JPWO2014034301A1 - Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

[A](A1)不飽和カルボン酸及び不飽和カルボン酸無水物からなる群より選択される少なくとも1種と、(A2)エポキシ基含有不飽和化合物とを共重合してなるアルカリ可溶性樹脂、 [B]キノンジアジド化合物、および [C]ブロックイソシアネート化合物を含有する感光性樹脂組成物であって、前記ブロックイソシアネートの含有量が該感光性樹脂組成物の全固形分に対し0.1〜10質量%の範囲であり、かつ、下記一般式(1)で表される化合物である、感光性樹脂組成物。(一般式(1)中、Rは、それぞれ、炭素数1〜20の有機基を表す。)[A] (A1) An alkali-soluble resin obtained by copolymerizing at least one selected from the group consisting of an unsaturated carboxylic acid and an unsaturated carboxylic acid anhydride and (A2) an epoxy group-containing unsaturated compound. B] a photosensitive resin composition containing a quinonediazide compound and [C] a blocked isocyanate compound, wherein the content of the blocked isocyanate is 0.1 to 10% by mass relative to the total solid content of the photosensitive resin composition And a photosensitive resin composition which is a compound represented by the following general formula (1). (In general formula (1), R represents an organic group having 1 to 20 carbon atoms.)

Description

本発明は、感光性樹脂組成物(以下、単に、「本発明の組成物」ということがある)に関する。さらに、該感光性樹脂組成物を用いた硬化膜の形成方法に関する。さらに、該形成方法によって形成された硬化膜に関する。また、該硬化膜を有する有機EL表示装置および液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a photosensitive resin composition (hereinafter sometimes simply referred to as “the composition of the present invention”). Furthermore, it is related with the formation method of the cured film using this photosensitive resin composition. Furthermore, it is related with the cured film formed by this formation method. The present invention also relates to an organic EL display device and a liquid crystal display device having the cured film.

有機EL表示装置や、液晶表示装置などには、パターン形成された層間絶縁膜が設けられている。この層間絶縁膜の形成には、必要とするパターン形状を得るための工程数が少なく、しかも十分な平坦性が得られるといったことから、感光性樹脂組成物が広く使用されている。感光性樹脂組成物としては、例えば、特許文献1に記載のものが知られている。   An organic EL display device, a liquid crystal display device, and the like are provided with a patterned interlayer insulating film. In forming the interlayer insulating film, photosensitive resin compositions are widely used because the number of steps for obtaining a required pattern shape is small and sufficient flatness is obtained. As a photosensitive resin composition, the thing of patent document 1 is known, for example.

特開2012−88459号公報JP 2012-88459 A

上記特許文献1について検討を行ったところ、引用文献1に記載のようなアルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド化合物を配合する処方では、用いる硬化剤の種類によっては、最終的に得られる表示装置のパネル表示にムラが生じる場合があることが分かった。
本願発明はかかる課題を解決したものであって、硬化膜に必要な感度等を維持しつつ、パネル表示特性にも優れた感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。
As a result of studying the above-mentioned Patent Document 1, in a formulation in which an alkali-soluble resin and a quinonediazide compound as described in Cited Document 1 are blended, depending on the type of curing agent to be used, the panel display of the display device finally obtained is used. It was found that unevenness may occur.
This invention solves this subject, and it aims at providing the photosensitive resin composition which was excellent also in the panel display characteristic, maintaining the sensitivity etc. which are required for a cured film.

上記課題のもと、本願発明者が鋭意検討を行った結果、硬化剤としてブロックイソシアネート化合物であって特定の構造を有する化合物を用いることにより、パネル表示特性にも優れた感光性樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、下記手段<1>により、好ましくは<2>〜<6>により上記課題は解決された。   Based on the above-mentioned problems, the inventors of the present application have conducted intensive studies. As a result, a photosensitive resin composition having excellent panel display characteristics can be obtained by using a compound having a specific structure as a block isocyanate compound as a curing agent. As a result, the present invention was completed. Specifically, the above problem has been solved by the following means <1>, preferably by <2> to <6>.

<1> [A](A1)不飽和カルボン酸及び不飽和カルボン酸無水物からなる群より選択される少なくとも1種と、(A2)エポキシ基含有不飽和化合物とを共重合してなるアルカリ可溶性樹脂、
[B]キノンジアジド化合物、および
[C]ブロックイソシアネート化合物
を含有する感光性樹脂組成物であって、
前記ブロックイソシアネートの含有量が該感光性樹脂組成物の全固形分に対し0.1〜10質量%の範囲であり、かつ、下記一般式(1)で表される化合物である、感光性樹脂組成物。
一般式(1)
(一般式(1)中、Rは、それぞれ、炭素数1〜20の有機基を表す。)
<2>一般式(1)のRがそれぞれ、炭素数3〜9の炭化水素基である、<1>に記載の感光性樹脂組成物。
<3> (1)<1>または<2>に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布された感光性樹脂組成物から溶剤を除去する工程、
(3)塗布された感光性樹脂組成物を活性光線により露光する工程、
(4)露光された感光性樹脂組成物を水性現像液により現像する工程、及び、
(5)現像された感光性樹脂組成物を熱硬化するポストベーク工程、を含む硬化膜の形成方法。
<4><3>に記載の方法により形成された硬化膜。
<5>層間絶縁膜である<4>に記載の硬化膜。
<6><4>または<5>に記載の硬化膜を有する有機EL表示装置または液晶表示装置。
<1> [A] (A1) Alkali-soluble by copolymerizing at least one selected from the group consisting of unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic acid anhydrides and (A2) an epoxy group-containing unsaturated compound resin,
A photosensitive resin composition containing [B] a quinonediazide compound, and [C] a blocked isocyanate compound,
The photosensitive resin whose content of the said block isocyanate is the range of 0.1-10 mass% with respect to the total solid of this photosensitive resin composition, and is a compound represented by following General formula (1) Composition.
General formula (1)
(In general formula (1), R represents an organic group having 1 to 20 carbon atoms.)
<2> The photosensitive resin composition according to <1>, wherein R in the general formula (1) is a hydrocarbon group having 3 to 9 carbon atoms.
<3> (1) The process of apply | coating the photosensitive resin composition as described in <1> or <2> on a board | substrate,
(2) a step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition;
(3) a step of exposing the applied photosensitive resin composition with actinic rays;
(4) a step of developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developer, and
(5) A method for forming a cured film, comprising a post-baking step of thermosetting the developed photosensitive resin composition.
<4> A cured film formed by the method according to <3>.
<5> The cured film according to <4>, which is an interlayer insulating film.
<6> An organic EL display device or a liquid crystal display device having the cured film according to <4> or <5>.

本発明により、感度等に優れ、パネル表示特性にも優れた感光性樹脂組成物を提供可能になった。   According to the present invention, it is possible to provide a photosensitive resin composition that is excellent in sensitivity and the like and excellent in panel display characteristics.

なお、本明細書における基(原子団)の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。また、本発明における有機EL素子とは、有機エレクトロルミネッセンス素子のことをいう。   In addition, in the description of group (atomic group) in this specification, the description which does not describe substitution and non-substitution includes what has a substituent with what does not have a substituent. For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group). The organic EL element in the present invention refers to an organic electroluminescence element.

<感光性樹脂組成物>
本発明の感光性樹脂組成物は、[A](A1)不飽和カルボン酸及び不飽和カルボン酸無水物からなる群より選択される少なくとも1種と、(A2)エポキシ基含有不飽和化合物とを共重合してなるアルカリ可溶性樹脂、[B]キノンジアジド化合物、および[C]ブロックイソシアネート化合物を含有する感光性樹脂組成物であって、前記ブロックイソシアネートの含有量が該感光性樹脂組成物の全固形分に対し0.1〜10質量%の範囲であり、かつ、下記一般式(1)で表される化合物であることを特徴とする。
一般式(1)
(一般式(1)中、Rは、それぞれ、炭素数1〜20の有機基を表す。)
<Photosensitive resin composition>
The photosensitive resin composition of the present invention comprises [A] (A1) at least one selected from the group consisting of an unsaturated carboxylic acid and an unsaturated carboxylic acid anhydride, and (A2) an epoxy group-containing unsaturated compound. A photosensitive resin composition comprising an alkali-soluble resin obtained by copolymerization, [B] quinonediazide compound, and [C] a blocked isocyanate compound, wherein the content of the blocked isocyanate is the total solid content of the photosensitive resin composition It is the range of 0.1-10 mass% with respect to a minute, It is a compound represented by following General formula (1), It is characterized by the above-mentioned.
General formula (1)
(In general formula (1), R represents an organic group having 1 to 20 carbon atoms.)

<[A]アルカリ可溶性樹脂>
本発明で用いる[A]アルカリ可溶性樹脂は、(A1)不飽和カルボン酸及び不飽和カルボン酸無水物からなる群より選択される少なくとも1種の単量体(以下、「(A1)化合物」と称することがある)と、(A2)エポキシ基含有不飽和化合物(以下、「(A2)化合物」と称することがある)とを共重合してなるアルカリ可溶性樹脂である。
アルカリ可溶性樹脂は、本発明の感光性樹脂組成物の溶剤を除く成分の主成分となるものであり、全固形分の60質量%以上を占めることが好ましい。
<[A] alkali-soluble resin>
The [A] alkali-soluble resin used in the present invention is (A1) at least one monomer selected from the group consisting of an unsaturated carboxylic acid and an unsaturated carboxylic acid anhydride (hereinafter referred to as “(A1) compound”). And (A2) an epoxy group-containing unsaturated compound (hereinafter sometimes referred to as “(A2) compound”).
The alkali-soluble resin is a main component of the component excluding the solvent of the photosensitive resin composition of the present invention, and preferably accounts for 60% by mass or more of the total solid content.

[A]アルカリ可溶性樹脂は、例えば溶媒中で重合開始剤の存在下、カルボキシル基含有構造単位を与える(A1)化合物と、エポキシ基含有構造単位を与える(A2)化合物とを共重合することによって製造できる。また、(A3)水酸基含有構造単位を与える水酸基含有不飽和化合物(以下、「(A3)化合物」と称することがある)をさらに加えて、共重合体とすることができる。さらに、[A]アルカリ可溶性樹脂の製造においては、上記(A1)化合物、(A2)化合物及び(A3)化合物と共に、(A4)化合物(上記(A1)、(A2)及び(A3)化合物に由来する構造単位以外の構造単位を与える不飽和化合物)をさらに加えて、共重合体とすることができる。   [A] The alkali-soluble resin is obtained by, for example, copolymerizing a compound (A1) giving a carboxyl group-containing structural unit and a compound (A2) giving an epoxy group-containing structural unit in the presence of a polymerization initiator in a solvent. Can be manufactured. Further, (A3) a hydroxyl group-containing unsaturated compound giving a hydroxyl group-containing structural unit (hereinafter sometimes referred to as “(A3) compound”) may be further added to obtain a copolymer. Further, in the production of [A] the alkali-soluble resin, the compound (A4) (derived from the compounds (A1), (A2) and (A3)) together with the compound (A1), the compound (A2) and the compound (A3). An unsaturated compound that gives structural units other than the structural unit to be added) can be further added to form a copolymer.

