JPWO2017038690A1 - ダイヤモンドアンビルセル - Google Patents

Abstract

ダイヤモンドアンビルセルは、ダイヤモンド製圧子１０と、被測定試料が置かれる電極パターン３２が設けられたダイヤモンド基板３０とを有し、電極パターン３２はホウ素ドープダイヤモンド薄膜によりダイヤモンド基板３０に設けられたことを特徴とする。これにより、微小空間であるダイヤモンドアンビルセル内に被測定試料を取り付けて、電気的物性が容易に測定できるダイヤモンドアンビルセルを提供すること可能となる。

Description

本発明は、高圧状況下での材料物性測定に有益なダイヤモンドアンビルセルに関し、特に電気的な特性を測定するのに適した電極パターンを有するダイヤモンドアンビルを備えたダイヤモンドアンビルセルに関する。

ダイヤモンドアンビルセルは、二つのダイヤモンド単結晶を一組の対向アンビルとした、一軸加圧装置である（例えば、特許文献１、２参照）。地球上最も硬い物質であるダイヤモンドをアンビルに用いることで、現在約２００ＧＰａ以上の超高圧を発生させることができる。また、ダイヤモンドアンビルは透明であるため、Ｘ線等の分光により、高圧下の物質変化を直接的に観察・測定することができる。さらに、ダイヤモンドアンビルを通してレーザー光を導入することにより、試料によっては約４０００℃に加熱することもできるため、高温高圧状況下での材料物性測定に有益である。

他方で、ダイヤモンドは、２２Ｗ／ｃｍＫの大きな熱伝導率を持つ世の中で最も硬い物質である。純粋なダイヤモンドは電気的には絶縁体である。しかし、ホウ素をドープするとダイヤモンドはホウ素が電荷アクセプタとしてふるまうｐ型半導体になる。このようにダイヤモンドは、純粋なものは高い絶縁耐性（１０ＭＶ／ｃｍより大）を持ち、ホウ素をドープしたものは大きなキャリヤ移動度をもつことから、高周波、高電力デバイスのような電気面での応用が期待される物質である。

さらに、多量にホウ素をドープしたダイヤモンドは金属伝導性を示し、電気化学の分野において電極として使用されてきた。また、化学気相成長法により合成した、多量にホウ素をドープしたダイヤモンドが１１．４Ｋで超伝導性を示すことも知られている。そこで、本発明者の一人は、超伝導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜を提案している（例えば、特許文献３参照）

ところで、高圧下の電気的特性、例えば電気抵抗の測定は、微小空間であるダイヤモンドアンビルセル内に電極を挿入しなければならない。

図６は、電気的特性を測定するための従来のダイヤモンドアンビルセルの構成側面図であり、（Ａ）は要部構成図、（Ｂ）は被測定試料の接触面となる電極パターン付近の拡大分解斜視図である。図において、ダイヤモンドアンビルセルは、ダイヤモンド製圧子１０、ガスケット２０、ダイヤモンド製支持部４０を有している。

ダイヤモンド製圧子１０は、例えばブリリアントカットされたダイヤモンドからなり、頂部の平らなテーブル面１１、上部の側面に設けられたクラウン１２、上部と下部の境界であるガードル１３、下部の側面に設けられたパビリオン１４、平面部を有する先端に形成されたキュレット１５で構成される。

ガスケット２０は、被測定試料（図示せず）をダイヤモンド製圧子１０とダイヤモンド製支持部４０で挟んだ状態を保持すると共に、キュレット１５の先端平面で押圧されたときに圧縮されて、キュレットの先端平面とガスケット２０のセンター穴２１の壁で形成された密閉空間の高圧状態を保持するものである。

ダイヤモンド製支持部４０は、ダイヤモンド製圧子１０の上下を反転させたもので、両者のキュレットの先端平面で被測定試料を押圧する。電極部材２５は、被測定部材の電気的特性を測定するために用いられる。電極部材２５には、例えば金箔やプラチナ箔を用いる。中央部分にセンター穴２３が形成された絶縁テープ２２は電極部材２５の絶縁を確保する。

