JPWO2013160994A1 - Through-hole plating structure - Google Patents
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 75
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 33
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 33
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 33
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 18
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
-
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/17—Post-manufacturing processes
- H05K2203/175—Configurations of connections suitable for easy deletion, e.g. modifiable circuits or temporary conductors for electroplating; Processes for deleting connections
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- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
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- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
- H05K3/242—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus characterised by using temporary conductors on the printed circuit for electrically connecting areas which are to be electroplated
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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Abstract
スルーホール2を有する絶縁性基体1を射出成形する。スルーホール2の上部を円錐形状の空間21に、下部を円筒形状の空間23に形成する。円錐形状の頂角を60〜120度、スルーホール2の上端部の開口径を10〜100μmに形成する。絶縁性基体1の表裏面とスルーホールの内側面とに、それぞれ無電解めっき層31〜51に電気銅めっき層32〜52を積層して、導電層3〜6を設ける。スルーホール2の上端部の開口22の周縁は鋭角のため電流密度が高く、またこのスルーホールの下端から、電解銅めっき液が容易に進入・循環するため、この開口の周縁に電気銅めっき層を迅速に形成でき、このスルーホールの上端部を短時間に、表面が平坦な状態で閉塞することができる。An insulating substrate 1 having a through hole 2 is injection molded. An upper part of the through hole 2 is formed in a conical space 21 and a lower part is formed in a cylindrical space 23. The apex angle of the conical shape is 60 to 120 degrees, and the opening diameter of the upper end portion of the through hole 2 is 10 to 100 μm. On the front and back surfaces of the insulating substrate 1 and the inner side surface of the through hole, the electroless plating layers 31 to 51 are laminated on the electroless plating layers 31 to 51, respectively, and the conductive layers 3 to 6 are provided. Since the peripheral edge of the opening 22 at the upper end of the through hole 2 has an acute angle, the current density is high, and the electrolytic copper plating solution easily enters and circulates from the lower end of the through hole. Can be formed quickly, and the upper end of the through hole can be closed in a short time with a flat surface.
Description
本発明は、絶縁性基板に形成したスルーホールの一端部を、電気めっき層によって閉塞したスルーホールのめっき構造に関する。 The present invention relates to a through hole plating structure in which one end of a through hole formed in an insulating substrate is closed by an electroplating layer.
今日では、電子機器の高性能化及び小型軽量化に伴い、プリント配線基板についても、小型化及び高集積化が要求されている。このため導電性回路等を形成したプリント配線基板を、多数積みあげて3次元的な構造にした、多層プリント配線基板が普及している。 Nowadays, as electronic devices have higher performance and smaller and lighter, printed wiring boards are required to be smaller and more integrated. For this reason, multilayer printed wiring boards in which a large number of printed wiring boards on which conductive circuits and the like are formed are stacked to form a three-dimensional structure are widely used.
この多層プリント配線基板において、各々のプリント配線基板に形成した導電性回路は、通常、これらのプリント配線基板を積層方向に貫通し、かつ導電性を有するスルーホール(または「ビアホール」ともいう。)を介して、相互に導通させている。またスルーホールに導電性を付与する手段として、このスルーホールを電気めっきによって充填する手段が提案されている。 In this multilayer printed wiring board, the conductive circuit formed on each printed wiring board normally passes through these printed wiring boards in the stacking direction and has a conductive through hole (also referred to as “via hole”). Are connected to each other. As means for imparting conductivity to the through hole, means for filling the through hole by electroplating has been proposed.
ところでスルーホールを電気めっきによって充填する場合には、次の問題があった。すなわちプリント配線基板の小型化及び高集積化に伴い、導電性回路の幅も極めて狭くなり、この導電性回路に連結するためのスルーホールの内径も極めて細くなる。したがってスルーホールのアスペクト比が大きくなり、電気めっき液が、スルーホールの内部に進入、及び循環し難くなる。 By the way, when filling a through hole by electroplating, there existed the following problem. That is, with the miniaturization and high integration of the printed wiring board, the width of the conductive circuit is extremely narrow, and the inner diameter of the through hole for connecting to the conductive circuit is also extremely thin. Therefore, the aspect ratio of the through hole is increased, and the electroplating solution is difficult to enter and circulate inside the through hole.
電気めっき液が、スルーホールの内部に進入、及び循環し難くなると、スルーホールを電気めっきで充填するために、長時間を要するだけでなく、その長時間の間に、プリント配線基板の表面に同時に形成される導電性回路等のめっき厚さが肥大し、多層に積層したときの厚さが増すだけでなく、隣接する導電性回路間の短絡も生じ易くなる。また電気めっき液が、スルーホールの内部に進入、及び循環し難くなると、専らスルーホールの入口と出口付近にのみ電気めっき層が形成され、入口と出口付近の開口径が小さくなって、入口と出口付近の内部では、電気めっき層の形成により長い時間が掛かるようになる。 When the electroplating solution becomes difficult to enter and circulate inside the through hole, not only does it take a long time to fill the through hole with the electroplating, but also the surface of the printed wiring board during that long time. The plating thickness of the conductive circuit or the like formed at the same time is enlarged, and not only the thickness when laminated in a multilayer is increased, but also a short circuit between adjacent conductive circuits is likely to occur. In addition, when the electroplating solution becomes difficult to enter and circulate inside the through hole, an electroplating layer is formed only in the vicinity of the inlet and outlet of the through hole, and the opening diameter near the inlet and outlet becomes small, Within the vicinity of the outlet, it takes a long time to form the electroplating layer.
またスルーホールを電気めっきによって充填する場合には、スルーホールの出入口の部分を閉塞する電気めっき層の表面は、通常、平坦ではなく凹状に窪んだ表面に形成される。 When the through hole is filled by electroplating, the surface of the electroplating layer that closes the entrance / exit portion of the through hole is usually formed in a concave shape instead of being flat.
