JPWO2013128509A1 - 直流電源回路 - Google Patents

Abstract

直流電源回路１では、スイッチング素子Ｑ１がオンすると、整流回路２の高電位側の出力端からインダクタＬ２、スイッチング素子Ｑ１の順に経由して整流回路２の低電位側の出力端に至る第１電流経路が形成されるとともに、コンデンサＣ２の他端から負荷１１、インダクタＬ１、スイッチング素子Ｑ１の順に経由してコンデンサＣ２の一端に至る第２電流経路が形成され、スイッチング素子Ｑ１がオフすると、整流回路２の高電位側の出力端からインダクタＬ２、ダイオードＤ１、コンデンサＣ２の順に経由して整流回路２の低電位側の出力端に至る第３電流経路が形成されるとともに、インダクタＬ１の他端からダイオードＤ１、負荷１１の順に経由してインダクタＬ２の一端に至る第４電流経路が形成される。

Description

本発明は、直流電源回路に関し、特に、回路の力率を向上する技術に関する。

近年、発光ダイオード（以下、ＬＥＤと称す）の発光効率が向上し一般照明用の光源として注目されてきている。このＬＥＤを駆動するための電源としては、直流電源が必要である。

これに対して、従来から家庭用の交流電源から供給される交流を直流に変換して出力する直流電源回路が提案されている（特許文献１,２参照）。この特許文献１には、ダイオードブリッジからなる整流回路と、整流回路の出力端間に接続された平滑用のコンデンサと、当該整流回路の出力端に接続された電圧変換回路とからなる直流電源回路が記載されている。

特開２００５−１４２１３７号公報 特開２０１１−９０９０１号公報

ところで、交流電圧の各半周期について考えると、直流電源回路では、交流電源からの電流が、ダイオードブリッジを介して平滑用コンデンサに流入するのは、ダイオードブリッジの出力電圧の瞬時値が平滑用のコンデンサの両端間の電圧よりも高くなる期間だけである。そして、特許文献１に記載された直流電源回路では、コンデンサの両端間の電圧の最大値が整流回路の出力電圧の瞬時値の最大値に等しい。従って、交流電源から供給される交流の一周期において、ダイオードブリッジの出力電圧の瞬時値が最大値に到達した後の半周期では、コンデンサの両端間の電圧が整流回路の出力電圧の瞬時値よりも高くなってしまい、交流電源から整流回路を介してコンデンサに流れこむ電流が遮断されてしまい、力率は０．５程度の低い値となってしまう。

本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、力率向上を図ることができる直流電源回路を提供することを目的とする。

本発明に係る直流電源回路は、交流電源から供給される交流を整流する整流回路と、整流回路の出力端間電圧を入力電圧とし、交流電源の各半サイクルの間全体で、整流回路の高電位側の出力端から低電位側の出力端に至る互いに異なる複数の出力端間電流経路が断続的に形成され、出力端間電流経路を流れる電流に起因して生じる電圧を負荷に供給する電圧変換回路とを備える。

本構成によれば、交流電源の各半サイクルの間全体で、整流回路の高電位側の出力端から低電位側の出力端に至る互いに異なる複数の出力端間電流経路が断続的に形成される。これにより、交流電源の各半サイクルの間全体において整流回路から電圧変換回路に電流が流れ続けることとなり、交流電源側から見た力率が高くなる。

実施の形態１に係る直流電源回路の回路図である。 実施の形態１に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 実施の形態１に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 実施の形態１に係る直流電源回路における、（ａ）は、スイッチング素子のオンオフ動作を示す図であり、（ｂ）は、インダクタに流れる電流の時間波形を示す図であり、（ｃ）は、インダクタの両端間に生じる電圧の時間波形を示す図であり、（ｄ）は、ダイオードのカソード電圧の時間波形を示す図であり、（ｅ）は、ダイオードを流れる電流の時間波形を示す図である。 実施の形態１に係る直流電源回路における、（ａ）は、スイッチング素子のオンオフ動作を示す図であり、（ｂ−１）は、インダクタに流れる電流の時間波形を示す図であり、（ｂ−２）は、インダクタの両端間に生じる電圧の時間波形を示す図であり、（ｃ−１）は、インダクタに流れる電流の時間波形を示す図であり、（ｃ−２）は、インダクタの両端間に生じる電圧の時間波形を示す図である。 実施の形態１に係る直流電源回路における、（ａ）は、交流電源から整流回路への入力電圧の時間波形を示す図であり、（ｂ）は、ダイオードのカソード電圧の時間波形を示す図であり、（ｃ）は、ダイオードを流れる電流の時間波形を示す図である。 実施の形態１に係る直流電源回路における、（ａ）は、スイッチング素子のオンオフ動作を示す図であり、（ｂ−１）は、インダクタに流れる電流の時間波形を示す図であり、（ｂ−２）は、インダクタの両端間に生じる電圧の時間波形を示す図であり、（ｃ−１）は、インダクタに流れる電流の時間波形を示す図であり、（ｃ−２）は、インダクタの両端間に生じる電圧の時間波形を示す図である。 実施の形態２に係る直流電源回路の回路図である。 実施の形態２に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 実施の形態２に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 実施の形態２に係る直流電源回路における、（ａ）は、スイッチング素子のオンオフ動作を示す図であり、（ｂ）は、インダクタに流れる電流の時間波形を示す図であり、（ｃ）は、コンデンサの両端間に生じる電圧の時間波形を示す図であり、（ｄ）は、ダイオードのカソードと整流回路の低電位側の出力端との間に生じる電圧の時間波形を示す図であり、（ｅ）は、ダイオードを導通する電流の時間波形を示す図である。 実施の形態２に係る直流電源回路における、（ａ）は、スイッチング素子のオンオフ動作を示す図であり、（ｂ）は、インダクタに流れる電流の時間波形を示す図であり、（ｃ）は、コンデンサの両端間に生じる電圧の時間波形を示す図であり、（ｄ）は、ダイオードのカソードと整流回路の低電位側の出力端との間に生じる電圧の時間波形を示す図であり、（ｅ）は、ダイオードを導通する電流の時間波形を示す図である。 実施の形態２に係る直流電源回路における、（ａ）は、交流電源から整流回路への入力電圧の時間波形を示す図であり、（ｂ）は、整流回路の出力電圧の瞬時値の時間波形を示す図であり、（ｃ）は、ダイオードのカソードと整流回路の低電位側の出力端との間の電圧の時間波形を示す図であり、（ｄ）は、交流電源から整流回路への入力電流の時間波形を示す図である。 実施の形態３係る直流電源回路の回路図である。 実施の形態３に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 実施の形態３に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 実施の形態３に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 実施の形態３に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 実施の形態３に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 実施の形態３に係る直流電源回路における、（ａ）は、スイッチング素子のオンオフ動作を示し、（ｂ）は、インダクタに流れる電流の時間波形を示し、（ｃ）は、コンデンサの両端間に生じる電圧の時間波形を示し、（ｄ）は、ダイオードのカソードと整流回路の低電位側の出力端との間の電圧の時間波形を示し、（ｅ）は、交流電源から整流回路に流れる電流の時間波形を示す。 実施の形態３に係る直流電源回路における、（ａ）は、交流電源から整流回路への入力電圧の時間波形を示し、（ｂ）は、ダイオードのカソード電圧の時間波形を示し、（ｃ）は交流電源から整流回路に流れる電流の時間波形を示す。 比較例に係る直流電源回路の回路図である。 実施の形態３に係る直流電源回路における、（ａ）は、交流電源ＡＣから整流回路２への入力電圧Ｖｓの時間波形を示す図であり、（ｂ−１）は、ダイオードのカソード電圧の時間波形を示す図であり、（ｂ−２）は、交流電源から整流回路に流れる電流の時間波形を示す図である。また、比較例に係る直流電源回路における、（ｃ−１）は、ダイオードのカソード電圧の時間波形を示す図であり、（ｃ−２）は、交流電源から整流回路に流れる電流Ｉｉｎの時間波形を示す図である。 実施の形態４に係る直流電源回路の回路図である。 実施の形態４に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 実施の形態４に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 実施の形態５に係る直流電源回路の回路図である。 実施の形態５に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 実施の形態５に係る直流電源回路を示す回路図と、直流電源回路内における電流の流れとを示す図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。 変形例に係る直流電源回路の回路図である。

＜実施の形態１＞
＜１＞構成
本実施の形態に係る直流電源回路１の回路図を図１に示す。

直流電源回路１は、交流電源ＡＣに接続された整流回路２と、整流回路２の出力端に接続された電圧変換回路３と、電圧変換回路３を駆動するための駆動回路Ｕ１とを備えている。また、直流電源回路１は、駆動回路Ｕ１に電力を供給するための定電圧回路４を備えている。

電圧変換回路３の出力端には、複数のＬＥＤを直列に接続してなる負荷１１が接続されている。この負荷１１の両端間の電圧は、負荷１１を構成するＬＥＤの個数によって定まる。この点、例えば、蛍光ランプ等の抵抗性インピーダンスを有する負荷とは相違する。

交流電源ＡＣは、例えば、電圧実効値１００Ｖの交流を出力するものである。交流電源ＡＣと整流回路２との間には、交流電源ＡＣから整流回路２に過電流が流れるのを防止するために限流用の抵抗Ｒ１が接続されている。

＜１−１＞整流回路
整流回路２は、４つのダイオードからなるダイオードブリッジで構成されている。

＜１−２＞電圧変換回路
電圧変換回路３は、降圧チョッパ回路を構成し、スイッチング素子Ｑ１と、インダクタＬ１，Ｌ２と、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３と、コンデンサＣ２，Ｃ４と、抵抗Ｒ７とを備える。

コンデンサＣ２は、一端が整流回路２の低電位側の出力端に接続されている。このコンデンサＣ２は、電解コンデンサからなる。なお、コンデンサＣ２は、例えば、高誘電率系セラミックスコンデンサやフィルムコンデンサ等から構成されてもよい。

インダクタ（第１インダクタ）Ｌ１は、一端がコンデンサＣ２の他端に負荷１１を介して接続されている。

スイッチング素子Ｑ１は、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴからなり、ソースが抵抗Ｒ７を介して整流回路２の低電位側の出力端に接続され且つゲートが抵抗Ｒ１１を介して駆動回路Ｕ１に接続されるとともに、ドレインがインダクタＬ１の他端に接続されている。ここで、抵抗Ｒ７は、両端間に生じる電圧に基づいてスイッチング素子Ｑ１に流れるドレイン電流を検出するためのものである。

ダイオード（第１の一方向性素子）Ｄ１は、アノードがインダクタＬ１の他端に接続され、カソードがコンデンサＣ２の他端に接続されている。

インダクタ（第２インダクタ）Ｌ２は、一端がインダクタＬ１の他端に接続され、他端がダイオード（第３の一方向性素子）Ｄ３のカソードに接続されている。

ダイオード（第２の一方向性素子）Ｄ２は、アノードがインダクタＬ２の他端に接続され、カソードがコンデンサＣ２の他端に接続されている。

ダイオードＤ３は、アノードが整流回路２の高電位側の出力端に接続され、カソードがインダクタＬ２の他端およびダイオードＤ２のアノードに接続されている。このダイオードＤ３は、インダクタＬ２の他端から整流回路２側に電流が流出するのを防止するためのものである。直流電源回路１の立ち上げ時では、ダイオードＤ２が導通状態となることで、整流回路２の高電位側の出力端からダイオードＤ３，Ｄ２の順に経由してコンデンサＣ２にインラッシュ電流が流入し、コンデンサＣ２が充電される。

コンデンサＣ４は、負荷１１の両端間に接続されている。このコンデンサＣ４は、負荷１１に印加される電圧を平滑化するためのものである。

＜１−３＞駆動回路
駆動回路Ｕ１は、スイッチング素子Ｑ１をＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御により駆動させるための矩形波状の電圧波形を有する制御信号（以下、「ＰＷＭ信号」と称す）を出力する。

駆動回路Ｕ１は、電源端子ｔｅ０と、出力端子ｔｅ１と、接地端子ｔｅ２と、スイッチング素子Ｑ１に流れるドレイン電流を検出するための電流検出端子ｔｅ３とを備える。電源端子ｔｅ０は、定電圧回路４の出力端間に接続されている。接地端子ｔｅ２は、整流回路２の低電位側の出力端に接続されている。出力端子ｔｅ１は、抵抗Ｒ１１を介してスイッチング素子Ｑ１のゲートに接続されている。電流検出端子ｔｅ３は、スイッチング素子Ｑ１のソースと抵抗Ｒ７との間に接続されている。

この駆動回路Ｕ１は、スイッチング素子Ｑ１のゲートにＰＷＭ信号を入力する。そして、電流検出端子ｔｅ３により検出したスイッチング素子Ｑ１に流れるドレイン電流が、一定となるようにＰＷＭ信号のパルス幅を調節する。ここにおいて、ＰＷＭ信号のパルス幅を変化させると、スイッチング素子Ｑ１のゲート電圧がスイッチング素子Ｑ１のオン電圧（以下、「スイッチング素子Ｑ１のオン電圧」とは、スイッチング素子Ｑ１をオンさせるために必要なゲート・ソース間電圧を意味するものとして説明する）以上の電圧に維持される期間とスイッチング素子Ｑ１のゲート電圧がスイッチング素子Ｑ１のオン電圧未満の電圧（略０Ｖ）に維持される期間とが変化する。以下、スイッチング素子Ｑ１がオン状態で維持される期間を「オン期間」と称する。また、スイッチング素子Ｑ１のゲート電圧が略０Ｖに維持される、即ち、スイッチング素子Ｑ１がオフ状態で維持される期間を「オフ期間」と称する。そして、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作の一周期内におけるオン期間の割合を「オンデューティ」と称する。そして、駆動回路Ｕ１は、このオンデューティを変化させることによりスイッチング素子Ｑ１を定電流制御により駆動させる。

＜１−４＞定電圧回路
定電圧回路４は、抵抗Ｒ４１，Ｒ４２と、コンデンサＣ４３と、ツェナーダイオードＺＤ４４とを備える。ここで、抵抗Ｒ４１，Ｒ４２は、整流回路２の出力端間に直列に接続されている。そして、抵抗Ｒ４１は、一端が整流回路２の高電位側の出力端に接続されており、抵抗Ｒ４２は、抵抗Ｒ４１の他端と整流回路２の低電位側の出力端との間に接続されている。コンデンサＣ４３は、抵抗Ｒ４２の両端間に接続されている。ツェナーダイオードＺＤ４４は、アノードが整流回路２の低電位側の出力端に接続され、カソードが抵抗Ｒ４１，Ｒ４２の接続点に接続されるとともに駆動回路Ｕ１の電源端子ｔｅ０に接続されている。これにより、駆動回路Ｕ１の電源端子ｔｅ０の電位は、ツェナーダイオードＺＤ４４のカソードに生じる一定の電位に維持される。

また、定電圧回路４は、更に、ダイオードＤ４５，Ｄ４８と、抵抗Ｒ４６と、コンデンサＣ４７とを備える。コンデンサＣ４７は、一端がインダクタＬ１の他端およびインダクタＬ２の一端に接続されている。ダイオードＤ４５は、アノードが抵抗Ｒ４６を介してコンデンサＣ４７の他端に接続され、カソードが駆動回路Ｕ１の電源端子ｔｅ０に接続されている。ダイオードＤ４８は、カソードが抵抗Ｒ４６とダイオードＤ４５との接続点に接続され、アノードが整流回路２の低電位側の出力端に接続されている。このダイオードＤ４８は、コンデンサＣ４７の電荷を放電するためのものである。これにより、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中にインダクタＬ１，Ｌ２から供給される電流によりコンデンサＣ４７を充電し、スイッチング素子Ｑ１のオン期間中にコンデンサＣ４７を放電することにより、コンデンサＣ４７に蓄積した分の電荷をコンデンサＣ４３へ送る構成となっている。この構成により、駆動回路Ｕ１の電源端子ｔｅ０に電圧変換回路３側から電力が供給可能となっている。

＜２＞動作
次に、本実施の形態に係る直流電源回路の動作について説明する。

直流電源回路１の立ち上げ時において、スイッチング素子Ｑ１がオフした状態で、整流回路２から電圧変換回路３に電圧が入力されると、整流回路２の高電位側の出力端からダイオードＤ３、ダイオードＤ２を経由してコンデンサＣ２に充電電流が流れ込む。これにより、コンデンサＣ２は、整流回路２の出力電圧の瞬時値と略同じ電圧まで充電される。その後、直流電源回路１の定常動作時では、直流電源回路１内にスイッチング素子Ｑ１のオンオフ状態に応じて以下に説明する電流経路で電流が流れる。

本実施の形態に係る直流電源回路１の回路図と、直流電源回路１内における電流の流れとを図２および図３に示す。

図２（ａ）は、スイッチング素子Ｑ１のオン期間における電流の流れを示し、図２（ｂ）並びに図３は、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間における電流の流れを示している。