上記構成の従来のダイヤモンドアンビルセルを用いて被測定試料の電気的特性を測定する場合、ダイヤモンド製圧子１０とダイヤモンド製支持部４０のキュレットの先端には、電気絶縁部としてアルミナまたは窒化ボロンの膜を設け、被測定試料をダイヤモンド製支持部４０のキュレットの先端に置く。次いで、ガスケット２０のセンター穴２１に圧力媒体である塩化ナトリウム等を入れる。そして、この状態でダイヤモンド製圧子１０を用いて被測定試料を押圧しつつ、被測定試料の電気的特性を、電極部材２５を用いて測定する。

しかしながら、上記構成の従来のダイヤモンドアンビルセルにおいては、ダイヤモンド製圧子１０とダイヤモンド製支持部４０との関係では、電極部材２５は固定されておらず、被測定試料の位置決めが非常に困難であった。また、電極部材２５として金箔やプラチナ箔が用いられるが、圧力により電極部材２５も変形するため、加圧途中で断線したり、被測定試料との接点が破断したりとトラブルが多く、高圧状況下での材料物性測定は非常に難しいという問題があった。

特開平０５−２００２７０号公報 特開平０９−１７１１４２号公報 特開２００６−９１４７号公報（特許第４７５９３１５号）

G. J. Piermarini, S. Block, J. D. Barnett, and R. A. Forman, J. Appl. Phys. 46, 2774-2780 (1975). A. Eiling and J. S. Schilling, J. Phys. F: Metal Phys. 11, 623-639 (1981).

本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、微小空間であるダイヤモンドアンビルセル内に被測定試料を取り付けて、電気的物性が容易に測定できるダイヤモンドアンビルセルを提供することを課題とする。

本発明は、上記課題を解決するものとして以下のことを特徴としている。
［１］一組のダイヤモンドアンビルの対向平面部を突き合わせて被測定試料に高圧を印加するダイヤモンドアンビルセルであって、一方のダイヤモンドアンビルの、少なくとも前記被測定試料の接触面となる前記平面部に、ホウ素ドープダイヤモンド薄膜により電極パターンを形成したことを特徴とするダイヤモンドアンビルセル。
［２］前記電極パターンは、二端子電極パターン、四端子電極パターン、六端子電極パターン及び八端子電極パターンのいずれか一つであることを特徴とする［１］に記載のダイヤモンドアンビルセル。
［３］前記電極パターンは、膜厚が０．０１〜３００μｍであることを特徴とする［１］又は［２］に記載のダイヤモンドアンビルセル。
［４］前記一方のダイヤモンドアンビルが、平板状のダイヤモンド基板からなり、他方のダイヤモンドアンビルが、ダイヤモンド製圧子からなることを特徴とする［１］から［３］のいずれかに記載のダイヤモンドアンビルセル。
［５］前記電極パターンが、前記被測定試料が置かれる試料側電極部と、外部の測定計器と接続するための電極パッド部と、前記試料側電極部と前記電極パッド部を電気的に接続するリード線部からなることを特徴とする［４］に記載のダイヤモンドアンビルセル。
［６］前記一方のダイヤモンドアンビルが、先端部にキュレットが形成されたパビリオンを有するダイヤモンド製支持部からなり、他方のダイヤモンドアンビルが、ダイヤモンド製圧子からなり、前記電極パターンが、前記パビリオンの斜面に形成された第１の電極パターンと、前記キュレットの平面部に形成された、前記被測定試料が置かれる第２の電極パターンと、前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンとを電気的に接続するリード線部である第３の電極パターンからなることを特徴とする［１］から［３］のいずれかに記載のダイヤモンドアンビルセル。
［７］さらに、前記ダイヤモンド製圧子からなるダイヤモンドアンビルの突端が挿入される開口部が形成されたガスケットを有することを特徴とする［４］から［６］のいずれかに記載のダイヤモンドアンビルセル。

本発明のダイヤモンドアンビルセルによれば、一対のダイヤモンドアンビルの一方において電気的物性の被測定試料の接触面に、ホウ素ドープダイヤモンド薄膜により電極パターンが形成されているので、高圧を当該接触面に発生させても、電極パターンの変形がなく、加圧途中での断線やサンプルとの接点の破断を防止でき、高圧状況下での材料物性測定が簡便に行える。