このようにスルーホールの出入口を閉塞する部分において、電気めっき層の表面が平坦ではなく凹面であると、スルーホール直上にスルーホールを設ける場合、あるいはスルーホール直上に電子部品をワイヤ・ボンディングによって実装する場合の妨げとなり、多層プリント配線基板の構成の自由度を大きく減ずることになる。 If the surface of the electroplating layer is not flat but concave in the part that closes the entrance / exit of the through hole in this way, if a through hole is provided directly above the through hole, or an electronic component is mounted directly above the through hole by wire bonding And the degree of freedom in the construction of the multilayer printed wiring board is greatly reduced.
そこで、かかる問題を解決するための手段が各種提案されている。例えば、絶縁性の基体の表面とビアホールの内側面とに導電性の下地層を形成し、特殊な電気めっき促進剤を付与し、次いでビアホールの内側面を除いて、この促進剤を除去した上で、導電性の下地層の上に電気めっきを行なって、ビアホールを充填する手段が提案されている(特許文献1等を参照。)。この手段では、促進剤が残存するビアホールの内側面では、電気めっきの形成が促進されるので、比較的短時間に電気めっきによってビアホールを充填できると記載されている。 Therefore, various means for solving such a problem have been proposed. For example, a conductive base layer is formed on the surface of the insulating base and the inner side surface of the via hole, a special electroplating accelerator is applied, and then this accelerator is removed except for the inner side surface of the via hole. Thus, a means for filling a via hole by performing electroplating on a conductive base layer has been proposed (see Patent Document 1). According to this means, since the formation of electroplating is promoted on the inner surface of the via hole where the promoter remains, it is described that the via hole can be filled by electroplating in a relatively short time.
また絶縁性の基体の表面とビアホールの内側面とに導電性の下地層を形成し、特殊な電気めっき促進剤と抑制剤とを付与し、次いで導電性の下地層の上に電気めっきを行なってビアホールを充填し、その後基体の表面の電気めっきを、エッチング液によって溶解して平坦にする手段が提案されている(特許文献2等を参照。)。この手段では、電気めっき促進剤と抑制剤とによって、ビアホールの内側面の電気めっきの形成が促進されるので、比較的短時間に電気めっきによってビアホールを充填でき、かつエッチング液によって、基体の表面に形成した電気めっきの表面を溶解することによって、ビアホール入口を閉塞する部分の電気めっき層の表面を平坦にできると記載されている。
In addition, a conductive base layer is formed on the surface of the insulating substrate and the inner surface of the via hole, a special electroplating accelerator and an inhibitor are added, and then electroplating is performed on the conductive base layer. A means for filling a via hole and then flattening the electroplating of the surface of the substrate with an etching solution has been proposed (see
さらに絶縁性の基体の一方の面に導電層を設け、この基体の他方の面からこの導電層に達するビアホールを形成し、絶縁性の基体の表面とビアホールの内側面とに導電性の下地層を形成し、このビアホール内に針状の電極を進入させて、このビアホール内に電気めっきを形成する手段が提案されている(特許文献3等を参照。)。この手段では、ビアホール内に進入した針状の電極によって、このビアホール内に迅速かつ均一に電気めっきを形成できるので、迅速・均一にビアホール内を充填でき、かつビアホール入口を閉塞する部分の電気めっき層の表面を平坦にできると記載されている。 Further, a conductive layer is provided on one surface of the insulating base, a via hole reaching the conductive layer from the other side of the base is formed, and a conductive base layer is formed on the surface of the insulating base and the inner side surface of the via hole. There is proposed a means for forming an electroplating in the via hole by forming a needle-like electrode into the via hole (see Patent Document 3 and the like). In this method, since the electroplating can be quickly and uniformly formed in the via hole by the needle-shaped electrode that has entered the via hole, the electroplating of the portion that can quickly and uniformly fill the via hole and close the via hole entrance It is described that the surface of the layer can be flattened.
特許文献1 特開2001−291954号公報
特許文献2 特開2005−311245号公報
特許文献3 特開2006−032476号公報Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-291955
しかるに上述した特許文献1に記載の手段では、電気めっきの形成を促す特殊な促進剤が必要となり、さらにビアホール入口を閉塞する部分の電気めっき層の表面が凹面になるという問題が残る。また特許文献2に記載の手段では、電気めっきの形成を促したり、抑えたりする特殊な促進剤と抑制剤が必要となり、さらにエッチング液によって、ビアホール入口を閉塞する部分の電気めっき層の表面を平坦にする工程が必要となる。さらに特許文献3に記載の手段では、微小なビアホール内に進入させる針状の電極が必要となる。
However, the means described in Patent Document 1 described above requires a special accelerator that promotes the formation of electroplating, and the problem remains that the surface of the electroplating layer at the portion that closes the via hole entrance becomes concave. Further, the means described in
また特許文献1〜3に記載手段では、いずれもビアホールを電気めっきで充填するため、この充填に長い時間が掛かるという大きな問題がある。 Further, in the means described in Patent Documents 1 to 3, since all the via holes are filled by electroplating, there is a big problem that this filling takes a long time.
そこで本発明の目的は、通常使用されている電気めっき方法によって、短時間に、スルーホールの一端部を、表面が平坦な状態で閉塞できる、スルーホールのめっき構造を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a through-hole plating structure capable of closing one end of a through-hole with a flat surface in a short time by a commonly used electroplating method.
