JPWO2013105557A1 - Electrostatic spray equipment - Google Patents

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正昭 栗山
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Abstract

静電噴霧法を用いて有機薄膜を成膜する静電スプレー装置において、成膜する膜の均一性の保持を図りつつ、生産性を向上する。静電スプレー装置は、有機材料からなる微粒子21が分散したエアロゾル20を吐出するノズル10と、ノズルに電圧を印加し、微粒子を帯電させる電圧印加手段15と、基材11をアース又は微粒子と逆極性の電位に保持する基材保持手段19とを備えて、静電引力によりノズルから吐出された微粒子を基材に引き付け堆積させて有機薄膜を基材上に成膜するもので、微粒子の飛翔空間の電界に影響を及ぼして微粒子の飛翔を制御する電極部(23,24)又は微粒子の飛翔空間の磁界に影響を及ぼして微粒子の飛翔を制御する磁極部(コイル)を備え、電極部又は磁極部の制御により、微粒子の飛翔範囲を、基材に平行な平面上の一方向について、これと直交する同平面上の他方向より大きくする。In an electrostatic spray apparatus for forming an organic thin film using an electrostatic spraying method, productivity is improved while maintaining uniformity of a film to be formed. The electrostatic spray device includes a nozzle 10 that discharges an aerosol 20 in which fine particles 21 made of an organic material are dispersed, a voltage applying unit 15 that applies a voltage to the nozzle to charge the fine particles, and a substrate 11 that is opposite to ground or fine particles. A substrate holding means 19 for holding at a polar potential, and attracting and depositing fine particles discharged from the nozzle by electrostatic attraction to the substrate to form an organic thin film on the substrate; An electrode unit (23, 24) that controls the flying of the fine particles by affecting the electric field in the space or a magnetic pole unit (coil) that controls the flying of the fine particles by affecting the magnetic field of the flying space of the fine particles, By controlling the magnetic pole portion, the flying range of the fine particles is made larger in one direction on a plane parallel to the base material than in the other direction on the same plane orthogonal thereto.

Description

本発明は、静電噴霧法を用いて有機薄膜を成膜する静電スプレー装置に関する。   The present invention relates to an electrostatic spray apparatus for forming an organic thin film using an electrostatic spray method.

有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子や有機薄膜太陽電池等の複数の有機薄膜の製造方法としては、蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、スプレー法、印刷法)等があるが、真空プロセスを必要とせず、連続生産が簡便であるという理由で近年はウェットプロセスにおける製造方法が注目されている。
しかしながら、ウェットプロセスで作製した有機EL素子は、蒸着法により作製した有機EL素子に比べて素子性能、特に寿命に関して十分な性能が出ないことが一般的に知られている。
複数の有機薄膜をウェットプロセスで製造する場合は、溶剤により積層時に下地(下層)を溶かしてしまう、又は溶媒が下地に浸透してしまうため層混合が起きてしまう問題があり、これらは性能が不十分な要因の一つとなる。この問題を起こさない一つの手段として、積層時に下地を溶解させない溶剤を選択することが考えられるが、当該下地を溶解させない溶剤への有機材料の溶解性を確保する事は、材料設計上大きな制約条件となっているのが実情である。
この為、溶剤による影響が少なく、非真空中で大面積の成膜が可能な方法が待ち望まれている。このような技術的要請に応えるために、静電噴霧法に着目することができる。
As a method for producing a plurality of organic thin films such as organic electroluminescence (EL) elements and organic thin film solar cells, there are a vapor deposition method, a wet process (spin coating method, casting method, ink jet method, spray method, printing method) and the like. In recent years, a manufacturing method in a wet process has attracted attention because it does not require a vacuum process and is convenient for continuous production.
However, it is generally known that an organic EL element produced by a wet process does not exhibit sufficient performance in terms of element performance, particularly in terms of life, compared to an organic EL element produced by a vapor deposition method.
When manufacturing a plurality of organic thin films by a wet process, there is a problem that the base layer (lower layer) is dissolved by the solvent at the time of lamination, or layer mixing occurs because the solvent penetrates the base layer. It becomes one of insufficient factors. One way to avoid this problem is to select a solvent that does not dissolve the substrate during lamination, but ensuring the solubility of the organic material in the solvent that does not dissolve the substrate is a major limitation in material design. The condition is the condition.
For this reason, there is a long-awaited method that can reduce the influence of the solvent and can form a large-area film in a non-vacuum. In order to meet such technical demands, attention can be paid to electrostatic spraying.

特許文献1−4に静電噴霧法による技術が記載されている。
静電噴霧法によれば、生成されるエアロゾル中の微粒子径を1μm以下まで小さくすることができる。その微粒子を吐出するノズル1つ当たりの噴霧量には限界があるので、大面積を短いタクトタイムで成膜するには、特許文献2に記載されるようにノズルを複数設けることが考えられる。
しかし、ノズルを複数設けた場合には、1のノズルによって微粒子が与えられる領域と、隣接する他のノズルによって微粒子が与えられる領域と、その両者が重なる領域とで、堆積量が変化し、膜厚、膜質の不均一の問題が生じる。
また、エアロゾルの原料となる溶液の供給量を多くすると、微粒化が間に合わず、液が垂れてしまう、エアロゾル中の微粒子径が十分に小さくならないなどの問題が発生する。
また、タクトタイムを早めるためにノズルを基材に近づけると、十分に溶液が微粒化されず、さらには溶媒の揮発が不十分となるために、層混合が発生し、性能劣化の要因となる。
Patent Documents 1-4 describe a technique by an electrostatic spray method.
According to the electrostatic spraying method, the fine particle diameter in the generated aerosol can be reduced to 1 μm or less. Since there is a limit to the amount of spray per nozzle that discharges the fine particles, in order to form a large area with a short tact time, it is conceivable to provide a plurality of nozzles as described in Patent Document 2.
However, in the case where a plurality of nozzles are provided, the amount of deposition varies between a region where the fine particles are given by one nozzle, a region where the fine particles are given by another adjacent nozzle, and a region where both overlap, The problem of uneven thickness and film quality arises.
Further, when the supply amount of the solution serving as the aerosol raw material is increased, there are problems that the atomization is not in time and the liquid drips or the particle diameter in the aerosol is not sufficiently reduced.
In addition, when the nozzle is brought close to the base material in order to speed up the takt time, the solution is not sufficiently atomized, and further, the solvent volatilization becomes insufficient, resulting in layer mixing, which causes performance deterioration. .

特許文献3にあっては、比較的速い成膜速度で、面内均一性の高い薄膜の成膜を可能とするために、固形分を含む塗布液を電圧が印加されたノズルから放出して形成した帯電した塗布液粒子を、ノズルと反対の極に帯電した被塗布面に堆積させて、固形分含有層を形成するにあたり、帯電した塗布液粒子を、少なくとも2つの開口とこれら開口の間に延在する本体とからなり、本体が塗布液粒子と同一の極に帯電した導管の一方の開口から他方の開口を経由して被塗布面に堆積させる。
特許文献4にあっては、有機EL素子などにおけるパターニングの修正のために、基板上の所望の位置に、所望の材料を高精度に局所成膜するために、エレクトロスプレーデポジション(ESD)装置が用いられている。当該ESD装置は、所望材料の溶液を収納するノズルと、ノズルに電圧を印加するスプレー用電源と、ノズルから噴霧された液滴の噴霧範囲を収束する収束ガードリングと、収束ガードリングに電圧または電流を印加するガードリング用電源と、基板上の成膜すべき位置の基板裏面側に配置した局所電極と、局所電極に、ノズルに印加する電圧と逆極性の電圧を印加する局所電極用電源とを備えており、収束ガードリングとしては、静電レンズ、または静電レンズと磁界レンズの組合せたものが用いられ、これらがノズルから噴霧された液滴の噴霧範囲を収束する役割を担っている。
In Patent Document 3, in order to enable the formation of a thin film with high in-plane uniformity at a relatively high film formation rate, a coating liquid containing a solid content is discharged from a nozzle to which a voltage is applied. In forming the solid content layer by depositing the formed charged coating liquid particles on the surface to be coated which is charged on the opposite side of the nozzle, the charged coating liquid particles are placed between at least two openings and these openings. The main body is deposited on the surface to be coated from one opening of the conduit charged to the same pole as the coating liquid particles via the other opening.
In Patent Document 4, an electrospray deposition (ESD) apparatus is used to locally form a desired material at a desired position on a substrate with high accuracy in order to correct patterning in an organic EL element or the like. Is used. The ESD device includes a nozzle that stores a solution of a desired material, a spray power source that applies a voltage to the nozzle, a convergence guard ring that converges a spray range of droplets sprayed from the nozzle, and a voltage or voltage applied to the convergence guard ring. A power supply for a guard ring that applies current, a local electrode that is disposed on the back side of the substrate at a position to be deposited on the substrate, and a local electrode power source that applies a voltage having a polarity opposite to that applied to the nozzle to the local electrode. As the converging guard ring, an electrostatic lens or a combination of an electrostatic lens and a magnetic lens is used, and these are responsible for converging the spray range of droplets sprayed from the nozzle. Yes.

特開2011−03442号公報JP 2011-03442 A 特開2011−181271号公報JP 2011-181271 A 特開2011−41908号公報JP 2011-41908 A 特開2011−175921号公報JP 2011-175922 A

しかし、以上の従来技術にあっても以下のような問題があった。
特許文献3記載の技術によれば、本体が塗布液粒子と同一の極に帯電した導管によって、塗布液粒子の周囲への飛散が抑制され、塗布液粒子(成膜材料粒子)の基材への付着率の向上が図られる。特許文献4記載の技術によれば、収束ガードリングによって、成膜材料粒子の周囲への飛散が抑制され、成膜材料粒子の基材への付着率の向上が図られる。
しかしながら、特許文献3、4にあっては、成膜材料粒子の周囲への飛散抑制手段が円形であるため、成膜材料粒子の基板への付着領域が円形になる。そのため、形成される膜の膜厚が付着領域の中心部で厚く、付着領域の周縁部で薄いといった不均一が生じる。その結果として、中心部での層混合が周縁部と比較し激しく生じるといった問題があった。
また、基板上を走査して成膜する場合、走査方向に帯状に成膜パターンが形成されるが、帯状の成膜パターンの中心線上は、円形の付着領域の直径の長さ分で同時に噴霧されるので、被噴霧時間が比較的長く、帯状の成膜パターンの縁部との間に不均一が生じる。
また、付着領域が円形であるため、いずれの方向に走査しても走査幅は変わらず、開始端と終端は半円形となり、大きな走査幅で大面積の成膜を行うことには不都合となる場合がある。
However, even the above prior art has the following problems.
According to the technique described in Patent Document 3, scattering of the coating liquid particles to the surroundings is suppressed by the conduit whose body is charged to the same electrode as the coating liquid particles, and the coating liquid particles (film forming material particles) are transferred to the base material. The adhesion rate is improved. According to the technique described in Patent Document 4, scattering of the film forming material particles to the periphery is suppressed by the convergence guard ring, and the adhesion rate of the film forming material particles to the base material is improved.
However, in Patent Documents 3 and 4, since the means for suppressing scattering of the film forming material particles to the periphery is circular, the region where the film forming material particles adhere to the substrate is circular. Therefore, non-uniformity occurs in that the film formed is thick at the center of the adhesion region and thin at the periphery of the adhesion region. As a result, there has been a problem that layer mixing in the center portion occurs more intensely than in the peripheral portion.
In addition, when a film is formed by scanning on the substrate, a film-forming pattern is formed in a band shape in the scanning direction. On the center line of the band-shaped film forming pattern, spraying is simultaneously performed by the length of the diameter of the circular adhesion region. Therefore, the spraying time is relatively long, and nonuniformity occurs between the edge of the strip-shaped film formation pattern.
In addition, since the adhesion region is circular, the scanning width does not change even if scanning is performed in any direction, and the start and end are semicircular, which is inconvenient for film formation with a large scanning width and a large area. There is a case.

本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、静電噴霧法を用いて有機薄膜を成膜する静電スプレー装置において、成膜する膜の均一性の保持を図りつつ層混合を抑制し、かつ生産性を向上することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above problems in the prior art, and in an electrostatic spray apparatus for forming an organic thin film using an electrostatic spray method, while maintaining the uniformity of the film to be formed. It is an object to suppress layer mixing and improve productivity.

