JP4872263B2 - Method for manufacturing organic electroluminescence device - Google Patents

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本発明は有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと言う。)素子の製造方法に関し、特に発光層の形成方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) element, and more particularly to a method for forming a light emitting layer.

近年、フラットディスプレイなどの表示装置や、電子写真複写機、プリンターなどの光源に有機EL素子の使用が検討されている。   In recent years, the use of organic EL elements as light sources for display devices such as flat displays, electrophotographic copying machines, and printers has been studied.

この有機EL素子は蛍光性有機化合物の非常に薄い薄膜を陽極と陰極ではさみ電流を流すことで発光する電流駆動型発光素子である。通常、有機物は絶縁体であるが有機層の膜厚を非常に薄くすることにより電流注入が可能となり有機EL素子として駆動する事が可能となる。そして10V以下の低電圧で駆動することが可能であり、これにより高効率な発光を得ることも可能なため将来のディスプレイとして注目を浴びている。   This organic EL element is a current-driven light-emitting element that emits light when a very thin thin film of a fluorescent organic compound is sandwiched between an anode and a cathode and a current is passed. Usually, the organic substance is an insulator, but by making the film thickness of the organic layer very thin, current can be injected and it can be driven as an organic EL element. It can be driven at a low voltage of 10 V or less, and it is possible to obtain highly efficient light emission.

特に最近においては従来の励起一重項を用いる有機EL素子の効率を遙かにしのぐ励起三重項を用いるリン光発光有機EL素子がS.R.Forrestらにより見いだされている(非特許文献1参照。)。更にC.Adachiらが報告しているように(非特許文献2参照。)60lm/Wにもおよぶ視感度効率を出すまでに及び、この様な素子はディスプレイや照明への応用が期待される。   In particular, phosphorescent organic EL devices using excited triplets that far exceed the efficiency of conventional organic EL devices using excited singlets have been disclosed by S.C. R. Forrest et al. (See Non-Patent Document 1). Furthermore, C.I. As reported by Adachi et al. (See Non-Patent Document 2), such an element is expected to be applied to a display and illumination until it reaches a luminous efficiency as high as 60 lm / W.

現在、有機EL材料には低分子系のものと高分子系のものが有る。   Currently, there are organic EL materials of low molecular weight and high molecular weight.

低分子系材料を用いてEL素子を製造するには高真空での蒸着を行う。低分子材料は昇華精製する事が可能で、精製が行いやすく、高純度な有機EL材料を用いることができ、更に積層構造を作るのが容易なため、効率、寿命という面で非常に優れている。   In order to manufacture an EL element using a low molecular material, vapor deposition is performed in a high vacuum. Low molecular weight materials can be purified by sublimation, easy to purify, use high-purity organic EL materials, and make it easy to make a laminated structure. Yes.

しかしながら10-4Pa以下という高真空条件下で蒸着を行うため、操作が複雑でコストも高く製造の観点からは必ずしも好ましくない。特に大面積用途の素子を形成しなければならないので、蒸着では製造が難しい。また、リン光発光有機EL素子で用いられるようなリン光ドーパントについても、大面積でムラ無く、複数のドーパントを蒸着で素子に導入するのは困難であり、コスト的にも技術的にも難しいと言わざるを得ない。 However, since the vapor deposition is performed under a high vacuum condition of 10 −4 Pa or less, the operation is complicated and the cost is high, which is not always preferable from the viewpoint of production. In particular, since it is necessary to form an element for a large area, it is difficult to manufacture by vapor deposition. In addition, phosphorescent dopants used in phosphorescent organic EL devices have a large area and are uniform, and it is difficult to introduce a plurality of dopants into the device by vapor deposition, which is difficult in terms of cost and technology. I must say.

それに対し高分子系材料では製造にスピンコート、インクジェット、印刷といったウェットプロセスを採用することができる。つまり大気圧下で製造することができるためコストが安くすむメリットがある。更に溶液で調製して薄膜にするため、ドーパント等の調整がしやすく、大面積に対してもムラができにくいという特徴がある。これは有機EL素子の照明用途にはコスト、製造技術という面で非常にメリットがあると言える。   In contrast, polymer materials can employ wet processes such as spin coating, ink jetting, and printing for production. In other words, since it can be manufactured under atmospheric pressure, there is an advantage that the cost can be reduced. Furthermore, since it is prepared in a solution to form a thin film, it is easy to adjust dopants and the like, and it is difficult to cause unevenness even in a large area. It can be said that this is very advantageous in terms of cost and manufacturing technology for lighting applications of organic EL elements.

しかしながら、現在の有機ELの製造方法においては、モノカラーの発光層やフルカラーにおける共通層については生産性の観点から、画素領域、非画素領域に関わらず基板全面に成膜されるのが一般的に多い状況である。ここで、非画素領域上に成膜された材料は当然発光に寄与しない為、無駄となってしまっている。有機ELに用いられる材料は非常に高価であるため、材料利用効率の高く、生産効率の高い製造方法が望まれている。画素領域のみへの材料供給が可能な方法として液滴吐出法がある。   However, in the current organic EL manufacturing method, the monocolor light-emitting layer and the full-color common layer are generally formed on the entire surface of the substrate regardless of the pixel region and the non-pixel region from the viewpoint of productivity. There are many situations. Here, since the material deposited on the non-pixel region naturally does not contribute to light emission, it is wasted. Since the material used for organic EL is very expensive, a manufacturing method with high material utilization efficiency and high production efficiency is desired. As a method capable of supplying material only to the pixel region, there is a droplet discharge method.

従来のインクジェット方式としては、圧電素子の振動によりインク流路を変形させることによりインク液滴を吐出させるピエゾ方式、インク流路内に発熱体を設け、その発熱体を発熱させて気泡を発生させ、気泡によるインク流路内の圧力変化に応じてインク液滴を吐出させるサーマル方式、インク流路内のインクを帯電させてインクの静電吸引力によりインク液滴を吐出させる静電吸引方式が知られている。   As a conventional inkjet method, a piezo method that ejects ink droplets by deforming an ink flow path by vibration of a piezoelectric element, a heating element is provided in the ink flow path, and the heating element is heated to generate bubbles. There is a thermal method that discharges ink droplets according to pressure changes in the ink flow path due to air bubbles, and an electrostatic suction method that charges ink in the ink flow paths and discharges ink droplets by the electrostatic suction force of the ink. Are known.

しかしながら、上記したインクジェット記録方式には以下の問題があった。   However, the above-described ink jet recording method has the following problems.

(1)微小液滴形成の安定性
ノズル径が大きいため、ノズルから吐出される液滴の形状が安定しない。
(1) Stability of micro droplet formation Since the nozzle diameter is large, the shape of the droplet discharged from the nozzle is not stable.

(2)微小液滴の着弾精度の不足
ノズルから吐出した液滴に付与される運動エネルギーは、液滴半径の3乗に比例して小さくなる。このため、微小液滴は空気抵抗に耐えるほどの十分な運動エネルギーを確保できず、空気対流などによる擾乱を受け、正確な着弾が期待出来ない。さらに、液滴が微細になるほど、表面張力の効果が増すために、液滴の蒸気圧が高くなり蒸発量が激しくなる。このため微細液滴は、飛翔中の著しい質量の消失を招き、着弾時に液滴の形態を保つことすら難しいという事情があった。以上のように液滴の微細化と高精度化は、相反する課題であり、両方を同時に実現することは困難であった。
(2) Insufficient accuracy of landing of micro droplet The kinetic energy imparted to the droplet discharged from the nozzle decreases in proportion to the cube of the droplet radius. For this reason, micro droplets cannot secure sufficient kinetic energy to withstand air resistance, and are not expected to land accurately due to disturbance due to air convection. Furthermore, as the droplet becomes finer, the effect of surface tension increases, so the vapor pressure of the droplet increases and the amount of evaporation increases. For this reason, fine droplets cause a significant loss of mass during flight, and it is difficult to maintain the shape of the droplets upon landing. As described above, miniaturization and high accuracy of droplets are conflicting issues, and it has been difficult to realize both simultaneously.

この着弾位置精度の悪さは、印字画質を低下させるのみならず、例えばインクジェット技術により導電性インクを用いて回路の配線パターンを描画する際などには特に大きな問題となる。すなわち、位置精度の悪さは所望の太さの配線が描画出来ないばかりか、断線やショートを生ずることさえあり得る。   This poor landing position accuracy not only deteriorates the print image quality, but also becomes a serious problem when, for example, a circuit wiring pattern is drawn using a conductive ink by an inkjet technique. That is, the poor position accuracy can not only draw a wiring with a desired thickness, but can even cause a disconnection or a short circuit.

(3)高印加電圧
従来の静電吸引方式の原理では、メニスカスの中心に電荷を集中させてメニスカスの隆起を発生する。この隆起したテーラーコーン先端部の曲率半径は、電荷の集中量により定まり、集中した電荷量と電界強度による静電力がそのときのメニスカスの表面張力より勝った時に液滴の分離が始まる。
(3) High applied voltage According to the principle of the conventional electrostatic attraction method, electric charges are concentrated at the center of the meniscus to generate a bulge of the meniscus. The radius of curvature of this raised tailor cone tip is determined by the amount of charge concentration, and when the electrostatic force due to the amount of concentrated charge and the electric field strength exceeds the surface tension of the meniscus at that time, droplet separation begins.

メニスカスの最大電荷量は、インクの物性値とメニスカス曲率半径により定まるため、最小の液滴のサイズはインクの物性値(特に表面張力)とメニスカス部に形成される電界強度により定まる。   Since the maximum charge amount of the meniscus is determined by the physical property value of the ink and the radius of curvature of the meniscus, the minimum droplet size is determined by the physical property value of the ink (particularly the surface tension) and the electric field strength formed at the meniscus portion.

一般的に、液体の表面張力は純粋な溶媒よりも溶剤を含んだ方が表面張力は低くなる傾向があり、実際のインクにおいても種々の溶剤を含んでいるため、表面張力を高くすることは難しい。このため、インクの表面張力を一定と考え、電界強度を高くすることにより液滴サイズを小さくする方法が採られていた。   In general, the surface tension of a liquid tends to be lower when it contains a solvent than a pure solvent, and since various inks are included in actual ink, increasing the surface tension is not possible. difficult. For this reason, the surface tension of the ink is considered to be constant, and a method of reducing the droplet size by increasing the electric field strength has been adopted.

従って、従来のインクジェット装置では、両者とも吐出原理として、吐出液滴の投影面積よりもはるかに広い面積のメニスカス領域に強い電界強度のフィールドを形成することにより該メニスカスの中心に電荷を集中させ、該集中した電荷と形成している電界強度からなる静電力により吐出を行うため、2000[V]に近い非常に高い電圧を印加する必要があり、駆動制御が難しいと共に、インクジェット装置を操作するうえでの安全性の面からも問題があった。   Therefore, in the conventional ink jet device, both of them as a discharge principle, a charge is concentrated at the center of the meniscus by forming a field with a strong electric field strength in a meniscus region having an area far larger than the projected area of the discharged droplet, Since ejection is performed by an electrostatic force composed of the concentrated electric charge and the electric field strength formed, it is necessary to apply a very high voltage close to 2000 [V], and it is difficult to control the drive and to operate the ink jet apparatus. There was also a problem in terms of safety.

(4)吐出応答性
従来のインクジェット装置では、両者とも吐出原理として、吐出液滴の投影面積よりもはるかに広い面積のメニスカス領域に強い電界強度のフィールドを形成することにより該メニスカスの中心に電荷を集中させ、該集中した電荷と形成している電界強度からなる静電力により吐出を行うため、メニスカス部の中心に電荷が移動するための電荷の移動時間が吐出応答性に影響し、印字速度の向上において問題となっていた。
(4) Discharge responsiveness In both conventional inkjet apparatuses, as a discharge principle, a charge field is formed at the center of the meniscus by forming a field having a strong electric field strength in a meniscus region having an area far larger than the projected area of the discharged droplet. Since the discharge is performed by electrostatic force composed of the concentrated electric charge and the electric field strength formed, the movement time of the electric charge for moving the electric charge to the center of the meniscus portion affects the discharge response and the printing speed. It has become a problem in improving.

上述のように、液滴吐出法は、飛行曲がりなどの吐出不良が存在するため、有機ELといった電子デバイスで要求される高精度な微細パターンを直接描画するには十分なレベルにあるとは言えない。   As described above, since the droplet ejection method has ejection defects such as flight bends, it can be said that it is at a level sufficient to directly draw a high-precision fine pattern required by an electronic device such as an organic EL. Absent.

そのような課題に対して以下のような手法による改善が試みられている。   In order to solve such problems, attempts have been made to improve the following methods.

基板を親液化するとともに、隔壁を撥液化し、液滴吐出法の吐出精度のカバーしようとするものがある(例えば、特許文献1参照。)。   There are some which make a substrate lyophilic and liquid repellent so as to cover the discharge accuracy of a droplet discharge method (for example, see Patent Document 1).