図１は、本発明の第１の実施形態を示すダイヤモンドアンビルセルの構成図であり、（Ａ）は要部構成側面図、（Ｂ）は被測定試料の接触面となる電極パターン付近の拡大分解斜視図である。 図２は、本発明の第１の実施形態のダイヤモンドアンビルセルのダイヤモンド基板上に形成された６端子用の電極パターンを示す図で、（Ａ）は電極パターンの全体平面図、（Ｂ）は電極先端の拡大平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態のダイヤモンドアンビルセルのダイヤモンド基板上に形成された４端子用の電極パターンを示す図で、（Ａ）は電極パターンの全体平面図、（Ｂ）は電極先端の拡大平面図である。 図４は、鉛の超伝導転移温度とルビー蛍光から見積もった圧力の相関を示す図である。 図５は、本発明の第２の実施形態を示すダイヤモンドアンビルセルの構成図であり、（Ａ）は要部構成側面図、（Ｂ）はダイヤモンド製支持部の側面図である。 図６は、従来のダイヤモンドアンビルセルの構成図であり、（Ａ）は要部構成側面図、（Ｂ）は被測定試料の接触面となる電極パターン付近の拡大分解斜視図である。

以下、本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。

本発明のダイヤモンドアンビルセルは、一組のダイヤモンドアンビルの対向平面部を突き合わせて被測定試料に高圧を印加するダイヤモンドアンビルセルであって、一方のダイヤモンドアンビルの、少なくとも前記被測定試料の接触面となる前記平面部に、ホウ素ドープダイヤモンド薄膜により電極パターンを形成したことを特徴とするものである。

図１は、本発明の第１の実施形態を示すダイヤモンドアンビルセルの構成図で、（Ａ）は要部構成側面図、（Ｂ）は被測定試料の接触面となる電極パターン付近の拡大分解斜視図である。図において、ダイヤモンドアンビルセルは、ダイヤモンド製圧子１０、ガスケット２０、ダイヤモンド基板３０を有している。

ダイヤモンド製圧子１０は、例えばブリリアントカットされたダイヤモンドで、頂部の平らなテーブル面１１、上部の側面に設けられたクラウン１２、上部と下部の境界となるガードル１３、下部の側面に設けられたパビリオン１４、平面部を有する先端に形成されたキュレット１５で構成される。キュレット１５の平面部は被測定試料に圧接されるもので、平面部の大きさは被測定試料の形状に応じた測定用の密封空間の大きさに適合するように定める。

ガスケット２０は、被測定試料（図示せず）をダイヤモンド製圧子１０とダイヤモンド基板３０で挟んだ状態を保持すると共に、ダイヤモンド製圧子１０のキュレット１５の平面部で押圧された時に圧縮されて、キュレット１５の平面部とガスケット２０のセンター穴２１の壁で形成された密封空間の高圧状態を保持するものである。このガスケット２０には、ここでは大略矩形の板材が用いられており、例えばプラスチック材料、セラミクス材料や金属材料が用いられる。センター穴２１は、ガスケット２０の中央部分に設けられるもので、キュレット１５の平面部により高圧で押されることで、センター穴２１の周縁部が押し潰されて、内部に密封空間を形成する。なお、被測定試料はこの密封空間に収容されて、高圧状態での物理的特性を評価される。

絶縁テープ２２は、ガスケット２０とダイヤモンド基板３０の間に装着されるもので、ダイヤモンド基板３０上に形成された電極パターン３２の絶縁を確保する。センター穴２３は絶縁テープ２２の中央部分に設けられるもので、キュレット１５の先端がガスケット２０のセンター穴２１を押す際の電気的絶縁を確保しやすくする。

ダイヤモンド基板３０は、単結晶でも多結晶でもよく、平板状となっている。ダイヤモンド基板３０の表面、すなわち電気的物性の被測定試料の接触面には、本発明の特徴である、被測定試料が置かれる電極パターン３２が設けられている。電極パターン３２は、ホウ素ドープダイヤモンド薄膜により形成されている。電極パターン３２の膜厚は０．０１〜３００μｍであることが好ましい。膜厚が０．０１μｍ以上であると、膜厚の均一性が確保しやすくなる。膜厚が３００μｍ以下であると、化学気相成長法により格子欠陥の少ないホウ素ドープダイヤモンド薄膜を容易に形成することができる。電極パターン３２は、被測定試料がダイヤモンド製圧子１０で押圧された状態で、電気的な特性を測定するのに適した配線パターンを有している。