[(A1)化合物]
(A1)化合物としては、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸の無水物、多価カルボン酸のモノ〔(メタ)アクリロイルオキシアルキル〕エステル、両末端にカルボキシル基と水酸基とを有するポリマーのモノ(メタ)アクリレート、カルボキシル基を有する不飽和多環式化合物及びその無水物等が挙げられる。
[(A1) Compound]
(A1) As the compound, unsaturated monocarboxylic acid, unsaturated dicarboxylic acid, anhydride of unsaturated dicarboxylic acid, mono [(meth) acryloyloxyalkyl] ester of polyvalent carboxylic acid, carboxyl group and hydroxyl group at both ends And mono (meth) acrylates of polymers having an unsaturated polycyclic compound having a carboxyl group and anhydrides thereof.

不飽和モノカルボン酸としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等;
不飽和ジカルボン酸としては、例えばマレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等;不飽和ジカルボン酸の無水物としては、例えば上記ジカルボン酸として例示した化合物の無水物等;多価カルボン酸のモノ〔(メタ)アクリロイルオキシアルキル〕エステルとしては、例えばコハク酸モノ〔2−(メタ)アクリロイルオキシエチル〕、フタル酸モノ〔2−(メタ)アクリロイルオキシエチル〕等;両末端にカルボキシル基と水酸基とを有するポリマーのモノ(メタ)アクリレートとしては、例えばω−カルボキシポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート等;カルボキシル基を有する不飽和多環式化合物及びその無水物としては、例えば5−カルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジカルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−5−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−6−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−6−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジカルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン無水物等が挙げられる。
Examples of unsaturated monocarboxylic acids include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid and the like;
Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid, etc .; examples of the unsaturated dicarboxylic acid anhydride include, for example, anhydrides of the compounds exemplified as the above dicarboxylic acid; Examples of acid mono [(meth) acryloyloxyalkyl] esters include succinic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl], phthalic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] and the like; Examples of mono (meth) acrylates of polymers having a hydroxyl group and ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylates; unsaturated polycyclic compounds having a carboxyl group and their anhydrides include, for example, 5-carboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dicar Xibicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] Hept-2-ene, 5-carboxy-6-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-6-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5, Examples include 6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene anhydride.

これらのうち、モノカルボン酸、ジカルボン酸無水物が好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸が、共重合反応性、アルカリ水溶液に対する溶解性及び入手の容易性からより好ましい。これらの(A1)化合物は、単独で使用してもよいし2種以上を混合して使用してもよい。   Of these, monocarboxylic acids and dicarboxylic anhydrides are preferable, and acrylic acid, methacrylic acid, and maleic anhydride are more preferable from the viewpoint of copolymerization reactivity, solubility in an aqueous alkali solution, and availability. These (A1) compounds may be used alone or in admixture of two or more.

(A1)化合物の使用割合としては、(A1)化合物並びに(A2)化合物(必要に応じて任意の(A3)化合物及び(A4)化合物)の合計に基づいて、5質量%〜30質量%が好ましく、10質量%〜25質量%がより好ましい。(A1)化合物の使用割合を上記範囲とすることで、[A]アルカリ可溶性樹脂のアルカリ水溶液に対する溶解性を最適化すると共に、感度に優れる感光性樹脂組成物が得られる。   (A1) As a using ratio of a compound, 5-30 mass% is based on the sum total of (A1) compound and (A2) compound (arbitrary (A3) compound and (A4) compound as needed). Preferably, 10% by mass to 25% by mass is more preferable. (A1) By making the usage-amount of a compound into the said range, while optimizing the solubility with respect to the aqueous alkali solution of [A] alkali-soluble resin, the photosensitive resin composition excellent in a sensitivity is obtained.

[(A2)化合物]
(A2)化合物はエポキシ基含有不飽和化合物である。エポキシ基としては、オキシラニル基(1,2−エポキシ構造)、オキセタニル基(1,3−エポキシ構造)が挙げられる。
[(A2) Compound]
The compound (A2) is an epoxy group-containing unsaturated compound. Examples of the epoxy group include an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure).

オキシラニル基を有する不飽和化合物としては、例えばアクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2−メチルグリシジル、α−エチルアクリル酸グリシジル、α−n−プロピルアクリル酸グリシジル、α−n−ブチルアクリル酸グリシジル、アクリル酸3,4−エポキシブチル、メタクリル酸3,4−エポキシブチル、アクリル酸6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸6,7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルメチル等が挙げられる。これらのうち、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2−メチルグリシジル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロヘキシルが、共重合反応性及び硬化膜の耐溶媒性等の向上の観点から好ましい。   Examples of unsaturated compounds having an oxiranyl group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 2-methyl glycidyl methacrylate, glycidyl α-ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, and glycidyl α-n-butyl acrylate. 3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxybutyl methacrylate, 6,7-epoxyheptyl acrylate, 6,7-epoxyheptyl methacrylate, α-ethylacrylic-6,7-epoxyheptyl, o-Vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate and the like. Among these, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, -6,7-epoxyheptyl methacrylate, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, 3, methacrylate 4-Epoxycyclohexyl is preferable from the viewpoint of improving the copolymerization reactivity and the solvent resistance of the cured film.

オキセタニル基を有する不飽和化合物としては、例えば、3−(アクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2−トリフルオロメチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2−ペンタフルオロエチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2,2−ジフルオロオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2,2,4−トリフルオロオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2,2,4,4−テトラフルオロオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−トリフルオロメチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−ペンタフルオロエチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2,2−ジフルオロオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2,2,4−トリフルオロオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2,2,4,4−テトラフルオロオキセタン等のアクリル酸エステル;3−(メタクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2−トリフルオロメチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2−ペンタフルオロエチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2,2−ジフルオロオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2,2,4−トリフルオロオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2,2,4,4−テトラフルオロオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−トリフルオロメチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−ペンタフルオロエチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2,2−ジフルオロオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2,2,4−トリフルオロオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2,2,4,4−テトラフルオロオキセタン等のメタクリル酸エステル等が挙げられる。これらの(A2)化合物は、単独で使用してもよいし2種以上を混合して使用してもよい。   Examples of the unsaturated compound having an oxetanyl group include 3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- ( (Acryloyloxymethyl) -2-trifluoromethyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2-pentafluoroethyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2, 2-difluorooxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2,2,4-trifluorooxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2,2,4,4-tetrafluorooxetane, 3- (2-acryloyloxy) Ethyl) oxetane, 3- 2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-trifluoromethyloxetane, 3- (2-acryloyl) Oxyethyl) -2-pentafluoroethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2,2-difluorooxetane, 3- (2-acryloyloxy) Ethyl) -2,2,4-trifluorooxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2,2,4,4-tetrafluorooxetane and the like; 3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3 -(Methacryloyloxymethyl) -2-methyloxe 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2-trifluoromethyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2-pentafluoroethyloxetane, 3- (methacryloyloxy) Methyl) -2-phenyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2,2-difluorooxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2,2,4-trifluorooxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2 , 2,4,4-tetrafluorooxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyl Oxetane, 3- (2-me Tacryloyloxyethyl) -2-trifluoromethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-pentafluoroethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane, 3- (2- Methacryloyloxyethyl) -2,2-difluorooxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2,2,4-trifluorooxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2,2,4,4- And methacrylates such as tetrafluorooxetane. These (A2) compounds may be used alone or in combination of two or more.

(A2)化合物の使用割合としては(A1)化合物並びに(A2)化合物(必要に応じて任意の(A3)化合物及び(A4)化合物)の合計に基づいて、5質量%〜60質量%が好ましく、10質量%〜50質量%がより好ましい。(A2)化合物の使用割合を上記範囲とすることで、優れた耐溶媒性等を有する硬化膜を形成できる。   The proportion of the compound (A2) used is preferably 5% by mass to 60% by mass based on the total of the compound (A1) and the compound (A2) (optional (A3) compound and (A4) compound if necessary). 10 mass%-50 mass% are more preferable. (A2) By making the usage-amount of a compound into the said range, the cured film which has the outstanding solvent resistance etc. can be formed.

[(A3)化合物]
(A3)化合物としては、水酸基を有する(メタ)アクリル酸エステル、下記式(3)で表されるフェノール性水酸基含有不飽和化合物等が挙げられる。
[(A3) Compound]
Examples of the (A3) compound include a (meth) acrylic acid ester having a hydroxyl group, a phenolic hydroxyl group-containing unsaturated compound represented by the following formula (3), and the like.

上記式(3)中、R17は、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基である。R18〜R22は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基又は炭素数1〜4のアルキル基である。Yは、単結合、−COO−、又は−CONH−である。pは、0〜3の整数である。但し、R18〜R22の少なくとも1つは、水酸基である。In the above formula (3), R 17 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. R 18 to R 22 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Y is a single bond, —COO—, or —CONH—. p is an integer of 0-3. However, at least one of R 18 to R 22 is a hydroxyl group.

上記水酸基を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えばヒドロキシメチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(n=2〜10)モノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(n=2〜10)モノ(メタ)アクリレート、2,3−ジヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−メタクリロキシエチルグリコサイド等が挙げられる。   Examples of the (meth) acrylic acid ester having a hydroxyl group include hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, and polyethylene glycol. (N = 2 to 10) mono (meth) acrylate, polypropylene glycol (n = 2 to 10) mono (meth) acrylate, 2,3-dihydroxypropyl (meth) acrylate, 2-methacryloxyethylglycoside and the like. .

上記式(3)で表されるフェノール性水酸基含有不飽和化合物としては、Yとpの定義により、例えば下記式(3−1)〜式(3−5)で表される化合物等が挙げられる。   Examples of the phenolic hydroxyl group-containing unsaturated compound represented by the above formula (3) include compounds represented by the following formulas (3-1) to (3-5) according to the definitions of Y and p. .

上記式(3−1)中、qは1から3の整数である。R17〜R22は上記式(3)と同義である。In the above formula (3-1), q is an integer of 1 to 3. R < 17 > -R < 22 > is synonymous with the said Formula (3).

