることによって偽造が困難で汎用性が高く、顕像化が容易なマーキングを提供することができる。
本実施の形態の第一の特徴は、マーキングに紫外線を照射すると、直線偏光した蛍光を発する事とした。
この構成に依れば、偽造が困難で汎用性が高く、顕像化が容易なマーキングの提供を可能にしている。
即ち、本発明のマーキングは、紫外線の照射により発する直線偏光した蛍光によって潜像を顕像化する。この為、従来の反射によって顕像化するマーキングとは異なり、入射光の影響を受けにくく、蛍光色によるマーキングの判別が可能となる。また、当該蛍光によって顕像化されるマーキングが直線偏光した蛍光によって形成されることで、マーキングの顕像化を容易にしつつ、偏光方向の設定により偽造を防止することができる。加えて、紫外線を励起光とし、蛍光による顕像化を用いることで、通常の自然光での使用時に於いて、常にマーキングを潜像化させることが可能となる。この為、腕時計等、外観に付加価値が要求される宝飾品等やアクセサリーも含めて、高い汎用性と共に前記効果を付与したマーキングを提供することができる。
なお本発明に於いてマーキングに照射する紫外線とは、250nm以上400nm以下の波長帯域を有するものとする。
また第二の特徴は、一様な方向に配向した希土類金属錯体を有する事とした。
本発明に係る希土類金属錯体の一例を表す分子構造図を、図13に示す。なお、図13中のLnは任意の希土類原子を示す。
この構成に依れば、マーキングの偏光方向を、希土類金属錯体の配向方向によって設定することが可能となる。より具体的には、当該錯体をマーキング内に配向させて設けることで、その分子配向によってマーキングが発する蛍光を偏光とすることができる。即ち、本態様における希土類金属錯体は励起光の通り道となる光アンテナとして紫外線のエネルギーを吸収し、その後エネルギードナーとして機能する有機配位子と、有機配位子からエネルギーを受け取って蛍光を発する希土類金属イオンとによって構成されている。希土類金属錯体においては、前記有機配位子から希土類金属イオンへのエネルギーの受け渡しが高効率に行われるため、非常に高い発光効率を示し、明瞭なマーキングとして機能することが出来る。加えて、前記マーキング内の錯体が照射された紫外線を吸収し、紫外線励起によって発光する際、予め錯体の分子を特定方向へと一様に配向することで、配向方向に沿った偏光方向の紫外線を選択的に吸収する。これにより、本態様では特定の紫外線により励起されて直線偏光した蛍光を発しマーキングを顕在化させることが可能となっている。
また第三の特徴は、希土類金属錯体を、基材の表面に設けられた一様な方向の凹み内に有する事とした。
この構成に依れば、マーキングの偏光を凹みの形成方向によって設定することが可能となる。より具体的には、一様な方向の凹みを基材表面に設け、当該凹み内に紫外線の吸収によって蛍光する希土類金属錯体を設けることで、前記第2の態様と同様に当該凹み内で配向された希土類金属錯体から直線偏光した蛍光を発し、特定の方向に偏光した紫外線照射時にのみマーキングを顕像化させることができる。尚、本態様記載のマーキングでは、凹み内に配向させることで希土類金属錯体の配向方向を揃え、直線偏光した蛍光を発する。この為、配向方向をより明確に設定することができると共に、より高い精度と共に前記特定の方向に偏光した紫外線に対してのみ顕像を蛍光させることが可能となっている。
なお本発明に於いて基材とは、石英、ガラス、サファイアから成るものである。
また第四の特徴は、希土類金属錯体が、異なる希土類原子を含む少なくとも2種類の希土類金属錯体の混合物からなる事とした。