以上の課題を解決するための請求項1記載の発明は、有機材料を含む微粒子が分散したエアロゾルを吐出するノズルと、
前記ノズルに電圧を印加し、前記微粒子を帯電させる電圧印加手段と、
基材をアース又は前記微粒子と逆極性の電位に保持する基材保持手段とを備えて、静電引力により前記ノズルから吐出された前記微粒子を前記基材に引き付け堆積させて有機薄膜を前記基材上に成膜する静電スプレー装置において、
前記微粒子の飛翔空間の電界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する電極部又は前記微粒子の飛翔空間の磁界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する磁極部を、前記ノズルの吐出口と前記基材との間に備え、
前記電極部又は磁極部の制御により、前記微粒子の飛翔範囲を、前記基材に平行な平面上の一方向について、これと直交する同平面上の他方向より大きくすることを特徴とする静電スプレー装置である。
The invention according to claim 1 for solving the above-described problems includes a nozzle for discharging an aerosol in which fine particles containing an organic material are dispersed;
Voltage application means for applying a voltage to the nozzle and charging the fine particles;
A substrate holding means for holding the substrate at ground or at a potential opposite to that of the fine particles, and attracting and depositing the fine particles discharged from the nozzle by electrostatic attraction to deposit the organic thin film on the substrate. In an electrostatic spray device that forms a film on a material,
An electrode part for controlling the flying of the fine particles by affecting the electric field of the flying space of the fine particles or a magnetic pole part for controlling the flying of the fine particles by affecting the magnetic field of the flying space of the fine particles, And between the base material and
By controlling the electrode part or the magnetic pole part, the flying range of the fine particles is made larger in one direction on a plane parallel to the base material than in the other direction on the same plane orthogonal to the base material. It is a spray device.

請求項2記載の発明は、前記ノズル、前記電極部又は磁極部、前記基材の各印加電圧の関係を、
前記電圧印加手段による印加電圧がプラスの場合は、ノズル>前記電極部又は磁極部>基材とし、
前記電圧印加手段による印加電圧がマイナスの場合は、基材>前記電極部又は磁極部>ノズルとすることを特徴とする請求項1に記載の静電スプレー装置である。
In the invention according to claim 2, the relationship among the applied voltages of the nozzle, the electrode part or the magnetic pole part, and the base material,
When the voltage applied by the voltage application means is positive, nozzle> the electrode part or magnetic pole part> base material,
2. The electrostatic spray device according to claim 1, wherein when the voltage applied by the voltage application unit is negative, the base material> the electrode part or magnetic pole part> nozzle is set.

請求項3記載の発明は、前記電極部を備え、前記電極部は前記ノズルの中心軸を囲むように配置される枠状の電極部材で構成され、
前記電極部材の前記一方向の対向間隔が、前記他方向の対向間隔より大きくされたことを特徴とする請求項1に記載の静電スプレー装置である。
Invention of Claim 3 is provided with the said electrode part, and the said electrode part is comprised with the frame-shaped electrode member arrange | positioned so that the center axis | shaft of the said nozzle may be enclosed,
2. The electrostatic spray device according to claim 1, wherein a facing interval in the one direction of the electrode member is larger than a facing interval in the other direction.

請求項4記載の発明は、前記磁極部を備え、前記磁極部は前記ノズルの中心軸を囲むように配置されるコイルで構成され、
前記コイルの前記一方向の対向間隔が、前記他方向の対向間隔より大きくされたことを特徴とする請求項1に記載の静電スプレー装置である。
Invention of Claim 4 is provided with the above-mentioned magnetic pole part, and the above-mentioned magnetic pole part comprises a coil arranged so that the central axis of the above-mentioned nozzle may be enclosed,
2. The electrostatic spray device according to claim 1, wherein a facing interval in the one direction of the coil is made larger than a facing interval in the other direction.

請求項5記載の発明は、前記ノズルの吐出口より上に、前記微粒子の飛翔空間の電界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する電極部又は前記微粒子の飛翔空間の磁界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する磁極部を備えたことを特徴とする請求項1から請求項4のうち何れか1項に記載の静電スプレー装置である。   The invention described in claim 5 affects the electric field in the flying space of the fine particles above the discharge port of the nozzle and affects the magnetic field in the flying space of the fine particles by controlling the flying of the fine particles. 5. The electrostatic spray device according to claim 1, further comprising a magnetic pole portion that controls flying of the fine particles.

請求項6記載の発明は、前記ノズルの吐出口より上の前記電極部又は磁極部と前記基材との間の電位差は、前記ノズルの吐出口と前記基材との間の前記電極部又は磁極部と前記基材との間の電位差よりも大きいことを特徴とする請求項5に記載の静電スプレー装置である。   According to a sixth aspect of the present invention, the potential difference between the electrode part or magnetic pole part above the nozzle discharge port and the base material is the electrode part between the nozzle discharge port and the base material or The electrostatic spray device according to claim 5, wherein the electrostatic spray device is larger than a potential difference between the magnetic pole portion and the base material.

請求項7記載の発明は、前記ノズル、前記電極部又は磁極部、前記基材の各印加電圧の関係を、
前記電圧印加手段による印加電圧がプラスの場合は、前記ノズルの吐出口より上の前記電極部又は磁極部>ノズル>前記ノズルの吐出口と前記基材との間の前記電極部又は磁極部>基材とし、
前記電圧印加手段による印加電圧がマイナスの場合は、基材>前記ノズルの吐出口と前記基材との間の前記電極部又は磁極部>ノズル>前記ノズルの吐出口より上の前記電極部又は磁極部とすることを特徴とする請求項6に記載の静電スプレー装置である。
In the invention according to claim 7, the relationship between the applied voltage of the nozzle, the electrode part or the magnetic pole part, and the base material is as follows.
When the voltage applied by the voltage applying means is positive, the electrode part or magnetic pole part above the nozzle discharge port>nozzle> the electrode part or magnetic pole part between the nozzle discharge port and the substrate> As a base material,
When the voltage applied by the voltage application means is negative, the base material> the electrode part or magnetic pole part between the nozzle outlet and the base material>nozzle> the electrode part above the nozzle outlet or The electrostatic spray device according to claim 6, wherein the electrostatic spray device is a magnetic pole portion.

請求項8記載の発明は、前記磁極部を備え、前記磁極部は前記ノズルの中心軸から離れて配置される複数の磁石で構成され、
前記複数の磁石の前記一方向の対向間隔が、前記他方向の対向間隔より大きくされたことを特徴とする請求項1に記載の静電スプレー装置である。
Invention of Claim 8 is provided with the above-mentioned magnetic pole part, and the above-mentioned magnetic pole part is constituted by a plurality of magnets arranged away from the central axis of the nozzle,
2. The electrostatic spray device according to claim 1, wherein a facing interval in the one direction of the plurality of magnets is larger than a facing interval in the other direction.

請求項9記載の発明は、前記基材が帯状基材であることを特徴とする請求項1から請求項8の何れか1項に記載の静電スプレー装置である。   The invention according to claim 9 is the electrostatic spray device according to any one of claims 1 to 8, wherein the substrate is a belt-like substrate.

請求項10記載の発明は、前記有機薄膜が有機エレクトロルミネッセンス素子の有機薄膜であることを特徴とする請求項1から請求項9の何れか1項に記載の静電スプレー装置である。   The invention according to claim 10 is the electrostatic spray device according to any one of claims 1 to 9, wherein the organic thin film is an organic thin film of an organic electroluminescence element.

請求項11記載の発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の有機薄膜が発光層であることを特徴とする請求項10に記載の静電スプレー装置である。   The invention according to claim 11 is the electrostatic spray device according to claim 10, wherein the organic thin film of the organic electroluminescence element is a light emitting layer.

本発明によれば、ノズルから吐出される有機材料からなる微粒子の飛翔範囲に関し、成膜する基材に平行な平面上の一方向の飛翔範囲がこれに直交する同平面上の他方向に対して大きくなり、微粒子の基材への付着範囲が、前記一方向に長く、前記他方向に短い形状に形成され、付着範囲において前記一方向について膜の不均一が緩和される。
また、基材上の付着範囲おいて溶剤の量の不均一も緩和されることにより層混合を抑制することができる。
さらに、前記他方向に基材上を走査することで、大きな走査幅で大面積の成膜を行うことができる。
以上のようにして本発明によれば、成膜する膜の均一性の保持を図りつつ層混合を抑制し、かつ生産性を向上することができるという効果がある。
According to the present invention, with respect to the flying range of fine particles made of an organic material discharged from a nozzle, the flying range in one direction on a plane parallel to the substrate on which the film is formed is in contrast to the other direction on the same plane perpendicular thereto. The adhesion range of the fine particles to the base material is formed in a shape that is long in the one direction and short in the other direction, and the nonuniformity of the film is alleviated in the one direction in the adhesion range.
Moreover, layer mixing can be suppressed by reducing the non-uniformity of the amount of the solvent in the adhesion range on the substrate.
Further, by scanning the substrate in the other direction, a large area film can be formed with a large scanning width.
As described above, according to the present invention, there are effects that layer mixing can be suppressed and productivity can be improved while maintaining uniformity of a film to be formed.

本発明の実施形態に係る静電スプレー装置のノズル‐基材間の主要部を示す模式的斜視図である。It is a typical perspective view which shows the principal part between the nozzle-base materials of the electrostatic spray apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る静電スプレー装置における電界又は磁界の影響を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the influence of the electric field or magnetic field in the electrostatic spray apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る静電スプレー装置における電界又は磁界の影響を説明するための正面図である。It is a front view for demonstrating the influence of the electric field or magnetic field in the electrostatic spray apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る静電スプレー装置における電界又は磁界の影響を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the influence of the electric field or magnetic field in the electrostatic spray apparatus which concerns on embodiment of this invention. 超臨界二酸化炭素を溶媒として適用する場合の本発明の実施形態に係る静電スプレー装置の構成模式図である。It is a structure schematic diagram of the electrostatic spray apparatus which concerns on embodiment of this invention when applying supercritical carbon dioxide as a solvent.

以下に本発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態であって本発明を限定するものではない。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The following is one embodiment of the present invention and does not limit the present invention.

図1に示すように本実施形態の静電スプレー装置は、有機材料からなる微粒子21等が分散したエアロゾル20を吐出するノズル10と、ノズル10に電圧を印加し、微粒子21を帯電させる電圧印加手段15と、基材11を微粒子21と逆極性の電位に保持する基材保持手段19とを備えて構成される。静電引力によりノズル10から吐出された微粒子21を基材11に引き付け堆積させて有機薄膜を基材11上に成膜する。そのため、ノズル10と、基材11が載置されるプレート12とには、互いに逆極性の電圧が印加される。又は、基材保持手段19の構成に含まれる電圧印加手段16を単にアースに接続する導電部材に置き換えても、静電引力を発生させることができる。成膜するものは、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層である。基材11としては、帯状の可撓性を有する基材を用いてもよい。帯状の可撓性基材としては、例えば樹脂を挙げることができる。
また、本実施形態の静電スプレー装置は、電界形成手段として電極部材23及び電極部材24を備え、さらに電極部材23及び電極部材24に電圧を印加する電圧印加手段17を備え、電界形成手段の作用により、一方向に長い形状の付着範囲22を形成する。
電圧印加手段15、電圧印加手段16及び電圧印加手段17は、それぞれ直流電源装置をグランドとの間に挿入したものである。電極部材23と電極部材24との間には、この両者間に電位差を生じさせる必要があるため、抵抗25が挿入されている。
以下、さらに詳細に説明する。
As shown in FIG. 1, the electrostatic spray device of this embodiment includes a nozzle 10 that discharges an aerosol 20 in which fine particles 21 made of an organic material are dispersed, and a voltage application that applies a voltage to the nozzle 10 and charges the fine particles 21. A means 15 and a base material holding means 19 for holding the base material 11 at a potential opposite to that of the fine particles 21 are provided. The organic thin film is formed on the substrate 11 by attracting and depositing the fine particles 21 discharged from the nozzle 10 by electrostatic attraction onto the substrate 11. For this reason, voltages having opposite polarities are applied to the nozzle 10 and the plate 12 on which the substrate 11 is placed. Alternatively, the electrostatic attractive force can be generated even if the voltage applying unit 16 included in the configuration of the substrate holding unit 19 is simply replaced with a conductive member connected to the ground. What is formed is, for example, an organic layer of an organic electroluminescence element. As the substrate 11, a belt-like flexible substrate may be used. Examples of the strip-shaped flexible substrate include a resin.
Further, the electrostatic spray device of the present embodiment includes the electrode member 23 and the electrode member 24 as the electric field forming unit, and further includes the voltage applying unit 17 that applies a voltage to the electrode member 23 and the electrode member 24. By the action, the adhesion range 22 having a long shape in one direction is formed.
The voltage applying means 15, the voltage applying means 16, and the voltage applying means 17 are each obtained by inserting a DC power supply device between the ground. A resistor 25 is inserted between the electrode member 23 and the electrode member 24 because a potential difference needs to be generated between them.
This will be described in more detail below.