図２（ａ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１がオンすると、整流回路２の高電位側の出力端から、ダイオードＤ３、インダクタＬ２、スイッチング素子Ｑ１、抵抗Ｒ７の順に経由して、整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第１電流経路」と称する。）が形成される。同時に、コンデンサＣ２の他端から、負荷１１、インダクタＬ１、スイッチング素子Ｑ１、抵抗Ｒ７の順に経由して、コンデンサＣ２の一端に至る電流経路（以下、「第２電流経路」と称する。）が形成される。ここにおいて、第１電流経路を流れる電流により、インダクタＬ２に磁気的エネルギが蓄積される。また、前回のスイッチング素子Ｑ１のオフ時にコンデンサＣ２に蓄積された電荷が、第２電流経路を通じて放電される。そして、コンデンサＣ２からこの第２電流経路を介して放電されることにより、インダクタＬ１に磁気的エネルギが蓄積される。このコンデンサＣ２の両端間の電圧ＶＣ２は、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中に、インダクタＬ２に蓄積されていた磁気的エネルギの放出に伴い、インダクタＬ２からダイオードＤ１を介してコンデンサＣ２に電流が流れることにより、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも高い電圧まで昇圧されている。従って、ダイオードＤ２は、非導通状態となり、整流回路２の高電位側からダイオードＤ２を介してコンデンサＣ２に流入する電流は遮断される。

ここで、図２（ｂ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１がオフすると、整流回路２の高電位側の出力端から、ダイオードＤ３、インダクタＬ２、ダイオードＤ１、コンデンサＣ２の順に経由して、整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第３電流経路」と称する。）が形成される。ここにおいて、インダクタＬ２は、第３電流経路に電流を流すための電圧源として機能する。

同時に、インダクタＬ１の他端から、ダイオードＤ１、負荷１１の順に経由してインダクタＬ１の一端に至る電流経路（以下、「第４電流経路」と称する。）が形成される。ここにおいて、インダクタＬ２が自己に蓄積された磁気的エネルギを放出する際、第３電流経路を流れる電流によりコンデンサＣ２が充電される。また、コンデンサＣ２の両端間の電圧ＶＣ２は、ダイオードＤ３のカソードと整流回路２の低電位側の出力端との間の電圧（以下、「ダイオードＤ３のカソード電圧」と称する。）ＶＤ３よりもインダクタＬ２の両端間に生じる電圧だけ、すなわち、インダクタＬ２に蓄積されたエネルギによる昇圧分だけ高い電圧が印加される。これにより、コンデンサＣ２の両端間の電圧ＶＣ２は、整流回路２の出力電圧の瞬時値よりも高い電圧まで昇圧されることになる。また、インダクタＬ１に蓄積されたエネルギは、第４電流経路に電流が流れることにより、負荷１１に放出される。

その後、図３に示すように、インダクタＬ２の自己に蓄積された磁気的エネルギの放出が完了すると、第３電流経路を流れる電流が遮断され、インダクタＬ１の自己に蓄積された磁気的エネルギの放出が完了するまでの間、第４電流経路に電流が流れ続ける。また、インダクタＬ１のエネルギ放出後は、コンデンサＣ４に蓄積された電荷が負荷１１へ放出され続ける。以後、直流電源回路１は、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作に応じて、図２（ａ）および（ｂ）並びに図３を用いて説明した前述の動作を繰り返す。

以上のように、直流電源回路１では、スイッチング素子Ｑ１がオンすると、第２電流経路を通じて負荷１１に電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１がオフすると、第４電流経路を通じて負荷１１に電流が流れる。つまり、直流電源回路１は、昇圧回路でありながらも、スイッチング素子Ｑ１のオン期間のみならず、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間においてもコンデンサＣ４からの放電以外の電流経路で負荷１１に電流が供給される。

更に、スイッチング素子Ｑ１がオフする度に第３電流経路を通じてコンデンサＣ２が随時充電される。これにより、コンデンサＣ２の両端間の電圧変動を少なくすることができるので、コンデンサＣ２の他端から第２電流経路を通じて負荷１１に流れる電流の変動が抑制される。このようにして、直流電源回路１では、負荷１１に流れる電流変動が少ない状態で運転できる。

次に、直流電源回路１の力率について、インダクタＬ２に流れる電流ＩＬ２、インダクタＬ２の両端間に生じる電圧ＶＬ２、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３、ダイオードＤ３に流れる電流ＩＤ３の時間波形を用いて説明する。

直流電源回路１における、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作を図４（ａ）に示し、インダクタＬ２に流れる電流ＩＬ２の時間波形を図４（ｂ）に示し、インダクタＬ２の両端間に生じる電圧ＶＬ２の時間波形を図４（ｃ）に示し、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３の時間波形を図４（ｄ）に示し、ダイオードＤ３に流れる電流ＩＤ３の時間波形を図４（ｅ）に示す。図４（ｃ）において、インダクタＬ２の両端間に生じる電圧ＶＬ２は、インダクタＬ２の他端の電位が一端の電位に比べて大きい場合を正としている。

スイッチング素子Ｑ１がオンすると、整流回路２の高電位側の出力端から、ダイオードＤ３、インダクタＬ２、スイッチング素子Ｑ１を経由する第１電流経路を辿る電流ＩＬ２が流れ始める（図４（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ０）。そして、スイッチング素子Ｑ１のオン期間中、電流ＩＬ２が電流値ＩＬ１１まで漸増していく（図４（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ０乃至Ｔ１の期間）。このとき、インダクタＬ２の両端間の電圧ＶＬ２は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも、ダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎと、所定の電圧Ｖα（スイッチング素子Ｑ１のソース・ドレイン間電圧と抵抗Ｒ７での電圧降下分との和に相当する電圧）との和に相当する電圧（Ｖｏｎ＋Ｖα）だけ小さい電圧で維持される（図４（ｃ）の時刻Ｔ０乃至Ｔ１の期間）。そして、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、インダクタＬ２の両端間に生じる電圧ＶＬ２と電圧Ｖαとの和に相当する電圧、即ち、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎだけ小さい電圧で維持される（図４（ｄ）の時刻Ｔ０乃至Ｔ１の期間）。この間、ダイオードＤ３に電流ＩＤ３０が流れ続ける（図４（ｅ）の時刻Ｔ０乃至Ｔ１の期間）。

次に、スイッチング素子Ｑ１がオフすると、インダクタＬ２の自己に蓄積されていた磁気的エネルギの放出に伴い、インダクタＬ２に流れる電流ＩＬ２が電流値ＩＬ１１から減少していく（図４（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ１乃至Ｔ２の期間）。このとき、インダクタＬ２の両端間の電圧ＶＬ２は、他端の電位が一端の電位に比べて小さくなり（負となり）、その絶対値がコンデンサＣ２の両端間の電圧ＶＣ２よりも整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎだけ低い電圧（ＶＣ２−Ｖｉｎ）で維持される（図４（ｃ）の時刻Ｔ１乃至Ｔ２の期間）。ここで、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧で一定に維持される。そして、インダクタＬ２に電流ＩＬ２が流れ続ける。即ち、ダイオードＤ３に電流ＩＤ３０が流れ続ける（図４（ｅ）の時刻Ｔ１乃至Ｔ２の期間）。

続いて、インダクタＬ２の自己に蓄積された磁気的エネルギの放出が完了したとき、第３電流経路を流れる電流が遮断される（図４（ｂ）の時刻Ｔ２乃至Ｔ３の期間）。このとき、インダクタＬ１の自己に蓄積された磁気的エネルギの放出に伴い、第４電流経路を電流が流れ続ける。このとき、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３が、コンデンサＣ２の両端間の電圧ＶＣ２に略等しい電圧で維持されており（図４（ｄ）の時刻Ｔ２乃至Ｔ３の期間）、ダイオードＤ３を流れる電流は遮断される（図４（ｅ）の時刻Ｔ２乃至Ｔ３の期間）。

そして、スイッチング素子Ｑ１が再びオンすると、インダクタＬ２に電流ＩＬ２が流れ始める（図４（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ３）。以後、直流電源回路１では、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作に応じて、図４を用いて説明した前述の現象が繰り返される。

また、前述のように、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作の一周期（以下、「一動作周期」と称する。）において、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路３に電流が流入する期間（以下、「電流流入期間」と称する。）は、ダイオードＤ３に電流ＩＤ３０が流れている期間に相当する。そして、このダイオードＤ３に電流ＩＤ３０が流れている期間、即ち、電流流入期間は、スイッチング素子Ｑ１のオン期間と、スイッチング素子Ｑ１がオフしてからインダクタＬ２の自己に蓄積された磁気的エネルギの放出が完了するまでの期間との和に相当する（図４参照）。この電流流入期間は、駆動回路Ｕ１の制御を定ピーク電流制御にしている場合は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎの大きさによって変化する。

直流電源回路１における、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作を図５（ａ）に示し、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが０Ｖよりも大きい第１電圧の場合における、インダクタＬ２に流れる電流ＩＬ２の時間波形を図５（ｂ−１）に示し、インダクタＬ２の両端間に生じる電圧ＶＬ２の時間波形を図５（ｂ−２）に示す。また、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが０Ｖよりも大きく且つ第１電圧よりも小さい第２電圧の場合における、インダクタＬ２に流れる電流ＩＬ２の時間波形を図５（ｃ−１）に示し、インダクタＬ２の両端間に生じる電圧ＶＬ２の時間波形を図５（ｃ−２）に示す。

図５から判るように、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが第２電圧の場合における、電流流入期間Ｔｉｎ（２）は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが第１電圧の場合における電流流入期間Ｔｉｎ（１）に比べて短い。この理由は次のように考えられる。

整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが第２電圧の場合、出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが第１電圧の場合に比べて、インダクタＬ２に流れる電流ＩＬ２の傾きが小さくなり、その分、単位時間当たりにインダクタＬ２に蓄積される磁気的エネルギが小さくなる。そして、インダクタＬ２に蓄積された磁気的エネルギが小さくなると、その分、スイッチング素子Ｑ１がオフした後インダクタＬ２が自己に蓄積された磁気的エネルギを完全に放出するまでの時間が短くなる。つまり、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが第２電圧の場合、出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが第１電圧の場合に比べて、インダクタＬ２に蓄積された磁気的エネルギが小さくなり、インダクタＬ２が自己に蓄積された磁気的エネルギを放出している期間が短くなるので、電流流入期間Ｔｉｎが短くなる。このように、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが第２電圧の場合は、出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが第１電圧の場合に比べて、インダクタＬ２が自己に蓄積された磁気的エネルギの放出に要する時間が短くなるので、インダクタＬ２に電流が流れ続ける期間、即ち、ダイオードＤ３に電流が流れ続ける期間が短くなる。

また、インダクタＬ２に流れる電流が漸増している期間は、インダクタＬ２に流れる電流が漸減している期間に比べて長い。これは次のように考えられる。

スイッチング素子Ｑ１がオンしている期間では、スイッチング素子Ｑ１において、インダクタＬ２から流れ込む電流と、コンデンサＣ２の他端から負荷１１およびインダクタＬ１を介して流れ込む電流とがスイッチング素子Ｑ１のオン抵抗や抵抗Ｒ７により限流される。そのため、インダクタＩＬ２に流れる電流が、電流値ＩＬ２１，ＩＬ２２になるまでの時間が長くなる。

一方、スイッチング素子Ｑ１がオフしている期間では、インダクタＬ２が自己に蓄積された磁気的エネルギを放出する際に流れる電流が経由する電流経路にスイッチング素子Ｑ１や抵抗Ｒ７のような限流要素が含まれない。その分、インダクタＬ２に蓄積された磁気的エネルギは素早く放出され、インダクタＬ２に電流ＩＬ２が流れなくなるまでの時間は短くなる。

ところで、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎは脈流状に変動している。そして、電流流入期間Ｔｉｎも出力電圧の瞬時値Ｖｉｎの変動に伴い変化することになる。

直流電源回路１における、交流電源ＡＣから整流回路２への入力電圧Ｖｓの時間波形を図６（ａ）に示し、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３の時間波形を図６（ｂ）に示し、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路３に流れる電流Ｉｉｎの時間波形を図６（ｃ）に示す。なお、図６（ｂ）における一点鎖線は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎの時間波形を示している。

交流電源ＡＣから整流回路２への入力電圧Ｖｓは、正弦波状であって（図６（ａ）参照）、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎは、交流電源ＡＣから整流回路２への入力電圧の絶対値が最大となるときに最大となるような脈流状の時間波形を有する（図６（ｂ）の一点鎖線参照）。

ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも高い電圧ＶＣ２と、出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも低い電圧（Ｖｉｎ−Ｖｏｎ）との間で変動する（図６（ｂ）参照）。そして、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路３に流れる電流Ｉｉｎは、カソード電圧ＶＤ３が、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも高い電圧ＶＣ２にあるときは遮断され、カソード電圧ＶＤ３が整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも低い電圧にあるときは流れ続ける。また、カソード電圧ＶＤ３は、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ周期に同期しており、入力電流Ｉｉｎもスイッチング素子Ｑ１のオンオフ周期に同期したパルス列状の波形となる（図６（ｃ）参照）。

図６（ｃ）に示すように、直流電源回路１では、入力電圧Ｖｓの各半周期において、交流電源ＡＣから整流回路２に断続的に電流Ｉｉｎが流れ続ける。従って、交流電圧Ｖｓの各半周期において、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが最大値に到達した後、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路３に流れる電流が遮断される構成（以下、「比較例」と称する。）に比べて、力率向上を図ることができる。また、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが大きいほど、インダクタＬ２に流れる電流が増加するので、ダイオードＤ３に流れる電流は増加する。これを反映して、入力電流Ｉｉｎの時間波形は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎの絶対値が最大となる時刻近辺でその絶対値が最大となるような形状をしている。（図６（ｃ）参照）。このように、入力電流Ｉｉｎの時間波形が、入力電圧Ｖｓの時間波形の形状に似ている点も力率向上の要因となっている。実際、比較例に係る直流電源回路では、力率が０．５０乃至０．６１程度であるのに対して、本実施の形態に係る直流電源回路１では、交流電源ＡＣから直流電源回路１への入力電力が３．４７Ｗの場合、力率を０．８６程度にまで簡単に特殊な制御をすることなく向上させることができる。

ところで、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎの大きさによって、インダクタＬ２の自己に蓄積された磁気的エネルギの放出を完了するのに要する時間が変わる。また、駆動回路Ｕ１がスイッチング素子Ｑ１を定電圧制御で駆動させている場合には、スイッチング素子Ｑ１のオンデューティや一動作周期の長さも変化する。すると、直流電源回路１は、図５を用いて説明したような、インダクタＬ２に電流が流れない期間が存在するモード（いわゆる不連続モード）で動作するとは限らない。例えば、インダクタＬ２の磁気的エネルギの放出を完了するのに要する時間がスイッチング素子Ｑ１のオン期間に等しいモード（いわゆるインダクタＬ２電流の臨界モード）で動作したり、インダクタＬ２の磁気的エネルギの放出を完了するのに要する時間がスイッチング素子Ｑ１のオン期間よりも長いモード（いわゆるインダクタＬ２電流の連続モード）で動作したりすることが考えられる。

ここで、直流電源回路１における、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作を図７（ａ）に示し、臨界モードで動作している場合にインダクタＬ２に流れる電流ＩＬ２の時間波形を図７（ｂ−１）に示し、この場合にインダクタＬ２の両端間に生じる電圧ＶＬ２の時間波形を図７（ｂ−２）に示す。また、連続モードで動作している場合にインダクタＬ２に流れる電流ＩＬ２の時間波形を図７（ｃ−１）に示し、この場合にインダクタＬ２の両端間に生じる電圧ＶＬ２の時間波形を図７（ｃ−２）に示す。

図７（ｂ−１）および（ｂ−２）並びに図７（ｃ−１）および（ｃ−２）に示すように、臨界モードおよび連続モードのいずれの場合も、スイッチング素子Ｑ１のオン期間中、整流回路２の高電位側の出力端からインダクタＬ２、スイッチング素子Ｑ１を経由する第１電流経路を辿る電流ＩＬ２が流れ続ける。ここで、インダクタＬ２を流れる電流ＩＬ２は、スイッチング素子Ｑ１のオン期間中、電流値ＩＬ２２１，ＩＬ３２１まで上昇し、その後のスイッチング素子Ｑ１のオフ期間中に減少する。一方、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中、整流回路２の高電位側の出力端からダイオードＤ３、インダクタＬ２、ダイオードＤ１、コンデンサＣ２の順に経由する第３電流経路を辿る電流が流れ続ける。これにより、直流電源回路１が臨界モードまたは連続モードで動作している間は、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路３に常に電流が流れ続ける。従って、交流電源ＡＣから整流回路２への入力電圧Ｖｓの半周期全体に亘って直流電源回路１を臨界モード或いは連続モードで動作させることが力率向上の観点からすれば有利である。但し、回路効率の観点からすれば、直流電源回路１を不連続モードや臨界モードで動作させるほうが有利である。また、直流電源回路１を臨界モードで動作させる場合は、駆動回路Ｕ１は、整流回路２の出力電圧の瞬時値に応じてスイッチング素子Ｑ１の動作周波数を細かく変化させる必要があり、擬似共振回路等を別途設ける必要がある。一方、直流電源回路１を不連続モードや連続モードで動作させる場合は、スイッチング素子Ｑ１の動作周波数をインダクタＬ２に流れる電流とは無関係にある程度固定させることができるので、擬似共振回路等が不要となり、その分回路構成の簡素化を図ることができる。以上より、直流電源回路１について回路効率および回路構成の簡素化を優先する場合、直流電源回路１を不連続モードで動作させるのが好ましい。

