JPWO2013080908A1 - Conductive laminate and display body using the same - Google Patents

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Abstract

本発明の目的は、導電性の良好な導電積層体を提供せんとするものである。基材の少なくとも片面に、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電層を有し、該ネットワーク構造により形成される開口部の開口面積のうち式(1)を満たす開口部について、開口面積の平均値Aが20μm2以下で、且つ、式(2)で定義される開口面積のバラツキ偏差σが26μm2以下であることを特徴とする導電積層体。X<Xmax ? 0.9 ・・・式(1)(式中、Xは各開口面積、Xmaxは各開口面積の最大値を示す。)σ={(Σ(X−A)2)/N}0.5(ここで、Σはi=1〜N)・・・式(2)(式中、Xは式(1)を満たす開口部の各開口面積、Aは式(1)を満たす開口部の開口面積Xの平均値、Nは式(1)を満たす開口部の総数を示す。)【選択図】なしAn object of the present invention is to provide a conductive laminate having good conductivity. A conductive layer having a network structure composed of a linear structure on at least one surface of the substrate, and an opening satisfying the expression (1) among the opening areas of the openings formed by the network structure A conductive laminate having an average value A of 20 μm 2 or less and an opening area variation deviation σ defined by the formula (2) of 26 μm 2 or less. X <Xmax? 0.9 (1) (wherein X represents each opening area and Xmax represents the maximum value of each opening area) σ = {(Σ (X−A) 2) / N } 0.5 (where Σ is i = 1 to N) (2) (where X is the opening area of each opening that satisfies the expression (1), and A is the expression (1)) The average value of the opening area X of the openings, N is the total number of openings satisfying the formula (1).) [Selection] None

Description

本発明は、導電性の良好な導電積層体に関する。さらに詳しくは、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電層を有し、導電性の良好な導電積層体に関するものである。またさらに、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス、電子ペーパーなどのディスプレイ関連および太陽電池モジュールなどに使用される電極部材にも使用される導電積層体に関するものである。   The present invention relates to a conductive laminate having good conductivity. More specifically, the present invention relates to a conductive laminate having a conductive layer having a network structure made of a linear structure and having good conductivity. Furthermore, it is related with the electroconductive laminated body used also for the electrode member used for display relations, such as a liquid crystal display, organic electroluminescence, and electronic paper, and a solar cell module.

近年、タッチパネル、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス、電子ペーパーなどのディスプレイ関連や太陽電池モジュールなどには電極用に導電部材が用いられている。   In recent years, conductive members have been used for electrodes in display related products such as touch panels, liquid crystal displays, organic electroluminescence, and electronic paper, and solar cell modules.

導電部材としては基材上に導電層を積層したものがあり、その導電層としてはITOや金属薄膜、等の従来の導電性薄膜を用いたものの他に、カーボンナノチューブ(以下CNTと略す。)や金属ナノワイヤーや金属ナノロッドなどの線状の導電成分を用いてネットワーク構造を形成し導電性を発現させたものが提案されている。例えば、CNTを導電成分とした層を基材上に積層した導電積層体が提案されている(特許文献1)。また、金属ナノワイヤーを導電成分とした層を積層した導電積層体も提案されている(特許文献2)。また、金属ナノロッドを導電成分として、その金属ナノロッドの配列を制御した積層体も提案されている(特許文献3)。さらには、線状形状の導電成分を含む導電層上に、保護層を積層した積層体も提案されている(特許文献4)。   As the conductive member, there is one in which a conductive layer is laminated on a base material. As the conductive layer, a carbon nanotube (hereinafter abbreviated as CNT) is used in addition to those using a conventional conductive thin film such as ITO or a metal thin film. In addition, a network structure is formed by using a linear conductive component such as metal nanowires and metal nanorods to develop conductivity. For example, a conductive laminate in which a layer containing CNT as a conductive component is laminated on a substrate has been proposed (Patent Document 1). Moreover, the electrically conductive laminated body which laminated | stacked the layer which used metal nanowire as the electroconductive component is also proposed (patent document 2). Moreover, the laminated body which controlled the arrangement | sequence of the metal nanorod by using the metal nanorod as an electroconductive component is also proposed (patent document 3). Furthermore, a laminate in which a protective layer is laminated on a conductive layer containing a linear conductive component has also been proposed (Patent Document 4).

特表2010−516018号公報Special table 2010-516018 gazette 特開2009−129607号公報JP 2009-129607 A 特開2006−111675号公報JP 2006-111675 A 国際公開第2011/081023号パンフレットInternational Publication No. 2011/081023 Pamphlet

しかしながら、特許文献1のようにCNTを用いたものでは分散が困難なためネットワーク構造を制御し難く、表面抵抗値の低い導電積層体を提供することが困難であるという問題があった。特許文献2のように導電性の良好な金属ナノワイヤーを用いたものでも、ネットワーク構造を形成する金属ナノワイヤーの分散状態を制御せずに単に基材上に積層したものは同様に表面抵抗値の低い導電積層体を提供することは困難なため、導電積層体を得る際に特殊な加工工程を必要とする。また特許文献3のように金属ナノロッドの配列を特定の方向に制御したものも、依然として表面抵抗値が高いという問題があった。さらに特許文献4のように、保護層を設けても導電性の向上効果は低いものであった。   However, in the case of using CNT as in Patent Document 1, there is a problem that it is difficult to control the network structure because it is difficult to disperse, and it is difficult to provide a conductive laminate having a low surface resistance value. Even in the case of using a metal nanowire with good conductivity as in Patent Document 2, the surface resistance value is simply laminated on the base material without controlling the dispersion state of the metal nanowire forming the network structure. Since it is difficult to provide a conductive laminate having a low thickness, a special processing step is required when obtaining the conductive laminate. In addition, the one in which the arrangement of metal nanorods is controlled in a specific direction as in Patent Document 3 still has a problem that the surface resistance value is high. Furthermore, as in Patent Document 4, even if a protective layer is provided, the effect of improving the conductivity is low.

このように導電成分に線状形状の材料を用いる場合、ネットワーク構造に起因して表面抵抗値が高くなり十分な導電性が得られないという問題があった。   As described above, when a linear material is used for the conductive component, there is a problem that the surface resistance value becomes high due to the network structure and sufficient conductivity cannot be obtained.

本発明は、かかる従来技術の問題に鑑み、線状の導電成分のネットワーク構造を制御し良好な導電性の導電積層体を得んとするものである。   In view of the problems of the prior art, the present invention aims to obtain a good conductive conductive laminate by controlling the network structure of linear conductive components.

本発明は、かかる課題を解決するために、次のような構成を採用する。すなわち、
(1)基材の少なくとも片面に、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電層を有し、該ネットワーク構造により形成される開口部の開口面積のうち式(1)を満たす開口部について、開口面積の平均値Aが20μm以下で、且つ、式(2)で定義される開口面積のバラツキ偏差σが26μm以下とするものである。
X<Xmax × 0.9 ・・・式(1)
(式中、Xは各開口面積、Xmaxは各開口面積の最大値を示す。)
σ={(Σ(X−A))/N}0.5 (ここで、Σはi=1〜N)
・・・式(2)
(式中、Xは式(1)を満たす開口部の各開口面積、Aは式(1)を満たす開口部の開口面積Xの平均値、Nは式(1)を満たす開口部の総数を示す。)
また、本発明の導電積層体は以下を満たすことが好ましい。
(2)前記線状構造体が銀ナノワイヤーであること。
(3)前記導電層に、下記構造式(1)の構造を分子内に有する化合物をさらに含むこと。
In order to solve this problem, the present invention employs the following configuration. That is,
(1) For an opening that has a conductive layer having a network structure composed of a linear structure on at least one side of the substrate, and that satisfies formula (1) among the opening area of the opening formed by the network structure, The average value A of the opening area is 20 μm 2 or less, and the variation deviation σ of the opening area defined by the equation (2) is 26 μm 2 or less.
X <Xmax × 0.9 (1)
(In the formula, X represents each opening area, and Xmax represents the maximum value of each opening area.)
σ = {(Σ (X−A) 2 ) / N} 0.5 (where Σ is i = 1 to N)
... Formula (2)
(Wherein, X is each opening area of the opening satisfying the expression (1), A is the average value of the opening area X of the opening satisfying the expression (1), and N is the total number of openings satisfying the expression (1). Show.)
Moreover, it is preferable that the electrically conductive laminated body of this invention satisfy | fills the following.
(2) The linear structure is a silver nanowire.
(3) The conductive layer further includes a compound having a structure represented by the following structural formula (1) in the molecule.

Figure 2013080908
Figure 2013080908

(式中、Ra(a=1〜4)はHもしくはFを示す。n1、n2はそれぞれ独立して1〜10の整数を示す。)
(4)前記導電層に、高分子マトリックスをさらに含むこと。
(5)前記基材が、少なくとも片面の最外層に、親水基を有する化合物を含む親水層を積層した親水性基材であること。
さらに、本発明は以下の製造方法も提供する。
(6)前記(1)〜(5)のいずれかに記載の導電積層体の製造方法であって、線状構造体の水含有分散液を基材上に塗布後乾燥して導電層を形成する工程において、乾燥工程が塗布方向に対し45〜135°の方向から温度が25〜120℃である気流を塗布した面にあてる工程である導電積層体の製造方法。
また、本発明は、以下の表示体を提供する。
(7)前記(1)〜(5)のいずれかに記載の導電積層体を含む表示体。
(8)前記(7)に記載の表示体を組み込んだタッチパネル。
(8)前記(7)に記載の表示体を組み込んだ電子ペーパー。
(In the formula, Ra (a = 1 to 4) represents H or F. n1 and n2 each independently represents an integer of 1 to 10.)
(4) The conductive layer further includes a polymer matrix.
(5) The said base material is a hydrophilic base material which laminated | stacked the hydrophilic layer containing the compound which has a hydrophilic group in the outermost layer of at least one side.
Furthermore, the present invention also provides the following manufacturing method.
(6) The method for producing a conductive laminate according to any one of (1) to (5), wherein a water-containing dispersion of a linear structure is applied on a substrate and then dried to form a conductive layer. The manufacturing method of the electrically conductive laminated body which is a process which applies to the surface which applied the airflow whose temperature is 25-120 degreeC from the direction of 45-135 degree | times with respect to the application | coating direction.
Moreover, this invention provides the following display bodies.
(7) A display including the conductive laminate according to any one of (1) to (5).
(8) A touch panel incorporating the display body according to (7).
(8) Electronic paper incorporating the display body according to (7).

本発明によれば、導電性の良好な導電積層体を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a conductive laminated body with favorable electroconductivity can be provided.

本発明の導電積層体の一例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows an example of the electrically conductive laminated body of this invention. 本発明の導電積層体に用いられる線状構造体の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the linear structure used for the electrically conductive laminated body of this invention. 本発明における線状構造体のネットワーク構造により形成される開口部の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the opening part formed with the network structure of the linear structure in this invention. 本発明の一様態であるタッチパネルの一例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows an example of the touchscreen which is the one aspect | mode of this invention. 本発明の線状構造体近傍の一例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows an example of the linear structure vicinity of this invention.

[導電積層体]
本発明の導電積層体は、基材の少なくとも片側に導電層を有する。導電層は、ネットワーク構造を有する線状構造体を含むものである。ネットワーク構造を有する線状構造体は、いわゆる導電成分として働いて抵抗値を低くするので、導電層として良好な導電性が発現する。
[Conductive laminate]
The conductive laminate of the present invention has a conductive layer on at least one side of the substrate. The conductive layer includes a linear structure having a network structure. A linear structure having a network structure works as a so-called conductive component and lowers its resistance value, so that good conductivity is exhibited as a conductive layer.

[ネットワーク構造を有する線状構造体]
導電層の導電成分はネットワーク構造を有する線状構造体である。導電成分を導電性の高いネットワーク構造を有する線状構造体とすることで配合量に比して導電性に優れた導電層を得ることができるので、低い表面抵抗値の導電積層体を得ることができる。
[Linear structure with network structure]
The conductive component of the conductive layer is a linear structure having a network structure. By making the conductive component into a linear structure having a highly conductive network structure, it is possible to obtain a conductive layer having superior conductivity compared to the blending amount, and thus obtaining a conductive laminate having a low surface resistance value. Can do.

本発明において、線状構造体はネットワーク構造を有して存在している。ネットワーク構造を有していることで、導電層内の面方向への導電パスが形成され、低い表面抵抗値を得ることができる。本発明においてネットワーク構造とは、導電層内の個別の線状構造体について見たとき、別の線状構造体との接点の数の平均が少なくとも1を超える様な、分散構造を有することをいう。このとき接点は線状構造体のいかなる部分同士で接していてもよく、線状構造体の末端部同士が接していたり、末端と線状構造体の末端以外の部分が接していたり、線状構造体の末端以外の部分同士が接していてもよい。ここで、接するとはその接点が接合していても、単に接触しているだけでもよい。尚、導電層中の線状構造体のうち、ネットワーク構造の形成に寄与していない(すなわち接点が0で、他の線状構造体またはネットワーク構造とは独立して存在している。)線状構造体が一部存在していてもよい。ネットワーク構造は、後述する方法にて観察することができる。   In the present invention, the linear structure has a network structure. By having the network structure, a conductive path in the surface direction in the conductive layer is formed, and a low surface resistance value can be obtained. In the present invention, the network structure has a distributed structure in which the average number of contacts with another linear structure exceeds at least 1 when viewed with respect to individual linear structures in the conductive layer. Say. At this time, the contact may be in contact with any portion of the linear structure, the end portions of the linear structure are in contact with each other, the end and the portion other than the end of the linear structure are in contact, Portions other than the ends of the structure may be in contact with each other. Here, the contact may mean that the contact is joined or simply in contact. Of the linear structures in the conductive layer, the lines do not contribute to the formation of the network structure (that is, the contacts are 0 and exist independently of other linear structures or network structures). A part of the structure may be present. The network structure can be observed by a method described later.

本発明の導電積層体の導電層を構成する導電成分がネットワーク構造を有する線状構造体からなることから、導電層内にネットワーク構造を有する線状構造体の含有比率が一定以下の場合には、面内において線状構造体が存在しない領域が散在する場合があるが、かかる領域が存在しても任意の2点間で導電性を示しうる。   Since the conductive component constituting the conductive layer of the conductive laminate of the present invention is composed of a linear structure having a network structure, when the content ratio of the linear structure having a network structure in the conductive layer is below a certain level In some cases, a region where the linear structure does not exist is scattered in the plane, but even if such a region exists, conductivity can be exhibited between any two points.

また、ネットワーク構造を構成する線状構造体は、短軸の長さ(線状構造体の直径)及び長軸の長さ(線状構造体の長さ)は、種々の範囲を採りうるが、短軸の長さは1nm〜1000nm(1μm)が好ましく、また長軸の長さは短軸の長さに対し、アスペクト比(長軸の長さ/短軸の長さ)が10より大きくなるような長さであればよく、1μm〜100μm(0.1mm)が好ましい。線状構造体としては、例えば、繊維状導電体、ナノワイヤー、ウィスカーやナノロッドのような針状導電体等が挙げられる。尚、繊維状とは、前述のアスペクト比=長軸の長さ/短軸の長さが10より大きく、さらに図2における符号6、7に例示している通り、直線部および/または屈曲部を有する形状である。ナノワイヤーとは、図2における符号8に例示するような、弧の形状をしている線状構造体であり、針状とは、図2における符号9に例示するような、直線形状をしている線状構造体である。尚、線状構造体は、単独で存在する場合の他に、集合体として存在する場合がある。集合体として存在する場合の集合状態としては、例えば線状構造体の配置の方向性に規則性がなくランダムに集合した状態であってもよく、また線状構造体の長軸方向の面同士が平行に集合した状態であってもよい。長軸方向の面同士が平行に集合した状態の例としては、バンドルという集合体となることが知られており、線状構造体が類似のバンドル構造を有していてもよい。本発明における線状構造体の平均径rは、前述の集合体として存在している場合であっても線状構造体の単独の径を径rとする。尚、線状構造体の径rは、以下の方法にて求める。   The linear structure constituting the network structure can take various ranges for the length of the short axis (diameter of the linear structure) and the length of the long axis (length of the linear structure). The length of the short axis is preferably 1 nm to 1000 nm (1 μm), and the length of the long axis is larger than 10 in aspect ratio (long axis length / short axis length) with respect to the short axis length. What is necessary is just to be such length, and 1 micrometer-100 micrometers (0.1 mm) are preferable. Examples of the linear structure include a fibrous conductor, a nanowire, a needle-like conductor such as a whisker and a nanorod, and the like. Note that the fibrous form means that the aspect ratio = the length of the major axis / the length of the minor axis is greater than 10, and as illustrated by reference numerals 6 and 7 in FIG. It is the shape which has. The nanowire is a linear structure having an arc shape as exemplified by reference numeral 8 in FIG. 2, and the needle shape has a linear shape as exemplified by reference numeral 9 in FIG. It is a linear structure. The linear structure may exist as an aggregate in addition to the case where it exists alone. The aggregated state in the case of existing as an aggregate may be, for example, a state in which the linear structure is not regularly arranged, and may be a randomly aggregated state. May be in a state of being assembled in parallel. As an example of a state in which the surfaces in the major axis direction are gathered in parallel, it is known to be an aggregate called a bundle, and the linear structure may have a similar bundle structure. The average diameter r of the linear structure in the present invention is the diameter r of the single diameter of the linear structure even when the linear structure exists as the aforementioned aggregate. The diameter r of the linear structure is obtained by the following method.

