JPWO2013137329A1 - GLASS SUBSTRATE FOR ELECTRONIC DEVICE GLASS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - Google Patents
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Abstract
電子機器用カバーガラスのガラス基板について高い機械的強度を保持させつつ、主表面と端面と間に介在する介在面を形成することを可能とする電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法、及び電子機器用カバーガラスのガラス基板が提供される。上記製造方法は、一対の主表面と、一対の主表面に対して直交する方向に沿って配置された端面と、一対の主表面と端面との間に配置された一対の介在面とを有する電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法であって、ガラス基板に対して、介在面及び端面が鏡面となるようにエッチング処理を行うエッチング処理工程、を含むことを特徴とする。A method for producing a glass substrate for a cover glass for an electronic device, which can form an intervening surface interposed between the main surface and the end surface while maintaining high mechanical strength for the glass substrate for the cover glass for electronic device, and A glass substrate for a cover glass for an electronic device is provided. The manufacturing method includes a pair of main surfaces, an end surface disposed along a direction orthogonal to the pair of main surfaces, and a pair of interposed surfaces disposed between the pair of main surfaces and the end surfaces. A method for manufacturing a glass substrate for a cover glass for electronic equipment, comprising: an etching process step for performing an etching process on a glass substrate so that an intervening surface and an end surface are mirror surfaces.
Description
本発明は、携帯機器(携帯型電子機器)のカバー部材として用いられる携帯機器用カバーガラスと、ポインティングデバイスなどのタッチセンサにおける内部基板のカバー部材として用いられるタッチセンサ用カバーガラスとを含む電子機器用カバーガラスのガラス基板、及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic device including a cover glass for a portable device used as a cover member for a portable device (portable electronic device) and a cover glass for a touch sensor used as a cover member for an internal substrate in a touch sensor such as a pointing device. The present invention relates to a glass substrate for a cover glass and a manufacturing method thereof.
電子機器として、例えば携帯電話機、PDA(Personal Digital Assistant)、デジタルスティルカメラ、ビデオカメラ等の携帯機器の外装の一部をなすカバー部材には、携帯機器用カバーガラス(電子機器用カバーガラス)が用いられている。近年、携帯機器の薄型化や高機能化に加え、意匠性の観点から考案される様々な形状の携帯機器の筐体および表示画面に対応すべく、様々な形状のカバーガラスが作製されている。 As an electronic device, for example, a cover glass for a mobile device (cover glass for an electronic device) is formed on a cover member that forms a part of the exterior of a mobile device such as a mobile phone, a PDA (Personal Digital Assistant), a digital still camera, and a video camera. It is used. In recent years, cover glasses of various shapes have been produced in order to correspond to the casings and display screens of various shapes of mobile devices devised from the viewpoint of design, in addition to thinning and high functionality of portable devices. .
このような携帯機器用カバーガラスの基材であるガラス基板の外縁に何ら処理が施されていないとするならば、主表面と端面との境界線が鋭利となって、その境界線からクラックやチッピング(欠け)が生じやすいために所要の機械的強度が得られない場合がある。そこで、携帯機器用カバーガラスのガラス基板の主表面と端面と間に介在する介在面(面取り面)を形成することが知られている。従来、介在面の形成方法として、回転ブラシ(研磨ブラシ)を用いて機械加工により介在面を形成する方法が知られている(特許文献1)。別の介在面の形成方法として、ガラス基板とスペーサを積層したものを、フッ化水素酸と硫酸の混合液からなるエッチング液によりエッチングして介在面を形成する方法が知られている(特許文献2)。 If the outer edge of the glass substrate that is the base material of such a cover glass for portable devices is not subjected to any treatment, the boundary line between the main surface and the end surface becomes sharp, and cracks and Since chipping (chips) easily occurs, the required mechanical strength may not be obtained. Therefore, it is known to form an interposed surface (chamfered surface) interposed between the main surface and the end surface of the glass substrate of the cover glass for portable devices. Conventionally, as a method for forming an interposition surface, a method of forming an interposition surface by machining using a rotating brush (polishing brush) is known (Patent Document 1). As another method for forming an intervening surface, a method of forming an interposing surface by etching a glass substrate and a spacer laminated with an etchant composed of a mixture of hydrofluoric acid and sulfuric acid is known (Patent Document). 2).
近年、携帯機器では、表示画面の大型化、タッチパネル機能を有する表示画面の普及が進んでおり、それに伴って、表示画面を保護する携帯機器用カバーガラス(以下、適宜「カバーガラス」という。)には、利用者による表示画面に対する押圧操作や、携帯機器の落下等に耐えうるように、より一層高い機械的強度が要求されるようになってきている。 In recent years, in portable devices, display screens have become larger and display screens having a touch panel function have become popular, and accordingly, cover glasses for portable devices that protect display screens (hereinafter referred to as “cover glasses” as appropriate). Therefore, a higher mechanical strength has been demanded so that it can withstand a pressing operation on a display screen by a user, a drop of a portable device, and the like.
ところが、機械加工により介在面を形成する従来の方法では、例えば研磨ブラシの硬度の高い線材がカバーガラスのガラス基板の端面および介在面を含む端部に対して損傷を与えることによって、研磨後においてガラス基板の端部にマイクロクラックが残存している場合がある。この場合には、例えばガラス基板を曲げる方向に外力が加わったときに、端部におけるマイクロクラックの進行によって、所要の機械的強度を保持できない可能性がある。 However, in the conventional method of forming the interposition surface by machining, for example, the wire material having a high hardness of the polishing brush damages the end surface of the glass substrate of the cover glass and the end portion including the interposition surface. In some cases, microcracks remain at the end of the glass substrate. In this case, for example, when an external force is applied in the direction of bending the glass substrate, there is a possibility that the required mechanical strength cannot be maintained due to the progress of microcracks at the end.
マイクロクラックが存在するガラス基板の端部に対して従来のエッチング処理を施すことによってマイクロクラックを除去することはできるが、マイクロクラック除去後のエッチング処理面には、加工痕を起因とする微小な凹凸(梨地面)が形成されうる。この微小な凹凸は、球状の微小な凹部が複数形成され、かつ隣り合う凹部の縁同士が接して凸部が形成されたものである。このような微小な凹凸がガラス基板の端部の表面上に残存していると、例えばガラス基板の主表面を曲げる方向に、ガラス基板に外力が加わったときに、端部の表面上の凹凸によって応力集中が生じやすくなるため、所要の機械的強度を保持できない可能性がある。 Microcracks can be removed by applying conventional etching to the edge of the glass substrate where microcracks exist, but the etched surface after microcrack removal has a very small amount due to processing marks. Unevenness (pear ground) can be formed. The minute irregularities are formed by forming a plurality of spherical minute concave portions and forming convex portions by contacting edges of adjacent concave portions. If such minute unevenness remains on the surface of the edge of the glass substrate, for example, when an external force is applied to the glass substrate in the direction of bending the main surface of the glass substrate, the unevenness on the surface of the edge As a result, stress concentration tends to occur, so that the required mechanical strength may not be maintained.
よって、発明の1つの側面では、携帯機器用カバーガラスのガラス基板について高い機械的強度を保持させつつ、主表面と端面との間に介在する介在面を形成することを可能とする電子機器用カバーガラスのガラス基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, in one aspect of the present invention, for an electronic device that can form an intervening surface interposed between a main surface and an end surface while maintaining high mechanical strength for a glass substrate of a cover glass for portable devices. It aims at providing the glass substrate of a cover glass, and its manufacturing method.
上記課題に直面した発明者は、電子機器用カバーガラスのガラス基板の端面および介在面を鏡面化することによって、マイクロクラックあるいは微小な凹凸が除去されるため、端面および介在面上での特定部位の応力集中を避けることができ、カバーガラスのガラス基板の機械的強度を向上させることができることを見出した。なお、端面および介在面を鏡面化することによって、その表面性状が極めて滑らかとなるため、外観品質が良好となるという効果もある。
そこで、本発明の第1の観点は、一対の主表面と、前記一対の主表面に対して直交する方向に沿って配置された端面、及び前記一対の主表面と前記端面との間に配置された一対の介在面を含む端部とを有する電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板の前記一対の主表面と前記端面との間に前記一対の介在面を形成する介在面形成工程と、前記ガラス基板に対して、前記端部の表面が鏡面となるようにエッチング処理を行う鏡面化処理工程とを含むことを特徴とする。The inventor who has faced the above-mentioned problems is able to remove microcracks or minute irregularities by mirroring the end surface and the interposition surface of the glass substrate of the cover glass for electronic equipment, so that the specific part on the end surface and the interposition surface It was found that the stress concentration of the glass substrate can be avoided and the mechanical strength of the glass substrate of the cover glass can be improved. In addition, since the surface properties are made extremely smooth by mirroring the end face and the intervening face, there is an effect that the appearance quality is improved.
Accordingly, a first aspect of the present invention provides a pair of main surfaces, end surfaces disposed along a direction orthogonal to the pair of main surfaces, and disposed between the pair of main surfaces and the end surfaces. A method of manufacturing a glass substrate for a cover glass for an electronic device having an end including a pair of interposed surfaces, wherein the pair of interposed surfaces are disposed between the pair of main surfaces and the end surfaces of the glass substrate. An intervening surface forming step to be formed; and a mirroring treatment step of performing an etching process on the glass substrate so that a surface of the end portion is a mirror surface.
上記電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法において、前記介在面形成工程は、機械的加工手段を用いた処理であり、前記鏡面化処理工程では、前記機械的加工手段を用いた処理により前記端部に生じうるダメージ層が除去されるようにエッチング処理を行ってもよい。 In the method for manufacturing a glass substrate for a cover glass for an electronic device, the interposed surface forming step is a process using a mechanical processing means, and in the mirroring process step, the processing is performed using the mechanical processing means. Etching may be performed so as to remove a damage layer that may occur at the end.
上記電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法において、前記介在面形成工程は、エッチング処理であり、前記介在面形成工程及び前記鏡面化処理工程では、組成がそれぞれ異なるエッチング液が用いられてもよい。 In the method for manufacturing a glass substrate for a cover glass for electronic equipment, the intervening surface forming step is an etching process, and etching liquids having different compositions are used in the intervening surface forming step and the mirroring process step. Good.