この構成に依れば、紫外線の照射によりマーキングから発する蛍光の分光強度分布を、ピーク波長の異なるそれぞれの希土類金属錯体由来の蛍光の重ね合せとする事が出来る。従って、偏光フィルタを用いてその偏光フィルタの偏光透過方向を、何れか一方の希土類金属錯体の配向方向に対して直交するように挿入することで、前記何れか一方の希土類金属錯体に由来する蛍光の強度をより大きく低減させる事が可能となる。従って、相対的な強度の分布が変化する事により、マーキングから発せられる蛍光の色相の変化を確認する事が出来る。よって、偏光フィルタの挿入に伴うマーキングの明暗変化による偽造防止効果に加え、色相変化による偽造防止効果もマーキングに付与することが可能となり、より一層マーキングの偽造を困難なものとする事が出来る。
なお本発明に於いて希土類金属錯体とは、配位子を含むものとする。
また本発明に於いてピーク波長とは、紫外線の吸収により希土類金属錯体が発する蛍光の最も強度の強い波長を指す。
以下に、図1及び図2を用いて、本発明に於ける実施形態を示す。尚、図中の記号及び部品番号について、同じ部品として機能するものには共通の記号又は番号を付与している。
図1に本発明の実施形態に於いて用いるマーキングの説明図を、図2に当該マーキング変更例の説明図を、それぞれ示す。図1に示すように、本実施形態記載のマーキングは、透明基板3上に塗布した、無偏光の光の照射時に顕像する無偏光顕像部1と、偏光光照射時に顕像する偏光顕像部2とで構成され、当該顕像部2は励起光として紫外線を照射した際に、希土類金属錯体の配向部Cより直線偏光された蛍光を発している。より具体的には、マーキングの一部を形成する前記配向部C内にて希土類金属錯体を一様な方向に配向させることで、無偏光の紫外線を照射した際に顕像化するマーキング内の一部となる偏光顕像部2に偏光特性を持たせ、直線偏光の紫外線を照射した際に顕像化するマーキングを同一マーキング内に潜像させる事を可能にしている。この為、従来の反射によって顕像化するマーキングとは異なり、入射光による見え方の変化が起きにくい、蛍光色によるマーキングの判別が可能となる。また、当該蛍光によって顕像化されるマーキングの一部となる偏光顕像部2が直線偏光した蛍光により顕像化されることで、マーキングの顕像化を容易にしつつ、偏光方向の設定による偽造の防止という効果をも得ることができた。
尚、本実施形態では、透明基板3上に対し、希土類金属錯体を塗布してマーキングを形成している。より具体的には、マーキング内の前記直線偏光された蛍光を発する偏光顕像部2に滴下した希土類金属錯体のクロロホルム溶液、又はアセトニトリル溶液を一様な方向に流し、塗布することで前記偏光特性を持たせる配向部Cを構成している。これにより、本態様のマーキングでは当該領域に於ける希土類金属錯体の配向方向を揃え、当該配向方向に沿った偏光方向の紫外線を選択的に吸収すると共に、同領域での顕像化に際し、特定の紫外線により励起されて直線偏光した蛍光を発することができた。また、当該効果により、偏光顕像部2のみによってマーキングを構成することで、特定の紫外線により励起されて直線偏光した蛍光を発するマーキングを提供することが可能となっている。
更に、本実施形態では、スピンコートを用いて他のマーキング部分に前記溶液を塗布し、無偏光の紫外線を励起光とする顕像化部分を形成している。これにより、無偏光の紫外線照射時、両マーキング部分は同紫外線内に於ける一部の偏光成分をそれぞれ吸収して蛍光する。尚、スピンコートによる塗布部分の希土類金属錯体もまた、その塗布手段により放射状に配向された状態で塗布される。この為、直線偏光された紫外線の照射時、本実施形態のマーキングは直線偏光に対応した部分が特定の入射角度にて蛍光、顕像化すると共に、スピンコートによる塗布部分に於いて、配向方向に沿った一部のみを蛍光、顕像化させることもできる。(図1、図2中では記載を省略)これらの効果に伴い、本実施形態記載のマーキングを用いることで、マーキングの形状に直線配向方向とスピンコート時の中心軸とを組み合わせることが可能となり、従来のマーキングに対して識別性の向上という効果を付与することができた。
