JPWO2015115503A1 - Conductive pattern, substrate with conductive pattern, method for manufacturing substrate with conductive pattern, structure having conductive pattern on surface, and method for manufacturing the structure - Google Patents

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Abstract

本発明は、導電性細線の視認性を低下でき、抵抗値を下げることができ、基材と導電性パターンの接着性を向上でき、基材の折り曲げ時においても抵抗値の変動を抑制でき、更に熱湿耐性などの耐久性を付与できる導電性パターン、導電性パターン付き基材、導電性パターン付き基材の製造方法、表面に導電性パターンを有する構造体及び該構造体の製造方法の提供を目的とし、線幅10μm未満の導電性細線2からなるパターンであって、細線の少なくとも一部は多層構造になっており、該多層構造は、導電性粒子、導電性フィラー、導電性ワイヤーから選択される1種又は2種以上の導電材料を含む膜厚500nm未満の第1層21と、第1層21より膜厚が厚く、金属を主成分とする第2層22と、を構成要素とすることを特徴とする。The present invention can reduce the visibility of the conductive thin wire, can reduce the resistance value, can improve the adhesion between the substrate and the conductive pattern, can suppress the fluctuation of the resistance value even when the substrate is bent, Further, a conductive pattern capable of imparting durability such as heat and humidity resistance, a substrate with a conductive pattern, a method for producing a substrate with a conductive pattern, a structure having a conductive pattern on the surface, and a method for producing the structure The pattern is composed of conductive thin wires 2 having a line width of less than 10 μm, and at least a part of the thin wires has a multilayer structure, and the multilayer structure is composed of conductive particles, conductive fillers, and conductive wires. A first layer 21 having a thickness of less than 500 nm containing one or more selected conductive materials, and a second layer 22 having a thickness greater than that of the first layer 21 and containing metal as a main component. It is characterized by.

Description

本発明は、導電性パターン、導電性パターン付き基材、導電性パターン付き基材の製造方法、表面に導電性パターンを有する構造体及び該構造体の製造方法に関し、より詳しくは、導電性パターンが線幅10μm未満の導電性細線からなる導電性パターン、導電性パターン付き基材、導電性パターン付き基材の製造方法、表面に導電性パターンを有する構造体及び該構造体の製造方法に関する。   The present invention relates to a conductive pattern, a substrate with a conductive pattern, a method for manufacturing a substrate with a conductive pattern, a structure having a conductive pattern on a surface, and a method for manufacturing the structure, and more particularly, a conductive pattern. The present invention relates to a conductive pattern composed of conductive thin wires having a line width of less than 10 μm, a substrate with a conductive pattern, a method for manufacturing a substrate with a conductive pattern, a structure having a conductive pattern on the surface, and a method for manufacturing the structure.

印刷法は、大面積化、連続生産(例えばロール・ツウ・ロール(Roll to Roll))に適しており、生産コストを大幅に下げられるメリットがあり、近年、これを電子部品などの製造に利用しようとする試みがなされている。   The printing method is suitable for large-area and continuous production (for example, roll-to-roll), and has the merit of greatly reducing the production cost. In recent years, it has been used for manufacturing electronic components. Attempts have been made to try.

特許文献1には、インクジェット装置を用いて金属微粒子インクにより回路パターンを描画し、次いで該基板を熱もしくは光線により処理して前記回路パターンに含まれる重合体または界面活性剤を分解揮散させて所望の膜厚の導体パターンとし、これを更にメッキ処理することを記載している。   In Patent Document 1, a circuit pattern is drawn with a metal fine particle ink using an inkjet apparatus, and then the substrate or the substrate is treated with heat or light to decompose and volatilize a polymer or a surfactant contained in the circuit pattern. It is described that a conductor pattern having a thickness of 5 mm is further plated.

また、特許文献2は、配線7μmのPd回路を形成し、これを加圧処理した後、銅メッキを施すことを記載している。   Patent Document 2 describes that a Pd circuit having a wiring of 7 μm is formed, subjected to pressure treatment, and then subjected to copper plating.

特開2002−134878号公報JP 2002-134878 A 特開2003−306792号公報JP 2003-306792 A

しかし、特許文献1、2の技術では、下記(1)〜(5)の要求を十分に満たすことができなかった。   However, the techniques disclosed in Patent Documents 1 and 2 cannot sufficiently satisfy the following requirements (1) to (5).

(1)導電性パターンを構成する導電性細線の視認性を低下すること。
例えば、導電性パターンが設けられた基材を、ディスプレイ用透明電極等として用いる際に、導電性細線の視認性を低下することが要求される。
(1) Decreasing the visibility of the conductive fine wires constituting the conductive pattern.
For example, when using a base material provided with a conductive pattern as a transparent electrode for a display or the like, it is required to reduce the visibility of the conductive thin wire.

(2)導電性細線の抵抗値を下げて導電性パターンの抵抗値を下げること。
視認性を低下させる等の観点から線幅10μm未満とされた導電性細線では、十分な導電性を発揮させるために、抵抗値を下げることが要求される。
(2) Lowering the resistance value of the conductive pattern by lowering the resistance value of the conductive thin wire.
In a conductive thin wire having a line width of less than 10 μm from the viewpoint of reducing visibility, a resistance value is required to be lowered in order to exhibit sufficient conductivity.

(3)基材と導電性パターンの接着性を向上させること。
例えばフレキシブルなディスプレイを実現する際において、導電性パターンを安定に保持するべく、基材と導電性パターンの接着性を向上させることが要求される。
(3) To improve the adhesion between the substrate and the conductive pattern.
For example, when realizing a flexible display, it is required to improve the adhesion between the substrate and the conductive pattern in order to stably hold the conductive pattern.

(4)導電性パターンの付いた基材を折り曲げた場合の抵抗値の変動を抑えてフレキシブル化すること。 (4) To make flexible by suppressing the fluctuation of the resistance value when the substrate with the conductive pattern is bent.

(5)熱湿耐性などの耐久性を与えること。 (5) To provide durability such as heat and humidity resistance.

そこで、本発明の課題は、導電性細線の視認性を低下でき、抵抗値を下げることができ、基材と導電性パターンの接着性を向上でき、基材の折り曲げ時においても抵抗値の変動を抑制でき、更に熱湿耐性などの耐久性を付与できる導電性パターン、導電性パターン付き基材、導電性パターン付き基材の製造方法、表面に導電性パターンを有する構造体及び該構造体の製造方法を提供することにある。   Therefore, the object of the present invention is to reduce the visibility of the conductive thin wires, to reduce the resistance value, to improve the adhesion between the substrate and the conductive pattern, and to change the resistance value even when the substrate is bent. Conductive pattern capable of suppressing heat resistance and further imparting durability such as heat and humidity resistance, a substrate with a conductive pattern, a method for producing a substrate with a conductive pattern, a structure having a conductive pattern on the surface, and a structure of the structure It is to provide a manufacturing method.

また本発明の他の課題は、以下の記載によって明らかとなる。   Other problems of the present invention will become apparent from the following description.

上記課題は、以下の各発明によって解決される。   The above problems are solved by the following inventions.

1.
線幅10μm未満の導電性細線からなるパターンであって、
前記細線の少なくとも一部は多層構造になっており、
該多層構造は、導電性粒子、導電性フィラー、導電性ワイヤーから選択される1種又は2種以上の導電材料を含む膜厚500nm未満の第1層と、前記第1層より膜厚が厚く、金属を主成分とする第2層と、を構成要素とする導電性パターン。
1.
It is a pattern composed of conductive thin wires having a line width of less than 10 μm,
At least a part of the thin wire has a multilayer structure,
The multilayer structure includes a first layer having a thickness of less than 500 nm containing one or more conductive materials selected from conductive particles, conductive fillers, and conductive wires, and a thickness greater than that of the first layer. A conductive pattern comprising a second layer containing metal as a main component.

2.
前記第1層と前記第2層の膜密度が異なる前記1記載の導電性パターン。
2.
2. The conductive pattern according to 1, wherein the first layer and the second layer have different film densities.

3.
前記導電性細線の表面は、算術平均粗さRaが、200nm以上2000nm未満である前記1又は2記載の導電性パターン。
3.
3. The conductive pattern according to 1 or 2, wherein the surface of the conductive thin wire has an arithmetic average roughness Ra of 200 nm or more and less than 2000 nm.

4.
前記第1層は、銀又は銅を主成分とし、前記第2層は、銅を主成分とする前記1〜3の何れかに記載の導電性パターン。
4).
4. The conductive pattern according to claim 1, wherein the first layer has silver or copper as a main component, and the second layer has copper as a main component.

5.
前記第2層の、前記第1層と反対側に更に第3層を有する前記1〜4の何れかに記載の導電性パターン。
5.
5. The conductive pattern according to any one of 1 to 4, further including a third layer on the opposite side of the second layer to the first layer.

6.
表面処理を行った基材上に、線幅10μm未満の導電性細線からなるパターンが設けられており、
前記細線の少なくとも一部は多層構造になっており、
該多層構造は、導電性粒子、導電性フィラー、導電性ワイヤーから選択される1種又は2種以上の導電材料を含む膜厚500nm未満の第1層と、前記第1層より膜厚が厚く、金属を主成分とする第2層と、を構成要素とする導電性パターン付き基材。
6).
On the base material subjected to the surface treatment, a pattern made of conductive thin wires having a line width of less than 10 μm is provided,
At least a part of the thin wire has a multilayer structure,
The multilayer structure includes a first layer having a thickness of less than 500 nm containing one or more conductive materials selected from conductive particles, conductive fillers, and conductive wires, and a thickness greater than that of the first layer. The base material with an electroconductive pattern which uses as a component the 2nd layer which has a metal as a main component.

7.
前記表面処理が前記基材の表面エネルギーを上げる処理である前記6記載の導電性パターン付き基材。
7).
7. The substrate with a conductive pattern according to 6, wherein the surface treatment is a treatment for increasing the surface energy of the substrate.

8.
前記表面処理が前記基材の表面に樹脂層を形成する処理である前記6又は7記載の導電性パターン付き基材。
8).
8. The substrate having a conductive pattern according to 6 or 7, wherein the surface treatment is a treatment for forming a resin layer on the surface of the substrate.

9.
両面に表面処理を行った前記基材の両面に、前記線幅10μm未満の導電性細線からなるパターンが設けられている前記6〜8の何れかに記載の導電性パターン付き基材。
9.
9. The substrate with a conductive pattern according to any one of 6 to 8, wherein a pattern composed of conductive thin wires having a line width of less than 10 μm is provided on both surfaces of the substrate subjected to surface treatment on both surfaces.

10.
前記6〜9の何れかに記載の導電性パターン付き基材の製造方法であって、
前記第1層の形成工程に印刷プロセスを含み、該印刷プロセスは、導電材料濃度が5%未満のインクを用いて線分を形成後、インクの乾燥プロセスを制御し、前記線分の線幅方向両端に導電材料を選択的に堆積させるプロセスを含む導電性パターン付き基材の製造方法。
10.
It is a manufacturing method of the base material with a conductive pattern in any one of said 6-9,
The forming process of the first layer includes a printing process, and the printing process forms a line segment using an ink having a conductive material concentration of less than 5%, and then controls the drying process of the ink, and the line width of the line segment The manufacturing method of the base material with a conductive pattern including the process of selectively depositing a conductive material on the direction both ends.

11.
前記インクの表面張力は、50mN/m未満であり、且つ該インクの前記基材に対する接触角は、10°〜50°の範囲である前記10記載の導電性パターン付き基材の製造方法。
11.
11. The method for producing a substrate with a conductive pattern as described in 10 above, wherein the surface tension of the ink is less than 50 mN / m, and the contact angle of the ink with respect to the substrate is in the range of 10 ° to 50 °.

12.
前記印刷プロセスにおける前記線分の形成にインクジェット法を用いる前記10又は11記載の導電性パターン付き基材の製造方法。
12
12. The method for producing a substrate with a conductive pattern according to 10 or 11, wherein an inkjet method is used for forming the line segment in the printing process.

13.
インクジェット法を用いて前記基材に対して複数の方向から複数回にわたり印刷して前記線分を形成する前記12記載の導電性パターン付き基材の製造方法。
13.
13. The method for producing a substrate with a conductive pattern according to 12 above, wherein the line segment is formed by printing a plurality of times from a plurality of directions on the substrate using an inkjet method.

14.
前記インクの乾燥プロセスとして、印字中の前記基材を乾燥するプロセス、印字後に加熱するプロセス、印字後に送風するプロセス、及び、印字後に光照射するプロセスから選択される1又は複数を組み合わせて用いる前記10〜13の何れかに記載の導電性パターン付き基材の製造方法。
14
As the ink drying process, one or more selected from a process of drying the substrate during printing, a process of heating after printing, a process of blowing air after printing, and a process of irradiating light after printing are used in combination. The manufacturing method of the base material with a conductive pattern in any one of 10-13.

15.
前記導電材料を選択的に堆積させるプロセスの後工程として、加熱処理、化学処理、光(照射)処理から選択される処理により低抵抗化を行う前記10〜14の何れかに記載の導電性パターン付き基材の製造方法。
15.
The conductive pattern according to any one of 10 to 14, wherein the resistance is reduced by a process selected from heat treatment, chemical treatment, and light (irradiation) treatment as a subsequent step of the process of selectively depositing the conductive material. A manufacturing method of a substrate with a mark.

16.
前記第2層の形成工程として、電気化学的プロセスを含む前記10〜15の何れかに記載の導電性パターン付き基材の製造方法。
16.
The method for producing a substrate with a conductive pattern according to any one of 10 to 15, which includes an electrochemical process as the step of forming the second layer.

17.
前記電気化学的プロセスが、無電解メッキ及び電解メッキの何れか一方又は両方の組み合わせである前記16記載の導電性パターン付き基材の製造方法。
17.
17. The method for producing a substrate with a conductive pattern according to 16, wherein the electrochemical process is one of electroless plating and electrolytic plating or a combination of both.

18.
前記第2層の上に第3層を形成する前記10〜17の何れかに記載の導電性パターン付き基材の製造方法。
18.
The method for producing a substrate with a conductive pattern according to any one of 10 to 17, wherein a third layer is formed on the second layer.

19.
前記導電性パターンの少なくとも一部と接触するように集電線を形成する前記10〜18の何れかに記載の導電性パターン付き基材の製造方法。
19.
19. The method for producing a substrate with a conductive pattern according to any one of 10 to 18, wherein a current collecting wire is formed so as to be in contact with at least a part of the conductive pattern.

20.
表面に導電性パターンを有する構造体であって、
前記導電性パターンが、
線幅10μm未満の導電性細線からなるパターンであって、
前記細線の少なくとも一部は多層構造になっており、
該多層構造は、導電性粒子、導電性フィラー、導電性ワイヤーから選択される1種又は2種以上の導電材料を含む膜厚500nm未満の第1層と、前記第1層より膜厚が厚く、金属を主成分とする第2層と、を構成要素とする構造体。
20.
A structure having a conductive pattern on the surface,
The conductive pattern is
It is a pattern composed of conductive thin wires having a line width of less than 10 μm,
At least a part of the thin wire has a multilayer structure,
The multilayer structure includes a first layer having a thickness of less than 500 nm containing one or more conductive materials selected from conductive particles, conductive fillers, and conductive wires, and a thickness greater than that of the first layer. The structure which has the 2nd layer which has a metal as a main component, and a component.

21.
前記20記載の構造体を製造する構造体の製造方法であって、
線幅10μm未満の導電性細線からなるパターンであって、
前記細線の少なくとも一部は多層構造になっており、
該多層構造は、導電性粒子、導電性フィラー、導電性ワイヤーから選択される1種又は2種以上の導電材料を含む膜厚500nm未満の第1層と、前記第1層より膜厚が厚く、金属を主成分とする第2層と、を構成要素とする導電性パターンが、表面処理された表面に設けられた導電性パターン付き基材を用い、
構造体表面に、前記導電性パターン付き基材を貼り合せるか、もしくは前記導電性パターン付き基材から導電性パターン部を転写して、表面に導電性パターンを有する構造体を製造する構造体の製造方法。
21.
A manufacturing method of a structure for manufacturing the structure according to the above 20,
It is a pattern composed of conductive thin wires having a line width of less than 10 μm,
At least a part of the thin wire has a multilayer structure,
The multilayer structure includes a first layer having a thickness of less than 500 nm containing one or more conductive materials selected from conductive particles, conductive fillers, and conductive wires, and a thickness greater than that of the first layer. Using a base material with a conductive pattern provided on the surface treated with a conductive pattern comprising a second layer containing a metal as a main component and a component,
A structure for manufacturing a structure having a conductive pattern on its surface by bonding the substrate with a conductive pattern to the structure surface or transferring a conductive pattern portion from the substrate with a conductive pattern. Production method.