上記電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法において、前記介在面形成工程では、フッ化水素酸、もしくはフッ化水素酸に対し、フッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を添加剤として加えたエッチング液が用いられ、前記鏡面化処理工程では、フッ化水素酸に対し、フッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を添加剤として加えたエッチング液が用いられ、前記鏡面化処理工程でのエッチング液の添加剤の濃度は、前記介在面形成工程でのエッチング液の添加剤の濃度よりも高くてもよい。さらに、前記鏡面化処理工程でのエッチング液におけるフッ化水素酸と前記添加剤との物質量の混合比は、エッチング液総量1kg当たり10:3〜10:20の範囲内であることが好ましい。 In the method for producing a glass substrate for an electronic device cover glass, in the interposition surface forming step, hydrofluoric acid or an acid having a larger acid dissociation constant than hydrofluoric acid is used as an additive with respect to hydrofluoric acid. In the mirroring treatment step, an etching solution in which an acid having a larger acid dissociation constant than hydrofluoric acid is added as an additive to hydrofluoric acid is used in the mirroring treatment step. The concentration of the etchant additive in the step may be higher than the concentration of the etchant additive in the interposition surface forming step. Furthermore, it is preferable that the mixing ratio of the substance amounts of hydrofluoric acid and the additive in the etching solution in the mirror finishing process is in the range of 10: 3 to 10:20 per 1 kg of the etching solution.
上記電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法において、前記鏡面化処理工程では、前記ガラス基板をエッチング液に浸漬し、前記ガラス基板の厚さ方向に対して平行に前記ガラス基板を揺動させてもよい。 In the method of manufacturing a glass substrate for a cover glass for electronic equipment, in the mirror surface treatment step, the glass substrate is immersed in an etching solution, and the glass substrate is swung in parallel with the thickness direction of the glass substrate. May be.
上記電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法において、前記鏡面化処理工程の前に行われ、機械的加工手段を用いて前記ガラス基板に前記ガラス基板の厚さ方向に貫通する開口を形成する開口形成工程、をさらに含み、前記鏡面化処理工程では、前記機械的加工手段を用いた開口形成工程により前記開口の内壁部に生じうるダメージ層が除去されるようにエッチング処理を行ってもよい。 In the method for manufacturing a glass substrate for a cover glass for electronic equipment, an opening that is performed before the mirror-finishing process and penetrates in the thickness direction of the glass substrate is formed in the glass substrate using a mechanical processing means. An opening forming step, and in the mirror finishing step, an etching process may be performed so that a damage layer that may be generated on an inner wall portion of the opening is removed by the opening forming step using the mechanical processing means. .
上記電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法において、前記エッチング処理工程後に行われ、イオン交換による化学強化を行う化学強化工程をさらに含み、前記エッチング処理工程では、前記開口の内壁部に存在しうるダメージ層を起因とする前記化学強化工程での前記ガラス基板の破損を抑えるように、エッチングの取しろが予め決められていてもよい。 In the method for manufacturing a glass substrate for a cover glass for electronic equipment, the method further includes a chemical strengthening step that is performed after the etching treatment step and performs chemical strengthening by ion exchange, and the etching treatment step is present on the inner wall portion of the opening. An etching allowance may be determined in advance so as to suppress breakage of the glass substrate in the chemical strengthening step caused by a damaged layer.
上記電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法において、前記エッチング処理は、対エッチング性を有する保護材を介して複数の前記ガラス基板が積層された状態で行われてもよい。 In the method for manufacturing a glass substrate for a cover glass for electronic equipment, the etching treatment may be performed in a state where a plurality of the glass substrates are laminated via a protective material having etching resistance.
本発明の第2の観点は、一対の主表面と、前記一対の主表面に対して直交する方向に沿って配置された端面、及び前記一対の主表面と前記端面との間に配置された一対の介在面を含む端部と、を有する電子機器用カバ−ガラスのガラス基板であって、前記介在面及び前記端面が鏡面であることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, a pair of main surfaces, an end surface disposed along a direction orthogonal to the pair of main surfaces, and the pair of main surfaces and the end surfaces are disposed. The glass substrate of the cover glass for electronic devices which has an edge part containing a pair of interposition surface, Comprising: The said interposition surface and the said end surface are mirror surfaces, It is characterized by the above-mentioned.
上記電子機器用カバ−ガラスのガラス基板において、前記端面の互いに直交する2方向での等方的な表面粗さRaが1μm以下であることが好ましい。 In the glass substrate of the cover glass for electronic equipment, it is preferable that an isotropic surface roughness Ra of the end face in two directions orthogonal to each other is 1 μm or less.
上記電子機器用カバ−ガラスのガラス基板において、前記ガラス基板には開口が形成され、前記開口の内壁部の表面である内壁面と前記一対の主表面との間に介在面が形成されており、当該介在面及び前記内壁面が鏡面であってもよい。 In the glass substrate of the cover glass for electronic equipment, an opening is formed in the glass substrate, and an interposition surface is formed between the inner wall surface which is the surface of the inner wall portion of the opening and the pair of main surfaces. The intervening surface and the inner wall surface may be mirror surfaces.
上記電子機器用カバ−ガラスのガラス基板において、前記ガラス基板は、イオン交換による化学強化可能なアルミノシリケートガラスであってもよい。 In the glass substrate for cover glass for electronic devices, the glass substrate may be aluminosilicate glass that can be chemically strengthened by ion exchange.
(1)実施形態の携帯機器(電子機器)用カバーガラス(以下、適宜「カバーガラス」という。)
本実施形態のカバーガラスの好ましい利用形態は例えば、携帯型電子機器、特に携帯電話機(携帯機器)の表示画面の保護のために用いられるカバーガラスである。本実施形態のカバーガラスは所望の形状であってよく、同一の形状のガラス基板に対して公知の印刷法によって多層の印刷層を主表面上に形成することで作製される。カバーガラスは、機器の落下あるいは表示画面への操作入力(タッチパネル機能としての操作入力)に対する仕様を満足させるべく、薄くかつ高い機械的強度を有するガラスからなる必要があるため、イオン交換処理による化学強化がなされている。(1) Cover glass for portable device (electronic device) of the embodiment (hereinafter referred to as “cover glass” as appropriate)
A preferred usage form of the cover glass of the present embodiment is, for example, a cover glass used for protecting a display screen of a portable electronic device, particularly a mobile phone (mobile device). The cover glass of the present embodiment may have a desired shape, and is produced by forming a multilayer printed layer on the main surface by a known printing method on a glass substrate having the same shape. The cover glass needs to be made of glass that is thin and has high mechanical strength in order to satisfy the specifications for device drop or operation input to the display screen (operation input as a touch panel function). Reinforcement has been made.
図1A及び図1Bに、本実施形態のカバーガラスのガラス基板の外観の一例を示す。図1Aは例示的なガラス基板1の斜視図であり、図1Bは図1Aに示すガラス基板1の端部(縁部)の断面を拡大した図である。ガラス基板1の板厚Tは特に限定されないが、カバーガラスが組み付けられる各種機器の重量増大の抑制や、機器の薄型化の観点から、通常は、1mm以下であることが好ましく、0.7mm以下であることがより好ましい。なお、板厚Tの下限値は、ガラス基板の機械的強度を確保する観点から、0.1mm以上とすることが好ましい。ガラス基板1の外形形状は、組み込み対象となる携帯機器に応じて適宜設定されうる。図1Aに例示するように、ガラス基板1には、必要に応じて、例えばレシーバやマイク等の音声入出力用の開口1hが形成される。なお、ガラス基板の端部に、主表面の面方向中心側へ窪む(平面視切り欠き状の)凹部を設けてもよい。
In FIG. 1A and FIG. 1B, an example of the external appearance of the glass substrate of the cover glass of this embodiment is shown. FIG. 1A is a perspective view of an
本実施形態のガラス基板は例えば、(1)ダウンドロー法やフロート法等を利用した板状ガラスの作製に用いられるSiO2とAl2O3と、Li2OおよびNa2Oから選択される少なくとも1種のアルカリ金属酸化物と、を含むアルミノシリケートガラス、(2)フロート法等を利用した板状ガラスの作製に用いられるソーダライムガラスなど、公知のガラス材料を用いることが好適である。ガラス基板の表面側および裏面側の表層部分にはそれぞれ、化学強化によって圧縮応力層が形成されている。この圧縮応力層は、ガラス基板を構成するガラス材料に元々含まれるアルカリ金属の一部を、よりイオン半径の大きなアルカリ金属に置換した変質層である。例えば、本実施形態のガラス基板を構成するガラス材料に含まれるナトリウムイオンがカリウムイオンに置換される。The glass substrate of the present embodiment is selected from, for example, (1) SiO 2 and Al 2 O 3 , Li 2 O, and Na 2 O that are used for producing a sheet glass using a downdraw method, a float method, or the like. It is preferable to use a known glass material such as an aluminosilicate glass containing at least one alkali metal oxide and (2) soda lime glass used for producing a sheet glass using a float method or the like. A compressive stress layer is formed by chemical strengthening on the surface layer portions on the front side and the back side of the glass substrate, respectively. This compressive stress layer is an altered layer in which a part of the alkali metal originally contained in the glass material constituting the glass substrate is replaced with an alkali metal having a larger ionic radius. For example, sodium ions contained in the glass material constituting the glass substrate of this embodiment are replaced with potassium ions.
