JPWO2013042247A1 - Thin film forming equipment - Google Patents

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JPWO2013042247A1 JP2012543384A JP2012543384A JPWO2013042247A1 JP WO2013042247 A1 JPWO2013042247 A1 JP WO2013042247A1 JP 2012543384 A JP2012543384 A JP 2012543384A JP 2012543384 A JP2012543384 A JP 2012543384A JP WO2013042247 A1 JPWO2013042247 A1 JP WO2013042247A1
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友松 姜
友松 姜
一郎 塩野
一郎 塩野
充祐 宮内
充祐 宮内
青山　貴昭
貴昭 青山
林　達也
林　　達也
亦周 長江
亦周 長江
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Abstract

【課題】多数の基板上の特定部分のみに薄膜を形成する作業を簡素化して効率化することにより、薄膜形成時の作業時間を短縮し、成膜作業における費用の低減が可能な薄膜形成装置を提供する。【解決手段】薄膜形成装置１００に備えられた基板保持機構３は、基板Ｓの非成膜部分Ｓ２の一部が互いに重なり合い、成膜部分Ｓ１が露出するように複数の基板Ｓを保持する基板保持部材１０〜４０と、基板保持部材１０〜４０を支持する支持部材５０と、支持部材５０を回転させる回転部材６０と、を備え、基板保持部材１０〜４０は、複数の基板Ｓを保持し、成膜源４と複数の基板Ｓとの間に配設される複数の保持面１１ｄと、複数の保持面１１ｄの間に形成され、複数の基板Ｓの端部とそれぞれ当接する複数の段差部１１ｅと、複数の段差部１１ｅに基板Ｓの端部が当接した状態にあるとき、成膜部分Ｓ１に相当する部分の保持面１１ｄ上に形成された複数の開口部１１ｆと、を有する。A thin film forming apparatus capable of shortening a work time at the time of forming a thin film and reducing costs in the film forming work by simplifying and improving the efficiency of forming a thin film only on a specific portion on a large number of substrates. I will provide a. A substrate holding mechanism (3) provided in a thin film forming apparatus (100) holds a plurality of substrates (S) so that a part of a non-film forming portion (S2) of the substrate (S) overlaps each other and a film forming portion (S1) is exposed. A holding member 10-40; a support member 50 that supports the substrate holding member 10-40; and a rotating member 60 that rotates the support member 50. The substrate holding members 10-40 hold a plurality of substrates S. A plurality of holding surfaces 11d disposed between the film forming source 4 and the plurality of substrates S, and a plurality of steps formed between the plurality of holding surfaces 11d and respectively in contact with the end portions of the plurality of substrates S. And a plurality of openings 11f formed on the holding surface 11d of the portion corresponding to the film forming portion S1 when the end portion of the substrate S is in contact with the step portions 11e. .

Description

本発明は、薄膜形成装置に係り、特に、多数の基板上の特定部分に対し、効率よく薄膜を形成することが可能な薄膜形成装置に関する。   The present invention relates to a thin film forming apparatus, and more particularly, to a thin film forming apparatus capable of efficiently forming a thin film on specific portions on a large number of substrates.

デジタルカメラやデジタルビデオ等の撮影機器、携帯電話、スマートフォン、携帯ゲーム機等の様々な機器において、基板表面上に薄膜を形成する技術が用いられている。
そして、これらの機器に備えられる基板は、基板全面に亘って薄膜が形成されているものもあるが、基板上のある特定の部分（領域）のみに選択的に形成されているものが数多くある。In various devices such as digital cameras and digital video photographing devices, mobile phones, smart phones, and portable game machines, a technique for forming a thin film on a substrate surface is used.
Some of the substrates provided in these devices have a thin film formed over the entire surface of the substrate, but there are many that are selectively formed only on a specific portion (region) on the substrate. .

このように、基板上の特定の部分のみに選択的に薄膜を形成するためには、薄膜形成装置内に配設される基板保持機構に保持された基板において、薄膜を形成しない部分（以下、「非成膜部分」と称する）をマスク（防着板）によって覆う技術が用いられる。しかし、このようにマスクによって基板を覆う技術では、一般に、基板上の薄膜を形成する部分（以下、「成膜部分」と称する）が、互いに重ならないようにそれぞれの基板が基板保持機構に保持されるため、基板保持機構に保持される基板の数を多くすることができない。したがって、多数の基板に対して一括で成膜することができず、成膜効率が低下するという不都合があった。   As described above, in order to selectively form a thin film only on a specific portion on the substrate, in the substrate held by the substrate holding mechanism disposed in the thin film forming apparatus, a portion where the thin film is not formed (hereinafter, A technique of covering a “non-deposition portion”) with a mask (a deposition plate) is used. However, in the technique of covering the substrate with the mask in this way, generally, each substrate is held by the substrate holding mechanism so that the thin film forming portion on the substrate (hereinafter referred to as “film forming portion”) does not overlap each other. Therefore, the number of substrates held by the substrate holding mechanism cannot be increased. Therefore, it is impossible to form a film on a large number of substrates at a time, and there is a disadvantage that the film formation efficiency is lowered.

上記の問題に対して、マスクを用いて非成膜部分を形成するのではなく、非成膜部分を他の基板で覆うように、基板を重ね合わせた状態で薄膜を形成する技術が提案されている（特許文献１）。   To solve the above problem, a technique has been proposed in which a thin film is formed in a state where the substrates are overlapped so that the non-deposition portion is not covered with a mask but is covered with another substrate. (Patent Document 1).

また、特許文献２では、第１のピン及び第２のピンを用いて複数の基板（特許文献２には、「薄板部材」と記載されている）を傾斜させて配設し、基板の端部近傍に薄膜を形成する技術が提案されている。このように、互いに斜状に配置された基板は、基板同士が互いにマスクの作用をするため、成膜時にマスクを備える必要がなく、且つ、基板が互いに重なるように配置されるため、多数の基板を一括で処理することができる。   Further, in Patent Document 2, a plurality of substrates (described as “thin plate member” in Patent Document 2) are inclined using the first pins and the second pins, and the edges of the substrates are arranged. A technique for forming a thin film in the vicinity of a portion has been proposed. As described above, the substrates arranged obliquely to each other do not need to have a mask at the time of film formation because the substrates act as a mask to each other, and are arranged so that the substrates overlap each other. Substrate can be processed at once.

特開昭６３−２６６０７１号公報JP-A 63-266071 特開平７−３４２２２号公報JP-A-7-34222

しかし、特許文献１で開示された技術では、最後に基板保持手段（特許文献１では「基板ホルダー」と記載されている）に載置される基板の上には、非成膜部分を覆う防着板が取り付けられる必要があるため、作業効率が低下する。また、特許文献２に開示された技術は、基板をそれぞれ第１のピン及び第２のピンに係止する必要があることから、基板の設置作業が煩雑であり、作業時間が長くなるという不都合がある。
したがって、特許文献１及び特許文献２の技術では、薄膜形成時の作業時間が長くなり、成膜作業において費用が嵩むという問題点があった。However, in the technique disclosed in Patent Document 1, the non-film-forming portion is covered on the substrate that is finally placed on the substrate holding means (described as “substrate holder” in Patent Document 1). Since it is necessary to attach a landing plate, work efficiency falls. In addition, the technique disclosed in Patent Document 2 requires that the board be locked to the first pin and the second pin, respectively, and thus the installation work of the board is complicated and the work time is increased. There is.
Therefore, the techniques of Patent Document 1 and Patent Document 2 have a problem that the work time for forming a thin film becomes long and the cost for film forming work increases.

さらに、特許文献１及び特許文献２で開示された基板保持機構は、必然的に基板の端部（側面を含む端部）が露出する構成となることから、成膜部分の形状や大きさを細かく設定することが難しい。したがって、基板上に形成可能な成膜部分の形状や大きさが限定されるという不都合があった。   Furthermore, since the substrate holding mechanism disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2 inevitably has a configuration in which the end portion (the end portion including the side surface) of the substrate is exposed, the shape and size of the film forming portion can be reduced. It is difficult to set in detail. Therefore, there is a disadvantage that the shape and size of the film forming portion that can be formed on the substrate are limited.

本発明の目的は、多数の基板上の特定部分のみに薄膜を形成する作業を簡素化して効率化することにより、薄膜形成時の作業時間を短縮し、成膜作業における費用の削減が可能な薄膜形成装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、基板上の特定の部分のみに成膜部分を形成する際、成膜部分の形状や大きさを細かく設定可能な薄膜形成装置を提供することにある。An object of the present invention is to simplify and improve the efficiency of forming a thin film only on a specific portion on a large number of substrates, thereby shortening the work time when forming the thin film and reducing the cost of the film forming operation. An object is to provide a thin film forming apparatus.
Another object of the present invention is to provide a thin film forming apparatus capable of finely setting the shape and size of a film forming part when forming a film forming part only on a specific part on a substrate.