先ず、サンプルの観察したい部分近傍を氷で埋包し凍結固着後、日本ミクロトーム研究所(株)製ロータリー式ミクロトームを使用し、ナイフ傾斜角度3°にダイヤモンドナイフをセットして積層体平面に垂直な方向に切断する。次いで得られた積層体断面の導電領域(A)を、電界放射型走査電子顕微鏡(日本電子(株)製 JSM−6700−F)を用いて加速電圧3.0kVにて観察倍率10000〜100000倍にて、画像のコントラストを適宜調節して観察する。1検体につき、異なる部分から得た線状構造体の断面を含む画像を10視野分準備する。次いで、10視野内の全て線状構造体の断面の径を求め、その全平均値を平均径rとする。なお、本測定に当たっては、有効数字3桁が確保できる倍率を選択し、計算に当たっては、4桁目を四捨五入して値を求める。   First of all, the vicinity of the portion of the sample to be observed is embedded in ice, frozen and fixed, and then a rotary microtome manufactured by Japan Microtome Laboratory Co., Ltd. is used, a diamond knife is set at a knife inclination angle of 3 °, and perpendicular to the plane of the laminate Cut in any direction. Next, the obtained conductive region (A) of the cross-section of the laminate was observed using a field emission scanning electron microscope (JSM-6700-F manufactured by JEOL Ltd.) at an acceleration voltage of 3.0 kV and an observation magnification of 10,000 to 100,000. Then, the contrast of the image is appropriately adjusted and observed. For one specimen, images including a cross section of a linear structure obtained from different parts are prepared for 10 visual fields. Next, the diameters of the cross-sections of all the linear structures in the 10 visual fields are obtained, and the total average value thereof is defined as the average diameter r. In this measurement, a magnification that can secure 3 significant digits is selected, and the value is calculated by rounding off the 4th digit.

本発明における線状構造体の材質は金属、合金、金属酸化物、金属窒化物、金属水酸化物、等の成分を含有するものである。金属としては、元素の周期律表における2〜15属に属する金属元素が挙げられる。具体的には、金、白金、銀、ニッケル、銅、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、マンガン、アンチモン、パラジウム、ビスマス、テクネチウム、レニウム、鉄、オスミウム、コバルト、亜鉛、スカンジウム、ホウ素、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、テルル、錫、マグネシウムなどが挙げられる。合金としては、前記金属を含む合金(ステンレス鋼、黄銅、等)が挙げられる。金属酸化物としては、InO、SnO、ZnO、などが挙げられ、またこれらの金属酸化物複合体(InOSn、SnO−Sb、SnO−V、TiO(Sn/Sb)O、SiO(Sn/Sb)O、KO−nTiO−(Sn/Sb)O、KO−nTiO−Cなど)も挙げられる。またこれらは表面処理を施されていてもよい。さらに、有機化合物(例えば、植物繊維、合成繊維等)や非金属材料(例えば、無機繊維等)の表面に前記金属や金属酸化物でコーティングまたは蒸着したものも線状構造体に含まれる。これら線状構造体のうち、透明性等の光学特性や導電性等の観点から銀ナノワイヤーを特に好ましく使用することができる。これら金属系ナノワイヤーは例えば、特表2009−505358号公報、特開2009−146747号公報、特開2009−70660号公報に開示されている製法により得ることができる。The material of the linear structure in the present invention contains components such as metal, alloy, metal oxide, metal nitride, metal hydroxide and the like. Examples of the metal include metal elements belonging to 2 to 15 genera in the periodic table of elements. Specifically, gold, platinum, silver, nickel, copper, aluminum, gallium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, manganese, antimony, palladium, bismuth, technetium, rhenium, iron, osmium, cobalt Zinc, scandium, boron, gallium, indium, silicon, germanium, tellurium, tin, magnesium and the like. Examples of the alloy include alloys containing the metal (stainless steel, brass, etc.). Examples of the metal oxide include InO 2 , SnO 2 , ZnO, and the like, and these metal oxide composites (InO 2 Sn, SnO 2 —Sb 2 O 4 , SnO 2 —V 2 O 5 , TiO 2). (Sn / Sb) O 2 , SiO 2 (Sn / Sb) O 2 , K 2 O—nTiO 2 — (Sn / Sb) O 2 , K 2 O—nTiO 2 —C, etc.). These may be subjected to a surface treatment. Furthermore, the linear structure includes those obtained by coating or vapor-depositing the surface of an organic compound (for example, plant fiber, synthetic fiber, etc.) or a non-metallic material (for example, inorganic fiber) with the metal or metal oxide. Among these linear structures, silver nanowires can be particularly preferably used from the viewpoint of optical properties such as transparency and conductivity. These metal-based nanowires can be obtained by, for example, the manufacturing methods disclosed in JP-T-2009-505358, JP-A-2009-146747, and JP-A-2009-70660.

また、線状構造体を単独、又は複数を組み合わせて混合して使用することもでき、さらに、必要に応じて他のマイクロ〜ナノサイズの導電性材料を添加してもよい。   Moreover, a linear structure can also be used individually or in combination of multiple, Furthermore, you may add another electroconductive material of micro-nano size as needed.

[導電層]
本発明の導電層は、前述のネットワーク構造を有する線状構造体を必須成分として含むものであり、その他の成分として、後述する構造式(1)の構造を分子内に有する化合物や高分子マトリックス、さらには、後述する線状構造体の水含有分散液に含まれるバインダー、分散剤、レベリング剤等の添加剤を含んでいてもよい。
[Conductive layer]
The conductive layer of the present invention contains the above-described linear structure having a network structure as an essential component, and as other components, a compound or polymer matrix having the structure of the structural formula (1) described later in the molecule. Furthermore, an additive such as a binder, a dispersant, and a leveling agent contained in the water-containing dispersion of the linear structure described later may be included.

本発明の導電層は、線状構造体のネットワーク構造により形成される開口部の開口面積のうち式(1)を満たす開口部について求めた開口面積の平均値Aが20μm以下で、且つ、式(2)で定義される開口面積のバラツキ偏差σが26μm以下である。(以降、線状構造体のネットワーク構造により形成される開口部の開口面積のうち式(1)を満たす開口部について求めた開口面積の平均値Aを、平均値A、式(2)で定義される開口面積のバラツキ偏差σを、バラツキ偏差σ、と略記することもある。)
X<Xmax × 0.9 ・・・式(1)
(式中、Xは各開口面積、Xmaxは各開口面積の最大値を示す。)
σ={(Σ(X−A))/N}0.5 (ここで、Σはi=1〜N)
・・・式(2)
(式中、Xは式(1)を満たす開口部の各開口面積、Aは式(1)を満たす開口部の開口面積Xの平均値、Nは式(1)を満たす開口部の総数を示す。)
平均値Aが20μm以下となることで線状構造体が緻密になり、さらに、開口面積のバラツキ偏差σは26μm以下となることで線状構造体のネットワーク構造が均一になり面内における導電パスが増えることで表面抵抗値が低くなり、導電性が良好になると推定している。尚、本発明における開口部とは図3における符号15のように符号14の線状構造体によって分割された、閉じた領域の事であり、前記平均値A及び前記バラツキ偏差σは後述する実施例の「(3)平均値A及びバラツキ偏差σ」に記載の画像処理による方法にて求められる値と定義する。図3において、線状構造体によって分割された領域には、線状構造体のみに囲まれた領域と線状構造体と視野の輪郭により囲まれた領域が存在する。前記式(1)は、後述する実施例の「(3)平均値A及びバラツキ偏差σ」における画像処理の2値化時に境界の線の濃度が低い部分で領域の結合が生じる場合算出したデータの再現性が損なわれるため、そのような領域を計算の対象から除去する意味を持つ。線状構造体と視野の輪郭により囲まれた領域は、画像処理において上記のような領域の結合が生じやすく、前記式(1)における係数の0.9は、かかる場合の領域の結合も除去できるように設定したものである。具体的には、前記係数を1〜0.7の数値範囲にて変更して平均値A及びバラツキ偏差σの算出をそれぞれ複数回行い、上記のような領域の結合の影響が出なくなる最大の値を採って設定したものである(最大の値としたのは、過度に小さくすると正常な領域を対象からはずす可能性が増大するためである)。すなわち、かかる係数が、1に近い場合には、平均値A及びバラツキ偏差σに結合が生じた領域の影響があるため、これらの値の再現性が損なわれるが、係数を小さくしていくに従い、これらの値の再現性が向上する。かかる値の再現性を基準として係数の0.9を採用した。開口部の開口面積は、好ましくは平均値Aが10μm以下で且つバラツキ偏差σが17μm以下、より好ましくは平均値Aが5μm以下で且つバラツキ偏差σが9μm以下、さらに好ましくは平均値Aが3μm以下で且つバラツキ偏差σが4μm以下である。
In the conductive layer of the present invention, the average value A of the opening areas obtained for the openings satisfying the expression (1) among the opening areas of the openings formed by the network structure of the linear structures is 20 μm 2 or less, and The variation deviation σ of the opening area defined by the equation (2) is 26 μm 2 or less. (Hereinafter, the average value A of the opening areas obtained for the openings satisfying the expression (1) among the opening areas of the openings formed by the network structure of the linear structure is defined by the average value A and the expression (2)). (The variation deviation σ of the opening area to be performed may be abbreviated as variation deviation σ.)
X <Xmax × 0.9 (1)
(In the formula, X represents each opening area, and Xmax represents the maximum value of each opening area.)
σ = {(Σ (X−A) 2 ) / N} 0.5 (where Σ is i = 1 to N)
... Formula (2)
(Wherein, X is each opening area of the opening satisfying the expression (1), A is the average value of the opening area X of the opening satisfying the expression (1), and N is the total number of openings satisfying the expression (1). Show.)
When the average value A is 20 μm 2 or less, the linear structure becomes dense, and when the variation deviation σ of the opening area is 26 μm 2 or less, the network structure of the linear structure becomes uniform, and the in-plane It is estimated that the surface resistance value is lowered and the conductivity is improved by increasing the number of conductive paths. The opening in the present invention is a closed region divided by a linear structure of reference numeral 14 as indicated by reference numeral 15 in FIG. 3, and the average value A and the variation deviation σ are described later. It is defined as a value obtained by the image processing method described in “(3) Average value A and variation deviation σ” in the example. In FIG. 3, the region divided by the linear structure includes a region surrounded only by the linear structure and a region surrounded by the linear structure and the outline of the field of view. The above formula (1) is data calculated in the case where region combination occurs in a portion where the density of the boundary line is low at the time of binarization of the image processing in “(3) average value A and variation deviation σ” of an example described later. Therefore, it is meaningful to remove such a region from the calculation target. In the region surrounded by the linear structure and the outline of the visual field, the above-described region combination is likely to occur in image processing, and the coefficient of 0.9 in the equation (1) also eliminates the combination of regions in such a case. It is set so that it can be done. Specifically, the coefficient A is changed within a numerical range of 1 to 0.7, and the average value A and the variation deviation σ are calculated a plurality of times, respectively, and the maximum effect that the influence of the coupling of the regions as described above does not occur. (The reason for setting the maximum value is that if the value is excessively reduced, the possibility of removing the normal area from the target increases.) That is, when such a coefficient is close to 1, there is an influence of the region in which the average value A and the variation deviation σ are coupled, so the reproducibility of these values is impaired, but as the coefficient is reduced, The reproducibility of these values is improved. A coefficient of 0.9 was adopted based on the reproducibility of such values. The opening area of the openings, preferably the average value A and the variation deviation σ at 10 [mu] m 2 or less 17 .mu.m 2 or less, and the variation deviation σ is 9 .mu.m 2 or less and more preferably an average value A is 5 [mu] m 2 or less, more preferably an average The value A is 3 μm 2 or less and the variation deviation σ is 4 μm 2 or less.

本発明の導電層には、線状構造体とともに下記構造式(1)の構造を分子内に有する化合物をさらに含むことが好ましい。   The conductive layer of the present invention preferably further contains a compound having a structure of the following structural formula (1) in the molecule together with the linear structure.

Figure 2013080908
Figure 2013080908

(式中、Ra(a=1〜4)はHもしくはFを示す。n1、n2はそれぞれ独立して1〜10の整数を示す。)
構造式(1)の構造を分子内に有する化合物を含有することで、表面抵抗値が低くなり導電積層体の導電性をさらに向上することができる。構造式(1)の構造を分子内に有する化合物の含有量は、線状構造体の種類や積層量、また、構造式(1)の構造を分子内に有する化合物自体の構造にも依存するため一義的に限定することはできないが、導電層内の線状構造体100質量部に対し、30〜100質量部であることが好ましい。30質量部未満であると含有する効果が得られない場合があり、100質量部より大きいと線状構造体のネットワーク構造に対し逆に均一性を損なう場合がある。
(In the formula, Ra (a = 1 to 4) represents H or F. n1 and n2 each independently represents an integer of 1 to 10.)
By containing the compound having the structure of the structural formula (1) in the molecule, the surface resistance value is lowered and the conductivity of the conductive laminate can be further improved. The content of the compound having the structure of the structural formula (1) in the molecule depends on the kind of the linear structure and the stacking amount, and also the structure of the compound itself having the structure of the structural formula (1) in the molecule. Therefore, although it cannot limit uniquely, it is preferable that it is 30-100 mass parts with respect to 100 mass parts of linear structures in a conductive layer. If the amount is less than 30 parts by mass, the contained effect may not be obtained. If the amount is more than 100 parts by mass, the uniformity of the network structure of the linear structure may be impaired.

これら構造式(1)の構造を分子内に有する化合物は、具体的に市販されているものとして例えば、米国DuPont社製のZonylシリーズのZonyl FSAやCapstoneシリーズのCapstone FS−65等が挙げられる。   Examples of the compounds having the structure of the structural formula (1) in the molecule are commercially available, such as Zonyl series Zonyl FSA and Capstone FS-65 made by DuPont.

本発明の導電層には、線状構造体とともに高分子マトリックスをさらに含むことが好ましい。導電積層体はタッチパネル等などに使用する電極用に加工する際、高温や高湿下にさらされる場合がある。導電層に高分子マトリックスを設けることで、線状構造体のネットワーク構造を保護し、高温や高湿などの過酷な環境下においても低い表面抵抗値を保ち、導電性を維持することができる。   The conductive layer of the present invention preferably further contains a polymer matrix together with the linear structure. When processing a conductive laminate for an electrode used for a touch panel or the like, it may be exposed to high temperature or high humidity. By providing the polymer matrix in the conductive layer, the network structure of the linear structure can be protected, and a low surface resistance value can be maintained even in a severe environment such as high temperature and high humidity, and conductivity can be maintained.

[高分子マトリックス]
高分子マトリックスの成分としては、有機または無機系の高分子化合物などが挙げられる。
[Polymer matrix]
Examples of the component of the polymer matrix include organic or inorganic polymer compounds.

無機系高分子化合物としては、無機系の酸化物等が挙げられ、例えば、ケイ素酸化物である、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−i−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキシシランなどのテトラアルコシシラン類、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、i−プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリエトキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエトキシシラン、n−ペンチルトリメトキシシラン、n−ペンチルトリエトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘプチルトリメトキシシラン、n−オクチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリエトキシシラン、3,3,3−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、3,3,3−トリフロロプロピルトリエトキシシラン、2−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、2−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、2−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、2−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、3−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、3−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、3−(メタ)アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−(メタ)アクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン等のトリアルコキシシラン類、メチルトリアセチルオキシシラン、メチルトリフェノキシシランなどのオルガノアルコシシランのアルコール、水、酸などから、加水分解・重合反応によって形成させるゾル−ゲルコーティング膜、ケイ素酸化物のスパッタ蒸着膜などが使用できる。   Examples of the inorganic polymer compound include inorganic oxides, for example, silicon oxides such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-i-propoxysilane, tetra- Tetraalkoxysilanes such as n-butoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, i-propyltri Methoxysilane, i-propyltriethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-pentyltrimethoxysilane, n-pentyltriethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-heptyltrimethoxy Silane, n Octyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-chloropropyltriethoxysilane 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltriethoxysilane, 2-hydroxyethyltrimethoxysilane, 2-hydroxyethyltriethoxysilane, 2-hydroxypropyltrimethoxysilane 2-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-hydroxypropyltrimethoxysilane, 3-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxy Lan, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyl Trialkoxysilanes such as trimethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, allyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, methyltriacetyloxysilane, methyltri A sol-gel coating film formed by hydrolysis / polymerization reaction from an alcohol, water, acid, or the like of an organoalkoxysilane such as phenoxysilane, or a sputter deposition film of silicon oxide can be used.