上記課題を解決すべく本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、電気めっきにおいては、被めっき物の尖っている部分は電流密度が高くなって、他の平坦な個所に比べて、めっきが厚く形成されるという現象にヒントを得て、スルーホールを特定の形状にすれば、通常使用されている電気めっき方法によって、かつ短時間に、スルーホールの一端部を、表面が平坦な状態で閉塞することができることを見出して、本発明を完成した。 In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have conducted extensive research. As a result, in electroplating, the pointed part of the object to be plated has a higher current density, compared with other flat parts. If the through hole is made into a specific shape, inspired by the phenomenon that the surface of the through hole is formed thick, one end of the through hole is flattened in a short time by a commonly used electroplating method. The present invention was completed by finding that it can be occluded.
すなわち本発明者等は、上記現象に基づき、スルーホールの形状を各種変更しして電気めっきを行なった結果、スルーホールを次の形状にすると、通常の電気めっき方法によって、かつ短時間に、スルーホールの一端部を、表面が平坦な状態で閉塞することができることを見出した。
(1) スルーホールの一端部を、頂角が60〜30度の錘状形状に形成して、この錘状形状の先端部分を、絶縁性基板の表面に開口させる。これにより、スルーホールが絶縁性基板に開口する開口部の周縁が、断面形状において60〜30度の鋭角になり、この周縁の先端の電流密度が高くなって、周縁の先端に電気めっき層を迅速に形成できる。またスルーホールが錘状形状であるため、絶縁性基板に開口する開口部の径を小さくしつつ、かつ末広がりの後端部分から、めっき液の進入を容易にして循環を促進することによって、開口部の周縁の先端に、より迅速に電気めっき層を形成することができる。That is, as a result of performing electroplating by changing the shape of the through hole variously based on the above phenomenon, the present inventors made the through hole into the following shape, by a normal electroplating method and in a short time, It has been found that one end of the through hole can be closed with a flat surface.
(1) One end portion of the through hole is formed in a spindle shape with an apex angle of 60 to 30 degrees, and the tip portion of the spindle shape is opened on the surface of the insulating substrate. As a result, the periphery of the opening where the through hole opens in the insulating substrate has an acute angle of 60 to 30 degrees in the cross-sectional shape, the current density at the tip of the periphery increases, and the electroplating layer is applied to the tip of the periphery. Can be formed quickly. In addition, since the through hole has a weight-like shape, the diameter of the opening that opens in the insulating substrate is reduced, and the opening of the plating solution is facilitated by facilitating circulation from the rear end portion that widens toward the end. An electroplating layer can be formed more rapidly at the tip of the periphery of the part.
(2) また絶縁性基板の表面であって、スルーホールが開口する部分を平坦に、すなわち開口部の周縁を、断面形状において、上端部が平坦の片刃のナイフエッジに形成する。これにより絶縁性基体の表面であって、スルーホールが開口する部分を閉塞する電気めっき層の表面を、平坦面に形成することができる。 (2) Further, a portion of the surface of the insulating substrate where the through hole is opened is flattened, that is, the periphery of the opening is formed as a knife edge of a single blade having a flat upper end portion in a cross-sectional shape. As a result, the surface of the electroplating layer, which is the surface of the insulating substrate and closes the portion where the through hole is opened, can be formed on a flat surface.
(3) さらにスルーホールが絶縁性基板の表面に開口する開口径を、10〜100μmの範囲に設定する。これによりスルーホールの開口部を、電気めっき層によって、短時間に閉塞することができる。 (3) Further, the opening diameter at which the through hole opens on the surface of the insulating substrate is set in the range of 10 to 100 μm. Thereby, the opening part of a through hole can be obstruct | occluded for a short time with an electroplating layer.
なお本発明においては、スルーホールの内側面に所定の厚さの電気めっき層を形成する時間で、スルーホールの開口部分を、電気めっき層の表面が平坦な状態で閉塞することができる。したがって上述した従来技術のように、スルーホールを電気めっきで充填する場合に較べて、大幅に時間を短縮することができる。 In the present invention, the opening portion of the through hole can be closed with the surface of the electroplating layer being flat during the time for forming the electroplating layer having a predetermined thickness on the inner surface of the through hole. Therefore, the time can be greatly shortened as compared with the case where the through hole is filled with electroplating as in the prior art described above.
また本発明においては、スルーホールの他端部は、錘状形状の末広がりの底部であって口径が大きいため、電気めっき層によって閉塞されない。したがって本発明は、絶縁性基板の一方の面においてのみ、スルーホール直上にスルーホールを積層したり、電子部品をワイヤ・ボンディングによって実装したりすることができる。絶縁性基板の他方の面においては、スルーホール直上を除けば、スルーホールを積層したり電子部品をワイヤ・ボンディングによって実装したりすることに問題はなく、多層プリント配線基板の構成の自由度を大きく減ずることはない。 In the present invention, the other end portion of the through hole is a bottom-like bottom portion having a weight-like shape and has a large diameter and is not blocked by the electroplating layer. Therefore, according to the present invention, a through hole can be laminated directly on a through hole or an electronic component can be mounted by wire bonding only on one surface of an insulating substrate. On the other side of the insulating substrate, there is no problem in stacking through-holes or mounting electronic components by wire bonding, except directly above the through-holes. There is no significant decrease.
以上により本発明は、絶縁性基体に形成したスルーホールの一端部を、電気めっき層によって閉塞したスルーホールのめっき構造であって、上記スルーホールの一端部は、錐形状の空間に形成してあり、上記錐形状の空間の先端部分は、上記絶縁性基体の表面を貫通して、この絶縁性基体の表面に開口しており、上記絶縁性基体の表面であって、上記スルーホールが開口する部分は、平坦面に形成されている。また上記錐形状の空間の頂角は、60〜120度であって、上記絶縁性基体の表面に開口する開口径は、10〜100μmである。 As described above, the present invention provides a through-hole plating structure in which one end portion of a through hole formed in an insulating substrate is closed by an electroplating layer, and the one end portion of the through hole is formed in a conical space. And the tip of the cone-shaped space penetrates the surface of the insulating base and opens to the surface of the insulating base, and the surface of the insulating base has the through hole open. The portion to be formed is formed on a flat surface. The apex angle of the cone-shaped space is 60 to 120 degrees, and the opening diameter opened to the surface of the insulating base is 10 to 100 μm.