しかしながら、この技術では吐出精度をカバーする為の隔壁が必要となり、隔壁を作るためにフォトリソグラフィー法を利用している。フォトリソグラフィーの工程は製造工程が煩雑であり、スループットの低下が懸念される。   However, this technique requires a partition wall to cover the discharge accuracy, and uses a photolithography method to make the partition wall. The photolithography process involves a complicated manufacturing process, and there is a concern that throughput may be reduced.

また、基板面に撥液化処理を行い、基板面に対する液滴接触角を規定することにより、基板面上でのぬれ広がりを抑制し、所定位置に液滴を留まらせるというものがある(例えば、特許文献2参照。)。   In addition, there is a method of performing liquid repellency treatment on the substrate surface and regulating a droplet contact angle with respect to the substrate surface, thereby suppressing wetting spread on the substrate surface and retaining the droplet at a predetermined position (for example, (See Patent Document 2).

しかしながら、この技術の撥液化方法は、基板面へのプラズマ処理やフッ化アルキルシランカップリング剤塗布を全面に行うものであり、画素領域上に着弾したものについては有効であるが、画素領域外に着弾した液滴には全く効果はない。また、マスクなどを使用することで画素領域のみ撥液化を行うことも可能と推測されるが、その場合、画素領域とマスクの位置合わせなどが必要になり、生産性の低下が懸念される。   However, the liquid repellency method of this technique performs plasma treatment or fluorinated alkylsilane coupling agent coating on the entire surface of the substrate, and is effective for those that have landed on the pixel area. There is no effect at all on the droplets that land on. In addition, it is estimated that only the pixel region can be made liquid repellent by using a mask or the like, but in that case, it is necessary to align the pixel region and the mask, and there is a concern that productivity may be lowered.

下部電極および隔壁上補助配線とノズルの間に電圧を印加し、その印加電圧の大小のスイッチングにより引力および斥力を調整し、帯電液滴を下部電極上に導くというものがある(例えば、特許文献3参照。)。   A voltage is applied between the lower electrode and the auxiliary wiring on the partition wall and the nozzle, the attractive force and the repulsive force are adjusted by switching the applied voltage, and the charged droplet is guided onto the lower electrode (for example, Patent Documents). 3).

しかしながら、この技術では、画素毎に数種類の電圧印加が必要となるため、スループットの低下が懸念される。   However, this technique requires application of several types of voltages for each pixel, and there is a concern about a decrease in throughput.

このように、従来の液滴吐出法では、吐出精度の問題に起因するアライメント合わせ、バンク、表面処理、電界制御などの各種処理が必要であり、生産性に問題を抱えていた。   As described above, the conventional droplet discharge method requires various processes such as alignment, bank, surface treatment, and electric field control due to the problem of discharge accuracy, and has a problem in productivity.

本発明は、アライメントフリーで高精度な液滴吐出法を提供するものであり、生産効率を落さず、かつ、材料利用効率も著しく改善された有機ELの製造方法を提供するものである。本発明を用いることにより、単色パネルにおいては、電源のスイッチングなしに画素電極上のみに機能性材料や発光層を形成することが可能である。また、フルカラーパネルにおいても、発光層には適用できないものの共通材料については同様に画素部のみに成膜することが出来る為、製造コストの低減が可能となる。
特開2002−334782号公報 特開2002−124381号公報 特開2003−59660号公報 Appl.Phys.Lett.(1999),75(1),4−6 J.Appl.Phys.,90,5048(2001)
The present invention provides an alignment-free and highly accurate droplet discharge method, and provides an organic EL manufacturing method that does not reduce production efficiency and significantly improves material utilization efficiency. By using the present invention, in a monochrome panel, it is possible to form a functional material or a light emitting layer only on the pixel electrode without switching the power source. Even in a full-color panel, although not applicable to the light emitting layer, a common material can be similarly formed only on the pixel portion, so that the manufacturing cost can be reduced.
JP 2002-334882 A JP 2002-124381 A JP 2003-59660 A Appl. Phys. Lett. (1999), 75 (1), 4-6 J. et al. Appl. Phys. , 90, 5048 (2001)

本発明の目的は、アライメントフリーで高精度な液滴吐出法により、生産効率を落さず、かつ、材料利用効率も著しく改善された有機ELの製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an organic EL manufacturing method in which production efficiency is not lowered and material utilization efficiency is remarkably improved by an alignment-free and highly accurate droplet discharge method.

上記課題は、以下の構成により解決することができた。   The above problem could be solved by the following configuration.

(1)少なくとも、第1画素電極と、該第1画素電極上に形成された有機機能層と、該有機機能層上に形成された第2画素電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記第1画素電極が形成され、且つ、前記第1画素電極上に画素電極領域を区画すると共に非画素電極領域を形成する隔壁が形成された基板を、前記有機機能層を形成するための有機機能層塗布液をノズルから吐出する静電吸引型液滴吐出装置のノズル電極に対向して配置される下部電極支持し、
前記ノズル電極と前記下部電極間に所定電圧を掛けた状態で、前記ノズルに対向する前記基板の位置が移動するように前記基板と前記液滴吐出装置を相対的に移動させることにより
前記ノズル電極と前記下部電極間の前記隔壁の有無に基づく電界強度差によって
前記画素電極領域に選択的に有機機能層塗布液を前記ノズルから吐出させることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
(1) In a method for manufacturing an organic electroluminescence element having at least a first pixel electrode, an organic functional layer formed on the first pixel electrode, and a second pixel electrode formed on the organic functional layer. ,
An organic substrate for forming the organic functional layer is formed on a substrate on which the first pixel electrode is formed and on which a partition wall for partitioning a pixel electrode region and forming a non-pixel electrode region is formed on the first pixel electrode. Supported on the lower electrode arranged opposite to the nozzle electrode of the electrostatic suction type droplet discharge device that discharges the functional layer coating liquid from the nozzle ,
In a state of applying a predetermined voltage between the lower electrode and the nozzle electrode, the Rukoto the substrate and the droplet discharge equipment are relatively moved so that the position of said substrate opposite to said nozzle moves,
I by the electric field intensity difference based on the presence or absence of the partition wall between the lower electrode and the nozzle electrode,
A method of manufacturing an organic electroluminescence element, wherein an organic functional layer coating solution is selectively discharged from the nozzle to the pixel electrode region.

(2)有機機能層塗布液により形成される前記有機機能層がキャリア注入層、キャリア輸送層又は発光層のいずれか層であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 (2) The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the organic functional layer formed by the organic functional layer coating solution is any one of a carrier injection layer, a carrier transport layer, and a light emitting layer. Production method.

(3)前記有機機能層塗布液を吐出する直前に少なくとも1つの帯電除去工程を有する事を特徴とする上記1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   (3) The method for producing an organic electroluminescent element as described in 1 or 2 above, further comprising at least one charge removing step immediately before discharging the organic functional layer coating solution.

(4)前記ノルのノズル径が、20μm以下であることを特徴とする上記1〜3の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 (4) the Bruno nozzle diameter of's Le is, the method of manufacturing the organic electroluminescence device according to any one of the above 1 to 3, wherein the at 20μm or less.

(5)前記ノズルのノズル径が、8μm以下であることを特徴とする上記1〜3の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 (5) the nozzle diameter of Nozzle method of manufacturing an organic electroluminescence device according to any one of the above 1 to 3, characterized in that a 8μm or less.

(6)前記ノズルのノズル径が、4μm以下であることを特徴とする上記1〜3の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 (6) the nozzle diameter of Nozzle method of manufacturing an organic electroluminescence device according to any one of the above 1 to 3, characterized in that a 4μm or less.

ここで、有機機能層塗布液とは、有機EL素子の素子構成の一部として挿入される各種キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層などの各種機能層のいずれかもしくは複数の機能を有する層であれば特に限りはない。   Here, the organic functional layer coating solution is a layer having any one or more of various functional layers such as various carrier injection layers, carrier transport layers, and light emitting layers inserted as part of the element configuration of the organic EL element. If there is no particular limit.

また、『基材』とは、吐出された溶液の液滴の着弾を受ける対象物をいうものであり、より具体的には、画素電極パターン基板のように導電性領域と非導電性領域がパターン状に形成されているような基板である。   In addition, the “base material” refers to an object that receives the landing of the droplets of the discharged solution. More specifically, a conductive region and a non-conductive region are formed like a pixel electrode pattern substrate. The substrate is formed in a pattern.

上記1に記載の発明によれば、画素電極領域上においてのみ吐出可能となる範囲でノズル先端にバイアス電圧を印加した状態で、ノズル先端と基板を相対的に移動させることにより、基板の絶縁・導電パターンに応じて生じる電界強度差を利用してパターニングを行うため、従来必要とされていた吐出のためのパルス電圧を不要とすることができ、また、必要部位に必要なだけ吐出されるので材料コストの削減も可能となる。   According to the first aspect of the present invention, the substrate tip is insulated from the substrate by moving the nozzle tip and the substrate relatively in a state where a bias voltage is applied to the nozzle tip within a range in which ejection can be performed only on the pixel electrode region. Since patterning is performed using the difference in electric field strength generated according to the conductive pattern, the pulse voltage required for ejection, which has been required in the past, can be dispensed with, and only the necessary part is ejected. Material costs can also be reduced.

上記2に記載の発明によれば、パターニングに先立って帯電除去を行い基板の付着物を除去することにより、下部電極とノズル電極により形成される電界の乱れを小さいものとし、正確なパターニングが可能となる。   According to the invention described in 2 above, by removing the charge prior to patterning and removing the deposits on the substrate, the disturbance of the electric field formed by the lower electrode and the nozzle electrode can be reduced, and accurate patterning is possible. It becomes.

有機EL素子の製造方法において、前記ノズルのノズル径が20μm以下であることが好ましい。   In the method for manufacturing an organic EL element, the nozzle diameter of the nozzle is preferably 20 μm or less.

有機EL素子の製造方法において、前記ノズルのノズル径が8μm以下であることが好ましい。   In the method for manufacturing an organic EL element, it is preferable that the nozzle diameter of the nozzle is 8 μm or less.

有機EL素子の製造方法において、前記ノズルのノズル径が4μm以下であることが好ましい。   In the method for manufacturing an organic EL element, it is preferable that the nozzle diameter of the nozzle is 4 μm or less.

本発明において、ノズル径とは、ノズルの先端部の内部直径をいう。   In the present invention, the nozzle diameter refers to the internal diameter of the nozzle tip.

ノズル径を20μm以下とすることにより、電界強度分布が狭くなる。このことにより、電界を集中させることができる。その結果、形成される液滴を微小で且つ形状の安定化したものとすることができると共に、総印加電圧を低減することができる。また、液滴は、ノズルから吐出された直後、電界と電荷の間に働く静電力により加速されるが、ノズルから離れると電界は急激に低下するので、その後は、空気抵抗により減速する。しかしながら、微小液滴でかつ電界が集中した液滴は、対向電極に近づくにつれ、鏡像力により加速される。この空気抵抗による減速と鏡像力による加速とのバランスをとることにより、微小液滴を安定に飛翔させ、着弾精度を向上させることが可能となる。   By setting the nozzle diameter to 20 μm or less, the electric field strength distribution becomes narrow. As a result, the electric field can be concentrated. As a result, the formed droplets can be made minute and the shape can be stabilized, and the total applied voltage can be reduced. In addition, immediately after the droplet is ejected from the nozzle, the droplet is accelerated by an electrostatic force acting between the electric field and the electric charge. However, when the droplet is separated from the nozzle, the electric field rapidly decreases, and thereafter, the droplet is decelerated due to air resistance. However, a droplet that is a minute droplet and has a concentrated electric field is accelerated by mirror image force as it approaches the counter electrode. By balancing the deceleration by the air resistance and the acceleration by the mirror image force, it is possible to stably fly the fine droplets and improve the landing accuracy.

また、ノズルの内部直径は、8μm以下であることが好ましい。ノズルの内部直径を8μm以下とすることにより、さらに電界を集中させることが可能となり、さらなる液滴の微小化と、飛翔時に対向電極の距離の変動が電界強度分布に影響することを低減させることができるので、対向電極の位置精度や基材の特性や厚さの液滴形状への影響や着弾精度への影響を低減することができる。   The internal diameter of the nozzle is preferably 8 μm or less. By making the internal diameter of the nozzle 8 μm or less, it is possible to further concentrate the electric field, further reducing the size of the droplets and reducing the influence of fluctuations in the distance of the counter electrode on the electric field strength distribution during flight. Therefore, it is possible to reduce the influence of the position accuracy of the counter electrode, the characteristics of the base material, and the thickness on the droplet shape and the impact accuracy.