前記課題は本発明の薄膜形成装置によれば、複数の基板を保持する基板保持機構を有し、前記複数の基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記基板保持機構は、前記複数の基板のうち前記薄膜が形成されない非成膜部分の一部が互いに重なり合うと共に、前記薄膜が形成される成膜部分が露出するように前記複数の基板を保持する基板保持部材と、該基板保持部材を支持する支持部材と、該支持部材を回転させる回転部材と、を備え、前記基板保持部材は、前記複数の基板を保持し、前記薄膜の材料を放出する成膜源と前記複数の基板との間に配設される複数の保持面と、該複数の保持面の間に形成され、前記複数の基板の端部とそれぞれ当接する複数の段差部と、該複数の段差部に前記複数の基板の端部がそれぞれ当接した状態にあるとき、前記成膜部分に相当する部分の前記複数の保持面上にそれぞれ形成された複数の開口部と、を有すること、により解決される。   According to the thin film forming apparatus of the present invention, the subject has a substrate holding mechanism for holding a plurality of substrates, and is a thin film forming apparatus for forming a thin film on the plurality of substrates, wherein the substrate holding mechanism is A substrate holding member for holding the plurality of substrates so that a part of the non-film-forming portions where the thin film is not formed of the plurality of substrates overlap each other and the film-forming portions where the thin film is formed are exposed, and the substrate A supporting member that supports the holding member; and a rotating member that rotates the supporting member. The substrate holding member holds the plurality of substrates and discharges the thin film material, and the plurality of film forming sources. A plurality of holding surfaces disposed between the substrate, a plurality of stepped portions formed between the plurality of holding surfaces and respectively in contact with end portions of the plurality of substrates, and the stepped portions on the plurality of stepped portions. A state in which the end portions of a plurality of substrates are in contact with each other On one occasion, to have a plurality of openings formed respectively on the plurality of retaining surfaces of the part corresponding to the film-forming portion, it is solved by.

基板上の特定の部分のみに薄膜を形成する技術の効率化を図るため、従来は、非成膜部分を他の基板で覆うように基板を互いに重ねて保持した状態で成膜工程を行っていた。このとき、非成膜部分は他の基板で覆うように配置すると共に、成膜部分が露出するように基板を保持させる作業が煩雑であるという問題点があった。
このような問題点に対し、本発明の薄膜形成装置によれば、基板を保持する保持面、及び段差部に基板を当接させる（載置する）だけで容易に複数の基板を基板保持機構に保持させることができる。そして、成膜源と基板との間に基板保持機構の保持面が備えられ、この保持面には成膜部分に相当する部分に開口部が備えられているため、基板の成膜部分のみが露出し、複雑な取り付け作業を行う必要がない。すなわち、基板の非成膜部分を他の基板で覆うと共に、成膜部分を露出するように基板を保持させる作業を簡素化することができる。したがって、基板を保持させる際、複雑な作業を行う必要がないため効率化できる。その結果、薄膜形成時の作業時間を短縮することができ、成膜作業における費用の削減が可能となる。
また、保持面に開口部を備えることにより基板の成膜部分のみを露出させることができるため、保持面（基板保持部材）がマスクの役割を果たす。したがって、開口部の形状や大きさに依存して成膜部分の形状や大きさを制御することができるため、より緻密な成膜作業を行うことが可能となる。
さらに、基板保持機構において、支持部材（すなわち、基板保持機構）を回転させる回転部材をさらに備えることにより、基板保持部材もまた回転させることができるため、複数の基板上に形成される薄膜を均一な膜質、膜厚で形成することができる。In order to improve the efficiency of the technique of forming a thin film only on a specific part on the substrate, conventionally, the film forming process is performed in a state where the substrates are stacked and held so that the non-film forming part is covered with another substrate. It was. At this time, there is a problem in that the non-film-formation portion is disposed so as to be covered with another substrate, and the operation of holding the substrate so that the film-formation portion is exposed is complicated.
With respect to such problems, according to the thin film forming apparatus of the present invention, a substrate holding mechanism that easily holds a plurality of substrates simply by abutting (mounting) the substrate on the holding surface and the stepped portion. Can be held. The holding surface of the substrate holding mechanism is provided between the film forming source and the substrate, and the holding surface is provided with an opening in a portion corresponding to the film forming portion, so that only the film forming portion of the substrate is provided. It is exposed and does not require complicated installation work. In other words, it is possible to simplify the operation of covering the non-film formation portion of the substrate with another substrate and holding the substrate so that the film formation portion is exposed. Therefore, when the substrate is held, it is not necessary to perform complicated work, so that the efficiency can be improved. As a result, it is possible to shorten the work time when forming the thin film, and it is possible to reduce the cost in the film forming work.
In addition, since the opening portion is provided on the holding surface, only the film forming portion of the substrate can be exposed, so that the holding surface (substrate holding member) serves as a mask. Accordingly, since the shape and size of the film forming portion can be controlled depending on the shape and size of the opening, it is possible to perform a more precise film forming operation.
Further, the substrate holding mechanism further includes a rotating member that rotates the support member (that is, the substrate holding mechanism), whereby the substrate holding member can also be rotated, so that the thin film formed on the plurality of substrates can be uniformly formed. It can be formed with an appropriate film quality and film thickness.

このとき、前記基板保持部材は、前記回転部材の回転方向において２以上８以下に分割されていると好ましい。
そして、基板保持部材を基板保持機構の回転方向において２分割〜８分割とすることにより、基板保持部材が適当な大きさとなり、支持部材に対して容易に取付けることができる。したがって、成膜作業における作業効率が向上し、作業時間を短縮することができる。At this time, it is preferable that the substrate holding member is divided into 2 or more and 8 or less in the rotation direction of the rotating member.
Then, by dividing the substrate holding member into two to eight in the rotation direction of the substrate holding mechanism, the substrate holding member has an appropriate size and can be easily attached to the support member. Therefore, the working efficiency in the film forming operation is improved, and the working time can be shortened.

さらに、前記基板保持部材は、平面視環状に形成され、前記基板保持部材の径方向上で、前記基板保持部材が複数隣り合って配設されると好適である。
このように、環状（ドーナツ状）に形成された基板保持部材を径方向上で隣り合った状態で複数備えることにより、基板保持機構が保持できる基板の数をさらに増やすことができる。したがって、一括で成膜できる基板枚数を増やすことができるため、成膜作業の効率が飛躍的に向上する。Further, it is preferable that the substrate holding member is formed in an annular shape in plan view, and a plurality of the substrate holding members are arranged adjacent to each other in the radial direction of the substrate holding member.
In this way, by providing a plurality of substrate holding members formed in an annular shape (doughnut shape) in a state of being adjacent in the radial direction, the number of substrates that can be held by the substrate holding mechanism can be further increased. Therefore, since the number of substrates that can be formed in a batch can be increased, the efficiency of the film forming operation is dramatically improved.

また、前記支持部材は、前記基板保持部材の前記複数の保持面と、前記回転部材の回転軸とが成す角度が可変となるように前記基板保持部材を保持すると好ましい。
基板保持部材において、基板を保持する保持面と水平面とが成す角度を変更可能とすることにより、基板上に成膜される薄膜の膜厚を補正することができる。その結果、複数の基板において、より均一な膜厚の薄膜を形成することができ、成膜時に必要な材料を削減することができる。Further, it is preferable that the support member holds the substrate holding member such that an angle formed by the plurality of holding surfaces of the substrate holding member and a rotation axis of the rotating member is variable.
In the substrate holding member, by changing the angle formed by the holding surface that holds the substrate and the horizontal plane, the film thickness of the thin film formed on the substrate can be corrected. As a result, a thin film having a more uniform thickness can be formed on a plurality of substrates, and materials necessary for film formation can be reduced.

このとき、前記基板保持部材は、前記成膜部分と前記成膜源とを通る第１の仮想線と、前記成膜部分の成膜面に対する垂線とが成す角度が０°以上４５°以下となるように前記複数の基板を保持すると好ましい。
基板上に薄膜を形成する際、薄膜の厚さ（膜厚）は、成膜面と薄膜材料を放出する成膜源との相対位置に依存する。より詳細には、膜厚は、成膜面に対して成膜源から薄膜材料が入射する角度に依存する。
したがって、成膜面に対して成膜源から薄膜材料が入射する角度、すなわち、基板の成膜面と成膜源を通る仮想線と、成膜面に対する垂線とが成す角度を上記範囲とすることにより、基板上に形成される薄膜の厚さを制御しやすく、複数の基板においてより均一な膜厚の薄膜を形成することができる。At this time, the substrate holding member has an angle formed by a first imaginary line passing through the film formation portion and the film formation source and a perpendicular to the film formation surface of the film formation portion between 0 ° and 45 °. It is preferable to hold the plurality of substrates as described above.
When forming a thin film on a substrate, the thickness (film thickness) of the thin film depends on the relative position between the film formation surface and the film formation source that releases the thin film material. More specifically, the film thickness depends on the angle at which the thin film material enters from the film formation source with respect to the film formation surface.
Therefore, the angle at which the thin film material is incident on the film formation surface from the film formation source, that is, the angle formed by the imaginary line passing through the film formation surface of the substrate and the film formation source, and the perpendicular to the film formation surface is within the above range. Thus, it is easy to control the thickness of the thin film formed on the substrate, and a thin film having a more uniform thickness can be formed on a plurality of substrates.