アルミノシリケートガラスとしては、板状ガラスの製造性、機械的強度、化学的耐久性等の実用上の観点等から、ケイ素、アルミニウム、及びナトリウムのそれぞれの酸化物を最低限含み、特に酸化ケイ素の含有が多く、酸化アルミニウムの含有量が相対的に少ないガラスを含むものであることがより好ましい。なお、このようなアルミノシリケートガラスとしては、例えば、SiO2が58〜75重量%、Al2O3が4〜20重量%、Li2Oが0〜10重量%、Na2Oが4〜20重量%を主成分として含有するアルミノシリケートガラスを用いることができる。The aluminosilicate glass includes at least each of oxides of silicon, aluminum, and sodium from the practical viewpoints such as manufacturability of plate glass, mechanical strength, and chemical durability. It is more preferable that the glass contains a glass having a high content and a relatively small content of aluminum oxide. Examples of such an aluminosilicate glass, for example, SiO 2 is 58 to 75 wt%, Al 2 O 3 is 4-20 wt%, Li 2 O is 0 to 10 wt%, Na 2 O 4 to 20 Aluminosilicate glass containing wt% as a main component can be used.
図1Bに示すように、本実施形態のガラス基板1は、一対の主表面1pと、一対の主表面1pに対して直交する方向に沿って配置された端面1tと、一対の主表面1pと端面1tとの間に配置された一対の介在面1cとを有する。介在面1cは、カバーガラスの製造工程上、あるいはカバーガラスの携帯機器への組付け時において、マイクロクラックが生じることによる機械的強度低下を回避するために設けられている。介在面1cと同様に、ガラス基板1には、開口1hの内壁面1wと一対の主表面1pとの間にも介在面が形成されている。
As shown in FIG. 1B, the
端面1t及び介在面1cは、カバーガラスについて高い機械的強度を保持するため、鏡面となっている。なお、鏡面とは、一般には「無数の微細凹凸を有する梨地面に対して鏡のように物が映るほどよく仕上げられた面のこと。」(出典:切削・研削・研磨用語辞典、砥粒加工学会編、工業調査会発行(1995年12月5日))」と定義される。例えば、ある面上で互いに直交する2方向における表面粗さ(算出平均粗さRa)が0.1μm以下である場合に、その表面が鏡面(又は平滑面)であると定義してもよい。即ち、互いに直交する2方向の等方的な表面粗さRaが0.1μm以下であれば鏡面であると定義してもよい。
また、図1Bに示すように、実施形態のカバーガラスの端部において、主表面1pと介在面1cとの境界部b11,b12、及び介在面1cと端面1tとの境界部b21,b22は、いずれも丸みを帯びた形状となっている。なお、境界部b11,b12および境界部b21,b22の曲率半径は、これらの境界部での応力集中の発生を抑えるために、いずれも30〜200μmの範囲内であることが好ましい。The
Moreover, as shown in FIG. 1B, at the end portion of the cover glass of the embodiment, the boundary portions b11 and b12 between the
(2)実施形態のカバーガラスのガラス基板の製造方法
以下、本実施形態の携帯機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法について説明する。図2は、本実施形態の携帯機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法における各工程を順に示す図である。以下、各工程について説明する。(2) Manufacturing method of glass substrate of cover glass of embodiment Hereinafter, the manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for portable devices of this embodiment is demonstrated. FIG. 2 is a diagram sequentially illustrating each step in the method for manufacturing the glass substrate of the cover glass for portable devices of the present embodiment. Hereinafter, each step will be described.
(2−1)板状ガラス積層工程
板状ガラス積層工程は、例えばダウンドロー法やフロート法により作製された所定のサイズの大判の板状ガラスを、保護材を介在させながら積層することによって板状ガラスの積層体を作製する工程である。(2-1) Sheet glass laminating process The sheet glass laminating process is performed by laminating a large size sheet glass having a predetermined size, for example, produced by a downdraw method or a float method, with a protective material interposed therebetween. It is the process of producing the laminated body of glassy glass.
板状ガラスの間に介在させる保護材は、所定の接着強度があり、また後で剥離させることができる仮着材であることが好ましい。このように、保護材として仮着材を用いることで、積層体を構成する各板状ガラスが分離し難くなるため、積層体の取り扱いが容易となる。そのような仮着材として、例えば紫外線硬化樹脂(UV硬化樹脂)は、所定の波長の紫外線の照射で容易に固化するため接着作業が容易であるという利点がある。紫外線硬化樹脂として、温水、熱もしくは有機溶媒により接着した板状ガラスを容易に剥離させることができるものが好ましい。なお、仮着材としては紫外線硬化樹脂のほか、ワックス、光硬化樹脂、可視光線硬化樹脂等も使用することができる。ワックスは、所定の温度で軟化して液状になり常温で固形状となるので、接着・分離作業が容易である。 The protective material interposed between the glass sheets is preferably a temporary material that has a predetermined adhesive strength and can be peeled later. As described above, by using a temporary attachment material as the protective material, it becomes difficult to separate the glass sheets constituting the laminate, so that the laminate can be handled easily. As such a temporary bonding material, for example, an ultraviolet curable resin (UV curable resin) is easily solidified by irradiation with ultraviolet rays having a predetermined wavelength, and thus has an advantage that the bonding operation is easy. As the ultraviolet curable resin, a resin that can easily peel off the glass sheet bonded with hot water, heat, or an organic solvent is preferable. In addition to the ultraviolet curable resin, a wax, a light curable resin, a visible light curable resin, or the like can be used as the temporary material. Since the wax softens at a predetermined temperature to become a liquid and becomes a solid at room temperature, it is easy to bond and separate.
このような仮着材はロール状で設けられてもよく、大判の板状ガラスの一面全体に仮着材のロールを回転させて仮付けして切断し、次にその仮着材の上に次の板状ガラスを載置させることを繰り返す。板状ガラスの積層枚数は例えば10〜100枚程度である。仮着材がUV硬化樹脂の場合には、板状ガラスの積層体に対して紫外線を照射して仮着材を硬化させる。なお、仮着材の代わりにスペーサを貼付する場合には、樹脂材料、繊維材料、ゴム材料、金属材料、セラミック材料の薄厚のスペーサを使用することができる。 Such a temporary attachment material may be provided in a roll shape, and a temporary attachment roll is temporarily attached to the entire surface of the large-sized plate-like glass by rotating and temporarily cut, and then on the temporary attachment material. Repeat to place the next plate glass. The number of laminated sheet glasses is, for example, about 10 to 100. When the temporary attachment material is a UV curable resin, the temporary attachment material is cured by irradiating the laminated sheet of glass sheets with ultraviolet rays. In addition, when sticking a spacer instead of a temporary attachment material, the thin spacer of a resin material, a fiber material, a rubber material, a metal material, and a ceramic material can be used.
保護材は、後述するエッチング処理工程で使用されるエッチング液に触れることになるため、エッチング液に対しては溶解・除去されない性質(つまり、耐エッチング性)の材料からなる。例えばエッチング液としてフッ化水素酸を主成分とする場合には、保護材はフッ化水素酸に対して難溶性または不溶性の材料からなる。 Since the protective material comes into contact with the etching solution used in the etching process described later, the protective material is made of a material that is not dissolved or removed by the etching solution (that is, etching resistance). For example, when hydrofluoric acid is the main component as the etchant, the protective material is made of a material that is hardly soluble or insoluble in hydrofluoric acid.
また、仮着材の厚さが例えば200μm以上の場合等、厚過ぎる場合には、後の切断工程等でのチッピング(欠け)が問題となる。他方、仮着材の厚さが例えば10μm以下の場合等、薄過ぎる場合には、ガラス基板からの剥離が困難となる場合がある。よって、仮着材の厚さは10〜200μmであることが好ましく、20〜80μmであればさらに好ましい。 In addition, when the thickness of the temporary attachment material is too thick, for example, 200 μm or more, chipping (chips) in a subsequent cutting step or the like becomes a problem. On the other hand, when the thickness of the temporary bonding material is, for example, 10 μm or less, it may be difficult to peel off the glass substrate. Therefore, the thickness of the temporary bonding material is preferably 10 to 200 μm, more preferably 20 to 80 μm.