上記スルーホールの内側面と、上記絶縁性基体の表面と、この絶縁性基体の裏面とには、それぞれ導電層が設けてあり、上記スルーホールの内側面に設けた導電層は、上記絶縁性基体の表面に設けた導電層と、この絶縁性基体の裏面に設けた導電層とに、それぞれ接続している。そして上記導電層は、それぞれ導電性の下地層に電気めっき層を積層したものであって、上記スルーホールが上記縁性基体の表面に開口する部分は、上記電気めっき層によって、表面が平坦になるように閉塞されていることを特徴とする。 A conductive layer is provided on each of the inner surface of the through hole, the surface of the insulating substrate, and the back surface of the insulating substrate, and the conductive layer provided on the inner surface of the through hole has the insulating property. The conductive layer provided on the surface of the substrate is connected to the conductive layer provided on the back surface of the insulating substrate. Each of the conductive layers is formed by laminating an electroplating layer on a conductive base layer, and the portion where the through hole opens on the surface of the edge base is flattened by the electroplating layer. It is closed so that it may become.
ここで錐形状の空間の底面側の開口面積が、必要以上に大きくなることを回避して、この底面側に位置する絶縁性基板の表面における導電性回路の配置への影響を少なくすることが望ましい。よって前記スルーホールは、その錐形状の空間の底面に円筒形状の空間を連通させた形状に形成することが望ましい。 Here, the opening area on the bottom surface side of the conical space can be avoided to be larger than necessary, and the influence on the arrangement of the conductive circuit on the surface of the insulating substrate located on the bottom surface side can be reduced. desirable. Therefore, it is desirable to form the through hole in a shape in which a cylindrical space communicates with the bottom surface of the conical space.
また絶縁性基体の表裏面であって導電性回路等を形成する特定の個所と、スルーホールの内側面とに、容易かつ精密に導電性の下地層を形成できることが期待される。よって前記導電性の下地層は、無電解めっき層であることが、より望ましい。 In addition, it is expected that a conductive base layer can be easily and accurately formed on a specific portion on the front and back surfaces of the insulating substrate where a conductive circuit or the like is formed and the inner surface of the through hole. Therefore, it is more desirable that the conductive base layer is an electroless plating layer.
先端部分が錐形状のスルーホールは、絶縁性基体と同時に、かつ精密に成形できることが期待される。よって絶縁性基体は、熱可塑性樹脂を射出成形したものであることが、さらに望ましい。 It is expected that the through-hole having a conical tip portion can be precisely formed simultaneously with the insulating base. Therefore, it is more desirable that the insulating substrate is a product obtained by injection molding a thermoplastic resin.
ここで上記「絶縁性基体」の材質としては、熱可塑性や熱硬化性の合成樹脂が望ましいが、セラミックやガラス等の他の絶縁材も使用できる。なお熱可塑性樹脂としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ABS、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリエーテルポリスルホン、ポリアリールスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、変性ポリフェニレンオキサイド樹脂、芳香族系液晶ポリマー、及びノルボルネン樹脂が該当する。また「絶縁性基体」は、射出成形に限らず、圧縮成形や研削等の機械加工で成形してもよい。 Here, the material of the “insulating base” is preferably a thermoplastic or thermosetting synthetic resin, but other insulating materials such as ceramic and glass can also be used. Examples of the thermoplastic resin include polyethylene, polypropylene, polystyrene, ABS, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polysulfone, polyether polysulfone, polyarylsulfone, polyetherimide, polyamide, modified polyphenylene oxide resin, and aromatic liquid crystal. Polymers and norbornene resins are applicable. The “insulating substrate” is not limited to injection molding, and may be molded by mechanical processing such as compression molding or grinding.
「錐形状」とは、先端に向かって断面積が徐々に減少していく形状を意味し、断面形状が円の円錐に限らず、例えば楕円及び多角形のものも含む。「上記絶縁性基体の表面であって、上記スルーホールが開口する部分は、平坦面に形成されている。」としたのは、スルーホールの開口する部分を、電気めっき層で閉塞する場合に、この閉塞した電気めっき層の表面を平坦にできるからである。例えばスルーホールの開口する部分が、軸心を含む断面形状において、軸心に隙間を空けたX型、すなわちスルーホールが絶縁性基体の表面に開口する部分がVの字形に窪んでいると、スルーホールが開口する部分を閉塞した電気めっき層の表面が、凹面状に窪むことを回避することが困難であることが判明したからである。よって「平坦面に形成されている」とは、絶縁性基体の表面であってスルーホールが開口する部分には、窪み、突起及び段差等が形成されていないことを意味する。 The “conical shape” means a shape in which the cross-sectional area gradually decreases toward the tip, and the cross-sectional shape is not limited to a circular cone but includes, for example, an ellipse and a polygon. “The portion of the insulating substrate on which the through hole is opened is formed on a flat surface.” This is because the portion where the through hole is opened is closed with an electroplating layer. This is because the surface of the closed electroplating layer can be flattened. For example, in the cross-sectional shape including the axial center, the opening portion of the through hole is X-shaped with a gap in the axial center, that is, the portion where the through hole opens on the surface of the insulating base is recessed in a V shape. This is because it has been found that it is difficult to avoid the concave surface of the surface of the electroplating layer blocking the portion where the through hole is opened. Therefore, “formed on a flat surface” means that no depression, protrusion, step, or the like is formed on the surface of the insulating substrate where the through hole opens.