次に、電極パターンの具体例を説明する。図２は、本発明の第１の実施形態のダイヤモンドアンビルセルのダイヤモンド基板上に形成された６端子用の電極パターンを示す図で、（Ａ）は電極パターンの全体平面図、（Ｂ）は試料側電極部となる電極先端の拡大平面図である。

この電極パターンは、例えば外部の測定計器と接続するための電極パッド部３４ａと、被測定試料と接触する試料側電極部３４ｃと、電極パッド部３４ａと試料側電極部３４ｃとを接続するリード線部３４ｂを有している。試料側電極部３４ｃは電極先端に対応している。

６端子用の電極パターンでは、電圧用の正極用と負極用としてＶａ^＋、Ｖａ⁻、Ｖｂ^＋、Ｖｂ⁻が設けられており、電流用の正極用と負極用としてＩ^＋、Ｉ⁻が設けられている。６端子用の電極パターンでは、電気抵抗やホール係数の測定が可能である。

図３は、本発明の一実施形態のダイヤモンドアンビルセルのダイヤモンド基板上に形成された４端子用の電極パターンを示す図で、（Ａ）は電極パターンの全体平面図、（Ｂ）は試料側電極部となる電極先端の拡大平面図である。

この電極パターンは、例えば外部の測定計器と接続するための電極パッド部３６ａと、被測定試料と接触する試料側電極部３６ｃと、電極パッド部３６ａと試料側電極部３６ｃとを接続するリード線部３６ｂを有している。試料側電極部３６ｃは電極先端に対応している。

４端子用の電極パターンでは、電圧用の正極用と負極用としてＶ^＋、Ｖ⁻が設けられており、電流用の正極用と負極用としてＩ^＋、Ｉ⁻が設けられている。４端子用の電極パターンでは、電極パターンの電気抵抗の影響を軽減するため、電極パターンの幅を６端子用の電極パターンの場合と比較して広くしてある。

次に、ダイヤモンド基板上に電極パターンを成膜する製造工程について説明する。本発明の電極パターンには、ホウ素ドープダイヤモンド薄膜が用いられる。このダイヤモンド薄膜は、化学気相成長法により形成された薄膜であり、超伝導性を示す。この薄膜の超伝導転移温度は、Ｔｃオンセット値で１１．４Ｋのものが得られているが、さらに高い温度のものが得られる可能性がある。この薄膜の結晶配向は、典型的には（１１１）配向であるが、これに限定されず、例えば（１００）配向や（１１０）配向等のものであってもよい。（１１１）配向のホウ素ドープダイヤモンドは、たとえば（００１）配向のものより１オーダー大きな比率でホウ素のドーピングを行うことができ、超伝導性の発現に有利である。また、この薄膜に多結晶ダイヤモンドを用いることも可能である。

本発明において、ホウ素ドープダイヤモンド薄膜の形成には、化学気相成長法が使用されるが、その中でもマイクロ波プラズマ化学気相成長（ＭＰＣＶＤ）法が好ましく使用される。成膜条件は以下のとおりである。

原料ガスとしては、少なくとも炭素化合物及びホウ素化合物よりなり、水素を含む混合ガスを用いることができる。炭素化合物としては、メタン、エタン、プロパン、エタノール等、炭素を含む種々の材料を用いることができる。ホウ素化合物としては、ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）、トリメチルホウ素（Ｂ（ＣＨ_３）_３）、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、ホウ酸（メタホウ酸、オルトホウ酸、四ホウ酸等）、固体ホウ素（Ｂ）等、ホウ素を含む種々の材料を用いることができる。原料ガスのＢ／Ｃ比は、たとえば１００ｐｐｍから１０００００ｐｐｍ、好ましくは１０００ｐｐｍから２４０００ｐｐｍのものとすることができるが、これに限定されない。また、水素に対する炭素濃度は、たとえば０．１ａｔ．％から１０ａｔ．％のものとすることができるが、これに限定されない。これらの値は、超伝導の発現、成膜性の観点から考慮される。