上記式(3−2)中、R17〜R22は、上記式(3)と同義である。In said formula (3-2), R < 17 > -R < 22 > is synonymous with the said Formula (3).

上記式(3−3)中、rは1から3の整数である。R17〜R22は上記式(3)と同義である。In the above formula (3-3), r is an integer of 1 to 3. R < 17 > -R < 22 > is synonymous with the said Formula (3).

上記式(3−4)中、R17〜R22は、上記式(3)と同義である。In said formula (3-4), R < 17 > -R < 22 > is synonymous with the said Formula (3).

上記式(3−5)中、R17〜R22は、上記式(3)と同義である。In the above formula (3-5), R 17 to R 22 is as defined in the above formula (3).

これらの(A3)化合物のうち、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、4−ヒドロキシフェニルメタクリレート、o−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、α−メチル−p−ヒドロキシスチレンが好ましい。これらの(A3)化合物は、単独で使用してもよいし2種以上を混合して使用してもよい。   Of these (A3) compounds, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxyphenyl methacrylate, o-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, and α-methyl-p-hydroxystyrene are preferable. These (A3) compounds may be used alone or in admixture of two or more.

(A3)化合物の使用割合としては、(A1)化合物、(A2)化合物並びに(A3)化合物(必要に応じて任意の(A4)化合物)の合計に基づいて、5質量%〜30質量%が好ましく、10質量%〜25質量%がより好ましい。(A3)化合物の使用割合を上記範囲とすることによって、優れた耐溶媒性等を有する硬化膜を形成できる。   (A3) As a using ratio of a compound, 5-30 mass% is based on the sum total of (A1) compound, (A2) compound, and (A3) compound (arbitrary (A4) compound as needed). Preferably, 10% by mass to 25% by mass is more preferable. (A3) By making the usage-amount of a compound into the said range, the cured film which has the outstanding solvent resistance etc. can be formed.

[(A4)化合物]
(A4)化合物は、上記の(A1)化合物、(A2)化合物及び(A3)化合物以外の不飽和化合物であれば特に制限されるものではない。(A4)化合物としては、例えばメタクリル酸鎖状アルキルエステル、メタクリル酸環状アルキルエステル、アクリル酸鎖状アルキルエステル、アクリル酸環状アルキルエステル、メタクリル酸アリールエステル、アクリル酸アリールエステル、不飽和ジカルボン酸ジエステル、ビシクロ不飽和化合物、マレイミド化合物、不飽和芳香族化合物、共役ジエン、テトラヒドロフラン骨格、フラン骨格、テトラヒドロピラン骨格、ピラン骨格、下記式(4)で表される骨格を含む不飽和化合物及びその他の不飽和化合物等が挙げられる。
[(A4) Compound]
(A4) A compound will not be restrict | limited especially if it is unsaturated compounds other than said (A1) compound, (A2) compound, and (A3) compound. As the (A4) compound, for example, methacrylic acid chain alkyl ester, methacrylic acid cyclic alkyl ester, acrylic acid chain alkyl ester, acrylic acid cyclic alkyl ester, methacrylic acid aryl ester, acrylic acid aryl ester, unsaturated dicarboxylic acid diester, Bicyclo unsaturated compound, maleimide compound, unsaturated aromatic compound, conjugated diene, tetrahydrofuran skeleton, furan skeleton, tetrahydropyran skeleton, pyran skeleton, unsaturated compound containing skeleton represented by the following formula (4), and other unsaturated compounds Compounds and the like.

上記式(4)中、R23は、水素原子又はメチル基である。sは1以上の整数である。In the formula (4), R 23 is a hydrogen atom or a methyl group. s is an integer of 1 or more.

メタクリル酸鎖状アルキルエステルとしては、例えばメタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸sec−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸イソデシル、メタクリル酸n−ラウリル、メタクリル酸トリデシル、メタクリル酸n−ステアリル等が挙げられる。   Examples of the chain alkyl ester of methacrylic acid include, for example, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, and n-methacrylate. Examples include lauryl, tridecyl methacrylate, and n-stearyl methacrylate.

メタクリル酸環状アルキルエステルとしては、例えばメタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸2−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチル、メタクリル酸イソボロニル等が挙げられる。Examples of the cyclic alkyl ester of methacrylic acid include cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate, and tricyclomethacrylate [5.2.1]. .0 2,6] decan-8-yl oxy ethyl, and isobornyl methacrylate.

アクリル酸鎖状アルキルエステルとしては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸sec−ブチル、アクリル酸t−ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸イソデシル、アクリル酸n−ラウリル、アクリル酸トリデシル、アクリル酸n−ステアリル等が挙げられる。   Examples of the acrylic acid chain alkyl ester include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, and n-acrylate. Examples include lauryl, tridecyl acrylate, and n-stearyl acrylate.

アクリル酸環状アルキルエステルとしては、例えばシクロヘキシルアクリレート、2−メチルシクロヘキシルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチルアクリレート、イソボロニルアクリレート等が挙げられる。Examples of acrylic acid cyclic alkyl esters include cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, and tricyclo [5.2.1.0 2,6. ] Decan-8-yloxyethyl acrylate, isobornyl acrylate and the like.

メタクリル酸アリールエステルとしては、例えばメタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等が挙げられる。   Examples of the methacrylic acid aryl ester include phenyl methacrylate and benzyl methacrylate.

アクリル酸アリールエステルとしては、例えばフェニルアクリレート、ベンジルアクリレート等が挙げられる。   Examples of the acrylic acid aryl ester include phenyl acrylate and benzyl acrylate.

不飽和ジカルボン酸ジエステルとしては、例えばマレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等が挙げられる。   Examples of the unsaturated dicarboxylic acid diester include diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate and the like.

ビシクロ不飽和化合物としては、例えばビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−エトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジメトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジエトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−t−ブトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−フェノキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジ(t−ブトキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジ(シクロヘキシルオキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−(2'−ヒドロキシエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジ(ヒドロキシメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジ(2'−ヒドロキシエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ヒドロキシ−5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ヒドロキシ−5−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ヒドロキシメチル−5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン等が挙げられる。   Examples of the bicyclo unsaturated compound include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, and 5-ethylbicyclo [2.2.1]. Hept-2-ene, 5-methoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dimethoxybicyclo [2.2 .1] hept-2-ene, 5,6-diethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-t-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5 -Cyclohexyloxycarbonyl bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-phenoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (t-butoxycarbonyl) bicyclo [2 2.1] Hept- -Ene, 5,6-di (cyclohexyloxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5- (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dihydroxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (hydroxymethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (2 ′ -Hydroxyethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxy-5-ethylbicyclo [2. 2.1] hept-2-ene, 5-hydroxymethyl-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, and the like.

マレイミド化合物としては、例えばN−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−(4−ヒドロキシフェニル)マレイミド、N−(4−ヒドロキシベンジル)マレイミド、N−スクシンイミジル−3−マレイミドベンゾエート、N−スクシンイミジル−4−マレイミドブチレート、N−スクシンイミジル−6−マレイミドカプロエート、N−スクシンイミジル−3−マレイミドプロピオネート、N−(9−アクリジニル)マレイミド等が挙げられる。   Examples of maleimide compounds include N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, N- (4-hydroxybenzyl) maleimide, N-succinimidyl-3-maleimidobenzoate, N-succinimidyl-4-maleimidobutyrate, N-succinimidyl-6-maleimidocaproate, N-succinimidyl-3-maleimidopropionate, N- (9-acridinyl) maleimide and the like.

不飽和芳香族化合物としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ビニルトルエン、p−メトキシスチレン等が挙げられる。   Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene, α-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, and p-methoxystyrene.

共役ジエンとしては、例えば1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン等が挙げられる。   Examples of the conjugated diene include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene and the like.

テトラヒドロフラン骨格を含有する不飽和化合物としては、例えばテトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、2−メタクリロイルオキシ−プロピオン酸テトラヒドロフルフリルエステル、3−(メタ)アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−2−オン等が挙げられる。   Examples of the unsaturated compound containing a tetrahydrofuran skeleton include tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one, and the like.

フラン骨格を含有する不飽和化合物としては、例えば2−メチル−5−(3−フリル)−1−ペンテン−3−オン、フルフリル(メタ)アクリレート、1−フラン−2−ブチル−3−エン−2−オン、1−フラン−2−ブチル−3−メトキシ−3−エン−2−オン、6−(2−フリル)−2−メチル−1−ヘキセン−3−オン、6−フラン−2−イル−ヘキシ−1−エン−3−オン、アクリル酸−2−フラン−2−イル−1−メチル−エチルエステル、6−(2−フリル)−6−メチル−1−ヘプテン−3−オン等が挙げられる。   Examples of unsaturated compounds containing a furan skeleton include 2-methyl-5- (3-furyl) -1-penten-3-one, furfuryl (meth) acrylate, 1-furan-2-butyl-3-ene- 2-one, 1-furan-2-butyl-3-methoxy-3-en-2-one, 6- (2-furyl) -2-methyl-1-hexen-3-one, 6-furan-2- Yl-hex-1-en-3-one, acrylic acid-2-furan-2-yl-1-methyl-ethyl ester, 6- (2-furyl) -6-methyl-1-hepten-3-one, etc. Is mentioned.

テトラヒドロピラン骨格を含有する不飽和化合物としては、例えば(テトラヒドロピラン−2−イル)メチルメタクリレート、2,6−ジメチル−8−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)−オクト−1−エン−3−オン、2−メタクリル酸テトラヒドロピラン−2−イルエステル、1−(テトラヒドロピラン−2−オキシ)−ブチル−3−エン−2−オン等が挙げられる。   Examples of unsaturated compounds containing a tetrahydropyran skeleton include (tetrahydropyran-2-yl) methyl methacrylate, 2,6-dimethyl-8- (tetrahydropyran-2-yloxy) -oct-1-en-3-one , 2-methacrylic acid tetrahydropyran-2-yl ester, 1- (tetrahydropyran-2-oxy) -butyl-3-en-2-one, and the like.

ピラン骨格を含有する不飽和化合物としては、例えば4−(1,4−ジオキサ−5−オキソ−6−ヘプテニル)−6−メチル−2−ピラン、4−(1,5−ジオキサ−6−オキソ−7−オクテニル)−6−メチル−2−ピラン等が挙げられる。   Examples of unsaturated compounds containing a pyran skeleton include 4- (1,4-dioxa-5-oxo-6-heptenyl) -6-methyl-2-pyran and 4- (1,5-dioxa-6-oxo. -7-octenyl) -6-methyl-2-pyran and the like.