第1態様に係る導電性パターンを構成する導電性細線の一例を示す断面図Sectional drawing which shows an example of the electroconductive thin wire which comprises the electroconductive pattern which concerns on a 1st aspect 第1層に対して第2層を設けることによる表面粗さの変化の一例を示す図The figure which shows an example of the change of the surface roughness by providing a 2nd layer with respect to a 1st layer 導電材料を含むインクからなる線分の線幅方向両端に導電材料を選択的に堆積させる原理を説明する図The figure explaining the principle which deposits a conductive material selectively in the line width direction both ends of the line segment which consists of ink containing a conductive material 第1層の形成過程の一例を説明する説明図Explanatory drawing explaining an example of the formation process of a 1st layer 第1層の形成過程の他の例を説明する説明図Explanatory drawing explaining the other example of the formation process of the 1st layer 第1層の形成過程の更なる他の例を説明する説明図Explanatory drawing explaining the further another example of the formation process of the 1st layer 集電線の形成例を示す図Diagram showing examples of current collector 第2態様に係る導電性パターンを構成する導電性細線の他の例を示す断面図Sectional drawing which shows the other example of the electroconductive thin wire which comprises the electroconductive pattern which concerns on a 2nd aspect. 両面に導電性パターンが形成された基材の一例を示す図The figure which shows an example of the base material in which the conductive pattern was formed in both surfaces 導電性パターン付き基材を製造するための製造装置の一例を示す説明図Explanatory drawing which shows an example of the manufacturing apparatus for manufacturing the base material with an electroconductive pattern 第1層形成ゾーンの基本構成を説明する概略平面図Schematic plan view explaining the basic configuration of the first layer formation zone 第1層形成ゾーンにおける第1層の形成過程の一例を説明する図The figure explaining an example of the formation process of the 1st layer in the 1st layer formation zone 導電性パターン付き基材を製造するための製造装置の他の例を示す説明図Explanatory drawing which shows the other example of the manufacturing apparatus for manufacturing the base material with a conductive pattern 導電性パターンが形成された構造体の一例を示す説明図Explanatory drawing which shows an example of the structure in which the electroconductive pattern was formed 導電性パターン付き基材を用いて構造体表面に導電性パターンを形成する方法の例を示す説明図Explanatory drawing which shows the example of the method of forming a conductive pattern in the structure surface using a base material with a conductive pattern 実施例を説明する図The figure explaining an Example 実施例を説明する図The figure explaining an Example 実施例の試験装置を説明する図The figure explaining the testing apparatus of an Example

以下に、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、第1態様に係る導電性パターンを構成する導電性細線の一例を示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a thin conductive wire constituting the conductive pattern according to the first embodiment.

図1において、1は、基材であり、2は、導電性パターンを構成する導電性細線である。   In FIG. 1, 1 is a base material, 2 is a conductive fine wire which comprises a conductive pattern.

導電性細線2の線幅は10μm未満とされている。   The line width of the conductive thin wire 2 is less than 10 μm.

導電性細線2は多層構造を有しており、図示の例においては、該多層構造の構成要素として、第1層21と、第2層22とを有している。   The conductive thin wire 2 has a multilayer structure, and in the example shown in the figure, a first layer 21 and a second layer 22 are included as components of the multilayer structure.

第1層21は、導電性粒子、導電性フィラー、導電性ワイヤーから選択される導電材料を含み、膜厚は500nm未満とされている。   The first layer 21 includes a conductive material selected from conductive particles, conductive fillers, and conductive wires, and has a thickness of less than 500 nm.

第2層22は、第1層21より膜厚が厚く、金属を主成分とする。   The second layer 22 is thicker than the first layer 21 and contains metal as a main component.

上記特定の多層構造を有する導電性細線からなる導電性パターンは、導電性細線の視認性を低下でき、抵抗値を下げることができ、基材と導電性パターンの接着性を向上でき、基材の折り曲げ時においても抵抗値の変動を抑制でき、更に熱湿耐性などの耐久性を付与できる効果を奏する。そのため、例えば、フレキシブルな基材上に設けられる透明電極膜等としての用途に好適な優れた特性を備えている。   The conductive pattern composed of the conductive thin wires having the specific multilayer structure can reduce the visibility of the conductive thin wires, can reduce the resistance value, can improve the adhesion between the substrate and the conductive pattern, It is possible to suppress fluctuations in the resistance value even during bending, and to provide durability such as resistance to heat and humidity. Therefore, for example, it has excellent characteristics suitable for use as a transparent electrode film or the like provided on a flexible substrate.

導電性細線2の線幅は、線幅10μm未満とされ、好ましくは3〜8μmの範囲とされることである。線幅が3〜8μmの範囲であれば、導電性細線2の断線をより好適に防止できると共に、視認性も好適に低下できる。線幅を3μm以上の範囲で、7μm未満、更には5μm未満とすることも好ましいことである。このような細い線幅を付与するための好ましい方法の例については後に詳述する。   The line width of the conductive thin wire 2 is set to be less than 10 μm, preferably 3 to 8 μm. When the line width is in the range of 3 to 8 μm, disconnection of the conductive thin wire 2 can be more suitably prevented, and visibility can also be suitably reduced. It is also preferable that the line width is in the range of 3 μm or more, less than 7 μm, and further less than 5 μm. An example of a preferable method for providing such a thin line width will be described in detail later.

導電性細線2の第1層21に含有される導電材料は、導電性粒子、導電性フィラー、導電性ワイヤーから選択される1種又は2種以上を組み合わせたものであればよく、格別限定されるものではないが、例えば、粒子径が100nm未満の金属ナノ粒子(例えば、銀ナノ粒子、銅ナノ粒子など)や、銀粉、銅粉などの導電性フィラー、あるいは、銀ナノワイヤー、銅ナノワイヤーなどの導電性ナノワイヤー等を好ましく例示することができる。また、導電性炭素材料(例えば、グラファイト、カーボンナノチューブ、グラフェン等)を用いることも可能である。   The conductive material contained in the first layer 21 of the conductive thin wire 2 may be any combination of one or more selected from conductive particles, conductive fillers, and conductive wires, and is particularly limited. Although not intended, for example, metal nanoparticles having a particle diameter of less than 100 nm (for example, silver nanoparticles, copper nanoparticles, etc.), conductive fillers such as silver powder and copper powder, or silver nanowires and copper nanowires Preferred examples thereof include conductive nanowires. In addition, a conductive carbon material (eg, graphite, carbon nanotube, graphene, or the like) can be used.

第1層21は、銀、銅を主成分とすることが特に好ましく、逆にパラジウムや白金は別途還元工程が必要になる等、工程数を増加させるので好ましくない。   The first layer 21 is particularly preferably composed mainly of silver and copper. Conversely, palladium and platinum are not preferable because the number of steps is increased, for example, a separate reduction step is required.

第1層21の膜厚は、500nm未満であれば格別限定されないが、30nm〜300nmの範囲であることがより好ましい。   Although the film thickness of the 1st layer 21 will not be specifically limited if it is less than 500 nm, It is more preferable that it is the range of 30 nm-300 nm.

導電性細線2の第2層22に主成分として含有される金属は、格別限定されるものではないが、銀、銅、ニッケル等から選ばれる1種又は2種以上の組み合わせを好ましく例示できる。特に、第2層は銅を主成分とすることが好ましい。   Although the metal contained as a main component in the 2nd layer 22 of the electroconductive thin wire 2 is not specifically limited, The 1 type, or 2 or more types of combination chosen from silver, copper, nickel, etc. can be illustrated preferably. In particular, the second layer is preferably composed mainly of copper.

第2層22の膜厚は、第1層の膜厚よりも厚いものであれば格別限定されないが、600nm〜5μmの範囲であることが好ましい。なお、第2層22の膜厚は、第1層の表面から測定される厚みである。   Although the film thickness of the 2nd layer 22 will not be specifically limited if it is thicker than the film thickness of a 1st layer, It is preferable that it is the range of 600 nm-5 micrometers. The film thickness of the second layer 22 is a thickness measured from the surface of the first layer.

第1層21と第2層22の膜厚比率は、第2層22の膜厚が、第1層21の膜厚の5倍以上であることが好ましく、10倍以上であることがより好ましい。   Regarding the film thickness ratio between the first layer 21 and the second layer 22, the film thickness of the second layer 22 is preferably 5 times or more, more preferably 10 times or more of the film thickness of the first layer 21. .

第1層21の膜密度と、第2層22の膜密度は、互いに異なることが好ましい。   The film density of the first layer 21 and the film density of the second layer 22 are preferably different from each other.

特に、第1層21の膜密度よりも、第2層22の膜密度の方が高いことが好ましく、このとき、膜密度差が、1g/cm以上であることが特に好ましい。In particular, the film density of the second layer 22 is preferably higher than the film density of the first layer 21. At this time, the film density difference is particularly preferably 1 g / cm 3 or more.

例えば、第1層21の膜密度を、5g/cm〜8g/cmの範囲とし、第2層22の膜密度を6g/cm〜9g/cmの範囲とすることが好ましい。これらの範囲内で、上記の膜密度差が形成されていることが最も好ましい。For example, the film density of the first layer 21, in the range of 5g / cm 3 ~8g / cm 3 , it is preferable that the film density of the second layer 22 in the range of 6g / cm 3 ~9g / cm 3 . It is most preferable that the above film density difference is formed within these ranges.

膜密度は、X線反射率法を用いることで測定することができる。   The film density can be measured by using an X-ray reflectivity method.

導電性パターンを構成する導電性細線2の表面は、表面粗さが大きいことが好ましく、例えば算術平均粗さRaでは、200nm以上2000nm未満であることが好ましく、300nm〜1200nmの範囲であることがより好ましい。算術平均粗さRaは、高輝度非接触3次元表面形状粗さ計WYKO NT9100を用いて測定できる。これにより、導電性細線2の視認性を更に低下できる効果が得られる。   The surface of the conductive thin wire 2 constituting the conductive pattern preferably has a large surface roughness. For example, the arithmetic average roughness Ra is preferably 200 nm or more and less than 2000 nm, and may be in the range of 300 nm to 1200 nm. More preferred. The arithmetic average roughness Ra can be measured using a high-intensity non-contact three-dimensional surface shape roughness meter WYKO NT9100. Thereby, the effect which can further reduce the visibility of the electroconductive thin wire 2 is acquired.

例えば、第1層21の表面粗さに対して、第2層22形成後の表面粗さが大きくなることが、導電性細線2の視認性を更に低下する観点で好ましい。   For example, it is preferable that the surface roughness after forming the second layer 22 is larger than the surface roughness of the first layer 21 from the viewpoint of further reducing the visibility of the conductive thin wire 2.

図2は、第1層21に対して第2層22を設けることによる表面粗さの変化の一例を示す図である。図2(a)は、まだ第2層が設けられていない第1層21表面の電子顕微鏡写真であり、図2(b)は、第1層21に対して第2層22を設けた後の導電性細線2表面の電子顕微鏡写真である。   FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a change in surface roughness caused by providing the second layer 22 with respect to the first layer 21. 2A is an electron micrograph of the surface of the first layer 21 where the second layer is not yet provided. FIG. 2B is a diagram after the second layer 22 is provided on the first layer 21. FIG. 2 is an electron micrograph of the surface of the conductive thin wire 2 of FIG.

図示されるように、第1層21に対して第2層22を設けることで、表面に凹凸が形成され、表面粗さを大きくすることができる。   As shown in the figure, by providing the second layer 22 with respect to the first layer 21, irregularities are formed on the surface, and the surface roughness can be increased.

基材1は、格別限定されず、プラスチック、ガラス、金属(例えば、銅、ニッケル、アルミ、鉄等、あるいは合金)、セラミック等を単独又は貼り合せて用いることができる。特に、フレキシブル化等の観点からプラスチックが好ましく、中でも、ポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル、ポリエステル、ポリアミド等が好適である。特に、ポリエチレンテレフタレート(別称PET)、ポリブチレンテレフタレート(別称PBT)等のポリプロピレンが好適である。   The substrate 1 is not particularly limited, and plastic, glass, metal (for example, copper, nickel, aluminum, iron, etc., or an alloy), ceramic, or the like can be used alone or in combination. In particular, plastics are preferable from the viewpoint of flexibility, and among them, polyethylene, polypropylene, acrylic, polyester, polyamide, and the like are preferable. In particular, polypropylene such as polyethylene terephthalate (also referred to as PET) and polybutylene terephthalate (also referred to as PBT) is suitable.

基材1の導電性細線2が形成される表面は、平滑であても粗面であってもよい。   The surface of the substrate 1 on which the conductive thin wires 2 are formed may be smooth or rough.

粗面の場合、最大高さRyが、5mm未満であることが好ましく、0.3mm〜2mmの範囲であることがより好ましい。最大高さRyは、高輝度非接触3次元表面形状粗さ計WYKO NT9100を用いて測定できる。   In the case of a rough surface, the maximum height Ry is preferably less than 5 mm, and more preferably in the range of 0.3 mm to 2 mm. The maximum height Ry can be measured using a high-intensity non-contact three-dimensional surface shape roughness meter WYKO NT9100.

粗面の具体的な表面状態は、格別限定されないが、特に、規則的に周期をもって凹凸が繰り返している形状、円錐状ピラー構造が連続している形状など、光学的に特定波長に対して反射、吸収を制御している機能性を有する粗面基材を用いることが好ましい。このような基材上に、本発明の導電性パターンを形成すると、導電機能と光学機能を併せ持つことができ好ましい。   The specific surface state of the rough surface is not particularly limited, but in particular, it is optically reflective to a specific wavelength, such as a shape in which irregularities are regularly repeated with a period and a shape in which conical pillar structures are continuous. It is preferable to use a rough surface base material having a function of controlling absorption. When the conductive pattern of the present invention is formed on such a substrate, it is preferable because it can have both a conductive function and an optical function.

基材1は、あらかじめ表面処理されていることが好ましい。表面処理としては、例えば、溶剤洗浄、界面活性剤水溶液洗浄、UVオゾン洗浄、プラズマ処理、樹脂層形成等を好ましく例示できる。   The substrate 1 is preferably surface-treated in advance. Preferred examples of the surface treatment include solvent cleaning, surfactant aqueous solution cleaning, UV ozone cleaning, plasma processing, and resin layer formation.

表面処理として樹脂層形成を行う場合は、ヒドロキシル基、カルボキシル基またはその塩、スルホン酸基またはその塩、ポリオキシエチレン基などが置換された樹脂が好ましく、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂などを好ましく用いることができる。   When the resin layer is formed as the surface treatment, a resin substituted with a hydroxyl group, a carboxyl group or a salt thereof, a sulfonic acid group or a salt thereof, a polyoxyethylene group, or the like is preferable. An acrylic resin, a polyester resin, a polyamide resin, a polyurethane Resins and the like can be preferably used.

樹脂の重量平均分子量は、5000以上50万以下であることが好ましい。また、樹脂は、架橋構造を有しても良い。   The weight average molecular weight of the resin is preferably 5000 or more and 500,000 or less. The resin may have a cross-linked structure.

樹脂層の厚みは、50nmから5μmの範囲が好ましい。   The thickness of the resin layer is preferably in the range of 50 nm to 5 μm.

樹脂層を形成する方法は、格別限定されないが、印刷法、インクジェット法、ディップ法等により形成することが好ましい。   The method for forming the resin layer is not particularly limited, but is preferably formed by a printing method, an inkjet method, a dip method, or the like.

表面処理は、基材1の表面エネルギーを上げる処理であることが好ましい。表面処理により、基材1の表面エネルギーを5mN/m以上大きくすることが好ましい。   The surface treatment is preferably a treatment for increasing the surface energy of the substrate 1. It is preferable to increase the surface energy of the substrate 1 by 5 mN / m or more by surface treatment.