(2−2)切断工程
次に、大判の板状ガラスが積層された積層体を円板カッター(ダイヤモンドディスク)によって縦横に分割(切断)して、小片のガラス基板の積層体を作製する。この小片のガラス基板の大きさは、最終的に得られるカバーガラスよりも少し大きい程度である。切断工程によって得られた小片のガラス基板の積層体10Aの斜視図を図3に示す。図3に示すように、積層体10Aは、保護材100Aとガラス基板1Aが順に積層された構造となっている。切断工程後の積層体10Aの側面では、保護材100Aとガラス基板1Aの端面が同一平面をなしている。(2-2) Cutting process Next, the laminated body on which large-sized plate-like glass is laminated is divided (cut) horizontally and vertically by a disk cutter (diamond disk) to produce a laminated body of small glass substrates. The size of the glass substrate of this small piece is a little larger than the cover glass finally obtained. FIG. 3 shows a perspective view of a small
(2−3)開口形成工程
次に、ガラス基板の積層体10Aに対して、カバーガラスに設けられるべき開口1hに対応する開口を機械加工により形成する。なお、カバーガラスに開口が不要であれば、開口形成工程も不要である。開口形成工程では、例えばドリル等の機械的加工手段を用いて所望の形状の開口をNC加工により形成する。(2-3) Opening Formation Step Next, an opening corresponding to the
(2−4)形状加工工程
次に形状加工工程を行う。形状加工工程は、ガラス基板の積層体10Aの外形がカバーガラスの外形形状となるように、積層体10Aに対して機械加工を行う工程である。形状加工工程では、例えばグラインダ等を用いてガラス基板の積層体10Aの外縁を研削加工(NC加工)して、所望の外形形状にする。形状加工工程によって得られたガラス基板の積層体10Bの例示的な斜視図を図4に示す。図4に示すように、積層体10Bは、保護材100Bとガラス基板1Bが順に積層された構造となっている。切断工程後の積層体10Bの側面では、保護材100Bとガラス基板1Bの端面が同一平面をなしている。形状加工後のガラス基板の端面は、比較的粗い表面性状の機械加工面となっている。なお、図4に示す積層体10Bでは、開口形成工程で形成された開口10Hの一例が示されている。(2-4) Shape processing step Next, a shape processing step is performed. The shape processing step is a step of machining the
(2−5)エッチング処理工程(端部処理工程)
エッチング処理工程は、積層体10Bを構成する各々のガラス基板1Bの端部に対し、図5に示すエッチング処理装置20を用いてエッチング処理を施す工程である。
エッチング処理装置20について図5を参照して説明する。図5に示すように、エッチング処理装置20では、エッチング液L1によって満たされた液槽3が設けられる。エッチング液L1としては、少なくともフッ化水素酸を含むものであれば特に限定されないが、必要に応じて、硫酸あるいは塩酸等、酸解離定数がフッ化水素酸よりも大きい酸を添加剤として加えてもよい。(2-5) Etching treatment process (edge treatment process)
The etching process is a process in which an etching process is performed using an
The
液槽3内には、ガラス基板の積層体10Bを保持する保持機構や、バブリング機構等の槽内液循環装置や、積層体10Bを揺動するためのアクチュエータ(図示せず)を含む揺動機構5が設けられていることが好ましい。揺動機構5による積層体10Bの好ましい揺動例は、図5に矢印で示すように積層体10Bの積層方向(つまり、ガラス基板の厚さ方向)に、所定の揺動量及び一定時間当たりの所定の揺動回数で積層体10Bを揺動させることである。
The
積層体10Bにおいて、液槽3内のエッチング液に接触するガラス基板の端面からエッチングが進行するが、エッチングの進行に伴い反応生成物として不溶性あるいは難溶性の塩(例えば、M3[AlF6],M3[AlF6]2、M:アルカリ金属、アルカリ土類金属)が生ずる。この不溶性あるいは難溶性の塩は、積層体10Bの揺動、さらにはエッチング処理装置20の液循環システムによってガラス基板の端面から除去されうる。エッチング処理装置20の液循環システムは、液槽3の上部に設けられるオーバーフロー槽4と、配管8と、エッチング液から反応生成物を除去するためのフィルタリング装置6と、循環ポンプ7とから構成されている。In the
この液循環システムでは、液槽3内のエッチング液が液槽3からオーバーフロー槽4に移動し、配管8を通じてフィルタリング装置6に送られる。そして、フィルタリング装置6によってエッチングによる反応生成物が捕捉・除去される。反応生成物が除去されたエッチング液は、循環ポンプ7により液槽3の底面から再び液槽3内に戻される。
ここで、フィルタリング装置6は、反応生成物をエッチング液から選択的に除去するための装置である。また、フィルタリング装置6は、エッチング液から反応生成物を選択的に除去可能な構成、例えば、遠心分離による選択的除去や、沈殿槽による選択的除去等を実現可能な装置構成であることが好ましい。In this liquid circulation system, the etching solution in the
Here, the filtering device 6 is a device for selectively removing the reaction product from the etching solution. The filtering device 6 preferably has a configuration capable of selectively removing reaction products from the etchant, for example, a device configuration capable of realizing selective removal by centrifugation, selective removal by a sedimentation tank, and the like. .
ガラス基板の積層体10Bの揺動機構5、及び液循環システムを採用することによって、積層体10Bのガラス基板の端部にエッチングの反応生成物が堆積し難くなるため、エッチング後のエッチング面に対するスクラブ洗浄等の物理的な処理が不要となる。そのため、本工程では、エッチング後のハンドスクラブ洗浄等の物理的な処理によって生じうるガラス基板の端部に対する機械的損傷の可能性を無くすことができる。
By adopting the
以下、エッチング処理装置20を用いたエッチング処理工程の好ましい態様として、形状加工工程後の積層体10Bに対し、端面及び介在面の鏡面化を行う鏡面化処理工程と、介在面の形成を行う介在面形成工程とを含む2段階の工程を含むエッチング処理工程(2段階のエッチング処理工程)について説明する。この2段階のエッチング処理工程では、鏡面化処理工程と介在面形成工程とが、異なるエッチング処理装置20を用いて連続的に行われる。2段階のエッチングを行うことによって、ガラス基板の介在面の形成と、端部及び介在面の鏡面化とを達成することを目的としている。
Hereinafter, as a preferable aspect of the etching process using the
発明者は、異なるエッチング液の組成に対する介在面形成の度合い(面取り量)と鏡面化の程度(例えば、表面粗さ)とを試行錯誤した結果、介在面形成工程及び鏡面化処理工程では、組成がそれぞれ異なるエッチング液を使用することが好ましいことを見出した。具体的に、介在面形成工程用のエッチング液と鏡面化処理工程用のエッチング液とで、フッ化水素酸と他の酸(添加剤)との混合比を変化させることが好適である。ここで、エッチングによって得られる面取り量とエッチング液中の硫酸添加量との関係の一例を図6に示す。この図6のグラフは、エッチング液総量1kgあたりのフッ化水素酸を10[mol]とし、エッチング液総量1kgあたりの硫酸(H2SO4)の添加量を変化させた際のグラフである。図6から、携帯機器用カバーガラスのガラス基板として求められる面取り量が少なくとも60μm程度であるとすると、添加する硫酸の量は例えば3〜4[mol]以下であるのが好ましいことが分かる。As a result of trial and error of the degree of intervening surface formation (chamfering amount) and the degree of mirroring (for example, surface roughness) with respect to the composition of different etching solutions, the inventor found that the composition in the intervening surface forming step and the mirroring treatment step Have found that it is preferable to use different etching solutions. Specifically, it is preferable to change the mixing ratio of hydrofluoric acid and another acid (additive) between the etching solution for the intervening surface forming step and the etching solution for the mirror finishing process. Here, an example of the relationship between the amount of chamfering obtained by etching and the amount of sulfuric acid added in the etching solution is shown in FIG. The graph of FIG. 6 is a graph when hydrofluoric acid per kg of the etching solution is 10 [mol] and the amount of sulfuric acid (H 2 SO 4 ) added per kg of the etching solution is changed. From FIG. 6, it is understood that the amount of sulfuric acid to be added is preferably 3 to 4 [mol] or less, assuming that the chamfering amount required for the glass substrate of the cover glass for portable devices is at least about 60 μm.
一方、エッチング液に添加する硫酸の量が少なくとも3〜4[mol]以上である場合に、ガラス基板の端部表面が平滑化されて鏡面となることが分かった。つまり、鏡面化処理工程でのエッチング液の添加剤の濃度は、介在面形成工程でのエッチング液の添加剤の濃度よりも高いことが好ましいことが分かった。エッチング液中の添加剤としての酸の濃度が低い場合には、ガラス基板の端部の介在面が良好となり(つまり、介在面の面取り量が多く取れ)、ケミカルエッチングとして機能する。他方、エッチング液中の添加剤としての酸の濃度が高い場合には、ガラス基板の端面が平滑化されて凹凸が殆ど無い良好な端面が得られるケミカルポリッシングとして機能する。 On the other hand, it was found that when the amount of sulfuric acid added to the etching solution is at least 3 to 4 [mol] or more, the end surface of the glass substrate is smoothed to become a mirror surface. In other words, it was found that the concentration of the etching solution additive in the mirror surface treatment step is preferably higher than the concentration of the etching solution additive in the intervening surface forming step. When the concentration of the acid as an additive in the etching solution is low, the interposition surface at the end of the glass substrate becomes good (that is, the chamfering amount of the interposition surface can be increased) and functions as chemical etching. On the other hand, when the concentration of the acid as an additive in the etching solution is high, the end surface of the glass substrate is smoothed and functions as a chemical polishing that provides a good end surface with almost no unevenness.
より具体的には、鏡面化処理工程でのエッチング液におけるフッ化水素酸と添加剤との混合比(mol比)は、エッチング液総量1kg当たり10:3〜10:20の範囲内であることが好ましく、10:4〜10:9の範囲内であることがさらに好ましい。一方、介在面形成工程でのエッチング液におけるフッ化水素酸と添加剤との混合比は、エッチング液における添加剤の濃度が鏡面化処理工程の場合よりも低くすればよい。なお、介在面形成工程でのエッチング液は、フッ化水素酸のみでもよい(つまり、添加剤を加えなくてもよい)。 More specifically, the mixing ratio (mol ratio) of hydrofluoric acid and the additive in the etching solution in the mirror finishing step is in the range of 10: 3 to 10:20 per kg of the etching solution. Is preferable, and it is more preferable to be within the range of 10: 4 to 10: 9. On the other hand, the mixing ratio of the hydrofluoric acid and the additive in the etching solution in the intervening surface forming step may be lower than that in the mirroring treatment step. Note that the etchant in the intervening surface forming step may be only hydrofluoric acid (that is, no additive may be added).