成膜中の雰囲気圧力、基板温度、成膜時間等も、超伝導の発現、成膜性の観点から考慮される。なお、化学気相合成装置、反応炉の構成、構造については特に限定されることはない。

本実施形態において、電極パターンは、例えば電子線リソグラフィー法を用いて所望のパターンに形成することができる。

前述したように、図６に示すような従来のダイヤモンドアンビルセルにおいては、ダイヤモンド製圧子とダイヤモンド製支持部との関係では、電極部材が固定されておらず、被測定試料の位置決めが非常に困難であった。これに対して、本実施形態の、ダイヤモンド基板上に電極パターンを成膜したダイヤモンドアンビルを用いたダイヤモンドアンビルセルによれば、電極パターンはホウ素ドープダイヤモンド薄膜であってダイヤモンド基板に固定されているため、被測定試料の位置決めが容易となる。

ここで、ダイヤモンド基板表面上にホウ素ドープダイヤモンド薄膜により電極パターンを作製した例について述べる。

まず、ダイヤモンド基板を、有機溶媒（アセトン）を用いた超音波法により洗浄した。合成は７０Ｔｏｒｒのチャンバ圧力、７５０Ｗのマイクロ波電力、８００〜９００℃の基板温度の条件下で、メタンとトリメチルボロンの水素中での希釈混合ガスを用いて行った。水素に対するメタン濃度は３％である。マイクロ波プラズマ化学気相成長（ＭＰＣＶＤ）法を用いて、ホウ素ドープダイヤモンド薄膜を（１００）配向ダイヤモンド基板上に形成した。３０分の堆積後に厚さおよそ１μｍの薄膜が得られた。この薄膜に対して電子線リソグラフィー法により、図２に示すパターンを持つ電極パターンを作製した。電極パターンが形成されたダイヤモンド基板を用いて図１に示す構成のダイヤモンドアンビルセルを作製した。

上記で作製したダイヤモンドアンビルセルの電極上に鉛を設置し、ガスケットには圧力媒体とルビーの粉末を充填し、加圧した。鉛の超伝導転移温度Ｔｃとルビーの蛍光スペクトルを測定し、それぞれの測定結果から圧力を見積もった。測定値から圧力への変換は、それぞれ非特許文献１、２に記載の変換式を用いて行った。
図４は、鉛の超伝導転移温度とルビー蛍光から見積もった圧力の相関を示す図である。この図から、鉛の超伝導転移温度Ｔｃから見積もった圧力（ＧＰａ）とルビー蛍光から見積もった圧力（ＧＰａ）はよく一致していることがわかる。

続いて、本発明の第２の実施形態を説明する。図５は、本発明の第２の実施形態を示すダイヤモンドアンビルセルの構成図で、（Ａ）は要部構成側面図、（Ｂ）はダイヤモンド製支持部の側面図である。なお、図６において、図１と同じ構成で同一作用をするもの（ダイヤモンド圧子１０とその構成要素１１〜１５及びガスケット２０等）には、重複説明を避けるため同一符号を付して説明を省略する。

ダイヤモンド製支持部５０は、例えばブリリアントカットされたダイヤモンドからなり、底部の平らなテーブル面５１、下部の側面に設けられたクラウン５２、上部と下部の境界となるガードル５３、上部の側面に設けられたパビリオン５４、平面部を有するキュレット５５で構成される。キュレット５５の平面部は被測定試料に圧接されるもので、平面部の大きさは被測定試料の形状に応じた測定用の密封空間の大きさに適合するように定める。

パビリオン５４の各斜面には、電極パッド部５４ａ１、５４ａ２、５４ａ３が設けられている。キュレット５５の先端には、電極パッド部５４ａ１、５４ａ２、５４ａ３と各々リード線部５４ｂ１、５４ｂ２、５４ｂ３を介して接続された試料側電極部（図示せず）が設けられている。この試料側電極部は、図２や図３で示した試料側電極部３４ｃ、３６ｃと同様の形状とすることができる。なお、パビリオン５４の図面背面側の各斜面にも電極パッド部とリード線部を設けても良い。