また、前記支持部材は、前記複数の保持面に形成された前記複数の開口部が、前記回転部材の回転軸を中心軸とする仮想ドーム上に位置するように前記基板保持部材を支持すると好適である。
このように、基板保持部材において設けられた開口部が、回転部材の回転軸（すなわち、基板保持機構の回転軸）を中心軸とする仮想ドーム上に位置するように配設されることにより、複数の基板において、より均一な膜厚の薄膜を形成することができる。The support member preferably supports the substrate holding member so that the plurality of openings formed in the plurality of holding surfaces are positioned on a virtual dome having a rotation axis of the rotating member as a central axis. It is.
As described above, the opening provided in the substrate holding member is disposed so as to be positioned on the virtual dome having the rotation axis of the rotation member (that is, the rotation axis of the substrate holding mechanism) as the central axis. A thin film having a more uniform thickness can be formed on a plurality of substrates.

さらに、前記径方向上で互いに隣り合って配設される前記基板保持部材は、側面視の状態で、一方の前記基板保持部材に形成された前記開口部が、前記成膜源に対し、他方の前記基板保持部材によって遮蔽されない位置に配設されると好ましい。
このように、環状に形成されて互いに径方向上で隣り合って配設される基板保持部材は、基板保持部材に備えられた開口部が、成膜源に対して露出するように配設される。環状に形成された基板保持部材が径方向上で隣り合うように配設された基板保持機構において、基板上に形成される薄膜の厚さは、隣り合って配設される基板保持部材の影響を受けやすい。したがって、基板保持部材に備えられた開口部が成膜源に対して他の基板保持部材によって遮蔽されない位置に備えられることにより、基板上に成膜される薄膜の厚さが基板保持部材の影響を受けにくくなり、膜厚をより均一にすることができる。Further, the substrate holding members disposed adjacent to each other in the radial direction have a state in which the opening formed in one of the substrate holding members is in a side view with respect to the film formation source. It is preferable to be disposed at a position that is not shielded by the substrate holding member.
In this way, the substrate holding members that are formed in an annular shape and are arranged adjacent to each other in the radial direction are arranged so that the opening provided in the substrate holding member is exposed to the film forming source. The In the substrate holding mechanism in which the annularly formed substrate holding members are arranged adjacent to each other in the radial direction, the thickness of the thin film formed on the substrate is affected by the adjacent substrate holding members. It is easy to receive. Accordingly, since the opening provided in the substrate holding member is provided at a position that is not shielded by the other substrate holding member with respect to the film forming source, the thickness of the thin film formed on the substrate is influenced by the substrate holding member. It becomes difficult to receive, and a film thickness can be made more uniform.

また、前記支持部材は、平面視環状に形成されて径方向において複数配設される前記基板保持部材を支持し、前記径方向上で互いに隣り合って配設される前記基板保持部材は、一方の前記基板保持部材の前記保持面に形成された前記開口部の外周と前記成膜源とを通る第２の仮想線に対し、他方の前記基板保持部材の前記径方向の端部が２０ｍｍ以上離れた位置に配設されると好適である。
環状に形成された基板保持部材が径方向上で隣り合うように配設された基板保持機構において、基板上に形成される薄膜の厚さは、隣り合って配設される基板保持部材の影響を受けやすい。したがって、一方の基板保持部材の開口部を、他方の基板保持部材の径方向の端部に対して２０ｍｍ以上離れた位置とすることにより、形成される薄膜の厚さは基板保持部材の影響を受けにくくなり、膜厚をより均一にすることができる。Further, the support member is formed in an annular shape in plan view and supports a plurality of the substrate holding members disposed in the radial direction, and the substrate holding members disposed adjacent to each other in the radial direction are The radial end of the other substrate holding member is 20 mm or more with respect to a second imaginary line passing through the outer periphery of the opening formed on the holding surface of the substrate holding member and the film forming source. It is preferable to dispose at a distant position.
In the substrate holding mechanism in which the annularly formed substrate holding members are arranged adjacent to each other in the radial direction, the thickness of the thin film formed on the substrate is affected by the adjacent substrate holding members. It is easy to receive. Therefore, by setting the opening of one substrate holding member at a position that is 20 mm or more away from the radial end of the other substrate holding member, the thickness of the formed thin film is influenced by the substrate holding member. It becomes difficult to receive, and the film thickness can be made more uniform.

このとき、前記複数の段差部は、前記径方向に対して傾斜する方向に沿って形成され、前記複数の基板は矩形状の板材からなり、前記複数の基板において前記径方向内側の縁辺の長さをそれぞれＬとし、前記複数の基板のそれぞれの縁辺の中心点から前記回転部材の回転軸までの距離をｒとしたとき、前記基板保持部材は、（Ｌ／２）／ｒの値が０．０５以上０．７５以下となるように前記複数の基板を保持すると好ましい。
このように、薄膜を形成する基板が特に矩形状である時、基板保持部材を上記構成とすることにより、基板保持部材に保持される基板の数をより多くすることができる。したがって、一括で成膜できる基板枚数を増やすことができるため、成膜作業の効率が飛躍的に向上する。At this time, the plurality of stepped portions are formed along a direction inclined with respect to the radial direction, the plurality of substrates are made of a rectangular plate material, and the length of the radially inner edge of the plurality of substrates is When the length is L and the distance from the center point of each edge of the plurality of substrates to the rotation axis of the rotating member is r, the substrate holding member has a value of (L / 2) / r of 0. It is preferable to hold the plurality of substrates so as to be 0.05 or more and 0.75 or less.
As described above, when the substrate on which the thin film is formed is particularly rectangular, the number of substrates held by the substrate holding member can be increased by configuring the substrate holding member as described above. Therefore, since the number of substrates that can be formed in a batch can be increased, the efficiency of the film forming operation is dramatically improved.

また、前記基板保持部材は、重なり合って保持される前記複数の基板のうち、一方の前記基板の縁辺と、他方の前記基板の縁辺とが成す角度が、０°以上９０°以下となるように前記複数の基板を保持すると好適である。
このように、基板保持部材に矩形状の基板を保持させるとき、上記位置関係で配置されることにより、基板保持部材に保持される基板の数をより多くすることができる。したがって、一括で成膜できる基板枚数を増やすことができるため、成膜作業の効率が飛躍的に向上する。The substrate holding member may be configured such that an angle formed by an edge of one of the plurality of substrates held in an overlapping manner and an edge of the other substrate is 0 ° or more and 90 ° or less. It is preferable to hold the plurality of substrates.
As described above, when the rectangular substrate is held by the substrate holding member, the number of substrates held by the substrate holding member can be increased by being arranged in the above positional relationship. Therefore, since the number of substrates that can be formed in a batch can be increased, the efficiency of the film forming operation is dramatically improved.

さらにまた、前記複数の段差部の高さは、前記複数の基板の厚みと比較して０．０５ｍｍ以上高く形成されていると好ましい。
このように、基板の縁端が当接する段差部の高さを基板の厚みよりも０．０５ｍｍ以上高く形成することにより、基板同士を重ねる際、基板表面の損傷を抑制することができる。したがって、品質の良い薄膜付き基板を製造することができる。Furthermore, it is preferable that the height of the plurality of stepped portions be higher by 0.05 mm or more than the thickness of the plurality of substrates.
Thus, by forming the height of the stepped portion with which the edge of the substrate abuts higher by 0.05 mm or more than the thickness of the substrate, damage to the substrate surface can be suppressed when the substrates are stacked. Therefore, a high-quality substrate with a thin film can be manufactured.