以下、図7を参照して、具体的な2段階のエッチング処理工程の手順の一例を説明する。図7のステップS1〜S4は、鏡面化処理工程におけるガラス基板1Bの端部の表面性状の変化と、介在面形成工程におけるガラス基板1Bの端部形状の変化とを順を追って概念的に示す図である。図7のステップS1は、初期状態の(つまり、形状加工工程後の)積層体10Bを示しており、積層体10Bを構成する保護材100Bとガラス基板1Bの端面は、前工程である形状加工工程における機械加工によって同一面(機械加工面)となっている。
Hereinafter, an example of the procedure of a specific two-stage etching process will be described with reference to FIG. Steps S1 to S4 in FIG. 7 conceptually show the change in the surface property of the end portion of the
先ず、鏡面化処理工程では、添加剤の濃度が上述したものとなるように調製したエッチング液で、エッチング処理装置20の液槽3内を満たし、揺動機構5に積層体10Bをセットして、揺動機構5により所定の揺動量、揺動回数で積層体10Bを一定時間(例えば、3分間)揺動させる。この鏡面化処理工程では、ガラス基板の端面が平滑化されて凹凸が殆ど無い良好な端面を形成するケミカルポリッシングが行われる。その結果、図7のステップS2に示すように、各ガラス基板1Bの端面及び介在面は、マイクロクラックや微小な凹凸が除去されて鏡面となる。
なお、開口形成工程にて開口10Hが形成された場合には、開口内にもエッチング液が充満しているため、鏡面化処理工程によって、積層体10Bを構成する各ガラス基板1Bの開口の内壁面と、その内壁面と主表面の間の介在面とが鏡面となるようにエッチング処理が行われる。First, in the mirror finishing process, the etching solution prepared so that the concentration of the additive becomes the above-described one fills the
In addition, when the
次に、介在面形成工程では、添加剤の濃度が上述したものとなるように調製したエッチング液(つまり、鏡面化処理工程の場合よりも添加剤の濃度が低いエッチング液)で満たされた、鏡面化処理工程で使用されたものとは別の液槽3に、積層体10Bを移し、揺動機構5により所定の揺動量、揺動回数で積層体10Bを一定時間(例えば、3分間)揺動させる。この介在面形成工程では、ガラス基板の端面を研磨し、かつ主表面と端面を介在する介在面を形成するケミカルエッチングが行われる。その結果、図7のステップS3に示すように、積層体10Bを構成する各ガラス基板1Bの端面1tからエッチングが進行する。つまり、保護材100Bは耐エッチング性を有しているために溶解・除去されないが、エッチング液に触れているガラス基板1Bの端面1tは、ステップS2の状態よりも溶解・除去される。エッチングの進行に伴って、例えば、ガラス基板1Bの端面1tは、保護材100Bの端面よりも例えば20〜100μm程度内側まで溶解・除去される。つまり、図7のステップS3に示すように、積層体10Bを構成する各ガラス基板1Bの端面1tの位置が主表面1pの面方向内側へ変化するように、各ガラス基板1Bに設けられた一対の保護材100B同士の間で前記ガラス基板を前記エッチング液に溶解させることによって、一対の保護材100Bに突出部100j(ガラス基板の端面1tを基準として外側に突出した保護材100Bの部分)が形成される。
Next, in the intervening surface forming step, it was filled with an etching solution prepared so that the concentration of the additive was as described above (that is, an etching solution having a lower concentration of additive than in the case of the mirroring treatment step), The
さらに、エッチング処理装置20の揺動作用によって、保護材100Bとガラス基板1Bの界面(図7にBDで示す。)にエッチング液が分子レベルで内側に浸透することで、図7のステップS4に示すように介在面1cが形成される。このとき、実質的に等方性エッチングがなされるため、主表面1pと介在面1cとの境界部、及び介在面1cと端面1tとの境界部は、いずれも丸みを帯びた形状となる(図1Bを参照)。
なお、開口形成工程にて開口10Hが形成された場合には、開口内にもエッチング液が充満しているため、介在面形成工程によって、積層体10Bを構成する各ガラス基板1Bの開口の内壁面と主表面との間に介在面が形成される。Further, by the swinging action of the
In addition, when the
エッチング処理装置20の揺動作用を、概略的に図8に示す。エッチング処理装置20において、積層体10Bに対して上下方向、つまり、ガラス基板の厚さ方向に対して平行に揺動が行われると、保護材100Bの突出部100jが形成されているために、図8に示すように、積層体10Bが下方向に移動するときにはガラス基板の端面1tに向けたエッチング液の流動F1が生じ、積層体10Bが上方向に移動するときにはガラス基板の端面1tに向けたエッチング液の流動F2が生じる。これによって、保護材100Bとガラス基板1Bの界面BD(図7参照)に沿ってエッチング液が分子レベルで内側に浸透し、主表面1pと端面1tに介在する部分を溶解・除去する。その結果、主表面1pと端面1tとの間に介在面1cが形成される。形成される介在面1cの面内方向の幅(面取り量)は、例えば70〜100μm程度である。
なお、エッチング処理装置20において、積層体10Bの揺動方向は上述した方向に限られず、他の揺動方向でもよい。例えば、ガラス基板1Bの主表面と平行な方向に揺動させてもよい。The swinging action of the
In the
なお、積層体10Bの開口10H内で十分にエッチング液を流動させて開口内の介在面を良好に形成させるためには、積層体10Bの積層方向の揺動量を制御することが好ましい。例えば、揺動条件として、エッチング処理工程の対象となるガラス基板と保護材の厚さの和(図5に示す例では、積層体10Bの積層方向の長さ)の2倍以上であり、揺動回数は1〜60回/分であるのが好ましい。また、揺動回数は、エッチング液の循環効果をより高めるために10〜30回/分であるのがより好ましい。
Note that it is preferable to control the amount of oscillation of the
なお、エッチング処理装置20において、積層体10Bの揺動方向は上述した方向に限られず、他の揺動方向でもよい。例えば、ガラス基板1Bの主表面と平行な方向(つまり、前後左右の方向)に揺動させてもよい。ガラス基板あるいはその積層体に対してエッチング液を相対的に移動させればよく、その揺動方向は問わない。ガラス基板に対してエッチング液を相対的に移動させることで、端面に向けたエッチング液の流動が生ずるため、それによって保護材とガラス基板の界面にエッチング液が浸透し、介在面が形成される。
In the
なお、本実施形態の製造方法は、上述した2段階のエッチング処理工程に限られない。例えば、形状加工工程後の積層体10Bに対して予めブラシ研磨による機械加工を施すこと(図示せず;例えば、上記引用文献1を参照)、又は総型砥石による機械研削加工等によって既に介在面が形成されている積層体10Bがエッチング処理対象となる場合には、エッチングによって介在面を形成する必要がない。その場合には、上記エッチング処理工程は、端面及び介在面の鏡面化のみを目的としてもよく、上述した鏡面化処理工程と同様に、エッチング液におけるフッ化水素酸と添加剤(酸解離定数がフッ化水素酸よりも大きい酸)との混合比(mol比)は、エッチング液総量1kg当たり10:3〜10:20の範囲内であることが好ましく、10:4〜1:12の範囲内であることがさらに好ましい。なお、鏡面化処理工程の揺動条件も介在面形成工程の揺動条件と同様である。
Note that the manufacturing method of the present embodiment is not limited to the two-stage etching process described above. For example, the intervening surface has already been subjected to mechanical processing by brush polishing on the
また、上記エッチング処理工程では、鏡面化処理工程と介在面形成工程とをその順に行う場合について説明したが、鏡面化処理工程と介在面形成工程との順番を入れ替えてもよい。つまり、介在面形成工程を先に行い、その後に鏡面化処理工程を行ってもよい。
ここで、上記エッチング処理工程(鏡面化処理工程又は介在面形成工程)では、開口の内壁部に存在しうるダメージ層を起因とする化学強化工程でのガラス基板の破損を抑えるように、エッチング処理の取しろが予め決められている。このエッチング工程での開口の内壁部の取しろ(溶解量)は、ガラス基板1Bの端面1tの場合と同様に、20〜200μmとしても良い。また、より確実にダメージ層を除去するために50μm以上とし、生産効率を高めるために100μm以下とすることが好ましい。Moreover, in the said etching process process, although the case where a mirror-finishing process process and an interposition surface formation process were performed in that order was demonstrated, you may replace the order of a mirror-finishing process process and an interposition surface formation process. That is, the intervening surface forming step may be performed first, followed by the mirroring process step.
Here, in the etching process (mirror finishing process or intervening surface forming process), the etching process is performed so as to suppress the breakage of the glass substrate in the chemical strengthening process caused by the damaged layer that may exist on the inner wall portion of the opening. The takeover of is decided beforehand. The margin (dissolution amount) of the inner wall portion of the opening in this etching step may be 20 to 200 μm as in the case of the
(2−6)剥離工程
剥離工程は、ガラス基板の積層体10Bを1枚ずつ剥離し、積層体10Bから個々のガラス基板を分離する工程である。剥離工程における剥離方法は保護材の特性に依存するが、例えば、紫外線硬化樹脂からなる保護材(仮着材)の中には、温水(摂氏80〜90度)の環境下で剥離するタイプの保護材が存在する。そのような場合には、積層体10Bを温水を含む容器内に浸漬させることで、積層体10Bを1枚ごとのガラス基板に剥離(分離)することができる。(2-6) Peeling Step The peeling step is a step of peeling the glass substrate laminates 10B one by one and separating the individual glass substrates from the laminate 10B. The peeling method in the peeling process depends on the characteristics of the protective material. For example, in the protective material (temporary bonding material) made of an ultraviolet curable resin, the peeling method is performed in an environment of warm water (80 to 90 degrees Celsius). There is a protective material. In such a case, the
(2−7)化学強化工程
次に、化学強化工程を行う。
化学強化工程では、ガラス基板を複数枚、カセット(ホルダー)に装填し、溶融塩を含む化学強化処理液にカセットを浸漬させる。これにより、ガラス基板に含まれる1種以上のアルカリ金属を、溶融塩のアルカリ金属との間でイオン交換処理を行い、ガラス基板の表層部分に圧縮応力層を形成する。(2-7) Chemical strengthening process Next, a chemical strengthening process is performed.
In the chemical strengthening step, a plurality of glass substrates are loaded into a cassette (holder), and the cassette is immersed in a chemical strengthening treatment liquid containing a molten salt. Thereby, one or more kinds of alkali metals contained in the glass substrate are subjected to an ion exchange treatment with the alkali metal of the molten salt to form a compressive stress layer on the surface layer portion of the glass substrate.
溶融塩の組成および温度、ならびに、浸漬時間は、ガラス基板のガラス組成や、ガラス基板の表層部分に形成する圧縮応力層の厚み等に応じて適宜選択できるが、ガラス基板のガラス組成が上述したアルミノシリケートガラスやソーダライムガラスであれば、化学強化処理液の処理温度を通常500℃以下とする低温型イオン交換法を利用することが好ましい。これは、イオン交換をガラスの徐冷点以上の温度域で行う高温型イオン交換法では、低温型イオン交換法ほど大きな機械的強度が得られず、また、強化処理中に溶融塩によってガラス表面が浸食され透明性が損なわれやすいため、携帯機器用カバーガラスに適したガラス基板が得られにくいことによる。例えば、本実施形態の化学強化工程では、溶融塩の組成および温度、ならびに、浸漬時間は、下記に例示する範囲から選択することが好ましい。
・溶融塩の組成 :硝酸カリウム、または、硝酸カリウムと硝酸ナトリウムとの混塩
・溶融塩の温度 :320℃〜470℃
・浸漬時間 :3分〜600分The composition and temperature of the molten salt, and the immersion time can be appropriately selected according to the glass composition of the glass substrate, the thickness of the compressive stress layer formed on the surface layer portion of the glass substrate, etc., but the glass composition of the glass substrate has been described above. In the case of an aluminosilicate glass or soda lime glass, it is preferable to use a low-temperature ion exchange method in which the treatment temperature of the chemical strengthening treatment liquid is usually 500 ° C. or lower. This is because the high-temperature ion exchange method in which ion exchange is performed in the temperature range above the annealing point of the glass does not provide a mechanical strength as high as that of the low-temperature ion exchange method. This is because it is difficult to obtain a glass substrate that is suitable for a cover glass for portable devices because of the erosion of the glass and its transparency. For example, in the chemical strengthening step of the present embodiment, the composition and temperature of the molten salt and the immersion time are preferably selected from the ranges exemplified below.