また、同技術的見地から、本実施形態の偏光顕像部2について図2に示す複数の溝体Dを設けて凹みを形成し、当該凹み内に希土類金属錯体を設けることによっても、前述した偏光顕像部2及び配向部Cを構成することができる。当該凹みを用いた偏光顕像部及び配向部は対応する励起光の波長に合った配位子を有する錯体に変更することで、凹み内の希土類金属錯体が吸収する紫外線を限定すると共に、当該凹み内への希土類金属錯体の充填率の違いにより、蛍光強度を変化させることができる。この為、上記マーキング内の配向部Cと併用することによって当該マーキングの偽造を困難にしつつ、汎用性を高めることが可能となった。
上述した効果に加えて、本実施形態では紫外線を励起光とした蛍光により、顕像化が容易という利点を備えており、通常の使用時に於いては透明基板3に設けたマーキングを潜像化させて可視光を透過させることができる。この為、腕時計等、外観に付加価値が要求される宝飾品も含めて、高い汎用性と共に前記効果を付与したマーキングの提供が可能となった。
以上述べたように、本願実施形態記載の構造を用いることによって、偽造が困難で汎用性が高く、顕像化が容易なマーキングを提供することができた。
なお、上記希土類金属錯体は、異なる希土類原子を含む少なくとも2種類の希土類金属錯体の混合物に変更可能である。この構成に依れば、紫外線の照射によりマーキングから発する蛍光の分光強度分布を、ピーク波長の異なるそれぞれの希土類金属錯体由来の蛍光の重ね合せとする事が出来る。従って、偏光フィルタを用いてその偏光フィルタの偏光透過方向を、何れか一方の希土類金属錯体の配向方向に対して直交するように挿入することで、前記何れか一方の希土類金属錯体に由来する蛍光の強度をより大きく低減させる事が可能となる。従って、相対的な強度の分布が変化する事により、マーキングから発せられる蛍光の色相の変化を確認する事が出来る。よって、偏光フィルタの挿入に伴うマーキングの明暗変化による偽造防止効果に加え、色相変化による偽造防止効果もマーキングに付与することが可能となり、より一層マーキングの偽造を困難なものとする事が出来る。
希土類金属錯体に於ける希土類原子は、Eu、Tb、Dy、Sm、Nd等が挙げられる。
以下に本発明に係る各実施例を説明するが、本発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。
(実施例1)
以下、図3と図4を参照して本発明に係る実施例1のマーキングを説明する。実施例1では、希土類金属錯体を有するマーキングを用意し、希土類原子はEuとした(EuLC18:Lはリガンド、C18はアルキル鎖)。また、レーザの走査によってピッチ25μmで深さ10μmの複数の溝が平行に形成された、サファイア製の溝部品を別途用意した。
以下、図3と図4を参照して本発明に係る実施例1のマーキングを説明する。実施例1では、希土類金属錯体を有するマーキングを用意し、希土類原子はEuとした(EuLC18:Lはリガンド、C18はアルキル鎖)。また、レーザの走査によってピッチ25μmで深さ10μmの複数の溝が平行に形成された、サファイア製の溝部品を別途用意した。
その溝に沿って希土類金属錯体のクロロホルム溶液(30μM)を5ml調整し、マイクロピペッターにより20μl(20μL)ずつ各溝に滴下する事で、複数の溝内に平行に希土類金属錯体を充填して配置した。その後、希土類金属錯体を自然乾燥させ、希土類金属錯体が一様な方向に配向した配向部を構成した。乾燥後、その希土類金属錯体に250nm以上400nm以下の波長帯域を有する紫外線を照射し、希土類金属錯体から発する蛍光の分光強度分布を測定した。その結果を、図3に示す。
図3より、希土類原子がEuである希土類金属錯体から発する蛍光は、最も強度の高い波長帯域が約620nm付近の発光スペクトルを示す事が測定された。更に、何れの観察者からも蛍光の色相が赤色であるとの観察結果が得られた。
次に偏光フィルタを別途用意し、偏光フィルタの偏光透過方向を、溝部品の溝の形成方向に対して直交に配置し、その偏光フィルタを介して測定された、希土類金属錯体から発する蛍光の分光強度分布を図4に示す。