図1に直交3軸座標XYZを示した。Z軸はノズルの中心軸Oと同方向であり吐出方向が正とされる。座標XYは基材11に平行な平面上の座標に相当する。
電界ガードリング、すなわち、電極部材23及び電極部材24は枠状に形成されたものであり、X方向の対向間隔X1がY方向の対向間隔Y1より大きくなっている。すなわち、X1>Y1である。電極部材23及び電極部材24は、ノズルの中心軸Oを囲むように配置され、XY平面と平行に配置されている。電極部材23と電極部材24とは、Z方向に離れて配置されている。電極部材23は、Z座標に関しノズル10の吐出口と基材11の間の位置に配置される。電極部材24は、ノズル10より上、すなわち、ノズル10の吐出口からZ軸の負の方向寄りに配置される。
FIG. 1 shows orthogonal three-axis coordinates XYZ. The Z axis is the same direction as the central axis O of the nozzle, and the discharge direction is positive. The coordinate XY corresponds to a coordinate on a plane parallel to the base material 11.
The electric field guard ring, that is, the electrode member 23 and the electrode member 24 are formed in a frame shape, and the facing distance X1 in the X direction is larger than the facing distance Y1 in the Y direction. That is, X1> Y1. The electrode member 23 and the electrode member 24 are disposed so as to surround the central axis O of the nozzle, and are disposed in parallel with the XY plane. The electrode member 23 and the electrode member 24 are arranged apart from each other in the Z direction. The electrode member 23 is disposed at a position between the discharge port of the nozzle 10 and the substrate 11 with respect to the Z coordinate. The electrode member 24 is disposed above the nozzle 10, that is, closer to the negative direction of the Z axis from the discharge port of the nozzle 10.

電極部材23及び電極部材24は、静電レンズと原理的には同じであるが、静電レンズは飛翔範囲(Z軸に垂直なエアロゾルの断面積)を基材に近づくに従って次第に小さくする、すなわち、収束させるが、電極部材23及び電極部材24は、収束させることを必要としない。電極部材23及び電極部材24の作用としては、飛翔範囲を本来の範囲より狭めれば足りる。
電極部材23及び電極部材24は、微粒子21の飛翔空間の電界に影響を及ぼして、微粒子21を加速するクーロン力を作用させる。これらの作用により、基材11に向う微粒子21の飛翔範囲が狭まる。すなわち、電極部材23及び電極部材24が無いとした場合の飛翔範囲に対し、飛翔範囲を狭める作用がある。なお、飛翔空間とは、微粒子21が飛翔し得る空間のことを指し、本実施形態では、本発明に係る電極部材を備えることにより微粒子21の飛翔空間を狭めることができる。
また、電極部材23及び電極部材24は、全て同電位である必要は無い。つまり、より飛翔範囲を横長にしたい場合(例えば、Y方向の飛翔範囲を狭めたい場合)、電極部材23及び電極部材24は、図1において、Y方向の部材(辺が短い方)とX方向の部材(辺が長い方)を電気的に切断し、異なる電圧を印加し、かつY方向の部材にX方向の部材より低い電位を与えることで、より微粒子21に働くクーロン力がY方向に強まり、飛翔範囲を更に横長にすることができる。また、電極部材23及び電極部材24は同一電位であれ、異なる電位であれ、四角の枠形状である必要はなく、五角形状、六角形状・・と所望の付着範囲22に応じて、また形成する電位を考慮して形状を決めればよい。
また、クーロン力で飛翔範囲を狭める方向に規制することにより、塗布膜厚の均一性も向上する。つまりは、電極部材23及び電極部材24に電位を与えることにより、微粒子21に飛翔範囲を狭めるクーロン力が働き、微粒子21同士が近接するが、微粒子自体も同一極で帯電しているため、互いに斥力が働き、広がろうとするクーロン力が働く。そのため、電極部材枠内で、微粒子21の濃度が薄いところに微粒子21が拡散していき、その結果、付着範囲21に微粒子濃度がより均一になって塗布されることになる。
電極部材23を磁界形成手段としてのコイル(磁界ガードリング)に置き換え、磁界レンズと同原理にてローレンツ力を作用させることで実施してもよい。
The electrode member 23 and the electrode member 24 are in principle the same as the electrostatic lens, but the electrostatic lens gradually decreases the flight range (the cross-sectional area of the aerosol perpendicular to the Z axis) as it approaches the substrate. However, the electrode member 23 and the electrode member 24 do not need to be converged. As an effect | action of the electrode member 23 and the electrode member 24, it is sufficient if a flight range is narrowed from an original range.
The electrode member 23 and the electrode member 24 affect the electric field of the flying space of the fine particles 21 and exert a Coulomb force that accelerates the fine particles 21. By these actions, the flying range of the fine particles 21 toward the substrate 11 is narrowed. That is, the flying range is narrowed with respect to the flying range when the electrode member 23 and the electrode member 24 are not provided. The flying space refers to a space in which the fine particles 21 can fly. In this embodiment, the flying space of the fine particles 21 can be narrowed by providing the electrode member according to the present invention.
Further, the electrode member 23 and the electrode member 24 need not all be at the same potential. That is, when it is desired to make the flight range more horizontally long (for example, when it is desired to narrow the flight range in the Y direction), the electrode member 23 and the electrode member 24 in FIG. By electrically cutting the member (the one with the longer side), applying a different voltage, and applying a lower potential to the member in the Y direction than the member in the X direction, the Coulomb force acting on the fine particles 21 is further improved in the Y direction. Strengthened, the flight range can be further extended horizontally. In addition, the electrode member 23 and the electrode member 24 do not need to have a rectangular frame shape regardless of whether they are at the same potential or different potentials, and are formed according to a pentagonal shape, a hexagonal shape, and a desired adhesion range 22. The shape may be determined in consideration of the potential.
Moreover, the uniformity of the coating film thickness is also improved by restricting the flight range by the Coulomb force. That is, by applying a potential to the electrode member 23 and the electrode member 24, a Coulomb force that narrows the flying range acts on the fine particles 21, and the fine particles 21 come close to each other. The repulsive force works, and the Coulomb force that tries to spread works. Therefore, the fine particles 21 diffuse in the electrode member frame where the concentration of the fine particles 21 is low, and as a result, the fine particle concentration is applied to the adhesion range 21 in a more uniform manner.
The electrode member 23 may be replaced with a coil (magnetic field guard ring) as a magnetic field forming means, and Lorentz force may be applied on the same principle as the magnetic field lens.

図2A−Cに示す枠線30は、電極部材23及び電極部材24に相当する電極位置又はコイルに置き換えた場合に電流が流れる中心位置(すなわち、その電流により生じる磁界の磁極位置)を示すものである。31−34は、枠線30の角部を、S1からS4は枠線30の各辺を示す。点Oは中心軸Oの位置と共通であり、枠線30の中心とも共通する。点A,B,C,Dは、点Oから等距離ある点である。d1は、点Aと辺S1との距離及び点Cと辺S3との距離を示す。d2は、点Bと辺S2との距離及び点Dと辺S4との距離を示す。
d1<d2のため、電極部材23若しくは電極部材24の影響によるクーロン力、又はコイルに置き換えた場合におけるローレンツ力が、点A,Cより点B,Dにおいて小さいため、図1に示すように基材11上での微粒子の付着範囲22が、X方向に長くY方向に短い形状に形成される。
A frame 30 shown in FIGS. 2A to 2C indicates an electrode position corresponding to the electrode member 23 and the electrode member 24 or a center position where current flows when replaced with a coil (that is, a magnetic pole position of a magnetic field generated by the current). It is. Reference numerals 31 to 34 denote corners of the frame line 30, and S <b> 1 to S <b> 4 each side of the frame line 30. The point O is common to the position of the central axis O and is also common to the center of the frame line 30. Points A, B, C, and D are points equidistant from the point O. d1 indicates the distance between the point A and the side S1 and the distance between the point C and the side S3. d2 indicates the distance between the point B and the side S2 and the distance between the point D and the side S4.
Since d1 <d2, the Coulomb force due to the influence of the electrode member 23 or the electrode member 24 or the Lorentz force when replaced with a coil is smaller at points B and D than at points A and C. Therefore, as shown in FIG. The adhesion range 22 of the fine particles on the material 11 is formed in a shape that is long in the X direction and short in the Y direction.

このように、微粒子の付着範囲22がX方向に長くY方向に短い形状に形成されるので、X方向について膜の不均一が緩和される。また、Y方向に基材11上を走査することで、大きな走査幅で大面積の成膜を行うことができる。基材11を帯状体として、その幅方向をX方向に配置し、ローラーで支持搬送することで、連続的に高効率な生産が可能である。この場合、付着範囲22のX方向の寸法が帯状の基材の幅寸法を超えるように制御することが好ましい。これによって一つのノズルによって幅方向の端から端まで成膜することができ、膜の均一性が向上できる。   As described above, since the adhesion range 22 of the fine particles is formed in a shape that is long in the X direction and short in the Y direction, the nonuniformity of the film in the X direction is alleviated. Further, by scanning the substrate 11 in the Y direction, a large area film can be formed with a large scanning width. By using the base material 11 as a belt-like body, the width direction thereof is arranged in the X direction, and the material is supported and conveyed by a roller, whereby continuous and highly efficient production is possible. In this case, it is preferable to control so that the dimension in the X direction of the adhesion range 22 exceeds the width dimension of the belt-like substrate. Thus, the film can be formed from one end to the other in the width direction by one nozzle, and the uniformity of the film can be improved.

帯電した微粒子21に基材11方向へのクーロン力、又はローレンツ力を付与することにより周囲への微粒子21の飛散を抑制することができ、かつ基材11方向に微粒子21を輸送する力が働くため、微粒子21の基材11への付着効率も向上する。
また、ノズル10の吐出口より上に電極部材24を設置した。電極部材24をノズル10と基材11との間にある電極部材23より高電位にする。これにより、微粒子21は電界に囲まれることになり、周りに飛散できず、付着効率が更に向上する。
By applying a Coulomb force or Lorentz force in the direction of the substrate 11 to the charged fine particles 21, scattering of the fine particles 21 to the surroundings can be suppressed, and a force for transporting the fine particles 21 in the direction of the substrate 11 works. Therefore, the adhesion efficiency of the fine particles 21 to the base material 11 is also improved.
An electrode member 24 was installed above the discharge port of the nozzle 10. The electrode member 24 is set to a higher potential than the electrode member 23 between the nozzle 10 and the substrate 11. As a result, the fine particles 21 are surrounded by an electric field and cannot be scattered around, thereby further improving the adhesion efficiency.

微粒子の付着範囲22が一方向に長い形状に形成されればよいので、図1でX方向に対してY方向について相対的に微粒子21の飛翔範囲を狭めればよい。そのため、電極部材22,23やコイルの形状は特に限定されるものではなく、所望の付着範囲22の形状となるような形状にすればよい。
また、このようなローレンツ力を作用させることは、図2Aに示す角部31,32,33,34に磁石の磁極を配置することでも実施できる。この場合、例えば、角部31にS極、角部32にN極、角部33にS極、角部34にN極を配置することで、微粒子の付着範囲22を一方向に長い形状に形成できる。各磁極は、電磁石の鉄芯の端部で構成したり、立方体部材の面にペレット状の永久磁石を貼り付けて構成したりして実施することができる。後者の場合、S極とする角部においてS極を表にして永久磁石を張り付け、N極とする角部においてN極を表にして永久磁石を張り付ける。
Since the adhesion range 22 of the fine particles only needs to be formed in a shape that is long in one direction, the flying range of the fine particles 21 may be narrowed relatively in the Y direction with respect to the X direction in FIG. Therefore, the shapes of the electrode members 22 and 23 and the coil are not particularly limited, and may be a shape that becomes a desired adhesion range 22 shape.
Further, such a Lorentz force can be applied by arranging magnetic poles of the magnets at the corners 31, 32, 33, and 34 shown in FIG. 2A. In this case, for example, by arranging the S pole at the corner portion 31, the N pole at the corner portion 32, the S pole at the corner portion 33, and the N pole at the corner portion 34, the particle adhesion range 22 is elongated in one direction. Can be formed. Each of the magnetic poles can be implemented by configuring the end of an iron core of an electromagnet or by pasting a pellet-shaped permanent magnet on the surface of a cubic member. In the latter case, the permanent magnet is pasted with the south pole faced up at the corner portion to be the south pole, and the permanent magnet is pasted with the north pole face up at the corner portion to be the north pole.