有機系高分子化合物としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などが挙げられ、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ナイロンやベンゾグアナミン等のポリアミド系樹脂、ABS樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエチレンやポリプロピレン等のオレフィン系樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂、ポリ塩化ビニルやポリ塩化ビニリデン等の塩素(Cl)を含有する樹脂、フッ素(F)を含有する樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系樹脂、等の有機系の高分子化合物が挙げられるが、これらを要求する特性や生産性等をふまえ少なくとも1種類を選択し、また、これらを2種以上混合してもよいが、好ましくは、重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を2個以上有する化合物が重合反応した構造を含む高分子から構成されるものであることが好ましい。かかる高分子は、重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマーからなる組成物を、該炭素−炭素二重結合基内の炭素−炭素二重結合を反応点として重合反応することで炭素−炭素単結合を形成して得ることができる。   Examples of organic polymer compounds include thermoplastic resins, thermosetting resins, and photocurable resins. For example, polyester resins, polycarbonate resins, acrylic resins, methacrylic resins, epoxy resins, nylon and benzoguanamine. Such as polyamide resin, ABS resin, polyimide resin, olefin resin such as polyethylene and polypropylene, polystyrene resin, polyvinyl acetate resin, melamine resin, phenol resin, chlorine such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride (Cl ) -Containing resin, fluorine (F) -containing resin, silicone-based resin, cellulose-based resin, and other organic polymer compounds. At least one type is required based on characteristics and productivity that require these. Or two or more of these may be mixed, but preferably , The carbon contributing to the polymerization reaction - is preferably a compound having two or more carbon-carbon double bond group are those composed of a polymer containing polymerization reaction structure. Such a polymer comprises a composition comprising a monomer, an oligomer, or a polymer having two or more carbon-carbon double bond groups that contribute to the polymerization reaction, and a carbon-carbon double bond in the carbon-carbon double bond group. It can be obtained by forming a carbon-carbon single bond by carrying out a polymerization reaction as a reaction point.

炭素−炭素二重結合基を含む官能基としては、例えば、イソプロペニル基、イソペンテニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、メタクリル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基、アリリデン基、アリリジン基、ビニルエーテル基や、炭素−炭素二重結合基の炭素にフッ素や塩素等のハロゲン元素が結合したもの(例えば、フッ化ビニル基、フッ化ビニリデン基、塩化ビニル基、塩化ビニリデン基等)や、炭素−炭素二重結合基の炭素にフェニル基やナフチル基等の芳香環を有する置換基が結合したもの(例えばスチリル基等)や、ブタジエニル基(例えば、CH=C(R)−C(R)=CH−、CH=C(R)−C(=CH)−(R、RはHまたはCH))のように共役ポリエン構造を有する基、等が挙げられる。これらから要求する特性や生産性等を考慮して、1種類または2種以上混合して使用すればよい。Examples of the functional group containing a carbon-carbon double bond group include an isopropenyl group, an isopentenyl group, an allyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, an acryloyloxy group, a methacryloyloxy group, a methacryl group, an acrylamide group, and a methacrylamide group. , Arylidene group, allylidine group, vinyl ether group, or carbon-carbon double bond group with a halogen element such as fluorine or chlorine bonded (for example, vinyl fluoride group, vinylidene fluoride group, vinyl chloride group, chloride) Vinylidene groups, etc.), carbon-carbon double bond groups in which a substituent having an aromatic ring such as a phenyl group or a naphthyl group is bonded (for example, styryl groups), butadienyl groups (for example, CH 2 ═C (R 1) -C (R 2 ) = CH-, CH 2 = C (R 1) -C (= CH 2) - (R 1, R 2 H or CH 3)) group having a conjugated polyene structure as, and the like. In consideration of the characteristics and productivity required from these, one type or a mixture of two or more types may be used.

重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を2個以上有する化合物としては、例えば、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールエトキシトリアクリレート、ペンタエリスリトールエトキシトリメタクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラアクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリアクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリメタクリレート、ジトリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパントリメタクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート、グリセリンプロポキシトリアクリレート、グリセリンプロポキシトリメタクリレートや、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環等の環状骨格を分子内に有する化合物(例えば、トリアクリレート・トリメタクリレート・テトラアクリレート・テトラメタクリレート・ペンタアクリレート・ペンタメタクリレート・ヘキサアクリレート・ヘキサメタクリレート等)や、これら化合物の一部を変性した化合物(例えば2−ヒドロキシプロパン酸等で変性した2−ヒドロキシプロパン酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、2−ヒドロキシプロパン酸変性ペンタエリスリトールトリメタクリレート、2−ヒドロキシプロパン酸変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、2−ヒドロキシプロパン酸変性ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、また、シリコーン骨格を導入したシリコーントリアクリレート、シリコーントリメタクリレート、シリコーンテトラアクリレート、シリコーンテトラメタクリレート、シリコーンペンタアクリレート、シリコーンペンタメタクリレート、シリコーンヘキサアクリレート、シリコーンヘキサメタクリレート等)や、骨格内にビニル基および/またはビニリデン基と共にその他骨格を有する化合物(例えば、ウレタン骨格を有するウレタントリアクリレート、ウレタントリメタクリレート、ウレタンテトラアクリレート、ウレタンテトラメタクリレート、ウレタンペンタアクリレート、ウレタンペンタメタクリレート、ウレタンヘキサアクリレート、ウレタンヘキサメタクリレート、エーテル骨格を有するポリエーテルトリアクリレート、ポリエーテルトリメタクリレート、ポリエーテルテトラアクリレート、ポリエーテルテトラメタクリレート、ポリエーテルペンタアクリレート、ポリエーテルペンタメタクリレート、ポリエーテルヘキサアクリレート、ポリエーテルヘキサメタクリレート、エポキシ由来の骨格を有するエポキシトリアクリレート、エポキシトリメタクリレート、エポキシテトラアクリレート、エポキシテトラメタクリレート、エポキシペンタアクリレート、エポキシペンタメタクリレート、エポキシヘキサアクリレート、エポキシヘキサメタクリレート、エステル骨格を有するポリエステルトリアクリレート、ポリエステルトリメタクリレート、ポリエステルテトラアクリレート、ポリエステルテトラメタクリレート、ポリエステルペンタアクリレート、ポリエステルペンタメタクリレート、ポリエステルヘキサアクリレート、ポリエステルヘキサメタクリレート等)が挙げられる。これらを用途や要求する特性や生産性等を考慮して、単体で重合したものもしくは単体で重合したものを2種以上含有した組成物、および/または2種以上が共重合した2量体以上のオリゴマーを含有してなる組成物を使用することができるが、特にこれらに限定されるものではない。これら化合物のうち、重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を4個以上、すなわち4官能以上の化合物をさらに好ましく用いることができる。4官能以上の化合物は、例えば、前記4官能のテトラアクリレート、テトラメタクリレート、5官能のペンタアクリレート、ペンタメタクリレート、6官能のヘキサアクリレート、ヘキサメタクリレート等が挙げられ、さらに7官能以上のものでもよい。   Examples of the compound having two or more carbon-carbon double bond groups that contribute to the polymerization reaction include pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, pentaerythritol ethoxytriacrylate, penta Erythritol ethoxytrimethacrylate, pentaerythritol ethoxytetraacrylate, pentaerythritol ethoxytetramethacrylate, dipentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol trimethacrylate, dipentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pen Methacrylate, Dipentaerythritol hexaacrylate, Dipentaerythritol hexamethacrylate, Trimethylolpropane triacrylate, Trimethylolpropane trimethacrylate, Trimethylolpropane ethoxytriacrylate, Trimethylolpropane ethoxytrimethacrylate, Ditrimethylolpropane triacrylate, Ditrimethylolpropane triacrylate Methacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, ditrimethylolpropane tetramethacrylate, glycerin propoxytriacrylate, glycerin propoxytrimethacrylate, and compounds having a cyclic skeleton such as cyclopropane ring, cyclobutane ring, cyclopentane ring, cyclohexane ring in the molecule (for example, , Triac relay・ Trimethacrylate ・ Tetraacrylate ・ Tetramethacrylate ・ Pentaacrylate ・ Pentamethacrylate ・ Hexaacrylate ・ Hexamethacrylate etc.) and compounds obtained by modifying some of these compounds (eg 2-hydroxypropanoic acid modified with 2-hydroxypropanoic acid etc.) Modified pentaerythritol triacrylate, 2-hydroxypropanoic acid modified pentaerythritol trimethacrylate, 2-hydroxypropanoic acid modified pentaerythritol tetraacrylate, 2-hydroxypropanoic acid modified pentaerythritol tetramethacrylate, and a silicone triacrylate having a silicone skeleton introduced, Silicone trimethacrylate, silicone tetraacrylate, silicone tetramethacrylate, silicone paint Acrylate, silicone pentamethacrylate, silicone hexaacrylate, silicone hexamethacrylate, etc.) and other compounds having a vinyl group and / or vinylidene group in the skeleton (for example, urethane triacrylate, urethane trimethacrylate, urethane having a urethane skeleton) Tetraacrylate, urethane tetramethacrylate, urethane pentaacrylate, urethane pentamethacrylate, urethane hexaacrylate, urethane hexamethacrylate, polyether triacrylate with ether skeleton, polyether trimethacrylate, polyether tetraacrylate, polyether tetramethacrylate, polyether penta Acrylate, polyether pentamethacrylate, poly -Tetrahexaacrylate, Polyetherhexamethacrylate, Epoxytriacrylate with epoxy-derived skeleton, Epoxytrimethacrylate, Epoxytetraacrylate, Epoxytetramethacrylate, Epoxypentaacrylate, Epoxypentamethacrylate, Epoxyhexaacrylate, Epoxyhexamethacrylate, Ester skeleton Polyester triacrylate, polyester trimethacrylate, polyester tetraacrylate, polyester tetramethacrylate, polyester pentaacrylate, polyester pentamethacrylate, polyester hexaacrylate, polyester hexamethacrylate, etc.). In consideration of applications, required characteristics, productivity, and the like, compositions containing two or more of polymerized as a single substance or polymerized as a single substance, and / or a dimer or more obtained by copolymerization of two or more. Although the composition containing this oligomer can be used, it is not specifically limited to these. Among these compounds, a compound having 4 or more carbon-carbon double bond groups that contribute to the polymerization reaction, that is, a tetrafunctional or more functional compound can be more preferably used. Examples of the tetrafunctional or higher functional compound include the tetrafunctional tetraacrylate, tetramethacrylate, pentafunctional pentaacrylate, pentamethacrylate, hexafunctional hexaacrylate, hexamethacrylate, and the like.

これら化合物は、具体的に市販されているものとして例えば、共栄社化学(株)製のライトアクリレートシリーズ、ライトエステルシリーズ、エポキシエステルシリーズ、ウレタンアクリレートAHシリーズ、ウレタンアクリレートATシリーズ、ウレタンアクリレートUAシリーズ、ダイセル・サイテック(株)製の“EBECRYL”(登録商標)シリーズ(例えばEBECRYL1360)、PETIA、TMPTA、TMPEOTA、OTA 480、DPHA、PETA−K、綜研化学(株)製の“フルキュア”(登録商標)シリーズ、東洋インキ製造(株)製の“LIODURAS(リオデュラス)”(登録商標)シリーズ、中国塗料(株)製の“フォルシード”(登録商標)シリーズ、マツイカガク(株)製のEXPシリーズ、信越化学工業(株)製のX−12−2456シリーズ等が挙げられる。   These compounds are commercially available, for example, Kyoeisha Chemical Co., Ltd. light acrylate series, light ester series, epoxy ester series, urethane acrylate AH series, urethane acrylate AT series, urethane acrylate UA series, Daicel -"EBECRYL" (registered trademark) series (for example, EBECRYL1360) manufactured by Cytec Corporation, PETIA, TMPTA, TMPEOTA, OTA 480, DPHA, PETA-K, "Fure Cure" (registered trademark) series manufactured by Soken Chemical Co., Ltd. "LIODURAS" (registered trademark) series manufactured by Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd., "Folcede" (registered trademark) series manufactured by China Paint Co., Ltd., EXP series manufactured by Matsui Kagaku Co., Ltd. Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. of X-12-2456 series, and the like.

[基材]
本発明の導電積層体における基材の素材として、具体的には例えば透明な樹脂、ガラスなどを挙げることができる。樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などのポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、アラミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ乳酸、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系・メタクリル系樹脂、脂環式アクリル樹脂、シクロオレフィン樹脂、トリアセチルセルロース、ABS、ポリ酢酸ビニル、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂、ポリ塩化ビニルやポリ塩化ビニリデン等の塩素(Cl)を含有する樹脂、フッ素(F)を含有する樹脂、シリコーン系樹脂及びこれら樹脂の混合及び/又は共重合したものが挙げられ、ガラスとしては、通常のソーダガラスを用いることができる。また、これらの複数の基材を組み合わせて用いることもできる。例えば、樹脂とガラスを組み合わせた基材、2種以上の樹脂を積層した基材などの複合基材であってもよい。基材の形状については、厚み250μm以下で巻き取り可能なフィルムであっても、厚み250μmを超える基材であってもよい。コスト、生産性、取り扱い性等の観点からは250μm以下の樹脂フィルムが好ましく、より好ましくは190μm以下、さらに好ましくは150μm以下、特に好ましくは100μm以下の樹脂フィルムである。基材として樹脂フィルムを用いる場合、樹脂を未延伸、一軸延伸、二軸延伸してフィルムとしたものを適用することができる。これら樹脂フィルムのうち、基材への成形性、透明性等の光学特性、生産性等の観点から、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などのポリエステルフィルム、またPENとの混合及び/又は共重合したPETフィルム、ポリプロピレンフィルムを好ましく使用することができる。
[Base material]
Specific examples of the material for the base material in the conductive laminate of the present invention include transparent resin and glass. Examples of the resin include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyamide, polyimide, polyphenylene sulfide, aramid, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polylactic acid, polyvinyl chloride, polycarbonate, polymethyl methacrylate, and the like. Contains chlorine (Cl) such as acrylic and methacrylic resins, cycloaliphatic acrylic resins, cycloolefin resins, triacetyl cellulose, ABS, polyvinyl acetate, melamine resins, phenolic resins, polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride Resin, fluorine (F) -containing resin, silicone resin and a mixture and / or copolymerization of these resins. As the glass, ordinary soda glass can be used. Moreover, these several base materials can also be used in combination. For example, a composite substrate such as a substrate in which a resin and glass are combined and a substrate in which two or more kinds of resins are laminated may be used. About the shape of a base material, even if it is a film which can be wound up by thickness 250 micrometers or less, a base material exceeding thickness 250 micrometers may be sufficient. From the viewpoint of cost, productivity, handleability, etc., a resin film of 250 μm or less is preferable, more preferably 190 μm or less, still more preferably 150 μm or less, and particularly preferably 100 μm or less. When using a resin film as a base material, what was made into the film by unstretching, uniaxial stretching, and biaxial stretching of resin can be applied. Among these resin films, from the viewpoint of moldability to a substrate, optical properties such as transparency, productivity, etc., polyester films such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), and mixing with PEN and A copolymerized PET film or polypropylene film can be preferably used.

本発明においては、これら基材の少なくとも片面の最外層に、親水基を有する化合物を含む親水層を積層した親水性基材であることが好ましい。親水性基材であると、後述する線状構造体の水含有分散液を塗布後乾燥して導電層を形成する場合において特に、線状構造体のネットワーク構造により形成される開口部における開口面積の平均値Aとバラツキ偏差σを好ましい範囲にすることができ、表面抵抗値が低い導電性の良好な導電積層体を得やすくなる。親水基を有する化合物の例としては、前述した高分子マトリックスの成分や基材に使用する樹脂の構造内に親水基を有したものが挙げられるが、特に限定されるものではない。また、親水基としては例えば、ヒドロキシル基、カルボン酸基、リン酸基、アミノ基、4級アンモニウム塩基、スルホン酸基、またこれら親水基の一部がNa、K等のカウンターカチオンを有した状態(例えば、−ONa、−COONa、−SONaなど)が挙げられ、これらを1種類または2種以上混合していてもよい。これら官能基のうち、親水性を付与しやすいカルボン酸基、スルホン酸基、また各親水基の一部がNa、K等のカウンターカチオンを有した状態(−COONa、−SONa)を好ましく使用することができる。In this invention, it is preferable that it is a hydrophilic base material which laminated | stacked the hydrophilic layer containing the compound which has a hydrophilic group in the outermost layer of the at least single side | surface of these base materials. In the case of forming a conductive layer by applying a water-containing dispersion of a linear structure, which will be described later, to form a conductive layer, the opening area at the opening formed by the network structure of the linear structure is a hydrophilic substrate. The average value A and the variation deviation σ can be in a preferable range, and it becomes easy to obtain a conductive laminate having a low surface resistance value and good conductivity. Examples of the compound having a hydrophilic group include those having a hydrophilic group in the structure of the polymer matrix described above and the resin used for the substrate, but are not particularly limited. Examples of hydrophilic groups include hydroxyl groups, carboxylic acid groups, phosphoric acid groups, amino groups, quaternary ammonium bases, sulfonic acid groups, and some of these hydrophilic groups have counter cations such as Na + and K +. state (e.g., -ONa, -COONa, -SO 3 Na, etc.) and the like, may be mixed and these one or two or more. Among these functional groups, a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, and a part of each hydrophilic group that easily impart hydrophilicity have a counter cation such as Na + or K + (—COONa, —SO 3 Na) Can be preferably used.

[導電積層体の製造方法]
本発明の導電積層体を製造する方法は、特には限定されず、基材上に導電材(線状構造体)のみ又は導電材(線状構造体)と前述の高分子マトリックスとを混合したものを積層して導電層を形成してもよく、また、予め導電材(線状構造体)のみを基材上にまず形成した後に次いで高分子マトリックスを形成することで導電層を積層してもよく、特に限定されない。
[Method for producing conductive laminate]
The method for producing the conductive laminate of the present invention is not particularly limited, and only the conductive material (linear structure) or the conductive material (linear structure) and the above-described polymer matrix are mixed on the base material. A conductive layer may be formed by laminating one, or a conductive layer is laminated by first forming only a conductive material (linear structure) on a substrate in advance and then forming a polymer matrix. There is no particular limitation.