＜３＞まとめ
結局、本実施の形態に係る直流電源回路１は、電圧変換回路３が、スイッチング素子Ｑ１がオンしている期間は、第１電流経路を通じて、整流回路２の高電位側の出力端から低電位側の出力端に電流が流れるし、スイッチング素子Ｑ１がオフしている期間においても、第３電流経路を通じて、整流回路２の高電位側の出力端から低電位側の出力端に電流が流れる。この第1電流経路および第３電流経路が、整流回路２の高電位側の出力端から低電位側の出力端に至り且つ交流電源の各半サイクルの間全体で断続的に形成される出力端間電流経路に相当する。スイッチング素子Ｑ１は、交流電源ＡＣの各半周期において複数回オンオフされるので、半周期の略全区間に整流回路２から電圧変換回路３に電流が流れ続けることとなり、交流電源ＡＣ側から見た力率が高くなる。

また、スイッチング素子Ｑ１がオンしている期間は、第２電流経路を通じて負荷１１に電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１がオフしている期間は、インダクタＬ１から第４電流経路を通じて負荷１１に電流が流れるので、負荷１１には、スイッチング素子Ｑ１のオン期間だけでなく、オフ期間にも通電されることになる。更に、スイッチング素子Ｑ１がオフする度に第３電流経路を通じてコンデンサＣ２が充電されることにより、コンデンサＣ２の両端間の電圧変動を少なくすることができる。これにより、コンデンサＣ２から第２電流経路を通じて負荷１１に流れる電流の変動が抑制されている。従って、負荷１１に流れる電流変動が少ない状態で運転できる。

更に、一般的な力率改善を図った直流電源回路として、整流回路にＰＦＣ回路（力率改善回路）を接続し、更にその後段に昇降圧回路を接続した構成がある。そして、このＰＦＣ回路は、スイッチング素子やインダクタ、制御用ＩＣ等から構成されるものである。これに対して、本実施の形態に係る直流電源回路１では、別途ＰＦＣ回路を設けることなく力率を改善できるものであり、その分、回路規模の縮小およびＰＦＣ回路での電力損失低減による回路効率の向上を図ることができるという利点がある。

なお、本実施の形態では、ダイオードＤ２を設けたが、このダイオードＤ２を取り去ってダイオードＤ３のカソードとコンデンサＣ２の他端とを開放した構成としてもよい。このダイオードＤ２は、負荷１１に異常が生じて負荷１１に加わる電圧が高くなった場合にブレークダウンすることで、直流電源回路１を安全に停止させるためのものである。

また、ダイオードＤ２がなくダイオードＤ３のカソードとコンデンサＣ２の他端との間が開状態となっている構成では、直流電源回路の立ち上げ時、コンデンサＣ２は、インダクタＬ２および負荷１１を経由する電流経路を流れる電流のみにより充電される。従って、直流電源回路の立ち上げ時において、コンデンサＣ２に過大なインラッシュ電流が流れてしまうことを抑制できる。

＜実施の形態２＞
本実施の形態に係る直流電源回路２００１の回路図を図８に示す。

図８に示すように、直流電源回路２００１は、電圧変換回路２００３の構成が実施の形態１とは相違する。具体的には、電圧変換回路２００３が、インダクタＬ１の他端から整流回路２の高電位側の出力端に至るインダクタＬ２を含む経路中に、インダクタＬ２と直列に介挿されたコンデンサ（副コンデンサ）Ｃａを備える。コンデンサＣａは、一端が整流回路２の高電位側の出力端に接続され、他端がインダクタＬ２に接続されている。なお、実施の形態１と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

次に、本実施の形態に係る直流電源回路２００１の動作について説明する。

本実施の形態に係る直流電源回路２００１の回路図と、直流電源回路２００１内における電流の流れとを図９（ａ）および（ｂ）並びに図１０に示す。なお、図９（ａ）および（ｂ）並びに図１０において、定電圧回路４の図示は省略している。

図９（ａ）はスイッチング素子Ｑ１がオンのときの電流の流れを示し、図９（ｂ）並びに図１０はスイッチング素子Ｑ１がオフのときの電流の流れを示している。

図９（ａ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１がオンすると、整流回路２の高電位側から、ダイオードＤ３、コンデンサＣａ、インダクタＬ２、スイッチング素子Ｑ１、抵抗Ｒ７の順に経由して、整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第１電流経路」と称する。）が形成される。同時に、コンデンサＣ２の他端から、負荷１１、インダクタＬ１、スイッチング素子Ｑ１、抵抗Ｒ７の順に経由して、コンデンサＣ２の一端に至る電流経路（以下、「第２電流経路」）が形成される。また、整流回路２の高電位側の出力端から、ダイオードＤ３、ダイオードＤ２、負荷１１、インダクタＬ１、スイッチング素子Ｑ１、抵抗Ｒ７の順に経由して、整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「Ａ電流経路」と称する。）が形成される。

ここにおいて、第２電流経路およびＡ電流経路を流れる電流により、負荷１１およびインダクタＬ１に電流が供給され、インダクタＬ１に磁気的エネルギが蓄積されるとともに、負荷１１に流れる電流の変動が抑制されている。このように、インダクタＬ１に安定的にエネルギを供給することにより、負荷１１への供給電圧の変動を抑制することができる。また、第１電流経路を流れる電流により、コンデンサＣａが充電されるとともに、インダクタＬ２に磁気的エネルギが蓄積される。

一方、図９（ｂ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１がオフすると、整流回路２の高電位側の出力端から、ダイオードＤ３、コンデンサＣａ、インダクタＬ２、ダイオードＤ１、コンデンサＣ２の順に経由して、整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第３電流経路」と称する。）が形成される。同時に、インダクタＬ１の他端から、ダイオードＤ１、負荷１１の順に経由して、インダクタＬ１の一端に至る電流経路（以下、「第４電流経路」と称する。）が形成される。

ここにおいて、インダクタＬ１に蓄積された磁気的エネルギは、第４電流経路を流れる電流により負荷１１側に放出されるとともに、インダクタＬ２に蓄積されたエネルギは、第３電流経路を流れる電流によりコンデンサＣ２にも放電され、コンデンサＣ２が充電される。また、コンデンサＣａでは、整流回路２の高電位側の出力端から流入する電流による充電が継続される。

なお、図９（ｂ）には図示しないが、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが上昇時であって、その出力電圧の瞬時値ＶｉｎがコンデンサＣ２の両端間の電圧ＶＣ２以上である期間中、整流回路２の高電位側の出力端からダイオードＤ３、ダイオードＤ２を介してコンデンサＣ２に流入する電流も発生している。

その後、図１０に示すように、スイッチング素子Ｑ１がオフすると、コンデンサＣａの充電が完了すると、すぐにコンデンサＣａに蓄電された電荷の放電が始まる。ここで、コンデンサＣａの静電容量をＣａ、放電開始時におけるコンデンサＣａの両端間の電圧をＶＣａとすると、コンデンサＣａには、式（１）で表されるエネルギＥＣａが蓄積されている。

そして、コンデンサＣａに蓄積された電荷の放電に伴い、このエネルギＥＣａがインダクタＬ１，Ｌ２に供給されることになる。

また、第４電流経路が形成されるとともに、コンデンサＣａの一端から、ダイオードＤ２、負荷１１、インダクタＬ１、インダクタＬ２の順に経由して、コンデンサＣａの他端に至る電流経路（以下、「第５電流経路」と称する。）が形成される。

直流電源回路２００１について、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作を図１１（ａ）に示し、インダクタＬ２に流れる電流ＩＬ２の時間波形を図１１（ｂ）に示し、コンデンサＣａの両端間に生じる電圧ＶＣａの時間波形を図１１（ｃ）に示す。そして、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３の時間波形を図１１（ｄ）に示し、ダイオードＤ３を導通する電流ＩＤ３の時間波形を図１１（ｅ）に示す。

スイッチング素子Ｑ１がオンすると、インダクタＬ２に電流ＩＬ２が流れ始める（図１１（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ０）。そして、スイッチング素子Ｑ１がオン状態にある間、インダクタＬ２を流れる電流ＩＬ２が漸増していく（図１１（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ０乃至Ｔ１の期間）。このとき、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧で維持され、ダイオードＤ３は導通状態で維持される（図１１（ｄ）の時刻Ｔ０乃至Ｔ１の期間）。そして、ダイオードＤ３に流れる電流ＩＤ３は、最大値ＩＤ３ｍａｘまで増加していく（図１１（ｅ）の時刻Ｔ０乃至Ｔ１の期間）。

次に、スイッチング素子Ｑ１がオフすると、インダクタＬ１からインダクタＬ１に蓄積された磁気的エネルギが放出され始める。このとき、コンデンサＣａは充電が完了しておらず、インダクタＬ２には電流が流れており、この磁気的エネルギが放電完了するまで、インダクタＬ２に電流が流れ続ける（図１１（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ１乃至Ｔ２の期間）。このインダクタＬ２を流れる電流ＩＬ２は、コンデンサＣａの両端間の電圧ＶＣａが最大充電電圧ＶＣａｍａｘに近づくに連れて漸減していく（図１１（ｂ）および（ｃ）の時刻Ｔ１乃至Ｔ２の期間）。このとき、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧で維持され、ダイオードＤ３は導通状態で維持される（図１１（ｄ）の時刻Ｔ１乃至Ｔ２の期間）。そして、ダイオードＤ３を流れる電流ＩＤ３も最大値ＩＤ３ｍａｘから漸減していく（図１１（ｅ）の時刻Ｔ１乃至Ｔ２の期間）。これは、コンデンサＣａの充電が完了に近づくからである。

そして、スイッチング素子Ｑ１がオフした状態において、コンデンサＣａの両端間の電圧ＶＣａが最大充電電圧ＶＣａｍａｘに達すると、インダクタＬ２に蓄積されたエネルギがなくなるのに伴い、コンデンサＣａ電荷の放出が始まり、時刻Ｔ１乃至Ｔ２の期間における方向とは逆向きにインダクタＬ２に流れる電流ＩＬ２が発生する（図１１（ａ）および図１１（ｂ）の時刻Ｔ２）。このとき、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、コンデンサＣ２の両端間の電圧ＶＣ２よりもダイオードＤ２のオン電圧分だけ高い電圧となり、ダイオードＤ３は非導通状態となる（図１１（ｄ）の時刻Ｔ２）。そして、ダイオードＤ３に流れる電流ＩＤ３はゼロとなる（図１１（ｅ）の時刻Ｔ２）。

その後、コンデンサＣａに充電された電荷が、コンデンサＣａの一端からダイオードＤ２、負荷１１を経由して電流が流れることにより放電され、インダクタＬ２を流れる電流ＩＬ２が漸増するとともにコンデンサＣａの両端間の電圧が漸減する（図１１（ｂ）および（ｃ）の時刻Ｔ２乃至Ｔ３の期間）。そして、コンデンサＣａが充電した電荷を放電している間、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、コンデンサＣ２の両端間の電圧ＶＣ２よりもダイオードＤ２のオン電圧分だけ高い電圧で維持され、ダイオードＤ３は非導通状態で維持される（図１１（ｄ）の時刻Ｔ２乃至Ｔ３）。

その後、スイッチング素子Ｑ１がオンすると、再び、インダクタＬ２に電流ＩＬ２が流れ始める（図１１（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ３）。

以上説明したように、直流電源回路２００１では、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３をスイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作の周期に同期させて変化させることにより、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが低いときでも、整流回路２からダイオードＤ３を介して電圧変換回路２００３に断続的に電流を流し続ける。具体的には、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３が、コンデンサＣ２の両端間の電圧ＶＣ２よりもダイオードＤ２のオン電圧Ｖｏｎだけ高い電圧、即ち、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも高い電圧にある場合、ダイオードＤ３が非導通状態となり、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路２００３に流れる電流が遮断された状態となる。

一方、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３が、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧にある場合、ダイオードＤ３が導通状態となり、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路２００３に電流が流れる。そして、図１１から判るように、直流電源回路２００１では、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３を整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも高い電圧と清流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧との間で、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作の周期に同期させて変化させることにより、整流回路２からダイオードＤ３を介して電圧変換回路２００３に断続的に電流を流し続ける。

また、図１１では、スイッチング素子Ｑ１がオフした後、コンデンサＣａの放電が完了するタイミングとスイッチング素子Ｑ１がオフするタイミングとが略同じである例について説明したが、実際は、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作の一周期（以下、「動作周期」と称する。）の長さは変動する。これは、駆動回路Ｕ１が、負荷１１に流れる電流の最大値が一定になるように動作周期を逐次変化させているからである。従って、コンデンサＣａの放電が完了するタイミングよりもスイッチング素子Ｑ１がオンするタイミングのほうが遅い場合がある。或いは、コンデンサＣａの放電が完了するタイミングよりもスイッチング素子Ｑ１がオンするタイミングのほうが早い場合もある。ここで、コンデンサＣａの放電が完了するタイミングよりもスイッチング素子Ｑ１がオンするタイミングのほうが遅い場合の動作について説明する。なお、コンデンサＣａの放電が完了するタイミングよりもスイッチング素子Ｑ１がオンするタイミングのほうが早い場合の動作は、図１１と同様なので説明を省略する。

直流電源回路２００１について、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作を図１２（ａ）に示し、インダクタＬ２に流れる電流ＩＬ２の時間波形を図１２（ｂ）に示し、コンデンサＣａの両端間に生じる電圧ＶＣａの時間波形を図１２（ｃ）に示す。そして、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３の時間波形を図１２（ｄ）に示し、ダイオードＤ３を導通する電流ＩＤ３の時間波形を図１２（ｅ）に示す。

スイッチング素子Ｑ１がオンすると、コンデンサＣａ、インダクタＬ２に電流が流れ始める（図１２（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ２０）。そして、スイッチング素子Ｑ１がオン状態にある間、インダクタＬ２を流れる電流が漸増していく（図１２（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ２０乃至Ｔ２１の期間）。このとき、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧で維持され、ダイオードＤ３は導通状態で維持される（図１２（ｄ）参照）。そして、ダイオードＤ３に流れる電流ＩＤ３は、最大値ＩＤ３ｍａｘまで増加していく（図１２（ｅ）の時刻Ｔ２０乃至Ｔ２１の期間）。

次に、スイッチング素子Ｑ１がオフすると、コンデンサＣａの充電が完了していないために、インダクタＬ２に電流ＩＬ２が流れ続ける（図１２（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ２１乃至Ｔ２２の期間）。ここにおいて、インダクタＬ２を流れる電流ＩＬ２は、最大値ＩＬ２ｍａｘ１から漸減していく（図１２（ｂ）および（ｃ）の時刻Ｔ２１乃至Ｔ２２の期間）。一方、コンデンサＣａの両端間の電圧ＶＣａは、電圧ＶＣａ１から最大充電電圧ＶＣａｍａｘまで漸増していく。このとき、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧で維持され、ダイオードＤ３は導通状態で維持される（図１２（ｄ）の時刻Ｔ２１乃至Ｔ２２の期間）。そして、ダイオードＤ３を流れる電流ＩＤ３も最大値ＩＤ３ｍａｘから漸減していく（図１２（ｅ）の時刻Ｔ２１乃至Ｔ２２の期間）。

そして、スイッチング素子Ｑ１がオフした状態において、コンデンサＣａの両端間の電圧ＶＣａが最大充電電圧ＶＣａｍａｘに達すると、インダクタＬ２に蓄積された磁気的エネルギはなくなっている。そして、コンデンサＣａに蓄積された電荷の放出が始まり、時刻Ｔ２１乃至Ｔ２２の期間における方向とは逆向きにインダクタＬ２に流れる電流ＩＬ２が発生する（図１２（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ２２）。この電流ＩＬ２は、−ＩＬ２ｍａｘ２まで漸増した後漸減していく。このとき、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、コンデンサＣ２の両端間の電圧ＶＣ２よりもダイオードＤ２のオン電圧Ｖｏｎだけ高い電圧となり、ダイオードＤ３は非導通状態となる（図１２（ｄ）参照）。そして、ダイオードＤ３に流れる電流ＩＤ３はゼロとなる（図１２（ｅ）参照）。このとき、コンデンサＣａに充電された電荷が放電される（図１２（ｂ）および（ｃ）の時刻Ｔ２２乃至Ｔ２３の期間）。