その他の不飽和化合物としては、例えばアクリロニトリル、メタクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、アクリルアミド、メタクリルアミド、酢酸ビニル等が挙げられる。   Examples of other unsaturated compounds include acrylonitrile, methacrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylamide, methacrylamide, and vinyl acetate.

これらの(A4)化合物のうち、メタクリル酸鎖状アルキルエステル、メタクリル酸環状アルキルエステル、マレイミド化合物、テトラヒドロフラン骨格、フラン骨格、テトラヒドロピラン骨格、ピラン骨格、上記式(4)で表される骨格を有する不飽和化合物、不飽和芳香族化合物、アクリル酸環状アルキルエステルが好ましい。これらのうち、スチレン、メタクリル酸メチル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸n−ラウリル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、p−メトキシスチレン、2−メチルシクロヘキシルアクリレート、N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(n=2〜10)モノ(メタ)アクリレート、3−(メタ)アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−2−オンが、共重合反応性及びアルカリ水溶液に対する溶解性の点からより好ましい。これらの(A4)化合物は、単独で使用してもよいし2種以上を混合して使用してもよい。Among these (A4) compounds, it has a methacrylic acid chain alkyl ester, a methacrylic acid cyclic alkyl ester, a maleimide compound, a tetrahydrofuran skeleton, a furan skeleton, a tetrahydropyran skeleton, a pyran skeleton, and a skeleton represented by the above formula (4). Unsaturated compounds, unsaturated aromatic compounds and acrylic acid cyclic alkyl esters are preferred. Among these, styrene, methyl methacrylate, t-butyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate, p-methoxystyrene, 2- Methylcyclohexyl acrylate, N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, polyethylene glycol (n = 2 to 10) mono (meth) acrylate, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one From the viewpoint of copolymerization reactivity and solubility in an aqueous alkali solution, it is more preferable. These (A4) compounds may be used alone or in admixture of two or more.

(A4)化合物の使用割合としては、(A1)化合物、(A2)化合物並びに(A4)化合物(及び任意の(A3)化合物)の合計に基づいて、10質量%〜70質量%が好ましく、20質量%〜60質量%がより好ましい。(A4)化合物の使用割合を上記範囲とすることで、耐溶媒性等に優れる硬化膜を形成できる。   The proportion of the compound (A4) used is preferably 10% by mass to 70% by mass based on the sum of the compound (A1), the compound (A2) and the compound (A4) (and any (A3) compound). A mass% to 60 mass% is more preferable. (A4) By making the usage-amount of a compound into the said range, the cured film excellent in solvent resistance etc. can be formed.

<[A]アルカリ可溶性樹脂の合成方法>
アルカリ可溶性樹脂の合成は、特開2012−88549号公報の段落番号0067〜0073の記載を参酌でき、かかる内容は本願明細書に組み込まれる。
<[A] Method for synthesizing alkali-soluble resin>
The synthesis of the alkali-soluble resin can be referred to the description of paragraph numbers 0067 to 0073 of JP 2012-88549 A, and the contents thereof are incorporated in the present specification.

<[B]キノンジアジド化合物>
本発明の感光性樹脂組成物に用いられる[B]キノンジアジド化合物は、放射線の照射によりカルボン酸を発生する1,2−キノンジアジド化合物である。1,2−キノンジアジド化合物としては、フェノール性化合物又はアルコール性化合物(以下、「母核」と称する)と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を用いることができる。
<[B] quinonediazide compound>
The [B] quinonediazide compound used in the photosensitive resin composition of the present invention is a 1,2-quinonediazide compound that generates a carboxylic acid upon irradiation with radiation. As the 1,2-quinonediazide compound, a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter referred to as “mother nucleus”) and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide can be used.

上記母核としては、例えばトリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、(ポリヒドロキシフェニル)アルカン、その他の母核等が挙げられる。   Examples of the mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other mother nuclei.

トリヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン等;テトラヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,2',4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2'−テトラヒドロキシ−4'−メチルベンゾフェノン、2,3,4,4'−テトラヒドロキシ−3'−メトキシベンゾフェノン等;ペンタヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,3,4,2',6'−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等;ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,4,6,3',4',5'−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、3,4,5,3',4',5'−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等;(ポリヒドロキシフェニル)アルカンとしては、例えばビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(p−ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、4,4'−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、3,3,3',3'−テトラメチル−1,1'−スピロビインデン−5,6,7,5',6',7'−ヘキサノール、2,2,4−トリメチル−7,2',4'−トリヒドロキシフラバン等;その他の母核としては、例えば2−メチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)−7−ヒドロキシクロマン、1−[1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−3−(1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)ベンゼン、4,6−ビス{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−1,3−ジヒドロキシベンゼン等が挙げられる。   Examples of trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 2,4,6-trihydroxybenzophenone; examples of tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2 , 3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,2′-tetrahydroxy-4′-methylbenzophenone, 2,3,4,4 '-Tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone and the like; pentahydroxybenzophenone such as 2,3,4,2', 6'-pentahydroxybenzophenone and the like; hexahydroxybenzophenone such as 2,4,6,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5, 3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone, etc .; (polyhydroxyphenyl) alkane includes, for example, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) ) Methane, 1,1,1-tris (p-hydroxyphenyl) ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl ] Phenyl] ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3, 3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiindene-5,6,7,5 ′, 6 ′, 7′-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2 ′, 4 ′ Examples of other mother nucleus include 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman and 1- [1- (3 -{1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1 -Methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene, 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydroxybenzene, etc. It is done.

これらの母核のうち、2,3,4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン、4,4'−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールが好ましい。    Among these mother nuclei, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4 ′-[1- [4- [1- [ 4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferred.

1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましい。1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとしては、例えば1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド等が挙げられる。これらのうち、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドがより好ましい。   As the 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride is preferable. Examples of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid chloride include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride, and the like. Of these, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is more preferred.

フェノール性化合物又はアルコール性化合物(母核)と、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合反応においては、フェノール性化合物又はアルコール性化合物中のOH基数に対して、好ましくは30〜85モル%、より好ましくは50〜70モル%に相当する1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。縮合反応は、公知の方法によって実施することができる。   In the condensation reaction of the phenolic compound or alcoholic compound (mother nucleus) and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide, preferably 30 to 85 moles relative to the number of OH groups in the phenolic compound or alcoholic compound. %, More preferably 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide corresponding to 50 to 70 mol% can be used. The condensation reaction can be carried out by a known method.

また、1,2−キノンジアジド化合物としては、上記例示した母核のエステル結合をアミド結合に変更した1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類、例えば2,3,4−トリアミノベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸アミド等も好適に使用される。   Examples of the 1,2-quinonediazide compound include 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the mother nucleus exemplified above is changed to an amide bond, for example, 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2. -Naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid amide etc. are also used suitably.

これらの[B]キノンジアジド化合物は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。当該感光性樹脂組成物における[B]キノンジアジド化合物の使用割合としては、[A]アルカリ可溶性樹脂100質量部に対して、5質量部〜100質量部が好ましく、10質量部〜50質量部がより好ましい。[B]キノンジアジド化合物の使用割合を上記範囲とすることで、現像液となるアルカリ水溶液に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差が大きく、パターニング性能が良好となり、また得られる硬化膜の耐溶剤性が良好となる。   These [B] quinonediazide compounds can be used alone or in combination of two or more. As a use ratio of the [B] quinonediazide compound in the said photosensitive resin composition, 5 mass parts-100 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] alkali-soluble resin, and 10 mass parts-50 mass parts are more. preferable. [B] By setting the use ratio of the quinonediazide compound within the above range, the difference in solubility between the irradiated portion and the unirradiated portion in the alkaline aqueous solution serving as the developer is large, the patterning performance is improved, and the obtained cured film The solvent resistance is improved.

<[C]ブロックイソシアネート化合物>
本発明で用いるブロックイソシアネート化合物は、下記一般式(1)で表される。
一般式(1)
(一般式(1)中、Rは、それぞれ、炭素数1〜20の有機基を表す。)
<[C] Block isocyanate compound>
The blocked isocyanate compound used in the present invention is represented by the following general formula (1).
General formula (1)
(In general formula (1), R represents an organic group having 1 to 20 carbon atoms.)

Rは2価の有機基を表し、分岐していても、不飽和結合となっていても良く、芳香環および/または脂肪族環の環状構造を有してもよい。また、環状構造を構成する原子の一部が、酸素、硫黄、窒素であってもよい。さらに、有機基または有機基が有する置換基が、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ハロゲン原子を含む基で置換されていてもよく、それら置換基同士が互いに結合を形成していても良い。
一般式(1)中の3つのRは同じであっても異なっていても良い。
一般式(1)におけるRは炭素数1〜12の炭化水素基であることが好ましく、炭素数3〜9の炭化水素基であることがより好ましい。
一般式(1)で表される化合物の分子量は、例えば、600〜900である。
R represents a divalent organic group, may be branched or may be an unsaturated bond, and may have an aromatic ring and / or an aliphatic ring cyclic structure. Further, some of the atoms constituting the cyclic structure may be oxygen, sulfur, or nitrogen. Furthermore, an organic group or a substituent that the organic group has may be substituted with a group containing oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, or a halogen atom, and these substituents may form a bond with each other. .
Three R in the general formula (1) may be the same or different.
R in the general formula (1) is preferably a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and more preferably a hydrocarbon group having 3 to 9 carbon atoms.
The molecular weight of the compound represented by the general formula (1) is, for example, 600 to 900.

具体的なRとしては、アルキレン基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルケニル基、アリーレン基、カルボニル基、およびこれらを組み合わせた基が挙げられる。またRが前述の基を含む場合に、エーテル構造(−O−)、チオエーテル構造(−S−)が組み合わされていてもよい。Rはアルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、およびこれらを組み合わせた基であることが好ましい。   Specific examples of R include an alkylene group, an alkenyl group, an alkynyl group, a cycloalkenyl group, an arylene group, a carbonyl group, and a group obtained by combining these. Moreover, when R contains the above-mentioned group, ether structure (-O-) and thioether structure (-S-) may be combined. R is preferably an alkylene group, an arylene group, a carbonyl group, or a group obtained by combining these.

本発明では、上記一般式を有していれば、公知のブロックイソシアネート化合物を制限無く使用することができる。かかるブロックイソシアネート化合物の具体例としては、デュラネート17B−60P、デュラネート17B−60PX(いずれも旭化成ケミカルズ(株)製)が挙げられる。   In this invention, if it has the said general formula, a well-known block isocyanate compound can be used without a restriction | limiting. Specific examples of the blocked isocyanate compound include Duranate 17B-60P and Duranate 17B-60PX (both manufactured by Asahi Kasei Chemicals Corporation).