-Composition of molten salt: Potassium nitrate or a mixed salt of potassium nitrate and sodium nitrate-Temperature of molten salt: 320 ° C to 470 ° C
・ Immersion time: 3 minutes to 600 minutes
(2−8)最終洗浄工程
最終洗浄工程では、例えば、化学強化後のガラス基板を複数枚パレットに載せた状態で行われる酸洗浄、アルカリ洗浄、純水によるリンス洗浄、IPA(イソプロピルアルコール)による洗浄の少なくともいずれかを含む。(2-8) Final cleaning step In the final cleaning step, for example, acid cleaning, alkali cleaning, rinsing with pure water, or IPA (isopropyl alcohol) performed in a state where a plurality of chemically strengthened glass substrates are placed on a pallet. Including at least one of washing.
以下に、本発明を実施例によりさらに説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。 In the following, the present invention is further illustrated by examples. However, this invention is not limited to the aspect shown in the Example.
ケイ素、アルミニウム、及びナトリウムのそれぞれの酸化物を最低限含み、特に酸化ケイ素の含有が多く、酸化アルミニウムの含有量が相対的に少ないガラスを含むアルミノシリケートガラスをダウンドロー法により、板厚0.5mmの板状ガラスに成形した。このダウンドロー法により形成された板状ガラスの主表面の表面粗さ(算術平均粗さRa)を、原子間力顕微鏡により調べたところ10nmであった。 An aluminosilicate glass including a glass containing at least silicon, aluminum, and sodium oxides, and particularly containing a large amount of silicon oxide and a relatively small amount of aluminum oxide is formed by a downdraw method to obtain a thickness of 0. Molded into 5 mm plate glass. The surface roughness (arithmetic mean roughness Ra) of the main surface of the sheet glass formed by the downdraw method was 10 nm when examined by an atomic force microscope.
上記板状ガラスを370mm×470mmのサイズの矩形のガラス基板に切り出し、切り出したガラス基板を、その表面に仮着材としての紫外線硬化樹脂材を均一に貼り付けた上で積層して積層体を作製した。さらに積層体に可視光線を照射させて樹脂材を硬化させ、積層されたガラス基板が分離しないようにした。
[実施例1〜5及び比較例1,2の積層体]
・ガラス基板の積層枚数:20枚
・仮着材:紫外線硬化樹脂材
・仮着材の厚さ:約20μmThe plate-like glass is cut into a rectangular glass substrate having a size of 370 mm × 470 mm, and the cut glass substrate is laminated with an ultraviolet curable resin material as a temporary attachment material uniformly attached to the surface thereof to form a laminate. Produced. Furthermore, the laminated body was irradiated with visible light to cure the resin material so that the laminated glass substrates were not separated.
[Laminated bodies of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2]
-Number of laminated glass substrates: 20-Temporary material: UV curable resin material-Temporary material thickness: about 20 μm
実施例及び比較例の積層体を作製後、図5に示したエッチング処理装置を用い、積層体を構成する各ガラス基板の端部に対して鏡面化処理工程と介在面形成工程を順に行う2段階のエッチング処理を行った。鏡面化処理工程と介在面形成工程とでは異なるエッチング処理装置を用いた。エッチング処理条件は以下のとおりとした。なお、各工程でのエッチング液におけるフッ化水素酸(HF)と、添加剤としての硫酸(H2SO4)の混合比は表1に示したとおりである。
[鏡面化処理工程のエッチング処理条件]
・エッチング液の温度:40℃
・循環される流量:20L/分
・揺動時間:3分
・揺動量:120mm(p-p)
・揺動回数:30回/分
[介在面形成工程のエッチング処理条件]
・エッチング液の温度:35℃
・循環される流量:10L/分
・揺動時間:5分
・揺動量:20mm(p-p)
・揺動回数:25回/分After producing the laminates of the examples and comparative examples, the mirror treatment process and the intervening plane forming process are sequentially performed on the end portions of the glass substrates constituting the laminate using the etching processing apparatus shown in FIG. A staged etching process was performed. Different etching processing apparatuses were used in the mirror finishing process and the intervening surface forming process. Etching conditions were as follows. The mixing ratio of hydrofluoric acid (HF) in the etching solution and sulfuric acid (H 2 SO 4 ) as an additive in each step is as shown in Table 1.
[Etching conditions for mirror finishing process]
Etching solution temperature: 40 ° C
・ Circulated flow rate: 20 L / min ・ Oscillation time: 3 minutes ・ Oscillation amount: 120 mm (pp)
・ Oscillation frequency: 30 times / min [Etching condition of the intervening surface forming step]
-Etching solution temperature: 35 ° C
・ Circulating flow rate: 10 L / min ・ Oscillation time: 5 minutes ・ Oscillation amount: 20 mm (pp)
・ Oscillation frequency: 25 times / minute
次に、積層体をエッチング処理装置から取り出し、温水(摂氏80〜90度)に浸漬させて複数のガラス基板に分離した。このとき、各ガラス基板の表面に異常は見られなかった。得られたガラス基板について、介在面の面取り量と、端面及び介在面の表面粗さとを測定して評価した。介在面の面取り量と端面及び介在面の表面粗さの測定方法及び評価基準は、以下の通りとした。
ガラス基板の端部を光学顕微鏡により200倍に拡大して、介在面の面取り量を測定し、70〜100μmの場合に「○」、50〜70μmの場合に「△」、50μm以下の場合に「×」と評価した。なお、「○」又は「△」が合格である。Next, the laminated body was taken out from the etching processing apparatus, immersed in warm water (80 to 90 degrees Celsius), and separated into a plurality of glass substrates. At this time, no abnormality was found on the surface of each glass substrate. About the obtained glass substrate, the chamfering amount of the interposition surface and the surface roughness of the end surface and the interposition surface were measured and evaluated. The measuring method and evaluation criteria of the chamfering amount of the intervening surface, the end surface, and the surface roughness of the interposing surface were as follows.
The edge of the glass substrate is magnified 200 times with an optical microscope, and the amount of chamfering of the intervening surface is measured. When the thickness is 70-100 μm, “◯”, when 50-70 μm, “Δ”, when 50 μm or less Evaluated as “x”. “◯” or “Δ” is acceptable.
また、端面及び介在面の表面粗さは、JIS B0601:2001により規定される算術平均粗さRaで表され、例えば、キーエンス製レーザ顕微鏡(VK−9700)で測定し、JIS B0633:2001で規定される方法で算出した。このとき、端面及び介在面の各々において、互いに直交する2方向についての算術平均粗さRaを算出した。その結果、2方向ともに0.05μm以下である場合に「○」、2方向ともに0.1μm以下である場合に「△」、少なくとも1方向で0.2μmより大きい場合に「×」と評価した。なお、「○」又は「△」が合格である。 Further, the surface roughness of the end surface and the intervening surface is represented by an arithmetic average roughness Ra defined by JIS B0601: 2001, for example, measured by a Keyence laser microscope (VK-9700), and defined by JIS B0633: 2001. Calculated by the method. At this time, the arithmetic average roughness Ra was calculated in two directions orthogonal to each other on each of the end face and the intervening face. As a result, “◯” was evaluated when 0.05 μm or less in both directions, “Δ” when 0.1 μm or less in both directions, and “X” when larger than 0.2 μm in at least one direction. . “◯” or “Δ” is acceptable.
(※1)HFとH2SO4の混合比は、エッチング液総量1kg当たりの物質量(mol)の比である。
(* 1) The mixing ratio of HF and H 2 SO 4 is the ratio of the amount of substance (mol) per 1 kg of the total amount of the etching solution.
表1に示す評価結果から、鏡面化処理工程でのエッチング液のH2SO4の濃度が介在面形成工程でのエッチング液のH2SO4の濃度よりも高い場合(実施例1〜5)に、介在面の面取り量と、端面及び介在面の表面粗さとの両方が良好になったことが分かる。特に、HFとH2SO4の混合比が10:4〜10:20の範囲内である場合に特に良好であった。実施例1〜5の場合のガラス基板について、端面及び介在面をレーザ顕微鏡により200倍に拡大して観察したところ、マイクロクラックや微小な凹凸が認められず、極めて平滑であり鏡面といえる表面性状であった。一方、比較例では、いずれかの工程でH2SO4の濃度が適切ではなく、介在面の面取り量、あるいは端面及び介在面の表面粗さが良好にならなかった。From the evaluation results shown in Table 1, when the concentration of H 2 SO 4 in the etching solution in the mirror finishing process is higher than the concentration of H 2 SO 4 in the etching surface formation step (Examples 1 to 5) In addition, it can be seen that both the chamfering amount of the intervening surface and the surface roughness of the end surface and the interposing surface are improved. In particular, it was particularly favorable when the mixing ratio of HF and H 2 SO 4 was in the range of 10: 4 to 10:20. About the glass substrate in the case of Examples 1-5, when the end surface and the intervening surface were magnified 200 times with a laser microscope and observed, microcracks and minute irregularities were not observed, and the surface property that can be said to be extremely smooth and mirror surface. Met. On the other hand, in the comparative example, the concentration of H 2 SO 4 was not appropriate in any step, and the chamfered amount of the intervening surface, or the surface roughness of the end surface and the interposing surface did not become good.