スイッチング素子Ｑ１がオフした状態において、コンデンサＣａの一端からダイオードＤ２を介して流れる電流がなくなると、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎ分だけ低い電圧で維持される（図１２（ｄ）の時刻Ｔ２３乃至Ｔ２４）。ここで、コンデンサＣａの一端からダイオードＤ２を介して流れる電流がなくなるのは、スイッチング素子Ｑ１のオンオフタイミングがコンデンサＣａに充電された電荷の全てが放電されるタイミングとは異なるためである。このコンデンサＣａに流れる電流がゼロになると、インダクタＬ２に蓄積された磁気的エネルギも略ゼロになる。ここで、インダクタＬ２に蓄積されたエネルギにより、コンデンサＣａを再度、逆方向に充電することは考えにくい。理由は、ダイオードＤ２をオンさせるだけの磁気的エネルギがインダクタＬ２に蓄積されていない、即ち、インダクタＬ２では、ダイオードＤ２および負荷１１を構成するＬＥＤ全てをオンさせるために必要な電圧が発生できないからである。ここで、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、ダイオードＤ３の浮遊容量や漏れ電流の影響により出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎ分だけ低い電圧となっている。

その後、スイッチング素子Ｑ１がオンすると、再び、整流回路２の高電位側の出力端からダイオードＤ３を経由してコンデンサＣａ、インダクタＬ２に電流が流れ始める（図１２（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ２４）。このとき、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧で維持され、ダイオードＤ３は導通状態で維持される（図１２（ｄ）参照）。そして、ダイオードＤ３に流れる電流ＩＤ３は、最大値ＩＤ３ｍａｘまで増加していく（図１２（ｅ）参照）。

直流電源回路２００１について、交流電源ＡＣから整流回路２への入力電圧Ｖｓの時間波形を図１３（ａ）に示し、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎの時間波形を図１３（ｂ）に示し、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３の時間波形を図１３（ｃ）に示し、交流電源ＡＣから整流回路２への入力電流Ｉｉｎの時間波形を図１３（ｄ）に示す。

交流電源ＡＣから整流回路２への入力電圧Ｖｓは、正弦波状の時間波形を有しており、これに対して、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎは、交流電源ＡＣから整流回路２への入力電圧Ｖｓの絶対値が最大となるときに最大となるような略脈流状の時間波形を有する。

また、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも高い電圧と、出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも低い電圧との間でスイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作の周期に同期して変化する（図１３（ｃ））。そして、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３が整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧にある場合、交流電源ＡＣから整流回路２へ流れる電流Ｉｉｎの絶対値の大きさは、ダイオードＤ３を導通する電流ＩＤ３の大きさに略等しい。そして、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが大きいほど、インダクタＬ２に流れる電流が大きくなるので、電流ＩＤ３は増大する。これを反映して、交流電源ＡＣから整流回路２に流れる電流Ｉｉｎの大きさも±Ｉｉｎｍａｘの間で変化している（図１３（ｄ）参照）。図１３（ａ）および（ｄ）に示すように、直流電源回路２００１では、交流電源ＡＣの出力電圧Ｖｓの各周期において、一周期全体に亘って交流電源ＡＣから整流回路２に電流Ｉｉｎが断続的に流れ続ける。このため、直流電源回路２００１では、力率向上を図ることができる。実際、本実施の形態に係る直流電源回路２００１では、力率を０．９以上にすることができる。

結局、本実施の形態に係る直流電源回路２００１では、スイッチング素子Ｑ１がオンすると、第１電流経路を通じて、整流回路２の高電位側の出力端から低電位側の出力端に電流が流れるし、スイッチング素子Ｑ１がオフしている間においても、第３電流経路を通じて、整流回路２の高電位側の出力端から低電位側の出力端に電流が流れる。この第１電流経路および第３電流経路が、上記出力端間電流経路に相当する。スイッチング素子Ｑ１は、交流電源ＡＣの各半サイクルにおいて複数回オンオフされるので、半サイクルの略全区間に整流回路２から電圧変換回路２００３に電流が流れ続けることとなり、交流電源ＡＣ側から見た力率が高くなる。加えて、スイッチング素子Ｑ１がオフしている期間は、インダクタＬ１の他端から負荷１１に電流が供給されるので、負荷１１は、スイッチング素子Ｑ１のオン時だけでなく、オフ時にも通電されることになり、出力変動が少ない状態で運転できる。

更に、一般的な力率改善を図った直流電源回路として、整流回路にＰＦＣ回路（力率改善回路）を接続し、更にその後段に降圧回路を接続した構成がある。そして、このＰＦＣ回路は、スイッチング素子やインダクタ、制御用ＩＣ等から構成されるものである。これに対して、本実施の形態に係る直流電源回路２００１では、いわゆるＰＦＣ回路として機能する部分（コンデンサＣａおよびインダクタＬ２を含む回路）と、降圧チョッパ回路として機能する部分（インダクタＬ１およびダイオードＤ３を含む回路）とで、スイッチング素子Ｑ１を共用している。これにより、必要となるスイッチング素子の個数を低減することができるので、その分、回路規模の縮小を図ることができる。また、スイッチング素子の個数を低減することができる分、スイッチング素子でのスイッチング損失を低減することができ、ひいては回路効率の向上を図ることができるという利点がある。

＜実施の形態３＞
本実施の形態に係る直流電源回路３００１の回路図を図１４に示す。

直流電源回路３００１は、電圧変換回路３００３の構成が実施の形態１とは相違する。なお、実施の形態１と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

電圧変換回路３００３は、スイッチング素子Ｑ１と、インダクタＬ３００２と、ダイオードＤ３００１，Ｄ３００２，Ｄ３００３と、コンデンサＣ３００１，Ｃ３００２，Ｃ４と、抵抗Ｒ７とを備える。

インダクタＬ３００２は、一端が整流回路２の高電位側の出力端に接続されている。

スイッチング素子Ｑ１は、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴからなり、ソースが抵抗Ｒ７を介して整流回路２の低電位側の出力端に接続され且つゲートが抵抗Ｒ１１を介して駆動回路Ｕ１に接続されるとともに、ドレインがインダクタＬ３００２の他端に接続されている。ここで、抵抗Ｒ７は、両端間に生じる電圧に基づいてスイッチング素子Ｑ１に流れるドレイン電流を検出するためのものである。

コンデンサ（第１コンデンサ）Ｃ３００１は、一端が整流回路２の高電位側の出力端に接続されている。このコンデンサＣ３００１は、例えば、セラミックスコンデンサ等から構成されている。このコンデンサＣ３００１の充放電に伴い、整流回路２の高電位側の出力端からコンデンサＣ３００２への電流の流入が促進される。詳細は後述する。また、このコンデンサＣ３００１の静電容量は、コンデンサＣ３００２の静電容量に比べて小さい。具体的には、コンデンサＣ３００１の静電容量は、コンデンサＣ３００２の静電容量の１／３８乃至１／４０程度に設定されている。

コンデンサ（第２コンデンサ）Ｃ３００２は、一端がコンデンサＣ３００１の他端および負荷１１の一端に接続され、他端が整流回路２の低電位側の出力端に接続されている。

ダイオード（第１の一方向性素子）Ｄ３００１は、インダクタＬ３００２の他端と負荷１１との間において、アノードがインダクタＬ３００２の他端に接続され、カソードが負荷１１の他端に接続されている。このダイオードＤ３００１は、コンデンサＣ４から放電される電流がスイッチング素子Ｑ１側に流出するのを防止するためのものである。

ダイオード（第２の一方向性素子）Ｄ３００２は、インダクタＬ３００２の一端とコンデンサＣ３００２の他端との間において、アノードがコンデンサＣ３００２の他端に接続され且つカソードがインダクタＬ３００２の一端に接続されている。このダイオードＤ３００２は、整流回路２の高電位側の出力端からコンデンサＣ３００２に直接電流が流入するのを防止するためのものである。

ダイオード（第３の一方向性素子）Ｄ３００３は、整流回路２の高電位側の出力端と、インダクタＬ３００２の一端との間において、アノードが整流回路２の高電位側の出力端に接続され、カソードがインダクタＬ３００２の一端に接続されている。このダイオードＤ３００３は、コンデンサＣ３００１，Ｃ３００２から整流回路２側への電流の逆流を防止するためのものである。

コンデンサＣ１は、整流回路２の出力端間に接続されており、インダクタＮＦは、整流回路２の高電位側の出力端に接続されている。このコンデンサＣ１とインダクタＮＦとからノイズフィルタ２０５を構成している。

定電圧回路４のコンデンサＣ４７は、インダクタＬ３００２の他端に接続されている。そして、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中にインダクタＬ３００２の他端から供給される電流によりコンデンサＣ４７を充電し、スイッチング素子Ｑ１のオン期間中にコンデンサＣ４７を放電することにより、コンデンサＣ４７に蓄積した分の電荷をコンデンサＣ４３へ送る構成となっている。

次に、本実施の形態に係る直流電源回路３００１の動作について説明する。

本実施の形態に係る直流電源回路３００１の回路図と、直流電源回路３００１内における電流の流れとを図１５乃至図１９に示す。なお、図１５乃至図１９では、定電圧回路４は図示を省略している。

図１５は、直流電源回路３００１の立ち上げ時における電流の流れを示している。ここにおいて、直流電源回路３００１は、スイッチング素子Ｑ１がオフした状態で、整流回路２の高電位側の出力端から、インダクタＮＦ、ダイオードＤ３００３、コンデンサＣ３００１、コンデンサＣ３００２の順に経由して整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第１充電路」と称する）が形成される。同時に、整流回路２の高電位側の出力端から、ダイオードＤ３００３、インダクタＬ３００２、ダイオードＤ３００１、負荷１１、コンデンサＣ３００２の順に経由して整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第２充電路」と称する。）が形成される。この第１、第２充電路を通じてコンデンサＣ３００２，Ｃ３００１が充電される。また、整流回路２の高電位側の出力端から流出した電流の一部が、コンデンサＣ１を経由して整流回路２の低電位側の出力端に流れ込むことにより、コンデンサＣ１も充電される。ここで、コンデンサＣ３００１およびコンデンサＣ３００２は、コンデンサＣ３００１の両端間の電圧ＶＣ１とコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２との和に相当する電圧（ＶＣ１＋ＶＣ２）が整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３００３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧（Ｖｉｎ−Ｖｏｎ）に達するまで充電される。そして、コンデンサＣ３００２の両端間の電圧は、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３００３のオン電圧Ｖｏｎおよび負荷１１での電圧降下分Ｖｆだけ低い電圧となる。

次に、直流電源回路３００１の定常動作時における電流の流れについて説明する。

まず、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが、コンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２以上の場合について説明する。

図１６（ａ）はスイッチング素子Ｑ１のオン期間における電流の流れを示し、図１６（ｂ）並びに図１７（ａ）および（ｂ）は、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間における電流の流れを示している。

図１６（ａ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１のオン期間中、コンデンサＣ３００１の一端から、インダクタＬ３００２、スイッチング素子Ｑ１、抵抗Ｒ７の順に経由してコンデンサＣ３００２の他端に至る電流経路（以下、「第１電流経路」と称する。）が形成される。同時に、整流回路２の高電位側の出力端から、インダクタＮＦ、ダイオードＤ３００３、インダクタＬ３００２、スイッチング素子Ｑ１、抵抗Ｒ７の順に経由して整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「Ｃ電流経路」と称する。）が形成され、インダクタＬ３００２に磁気的エネルギが蓄積される。このＣ電流経路を流れる電流の中には、コンデンサＣ１からインダクタＮＦを介して放電される成分が含まれている。そして、交流電源ＡＣから流入する電流Ｉｉｎの大きさが、交流電源ＡＣのインピーダンス成分や抵抗Ｒ１、整流回路２のインピーダンス成分により限流されることにより低下すると、コンデンサＣ１から放電される成分が支配的になる。また、コンデンサＣ３００１の放電完了時において、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが、コンデンサＣ３００１，Ｃ３００２の両端間の電圧（ＶＣ１＋ＶＣ２）よりも低くなると、ダイオードＤ３００３がオフし、Ｃ電流経路を流れる電流は遮断する。このとき、整流回路２への入力電流ＩｉｎはコンデンサＣ１のみに流入する。

一方、図１６（ｂ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中、インダクタＬ３００２の他端から、ダイオードＤ３００１、負荷１１、コンデンサＣ３００１の順に経由してインダクタＬ３００２の一端に至る電流経路（以下、「第２電流経路」と称する。）が形成される。同時に、整流回路２の高電位側の出力端から、インダクタＮＦ、ダイオードＤ３００３、インダクタＬ３００２、ダイオードＤ３００１、負荷１１、コンデンサＣ３００２の順に経由して整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第３電流経路」と称する。）が形成される。この第３電流経路は、コンデンサＣ３００２を充電する第２充電路と同じである。ここにおいて、第２電流経路を電流が流れることにより、コンデンサＣ３００１に残留する電荷とインダクタＬ３００２の磁気的エネルギの負荷１１への放出が生じている。このとき、インダクタＬ３００２の両端間に生じる電圧とコンデンサＣ３００１の両端間に生じる電圧との和が、負荷１１に印加される電圧に等しくなっている。また、第３電流経路を流れる電流によりコンデンサＣ３００２が充電される。この第３電流経路を流れる電流は、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎとコンデンサＣ３００２，Ｃ３００１の両端間の電圧（ＶＣ１＋ＶＣ２）とが等しくなるまで、その電圧差に応じて流れる。ここにおいて、コンデンサＣ３００２の両端間の電圧は、コンデンサＣ３００１の両端間の電圧に比べて変動は小さい。スイッチング素子Ｑ１のオン期間中にコンデンサＣ３００１が完全に放電されずに、コンデンサＣ３００１に電荷が残留していると、次のスイッチング素子Ｑ１のオフ期間中にその残留電荷が負荷１１へ放電される。このコンデンサＣ３００１に残留している電荷の量は、スイッチング素子Ｑ１のオン期間の長さと、コンデンサＣ３００１の時定数と、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎとの関係で定まる。

その後、図１７（ａ）に示すように、コンデンサＣ３００１の放電が完了すると、インダクタＬ３００２の他端から、ダイオードＤ３００１、負荷１１、ダイオードＤ３００２の順に経由して、インダクタＬ３００２の一端に至る電流経路（以下、「第４電流経路」と称する。）が形成される。同時に、整流回路２の高電位側の出力端から、インダクタＮＦ、ダイオードＤ３００３、インダクタＬ３００２、ダイオードＤ３００１、負荷１１、コンデンサＣ３００２の順に経由して整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第５電流経路」と称する。）が形成される。この第５電流経路は、コンデンサＣ３００２を充電する第２充電路と同じである。ここにおいて、インダクタＬ３００２に蓄積された磁気的エネルギが、第４電流経路を流れる電流により負荷１１に放出されるとともに、第５電流経路を流れる電流によりコンデンサＣ３００２が充電される。ここにおいて、整流回路２の高電位側の出力端からダイオードＤ３００３およびダイオードＤ３００２を介してコンデンサＣ３００２に流入する電流によりコンデンサＣ３００２が充電されるとともに、ダイオードＤ３００２を流れる電流は減少していく。このとき、コンデンサＣ３００２の両端間の電圧は、整流回路２の出力電圧の瞬時値よりもインダクタＬ３００２の両端間に生じる電圧分だけ高い電圧から負荷１１での電圧降下分Ｖｆだけ低い電圧となる。また、コンデンサＣ３００１の両端間の電圧は、ダイオードＤ３００２のオン電圧Ｖｏｎと同程度であるため、略０Ｖで維持される。

そして、図１７（ｂ）に示すように、インダクタＬ３００２に蓄積された磁気的エネルギの全てが放出されると、整流回路２の高電位側の出力端から、インダクタＮＦ、ダイオードＤ３００３、コンデンサＣ３００１、コンデンサＣ３００２の順に経由して整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第６電流経路」と称する。）が形成される。この第６電流経路は、コンデンサＣ３００２，Ｃ３００１を充電するための第１充電路と同じである。このように、スイッチング素子Ｑ１がオフ状態を継続しているときであって、コンデンサＣ３００１の電荷が無くなり且つインダクタＬ３００２に蓄積された磁気的エネルギの放出が完了すると、第６電流経路を通じてコンデンサＣ３００２だけでなくコンデンサＣ３００１にも充電電流が流れることになる。この結果、スイッチング素子Ｑ１のオフ時において、最初、コンデンサＣ３００２は、第３電流経路或いは第５電流経路を通じて充電され、そのうち、第６電流経路を通じても充電されることになる。

次に、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが、コンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２未満の場合について説明する。

図１８（ａ）はスイッチング素子Ｑ１のオン期間における電流の流れを示し、図１８（ｂ）および図１９は、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間における電流の流れを示している。