さらに、ノズルの内部直径を4μm以下とすることにより、顕著な電界の集中を図ることができ、最大電界強度を高くすることができ、形状の安定な液滴の超微小化と、液滴の初期吐出速度を大きくすることができる。これにより、飛翔安定性が向上することにより、着弾精度をさらに向上させ、吐出応答性を向上することができる。   Furthermore, by setting the internal diameter of the nozzle to 4 μm or less, a remarkable electric field concentration can be achieved, the maximum electric field strength can be increased, the shape of the droplet can be made extremely fine, The initial discharge speed can be increased. Thereby, by improving the flight stability, it is possible to further improve the landing accuracy and improve the ejection response.

また、ノズルの内部直径は0.2μmより大きい方が望ましい。ノズルの内径を0.2μmより大きくすることで、液滴の帯電効率を向上させることができるので、液滴の吐出安定性を向上させることができる。   The inner diameter of the nozzle is preferably larger than 0.2 μm. By making the inner diameter of the nozzle larger than 0.2 μm, it is possible to improve the charging efficiency of the droplets, and thus it is possible to improve the droplet discharge stability.

さらに、上記各請求項の構成において、
(1)ノズルを電気絶縁材で形成し、ノズル内に電極を挿入あるいはメッキ形成することが好ましい。
Furthermore, in the configuration of each claim,
(1) Preferably, the nozzle is formed of an electrical insulating material, and an electrode is inserted into the nozzle or plated.

(2)上記各請求項の構成又は上記(1)の構成において、ノズルを電気絶縁材で形成し、ノズル内に電極を挿入或いはメッキ形成すると共にノズルの外側に電極を設けることが好ましい。   (2) In the configuration of each of the above claims or the configuration of (1), it is preferable that the nozzle is formed of an electrical insulating material, the electrode is inserted or plated in the nozzle, and the electrode is provided outside the nozzle.

(1)及び(2)により、上記各請求項による作用効果に加え、吐出力を向上させることができるので、ノズル径をさらに微小化しても、低電圧で液を吐出することができる。   According to (1) and (2), in addition to the effects of the above claims, the discharge force can be improved, so that the liquid can be discharged at a low voltage even if the nozzle diameter is further reduced.

(3)上記各請求項の構成、上記(1)又は(2)の構成において、基材を導電性材料または絶縁性材料により形成することが好ましい。   (3) In the configuration of each of the above claims and the configuration of (1) or (2), the base material is preferably formed of a conductive material or an insulating material.

(4)上記各請求項の構成、上記(1)、(2)又は(3)の構成において、ノズルに印加する電圧Vを   (4) In the configuration of each of the above claims and the configuration of (1), (2) or (3), the voltage V applied to the nozzle is

Figure 0004872263
Figure 0004872263

で表される流域において駆動することが好ましい。 It is preferable to drive in the basin represented by

ただし、γ:液体の表面張力、ε0:真空の誘電率、r:ノズル半径、h:ノズル−基板間距離、k:ノズル形状に依存する比例定数(1.5<k<8.5)とする。   However, γ: surface tension of liquid, ε0: dielectric constant of vacuum, r: nozzle radius, h: distance between nozzle and substrate, k: proportional constant (1.5 <k <8.5) depending on nozzle shape To do.

(5)上記各請求項の構成、上記(1)、(2)、(3)又は(4)の構成において、印加する任意波形電圧が1000V以下であることが好ましい。   (5) In the configurations of the above claims and the configurations of (1), (2), (3), or (4), it is preferable that the arbitrary waveform voltage to be applied is 1000 V or less.

(6)上記各請求項の構成、上記(1)、(2)、(3)、(4)又は(5)の構成において、印加する任意波形電圧が500V以下であることが好ましい。   (6) In the configurations of the above claims and the configurations of (1), (2), (3), (4) or (5), it is preferable that the arbitrary waveform voltage to be applied is 500 V or less.

基材を導電性または絶縁性の基材ホルダーに裁置ことが好ましい。   It is preferable to place the substrate on a conductive or insulating substrate holder.

(7)上記各請求項の構成、上記(1)〜(6)いずれかの構成において、ノズルと基板との距離が500μm以下であることが好ましい。   (7) In the configuration of each of the above claims and the configuration of any of (1) to (6) above, the distance between the nozzle and the substrate is preferably 500 μm or less.

(8)上記各請求項の構成、上記(1)〜(7)いずれかの構成において、ノズル内の溶液に圧力を印加するように構成することが好ましい。   (8) In the configuration of each of the above claims and the configuration of any one of (1) to (7), it is preferable that the pressure is applied to the solution in the nozzle.

(9)上記各請求項の構成、上記(1)〜(8)いずれかの構成において、単一パルスによって吐出する場合、   (9) In the configuration of each of the above claims and the configuration of any of the above (1) to (8), when discharging by a single pulse,

Figure 0004872263
Figure 0004872263

により決まる時定数τ以上のパルス幅Δtを印加する構成としても良い。 A configuration may be adopted in which a pulse width Δt having a time constant τ or more determined by is applied.

ただし、ε:流体の誘電率、σ:導電率とする。   Where ε is the dielectric constant of the fluid and σ is the conductivity.

本発明により、アライメントフリーで高精度な液滴吐出法により、生産効率を落さず、かつ、材料利用効率も著しく改善された有機ELの製造方法を提供することができた。   According to the present invention, it is possible to provide an organic EL manufacturing method in which production efficiency is not lowered and material utilization efficiency is remarkably improved by an alignment-free and highly accurate droplet discharge method.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、有機EL素子を説明するためのもので、図1(a)は有機機能層の要部上面図であり、図1(b)は(a)のA−A線における要部断面図である。   1A and 1B are diagrams for explaining an organic EL element. FIG. 1A is a top view of a main part of an organic functional layer, and FIG. 1B is a cross-sectional view of the main part taken along line AA in FIG. FIG.

図1(a)、(b)に示すように、本発明の有機EL素子201は、基板K上に、少なくとも第1画素電極202のパターン上に有機機能層として発光層203、第2画素電極204が形成されてなるもので、この第1画素電極上の発光層203のパターンは後述する画像記録装置101(図2、3参照)に備えられた静電吸引型液滴吐出装置20(図3参照)によって形成される。基板K上に第1画素電極202がストライプ状に形成されており、第1画素電極202に直交するように隔壁205が形成され、第1画素電極上で隔壁に挟まれた領域に発光層が形成され、その上に第2画素電極204が第1画素電極202と直交するようにストライプ状に形成されている。ここでは簡易的にパッシブ方式、単層有機層で示しているが、アクティブ方式であってもよく、また複数有機機能層でも構わない。隔壁205は画素領域を区画すると共に、後述の電界強度差を形成するものである。   As shown in FIGS. 1A and 1B, an organic EL element 201 of the present invention has a light emitting layer 203 and a second pixel electrode as an organic functional layer on a substrate K, at least on the pattern of the first pixel electrode 202. 204 is formed, and the pattern of the light emitting layer 203 on the first pixel electrode is the electrostatic suction type droplet discharge device 20 (see FIG. 2) provided in the image recording device 101 (see FIGS. 2 and 3) described later. 3). A first pixel electrode 202 is formed in a stripe shape on the substrate K, a partition 205 is formed so as to be orthogonal to the first pixel electrode 202, and a light emitting layer is formed in a region sandwiched by the partition on the first pixel electrode. The second pixel electrode 204 is formed in a stripe shape so as to be orthogonal to the first pixel electrode 202. Here, a passive system and a single organic layer are simply shown, but an active system or a plurality of organic functional layers may be used. The partition wall 205 divides the pixel region and forms a later-described electric field strength difference.

図4は、基板K上に形成された第1画素電極202及び隔壁205とノズル21との位置関係及び画素電極領域と非画素電極領域における電位の相対関係を示す図である。   FIG. 4 is a diagram showing the positional relationship between the first pixel electrode 202 and the partition wall 205 formed on the substrate K and the nozzle 21 and the relative relationship between potentials in the pixel electrode region and the non-pixel electrode region.

すなわち、発光層203のパターンは、有機機能層塗布液が供給される超微細径のノズル21の先端を前記基板に近接して配設するとともに、ノズル内の溶液にバイアス電圧VA、背面電極にバイアス電圧VBをかけた状態で前記ノズルと基板を相対的に移動することにより、VAとVBにより形成される画素電極領域上での電界をV1、非画素電極上での電界をV2とすると、基板上の画素電極上での電界V1のみが吐出に必要な閾値電圧(Vth)即ち吐出電圧を満たすことにより、超微細径の液滴が吐出パルス信号なしで第1画素電極202上に吐出され、その後基板を加熱することによって乾燥され有機機能層のパターンが形成される。 That is, the light emitting layer 203 has a pattern in which the tip of the ultrafine nozzle 21 to which the organic functional layer coating solution is supplied is disposed close to the substrate, and the bias voltage V A , back electrode is applied to the solution in the nozzle. By moving the nozzle and the substrate relative to each other with the bias voltage V B applied thereto, the electric field on the pixel electrode region formed by V A and V B is V1, and the electric field on the non-pixel electrode is Assuming that V2 is satisfied, only the electric field V1 on the pixel electrode on the substrate satisfies the threshold voltage (Vth), that is, the ejection voltage necessary for ejection, so that the ultrafine droplets can be output without the ejection pulse signal to the first pixel electrode 202. The organic functional layer pattern is formed by being discharged onto the substrate and then dried by heating the substrate.

このように、本発明は、上記液体吐出装置20を用いることにより、(a)アライメント処理を不要とすることによるタクトタイムの改善、(b)吐出時に必要となるパルス信号の制御を不要とすることによる装置コストの削減、(c)高価な機能性有機材料溶液を画素電極上にのみ形成することによる材料コストの削減、がそれぞれ可能となる。また、静電吸引型液滴吐出装置のノズル径を超微細径のものを使用することにより、有機発光層203のパターンを精度よく形成することが可能となる。このように、有機EL素子201の製造において、生産性と材料、設備コストの削減の両立が図れるというものである。   As described above, according to the present invention, by using the liquid ejecting apparatus 20, (a) improvement in tact time by eliminating the need for alignment processing, and (b) unnecessary control of the pulse signal necessary for ejection. This makes it possible to reduce the device cost, and (c) reduce the material cost by forming an expensive functional organic material solution only on the pixel electrode. Further, by using an electrostatic suction type droplet discharge device having an ultrafine diameter nozzle, the pattern of the organic light emitting layer 203 can be accurately formed. As described above, in the production of the organic EL element 201, it is possible to achieve both reduction of productivity, material, and facility cost.

本発明において、有機機能層塗布液を吐出する直前に少なくとも1以上の帯電除去工程を有することが好ましい。帯電除去工程を行い、基板表面電位をニュートラルに戻した状態で、機能性有機材料溶液を吐出することにより、吐出不良(位置ズレ、吐出抜け)などを防止することが出来る。   In the present invention, it is preferable to have at least one charge removing step immediately before discharging the organic functional layer coating solution. By discharging the functional organic material solution in a state where the charge removal step is performed and the substrate surface potential is returned to neutral, it is possible to prevent discharge failure (position shift, discharge omission) and the like.

本発明に係る塗布液とは、有機EL素子の一部を構成する材料を水又は有機溶剤中に溶解あるいは分散させた溶液であれば特に限定されない。   The coating liquid according to the present invention is not particularly limited as long as it is a solution in which a material constituting a part of the organic EL element is dissolved or dispersed in water or an organic solvent.

正孔注入/輸送層であれば、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS)水分散液などが代表的に上げられる。また、発光層であればホストであるポリビニルカルバゾール(PVK)とドーパント(赤:BtpIr(acac)、緑:Ir(ppy)3、青:FIr(pic)など)を適宜所定濃度で1、2−ジクロロエタン中に溶解させた溶液などが挙げられる。 In the case of a hole injection / transport layer, a polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS) aqueous dispersion is typically used. Further, in the case of a light emitting layer, polyvinyl carbazole (PVK) as a host and a dopant (red: BtpIr (acac), green: Ir (ppy) 3 , blue: FIr (pic), etc.) are appropriately added at a predetermined concentration. Examples thereof include a solution dissolved in dichloroethane.

次に、本発明の有機EL素子を製造する製造方法において、液体吐出装置を備えた画像記録装置の構成及び動作について説明する。   Next, in the manufacturing method for manufacturing the organic EL element of the present invention, the configuration and operation of an image recording apparatus provided with a liquid ejection device will be described.

[画像記録装置]
(画像記録装置の全体構成)
以下、画像記録装置について図2〜図3に基づいて説明する。図2は枚様の基板を用いた画像記録装置の概略構成図である。図3は可撓性基板を用いた画像記録装置の概略構成図である。
[Image recording device]
(Overall configuration of image recording device)
Hereinafter, the image recording apparatus will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an image recording apparatus using a sheet-like substrate. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an image recording apparatus using a flexible substrate.