本発明の組成物における一般式(1)で表される化合物の配合量は、全固形分に対し0.1〜10質量%の範囲であり、0.2〜7質量%が好ましく、0.5〜5質量%がさらに好ましい。
本発明の組成物は、また、一般式(1)で表される化合物以外のブロックイソシアネート化合物を含んでいても良い。しかしながら、本発明の組成物における、一般式(1)で表される化合物以外のブロックイソシアネート化合物の配合量は、全固形分に対し、0.001質量%以下であることが好ましく、実質的に含まないことがさらに好ましい。
The compounding quantity of the compound represented by General formula (1) in the composition of this invention is the range of 0.1-10 mass% with respect to the total solid, 0.2-7 mass% is preferable, and 0.2. 5-5 mass% is further more preferable.
The composition of the present invention may also contain a blocked isocyanate compound other than the compound represented by the general formula (1). However, the blending amount of the blocked isocyanate compound other than the compound represented by the general formula (1) in the composition of the present invention is preferably 0.001% by mass or less with respect to the total solid content. More preferably it does not contain.

<その他の任意成分>
当該感光性樹脂組成物は、上記の[A]アルカリ可溶性樹脂、[B]キノンジアジド化合物、[C]ブロックイソシアネートに加え、本発明の効果を損なわない範囲で必要に応じて界面活性剤、接着助剤、耐熱性向上剤、感熱性酸発生剤等の任意成分を含有できる。これらの任意成分は、単独で使用してもよいし2種以上を混合して使用してもよい。これらの化合物の詳細は、特開2012−88459号公報の段落番号0201〜0224の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
<Other optional components>
In addition to the above-mentioned [A] alkali-soluble resin, [B] quinonediazide compound, and [C] blocked isocyanate, the photosensitive resin composition includes a surfactant and an adhesion assistant as necessary within a range not impairing the effects of the present invention. An optional component such as an agent, a heat resistance improver, and a heat-sensitive acid generator can be contained. These optional components may be used alone or in combination of two or more. Details of these compounds can be referred to the description of paragraph numbers 0201 to 0224 of JP2012-88459A, the contents of which are incorporated herein.

<感光性樹脂組成物の調製方法>
各成分を所定の割合でかつ任意の方法で混合し、撹拌溶解して感光性樹脂組成物を調製する。例えば、成分を、それぞれ予め溶剤に溶解させた溶液とした後、これらを所定の割合で混合して樹脂組成物を調製することもできる。以上のように調製した組成物溶液は、孔径0.2μmのフィルター等を用いてろ過した後に、使用に供することもできる。
<Method for preparing photosensitive resin composition>
Each component is mixed in a predetermined ratio and by any method, stirred and dissolved to prepare a photosensitive resin composition. For example, a resin composition can be prepared by preparing a solution in which components are dissolved in a solvent in advance and then mixing them in a predetermined ratio. The composition solution prepared as described above can be used after being filtered using a filter having a pore size of 0.2 μm or the like.

本発明の感光性樹脂組成物の調製に用いられる溶剤としては、必須成分及び任意成分を均一に溶解し、各成分と反応しないものが用いられる。このような溶剤としては、上述した[A]アルカリ可溶性樹脂を製造するために使用できる溶剤として例示したものと同様のものが挙げられる。   As a solvent used for the preparation of the photosensitive resin composition of the present invention, a solvent that uniformly dissolves essential components and optional components and does not react with each component is used. As such a solvent, the thing similar to what was illustrated as a solvent which can be used in order to manufacture [A] alkali-soluble resin mentioned above is mentioned.

このような溶剤のうち、各成分の溶解性、各成分との反応性、被膜形成の容易性等の観点から、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル等の(ポリ)アルキレングリコールモノアルキルエーテル類;   Among such solvents, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether from the viewpoint of solubility of each component, reactivity with each component, ease of film formation, and the like. , Ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-propyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether , Propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, propylene glycol mono -N-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol mono-n-propyl ether, dipropylene glycol mono-n-butyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether, etc. (Poly) alkylene glycol monoalkyl ethers of

酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、酢酸エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸3−メトキシブチル、酢酸3−メチル−3−メトキシブチル等の酢酸(ポリ)アルキレングリコールモノアルキルエーテル類; Acetic acid ethylene glycol monomethyl ether, acetic acid ethylene glycol monoethyl ether, acetic acid ethylene glycol mono-n-propyl ether, acetic acid ethylene glycol mono-n-butyl ether, acetic acid diethylene glycol monomethyl ether, acetic acid diethylene glycol monoethyl ether, acetic acid diethylene glycol mono-n-propyl Acetic acid (poly) alkylene glycol monoalkyl ethers such as ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate ;

ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等の他のエーテル類;
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、ジアセトンアルコール(4−ヒドロキシ−4−メチルペンタン−2−オン)、4−ヒドロキシ−4−メチルヘキサン−2−オン等のケトン類;
プロピレングリコールジアセテート、1,3−ブチレングリコールジアセテート、1,6−ヘキサンジオールジアセテート等のジアセテート類;
乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸アルキルエステル類;
酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、ぎ酸n−ペンチル、酢酸i−ペンチル、プロピオン酸n−ブチル、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、酪酸エチル、酪酸n−プロピル、酪酸i−プロピル、酪酸n−ブチル、ヒドロキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸n−プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチル酪酸メチル、2−オキソ酪酸エチル等の他のエステル類;
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;
N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類等が挙げられる。
Other ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, tetrahydrofuran;
Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, diacetone alcohol (4-hydroxy-4-methylpentan-2-one), 4-hydroxy-4-methylhexane-2-one;
Diacetates such as propylene glycol diacetate, 1,3-butylene glycol diacetate, 1,6-hexanediol diacetate;
Lactic acid alkyl esters such as methyl lactate and ethyl lactate;
Ethyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, n-pentyl formate, i-pentyl acetate, n-butyl propionate, 3-methyl-3-methoxybutylpropio Nate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, i-propyl butyrate, n-butyl butyrate, ethyl hydroxyacetate, ethyl ethoxyacetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3 -Ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, n-propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, 2 -Other esters such as ethyl oxobutyrate;
Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene;
Examples thereof include amides such as N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and the like.

これらの溶剤のうち、溶解性、顔料分散性、塗布性等の観点から、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸3−メトキシブチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、1,3−ブチレングリコールジアセテート、1,6−ヘキサンジオールジアセテート、乳酸エチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、ぎ酸n−アミル、酢酸i−アミル、プロピオン酸n−ブチル、酪酸エチル、酪酸i−プロピル、酪酸n−ブチル、ピルビン酸エチルが好ましい。溶剤は単独又は2種以上を使用できる。   Among these solvents, from the viewpoint of solubility, pigment dispersibility, coatability, etc., propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 1,3-butylene glycol diacetate, 1,6-hexanediol diacetate, ethyl lactate, 3-methoxypropionic acid Ethyl, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate, n-butyl acetate Le acetate i- butyl, formic acid n- amyl acetate, i- amyl, n- butyl propionate, ethyl butyrate, i- propyl butyrate n- butyl, ethyl pyruvate are preferred. The solvent can be used alone or in combination of two or more.

さらに、上記溶剤と共に、ベンジルエチルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を併用することもできる。上記高沸点溶剤は、単独又は2種以上を使用できる。   In addition to the above solvents, benzyl ethyl ether, di-n-hexyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, maleic acid A high boiling point solvent such as diethyl, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, ethylene glycol monophenyl ether acetate may be used in combination. The said high boiling point solvent can use single or 2 types or more.

溶剤の含有量としては限定されないが、得られる感光性樹脂組成物の塗布性、安定性等の観点から当該感光性樹脂組成物の溶剤を除いた各成分の合計濃度が、5質量%〜50質量%となる量が好ましく、10質量%〜40質量%となる量がより好ましい。当該感光性樹脂組成物を溶液状態として調製する場合、固形分濃度(組成物溶液中に占める溶剤以外の成分)は、使用目的や所望の膜厚の値等に応じて任意の濃度(例えば5質量%〜50質量%)に設定できる。さらに好ましい固形分濃度は、基板上への被膜の形成法方により異なるが、これについては後述する。このようにして調製された組成物溶液は、孔径0.5μm程度のミリポアフィルタ等を用いて濾過した後、使用に供することができる。   Although it is not limited as content of a solvent, From the viewpoint of the applicability | paintability of the photosensitive resin composition obtained, stability, etc., the total density | concentration of each component except the solvent of the said photosensitive resin composition is 5 mass%-50 mass%. The amount of mass% is preferable, and the amount of 10 mass% to 40 mass% is more preferable. When the photosensitive resin composition is prepared in a solution state, the solid content concentration (components other than the solvent in the composition solution) can be set to any concentration (for example, 5 depending on the purpose of use, a desired film thickness value, etc.). Mass% to 50 mass%). A more preferable solid content concentration varies depending on a method of forming a film on the substrate, which will be described later. The composition solution thus prepared can be used after being filtered using a Millipore filter or the like having a pore diameter of about 0.5 μm.

[硬化膜の製造方法]
次に、本発明の硬化膜の製造方法を説明する。
本発明の硬化膜の製造方法は、以下の(1)〜(5)の工程を含むことが好ましい。
(1)本発明の感光性樹脂組成物を基板上に塗布する工程;
(2)塗布された感光性樹脂組成物から溶剤を除去する工程;
(3)溶剤が除去された感光性樹脂組成物を活性光線により露光する工程;
(4)露光された感光性樹脂組成物を水性現像液により現像する工程;
(5)現像された感光性樹脂組成物を熱硬化するポストベーク工程。
以下に各工程を順に説明する。
[Method for producing cured film]
Next, the manufacturing method of the cured film of this invention is demonstrated.
The method for producing a cured film of the present invention preferably includes the following steps (1) to (5).
(1) The process of apply | coating the photosensitive resin composition of this invention on a board | substrate;
(2) A step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition;
(3) The process of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent was removed with actinic rays;
(4) A step of developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developer;
(5) A post-baking step of thermosetting the developed photosensitive resin composition.
Each step will be described below in order.