図１８（ａ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１のオン期間では、コンデンサＣ３００１の一端から、インダクタＬ３００２、スイッチング素子Ｑ１、抵抗Ｒ７の順に経由して、コンデンサＣ３００２の他端に至る電流経路（以下、「第７電流経路」と称する。）が形成される。ここにおいて、コンデンサＣ３００１の一端から第７電流経路を介して放電されることにより、インダクタＬ３００２に磁気的エネルギが蓄積される。また、電圧（ＶＣ１＋ＶＣ２）は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも高い電圧となっている。従って、ダイオードＤ３００３は、非導通状態となり、整流回路２から電圧変換回路３００３に流入する電流は遮断されている。

一方、図１８（ｂ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間では、インダクタＬ３００２の他端から、ダイオードＤ３００１、負荷１１、コンデンサＣ３００１の順に経由して、インダクタＬ３００２の一端に至る電流経路（以下、「第８電流経路」と称する。）が形成される。ここにおいて、インダクタＬ３００２に蓄積された磁気的エネルギおよびコンデンサＣ３００１に蓄積された電荷が、第８電流経路を流れる電流により負荷１１に放出される。このとき、インダクタＬ３００２の両端間に生じる電圧とコンデンサＣ３００１の両端間に生じる電圧との和が、負荷１１に印加される電圧に等しくなっている。このとき、コンデンサＣ３００２の両端間の電圧は略一定に維持されている。

その後、図１９に示すように、コンデンサＣ３００１の放電が完了すると、インダクタＬ３００２の他端から、ダイオードＤ３００１、負荷１１、ダイオードＤ３００２の順に経由して、インダクタＬ３００２の一端に至る電流経路（以下、「第９電流経路」と称する。）が形成される。ここにおいて、インダクタＬ３００２に蓄積された磁気的エネルギが、第９電流経路を流れる電流により負荷１１に放出される。また、コンデンサＣ３００１の両端間の電圧は、ダイオードＤ３００２のオン電圧Ｖｏｎと同程度であるため、略０Ｖで維持される。

そして、インダクタＬ３００２に蓄積された磁気的エネルギの全てが放出されると、直流電源回路３００１内にコンデンサＣ４から負荷１１への放電電流だけしか電流が流れなくなる。

次に、インダクタＬ３００２に流れる電流ＩＬ２、コンデンサＣ３００１の両端間の電圧ＶＣ１、ダイオードＤ３００３のカソード電圧ＶＤ３、交流電源ＡＣから整流回路２に流れる電流Ｉｉｎそれぞれの時間波形について説明する。

直流電源回路３００１について、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作を図２０（ａ）に示し、インダクタＬ３００２に流れる電流ＩＬ２の時間波形を図２０（ｂ）に示し、コンデンサＣ３００１の両端間の電圧ＶＣ１の時間波形を図２０（ｃ）に示す。そして、ダイオードＤ３００３のカソード電圧ＶＤ３の時間波形を図２０（ｄ）に示し、交流電源ＡＣから整流回路２に流れる電流Ｉｉｎの時間波形を図２０（ｅ）に示す。図２０（ａ）乃至（ｃ）に示す時間波形は、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎがコンデンサＣ３００２の両端間に生じる電圧ＶＣ２以上の場合を示している。

スイッチング素子Ｑ１のオン期間中、インダクタＬ３００２を経由する第１電流経路を流れる電流ＩＬ２が発生すると同時に、Ｃ電流経路を流れる電流が発生する。そして、スイッチング素子Ｑ１のオン期間中、インダクタＬ３００２を流れる電流ＩＬ２が漸増していく（図２０（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ０乃至Ｔ１の期間）。また、コンデンサＣ３００１の両端間の電圧ＶＣ１は、コンデンサＣ３００１の放電に伴い漸減していく（図２０（ｃ）の時刻Ｔ０乃至Ｔ１の期間）。このとき、ダイオードＤ３００３のカソードの電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも高い電圧ＶＣ２で略一定に維持され、ダイオードＤ３００３は非導通状態となる。このとき、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路３００３に流れる電流Ｉｉｎも存在する（図２０（ｅ）の時刻Ｔ０乃至Ｔ１の期間）。

次に、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中、インダクタＬ３００２が自己に蓄積されていた磁気的エネルギを放出し始め、これに伴い、インダクタＬ３００２に流れる電流ＩＬ２が減少していく（図２０（ａ）および（ｂ）の時刻Ｔ１乃至Ｔ２の期間）。このとき、コンデンサＣ３００１が放電し続けることにより、コンデンサＣ３００１の両端間の電圧ＶＣ１は更に減少していく（図２０（ｃ）の時刻Ｔ１乃至Ｔ２の期間）。スイッチング素子Ｑ１のオフ直後は、ダイオードＤ３００３のカソード電圧ＶＤ３が整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも高い電圧ＶＣ２で維持される。

続いて、コンデンサＣ３００１が自己に蓄積された電荷を全て放電すると、インダクタＬ３００２の磁気的エネルギの放出に伴い、第４電流経路を辿る電流が発生する。これと同時に、出力電圧の瞬時値ＶｉｎがコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２以上なので、第５電流経路を流れる電流が発生する。また、ダイオードＤ３００３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎの大きさとコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２との差に応じて、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３００３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧ＶＣｔｈ２まで低下する（図２０（ｄ）の時刻Ｔ２乃至Ｔ３）。そして、第５電流経路を流れる電流の増加に伴い、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路３００３に流れる電流Ｉｉｎが増加していく（図２０（ｅ）の時刻Ｔ２乃至Ｔ３の期間）。

その後、インダクタＬ３００２が自己に蓄積された磁気的エネルギを全て放出すると、インダクタＬ３００２に流れる電流ＩＬ２はゼロとなる（図２０（ｂ）の時刻Ｔ３乃至Ｔ４の期間）。そして、第６電流経路を流れる電流が発生する。この第６電流経路を辿る電流により、コンデンサＣ３００１，Ｃ３００２が充電されていき、コンデンサＣ３００１の両端間の電圧ＶＣ１も増加していく（図２０（ｃ）の時刻Ｔ３乃至Ｔ４の期間）。このとき、ダイオードＤ３００３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３００３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧ＶＣｔｈ２に一度低下するとその電圧ＶＣｔｈ２で維持されている（図２０（ｄ）の時刻Ｔ３乃至Ｔ４の期間）。ここで、カソード電圧ＶＤ３は、時刻Ｔ２乃至Ｔ３の期間において、電圧ＶＣｔｈ２まで低下した場合は、時刻Ｔ３乃至Ｔ４の期間中は電圧ＶＣｔｈ２で維持される。また、第６電流経路を流れる電流は、コンデンサＣ３００１，Ｃ３００２の充電完了が近づくにつれて減少していく。これに伴い、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路３００３に流れる電流Ｉｉｎも減少していく（図２０（ｅ）の時刻Ｔ３乃至Ｔ４の期間）。

そして、スイッチング素子Ｑ１が再びオンすると、第１電流経路を流れる電流ＩＬ２が発生する（図２０（ａ）および（ｂ）参照）とともに、Ｃ電流経路を流れる電流も発生する。以後、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作に応じて前述の現象が繰り返される。

以上説明したように、ダイオードＤ３００３のカソード電圧ＶＤ３および電流Ｉｉｎは、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作に応じて変動する。そして、スイッチング素子Ｑ１が高い周波数でオンオフ動作を行うと、ダイオードＤ３００３のカソード電圧ＶＤ３および電流Ｉｉｎもスイッチング素子Ｑ１の動作に追従するように高周波で変動する。

直流電源回路３００１における、交流電源ＡＣから整流回路２への入力電圧Ｖｓの時間波形を図２１（ａ）に示し、ダイオードＤ３００３のカソード電圧ＶＤ３の時間波形を図２１（ｂ）に示し、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎと整流回路２から電圧変換回路３００３に流れる電流Ｉｉｎの時間波形を図２１（ｃ）に示す。なお、図２１（ｂ）における一点鎖線は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎの時間波形を示している。

交流電源ＡＣから整流回路２への入力電圧Ｖｓは、正弦波状であって、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎは、入力電圧Ｖｓの絶対値が最大となるときに最大となるような略脈流状の時間波形を有する（図２１（ｂ）の一点鎖線参照）。

ダイオードＤ３００３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎがコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２以上の期間（図２１（ｂ）の期間Ｔｉｎ参照）は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも高い電圧ＶＣ２と、出力電圧の瞬時値ＶｉｎよりもダイオードＤ３００３のオン電圧Ｖｏｎだけ低い電圧ＶＣｔｈ２との間で変動する（図２１（ｂ）参照）。そして、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路３００３に流れる電流Ｉｉｎは、期間Ｔｉｎにおいて、カソード電圧ＶＤ３が整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも高い電圧ＶＣ２にあるときは著しく減少し、カソード電圧ＶＤ３が整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも低い電圧ＶＣｔｈ２にあるときは流れ続ける（図２１（ｃ）参照）。ここで、カソード電圧ＶＤ３が電圧ＶＣ２にあるときも電流が若干流れるのはインダクタＮＦが存在するからである。

ところで、ダイオードＤ３００３のカソード電圧ＶＤ３は、スイッチング素子Ｑ１のオンオフに同期して高周波で変動する。そして、電圧ＶＣ２の包絡波形は、第３電流経路に含まれるインダクタＬ３００２、負荷１１とコンデンサＣ３００２とによって定まる時定数に依存しており、整流回路２の出力電圧である脈流波形よりも遅れる。従って、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが最大値に到達した時点における電圧ＶＣｔｈ２は、当該最大値に比べて小さくなる。そして、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが最大値に到達した後、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎがコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２が等しくなるまでの期間、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが電圧ＶＣｔｈ２以上の状態が継続し、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中に整流回路２の高電位側の出力端から第３電流経路、第５電流経路または第６電流経路を介して整流回路２の低電位側の出力端に電流が流れる。

一方、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎがコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２未満の期間（図２１（ｂ）の期間Ｔｓ参照）は、ダイオードＤ３００３のカソード電圧ＶＤ３は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎよりも高い電圧で維持され、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路３００３に流れる電流Ｉｉｎは遮断される（図２１（ｂ）および（ｃ）参照）。

以上のように、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎがコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２以上である期間、即ち、ダイオードＤ３００３が断続的にオンする期間が、整流回路２の出力電圧の半周期よりも長くなり、その分、力率が向上する。

また、入力電流Ｉｉｎの時間波形は、整流回路２の出力電圧の瞬時値とコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２との差が最大となる時刻近辺で最大となるような形状をしている。図２１で説明すると、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎとコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２との差が最大となる時刻は、各期間Ｔｉｎの略中間の時刻に相当する。これは、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎとコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２との差が大きいほど、スイッチング素子Ｑ１のオフ時におけるコンデンサＣ３００２への電流流入量が増加し、交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路３００３に流れる電流Ｉｉｎが増加するためである。

なお、電圧閾値Ｖｔｈは、コンデンサＣ３００１，Ｃ３００２の静電容量やインダクタＬ３００２のインダクタンスで定まる量である。従って、コンデンサＣ３００１，Ｃ３００２の静電容量やインダクタＬ３００２のインダクタンスを変化させることにより、電圧閾値Ｖｔｈを任意の値に設定することができる。

次に、本実施の形態に係る直流電源回路３００１の特性について、比較例に係る直流電源回路１００１と比較しながら説明する。

比較例に係る直流電源回路１００１の回路図を図２２に示す。なお、実施の形態３と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

直流電源回路１００１では、電圧変換回路１００３が、スイッチング素子Ｑ１と、インダクタＬ１００２と、ダイオードＤ１００１，Ｄ１００２，Ｄ３と、コンデンサＣ１００２，Ｃ４と、抵抗Ｒ７とを備える。インダクタＬ１００２は、一端がスイッチング素子Ｑ１のドレインに接続されている。ダイオードＤ１００２は、アノードが負荷１１に接続され、カソードがコンデンサＣ１００２に接続されている。

コンデンサＣ４は、一端がダイオードＤ１００１のカソードに接続され、他端がダイオードＤ１００２のアノードに接続されている。

この比較例に係る直流電源回路１００１は、整流回路２の出力端間にコンデンサＣ１００２が接続されている点が直流電源回路３００１と相違する点である。

直流電源回路３００１における、交流電源ＡＣから整流回路２への入力電圧Ｖｓの時間波形を図２３（ａ）に示し、ダイオードＤ３００３のカソード電圧ＶＤ３の時間波形を図２３（ｂ−１）に示し、交流電源ＡＣから整流回路２に流れる電流Ｉｉｎの時間波形を図２３（ｂ−２）に示す。また、比較例に係る直流電源回路１００１における、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３の時間波形を図２３（ｃ−１）に示し、交流電源ＡＣから整流回路２に流れる電流Ｉｉｎの時間波形を図２３（ｃ−２）に示す。ここにおいて、直流電源回路３００１と直流電源回路１００１とで、交流電源ＡＣから供給される電力と、負荷１１に供給される電力とは略同じになるように設定されているものとする。

図２３（ｂ−１）および（ｂ−２）と図２３（ｃ−１）および（ｃ−２）とから判るように、直流電源回路３００１は、交流電源ＡＣから整流回路２への入力電流Ｉｉｎが断続的に流れている期間Ｔｉｎが、比較例に係る直流電源回路１００１の同期間Ｔｉｎ０に比べて長くなっている。また、直流電源回路３００１における入力電流Ｉｉｎの最大値（波高値）Ｉｉｎｍａｘ１は、比較例に係る直流電源回路１００１における入力電流Ｉｉｎの最大値（波高値）Ｉｉｎｍａｘ２に比べて低くなっている。そして、両直流電源回路３００１，１００１について交流電源ＡＣから供給される電力および負荷１１に供給される電力が略同じであることから、入力電流Ｉｉｎの時間積分値は、両者で略同じになっている。即ち、直流電源回路３００１は、比較例に係る直流電源回路１００１に比べて、入力電流Ｉｉｎの時間波形を波高値が低く且つ入力電流Ｉｉｎが流れている期間Ｔｉｎが長いものとすることにより、比較例に係る直流電源回路１００１に比べて力率が向上している。実際、比較例に係る直流電源回路１００１では、入力電力５．４５Ｗのときに力率が０．５８であるのに対して、実施の形態３に係る直流電源回路３００１では、各種ノイズやインラッシュなどの環境配慮による損失増加分があっても、入力電力５．７７Ｗのときに力率が０．８２となる。なお、従来の直流電源回路では、環境配慮損失を入れると５％程度の回路効率低下が生じるのが一般的である。これに対して、直流電源回路３００１では、回路効率を８２％程度で維持できるという利点がある。

また、直流電源回路３００１では、コンデンサＣ３００２の静電容量に対するコンデンサＣ３００１の静電容量の比（以下、「容量比」と称する。）が大きくなると、力率が低下してしまう。実際、コンデンサＣ３００２の静電容量が７．５μＦに設定された直流電源回路３００１について、コンデンサＣ３００１の静電容量が０．０２２μＦ（容量比が０．０２２／７．５）の場合、力率が０．８２であるのに対して、コンデンサＣ３００１の静電容量が０．１μＦ（容量比が０．１／７．５）の場合、力率が０．７１程度にまで低下してしまう。これは、コンデンサＣ３００１の静電容量が大きくなると、コンデンサＣ３００２に対するコンデンサＣ３００１の分圧比が低下してしまい、コンデンサＣ３００２に対するコンデンサＣ３００１の放電の影響が小さくなるからと考えられる。

結局、本実施の形態に係る直流電源回路３００１は、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中に整流回路２の高電位側の出力端から第３電流経路、第５電流経路または第６電流経路を介して整流回路２の低電位側の出力端に電流が流れる。この第３電流経路、第５電流経路および第６電流経路が上記出力端間電流経路に相当する。ここで、コンデンサＣ３００２は、最初、第３電流経路或いは第５電流経路を通じて充電され、その後、第６電流経路を通じて充電されることになる。その後、スイッチング素子Ｑ１のオン期間中、コンデンサＣ３００２に蓄積された電荷の放電により生じる電流がインダクタＬ３００２を流れることにより、インダクタＬ３００２に磁気的エネルギが蓄積される。その後のスイッチング素子Ｑ１のオフ期間中に、インダクタＬ３００２に蓄積された磁気的エネルギが負荷１１に供給される。そして、スイッチング素子Ｑ１がオンオフ動作を繰り返すことで、第３電流経路、第５電流経路または第６電流経路が断続的に形成される。

また、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎの半周期において、コンデンサＣ３００２の充電電圧の立ち上がりは、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎの立ち上がりよりも遅れる。従って、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが最大値に到達した時点では、コンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２が当該最大値に比べて小さい。そして、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが最大値に到達した後、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎとコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２が等しくなるまでの期間、整流回路２の出力電圧の瞬時値ＶｉｎがコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２よりも大きい状態が継続する。この整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎの一周期において、出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが立ち上がってからコンデンサＣ３００２の両端間の電圧ＶＣ２に等しくなるまでの期間では、スイッチング素子Ｑ１がオンオフ動作を繰り返すことにより、整流回路２の高電位側の出力端から第３電流経路、第５電流経路または第６電流経路を通じて整流回路２の低電位側の出力端に至る電流が断続的に流れ続ける。つまり、整流回路２の出力電圧の半周期よりも長い期間、整流回路２の高電位側の出力端から低電位側の出力端に向かって断続的に電流が流れる。