本発明の薄膜形成装置によれば、基板保持部材に対し、複雑な作業を行うことなく、容易に複数の基板を保持させることができる。したがって、基板を保持させる際、複雑な作業を行う必要がないため、成膜作業を効率化できる。その結果、薄膜形成時の作業時間を短縮することができ、成膜作業における費用の削減が可能となる。また、本発明の薄膜形成装置は、基板保持部材に多数の基板を保持させることができるため、一括で成膜可能な基板枚数をより多くすることができ、成膜作業の効率がさらに向上する。
さらに、基板保持機構の基板保持部材の保持面には、成膜部分を露出させるための開口部が備えられているため、保持面（基板保持部材）がマスクの役割を果たす。したがって、開口部の形状や大きさに依存して成膜部分の形状や大きさを制御することができるため、より緻密な成膜作業を行うことが可能となる。
さらにまた、本発明の薄膜形成装置は、基板保持機構に備えられた基板保持部材を上記構成とすることにより、膜厚がより均一となるように薄膜を形成することができる。その結果、成膜時に必要となる材料を削減することができる。According to the thin film forming apparatus of the present invention, a plurality of substrates can be easily held on the substrate holding member without performing complicated operations. Therefore, it is not necessary to perform a complicated operation when holding the substrate, so that the film forming operation can be made efficient. As a result, it is possible to shorten the work time when forming the thin film, and it is possible to reduce the cost in the film forming work. In addition, since the thin film forming apparatus of the present invention can hold a large number of substrates on the substrate holding member, the number of substrates that can be formed in a batch can be increased, and the efficiency of the film forming operation is further improved. .
Furthermore, since the holding surface of the substrate holding member of the substrate holding mechanism is provided with an opening for exposing the film forming portion, the holding surface (substrate holding member) serves as a mask. Accordingly, since the shape and size of the film forming portion can be controlled depending on the shape and size of the opening, it is possible to perform a more precise film forming operation.
Furthermore, the thin film forming apparatus of the present invention can form a thin film so that the film thickness becomes more uniform by configuring the substrate holding member provided in the substrate holding mechanism as described above. As a result, materials required for film formation can be reduced.

本発明の一実施形態に係る薄膜形成装置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the thin film forming apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板保持機構に保持される基板の平面図である。It is a top view of the board | substrate hold | maintained at the board | substrate holding mechanism which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板保持機構の平面図である。It is a top view of the substrate holding mechanism concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る基板保持部材の斜視図である。It is a perspective view of the board | substrate holding member which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板保持部材の説明図である。It is explanatory drawing of the board | substrate holding member which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板保持部材の説明図である。It is explanatory drawing of the board | substrate holding member which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板保持部材の部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the board | substrate holding member which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る薄膜形成装置の説明図である。It is explanatory drawing of the thin film forming apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の実施例１に係る反射防止膜の反射率を示すグラフ図である。It is a graph which shows the reflectance of the anti-reflective film which concerns on Example 1 of this invention. 本発明の比較例１に係る反射防止膜の反射率を示すグラフ図である。It is a graph which shows the reflectance of the anti-reflective film which concerns on the comparative example 1 of this invention. 本発明の比較例２に係る反射防止膜の反射率を示すグラフ図であるIt is a graph which shows the reflectance of the anti-reflective film which concerns on the comparative example 2 of this invention. 本発明の他の実施形態に係る基板保持部材の説明図である。It is explanatory drawing of the board | substrate holding member which concerns on other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係る基板保持部材の斜視図である。It is a perspective view of the board | substrate holding member which concerns on other embodiment of this invention.

１００ 薄膜形成装置
１ 真空容器
２ 真空ポンプ
３ 基板保持機構
４ 成膜源
１０，２０，３０，４０，１０’ 基板保持部材
１１，１２，１３，１４，１５，１１’，１２’，１３’ 保持治具
１１ａ 底壁部
１１ｂ 内側立壁部
１１ｃ 外側立壁部
１１ｄ，１１ｄ’ 保持面
１１ｅ，１１ｅ’ 段差部
１１ｆ，３１ｆ，１１ｆ’ 開口部
１１ｇ 凹部
１１ｈ 窓部
１１ｉ，１１ｊ 肉厚部
１１ｋ，１１ｍ 排気溝
１１ｊｘ 排気溝
１１ｐ，１１ｑ 取付部
１１ｒ’ 肉厚部
１１ｓ’ 平面部
５０ 支持部材
５１ 取付部材
６０ 回転部材
Ｐ 垂線
Ｓ 基板
Ｓ１ 成膜部分
Ｓ２ 非成膜部分
Ｔ 成膜面
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３ 仮想線
Ｘ 回転軸（中心軸）DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Thin film formation apparatus 1 Vacuum container 2 Vacuum pump 3 Substrate holding mechanism 4 Deposition source 10, 20, 30, 40, 10 'Substrate holding member 11, 12, 13, 14, 15, 11', 12 ', 13' holding Jig 11a Bottom wall portion 11b Inner standing wall portion 11c Outer standing wall portion 11d, 11d 'Holding surface 11e, 11e' Stepped portion 11f, 31f, 11f 'Opening portion 11g Recessed portion 11h Window portion 11i, 11j Thick portion 11k, 11m Exhaust groove 11jx Exhaust groove 11p, 11q Mounting portion 11r 'Thick portion 11s' Planar portion 50 Support member 51 Mounting member 60 Rotating member P Vertical S Substrate S1 Film forming portion S2 Non-film forming portion T Film forming surfaces V1, V2, V3 Virtual line X Rotation axis (center axis)

以下に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下に説明する部材、配置等は、本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨に沿って各種改変することができることは勿論である。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that members, arrangements, and the like described below do not limit the present invention, and it goes without saying that various modifications can be made in accordance with the spirit of the present invention.

図１乃至図１１は、本発明の一実施形態に係るもので、図１は薄膜形成装置を示す模式図、図２は基板保持機構に保持される基板の平面図、図３は基板保持機構の平面図、図４は基板保持部材の斜視図、図５及び図６は基板保持部材の説明図、図７は基板保持部材の部分拡大図、図８は薄膜形成装置の説明図、図９は本発明の実施例１に係る反射防止膜の反射率を示すグラフ図、図１０は本発明の比較例１に係る反射防止膜の反射率を示すグラフ図、図１１は本発明の他の比較例２に係る反射防止膜の反射率を示すグラフ図であり、図１２及び図１３は、本発明の他の実施形態に係るもので、図１２は基板保持部材の説明図、図１３は基板保持部材の斜視図である。   1 to 11 relate to one embodiment of the present invention, FIG. 1 is a schematic view showing a thin film forming apparatus, FIG. 2 is a plan view of a substrate held by a substrate holding mechanism, and FIG. 3 is a substrate holding mechanism. 4 is a perspective view of the substrate holding member, FIGS. 5 and 6 are explanatory views of the substrate holding member, FIG. 7 is a partially enlarged view of the substrate holding member, FIG. 8 is an explanatory view of the thin film forming apparatus, and FIG. Is a graph showing the reflectance of the antireflection film according to Example 1 of the present invention, FIG. 10 is a graph showing the reflectance of the antireflection film according to Comparative Example 1 of the present invention, and FIG. It is a graph which shows the reflectance of the anti-reflective film which concerns on the comparative example 2, FIG.12 and FIG.13 concerns on other embodiment of this invention, FIG. 12 is explanatory drawing of a board | substrate holding member, FIG. It is a perspective view of a substrate holding member.

本発明の特徴的な要素である基板保持機構３は、複数の基板Ｓに対し一括で薄膜を形成するために、薄膜形成装置１００に備えられるものである。基板Ｓは、その表面全体に亘って薄膜が形成されるものではなく、特定の部分（領域）にのみ薄膜が形成されるものであり、成膜部分Ｓ１と、薄膜が形成されない非成膜部分Ｓ２を備えている。基板保持機構３は、成膜部分Ｓ１及び非成膜部分Ｓ２を有する基板Ｓに薄膜を形成する際、大量の基板Ｓを一括で処理するために以下の構成を備えている。   The substrate holding mechanism 3, which is a characteristic element of the present invention, is provided in the thin film forming apparatus 100 in order to form a thin film on a plurality of substrates S at once. A thin film is not formed over the entire surface of the substrate S, but a thin film is formed only in a specific part (region). The film forming part S1 and a non-film forming part in which no thin film is formed S2 is provided. The substrate holding mechanism 3 has the following configuration in order to process a large number of substrates S collectively when forming a thin film on the substrate S having the film forming portion S1 and the non-film forming portion S2.

＜薄膜形成装置の構造＞
以下では、薄膜形成装置１００の構造について概説する。
図１で図示される薄膜形成装置１００は、基板Ｓの表面上に薄膜を形成する装置の一種である真空蒸着装置であり、図１は、薄膜形成装置１００としての真空蒸着装置の一部を概略断面図として示している。<Structure of thin film forming apparatus>
Hereinafter, the structure of the thin film forming apparatus 100 will be outlined.
A thin film forming apparatus 100 illustrated in FIG. 1 is a vacuum vapor deposition apparatus which is a kind of apparatus for forming a thin film on the surface of a substrate S. FIG. 1 illustrates a part of the vacuum vapor deposition apparatus as the thin film forming apparatus 100. It is shown as a schematic cross-sectional view.