(1)の塗布工程では、本発明の感光性樹脂組成物を基板上に塗布して溶剤を含む湿潤膜とすることが好ましい。感光性樹樹脂組成物を基板へ塗布する前にアルカリ洗浄やプラズマ洗浄といった基板の洗浄を行うことが好ましく、さらに基板洗浄後にヘキサメチルジシラザンで基板表面を処理することがより好ましい。この処理を行うことにより、感光性樹脂組成物の基板への密着性が向上する傾向にある。ヘキサメチルジシラザンで基板表面を処理する方法としては、特に限定されないが、例えば、ヘキサメチルジシラザン蒸気に中に基板を晒しておく方法等が挙げられる。
上記の基板としては、無機基板、樹脂、樹脂複合材料などが挙げられる。
無機基板としては、例えばガラス、石英、シリコーン、シリコンナイトライド、および、それらのような基板上にモリブデン、チタン、アルミ、銅などを蒸着した複合基板が挙げられる。
樹脂としては、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンズアゾール、ポリフェニレンサルファイド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等のフッ素樹脂、液晶ポリマー、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アイオノマー樹脂、シアネート樹脂、架橋フマル酸ジエステル、環状ポリオレフィン、芳香族エーテル、マレイミドーオレフィン、セルロース、エピスルフィド化合物等の合成樹脂からなる基板が挙げられる
これらの基板は、上記の形態のまま用いられる場合は少なく、通常、最終製品の形態によって、例えばTFT素子のような多層積層構造が形成されている。
基板への塗布方法は特に限定されず、例えば、スリットコート法、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法、流延塗布法、スリットアンドスピン法等の方法を用いることができる。さらに、特開2009−145395号公報に記載されているような、所謂プリウェット法を適用することも可能である。
塗布したときのウエット膜厚は特に限定されるものではなく、用途に応じた膜厚で塗布することができるが、通常は0.5〜10μmの範囲で使用される。
In the application step (1), the photosensitive resin composition of the present invention is preferably applied onto a substrate to form a wet film containing a solvent. Before applying the photosensitive resin resin composition to the substrate, it is preferable to perform substrate cleaning such as alkali cleaning or plasma cleaning, and it is more preferable to treat the substrate surface with hexamethyldisilazane after substrate cleaning. By performing this treatment, the adhesiveness of the photosensitive resin composition to the substrate tends to be improved. The method for treating the substrate surface with hexamethyldisilazane is not particularly limited, and examples thereof include a method in which the substrate is exposed to hexamethyldisilazane vapor.
Examples of the substrate include inorganic substrates, resins, and resin composite materials.
Examples of the inorganic substrate include glass, quartz, silicone, silicon nitride, and a composite substrate in which molybdenum, titanium, aluminum, copper, or the like is vapor-deposited on such a substrate.
Resins include polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polysulfone, polyethersulfone, polyarylate, allyl diglycol carbonate, polyamide, polyimide, polyamideimide, polyetherimide, poly Fluorine resins such as benzazole, polyphenylene sulfide, polycycloolefin, norbornene resin, polychlorotrifluoroethylene, liquid crystal polymer, acrylic resin, epoxy resin, silicone resin, ionomer resin, cyanate resin, crosslinked fumaric acid diester, cyclic polyolefin, aromatic Made of synthetic resin such as aromatic ether, maleimide-olefin, cellulose, episulfide compound These substrates which may be mentioned are less if used while the above embodiment, normally, depending on the form of the final product, for example, multi-layered structure such as a TFT element is formed.
The coating method on the substrate is not particularly limited, and for example, a slit coating method, a spray method, a roll coating method, a spin coating method, a casting coating method, a slit and spin method, or the like can be used. Furthermore, it is also possible to apply a so-called pre-wet method as described in JP 2009-145395 A.
The wet film thickness when applied is not particularly limited and can be applied with a film thickness according to the application, but it is usually used in the range of 0.5 to 10 μm.

(2)の溶剤除去工程では、塗布された上記の膜から、減圧(バキューム)および/または加熱により、溶剤を除去して基板上に乾燥塗膜を形成させる。溶剤除去工程の加熱条件は、好ましくは70〜130℃で30〜300秒間程度である。温度と時間が上記範囲である場合、パターンの密着性がより良好で、且つ残渣もより低減できる傾向にある。   In the solvent removal step (2), the solvent is removed from the applied film by vacuum (vacuum) and / or heating to form a dry coating film on the substrate. The heating conditions for the solvent removal step are preferably 70 to 130 ° C. and about 30 to 300 seconds. When the temperature and time are in the above ranges, the pattern adhesiveness is better and the residue tends to be further reduced.

(3)の露光工程では、塗膜を設けた基板に所定のパターンを有するマスクを介して、活性光線を照射する。この工程では、光酸発生剤が分解し酸が発生する。発生した酸の触媒作用により、塗膜成分中に含まれる酸分解性基が加水分解されて、カルボキシル基またはフェノール性水酸基が生成する。
活性光線による露光光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、LED光源、エキシマレーザー発生装置などを用いることができ、g線(436nm)、i線(365nm)、h線(405nm)などの波長300nm以上450nm以下の波長を有する活性光線が好ましく使用できる。また、必要に応じて長波長カットフィルター、短波長カットフィルター、バンドパスフィルターのような分光フィルターを通して照射光を調整することもできる。
露光装置としては、ミラープロジェクションアライナー、ステッパー、スキャナー、プロキシミティ、コンタクト、マイクロレンズアレイ、レーザー露光、など各種方式の露光機を用いることができる。
酸触媒の生成した領域において、上記の加水分解反応を加速させるために、露光後加熱処理:Post Exposure Bake(以下、「PEB」ともいう。)を行うことができる。PEBにより、酸分解性基からのカルボキシル基またはフェノール性水酸基の生成を促進させることができる。PEBを行う場合の温度は、30℃以上130℃以下であることが好ましく、40℃以上110℃以下がより好ましく、50℃以上100℃以下が特に好ましい。
ただし、本発明における酸分解性基は、酸分解の活性化エネルギーが低く、露光による酸発生剤由来の酸により容易に分解し、カルボキシル基またはフェノール性水酸基を生じるため、必ずしもPEBを行うことなく、現像によりポジ画像を形成することもできる。
In the exposure step (3), the substrate provided with the coating film is irradiated with actinic rays through a mask having a predetermined pattern. In this step, the photoacid generator is decomposed to generate an acid. By the catalytic action of the generated acid, the acid-decomposable group contained in the coating film component is hydrolyzed to produce a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.
As an exposure light source using actinic light, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a chemical lamp, an LED light source, an excimer laser generator, and the like can be used. Actinic rays having a wavelength of 300 nm to 450 nm, such as 405 nm), can be preferably used. Moreover, irradiation light can also be adjusted through spectral filters, such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, and a band pass filter, as needed.
As the exposure apparatus, various types of exposure machines such as a mirror projection aligner, a stepper, a scanner, a proximity, a contact, a microlens array, and a laser exposure can be used.
In order to accelerate the hydrolysis reaction in the region where the acid catalyst is generated, post-exposure heat treatment: Post Exposure Bake (hereinafter also referred to as “PEB”) can be performed. PEB can promote the formation of a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group from an acid-decomposable group. The temperature for performing PEB is preferably 30 ° C. or higher and 130 ° C. or lower, more preferably 40 ° C. or higher and 110 ° C. or lower, and particularly preferably 50 ° C. or higher and 100 ° C. or lower.
However, since the acid-decomposable group in the present invention has low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator by exposure to generate a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, PEB is not necessarily performed. A positive image can also be formed by development.

(4)の現像工程では、遊離したカルボキシル基またはフェノール性水酸基を有する重合体を、アルカリ性現像液を用いて現像する。アルカリ性現像液に溶解しやすいカルボキシル基またはフェノール性水酸基を有する樹脂組成物を含む露光部領域を除去することにより、ポジ画像が形成する。
現像工程で使用する現像液には、塩基性化合物が含まれることが好ましい。塩基性化合物としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物類;炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩類;重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウムなどのアルカリ金属重炭酸塩類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリンヒドロキシド等のアンモニウムヒドロキシド類;ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムなどの水溶液を使用することができる。また、上記アルカリ類の水溶液にメタノールやエタノールなどの水溶性有機溶剤や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。
好ましい現像液として、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドの0.4%水溶液、0.5%水溶液、0.7%水溶液、2.38%水溶液を挙げる事ができる。
現像液のpHは、好ましくは10.0〜14.0である。
現像時間は、好ましくは30〜500秒間であり、また、現像の手法は液盛り法、ディップ法等の何れでもよい。現像後は、流水洗浄を、通常、30〜300秒間行い、所望のパターンを形成させることができる。
現像の後に、リンス工程を行うこともできる。リンス工程では、現像後の基板を純水などで洗うことで、付着している現像液除去、現像残渣除去を行う。リンス方法は公知の方法を用いることができる。例えばシャワーリンスやディップリンスなどを挙げる事ができる。
In the developing step (4), a polymer having a liberated carboxyl group or phenolic hydroxyl group is developed using an alkaline developer. A positive image is formed by removing an exposed area containing a resin composition having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group that is easily dissolved in an alkaline developer.
The developer used in the development step preferably contains a basic compound. Examples of the basic compound include alkali metal hydroxides such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; alkalis such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate Metal bicarbonates; ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and choline hydroxide; aqueous solutions such as sodium silicate and sodium metasilicate can be used. An aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant to the alkaline aqueous solution can also be used as a developer.
Preferred examples of the developer include 0.4% aqueous solution, 0.5% aqueous solution, 0.7% aqueous solution and 2.38% aqueous solution of tetraethylammonium hydroxide.
The pH of the developer is preferably 10.0 to 14.0.
The developing time is preferably 30 to 500 seconds, and the developing method may be any of a liquid piling method and a dipping method. After development, washing with running water is usually performed for 30 to 300 seconds to form a desired pattern.
A rinsing step can also be performed after development. In the rinsing step, the developed substrate and the development residue are removed by washing the developed substrate with pure water or the like. A known method can be used as the rinsing method. For example, shower rinse and dip rinse can be mentioned.