このように、本構成は、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが最大値に到達した後、交流電源ＡＣから整流回路２を介してコンデンサＣ３００２に流れ込む電流が遮断される構成に比べて、整流回路２の出力電圧の瞬時値Ｖｉｎが最大値に到達した後も交流電源ＡＣから整流回路２を介してコンデンサＣ３００２に電流が流れる期間が存在するので、その分、整流回路２に電流が流れる期間を長くすることができ、力率向上を図ることができる。

更に、一般的な力率改善を図った直流電源回路として、整流回路にＰＦＣ回路（力率改善回路）を接続し、更にその後段に昇降圧回路を接続した構成がある。そして、このＰＦＣ回路は、スイッチング素子やインダクタ、制御用ＩＣ等から構成されるものである。これに対して、本実施の形態に係る直流電源回路３００１では、別途ＰＦＣ回路を設けることなく力率を改善できるものであり、その分、回路規模の縮小およびＰＦＣ回路での電力損失低減による回路効率の向上を図ることができるという利点がある。

＜実施の形態４＞
実施の形態１では、電圧変換回路３が降圧チョッパ回路を構成する例について説明したが、これに限定されるものではなく、昇降圧チョッパ回路を構成するものであってもよい。

本実施の形態に係る直流電源回路２２０１の回路図を図２４に示す。

図２４に示すように、電圧変換回路２２０３は、昇降圧チョッパ回路を構成するものであり、インダクタ（第１インダクタ）Ｌ２２０１と負荷１１との接続関係が実施の形態１とは相違する。

具体的には、インダクタＬ２２０１は、一端が負荷１１のみならずコンデンサＣ２にも接続され、他端がスイッチング素子Ｑ１のドレインに接続されている。ここで、インダクタＬ２２０１の一端は、コンデンサＣ２に負荷１１を介さずに接続されている。

次に、本実施の形態に係る直流電源回路２２０１の動作について説明する。

直流電源回路２２０１の立ち上げ時において、スイッチング素子Ｑ１がオフした状態で、整流回路２から電圧変換回路２２０３に電圧が入力されると、整流回路２の高電位側の出力端からダイオードＤ３、ダイオードＤ２を経由して、コンデンサＣ２にインラッシュ電流が流れ込む。これにより、コンデンサＣ２は、整流回路２の出力電圧に略等しい電圧まで充電される。その後、直流電源回路２２０１内には、スイッチング素子Ｑ１のオンオフ状態に応じて以下に説明する電流経路で電流が流れる。

直流電源回路２２０１の回路図と、直流電源回路２２０１内における電流の流れとを図２５（ａ）および（ｂ）並びに図２６に示す。なお、図２５（ａ）および（ｂ）並びに図２６において、定電圧回路４の図示は省略している。

図２５（ａ）は、スイッチング素子Ｑ１がオンしたときの電流の流れを示し、図２５（ｂ）および図２６は、スイッチング素子Ｑ１がオフしたときの電流の流れを示している。

図２５（ａ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１がオンすると、整流回路２の高電位側の出力端から、ダイオードＤ３、インダクタ（第２インダクタ）Ｌ２２０２、スイッチング素子Ｑ１、抵抗Ｒ７の順に経由して、整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第１電流経路」と称する。）が形成される。同時に、コンデンサＣ２の他端から、インダクタＬ２２０１、スイッチング素子Ｑ１、抵抗Ｒ７の順に経由して、コンデンサＣ２の一端に至る電流経路（以下、「第２電流経路」と称する。）が形成される。このとき、コンデンサＣ２の両端間の電圧は、整流回路２の出力電圧よりも高くなっており、ダイオードＤ２は非導通状態となる。また、インダクタＬ２２０２とスイッチング素子Ｑ１との接続点の電位は、略０Ｖとなることから、ダイオードＤ２２０１も非導通状態となる。そして、インダクタＬ２２０１には、第２電流経路に電流が流れることにより磁気的エネルギが蓄積される。また、第２電流経路は、前回のスイッチング素子Ｑ１のオフ時にコンデンサＣ２に蓄積された電荷を放電する放電路に相当する。そして、インダクタＬ２２０２には、この第１電流経路に電流が流れることにより磁気的エネルギが蓄積される。

一方、図２５（ｂ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１がオフすると、整流回路２の高電位側の出力端から、ダイオードＤ３、インダクタＬ２２０２、ダイオードＤ２２０１、負荷１１、コンデンサＣ２を経由して整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第３電流経路」と称する。）が形成される。同時に、インダクタＬ２２０１の他端から、ダイオードＤ２２０１、負荷１１を経由してインダクタＬ２２０１の一端に至る電流経路（以下、「第４電流経路」と称する。）が形成される。このとき、インダクタＬ２２０１とスイッチング素子Ｑ１との接続点の電位は、負荷１１とダイオードＤ２２０１のカソードとの接続点の電位よりもダイオードＤ２２０１のオン電圧分だけ高くなり、ダイオードＤ２２０１が導通状態となる。
また、インダクタＬ２２０２が自己に蓄積された磁気的エネルギを放出する際、第３電流経路を流れる電流によりコンデンサＣ２が充電される。

その後、図２６に示すように、インダクタＬ２２０２の自己に蓄積された磁気的エネルギの放出が完了すると、第３電流経路を流れる電流が遮断され、インダクタＬ２２０１の自己に蓄積された磁気的エネルギの放出が完了するまでの間、第４電流経路に電流が流れ続ける。

本実施の形態に係る直流電源回路２２０１では、スイッチング素子Ｑ１がオンしている期間は、第１電流経路を通じて、整流回路２の高電位側の出力端から低電位側の出力端に電流が流れるし、スイッチング素子Ｑ１がオフしている期間においても、第３電流経路を通じて、整流回路２の高電位側の出力端から低電位側の出力端に電流が流れる。この第１電流経路および第３電流経路が上記出力端間電流経路に相当する。そして、スイッチング素子Ｑ１は、交流電源ＡＣの各半周期において複数回オンオフされるので、半周期の略全区間において整流回路２から電圧変換回路２２０３に電流が流れ続ける。これにより、直流電源回路２２０１の交流電源ＡＣ側から見た力率が高くなっている。

また、スイッチング素子Ｑ１がオフする度に第３電流経路を通じてコンデンサＣ２が充電されることにより、コンデンサＣ２の両端間の電圧変動を少なくすることができる。これにより、コンデンサＣ２の他端から第４電流経路を通じて負荷１１に流れる電流の変動が抑制されている。従って、直流電源回路２２０１は、負荷１１に流れる電流変動が少ない状態で運転できる。

＜実施の形態５＞
本実施の形態に係る直流電源回路２０１の回路図を図２７に示す。

図２７に示すように、直流電源回路２０１は、電圧変換回路２０３の構成が実施の形態４とは相違する。具体的には、電圧変換回路２０３が、インダクタＬ２２０１の他端から整流回路２の高電位側の出力端に至るインダクタＬ２２０２を含む経路中に、インダクタＬ２２０２と直列に介挿されたコンデンサ（副コンデンサ）Ｃａを備える。コンデンサＣａは、一端が整流回路２の高電位側の出力端に接続され、他端がインダクタＬ２２０２に接続されている。なお、実施の形態４と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

次に、本実施の形態に係る直流電源回路２０１の動作について説明する。

本実施の形態に係る直流電源回路２０１の回路図と、直流電源回路２０１内における電流の流れとを図２８（ａ）および（ｂ）に示す。なお、図２８（ａ）および（ｂ）において定電圧回路４は図示を省略している。

図２８（ａ）はスイッチング素子Ｑ１がオンのときの電流の流れを示し、図２８（ｂ）並びに図２９はスイッチング素子Ｑ１がオフのときの電流の流れを示している。

図２８（ａ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１がオンすると、整流回路２の高電位側の出力端から、ダイオードＤ３、コンデンサ（副コンデンサ）ＣａおよびインダクタＬ２２０２、スイッチング素子Ｑ１の順に経由して、整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第１電流経路」と称する。）が形成される。同時に、コンデンサＣ２の他端から、インダクタＬ２２０１、スイッチング素子Ｑ１、抵抗Ｒ７の順に経由して、コンデンサＣ２の一端に至る電流経路（以下、「第２電流経路」と称する。）が形成される。また、整流回路２の高電位側の出力端から、ダイオードＤ３、ダイオードＤ２、インダクタＬ２２０１、スイッチング素子Ｑ１、抵抗Ｒ７の順に経由して、整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「Ｂ電流経路」と称する。）が形成される。

ここにおいて、整流回路２の高電位側の出力端から第１電流経路を通って電流が流れることにより、コンデンサＣａが充電されるとともに、インダクタＬ２２０２に磁気的エネルギが蓄積される。また、第２電流経路およびＢ電流経路を流れる電流により、インダクタＬ２２０１に磁気的エネルギが蓄積される。

ところで、コンデンサＣ２の他端からインダクタＬ２２０１に供給される電流は、コンデンサＣ２の放電とともに低下していく。これに対して、直流電源回路２０１では、第２電流経路を流れる電流に加えてＢ電流経路を流れる電流により、インダクタＬ２２０１に電流を供給するので、インダクタＬ２２０１に流れる電流の低下を抑制できる。

一方、図２８（ｂ）に示すように、スイッチング素子Ｑ１がオフすると、整流回路２の高電位側の出力端から、ダイオードＤ３、コンデンサＣａ、インダクタＬ２２０２、ダイオードＤ２２０１、負荷１１、コンデンサＣ２を経由して、整流回路２の低電位側の出力端に至る電流経路（以下、「第３電流経路」と称する。）が形成される。同時に、インダクタＬ２２０１の他端から、ダイオードＤ２２０１、負荷１１の順に経由して、インダクタＬ２２０１の一端に至る電流経路（以下、「第４電流経路」と称する。）が形成される。

ここにおいて、コンデンサＣ２が第３電流経路を流れる電流により充電されるとともに、インダクタＬ２２０１に蓄積された磁気的エネルギが第４電流経路に電流が流れることにより負荷１１側に放出される。また、コンデンサＣａでは、第３電流経路を流れる電流により充電が継続される。

その後、図２９に示すように、スイッチング素子Ｑ１がオフの状態において、コンデンサＣａの充電が完了すると、すぐに、コンデンサＣａの電荷の放出が始まる。コンデンサＣａの一端から、ダイオードＤ２、インダクタＬ２２０１、インダクタＬ２２０２の順に経由して、コンデンサＣａの他端に至る電流経路（以下、「第５電流経路」と称する。）が形成される。また、第４電流経路を辿る電流は継続して流れている。また、コンデンサＣａに蓄積されたエネルギは、インダクタＬ２２０１に磁気的エネルギとして移動する。その移動した磁気的エネルギはインダクタＬ２２０１の他端から、ダイオードＤ２２０１、負荷１１を通る第４電流経路を介して負荷１１に供給され回路損失にはならない。

本実施の形態においても、ダイオードＤ３のカソード電圧ＶＤ３の時間波形は、図１１（ｄ）および図１２（ｄ）に示す時間波形と同様になる。また、ダイオードＤ３を流れる電流ＩＤ３の時間波形も、図１１（ｅ）および図１２（ｅ）に示す時間波形と同様になる。従って、実施の形態２と同様に、交流電源ＡＣから整流回路２に供給される交流の各周期について、全期間に亘ってスイッチング素子Ｑ１のオンオフ周期で交流電源ＡＣから整流回路２を介して電圧変換回路２０３に断続的に電流を流し続けることができる（図１３（ｃ）および（ｄ）参照）。そして、第１電流経路および第３電流経路が上記出力端間電流経路に相当する。
＜変形例＞
（１）実施の形態１では、定電圧回路４が、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中にインダクタＬ１，Ｌ２から供給される電流によりコンデンサＣ４７を充電し、スイッチング素子Ｑ１のオン期間中にダイオードＤ４８を介してコンデンサＣ４７を放電することにより、コンデンサＣ４７に蓄積した分の電荷をコンデンサＣ４３へ送る構成である例について説明したが、定電圧回路４の構成および定電圧回路４に電流を供給する構成は、これに限定されるものではない。例えば、インダクタＬ２の代わりにトランスを設けて、このトランスの二次巻線から定電圧回路４に電流を供給するようにしてもよい。

本変形例に係る直流電源回路２４０１の回路図を図３０に示す。なお、実施の形態１と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

直流電源回路２４０１では、電圧変換回路２４０３が一次巻線Ｌ２４１１および二次巻線Ｌ２４１２を有するトランスＴｒ２４０１を備えている。ここで、一次巻線Ｌ２４１１は、実施の形態１におけるインダクタＬ２として機能する。このトランスＴｒ２４０１は、一次巻線Ｌ２４１１の極性と二次巻線Ｌ２４１２の極性とが同じになっている。そして、定電圧回路４０４では、当該定電圧回路４０４の高電位側の入力端（トランスＴｒ２４０１の二次巻線Ｌ２４１２と抵抗Ｒ４６との接続点）と整流回路２の低電位側の出力端との間にコンデンサＣ４４７が接続されている。この定電圧回路４０４は、図１における定電圧回路４についてコンデンサＣ４７とダイオードＤ４８とを省き、コンデンサＣ４４７を追加した構成となっている。
このコンデンサＣ４４７は、二次巻線Ｌ２４１２に対していわゆるスナバコンデンサとして機能するものであって、二次巻線Ｌ２４１２の両端間に生じる過渡的なサージ電圧を吸収するためのものである。なお、定電圧回路４０４についてこのコンデンサＣ４４７が無い構成であってもよい。本変形例によれば、スイッチング素子Ｑ１がオフするタイミング（トランスＴｒ２４０１の一次巻線Ｌ２４１１が磁気的エネルギを放出するタイミング）で、二次巻線Ｌ２４１２から定電圧回路４０４に電流が供給される。具体的には、二次巻線Ｌ２４１２から抵抗Ｒ４６、ダイオードＤ４５を経由してコンデンサＣ４３に電流が流れ込み、コンデンサＣ４３が充電されることになる。

なお、図３０に示す構成の直流電源回路２４０１では、トランスＴｒ２４０１の一次巻線Ｌ２４１１の極性と二次巻線Ｌ２４１２との極性とが同じである例について説明したが、一次巻線Ｌ２４１１の極性と二次巻線Ｌ２４１２の極性とが反対であってもよい。この場合、スイッチング素子Ｑ１がオンするタイミング（一次巻線Ｌ２４１１に磁気的エネルギが蓄積されるタイミング）で、二次巻線Ｌ２４１２から定電圧回路４０４に電流が供給される。

また、図３０に示す構成の変形例では、一次巻線Ｌ２４１１が磁気的エネルギを放出するタイミング、或いは、一次巻線Ｌ２４１１に磁気的エネルギが蓄積されるタイミングのいずれか一方で、二次巻線Ｌ２４１２から定電圧回路４０４に電流が供給される例について説明したが、これに限定されるものではなく、一次巻線Ｌ２４１１が磁気的エネルギを放出するタイミング、および、一次巻線Ｌ２４１１に磁気的エネルギが蓄積されるタイミングの両方で、二次巻線Ｌ２４１２から定電圧回路４０４に電流が供給されるものであってもよい。

他の変形例に係る直流電源回路２５０１の回路図を図３１に示す。なお。図３０に示す構成と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

直流電源回路２５０１では、電圧変換回路２５０３がトランスＴｒ２４０１の二次巻線Ｌ２４１２の両端間に入力端が接続されたダイオードブリッジＤＢを備えている点が、図３０に示す構成とは相違する。ここで、ダイオードブリッジＤＢの高電位側の出力端が、定電圧回路４０４に接続され、低電位側の出力端が整流回路２の低電位側の出力端に接続されている。なお、トランスＴｒ２４０１において、一次巻線Ｌ２４１１の極性と二次巻線Ｌ２４１２とは極性とが反対であってもよい。

ここにおいて、スイッチング素子Ｑ１がオンするタイミングおよびオフするタイミングのいずれにおいても、ダイオードブリッジＤＢから定電圧回路４０４に電流が供給される。

また、電圧変換回路３側から電力供給を行う構成として、例えば、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間において、インダクタＬ１およびダイオードＤ１のアノードの接続点の電圧が所定の電圧以下のときに、定電圧回路４に電力を供給するようにしてもよい。

変形例に係る直流電源回路２６０１の回路図を図３２に示す。なお、実施の形態１と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

直流電源回路２６０１では、電圧変換回路２６０３のダイオードＤ１のアノードとインダクタＬ１との間の接続点と、定電圧回路６０４との間にスイッチング素子Ｑ６０２が介挿されている。また、駆動回路Ｕ２は、スイッチング素子Ｑ６０２を制御するための制御用の信号電圧を出力する制御端子ｔｅ４を備えている。