また、表面処理の結果として、基材1の表面エネルギーを50mN/m以上とすることが好ましい。特に、基材1の表面エネルギーを、50mN/m以上且つ70mN/m未満の範囲に設定することが好ましい。   As a result of the surface treatment, the surface energy of the substrate 1 is preferably 50 mN / m or more. In particular, the surface energy of the substrate 1 is preferably set in a range of 50 mN / m or more and less than 70 mN / m.

表面処理は、基材1全体に行ってもよいし、導電性細線が形成される領域を含む部分について部分的に行ってもよい。   The surface treatment may be performed on the entire substrate 1 or may be partially performed on a portion including a region where the conductive thin wire is formed.

また、例えば、基材1に形成された導電性パターン部を、後述するように構造体などに転写して用いるような場合には、基材1と導電性パターン部との間に適度な剥離性(以下、易剥離性ともいう。)を付与することも好ましく、その際は、基材1に易剥離性を付与する処理として、シリコーン樹脂層を設け、その上層に本発明の表面処理として樹脂層などを設けることが好ましい。この場合のシリコーン樹脂層は、膜厚10nm〜10μmの範囲が好ましく、溶剤型、無溶剤型、エマルジョン型等のシリコーン樹脂を用いることができる。   Further, for example, when the conductive pattern portion formed on the base material 1 is transferred to a structure or the like as will be described later, an appropriate peeling is provided between the base material 1 and the conductive pattern portion. It is also preferable to impart a property (hereinafter also referred to as “easy peelability”). In this case, as a treatment for imparting easy peelability to the substrate 1, a silicone resin layer is provided, and the upper layer is treated as the surface treatment of the present invention. It is preferable to provide a resin layer or the like. In this case, the silicone resin layer preferably has a thickness of 10 nm to 10 μm, and a silicone resin such as a solvent type, a solventless type, or an emulsion type can be used.

次に、以上に説明した導電性パターンが基材1上に設けられた導電性パターン付き基材を製造するための製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method for manufacturing the base material with an electroconductive pattern provided with the electroconductive pattern demonstrated above on the base material 1 is demonstrated.

基材1には、あらかじめ上述した表面処理を施すことができる。   The substrate 1 can be subjected to the surface treatment described above in advance.

基材1上に第1層21を形成する際には、例えば印刷プロセスを用いることが好ましい。印刷プロセスは、基材1上に導電材料をインクとして付与するものであれば格別限定されない。   When forming the 1st layer 21 on the base material 1, it is preferable to use a printing process, for example. The printing process is not particularly limited as long as the conductive material is applied on the substrate 1 as ink.

特に好ましい態様として、印刷プロセスは、導電材料濃度が5%未満のインクを用いて線分を形成後、インクの乾燥プロセスを制御し、線分の線幅方向両端に導電材料を選択的に堆積させるプロセスを含むことが好ましく、この点について、以下に詳しく説明する。   As a particularly preferable aspect, the printing process forms a line segment using an ink having a conductive material concentration of less than 5%, and then controls the drying process of the ink to selectively deposit the conductive material on both ends in the line width direction of the line segment. It is preferable to include the process to make this process, and this point is demonstrated in detail below.

図3は、導電材料を含むインクからなる線分の線幅方向両端に導電材料を選択的に堆積させる原理を説明する図である。   FIG. 3 is a diagram for explaining the principle of selectively depositing a conductive material on both ends in the line width direction of a line segment made of ink containing a conductive material.

基材1上で、導電材料を含む液体からなる線分(以下、ライン状液体という場合がある。)20が乾燥する過程においては、ライン状液体20の中央部と比べ縁部において乾燥速度が速くなる傾向がある(図3(a))ため、ライン状液体20の縁部に、導電材料の局所的な堆積が促進される(図3(b))。これによりライン状液体20の接触線(縁部)の固定化が起こり、それ以降の乾燥に伴うライン状液体20の基材面方向の収縮が抑制される。この効果により、ライン状液体20中の液体は、縁部で乾燥により失った分の液体を補う様に中央部から縁部に向かう対流を形成する(図3(c))。この対流により、ライン状液体20中の導電材料が線幅方向両端に運ばれ、更なる堆積が促進される。このようにして堆積された導電材料によって、第1層21が形成される(図3(d))。   In the process of drying a line segment (hereinafter sometimes referred to as a line-like liquid) 20 made of a liquid containing a conductive material on the substrate 1, the drying speed is higher at the edge than at the center of the line-like liquid 20. Since it tends to be faster (FIG. 3A), local deposition of the conductive material is promoted at the edge of the line-shaped liquid 20 (FIG. 3B). Thereby, fixation of the contact line (edge part) of the line-shaped liquid 20 occurs, and shrinkage of the line-shaped liquid 20 in the substrate surface direction accompanying subsequent drying is suppressed. Due to this effect, the liquid in the line-shaped liquid 20 forms convection from the center to the edge so as to compensate for the liquid lost by drying at the edge (FIG. 3C). By this convection, the conductive material in the line-shaped liquid 20 is carried to both ends in the line width direction, and further deposition is promoted. The first layer 21 is formed by the conductive material thus deposited (FIG. 3D).

導電材料の選択的堆積により生成された第1層21は、はじめの線分よりも大幅に線幅を細くできるため、導電性パターンの細線化をより好適に実現できる。   Since the first layer 21 generated by the selective deposition of the conductive material can be made thinner than the first line segment, the conductive pattern can be made thinner.

印刷プロセスに用いるインクは、導電材料濃度が5%未満であり、1%未満であることが好ましい。   The ink used in the printing process has a conductive material concentration of less than 5% and preferably less than 1%.

インクは、導電材料の溶媒乃至分散媒として、水や、有機溶剤等の1種又は2種以上を組み合わせて用いることができるが、水を含有する水性インクであることが好ましい。また、インクに界面活性剤を含有させることも好ましいことである。   The ink can be used as a solvent or a dispersion medium of the conductive material, and one or two or more of water, an organic solvent, and the like can be used in combination, but an aqueous ink containing water is preferable. It is also preferable to include a surfactant in the ink.

有機溶剤は、格別限定されないが、例えば、1,2−ヘキサンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、プロピレングリコールなどのアルコール類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルなどのエーテル類等を例示できる。   The organic solvent is not particularly limited. For example, alcohols such as 1,2-hexanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, propylene glycol, Examples include ethers such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, and dipropylene glycol monoethyl ether.

界面活性剤としては、格別限定されないが、シリコン系界面活性剤等を用いることができる。シリコン系界面活性剤とはジメチルポリシロキ酸の側鎖または末端をポリエーテル変性したものであり、例えば、信越化学工業製のKF−351A、KF−642やビッグケミー製のBYK347、BYK348などが市販されている。   The surfactant is not particularly limited, but a silicon surfactant or the like can be used. Silicon-based surfactants are those in which the side chain or terminal of dimethylpolysiloxy acid is polyether-modified. For example, KF-351A and KF-642 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ing.

インクの表面張力は、50mN/m未満であることが好ましく、40mN/m未満であることがより好ましい。また、インクの基材1に対する接触角は10°〜50°であることが好ましい。表面張力は、溶剤、界面活性剤等により制御できる。接触角の調整にも同様の制御が可能であるが、基材1の表面エネルギー設定によって行うことも可能である。   The surface tension of the ink is preferably less than 50 mN / m, and more preferably less than 40 mN / m. Further, the contact angle of the ink with respect to the substrate 1 is preferably 10 ° to 50 °. The surface tension can be controlled by a solvent, a surfactant or the like. The same control can be performed for the adjustment of the contact angle, but it can also be performed by setting the surface energy of the substrate 1.

インクを用いて基材1上に線分を形成する際には、特にインクジェット法を好ましく用いることができる。インクジェットヘッドのインク液滴吐出機構は、サーマル方式、ピエゾ方式、コンティニュアス方式等を好ましく例示できる。インクジェット法によりインクジェットヘッドの1ノズルから1回の液滴吐出で吐出される液滴量は、好ましくは1pl〜200plの範囲、より好ましくは1pl〜100plの範囲である。   When a line segment is formed on the substrate 1 using ink, an ink jet method can be particularly preferably used. As the ink droplet discharge mechanism of the ink jet head, a thermal method, a piezo method, a continuous method, or the like can be preferably exemplified. The amount of droplets ejected by one droplet ejection from one nozzle of the inkjet head by the inkjet method is preferably in the range of 1 pl to 200 pl, more preferably in the range of 1 pl to 100 pl.

インクジェット法を用いる場合においては、基材1に対して複数の方向から複数回にわたり印刷することも好ましいことである。この態様について、図4、図5及び図6の各例を参照して説明する。   In the case of using the inkjet method, it is also preferable to print the substrate 1 multiple times from a plurality of directions. This aspect will be described with reference to the examples of FIGS. 4, 5, and 6.

図4は、第1層21の形成過程の一例を説明する説明図である。   FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining an example of the formation process of the first layer 21.

図4(a)に示すように、まず、基材1の長手方向に沿ってインクジェットヘッドを複数回走査して、該長手方向に沿うストライプ状の第1層を形成し、次いで、この形成領域に対して、更に、図4(b)に示すように、基材1の短手方向に沿ってインクジェットヘッドを複数回走査して、該短手方向に沿うストライプ状の第1層を形成する。このようにして、長手方向のストライプと短手方向のストライプとが交差した格子状の第1層を形成することができる。   As shown in FIG. 4A, first, the inkjet head is scanned a plurality of times along the longitudinal direction of the substrate 1 to form a striped first layer along the longitudinal direction. On the other hand, as shown in FIG. 4B, the inkjet head is scanned a plurality of times along the short direction of the substrate 1 to form a stripe-shaped first layer along the short direction. . In this manner, a lattice-shaped first layer in which the stripes in the longitudinal direction intersect with the stripes in the short direction can be formed.

図5は、第1層21の形成過程の他の例を説明する説明図である。   FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining another example of the formation process of the first layer 21.

図5(a)に示すように、まず、基材1の長手方向から所定の角度(ここでは45°)で傾いた方向沿ってインクジェットヘッドを複数回走査して、該方向に沿うストライプ状の第1層を形成し、次いで、この形成領域に対して、更に、図5(b)に示すように、基材1の長手方向から別の所定の角度(ここでは−45°)で傾いた方向に沿ってインクジェットヘッドを複数回走査して、該方向に沿うストライプ状の第1層を形成する。このようにして、基材1の長手方向から傾いた斜め線による格子状の第1層を形成することができる。   As shown in FIG. 5A, first, the inkjet head is scanned a plurality of times along a direction inclined at a predetermined angle (45 ° in this case) from the longitudinal direction of the base material 1 to form a stripe shape along the direction. The first layer is formed, and then the formation region is further inclined at another predetermined angle (here, −45 °) from the longitudinal direction of the substrate 1 as shown in FIG. 5B. The inkjet head is scanned a plurality of times along the direction to form a striped first layer along the direction. In this way, a grid-like first layer can be formed by oblique lines inclined from the longitudinal direction of the substrate 1.

図6は、第1層21の形成過程の更なる他の例を説明する説明図である。   FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining still another example of the formation process of the first layer 21.

この例では、図4の例と同様に、基材1の長手方向に沿ってインクジェットヘッドを複数回走査して第1層を形成し(図6(a))、更に、短手方向に沿ってインクジェットヘッドを複数回走査して第1層を形成する(図6(b))ものであるが、インクジェットヘッドからのインクの射出制御により、波状の線による格子状の第1層を形成している。   In this example, as in the example of FIG. 4, the inkjet head is scanned a plurality of times along the longitudinal direction of the substrate 1 to form the first layer (FIG. 6A), and further along the short direction. The ink jet head is scanned a plurality of times to form the first layer (FIG. 6B). By controlling the ejection of ink from the ink jet head, a grid-like first layer is formed by wavy lines. ing.

例えば、導電性パターンが形成された基材1を、他の部材と重ねてデバイスを形成する場合などにおいては、導電性パターンと、他の部材に設けられたパターンとの間で干渉縞が生じることがあるが、例えば、図5の例のように、パターンを基材の長手方向(あるいは短手方向)から傾斜させたり、図6の例のように、パターンを構成する線を波線化させたりすることで、干渉縞の発生を好適に防止できる効果を得ることができる。   For example, in the case where the substrate 1 on which the conductive pattern is formed is overlapped with another member to form a device, interference fringes are generated between the conductive pattern and the pattern provided on the other member. However, for example, as in the example of FIG. 5, the pattern is inclined from the longitudinal direction (or short direction) of the substrate, or the lines constituting the pattern are made wavy as in the example of FIG. By doing so, it is possible to obtain the effect of suitably preventing the generation of interference fringes.

基材1上に付与されたインクの乾燥プロセスは、格別限定されるものではないが、例えば、印字中の基材1を乾燥するプロセス、印字後に加熱するプロセス、印字後に送風するプロセス、及び、印字後に光照射するプロセスから選択される1又は複数を組み合わせて用いることが好ましい。   The drying process of the ink applied on the substrate 1 is not particularly limited. For example, the process of drying the substrate 1 during printing, the process of heating after printing, the process of blowing air after printing, and It is preferable to use a combination of one or more selected from the processes of light irradiation after printing.

特に、印字中の基材1を乾燥することが好ましく、例えば、基材1の温度が40℃〜80℃となるように加熱することが好ましい。印字後に加熱するプロセスを実行する場合にも、かかる温度範囲で基材1を加熱することが好ましい。   In particular, it is preferable to dry the substrate 1 during printing. For example, it is preferable to heat the substrate 1 so that the temperature of the substrate 1 is 40 ° C to 80 ° C. Even when the process of heating after printing is performed, it is preferable to heat the substrate 1 in such a temperature range.

印字後の乾燥プロセスは、印字直後に実行されることが好ましい。   The drying process after printing is preferably performed immediately after printing.

光照射に用いられる光は、インクの乾燥を促進できるものであれば格別限定されないが、赤外線等を好ましく例示できる。   The light used for the light irradiation is not particularly limited as long as it can accelerate the drying of the ink, but an infrared ray or the like can be preferably exemplified.

導電材料を選択的に堆積させるプロセスの後処理として、第1層21の低抵抗化処理を施すことも好ましいことである。第1層21に対して、例えば、加熱処理、ケミカル処理、光照射処理から選択される処理を施すことで、低抵抗化を図ることができる。   It is also preferable to subject the first layer 21 to a resistance reduction treatment as a post-treatment for the process of selectively depositing a conductive material. For example, the resistance of the first layer 21 can be reduced by performing a process selected from a heat process, a chemical process, and a light irradiation process.

加熱処理の温度は、格別限定されるものではないが、80℃〜300℃の範囲の温度を適用できる。基材1がフィルムである場合は、80℃〜180℃の範囲の温度を適用することが好ましい。   Although the temperature of heat processing is not specifically limited, The temperature of the range of 80 to 300 degreeC is applicable. When the substrate 1 is a film, it is preferable to apply a temperature in the range of 80 ° C to 180 ° C.

ケミカル処理としては、例えば、導電材料中の有機物等を除去する処理などを好ましく例示でき、酸性あるいは塩基性の洗浄水溶液で洗浄する方法、溶剤もしくは溶剤水溶液で洗浄する方法などを用いることができる。   As the chemical treatment, for example, a treatment for removing an organic substance or the like in the conductive material can be preferably exemplified, and a method of washing with an acidic or basic washing aqueous solution, a method of washing with a solvent or a solvent aqueous solution, and the like can be used.

光照射処理には、例えば、フラッシュシンタリング、IR照射を用いることができる。   For the light irradiation treatment, for example, flash sintering or IR irradiation can be used.

第1層21に対して、以上に説明した処理の1又は複数を組み合わせた低抵抗化処理を施すことができる。   The first layer 21 can be subjected to a resistance reduction process in which one or more of the processes described above are combined.

このような低抵抗化処理は、印字中に行ってもよい。例えばインクジェット法で複数回のスキャンでパターンを完成する場合、その途中段階で1回、または複数回に分けて低抵抗化処理を途中に入れてもよい。特に、上述したように基材に対して複数の方向から複数回にわたり印刷する場合、途中に低抵抗化処理を入れることは好ましい。   Such resistance reduction processing may be performed during printing. For example, when a pattern is completed by a plurality of scans by the ink jet method, the resistance reduction process may be performed in the middle of the process once, or divided into a plurality of times. In particular, as described above, when printing a plurality of times from a plurality of directions on the base material, it is preferable to perform a resistance reduction process in the middle.