「錐形状の頂角を60〜120度」としたのは、60度未満では、スルーホールが絶縁性基板に開口する開口の周縁の先端角度(軸を含む断面形状において)が60度以上となり、この周縁の先端の電流密度を十分高くすることができず、周縁の先端に電気めっき層を形成する時間が長くなるからである。また120度を超えると、周縁の先端角度が30度以下となって薄くなり過ぎて、スルーホールを射出成形する場合に、周縁の先端に樹脂が流れ難くなるからである。なお頂角としては、80〜100度がさらに望ましい。 The reason why the cone-shaped apex angle is 60 to 120 degrees is that when the angle is less than 60 degrees, the tip angle (in the cross-sectional shape including the axis) of the periphery of the opening where the through hole opens in the insulating substrate is 60 degrees or more This is because the current density at the tip of the periphery cannot be sufficiently increased, and the time for forming the electroplating layer at the tip of the periphery becomes long. Further, if it exceeds 120 degrees, the tip angle of the peripheral edge becomes 30 degrees or less and becomes too thin, and when the through hole is injection-molded, the resin does not easily flow to the peripheral tip. The apex angle is more preferably 80 to 100 degrees.
「上記絶縁性基体の表面に開口する開口径は、10〜100μmである」としたのは、開口径が10μm未満の場合は、電気めっき液が、スルーホールの開口部付近において還流することが困難となって、開口部における電気めっき層の付き回りが悪くなって、電気めっき層の形成が不均一になるからである。また100μmを超えると、開口部を閉塞して表面を平坦にするための時間が長くなり過ぎるからである。なおこの開口径としては、30〜60μmがさらに望ましい。 “The opening diameter opening on the surface of the insulating substrate is 10 to 100 μm” because, when the opening diameter is less than 10 μm, the electroplating solution may be refluxed in the vicinity of the opening of the through hole. This is because it becomes difficult and the electroplating layer is poorly attached in the opening, and the formation of the electroplating layer becomes uneven. Moreover, when it exceeds 100 micrometers, it is because the time for obstruct | occluding an opening part and flattening a surface will become long too much. In addition, as this opening diameter, 30-60 micrometers is further more desirable.
「上記絶縁性基体の表面と、この絶縁性基体の裏面とには、それぞれ導電層が設けてあり」における「導電層」とは、絶縁性基体の表裏面にそれぞれ設けた、導電性回路や接続端子等を意味する。また「上記スルーホールの内側面に設けた導電層は、上記絶縁性基体の表面に設けた導電層と、この絶縁性基体の裏面に設けた導電層とに、それぞれ接続している。」としたのは、スルーホールの内側面に設けた導電層を介して、絶縁性基体の表裏面に設けた導電層を、それぞれ導通させるためである。これによりスルーホールの直上位置に限らず、絶縁性基体の表裏面に設けた導電層を介して、積層したプリント基板を相互に導通させることが可能となる。 “The conductive layer is provided on the surface of the insulating substrate and the back surface of the insulating substrate, respectively.” “The conductive layer” means a conductive circuit or a conductive circuit provided on the front and back surfaces of the insulating substrate. It means a connection terminal. “The conductive layer provided on the inner surface of the through hole is connected to the conductive layer provided on the surface of the insulating substrate and the conductive layer provided on the back surface of the insulating substrate.” The reason is that the conductive layers provided on the front and back surfaces of the insulating substrate are made conductive through the conductive layers provided on the inner side surfaces of the through holes. Thereby, it is possible to make the stacked printed boards conductive with each other through the conductive layers provided on the front and back surfaces of the insulating substrate, not limited to the position directly above the through hole.
「導電性の下地層」には、無電解めっき層が好ましいが、真空蒸着、スパタリング及びイオンプレーティング等の物理的蒸着も含まれる。また「電気めっき層」は、金属イオンを含んだ電解質溶液に電流を流して、電解質溶液中の金属イオンを、陰極に荷電した対象物に析出させたもので、公知の一般的に使用されるめっき液とめっき装置とを使用して、一般的な手順で形成するものを意味する。すなわち特殊なめっき液、めっき装置、及び手順を必要としない。なお電気めっきのめっき金属としては、銅、ニッケル、貴金属及び合金等が該当し、これらのめっき金属の単独の層に限らず、異なっためっき金属を複数積層したものも含む。 The “conductive base layer” is preferably an electroless plating layer, but also includes physical vapor deposition such as vacuum vapor deposition, sputtering, and ion plating. In addition, the “electroplating layer” is one in which a current is passed through an electrolyte solution containing metal ions, and the metal ions in the electrolyte solution are deposited on an object charged on the cathode, and is commonly used. It means what is formed by a general procedure using a plating solution and a plating apparatus. That is, no special plating solution, plating apparatus, and procedure are required. In addition, copper, nickel, a noble metal, an alloy, etc. correspond as a plating metal of electroplating, Not only the single layer of these plating metals but the thing which laminated | stacked several different plating metals is also included.
通常使用されている電気めっき方法によって、短時間に、スルーホールの一端部を、表面が平坦な状態で閉塞するスルーホールのめっき構造が得られる。 By a commonly used electroplating method, a through-hole plating structure in which one end of the through-hole is closed in a flat state in a short time can be obtained.