[導電層の形成方法]
本発明における導電層を基材上に形成する方法としては、線状構造体やマトリックスの種類により最適な方法を選択すればよく、キャスト、スピンコート、ディップコート、バーコート、スプレー、ブレードコート、スリットダイコート、グラビアコート、リバースコート、スクリーン印刷、鋳型塗布、印刷転写、インクジェットなどのウエットコート法等、一般的な方法を挙げることができる。なかでも、導電層を均一に積層できかつ基材への傷が入りにくいスリットダイコート、もしくは導電層を均一にかつ生産性良く形成できるマイクログラビアを使用したウエットコート法が好ましい。尚、導電層を基材上に形成するにあたり、導電材(線状構造体)からなるネットワーク構造を有する導電成分を予め基材上に配置した後に、マトリックスを配置し、導電材(線状構造体)と複合化することで導電層を形成してもよく、また、導電材(線状構造体)とマトリックスを予め混合して導電マトリックス組成物とし、その導電マトリックス組成物を基材上に積層することでネットワーク構造を有する導電成分を含む導電層を形成してもよい。尚、上記導電材(線状構造体)は、単一の素材からなるものでもよいし、複数の素材の混合物であってもよい。マトリックスも同様に、単一の素材からなるものでもよいし、複数の素材の混合物であってもよい。
[Method of forming conductive layer]
As a method for forming a conductive layer on a substrate in the present invention, an optimal method may be selected depending on the type of linear structure or matrix, cast, spin coating, dip coating, bar coating, spraying, blade coating, Common methods such as wet coating methods such as slit die coating, gravure coating, reverse coating, screen printing, mold coating, printing transfer, and inkjet can be used. Among them, a slit die coat which can uniformly laminate the conductive layer and hardly damages the substrate, or a wet coat method using a micro gravure which can form the conductive layer uniformly and with high productivity is preferable. In forming the conductive layer on the base material, a conductive component having a network structure made of a conductive material (linear structure) is placed on the base material in advance, and then a matrix is placed on the conductive material (linear structure). And a conductive layer may be formed by combining the conductive material (linear structure) and the matrix in advance to form a conductive matrix composition, and the conductive matrix composition is formed on the substrate. A conductive layer including a conductive component having a network structure may be formed by stacking. The conductive material (linear structure) may be a single material or a mixture of a plurality of materials. Similarly, the matrix may be composed of a single material or a mixture of a plurality of materials.

本発明において、特に好ましくは、前述の方法を適宜選択して線状構造体の水含有分散液を基材上に塗布後、乾燥して導電層を形成する工程において、乾燥工程が塗布方向に対し45〜135°の方向から温度が25〜120℃である気流を塗布した面にあてる工程である導電積層体の製造方法である。   In the present invention, particularly preferably, in the step of appropriately selecting the above-described method and applying the water-containing dispersion of the linear structure on the substrate and then drying to form a conductive layer, the drying step is in the coating direction. On the other hand, it is a manufacturing method of the electrically conductive laminated body which is a process applied to the surface which applied the airflow whose temperature is 25-120 degreeC from the direction of 45-135 degree.

かかる方法を採用することで、線状構造体のネットワーク構造により形成される開口部における開口面積の平均値Aとバラツキ偏差σを好ましい範囲にすることができ、表面抵抗値が低い導電性の良好な導電積層体を得やすくなる。尚、線状構造体の水含有分散液には、線状構造体と溶媒である水の他に、バインダー、分散剤、レベリング剤等の添加剤を含んでいてもよい。塗布方向に対し45〜135°の方向から気流を塗布した面にあてる点について説明する。線状構造体の水含有分散液を基材上に塗布後、塗布方向に対し45〜135°の方向からの気流を塗布した面にあてることでネットワーク構造が均一になりやすく、開口部におけるバラツキ偏差σを小さくできる。好ましくは塗布方向に対し60〜120°の方向、さらに好ましくは、85〜95°の方向であり、逆に塗布方向に対し45°未満もしくは135°よりも大きいと効果が得られない場合がある。次いで、その際の気流の温度が25〜120℃である点について説明する。乾燥工程の気流の温度が25〜120℃である場合、線状構造体の凝集等がなく導電層面内に均一分散することができ、開口面積の平均値Aとバラツキ偏差σを所望の領域に調整しやすくなる。気流の温度は好ましくは、30〜100℃、さらに好ましくは50〜90℃であり、温度が25℃未満の場合、線状構造体の水含有分散液の乾燥が遅くなる場合があり、開口部におけるバラツキ偏差σが大きくなる場合があり、一方、温度が120℃より高いと、逆に水系溶媒が急激に蒸発しやすくなり導電層の面内で不均一に乾燥されやすくなり、開口面積の平均値Aやバラツキ偏差σが大きくなる場合がある。温度調節の手段は、目的や用途に応じて選択でき、例えば、ホットプレート、熱風オーブン、赤外線オーブン、周波数300メガヘルツ〜3テラヘルツのマイクロ波照射などを挙げることができるがこれに限定されない。なお、気流の温度とは塗布した面の上部10mmの位置における温度をいう。   By adopting such a method, the average value A and the variation deviation σ of the opening area in the openings formed by the network structure of the linear structure can be set within a preferable range, and the surface resistance is low and the conductivity is good. It becomes easy to obtain a conductive laminate. In addition, the water-containing dispersion of the linear structure may contain additives such as a binder, a dispersant, and a leveling agent in addition to the linear structure and water as a solvent. The point which is applied to the surface where the airflow is applied from the direction of 45 to 135 ° with respect to the application direction will be described. After applying the water-containing dispersion liquid of the linear structure on the substrate, the network structure is likely to be uniform by applying the airflow from the direction of 45 to 135 ° to the coating direction, and the variation in the opening The deviation σ can be reduced. Preferably, the direction is 60 to 120 ° with respect to the coating direction, more preferably the direction is 85 to 95 °. Conversely, if the angle is less than 45 ° or larger than 135 ° with respect to the coating direction, the effect may not be obtained. . Then, the point that the temperature of the airflow in that case is 25-120 degreeC is demonstrated. When the temperature of the airflow in the drying process is 25 to 120 ° C., the linear structure can be uniformly dispersed in the surface of the conductive layer without aggregation, and the average value A of the opening area and the variation deviation σ can be set in a desired region. Easy to adjust. The temperature of the airflow is preferably 30 to 100 ° C., more preferably 50 to 90 ° C. When the temperature is less than 25 ° C., the drying of the water-containing dispersion of the linear structure may be slow, and the opening On the other hand, when the temperature is higher than 120 ° C., the aqueous solvent tends to evaporate rapidly and tends to be dried unevenly in the plane of the conductive layer, and the average opening area The value A and the variation deviation σ may increase. The temperature adjusting means can be selected according to the purpose and application, and examples thereof include a hot plate, a hot air oven, an infrared oven, and microwave irradiation with a frequency of 300 megahertz to 3 terahertz, but are not limited thereto. In addition, the temperature of airflow means the temperature in the upper 10 mm position of the apply | coated surface.

本発明における導電積層体の導電層のマトリックスを形成する方法は、前述の高分子マトリックスの成分を含む組成物を反応させて形成する。かかる場合の反応による高分子マトリックスの形成を本明細書において硬化と記す。高分子マトリックスの成分を含む組成物を硬化する方法として、加熱硬化や、紫外光、可視光、電子線等の活性電子線の照射による光硬化(以降、光硬化と記す)が挙げられる。加熱硬化の場合は、硬化開始温度に系全体を加熱するのに時間を要する一方、光硬化の場合は、後述するような光硬化の開始剤(以降、光開始剤と記す)を含有させ、そこに活性電子線を照射することで系全体で同時に活性種を発生させることができるため、硬化開始に要する時間を短縮できることから、硬化時間も短縮できる。かかる理由から光硬化がより好ましい。ここで、光開始剤とは、紫外領域の光、可視領域の光、電子線等の活性電子線を吸収し、反応を開始させる活性種であるラジカル種、カチオン種、アニオン種等の活性種を生成し、化学反応を開始させる物質である。使用可能な光開始剤としては例えば、ベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、4−フェニルベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系、ベンジルジメチルケタールなどのベンゾイン系、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、2−メチル1[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モリフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1などのα−ヒドロキシケトン系やα−アミノケトン系、イソプロピルチオキサントン、2−4−ジエチルチオキサントンなどのチオキサントン系、メチルフェニルグリオキシレートなどが挙げられ、極大吸収波長の値、吸光度、色見、着色度合い等の観点から、これら光開始剤のうち1または2種以上を組み合わせて使用することができる。   The method for forming the matrix of the conductive layer of the conductive laminate in the present invention is formed by reacting the composition containing the components of the polymer matrix described above. Formation of a polymer matrix by reaction in such a case is referred to as curing in this specification. Examples of a method for curing a composition containing a component of a polymer matrix include heat curing and photocuring by irradiation with an active electron beam such as ultraviolet light, visible light, and electron beam (hereinafter referred to as photocuring). In the case of heat curing, while it takes time to heat the entire system to the curing start temperature, in the case of photocuring, a photocuring initiator as described later (hereinafter referred to as a photoinitiator) is contained, By irradiating an active electron beam thereto, active species can be generated simultaneously in the entire system, so that the time required to start curing can be shortened, and the curing time can also be shortened. For this reason, photocuring is more preferable. Here, the photoinitiator is an active species such as radical species, cation species, anion species, etc., which are active species that absorb an active electron beam such as ultraviolet light, visible light, or electron beam and initiate a reaction. Is a substance that initiates a chemical reaction. Usable photoinitiators include, for example, benzophenone series such as benzophenone, hydroxybenzophenone, 4-phenylbenzophenone, benzoin series such as benzyldimethyl ketal, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 2-hydroxy-2-methyl- 1-phenylpropan-1-one, 2-methyl 1 [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) ) -Butanone-1, α-hydroxyketone, α-aminoketone, thioxanthone, such as isopropylthioxanthone, 2-4-diethylthioxanthone, methylphenylglyoxylate, and the like. Viewpoint of color sighting, coloring degree, etc. Therefore, one or more of these photoinitiators can be used in combination.

かかる光開始剤の市販品としては、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトンとしてCiba“IRGACURE(登録商標)”184(チバ・ジャパン(株)製)、2−メチル1[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モリフォリノプロパン−1−オンとしてCiba“IRGACURE”(登録商標)907(チバ・ジャパン(株)製)、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1としてCiba“IRGACURE”(登録商標)369(チバ・ジャパン(株)製)等が挙げられる。   Commercially available products of such photoinitiators include Ciba “IRGACURE (registered trademark)” 184 (manufactured by Ciba Japan) as 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 2-methyl 1 [4- (methylthio) phenyl. Ciba “IRGACURE” (registered trademark) 907 (manufactured by Ciba Japan), 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) as 2-morpholinopropan-1-one -As butanone-1, Ciba "IRGACURE" (registered trademark) 369 (manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.) and the like can be mentioned.

マトリックスの種類や性質によって前記活性電子線の種類を適宜選択したり、選択した前記活性電子線の種類から前記光開始剤を1種のみ単独もしくは吸収波長領域の異なる2種以上を含有させたり、前記活性電子線の照射量を調整したり、また、これらを適宜組み合わせることによっても本発明の導電積層体を得ることができる。特に、前記活性電子線の照射量を調整する方法は比較的実施しやすいため、好ましく用いられる。照射量を調整する方法は、前記活性電子線を照射するランプ等の照射体の条件(出力条件等)を変更することで比較的容易に制御することができる。他にも、前記ランプ等の照射体と非照射体との照射距離を変更したり、本発明の導電積層体の製造に際する非照射体の搬送速度を調整することで照射時間を短くすることで積算の照射量を制御することもできる。前記活性電子線の積算の照射量は、300mJ/cm以下が好ましく、より好ましくは150mJ/cm以下、さらに好ましくは100mJ/cm以下である。前記活性電子線の積算の照射量の下限値は特には限定されないが、1mJ/cm未満であるとマトリックスの硬化不足等の不良が発生する場合があるため、1mJ/cm以上が好ましい。また、前記活性電子線を照射するにあたり、窒素やアルゴン等の不活性ガスにて置換した雰囲気下や酸素脱気した雰囲気下等の酸素濃度を低くした特定の雰囲気下とする方法も有効であり、酸素濃度を低くした特定の雰囲気下にて、前記活性電子線の積算の照射量とすることが好ましい。Depending on the type and nature of the matrix, the type of the active electron beam is appropriately selected, or the photoinitiator alone is selected from the selected type of the active electron beam, or two or more different absorption wavelength regions are contained, The conductive laminate of the present invention can also be obtained by adjusting the irradiation amount of the active electron beam or by appropriately combining these. In particular, the method of adjusting the irradiation amount of the active electron beam is preferably used because it is relatively easy to implement. The method of adjusting the irradiation amount can be controlled relatively easily by changing the conditions (output conditions, etc.) of the irradiation body such as the lamp that irradiates the active electron beam. In addition, the irradiation time can be shortened by changing the irradiation distance between the irradiation body such as the lamp and the non-irradiation body or adjusting the transport speed of the non-irradiation body in the production of the conductive laminate of the present invention. Thus, the integrated dose can be controlled. Dose of accumulation of the active electron beam is preferably from 300 mJ / cm 2 or less, more preferably 150 mJ / cm 2 or less, more preferably 100 mJ / cm 2 or less. The lower limit value of the integrated irradiation amount of the active electron beam is not particularly limited, but if it is less than 1 mJ / cm 2 , defects such as insufficient curing of the matrix may occur, and it is preferably 1 mJ / cm 2 or more. In addition, when irradiating the active electron beam, it is also effective to use a specific atmosphere in which the oxygen concentration is lowered, such as in an atmosphere substituted with an inert gas such as nitrogen or argon, or in an atmosphere deoxygenated. In addition, it is preferable to set the integrated irradiation amount of the active electron beam in a specific atmosphere with a low oxygen concentration.

本発明にかかる導電積層体は、前記導電層側から入射した際のJIS K7361−1:1997に基づいた全光線透過率が80%以上である透明導電積層体であることが好ましい。本発明の導電積層体を組み込んだタッチパネルは、優れた透明性を示し、この透明導電積層体を用いたタッチパネルの下層に設けたディスプレイの表示を鮮やかに認識することができる。本発明における透明性とは、前記導電層側から入射した際のJIS K7361−1:1997に基づいた全光線透過率が80%以上であることを意味し、好ましくは85%以上、より好ましくは90%以上である。全光線透過率を上げるための方法としては、例えば、使用する基材の全光線透過率を上げる方法、前記導電層の膜厚をより薄くする方法、また、導電層が光学干渉膜となるように積層する方法等が挙げられる。   The conductive laminate according to the present invention is preferably a transparent conductive laminate having a total light transmittance of 80% or more based on JIS K7361-1: 1997 when incident from the conductive layer side. The touch panel incorporating the conductive laminate of the present invention exhibits excellent transparency, and the display on the display provided in the lower layer of the touch panel using the transparent conductive laminate can be clearly recognized. The transparency in the present invention means that the total light transmittance based on JIS K7361-1: 1997 when entering from the conductive layer side is 80% or more, preferably 85% or more, more preferably 90% or more. As a method for increasing the total light transmittance, for example, a method for increasing the total light transmittance of a substrate to be used, a method for reducing the film thickness of the conductive layer, and a method in which the conductive layer becomes an optical interference film. And the like.

基材の全光線透過率を上げる方法としては、基材の厚みを薄くする方法、あるいは全光線透過率の大きな材質の基材を選定する方法が挙げられる。本発明の透明導電積層体における基材は、可視光線の全光線透過率が高い基材が好適に使用でき、具体的にはJIS K7361−1:1997に基づいた全光線透過率が80%以上のもの、より好ましくは90%以上の透明性を有しているものであり、前述した[基材]の項に記載したもののうち該当するものを適宜使用することができる。   As a method for increasing the total light transmittance of the base material, a method of reducing the thickness of the base material or a method of selecting a base material made of a material having a large total light transmittance can be mentioned. As the substrate in the transparent conductive laminate of the present invention, a substrate having a high visible light total light transmittance can be suitably used. Specifically, the total light transmittance based on JIS K7361-1: 1997 is 80% or more. And more preferably 90% or more of transparency, and any of those described in the above-mentioned [Substrate] can be used as appropriate.

また、本発明においては、基材に対し導電側(本発明では導電層が積層されている側)とは反対の面に、耐摩耗性、高表面硬度、耐溶剤性、耐汚染性等を付与したハードコート処理が施されていてもよい。   In the present invention, the surface opposite to the conductive side (the side on which the conductive layer is laminated in the present invention) with respect to the base material is provided with wear resistance, high surface hardness, solvent resistance, stain resistance, etc. The provided hard coat treatment may be performed.

次に、導電層が光学干渉膜となるように積層する方法の説明を以下に示す。   Next, a description will be given of a method of laminating the conductive layer so as to be an optical interference film.