第2層22を形成する際には、電気化学的プロセスを用いることが好ましい。電気化学的プロセスとしては、無電解メッキ法及び電解メッキ法の何れか又は両方を組み合わせて用いることが好ましい。   In forming the second layer 22, it is preferable to use an electrochemical process. As an electrochemical process, it is preferable to use either or both of an electroless plating method and an electrolytic plating method.

電解メッキ法とは、メッキとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、電導性のある物体上に、電解によって金属を析出させる方法のことをいう。ここでは、電導性のある物体として、第1層21を利用して、第2層を形成することができる。   The electrolytic plating method refers to a method of depositing a metal by electrolysis on a conductive object using a solution in which metal ions to be deposited as a plating are dissolved. Here, the second layer can be formed using the first layer 21 as the conductive object.

無電解メッキ法とは、メッキとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、触媒上に、化学反応によって金属を析出させる方法のことをいう。ここでは、触媒として第1層21を利用して、第2層を形成することができる。   The electroless plating method refers to a method in which a metal is deposited on a catalyst by a chemical reaction using a solution in which metal ions to be deposited as a plating are dissolved. Here, the second layer can be formed using the first layer 21 as a catalyst.

導電性パターンの少なくとも一部に接続されるように集電線(以下、取り出し電極又は引き出し配線という場合がある。)が形成されていることも好ましいことである。   It is also preferable that a current collector (hereinafter sometimes referred to as an extraction electrode or an extraction wiring) is formed so as to be connected to at least a part of the conductive pattern.

図7は、集電線の形成例を示す図である。   FIG. 7 is a diagram illustrating an example of forming a current collecting line.

この例では、基板1上に、4つの導電性パターン200が設けられている。   In this example, four conductive patterns 200 are provided on the substrate 1.

集電線3は、各々の導電性パターン200を取り囲むように基板1上に設けられ、当該導電性パターン200を構成する導電性細線2の一部と接続されている。   The current collector 3 is provided on the substrate 1 so as to surround each conductive pattern 200, and is connected to a part of the conductive thin wire 2 constituting the conductive pattern 200.

集電線3は、更に配線4に接続されており、該配線4は、基板1の端部まで延設されている。   The current collecting wire 3 is further connected to the wiring 4, and the wiring 4 extends to the end of the substrate 1.

集電線3の線幅は、導電性パターン200を構成する導電性細線2の線幅よりも太く、好ましくは15μm以上、より好ましくは50μm以上、最も好ましくは100μm以上とすることができる。線幅の上限は、格別限定されないが、5mm未満であることが好ましい。集電線3において、導電性パターン200を構成する導電性細線2に直接結合する部分の線幅は、15μm以上100μm未満であることが好ましい。   The line width of the current collector 3 is larger than the line width of the conductive thin wires 2 constituting the conductive pattern 200, preferably 15 μm or more, more preferably 50 μm or more, and most preferably 100 μm or more. The upper limit of the line width is not particularly limited, but is preferably less than 5 mm. In the current collector 3, the line width of the portion directly coupled to the conductive fine wire 2 constituting the conductive pattern 200 is preferably 15 μm or more and less than 100 μm.

上記の例では、集電線3が、全体として方形状を呈する導電性パターン200の4辺に沿って設けられる例を示したが、例えば、対向する2辺に沿って設けたり、あるいは1辺に沿って設けたりすることも好ましいことである。また、必ずしも辺に沿って設けられる必要はなく、少なくとも、導電性パターン200を構成する導電性細線2の一部と接続されていればよい。   In the above example, the example in which the current collecting line 3 is provided along the four sides of the conductive pattern 200 having a rectangular shape as a whole has been shown. For example, the current collecting line 3 is provided along two opposing sides, or on one side. It is also preferable to provide it along. Further, it is not necessarily provided along the side, and it is only necessary to be connected to at least a part of the conductive thin wire 2 constituting the conductive pattern 200.

導電性細線2の第2層22を、電気化学的プロセスにより形成する際には、集電線3を、第2層22を形成する前に、第1層21の少なくとも一部に接続されるように形成しておくことが好ましい。このとき、集電線3は、第1層21の形成前に形成されても、第1層21の形成後に形成されてもよい。集電線3を介して、第1層21に安定に通電できるようになるため、電気化学的プロセス、特に電解メッキによる第2層22の形成を安定に行えるようになる。   When the second layer 22 of the conductive thin wire 2 is formed by an electrochemical process, the current collector 3 is connected to at least a part of the first layer 21 before the second layer 22 is formed. It is preferable to form them in the same manner. At this time, the current collector 3 may be formed before the formation of the first layer 21 or may be formed after the formation of the first layer 21. Since the first layer 21 can be stably energized via the current collector 3, the second layer 22 can be stably formed by an electrochemical process, particularly by electrolytic plating.

また、集電線3は、できあがりの製品においても、導電性パターン200への安定な通電を確保することができる。   In addition, the current collector 3 can ensure stable energization of the conductive pattern 200 even in the finished product.

図8は、第2態様に係る導電性パターンを構成する導電性細線の他の例を示す断面図である。   FIG. 8 is a cross-sectional view showing another example of the conductive fine wire constituting the conductive pattern according to the second embodiment.

第2態様においては、導電性細線2は、その少なくとも一部を構成する多層構造の構成要素として、上述した第1層21、第2層22に加えて、第2層22の、第1層21と反対側に更に第3層23を有する。   In the second aspect, the conductive thin wire 2 is a first layer of the second layer 22 in addition to the first layer 21 and the second layer 22 described above as a component of a multilayer structure constituting at least a part thereof. A third layer 23 is further provided on the side opposite to the side 21.

第3層23の材質は、格別限定されるものではないが、第3層23を、導電性パターンを保護するための保護層として機能させる観点では、Ni,Crなどの耐腐食性金属もしくは有機膜により構成することが好ましい。   The material of the third layer 23 is not particularly limited, but in terms of causing the third layer 23 to function as a protective layer for protecting the conductive pattern, a corrosion-resistant metal such as Ni or Cr, or an organic material. It is preferable to configure with a film.

第2態様に係る導電性パターンを製造する際において、導電性細線2の第1層21及び第2層22の形成は、第1態様に係る導電性パターンの製造方法として説明された方法を用いることができ、第2層22の上に第3層23を形成することによって、第2態様に係る導電性パターンを製造することができる。   In manufacturing the conductive pattern according to the second aspect, the first layer 21 and the second layer 22 of the conductive thin wire 2 are formed using the method described as the method for manufacturing the conductive pattern according to the first aspect. The conductive pattern according to the second mode can be manufactured by forming the third layer 23 on the second layer 22.

第3層23を形成する方法は、格別限定されるものではないが、電気化学的プロセスを用いることが好ましい。   The method for forming the third layer 23 is not particularly limited, but it is preferable to use an electrochemical process.

第3層23が耐腐食性金属などの金属により構成される場合は、電気化学的プロセスとして、無電解メッキ法及び電解メッキ法の何れか又は両方を組み合わせて用いることが好ましい。   When the third layer 23 is made of a metal such as a corrosion-resistant metal, it is preferable to use either or both of an electroless plating method and an electrolytic plating method as an electrochemical process.

また、第3層が有機膜などにより構成される場合は、電着法、電解重合法等から選ばれる方法を用いることが好ましい。このとき、電極として第1層21、第2層22を利用して、第3層23を形成することができる。   When the third layer is composed of an organic film or the like, it is preferable to use a method selected from an electrodeposition method, an electrolytic polymerization method, and the like. At this time, the third layer 23 can be formed using the first layer 21 and the second layer 22 as electrodes.

以上の説明では、基材1の1面に導電性パターンが形成された例を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。   In the above description, an example in which a conductive pattern is formed on one surface of the substrate 1 has been shown, but the present invention is not limited to this.

基材1の両面に、以上に説明した導電性パターンが形成されていることも好ましいことである。   It is also preferable that the conductive pattern described above is formed on both surfaces of the substrate 1.

基材1の両面は、それぞれ、導電性パターンの形成に先駆けて、あらかじめ上述した表面処理が施されていることが好ましい。表面処理は、基材1の表面と裏面とで、同一の表面処理を施してもよいし、異なる表面処理を施してもよい。   Both surfaces of the substrate 1 are preferably subjected to the surface treatment described above in advance prior to the formation of the conductive pattern. For the surface treatment, the same surface treatment may be applied to the front surface and the back surface of the substrate 1, or different surface treatments may be applied.

基材1の表面と裏面とにそれぞれ設けられる導電性パターンは、同一でも異なってもよい。また、表面と裏面とで、導電性細線2の第1層21、第2層22の構成は同一でも異なっていてもよい。第2態様に係る導電性パターンであれば、第3層23の構成についても表面と裏面とで同一でも異なっていてもよい。一方の面に第1態様に係る導電性パターンが形成され、他方の面に第2態様に係る導電性パターンが形成されていてもよい。   The conductive patterns provided on the front surface and the back surface of the substrate 1 may be the same or different. Moreover, the structure of the 1st layer 21 of the electroconductive thin wire | line 2 and the 2nd layer 22 may be the same or different by the surface and a back surface. As long as the conductive pattern according to the second aspect, the configuration of the third layer 23 may be the same or different between the front surface and the back surface. The conductive pattern according to the first aspect may be formed on one surface, and the conductive pattern according to the second aspect may be formed on the other surface.

図9は、両面に導電性パターンが形成された基材1の一例を示す図であり、図9(a)は表面、図9(b)は裏面を平面視している。   FIG. 9 is a diagram illustrating an example of the base material 1 on both surfaces of which a conductive pattern is formed. FIG. 9A is a plan view of the front surface and FIG. 9B is a plan view of the back surface.

図9(a)に示すように、基材1の表面には、複数の導電性パターン200が設けられている。これら導電性パターン200は、基材1の長手方向から傾いた斜め線からなる導電性細線2による格子状パターンである。   As shown in FIG. 9A, a plurality of conductive patterns 200 are provided on the surface of the substrate 1. These conductive patterns 200 are lattice-like patterns formed by the conductive thin wires 2 formed by oblique lines inclined from the longitudinal direction of the substrate 1.

表面に設けられたこれら導電性パターン200は、全体として方形状(短冊状)を呈しており、長辺が基材1の短手方向に沿って配されている。   These conductive patterns 200 provided on the surface have a rectangular shape (strip shape) as a whole, and their long sides are arranged along the short direction of the substrate 1.

また、これら導電性パターン200には、該導電性パターン200を4辺で取り囲むように集電線3が設けられている。   In addition, a current collecting line 3 is provided on these conductive patterns 200 so as to surround the conductive pattern 200 with four sides.

一方、図9(b)に示すように、基材1の裏面には、複数の導電性パターン200が設けられている。これら導電性パターン200は、基材1の長手方向から傾いた斜め線からなる導電性細線2による格子状パターンである。   On the other hand, as shown in FIG. 9B, a plurality of conductive patterns 200 are provided on the back surface of the substrate 1. These conductive patterns 200 are lattice-like patterns formed by the conductive thin wires 2 formed by oblique lines inclined from the longitudinal direction of the substrate 1.

裏面に設けられたこれら導電性パターン200は、全体として方形状(短冊状)を呈しており、長辺が基材1の長手方向に沿って配されている。   These conductive patterns 200 provided on the back surface have a rectangular shape (strip shape) as a whole, and their long sides are arranged along the longitudinal direction of the substrate 1.

また、これら導電性パターン200には、該導電性パターン200を4辺で取り囲むように集電線3が設けられている。   In addition, a current collecting line 3 is provided on these conductive patterns 200 so as to surround the conductive pattern 200 with four sides.

表面に設けられ、基材1の短手方向に延びる短冊状の導電性パターン200と、裏面に設けられ、基材1の長手方向に延びる短冊状の導電性パターン200は、基材1を挟んで立体的に交差しており、格子状に配置されている。このようなパターンは、例えばフィルムからなる基材1枚に、静電容量式タッチセンサーにおけるX,Yパターンとして好適に用いることができる。表面の導電性パターン200と、裏面の導電性パターン200のうち、一方をXパターンとし、他方をYパターンとすることができる。   The strip-shaped conductive pattern 200 provided on the front surface and extending in the short direction of the base material 1 and the strip-shaped conductive pattern 200 provided on the back surface and extending in the longitudinal direction of the base material 1 sandwich the base material 1. Are three-dimensionally crossed and arranged in a grid pattern. Such a pattern can be suitably used as an X and Y pattern in a capacitive touch sensor, for example, on a single substrate made of a film. One of the conductive pattern 200 on the front surface and the conductive pattern 200 on the back surface can be an X pattern and the other can be a Y pattern.

次に、導電性パターン付き基材を製造するための製造装置の例を挙げて、本発明について更に詳しく説明する。   Next, the present invention will be described in more detail with reference to an example of a production apparatus for producing a substrate with a conductive pattern.

図10は、導電性パターン付き基材を製造するための製造装置の一例を示す説明図である。   FIG. 10 is an explanatory diagram illustrating an example of a manufacturing apparatus for manufacturing a substrate with a conductive pattern.

図示の製造装置は、roll to roll方式により、基材上に導電性パターンを形成するように構成されている。   The illustrated manufacturing apparatus is configured to form a conductive pattern on a substrate by a roll to roll method.

5は、基材が巻回された巻回体であり、6は、第1層形成ゾーンであり、7は、支持ローラーであり、8は、乾燥ゾーンであり、9は、低抵抗化ゾーンであり、10は、第2層形成ゾーンであり、11は、第3層形成ゾーンであり、12は、パターンが形成された基材が巻回される巻回体である。   5 is a wound body in which the substrate is wound, 6 is a first layer forming zone, 7 is a support roller, 8 is a drying zone, and 9 is a low resistance zone. 10 is a second layer forming zone, 11 is a third layer forming zone, and 12 is a wound body on which a substrate on which a pattern is formed is wound.

巻回体5から繰り出される帯状の基材1が、巻回体12に巻き取られるまでの搬送過程において、基材1上に導電性パターンが形成されるようにしている。以下の説明では、巻回体5から巻回体12に向かう方向を搬送方向という場合がある。   A conductive pattern is formed on the base material 1 in the conveying process until the belt-like base material 1 fed out from the wound body 5 is wound around the wound body 12. In the following description, the direction from the wound body 5 toward the wound body 12 may be referred to as a conveyance direction.

巻回体5から繰り出される帯状の基材1は、第1層21を形成するための第1層形成ゾーン6に搬送される。   The strip-shaped base material 1 fed out from the wound body 5 is conveyed to the first layer forming zone 6 for forming the first layer 21.

図11は、第1層形成ゾーン6の基本構成を説明する概略平面図である。   FIG. 11 is a schematic plan view illustrating the basic configuration of the first layer formation zone 6.

図11に示すように、この例では、第1層形成ゾーン6には、第1層21を形成するためのヘッドアレイ61と共に、引き出し配線3を描画するためのインクジェットヘッド62も併設されている。ヘッドアレイ61は、複数のインクジェットヘッドをアレイ状に配置して構成することができる。   As shown in FIG. 11, in this example, the first layer formation zone 6 is also provided with an ink jet head 62 for drawing the lead-out wiring 3 together with a head array 61 for forming the first layer 21. . The head array 61 can be configured by arranging a plurality of inkjet heads in an array.

第1層形成ゾーン6では、まず、引き出し配線描画用のインクジェットヘッド62により、基材1上に、引き出し配線3を形成する。   In the first layer formation zone 6, first, the lead-out wiring 3 is formed on the substrate 1 by the ink-jet head 62 for drawing the lead-out wiring.

引き出し配線3が形成された基材1の領域は、乾燥ゾーン8まで搬送され、ここで乾燥処理される。   The region of the substrate 1 on which the lead wiring 3 is formed is transported to the drying zone 8 where it is dried.

その後、基材1の当該領域は、巻回体5に向かう方向に一定量逆搬送され、再び第1層形成ゾーン6に供される。   Then, the said area | region of the base material 1 is reversely conveyed by a fixed amount in the direction which goes to the wound body 5, and is provided to the 1st layer formation zone 6 again.