本実施形態において、ダイヤモンド製支持部５０に形成される電極パターンは、パビリオンの斜面に形成された第１の電極パターン（５４ａ１、５４ａ２、５４ａ３）と、キュレット５５に形成された、被測定試料が置かれる第２の電極パターン（図２、図３の試料側電極部３４ｃ、３６ｃに相当）と、第１の電極パターンと第２の電極パターンとを電気的に接続するリード線部である第３の電極パターン（５４ｂ１、５４ｂ２、５４ｂ３）からなるが、これらの膜厚や、作製工程等については第１の実施形態と同様である。

このように構成されたダイヤモンドアンビルセルにおいては、ブリリアントカットのようなキュレットを有するダイヤモンド製支持部５０の斜面に電極パターンを形成してあるので、キュレット５５の先端はガスケット２０を介してダイヤモンド製圧子１０のキュレット１５と接触するため、実施形態１の平板形状のダイヤモンド基板３０を用いた場合と比較して、さらに高圧の密閉空間を形成することが可能となる。そこで、被測定試料の電気的特性について、より広範囲の圧力範囲での測定が可能となる。

なお、上記の実施形態では、ホウ素ドープダイヤモンド薄膜の電極パターンとして四端子電極パターン及び六端子電極パターンの場合を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、二端子電極パターン、八端子電極パターンやこれら以外の数の端子を有する電極パターンでもよい。二端子電極パターンの場合は、電気抵抗の測定や電熱ヒータの密封測定空間への導入に有効である。八端子電極パターンとすると、二個の被測定試料を同時に密封測定空間内で測定できる。

本発明のダヤモンドアンビルセルの一方のダイヤモンドアンビルは、ホウ素ドープダイヤモンド薄膜により電極パターンを電気的物性の被測定試料の接触面に形成してあるので
、被測定試料の電気的特性が容易に測定される。そこで、高圧状況下での材料物性測定に有効である。

１０ ダイヤモンド製圧子
２０ ガスケット
２２ 絶縁テープ
３０ ダイヤモンド基板
３２ 電極パターン
３４ａ、３６ａ 電極パッド部
３４ｂ、３６ｂ リード線部
３４ｃ、３６ｃ 試料側電極部
５０ ダイヤモンド製支持部
５４ パビリオン
５４ａ１、５４ａ２、５４ａ３ 電極パッド部
５４ｂ１、５４ｂ２、５４ｂ３ リード線部
５５ キュレット

Claims (7)

1. 一組のダイヤモンドアンビルの対向平面部を突き合わせて被測定試料に高圧を印加するダイヤモンドアンビルセルであって、
   一方のダイヤモンドアンビルの、少なくとも前記被測定試料の接触面となる前記平面部に、ホウ素ドープダイヤモンド薄膜により電極パターンを形成したことを特徴とするダイヤモンドアンビルセル。
2. 前記電極パターンは、二端子電極パターン、四端子電極パターン、六端子電極パターン及び八端子電極パターンのいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンドアンビルセル。
3. 前記電極パターンは、膜厚が０．０１〜３００μｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイヤモンドアンビルセル。
4. 前記一方のダイヤモンドアンビルが、平板状のダイヤモンド基板からなり、
   他方のダイヤモンドアンビルが、ダイヤモンド製圧子からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のダイヤモンドアンビルセル。
5. 前記電極パターンが、前記被測定試料が置かれる試料側電極部と、外部の測定計器と接続するための電極パッド部と、前記試料側電極部と前記電極パッド部を電気的に接続するリード線部からなることを特徴とする請求項４に記載のダイヤモンドアンビルセル。
6. 前記一方のダイヤモンドアンビルが、先端部にキュレットが形成されたパビリオンを有するダイヤモンド製支持部からなり、
   他方のダイヤモンドアンビルが、ダイヤモンド製圧子からなり、
   前記電極パターンが、前記パビリオンの斜面に形成された第１の電極パターンと、前記キュレットに形成された、前記被測定試料が置かれる第２の電極パターンと、前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンとを電気的に接続するリード線部である第３の電極パターンからなることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のダイヤモンドアンビルセル。
7. さらに、前記ダイヤモンド製圧子からなるダイヤモンドアンビルの突端が挿入される開口部が形成されたガスケットを有することを特徴とする請求項４から６のいずれか一項に記載のダイヤモンドアンビルセル。