導電材(線状構造体)は、その導電成分自身の物性により光を反射や吸収する。そのため、基材上に設けた導電層を含む透明導電積層体の全光線透過率を上げるには、マトリックスが透明な材料で、かつ導電層が光学干渉膜となるように設け、この光学干渉膜側の波長380〜780nmでの平均反射率を4%以下に下げることが効果的であり、好ましくは3%以下に下げること、より好ましくは2%以下に下げることが効果的である。平均反射率が4%以下であると、タッチパネル用途などに用いる場合の全光線透過率80%以上の性能を生産性良く得ることができるので好ましい。   The conductive material (linear structure) reflects and absorbs light due to the physical properties of the conductive component itself. Therefore, in order to increase the total light transmittance of the transparent conductive laminate including the conductive layer provided on the substrate, the matrix is made of a transparent material and the conductive layer is an optical interference film. It is effective to lower the average reflectance at the side wavelength of 380 to 780 nm to 4% or less, preferably to 3% or less, and more preferably to 2% or less. When the average reflectance is 4% or less, a performance with a total light transmittance of 80% or more when used for touch panel applications can be obtained with good productivity.

本発明の導電積層体は、その導電層側の表面抵抗値が、1×10Ω/□以上、1×10Ω/□以下であることが好ましく、より好ましくは1×10Ω/□以上、1.5×10Ω/□以下である。この範囲にあることで、タッチパネル用の導電積層体として好ましく用いることができる。すなわち、1×10Ω/□以上であれば消費電力を少なくすることができ、1×10Ω/□以下であれば、タッチパネルの座標読みとりにおける誤差の影響を小さくすることができる。In the conductive laminate of the present invention, the surface resistance value on the conductive layer side is preferably 1 × 10 0 Ω / □ or more and 1 × 10 4 Ω / □ or less, more preferably 1 × 10 1 Ω / □. □ or more and 1.5 × 10 3 Ω / □ or less. By being in this range, it can be preferably used as a conductive laminate for a touch panel. That is, if it is 1 × 10 0 Ω / □ or more, power consumption can be reduced, and if it is 1 × 10 4 Ω / □ or less, the influence of errors in the coordinate reading of the touch panel can be reduced.

本発明において用いる基材及び/或いは導電層には、本発明の効果を阻害しない範囲内で各種の添加剤を添加することができる。添加剤としては、例えば、有機および/又は無機の微粒子、架橋剤、難燃剤、難燃助剤、耐熱安定剤、耐酸化安定剤、レベリング剤、滑り賦活剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、光安定化剤、核剤、染料、充填剤、分散剤およびカップリング剤などを用いることができる。   Various additives can be added to the base material and / or the conductive layer used in the present invention within a range not impairing the effects of the present invention. Examples of additives include organic and / or inorganic fine particles, crosslinking agents, flame retardants, flame retardant aids, heat stabilizers, oxidation stabilizers, leveling agents, slip activators, antistatic agents, ultraviolet absorbers, Light stabilizers, nucleating agents, dyes, fillers, dispersants, coupling agents and the like can be used.

本発明の導電積層体は、表示体、特にタッチパネル及び電子ペーパーに組み込んで好ましく使用することができる。そのうち、タッチパネルの一例を示した断面模式図を図4に示す。本発明のタッチパネルは、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電層を積層した本発明の導電積層体(たとえば、図1)を単独もしくは複数枚、さらには他の部材と組み合わせて組み込んだものであり、その例として抵抗膜式タッチパネルや静電容量式タッチパネル等が挙げられる。本発明の導電積層体の導電層は、図2に示すように符号6、7、8、9のような線状構造体を含み、符号11、12、13の接点を有するネットワーク構造を有している。本発明の導電積層体を搭載してなるタッチパネルは、たとえば図4に示すように導電積層体16を、接着剤や粘着剤等の接合層19によって接合して積層したものであり、さらに、タッチパネルの画面側の基材20、タッチパネルの画面側の基材に積層したハードコート層21が設けられる。かかるタッチパネルは、例えば、リード線と駆動ユニット等を取り付け、液晶ディスプレイの前面に組み込んで用いられる。   The conductive laminate of the present invention can be preferably used by incorporating it into a display body, particularly a touch panel and electronic paper. Among them, a schematic cross-sectional view showing an example of a touch panel is shown in FIG. The touch panel of the present invention incorporates the conductive laminate (for example, FIG. 1) of the present invention in which conductive layers having a network structure composed of linear structures are laminated alone or in combination with other members. Examples thereof include a resistive touch panel and a capacitive touch panel. As shown in FIG. 2, the conductive layer of the conductive laminate of the present invention includes a linear structure such as 6, 7, 8, and 9, and has a network structure having contacts 11, 12, and 13. ing. A touch panel on which the conductive laminate of the present invention is mounted is formed by joining and laminating a conductive laminate 16 with a bonding layer 19 such as an adhesive or an adhesive as shown in FIG. A hard coat layer 21 laminated on the screen side base material 20 and the screen side base material of the touch panel is provided. Such a touch panel is used, for example, by attaching a lead wire and a drive unit, etc., and incorporating it on the front surface of the liquid crystal display.

以下、本発明を実施例に基づき、具体的に説明する。ただし、本発明は下記実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described based on examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

[評価方法]
まず、各実施例および比較例における評価方法を説明する。
[Evaluation method]
First, an evaluation method in each example and comparative example will be described.

(1)導電成分の構造(形状)、導電成分のネットワーク構造の状態
絶縁抵抗計(三和電気計器(株)製、DG6)を用いて、サンプルの各面に探針をあて、通電の有無からサンプルの導電面を特定する。
(1) Structure of conductive component (shape), state of network structure of conductive component Using insulation resistance meter (manufactured by Sanwa Denki Keiki Co., Ltd., DG6) To identify the conductive surface of the sample.

次いでサンプルの導電領域(A)及び非導電領域(B)の各々の表面を、走査透過電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ製 日立走査透過電子顕微鏡HD−2700)もしくは電界放射型走査電子顕微鏡(日本電子(株)製 JSM−6700−F)を用いて加速電圧3.0kV、観察倍率と画像のコントラストを適宜調節して各倍率にて観察した。   Next, the surface of each of the conductive region (A) and the non-conductive region (B) of the sample was scanned with a scanning transmission electron microscope (Hitachi Scanning Electron Microscope HD-2700, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) or a field emission scanning electron microscope ( Using JSM-6700-F (manufactured by JEOL Ltd.), the acceleration voltage was 3.0 kV, the observation magnification and the image contrast were appropriately adjusted, and observation was performed at each magnification.

前記方法にて観察が困難な場合は、次いでカラー3D レーザー顕微鏡((株)キーエンス製 VK−9700/9710)、観察アプリケーション((株)キーエンス製 VK−H1V1)、形状解析アプリケーション((株)キーエンス製 VK−H1A1)を用いて、付属の標準対物レンズ10X((株)ニコン製 CF IC EPI Plan 10X)、20X((株)ニコン製 CF IC EPI Plan 20X)、50X((株)ニコン製 CF IC EPI Plan Apo 50X)、150X((株)ニコン製 CF IC EPI Plan Apo 150X)にて各倍率で導電側の同位置を表面観察し、その画像データから画像解析した。   If observation by the above method is difficult, then a color 3D laser microscope (VK-9700 / 9710 manufactured by Keyence Corporation), an observation application (VK-H1V1 manufactured by Keyence Corporation), and a shape analysis application (Keyence Corporation) Using VK-H1A1), the attached standard objective lens 10X (Nikon Corporation CF IC EPI Plan 10X), 20X (Nikon Corporation CF IC EPI Plan 20X), 50X (Nikon Corporation CF) IC EPI Plan Apo 50X), 150X (CF IC EPI Plan Apo 150X manufactured by Nikon Corporation) was used to observe the same position on the conductive side at each magnification, and image analysis was performed from the image data.

(2)導電成分の同定
サンプルから導電層を剥離し、溶解する溶剤に溶解させた。必要に応じ、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、ゲル浸透クロマトグラフィー、液体高速クロマトグラフィー等に代表される一般的なクロマトグラフィー等を適用し、それぞれ単一物質に分離精製して、以下の定性分析に供した。
(2) Identification of conductive component The conductive layer was peeled from the sample and dissolved in a solvent to be dissolved. If necessary, apply general chromatography such as silica gel column chromatography, gel permeation chromatography, liquid high-speed chromatography, etc., and separate and purify each into a single substance for the following qualitative analysis .

その後導電成分を適宜濃縮および希釈を行いサンプルを調整した。次いで、以下の評価方法を用いサンプル中に含まれる成分を特定した。   Thereafter, the conductive component was appropriately concentrated and diluted to prepare a sample. Subsequently, the component contained in a sample was specified using the following evaluation methods.

分析手法は、以下の分析の手法を組み合わせて行い、より少ない組み合わせで測定できるものを優先して適用した。   Analysis methods were combined with the following analysis methods, and those that could be measured with fewer combinations were preferentially applied.

核磁気共鳴分光法(H−NMR、13C−NMR、29Si−NMR、19F−NMR)、二次元核磁気共鳴分光法(2D−NMR)、赤外分光光度法(IR)、ラマン分光法、各種質量分析法(ガスクロマトグラフィー−質量分析法(GC−MS)、熱分解ガスクロマトグラフィー−質量分析法(熱分解GC−MS)、マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析(MALDI−MS)、飛行時間型質量分析法(TOF−MS)、飛行時間型マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析(MALDI−TOF−MS)、ダイナミック二次イオン質量分析法(Dynamic−SIMS)、飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF−SIMS)、その他スタティック二次イオン質量分析法(Static−SIMS)等)、X線回折法(XRD)、中性子回折法(ND)、低速電子線回折法(LEED)、高速反射電子線回折法(RHEED)、原子吸光分析法(AAS)、紫外光電子分光法(UPS)、オージェ電子分光法(AES)、X線光電子分光法(XPS)、蛍光X線元素分析法(XRF)、誘導結合プラズマ発光分光法(ICP−AES)、電子線マイクロアナリシス法(EPMA)、荷電粒子励起X線分光法(PIXE)、低エネルギーイオン散乱分光法(RBSまたはLEIS)、中エネルギーイオン散乱分光法(MEIS)、高エネルギーイオン散乱分光法(ISSまたはHEIS)、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)、透過電子顕微鏡−エネルギー分散X線分光分析(TEM−EDX)、走査電子顕微鏡−エネルギー分散X線分光分析(SEM−EDX)、ガスクロマトグラフィー(GC)その他元素分析。Nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR, 13 C-NMR, 29 Si-NMR, 19 F-NMR), two-dimensional nuclear magnetic resonance spectroscopy (2D-NMR), infrared spectrophotometry (IR), Raman Spectroscopy, various mass spectrometry (gas chromatography-mass spectrometry (GC-MS), pyrolysis gas chromatography-mass spectrometry (pyrolysis GC-MS), matrix-assisted laser desorption ionization mass spectrometry (MALDI-MS) ), Time of Flight Mass Spectrometry (TOF-MS), Time of Flight Matrix Assisted Laser Desorption / Ionization Mass Spectrometry (MALDI-TOF-MS), Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry (Dynamic-SIMS), Time of Flight Type II Secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), other static secondary ion mass spectrometry (Static-SIMS), etc.) X-ray diffraction (XRD), neutron diffraction (ND), low-energy electron diffraction (LEED), fast reflection electron diffraction (RHEED), atomic absorption spectrometry (AAS), ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS), Auger electron spectroscopy (AES), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), fluorescent X-ray elemental analysis (XRF), inductively coupled plasma emission spectroscopy (ICP-AES), electron microanalysis (EPMA), charged particles Excitation X-ray spectroscopy (PIXE), low energy ion scattering spectroscopy (RBS or LEIS), medium energy ion scattering spectroscopy (MEIS), high energy ion scattering spectroscopy (ISS or HEIS), gel permeation chromatography (GPC) , Transmission electron microscope-energy dispersive X-ray spectroscopic analysis (TEM-EDX), scanning electron microscope-energy dispersive X-ray spectroscopic analysis (SEM-EDX), gas chromatography (GC) and other elemental analysis.

(3)平均値A及びバラツキ偏差σ
サンプルの導電層側をカラー3D レーザー顕微鏡((株)キーエンス製 VK−9700/9710)、観察アプリケーション((株)キーエンス製 VK−H1V1)、形状解析アプリケーション((株)キーエンス製 VK−H1A1)を用いて、付属の標準対物レンズ150X((株)ニコン製 CF IC EPI Plan Apo 150X)、にて倍率3000倍で導電側を表面観察し、70.656μm×94.208μmの範囲を768ピクセル×1024ピクセルの画像として取り込み画像解析を行った。画像解析は各水準あたり5サンプル準備し、1サンプルにつき10視野、すなわち各水準あたり計50視野について観察し、各50視野を以下の方法にて画像解析し、50視野のデータを得てから平均値を算出した。(尚、本実施例では、上記倍率及び解像度で評価を実施したが、線状構造体の種類によって、その長軸の長さや短軸の長さ(平均径r)が異なり前記倍率にて観察が困難な場合は、付属の標準対物レンズ10X((株)ニコン製 CF IC EPI Plan 10X)、20X((株)ニコン製 CF IC EPI Plan 20X)、50X((株)ニコン製 CF IC EPI Plan Apo 50X)のいずれかに変更して低倍率にするか、対物レンズ200X((株)ニコン製 CF IC EPI Plan Apo 200X)に変更して高倍率にして同解像度で画像データを取り込み同様にして画像解析すればよい。また、解像度に関しては、1画素の大きさを評価対象の縦0.1μm×横0.1μmの領域とすることが適しているが、これに限るものではない。)
画像処理は、具体的には以下の環境および手順で行った。
OS:“Windows”(登録商標) XP
CPU:“Celeron”(登録商標) 3.4GHz
Memory:512MB
使用ソフト:画像処理ライブラリHALCON(Ver.9.0 MVtec社製)
まず、画像処理を画像データの読み込みを行い、次に、輪郭強調(微分フィルタ(emphasize)、エッジ強調フィルタ(shock_filter)の順で処理)を行った後、2値化をするという手順で実施した。なお、輪郭強調に用いる微分フィルタの「emphasize」およびエッジ強調フィルタの「shock_filter」は前記画像処理ライブラリのHALCONに含まれる画像処理フィルタである。2値化については画像全体の輝度の平均値を取得し、平均値にオフセット10をかけて、それより大きい値を示す部分を線状構造体が存在している部分とし、さらに線状構造体が存在している領域のグレイ値を255、その他の領域(開口部)のグレイ値を0に置き換え、膨張・収縮、細線化、を行い、グレイ値0を持つ連続したピクセル同士を連結し、開口部として抽出した。
(3) Average value A and variation deviation σ
The conductive layer side of the sample is a color 3D laser microscope (VK-9700 / 9710 manufactured by Keyence Corporation), observation application (VK-H1V1 manufactured by Keyence Corporation), and shape analysis application (VK-H1A1 manufactured by Keyence Corporation). Using the attached standard objective lens 150X (CF IC EPI Plan Apo 150X manufactured by Nikon Corporation), the surface of the conductive side was observed at a magnification of 3000 times, and the range of 70.656 μm × 94.208 μm was 768 pixels × 1024. The image was captured as a pixel image and analyzed. For image analysis, prepare 5 samples for each level, observe 10 fields per sample, that is, 50 fields per level, analyze each 50 fields by the following method, obtain the data of 50 fields and average The value was calculated. (In this example, evaluation was performed with the magnification and resolution described above, but depending on the type of linear structure, the length of the major axis and the length of the minor axis (average diameter r) differed, and observation was performed at the magnification. Is difficult, the attached standard objective lens 10X (Nikon Corporation CF IC EPI Plan 10X), 20X (Nikon Corporation CF IC EPI Plan 20X), 50X (Nikon Corporation CF IC EPI Plan 20X) Change to one of Apo 50X) to reduce the magnification, or change to objective lens 200X (CF IC EPI Plan Apo 200X made by Nikon Corporation) to increase the magnification to the same resolution and capture the image data in the same way In terms of resolution, it is suitable that the size of one pixel is a region of 0.1 μm in length × 0.1 μm in width to be evaluated. Not.)
Specifically, the image processing was performed in the following environment and procedure.
OS: “Windows” (registered trademark) XP
CPU: “Celeron” (registered trademark) 3.4 GHz
Memory: 512MB
Software used: Image processing library HALCON (Ver. 9.0, manufactured by MVtec)
First, image processing is performed by reading image data, then performing contour enhancement (processing in the order of differentiation filter (emphasize) and edge enhancement filter (shock_filter)) and then binarizing. . The differential filter “emphasize” and the edge enhancement filter “shock_filter” used for edge enhancement are image processing filters included in the HALCON of the image processing library. For binarization, an average value of the luminance of the entire image is obtained, an offset of 10 is applied to the average value, a portion showing a larger value is defined as a portion where the linear structure exists, and the linear structure Replace the gray value of the region where the pixel exists with 255, replace the gray value of the other region (opening) with 0, perform expansion / contraction, thinning, and connect consecutive pixels with a gray value of 0, Extracted as an opening.

次に、画像処理により抽出された、1視野内の各開口部の開口面積Xをそれぞれ求め、1視野内の各開口部の内、式(1)を満たす開口部について、式(2)により開口面積のバラツキ偏差σを算出した。
X<Xmax × 0.9 ・・・式(1)
ここで、Xmaxは1視野内の画像データにおける開口面積の最大値とした。
σ={(Σ(X−A))/N}0.5 (ここで、Σはi=1〜N)
・・・式(2)
ここで、Aは1視野内の式(1)を満たす開口部の各開口面積Xの平均値、Nは1視野内の式(1)を満たす開口部の総数とした。
Next, the opening area X of each opening in one field of view extracted by image processing is obtained, and the opening that satisfies Expression (1) among the openings in one field of view is expressed by Expression (2). The variation deviation σ of the opening area was calculated.
X <Xmax × 0.9 (1)
Here, Xmax is the maximum value of the aperture area in the image data within one field of view.
σ = {(Σ (X−A) 2 ) / N} 0.5 (where Σ is i = 1 to N)
... Formula (2)
Here, A is the average value of the opening areas X of the openings satisfying the expression (1) in one field of view, and N is the total number of openings satisfying the expression (1) in one field of view.