スイッチング素子Ｑ６０２は、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴから構成されている。このスイッチング素子Ｑ６０２は、ソースが定電圧回路６０４に接続され且つゲートが抵抗Ｒ６１２を介して駆動回路Ｕ２の制御端子ｔｅ４に接続されるとともに、ドレインがダイオードＤ１のアノードおよびインダクタＬ１の接続点に接続されている。

ここにおいて、駆動回路Ｕ２は、スイッチング素子Ｑ１のゲート電圧がスイッチング素子Ｑ１のオン電圧未満の電圧（略０Ｖ）に維持される期間、スイッチング素子Ｑ１がオフし、インダクタＬ１およびダイオードＤ１のアノードの接続点の電圧が所定の電圧以下になると、制御端子ｔｅ４の信号電圧をスイッチング素子Ｑ６０２のオン電圧以上の電圧にすることによりスイッチング素子Ｑ６０２をオンする。このスイッチング素子Ｑ６０２をオンするタイミングは予め設定されている。これにより、定電圧回路６０４内における抵抗Ｒ４６での電力損失を低減できて、回路効率が改善できる。また、定電圧回路６０４の回路素子の数を削減できるので、回路の小型化を図ることができる。

（２）実施の形態１では、電圧変換回路３として非絶縁型の電圧変換回路を備える例について説明したが、これに限定されるものではなく、絶縁型の電圧変換回路を備えるものであってもよい。

本変形例に係る直流電源回路２３０１の回路図を図３３に示す。なお、実施の形態１と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

図３３に示すように、電圧変換回路２３０３は、フライバックコンバータを構成するものであり、スイッチング素子Ｑ１と、一次巻線Ｌ２３１１および二次巻線Ｌ２３１２を有するトランスＴｒ２３０２と、ダイオードＤ２，Ｄ３，Ｄ２３０１と、コンデンサＣ２，Ｃ２３０４と、抵抗Ｒ７とを備える。ここで、トランスＴｒ２３０２は、一次巻線Ｌ２３１１の極性と二次巻線Ｌ２３１２の極性とが反対になっている。スイッチング素子Ｑ１は、ソースが抵抗Ｒ７を介して整流回路２の低電位側の出力端に接続され且つゲートが抵抗Ｒ１１を介して駆動回路Ｕ１に接続されるとともに、ドレインがトランスＴｒ２３０２の一次巻線Ｌ２３１１の一端に接続されている。一次巻線Ｌ２３１１の他端は、コンデンサＣ２に接続されている。トランスＴｒ２３０２の二次巻線Ｌ２３１２の一端は、ダイオードＤ２３０１を介して負荷１１の一端に接続され、二次巻線Ｌ２３１２の他端は、負荷１１の他端に接続されている。コンデンサＣ２３０４は、負荷１１と並列に接続されている。

この直流電源回路２３０１は、直流電源回路２３０１の入力側と出力側との絶縁性を高める必要がある場合に有用である。

（３）実施の形態２では、電圧変換回路２００３のインダクタＬ１がインダクタＬ２とスイッチング素子Ｑ１との間に接続されている例について説明したが、例えば、インダクタＬ１がコンデンサＣａとインダクタＬ２との間に接続される構成であってもよい。

本変形例に係る直流電源回路３０１の回路図を図３４に示す。なお、実施の形態２と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

図３４に示すように、電圧変換回路３０３は、コンデンサＣａとインダクタＬ３０２からなる直列回路を備えており、インダクタＬ３０１が、コンデンサＣａおよびインダクタＬ３０２の接続点に接続されている。また、スイッチング素子Ｑ１のドレインが、インダクタＬ３０２におけるコンデンサＣａ側とは反対側に接続されている。ここにおいて、インダクタＬ３０１が、実施の形態２におけるインダクタＬ１として機能し、インダクタＬ３０２が、実施の形態２におけるインダクタＬ２として機能する。

（４）実施の形態２では、２つのインダクタＬ１，Ｌ２を備える例について説明したが、これに限定されるものではなく、２つのインダクタＬ１，Ｌ２を１つの中間タップ付きのインダクタで代用する構成であってもよい。

本変形例に係る直流電源回路４０１の回路図を図３５に示す。なお、実施の形態２と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

図３５に示すように、電圧変換回路４０３が、中間タップ付きのインダクタＬ４０１を備えている。このインダクタＬ４０１は、一端がコンデンサＣａに接続され、他端がスイッチング素子Ｑ１のドレインに接続されるとともに、中間タップが負荷１１に接続されている。ここにおいて、インダクタＬ４０１における、中間タップよりもスイッチング素子Ｑ１のドレインに接続される側の部位が、実施の形態２におけるインダクタＬ１として機能し、中間タップよりもコンデンサＣａに接続される側の部位が、実施の形態２におけるインダクタＬ２として機能する。

本構成によれば、部品点数の削減による小型化を図ることができる。

（５）実施の形態２では、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中にインダクタＬ１，Ｌ２から供給される電流によりコンデンサＣ４７を充電し、スイッチング素子Ｑ１のオン期間中にコンデンサＣ４７を放電することにより、コンデンサＣ４７に蓄積した分の電荷をコンデンサＣ４３へ送る構成となっている例について説明したが、定電圧回路４の構成および定電圧回路４に電流を供給する構成は、これに限定されるものではない。例えば、インダクタＬ２の代わりにトランスを設けて、このトランスの二次巻線から定電圧回路４に電流を供給するようにしてもよい。

本変形例に係る直流電源回路５０１の回路図を図３６に示す。なお、実施の形態２と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

直流電源回路５０１では、電圧変換回路５０３が一次巻線Ｌａ１および二次巻線Ｌａ２を有するトランスＴｒａを備えている。ここで、一次巻線Ｌａ１が、実施の形態２におけるインダクタＬ２として機能する。このトランスＴｒａは、一次巻線Ｌａ１の極性と二次巻線Ｌａ２の極性とが同じになっている。そして、定電圧回路５０４では、当該定電圧回路５０４の高電位側の入力端（トランスＴｒａの二次巻線Ｌａ２と抵抗Ｒ４６との接続点）と整流回路２の低電位側の出力端との間にコンデンサＣ５４７が接続されている。このコンデンサＣ５４７は、二次巻線Ｌａ２に対していわゆるスナバコンデンサとして機能するものであって、二次巻線Ｌａ２の両端間に生じる過渡的なサージ電圧を吸収するためのものである。本変形例によれば、スイッチング素子Ｑ１がオフするタイミング（トランスＴｒａの一次巻線Ｌａ１が磁気的エネルギを放出するタイミング）で、二次巻線Ｌａ２から定電圧回路５０４に電流が供給される。具体的には、二次巻線Ｌａ２から抵抗Ｒ４６、ダイオードＤ４５を経由してコンデンサＣ４３に電流が流れ込み、コンデンサＣ４３が充電されることになる。なお、コンデンサＣ５４７が無い構成であってもよい。

なお、図３６に示す構成の直流電源回路５０１では、トランスＴｒａの一次巻線Ｌａ１の極性と二次巻線Ｌａ２との極性とが同じである例について説明したが、一次巻線Ｌａ１の極性と二次巻線Ｌａ２の極性とが反対であってもよい。この場合、スイッチング素子Ｑ１がオンするタイミング（一次巻線Ｌａ１に磁気的エネルギが蓄積されるタイミング）で、二次巻線Ｌａ２から定電圧回路５０４に電流が供給される。

なお、図３６に示す構成の変形例では、一次巻線Ｌａ１が磁気的エネルギを放出するタイミング、或いは、一次巻線Ｌａ１に磁気的エネルギが蓄積されるタイミングのいずれか一方で、二次巻線Ｌａ２から定電圧回路５０４に電流が供給される例について説明したが、これに限定されるものではなく、一次巻線Ｌａ１が磁気的エネルギを放出するタイミング、および、一次巻線Ｌａ１に磁気的エネルギが蓄積されるタイミングの両方で、二次巻線Ｌａ２から定電圧回路５０４に電流が供給されるものであってもよい。

他の変形例に係る直流電源回路６０１の回路図を図３７に示す。なお。図３６に示す構成と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

図３７に示すように、電圧変換回路６０３が、トランスＴｒａの二次巻線Ｌａ２の両端間に入力端が接続されたダイオードブリッジＤＢを備えている点が、図３６に示す構成とは相違する。ここで、ダイオードブリッジＤＢの高電位側の出力端が、定電圧回路５０４に接続され、低電位側の出力端が整流回路２の低電位側の出力端に接続されている。なお、トランスＴｒａにおいて、一次巻線Ｌａ１の極性と二次巻線Ｌａ２とは極性とが反対であってもよい。

ここにおいて、スイッチング素子Ｑ１がオンするタイミングおよびオフするタイミングのいずれにおいても、ダイオードブリッジＤＢから定電圧回路５０４に電流が供給される。

更に、図３６および図３７に示す構成の変形例では、インダクタＬ２の代わりにトランスを設けて、このトランスの二次巻線から定電圧回路５０４に電流を供給する例について説明したが、これに限定されず、例えば、インダクタＬ１の代わりにトランスを設けて、このトランスの二次巻線から定電圧回路４に電流を供給するようにしてもよい。

他の変形例に係る直流電源回路７０１の回路図を図３８に示す。なお。実施の形態２と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

直流電源回路７０１では、電圧変換回路７０３が一次巻線Ｌ７１１および二次巻線Ｌ７１２を有するトランスＴｒ７０１を備えている。ここで、一次巻線Ｌ７１１が、実施の形態２におけるインダクタＬ１として機能する。このトランスＴｒ７０１は、一次巻線Ｌ７１１の極性と二次巻線Ｌ７１２の極性とが同じになっている。そして、定電圧回路５０４では、当該定電圧回路５０４の高電位側の入力端（トランスＴｒ７０１の二次巻線Ｌ７１２と抵抗Ｒ４６との接続点）と整流回路２の低電位側の出力端との間にコンデンサＣ５４７が接続されている。なお、この定電圧回路５０４の構成は、図３６に示す構成と同様なので詳細な説明は省略する。本変形例によれば、スイッチング素子Ｑ１がオフするタイミング（トランスＴｒ７０１の一次巻線Ｌ７１１が磁気的エネルギを放出するタイミング）で、二次巻線Ｌ７１２から定電圧回路５０４に電流が供給される。

なお、図３８に示す構成の直流電源回路７０１では、トランスＴｒ７０１の一次巻線Ｌ７１１の極性と二次巻線Ｌ７１２との極性とが同じである例について説明したが、一次巻線Ｌ７１１の極性と二次巻線Ｌ７１２の極性とが反対であってもよい。この場合、スイッチング素子Ｑ１がオンするタイミング（一次巻線Ｌ７１１に磁気的エネルギが蓄積されるタイミング）で、二次巻線Ｌ７１２から定電圧回路５０４に電流が供給される。

他の変形例に係る直流電源回路８０１の回路図を図３９に示す。なお、実施の形態２と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

図３９に示す構成では、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間において、インダクタＬ２およびスイッチング素子Ｑ１の接続点の電圧が所定の電圧以下のときに、電圧変換回路２００３から定電圧回路８０４に電流を供給する。

直流電源回路８０１では、電圧変換回路２００３のインダクタＬ２およびスイッチング素子Ｑ１の接続点と、定電圧回路８０４との間にスイッチング素子Ｑ８０２が介挿されている。また、駆動回路Ｕ２は、スイッチング素子Ｑ８０２を制御するための制御用の信号電圧を出力する制御端子ｔｅ４を備えている。

スイッチング素子Ｑ８０２は、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴから構成されている。このスイッチング素子Ｑ８０２は、ソースが定電圧回路８０４に接続され且つゲートが抵抗Ｒ８１２を介して駆動回路Ｕ２の制御端子ｔｅ４に接続されるとともに、ドレインがインダクタＬ２およびスイッチング素子Ｑ１の接続点に接続されている。そして、定電圧回路８０４では、スイッチング素子Ｑ８０２がスイッチング素子Ｑ１のドレインと抵抗Ｒ４６との間に接続されている。

ここにおいて、駆動回路Ｕ２は、出力端子ｔｅ１の信号電圧をスイッチング素子Ｑ１のオン電圧未満の電圧（略０Ｖ）に維持することにより、スイッチング素子Ｑ１をオフ状態にしている間で、インダクタＬ２およびスイッチング素子Ｑ１の接続点の電圧が所定の電圧以下になると、制御端子ｔｅ４の信号電圧をスイッチング素子Ｑ１のオン電圧以上の電圧にすることによりスイッチング素子Ｑ８０２をオン状態にする。このスイッチング素子Ｑ８０２をオンするタイミングは予め設定されている。これにより、定電圧回路８０４内における抵抗Ｒ４６での電力損失を低減できて、回路効率が改善できる。また、定電圧回路８０４の回路素子の数を削減できるので、回路の小型化を図ることができる。

（６）実施の形態３では、第１、第２の一方向性素子として、ダイオードＤ３００１，Ｄ３００２を備える例について説明したが、第１、第２の一方向性素子としては、ダイオードに限定されるものではない。

本変形例に係る直流電源回路３３０１の回路図を図４０に示す。

図４０に示すように、電圧変換回路３３０３が、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴからなるスイッチング素子Ｑ３０１，Ｑ３０２と、抵抗Ｒ３１１，Ｒ３１２とを備えている。そして、駆動回路Ｕ３は、各スイッチング素子Ｑ３０１，Ｑ３０２のオンオフ動作を制御するための信号電圧を出力する制御端子ｔｅ４，ｔｅ５を備えている。

スイッチング素子Ｑ３０１は、ソースが負荷１１に接続され且つゲートが抵抗Ｒ３１１を介して駆動回路Ｕ３の制御端子ｔｅ４に接続されるとともに、ドレインがインダクタＬ３００２に接続されている。スイッチング素子Ｑ３０２は、ソースがダイオードＤ３００３のカソードに接続され且つゲートが抵抗Ｒ３１２を介して駆動回路Ｕ３の制御端子ｔｅ５に接続されるとともに、ドレインが負荷１１に接続されている。

（７）実施の形態３では、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中にインダクタＬ３００２の他端から供給される電流によりコンデンサＣ４７を充電し、スイッチング素子Ｑ１のオン期間中にダイオードＤ４８を介してコンデンサＣ４７を放電することにより、コンデンサＣ４７に蓄積した分の電荷をコンデンサＣ４３へ送る例について説明したが、定電圧回路４および定電圧回路４に電流を供給する構成は、これに限定されるものではない。例えば、インダクタＬ２の代わりにトランスを設けて、このトランスの二次巻線から定電圧回路に電流を供給するようにしてもよい。

本変形例に係る直流電源回路３４０１の回路図を図４１に示す。なお、実施の形態３と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

図４１に示すように、直流電源回路３４０１では、電圧変換回路３４０３が一次巻線Ｌ３４１１および二次巻線Ｌ３４１２を有するトランスＴｒ３４０２を備えている。ここで、一次巻線Ｌ３４１１は、実施の形態３におけるインダクタＬ３００２として機能する。このトランスＴｒ３４０２は、一次巻線Ｌ３４１１の極性と二次巻線Ｌ３４１２の極性とが同じになっている。そして、定電圧回路４０４では、当該定電圧回路４０４の高電位側の入力端（トランスＴｒ３４０２の二次巻線Ｌ３４１２と抵抗Ｒ４６との接続点）と整流回路２の低電位側の出力端との間にコンデンサＣ４４７が接続されており、抵抗Ｒ４６とダイオードＤ４５の接続点と整流回路２の低電位側の出力端との間にはダイオードが接続されていない（即ち、図１４におけるダイオードＤ４８が存在しない）。このコンデンサＣ４４７は、二次巻線Ｌ３４１２に対していわゆるスナバコンデンサとして機能するものであって、二次巻線Ｌ３４１２の両端間に生じる過渡的なサージ電圧を吸収するためのものである。本変形例によれば、スイッチング素子Ｑ１がオフするタイミング（トランスＴｒ３４０２の一次巻線Ｌ３４１１が磁気的エネルギを放出するタイミング）で、二次巻線Ｌ３４１２から定電圧回路４０４に電流が供給される。具体的には、二次巻線Ｌ３４１２から抵抗Ｒ４６、ダイオードＤ４５を経由してコンデンサＣ４３に電流が流れ込み、コンデンサＣ４３が充電されることになる。

なお、図４１に示す構成の直流電源回路３４０１では、トランスＴｒ３４０２の一次巻線Ｌ３４１１の極性と二次巻線Ｌ３４１２との極性とが同じである例について説明したが、一次巻線Ｌ３４１１の極性と二次巻線Ｌ３４１２の極性とが反対であってもよい。この場合、スイッチング素子Ｑ１がオンするタイミング（一次巻線Ｌ３４１１に磁気的エネルギが蓄積されるタイミング）で、二次巻線Ｌ３４１２から定電圧回路４０４に電流が供給される。また、コンデンサＣ４４７が無い構成であってもよい。