なお、ノズル10から吐出されるエアロゾル20は、ノズル10に溶液を供給することで生成してもよいし、ノズル10に予め生成したエアロゾル20を供給することでもよい。後者の場合、ノズル10に配管を介してチャンバーを設け、キャリアガスによりノズル10へ搬送する。エアロゾルを生成するエアロゾル生成装置としては、特に限定されるものではなく、利用できる技術を選択して実施すればよい。例えば、超音波霧化現象を利用した装置が知られており、これを適用することができる。その場合、上記チャンバーの底部に取り付けた超音波振動子によりチャンバーに貯留した溶液を超音波振動させ、溶液の液面からエアロゾルを発生させる。このとき、溶液の液面に高電圧を印加する静電霧化装置や、溶液の液面上に側部からイオンキャリアガスを供給する超音波霧化式イオナイザーを適用することができる。後者の場合、イオンキャリアガスによってエアロゾルをノズル10方向へ搬送できる。
また、既存の静電スプレー装置に慣用されているように、ノズルにより溶液を噴霧するものも適用できる。この場合、ノズルの吐出口を上記チャンバー内に配置することでエアロゾルをチャンバー内に貯留する。
また、ノズル10並びにこれに接続する配管及びチャンバーの構成材料に、ヒーターを付設してもよい。例えば、チャンバー、配管及びノズル10の構成材料の外側を覆うように、ヒーターを付設する。このヒーターよって、搬送されるエアロゾル20の温度を溶媒が気化するための最適値に保ち、溶媒を除去することを搬送中に促進することができ、更に微粒子21の径を小さくすることができる。また、基材11に帯電微粒子21が付着した際に、瞬時に溶媒が除去され、層混合を抑制することができる。温度は、用いる溶媒の揮発しやすさに応じて設定する。
The aerosol 20 discharged from the nozzle 10 may be generated by supplying a solution to the nozzle 10 or may be supplied to the nozzle 10 in advance. In the latter case, a chamber is provided in the nozzle 10 via a pipe, and the nozzle 10 is conveyed to the nozzle 10 by a carrier gas. The aerosol generating apparatus for generating the aerosol is not particularly limited, and a technique that can be used may be selected and implemented. For example, an apparatus using an ultrasonic atomization phenomenon is known and can be applied. In that case, the solution stored in the chamber is ultrasonically vibrated by an ultrasonic vibrator attached to the bottom of the chamber, and aerosol is generated from the liquid surface of the solution. At this time, an electrostatic atomizer that applies a high voltage to the liquid surface of the solution, or an ultrasonic atomizer ionizer that supplies ion carrier gas from the side onto the liquid surface of the solution can be applied. In the latter case, the aerosol can be conveyed toward the nozzle 10 by the ion carrier gas.
Moreover, what sprays a solution with a nozzle is also applicable as it is commonly used for the existing electrostatic spray apparatus. In this case, the aerosol is stored in the chamber by disposing the nozzle outlet in the chamber.
Moreover, you may attach a heater to the constituent material of the nozzle 10 and piping connected to this, and a chamber. For example, a heater is attached so as to cover the outside of the constituent materials of the chamber, piping, and nozzle 10. With this heater, the temperature of the aerosol 20 to be conveyed can be maintained at an optimum value for vaporizing the solvent, and the removal of the solvent can be promoted during the conveyance, and the diameter of the fine particles 21 can be further reduced. Moreover, when the charged fine particles 21 adhere to the substrate 11, the solvent is instantaneously removed, and layer mixing can be suppressed. The temperature is set according to the volatility of the solvent used.

また、成膜工程において収率を上げる観点から、基材11からノズル10方向への上昇気流を抑制するために、ノズル10から吐出されるガス温度より低い温度に、基材11を保つことが好ましい。例えば、ノズル10や、上述のようにノズル10に接続される配管やチャンバーを温める場合に、その温度より低い温度にプレート12に付設した調温装置によって調温する。   Further, from the viewpoint of increasing the yield in the film forming process, the base material 11 should be kept at a temperature lower than the gas temperature discharged from the nozzle 10 in order to suppress the upward air flow from the base material 11 toward the nozzle 10. preferable. For example, when heating the nozzle 10 or the piping or chamber connected to the nozzle 10 as described above, the temperature is adjusted by a temperature adjusting device attached to the plate 12 at a temperature lower than that temperature.

クーロン力を与えるための電極部材23及び電極部材24は、金属基材を非導電性材料でコーティングしたものを用いるのがよい。その際は、金属基材に電圧を印加することで非導電性材料を帯電させることができ、微粒子21と同一極にすることで、微粒子21の付着を防止することができる。
非導電性材料としては、Al2O3セラミックスを溶射後、アルコキシシランで封孔処理したものが挙げられる。金属基材には、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属を用いることができる。ステンレスは加工し易く好ましく用いることができる。非導電性材料としては、ケイ酸塩系ガラス・ホウ酸塩系ガラス・リン酸塩系ガラス・ゲルマン酸塩系ガラス・亜テルル酸塩ガラス・アルミン酸塩ガラス・バナジン酸塩ガラス等を用いることができる。この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易い。
また、気密性の高い高耐熱性のセラミックスを焼結したセラミックスを用いることも好ましい。セラミックスの厚みは、印加する電圧に耐えうる範囲でよく、0.1mm以上、更には0.3mm以上であることが好ましい。セラミックスの材質としては例えばアルミナ系、ジルコニア系、窒化珪素系、炭化珪素系のセラミックスが挙げられるが、中でもアルミナ系のセラミックスが好ましい。
セラミックスは、無機質材料で封孔処理されているのが好ましく、これにより金属基材の耐久性を向上させることができる。封孔処理はセラミックスに封孔剤である金属アルコキシドを主原料とするゾルをセラミックス上に塗布した後に、ゲル化させて硬化させることで、強固な3次元結合を形成させ均一な構造を有する金属酸化物によって、セラミックスの封孔処理をすることができる。また、ゾルゲル反応を促進するためにエネルギー処理を行うことが好ましい。ゾルにエネルギー処理をすることによって、金属−酸素−金属の3次元結合を促進することができる。エネルギー処理には、プラズマ処理や、200℃以下の加熱処理、UV処理が好ましい。
As the electrode member 23 and the electrode member 24 for applying the Coulomb force, it is preferable to use a metal base coated with a non-conductive material. In that case, the non-conductive material can be charged by applying a voltage to the metal substrate, and by making it the same polarity as the fine particles 21, the adhesion of the fine particles 21 can be prevented.
Examples of the non-conductive material include those obtained by thermal spraying Al2O3 ceramics and then sealing with alkoxysilane. A metal such as silver, platinum, stainless steel, aluminum, or iron can be used for the metal substrate. Stainless steel is easy to process and can be preferably used. Use non-conductive materials such as silicate glass, borate glass, phosphate glass, germanate glass, tellurite glass, aluminate glass, vanadate glass, etc. Can do. Of these, borate glass is easy to process.
It is also preferable to use a ceramic obtained by sintering a highly heat-resistant ceramic with high airtightness. The thickness of the ceramic may be in a range that can withstand the applied voltage, and is preferably 0.1 mm or more, and more preferably 0.3 mm or more. Examples of the ceramic material include alumina-based, zirconia-based, silicon nitride-based, and silicon carbide-based ceramics. Among these, alumina-based ceramics are preferable.
The ceramic is preferably sealed with an inorganic material, whereby the durability of the metal substrate can be improved. The sealing process is a metal having a uniform structure by forming a solid three-dimensional bond by applying a sol whose main raw material is a metal alkoxide, which is a sealing agent, to ceramics and then gelling and curing. Ceramics can be sealed with an oxide. Moreover, it is preferable to perform energy treatment in order to promote the sol-gel reaction. By applying energy treatment to the sol, a three-dimensional bond of metal-oxygen-metal can be promoted. For the energy treatment, plasma treatment, heat treatment at 200 ° C. or lower, and UV treatment are preferable.

〔超臨界二酸化炭素〕
次に、図3を参照して、超臨界二酸化炭素を溶媒として適用する場合につき説明する。
[Supercritical carbon dioxide]
Next, a case where supercritical carbon dioxide is applied as a solvent will be described with reference to FIG.

図3は、本発明を適用した静電スプレー装置(半回分式流通法に基づくRESS(Rapid Expansion of Supercritical Solution)装置)の概略構成図である。超臨界二酸化炭素を用いた溶体急速膨張法では、超臨界二酸化炭素中に溶質が溶解した溶体(Solution)、もしくは固体溶質中に超臨界二酸化炭素が溶解することにより得られる溶体を、ノズルを通して大気圧近くまで急激に膨張させ、その際の大きな溶解度低下に起因した分子自己集積(結晶化)現象により発生する溶質分子のクラスターを基板上に噴射させることにより薄膜を創製する技術である。   FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an electrostatic spray apparatus (RESS (Rapid Expansion of Supercritical Solution) apparatus based on a semi-batch distribution method) to which the present invention is applied. In the solution rapid expansion method using supercritical carbon dioxide, a solution in which a solute is dissolved in supercritical carbon dioxide (Solution) or a solution obtained by dissolving supercritical carbon dioxide in a solid solute is passed through a nozzle. This is a technique for creating a thin film by rapidly expanding to near atmospheric pressure and injecting a cluster of solute molecules generated by molecular self-assembly (crystallization) phenomenon caused by a large decrease in solubility at that time onto the substrate.

したがって、図3に示す静電スプレー装置においては、ガスボンベ1から供給される二酸化炭素は、乾燥管2、フィルター3、および冷却器4を通過した後、加圧ポンプ5により加圧され、予熱器6を通り、超臨界二酸化炭素となる。溶質溶解セル81−84には有機溶質が配置されており、超臨界二酸化炭素が溶質溶解セル81−84を通過する際、所定の溶質溶解温度および溶質溶解圧力で溶質が超臨界二酸化炭素中に溶解し、超臨界溶質溶解相(溶体)となる(溶質溶解工程)。予熱器6と溶質溶解セル81−84との間には逆止弁7が介挿され、予熱器6、逆止弁7および溶質溶解セル81−84などは恒温槽13内に配置されている。   Therefore, in the electrostatic spray apparatus shown in FIG. 3, the carbon dioxide supplied from the gas cylinder 1 passes through the drying tube 2, the filter 3, and the cooler 4, and is then pressurized by the pressurizing pump 5, thereby preheating the preheater. It passes through 6 and becomes supercritical carbon dioxide. The organic solute is disposed in the solute dissolution cell 81-84, and when the supercritical carbon dioxide passes through the solute dissolution cell 81-84, the solute is in the supercritical carbon dioxide at a predetermined solute dissolution temperature and solute dissolution pressure. Dissolves and becomes a supercritical solute solution phase (solution) (solute dissolution step). A check valve 7 is inserted between the preheater 6 and the solute dissolution cell 81-84, and the preheater 6, check valve 7, solute dissolution cell 81-84, etc. are arranged in the thermostatic chamber 13. .

次に、超臨界溶質溶解相は、凝縮を防ぐために膨張前温度にまで加熱されたノズル10(長さ1cm、内径50μm)を通して大気圧下に噴出され、気体状態の二酸化炭素と溶質分子のクラスターに分かれる。溶質分子のクラスターは基板11上に噴射され、薄膜が生成される(噴射工程)。かかる操作を行う際、ストップバルブV2〜V5は所定のタイミングで開閉され、その間、溶質溶解圧力、および溶質溶解温度(膨張前温度)は各々、圧力計PIおよび温度計TIで監視される。また、加圧ポンプ5に対して並列に背圧弁7が配置されている。   Next, the supercritical solute dissolved phase is ejected under atmospheric pressure through a nozzle 10 (length 1 cm, inner diameter 50 μm) heated to a pre-expansion temperature to prevent condensation, and a cluster of gaseous carbon dioxide and solute molecules. Divided into Solute molecule clusters are jetted onto the substrate 11 to form a thin film (jetting step). When performing such an operation, the stop valves V2 to V5 are opened and closed at a predetermined timing, and during that time, the solute dissolution pressure and the solute dissolution temperature (pre-expansion temperature) are monitored by the pressure gauge PI and the thermometer TI, respectively. A back pressure valve 7 is arranged in parallel with the pressurizing pump 5.

溶質溶解セル81−84とノズル10との間にはフィルター9が介挿され、ノズル10および基板11などはクリーンブース14内に配置されている。また、基板11は、ホットプレート12上に配置されており、所定の温度に加熱される。   A filter 9 is inserted between the solute dissolution cell 81-84 and the nozzle 10, and the nozzle 10 and the substrate 11 are arranged in the clean booth 14. The substrate 11 is disposed on the hot plate 12 and heated to a predetermined temperature.