図2中、画像記録装置101は、基板(以下、単に基板Kと言う)を支持するための画像記録台102と、この画像記録台102の上方に配置されるとともに帯電可能な有機機能層塗布液(以下、単に塗布液と言う)をその先端部から吐出する超微細径のノズル21が画像記録台102に指向された液体吐出装置20と、画像記録台102の基板Kの搬送方向上流側及び下流側に配置された搬送ローラ103a、103bと、これら各搬送ローラ103a、103bとの間で挟持する圧接ローラ104a、104bとを備えている。   In FIG. 2, an image recording apparatus 101 includes an image recording table 102 for supporting a substrate (hereinafter simply referred to as a substrate K), and an organic functional layer coating that is disposed above the image recording table 102 and can be charged. An upstream side in the transport direction of the substrate K of the image recording table 102 and a liquid discharge device 20 in which a super-fine nozzle 21 for discharging a liquid (hereinafter simply referred to as a coating solution) is directed to the image recording table 102 And conveyance rollers 103a and 103b arranged on the downstream side, and pressure contact rollers 104a and 104b sandwiched between these conveyance rollers 103a and 103b.

液体吐出装置20は、図示しない駆動装置により、基板Kの搬送方向(図2中左方向)に対して直交する方向に走査自在とされた走査型の液体吐出装置としても良い。この場合、液体吐出装置20に複数のノズル21を配列するようにする。   The liquid ejection device 20 may be a scanning type liquid ejection device that can be scanned in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate K (the left direction in FIG. 2) by a driving device (not shown). In this case, a plurality of nozzles 21 are arranged in the liquid ejection device 20.

また、液体吐出装置20は、基板Kの搬送方向に対して直交する方向に多数ノズル21を配列してなるライン型の液体吐出装置としても良い。   The liquid discharge device 20 may be a line-type liquid discharge device in which a large number of nozzles 21 are arranged in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate K.

また、有機機能層塗布液を吐出する直前に少なくとも1以上の帯電除去工程を有することが好ましく、図2中、40は帯電除去装置を表す。   Moreover, it is preferable to have at least one or more charge removing steps immediately before discharging the organic functional layer coating liquid, and 40 in FIG. 2 represents a charge removing device.

さらに、基板Kを加熱する加熱手段(例えば、ヒータ等)を基板近傍に設けることによって液滴を乾燥させるようにしても良い。   Further, the droplets may be dried by providing a heating means (for example, a heater) for heating the substrate K in the vicinity of the substrate.

図3に記載の画像記録装置101においては、可撓性の基板Kの元巻き51より、バックアップロール50、搬送ロール52により可撓性基板が搬送される。液体吐出装置20のノズル21とバックアップロール50間にはバイアス電圧30が印加され、搬送される可撓性基板には予め第1画素電極が設けられている。   In the image recording apparatus 101 illustrated in FIG. 3, the flexible substrate is transported from the original winding 51 of the flexible substrate K by the backup roll 50 and the transport roll 52. A bias voltage 30 is applied between the nozzle 21 of the liquid ejection device 20 and the backup roll 50, and a first pixel electrode is provided in advance on the flexible substrate to be transported.

本発明は、導電性の第1画素電極部と非画素電極部により、電界強度が異なりことを利用してノズルより液滴を吐出し、パターニングを可能としたものである。   The present invention makes it possible to perform patterning by discharging droplets from a nozzle using the fact that the electric field strength differs between the conductive first pixel electrode portion and the non-pixel electrode portion.

[液体吐出装置]
(液体吐出装置の全体構成)
図5は、図2、3に示す画像記録装置101に適用される液体吐出装置20の詳細を示したものであり、図5はノズル21に沿った液体吐出装置20の断面図である。
[Liquid ejection device]
(Overall configuration of liquid ejection device)
FIG. 5 shows details of the liquid ejection device 20 applied to the image recording apparatus 101 shown in FIGS. 2 and 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the liquid ejection device 20 along the nozzle 21.

この液体吐出装置20は、帯電可能な溶液の液滴をその先端部から吐出する超微細径のノズル21と、ノズル21の先端部に対向する対向面を有すると共にその対向面で液滴の着弾を受ける第1画素電極202が形成された基板K上を支持する対向電極23と、ノズル21内の流路22に溶液を供給する溶液供給手段と、ノズル21内の溶液に吐出電圧を印加する吐出電圧印加手段25とを備えている。なお、上記ノズル21と溶液供給手段の一部の構成と吐出電圧印加手段25の一部の構成はノズルプレート26により一体的に形成されている。   The liquid ejection device 20 has an ultra-fine nozzle 21 that ejects a droplet of a chargeable solution from its tip, a facing surface that faces the tip of the nozzle 21, and the landing of the droplet on the facing surface. The counter electrode 23 that supports the substrate K on which the first pixel electrode 202 is received, the solution supply means that supplies the solution to the flow path 22 in the nozzle 21, and the discharge voltage is applied to the solution in the nozzle 21. And an ejection voltage applying means 25. A part of the nozzle 21 and the solution supply means and a part of the discharge voltage applying means 25 are integrally formed by a nozzle plate 26.

(ノズル)
上記ノズル21は、後述するノズルプレート26の上面層26cと共に一体的に形成されており、当該ノズルプレート26の平板面上から垂直に立設されている。さらに、ノズル21にはその先端部からその中心線に沿って貫通するノズル内流路22が形成されている。
(nozzle)
The nozzle 21 is integrally formed with an upper surface layer 26c of a nozzle plate 26 described later, and is erected vertically from a flat plate surface of the nozzle plate 26. Further, the nozzle 21 is formed with an in-nozzle flow path 22 penetrating from the tip portion along the center line.

ノズル21についてさらに詳説する。ノズル21は、前述の通り、超微細径で形成されている。具体的な各部の寸法の一例を挙げると、ノズル内流路22の内部直径は、1μm、ノズル21の先端部における外部直径は2μm、ノズル21の根元の直径は5μm、ノズル21の高さは100μmに設定されており、その形状は限りなく円錐形に近い円錐台形に形成されている。また、ノズル21はその全体がノズルプレート26の上面層26cと共に絶縁性の樹脂材により形成されている。   The nozzle 21 will be further described in detail. As described above, the nozzle 21 is formed with an ultrafine diameter. As an example of specific dimensions of each part, the internal diameter of the nozzle internal flow path 22 is 1 μm, the external diameter at the tip of the nozzle 21 is 2 μm, the root diameter of the nozzle 21 is 5 μm, and the height of the nozzle 21 is It is set to 100 μm, and its shape is formed in a truncated cone shape close to a conical shape. The entire nozzle 21 is formed of an insulating resin material together with the upper surface layer 26 c of the nozzle plate 26.

なお、ノズルの各寸法は上記一例に限定されるものではない。特にノズル内径については、後述する電界集中の効果により液滴の吐出を可能とする吐出電圧が1000V未満を実現する範囲であって、例えば、ノズル直径70μm以下であり、より望ましくは、直径20μm以下であって、現行のノズル形成技術により溶液を通す貫通穴を形成することが実現可能な範囲である直径をその下限値とする。   In addition, each dimension of a nozzle is not limited to the said example. In particular, the inner diameter of the nozzle is within a range in which the discharge voltage that enables the discharge of liquid droplets by the effect of electric field concentration described below is less than 1000 V, for example, the nozzle diameter is 70 μm or less, and more preferably 20 μm or less. And the diameter which is a range which can form the through-hole which lets a solution pass with the present nozzle formation technique is made into the lower limit.

液体吐出装置のノズル径(ノズル先端部の内部直径)は、20μm以下であることが好ましく、さらに好ましくは8μm以下、さらに好ましくは4μm以下とすることが好ましい。また、ノズル径は、0.2μmより大きいことが好ましい。   The nozzle diameter of the liquid ejection device (inner diameter at the nozzle tip) is preferably 20 μm or less, more preferably 8 μm or less, and even more preferably 4 μm or less. The nozzle diameter is preferably larger than 0.2 μm.

(溶液供給手段)
溶液供給手段は、ノズルプレート26の内部であってノズル21の根元となる位置に設けられると共にノズル内流路22に連通する溶液室24と、図示しない外部の溶液タンクから溶液室24に溶液を導く供給路27と、溶液室24への溶液の供給圧力を付与する図示しない供給ポンプとを備えている。
(Solution supply means)
The solution supply means is provided inside the nozzle plate 26 at a position that is the root of the nozzle 21 and communicates the solution from the external solution tank (not shown) to the solution chamber 24. A supply path 27 that guides and a supply pump (not shown) that applies a supply pressure of the solution to the solution chamber 24 are provided.

上記供給ポンプは、ノズル21の先端部まで溶液を供給し、当該先端部からこぼれ出さない範囲の供給圧力を維持して溶液の供給を行う。   The supply pump supplies the solution to the tip of the nozzle 21 and supplies the solution while maintaining the supply pressure in a range that does not spill from the tip.

(吐出電圧印加手段)
吐出電圧印加手段25は、ノズルプレート26の内部であって溶液室24とノズル内流路22との境界位置に設けられた吐出電圧印加用の吐出電極28と、この吐出電極28に常時,直流のバイアス電圧を印加するバイアス電源30とを備えている。
(Discharge voltage application means)
The discharge voltage applying means 25 includes a discharge electrode 28 for applying a discharge voltage provided in a boundary position between the solution chamber 24 and the nozzle flow path 22 inside the nozzle plate 26, and the discharge electrode 28 is always subjected to direct current. And a bias power supply 30 for applying a bias voltage of.

上記吐出電極28は、溶液室24内部において溶液に直接接触し、溶液を帯電させると共に吐出電圧を印加する。   The discharge electrode 28 is in direct contact with the solution inside the solution chamber 24 to charge the solution and apply a discharge voltage.

バイアス電源30によるバイアス電圧は、画素電極領域上では溶液の吐出が行われ、画素電極領域以外では溶液の吐出が行われない範囲で常時電圧印加を行うことにより、吐出時のパルス電圧を不要としている。   The bias voltage by the bias power supply 30 is such that the solution is discharged on the pixel electrode region and the voltage is constantly applied in a range where the solution is not discharged outside the pixel electrode region, thereby eliminating the need for a pulse voltage at the time of discharge. Yes.

(液体吐出ヘッド)
液体吐出ヘッド26は、図3において最も下層に位置するベース層26aと、その上に位置する溶液の供給路を形成する流路層26bと、この流路層26bのさらに上に形成される上面層であるノズルプレート26cとを備え、流路層26bと上面層26cとの間には前述した印加電極28が介挿されている。
(Liquid discharge head)
The liquid discharge head 26 includes a base layer 26a positioned at the lowest level in FIG. 3, a flow path layer 26b that forms a solution supply path positioned above the base layer 26a, and an upper surface formed further above the flow path layer 26b. The nozzle plate 26c is a layer, and the application electrode 28 described above is interposed between the flow path layer 26b and the upper surface layer 26c.

上記ベース層26aは、シリコン基板或いは絶縁性の高い樹脂又はセラミックにより形成され、その上に溶解可能な樹脂層を形成すると共に供給路27及び溶液室24のパターンに従う部分のみを残して除去し、除去された部分に絶縁樹脂層を形成する。この絶縁樹脂層が流路層26bとなる。そして、この絶縁樹脂層の上面に導電素材(例えばNiP)のメッキにより吐出電極28を形成し、さらにその上から絶縁性のレジスト樹脂層を形成する。このレジスト樹脂層が上面層26cとなるので、この樹脂層はノズル21の高さを考慮した厚みで形成される。そして、この絶縁性のレジスト樹脂層を電子ビーム法やフェムト秒レーザにより露光し、ノズル形状を形成する。ノズル内流路22もレーザ加工により形成される。そして、供給路27及び溶液室24のパターンに従う溶解可能な樹脂層を除去し、これら供給路27及び溶液室24が開通して液体吐出ヘッドが完成する。   The base layer 26a is formed of a silicon substrate or a highly insulating resin or ceramic, forms a soluble resin layer on the base layer 26a, and removes only a portion that follows the pattern of the supply path 27 and the solution chamber 24, An insulating resin layer is formed on the removed portion. This insulating resin layer becomes the flow path layer 26b. A discharge electrode 28 is formed on the upper surface of the insulating resin layer by plating with a conductive material (for example, NiP), and an insulating resist resin layer is formed thereon. Since this resist resin layer becomes the upper surface layer 26 c, this resin layer is formed with a thickness in consideration of the height of the nozzle 21. Then, this insulating resist resin layer is exposed by an electron beam method or a femtosecond laser to form a nozzle shape. The nozzle internal flow path 22 is also formed by laser processing. Then, the dissolvable resin layer according to the pattern of the supply path 27 and the solution chamber 24 is removed, and the supply path 27 and the solution chamber 24 are opened to complete the liquid discharge head.

(対向電極)
対向電極23は、ノズル21に垂直な対向面を備えており、かかる対向面に沿うように基板Kの支持を行う。ノズル21の先端部から対向電極23の対向面までの距離は、一例としては100μmに設定される。
(Counter electrode)
The counter electrode 23 has a counter surface perpendicular to the nozzle 21 and supports the substrate K along the counter surface. As an example, the distance from the tip of the nozzle 21 to the opposing surface of the opposing electrode 23 is set to 100 μm.