そして、第1層形成ゾーン6に設けられた第1層21を形成するためのヘッドアレイ61により、基材1上に第1層21が形成される。   Then, the first layer 21 is formed on the substrate 1 by the head array 61 for forming the first layer 21 provided in the first layer forming zone 6.

図12は、第1層形成ゾーン6における第1層21の形成過程の一例を説明する図である。   FIG. 12 is a diagram for explaining an example of the formation process of the first layer 21 in the first layer formation zone 6.

図12(a)に示すように、形成過程における第1の印字工程では、搬送方向に基材1を搬送しながら、ヘッドアレイ61を搬送方向と直交する方向(図中右に向かう方向)に走査する。このように、基材1と、ヘッドアレイ61とを同時に移動させることにより、基材1に対してヘッドアレイ61を斜め方向に相対移動させることができる。この相対移動の過程において、ヘッドアレイ61から基材1上に、導電材料を含むインクを射出することで、基材1の搬送方向に対して所定の角度で傾斜した線分を描画することができる。例えば、基材1の搬送速度と、ヘッドアレイ61の走査速度を同じにすることで、45°で傾斜した線分を描画することができる。傾斜角は、ヘッドアレイ61の走査速度、及び又は、基材1の搬送速度を調整することで、任意の値とすることができる。   As shown in FIG. 12A, in the first printing process in the forming process, the head array 61 is moved in the direction orthogonal to the transport direction (the direction toward the right in the figure) while transporting the substrate 1 in the transport direction. Scan. Thus, by simultaneously moving the base material 1 and the head array 61, the head array 61 can be moved relative to the base material 1 in an oblique direction. In the process of this relative movement, by ejecting ink containing a conductive material from the head array 61 onto the substrate 1, a line segment inclined at a predetermined angle with respect to the transport direction of the substrate 1 can be drawn. it can. For example, by making the conveyance speed of the substrate 1 and the scanning speed of the head array 61 the same, a line segment inclined at 45 ° can be drawn. The inclination angle can be set to an arbitrary value by adjusting the scanning speed of the head array 61 and / or the conveyance speed of the substrate 1.

次いで、線分が形成された基材1の領域は、乾燥ゾーン8まで搬送され、ここで乾燥処理される。この乾燥プロセスを制御することで、線分の線幅方向両端に導電材料を選択的に堆積させることができる。   Subsequently, the area | region of the base material 1 in which the line segment was formed is conveyed to the drying zone 8, and is dried here. By controlling this drying process, the conductive material can be selectively deposited at both ends of the line width direction.

その後、基材1の当該領域は、巻回体5に向かう方向に一定量逆搬送され、第1層形成ゾーン6における第2の印字工程に供される。   Then, the said area | region of the base material 1 is reversely conveyed by the fixed amount in the direction which goes to the wound body 5, and is provided to the 2nd printing process in the 1st layer formation zone 6. FIG.

図12(b)に示すように、第2の印字工程では、搬送方向に基材1を搬送しながら、ヘッドアレイ61を、搬送方向と直交する方向であって、第1の印字工程での走査方向とは逆の方向(図中左に向かう方向)に走査する。この相対移動の過程において、ヘッドアレイ61から基材1上に、導電材料を含むインクを射出することで、基材1の搬送方向に対して第1の印字工程とは逆方向に所定の角度で傾斜した線分を描画することができる。例えば、基材1の搬送速度と、ヘッドアレイ61の走査速度を同じにすることで、−45°で傾斜した線分を描画することができる。このようにすれば、図示するように、第1の印字工程で形成された線分(傾斜角45°)と、第2の印字工程で形成された線分(傾斜角−45°)とを直角に交わらせることも可能である。   As shown in FIG. 12B, in the second printing process, the head array 61 is moved in the direction perpendicular to the conveying direction while conveying the base material 1 in the conveying direction, and in the first printing process. Scan in the direction opposite to the scanning direction (the direction toward the left in the figure). In the process of this relative movement, by ejecting ink containing a conductive material from the head array 61 onto the substrate 1, a predetermined angle in the direction opposite to the first printing step with respect to the conveyance direction of the substrate 1 is obtained. It is possible to draw a line segment inclined by. For example, by making the conveyance speed of the substrate 1 and the scanning speed of the head array 61 the same, a line segment inclined at −45 ° can be drawn. In this way, as shown in the drawing, the line segment formed in the first printing process (inclination angle 45 °) and the line segment formed in the second printing process (inclination angle −45 °) are combined. It is also possible to cross at right angles.

次いで、線分が形成された基材1の領域は、乾燥ゾーン8まで搬送され、ここで乾燥処理される。この乾燥プロセスを制御することで、第2の印字工程で形成された線分についても、線分の線幅方向両端に導電材料を選択的に堆積させることができる。   Subsequently, the area | region of the base material 1 in which the line segment was formed is conveyed to the drying zone 8, and is dried here. By controlling this drying process, the conductive material can be selectively deposited at both ends of the line width direction of the line segment formed in the second printing step.

このようにして、斜め線からなる格子状の第1層21を形成することができる。   In this way, the lattice-like first layer 21 made of diagonal lines can be formed.

第1層21が形成された基材1の領域は、低抵抗化ゾーン9に搬送される。   The region of the base material 1 on which the first layer 21 is formed is transported to the low resistance zone 9.

この例では、低抵抗化ゾーン9には、オーブンが設けられており、基材1を該オーブンで加熱することにより、第1層21の低抵抗化処理が施される。   In this example, the low resistance zone 9 is provided with an oven, and the resistance reduction treatment of the first layer 21 is performed by heating the base material 1 with the oven.

低抵抗化処理が施された基材1の領域は、第2層形成ゾーン10に搬送される。   The area | region of the base material 1 in which the resistance reduction process was performed is conveyed to the 2nd layer formation zone 10. FIG.

この例では、第2層形成ゾーン10には、第2層22を形成するための電解メッキ装置が設けられている。   In this example, the second layer forming zone 10 is provided with an electrolytic plating apparatus for forming the second layer 22.

電解メッキ装置は、例えば、基材1を、複数の搬送ロールに架け渡して搬送系を形成し、これら搬送ロールのうちの1又は2以上を外部電極として、メッキ槽内のメッキ液(メッキ浴、電解液などともいう)中に浸漬するように構成されている。メッキ液中には対極が設けられる。   The electrolytic plating apparatus forms, for example, a base material 1 across a plurality of transport rolls to form a transport system, and one or two or more of these transport rolls are used as external electrodes in a plating solution (plating bath). , Also referred to as an electrolytic solution). A counter electrode is provided in the plating solution.

電解メッキ装置により、外部電極から引き出し配線3を介して第1層21に給電し、メッキ液中で電解メッキを行って、第2層22を形成することができる。   The second layer 22 can be formed by supplying power from the external electrode to the first layer 21 through the lead-out wiring 3 and performing electrolytic plating in a plating solution by an electrolytic plating apparatus.

第2層形成ゾーン10には、電解メッキ終了後の基材1の領域を、水等の洗浄液により洗浄する洗浄機や、洗浄液を乾燥する乾燥機などを設けることが好ましい。   The second layer forming zone 10 is preferably provided with a washing machine for washing the region of the base material 1 after electrolytic plating with a washing liquid such as water, a drying machine for drying the washing liquid, and the like.

この例では、第2層22が形成された基材1の領域は、更に、第3層形成ゾーン11に搬送される。   In this example, the region of the base material 1 on which the second layer 22 is formed is further conveyed to the third layer forming zone 11.

第3層形成ゾーン11には、第3層23を形成するための電解メッキ装置が設けられている。かかる電解メッキ装置の基本構成には、第2層形成ゾーン10で説明した構成を援用することができる。   The third layer forming zone 11 is provided with an electrolytic plating apparatus for forming the third layer 23. The configuration described in the second layer formation zone 10 can be used for the basic configuration of the electrolytic plating apparatus.

第3層形成ゾーン11にも、電解メッキ終了後の基材1の領域を、水等の洗浄液により洗浄する洗浄機や、洗浄液を乾燥する乾燥機などを設けることが好ましい。   The third layer forming zone 11 is also preferably provided with a washing machine for washing the region of the substrate 1 after the electrolytic plating with a washing liquid such as water, a drying machine for drying the washing liquid, and the like.

以上のようにして、基材1上に、導電性パターンを形成することができる。導電性パターンが形成された基材1の領域は、順次、巻回体12に巻き取られるように構成することができる。   As described above, a conductive pattern can be formed on the substrate 1. The area | region of the base material 1 in which the electroconductive pattern was formed can be comprised so that the winding body 12 may be wound up sequentially.

図13は、導電性パターン付き基材を製造するための製造装置の他の例を示す説明図である。図中、図10と同一符号は、同一構成とすることができ、図10でした説明を援用することができる。   FIG. 13 is an explanatory view showing another example of a production apparatus for producing a substrate with a conductive pattern. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 10 can have the same configuration, and the description of FIG. 10 can be used.

この例に示す製造装置は、基材の両面に導電性パターンを形成するために好適に用いることができる。   The manufacturing apparatus shown in this example can be suitably used for forming a conductive pattern on both surfaces of a base material.

まず、上流側ラインAにおいて、巻回体13から繰り出される帯状の基材1の一面(表面)上には、図10の例と同様に、第1層形成ゾーン6、乾燥ゾーン8での処理により、第1層21が形成される。   First, in the upstream line A, on the one surface (surface) of the belt-like base material 1 drawn out from the wound body 13, the treatment in the first layer forming zone 6 and the drying zone 8 is performed as in the example of FIG. 10. Thus, the first layer 21 is formed.

一面(表面)上に第1層21が形成された基材1は、巻回体14に巻き取られる。   The base material 1 on which the first layer 21 is formed on one surface (front surface) is wound around the wound body 14.

巻き取りが終わったところで、巻回体14を、巻回体13に置き換えると共に、表裏面が逆となるようにセットして、再び、第1層形成ゾーン6、乾燥ゾーン8での処理によって、今度は基材1の他面(裏面)上に、第1層21を形成する。   When the winding is finished, the wound body 14 is replaced with the wound body 13 and set so that the front and back surfaces are reversed, and again by the processing in the first layer forming zone 6 and the drying zone 8, This time, the first layer 21 is formed on the other surface (back surface) of the substrate 1.

このようにして、基材1の両面に第1層21が形成された基材1を、巻回体14に巻き取っていく。   In this way, the base material 1 having the first layer 21 formed on both surfaces of the base material 1 is wound around the wound body 14.

次いで、巻回体14は、巻回体15として、下流側ラインBにセットされる。   Next, the wound body 14 is set as the wound body 15 in the downstream line B.

下流側ラインBでは、巻回体15から繰り出される帯状の基材1に対して、図10の例と同様に、低抵抗化ゾーン9、第2層形成ゾーン10及び第3層形成ゾーン11での処理により、第1層の低抵抗化、第2層22の形成及び第3層23の形成が行われ、その後、各処理が終わった基材1は、巻回体16に巻き取られる。   In the downstream side line B, as in the example of FIG. 10, the low resistance zone 9, the second layer forming zone 10, and the third layer forming zone 11 are applied to the belt-like base material 1 drawn out from the wound body 15. Through the process, the resistance of the first layer is reduced, the second layer 22 is formed, and the third layer 23 is formed. Thereafter, the substrate 1 after each process is wound around the wound body 16.

下流ラインBでの各処理は、それぞれ、基材1の両面に対して同時に適用し易いため、下流ラインBにおけるroll to rollを一回のパスで終えるように構成することが容易である。   Since each process in the downstream line B is easy to apply to both surfaces of the substrate 1 at the same time, it is easy to configure the roll to roll in the downstream line B to be finished in one pass.

以上に説明した導電性パターンが形成される対象物は、2次元シート状の基材に限定されず、3次元構造体(単に構造体という場合がある。)にも好ましく適用できる。   The object on which the conductive pattern described above is formed is not limited to a two-dimensional sheet-like substrate, and can be preferably applied to a three-dimensional structure (sometimes simply referred to as a structure).

構造体とは、2次元シート状以外の対象物を指し、直方体状、球状、円柱状、角柱状、それらの組み合わせ、カーブ(曲面)を有するもの等、3次元形状を含むものであれば格別限定されない。   A structure refers to an object other than a two-dimensional sheet, and is special if it includes a three-dimensional shape, such as a rectangular parallelepiped shape, a spherical shape, a cylindrical shape, a prism shape, a combination thereof, or a curve (curved surface). It is not limited.

図14は、導電性パターンが形成された構造体の一例を示す説明図である。   FIG. 14 is an explanatory diagram illustrating an example of a structure in which a conductive pattern is formed.

図示の例では、構造体100の曲面上に、導電性パターン200が形成されている。   In the illustrated example, the conductive pattern 200 is formed on the curved surface of the structure 100.

構造体100の材質は、格別限定されないが、プラスチック、金属、セラミック、石材、パルプ、木材から形成されたもの、ゴム、それらの複合材料などを好ましく例示できる。   The material of the structure 100 is not particularly limited, but plastics, metals, ceramics, stones, pulp, those formed from wood, rubber, composite materials thereof, and the like can be preferably exemplified.

導電性パターン200は、かかる構造体100表面の全体もしくは一部に設けることができる。   The conductive pattern 200 can be provided on the entire surface of the structure 100 or a part thereof.

構造体100の表面には、導電性パターンが形成される特定の部位に、該特定の部位が判別できるように画像情報(不図示)が表示されていてもよい。構造体表面の画像情報は、その上に導電性パターンが形成されたときに、該導電性パターンを介して視認できるように設けることができる。画像情報としては、格別限定されるものではないが、文字、記号、着色パターン等を好ましく例示できる。これらの画像情報は、例えば、スイッチ、キーボード、タッチパネル、センサー等の用途において、位置検出等の機能をガイドすることができる。画像情報は、常に表示されている必要はなく、例えば特定の条件下で表示可能に構成されていてもよい。   On the surface of the structure 100, image information (not shown) may be displayed at a specific portion where the conductive pattern is formed so that the specific portion can be identified. Image information on the surface of the structure can be provided so as to be visible through the conductive pattern when the conductive pattern is formed thereon. The image information is not particularly limited, but preferable examples include characters, symbols, and coloring patterns. These pieces of image information can guide functions such as position detection in applications such as switches, keyboards, touch panels, and sensors. The image information need not always be displayed, and may be configured to be displayed under specific conditions, for example.

導電性パターン200を備えた構造体100を製造する方法は、格別限定されず、構造体100の表面に直接導電性パターンを形成してもよいが、好ましい方法の一例として、導電性パターンが形成された基材(導電性パターン付き基材)を用いて製造する方法を例示できる。   The method of manufacturing the structure 100 including the conductive pattern 200 is not particularly limited, and the conductive pattern may be directly formed on the surface of the structure 100. However, as an example of a preferable method, the conductive pattern is formed. An example of the method of manufacturing using the prepared base material (base material with conductive pattern) can be given.

例えば、導電性パターン付き基材を構造体100表面に貼り合せる方法、もしくは、導電性パターン付き基材から構造体100表面に導電性パターン200の部分を転写する方法を用いて、表面に導電性パターン200を有する構造体100を製造することが好ましい。   For example, using a method in which a substrate with a conductive pattern is bonded to the surface of the structure 100 or a method in which a portion of the conductive pattern 200 is transferred from the substrate with a conductive pattern to the surface of the structure 100, the surface is electrically conductive. It is preferable to manufacture the structure 100 having the pattern 200.

図15は、導電性パターン付き基材を用いて構造体100表面に導電性パターン200を形成する方法の例を示す説明図である。   FIG. 15 is an explanatory diagram illustrating an example of a method for forming the conductive pattern 200 on the surface of the structure 100 using a substrate with a conductive pattern.

図15(a)の例では、接着層17を介して、導電性パターン200が形成された基材1を、導電性パターン200側が構造体100側に配向されるようにして、構造体100に貼り合せている。18は、基材1上に設けられた樹脂層であり、導電性パターン200は、基材1上において、樹脂層18の表面に形成されている。このように、導電性パターン付き基材を構造体100表面に貼り合せて、構造体100表面に導電性パターン200を形成することができる。   In the example of FIG. 15A, the base material 1 on which the conductive pattern 200 is formed is bonded to the structure body 100 through the adhesive layer 17 so that the conductive pattern 200 side is oriented to the structure body 100 side. They are pasted together. Reference numeral 18 denotes a resin layer provided on the substrate 1, and the conductive pattern 200 is formed on the surface of the resin layer 18 on the substrate 1. As described above, the conductive pattern 200 can be formed on the surface of the structure 100 by bonding the substrate with the conductive pattern to the surface of the structure 100.