薄膜形成装置１００は、真空容器１内を真空（減圧）状態とし、金属等の薄膜材料を加熱して蒸発させることにより、基体となった薄膜材料によって基板Ｓの表面に薄膜を形成するものである。
薄膜形成装置１００は、少なくとも、真空容器１と、真空ポンプ２と、基板保持機構３と、成膜源４とを主要な構成要素として備えている。The thin film forming apparatus 100 forms a thin film on the surface of the substrate S by using a thin film material as a base by heating and evaporating a thin film material such as a metal in a vacuum (depressurized) state in the vacuum vessel 1. is there.
The thin film forming apparatus 100 includes at least a vacuum vessel 1, a vacuum pump 2, a substrate holding mechanism 3, and a film forming source 4 as main components.

真空容器１は、その内部で基板Ｓ上に薄膜を形成するための容器である。本実施形態の真空容器１は、ほぼ円筒形状をした中空体であり、基板Ｓを配置して薄膜形成を行うことが可能となっている。真空容器１には、真空ポンプ２が接続されており、この真空ポンプ２が真空容器１の内部を排気することで、真空容器１の内部は１×１０−２〜１×１０−５Ｐａ程度の真空状態とすることができる。
また、真空容器１には、内部にガスを導入するためのガス導入管（不図示）が形成されている。The vacuum container 1 is a container for forming a thin film on the substrate S therein. The vacuum container 1 of the present embodiment is a hollow body having a substantially cylindrical shape, and a thin film can be formed by arranging the substrate S. A vacuum pump 2 is connected to the vacuum vessel 1, and the vacuum pump 2 exhausts the inside of the vacuum vessel 1 so that the inside of the vacuum vessel 1 is about 1 × 10 −2 to 1 × 10 −5 Pa. The vacuum state can be achieved.
Further, the vacuum vessel 1 is formed with a gas introduction pipe (not shown) for introducing gas into the inside.

真空容器１の内部の圧力は不図示の圧力計によって計測、表示され、所望の圧力を圧力制御手段によって制御することができるように構成されている。
なお、真空容器１において、圧力計が配設される部分は真空シールされた構成となっている。また、圧力計、真空バルブ、真空ポンプ２はそれぞれ公知のものを用いることができる。The pressure inside the vacuum vessel 1 is measured and displayed by a pressure gauge (not shown), and a desired pressure can be controlled by pressure control means.
In addition, in the vacuum vessel 1, the part by which a pressure gauge is arrange | positioned becomes a structure sealed by vacuum. Moreover, a well-known thing can be used for a pressure gauge, a vacuum valve, and the vacuum pump 2, respectively.

真空容器１の材料としては、アルミニウムやステンレス等の金属材料等を挙げることができる。より具体的には、真空容器１の材料として、ステンレス鋼の一種であるＳＵＳ３０４等が挙げられる。   Examples of the material of the vacuum container 1 include metal materials such as aluminum and stainless steel. More specifically, examples of the material for the vacuum vessel 1 include SUS304, which is a kind of stainless steel.

基板保持機構３は、真空容器１の内部に設けられ、複数の基板Ｓを保持する。なお、基板保持機構３の構成は、後に詳述する。   The substrate holding mechanism 3 is provided inside the vacuum container 1 and holds a plurality of substrates S. The configuration of the substrate holding mechanism 3 will be described in detail later.

成膜源４は、真空容器１の内部下側に配設され、基板Ｓにむけて薄膜材料（蒸着物質）を放出する蒸発手段である。成膜源４は、薄膜材料を載せるためのくぼみを上部に備えた蒸発ボートを備えている。さらに、本実施形態では、蒸発ボートから基板Ｓに向かう薄膜材料を遮断する位置に回転自在に設けられた不図示のシャッターを備えている。そしてこのシャッターはシャッター制御手段によって適宜開閉制御される。   The film formation source 4 is an evaporation unit that is disposed on the lower side inside the vacuum container 1 and emits a thin film material (evaporation substance) toward the substrate S. The film forming source 4 includes an evaporation boat having a recess for placing a thin film material on the top. Furthermore, in the present embodiment, a shutter (not shown) provided rotatably is provided at a position where the thin film material from the evaporation boat toward the substrate S is blocked. The shutter is appropriately opened and closed by shutter control means.

本実施形態では、成膜源４として、蒸着装置で用いられる一般的な装置を採用している。すなわち、蒸発ボートとして円筒形のハースライナーが複数個設けられ、これらハースライナーが円盤状ハースの同心円状の窪みに配設されている。円盤状ハースは、銅などの熱伝導性の高い金属で形成され、図示しない水冷装置により直接的または間接的に冷却されている。各ハースライナーには、薄膜材料が収容されており、一つのハースライナーの薄膜材料がなくなると、円盤状ハースが回転し、次のハースライナーの薄膜材料を蒸発させる。なお、図１では、加熱されて薄膜材料を放出する状態にあるハースライナーのみを成膜源４として図示している。   In the present embodiment, a general apparatus used in a vapor deposition apparatus is employed as the film forming source 4. That is, a plurality of cylindrical hearth liners are provided as evaporation boats, and these hearth liners are arranged in concentric depressions of the disk-shaped hearth. The disk-shaped hearth is formed of a metal having high thermal conductivity such as copper and is directly or indirectly cooled by a water cooling device (not shown). Each hearth liner contains a thin film material. When the thin film material of one hearth liner runs out, the disk-shaped hearth rotates to evaporate the thin film material of the next hearth liner. In FIG. 1, only the hearth liner that is heated and releases the thin film material is shown as the film forming source 4.

蒸発ボートに薄膜の原料となる薄膜材料を載せた状態で、１〜３ｋＷ程度の電子線を発生させ、これを薄膜材料に照射すると、薄膜材料が加熱されて蒸発する。この状態で図示されていないシャッターを開くと、蒸発ボートから蒸発する薄膜材料は基板Ｓに向けて真空容器１の内部を移動して、基板Ｓの表面に付着する。
なお、成膜源４としては、このような電子銃により蒸発される装置に限定されず、例えば抵抗加熱により薄膜材料を蒸発させる装置でもよい。また、基板Ｓ上に形成される薄膜の種類や数に依存して、成膜源４の数や配置を適宜変更可能である。When a thin film material as a raw material for the thin film is placed on the evaporation boat, an electron beam of about 1 to 3 kW is generated, and when the thin film material is irradiated with this, the thin film material is heated and evaporated. When a shutter (not shown) is opened in this state, the thin film material evaporated from the evaporation boat moves inside the vacuum vessel 1 toward the substrate S and adheres to the surface of the substrate S.
The film forming source 4 is not limited to an apparatus that is evaporated by such an electron gun, and may be an apparatus that evaporates a thin film material by resistance heating, for example. Further, depending on the type and number of thin films formed on the substrate S, the number and arrangement of the film forming sources 4 can be changed as appropriate.

上記では、薄膜形成装置１００において、真空蒸着を行うために備えられる主要な部材について説明したが、例えば、イオンアシスト法により蒸着を行う場合は、不図示のイオン源、ニュートラライザ等が備えられる。   In the above, the main members provided for performing vacuum deposition in the thin film forming apparatus 100 have been described. For example, in the case of performing deposition by an ion assist method, an ion source (not shown), a neutralizer, and the like are provided.

イオン源は正のイオンを基板Ｓに向けて照射するための装置であり、反応ガス（例えばＯ２）や希ガス（例えばＡｒ）のプラズマから帯電したイオン（Ｏ２ ＋，Ａｒ＋）を引き出し、加速電圧により加速して射出する。イオン源としては、真空蒸着装置において一般的に用いられる公知のものを用いることができる。The ion source is an apparatus for irradiating positive ions toward the substrate S, and extracts charged ions (O 2 + , Ar + ) from plasma of a reactive gas (eg, O 2 ) or a rare gas (eg, Ar). Accelerate by the acceleration voltage and inject. As an ion source, the well-known thing generally used in a vacuum evaporation system can be used.

成膜源４から基板Ｓに向けて移動する薄膜材料は、イオン源から照射される正イオンの衝突エネルギーにより、基板Ｓの表面に高い緻密性でかつ強固に付着する。このとき、基板Ｓはイオンビームに含まれる正イオンにより正に帯電する。
したがって、必要に応じて、正に帯電した基板Ｓや基板保持機構３に電子ビームを照射して電荷の中和を行うニュートラライザを設けるようにしてもよい。The thin film material moving from the film formation source 4 toward the substrate S adheres to the surface of the substrate S with high density and strength due to the collision energy of positive ions irradiated from the ion source. At this time, the substrate S is positively charged by positive ions contained in the ion beam.
Therefore, if necessary, a neutralizer that neutralizes charges by irradiating the positively charged substrate S or the substrate holding mechanism 3 with an electron beam may be provided.