また、この対向電極23は接地されているため、常時,接地電位を維持している。従って、ノズル21の先端部と対向面との間に生じる電界による静電力により吐出された液滴を対向電極23側に誘導する。   Further, since the counter electrode 23 is grounded, the ground potential is always maintained. Accordingly, the liquid droplets ejected by the electrostatic force generated by the electric field generated between the tip of the nozzle 21 and the opposing surface are guided to the opposing electrode 23 side.

なお、液体吐出装置20は、ノズル21の超微細化による当該ノズル21の先端部での電界集中により電界強度を高めることで液滴の吐出を行うことから、対向電極23による誘導がなくとも液滴の吐出を行うことは可能ではあるが、ノズル21と対向電極23との間での静電力による誘導が行われた方が望ましい。また、帯電した液滴の電荷を対向電極23の接地により逃がすことも可能である。   The liquid ejection device 20 ejects liquid droplets by increasing the electric field strength by concentrating the electric field at the tip of the nozzle 21 due to the ultra-miniaturization of the nozzle 21, so that the liquid ejection device 20 does not need to be guided by the counter electrode 23. Although it is possible to discharge droplets, it is desirable that induction by electrostatic force is performed between the nozzle 21 and the counter electrode 23. In addition, the charge of the charged droplet can be released by grounding the counter electrode 23.

(画像記録装置による画像記録動作)
次に、図2により画像記録装置101の動作説明を行う。
(Image recording operation by image recording device)
Next, the operation of the image recording apparatus 101 will be described with reference to FIG.

まず、搬送ローラ103aを回転駆動させることにより、基板Kを搬送ローラ103aと圧接ローラ104aとにより挟持しながら画像記録台102に搬送する。   First, the conveyance roller 103a is rotationally driven to convey the substrate K to the image recording table 102 while being sandwiched between the conveyance roller 103a and the pressure roller 104a.

そして、この基板Kに対して、走査型の液体吐出装置20にあっては、液体吐出装置20を基板Kの搬送方向に走査させながら基板Kに対して液体を吐出させるか、あるいはライン型の液体吐出装置20にあっては、基板Kに対してライン状に液体を吐出させることにより、基板Kに液体の微小液滴を付着させる。画像記録後の基板Kは、搬送ローラ103bと圧接ローラ104bとにより挟持されて画像記録台102から取り除かれる。   In the scanning liquid ejection device 20 with respect to the substrate K, liquid is ejected onto the substrate K while scanning the liquid ejection device 20 in the transport direction of the substrate K, or a line type liquid ejection device 20 is used. In the liquid ejection device 20, liquid droplets are adhered to the substrate K by ejecting the liquid to the substrate K in a line shape. The substrate K after image recording is sandwiched between the transport roller 103b and the pressure roller 104b and removed from the image recording table 102.

(液体吐出装置による微小液滴の吐出動作)
次に、図5及び図6により画像記録装置101における液体吐出装置20の動作説明を行う。
(Discharge operation of micro droplets by liquid discharge device)
Next, the operation of the liquid ejection apparatus 20 in the image recording apparatus 101 will be described with reference to FIGS.

溶液供給手段の供給ポンプによりノズル内流路22には溶液が供給された状態にあり、かかる状態でバイアス電源30により吐出電極28を介してバイアス電圧が溶液に印加されている。かかる状態で、溶液は帯電すると共に、ノズル21の先端部において溶液による凹状に窪んだメニスカスが形成される(図6(A))。   The solution is supplied to the nozzle flow path 22 by the supply pump of the solution supply means, and in this state, a bias voltage is applied to the solution via the discharge electrode 28 by the bias power supply 30. In this state, the solution is charged, and a meniscus that is recessed in the solution is formed at the tip of the nozzle 21 (FIG. 6A).

そして、基板表面の画素電極領域とノズル先端に吐出が可能となる電圧が印加されると、ノズル21の先端部では集中された電界の電界強度による静電力により溶液がノズル21の先端側に誘導され、外部に突出した凸状メニスカスが形成されると共に、かかる凸状メニスカスの頂点により電界が集中し、ついには溶液の表面張力に抗して微小液滴が対向電極側に吐出される(図6(B))。   When a voltage that enables ejection is applied to the pixel electrode region on the substrate surface and the tip of the nozzle, the solution is guided to the tip of the nozzle 21 by electrostatic force due to the electric field strength of the concentrated electric field at the tip of the nozzle 21. As a result, a convex meniscus protruding to the outside is formed, and the electric field is concentrated by the apex of the convex meniscus, and finally a fine droplet is discharged to the counter electrode side against the surface tension of the solution (see FIG. 6 (B)).

上記液体吐出装置20は、従来にない微小径のノズル21により液滴の吐出を行うので、ノズル内流路22内で帯電した状態の溶液により電界が集中され、電界強度が高められる。このため、従来のように電界の集中化が行われない構造のノズル(例えば内径100μm)では吐出に要する電圧が高くなり過ぎて事実上吐出不可能とされていたが、微細径のノズルにより溶液を吐出させるので、従来よりも低電圧で溶液の吐出を行うことを可能としている。   Since the liquid discharge device 20 discharges droplets with a nozzle 21 having a small diameter that has not been conventionally used, the electric field is concentrated by the charged solution in the flow path 22 in the nozzle, and the electric field strength is increased. For this reason, a nozzle having a structure in which electric field concentration is not performed (for example, an inner diameter of 100 μm) as in the prior art has been considered impossible to discharge because the voltage required for discharge becomes too high. Therefore, it is possible to discharge the solution at a lower voltage than in the prior art.

そして、微細径であるがために、ノズルコンダクタンスの低さによりその単位時間あたりの吐出流量を低減する制御を容易に行うことができると共に、パルス幅を狭めることなく十分に小さな液滴径(上記各条件によれば0.8μm)による溶液の吐出を実現している。   And since it has a fine diameter, it is possible to easily perform control for reducing the discharge flow rate per unit time due to the low nozzle conductance, and sufficiently small droplet diameter without reducing the pulse width (see above). According to each condition, discharge of the solution by 0.8 μm) is realized.

さらに、吐出される液滴は帯電されているので、微小の液滴であっても蒸気圧が低減され、蒸発を抑制することから液滴の質量の損失を低減し、飛翔の安定化を図り、液滴の着弾精度の低下を防止する。   In addition, since the ejected droplets are charged, the vapor pressure is reduced even for very small droplets and the evaporation is suppressed, so the loss of droplet mass is reduced and the flight is stabilized. , Preventing a drop in droplet landing accuracy.

なお、ノズル21にエレクトロウェッティング効果を得るために、ノズル21の外周に電極を設けるか、また或いは、ノズル内流路22の内面に電極を設け、その上から絶縁膜で被覆しても良い。そして、この電極に電圧を印加することで、吐出電極28により電圧が印加されている溶液に対して、エレクトロウェッティング効果によりノズル内流路22の内面のぬれ性を高めることができ、ノズル内流路22への溶液の供給を円滑に行うことができ、良好に吐出を行うと共に、吐出の応答性の向上を図ることが可能となる。   In order to obtain an electrowetting effect on the nozzle 21, an electrode may be provided on the outer periphery of the nozzle 21, or an electrode may be provided on the inner surface of the nozzle internal flow path 22 and covered with an insulating film thereon. . By applying a voltage to this electrode, the wettability of the inner surface of the nozzle flow path 22 can be increased due to the electrowetting effect with respect to the solution to which the voltage is applied by the discharge electrode 28. It is possible to smoothly supply the solution to the flow path 22, to discharge well, and to improve the responsiveness of discharge.

以下、本発明に係わる有機EL素子を構成しているガスバリア層、第1画素電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、第2画素電極、封止層等を説明する。   Hereinafter, a gas barrier layer, a first pixel electrode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, a second pixel electrode, a sealing layer, and the like constituting the organic EL element according to the present invention will be described.

本発明に用いられる画素電極領域と非画素電極領域を有する基板としては、連続可撓性基板であっても、枚様の基板であっても良い。   The substrate having the pixel electrode region and the non-pixel electrode region used in the present invention may be a continuous flexible substrate or a sheet substrate.

帯状可撓性基板としては、透明樹脂フィルムが挙げられる。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)或いはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。   A transparent resin film is mentioned as a strip | belt-shaped flexible board | substrate. Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, Cycloolefin resins such as polyether imide, polyether ketone imide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethyl methacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Is mentioned.

帯状可撓性基板として使用する樹脂フィルムの表面にはガスバリア膜が必要に応じて形成されることが好ましい。ガスバリア膜としては無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が挙げられる。ガスバリア膜の特性としては、水蒸気透過度が0.01g/m2・day・atm以下であることが好ましい。更には、酸素透過度10-3ml/m2・day以下、水蒸気透過度10-5g/m2・day以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 A gas barrier film is preferably formed on the surface of the resin film used as the belt-like flexible substrate, if necessary. Examples of the gas barrier film include an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both. As a characteristic of the gas barrier film, the water vapor permeability is preferably 0.01 g / m 2 · day · atm or less. Furthermore, a high barrier film having an oxygen permeability of 10 −3 ml / m 2 · day or less and a water vapor permeability of 10 −5 g / m 2 · day or less is preferable.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることが出来る。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることが出来るが、特開2004−68143号に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times. The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the molecular beam epitaxy method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method, the atmospheric pressure plasma weighting. A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

第1画素電極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。この様な電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。又、IDIXO(In23・ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、或いはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。或いは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることも出来る。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、又陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。 As the first pixel electrode, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such an electrode substance include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO. Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 .ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used. For the anode, these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when the pattern accuracy is not required (about 100 μm or more) ), A pattern may be formed through a mask having a desired shape when the electrode material is deposited or sputtered. Or when using the substance which can be apply | coated like an organic electroconductivity compound, wet film-forming methods, such as a printing system and a coating system, can also be used. When light emission is taken out from the anode, it is desirable that the transmittance is greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.

第1画素電極と発光層又は正孔輸送層の間、正孔注入層(陽極バッファー層)を存在させてもよい。正孔注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123−166頁)に詳細に記載されている。陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。   A hole injection layer (anode buffer layer) may be present between the first pixel electrode and the light emitting layer or the hole transport layer. The hole injection layer is a layer provided between the electrode and the organic layer in order to lower the driving voltage and improve the luminance of light emission. “The organic EL element and the forefront of industrialization (November 30, 1998, NTS) The details are described in the second volume, Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) of “The Company”. The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることが出来る。正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性の何れかを有するものであり、有機物、無機物の何れであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、又導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers. The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することが出来るが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound. Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and also two of those described in US Pat. No. 5,061,569. Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-3086 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 8 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.

更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。又、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することが出来る。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

又、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような所謂p型正孔輸送材料を用いることも出来る。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。   JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, it is preferable to use these materials because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.

正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種又は2種以上からなる一層構造であってもよい。又、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平4−297076号、特開2000−196140号、特開2001−102175号、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。この様なp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の有機EL素子を作製することが出来るため好ましい。   Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. This hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials. A hole transport layer having a high p property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like. It is preferable to use such a hole transport layer having a high p property because an organic EL element with lower power consumption can be produced.

本発明において、発光層とは青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を指す。発光層を積層する場合の積層順としては、特に制限はなく、又各発光層間に非発光性の中間層を有していてもよい。本発明においては、少なくとも一つの青発光層が、全発光層中最も陽極に近い位置に設けられていることが好ましい。又、発光層を4層以上設ける場合には、陽極に近い順から、例えば青色発光層/緑色発光層/赤色発光層/青色発光層、青色発光層/緑色発光層/赤色発光層/青色発光層/緑色発光層、青色発光層/緑色発光層/赤色発光層/青色発光層/緑色発光層/赤色発光層のように青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を順に積層することが、輝度安定性を高める上で好ましい。発光層を多層にすることで白色素子の作製が可能である。   In the present invention, the light emitting layer refers to a blue light emitting layer, a green light emitting layer, and a red light emitting layer. There is no restriction | limiting in particular as a lamination order in the case of laminating | stacking a light emitting layer, You may have a nonluminous intermediate | middle layer between each light emitting layer. In the present invention, it is preferable that at least one blue light emitting layer is provided at a position closest to the anode in all the light emitting layers. Also, when four or more light emitting layers are provided, for example, blue light emitting layer / green light emitting layer / red light emitting layer / blue light emitting layer, blue light emitting layer / green light emitting layer / red light emitting layer / blue light emitting from the order close to the anode. Layered / green light emitting layer, blue light emitting layer / green light emitting layer / red light emitting layer / blue light emitting layer / green light emitting layer / red light emitting layer, etc. It is preferable for improving luminance stability. A white element can be manufactured by forming a light emitting layer in multiple layers.