また、図15(b)の例のように、図15(a)の例に示した導電性パターン200から基材1を剥離する工程を更に備えることで、構造体100の表面に、導電性パターン200を転写することができる。この場合、例えば、基材1と樹脂層18との間に、あらかじめ、剥離を容易にするための易剥離処理を施しておくことにより、基材1と樹脂層18の界面で容易に剥離させることができる。   Further, as in the example of FIG. 15B, by further providing a step of peeling the base material 1 from the conductive pattern 200 shown in the example of FIG. The pattern 200 can be transferred. In this case, for example, an easy peeling process for facilitating peeling is performed in advance between the base material 1 and the resin layer 18 so that the base material 1 and the resin layer 18 are easily peeled off. be able to.

本発明の導電性パターンの用途は、格別限定されないが、透明導電膜等として好適に用いることができる。   Although the use of the conductive pattern of the present invention is not particularly limited, it can be suitably used as a transparent conductive film or the like.

本発明の導電性パターン付き基材及び構造体の用途は、格別限定されないが、種々の電子機器が備える種々のデバイスに用いることができる。本発明の効果を顕著に奏する観点で、例えば、液晶・プラズマ・有機エレクトロルミネッセンス・フィールドエミッション等、各種方式のディスプレイ用透明電極として、あるいは、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子等に用いられる透明電極として好適に用いることができる。   The use of the substrate with a conductive pattern and the structure of the present invention is not particularly limited, but can be used for various devices included in various electronic apparatuses. From the viewpoint of prominently achieving the effects of the present invention, for example, as a transparent electrode for various types of displays such as liquid crystal, plasma, organic electroluminescence, field emission, etc., or as a touch panel, a mobile phone, electronic paper, various solar cells, various electro It can be suitably used as a transparent electrode used in a luminescence light control element or the like.

より具体的には、本発明に係る導電性パターン付き基材及び構造体は、デバイスの透明電極として好適に用いられる。デバイスとしては、格別限定されるものではないが、例えば、タッチパネルセンサー等を好ましく例示できる。また、これらデバイスを備えた電子機器としては、格別限定されるものではないが、例えばスマートフォン、タブレット端末等を好ましく例示できる。   More specifically, the substrate with a conductive pattern and the structure according to the present invention are suitably used as a transparent electrode of a device. Although it does not specifically limit as a device, For example, a touch panel sensor etc. can be illustrated preferably. Moreover, although it does not specifically limit as an electronic device provided with these devices, For example, a smart phone, a tablet terminal, etc. can be illustrated preferably.

以下に、本発明の実施例について説明するが、本発明はかかる実施例により限定されない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

<基材の調製>
基材として下記基材1〜4を用意した。なお、基材1及び2には表面処理が施されておらず、基材3及び4には表面処理が施されている。
・基材1:市販の光学用途低熱収縮処理済みPETフィルム(厚さ120μm)であって、表面エネルギーは50mN/mである。
・基材2:基材1とは異なる市販の光学用途低熱収縮処理済みPETフィルム(厚さ120μm)であって、表面エネルギーは42mN/mである。
・基材3:基材1を表面処理し、表面エネルギーを60mN/mに調整したものである。
・基材4:基材2を表面処理し、表面エネルギーを60mN/mに調整したものである。
<Preparation of substrate>
The following base materials 1 to 4 were prepared as base materials. The base materials 1 and 2 are not subjected to surface treatment, and the base materials 3 and 4 are subjected to surface treatment.
-Substrate 1: Commercially available low thermal shrinkage PET film (thickness 120 μm) for optical use, and surface energy is 50 mN / m.
Substrate 2: A commercially available low heat shrinkage PET film (thickness 120 μm) different from the substrate 1 and having a surface energy of 42 mN / m.
-Base material 3: The base material 1 is surface-treated and the surface energy is adjusted to 60 mN / m.
-Base material 4: The base material 2 is surface-treated and the surface energy is adjusted to 60 mN / m.

<インクの調製>
・インク1(銀ナノ粒子含有インク1)
銀ナノ粒子分散物(バンドー化学製 SW1000)を固形分(銀ナノ粒子)として0.2wt%分、ジエチレングリコールモノブチルエーテル20wt%、残部をイオン交換水で100wt%に仕上げ、これを1μmフィルターでろ過した。
得られた透過液をインク1とした。導電性粒子である銀ナノ粒子の濃度は、上記ろ過前後で実質的に変化せず、インク1において0.2wt%であった。インク1の粘度は2.0mPa・sであり、表面張力は29mN/mであった。
<Preparation of ink>
Ink 1 (silver nanoparticle-containing ink 1)
The silver nanoparticle dispersion (Bandow Chemical SW1000) is 0.2 wt% as a solid (silver nanoparticle), 20 wt% diethylene glycol monobutyl ether, and the rest is 100 wt% with ion-exchanged water, and this is filtered through a 1 μm filter. .
The obtained permeate was designated as ink 1. The concentration of the silver nanoparticles as conductive particles did not substantially change before and after the filtration, and was 0.2 wt% in ink 1. The viscosity of the ink 1 was 2.0 mPa · s, and the surface tension was 29 mN / m.

・インク2(銀ナノ粒子含有インク2)
銀ナノ粒子分散物(バンドー化学製 SW1000)を固形分(銀ナノ粒子)として0.2wt%分、1,3−ブタンジオール25wt%、界面活性剤(ビックケミー社製「BYK348」)0.5wt%残部をイオン交換水で100wt%に仕上げ、これを1μmフィルターでろ過した。
得られた透過液をインク2とした。導電性粒子である銀ナノ粒子の濃度は、上記ろ過前後で実質的被変化せず、インク2において0.2wt%であった。インク2の粘度は3.5mPa・sであり、表面張力は31mN/mであった。
Ink 2 (silver nanoparticle-containing ink 2)
Silver nanoparticle dispersion (Bundo Chemical SW1000) as a solid (silver nanoparticles), 0.2 wt%, 1,3-butanediol 25 wt%, surfactant (BYK348 "BYK348") 0.5 wt% The remainder was made up to 100 wt% with ion-exchanged water and filtered through a 1 μm filter.
The obtained permeate was designated as ink 2. The concentration of silver nanoparticles as conductive particles did not substantially change before and after the filtration, and was 0.2 wt% in ink 2. The viscosity of the ink 2 was 3.5 mPa · s, and the surface tension was 31 mN / m.

・インク3(銅ナノ粒子含有インク)
銅ナノ粒子分散物を固形分(銅ナノ粒子)として0.2wt%分、エチレングリコール30wt%、界面活性剤(ビックケミー社製「BYK348」)0.5wt%、残部をイオン交換水で100wt%に仕上げ、これを1μmフィルターでろ過した。
得られた透過液をインク3とした。導電性粒子である銅ナノ粒子の濃度は、上記ろ過前後で実質的に変化せず、インク3において0.2wt%であった。インク3の粘度は4.0mPa・sであり、表面張力は32mN/mであった。
・ Ink 3 (ink containing copper nanoparticles)
Copper nanoparticle dispersion as solid content (copper nanoparticle) 0.2 wt%, ethylene glycol 30 wt%, surfactant ("BYK348" manufactured by Big Chemie) 0.5 wt%, the balance to 100 wt% with ion-exchanged water Finished and filtered through a 1 μm filter.
The obtained permeate was designated as Ink 3. The concentration of copper nanoparticles as conductive particles did not substantially change before and after the filtration, and was 0.2 wt% in ink 3. The viscosity of the ink 3 was 4.0 mPa · s, and the surface tension was 32 mN / m.

・インク4(銀粉含有インク)
平均粒子径0.5μmの銀粉0.1wt%分、エチレングリコール30wt%、界面活性剤(ビックケミー社製「BYK348」)0.5wt%、残部をイオン交換水で100wt%に仕上げ、これを1μmフィルターでろ過した。
得られた透過液をインク4とした。導電性粒子である銀粉粒子の濃度は、上記ろ過前後で実質的に変化せず、インク4において0.1wt%であった。インク4の粘度は4.0mPa・sであり、表面張力は32mN/mであった。
Ink 4 (ink containing silver powder)
Silver powder with an average particle size of 0.5 μm, 0.1 wt%, ethylene glycol 30 wt%, surfactant (“BYK348” manufactured by BYK Chemie) 0.5 wt%, and the balance is ion-exchanged water to 100 wt%, and this is a 1 μm filter. And filtered.
The obtained permeate was designated as Ink 4. The concentration of silver powder particles as conductive particles did not substantially change before and after the filtration, and was 0.1 wt% in ink 4. The viscosity of the ink 4 was 4.0 mPa · s, and the surface tension was 32 mN / m.

・引き出し配線用銀ナノインク
銀ナノ粒子分散物(バンドー化学製 SW1000)を固形分(銀ナノ粒子)として15wt%分、プロピレングリコール20%、残部をイオン交換水で100wt%に仕上げ、これを1μmフィルターでろ過し、得られた透過液を引き出し配線用銀ナノインクとした。
・ Silver nano ink for lead-out wiring Silver nano particle dispersion (SW1000 manufactured by Bando Chemical Co., Ltd.) as solid content (silver nano particles), 15 wt%, propylene glycol 20%, and the rest to 100 wt% with ion-exchanged water, 1 μm filter The obtained permeate was filtered to obtain a silver nano ink for wiring.

(試料No.1)
図10に示した装置を用い、幅300mmのロール状基材に対して、下記のようにして導電性パターンを作成した。
(Sample No. 1)
Using the apparatus shown in FIG. 10, a conductive pattern was prepared as follows on a roll-shaped substrate having a width of 300 mm.

<集電線(引き出し配線)の形成>
まず、第1層形成ゾーン6に併設されている引き出し配線用インクジェットヘッドを用いて、引き出し配線用銀ナノインクを用いて引き出し配線を描画した。
<Formation of current collector (drawer wiring)>
First, the lead-out wiring was drawn using the lead-out wiring silver nano ink using the lead-out wiring inkjet head provided in the first layer forming zone 6.

基材上に付与されたインクを、乾燥ゾーン8において、70℃の送風乾燥を5分間行って乾燥した。   The ink applied on the substrate was dried by blowing air at 70 ° C. for 5 minutes in the drying zone 8.

<第1層の形成>
上記乾燥の後、第1層形成ゾーン6にて第1層のパターニングを行った。
<Formation of the first layer>
After the drying, the first layer was patterned in the first layer formation zone 6.

第1層形成ゾーン6には、図11に示したように、基材搬送方向に直交するようにヘッドアレイ61が配置されている。   In the first layer formation zone 6, as shown in FIG. 11, a head array 61 is arranged so as to be orthogonal to the substrate transport direction.

ヘッドアレイ61にはインクジェットヘッド(コニカミノルタ社製「KM1024L」(ピエゾ方式、液滴量42pL)が5ケ配置されており、アレイ全体の印字幅は360mmとされている。   In the head array 61, five inkjet heads ("KM1024L" manufactured by Konica Minolta Co., Ltd. (piezo method, droplet amount 42pL)) are arranged, and the print width of the entire array is 360 mm.

基材搬送方向に基材を搬送しながら、ヘッドアレイ61を同時に右方向に走査し、導電性インク(上記インク1)を射出して、図12(a)に示すように斜め線によるストライプを形成した(第1の印字工程)。この時、インクジェットヘッドの、ノズル間隔が均等に280μmになるようにノズルを選択し、選択したノズルから基材温度を搬送路下部のヒーターで70℃に調整した基材上に1×10−10/mとなるようにインク吐出量を調整しインクラインを形成した。この時、液滴吐出周波数は4.5KHzであった。このラインは形成直後から乾燥し、さらに乾燥条件を制御することで乾燥により導電材料が選択的に端部に集積し、その結果、各々のインクラインが、140μm間隔の2本の平行線になった。While transporting the base material in the base material transport direction, the head array 61 is simultaneously scanned in the right direction, the conductive ink (ink 1) is ejected, and stripes by oblique lines are formed as shown in FIG. Formed (first printing step). At this time, the nozzles of the inkjet head are selected so that the nozzle spacing is evenly 280 μm, and the substrate temperature is adjusted to 70 ° C. with the heater at the lower part of the conveyance path from the selected nozzles on the substrate 1 × 10 −10 The ink discharge amount was adjusted so as to be m 3 / m, and an ink line was formed. At this time, the droplet discharge frequency was 4.5 KHz. This line is dried immediately after formation, and further by controlling the drying conditions, the conductive material is selectively accumulated at the end by drying, and as a result, each ink line becomes two parallel lines with an interval of 140 μm. It was.

次に、基材搬送を止めて一定量逆戻した後、図12(b)に示すように、再び基材搬送方向に基材を搬送しながら、ヘッドアレイ61を反対側から左方向に走査しつつ、第1の印字工程と同様に導電性インクを射出し、第1の印字工程とは逆方向に傾斜した斜め線によるストライプを形成した(第2の印字工程)。   Next, after stopping the substrate conveyance and returning a certain amount, the head array 61 is scanned from the opposite side to the left while the substrate is conveyed again in the substrate conveyance direction as shown in FIG. However, the conductive ink was ejected in the same manner as in the first printing process, and stripes with diagonal lines inclined in the opposite direction to the first printing process were formed (second printing process).

次に、乾燥ゾーン8において、70℃の送風乾燥を5分間行って乾燥し、第1層を形成した。結果として、第1層は、斜め線からなる格子状パターンになった。   Next, in the drying zone 8, air drying at 70 ° C. was performed for 5 minutes for drying to form a first layer. As a result, the first layer became a lattice pattern composed of diagonal lines.

次に、低抵抗化ゾーン9において、第1層を120℃のオーブン中で1時間加熱した。   Next, in the low resistance zone 9, the first layer was heated in an oven at 120 ° C. for 1 hour.

インク付与領域と、第1層の形成パターンの関係を図16及び図17を参照して説明する。   The relationship between the ink application area and the formation pattern of the first layer will be described with reference to FIGS.

図16は、第1の印字工程及び第2の印字工程におけるインク付与領域を説明する図である。図中斜線部分が、インク付与領域である。図示するように、各印字工程で基材上に付与される導電性インクの線分は、基材上における濡れ広がり後の線幅が140μmであり、これを280μmピッチで配置している。   FIG. 16 is a diagram illustrating ink application regions in the first printing process and the second printing process. The hatched portion in the figure is the ink application area. As shown in the drawing, the line width of the conductive ink applied on the base material in each printing step is 140 μm after wetting and spreading on the base material, and these are arranged at a pitch of 280 μm.

一方、図17は、線分の線幅方向両端に導電材料が選択的に堆積された結果として形成された第1層からなる格子状パターンである。図示するように、線分の線幅方向両端に導電材料が選択的に堆積されたことにより、1本の線分から2本の互いに平行な線(平行線)が生成され、ライン間隔140μmの格子状パターンが形成されている。   On the other hand, FIG. 17 shows a grid pattern formed of a first layer formed as a result of selectively depositing a conductive material on both ends of the line width direction. As shown in the figure, a conductive material is selectively deposited on both ends in the line width direction, so that two parallel lines (parallel lines) are generated from one line segment, and a lattice having a line interval of 140 μm is formed. Pattern is formed.

本発明において、基材上に付与される導電性インクの線分は、濡れ広がり後の線幅(この線幅は、1本の線分から生成される2本の互いに平行な線(平行線)間の間隔に対応する。)が、100〜400μmであることが好ましい。また、基材上に付与される導電性インクの線分の配置ピッチは、濡れ広がり後の線幅の1.8〜2.3倍の範囲に設定されることが好ましく、1.9〜2.1倍の範囲に設定されることがより好ましい。   In the present invention, the line segment of the conductive ink applied on the substrate has a line width after wetting and spreading (this line width is two parallel lines (parallel lines) generated from one line segment). Is preferably 100 to 400 μm. Moreover, it is preferable that the arrangement | positioning pitch of the line segment of the electroconductive ink provided on a base material is set to the range of 1.8 to 2.3 times the line width after wetting spreading. More preferably, it is set in the range of 1 times.