〔溶媒〕
次に、本発明に係る微粒子に作製に用いられる溶媒について詳細に説明する。
本発明に係る有機材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、などのエーテル系溶媒、メタノールや、エタノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、オクタン、デカン等のパラフィン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、アセトニトリル、DMF、DMSO等の溶媒が挙げられる。
更には、微粒子径を制御するために、上記の溶媒の中から蒸気圧の異なる溶媒を2種類以上混合した溶液を溶媒として用いることが好ましい。更には、微粒子が基材に付着した際の微粒子の濡れ性の制御及び、膜厚の均一性、や平滑性を向上させるために、表面張力の異なる溶媒を2種類以上を混合した溶液を溶媒に用いることが好ましい。
〔有機材料〕
次に、本発明に係る微粒子に作製に用いられる有機材料について詳細に説明する。
本発明に係る有機薄膜を形成する有機材料は、大きくは高分子、低分子がある。
低分子とは、重量平均分子量で、5000以下のものを指し、低分子として好ましく用いられるのは3000以下、更に好ましくは2000以下のものである。高分子とは、5000より大きいものを指す。
なお、低分子材料を塗布する場合は、高分子材料と異なり、下層を溶解させない溶媒を用いても、低分子、すなわち分子が小さいがゆえに、下層へ溶媒が浸透するとともに低分子材料も浸透し、層混合を起こしやすく、性能劣化の原因となる。
〔solvent〕
Next, the solvent used for producing the fine particles according to the present invention will be described in detail.
Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the organic material according to the present invention include halogen-based hydrocarbon solvents such as dichloromethane, dichloroethane, chloroform, tetrachloroethane, trichloroethane, and chlorobenzene, and ether-based solvents such as dibutyl ether and tetrahydrofuran. , Methanol, alcohol solvents such as ethanol, isopropanol, cyclohexanol, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, paraffin solvents such as hexane, octane, decane, ethyl acetate, butyl acetate, acetic acid Ester solvents such as amyl, amide solvents such as N, N-dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, acetonitrile, DMF Solvent DMSO, and the like.
Furthermore, in order to control the particle size, it is preferable to use a solution obtained by mixing two or more solvents having different vapor pressures from the above solvents. Furthermore, in order to control the wettability of the fine particles when the fine particles adhere to the substrate and to improve the uniformity and smoothness of the film thickness, a solution obtained by mixing two or more types of solvents having different surface tensions is used as the solvent. It is preferable to use for.
[Organic materials]
Next, the organic material used for producing the fine particles according to the present invention will be described in detail.
The organic material for forming the organic thin film according to the present invention is largely a polymer or a low molecule.
A low molecule means a weight average molecular weight of 5000 or less, and preferably used as a low molecule is 3000 or less, more preferably 2000 or less. A polymer refers to a polymer larger than 5000.
When applying a low molecular weight material, unlike a high molecular weight material, even if a solvent that does not dissolve the lower layer is used, the low molecular weight, that is, the molecule is small, so the solvent penetrates into the lower layer and the low molecular weight material also penetrates. , Layer mixing is likely to occur, causing performance degradation.

〔有機EL素子(有機エレクトロルミネッセンス素子〕
次に、有機エレクトロルミネッセンス素子につき説明する。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光する素子のことである。有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示す。
[Organic EL element (Organic electroluminescence element)
Next, the organic electroluminescence element will be described.
An organic electroluminescence element has a structure in which a light emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode, and injects electrons and holes into the light emitting layer to recombine excitons. It is an element that emits light by utilizing light emission (fluorescence / phosphorescence) when the exciton is deactivated. Preferred specific examples of the layer structure of the organic EL element are shown below.

(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
ここで、発光層は、少なくとも発光色の異なる2種以上の発光材料を含有していることが好ましく、単層でも複数の発光層からなる発光層ユニットを形成していてもよい。また、正孔輸送層には正孔注入層、電子阻止層も含まれる。
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (iv) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) Anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode Here, the light emitting layer preferably contains at least two kinds of light emitting materials having different emission colors, and a single layer or a light emitting layer comprising a plurality of light emitting layers A unit may be formed. The hole transport layer also includes a hole injection layer and an electron blocking layer.

《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
<Light emitting layer>
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.

本発明に係る発光層は、含まれる発光材料が前記要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。   The light emitting layer according to the present invention is not particularly limited in its configuration as long as the contained light emitting material satisfies the above requirements.

また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。   Moreover, there may be a plurality of layers having the same emission spectrum and emission maximum wavelength.

各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。   It is preferable to have a non-light emitting intermediate layer between each light emitting layer.

本発明における発光層の膜厚の総和は1〜100nmの範囲にあることが好ましく、更に好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから30nm以下である。なお、本発明でいうところの発光層の膜厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む膜厚である。   The total thickness of the light emitting layers in the present invention is preferably in the range of 1 to 100 nm, and more preferably 30 nm or less because a lower driving voltage can be obtained. In addition, the sum total of the film thickness of the light emitting layer as used in the field of this invention is a film thickness also including the said intermediate | middle layer, when a nonluminous intermediate | middle layer exists between light emitting layers.

個々の発光層の膜厚としては1〜50nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは1〜20nmの範囲に調整することである。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はない。   The thickness of each light emitting layer is preferably adjusted to a range of 1 to 50 nm, more preferably adjusted to a range of 1 to 20 nm. There is no particular limitation on the relationship between the film thicknesses of the blue, green and red light emitting layers.

発光層の作製には、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。   For the production of the light emitting layer, a light emitting material or a host compound, which will be described later, is formed by forming a film by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, an ink jet method, or the like. it can.

本発明においては、各発光層には複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料を同一発光層中に混合して用いてもよい。   In the present invention, a plurality of light emitting materials may be mixed in each light emitting layer, and a phosphorescent light emitting material and a fluorescent light emitting material may be mixed and used in the same light emitting layer.

本発明においては、発光層の構成として、ホスト化合物、発光材料(発光ドーパント化合物ともいう)を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。   In the present invention, the structure of the light-emitting layer preferably contains a host compound and a light-emitting material (also referred to as a light-emitting dopant compound) and emits light from the light-emitting material.

本発明に係る有機EL素子の発光層に含有されるホスト化合物としては、室温(25℃)における燐光発光の燐光量子収率が0.1未満の化合物が好ましい。更に好ましくは燐光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が50%以上であることが好ましい。   As the host compound contained in the light emitting layer of the organic EL device according to the present invention, a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission at room temperature (25 ° C.) of less than 0.1 is preferable. More preferably, the phosphorescence quantum yield is less than 0.01. Moreover, it is preferable that the volume ratio in the layer is 50% or more among the compounds contained in a light emitting layer.

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。   As the host compound, known host compounds may be used alone or in combination of two or more. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. Moreover, it becomes possible to mix different light emission by using multiple types of luminescent material mentioned later, and can thereby obtain arbitrary luminescent colors.

本発明に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもいい。   The host compound used in the present invention may be a conventionally known low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit, and a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). )But it is good.

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。ここで、ガラス転移点(Tg)とは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS−K−7121に準拠した方法により求められる値である。   As the known host compound, a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from being increased in wavelength, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable. Here, the glass transition point (Tg) is a value obtained by a method based on JIS-K-7121 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。例えば、特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等が挙げられる。   Specific examples of known host compounds include compounds described in the following documents. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860 Gazette, 2002-334787 gazette, 2002-15871 gazette, 2002-334788 gazette, 2002-43056 gazette, 2002-334789 gazette, 2002-75645 gazette, 2002-338579 gazette. No. 2002-105445, No. 2002-343568, No. 2002-141173, No. 2002-352957, No. 2002-203683, No. 2002-363227, No. 2002-231453. No. 2003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060. 2002-302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.

次に、発光材料について説明する。   Next, the light emitting material will be described.

本発明に係る発光材料としては、蛍光性化合物、燐光発光材料(燐光性化合物、燐光発光性化合物等ともいう)を用いる。   As the light-emitting material according to the present invention, a fluorescent compound or a phosphorescent material (also referred to as a phosphorescent compound or a phosphorescent compound) is used.

本発明において、燐光発光材料とは励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は0.1以上である。   In the present invention, a phosphorescent material is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, it is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and the phosphorescence quantum yield is 0 at 25 ° C. A preferred phosphorescence quantum yield is 0.1 or more, although it is defined as 0.01 or more compounds.

上記燐光量子収率は第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明において燐光発光材料を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。   The phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. The phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents. However, when a phosphorescent material is used in the present invention, the phosphorescence quantum yield (0.01 or more) is achieved in any solvent. Just do it.

燐光発光材料の発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光材料に移動させることで燐光発光材料からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つは燐光発光材料がキャリアトラップとなり、燐光発光材料上でキャリアの再結合が起こり燐光発光材料からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、燐光発光材料の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。   There are two types of light emission of the phosphorescent material. In principle, the carrier recombination occurs on the host compound to which the carrier is transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the phosphorescent material. Energy transfer type to obtain light emission from the phosphorescent light emitting material, and another one is that the phosphorescent light emitting material becomes a carrier trap, and recombination of carriers occurs on the phosphorescent light emitting material, and light emission from the phosphorescent light emitting material is obtained. Although it is a trap type, in any case, the excited state energy of the phosphorescent material is required to be lower than the excited state energy of the host compound.

燐光発光材料は、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   The phosphorescent light-emitting material can be appropriately selected from known materials used for the light-emitting layer of the organic EL element, and is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements. More preferably, an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex compound), or a rare earth complex, and most preferably an iridium compound.

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子には、蛍光発光体を用いることもできる。蛍光発光体(蛍光性ドーパント)の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。   A fluorescent substance can also be used for the organic electroluminescent element according to the present invention. Representative examples of fluorescent emitters (fluorescent dopants) include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes. Examples thereof include dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.

また、従来公知のドーパントも本発明に用いることができ、例えば、国際公開第00/70655号パンフレット、特開2002−280178号公報、同2001−181616号公報、同2002−280179号公報、同2001−181617号公報、同2002−280180号公報、同2001−247859号公報、同2002−299060号公報、同2001−313178号公報、同2002−302671号公報、同2001−345183号公報、同2002−324679号公報、国際公開第02/15645号パンフレット、特開2002−332291号公報、同2002−50484号公報、同2002−332292号公報、同2002−83684号公報、特表2002−540572号公報、特開2002−117978号公報、同2002−338588号公報、同2002−170684号公報、同2002−352960号公報、国際公開第01/93642号パンフレット、特開2002−50483号公報、同2002−100476号公報、同2002−173674号公報、同2002−359082号公報、同2002−175884号公報、同2002−363552号公報、同2002−184582号公報、同2003−7469号公報、特表2002−525808号公報、特開2003−7471号公報、特表2002−525833号公報、特開2003−31366号公報、同2002−226495号公報、同2002−234894号公報、同2002−235076号公報、同2002−241751号公報、同2001−319779号公報、同2001−319780号公報、同2002−62824号公報、同2002−100474号公報、同2002−203679号公報、同2002−343572号公報、同2002−203678号公報等が挙げられる。   Conventionally known dopants can also be used in the present invention. For example, International Publication No. 00/70655 pamphlet, JP-A Nos. 2002-280178, 2001-181616, 2002-280179, 2001 181617, 2002-280180, 2001-247859, 2002-299060, 2001-313178, 2002-302671, 2001-345183, 2002. No. 324679, International Publication No. 02/15645, JP 2002-332291 A, 2002-50484, 2002-332292, 2002-83684, JP 2002-540572, JP 2 No. 02-117978, No. 2002-338588, No. 2002-170684, No. 2002-352960, Pamphlet of International Publication No. 01/93642, JP 2002-50483, No. 2002-1000047. No. 2002-173684, No. 2002-359082, No. 2002-17584, No. 2002-363552, No. 2002-184582, No. 2003-7469, No. 2002-525808. JP-A 2003-7471, JP-T 2002-525833, JP-A 2003-31366, JP-A 2002-226495, JP-A 2002-234894, JP-A 2002-2335076, JP-A 2002-24175 Gazette, 2001-319779, 2001-319780, 2002-62824, 2002-1000047, 2002-203679, 2002-343572, 2002-203678. A gazette etc. are mentioned.

本発明においては、少なくとも一つの発光層に2種以上の発光材料を含有していてもよく、発光層における発光材料の濃度比が発光層の厚さ方向で変化していてもよい。   In the present invention, at least one light emitting layer may contain two or more kinds of light emitting materials, and the concentration ratio of the light emitting materials in the light emitting layer may vary in the thickness direction of the light emitting layer.

《中間層》
本発明において、各発光層間に非発光性の中間層(非ドープ領域等ともいう)を設ける場合について説明する。
《Middle layer》
In the present invention, a case where a non-light emitting intermediate layer (also referred to as an undoped region) is provided between the light emitting layers will be described.

非発光性の中間層とは、複数の発光層を有する場合、その発光層間に設けられる層である。   The non-light emitting intermediate layer is a layer provided between the light emitting layers in the case of having a plurality of light emitting layers.