(4)表面抵抗値R
導電積層体の導電層側の表面抵抗値を、非接触式抵抗率計(ナプソン(株)製 NC−10)を用い渦電流方式で100mm×50mmのサンプルの中央部分を測定した。5サンプルについて平均値を算出し、これを表面抵抗値R[Ω/□]とした。検出限界を超えて表面抵抗値が得られなかった場合は、次いで以下の方法にて測定した。
(4) Surface resistance value R 0
The surface resistance value on the conductive layer side of the conductive laminate was measured at a central portion of a 100 mm × 50 mm sample by an eddy current method using a non-contact type resistivity meter (NC-10 manufactured by Napson Co., Ltd.). An average value was calculated for 5 samples, and this was defined as a surface resistance value R 0 [Ω / □]. When the surface resistance value was not obtained exceeding the detection limit, it was then measured by the following method.

高抵抗率計(三菱化学(株)製 Hiresta−UP MCP−HT450)を用い、リングタイププローブ(三菱化学(株)製 URSプローブ MCP−HTP14)を接続して二重リング方式で100mm×100mmのサンプルの中央部分を測定した。5サンプルについて平均値を算出し、これを表面抵抗値R[Ω/□]とした。尚、本発明においては、表面抵抗値としての実用上使用できる範囲を1×10[Ω/□]以下とし、これ以下を合格とした。Using a high resistivity meter (Hiresta-UP MCP-HT450 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), a ring type probe (URS probe MCP-HTP14 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) is connected and 100 mm × 100 mm in a double ring system. The central part of the sample was measured. An average value was calculated for 5 samples, and this was defined as a surface resistance value R 0 [Ω / □]. In the present invention, the practically usable range as the surface resistance value is set to 1 × 10 8 [Ω / □] or less, and this or less is regarded as acceptable.

(5)全光線透過率
濁度計(曇り度計)NDH2000(日本電色工業(株)製)を用いてJIS K7361−1:1997に基づいて、導電積層体厚み方向の全光線透過率を導電層側から光を入射させて測定した。5サンプルについて測定し、5サンプルの平均値を算出し、これを各水準の全光線透過率とした。本測定に当たっては、有効数字1桁が確保できる倍率を選択し、計算に当たっては、2桁目を四捨五入して値を求めた。尚、本発明においては、全光線透過率としての実用上使用できる範囲である76.5%以上を合格とした。
(5) Total light transmittance Using a turbidimeter (cloudiness meter) NDH2000 (manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.), based on JIS K7361-1: 1997, the total light transmittance in the thickness direction of the conductive laminate is obtained. Measurement was performed by making light incident from the conductive layer side. It measured about 5 samples, calculated the average value of 5 samples, and made this the total light transmittance of each level. In this measurement, a magnification that can secure one significant digit was selected, and the value was calculated by rounding off the second digit. In addition, in this invention, 76.5% or more which is the range which can be used practically as a total light transmittance was made into the pass.

(6)耐久性
(4)にて求めた表面抵抗値Rを初期表面抵抗値とした。次いで、5サンプルとも恒温器パーフェクトオーブン(エスペック(株)製 PH−400)にて温度60℃で湿度90%RHの高温高湿条件で24時間促進試験を実施した。促進試験後、5サンプルについて、促進試験前と同様に表面抵抗値を測定した。5サンプルの平均値を算出し、これを加熱後表面抵抗値Rとした。加熱前後の表面抵抗値変化として、前記初期表面抵抗値Rと加熱後表面抵抗値Rとの比R/Rを求めた。尚、R/Rが1.0以上で、かつ、1.0に近いほど耐久性が高く導電性を維持していることを意味し、最も耐久性が高いものは加熱前後での表面抵抗値変化がない、すなわちR/Rが1.0であり、逆にR/Rが大きいほど熱に対し耐久性が低いことを意味する。尚、本発明においては、R/Rとしての実用上使用できる範囲を2.0以下とし、これ以下を合格とした。
(6) Durability The surface resistance value R0 obtained in (4) was used as the initial surface resistance value. Next, an acceleration test was carried out for 24 hours in a high temperature and high humidity condition at a temperature of 60 ° C. and a humidity of 90% RH in a thermostat perfect oven (PH-400 manufactured by Espec Corp.). After the acceleration test, the surface resistance value of five samples was measured in the same manner as before the acceleration test. The average value of 5 samples was calculated and used as the surface resistance value R after heating. As a change in surface resistance value before and after heating, a ratio R / R 0 between the initial surface resistance value R 0 and the surface resistance value R after heating was determined. In addition, R / R 0 is 1.0 or more, and it means that durability is high, and it is maintaining electroconductivity, so that it is close to 1.0, and the thing with the highest durability is surface resistance before and behind heating. The value does not change, that is, R / R 0 is 1.0. Conversely, the larger R / R 0 means that the durability against heat is lower. In addition, in this invention, the range which can be used practically as R / R0 was 2.0 or less, and this or less was set as the pass.

[材料]
<基材>
各実施例及び比較例に使用した基材を以下に示す。
[material]
<Base material>
The base materials used in each example and comparative example are shown below.

(1)基材A
・ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製 “ルミラー”(登録商標)T60)
・厚み125μm
・親水層なし
(2)基材B
・基材Aの両面に下記ポリエステル系樹脂親水層を積層した親水性基材。
・厚み125μm
・ポリエステル系樹脂親水層
下記<ポリエステル樹脂(a1)>と下記<ポリエステル樹脂(a2)>とを、質量比1:1で混合して<ポリエステル樹脂(A)>を得た。次いで、前記<ポリエステル樹脂(A)>を100質量部、下記<メラミン系架橋剤(B)>を50質量部含有する親水層用組成物を得た。この親水層用組成物を厚み0.1μm(片面あたり。以下特にことわらない限り全て同様。)にて基材A上に積層し、基材Bとした。
<ポリエステル樹脂(a1)>
・下記(i)/(ii)/(iii)/(iv)の成分比率=12/76/12/100[mol%]
(i)5−ナトリウムスルホイソフタル酸(親水基を有する化合物)
(ii)2,6−ナフタレンジカルボン酸(親水基を有する化合物)
(iii)トリメリット酸(親水基を有する化合物)
(iv)エチレングリコール
<ポリエステル樹脂(a2)>
・下記(i)/(ii)/(iii)の成分比率=76/24/100[mol%]
(i)テレフタル酸(親水基を有する化合物)
(ii)トリメリット酸(親水基を有する化合物)
(iii)エチレングリコール
<メラミン系架橋剤(B)>
・メチロール化メラミン樹脂
(3)基材C
・基材Aの両面に下記アクリル系樹脂親水層を積層した親水性基材。
・厚み125μm
・アクリル系樹脂親水層
下記<アクリル樹脂(A)>を100質量部、下記<メラミン系架橋剤(B)>を50質量部含有する親水層用組成物を得た。この親水層用組成物を厚み0.1μmにて基材A上に積層し、基材Cとした。
<アクリル樹脂(A)>
・下記(i)/(ii)/(iii)/(iv)/(v)の成分比率=55/38/3/2/2[mol%]
(i)メチルメタクリレート
(ii)エチルアクリレート
(iii)N−メチロールアクリルアミド
(iv)2−ヒドロキシエチルメタクリレート(親水基を有する化合物)
(v)アクリル酸(親水基を有する化合物)
<メラミン系架橋剤(B)>
・メチロール化メラミン樹脂
<導電材>
各実施例及び比較例における、各導電材を以下に示す。
(1) Substrate A
・ Polyethylene terephthalate film ("Lumirror" (registered trademark) T60 manufactured by Toray Industries, Inc.)
・ Thickness 125μm
-No hydrophilic layer (2) Base material B
A hydrophilic substrate in which the following polyester resin hydrophilic layers are laminated on both surfaces of the substrate A.
・ Thickness 125μm
Polyester resin hydrophilic layer <Polyester resin (a1)> and <Polyester resin (a2)> below were mixed at a mass ratio of 1: 1 to obtain <Polyester resin (A)>. Next, a hydrophilic layer composition containing 100 parts by mass of the <polyester resin (A)> and 50 parts by mass of the following <melamine-based crosslinking agent (B)> was obtained. This hydrophilic layer composition was laminated on the base material A at a thickness of 0.1 μm (per side, hereinafter the same unless otherwise specified) to obtain a base material B.
<Polyester resin (a1)>
-Component ratio of the following (i) / (ii) / (iii) / (iv) = 12/76/12/100 [mol%]
(I) 5-sodium sulfoisophthalic acid (compound having a hydrophilic group)
(Ii) 2,6-naphthalenedicarboxylic acid (compound having a hydrophilic group)
(Iii) Trimellitic acid (compound having a hydrophilic group)
(Iv) Ethylene glycol <Polyester resin (a2)>
-Component ratio of the following (i) / (ii) / (iii) = 76/24/100 [mol%]
(I) Terephthalic acid (compound having a hydrophilic group)
(Ii) trimellitic acid (compound having a hydrophilic group)
(Iii) Ethylene glycol <Melamine-based cross-linking agent (B)>
・ Methylolated melamine resin (3) Base material C
A hydrophilic base material in which the following acrylic resin hydrophilic layers are laminated on both surfaces of the base material A.
・ Thickness 125μm
-Hydrophilic layer of acrylic resin A composition for a hydrophilic layer containing 100 parts by mass of the following <acrylic resin (A)> and 50 parts by mass of the following <melamine crosslinking agent (B)> was obtained. This hydrophilic layer composition was laminated on the substrate A with a thickness of 0.1 μm to form a substrate C.
<Acrylic resin (A)>
-Component ratio of the following (i) / (ii) / (iii) / (iv) / (v) = 55/38/3/2/2 [mol%]
(I) methyl methacrylate (ii) ethyl acrylate (iii) N-methylol acrylamide (iv) 2-hydroxyethyl methacrylate (compound having a hydrophilic group)
(V) Acrylic acid (compound having a hydrophilic group)
<Melamine crosslinking agent (B)>
・ Methylolated melamine resin <conductive material>
Each conductive material in each example and comparative example is shown below.

(1)導電材A「銀ナノワイヤー」
銀ナノワイヤー導電材(短軸:50〜100nm、長軸:20〜40μm)。
(1) Conductive material A “silver nanowire”
Silver nanowire conductive material (short axis: 50 to 100 nm, long axis: 20 to 40 μm).

(2)導電材B「銅ナノワイヤー」
特開2002−266007号公報の製造例1、実施例2に記載の方法にて得た銅ナノワイヤー導電材(短軸:10〜20nm、長軸:1〜100μm)。
(2) Conductive material B "Copper nanowire"
Copper nanowire conductive material (short axis: 10 to 20 nm, long axis: 1 to 100 μm) obtained by the method described in Production Example 1 and Example 2 of JP-A-2002-266007.

(3)導電材C「銀ナノワイヤー・銅ナノワイヤー混合導電材」
前記導電材A「銀ナノワイヤー」と前記導電材B「銅ナノワイヤー」とを質量比6:4となるように混合して得た銀ナノワイヤー・銅ナノワイヤー混合導電材。
(3) Conductive material C “Silver nanowire / copper nanowire mixed conductive material”
A silver nanowire / copper nanowire mixed conductive material obtained by mixing the conductive material A “silver nanowire” and the conductive material B “copper nanowire” in a mass ratio of 6: 4.

(4)導電材D「針状二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物導電材」
針状形状の二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物(大塚化学(株)製 “デントール”(登録商標)TM100、短軸:700〜900nm、長軸:15〜25μm)導電材。
<マトリックス、添加剤>
各実施例及び比較例のマトリックス、添加剤に使用した材料を以下に示す。
(4) Conductive material D “Acicular silicon dioxide-based / ATO (antimony-doped tin oxide) composite compound conductive material”
Needle-like silicon dioxide-based / ATO (antimony-doped tin oxide) composite compound (“Dentor” (registered trademark) TM100, manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd., short axis: 700 to 900 nm, long axis: 15 to 25 μm) conductive material.
<Matrix, additive>
The materials used for the matrix and additive of each Example and Comparative Example are shown below.

(1)マトリックス材料A
アクリロイル基として重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を2個以上有する化合物を含有するアクリル系組成物(綜研化学(株)製 “フルキュア”(登録商標)HC−6、固形分濃度51質量%)。
(1) Matrix material A
An acrylic composition containing a compound having two or more carbon-carbon double bond groups contributing to the polymerization reaction as an acryloyl group (“Fure Cure” (registered trademark) HC-6, manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., solid content concentration 51) mass%).

(2)添加剤A
構造式(1)の構造を分子内に有する化合物(米国DuPont社製のZonyl FSA)。
(2) Additive A
A compound having a structure of the structural formula (1) in the molecule (Zonyl FSA manufactured by DuPont, USA).

(実施例1)
導電材Aを含む水分散液として、銀ナノワイヤー分散液(米国Cambrios社製“ClearOhm”(登録商標) Ink−A AQ)を用いた。この銀ナノワイヤー分散液を、銀ナノワイヤーの濃度が0.042質量%となるように希釈して銀ナノワイヤー分散塗液を調製した。
Example 1
As the aqueous dispersion containing the conductive material A, a silver nanowire dispersion (“ClearOhm” (registered trademark) Ink-A AQ manufactured by Cambrios, USA) was used. This silver nanowire dispersion liquid was diluted so that the concentration of silver nanowires was 0.042% by mass to prepare a silver nanowire dispersion coating liquid.

次いで、この銀ナノワイヤー分散塗液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手8を使用して基材Aの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し30°の方向から120℃の熱風を60秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。   Next, this silver nanowire-dispersed coating liquid (conductive composition) was applied to one side of the substrate A using a bar coater count 8 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd., and the applied surface was 30 ° with respect to the coating direction. A conductive layer was formed by applying hot air of 120 ° C. from the direction of 60 seconds for 60 seconds and drying by heating to obtain a conductive laminate.

(実施例2)
実施例1の銀ナノワイヤーの濃度が0.042質量%である銀ナノワイヤー分散塗液を調製した。この銀ナノワイヤー分散塗液に、添加剤Aの成分量が銀ナノワイヤー100質量部に対し65質量部となるように添加剤Aを混合し、銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液を得た。
(Example 2)
A silver nanowire-dispersed coating liquid having a concentration of silver nanowires of Example 1 of 0.042% by mass was prepared. In this silver nanowire dispersion coating liquid, additive A was mixed so that the component amount of additive A was 65 parts by mass with respect to 100 parts by mass of silver nanowires to obtain a silver nanowire / additive mixture dispersion. .

次いで、この銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手8を使用して基材Aの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し30°の方向から120℃の熱風を60秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、構造式(1)の構造を分子内に有する化合物を導電層内に含むことで、開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少し、化合物を含まない実施例1よりも表面抵抗値が低下した。   Next, this silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition) was applied to one side of the substrate A using a bar coater count 8 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd. On the other hand, a conductive layer was formed by applying hot air of 120 ° C. from a direction of 30 ° for 60 seconds and drying by heating to obtain a conductive laminate. In this conductive laminate, the compound having the structure of the structural formula (1) in the molecule is included in the conductive layer, so that the average value A of the opening area and the variation deviation σ thereof are reduced, and no compound is included. The surface resistance value decreased.

(実施例3)
実施例2の銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液を準備した。
(Example 3)
The silver nanowire / additive mixture dispersion of Example 2 was prepared.

次いで、この銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手9を使用して基材Bの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し30°の方向から120℃の熱風を60秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、親水性基材上に導電層を形成することで、開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少し、親水層のない基材Aを用いた実施例2よりも表面抵抗値が低下した。   Next, this silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition) was applied to one side of the substrate B using a bar coater count 9 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd. On the other hand, a conductive layer was formed by applying hot air of 120 ° C. from a direction of 30 ° for 60 seconds and drying by heating to obtain a conductive laminate. In this conductive laminate, by forming a conductive layer on a hydrophilic substrate, the average value A of the opening area and the variation deviation σ thereof are reduced, which is more than in Example 2 using the substrate A having no hydrophilic layer. The surface resistance value decreased.

(実施例4)
塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から80℃の熱風を60秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成したこと以外は、実施例3と同様にして導電層を形成し、導電積層体を得た。この導電積層体は、加熱乾燥時の条件を好ましい条件に変更することで、開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少し、変更前の実施例3よりも表面抵抗値が低下した。
Example 4
A conductive layer was formed in the same manner as in Example 3 except that a conductive layer was formed by applying hot air of 80 ° C. from a direction of 90 ° to the coated surface for 60 seconds and drying by heating. A laminate was obtained. In this conductive laminate, the average value A of the opening area and the variation deviation σ thereof were reduced by changing the conditions at the time of heating and drying to preferable conditions, and the surface resistance value was lower than that of Example 3 before the change.

(実施例5)
実施例2の銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液を準備した。
(Example 5)
The silver nanowire / additive mixture dispersion of Example 2 was prepared.