さらに、比較例1と実施例1〜5のガラス基板について、に準じた4点曲げ試験法により破壊荷重を測定して、ガラス基板の4点曲げ強度を算出した。なお、評価サンプルの外形サイズは100.4mm×47.4mmである。その結果、比較例1の場合には破壊荷重は約500MPaであり、実施例1〜5の場合には破壊荷重はいずれも600MPaを上回っていた。つまり、ガラス基板の端面及び介在面が鏡面となっている場合には、非鏡面の場合と比較して、機械的強度が向上したことが確認された。 Furthermore, about the glass substrate of the comparative example 1 and Examples 1-5, the fracture | rupture load was measured with the 4-point bending test method according to, and the 4-point bending strength of the glass substrate was computed. The external size of the evaluation sample is 100.4 mm × 47.4 mm. As a result, in the case of Comparative Example 1, the breaking load was about 500 MPa, and in each of Examples 1 to 5, the breaking load exceeded 600 MPa. That is, it was confirmed that the mechanical strength was improved when the end surface and the intervening surface of the glass substrate were mirror surfaces as compared to the non-mirror surface.
[比較例3及び実施例6,7]
次に、実施例1の製造条件を変更して、開口付のガラス基板を作成した。具体的に、実施例1と同様にガラス基板の積層体を作成し、特開2009−256125号公報に記載された方法により、ガラス基板の積層体の端部をブラシと遊離砥粒とを用いて研磨した。そして、積層体におけるガラス基板の端部に一対の介在面を形成し、積層体を分離して化学強化を施し、比較例3のガラス基板を得た。また、比較例3の製造過程において、端部の研磨を行う前に、切り出した積層体の長手方向の一端から30mm間隔をおいて1.3mm×10.0mmの平面視長孔状の開口を機械的加工手段により形成し、ブラシ及び遊離砥粒を用いて端部と、開口の内壁部とについて研磨し、積層体を分離して、分離後のガラス基板に化学強化を施した。このように、比較例3のガラス基板として、開口なしのガラス基板と、開口付きのガラス基板とを得た。[Comparative Example 3 and Examples 6 and 7]
Next, the manufacturing conditions of Example 1 were changed to create a glass substrate with an opening. Specifically, a glass substrate laminate was prepared in the same manner as in Example 1, and the edge of the glass substrate laminate was used with a brush and loose abrasive grains by the method described in JP-A-2009-256125. And polished. And a pair of interposition surface was formed in the edge part of the glass substrate in a laminated body, the laminated body was isolate | separated, and chemical strengthening was given, and the glass substrate of the comparative example 3 was obtained. In addition, in the manufacturing process of Comparative Example 3, before polishing the end portion, an opening having a long hole shape in plan view of 1.3 mm × 10.0 mm was formed at an interval of 30 mm from one end in the longitudinal direction of the cut laminate. It formed with the mechanical processing means, it grind | polished about the edge part and the inner wall part of opening using the brush and the loose abrasive grain, the laminated body was isolate | separated, and the glass substrate after isolation | separation was chemically strengthened. Thus, the glass substrate without an opening and the glass substrate with an opening were obtained as a glass substrate of the comparative example 3.
また、比較例3の製造工程を一部変更し、積層体の端部をブラシと遊離砥粒とを用いて研磨した後に、積層体の端部に、実施例3の鏡面化処理と同じ条件にてエッチングによる鏡面化処理を施した。そして、積層体を分離して、分離後のガラス基板に化学強化を施し、実施例6のガラス基板を得た。また、実施例6のガラス基板の製造過程においても、積層状態で1.3mm×10.0mmの平面視長孔状の開口を形成して、開口の内壁部を鏡面化処理(エッチング処理)し、開口付きの実施例6のガラス基板を得た。 Moreover, after changing the manufacturing process of the comparative example 3 in part and polishing the edge part of a laminated body using a brush and a loose abrasive grain, the same conditions as the mirror-finishing process of Example 3 are applied to the edge part of a laminated body. The mirror surface treatment was performed by etching. And the laminated body was isolate | separated and the glass substrate after isolation | separation was chemically strengthened and the glass substrate of Example 6 was obtained. In addition, in the manufacturing process of the glass substrate of Example 6, a 1.3 mm × 10.0 mm long hole in plan view was formed in a laminated state, and the inner wall of the opening was mirror-finished (etched). A glass substrate of Example 6 with an opening was obtained.
さらに、実施例3と同様の製造条件により、実施例7のガラス基板を得た。また、実施例7のガラス基板の製造過程においても、積層状態で1.3mm×10.0mmの平面視長孔状の開口を形成して、開口の内壁部を鏡面化処理(エッチング処理)し、開口付きの実施例7のガラス基板を得た。
そして、実施例6,7及び比較例3のガラス基板に対して、JIS−R1601に準じた4点曲げ試験法により破壊荷重を測定して、ガラス基板の4点曲げ強度を求めた。この結果を次の表2に示す。なお、サンプル数は、各100枚であり、表2には、4点曲げ試験により得られた値の範囲を示す。Further, a glass substrate of Example 7 was obtained under the same production conditions as in Example 3. Also, in the process of manufacturing the glass substrate of Example 7, a 1.3 mm × 10.0 mm long hole in plan view was formed in a laminated state, and the inner wall of the opening was mirror-finished (etched). A glass substrate of Example 7 with an opening was obtained.
And the breaking load was measured with respect to the glass substrate of Example 6, 7 and the comparative example 3 by the 4-point bending test method according to JIS-R1601, and the 4-point bending strength of the glass substrate was calculated | required. The results are shown in Table 2 below. The number of samples is 100, and Table 2 shows the range of values obtained by the four-point bending test.
表2の実施例6及び比較例3に示すように、ブラシ研磨によりガラス基板の端部に一対の介在面を形成した場合であっても、その後にエッチング処理による鏡面化処理を行うことによって、ガラス基板の機械的強度の向上を図れることが確認された。また、開口付きの場合にはより顕著に強度の向上を図れることが確認された。さらに、実施例6及び実施例7に示すように、ブラシ研磨に代えて、予め鏡面化処理工程を施した後にエッチング処理による介在面形成を行う場合が最も機械的強度の向上を図ることができることが確認された。 As shown in Example 6 and Comparative Example 3 in Table 2, even when a pair of intervening surfaces are formed at the end of the glass substrate by brush polishing, by performing a mirroring process by etching process thereafter, It was confirmed that the mechanical strength of the glass substrate could be improved. In addition, it was confirmed that the strength can be improved more remarkably in the case with an opening. Furthermore, as shown in Example 6 and Example 7, in place of brush polishing, the mechanical strength can be improved most when the interpolated surface is formed by the etching process after the mirroring process is performed in advance. Was confirmed.
[比較例4,5及び実施例8]
次に、1枚のガラス基板単位で各工程を行う方式である枚葉方式にて、総型砥石を用いた研削加工によりガラス基板の端部に一対の介在面を形成した。その後、研削加工後のガラス基板に対して化学強化を施し、比較例4のガラス基板を得た。また、比較例4の製造過程において、ブラシと遊離砥粒とを用いてガラス基板の端部を研磨した後に、化学処理を施し、比較例5のガラス基板を得た。これらの比較例4,5のガラス基板の製造過程でそれぞれ機械的加工手段を用いて、1.3mm×10.0mmの平面視長孔状の開口を形成して、化学強化を施し、開口付きの比較例4,5のガラス基板を得た。[Comparative Examples 4 and 5 and Example 8]
Next, a pair of intervening surfaces was formed at the end portion of the glass substrate by a single-wafer method, which is a method of performing each process in units of one glass substrate, by grinding using a general-purpose grindstone. Thereafter, chemical strengthening was performed on the glass substrate after grinding, and a glass substrate of Comparative Example 4 was obtained. Moreover, in the manufacturing process of the comparative example 4, after grind | polishing the edge part of a glass substrate using a brush and a loose abrasive grain, the chemical treatment was given and the glass substrate of the comparative example 5 was obtained. In the manufacturing process of the glass substrates of Comparative Examples 4 and 5, respectively, using mechanical processing means, a 1.3 mm × 10.0 mm long hole in plan view was formed, chemically strengthened, and with an opening The glass substrates of Comparative Examples 4 and 5 were obtained.
また、比較例4のガラス基板の製造工程を一部変更し、総型砥石を用いた研削加工をした後に、ガラス基板の端部に、実施例3の鏡面化処理と同じ条件でエッチングによる鏡面化処理を施した。そして、ガラス基板に化学強化を施し、実施例8のガラス基板を得た。さらに、実施例8のガラス基板の製造過程において、1.3mm×10.0mmの平面視長孔状の開口を形成して、開口内部を鏡面化処理(エッチング処理)し、開口付きの実施例8のガラス基板を得た。 Moreover, after partially changing the manufacturing process of the glass substrate of Comparative Example 4 and performing grinding using a general-purpose grindstone, a mirror surface by etching under the same conditions as the mirroring treatment of Example 3 is applied to the end of the glass substrate. Was applied. And the glass substrate of Example 8 was obtained by chemically strengthening the glass substrate. Further, in the manufacturing process of the glass substrate of Example 8, an opening having a long hole shape in plan view of 1.3 mm × 10.0 mm was formed, and the inside of the opening was mirror-finished (etching process) to provide an example with an opening. 8 glass substrates were obtained.
そして、これらのサンプルについて、JIS−R1601に準じた4点曲げ試験法により破壊荷重を測定して、ガラス基板の4点曲げ強度を求めた。この結果を次の表3に示す。なお、サンプル数は、各100枚であり、表3には、4点曲げ試験により得られた値の範囲を示す。 And about these samples, the fracture load was measured by the 4-point bending test method according to JIS-R1601, and the 4-point bending strength of the glass substrate was calculated | required. The results are shown in Table 3 below. The number of samples is 100, and Table 3 shows the range of values obtained by the four-point bending test.