また、図４１に示す構成の変形例では、一次巻線Ｌ３４１１が磁気的エネルギを放出するタイミング、或いは、一次巻線Ｌ３４１１に磁気的エネルギが蓄積されるタイミングのいずれか一方で、二次巻線Ｌ３４１２から定電圧回路４０４に電流が供給される例について説明したが、これに限定されるものではなく、一次巻線Ｌ３４１１が磁気的エネルギを放出するタイミング、および、一次巻線Ｌ３４１１に磁気的エネルギが蓄積されるタイミングの両方で、二次巻線Ｌ３４１２から定電圧回路４０４に電流が供給されるものであってもよい。

他の変形例に係る直流電源回路３５０１の回路図を図４２に示す。なお。図４１に示す構成と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

図４２に示すように、電圧変換回路３５０３が、トランスＴｒ３４０２の二次巻線Ｌ３４１２の両端間に入力端が接続されたダイオードブリッジＤＢを備えている点が、図４１に示す構成とは相違する。ここで、ダイオードブリッジＤＢの高電位側の出力端が、定電圧回路４０４に接続され、低電位側の出力端が整流回路２の低電位側の出力端に接続されている。なお、トランスＴｒ３４０２において、一次巻線Ｌ３４１１の極性と二次巻線Ｌ３４１２とは極性とが反対であってもよい。

ここにおいて、スイッチング素子Ｑ１がオンするタイミングおよびオフするタイミングのいずれにおいても、ダイオードブリッジＤＢから定電圧回路４０４に電流が供給される。

（８）実施の形態３では、電圧変換回路３００３として非絶縁型の電圧変換回路を備える例について説明したが、これに限定されるものではなく、絶縁型の電圧変換回路を備えるものであってもよい。

本変形例に係る直流電源回路３２０１の回路図を図４３に示す。なお、実施の形態３と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

図４３に示すように、電圧変換回路３２０３は、フライバックコンバータを構成するものであり、スイッチング素子Ｑ１と、一次巻線Ｌ３２１１および二次巻線Ｌ３２１２を有するトランスＴｒ３２０２と、ダイオードＤ３００３，Ｄ３００２，Ｄ３２０１と、コンデンサＣ３００１，Ｃ３００２，Ｃ４と、抵抗Ｒ７とを備える。ここで、トランスＴｒ３２０２は、一次巻線Ｌ３２１１の極性と二次巻線Ｌ３２１２の極性とが反対になっている。スイッチング素子Ｑ１は、ソースが抵抗Ｒ７を介して整流回路２の低電位側の出力端に接続され且つゲートが抵抗Ｒ１１を介して駆動回路Ｕ１に接続されるとともに、ドレインがトランスＴｒ３２０２の一次巻線Ｌ３２１１の一端に接続されている。一次巻線Ｌ３２１１の他端は、コンデンサＣ３００２に接続されている。トランスＴｒ３２０２の二次巻線Ｌ３２１２の一端は、ダイオードＤ３２０１を介して負荷１１の一端に接続され、二次巻線Ｌ３２１２の他端は、負荷１１の他端に接続されている。また、コンデンサＣ４は、負荷１１と並列に接続されている。

この直流電源回路３２０１は、直流電源回路３２０１の入力側と出力側との絶縁性を高める必要がある場合に有用である。

（９）実施の形態１に係る直流電源回路１では、電圧変換回路３で発生するスイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作に伴う高周波電流が、電圧変換回路３から整流回路２を介して交流電源ＡＣに流出する。すると、高周波ノイズが外部に漏洩してしまう。

そこで、図４４（ａ）に示すように、直流電源回路１と交流電源ＡＣとの間にインダクタＮＦとコンデンサＣ０，Ｃ１とからなるノイズフィルタ５を設けてもよい。或いは、図４４（ｂ）に示すように、直流電源回路６０１が、整流回路２と電圧変換回路３との間に接続されたノイズフィルタ２０５を備えるものでもよい。このノイズフィルタ２０５は、整流回路２の出力端間に接続されたコンデンサＣ１と、コンデンサＣ１と電圧変換回路３（ダイオードＤ３（図１参照））との間にインダクタＮＦを直列に介挿した構成である。なお、リップルの低減を目的とする場合と、ノイズの低減を目的とする場合とでは、コンデンサＣ１を挿入する場所を変えたほうがよい。リップル低減を目的とする場合は、図４４（ｂ）において、コンデンサをインダクタＮＦに対して電圧変換回路３側に接続したほうが好ましい。なお、図４４（ｂ）において、２つのコンデンサをインダクタＮＦの両側に接続してもよい。さらに、インダクタＮＦが、整流回路２の低電位側にももう一つあってもよい。また、このノイズフィルタ５は、他の実施の形態や前述の変形例で説明した構成に適用してもよい。また、ノイズフィルタ２０５は、実施の形態１，２，４，５や前述の変形例で説明した構成に適用してもよい。

（１０）実施の形態１乃至５では、スイッチング素子Ｑ１がＮチャネル型ＭＯＳトランジスタから構成される例について説明したが、これに限定されるものではなく、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタを用いてもよい。さらに、スイッチング素子Ｑ１をバイポーラトランジスタから構成してもよい。

（１１）なお、各実施の形態に係る直流電源回路は、交流電源ＡＣとの間に直流電源回路へ入力する電力を調整する電力調整器を接続して使用する場合がある。この調整器は、トライアック等を用いたものが一般的であり、直流電源回路側への入力電圧がゼロ付近のときに直流電源回路側に電流を流せなかったり、流しすぎたりするとトライアック等が誤動作してしまうおそれがある。

これに対して、各実施の形態に係る直流電源回路では、入力電圧位相と入力電流位相とが略一致しており、入力電圧がゼロクロス付近の電圧の低いときでも入力電流が必ず流せる。これにより、トライアック等を用いた電力調整器を使用する場合において、電力調整器の誤動作を防止することができる。

１，２００１ 直流電源回路
２ 整流回路
３，２００３ 電圧変換回路
４ 定電圧回路
１１ 負荷
Ｃ２，Ｃ４ コンデンサ
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３ ダイオード
Ｌ１，Ｌ２ インダクタ
Ｑ１ スイッチング素子
Ｒ７，Ｒ１１ 抵抗
Ｕ１ 駆動回路

Claims (21)

1. 交流電源から供給される交流を整流する整流回路と、
   前記整流回路の出力端間電圧を入力電圧とし、前記交流電源の各半サイクルの間全体で、前記整流回路の高電位側の出力端から低電位側の出力端に至る互いに異なる複数の出力端間電流経路が断続的に形成され、前記出力端間電流経路を流れる電流に起因して生じる電圧を負荷に供給する電圧変換回路とを備える
   ことを特徴とする直流電源回路。
2. 前記電圧変換回路は、
   一端が前記整流回路の低電位側の出力端に接続されたコンデンサと、
   一端が前記コンデンサの他端に前記負荷を介して接続された第１インダクタと、
   前記第１インダクタの他端と前記整流回路の低電位側の出力端との間に接続され、前記交流電源の各半サイクルの間にオンオフ動作を繰り返すスイッチング素子と、
   前記第１インダクタの他端と前記コンデンサの他端との間に接続された第１の一方向性素子と、
   一端が前記第１インダクタの他端に接続され且つ他端が前記整流回路の高電位側の出力端に接続された第２インダクタとを備え、
   前記スイッチング素子がオンすると、前記整流回路の高電位側の出力端から前記第２インダクタ、前記スイッチング素子の順に経由して前記整流回路の低電位側の出力端に至る第１電流経路が形成されるとともに、前記コンデンサの他端から前記負荷、前記第１インダクタ、前記スイッチング素子の順に経由して前記コンデンサの一端に至る第２電流経路が形成され、
   前記スイッチング素子がオフすると、前記整流回路の高電位側の出力端から前記第２インダクタ、前記第１の一方向性素子、前記コンデンサの順に経由して前記整流回路の低電位側の出力端に至る第３電流経路が形成されるとともに、前記第１インダクタの他端から前記第１の一方向性素子、前記負荷の順に経由して前記第１インダクタの一端に至る第４電流経路が形成され、
   前記複数の出力端間電流経路は、前記第１電流経路および前記第３電流経路に相当する
   ことを特徴とする請求項１記載の直流電源回路。
3. 前記電圧変換回路は、更に、
   前記第２インダクタの他端と前記コンデンサの他端との間に接続された第２の一方向性素子を有する
   ことを特徴とする請求項２記載の直流電源回路。
4. 前記第１の一方向性素子は、前記第１インダクタの他端から前記コンデンサの他端に向かう電流のみ導通し、
   前記第２の一方向性素子は、前記第２インダクタの他端から前記コンデンサの他端に向かう電流のみ導通する
   ことを特徴とする請求項３記載の直流電源回路。
5. 前記第１の一方向性素子は、アノードが前記第１インダクタの他端に接続され、カソードが前記コンデンサの他端に接続されたダイオードであり、
   前記第２の一方向性素子は、アノードが前記第２インダクタの他端に接続され、カソードが前記コンデンサの他端に接続されたダイオードである
   ことを特徴とする請求項４記載の直流電源回路。
6. 前記電圧変換回路は、更に、
   前記整流回路の高電位側の出力端と前記第２インダクタの他端との間に介挿された第３の一方向性素子を備える
   ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の直流電源回路。
7. 前記第３の一方向性素子は、前記整流回路の高電位側の出力端から前記第２インダクタの他端に向かう電流のみ導通する
   ことを特徴とする請求項６記載の直流電源回路。
8. 前記第３の一方向性素子は、アノードが前記整流回路の高電位側の出力端に接続され且つカソードが前記第２インダクタの他端に接続されたダイオードである
   ことを特徴とする請求項７記載の直流電源回路。
9. 前記電圧変換回路は、更に、
   前記第１インダクタの他端から前記整流回路の高電位側の出力端に至る前記第２インダクタを含む経路中に、前記第２インダクタと直列に介挿された副コンデンサを有し、
   前記第１電流経路は、前記整流回路の高電位側の出力端から前記スイッチング素子に至る途中で前記第２インダクタとともに前記副コンデンサを経由し、
   前記第３電流経路は、前記整流回路の高電位側の出力端から前記第１の一方向性素子に至る途中で前記第２インダクタとともに前記副コンデンサを経由する
   ことを特徴とする請求項２乃至８のいずれか１項に記載の直流電源回路。
10. 前記電圧変換回路は、
    一端が前記整流回路の高電位側の出力端に接続されたインダクタと、
    前記インダクタの他端と前記整流回路の低電位側の出力端との間に接続されたスイッチング素子と、
    一端が前記整流回路の高電位側の出力端に接続された第１コンデンサと、
    一端が前記第１コンデンサの他端および前記負荷の一端に接続され且つ他端が整流回路の低電位側の出力端に接続された第２コンデンサと、
    前記インダクタの他端と前記負荷の他端との間に接続された第１の一方向性素子と、
    前記インダクタの一端と前記第１コンデンサの他端との間に接続された第２の一方向性素子とを有し、
    前記スイッチング素子のオン期間中、前記第１コンデンサの一端から、前記インダクタ、前記スイッチング素子の順に経由して前記第２コンデンサの他端に至る第１電流経路が形成され、
    前記スイッチング素子のオフ期間中、前記インダクタの他端から、前記第１の一方向性素子、前記負荷、前記第１コンデンサの順に経由して前記インダクタの一端に至る第２電流経路が形成されるとともに、前記整流回路の高電位側の出力端から、前記インダクタ、前記第１の一方向性素子、前記負荷、前記第２コンデンサを経由して前記整流回路の低電位側の出力端に至る第３電流経路が形成され、
    前記第２電流経路に電流が流れることにより、第１コンデンサの放電が完了した後、前記インダクタの他端から、前記第１の一方向性素子、前記負荷、前記第２の一方向性素子の順に経由して前記インダクタの一端に至る第４電流経路が形成されるとともに、前記整流回路の高電位側の出力端から、前記インダクタ、前記第１の一方向性素子、前記負荷、前記第２コンデンサを経由して前記整流回路の低電位側の出力端に至る第５電流経路が形成され、
    前記第５電流経路に電流が流れることにより、前記インダクタの自己に蓄積されたエネルギの放出が完了した後、前記整流回路の高電位側の出力端から、前記第１コンデンサ、前記第２コンデンサを経由して前記整流回路の低電位側の出力端に至る第６電流経路が形成され、
    前記複数の出力端間電流経路は、前記第３電流経路、前記第５電流経路および前記第６電流経路に相当する
    ことを特徴とする請求項１記載の直流電源回路。
11. 前記第１の一方向性素子は、前記インダクタの他端から前記負荷の他端に向かう電流のみ導通し、
    前記第２の一方向性素子は、前記第１コンデンサの他端から前記インダクタの一端に向かう電流のみ導通する
    ことを特徴とする請求項１０記載の直流電源回路。
12. 前記第１の一方向性素子は、アノードが前記インダクタの他端に接続され且つカソードが前記負荷の他端に接続されたダイオードであり、
    前記第２の一方向性素子は、アノードが前記第１コンデンサの他端に接続され且つカソードが前記インダクタの一端に接続されたダイオードである
    ことを特徴とする請求項１１記載の直流電源回路。
13. 前記電圧変換回路は、更に、
    前記整流回路の高電位側の出力端と前記インダクタの一端との間に介挿された第３の一方向性素子を備える
    ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の直流電源回路。
14. 前記第３の一方向性素子は、アノードが前記整流回路の高電位側の出力端に接続され且つカソードが前記インダクタの一端に接続されたダイオードからなる
    ことを特徴とする請求項１３記載の直流電源回路。
15. 前記電圧変換回路は、
    一端が前記整流回路の低電位側の出力端に接続されたコンデンサと、
    一端が前記コンデンサの他端および前記負荷の一端に接続された第１インダクタと、
    前記第１インダクタの他端と前記整流回路の低電位側の出力端との間に接続され、前記交流電源の各半サイクルの間にオンオフ動作を繰り返すスイッチング素子と、
    一端が前記第１インダクタの他端に接続され且つ他端が前記整流回路の高電位側の出力端に接続された第２インダクタと、
    前記第１インダクタの他端と前記負荷の他端との間に接続された第１の一方向性素子とを有し、
    前記スイッチング素子がオンすると、前記整流回路の高電位側の出力端から前記第２インダクタ、前記スイッチング素子の順に経由して前記整流回路の低電位側の出力端に至る第１電流経路が形成されるとともに、前記コンデンサの他端から前記第１インダクタ、前記スイッチング素子の順に経由して前記コンデンサの一端に至る第２電流経路が形成され、
    前記スイッチング素子がオフすると、前記整流回路の高電位側の出力端から前記第２インダクタ、前記第１の一方向性素子、前記負荷、前記コンデンサの順に経由して前記整流回路の低電位側の出力端に至る第３電流経路が形成されるとともに、前記第１インダクタの他端から前記第１の一方向性素子、前記負荷の順に経由して前記第１インダクタの一端に至る第４電流経路が形成され、
    前記複数の出力端間電流経路は、前記第１電流経路および前記第３電流経路に相当する
    ことを特徴とする請求項１記載の直流電源回路。
16. 前記電圧変換回路は、更に、
    前記第２インダクタの他端と前記コンデンサの他端との間に接続された第２の一方向性素子を有する
    ことを特徴とする請求項１５記載の直流電源回路。
17. 前記第１の一方向性素子は、前記第１インダクタの他端から前記負荷の他端に向かう電流のみ導通し、
    前記第２の一方向性素子は、前記第２インダクタの他端から前記コンデンサの他端に向かう電流のみ導通する
    ことを特徴とする請求項１６記載の直流電源回路。
18. 前記第１の一方向性素子は、アノードが前記第１インダクタの他端に接続され且つカソードが前記負荷の他端に接続されたダイオードである
    前記第２の一方向性素子は、アノードが前記第２インダクタの他端に接続され且つカソードが前記コンデンサの他端に接続されたダイオードである
    ことを特徴とする請求項１７記載の直流電源回路。
19. 前記電圧変換回路は、更に、
    前記整流回路の高電位側の出力端と前記第２インダクタの他端との間に介挿された第３の一方向性素子を備える
    ことを特徴とする請求項１５乃至１８のいずれか１項に記載の直流電源回路。
20. 前記第３の一方向性素子は、アノードが前記整流回路の高電位側の出力端に接続され且つカソードが前記第２インダクタの他端に接続されたダイオードである
    ことを特徴とする請求項１９記載の直流電源回路。
21. 前記電圧変換回路は、更に、
    前記第１インダクタの他端と前記整流回路の高電位側の出力端との間に介挿され、前記第２インダクタと直列に接続された副コンデンサを有し、
    前記第１電流経路は、前記整流回路の高電位側の出力端から前記スイッチング素子に至る途中で前記第２インダクタとともに前記副コンデンサを経由し、
    前記第３電流経路は、前記整流回路の高電位側の出力端から前記第１の一方向性素子に至る途中で前記第２インダクタとともに前記副コンデンサを経由する
    ことを特徴とする請求項１５乃至２０のいずれか１項に記載の直流電源回路。
    
    

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