次いで、この銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手10を使用して基材Cの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から80℃の熱風を60秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、バーコーターの番手を変更し銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)の塗布量を変更することで、開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少し、変更前の実施例4よりも表面抵抗値が低下した。   Next, this silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition) was applied to one side of the substrate C using a bar coater count 10 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd. On the other hand, a conductive layer was formed by applying hot air at 80 ° C. for 60 seconds from the direction of 90 ° and drying by heating to obtain a conductive laminate. By changing the number of the bar coater and changing the coating amount of the silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition), this conductive laminate decreases the average value A of the opening area and its variation deviation σ. The surface resistance value was lower than that in Example 4 before the change.

(実施例6)
基材Bを用いたこと以外は、実施例5と同様にして導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、親水性基材の種類を変更することで開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少し、親水層の異なる基材Cを用いた実施例5よりも表面抵抗値が低下した。
(Example 6)
A conductive layer was formed in the same manner as in Example 5 except that the substrate B was used, and this was used as a conductive laminate. In this conductive laminate, the average value A of the opening area and the variation deviation σ thereof are reduced by changing the type of the hydrophilic substrate, and the surface resistance value is higher than that in Example 5 using the substrate C having a different hydrophilic layer. Decreased.

(実施例7)
実施例2の銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液を準備した。
(Example 7)
The silver nanowire / additive mixture dispersion of Example 2 was prepared.

次いで、この銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手12を使用して基材Cの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から80℃の熱風を60秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、バーコーターの番手を変更し銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)の塗布量を変更することで、開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少し、変更前の実施例5よりも表面抵抗値が低下した。   Next, this silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition) was applied to one side of the substrate C using a bar coater count 12 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd. On the other hand, a conductive layer was formed by applying hot air at 80 ° C. for 60 seconds from the direction of 90 ° and drying by heating to obtain a conductive laminate. By changing the number of the bar coater and changing the coating amount of the silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition), this conductive laminate decreases the average value A of the opening area and its variation deviation σ. The surface resistance value was lower than that of Example 5 before the change.

(実施例8)
基材Bを用いたこと以外は、実施例7と同様にして導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、親水性基材の種類を変更することで開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少し、親水層の異なる基材Cを用いた実施例7よりも表面抵抗値が低下した。
(Example 8)
A conductive layer was formed in the same manner as in Example 7 except that the substrate B was used, and this was used as a conductive laminate. In this conductive laminate, the average value A of the opening area and the variation deviation σ thereof are reduced by changing the type of the hydrophilic base material, and the surface resistance value is higher than that in Example 7 using the base material C having a different hydrophilic layer. Decreased.

(実施例9)
実施例2の銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液を準備した。
Example 9
The silver nanowire / additive mixture dispersion of Example 2 was prepared.

次いで、この銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手14を使用して基材Bの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から80℃の熱風を60秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、バーコーターの番手を変更し銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)の塗布量を変更することで、開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少し、変更前の実施例8よりも表面抵抗値が低下した。   Next, this silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition) was applied to one side of the base material B using a bar coater count 14 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd. On the other hand, a conductive layer was formed by applying hot air at 80 ° C. for 60 seconds from the direction of 90 ° and drying by heating to obtain a conductive laminate. By changing the number of the bar coater and changing the coating amount of the silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition), this conductive laminate decreases the average value A of the opening area and its variation deviation σ. The surface resistance value was lower than that of Example 8 before the change.

(実施例10)
実施例2の銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液を準備した。
(Example 10)
The silver nanowire / additive mixture dispersion of Example 2 was prepared.

次いで、この銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手16を使用して基材Bの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から80℃の熱風を60秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、バーコーターの番手を変更し銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)の塗布量を変更することで、開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少し、変更前の実施例9よりも表面抵抗値が低下した。   Next, this silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition) was applied to one side of the substrate B using a bar coater count 16 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd. On the other hand, a conductive layer was formed by applying hot air at 80 ° C. for 60 seconds from the direction of 90 ° and drying by heating to obtain a conductive laminate. By changing the number of the bar coater and changing the coating amount of the silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition), this conductive laminate decreases the average value A of the opening area and its variation deviation σ. The surface resistance value was lower than that of Example 9 before the change.

(実施例11)
実施例2の銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液を準備した。
(Example 11)
The silver nanowire / additive mixture dispersion of Example 2 was prepared.

次いで、この銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手20を使用して基材Bの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から80℃の熱風を90秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、バーコーターの番手を変更し銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)の塗布量と共に、さらに乾燥時間も変更することで、開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少し、変更前の実施例10よりも表面抵抗値が低下した。   Next, this silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition) was applied to one side of the substrate B using a bar coater count 20 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd. On the other hand, a conductive layer was formed by applying hot air at 80 ° C. for 90 seconds from the direction of 90 ° and drying by heating to obtain a conductive laminate. In this conductive laminate, the average value A of the opening area and its variation are changed by changing the count of the bar coater and changing the coating time of the silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition) and also the drying time. The deviation σ decreased, and the surface resistance value was lower than that of Example 10 before the change.

(実施例12)
実施例2の銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液を準備した。
(Example 12)
The silver nanowire / additive mixture dispersion of Example 2 was prepared.

次いで、この銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手24を使用して基材Bの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から80℃の熱風を120秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、バーコーターの番手を変更し銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)の塗布量と共に、さらに乾燥時間も変更することで、開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少し、変更前の実施例11よりも表面抵抗値が低下した。   Next, this silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition) was applied to one side of the substrate B using a bar coater count 24 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd. On the other hand, a conductive layer was formed by applying hot air of 80 ° C. from a direction of 90 ° for 120 seconds and drying by heating to obtain a conductive laminate. In this conductive laminate, the average value A of the opening area and its variation are changed by changing the count of the bar coater and changing the coating time of the silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition) and also the drying time. The deviation σ decreased, and the surface resistance value was lower than that of Example 11 before the change.

(実施例13)
実施例2の銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液を準備した。
(Example 13)
The silver nanowire / additive mixture dispersion of Example 2 was prepared.

次いで、この銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手28を使用して基材Bの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から80℃の熱風を120秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、バーコーターの番手を変更し銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)の塗布量を変更することで、開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少し、変更前の実施例12よりも表面抵抗値が低下した。   Next, this silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition) was applied to one side of the substrate B using a bar coater count 28 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd. On the other hand, a conductive layer was formed by applying hot air of 80 ° C. from a direction of 90 ° for 120 seconds and drying by heating to obtain a conductive laminate. By changing the number of the bar coater and changing the coating amount of the silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition), this conductive laminate decreases the average value A of the opening area and its variation deviation σ. The surface resistance value was lower than that of Example 12 before the change.

(実施例14)
導電材Dを用い、バインダー成分としてアクリル系樹脂(綜研化学(株)製 “フォレット”(登録商標)GS−1000、固形分濃度30質量%)を固形分全体に対する導電材が60質量%となるように混合(固形分混合比:バインダー成分/導電材=40質量%/60質量%)し、次いでこの混合液に塗料固形分濃度50質量%となるように酢酸エチルを加えて濃度調整し、針状二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物分散液を得た。
(Example 14)
Using conductive material D, acrylic resin (“Follet” (registered trademark) GS-1000, solid content concentration 30 mass%, manufactured by Soken Chemical Co., Ltd.) as a binder component is 60 mass% with respect to the total solid content. (Solid content mixing ratio: binder component / conductive material = 40% by mass / 60% by mass), and then adjusting the concentration by adding ethyl acetate to this mixed solution so that the solid content of the paint is 50% by mass, An acicular silicon dioxide-based / ATO (antimony-doped tin oxide) composite compound dispersion was obtained.

次いで、この針状二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物分散液を、材質がsusのシム(シム厚み100μm)を装着したスリットダイコートを使用して基材Bの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し30°の方向から120℃の熱風を300秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、実施例1〜13から導電材を変更することで、表面抵抗値と光学特性の調整が可能となった。   Next, this acicular silicon dioxide-based / ATO (antimony-doped tin oxide) composite compound dispersion was applied to one side of the substrate B using a slit die coat equipped with a shim made of sus (shim thickness 100 μm), A conductive layer was formed on the coated surface by applying hot air of 120 ° C. from a direction of 30 ° to the coating direction for 300 seconds and drying by heating to obtain a conductive laminate. In this conductive laminate, the surface resistance value and the optical characteristics can be adjusted by changing the conductive material from Examples 1 to 13.

(実施例15)
塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から80℃の熱風を300秒間あてて加熱乾燥したこと以外は実施例14と同様に導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、実施例1〜13と異なる導電材を用いても、加熱乾燥時の条件を好ましい条件に変更することで、開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少する効果が得られ、変更前の実施例14よりも表面抵抗値が低下した。
(Example 15)
A conductive layer was formed in the same manner as in Example 14 except that hot air of 80 ° C. was applied for 300 seconds from a direction 90 ° to the coating direction on the coated surface, and this was used as a conductive laminate. Even when a conductive material different from those in Examples 1 to 13 is used, this conductive laminate has the effect of reducing the average value A of the opening area and its variation deviation σ by changing the conditions at the time of heating and drying to preferable conditions. As a result, the surface resistance value was lower than that of Example 14 before the change.

(実施例16)
導電材Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして銅ナノワイヤー分散液を得た。次いで、実施例1と同一の銀ナノワイヤー分散塗液と、銅ナノワイヤー分散塗液とを、銀ナノワイヤー分散塗液:銅ナノワイヤー分散塗液=6:4と質量比がなるように混合し、銀ナノワイヤー/銅ナノワイヤー混合導電材分散塗液を得た。
(Example 16)
A copper nanowire dispersion was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive material B was used. Next, the same silver nanowire dispersion coating liquid as in Example 1 and the copper nanowire dispersion coating liquid were mixed so that the mass ratio was silver nanowire dispersion coating liquid: copper nanowire dispersion coating liquid = 6: 4. Then, a silver nanowire / copper nanowire mixed conductive material dispersion coating liquid was obtained.

次いで、この銀ナノワイヤー/銅ナノワイヤー混合導電材分散塗液(混合導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手9を使用して基材Bの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し30°の方向から120℃の熱風を60秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、実施例1〜13の導電材に異なる導電材を混合することで、表面抵抗値と光学特性の調整が可能となった。   Next, this silver nanowire / copper nanowire mixed conductive material dispersion coating liquid (mixed conductive composition) was applied to one side of the substrate B using a bar coater count 9 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd. A conductive layer was formed on the surface by applying hot air of 120 ° C. from a direction of 30 ° to the coating direction for 60 seconds and drying by heating to obtain a conductive laminate. This conductive laminate was able to adjust the surface resistance value and optical characteristics by mixing different conductive materials with the conductive materials of Examples 1-13.

(実施例17)
実施例2と同一の銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液と、実施例16と同一の銅ナノワイヤー分散液とを、銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液:銅ナノワイヤー分散塗液=6:4と質量比がなるように混合し、銀ナノワイヤー/銅ナノワイヤー/添加剤混合導電材分散塗液を得た。
(Example 17)
The same silver nanowire / additive mixture dispersion as in Example 2 and the same copper nanowire dispersion as in Example 16 were combined into a silver nanowire / additive mixture dispersion: copper nanowire dispersion coating liquid = 6: 4 was mixed so as to have a mass ratio to obtain a silver nanowire / copper nanowire / additive mixed conductive material dispersion coating solution.

次いで、この銀ナノワイヤー/銅ナノワイヤー/添加剤混合導電材分散塗液(混合導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手9を使用して基材Bの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から80℃の熱風を60秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。この導電積層体は、実施例16と同様の混合導電材を用いても、構造式(1)の構造を分子内に有する化合物を導電層内に含み、さらに、加熱乾燥時の条件を好ましい条件に変更することで、開口面積の平均値Aとそのバラツキ偏差σが減少する効果が得られ、変更前の実施例16よりも表面抵抗値が低下した。   Next, this silver nanowire / copper nanowire / additive mixed conductive material dispersion coating liquid (mixed conductive composition) was applied to one side of the substrate B using a bar coater count 9 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd. A conductive layer was formed by applying hot air at 80 ° C. for 60 seconds from the direction of 90 ° to the coated surface for 60 seconds to form a conductive laminate. This conductive laminate includes the compound having the structure of the structural formula (1) in the molecule in the conductive layer even when the same mixed conductive material as in Example 16 is used. By changing to, an effect of reducing the average value A of the opening area and its variation deviation σ was obtained, and the surface resistance value was lower than that of Example 16 before the change.

(実施例18)
マトリックス材料A50.0g、酢酸エチル2268gを混合、撹拌し、マトリックス組成物を調製した。
(Example 18)
Matrix material A (50.0 g) and ethyl acetate (2268 g) were mixed and stirred to prepare a matrix composition.

次いで、マトリックス組成物を、実施例8の導電層側に材質がsusのシム(シム厚み50μm)を装着したスリットダイコートを使用して塗布、120℃で2分間乾燥後、紫外線を80mJ/cm照射し硬化させ、マトリックス厚みが120nmのマトリックスを含む導電層を形成し、これを導電積層体とした。導電層にマトリックスを含むことで、実施例8と比較し、耐久性が向上した。Next, the matrix composition was applied using a slit die coat with a shim material (shim thickness 50 μm) mounted on the conductive layer side of Example 8, dried at 120 ° C. for 2 minutes, and then irradiated with ultraviolet rays at 80 mJ / cm 2. Irradiation and curing were performed to form a conductive layer containing a matrix having a matrix thickness of 120 nm, and this was used as a conductive laminate. By including a matrix in the conductive layer, durability was improved as compared with Example 8.

(実施例19)
実施例13の導電層側に、実施例18と同様にマトリックス厚みが120nmのマトリックスを含む導電層を形成し、これを導電積層体とした。導電層にマトリックスを含むことで、実施例13と比較し、耐久性が向上した。
(Example 19)
A conductive layer including a matrix having a matrix thickness of 120 nm was formed on the conductive layer side of Example 13 in the same manner as in Example 18, and this was used as a conductive laminate. By including a matrix in the conductive layer, durability was improved as compared with Example 13.

(比較例1)
基材Bに導電層を設けずに、基材のみとした。
(Comparative Example 1)
The base material B was not provided with a conductive layer, and only the base material was used.

(比較例2)
導電材Aを含む水分散液として、銀ナノワイヤー分散液(米国Cambrios社製CleraOhm Ink−A AQ)を準備した。この銀ナノワイヤー分散液に、銀ナノワイヤーの濃度が0.0084質量%(実施例1に対し、銀ナノワイヤーの量が1/5)となるように銀ナノワイヤー分散塗液を調製した。
(Comparative Example 2)
As an aqueous dispersion containing the conductive material A, a silver nanowire dispersion (CleraOhm Ink-A AQ manufactured by Cambrios, USA) was prepared. In this silver nanowire dispersion liquid, a silver nanowire dispersion coating liquid was prepared so that the concentration of silver nanowires was 0.0084% by mass (the amount of silver nanowires was 1/5 with respect to Example 1).

次いで、この銀ナノワイヤー分散塗液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手9を使用して基材Bの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から80℃の熱風を60秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成した。本条件で得られた導電材の塗布層中では銀ナノワイヤーはネットワーク構造を有しておらず、本比較例の積層体は導電性を示さなかったため、開口面積の平均値A及びバラツキ偏差σの評価は実施しなかった。   Next, this silver nanowire-dispersed coating liquid (conductive composition) was applied to one side of the substrate B using a bar coater count 9 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd., and the applied surface was 90 ° with respect to the coating direction. The conductive layer was formed by applying hot air of 80 ° C. for 60 seconds from the direction of the above and drying by heating. In the coating layer of the conductive material obtained under these conditions, the silver nanowires did not have a network structure, and the laminate of this comparative example did not exhibit conductivity. Therefore, the average value A of the opening area and the variation deviation σ Evaluation of was not carried out.

(比較例3)
導電材Aを含む水分散液として、銀ナノワイヤー分散液(米国Cambrios社製CleraOhm Ink−A AQ)を準備した。この銀ナノワイヤー分散液に、銀ナノワイヤーの濃度が0.0042質量%(実施例1に対し、銀ナノワイヤーの量が1/10)となるように銀ナノワイヤー分散塗液を調製した。
(Comparative Example 3)
As an aqueous dispersion containing the conductive material A, a silver nanowire dispersion (CleraOhm Ink-A AQ manufactured by Cambrios, USA) was prepared. In this silver nanowire dispersion liquid, a silver nanowire dispersion coating liquid was prepared so that the concentration of silver nanowires was 0.0042% by mass (the amount of silver nanowires was 1/10 with respect to Example 1).

次いで、この銀ナノワイヤー分散塗液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手80を使用して基材Aの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し30°の方向から180℃の熱風を600秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。   Next, this silver nanowire dispersion coating liquid (conductive composition) was applied to one side of the substrate A using a bar coater count 80 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd., and the applied surface was 30 ° to the coating direction. A conductive layer was formed by applying hot air at 180 ° C. for 600 seconds from the direction of heating and drying by heating to obtain a conductive laminate.

本条件で得られた導電材の塗布層中では銀ナノワイヤーはネットワーク構造を有していたが、本比較例の導電積層体は、ネットワーク構造の開口部における開口面積の平均値A及びバラツキ偏差σ共に大きい値となり、銀ナノワイヤーを使用した実施例の導電積層体に対して表面抵抗値が高く導電性が低いものとなった。   Silver nanowires had a network structure in the conductive material coating layer obtained under these conditions, but the conductive laminate of this comparative example had an average value A and variation deviation of the opening area in the openings of the network structure. Both σ were large values, and the surface resistance value was high and the conductivity was low compared to the conductive laminates of Examples using silver nanowires.