表3の実施例8及び比較例4,5に示すように、枚葉方式によりガラス基板の端部に介在面を形成する場合であっても、その後にエッチング処理による鏡面化処理を行うことによって、ガラス基板の機械的強度の向上を図れることが確認された。また、比較例5のようにブラシ研磨方式では、開口の内壁部を十分に研磨できず、開口の内壁部に存在するダメージ層を除去できないことが確認された。 As shown in Example 8 and Comparative Examples 4 and 5 in Table 3, even when an intervening surface is formed at the end of the glass substrate by a single wafer method, by performing a mirroring process by an etching process thereafter It was confirmed that the mechanical strength of the glass substrate could be improved. Further, it was confirmed that the brush polishing method as in Comparative Example 5 could not sufficiently polish the inner wall portion of the opening, and the damaged layer present on the inner wall portion of the opening could not be removed.
ここで、実施例8の方式で作成したガラス基板(開口付き)では、化学強化工程における歩留まりが約98%であった。これに対して、比較例5の方式で作成したガラス基板(開口付き)では、化学強化工程における歩留まりが約40%であった。具体的に、比較例2の方法で作成したガラス基板では、化学強化工程の際にスリット周辺の欠けやひび割れが生じたことが確認された。これは、化学強化の際のガラス基板の熱膨張や、化学強化の際のイオン交換に伴う応力変化によって、ドリルなどの機械加工による開口形成の際に開口の内壁部のダメージ層のマイクロクラックが進展したためである。なお、開口の内壁部のみならず、ガラス基板の外周においてもダメージ層をエッチング処理で除去しない場合には、ダメージ層の影響によって化学強化工程での歩留まりが大幅に低下することが確認された。 Here, in the glass substrate (with an opening) created by the method of Example 8, the yield in the chemical strengthening process was about 98%. On the other hand, in the glass substrate (with an opening) created by the method of Comparative Example 5, the yield in the chemical strengthening process was about 40%. Specifically, in the glass substrate prepared by the method of Comparative Example 2, it was confirmed that chipping and cracking around the slit occurred during the chemical strengthening process. This is due to the thermal expansion of the glass substrate during chemical strengthening and the change in stress associated with ion exchange during chemical strengthening, which causes microcracks in the damage layer on the inner wall of the opening when the opening is formed by machining such as a drill. This is because of progress. In addition, it was confirmed that the yield in the chemical strengthening process is significantly reduced by the influence of the damaged layer when the damaged layer is not removed not only on the inner wall portion of the opening but also on the outer periphery of the glass substrate.
従って、機械加工方式で外形加工及び開口形成の少なくともいずれか一方を行う場合、機械加工に伴うダメージ層をエッチング処理によって除去する必要があり、機械加工に伴うダメージ層をエッチング処理で除去することによって、機械的強度のみならず、歩留まりを向上させることができる。 Therefore, in the case of performing at least one of outer shape processing and opening formation by a machining method, it is necessary to remove a damaged layer due to machining by an etching process, and by removing a damaged layer due to machining by an etching process. Not only the mechanical strength but also the yield can be improved.
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更してもよい。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail, the manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for electronic devices of this invention is not limited to the said embodiment, In the range which does not deviate from the main point of this invention, it is various improvement. Or you can change it.
例えば、上述した実施形態では、複数のガラス基板の積層体を対象として、開口形成工程、形状加工工程、及びエッチング処理工程を行う例について説明した。しかしながら、本発明の加工方式は、このような積層方式に限るものではなく、1枚のガラス基板単位で各工程を行う方式(枚葉方式)でもよい。また、開口形成工程及び形状加工工程の少なくとも一方を枚葉方式で行った後、ガラス基板を積層して、積層体をエッチング処理してもよい。 For example, in the above-described embodiment, the example in which the opening forming process, the shape processing process, and the etching process process are performed on a stacked body of a plurality of glass substrates has been described. However, the processing method of the present invention is not limited to such a lamination method, and may be a method (single wafer method) in which each process is performed in units of one glass substrate. Moreover, after performing at least one of an opening formation process and a shape processing process by a single wafer system, a glass substrate may be laminated | stacked and a laminated body may be etched.
また、上述した実施形態では、本発明を携帯機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法に適用した例について説明した。しかしながら、本発明は、タッチセンサにおける内部基板のカバー部材として用いられるタッチセンサ用カバーガラスのガラス基板の製造方法に適用してもよい。 Moreover, in embodiment mentioned above, the example which applied this invention to the manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for portable devices was demonstrated. However, you may apply this invention to the manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for touch sensors used as a cover member of the internal substrate in a touch sensor.
Claims (13)
前記ガラス基板の前記一対の主表面と前記端面との間に前記一対の介在面を形成する介在面形成工程と、
前記ガラス基板に対して、前記端部の表面が鏡面となるようにエッチング処理を行う鏡面化処理工程と、
を含むことを特徴とする電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法。A pair of main surfaces, an end surface disposed along a direction orthogonal to the pair of main surfaces, and an end portion including a pair of interposition surfaces disposed between the pair of main surfaces and the end surfaces; A method for producing a glass substrate of a cover glass for electronic equipment having:
An intervening surface forming step of forming the pair of interposing surfaces between the pair of main surfaces and the end surface of the glass substrate;
A mirroring process step for performing an etching process on the glass substrate so that the surface of the end part becomes a mirror surface;
The manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for electronic devices characterized by including.
前記鏡面化処理工程では、前記機械的加工手段を用いた処理により前記端部に生じうるダメージ層が除去されるようにエッチング処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法。The interposed surface forming step is a process using a mechanical processing means,
2. The electronic device cover according to claim 1, wherein in the mirroring process, an etching process is performed so that a damage layer that may be generated at the end portion is removed by the process using the mechanical processing unit. Manufacturing method of glass substrate of glass.
前記介在面形成工程及び前記鏡面化処理工程では、組成がそれぞれ異なるエッチング液が用いられる
ことを特徴とする請求項1に記載の電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法。The interposition surface forming step is an etching process,
The manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for electronic devices of Claim 1 using the etching liquid from which a composition each differs in the said interposition surface formation process and the said mirror-finishing process process.
前記鏡面化処理工程では、フッ化水素酸に対し、フッ化水素酸よりも酸解離定数が大きい酸を添加剤として加えたエッチング液が用いられ、
前記鏡面化処理工程でのエッチング液の添加剤の濃度は、前記介在面形成工程でのエッチング液の添加剤の濃度よりも高い
ことを特徴とする請求項3に記載の電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法。In the intervening surface forming step, an etchant in which an acid having an acid dissociation constant larger than hydrofluoric acid is added as an additive to hydrofluoric acid or hydrofluoric acid is used.
In the mirror surface treatment step, an etching solution in which an acid having an acid dissociation constant larger than that of hydrofluoric acid is added as an additive to hydrofluoric acid is used.
4. The cover glass for an electronic device according to claim 3, wherein the concentration of the additive of the etching solution in the mirror finishing process is higher than the concentration of the additive of the etching solution in the interposition surface forming step. A method for producing a glass substrate.
ことを特徴とする請求項4に記載の電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法。The mixing ratio of the substance amounts of hydrofluoric acid and the additive in the etching solution in the mirror finishing step is in the range of 10: 3 to 10:20 per 1 kg of the total amount of the etching solution. Item 5. A method for producing a glass substrate of a cover glass for electronic equipment according to Item 4.
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラスのガラ
ス基板の製造方法。6. The glass mirror substrate according to claim 1, wherein the glass substrate is immersed in an etching solution and the glass substrate is swung in parallel with a thickness direction of the glass substrate in the mirror finishing process. The manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for electronic devices as described in a term.
をさらに含み、
前記鏡面化処理工程では、前記機械的加工手段を用いた開口形成工程により前記開口の内壁部に生じうるダメージ層が除去されるようにエッチング処理を行う
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法。An opening forming step for forming an opening penetrating in the thickness direction of the glass substrate in the glass substrate using a mechanical processing means, which is performed before the mirror-finishing step;
Further including
7. The etching process is performed so that a damage layer that may be generated on an inner wall portion of the opening is removed by the opening forming process using the mechanical processing means in the mirror finishing process. The manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for electronic devices of any one.
をさらに含み、
前記エッチング処理工程では、前記開口の内壁部に存在しうるダメージ層を起因とする前記化学強化工程での前記ガラス基板の破損を抑えるように、エッチングの取しろが予め決められている
ことを特徴とする請求項7に記載の電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法。A chemical strengthening step that is performed after the etching treatment step and performs chemical strengthening by ion exchange;
In the etching treatment step, an etching allowance is determined in advance so as to suppress breakage of the glass substrate in the chemical strengthening step due to a damaged layer that may be present on the inner wall portion of the opening. The manufacturing method of the glass substrate of the cover glass for electronic devices of Claim 7.
ことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法。The cover for electronic equipment according to any one of claims 1 to 8, wherein the etching process is performed in a state where a plurality of the glass substrates are laminated via a protective material having etching resistance. Manufacturing method of glass substrate of glass.
前記介在面及び前記端面が鏡面である
ことを特徴とする電子機器用カバーガラスのガラス基板。A pair of main surfaces, an end surface disposed along a direction orthogonal to the pair of main surfaces, and an end portion including a pair of interposition surfaces disposed between the pair of main surfaces and the end surfaces; , A glass substrate for a cover glass for electronic equipment,
The glass substrate of the cover glass for electronic devices, wherein the interposition surface and the end surface are mirror surfaces.
ことを特徴とする請求項10に記載の電子機器用カバーガラスのガラス基板。The glass substrate of the cover glass for an electronic device according to claim 10, wherein an isotropic surface roughness Ra in two directions orthogonal to each other of the end face is 1 µm or less.
前記開口の内壁部の表面である内壁面と前記一対の主表面との間に介在面が形成されており、当該介在面及び前記内壁面が鏡面である
ことを特徴とする請求項10又は11に記載の電子機器用カバーガラスのガラス基板。An opening is formed in the glass substrate,
The interposition surface is formed between the inner wall surface which is the surface of the inner wall part of the said opening, and said pair of main surfaces, The said interposition surface and the said inner wall surface are mirror surfaces. The glass substrate of the cover glass for electronic devices as described in 2.
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