図4より、約620nm付近の発光スペクトルの消光比として、約10%の消光比が得られるとの測定結果が得られた。よって、溝に沿って配置された、希土類原子がEuである希土類金属錯体から発せられる蛍光が、直線偏光である事が確認された。
(実施例2)
以下、図5と図6を参照して本発明に係る実施例2のマーキングを説明する。なお、前記実施例1と同一箇所の説明は、簡略化又は省略して説明する。実施例2でも実施例1と同様、希土類原子がEuの希土類金属錯体を有するマーキングを用意した。また、前記溝部品は石英とし、溝のピッチは2.4μm、溝の深さは1.5μmとした。
以下、図5と図6を参照して本発明に係る実施例2のマーキングを説明する。なお、前記実施例1と同一箇所の説明は、簡略化又は省略して説明する。実施例2でも実施例1と同様、希土類原子がEuの希土類金属錯体を有するマーキングを用意した。また、前記溝部品は石英とし、溝のピッチは2.4μm、溝の深さは1.5μmとした。
その溝に沿って希土類金属錯体のクロロホルム溶液を20μlずつ各溝に滴下する事で、複数の溝内に平行に希土類金属錯体を充填して配置し、自然乾燥させて希土類金属錯体が一様な方向に配向した配向部を構成した。乾燥後、その希土類金属錯体に前記紫外線を照射し、希土類金属錯体から発する蛍光の分光強度分布を測定した。その結果を、図5に示す。
図5より、希土類金属錯体から発する蛍光は、最も強度の高い波長帯域が約615nm付近の発光スペクトルを示す事が測定された。更に、何れの観察者からも蛍光の色相が赤色であるとの観察結果が得られた。
次に偏光フィルタを別途用意し、偏光フィルタの偏光透過方向を、溝部品の溝の形成方向に対して直交に配置し、その偏光フィルタを介して測定された、希土類金属錯体から発する蛍光の分光強度分布を図6に示す。
図6より、約615nm付近の発光スペクトルの消光比として、約67%の消光比が得られるとの測定結果が得られた。よって、溝に沿って配置された、希土類原子がEuである希土類金属錯体から発せられる蛍光が、直線偏光である事が確認された。
(実施例3)
以下、図7と図8を参照して本発明に係る実施例3のマーキングを説明する。なお、前記各実施例1、2と同一箇所の説明は、簡略化又は省略して説明する。実施例3でも、希土類金属錯体を有するマーキングを用意したが、希土類原子はTbとした(TbLC18:Lはリガンド、C18はアルキル鎖)。また、前記溝部品は石英とし、溝のピッチは2.4μm、溝の深さは1.5μmとした。
以下、図7と図8を参照して本発明に係る実施例3のマーキングを説明する。なお、前記各実施例1、2と同一箇所の説明は、簡略化又は省略して説明する。実施例3でも、希土類金属錯体を有するマーキングを用意したが、希土類原子はTbとした(TbLC18:Lはリガンド、C18はアルキル鎖)。また、前記溝部品は石英とし、溝のピッチは2.4μm、溝の深さは1.5μmとした。
その溝に沿って希土類金属錯体のクロロホルム溶液を20μlずつ各溝に滴下する事で、複数の溝内に平行に希土類金属錯体を充填して配置し、自然乾燥させて希土類金属錯体が一様な方向に配向した配向部を構成した。乾燥後、その希土類金属錯体に前記紫外線を照射し、希土類金属錯体から発する蛍光の分光強度分布を測定した。その結果を、図7に示す。
図7より、希土類原子がTbである希土類金属錯体から発する蛍光は、最も強度の高い波長帯域が約545nm付近の発光スペクトルを示す事が測定された。更に、何れの観察者からも蛍光の色相が緑色であるとの観察結果が得られた。
次に偏光フィルタを別途用意し、偏光フィルタの偏光透過方向を、溝部品の溝の形成方向に対して直交に配置し、その偏光フィルタを介して測定された、希土類金属錯体から発する蛍光の分光強度分布を図8に示す。