(5)のポストベーク工程では、得られたポジ画像を加熱することにより、酸分解性基を熱分解しカルボキシル基またはフェノール性水酸基を生成させ、架橋性基、架橋剤等と架橋させることにより、硬化膜を形成することができる。この加熱は、ホットプレートやオーブン等の加熱装置を用いて、所定の温度、例えば180〜250℃で所定の時間、例えばホットプレート上なら5〜90分間、オーブンならば30〜120分間、加熱処理をすることが好ましい。このような架橋反応を進行させることにより、耐熱性、硬度等により優れた保護膜や層間絶縁膜を形成することができる。また、加熱処理を行う際は窒素雰囲気下で行うことにより、透明性をより向上させることもできる。
ポストベークの前に、比較的低温でベークを行った後にポストベークすることもできる(ミドルベーク工程の追加)。ミドルベークを行う場合は、90〜150℃で1〜60分加熱した後に、200℃以上の高温でポストベークすることが好ましい。また、ミドルベーク、ポストベークを3段階以上の多段階に分けて加熱する事もできる。このようなミドルベーク、ポストベークの工夫により、パターンのテーパー角を調整することができる。これらの加熱は、ホットプレート、オーブン、赤外線ヒーターなど、公知の加熱方法を使用することができる。
なお、ポストベークに先立ち、パターンを形成した基板に活性光線により全面再露光(ポスト露光)した後、ポストベークすることにより未露光部分に存在する光酸発生剤から酸を発生させ、架橋工程を促進する触媒として機能させることができ、膜の硬化反応を促進することができる。ポスト露光工程を含む場合の好ましい露光量としては、100〜3,000mJ/cm2が好ましく、100〜500mJ/cm2が特に好ましい。
In the post-baking step of (5), by heating the obtained positive image, the acid-decomposable group is thermally decomposed to generate a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, and then crosslinked with a crosslinkable group, a crosslinking agent or the like. A cured film can be formed. This heating is performed using a heating device such as a hot plate or an oven at a predetermined temperature, for example, 180 to 250 ° C. for a predetermined time, for example, 5 to 90 minutes on a hot plate, 30 to 120 minutes for an oven. It is preferable to By proceeding with such a crosslinking reaction, it is possible to form a protective film and an interlayer insulating film that are superior in heat resistance, hardness, and the like. In addition, when the heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere, the transparency can be further improved.
Prior to post-baking, post-baking can be performed after baking at a relatively low temperature (addition of a middle baking step). When performing middle baking, it is preferable to post-bake at a high temperature of 200 ° C. or higher after heating at 90 to 150 ° C. for 1 to 60 minutes. Moreover, middle baking and post-baking can be heated in three or more stages. The taper angle of the pattern can be adjusted by devising such middle baking and post baking. These heating methods can use well-known heating methods, such as a hotplate, oven, and an infrared heater.
Prior to post-baking, the entire surface of the patterned substrate was re-exposed with actinic rays (post-exposure), and then post-baked to generate an acid from the photoacid generator present in the unexposed portion, thereby performing a crosslinking step. It can function as a catalyst to promote, and can accelerate the curing reaction of the film. As a preferable exposure amount when the post-exposure step is included, 100 to 3,000 mJ / cm 2 is preferable, and 100 to 500 mJ / cm 2 is particularly preferable.

さらに、本発明の感光性樹脂組成物より得られた硬化膜は、ドライエッチングレジストとして使用することもできる。ポストベーク工程により熱硬化して得られた硬化膜をドライエッチングレジストとして使用する場合、エッチング処理としてはアッシング、プラズマエッチング、オゾンエッチングなどのドライエッチング処理を行うことができる。   Furthermore, the cured film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention can also be used as a dry etching resist. In the case where a cured film obtained by thermal curing in a post-baking process is used as a dry etching resist, dry etching processes such as ashing, plasma etching, and ozone etching can be performed as the etching process.

[硬化膜]
本発明の硬化膜は、本発明の感光性樹脂組成物を硬化して得られた硬化膜である。
本発明の硬化膜は、層間絶縁膜として好適に用いることができる。また、本発明の硬化膜は、本発明の硬化膜の形成方法により得られた硬化膜であることが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物により、絶縁性に優れ、高温でベークされた場合においても高い透明性を有する層間絶縁膜が得られる。本発明の感光性樹脂組成物を用いてなる層間絶縁膜は、高い透明性を有し、硬化膜物性に優れるため、有機EL表示装置や液晶表示装置の用途に有用である。有機EL表示装置および液晶表示装置の詳細については、特開2011−209681号公報の段落番号0209〜0210および図1、2の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
[Curing film]
The cured film of the present invention is a cured film obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention.
The cured film of the present invention can be suitably used as an interlayer insulating film. Moreover, it is preferable that the cured film of this invention is a cured film obtained by the formation method of the cured film of this invention.
With the photosensitive resin composition of the present invention, an interlayer insulating film having excellent insulation and high transparency even when baked at high temperatures can be obtained. Since the interlayer insulating film using the photosensitive resin composition of the present invention has high transparency and excellent cured film physical properties, it is useful for applications of organic EL display devices and liquid crystal display devices. For details of the organic EL display device and the liquid crystal display device, paragraphs 0209-0210 of JP2011-209681A and the description of FIGS. 1 and 2 can be referred to, and the contents thereof are incorporated in the present specification.

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。   The present invention will be described more specifically with reference to the following examples. The materials, amounts used, ratios, processing details, processing procedures, and the like shown in the following examples can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the specific examples shown below.

<[A]アルカリ可溶性樹脂の合成>
[合成例1]
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、2,2'−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及びジエチレングリコールメチルエチルエーテル220質量部を仕込んだ。引き続き、(A1)化合物としてメタクリル酸16質量部、(A2)化合物としてメタクリル酸グリシジル40質量部、(A4)化合物としてスチレン10質量部、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル14質量部、2−メチルシクロヘキシルアクリレート20質量部を仕込み、窒素置換し、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を4時間保持して重合することにより共重合体(A−1)を含有する溶液を得た。得られた重合体溶液の固形分濃度は34.4%であり、共重合体(A−1)のMwは、8,000、分子量分布(Mw/Mn)は2.3であった。
<[A] Synthesis of alkali-soluble resin>
[Synthesis Example 1]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether. Subsequently, 16 parts by weight of methacrylic acid as the compound (A1), 40 parts by weight of glycidyl methacrylate as the compound (A2), 10 parts by weight of styrene as the compound (A4), tricyclomethacrylate [5.2.1.0 2,6 ] Charge 14 parts by weight of decan-8-yl and 20 parts by weight of 2-methylcyclohexyl acrylate, purge with nitrogen, raise the temperature of the solution to 70 ° C. while gently stirring, and maintain this temperature for 4 hours for polymerization. As a result, a solution containing the copolymer (A-1) was obtained. The obtained polymer solution had a solid content concentration of 34.4%, and the copolymer (A-1) had an Mw of 8,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.3.

[合成例2]
冷却管及び撹拌機を備えたフラスコに、2,2'−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)8質量部及びジエチレングリコールメチルエチルエーテル220質量部を仕込んだ。引き続き、(A1)化合物としてメタクリル酸13質量部、(A2)化合物としてメタクリル酸グリシジル40質量部、(A3)化合物としてα−メチル−p−ヒドロキシスチレン10質量部、(A4)化合物としてスチレン10質量部、テトラヒドロフルフリルメタクリレート12質量部、N−シクロヘキシルマレイミド15質量部及びn−ラウリルメタクリレート10質量部を仕込み、窒素置換したのち、緩やかに攪拌しつつ、溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持して重合することにより、共重合体(A−2)を含有する溶液を得た。得られた重合体溶液の固形分濃度は31.9%であり、共重合体(A−2)のMwは、8,000、分子量分布(Mw/Mn)は2.3であった。
[Synthesis Example 2]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 8 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether. Subsequently, 13 parts by weight of methacrylic acid as the (A1) compound, 40 parts by weight of glycidyl methacrylate as the (A2) compound, 10 parts by weight of α-methyl-p-hydroxystyrene as the compound (A3), and 10 parts by weight of styrene as the (A4) compound Part, 12 parts by mass of tetrahydrofurfuryl methacrylate, 15 parts by mass of N-cyclohexylmaleimide and 10 parts by mass of n-lauryl methacrylate, and after replacing with nitrogen, the temperature of the solution was raised to 70 ° C. while gently stirring. A solution containing the copolymer (A-2) was obtained by polymerization while maintaining the temperature for 5 hours. The obtained polymer solution had a solid content concentration of 31.9%, Mw of the copolymer (A-2) was 8,000, and molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.3.

<[B]キノンジアジド化合物>
B−1:4,4'−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール(1.0モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド(2.0モル)との縮合物
B−2:1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド(2.0モル)との縮合物
<[B] quinonediazide compound>
B-1: 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5 -Condensate B-2 with sulfonic acid chloride (2.0 mol): 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol) Condensate with

<[C]ブロックイソシアネート化合物>
C−1 :デュラネート17B−60P(旭化成ケミカルズ製)
C−2: デュラネート17B−60PX(旭化成ケミカルズ製)
C−3 :デュラネートTPA−B80E(旭化成ケミカルズ製)
C−4 :デュラネートMF−B60X(旭化成ケミカルズ製)
C−5 :デスモジュールBL3175(住化バイエルウレタン製)
C−6:デスモジュールBL3272 MPA(住化バイエルウレタン製)
C−7:デスモジュールBL3475 BA/SN(住化バイエルウレタン製)
C−8: デスモジュールBL5375 MPA/SN(住化バイエルウレタン製)
<[C] Block isocyanate compound>
C-1: Duranate 17B-60P (Asahi Kasei Chemicals)
C-2: Duranate 17B-60PX (Asahi Kasei Chemicals)
C-3: Duranate TPA-B80E (Asahi Kasei Chemicals)
C-4: Duranate MF-B60X (Asahi Kasei Chemicals)
C-5: Death module BL3175 (manufactured by Sumika Bayer Urethane)
C-6: Death module BL3272 MPA (manufactured by Sumika Bayer Urethane)
C-7: Death Module BL3475 BA / SN (manufactured by Sumika Bayer Urethane)
C-8: Death Module BL5375 MPA / SN (manufactured by Sumika Bayer Urethane)

<各組成物の調製>
下記表に示す各成分を混合し、固形分濃度が30質量%となるように溶剤としてジエチレングリコールエチルメチルエーテルを加えた後、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、各感光性樹脂組成物を調製した。なお、欄中の「−」は該当する成分を使用しなかったことを表す。
<Preparation of each composition>
Each component shown in the following table is mixed, and after adding diethylene glycol ethyl methyl ether as a solvent so that the solid content concentration is 30% by mass, each photosensitive resin composition is filtered by a membrane filter having a pore size of 0.2 μm. A product was prepared. In addition, “-” in the column represents that the corresponding component was not used.

<評価>
調製した感光性樹脂組成物について下記の評価を行った。結果を下記表に示す。
<Evaluation>
The following evaluation was performed about the prepared photosensitive resin composition. The results are shown in the table below.