<第2層の形成>
次いで、第1層が形成された基材の領域を第2層形成ゾーン10に搬送し、電解メッキ装置により、電解銅メッキを行った。
<Formation of second layer>
Subsequently, the area | region of the base material in which the 1st layer was formed was conveyed to the 2nd layer formation zone 10, and electrolytic copper plating was performed with the electrolytic plating apparatus.

メッキに際しては、引き出し配線から給電し、下記メッキ浴中で電解メッキを行った。アノードにはメッキ用銅板を接続し、引き出し配線部及び第1層の細線部分の総面積に対し、0.30A/dmの定電流で、細線部の膜厚が目標膜厚になる時間まで通電した。
線幅は表1に示す値となった。通電終了後、十分に水洗し、乾燥した。
In plating, power was supplied from the lead-out wiring and electrolytic plating was performed in the following plating bath. A copper plate for plating is connected to the anode, and a constant current of 0.30 A / dm 2 with respect to the total area of the lead-out wiring portion and the first-layer thin wire portion, until the time when the thin-wire portion film thickness reaches the target film thickness Energized.
The line width was the value shown in Table 1. After completion of energization, it was thoroughly washed with water and dried.

<メッキ浴1>;電解銅メッキ
硫酸銅5水塩60g、硫酸19g、1N塩酸2g、光沢付与剤(メルテックス社製「ST901C」)5gを、イオン交換水で1000mlに仕上げる処方で調製した。
<Plating bath 1>: Electrolytic copper plating 60 g of copper sulfate pentahydrate, 19 g of sulfuric acid, 2 g of 1N hydrochloric acid, and 5 g of a gloss-imparting agent (“ST901C” manufactured by Meltex Co., Ltd.) were prepared with a formulation for finishing to 1000 ml with ion-exchanged water.

試料No.1の導電性パターンについては、第3層の形成は省略した。   Sample No. For the first conductive pattern, the formation of the third layer was omitted.

<評価方法>
得られた導電性パターン付き基材について、以下の評価を行った。
<Evaluation method>
The following evaluation was performed about the obtained base material with an electroconductive pattern.

(1)視認性
縦横20cmの領域全面に形成された導電性パターンについて、導電性パターンと目との距離を変えながら、導電性パターンの格子を形成するラインが識別できるかを、下記評価基準で評価した。
(1) Visibility Regarding the conductive pattern formed on the entire area of 20 cm in length and width, whether the line forming the grid of the conductive pattern can be identified while changing the distance between the conductive pattern and the eyes according to the following evaluation criteria. evaluated.

<評価基準>
5: 5cmでも識別不能である。
4: 10cmであれば識別不能である。
3: 15cmであれば識別不能である。
2: 20cmであれば識別不能である。
1: 25cmであっても識別可能である。
<Evaluation criteria>
5: Indistinguishable even at 5 cm.
4: If it is 10 cm, it cannot be identified.
3: If it is 15 cm, it cannot be identified.
2: If it is 20 cm, it cannot be identified.
1: Discernable even at 25 cm.

(2)シート抵抗
導電性パターンを構成する導電性細線部のシート抵抗を4端子4探針法にて測定した。
10点の測定を行って測定された平均値について、下記の評価基準で評価した。
(2) Sheet resistance The sheet resistance of the electroconductive thin wire | line part which comprises an electroconductive pattern was measured by 4 terminal 4 probe method.
The average value measured by measuring 10 points was evaluated according to the following evaluation criteria.

<評価基準>
5: 1.0Ω/□未満である。
4: 1.0Ω/□以上5.0Ω/□未満である。
3: 5.0Ω/□以上10.0Ω/□未満である。
2: 10.0Ω/□以上50Ω/□未満である。
1: 50Ω/□以上である。
(3)密着性
テープ剥離法及びクロスカット法に基づいて評価した。即ち、導電性パターン付き基材に25マスの切り込み(クロスカット)を入れ、テープ剥離により膜はがれが生じたマス数を計測した。導電性パターン付き基材を3つ用意しておき、3回の試験での計測値を平均し、下記の評価基準で評価した。
<Evaluation criteria>
5: Less than 1.0Ω / □.
4: It is 1.0Ω / □ or more and less than 5.0Ω / □.
3: More than 5.0Ω / □ and less than 10.0Ω / □.
2: More than 10.0Ω / □ and less than 50Ω / □.
1: 50Ω / □ or more.
(3) Adhesiveness It evaluated based on the tape peeling method and the crosscut method. That is, 25 square cuts (cross cut) were made in the substrate with conductive pattern, and the number of squares where film peeling occurred due to tape peeling was measured. Three base materials with conductive patterns were prepared, and the measured values in three tests were averaged and evaluated according to the following evaluation criteria.

<評価基準>
5: 膜はがれが生じたマス数が0マスである。
4: 膜はがれが生じたマス数が1−2マスである。
3: 膜はがれが生じたマス数が3−5マスである。
2: 膜はがれが生じたマス数が6−10マスである。
1: 膜はがれが生じたマス数が11−25マスである。
<Evaluation criteria>
5: The number of cells where film peeling occurred was 0 cell.
4: The number of cells in which film peeling occurred was 1-2 cells.
3: The number of cells where film peeling occurred was 3-5 cells.
2: The number of cells where film peeling occurred was 6-10 cells.
1: The number of cells where film peeling occurred was 11-25 cells.

(4)折り曲げ耐性
図18に示すように、導電性パターン付き基材を、直径10mmの円柱に、導電性パターンが形成された面を表側にして架けた状態で、往復させて屈曲させ、屈曲前後での該導電性パターンの抵抗値の低下率を測定し、測定値により下記の評価基準で評価した。なお、両面に導電性パターンを有する基材に当該試験を適用する場合は、何れかの面を表側にして円柱に架けて同様の往復を行い、該面の導電性パターンについて抵抗値の低下率を測定した。
(4) Bending resistance As shown in FIG. 18, the substrate with the conductive pattern is reciprocated and bent with the surface on which the conductive pattern is formed on a cylinder having a diameter of 10 mm and bent. The decreasing rate of the resistance value of the conductive pattern before and after was measured, and the measured value was evaluated according to the following evaluation criteria. When the test is applied to a substrate having a conductive pattern on both sides, the same reciprocation is performed over a cylinder with either side facing up, and the rate of decrease in resistance value for the conductive pattern on the surface Was measured.

<評価基準>
5: 5%未満
4: 10%未満
3: 20%未満
2: 21−50%未満
1: 50%以上
<Evaluation criteria>
5: Less than 5% 4: Less than 10% 3: Less than 20% 2: Less than 21-50% 1: More than 50%

(5)耐久性(熱湿耐久性)
85℃、相対湿度85%の環境に、導電性パターン付き基材を500時間保存後、常温常圧環境に戻したのち抵抗値の低下率を測定し、測定値により下記の評価基準で評価した。
(5) Durability (Heat and humidity durability)
The substrate with a conductive pattern was stored for 500 hours in an environment of 85 ° C. and relative humidity of 85%, and after returning to a room temperature and normal pressure environment, the rate of decrease in resistance value was measured, and the measured values were evaluated according to the following evaluation criteria. .

<評価基準>
5: 5%未満
4: 10%未満
3: 20%未満
2: 21−50%未満
1: 50%以上
<Evaluation criteria>
5: Less than 5% 4: Less than 10% 3: Less than 20% 2: Less than 21-50% 1: More than 50%

以上の評価結果を表1に示す。   The above evaluation results are shown in Table 1.

(試料No.2)
実施例1において、第1層を形成するインク1(銀ナノ粒子含有インク1)をインク2(銀ナノ粒子含有インク2)に代え、更に、電解メッキ条件の電流密度を0.50A/dmに代えて、第1層及び第2層の膜密度を表1の値としたこと以外は、実施例1と同様にして導電性パターン付き基材を得た。
(Sample No. 2)
In Example 1, the ink 1 (silver nanoparticle-containing ink 1) forming the first layer is replaced with the ink 2 (silver nanoparticle-containing ink 2), and the current density under electrolytic plating conditions is 0.50 A / dm 2. Instead of this, a substrate with a conductive pattern was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film densities of the first layer and the second layer were set to the values shown in Table 1.

得られた導電性パターン付き基材について、実施例1と同様に評価した結果を表1に示す。   About the obtained base material with an electroconductive pattern, the result evaluated similarly to Example 1 is shown in Table 1.

(試料No.3)
実施例1において、第1層を形成するインク1(銀ナノ粒子含有インク1)をインク3(銅ナノ粒子含有インク)に代え、低抵抗化ゾーン9における低抵抗化処理を、還元雰囲気における180℃での加熱処理とし、表1の積層構造としたこと以外は、実施例1と同様にして導電性パターン付き基材を得た。
(Sample No. 3)
In Example 1, the ink 1 (silver nanoparticle-containing ink 1) forming the first layer is replaced with the ink 3 (copper nanoparticle-containing ink), and the low-resistance treatment in the low-resistance zone 9 is performed in a reducing atmosphere. A substrate with a conductive pattern was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment was performed at 0 ° C. and the laminated structure shown in Table 1 was used.

得られた導電性パターン付き基材について、実施例1と同様に評価した結果を表1に示す。   About the obtained base material with an electroconductive pattern, the result evaluated similarly to Example 1 is shown in Table 1.

(試料No.4)
実施例1において、第1層を形成するインク1(銀ナノ粒子含有インク1)をインク4(銀粉含有インク)に代え、これをフレキソ印刷法により基材に付与して表1の積層構造としたこと以外は、実施例1と同様にして導電性パターン付き基材を得た。
(Sample No. 4)
In Example 1, the ink 1 (silver nanoparticle-containing ink 1) forming the first layer was replaced with the ink 4 (silver powder-containing ink), and this was applied to the substrate by flexographic printing to obtain the laminated structure shown in Table 1. Except having done, it carried out similarly to Example 1, and obtained the base material with an electroconductive pattern.

得られた導電性パターン付き基材について、実施例1と同様に評価した結果を表1に示す。   About the obtained base material with an electroconductive pattern, the result evaluated similarly to Example 1 is shown in Table 1.

(試料No.5)
実施例1において、第2層を下記の方法で形成したこと以外は、実施例1と同様にして導電性パターン付き基材を得た。
(Sample No. 5)
In Example 1, the base material with a conductive pattern was obtained like Example 1 except having formed the 2nd layer with the following method.

<第2層の形成>
第1層が形成された基材に、下記メッキ浴2を用いて、電解銀メッキを行った。
<Formation of second layer>
Electrolytic silver plating was performed on the base material on which the first layer was formed using the following plating bath 2.

メッキに際しては、引き出し配線から給電し、下記メッキ浴中で電解銀メッキを行った。アノードにはメッキ用銀板を接続し、引き出し配線部及び第1層の細線部分の総面積に対し、0.30A/dmの定電流で、細線部の膜厚が目標膜厚になる時間まで通電した。線幅は表1に示す値となった。通電終了後、十分に水洗し、乾燥した。In plating, power was supplied from the lead wiring and electrolytic silver plating was performed in the following plating bath. A silver plate for plating is connected to the anode, and the time at which the thickness of the thin line portion reaches the target film thickness is 0.30 A / dm 2 with respect to the total area of the lead-out wiring portion and the thin line portion of the first layer. Energized until. The line width was the value shown in Table 1. After completion of energization, it was thoroughly washed with water and dried.

<メッキ浴2>;電解銀メッキ
シアン化銀35g、シアン化カリ80g、炭酸カリウム10gを、イオン交換水で1000mlに仕上げる処方で調製した。
<Plating bath 2>; Electrolytic silver plating 35 g of silver cyanide, 80 g of potassium cyanide, and 10 g of potassium carbonate were prepared with a formulation for finishing to 1000 ml with ion-exchanged water.

得られた導電性パターン付き基材について、実施例1と同様に評価した結果を表1に示す。   About the obtained base material with an electroconductive pattern, the result evaluated similarly to Example 1 is shown in Table 1.

(試料No.6)
実施例1において、基材3を基材1に代えたこと以外は、実施例1と同様にして導電性パターン付き基材を得た。
(Sample No. 6)
A substrate with a conductive pattern was obtained in the same manner as in Example 1 except that the substrate 3 was replaced with the substrate 1 in Example 1.

得られた導電性パターン付き基材について、実施例1と同様に評価した結果を表1に示す。   About the obtained base material with an electroconductive pattern, the result evaluated similarly to Example 1 is shown in Table 1.

(試料No.7)
実施例1において、基材3を基材2に代えたこと以外は、実施例1と同様にして導電性パターン付き基材を得た。
(Sample No. 7)
A substrate with a conductive pattern was obtained in the same manner as in Example 1 except that the substrate 3 was replaced with the substrate 2 in Example 1.

得られた導電性パターン付き基材について、実施例1と同様に評価した結果を表1に示す。   About the obtained base material with an electroconductive pattern, the result evaluated similarly to Example 1 is shown in Table 1.

(試料No.8)
実施例1において、基材3を基材4に代えたこと以外は、実施例1と同様にして導電性パターン付き基材を得た。
(Sample No. 8)
A substrate with a conductive pattern was obtained in the same manner as in Example 1 except that the substrate 3 was replaced with the substrate 4 in Example 1.

得られた導電性パターン付き基材について、実施例1と同様に評価した結果を表1に示す。   About the obtained base material with an electroconductive pattern, the result evaluated similarly to Example 1 is shown in Table 1.

(試料No.9)
実施例1において、第2層の、第1層と反対側に更に第3層を、下記の方法で形成し、表1の積層構造としたこと以外は、実施例1と同様にして導電性パターン付き基材を得た。
(Sample No. 9)
In Example 1, the third layer was further formed on the opposite side of the second layer from the first layer by the following method, and the conductive structure was the same as in Example 1 except that the laminated structure shown in Table 1 was used. A patterned substrate was obtained.

<第3層の形成>
第2層が形成された基材に、下記メッキ浴2を用いて、電解ニッケルメッキを行った。
<Formation of third layer>
Electrolytic nickel plating was performed on the base material on which the second layer was formed using the following plating bath 2.

メッキに際しては、引き出し配線から給電し、下記メッキ浴3中で電解メッキを行った。アノードにはメッキ用ニッケル板を接続し、引き出し配線部及び第1層の細線部分の総面積に対し、0.05A/dmの定電流で、細線部の膜厚が表1に示す目標膜厚になる時間まで通電した。線幅は表1に示す値となった。通電終了後、十分に水洗し、乾燥した。In plating, power was supplied from the lead-out wiring, and electrolytic plating was performed in the plating bath 3 described below. A nickel plate for plating is connected to the anode, and the target film whose thickness is shown in Table 1 at a constant current of 0.05 A / dm 2 with respect to the total area of the lead-out wiring portion and the thin wire portion of the first layer. It was energized until it became thick. The line width was the value shown in Table 1. After completion of energization, it was thoroughly washed with water and dried.

<メッキ浴3>;電解ニッケルメッキ
硫酸ニッケル240g、塩化ニッケル45g、ほう酸30gを、イオン交換水で1000mlに仕上げる処方で調製した。
<Plating bath 3>; Electrolytic nickel plating 240 g of nickel sulfate, 45 g of nickel chloride, and 30 g of boric acid were prepared with a formulation for finishing to 1000 ml with ion-exchanged water.

得られた導電性パターン付き基材について、実施例1と同様に評価した結果を表1に示す。   About the obtained base material with an electroconductive pattern, the result evaluated similarly to Example 1 is shown in Table 1.

(試料No.10)
実施例1において、第2層の、第1層と反対側に更に第3層を、下記の方法で形成し、表1の積層構造としたこと以外は、実施例1と同様にして導電性パターン付き基材を得た。
(Sample No. 10)
In Example 1, the third layer was further formed on the opposite side of the second layer from the first layer by the following method, and the conductive structure was the same as in Example 1 except that the laminated structure shown in Table 1 was used. A patterned substrate was obtained.

<第3層の形成>
第2層が形成された基材に、下記メッキ浴4を用いて、無電解ニッケルメッキを行った。
<Formation of third layer>
Electroless nickel plating was performed on the base material on which the second layer was formed using the following plating bath 4.

無電解メッキ時間は表1に示す所定の膜厚になるまで行った。線幅は表1に示す値となった。   The electroless plating time was performed until the predetermined film thickness shown in Table 1 was reached. The line width was the value shown in Table 1.