発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性、発光に必要な電圧等を考慮し、通常2nm〜5μm、好ましくは2〜200nmの範囲で選ばれる。更に10〜20nmの範囲にあるのが好ましい。膜厚を20nm以下にすると電圧面のみならず、駆動電流に対する発光色の安定性が向上する効果があり好ましい。個々の発光層の膜厚は、好ましくは2〜100nmの範囲で選ばれ、2〜20nmの範囲にあるのが更に好ましい。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はないが、3発光層中、青発光層(複数層ある場合はその総和)が最も厚いことが好ましい。   The total thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but is usually selected in the range of 2 nm to 5 μm, preferably 2 to 200 nm in consideration of the uniformity of the film and the voltage required for light emission. Furthermore, it is preferable that it exists in the range of 10-20 nm. A film thickness of 20 nm or less is preferable because it has the effect of improving the stability of the emission color with respect to the driving current as well as the voltage surface. The film thickness of each light emitting layer is preferably selected in the range of 2 to 100 nm, and more preferably in the range of 2 to 20 nm. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness relationship of each light emitting layer of blue, green, and red, It is preferable that the blue light emitting layer (the sum total when there are two or more layers) is the thickest among three light emitting layers.

発光層は発光極大波長が各々430〜480nm、510〜550nm、600〜640nmの範囲にある発光スペクトルの異なる少なくとも3層以上の層を含む。3層以上であれば、特に制限はない。4層より多い場合には、同一の発光スペクトルを有する層が複数層あってもよい。発光極大波長が430〜480nmにある層を青発光層、510〜550nmにある層を緑発光層、600〜640nmの範囲にある層を赤発光層と言う。又、前記の極大波長を維持する範囲において、各発光層には複数の発光性化合物を混合してもよい。例えば、青発光層に、極大波長430〜480nmの青発光性化合物と、同510〜550nmの緑発光性化合物を混合して用いてもよい。   The light emitting layer includes at least three layers having different emission spectra, each having an emission maximum wavelength in the range of 430 to 480 nm, 510 to 550 nm, and 600 to 640 nm. If it is three or more layers, there will be no restriction | limiting in particular. When there are more than four layers, there may be a plurality of layers having the same emission spectrum. A layer having an emission maximum wavelength in the range of 430 to 480 nm is referred to as a blue light emitting layer, a layer in the range of 510 to 550 nm is referred to as a green light emitting layer, and a layer in the range of 600 to 640 nm is referred to as a red light emitting layer. Moreover, in the range which maintains the said maximum wavelength, you may mix a several luminescent compound in each light emitting layer. For example, the blue light emitting layer may be used by mixing a blue light emitting compound having a maximum wavelength of 430 to 480 nm and a green light emitting compound having the same wavelength of 510 to 550 nm.

発光層に使用する材料は特に限定はなく、例えば、株式会社 東レリサーチセンター フラットパネルディスプレイの最新動向 ELディスプレイの現状と最新技術動向 228〜332頁に記載されている如き各種材料が挙げられる。   The material used for the light emitting layer is not particularly limited, and examples thereof include the latest trends of Toray Research Center, Inc. flat panel displays, the current state of EL displays and the latest technological trends, and various materials as described on pages 228-332.

電子注入層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり広い意味で電子輸送層に含まれる。電子注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されている。電子注入層(陰極バッファー層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。   The electron injection layer is made of a material having a function of transporting electrons and is included in the electron transport layer in a broad sense. The electron injection layer is a layer provided between the electrode and the organic layer for lowering the driving voltage and improving the luminance of the light emission. “Organic EL element and its forefront of industrialization (NST 30, November 30, 1998) Issue) ”, Chapter 2, Chapter 2,“ Electrode Materials ”(pages 123-166). The details of the electron injection layer (cathode buffer layer) are also described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.

他に発光層側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることが出来、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来る。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。   In addition, as an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for the electron transport layer adjacent to the light emitting layer side, it is sufficient if it has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. As a material, any one of conventionally known compounds can be selected and used. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodisides. Examples include methane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like. Furthermore, in the above oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and quinoxaline derivatives having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as the electron transport material. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

又、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることが出来る。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることが出来る。又、ジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来るし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることが出来る。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種又は2種以上からなる一層構造であってもよい。   Also, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum. Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material. In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material. Distyrylpyrazine derivatives can also be used as electron transport materials, and inorganic semiconductors such as n-type-Si and n-type-SiC are also used as electron transport materials in the same manner as the hole injection layer and hole transport layer. I can do it. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

又、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平4−297076号公報、特開平10−270172号公報、特開2000−196140号公報、特開2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。この様なn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することが出来るため好ましい。電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、湿式塗布、真空蒸着法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することも出来る。   An electron transport layer having a high n property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like. It is preferable to use such an electron transport layer having a high n property because an element with lower power consumption can be manufactured. The electron transport layer can also be formed by thinning the electron transport material by a known method such as wet coating or vacuum deposition.

第2画素電極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この様な電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することが出来る。又、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の第1画素電極(陽極)又は第2画素電極(陰極)の何れか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。 As the second pixel electrode, an electrode material made of a metal having a small work function (4 eV or less) (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Suitable are a magnesium / aluminum mixture, a magnesium / indium mixture, an aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, a lithium / aluminum mixture, aluminum and the like. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm. In order to transmit the emitted light, if either one of the first pixel electrode (anode) or the second pixel electrode (cathode) of the organic EL element is transparent or translucent, the emission luminance is improved, which is convenient. .

又、第2画素電極に上記金属を1〜20nmの膜厚で作製した後に、第1画素電極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の第2画素電極(陰極)を作製することが出来、これを応用することで第1画素電極(陽極)と第2画素電極(陰極)の両方が透過性を有する素子を作製することが出来る。   In addition, after forming the metal with a thickness of 1 to 20 nm on the second pixel electrode, the conductive transparent material mentioned in the description of the first pixel electrode is formed thereon, so that a transparent or translucent second material is formed. A pixel electrode (cathode) can be manufactured, and by applying this, an element in which both the first pixel electrode (anode) and the second pixel electrode (cathode) are transmissive can be manufactured.

本発明の有機EL素子を構成している発光層には、発光層の発光効率を高くするために公知のホスト化合物と公知のリン光性化合物(リン光発光性化合物とも言う)を含有することが好ましい。   The light emitting layer constituting the organic EL device of the present invention contains a known host compound and a known phosphorescent compound (also referred to as a phosphorescent compound) in order to increase the luminous efficiency of the light emitting layer. Is preferred.

ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が20%以上であり、且つ室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。ホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することが出来る。又、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることが出来る。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用も出来る。   The host compound is a compound contained in the light-emitting layer, the mass ratio in the layer is 20% or more, and the phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission is 0.1 at room temperature (25 ° C.). Is defined as less than a compound. The phosphorescence quantum yield is preferably less than 0.01. A plurality of host compounds may be used in combination. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. In addition, by using a plurality of phosphorescent compounds, it is possible to mix different light emission, thereby obtaining an arbitrary emission color. White light emission is possible by adjusting the kind of phosphorescent compound and the amount of doping, and can also be applied to illumination and backlight.

これらのホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、尚且つ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。公知のホスト化合物としては、例えば、特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等に記載の化合物が挙げられる。   As these host compounds, compounds having a hole transporting ability and an electron transporting ability, preventing emission light from being increased in wavelength, and having a high Tg (glass transition temperature) are preferable. Known host compounds include, for example, JP-A Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, and 2002-334786. Gazette, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645 2002-338579, 2002-105445, 2002-343568, 2002-141173, 2002-352957, 2002-203683, 2002-363227 2002-231453, 2003-3165, 2002-234888, 2003-27048, 2002-255934, 2002-260861, 2002-280183, Examples thereof include compounds described in 2002-299060, 2002-302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837 and the like.

複数の発光層を有する場合、これら各層のホスト化合物の50質量%以上が同一の化合物であることが、有機層全体に渡って均質な膜性状を得やすいことから好ましく、更にはホスト化合物のリン光発光エネルギーが2.9eV以上であることが、ドーパントからのエネルギー移動を効率的に抑制し、高輝度を得る上で有利となることからより好ましい。リン光発光エネルギーとは、ホスト化合物を基板上に100nmの蒸着膜のフォトルミネッセンスを測定し、そのリン光発光の0−0バンドのピークエネルギーを言う。   In the case of having a plurality of light emitting layers, it is preferable that 50% by mass or more of the host compound in each layer is the same compound because it is easy to obtain a uniform film property over the entire organic layer. It is more preferable that the light emission energy is 2.9 eV or more because it is advantageous in efficiently suppressing energy transfer from the dopant and obtaining high luminance. Phosphorescence emission energy means the peak energy of the 0-0 band of phosphorescence emission when the photoluminescence of a deposited film of 100 nm is measured on a substrate with a host compound.

ホスト化合物は、有機EL素子の経時での劣化(輝度低下、膜性状の劣化)、光源としての市場ニーズ等を考慮し、リン光発光エネルギーが2.9eV以上且つTgが90℃以上のものであることが好ましい。すなわち、輝度と耐久性の両方を満足するためには、リン光発光エネルギーが2.9eV以上且つTgが90℃以上のものであることが好ましい。Tgは、更に好ましくは100℃以上である。   The host compound has a phosphorescence emission energy of 2.9 eV or more and a Tg of 90 ° C. or more in consideration of deterioration of the organic EL device over time (decrease in luminance and film properties), market needs as a light source, and the like. Preferably there is. That is, in order to satisfy both luminance and durability, it is preferable that phosphorescence emission energy is 2.9 eV or more and Tg is 90 ° C. or more. Tg is more preferably 100 ° C. or higher.

リン光性化合物(リン光発光性化合物)とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物である。先に説明したホスト化合物と合わせ使用することで、より発光効率の高い有機EL素子とすることが出来る。   A phosphorescent compound (phosphorescent compound) is a compound in which light emission from an excited triplet is observed, is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and has a phosphorescence quantum yield of 25. The compound is 0.01 or more at ° C. When used in combination with the host compound described above, an organic EL device with higher luminous efficiency can be obtained.

本発明に係るリン光性化合物は、リン光量子収率は好ましくは0.1以上である。上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定出来る。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定出来るが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。   The phosphorescent compound according to the present invention preferably has a phosphorescence quantum yield of 0.1 or more. The phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 version, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence quantum yield used in the present invention only needs to achieve the phosphorescence quantum yield in any solvent.

リン光性化合物の発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上出来ャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、何れの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。   There are two types of light emission of the phosphorescent compound in principle. One is the recombination of the carrier on the host compound to which the carrier is transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the phosphorescent compound. The energy transfer type, in which light emission from the phosphorescent compound is obtained by moving to the phosphorescent compound, and the other is that the phosphorescent compound becomes a carrier trap, resulting in recombination of the carriers on the phosphorescent compound and from the phosphorescent compound. Although it is a carrier trap type in which light emission can be obtained, in any case, it is a condition that the excited state energy of the phosphorescent compound is lower than the excited state energy of the host compound.

リン光性化合物は、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることが出来る。リン光性化合物としては、好ましくは元素の周期表で8族−10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   The phosphorescent compound can be appropriately selected from known compounds used for the light emitting layer of the organic EL device. The phosphorescent compound is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex compound), rare earth Of these, iridium compounds are the most preferred.

本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることが出来る。   In the present invention, the phosphorescence emission maximum wavelength of the phosphorescent compound is not particularly limited, and can be obtained in principle by selecting a central metal, a ligand, a ligand substituent, and the like. The emission wavelength can be changed.

本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)で測定した結果をCIE色度座標に当て嵌めた時の色で決定される。   The light emission color of the organic EL device of the present invention and the compound according to the present invention is shown in FIG. 4.16 on page 108 of “New Color Science Handbook” (edited by the Japan Color Society, University of Tokyo Press, 1985). It is determined by the color when the result measured with the total CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) is applied to the CIE chromaticity coordinates.

本発明で言うところの白色素子とは、2℃視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931 表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.07の領域内にあることを言う。 The white element referred to in the present invention means that the chromaticity in the CIE1931 color system at 1000 cd / m 2 is X = 0.33 ± 0.07 when the front luminance at 2 ° C. viewing angle is measured by the above method. It is in the region of Y = 0.33 ± 0.07.

本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。   The external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic EL device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more. Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element × 100.

又、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。   In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor may be used in combination. In the case of using a color conversion filter, the λmax of light emission of the organic EL element is preferably 480 nm or less.

本発明の有機EL素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために以下に示す方法を併用することが好ましい。有機EL素子は、空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光の内15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことが出来ないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。   The organic EL device of the present invention preferably uses the following method in combination in order to efficiently extract light generated in the light emitting layer. The organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index is about 1.7 to 2.1), and only about 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer can be extracted. It is generally said that there is no. This is because the light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the element, or the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate This is because the light undergoes total reflection between them, the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the side surface of the device.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435)。基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)。素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)。基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)。基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)。基板、透明電極層や発光層の何れかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。   As a technique for improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (US Pat. No. 4,774,435). A method for improving efficiency by providing a substrate with a light condensing property (JP-A-63-314795). A method of forming a reflective surface on the side surface of an element (Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394). A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between a substrate and a light emitter (Japanese Patent Laid-Open No. 62-172691). A method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827). There is a method of forming a diffraction grating between any one of the substrate, the transparent electrode layer, and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) (Japanese Patent Laid-Open No. 11-283951).