本発明によるスルーホールのめっき構造は、絶縁性基体に形成したスルーホールの一端部を、電気めっき層によって閉塞したものであり、図1と図2とを参照しつつ、その具体例を説明する。図1は、スルーホール2を形成した絶縁性基体1であって、電気めっき層を形成する前の状態を示す。すなわちブロック状の絶縁性基体1は、芳香族系液晶ポリエステルを射出成形したものであり、スルーホール2も同時に射出成形する。
In the through hole plating structure according to the present invention, one end of a through hole formed in an insulating substrate is closed by an electroplating layer, and a specific example thereof will be described with reference to FIGS. . FIG. 1 shows an insulating substrate 1 in which a through
スルーホール2の一端部、すなわち図1において上端部は、円錐形状の空間21に形成してあり、この円錐形状の空間の先端部分は、絶縁性基体1の表面を貫通して、この絶縁性基体の表面に円形の開口22を開口している。また絶縁性基体1の表面であって、スルーホール2が開口する部分11は、平坦面に形成されている。なおスルーホール2の円錐形状の空間21の底面には、円筒形状の空間23が連通して形成してある。
One end portion of the through
スルーホール2の円錐形状の空間21の頂角Bは、90度に形成してある。したがって、図1に示すスルーホール2の軸を含む断面形状において、このスルーホールの円錐形状の空間21の内側傾斜面24と、絶縁性基体1の表面であってスルーホール2が開口する部分11とが交差する角度Cは、45度の鋭角になる。またスルーホール2の開口22の開口径Bは、40μmに形成してある。
The apex angle B of the
さて図2は、上述したスルーホール2の内側面と、絶縁性基体1の表面11と、この絶縁性基体の裏面13と、この絶縁性基体の側面14とに、それぞれ導電層3、4、5及び6を設けた場合を示している。そしてスルーホール2の内側面に設けた導電層4は、絶縁性基体の表面11に設けた導電層3と、この絶縁性基体の裏面13に設けた導電層5とに、それぞれ接続している。なお縁性基体1の裏面13に設けた導電層5と、側面14に設けた導電層6とは、相互に接続している。
FIG. 2 shows
導電層3〜6は、いずれも無電解銅めっき層31、41、51及び61の表面に、電気銅めっき層32、42、52及び62を積層したものである。そしてスルーホール2が絶縁性基体1の表面11に開口する開口22は、電気めっき層32によって、表面が平坦になるように閉塞されている。
In each of the conductive layers 3 to 6, electrolytic copper plating layers 32, 42, 52 and 62 are laminated on the surfaces of the electroless copper plating layers 31, 41, 51 and 61. The
次に上述した導電層3〜6の形成方法を説明する。さて第1のステップとして、絶縁性基体1の全表面とスルーホール2の内側面とを粗化する。アンカー効果によって、後工程における無電解めっきの密着性を向上すると共に、親水性を付与するためである。粗化の手段は、公知の化学エッチングを使用することができ、例えばスルーホール2を設けた絶縁性基体1を脱脂し、エッチング液、例えば苛性カリの水溶液に浸漬する。
Next, a method for forming the conductive layers 3 to 6 will be described. As a first step, the entire surface of the insulating substrate 1 and the inner surface of the through
次に表面を粗化した絶縁性基体1を、酸性の水溶液に浸漬して中和し、水洗浄後に、無電解めっき用の触媒を、この絶縁性基体の全表面とスルーホール2の内側面とに付与する。触媒の付与も、公知の手段を用いることができる。例えば、錫、パラジウム系の混合触媒液に、絶縁性基体1を浸漬した後、塩酸、硫酸などの酸で活性化し、表面にパラジウムを析出させる。あるいは塩化第1錫等の比較的強い還元剤を表面に吸着させ、金などの貴金属イオンを含む触媒溶液に浸漬し、表面に金を析出させる。次に、後工程において乾式加工のレーザー光の照射に備えて、触媒を付与した絶縁性基体1の表面を乾燥させ、触媒をこの絶縁性基体の表面に定着させる。
Next, the insulating substrate 1 whose surface has been roughened is neutralized by immersing it in an acidic aqueous solution. After washing with water, the catalyst for electroless plating is applied to the entire surface of the insulating substrate and the inner surface of the through-
次に触媒を定着ささせた絶縁性基体1の全表面と、スルーホール2の内側面とに、無電解銅めっき層を形成する。後工程における電気めっき用の電極として、導電性の下地層を形成するためである。したがって、この無電解銅めっき層の厚さは、0.6μm程度で十分である。なお無電解銅めっき層の形成も、公知の手段を使用することができる。例えば、無電解銅めっきの場合には、めっき液として、金属塩として硫酸銅を5〜15g/リットル、還元剤としてホルマリンの37容量%の溶液を8〜12mリットル/リットル、錯化材としてロッシェル塩を20〜25g/リットル、そしてアルカリ剤として水酸化ナトリウムを5〜12g/リットル混合した、温度20℃の溶液を使用する。なお無電解銅めっきの替わりに無電解ニッケルめっきを行なうこともできる。
Next, an electroless copper plating layer is formed on the entire surface of the insulating substrate 1 on which the catalyst is fixed and on the inner surface of the through
次に絶縁性基体1の全表面に形成した無電解銅めっき層に対して、後工程において電気めっき層を積層することによって、導電性回路や接続端子等を形成する部分の輪郭に沿ってレーザー光を照射して、この輪郭上の無電解めっき層を除去する。このレーザー光は、例えば出力0.5WのYAGレーザーを使用する。 Next, the electroless copper plating layer formed on the entire surface of the insulating substrate 1 is laminated with an electroplating layer in a later process, so that a laser is formed along the contour of a portion where a conductive circuit, a connection terminal, and the like are formed. Light is irradiated to remove the electroless plating layer on the contour. As this laser beam, for example, a YAG laser having an output of 0.5 W is used.