非発光性の中間層の膜厚としては1〜20nmの範囲にあるのが好ましく、更には3〜10nmの範囲にあることが隣接発光層間のエネルギー移動等相互作用を抑制し、且つ素子の電流電圧特性に大きな負荷を与えないということから好ましい。   The film thickness of the non-light emitting intermediate layer is preferably in the range of 1 to 20 nm, and further in the range of 3 to 10 nm suppresses interaction such as energy transfer between adjacent light emitting layers, and the current of the device This is preferable because a large load is not applied to the voltage characteristics.

この非発光性の中間層に用いられる材料としては、発光層のホスト化合物と同一でも異なっていてもよいが、隣接する2つの発光層の少なくとも一方の発光層のホスト材料と同一であることが好ましい。   The material used for the non-light emitting intermediate layer may be the same as or different from the host compound of the light emitting layer, but may be the same as the host material of at least one of the adjacent light emitting layers. preferable.

非発光性の中間層は非発光層、各発光層と共通の化合物(例えば、ホスト化合物等)を含有していてもよく、各々共通ホスト材料(ここで、共通ホスト材料が用いられるとは、燐光発光エネルギー、ガラス転移点等の物理化学的特性が同一である場合やホスト化合物の分子構造が同一である場合等を示す。)を含有することにより、発光層−非発光層間の層間の注入障壁が低減され、電圧(電流)を変化させても正孔と電子の注入バランスが保ちやすいという効果を得ることができる。更に、非ドープ発光層に各発光層に含まれるホスト化合物と同一の物理的特性または同一の分子構造を有するホスト材料を用いることにより、従来の有機EL素子作製の大きな問題点である素子作製の煩雑さをも併せて解消することができる。   The non-light-emitting intermediate layer may contain a non-light-emitting layer, a compound common to each light-emitting layer (for example, a host compound), and each common host material (where a common host material is used) In the case where the physicochemical characteristics such as phosphorescence emission energy and glass transition point are the same, or the molecular structure of the host compound is the same, etc.) The barrier is reduced, and the effect of easily maintaining the injection balance of holes and electrons even when the voltage (current) is changed can be obtained. Furthermore, by using a host material having the same physical characteristics or the same molecular structure as the host compound contained in each light-emitting layer in the undoped light-emitting layer, device fabrication, which is a major problem in conventional organic EL device fabrication, is achieved. Complexity can also be eliminated.

本発明で有機EL素子を用いる場合、ホスト材料はキャリアの輸送を担うため、キャリア輸送能を有する材料が好ましい。キャリア輸送能を表す物性としてキャリア移動度が用いられるが、有機材料のキャリア移動度は一般的に電界強度に依存性が見られる。電界強度依存性の高い材料は正孔と電子注入・輸送バランスを崩しやすいため、中間層材料、ホスト材料は移動度の電界強度依存性の少ない材料を用いることが好ましい。   When the organic EL device is used in the present invention, since the host material is responsible for carrier transport, a material having carrier transport capability is preferable. Carrier mobility is used as a physical property representing carrier transport ability, but the carrier mobility of an organic material generally depends on the electric field strength. Since a material having a high electric field strength dependency easily breaks the balance between injection and transport of holes and electrons, it is preferable to use a material having a low electric field strength dependency of mobility for the intermediate layer material and the host material.

また、一方では正孔や電子の注入バランスを最適に調整するためには、非発光性の中間層は後述する阻止層、即ち正孔阻止層、電子阻止層として機能することも好ましい態様として挙げられる。   On the other hand, in order to optimally adjust the injection balance of holes and electrons, it is also preferable that the non-light emitting intermediate layer functions as a blocking layer described later, that is, a hole blocking layer and an electron blocking layer. It is done.

《注入層:電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
<< Injection layer: electron injection layer, hole injection layer >>
The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, it exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. May be.

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。   An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。   The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。   The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.

《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
<Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer>
The blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。   In a broad sense, the hole blocking layer has a function of an electron transport layer and is composed of a hole blocking material having a function of transporting electrons and having a remarkably small ability to transport holes, while transporting electrons. By blocking holes, the recombination probability of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed. The hole blocking layer is preferably provided adjacent to the light emitting layer.

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては好ましくは3〜100nmであり、更に好ましくは5〜30nmである。   On the other hand, the electron blocking layer, in a broad sense, has a function of a hole transport layer, and is made of a material having a function of transporting holes while having a remarkably small ability to transport electrons, while transporting holes. By blocking electrons, the probability of recombination of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed. The film thickness of the hole blocking layer and the electron transport layer according to the present invention is preferably 3 to 100 nm, and more preferably 5 to 30 nm.

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。   The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and also two of those described in US Pat. No. 5,061,569. Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-3086 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 8 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.

更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような所謂、p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。   JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, it is preferable to use these materials because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   Alternatively, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.

《電子輸送層》
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Conventionally, in the case of a single electron transport layer and a plurality of layers, an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is injected from the cathode. As long as it has a function of transferring electrons to the light-emitting layer, any material can be selected and used from among conventionally known compounds. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives Thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like. Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。   In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq3), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum. Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material. In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material. Further, the distyrylpyrazine derivatives exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as the electron transport material, and inorganic semiconductors such as n-type-Si and n-type-SiC can be used as well as the hole injection layer and the hole transport layer. It can be used as an electron transport material.

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   Further, an electron transport layer having a high n property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use an electron transport layer having such a high n property because an element with lower power consumption can be manufactured.

《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、In2O3−ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
"anode"
As the anode in the organic EL element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such an electrode material include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO2, and ZnO. Alternatively, an amorphous material such as In2O3-ZnO capable of forming a transparent conductive film may be used.

陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。   For the anode, these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not so high (about 100 μm or more) A pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.

あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。   Or when using the substance which can be apply | coated like an organic electroconductivity compound, wet film-forming methods, such as a printing system and a coating system, can also be used. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.

《陰極》
陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
"cathode"
As the cathode, a material having a work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al2O3) mixture. , Indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al2O3) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as a cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit the emitted light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission luminance is improved, which is convenient.

また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。   Moreover, after producing the said metal by the film thickness of 1 nm-20 nm to a cathode, the transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the electroconductive transparent material quoted by description of the anode on it, By applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量%」を表す。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the display of "part" or "%" is used in an Example, unless otherwise indicated, "part by mass" or "mass%" is represented.

《有機EL素子の作製》
〔有機EL素子1の作製〕
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上に、ITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により製膜した後、基板表面温度200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの正孔注入層を設けた。
この基板を、窒素雰囲気下、JIS B 9920に準拠し、測定した清浄度がクラス100で、露点温度が−80℃以下、酸素濃度0.8ppmのグローブボックスへ移した。グローブボックス中にて正孔輸送層用塗布液を下記のように調製し、スピンコーターにて、1500rpm、30秒の条件で塗布した。この基板を、基板表面温度150℃で30分間加熱乾燥し正孔輸送層を設けた。別途用意した基板にて、同条件にて塗布を行い測定したところ、膜厚は20nmであった。
<< Production of organic EL element >>
[Production of Organic EL Element 1]
After patterning a substrate (NH technoglass NA45) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, a substrate provided with this ITO transparent electrode was formed. Ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, drying with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaning were performed for 5 minutes. A solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water on this substrate was spin-coated at 3000 rpm for 30 seconds. After film formation by the method, the substrate was dried at a substrate surface temperature of 200 ° C. for 1 hour to provide a hole injection layer having a thickness of 30 nm.
This substrate was transferred to a glove box under a nitrogen atmosphere in accordance with JIS B 9920, the measured cleanliness was class 100, the dew point temperature was −80 ° C. or lower, and the oxygen concentration was 0.8 ppm. A coating solution for a hole transport layer was prepared as follows in a glove box, and applied with a spin coater under conditions of 1500 rpm and 30 seconds. This substrate was dried by heating at a substrate surface temperature of 150 ° C. for 30 minutes to provide a hole transport layer. The film thickness was 20 nm when it apply | coated and measured on the conditions with the board | substrate prepared separately.

(正孔輸送層用塗布液)
モノクロロベンゼン 100g
ポリ−(N,N′−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N′−ビス(フェニル)ベンジジン)(ADS254BE:アメリカン・ダイ・ソース社製) 0.5g
(Coating liquid for hole transport layer)
Monochlorobenzene 100g
Poly- (N, N′-bis (4-butylphenyl) -N, N′-bis (phenyl) benzidine) (ADS254BE: manufactured by American Die Source) 0.5 g

次いで、正孔輸送層まで設けた基板を、大気曝露させずに移動し、下記の通り調液した発光層塗布液を用いて、図1に示す静電スプレー装置を用い表1の条件1で塗布した。基板表面温度120℃で10分乾燥し発光層を設けた。別途用意した基板にて、同条件にて塗布を行い測定したところ、膜厚は40nmであった。また、別途正孔輸送層まで塗布した基材を用意し、同条件で発光層用塗布液を塗布し、層混合量、残留膜溶媒量を評価した。   Next, the substrate provided up to the hole transport layer was moved without being exposed to the atmosphere, and using the light emitting layer coating solution prepared as follows, using the electrostatic spray device shown in FIG. Applied. The substrate was dried at a substrate surface temperature of 120 ° C. for 10 minutes to provide a light emitting layer. When the coating was performed under the same conditions on a separately prepared substrate and measured, the film thickness was 40 nm. Moreover, the base material apply | coated to the positive hole transport layer separately was prepared, the coating liquid for light emitting layers was apply | coated on the same conditions, and the layer mixing amount and the residual film | membrane solvent amount were evaluated.

(発光層用塗布液)
酢酸ブチル 100g
H−A 0.1g
D−A 0.011g
D−B 0.0002g
D−C 0.0002g
(Light emitting layer coating solution)
Butyl acetate 100g
HA 0.1g
DA 0.011g
D-B 0.0002g
D-C 0.0002g

上記有機材料H−A、D−A、D−B、D−Cは、下記化合物を表している。

Figure 2013105557
The organic materials HA, DA, DB, and DC represent the following compounds.
Figure 2013105557

次いで、発光層まで設けた基板を大気曝露させずに、下記の通り調液した電子輸送層用塗布液を図1に示した静電スプレー装置を用いて、表1の条件で塗布した。但し、電界ガードリングは、ノズルと基材の間のもののみ適用した。さらに基板表面温度120℃で30分加熱乾燥し電子輸送層を設けた。別途用意した基板にて、同条件にて塗布を行い測定したところ、膜厚は30nmであった。
(電子輸送層用塗布液)
2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール 100g
ET−A 0.75g
Next, without exposing the substrate provided up to the light emitting layer to the atmosphere, the electron transport layer coating solution prepared as follows was applied under the conditions shown in Table 1 using the electrostatic spray device shown in FIG. However, only the electric field guard ring between the nozzle and the substrate was applied. Further, the substrate was heated and dried at 120 ° C. for 30 minutes to provide an electron transport layer. The film thickness was 30 nm when it applied and measured on the conditions prepared with the board | substrate prepared separately.
(Coating liquid for electron transport layer)
2,2,3,3-tetrafluoro-1-propanol 100 g
ET-A 0.75g

上記有機材料ET−Aは、下記化合物を表している。

Figure 2013105557
The organic material ET-A represents the following compound.
Figure 2013105557

Figure 2013105557

但し、条件1−5は、順に実施例に係る有機EL素子1−4、比較例に係る有機EL素子5の条件である。
Figure 2013105557

However, the condition 1-5 is a condition of the organic EL element 1-4 according to the example and the organic EL element 5 according to the comparative example in order.