また、イオン源から放出されるイオンにより、基板Ｓの表面を予めイオンクリーニングしてから、薄膜を形成すると、膜質の良好な薄膜が形成できるため、イオン源を備えることにより、基板Ｓ上の表面を洗浄することもできる。   In addition, if the surface of the substrate S is previously ion-cleaned by ions emitted from the ion source and then a thin film is formed, a thin film with good film quality can be formed. Can also be washed.

成膜中は、成膜源４の温度は非常に高温になるため、基板Ｓが加熱されて変形することを抑制ため、基板冷却手段が備えられていてもよい。基板冷却手段は、基板Ｓを冷却してその温度を適当な温度で維持するために備えられる。基板冷却手段は、冷凍機、冷媒管、冷却板を主要な構成要素としており、成膜中、基板Ｓを冷却するため、基板保持機構３の近傍に備えられる。この基板冷却手段は、基板Ｓが樹脂製である時、特に有効である。   During film formation, since the temperature of the film formation source 4 becomes very high, a substrate cooling means may be provided in order to prevent the substrate S from being heated and deformed. The substrate cooling means is provided for cooling the substrate S and maintaining the temperature at an appropriate temperature. The substrate cooling means includes a refrigerator, a refrigerant pipe, and a cooling plate as main components, and is provided in the vicinity of the substrate holding mechanism 3 in order to cool the substrate S during film formation. This substrate cooling means is particularly effective when the substrate S is made of resin.

なお、上記では、薄膜形成装置１００として、真空蒸着法により薄膜形成を行う真空蒸着装置について説明したが、その他、スパッタリング法により薄膜を形成するスパッタ装置であってもよい。   In the above description, a vacuum deposition apparatus that forms a thin film by a vacuum deposition method has been described as the thin film formation apparatus 100. However, a sputtering apparatus that forms a thin film by a sputtering method may be used.

＜基板の構成＞
次に、本実施形態の基板保持機構３に保持される基板Ｓについて、図２を参照して説明する。図２は、基板Ｓの平面図である。<Board configuration>
Next, the substrate S held by the substrate holding mechanism 3 of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a plan view of the substrate S. FIG.

基板Ｓは、表面に薄膜が形成される基礎となる部材である。図２に示すように、基板Ｓは、矩形状の平板からなり、その板面上に薄膜が形成される成膜部分Ｓ１と、薄膜が形成されない非成膜部分Ｓ２とを備えている。   The substrate S is a member that is a basis on which a thin film is formed on the surface. As shown in FIG. 2, the substrate S is formed of a rectangular flat plate, and includes a film forming portion S1 where a thin film is formed on the plate surface and a non-film forming portion S2 where no thin film is formed.

成膜部分Ｓ１は、基板Ｓの縁端近傍に設けられており、より詳細には、矩形状の基板Ｓに備えられる二つの対向する短辺のうち、一方の短辺の近傍に設けられる。そして、成膜部分Ｓ１は、短辺を構成する縁端から若干内側に離間して、短辺の中心に相当する位置に形成される。本実施形態では、成膜部分Ｓ１は真円状の例を示すが、その他の形状であってもよい。   The film forming portion S1 is provided in the vicinity of the edge of the substrate S. More specifically, the film forming portion S1 is provided in the vicinity of one of the two opposing short sides provided in the rectangular substrate S. The film forming portion S1 is formed at a position corresponding to the center of the short side, slightly spaced inward from the edge constituting the short side. In the present embodiment, the film forming portion S1 is an example of a perfect circle, but may have other shapes.

基板Ｓは、０．３〜０．５ｍｍ程度の厚みを有するガラス製の板材であり、その表面には、装飾等の目的から、予め印刷等の手法により薄膜が形成されていてもよい。なお、本明細書中、「成膜部分Ｓ１」とは、薄膜形成装置１００内で薄膜が形成される特定の領域を指すものであり、予め薄膜が形成された部分を指すものではない。   The substrate S is a glass plate material having a thickness of about 0.3 to 0.5 mm, and a thin film may be formed on the surface in advance by a technique such as printing for the purpose of decoration or the like. In the present specification, the “film formation portion S1” refers to a specific region where a thin film is formed in the thin film forming apparatus 100, and does not refer to a portion where a thin film is formed in advance.

また、本実施形態では基板Ｓの形状として矩形の平板状のものを用いているが、これに限定されず、以下で説明する基板保持機構３の主要構成に沿って各種改変することができることは勿論である。   In the present embodiment, a rectangular flat plate is used as the shape of the substrate S. However, the present invention is not limited to this, and various modifications can be made along the main configuration of the substrate holding mechanism 3 described below. Of course.

＜基板保持機構の構成＞
次に、本実施形態の基板保持機構３について、主として図３〜図７を参照して説明する。
基板保持機構３は、薄膜形成装置１００によって複数の基板Ｓに対して一括で成膜するため、複数の基板Ｓを保持するために備えられる。図１に示すように、側方から見たとき、すなわち、側面視で山型形状に形成されており、さらに、図３に示すように、上方から見たとき、すなわち、平面視で円形状に形成されている。換言すると、基板保持機構３は、ドーム状に形成されている。なお、図３中の矢印は後述する回転部材６０の回転方向を示すものである。<Configuration of substrate holding mechanism>
Next, the substrate holding mechanism 3 of the present embodiment will be described mainly with reference to FIGS.
The substrate holding mechanism 3 is provided to hold the plurality of substrates S because the thin film forming apparatus 100 forms a film on the plurality of substrates S at a time. As shown in FIG. 1, it is formed in a mountain shape when viewed from the side, that is, when viewed from the side, and as shown in FIG. 3, when viewed from above, that is, when viewed from above, it is circular. Is formed. In other words, the substrate holding mechanism 3 is formed in a dome shape. In addition, the arrow in FIG. 3 shows the rotation direction of the rotation member 60 mentioned later.

基板保持機構３は、環状（ドーナツ状）に形成されて同心円状に配設された基板保持部材１０，２０，３０，４０を備えており、さらに、基板保持部材１０，２０，３０，４０を真空容器１内で支持する支持部材５０、支持部材５０を真空容器１内で回転させる回転部材６０を備えている。   The substrate holding mechanism 3 includes substrate holding members 10, 20, 30, and 40 that are formed in an annular shape (doughnut shape) and are arranged concentrically, and further, the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 are provided. A support member 50 that is supported in the vacuum container 1 and a rotating member 60 that rotates the support member 50 in the vacuum container 1 are provided.

基板保持部材１０，２０，３０，４０は、基板Ｓを複数保持する部材であり、アルミニウムやステンレス等の金属材料によって形成されている。なお、加工が容易であることや、比較的軽量であることから、基板保持部材１０，２０，３０，４０は、アルミニウム製とすると好ましい。   The substrate holding members 10, 20, 30, and 40 are members that hold a plurality of substrates S and are formed of a metal material such as aluminum or stainless steel. The substrate holding members 10, 20, 30, and 40 are preferably made of aluminum because they are easy to process and are relatively light.

図３に示すように、基板保持部材１０，２０，３０，４０は、同心異径の環状に形成されている。そして、本実施形態において、基板保持部材１０，２０，３０，４０は、その円周方向（すなわち、回転部材６０の回転方向）においてそれぞれ５分割されているが、これ以外の数で分割されていてもよい。このとき、基板保持部材１０，２０，３０，４０は、円周方向において２以上８以下に分割されているとよい。   As shown in FIG. 3, the substrate holding members 10, 20, 30 and 40 are formed in an annular shape having concentric and different diameters. In the present embodiment, the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 are each divided into five in the circumferential direction (that is, the rotational direction of the rotating member 60), but are divided in other numbers. May be. At this time, the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 are preferably divided into 2 or more and 8 or less in the circumferential direction.

このように、基板保持部材１０，２０，３０，４０が適当な数に分割されることにより、基板保持部材１０，２０，３０，４０が一体で形成された場合（すなわち、基板保持部材が円形状に一体に形成された場合）と比較して軽量化され、支持部材５０に対して基板保持部材１０，２０，３０，４０を取り付けやすくなり、作業効率が向上する。基板保持部材１０，２０，３０，４０は、多数の基板Ｓを載置した状態で作業者が持ち上げることにより支持部材５０に取り付けられるため、基板保持部材１０，２０，３０，４０を適当な数に分割して軽量化することにより、基板保持部材１０，２０，３０，４０の取り付け作業を容易に行うことができるようになる。   As described above, when the substrate holding members 10, 20, 30, 40 are integrally formed by dividing the substrate holding members 10, 20, 30, 40 into an appropriate number (that is, the substrate holding members are circular). Compared to a case in which the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 are easily attached to the support member 50, and work efficiency is improved. Since the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 are attached to the support member 50 by being lifted by the operator with a large number of substrates S placed thereon, an appropriate number of substrate holding members 10, 20, 30, and 40 are provided. By dividing the substrate into light weights, the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 can be easily attached.