レーザー光を照射する輪郭としては、例えば図2に示すように、絶縁性基体1の表面であって、スルーホール2の開口22が開口する部分11、すなわち開口22を取り囲む周囲、この絶縁性基体1の裏面であって、スルーホールの下端が開口する部分13、すなわちこの開口を取り囲む周囲、およびこの絶縁性基体の側面あって、導電性回路や接続端子等を形成する部分14の輪郭が含まれる。
For example, as shown in FIG. 2, the contour of the laser light irradiation is the
上述した部分の輪郭に沿ってレーザー光を照射して、この輪郭上の無電解めっき層を除去すれば、この輪郭の内側の無電解めっき層31、41、51及び61は、この輪郭の外側の無電解めっき層と、電気的に絶縁になる。そこでこの輪郭の内側の無電解めっき層31、41、51及び61にのみ通電して、この輪郭の内側の無電解めっき層の表面に電気銅めっき層を32、42、52及び62を積層する。なおこれらの電気銅めっき層32等の厚さは、30μmとする。また電気銅めっき層の替わりに電気ニッケルめっき層を積層してもよい。 If the electroless plating layer on the contour is removed by irradiating the laser light along the contour of the above-described portion, the electroless plating layers 31, 41, 51 and 61 inside the contour are outside the contour. It becomes electrically insulated from the electroless plating layer. Therefore, only the electroless plating layers 31, 41, 51 and 61 inside the contour are energized, and the electrolytic copper plating layers 32, 42, 52 and 62 are laminated on the surface of the electroless plating layer inside the contour. . In addition, the thickness of these electrolytic copper plating layers 32 etc. shall be 30 micrometers. Moreover, you may laminate | stack an electro nickel plating layer instead of an electro copper plating layer.
電気銅めっき層の形成は、通常使用されている一般的な手段を使用することができる。例えば、電気銅めっきの場合には、浴組成は、例えばCuSO4・5H2O(75g)/lH2SO4(190g)/lCl(60ppm)/添加剤(適量)とする。また陽極材料を含リン銅として、浴温度は25℃に設定し、陰極電流密度を2.5A/dm2とする。なお陽極電極は、平板形状のものを、絶縁性基体1の表面から20〜30Cm離れた位置に置けばよい。The formation of the electrolytic copper plating layer can be performed by a commonly used general means. For example, in the case of electrolytic copper plating, the bath composition is, for example, CuSO 4 .5H 2 O (75 g) / lH 2 SO 4 (190 g) / lCl (60 ppm) / additive (appropriate amount). The anode material is phosphorous copper, the bath temperature is set to 25 ° C., and the cathode current density is 2.5 A /
上述した方法によって、特殊なめっき促進剤や抑制剤、あるいは特殊な構造の電極等を使用することなく、スルーホール2の開口22を、短時間に、表面が平坦な状態で閉塞することができる。すなわちスルーホール2の先端部分は、円錐形状21に形成され、この円錐形状の下端は円筒形状に形成されて断面積が大きくなっている。したがって導電性回路の微小化に応じて、絶縁性基体1の表面に開口するスルーホール2の開口22の開口径を小さくしつつ、このスルーホール内へのめっき液の進入及び循環を促進することができる。
By the above-described method, the
また絶縁性基体1の表面に開口するスルーホール2の開口22の周縁は、上面が平坦の鋭角になるため、この周縁の電流密度が大きくなって、この周縁に急速に電解銅めっき層が形成される。さらに上述したように、スルーホール2の開口22の開口径を小さくして、かつ絶縁性基体1の表面であって、このスルーホールが開口する部分を平坦にすることによって、電解銅めっき層を30μm程度の厚さに形成すれば、図2に示すように、スルーホールの開口22を、表面が平坦な状態になるように閉塞することができる。なおスルーホール2の開口22の開口径が10〜100μmの場合は、表面が平坦な状態になるように閉塞するためには、それぞれ電解銅めっき層を25〜40μm程度の厚さに形成する。
Further, the periphery of the
最後に、電気銅めっき層32、42、52及び62を積層した絶縁性基体1を、例えば塩化鉄水溶液に浸漬して、これらの電気銅めっき層が積層されていない、輪郭の外側の無電解銅めっき層を溶解除去する。これにより図2に示すように、絶縁性基体1の表面、スルーホール2の内側面、この絶縁性基体の裏面、及びこの絶縁性基体の側面に、それぞれ無電解銅めっき層31〜61の表面に電気銅めっき層32〜62を積層した導電層3〜6を形成することができる。
Finally, the insulating substrate 1 on which the electrolytic copper plating layers 32, 42, 52 and 62 are laminated is immersed in, for example, an aqueous iron chloride solution, and the electroless plating outside the contours where these electrolytic copper plating layers are not laminated. The copper plating layer is dissolved and removed. Thus, as shown in FIG. 2, the surfaces of the electroless copper plating layers 31 to 61 are respectively formed on the surface of the insulating substrate 1, the inner surface of the through
したがって、絶縁性基体1の表面のスルーホール2の直上にスルーホールを重ねて、別のプリント基板を積層することができ、あるいはこのスルーホールの開口22を閉塞した電気銅めっき層32の平坦な表面に、電子部品等を実装することが可能となる。また絶縁性基体1の裏面には、スルーホール2の内側面に形成した導電層4と連通する導電層5を有するため、この絶縁性基体の裏面に他のプリント基板等を積層することができる。
Therefore, another printed circuit board can be laminated by superimposing the through hole directly on the through
通常使用されている電気めっき方法によって、短時間に、スルーホールの一端部を表面が平坦な状態で閉塞することができるため、多層プリント基板等の電子機器に関する産業に広く利用可能である。 Since one end of the through hole can be closed with a flat surface in a short time by a commonly used electroplating method, it can be widely used in industries related to electronic devices such as multilayer printed boards.