図8より、約545nm付近の発光スペクトルの消光比として、約43%の消光比が得られるとの測定結果が得られた。よって、溝に沿って配置された、希土類原子がTbである希土類金属錯体から発せられる蛍光が、直線偏光である事が確認された。
(実施例4)
以下、図9と図10を参照して本発明に係る実施例4のマーキングを説明する。なお、前記各実施例1〜3と同一箇所の説明は、簡略化又は省略して説明する。実施例4でも、希土類金属錯体を有するマーキングを用意したが、希土類原子がEuである希土類金属錯体と、希土類原子がTbである希土類金属錯体の、2種類の希土類金属錯体の混合物を、溝に充填する希土類金属錯体とした。
以下、図9と図10を参照して本発明に係る実施例4のマーキングを説明する。なお、前記各実施例1〜3と同一箇所の説明は、簡略化又は省略して説明する。実施例4でも、希土類金属錯体を有するマーキングを用意したが、希土類原子がEuである希土類金属錯体と、希土類原子がTbである希土類金属錯体の、2種類の希土類金属錯体の混合物を、溝に充填する希土類金属錯体とした。
希土類原子としてEuとTbを選択した理由は、マンセルの色相環で補色の関係に有る波長約615nm〜620nm付近の赤色の蛍光を発するEuLC18と、波長約545nm〜550nm付近の緑色の蛍光を発するTbLC18で検証する事により、容易に蛍光の色相変化を確認する事が可能になると予測したためである。図9より、本実施例のピーク波長とは、紫外線の吸収により希土類金属錯体が発する蛍光の最も強度の強い波長約617nm付近を指す。また、前記溝部品は石英とし、溝のピッチは2.4μm、溝の深さは1.5μmとした。
その溝に沿って希土類金属錯体のクロロホルム溶液(EuLC18:TbLC18=1.5:1.0の割合で混合した溶液)を20μlずつ各溝に滴下する事で、複数の溝内に平行に希土類金属錯体を充填して配置し、自然乾燥させて希土類金属錯体が一様な方向に配向した配向部を構成した。乾燥後、その希土類金属錯体に前記紫外線を照射し、希土類金属錯体から発する蛍光の分光強度分布を測定した。その結果を、図9に示す。
図9より、EuLC18:TbLC18=1.5:1.0の割合で混合した混合物の希土類金属錯体から発する蛍光は、3.0×105以上の強度を示す波長帯域として、約545nm付近と約620nm付近の発光スペクトルを示す事が測定された。更に、何れの観察者からも蛍光の色相が黄色であるとの観察結果が得られた。
次に偏光フィルタを別途用意し、偏光フィルタの偏光透過方向を、溝部品の溝の形成方向に対して直交に配置し、その偏光フィルタを介して測定された、希土類金属錯体から発する蛍光の分光強度分布を図10に示す。
図10より、より強度の高い約617nm付近の発光スペクトルの消光比として、約43%の消光比が得られるとの測定結果が得られた。よって、溝に沿って配置された、希土類金属錯体から発せられる蛍光が、直線偏光である事が確認されたと共に、波長帯域約617nm付近の強度を相対的に低減(消光)させられる事が判明した。更に、希土類金属錯体の配向方向に対して、偏光フィルタの偏光透過方向が直交に配置されている事も分かった。偏光フィルタを介し確認したところ、CIE1931色度図で蛍光の色相が、黄色から緑色側に変化した事が確認された。
よって、偏光方向の設定による偽造防止効果に加え、色相変化による偽造防止効果もマーキングに付与することが可能となり、より一層マーキングの偽造を困難なものとする事が出来ることが確認された。
(実施例5)
以下、図11と図12を参照して本発明に係る実施例5のマーキングを説明する。なお、前記各実施例1〜4と同一箇所の説明は、簡略化又は省略して説明する。実施例5でも、希土類金属錯体を有するマーキングを用意したが、希土類原子がEuである希土類金属錯体と、希土類原子がTbである希土類金属錯体の、2種類の希土類金属錯体の混合物を、溝に充填する希土類金属錯体とした。