一方、基板保持部材１０，２０，３０，４０が８よりも多く分割されると、支持部材５０に基板保持部材１０，２０，３０，４０を固定する作業時間が長くなり、作業効率が低下するため好ましくない。また、基板保持部材がより多数に分割されることにより、積載可能な基板Ｓの数が少なくなるため、成膜作業の効率が低下してしまい、好ましくない。
なお、基板保持部材１０を分割するために形成される保持治具１１，１２，１３，１４，１５の構成は、後で詳述する。On the other hand, if the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 are divided more than eight, the work time for fixing the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 to the support member 50 becomes long, and the work efficiency decreases. Therefore, it is not preferable. Moreover, since the number of substrates S that can be stacked is reduced by dividing the substrate holding member into a larger number, the efficiency of the film forming operation is lowered, which is not preferable.
The configuration of the holding jigs 11, 12, 13, 14, and 15 formed for dividing the substrate holding member 10 will be described in detail later.

環状に形成された基板保持部材１０，２０，３０，４０は、その中心が、回転部材６０の回転軸Ｘ上となるように支持部材５０によって支持される。そして、基板保持部材１０，２０，３０，４０は、最も内側の基板保持部材４０から、外側へ向かって基板保持部材３０，２０，１０の順で次第に低くなるようにして、支持部材５０に支持されている（図１参照）。   The substrate holding members 10, 20, 30, 40 formed in an annular shape are supported by the support member 50 so that the centers thereof are on the rotation axis X of the rotation member 60. The substrate holding members 10, 20, 30, 40 are supported by the support member 50 such that the substrate holding members 30, 20, 10 are gradually lowered from the innermost substrate holding member 40 toward the outside. (See FIG. 1).

それぞれ異なる径を備えた基板保持部材１０，２０，３０，４０は、互いにその一部が上下方向で重なるようにして階段状に配設される（図１参照）。より詳細には、基板保持部材１０，２０，３０の内側端部が、基板保持部材１０，２０，３０のそれぞれ一段内側に配設される基板保持部材２０，３０，４０の外側端部よりも径方向内側に配設されている。   The substrate holding members 10, 20, 30, and 40 having different diameters are arranged in a staircase shape so that parts of them overlap each other in the vertical direction (see FIG. 1). More specifically, the inner end portions of the substrate holding members 10, 20, and 30 are more than the outer end portions of the substrate holding members 20, 30, and 40 disposed on the inner side of the substrate holding members 10, 20, and 30 respectively. Arranged radially inside.

なお、本実施形態では、基板保持部材１０，２０，３０，４０として、径方向上で４つの基板保持部材を備えた構成を例に示したが、これ以外の数としてもよいのは勿論である。このように、径方向上で隣り合う基板保持部材の数を複数とすることにより、成膜される基板Ｓの数を増やすことができ、成膜作業を効率よく行うことができる。   In the present embodiment, the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 are shown as an example of a configuration in which four substrate holding members are provided in the radial direction. However, other numbers may be used as a matter of course. is there. Thus, by making the number of substrate holding members adjacent in the radial direction plural, the number of substrates S to be formed can be increased, and the film forming operation can be performed efficiently.

支持部材５０は、それぞれ異なる径を備えた基板保持部材１０，２０，３０，４０を上記構成で支持するための部材であり、回転部材６０から、回転部材６０の回転径方向（すなわち、基板保持部材１０，２０，３０，４０の径方向）に沿って放射状に延設されている。支持部材５０は、金属製の板状、または棒状の部材であり、基板保持部材１０，２０，３０，４０がドーム状に配設されるように支持している。   The support member 50 is a member for supporting the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 having different diameters with the above-described configuration. From the rotating member 60 to the rotating radial direction of the rotating member 60 (that is, substrate holding). It extends radially along the radial direction of the members 10, 20, 30, 40. The support member 50 is a metal plate-like or bar-like member, and supports the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 so as to be arranged in a dome shape.

支持部材５０の一部には、基板保持部材１０，２０，３０，４０を締結部材等の取付部材５１を固定するため、不図示の固定用板材が取り付けられている。この固定用板材と、基板保持部材１０，２０，３０，４０をそれぞれ取付部材５１によって固定することにより、基板保持部材１０，２０，３０，４０が支持部材５０に支持される。   A fixing plate material (not shown) is attached to a part of the support member 50 in order to fix the attachment members 51 such as fastening members to the substrate holding members 10, 20, 30, and 40. The substrate holding members 10, 20, 30, 40 are supported by the support member 50 by fixing the fixing plate and the substrate holding members 10, 20, 30, 40 by the attachment members 51.

さらに、支持部材の５０の一端（より詳細には、長尺部材である支持部材の端部のうち、回転部材６０側の端部）は、回転部材６０に固定されている。
回転部材６０は、基板保持機構３の中心に備えられる部材であり、基板保持機構３の中心おいて垂直方向に沿った回転軸Ｘを有している。回転部材６０は、支持部材５０を回転させることによって基板保持機構３全体を回転させるための装置であり、回転モータ等を備えた公知の構成を用いることができる。Furthermore, one end of the support member 50 (more specifically, the end on the rotating member 60 side among the ends of the supporting member that is a long member) is fixed to the rotating member 60.
The rotation member 60 is a member provided at the center of the substrate holding mechanism 3 and has a rotation axis X along the vertical direction at the center of the substrate holding mechanism 3. The rotation member 60 is a device for rotating the entire substrate holding mechanism 3 by rotating the support member 50, and a known configuration including a rotation motor or the like can be used.

上記のように、支持部材５０が回転部材６０に固定されているため、回転部材６０が回転軸Ｘを軸として回転することにより、支持部材５０、さらには基板保持部材１０，２０，３０，４０が水平方向で回転する。このように、基板保持機構３は、回転部材６０を備えているため、成膜中に基板Ｓを伴って基板保持部材１０，２０，３０，４０、が回転可能となる。その結果、多数積載される基板Ｓに形成される膜厚、膜質をより均一にすることができる。   As described above, since the support member 50 is fixed to the rotation member 60, the rotation member 60 rotates about the rotation axis X, whereby the support member 50 and further the substrate holding members 10, 20, 30, 40. Rotates horizontally. As described above, since the substrate holding mechanism 3 includes the rotating member 60, the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 can be rotated with the substrate S during film formation. As a result, it is possible to make the film thickness and film quality formed on a large number of substrates S stacked more uniform.

（保持治具の構成）
上述のように、保持治具１１，１２，１３，１４，１５は、基板保持部材１０を円周方向上（回転方向上）で分割するためにそれぞれ形成される。すなわち、基板保持部材１０は、平面視円弧状の保持治具１１，１２，１３，１４，１５に分割される。(Configuration of holding jig)
As described above, the holding jigs 11, 12, 13, 14, and 15 are respectively formed to divide the substrate holding member 10 in the circumferential direction (upward in the rotation direction). That is, the substrate holding member 10 is divided into holding jigs 11, 12, 13, 14, 15 having a circular arc shape in plan view.

基板保持部材１０，２０，３０，４０は、その直径が異なる点で相違するが、その基本構造は略同様である。また、保持治具１１，１２，１３，１４，１５は、基板保持部材１０を等分したものであり、その構成は互いに同様である。したがって、以下では、最も外側に配設された基板保持部材１０を構成する保持治具１１についてのみ説明する。   The substrate holding members 10, 20, 30, and 40 are different in that their diameters are different, but their basic structures are substantially the same. The holding jigs 11, 12, 13, 14, and 15 are obtained by equally dividing the substrate holding member 10 and have the same configuration. Therefore, hereinafter, only the holding jig 11 constituting the outermost substrate holding member 10 will be described.

保持治具１１は、環状に形成される基板保持部材１０を構成するものであり、平面視円弧状に形成されている。複数の基板Ｓは、保持治具１１上に載置されることによって基板保持部材１０（保持治具１１）に保持され、このとき、保持治具１１は、隣り合って保持される基板Ｓの非成膜部分Ｓ２の少なくとも一部が互いに重なり合うと共に、成膜部分Ｓ１が露出するようにして複数の基板Ｓを保持する。   The holding jig 11 constitutes the substrate holding member 10 formed in an annular shape, and is formed in an arc shape in plan view. The plurality of substrates S are held on the substrate holding member 10 (holding jig 11) by being placed on the holding jig 11, and at this time, the holding jig 11 is placed next to the substrate S to be held. The plurality of substrates S are held such that at least a part of the non-film-deposited portions S2 overlap each other and the film-formed portions S1 are exposed.