<メッキ浴4>;無電解ニッケルメッキ
硫酸ニッケル26g、クエン酸ナトリウム60g、次亜リン酸ナトリウム21g、硫酸アンモニウムを、イオン交換水で1000mlに仕上げる処方で調製した。メッキ浴温度は90℃とした。
<Plating bath 4>: Electroless nickel plating 26 g of nickel sulfate, 60 g of sodium citrate, 21 g of sodium hypophosphite, and ammonium sulfate were prepared with a formulation for finishing with 1000 ml of ion-exchanged water. The plating bath temperature was 90 ° C.

得られた導電性パターン付き基材について、実施例1と同様に評価した結果を表1に示す。   About the obtained base material with an electroconductive pattern, the result evaluated similarly to Example 1 is shown in Table 1.

(試料No.11)
実施例1において、第2層の、第1層と反対側に更に第3層を、下記の方法で形成し、表1の積層構造としたこと以外は、実施例1と同様にして導電性パターン付き基材を得た。
(Sample No. 11)
In Example 1, the third layer was further formed on the opposite side of the second layer from the first layer by the following method, and the conductive structure was the same as in Example 1 except that the laminated structure shown in Table 1 was used. A patterned substrate was obtained.

<第3層の形成>
第2層が形成された基材について、カーボンブラックと水溶性電着樹脂からなる混合物を用いた浴中で、定法により電着塗装を行って、表1に示す膜厚及び線幅を有する有機膜からなる第3層を形成した。
<Formation of third layer>
The base material on which the second layer is formed is subjected to electrodeposition coating by a conventional method in a bath using a mixture of carbon black and a water-soluble electrodeposition resin, and has an organic film thickness and line width shown in Table 1. A third layer made of a film was formed.

得られた導電性パターン付き基材について、実施例1と同様に評価した結果を表1に示す。但し、試料No.7は、第3層に有機膜を用いたので、シート抵抗は測定せず、有機膜を設けていない端部間の端子間抵抗を測定した。その結果、別途測定した試料No.1における端部間の端子間抵抗と実質的に同一の値であることが確かめられた。   About the obtained base material with an electroconductive pattern, the result evaluated similarly to Example 1 is shown in Table 1. However, sample No. In No. 7, since an organic film was used for the third layer, the sheet resistance was not measured, and the resistance between terminals between which the organic film was not provided was measured. As a result, separately measured sample No. 1 was confirmed to be substantially the same value as the inter-terminal resistance between the end portions.

(試料No.12)※比較
実施例1において、40℃に調整した基材上に4×10−10/mとなるようにインク吐出量を調整しインクラインを形成し、表1の積層構造としたこと以外は、実施例1と同様にして導電性パターン付き基材を得た。
(Sample No. 12) * Comparison In Example 1, the ink discharge amount was adjusted to be 4 × 10 −10 m 3 / m on the base material adjusted to 40 ° C., and an ink line was formed. Except having set it as the laminated structure, it carried out similarly to Example 1, and obtained the base material with a conductive pattern.

得られた導電性パターン付き基材について、実施例1と同様に評価した結果を表1に示す。   About the obtained base material with an electroconductive pattern, the result evaluated similarly to Example 1 is shown in Table 1.

Figure 2015115503
Figure 2015115503

<評価>
表1より、本発明に係る試料No.1〜11の導電性パターン及びこれを備えた基材(導電性パターン付き基材)は、導電性細線の視認性を低下でき、抵抗値を下げることができ、基材と導電性パターンの接着性(密着性)を向上でき、基材の折り曲げ時においても抵抗値の変動を抑制でき、更に熱湿耐性などの耐久性を付与できることがわかる。
<Evaluation>
From Table 1, the sample no. The conductive patterns 1 to 11 and the substrate (substrate with a conductive pattern) provided with the conductive pattern can reduce the visibility of the conductive thin wire, can reduce the resistance value, and can bond the substrate and the conductive pattern. It can be seen that the property (adhesiveness) can be improved, the resistance value can be prevented from fluctuating even when the substrate is bent, and durability such as heat and humidity resistance can be imparted.

試料No.1と試料No.2の対比より、第1層の膜密度よりも、第2層の膜密度の方が高い試料No.1の方が、密着性、折り曲げ耐性に更に優れることがわかる。   Sample No. 1 and sample no. Compared with Sample No. 2, the film density of the second layer is higher than the film density of the first layer. It can be seen that No. 1 is further excellent in adhesion and bending resistance.

銀粉を用いた試料No.4では、銀ナノインクを用いた試料No.1と比較して、本発明の効果に若干劣るが、銀を用いているため、例えば低抵抗化に還元処理が必要なパラジウム等を用いる場合と比較して、低抵抗化処理の負担(処理時間等)を大幅に低減できる。   Sample No. using silver powder In No. 4, sample No. using silver nano-ink was used. Compared to 1, the effect of the present invention is slightly inferior, but since silver is used, for example, compared to the case of using palladium or the like that requires reduction treatment for resistance reduction, the burden of the resistance reduction treatment (treatment Time).

試料No.1と試料No.5の対比より、第2層が銅を主成分とする試料No.1において、密着性、折り曲げ耐性に更に優れることがわかる。   Sample No. 1 and sample no. From the comparison of FIG. 1 shows that it is further excellent in adhesiveness and bending resistance.

互いに基材を異ならせた試料No.1、6、7及び8の対比より、基材の表面エネルギーを50mN/m以上とすることにより、導電性細線の視認性を更に低下でき、密着性、折り曲げ耐性に更に向上できることがわかる。   Sample Nos. With different substrates were used. From the comparison of 1, 6, 7 and 8, it can be seen that by making the surface energy of the substrate 50 mN / m or more, the visibility of the conductive thin wire can be further reduced and the adhesion and bending resistance can be further improved.

第3層を設けた試料No.9、10及び11は、第3層を設けない試料No.1と比較して、熱湿耐性に更に優れることがわかる。   Sample No. provided with the third layer. Nos. 9, 10 and 11 are sample Nos. With no third layer. It can be seen that compared to 1, it is further excellent in heat and humidity resistance.

一方、導電性細線の線幅が10μm以上である試料No.12(比較)では、導電性細線の視認性を十分に低下できず、また、密着性、折り曲げ耐性、熱湿耐性にも劣ることがわかる。   On the other hand, Sample No. with a conductive thin wire having a line width of 10 μm or more. No. 12 (comparison) shows that the visibility of the conductive thin wire cannot be sufficiently lowered, and the adhesiveness, bending resistance, and heat and humidity resistance are poor.

1:基材
2:導電性細線
21:第1層
22:第2層
23:第3層
3:集電線
4:配線
1: Substrate 2: Conductive thin wire 21: First layer 22: Second layer 23: Third layer 3: Current collector 4: Wiring

Claims (21)

線幅10μm未満の導電性細線からなるパターンであって、
前記細線の少なくとも一部は多層構造になっており、
該多層構造は、導電性粒子、導電性フィラー、導電性ワイヤーから選択される1種又は2種以上の導電材料を含む膜厚500nm未満の第1層と、前記第1層より膜厚が厚く、金属を主成分とする第2層と、を構成要素とする導電性パターン。
It is a pattern composed of conductive thin wires having a line width of less than 10 μm,
At least a part of the thin wire has a multilayer structure,
The multilayer structure includes a first layer having a thickness of less than 500 nm containing one or more conductive materials selected from conductive particles, conductive fillers, and conductive wires, and a thickness greater than that of the first layer. A conductive pattern comprising a second layer containing metal as a main component.
前記第1層と前記第2層の膜密度が異なる請求項1記載の導電性パターン。   The conductive pattern according to claim 1, wherein the first layer and the second layer have different film densities. 前記導電性細線の表面は、算術平均粗さRaが、200nm以上2000nm未満である請求項1又は2記載の導電性パターン。   The conductive pattern according to claim 1, wherein the surface of the conductive thin wire has an arithmetic average roughness Ra of 200 nm or more and less than 2000 nm. 前記第1層は、銀又は銅を主成分とし、前記第2層は、銅を主成分とする請求項1〜3の何れかに記載の導電性パターン。   The conductive pattern according to claim 1, wherein the first layer is mainly composed of silver or copper, and the second layer is mainly composed of copper. 前記第2層の、前記第1層と反対側に更に第3層を有する請求項1〜4の何れかに記載の導電性パターン。   The conductive pattern according to claim 1, further comprising a third layer on the opposite side of the second layer from the first layer. 表面処理を行った基材上に、線幅10μm未満の導電性細線からなるパターンが設けられており、
前記細線の少なくとも一部は多層構造になっており、
該多層構造は、導電性粒子、導電性フィラー、導電性ワイヤーから選択される1種又は2種以上の導電材料を含む膜厚500nm未満の第1層と、前記第1層より膜厚が厚く、金属を主成分とする第2層と、を構成要素とする導電性パターン付き基材。
On the base material subjected to the surface treatment, a pattern made of conductive thin wires having a line width of less than 10 μm is provided,
At least a part of the thin wire has a multilayer structure,
The multilayer structure includes a first layer having a thickness of less than 500 nm containing one or more conductive materials selected from conductive particles, conductive fillers, and conductive wires, and a thickness greater than that of the first layer. The base material with an electroconductive pattern which uses as a component the 2nd layer which has a metal as a main component.
前記表面処理が前記基材の表面エネルギーを上げる処理である請求項6記載の導電性パターン付き基材。   The substrate with a conductive pattern according to claim 6, wherein the surface treatment is a treatment for increasing the surface energy of the substrate. 前記表面処理が前記基材の表面に樹脂層を形成する処理である請求項6又は7記載の導電性パターン付き基材。   The substrate with a conductive pattern according to claim 6 or 7, wherein the surface treatment is a treatment for forming a resin layer on the surface of the substrate. 両面に表面処理を行った前記基材の両面に、前記線幅10μm未満の導電性細線からなるパターンが設けられている請求項6〜8の何れかに記載の導電性パターン付き基材。   The base material with an electroconductive pattern in any one of Claims 6-8 in which the pattern which consists of the said electroconductive fine wire of less than the said line width of 10 micrometers is provided in both surfaces of the said base material which performed the surface treatment on both surfaces. 請求項6〜9の何れかに記載の導電性パターン付き基材の製造方法であって、
前記第1層の形成工程に印刷プロセスを含み、該印刷プロセスは、導電材料濃度が5%未満のインクを用いて線分を形成後、インクの乾燥プロセスを制御し、前記線分の線幅方向両端に導電材料を選択的に堆積させるプロセスを含む導電性パターン付き基材の製造方法。
A method for producing a substrate with a conductive pattern according to any one of claims 6 to 9,
The forming process of the first layer includes a printing process, and the printing process forms a line segment using an ink having a conductive material concentration of less than 5%, and then controls the drying process of the ink, and the line width of the line segment The manufacturing method of the base material with a conductive pattern including the process of selectively depositing a conductive material on the direction both ends.
前記インクの表面張力は、50mN/m未満であり、且つ該インクの前記基材に対する接触角は、10°〜50°の範囲である請求項10記載の導電性パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a substrate with a conductive pattern according to claim 10, wherein the surface tension of the ink is less than 50 mN / m, and the contact angle of the ink with respect to the substrate is in the range of 10 ° to 50 °. 前記印刷プロセスにおける前記線分の形成にインクジェット法を用いる請求項10又は11記載の導電性パターン付き基材の製造方法。   The manufacturing method of the base material with an electroconductive pattern of Claim 10 or 11 which uses the inkjet method for formation of the said line segment in the said printing process. インクジェット法を用いて前記基材に対して複数の方向から複数回にわたり印刷して前記線分を形成する請求項12記載の導電性パターン付き基材の製造方法。   The manufacturing method of the base material with an electroconductive pattern of Claim 12 which prints in multiple times from several directions with respect to the said base material using the inkjet method, and forms the said line segment. 前記インクの乾燥プロセスとして、印字中の前記基材を乾燥するプロセス、印字後に加熱するプロセス、印字後に送風するプロセス、及び、印字後に光照射するプロセスから選択される1又は複数を組み合わせて用いる請求項10〜13の何れかに記載の導電性パターン付き基材の製造方法。   The ink drying process is a combination of one or more selected from a process of drying the substrate during printing, a process of heating after printing, a process of blowing air after printing, and a process of irradiating light after printing. Item 14. A method for producing a substrate with a conductive pattern according to any one of Items 10 to 13. 前記導電材料を選択的に堆積させるプロセスの後工程として、加熱処理、化学処理、光(照射)処理から選択される処理により低抵抗化を行う請求項10〜14の何れかに記載の導電性パターン付き基材の製造方法。   The electrical conductivity according to any one of claims 10 to 14, wherein the resistance is reduced by a process selected from heat treatment, chemical treatment, and light (irradiation) treatment as a subsequent step of the process of selectively depositing the conductive material. A method for producing a patterned substrate. 前記第2層の形成工程として、電気化学的プロセスを含む請求項10〜15の何れかに記載の導電性パターン付き基材の製造方法。   The manufacturing method of the base material with an electroconductive pattern in any one of Claims 10-15 including an electrochemical process as a formation process of a said 2nd layer. 前記電気化学的プロセスが、無電解メッキ及び電解メッキの何れか一方又は両方の組み合わせである請求項16記載の導電性パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a substrate with a conductive pattern according to claim 16, wherein the electrochemical process is one of electroless plating and electrolytic plating, or a combination of both. 前記第2層の上に第3層を形成する請求項10〜17の何れかに記載の導電性パターン付き基材の製造方法。   The manufacturing method of the base material with a conductive pattern in any one of Claims 10-17 which forms a 3rd layer on the said 2nd layer. 前記導電性パターンの少なくとも一部と接触するように集電線を形成する請求項10〜18の何れかに記載の導電性パターン付き基材の製造方法。   The manufacturing method of the base material with a conductive pattern in any one of Claims 10-18 which forms a current collection line so that at least one part of the said conductive pattern may contact. 表面に導電性パターンを有する構造体であって、
前記導電性パターンが、
線幅10μm未満の導電性細線からなるパターンであって、
前記細線の少なくとも一部は多層構造になっており、
該多層構造は、導電性粒子、導電性フィラー、導電性ワイヤーから選択される1種又は2種以上の導電材料を含む膜厚500nm未満の第1層と、前記第1層より膜厚が厚く、金属を主成分とする第2層と、を構成要素とする構造体。
A structure having a conductive pattern on the surface,
The conductive pattern is
It is a pattern composed of conductive thin wires having a line width of less than 10 μm,
At least a part of the thin wire has a multilayer structure,
The multilayer structure includes a first layer having a thickness of less than 500 nm containing one or more conductive materials selected from conductive particles, conductive fillers, and conductive wires, and a thickness greater than that of the first layer. The structure which has the 2nd layer which has a metal as a main component, and a component.
請求項20記載の構造体を製造する構造体の製造方法であって、
線幅10μm未満の導電性細線からなるパターンであって、
前記細線の少なくとも一部は多層構造になっており、
該多層構造は、導電性粒子、導電性フィラー、導電性ワイヤーから選択される1種又は2種以上の導電材料を含む膜厚500nm未満の第1層と、前記第1層より膜厚が厚く、金属を主成分とする第2層と、を構成要素とする導電性パターンが、表面処理された表面に設けられた導電性パターン付き基材を用い、
構造体表面に、前記導電性パターン付き基材を貼り合せるか、もしくは前記導電性パターン付き基材から導電性パターン部を転写して、表面に導電性パターンを有する構造体を製造する構造体の製造方法。
A structure manufacturing method for manufacturing the structure according to claim 20,
It is a pattern composed of conductive thin wires having a line width of less than 10 μm,
At least a part of the thin wire has a multilayer structure,
The multilayer structure includes a first layer having a thickness of less than 500 nm containing one or more conductive materials selected from conductive particles, conductive fillers, and conductive wires, and a thickness greater than that of the first layer. Using a base material with a conductive pattern provided on the surface treated with a conductive pattern comprising a second layer containing a metal as a main component and a component,
A structure for manufacturing a structure having a conductive pattern on its surface by bonding the substrate with a conductive pattern to the structure surface or transferring a conductive pattern portion from the substrate with a conductive pattern. Production method.
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