以下、図11と図12を参照して本発明に係る実施例5のマーキングを説明する。なお、前記各実施例1〜4と同一箇所の説明は、簡略化又は省略して説明する。実施例5でも、希土類金属錯体を有するマーキングを用意したが、希土類原子がEuである希土類金属錯体と、希土類原子がTbである希土類金属錯体の、2種類の希土類金属錯体の混合物を、溝に充填する希土類金属錯体とした。
希土類原子としてEuとTbを選択した理由は、マンセルの色相環で補色の関係に有る波長約615nm〜620nm付近の赤色の蛍光を発するEuLC18と、波長約545nm〜550nm付近の緑色の蛍光を発するTbLC18で検証する事により、容易に蛍光の色相変化を確認する事が可能になると予測したためである。図11より、本実施例のピーク波長とは、紫外線の吸収により希土類金属錯体が発する蛍光の最も強度の強い波長約545nm付近を指す。また、前記溝部品は石英とし、溝のピッチは25μm、溝の深さは10μmとした。
その溝に沿って希土類金属錯体のクロロホルム溶液(EuLC18:TbLC18=1.0:3.0の割合で混合した溶液)を20μlずつ各溝に滴下する事で、複数の溝内に平行に希土類金属錯体を充填して配置し、自然乾燥させて希土類金属錯体が一様な方向に配向した配向部を構成した。乾燥後、その希土類金属錯体に前記紫外線を照射し、希土類金属錯体から発する蛍光の分光強度分布を測定した。その結果を、図11に示す。
図11より、EuLC18:TbLC18=1.0:3.0の割合で混合した混合物の希土類金属錯体から発する蛍光は、2.0×106以上の強度を示す波長帯域として、約545nm付近と約620nm付近の発光スペクトルを示す事が測定された。更に、何れの観察者からも蛍光の色相が黄色であるとの観察結果が得られた。
次に偏光フィルタを別途用意し、偏光フィルタの偏光透過方向を、溝部品の溝の形成方向に対して直交に配置し、その偏光フィルタを介して測定された、希土類金属錯体から発する蛍光の分光強度分布を図12に示す。
図12より、より強度の高い約545nm付近の発光スペクトルの消光比として、約13%の消光比が得られるとの測定結果が得られた。よって、溝に沿って配置された、希土類金属錯体から発せられる蛍光が、直線偏光である事が確認されたと共に、波長帯域約545nm付近の強度を相対的に低減(消光)させられる事が判明した。更に、希土類金属錯体の配向方向に対して、偏光フィルタの偏光透過方向が直交に配置されている事も分かった。偏光フィルタを介し確認したところ、CIE1931色度図で蛍光の色相が、黄色から橙色側に変化した事が確認された。
よって、偏光方向の設定による偽造防止効果に加え、色相変化による偽造防止効果もマーキングに付与することが可能となり、より一層マーキングの偽造を困難なものとする事が出来ることが確認された。
なお、実施例4又は5におけるEuLC18とTbLC18の各溶液の混合比は、任意に変更可能である。
また、実施例1〜5に於ける希土類原子はEu又はTb以外にも任意に変更可能であり、例えば溶液としてDyLC18溶液やSmLC18溶液、NdLC18溶液が挙げられ、混合比も種々設定可能である。
なお実施例1〜5に示したように、溝部品の溝のピッチは任意に設定可能であり、実施例1〜5の数値以外にも変更可能である。
1 無偏光顕像部
2 偏光顕像部
3 基板
C 希土類金属錯体の配向部
D 希土類金属錯体の配向用溝体
2 偏光顕像部
3 基板
C 希土類金属錯体の配向部
D 希土類金属錯体の配向用溝体
Claims (4)
- 紫外線を照射すると、直線偏光した蛍光を発するマーキング。
- 一様な方向に配向した希土類金属錯体を有する請求項1記載のマーキング。
- 前記希土類金属錯体を、基材の表面に設けられた一様な方向の凹み内に有する請求項2記載のマーキング。
- 前記希土類金属錯体が、異なる希土類原子を含む少なくとも2種類の希土類金属錯体の混合物からなる請求項2又は3記載のマーキング。
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