1 絶縁性基体
11 スルーホールが開口する部分
2 スルーホール
21 円錐形状の空間(錐形状の空間)
22 開口(するーホールの)
23 円筒形状の空間
3 導電層
31 無電解銅めっき層(無電解めっき層)
32 電気銅めっき層(電気めっき層)
4 導電層
41 無電解銅めっき層(無電解めっき層)
42 電気銅めっき層(電気めっき層)
5 導電層
51 無電解銅めっき層(無電解めっき層)
52 電気銅めっき層(電気めっき層)
6 導電層
61 無電解銅めっき層(無電解めっき層)
62 電気銅めっき層(電気めっき層)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating base |
22 Opening (Sur-hole)
23 Cylindrical space 3
32 Copper electroplating layer (electroplating layer)
4
42 Electro copper plating layer (electro plating layer)
5
52 Electro copper plating layer (electro plating layer)
6
62 Copper electroplating layer (electroplating layer)
Claims (4)
上記スルーホールの一端部は、錐形状の空間に形成してあり、
上記錐形状の空間の先端部分は、上記絶縁性基体の表面を貫通して、この絶縁性基体の表面に開口しており、
上記絶縁性基体の表面であって、上記スルーホールが開口する部分は、平坦面に形成され、
上記錐形状の空間の頂角は、60〜120度であって、
上記絶縁性基体の表面に開口する開口径は、10〜100μmであり、
上記スルーホールの内側面と、上記絶縁性基体の表面と、この絶縁性基体の裏面とには、それぞれ導電層が設けてあり、
上記スルーホールの内側面に設けた導電層は、上記絶縁性基体の表面に設けた導電層と、この絶縁性基体の裏面に設けた導電層とに、それぞれ接続しており、
上記導電層は、いずれも導電性の下地層に電気めっき層を積層したものであって、
上記スルーホールが上記縁性基体の表面に開口する部分は、上記電気めっき層によって、表面が平坦になるように閉塞されている
ことを特徴とするスルーホールのめっき構造。One end of the through hole formed in the insulating substrate is a through hole plating structure closed by an electroplating layer,
One end of the through hole is formed in a conical space,
The tip of the cone-shaped space penetrates the surface of the insulating base and opens to the surface of the insulating base.
A portion of the surface of the insulating substrate where the through hole opens is formed on a flat surface,
The apex angle of the cone-shaped space is 60 to 120 degrees,
The opening diameter opened to the surface of the insulating base is 10 to 100 μm,
A conductive layer is provided on each of the inner surface of the through hole, the surface of the insulating substrate, and the back surface of the insulating substrate.
The conductive layer provided on the inner surface of the through hole is connected to the conductive layer provided on the surface of the insulating substrate and the conductive layer provided on the back surface of the insulating substrate,
Each of the conductive layers is obtained by laminating an electroplating layer on a conductive base layer,
The through-hole plating structure, wherein a portion where the through-hole opens on the surface of the edge base is closed by the electroplating layer so that the surface becomes flat.
ことを特徴とする請求項1に記載のスルーホールのめっき構造。The through-hole plating structure according to claim 1, wherein the through-hole has a shape in which a cylindrical space communicates with a bottom surface of the conical space.
ことを特徴とする請求項1または2に記載のスルーホールのめっき構造。The through hole plating structure according to claim 1, wherein the conductive underlayer is an electroless plating layer.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2012/060906 WO2013160994A1 (en) | 2012-04-24 | 2012-04-24 | Plated structure of through-hole |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5753628B2 JP5753628B2 (en) | 2015-07-22 |
JPWO2013160994A1 true JPWO2013160994A1 (en) | 2015-12-21 |
Family
ID=49482365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014512051A Expired - Fee Related JP5753628B2 (en) | 2012-04-24 | 2012-04-24 | Through-hole plating structure |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5753628B2 (en) |
WO (1) | WO2013160994A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6711568B2 (en) * | 2015-07-29 | 2020-06-17 | ローム株式会社 | Semiconductor device |
US11078112B2 (en) * | 2017-05-25 | 2021-08-03 | Corning Incorporated | Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53100468A (en) * | 1977-02-14 | 1978-09-01 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of producing circuit board |
JPH01135092A (en) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nec Corp | Manufacture of printed wiring board |
JPH02133988A (en) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Shindo Denshi Kogyo Kk | Formation of through hole of both-side plastic film circuit board |
JPH07112113B2 (en) * | 1991-01-28 | 1995-11-29 | 松下電工株式会社 | Via hole processing method for multilayer circuit board |
JP2001007468A (en) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Nec Kansai Ltd | Wiring board, multilayered wiring board, and their manufacture |
JP4129666B2 (en) * | 1999-11-01 | 2008-08-06 | 日本サーキット工業株式会社 | Manufacturing method of substrate for semiconductor package |
JP2004095690A (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Kyocera Corp | Manufacturing method of ceramic substrate |
JP3894213B2 (en) * | 2004-12-24 | 2007-03-14 | 株式会社デンソー | Manufacturing method of through-hole double-sided board |
JP2006332582A (en) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | Through-hole structure, micro relay and acceleration sensor |
JP2006313790A (en) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Matsushita Electric Works Ltd | Through-hole structure of substrate |
EP2165362B1 (en) * | 2007-07-05 | 2012-02-08 | ÅAC Microtec AB | Low resistance through-wafer via |
JP2009295850A (en) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Hitachi Chem Co Ltd | Method of manufacturing multi-layer circuit board, multi-layer circuit board obtained by the same, semiconductor chip-mounted substrate, and semiconductor package using this substrate |
-
2012
- 2012-04-24 JP JP2014512051A patent/JP5753628B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-24 WO PCT/JP2012/060906 patent/WO2013160994A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013160994A1 (en) | 2013-10-31 |
JP5753628B2 (en) | 2015-07-22 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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