(比較例4)
導電材Aを含む水分散液として、銀ナノワイヤー分散液(米国Cambrios社製CleraOhm Ink−A AQ)を準備した。この銀ナノワイヤー分散液に、銀ナノワイヤーの濃度が0.0084質量%(実施例1に対し、銀ナノワイヤーの量が1/5)となるように銀ナノワイヤー分散塗液を調製した。
(Comparative Example 4)
As an aqueous dispersion containing the conductive material A, a silver nanowire dispersion (CleraOhm Ink-A AQ manufactured by Cambrios, USA) was prepared. In this silver nanowire dispersion liquid, a silver nanowire dispersion coating liquid was prepared so that the concentration of silver nanowires was 0.0084% by mass (the amount of silver nanowires was 1/5 with respect to Example 1).

次いで、この銀ナノワイヤー分散塗液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手50を使用して基材Aの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から180℃の熱風を600秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。   Next, this silver nanowire-dispersed coating liquid (conductive composition) was applied to one side of the base material A using a bar coater count 50 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd., and the applied surface was 90 ° to the coating direction. A conductive layer was formed by applying hot air at 180 ° C. for 600 seconds from the direction of heating and drying by heating to obtain a conductive laminate.

本条件で得られた導電材の塗布層中では銀ナノワイヤーはネットワーク構造を有していたが、本比較例の導電積層体は、ネットワーク構造の開口部における開口面積のバラツキ偏差σが大きい値となり、銀ナノワイヤーを使用した実施例の導電積層体に対して表面抵抗値が高く導電性が低いものとなった。   In the conductive material coating layer obtained under these conditions, the silver nanowires had a network structure, but the conductive laminate of this comparative example had a large variation deviation σ of the opening area at the opening of the network structure. Thus, the conductive laminate of the example using silver nanowires had a high surface resistance and low conductivity.

(比較例5)
松尾産業(株)製のバーコーター番手40を使用して基材Aの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し90°の方向から80℃の熱風を600秒間あてて加熱乾燥したこと以外は比較例4と同様に導電層を形成し、これを導電積層体とした。
(Comparative Example 5)
Using a bar coater count 40 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd., coated on one side of the base material A, and heated and dried by applying hot air of 80 ° C. from 90 ° to the coated surface for 600 seconds. Except for the above, a conductive layer was formed in the same manner as in Comparative Example 4, and this was used as a conductive laminate.

本条件で得られた導電材の塗布層中では銀ナノワイヤーはネットワーク構造を有していたが、本比較例の導電積層体は、ネットワーク構造の開口部における開口面積の平均値Aが大きい値となり、銀ナノワイヤーを使用した実施例の導電積層体に対して表面抵抗値が高く導電性が低いものとなった。   In the conductive material coating layer obtained under these conditions, the silver nanowires had a network structure, but the conductive laminate of this comparative example had a large average value A of the opening area in the openings of the network structure. Thus, the conductive laminate of the example using silver nanowires had a high surface resistance and low conductivity.

(比較例6)
比較例4の銀ナノワイヤーの濃度が0.0084質量%(実施例1に対し、銀ナノワイヤーの量が1/5)である銀ナノワイヤー分散塗液を準備した。この銀ナノワイヤー分散塗液に、添加剤Aの成分量が銀ナノワイヤー100質量部に対し86質量部となるように添加剤Aを混合し、銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液を得た。
(Comparative Example 6)
A silver nanowire-dispersed coating liquid having a concentration of silver nanowires of Comparative Example 4 of 0.0084% by mass (the amount of silver nanowires is 1/5 relative to Example 1) was prepared. In this silver nanowire dispersion coating liquid, additive A was mixed so that the component amount of additive A was 86 parts by mass with respect to 100 parts by mass of silver nanowires to obtain a silver nanowire / additive mixed dispersion. .

次いで、この銀ナノワイヤー/添加剤混合分散液(導電組成物)を、松尾産業(株)製のバーコーター番手50を使用して基材Aの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し150°の方向から150℃の熱風を600秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。   Next, this silver nanowire / additive mixture dispersion (conductive composition) was applied to one side of the substrate A using a bar coater count 50 manufactured by Matsuo Sangyo Co., Ltd. On the other hand, a conductive layer was formed by applying hot air of 150 ° C. from a direction of 150 ° for 600 seconds and drying by heating to obtain a conductive laminate.

本条件で得られた導電材の塗布層中では銀ナノワイヤーはネットワーク構造を有していたが、本比較例の導電積層体は、ネットワーク構造の開口部における開口面積のバラツキ偏差σが大きい値となり、銀ナノワイヤーを使用した実施例の導電積層体に対して表面抵抗値が高く導電性が低いものとなった。   In the conductive material coating layer obtained under these conditions, the silver nanowires had a network structure, but the conductive laminate of this comparative example had a large variation deviation σ of the opening area at the opening of the network structure. Thus, the conductive laminate of the example using silver nanowires had a high surface resistance and low conductivity.

(比較例7)
実施例14におけるバインダー成分であるアクリル系樹脂を用いずに、導電材Dの濃度が実施例14と同濃度になるように水を加えて濃度調整をし、針状二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物分散液を得た。
(Comparative Example 7)
The concentration was adjusted by adding water so that the concentration of the conductive material D would be the same as in Example 14 without using the acrylic resin as the binder component in Example 14, and the acicular silicon dioxide-based ATO (antimony) A dope tin oxide) composite compound dispersion was obtained.

次いで、この針状二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物分散液を、材質がsusのシム(シム厚み100μm)を装着したスリットダイコートを使用して基材Aの片面に塗布し、塗布した面に塗布方向に対し0°の方向から150℃の熱風を300秒間あてて加熱乾燥することで導電層を形成し、これを導電積層体とした。   Next, this acicular silicon dioxide-based / ATO (antimony-doped tin oxide) composite compound dispersion was applied to one side of the substrate A using a slit die coat equipped with a shim made of sus (sim thickness 100 μm), A conductive layer was formed by applying hot air of 150 ° C. from the direction of 0 ° to the coated surface for 300 seconds and drying by heating to obtain a conductive laminate.

本条件で得られた導電材の塗布層中では針状二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物はネットワーク構造を有していたが、本比較例の導電積層体は、ネットワーク構造の開口部における開口面積の平均値A及びバラツキ偏差σ共に大きい値となり、針状二酸化ケイ素系・ATO(アンチモンドープ酸化錫)複合化合物を使用した実施例の導電積層体に対して表面抵抗値が高く導電性が低いものとなった。   In the conductive material coating layer obtained under these conditions, the acicular silicon dioxide-based / ATO (antimony-doped tin oxide) composite compound had a network structure, but the conductive laminate of this comparative example had a network structure. Both the average value A and the variation deviation σ of the opening area in the opening are large, and the surface resistance value is higher than that of the conductive laminate of the example using the acicular silicon dioxide-based / ATO (antimony-doped tin oxide) composite compound. The conductivity was low.

Figure 2013080908
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Figure 2013080908
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Figure 2013080908
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実施例のいずれにおいても、良好な導電性を示す導電積層体となった。実施例2のように導電層に線状構造体と共に構造式(1)の構造を分子内に有する化合物をさらに含有した場合や、実施例3のようにさらに親水層を有する基材を適用した場合、実施例4のようにさらに乾燥工程が好ましい条件を適用した場合は、実施例1よりもさらに導電性が良好となった。実施例5と6及び実施例7と8のように親水性基材の種類を変更したり、実施例9〜13のように導電層の形成方法を変更することで、さらに表面抵抗値を低くし導電性がさらに改善することができるだけでなく、光学特性(全光線透過率)も調整することが可能となった。   In any of the examples, a conductive laminate showing good conductivity was obtained. When the conductive layer further contains a compound having the structure of the structural formula (1) in the molecule together with the linear structure as in Example 2, or a substrate having a hydrophilic layer as in Example 3 was applied. In this case, the conductivity was further improved as compared with Example 1 when conditions where the drying process was more preferable as in Example 4 were applied. By changing the type of the hydrophilic substrate as in Examples 5 and 6 and Examples 7 and 8, or by changing the method of forming the conductive layer as in Examples 9 to 13, the surface resistance value is further reduced. In addition, the electrical conductivity can be further improved, and the optical characteristics (total light transmittance) can be adjusted.

導電層の成分が銀ナノワイヤーではない実施例14や15、銀ナノワイヤーと銀ナノワイヤー以外の線状構造体とを混合した導電層を用いた実施例16や17は、表面抵抗値と光学特性が銀ナノワイヤーのみの導電層である実施例1〜13に比較し劣る結果となった。   Examples 14 and 15 in which the components of the conductive layer are not silver nanowires, and Examples 16 and 17 using a conductive layer in which silver nanowires and linear structures other than silver nanowires are mixed, have surface resistance and optical properties. It became a result inferior compared with Examples 1-13 whose characteristic is a conductive layer of only silver nanowire.

さらに、同様の導電材(線状構造体)で形成した場合であっても、実施例18や19のように導電層に高分子マトリックスをさらに含む場合は、実施例8や13のように高分子マトリックスを含まない導電層の場合と比較して、耐久性が向上した。   Further, even when formed with the same conductive material (linear structure), when the polymer layer is further included in the conductive layer as in Examples 18 and 19, it is high as in Examples 8 and 13. The durability was improved as compared with the case of the conductive layer not containing the molecular matrix.

導電層を設けない場合や(比較例1)、線状構造体からなる導電成分を含んでいてもネットワーク構造を有していない場合は(比較例2)、導電性を示さない。導電層のネットワーク構造が、比較例4、6のように開口面積のバラツキ偏差σが大きい値となる場合や、比較例5の開口面積の平均値Aが大きい値となる場合は、たとえ、導電性の良好な導電材(線状構造体)である銀ナノワイヤーを使用したとしても、導電性が低い導電積層体となった。特に、比較例3や比較例7のように、開口面積の平均値A及びバラツキ偏差σ共に大きい値の場合は、いかなる導電材(線状構造体)であっても導電性が極端に低いものとなった。   When the conductive layer is not provided (Comparative Example 1), or when the conductive component including the linear structure is included but does not have the network structure (Comparative Example 2), the conductivity is not exhibited. When the network structure of the conductive layer has a large opening area variation deviation σ as in Comparative Examples 4 and 6, or the average value A of the opening area in Comparative Example 5 has a large value, Even when a silver nanowire which is a conductive material (linear structure) with good conductivity was used, a conductive laminate having low conductivity was obtained. In particular, as in Comparative Example 3 and Comparative Example 7, when the average value A and the variation deviation σ of the opening area are both large, any conductive material (linear structure) has extremely low conductivity. It became.

本発明の導電積層体は、導電性が良好なことからタッチパネル用途に好適に使用されるものである。さらに、本発明の導電積層体は、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)、電子ペーパーなどのディスプレイ関連や、太陽電池モジュールなどにおいて用いられる電極部材にも好適に使用することができる。   The conductive laminate of the present invention is suitably used for touch panel applications because of its good conductivity. Furthermore, the conductive laminate of the present invention can be suitably used for display members such as liquid crystal displays, organic electroluminescence (organic EL), and electronic paper, and electrode members used in solar cell modules and the like.

1:基材
2:親水性基材
3:親水層
4:導電層
5:積層面に垂直な方向より観察した導電面
6:単一の繊維状導電体(線状構造体の一例)
7:繊維状導電体の集合体(線状構造体の一例)
8:ナノワイヤー(線状構造体の一例)
9:ウィスカーのような針状導電体(線状構造体の一例)
10:マトリックス
11:繊維状導電体の重なりによる接点
12:ナノワイヤーの重なりによる接点
13:ウィスカーのような針状導電体の重なりによる接点
14:ネットワーク構造を有する線状構造体
15:線状構造体のネットワーク構造により形成される開口部
16:タッチパネルに組み込んだ導電積層体
17:タッチパネルに組み込んだ導電積層体の親水性基材
18:タッチパネルに組み込んだ導電積層体の導電層
19:接着剤や粘着剤による、導電積層体を積層するための接合層
20:タッチパネルの画面側の基材
21:タッチパネルの画面側の基材に積層したハードコート層
22:導電層表面
23:単一の線状構造体
24:集合体として存在する単一の線状構造体
25:線状構造体からなる集合体
26:単一の線状構造体の径r
27:線状構造体からなる集合体の線状構造体の径r
1: Base material 2: Hydrophilic base material 3: Hydrophilic layer 4: Conductive layer 5: Conductive surface observed from a direction perpendicular to the laminated surface 6: Single fibrous conductor (an example of a linear structure)
7: Aggregation of fibrous conductors (an example of a linear structure)
8: Nanowire (an example of a linear structure)
9: Needle-like conductor such as whisker (an example of a linear structure)
10: Matrix 11: Contact by overlapping fibrous conductors 12: Contact by overlapping nanowires 13: Contact by overlapping needle-like conductors such as whiskers 14: Linear structure 15 having a network structure 15: Linear structure Opening 16 formed by body network structure: conductive laminate 17 incorporated in touch panel: hydrophilic substrate 18 of conductive laminate incorporated in touch panel: conductive layer 19 of conductive laminate incorporated in touch panel: adhesive or Bonding layer 20 for laminating the conductive laminate with the adhesive: base material 21 on the screen side of the touch panel: hard coat layer 22 laminated on the base material on the screen side of the touch panel 22: conductive layer surface 23: single linear Structure 24: Single linear structure 25 existing as an aggregate 25: Aggregate 26 composed of linear structures: Diameter r of a single linear structure
27: Diameter r of a linear structure of an assembly composed of linear structures

Claims (9)

基材の少なくとも片面に、線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電層を有し、該ネットワーク構造により形成される開口部の開口面積のうち式(1)を満たす開口部について、開口面積の平均値Aが20μm以下で、且つ、式(2)で定義される開口面積のバラツキ偏差σが26μm以下であることを特徴とする導電積層体。
X<Xmax × 0.9 ・・・式(1)
(式中、Xは各開口面積、Xmaxは各開口面積の最大値を示す。)
σ={(Σ(X−A))/N}0.5 (ここで、Σはi=1〜N)
・・・式(2)
(式中、Xは式(1)を満たす開口部の各開口面積、Aは式(1)を満たす開口部の開口面積Xの平均値、Nは式(1)を満たす開口部の総数を示す。)
A conductive layer having a network structure composed of a linear structure on at least one surface of the substrate, and an opening satisfying the expression (1) among the opening areas of the openings formed by the network structure A conductive laminate having an average value A of 20 μm 2 or less and an opening area variation deviation σ defined by the formula (2) of 26 μm 2 or less.
X <Xmax × 0.9 (1)
(In the formula, X represents each opening area, and Xmax represents the maximum value of each opening area.)
σ = {(Σ (X−A) 2 ) / N} 0.5 (where Σ is i = 1 to N)
... Formula (2)
(Wherein, X is each opening area of the opening satisfying the expression (1), A is the average value of the opening area X of the opening satisfying the expression (1), and N is the total number of openings satisfying the expression (1). Show.)
前記線状構造体が銀ナノワイヤーである請求項1に記載の導電積層体。 The conductive laminate according to claim 1, wherein the linear structure is a silver nanowire. 前記導電層に、下記構造式(1)の構造を分子内に有する化合物をさらに含む請求項1又は2に記載の導電積層体。
Figure 2013080908
(式中、Ra(a=1〜4)はHもしくはFを示す。n1、n2はそれぞれ独立して1〜10の整数を示す。)
The electrically conductive laminated body of Claim 1 or 2 which further contains the compound which has the structure of following Structural formula (1) in a molecule | numerator in the said electrically conductive layer.
Figure 2013080908
(In the formula, Ra (a = 1 to 4) represents H or F. n1 and n2 each independently represents an integer of 1 to 10.)
前記導電層に、高分子マトリックスをさらに含む請求項1〜3のいずれかに記載の導電積層体。 The conductive laminate according to claim 1, further comprising a polymer matrix in the conductive layer. 前記基材が、少なくとも片面の最外層に、親水基を有する化合物を含む親水層を積層した親水性基材である請求項1〜4のいずれかに記載の導電積層体。 The conductive laminate according to claim 1, wherein the substrate is a hydrophilic substrate in which a hydrophilic layer containing a compound having a hydrophilic group is laminated on at least one outermost layer. 請求項1〜5のいずれかに記載の導電積層体の製造方法であって、線状構造体の水含有分散液を基材上に塗布後乾燥して導電層を形成する工程において、乾燥工程が塗布方向に対し45〜135°の方向から温度が25〜120℃である気流を塗布した面にあてる工程である導電積層体の製造方法。 It is a manufacturing method of the electrically conductive laminated body in any one of Claims 1-5, Comprising: In the process of apply | coating the water containing dispersion liquid of a linear structure on a base material, and drying and forming a conductive layer, a drying process The manufacturing method of the electrically conductive laminated body which is the process of applying to the surface which applied the airflow whose temperature is 25-120 degreeC from the direction of 45-135 degrees with respect to an application direction. 請求項1〜5のいずれかに記載の導電積層体を含む表示体。 The display body containing the electrically conductive laminated body in any one of Claims 1-5. 請求項7に記載の表示体を組み込んだタッチパネル。 A touch panel incorporating the display body according to claim 7. 請求項7に記載の表示体を組み込んだ電子ペーパー。 An electronic paper in which the display body according to claim 7 is incorporated.
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