次いで、電子輸送層まで設けた基板を、大気曝露せずに、蒸着機に移動し、4×10−4Paまで減圧した。尚、フッ化カリウムおよびアルミニウムをそれぞれタンタル製抵抗加熱ボートに入れ、蒸着機に取り付けておいた。
先ず、フッ化カリウムの入った抵抗加熱ボートに通電し加熱し、基板上にフッ化カリウムからなる電子注入層を3nm設けた。続いて、アルミニウムの入った抵抗加熱ボートに通電加熱し、蒸着速度1〜2nm/秒でアルミニウムからなる膜厚100nmの陰極を設けた。
陰極まで設けた基板を、大気曝露させることなく、窒素雰囲気下、JIS B9920に準拠し測定した清浄度がクラス100で、露点温度が−80℃以下、酸素濃度0.8ppmのグローブボックスへ移動し、捕水剤である酸化バリウムを添付したガラス製の封止缶にて封止を行い、有機EL素子101を得た。尚、捕水剤である酸化バリウムは、アルドリッチ社製の高純度酸化バリウム粉末を、粘着剤付きのフッ素系半透過膜(ミクロテックスS−NTF8031Q 日東電工製)でガラス製封止缶に貼り付けたものを予め準備して使用した。封止缶と有機EL素子の接着には紫外線硬化型の接着剤を用い、紫外線を照射することで両者を接着し封止して有機EL素子1を作製した。
Next, the substrate provided up to the electron transport layer was moved to a vapor deposition machine without being exposed to the atmosphere, and the pressure was reduced to 4 × 10 −4 Pa. Note that potassium fluoride and aluminum were each placed in a tantalum resistance heating boat and attached to a vapor deposition machine.
First, a resistance heating boat containing potassium fluoride was energized and heated to provide 3 nm of an electron injection layer made of potassium fluoride on the substrate. Subsequently, a resistance heating boat containing aluminum was energized and heated, and a cathode having a film thickness of 100 nm made of aluminum was provided at a deposition rate of 1 to 2 nm / second.
The substrate provided up to the cathode is moved to a glove box with a cleanness measured in accordance with JIS B9920 of class 100, a dew point temperature of -80 ° C. or less, and an oxygen concentration of 0.8 ppm without being exposed to the atmosphere. The organic EL element 101 was obtained by sealing with a glass sealing can attached with barium oxide as a water-absorbing agent. Barium oxide, a water-absorbing agent, is a high-purity barium oxide powder manufactured by Aldrich, and is attached to a glass sealing can with a fluorine-based semipermeable membrane (Microtex S-NTF8031Q manufactured by Nitto Denko) with an adhesive. Were prepared and used in advance. For the adhesion between the sealing can and the organic EL element, an ultraviolet curable adhesive was used, and both were adhered and sealed by irradiating with ultraviolet rays to produce the organic EL element 1.

〔有機EL素子2の作製〕
ノズル口の上に更に電界ガードリングを設置した以外は、有機EL素子1と同様にして有機EL素子2を作製した。尚、このときの各電界ガードリング、静電スプレーノズル、及び基材への印加電圧は、印加電圧がプラス極の場合は、ノズル上電界ガードリング>静電スプレーノズル>ノズル−基板間電界ガードリング>基板となるように印加した。また、印加電圧がマイナス極の場合は、ノズル上電界ガードリング<静電スプレーノズル<ノズル−基板間電界ガードリング<基板となるように印加した。
[Production of Organic EL Element 2]
An organic EL element 2 was produced in the same manner as the organic EL element 1 except that an electric field guard ring was further installed on the nozzle opening. In addition, the applied voltage to each electric field guard ring, electrostatic spray nozzle, and base material at this time is an electric field guard ring on nozzle> electrostatic spray nozzle> nozzle-substrate electric field guard when the applied voltage is a positive pole. It was applied so that the ring> the substrate. Further, when the applied voltage was a negative pole, application was performed such that the electric field guard ring on the nozzle <electrostatic spray nozzle <the electric field guard ring between the nozzle and the substrate <substrate.

〔有機EL素子3の作製〕
有機EL素子1を作成した条件である長方形状の電界ガードリングに代えて、楕円形の磁界ガードリングを設置した以外は有機EL素子1と同様にして有機EL素子3を作製した。
[Production of Organic EL Element 3]
An organic EL element 3 was produced in the same manner as the organic EL element 1 except that an elliptical magnetic field guard ring was installed instead of the rectangular electric field guard ring, which was the condition for producing the organic EL element 1.

〔有機EL素子4の作製〕
有機EL素子1と同様にして正孔輸送層まで塗布した基材を用意した。更にその基材の上から下記に記載の方法で発光層を塗布した。
塗布装置として図3に示した静電スプレー装置を使用し、成膜した。尚、別途用意した基板にて、同条件にて塗布を行い測定したところ、膜厚は40nmであった。また、別途正孔輸送層まで塗布した基材を用意し、同条件で発光層用塗布液を塗布し、層混合量、残留膜溶媒量を評価した。
図3に示すように4つの溶質溶解セル81−84を設け、以下に記載の溶質をそれぞれの溶質溶解セル81−84に入れた。
溶質溶解セル81 H−A
溶質溶解セル82 D−A
溶質溶解セル83 D−B
溶質溶解セル84 D−C
また、超臨界液としてCO2を用いた。
尚、各材料の重量濃度は、下記の比率になるように、調整した。
H−A:D−A=1:0.11
H−A:D−B=1:0.002
H−A:D−C=1:0.002
[Production of Organic EL Element 4]
The base material apply | coated to the positive hole transport layer similarly to the organic EL element 1 was prepared. Furthermore, the light emitting layer was apply | coated by the method as described below from the base material.
An electrostatic spray apparatus shown in FIG. 3 was used as a coating apparatus to form a film. In addition, when it apply | coated and measured on the conditions with the board | substrate prepared separately, the film thickness was 40 nm. Moreover, the base material apply | coated to the positive hole transport layer separately was prepared, the coating liquid for light emitting layers was apply | coated on the same conditions, and the layer mixing amount and the residual film | membrane solvent amount were evaluated.
As shown in FIG. 3, four solute dissolution cells 81-84 were provided, and the solutes described below were placed in the respective solute dissolution cells 81-84.
Solute dissolution cell 81 H-A
Solute dissolution cell 82 DA
Solute dissolution cell 83 DB
Solute dissolution cell 84 DC
Moreover, CO2 was used as a supercritical fluid.
In addition, the weight concentration of each material was adjusted so that it might become the following ratio.
HA: DA = 1: 0.11
H-A: D-B = 1: 0.002
H-A: D-C = 1: 0.002

〔有機EL素子5(比較例)の作製〕
有機EL素子1を作成した条件である長方形状の電界ガードリングに代えて、円形の電界ガードリングを設置した以外は有機EL素子1と同様にして有機EL素子5を作製した。
[Production of Organic EL Element 5 (Comparative Example)]
An organic EL element 5 was produced in the same manner as the organic EL element 1 except that a circular electric field guard ring was installed instead of the rectangular electric field guard ring which was the condition for producing the organic EL element 1.

《評価》
以上のように作製した実施例(有機EL素子1〜4)及び比較例(有機EL素子5)の評価を開示する。各評価項目の評価結果の要点を表2にまとめた。
<Evaluation>
Evaluation of the Example (organic EL element 1-4) produced as mentioned above and the comparative example (organic EL element 5) is disclosed. The main points of the evaluation results of each evaluation item are summarized in Table 2.

Figure 2013105557
Figure 2013105557

(1)面内均一性
〔面内輝度均一性、面内色度分布の測定〕
分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いて、各有機EL素子を5Vで駆動させたとき、発光領域の端部から5mmの位置から5mm間隔でメッシュ状に輝度及び色度を測定し、下式により輝度均一性及び色度分布を求めた。
輝度均一性=Lmin/Lmax×100
Lmax:測定輝度の最大値。
Lmin:測定輝度の最小値。
なお、表2には得られた計算結果を下記のようにランク分けして示した。
○:輝度均一性≧85%、輝度の変動が小さく非常に好ましい。
×:85%>輝度均一性、輝度が変動している。
(1) In-plane uniformity [Measurement of in-plane brightness uniformity and in-plane chromaticity distribution]
When each organic EL element is driven at 5 V using a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing), luminance and chromaticity are measured in a mesh form at intervals of 5 mm from the position of 5 mm from the end of the light emitting region. The luminance uniformity and chromaticity distribution were determined by the following formula.
Luminance uniformity = Lmin / Lmax × 100
Lmax: Maximum value of measured luminance.
Lmin: the minimum value of the measured luminance.
In Table 2, the obtained calculation results are shown in the following ranks.
○: Luminance uniformity ≧ 85%, very small variation in luminance, which is very preferable.
X: 85%> Brightness uniformity, luminance varies.

(2)寿命
作製した有機EL素子に対し、正面輝度1000cd/m2となるような電流を与え、連続駆動した。正面輝度が初期の半減値(500cd/m2)になるまでに掛かる時間を求め、有機EL素子1〜4の発光寿命は、有機EL素子4(比較)の測定値を100とし、寿命=(有機EL各素子寿命)/(有機EL素子1の寿命)で評価した。なお、表2には得られた計算結果を下記のようにランク分けして示した。
○:1<寿命
×:寿命≦1
(2) Lifetime A current that gives a front luminance of 1000 cd / m @ 2 was applied to the produced organic EL device, and the device was continuously driven. The time it takes for the front luminance to reach the initial half value (500 cd / m 2) is obtained, and the light emission lifetime of the organic EL elements 1 to 4 is defined as 100 when the measured value of the organic EL element 4 (comparative) is used. Evaluation was made by EL life of each element) / (life of organic EL element 1). In Table 2, the obtained calculation results are shown in the following ranks.
○: 1 <lifetime
×: Life ≤ 1

(3)層混合量
アルバック・ファイ株式会社製 走査型X線光電子分光分析装置 (PHI 5000)を用いて、以下の方法で層混合量を測定した。
1) 各種条件で、まずGlass基板上に発光層のみを40nm成膜する。
2)成膜後、PHI−5000を用いて、ArガスクラスターイオンでGlass成分が検出されるまでスパッタする。その時のスパッタ時間tが得られる。
これにより、スパッタ時間から膜厚が推定できるようになる。
3) 正孔輸送層まで成膜した基板に、発光層を1と同じ条件で成膜する。
4) 2)と同じようにスパッタするが、このとき、スパッタ時間t以上は正孔輸送層をスパッタすることになる。
5)正孔輸送層内に、正孔輸送材料に含まれず、発光輸送層に含まれるIrの量を見れば、層混合量が把握できる。
深さはIrが無くなるまでスパッタすれば、そのスパッタ時間から、層混合している膜厚が推定できる。
なお、層混合量は以下のようにランクづけした。
○: 発光層と正孔輸送層の層混合量 <3nm
×: 3nm≦発光層と正孔輸送層の層混合量
(3) Layer Mixing Amount The layer mixing amount was measured by the following method using a scanning X-ray photoelectron spectrometer (PHI 5000) manufactured by ULVAC-PHI.
1) Under various conditions, first, only a light emitting layer is formed to a thickness of 40 nm on a glass substrate.
2) After film formation, sputtering is performed using PHI-5000 until the Glass component is detected by Ar gas cluster ions. The sputtering time t at that time is obtained.
Thereby, the film thickness can be estimated from the sputtering time.
3) A light emitting layer is formed under the same conditions as 1 on the substrate formed up to the hole transport layer.
4) Sputtering is performed in the same manner as 2). At this time, the hole transport layer is sputtered for a sputtering time t or longer.
5) If the amount of Ir contained in the light-emitting transport layer and not contained in the hole-transport material in the hole transport layer is seen, the layer mixing amount can be grasped.
If the depth is sputtered until Ir disappears, the film thickness of the layer mixture can be estimated from the sputtering time.
In addition, the layer mixing amount was ranked as follows.
○: Layer mixing amount of light emitting layer and hole transport layer <3 nm
×: 3 nm ≦ layer mixing amount of light emitting layer and hole transport layer

(4)付着効率
付着効率は、ノズルより塗出したミスト量Wと基材に付着したミスト量Wtとの比率を表し下記のようにあらわす。
付着効率=Wt/W×100%
なお基材に付着したミスト量Wtは液の固形分濃度と100mm×100mm×1.1tのガラス基材に付着した膜の81箇所の平均膜厚d(10mm間隔に測定)から、付着量を以下の式から計算した。
*付着膜の重量(g)=10×10×d(cm)×固形分材料の密度(g/cm3)
Wt=付着膜の重量(g)/液の固形分濃度(%)×100
W=基板上にノズルがあった時間(min)×ミスト生成量(g/min)
なお、表2には得られた計算結果を下記のようにランク分けして示した。
○ :付着効率>85%
△:60%<付着効率≦85%
× :付着効率≦60%
(4) Adhesion efficiency The adhesion efficiency represents the ratio between the mist amount W applied from the nozzle and the mist amount Wt adhering to the substrate, and is expressed as follows.
Adhesion efficiency = Wt / W x 100%
The mist amount Wt adhering to the base material is determined from the solid content concentration of the liquid and the average film thickness d (measured at intervals of 10 mm) at 81 locations of the film adhering to the 100 mm × 100 mm × 1.1 t glass base material. Calculated from the following equation:
* Weight of adhered film (g) = 10 × 10 × d (cm) × solid content density (g / cm 3)
Wt = weight of adhered film (g) / solid concentration of liquid (%) × 100
W = time the nozzle was on the substrate (min) × mist generation amount (g / min)
In Table 2, the obtained calculation results are shown in the following ranks.
○: Adhesion efficiency> 85%
Δ: 60% <Adhesion efficiency ≦ 85%
×: Adhesion efficiency ≦ 60%

(5)残留溶媒量
ここで、本発明に係る残留溶媒率の測定は、下記に示す。ヘッドスペース方式のガスクロマトグラフによる定量方法が用いられる。
本発明の有機EL素子の有機層に含有される残留溶媒の定量方法として用いられるヘッドスペース方式のガスクロマトグラフによる定量方法は、通常のガスクロマトグラフで使用される内部標準法等の検出方法を使用して測定する。
ヘッドスペース方式のガスクロマトグラフによる定量方法では、有機EL素子を開閉容器中に封入し、加温し、容器中に残留溶媒(有機溶媒及び/または水等)が充満した状態で速やかに容器中のガスをガスクロマトグラフに注入して残留溶媒量を測定するとともに、MS(質量分析)も行う。
(5) Residual solvent amount Here, the measurement of the residual solvent rate which concerns on this invention is shown below. A headspace type gas chromatographic determination method is used.
The headspace type gas chromatograph used as a method for quantifying the residual solvent contained in the organic layer of the organic EL device of the present invention uses a detection method such as an internal standard method used in a normal gas chromatograph. To measure.
In the headspace type gas chromatograph quantitative method, the organic EL element is sealed in an open / closed container, heated, and immediately filled with residual solvent (organic solvent and / or water, etc.) in the container. Gas is injected into the gas chromatograph to measure the amount of residual solvent, and MS (mass spectrometry) is also performed.