[保存安定性]
得られた感光性樹脂組成物を40℃のオーブン中で1週間放置し、加温前後の粘度を測定し、粘度変化率(%)を求めた。このとき、粘度変化率を保存安定性とし、5%以下である場合に保存安定性が良好と判断し、5%を超える場合に保存安定性が不良と判断した。粘度は、E型粘度計(VISCONIC ELD.R、東機産業社)を用いて25℃で測定した。
[Storage stability]
The obtained photosensitive resin composition was left in an oven at 40 ° C. for 1 week, and the viscosity before and after heating was measured to determine the rate of change in viscosity (%). At this time, the viscosity change rate was defined as storage stability, and when it was 5% or less, the storage stability was judged to be good, and when it exceeded 5%, the storage stability was judged to be poor. The viscosity was measured at 25 ° C. using an E-type viscometer (VISCONIC ELD.R, Toki Sangyo Co., Ltd.).

[感度]
シリコン基板上にスピンナーを用いて、実施例及び比較例として調製した感光性樹脂組成物のいずれかを塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。得られた塗膜に幅10μmのライン・アンド・スペースパターンを有するパターンマスクを介して、水銀ランプによって所定量の紫外線を照射した。次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38質量%水溶液よりなる現像液を用い、25℃で60秒現像処理を行った後、超純水で1分間流水洗浄を行った。このとき、幅10μmのライン・アンド・スペースパターンを形成可能な最小紫外線照射量を測定した。この値が850J/m2未満の場合、感度が良好であると判断した。
[sensitivity]
After applying any of the photosensitive resin compositions prepared as Examples and Comparative Examples on a silicon substrate using a spinner, pre-baking on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to apply a film thickness of 3.0 μm. A film was formed. The obtained coating film was irradiated with a predetermined amount of ultraviolet rays by a mercury lamp through a pattern mask having a line and space pattern having a width of 10 μm. Next, using a developer composed of a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, development processing was carried out at 25 ° C. for 60 seconds, followed by washing with ultrapure water for 1 minute. At this time, the minimum ultraviolet irradiation amount capable of forming a line and space pattern having a width of 10 μm was measured. When this value was less than 850 J / m 2 , it was judged that the sensitivity was good.

[耐溶剤性]
シリコン基板上にスピンナーを用いて、実施例及び比較例として調製した感光性樹脂組成物のいずれかを塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。得られた塗膜に水銀ランプによって積算照射量が3,000J/m2となるように紫外線を照射した。次いで、このシリコン基板をホットプレート上で、実施例1〜13及び比較例1〜2については150℃、30分加熱した。比較例3及び4については150℃、60分加熱した。得られた硬化膜の膜厚(T1)を測定した。そして、この硬化膜が形成されたシリコン基板を、70℃に温度制御されたジメチルスルホキシド中に20分間浸漬させた後、当該硬化膜の膜厚(t1)を測定し、膜厚変化率を下記式から算出し、これを耐溶剤性とした。
膜厚変化率={(t1−T1)/T1}×100(%)
この値の絶対値が5%未満の場合に耐溶剤性は優良であると判断した。
[Solvent resistance]
After applying any of the photosensitive resin compositions prepared as Examples and Comparative Examples on a silicon substrate using a spinner, pre-baking on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to apply a film thickness of 3.0 μm. A film was formed. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays by a mercury lamp so that the cumulative irradiation amount was 3,000 J / m 2 . Next, this silicon substrate was heated at 150 ° C. for 30 minutes for Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 and 2 on a hot plate. Comparative Examples 3 and 4 were heated at 150 ° C. for 60 minutes. The film thickness (T1) of the obtained cured film was measured. And after immersing the silicon substrate in which this cured film was formed in dimethyl sulfoxide temperature-controlled at 70 degreeC for 20 minutes, the film thickness (t1) of the said cured film was measured, and the film thickness change rate was shown below. Calculated from the equation, this was defined as solvent resistance.
Film thickness change rate = {(t1-T1) / T1} × 100 (%)
When the absolute value of this value was less than 5%, the solvent resistance was judged to be excellent.

[表示ムラ]
(表示装置における表示ムラの評価)
薄膜トランジスタ(TFT)を用いた液晶表示装置を以下の方法で作製した。特許第3321003号公報の図1及び図2に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、層間絶縁膜として硬化膜17を以下のようにして形成し、液晶表示装置を得た。
すなわち、ガラス基板6上にボトムゲート型のTFT1を形成し、このTFT1を覆う状態でSi3N4から成る絶縁膜3を形成した。次に、この絶縁膜3に、コンタクトホールを形成した後、このコンタクトホールを介してTFT1に接続される配線2(高さ1.0μm)を絶縁膜3上に形成した。
[Display unevenness]
(Evaluation of display unevenness in display device)
A liquid crystal display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method. In the active matrix type liquid crystal display device described in FIG. 1 and FIG. 2 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 was formed as an interlayer insulating film as follows to obtain a liquid crystal display device.
That is, the bottom gate type TFT 1 was formed on the glass substrate 6, and the insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed so as to cover the TFT 1. Next, after forming a contact hole in the insulating film 3, a wiring 2 (height of 1.0 μm) connected to the TFT 1 through the contact hole was formed on the insulating film 3.

更に、配線2の形成による凹凸を平坦化するために、配線2による凹凸を埋め込む状態で絶縁膜3上へ平坦化膜4を形成した。絶縁膜3上への平坦化膜4の形成は、実施例1〜12、比較例1〜8の各感光性樹脂組成物を基板上にスピン塗布し、ホットプレート上でプリベーク(90℃×2分)した後、マスク上から高圧水銀灯を用いてi線(365nm)を1000mJ/cm2(照度20mW/cm2)照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成し、230℃で60分間の加熱処理を行った。前記感光性樹脂組成物を塗布する際の塗布性は良好で、露光、現像、焼成の後に得られた硬化膜には、しわやクラックの発生は認められなかった。更に、配線2の平均段差は500nm、作製した平坦化膜4の膜厚は2,000nmであった。Further, in order to flatten the unevenness due to the formation of the wiring 2, the flattening film 4 was formed on the insulating film 3 in a state where the unevenness due to the wiring 2 was embedded. The planarizing film 4 is formed on the insulating film 3 by spin-coating the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 8 on a substrate and prebaking (90 ° C. × 2 on a hot plate). Then, i-line (365 nm) was irradiated from the mask with 1000 mJ / cm 2 (illuminance 20 mW / cm 2 ) using a high-pressure mercury lamp, and then developed with an alkaline aqueous solution to form a pattern at 60 ° C. at 60 ° C. Heat treatment was performed for a minute. The applicability when applying the photosensitive resin composition was good, and no wrinkles or cracks were observed in the cured film obtained after exposure, development, and baking. Furthermore, the average step of the wiring 2 was 500 nm, and the thickness of the prepared planarizing film 4 was 2,000 nm.

得られた液晶表示装置に対して駆動電圧を印加し、グレイのテスト信号を入力させたときのグレイ表示を目視にて観察し、表示ムラの発生の有無を下記評価基準にしたがって評価した。0〜2が実用レベルである。
0:まったくムラがみられない(非常に良い)
1:ガラス基板の縁部分にかすかにムラが見られるが、表示部に問題なし(良い)
2:表示部にかすかにムラが見られるが実用レベル(普通)
3:表示部にムラがある(やや悪い)
4:表示部に強いムラがある(非常に悪い)
When a driving voltage was applied to the obtained liquid crystal display device and a gray test signal was input, the gray display was visually observed, and the presence or absence of display unevenness was evaluated according to the following evaluation criteria. 0 to 2 are practical levels.
0: No unevenness at all (very good)
1: Slight unevenness is seen on the edge of the glass substrate, but there is no problem in the display (good)
2: Slight unevenness on the display, but practical level (normal)
3: The display is uneven (somewhat bad)
4: Strong unevenness in display (very bad)

上記結果から明らかなとおり、本発明の組成物は、保存安定性に優れ、感度が高く、耐溶剤性に優れ、かつ、表示ムラがきわめて低かった。これに対し、比較例の組成物は、表示ムラが劣ってしまった。   As is clear from the above results, the composition of the present invention was excellent in storage stability, high sensitivity, excellent solvent resistance, and extremely low display unevenness. In contrast, the composition of the comparative example had poor display unevenness.

Claims (6)

[A](A1)不飽和カルボン酸及び不飽和カルボン酸無水物からなる群より選択される少なくとも1種と、(A2)エポキシ基含有不飽和化合物とを共重合してなるアルカリ可溶性樹脂、
[B]キノンジアジド化合物、および
[C]ブロックイソシアネート化合物
を含有する感光性樹脂組成物であって、
前記ブロックイソシアネートの含有量が該感光性樹脂組成物の全固形分に対し0.1〜10質量%の範囲であり、かつ、下記一般式(1)で表される化合物である、感光性樹脂組成物。
一般式(1)
(一般式(1)中、Rは、それぞれ、炭素数1〜20の有機基を表す。)
[A] (A1) an alkali-soluble resin obtained by copolymerizing at least one selected from the group consisting of an unsaturated carboxylic acid and an unsaturated carboxylic acid anhydride and (A2) an epoxy group-containing unsaturated compound;
A photosensitive resin composition containing [B] a quinonediazide compound, and [C] a blocked isocyanate compound,
The photosensitive resin whose content of the said block isocyanate is the range of 0.1-10 mass% with respect to the total solid of this photosensitive resin composition, and is a compound represented by following General formula (1) Composition.
General formula (1)
(In general formula (1), R represents an organic group having 1 to 20 carbon atoms.)
一般式(1)のRがそれぞれ、炭素数3〜9の炭化水素基である、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。 The photosensitive resin composition of Claim 1 whose R of General formula (1) is a C3-C9 hydrocarbon group, respectively. (1)請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布された感光性樹脂組成物から溶剤を除去する工程、
(3)塗布された感光性樹脂組成物を活性光線により露光する工程、
(4)露光された感光性樹脂組成物を水性現像液により現像する工程、及び、
(5)現像された感光性樹脂組成物を熱硬化するポストベーク工程、を含む硬化膜の形成方法。
(1) The process of apply | coating the photosensitive resin composition of Claim 1 or 2 on a board | substrate,
(2) a step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition;
(3) a step of exposing the applied photosensitive resin composition with actinic rays;
(4) a step of developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developer, and
(5) A method for forming a cured film, comprising a post-baking step of thermosetting the developed photosensitive resin composition.
請求項3に記載の方法により形成された硬化膜。   A cured film formed by the method according to claim 3. 層間絶縁膜である請求項4に記載の硬化膜。   The cured film according to claim 4, which is an interlayer insulating film. 請求項4または請求項5に記載の硬化膜を有する有機EL表示装置または液晶表示装置。   An organic EL display device or a liquid crystal display device having the cured film according to claim 4.
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