本発明においては、これらの方法を有機EL素子と組み合わせて用いることが出来るが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、或いは基板、透明電極層や発光層の何れかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることが出来る。本発明においては、これらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度或いは耐久性に優れた素子を得ることが出来る。   In the present invention, these methods can be used in combination with an organic EL element. However, a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, a transparent electrode layer, A method of forming a diffraction grating between any layers of the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used. In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。又、更に1.35以下であることが好ましい。低屈折率媒質の厚みは、媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくは何れかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が1次の回折や、2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることが出来る性質を利用して、発光層から発生した光の内、層間での全反射等により外に出ることが出来ない光を、何れかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。   When a low refractive index medium is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower. . Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less. The thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate. The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency. This method is generated from the light emitting layer by utilizing the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction. Of the light, the light that cannot go out due to total reflection between layers, etc. is diffracted by introducing a diffraction grating into any layer or medium (inside a transparent substrate or transparent electrode) , Trying to extract light out. The introduced diffraction grating desirably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. The light extraction efficiency does not increase so much. However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.

回折格子を導入する位置としては前述の通り、何れかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。この時、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。   As described above, the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated. At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium. The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.

更に、本発明の有機EL素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために、基板の光取り出し側に、例えばマイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、或いは、所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることが出来る。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大き過ぎると厚みが厚くなり好ましくない。   Furthermore, the organic EL device of the present invention can be processed so as to provide, for example, a microlens array-like structure on the light extraction side of the substrate in order to efficiently extract light generated in the light emitting layer, or so-called condensing light. By combining with the sheet, the luminance in the specific direction can be increased by collecting light in a specific direction, for example, in the front direction with respect to the element light emitting surface. As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 μm to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.

集光シートとしては、例えば液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。この様なシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることが出来る。プリズムシートの形状としては、例えば基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。又、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることが出来る。   As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used. As the shape of the prism sheet, for example, a substrate may be formed with a Δ-shaped stripe having an apex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the apex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used. Moreover, in order to control the light emission angle from a light emitting element, you may use a light-diffusion plate and a film together with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

本発明の有機EL素子の作製方法の一例として第1画素電極/発光層/電子輸送層/第2画素電極からなる有機ELの作製方法について説明し、請求範囲の技術については、発光層のみに適用したものを示すが、この範囲に限定されるものではなく、各種機能層に用いても構わない。   As an example of a method for producing the organic EL element of the present invention, a method for producing an organic EL composed of a first pixel electrode / a light emitting layer / an electron transport layer / a second pixel electrode will be described. Although what was applied is shown, it is not limited to this range and may be used for various functional layers.

〈透明性ガスバリア性フィルム基板の作製〉
基板として、厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人・デユポン社製フィルム、以下、PETと略記する)上に、下記の大気圧プラズマ放電処理装置及び放電条件で、低密度層、中密度層、高密度層、中密度層のユニットを3層積層した透明ガスバリア性フィルムを作製した。
<Production of transparent gas barrier film substrate>
As a substrate, on a polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 μm (a film made by Teijin-Dyupon Co., Ltd., hereinafter abbreviated as PET), a low-density layer, a medium-density layer, a high-density layer under the following atmospheric pressure plasma discharge treatment apparatus and discharge conditions A transparent gas barrier film in which three layers of a density layer and a medium density layer were laminated was produced.

(大気圧プラズマ放電処理装置)
図7は大気圧プラズマ放電処理装置の構成断面図である。対向電極としてロール回転電極35及び複数の角筒型電極36を有し、更に電界印加手段40、ガス供給手段50、電極温度調節手段60等を有している。
(Atmospheric pressure plasma discharge treatment equipment)
FIG. 7 is a structural cross-sectional view of an atmospheric pressure plasma discharge treatment apparatus. The counter electrode includes a roll rotating electrode 35 and a plurality of rectangular tube electrodes 36, and further includes an electric field applying means 40, a gas supply means 50, an electrode temperature adjusting means 60, and the like.

誘電体で被覆したロール回転電極35及び複数の角筒型電極36のセットを以下のように作製した。   A set of a roll rotating electrode 35 and a plurality of rectangular tube electrodes 36 coated with a dielectric was prepared as follows.

第1電極となるロール回転電極35は、冷却水による冷却手段を有するチタン合金T64製ジャケットロール金属質母材に対して、大気プラズマ法により高密度、高密着性のアルミナ溶射膜を被覆し、ロール径1000mmφとなるようにした。一方、第2電極の角筒型電極36は、中空の角筒型のチタン合金T64に対し、上記同様の誘電体を同条件にて方肉で1mm被覆し、対向する角筒型固定電極群とした。   The roll rotating electrode 35 serving as the first electrode is coated with a high-density, high-adhesion alumina sprayed film by an atmospheric plasma method on a titanium alloy T64 jacket roll metal base material having cooling means by cooling water, The roll diameter was set to 1000 mmφ. On the other hand, the square electrode 36 of the second electrode is formed by coating a hollow rectangular tube titanium alloy T64 with a dielectric similar to the above with a thickness of 1 mm under the same conditions, and opposing square tube type fixed electrode groups. It was.

この角筒型電極36をロール回転電極35のまわりに、対向電極間隙を1mmとして24本配置した。角筒型固定電極群の放電総面積は、150cm(幅手方向の長さ)×4cm(搬送方向の長さ)×24本(電極の数)=14400cm2であった。 Twenty-four square tube electrodes 36 are arranged around the roll rotation electrode 35 with a counter electrode gap of 1 mm. The total discharge area of the square tube type fixed electrode group was 150 cm (length in the width direction) × 4 cm (length in the transport direction) × 24 (number of electrodes) = 14400 cm 2 .

プラズマ放電中、第1電極(ロール回転電極35)及び第2電極(角筒型固定電極36群)が80℃になるように調節保温し、ロール回転電極35はドライブで回転させて薄膜形成を行った。上記24本の角筒型固定電極36中、上流側より4本を下記第1層(低密度層1)の成膜用に、次の6本を下記第2層(中密度層1)の成膜用に、次の8本を第3層(高密度層1)の成膜用に使用し、残りの6本を第4層(中密度層2)の成膜用にして、各条件を設定して1パスで4層を積層した。この条件を更に2回繰り返して、透明ガスバリア性フィルムを作製した。   During the plasma discharge, the first electrode (roll rotating electrode 35) and the second electrode (square tube fixed electrode 36 group) are adjusted and kept at 80 ° C., and the roll rotating electrode 35 is rotated by a drive to form a thin film. went. Of the 24 rectangular tube-shaped fixed electrodes 36, 4 from the upstream side are used for forming the following first layer (low density layer 1), and the following 6 are used for forming the following second layer (medium density layer 1). For film formation, the following 8 lines are used for film formation of the third layer (high density layer 1), and the remaining 6 lines are used for film formation of the fourth layer (medium density layer 2). And 4 layers were stacked in one pass. This condition was further repeated twice to produce a transparent gas barrier film.

(第1層:低密度層1)
下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約90nmの低密度層1を形成した。
(First layer: low density layer 1)
Plasma discharge was performed under the following conditions to form a low density layer 1 having a thickness of about 90 nm.

〈ガス条件〉
放電ガス:窒素ガス 94.8体積%
薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン(以下、HMDSOと略記)
(リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化) 0.2体積%
添加ガス:酸素ガス 5.0体積%
〈電源条件:第1電極側の電源のみを使用した〉
第1電極側 電源種類 応用電機社製高周波電源
周波数 80kHz
出力密度 10W/cm2
上記形成した第1層(低密度層)の密度は、マックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、1.90であった。
<Gas conditions>
Discharge gas: Nitrogen gas 94.8% by volume
Thin film forming gas: hexamethyldisiloxane (hereinafter abbreviated as HMDSO)
(Vaporized by mixing with nitrogen gas in a Lintec vaporizer) 0.2% by volume
Additive gas: Oxygen gas 5.0% by volume
<Power supply conditions: Only the power supply on the first electrode side was used>
1st electrode side Power supply type
Frequency 80kHz
Output density 10W / cm 2
The density of the formed first layer (low density layer) was 1.90 as a result of measurement by the X-ray reflectivity method using MXP21 manufactured by Mac Science.

(第2層:中密度層1)
下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約90nmの中密度層1を形成した。
(Second layer: Medium density layer 1)
Plasma discharge was performed under the following conditions to form a medium density layer 1 having a thickness of about 90 nm.

〈ガス条件〉
放電ガス:窒素ガス 94.9体積%
薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン(以下、HMDSOと略記)
(リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化) 0.1体積%
添加ガス:酸素ガス 5.0体積%
〈電源条件:第1電極側の電源のみを使用した〉
第1電極側 電源種類 応用電機社製高周波電源
周波数 80kHz
出力密度 10W/cm2
上記形成した第2層(中密度層)の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.05であった。
<Gas conditions>
Discharge gas: Nitrogen gas 94.9% by volume
Thin film forming gas: hexamethyldisiloxane (hereinafter abbreviated as HMDSO)
(Vaporized by mixing with nitrogen gas in a Lintec vaporizer) 0.1% by volume
Additive gas: Oxygen gas 5.0% by volume
<Power supply conditions: Only the power supply on the first electrode side was used>
1st electrode side Power supply type
Frequency 80kHz
Output density 10W / cm 2
The density of the formed second layer (medium density layer) was 2.05 as a result of measurement by the X-ray reflectivity method using MXP21 manufactured by MacScience.

(第3層:高密度層1)
下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約90nmの高密度層1を形成した。
(Third layer: High-density layer 1)
Plasma discharge was performed under the following conditions to form a high-density layer 1 having a thickness of about 90 nm.

〈ガス条件〉
放電ガス:窒素ガス 94.9体積%
薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン(以下、HMDSOと略記)
(リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化) 0.1体積%
添加ガス:酸素ガス 5.0体積%
〈電源条件〉
第1電極側 電源種類 応用電機社製高周波電源
周波数 80kHz
出力密度 10W/cm2
第2電極側 電源種類 パール工業社製高周波電源
周波数 13.56MHz
出力密度 10W/cm2
上記形成した第3層(高密度層)の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.20であった。
<Gas conditions>
Discharge gas: Nitrogen gas 94.9% by volume
Thin film forming gas: hexamethyldisiloxane (hereinafter abbreviated as HMDSO)
(Vaporized by mixing with nitrogen gas in a Lintec vaporizer) 0.1% by volume
Additive gas: Oxygen gas 5.0% by volume
<Power supply conditions>
1st electrode side Power supply type
Frequency 80kHz
Output density 10W / cm 2
Second electrode side Power supply type High frequency power supply manufactured by Pearl Industrial Co., Ltd.
Frequency 13.56MHz
Output density 10W / cm 2
The density of the formed third layer (high density layer) was 2.20 as a result of measurement by the X-ray reflectivity method using MXP21 manufactured by MacScience.

(第4層:中密度層2)
上記第2層(中密度層1)の同様の条件で、中密度層2を形成した。
(Fourth layer: Medium density layer 2)
The medium density layer 2 was formed under the same conditions as the second layer (medium density layer 1).

(第5層〜第12層)
上記第1層〜第4層(1ユニット)の形成と同条件で、これを2回繰り返して、透明ガスバリア性フィルムを作製した。
(5th to 12th layers)
This was repeated twice under the same conditions as the formation of the first to fourth layers (1 unit) to produce a transparent gas barrier film.

JISk7129Bに準拠した方法により水蒸気透過率を測定した結果、10-3g/m2/day以下であった。 As a result of measuring the water vapor transmission rate by a method based on JISk7129B, it was 10 −3 g / m 2 / day or less.

JISk7126Bに準拠した方法により酸素透過率を測定した結果、10-3g/m2/day以下であった。 The oxygen transmission rate was measured by a method based on JISk7126B. As a result, it was 10 −3 g / m 2 / day or less.

〈第1画素電極の形成〉
次いで、該ガスバリア性フィルム基板上にITO(インジウムチンオキシド)をマスク越しにスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜法により膜厚120nm、幅100μm、電極間距離10μmのストライプ状の第1画素電極を基板K上にパターニングを行った。
<Formation of first pixel electrode>
Next, on the gas barrier film substrate, ITO (indium tin oxide) is formed in a stripe shape having a film thickness of 120 nm, a width of 100 μm, and an interelectrode distance of 10 μm by a film forming method such as sputtering, vapor deposition, or ion plating through a mask. The first pixel electrode was patterned on the substrate K.