以下、本実施例に用いたヘッドスペース方式のガスクロマトグラフによる測定法について詳細に説明する。
〈ヘッドスペースガスクロマトグラフ測定方法〉
1.試料の採取
20mlヘッドスペース用バイアルに、有機EL素子試料を採取する。試料量は、0.01gまで秤量する(単位質量あたりの面積を算出するのに必要)。専用クリンパーを用いてバイアルにセプタムを用いてシールする。
2.試料の加温
170℃の恒温槽に試料を立てた状態で入れ、30分間加温する。
3.ガスクロマトグラフ分離条件の設定
質量比で15%になるようにシリコンオイルSE−30でコーティングした担体を内径3mm、長さ3mのカラムに充填したものを分離カラムとして用いる。該分離カラムをガスクロマトグラフに装着し、Heをキャリアとして、50ml/分で流す。
分離カラムの温度を40℃にし、昇温速度15℃/分で260℃まで昇温させながら測定する。260℃に到達後5分間保持する。
4.試料の導入
バイアルビンを恒温槽から取り出し、直ちにガスタイトシリンジで試料から発生したガス1mlを採取し、これを上記分離カラムに注入する。
5.計算
内部基準物質として使用した芳香族炭化水素化合物により、予め検量線を作製し、それぞれ各成分の濃度を求める。
6.機材
(1)ヘッドスペース条件
ヘッドスペース装置
ヒューレットパッカード社製HP7694「Head Space Sampler」
温度条件
トランスファーライン:200℃
ループ温度:200℃
サンプル量:0.8g/20mlバイアル
(2)GC/MS条件
GC:ヒューレットパッカード社製HP5890
MS:ヒューレットパッカード社製HP5971
カラム:HP−624 30m×0.25mm
オーブン温度:40℃(3分)−15℃/分−260℃
測定モード:SIM
なお、表2には得られた計算結果を下記のようにランク分けして示した。
○:残留溶媒量 < 1wt%
△:1wt%≦残留溶媒量<5wt%
×:5wt%≦残留溶媒量
Hereinafter, the measurement method using the head space type gas chromatograph used in this example will be described in detail.
<Headspace gas chromatograph measurement method>
1. Sample collection Sample organic EL elements in a 20 ml headspace vial. The sample amount is weighed to 0.01 g (necessary for calculating the area per unit mass). Seal the vial with a septum using a dedicated crimper.
2. Heating the sample Place the sample in a 170 ° C constant temperature bath and heat for 30 minutes.
3. Setting of gas chromatographic separation conditions A column coated with silicon oil SE-30 so as to have a mass ratio of 15% and packed in a column having an inner diameter of 3 mm and a length of 3 m is used as a separation column. The separation column is attached to a gas chromatograph, and He is used as a carrier to flow at 50 ml / min.
The temperature of the separation column is set to 40 ° C., and measurement is performed while the temperature is increased to 260 ° C. at a temperature increase rate of 15 ° C./min. Hold for 5 minutes after reaching 260 ° C.
4). Introduction of sample The vial bottle is taken out from the thermostatic chamber, immediately 1 ml of gas generated from the sample is collected with a gas tight syringe, and this is injected into the separation column.
5. Calculation A calibration curve is prepared in advance using the aromatic hydrocarbon compound used as the internal reference material, and the concentration of each component is determined.
6). Equipment (1) Headspace conditions Headspace device HP 769 “Head Space Sampler” manufactured by Hewlett-Packard Company
Temperature conditions Transfer line: 200 ° C
Loop temperature: 200 ° C
Sample amount: 0.8 g / 20 ml vial (2) GC / MS conditions GC: HP5890 manufactured by Hewlett-Packard Company
MS: HP5971 manufactured by Hewlett-Packard Company
Column: HP-624 30m x 0.25mm
Oven temperature: 40 ° C (3 minutes)-15 ° C / min-260 ° C
Measurement mode: SIM
In Table 2, the obtained calculation results are shown in the following ranks.
○: Residual solvent amount <1 wt%
Δ: 1 wt% ≦ residual solvent amount <5 wt%
×: 5 wt% ≦ residual solvent amount

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子や有機薄膜太陽電池等の有機薄膜の製造に利用することができる。   INDUSTRIAL APPLICATION This invention can be utilized for manufacture of organic thin films, such as an organic electroluminescent (EL) element and an organic thin film solar cell.

10 ノズル
11 基材
15 電圧印加手段
16 電圧印加手段
17 電圧印加手段
20 エアロゾル
21 微粒子
22 付着範囲
23 電極部材(電界ガードリング)
24 電極部材(電界ガードリング)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Nozzle 11 Base material 15 Voltage application means 16 Voltage application means 17 Voltage application means 20 Aerosol 21 Fine particle 22 Adhesion range 23 Electrode member (electric field guard ring)
24 Electrode member (electric field guard ring)

Claims (11)

有機材料を含む微粒子が分散したエアロゾルを吐出するノズルと、
前記ノズルに電圧を印加し、前記微粒子を帯電させる電圧印加手段と、
基材をアース又は前記微粒子と逆極性の電位に保持する基材保持手段とを備えて、静電引力により前記ノズルから吐出された前記微粒子を前記基材に引き付け堆積させて有機薄膜を前記基材上に成膜する静電スプレー装置において、
前記微粒子の飛翔空間の電界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する電極部又は前記微粒子の飛翔空間の磁界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する磁極部を、前記ノズルの吐出口と前記基材との間に備え、
前記電極部又は磁極部の制御により、前記微粒子の飛翔範囲を、前記基材に平行な平面上の一方向について、これと直交する同平面上の他方向より大きくすることを特徴とする静電スプレー装置。
A nozzle for discharging an aerosol in which fine particles containing an organic material are dispersed;
Voltage application means for applying a voltage to the nozzle and charging the fine particles;
A substrate holding means for holding the substrate at ground or at a potential opposite to that of the fine particles, and attracting and depositing the fine particles discharged from the nozzle by electrostatic attraction to deposit the organic thin film on the substrate. In an electrostatic spray device that forms a film on a material,
An electrode part for controlling the flying of the fine particles by affecting the electric field of the flying space of the fine particles or a magnetic pole part for controlling the flying of the fine particles by affecting the magnetic field of the flying space of the fine particles, And between the base material and
By controlling the electrode part or the magnetic pole part, the flying range of the fine particles is made larger in one direction on a plane parallel to the base material than in the other direction on the same plane orthogonal to the base material. Spray device.
前記ノズル、前記電極部又は磁極部、前記基材の各印加電圧の関係を、
前記電圧印加手段による印加電圧がプラスの場合は、ノズル>前記電極部又は磁極部>基材とし、
前記電圧印加手段による印加電圧がマイナスの場合は、基材>前記電極部又は磁極部>ノズルとすることを特徴とする請求項1に記載の静電スプレー装置。
The relationship between the applied voltage of the nozzle, the electrode part or the magnetic pole part, and the base material,
When the voltage applied by the voltage application means is positive, nozzle> the electrode part or magnetic pole part> base material,
The electrostatic spray device according to claim 1, wherein when the voltage applied by the voltage application unit is negative, base material> the electrode part or magnetic pole part> nozzle.
前記電極部を備え、前記電極部は前記ノズルの中心軸を囲むように配置される枠状の電極部材で構成され、
前記電極部材の前記一方向の対向間隔が、前記他方向の対向間隔より大きくされたことを特徴とする請求項1に記載の静電スプレー装置。
Comprising the electrode part, the electrode part is composed of a frame-like electrode member disposed so as to surround the central axis of the nozzle;
The electrostatic spray device according to claim 1, wherein an opposing interval in the one direction of the electrode member is made larger than an opposing interval in the other direction.
前記磁極部を備え、前記磁極部は前記ノズルの中心軸を囲むように配置されるコイルで構成され、
前記コイルの前記一方向の対向間隔が、前記他方向の対向間隔より大きくされたことを特徴とする請求項1に記載の静電スプレー装置。
Comprising the magnetic pole part, the magnetic pole part is composed of a coil arranged so as to surround the central axis of the nozzle,
The electrostatic spray device according to claim 1, wherein the facing interval in the one direction of the coil is made larger than the facing interval in the other direction.
前記ノズルの吐出口より上に、前記微粒子の飛翔空間の電界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する電極部又は前記微粒子の飛翔空間の磁界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する磁極部を備えたことを特徴とする請求項1から請求項4のうち何れか1項に記載の静電スプレー装置。   Above the discharge port of the nozzle, it influences the electric field of the flying space of the fine particles to control the flying of the fine particles or influences the magnetic field of the flying space of the fine particles to control the flying of the fine particles. The electrostatic spray device according to claim 1, further comprising a magnetic pole portion. 前記ノズルの吐出口より上の前記電極部又は磁極部と前記基材との間の電位差は、前記ノズルの吐出口と前記基材との間の前記電極部又は磁極部と前記基材との間の電位差よりも大きいことを特徴とする請求項5に記載の静電スプレー装置。   The potential difference between the electrode part or magnetic pole part above the nozzle outlet and the base material is the difference between the electrode part or magnetic pole part between the nozzle outlet and the base material and the base material. The electrostatic spray apparatus according to claim 5, wherein the electrostatic spray apparatus is larger than a potential difference therebetween. 前記ノズル、前記電極部又は磁極部、前記基材の各印加電圧の関係を、
前記電圧印加手段による印加電圧がプラスの場合は、前記ノズルの吐出口より上の前記電極部又は磁極部>ノズル>前記ノズルの吐出口と前記基材との間の前記電極部又は磁極部>基材とし、
前記電圧印加手段による印加電圧がマイナスの場合は、基材>前記ノズルの吐出口と前記基材との間の前記電極部又は磁極部>ノズル>前記ノズルの吐出口より上の前記電極部又は磁極部とすることを特徴とする請求項6に記載の静電スプレー装置。
The relationship between the applied voltage of the nozzle, the electrode part or the magnetic pole part, and the base material,
When the voltage applied by the voltage applying means is positive, the electrode part or magnetic pole part above the nozzle discharge port>nozzle> the electrode part or magnetic pole part between the nozzle discharge port and the substrate> As a base material,
When the voltage applied by the voltage application means is negative, the base material> the electrode part or magnetic pole part between the nozzle outlet and the base material>nozzle> the electrode part above the nozzle outlet or The electrostatic spray device according to claim 6, wherein the electrostatic spray device is a magnetic pole portion.
前記磁極部を備え、前記磁極部は前記ノズルの中心軸から離れて配置される複数の磁石で構成され、
前記複数の磁石の前記一方向の対向間隔が、前記他方向の対向間隔より大きくされたことを特徴とする請求項1に記載の静電スプレー装置。
Comprising the magnetic pole part, the magnetic pole part is composed of a plurality of magnets arranged away from the central axis of the nozzle,
The electrostatic spray device according to claim 1, wherein the facing interval in the one direction of the plurality of magnets is larger than the facing interval in the other direction.
前記基材が帯状基材であることを特徴とする請求項1から請求項8の何れか1項に記載の静電スプレー装置。   The electrostatic spray apparatus according to claim 1, wherein the base material is a belt-like base material. 前記有機薄膜が有機エレクトロルミネッセンス素子の有機薄膜であることを特徴とする請求項1から請求項9の何れか1項に記載の静電スプレー装置。   The electrostatic spray apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein the organic thin film is an organic thin film of an organic electroluminescence element. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子の有機薄膜が発光層であることを特徴とする請求項10に記載の静電スプレー装置。   The electrostatic spray apparatus according to claim 10, wherein the organic thin film of the organic electroluminescence element is a light emitting layer.
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