〈隔壁層の形成〉
図4に示す様な、第1画素電極202が形成されたフィルム基板K上でストライプ状ITO透明電極に直交するように非感光性ポリイミドの隔壁205(幅20μm、厚さ2.0μm)をインクジェット法で形成した。
<Formation of partition wall layer>
As shown in FIG. 4, a non-photosensitive polyimide partition wall 205 (width 20 μm, thickness 2.0 μm) is ink-jetted on the film substrate K on which the first pixel electrode 202 is formed so as to be orthogonal to the striped ITO transparent electrode. Formed by the law.

〈帯電除去処理工程〉
第1画素電極202及び隔壁205が形成されているロール状帯状可撓性シートを繰り出し、帯電除去処理を行った。
<Charge removal treatment process>
A roll-shaped strip-shaped flexible sheet on which the first pixel electrode 202 and the partition wall 205 are formed is fed out and subjected to a charge removal process.

帯電除去処理としては、大別して光照射方式とコロナ放電式があり、光照射式は微弱X線、コロナ放電式はコロナ放電により空気イオンを生成する。この空気イオンは、帯電物体に引き寄せられて反対極性の電荷を補い、静電気を中和する。コロナ放電による除電器、軟X線による除電器が利用可能である。   The charge removal treatment is roughly classified into a light irradiation method and a corona discharge method, and the light irradiation method generates weak ions and the corona discharge method generates air ions by corona discharge. The air ions are attracted to the charged object to compensate for the opposite polarity charge and neutralize static electricity. A static eliminator using corona discharge or a static eliminator using soft X-rays can be used.

本実施例では微弱X線による除電器を利用した。この処理により、基板の帯電除去が図られる為、ゴミの付着や絶縁破壊が防止される為、素子の歩留まりの向上が図られる。   In this embodiment, a static eliminator using weak X-rays was used. By this process, the substrate is removed from the charge, so that dust adhesion and dielectric breakdown are prevented, so that the yield of the elements can be improved.

〈発光層の形成〉
[画像形成装置]
図2に示す静電吸引型液滴吐出法による画像形成装置101を用い、図4に示す、ITOの第1画素電極202及び隔壁205が形成されたロール状帯状可撓性シート基板を用い、第1画素電極202上で隔壁205に挟まれた領域に発光層203の形成を行った。
<Formation of light emitting layer>
[Image forming apparatus]
Using the image forming apparatus 101 by the electrostatic attraction type droplet discharge method shown in FIG. 2, using the roll-like strip-shaped flexible sheet substrate on which the first pixel electrode 202 and the partition 205 of ITO shown in FIG. 4 are formed, The light emitting layer 203 was formed in a region sandwiched between the partition walls 205 on the first pixel electrode 202.

用いた静電吸引型液滴吐出装置の塗布条件を下記に示す。   The application conditions of the electrostatic attraction type droplet discharge device used are shown below.

ノズル電極のノズル直径:4μm
ノズル電極と対向電極間のバイアス電圧:450V
ノズル先端と基板表面との距離:100μm
ガスの種類、圧力:N2雰囲気の大気圧
発光層は、ホスト材のポリビニルカルバゾール(PVK)に対して、赤ドーパント材Btp2Ir(acac)が1質量%、緑ドーパント材Ir(ppy)3が2質量%、青ドーパント材FIr(pic)が3質量%にそれぞれなるように混合し、PVKと3種ドーパントの全固形分濃度が1質量%となるように1.2−ジクロロエタン中に溶解させ溶液とした。この発光層形成用塗布液の表面張力は32mN/m(協和界面化学社製:表面張力計CBVP−A3)であった。
Nozzle diameter of nozzle electrode: 4 μm
Bias voltage between nozzle electrode and counter electrode: 450V
Distance between nozzle tip and substrate surface: 100 μm
Gas type, pressure: atmospheric pressure in N 2 atmosphere The light emitting layer is composed of 1% by mass of red dopant material Btp 2 Ir (acac) and green dopant material Ir (ppy) 3 with respect to polyvinyl carbazole (PVK) as a host material. Is dissolved in 1.2-dichloroethane so that the total solid concentration of PVK and the three dopants is 1% by mass, respectively, and 2% by mass of blue dopant material FIr (pic) is 3% by mass. Solution. The surface tension of the light emitting layer forming coating solution was 32 mN / m (manufactured by Kyowa Interface Chemical Co., Ltd .: surface tension meter CBVP-A3).

この溶液を塗布液として、第1画素電極上に、静電吸引型液滴吐出装置を用い乾燥後の厚みが100nmになる様に成膜した後に、乾燥炉を用い60℃にて乾燥を行い、連続して120℃にて加熱処理を行い発光層を形成した。   Using this solution as a coating solution, a film is formed on the first pixel electrode using an electrostatic suction type droplet discharge device so that the thickness after drying becomes 100 nm, and then dried at 60 ° C. using a drying furnace. Then, heat treatment was continuously performed at 120 ° C. to form a light emitting layer.

用いたドーパント材の構造式を下記に示す。   The structural formula of the dopant material used is shown below.

Figure 0004872263
Figure 0004872263

〈電子輸送層、陰極、封止膜の形成〉
前記発光層形成工程後の後工程の一例として、5×10-4Paの真空下にて有機EL層形成領域に厚さ0.5nmのLiF層を蒸着した。続いて、有機EL層領域および電極出し領域を含めた領域に厚さ100nmのアルミ層も同様に蒸着を行い、この順に形成したあと、電極となる領域以外にスパッタリング法、プラズマCVD法、イオンプレーティング法などを用いSiOxやSiNxもしくは複合膜などの無機膜を300nmの封止膜として形成し巻き取った。なお、無機膜形成前に応力緩和層を蒸着や蒸着重合を用いポリマー膜を形成したり、低応力無機膜をプラズマCVD等で形成しても良い。
<Formation of electron transport layer, cathode, sealing film>
As an example of a post-process after the light emitting layer forming step, a LiF layer having a thickness of 0.5 nm was deposited on the organic EL layer forming region under a vacuum of 5 × 10 −4 Pa. Subsequently, an aluminum layer having a thickness of 100 nm is similarly deposited on the region including the organic EL layer region and the electrode lead-out region. After forming in this order, a sputtering method, a plasma CVD method, an ion plate are formed in regions other than the region to be the electrode. An inorganic film such as SiO x , SiN x, or a composite film was formed as a 300 nm sealing film using a ting method or the like and wound. Note that a stress relaxation layer may be formed by vapor deposition or vapor deposition polymerization before the inorganic film is formed, or a low stress inorganic film may be formed by plasma CVD or the like.

続いて、不活性ガス下にて前記フィルム基板を、封止接着材としてUV硬化性のエポキシ樹脂(ナガセケムテックス(株)製UVレジン XNR5570−B1)を電極端子部分を除く部分にダイコートにより塗布し、ガスバリア性を有する樹脂フィルムを圧着させ貼り合わせ後、UVランプを陰極側から照射し樹脂フィルムの接着を実施した。   Subsequently, the film substrate was coated with a UV curable epoxy resin (UV resin XNR5570-B1 manufactured by Nagase ChemteX Corp.) as a sealing adhesive in a portion other than the electrode terminal portion by die coating under an inert gas. Then, a resin film having gas barrier properties was pressure-bonded and bonded, and then a UV lamp was irradiated from the cathode side to adhere the resin film.

本例で作製した素子は白色の発光を有するが、これは照明装置として利用することが可能で本発明により、低コストで生産性の高い照明用生産設備が提供できる。   The element manufactured in this example has white light emission, which can be used as a lighting device, and according to the present invention, a low-cost and high-productivity lighting production facility can be provided.

得られた有機EL素子について、有機EL素子に10Vの電圧を印加して、発光部の発光状態を観察した。この観察は目視で行った結果、すべての発光部の全面で良好な発光が認められた。   About the obtained organic EL element, the voltage of 10V was applied to the organic EL element, and the light emission state of the light emission part was observed. As a result of visual observation, good light emission was observed on the entire surface of all the light emitting portions.

本発明の製造方法により有機機能層塗布液を無駄にすることなくパターニングが可能となった。   The manufacturing method of the present invention enables patterning without wasting the organic functional layer coating solution.

有機EL素子を説明する図であって、図1(a)は要部側断面図であり、図1(b)は要部上面図である。FIGS. 1A and 1B are diagrams illustrating an organic EL element, in which FIG. 1A is a cross-sectional side view of a main part, and FIG. 枚様の基板を用いた画像記録装置の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of an image recording apparatus using a sheet-like substrate. 可撓性基板を用いた画像記録装置の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of an image recording apparatus using a flexible substrate. 基板上に形成された第1画素電極202及び隔壁205とノズル21との位置関係及び画素電極領域と非画素電極領域における電位の相対関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the 1st pixel electrode 202 formed on the board | substrate, the partition 205, and the nozzle 21, and the relative relationship of the electric potential in a pixel electrode area | region and a non-pixel electrode area | region. ノズルに沿った液体吐出装置の断面図を示す。FIG. 3 shows a cross-sectional view of the liquid ejection device along the nozzle. 溶液の吐出動作と溶液に印加される電圧との関係を示す説明図であって、図5(a)は非画素電極部において吐出を行わない状態であり、図5(b)は画素電極部における吐出状態を示す。FIGS. 5A and 5B are explanatory diagrams showing a relationship between a solution ejection operation and a voltage applied to the solution, in which FIG. 5A shows a state in which ejection is not performed in the non-pixel electrode unit, and FIG. The discharge state in is shown. 大気圧プラズマ放電処理装置の構成断面図である。It is a composition sectional view of an atmospheric pressure plasma discharge treatment device.

符号の説明Explanation of symbols

20 静電型吸引液滴吐出装置
21 ノズル電極
23 対抗電極
101 画像記録装置
202 第1画素電極パターン
203 有機発光層
204 第2画素電極
205 隔壁
K 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 Electrostatic suction droplet discharge apparatus 21 Nozzle electrode 23 Counter electrode 101 Image recording apparatus 202 1st pixel electrode pattern 203 Organic light emitting layer 204 2nd pixel electrode 205 Partition K Substrate

Claims (6)

少なくとも、第1画素電極と、該第1画素電極上に形成された有機機能層と、該有機機能層上に形成された第2画素電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記第1画素電極が形成され、且つ、前記第1画素電極上に画素電極領域を区画すると共に非画素電極領域を形成する隔壁が形成された基板を、前記有機機能層を形成するための有機機能層塗布液をノズルから吐出する静電吸引型液滴吐出装置のノズル電極に対向して配置される下部電極上に支持し、
前記ノズル電極と前記下部電極間に所定電圧を掛けた状態で、前記ノズルに対向する前記基板の位置が移動するように前記基板と前記液滴吐出装置を相対的に移動させることにより、
前記ノズル電極と前記下部電極間の前記隔壁の有無に基づく電界強度差によって、
前記画素電極領域に選択的に有機機能層塗布液を前記ノズルから吐出させることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
In a method of manufacturing an organic electroluminescence element having at least a first pixel electrode, an organic functional layer formed on the first pixel electrode, and a second pixel electrode formed on the organic functional layer,
An organic substrate for forming the organic functional layer is formed on a substrate on which the first pixel electrode is formed and on which a partition wall for partitioning a pixel electrode region and forming a non-pixel electrode region is formed on the first pixel electrode. Supported on the lower electrode arranged opposite to the nozzle electrode of the electrostatic suction type droplet discharge device that discharges the functional layer coating liquid from the nozzle,
By relatively moving the substrate and the droplet discharge device so that the position of the substrate facing the nozzle moves in a state where a predetermined voltage is applied between the nozzle electrode and the lower electrode,
By the electric field strength difference based on the presence or absence of the partition between the nozzle electrode and the lower electrode,
A method of manufacturing an organic electroluminescence element, wherein an organic functional layer coating solution is selectively discharged from the nozzle to the pixel electrode region.
前記有機機能層塗布液により形成される前記有機機能層がキャリア注入層、キャリア輸送層又は発光層のいずれかの層であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   2. The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the organic functional layer formed by the organic functional layer coating liquid is any one of a carrier injection layer, a carrier transport layer, and a light emitting layer. . 前記有機機能層塗布液を吐出する直前に少なくとも1つの帯電除去工程を有する事を特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   3. The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 1, further comprising at least one charge removing step immediately before discharging the organic functional layer coating solution. 前記ノズルのノズル径が、20μm以下であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The nozzle diameter of the said nozzle is 20 micrometers or less, The manufacturing method of the organic electroluminescent element in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記ノズルのノズル径が、8μm以下であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The nozzle diameter of the said nozzle is 8 micrometers or less, The manufacturing method of the organic electroluminescent element in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記ノズルのノズル径が、4μm以下であることを特徴とする請求項1〜の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 Method of manufacturing an organic electroluminescence device according to any one of claim 1 to 3, nozzle diameter of the nozzle, characterized in that it is 4μm or less.
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