保持治具１１は、上記構成で複数の基板Ｓを保持するため、主要な構成要素として、少なくとも、基板Ｓをそれぞれ保持し、さらに成膜源４と基板Ｓとの間に配設される複数の保持面１１ｄと、複数の保持面１１ｄの間に形成されて基板Ｓの端部（縁端）とそれぞれ当接する複数の段差部１１ｅと、基板Ｓの端部が段差部１１ｅと当接して保持された状態にあるとき、保持面１１ｄ上において成膜部分Ｓ１に相当する部分に形成された開口部１１ｆとを備えている（図１、図４参照）。以下、保持治具１１の構成について具体的に説明する。   Since the holding jig 11 holds the plurality of substrates S with the above-described configuration, at least the substrates S are held as main components, and a plurality of the holding jigs 11 are disposed between the film forming source 4 and the substrate S. 11d, a plurality of step portions 11e formed between the plurality of holding surfaces 11d and abutting against the end portions (edges) of the substrate S, and the end portions of the substrate S abutting the step portions 11e. When in the held state, an opening 11f is formed on the holding surface 11d at a portion corresponding to the film forming portion S1 (see FIGS. 1 and 4). Hereinafter, the configuration of the holding jig 11 will be specifically described.

保持治具１１は、図４に示すように、断面略コ字状（Ｕ字状）の部材であり、円弧状に形成された底壁部１１ａと、底壁部１１ａの径方向内側端部から上方に向かって立ち上がるように延設された内側立壁部１１ｂと、底壁部１１ａの径方向外側端部から上方に向かって立ち上がるように延設された外側立壁部１１ｃとを備えている。内側立壁部１１ｂ及び外側立壁部１１ｃは、それぞれ、円弧状に形成された底壁部１１ａの径方向内側及び外側において、底壁部１１ａの端部に沿って形成されている。   As shown in FIG. 4, the holding jig 11 is a member having a substantially U-shaped cross section (U shape), and includes a bottom wall portion 11 a formed in an arc shape and a radially inner end portion of the bottom wall portion 11 a. An inner standing wall portion 11b extending so as to rise upward from the bottom, and an outer standing wall portion 11c extending so as to rise upward from the radially outer end of the bottom wall portion 11a. The inner standing wall portion 11b and the outer standing wall portion 11c are formed along the end of the bottom wall portion 11a on the radially inner side and the outer side of the bottom wall portion 11a formed in an arc shape, respectively.

底壁部１１ａ上には、基板Ｓを保持するための保持面１１ｄと、保持面１１ｄを円周方向で挟む位置に肉厚部１１ｉ，１１ｊ、及び支持部材５０に保持治具１１を取り付けるための取付部１１ｐ，１１ｑ（取り付け孔）がそれぞれ形成されている（図５参照）。また、底壁部１１ａの円周方向の一端側において備えられる肉厚部１１ｊの円周方向内側には、凹部１１ｇが形成されている。この凹部１１ｇの底部には、膜厚等の測定を行うため、開口した窓部１１ｈが形成されている。   On the bottom wall portion 11a, the holding surface 11d for holding the substrate S, and the thick jigs 11i and 11j and the support jig 50 are attached to the support member 50 at positions where the holding surface 11d is sandwiched in the circumferential direction. Mounting portions 11p and 11q (mounting holes) are formed (see FIG. 5). Moreover, the recessed part 11g is formed in the circumferential direction inner side of the thick part 11j with which one end side of the circumferential direction of the bottom wall part 11a is provided. An open window 11h is formed at the bottom of the recess 11g to measure the film thickness and the like.

さらに、底壁部１１ａ上に備えられる保持面１１ｄ、肉厚部１１ｉ，１１ｊの径方向内側及び外側には、それぞれ、排気溝１１ｋ，１１ｍが形成されている。すなわち、内側立壁部１１ｂと保持面１１ｄの間、また、外側立壁部１１ｃと保持面１１ｄの間には、それぞれ、排気溝１１ｋ，１１ｍが備えられている。
さらに、凹部１１ｅを備えた肉厚部１１ｊにもまた、肉厚部１１ｊの一部を切り欠くように形成された排気溝１１ｊｘが形成されている。Further, exhaust grooves 11k and 11m are formed on the inner side and the outer side of the holding surface 11d and the thick portions 11i and 11j provided on the bottom wall portion 11a, respectively. That is, exhaust grooves 11k and 11m are provided between the inner standing wall portion 11b and the holding surface 11d and between the outer standing wall portion 11c and the holding surface 11d, respectively.
Further, an exhaust groove 11jx formed so as to cut out a part of the thick portion 11j is also formed in the thick portion 11j provided with the concave portion 11e.

このように、保持治具１１において排気溝１１ｋ，１１ｍ，１１ｊｘを備えることにより、成膜時、薄膜形成装置１００内の脱気を行いやすくなる。
保持治具１１は、図５のように、複数の基板Ｓが載置されることにより基板Ｓを保持するが、上述のように排気溝１１ｋ，１１ｍ，１１ｊｘを備えることにより、基板Ｓと保持治具１１との間にたまる空気を円滑に除去することが可能となり、成膜作業を効率よく行うことができる。Thus, by providing the exhaust grooves 11k, 11m, and 11jx in the holding jig 11, it becomes easy to deaerate the thin film forming apparatus 100 during film formation.
As shown in FIG. 5, the holding jig 11 holds the substrate S by placing a plurality of substrates S. As described above, the holding jig 11 holds the substrate S by providing the exhaust grooves 11k, 11m, and 11jx. It is possible to smoothly remove the air accumulated between the jig 11 and the film forming operation can be performed efficiently.

円弧状に形成された保持治具１１は、図５に示すように、その円弧に沿って基板Ｓが複数並べて載置されることにより、基板Ｓを保持する。したがって、底壁部１１ａ上に形成される複数の保持面１１ｄもまた、円弧状に隣接して複数形成されている。各保持面１１ｄは、底壁部１１ａを水平な状態としたとき、その上面（基板Ｓを保持する面）が若干傾斜して形成されている（図６、図７参照）。   As shown in FIG. 5, the holding jig 11 formed in an arc shape holds the substrate S by mounting a plurality of substrates S along the arc. Therefore, a plurality of holding surfaces 11d formed on the bottom wall portion 11a are also formed adjacent to each other in an arc shape. Each holding surface 11d is formed so that the upper surface (the surface holding the substrate S) is slightly inclined when the bottom wall portion 11a is in a horizontal state (see FIGS. 6 and 7).

これら複数の保持面１１ｄの間には、それぞれ、段差部１１ｅが形成されている。すなわち、段差部１１ｅは、それぞれ隣接する保持面１１ｄの間に形成されている。したがって、複数の保持面１１ｄ及び複数の段差部１１ｅを備えることにより、保持治具１１は、基板Ｓを保持する部分が階段状に形成されている。   Step portions 11e are formed between the plurality of holding surfaces 11d. That is, the step portion 11e is formed between the holding surfaces 11d adjacent to each other. Therefore, the holding jig 11 is formed with a stepped portion for holding the substrate S by including the plurality of holding surfaces 11d and the plurality of step portions 11e.

このように、保持治具１１は、複数の保持面１１ｄ及び複数の段差部１１ｅが、断面視の状態で階段状に形成されており、一つの保持面１１ｄに対して一枚の基板Ｓが保持される構成となっている。したがって、この保持治具１１に対し、基板Ｓを順に重ねていくことにより、複数の基板Ｓは、互いにその一部が重なる状態（さらに、一部がずれた状態）で保持される。
より詳細には、保持面１１ｄの面積は、基板Ｓの面積よりも小さく形成されており、隣り合う基板Ｓの非成膜部分Ｓ２が互いに重なるようにして、保持治具１１が基板Ｓを保持する。As described above, the holding jig 11 has a plurality of holding surfaces 11d and a plurality of stepped portions 11e formed in a step shape in a cross-sectional view, and one substrate S is formed on one holding surface 11d. It has a configuration to be held. Therefore, by sequentially stacking the substrates S on the holding jig 11, the plurality of substrates S are held in a state in which some of them overlap each other (and some of them are shifted).
More specifically, the area of the holding surface 11d is formed smaller than the area of the substrate S, and the holding jig 11 holds the substrate S so that the non-film forming portions S2 of the adjacent substrates S overlap each other. To do.

そして、段差部１１ｅは、図５に示すように、径方向（図５において一点鎖線で示す方向）に対して沿うように形成されるのではなく、径方向に対して傾斜する方向に沿って形成されている。このように、段差部１１ｅの延在方向が、環状の基板保持部材１０（より詳細には、基板保持部材１０を構成する保持治具１１）の径方向に対して傾斜する構成とすることにより、より多くの基板Ｓを保持治具１１に保持させることができる。   And the level | step-difference part 11e is not formed so that it may follow along a radial direction (direction shown with a dashed-dotted line in FIG. 5), as shown in FIG. 5, but along the direction which inclines with respect to a radial direction. Is formed. As described above, the extending direction of the stepped portion 11e is inclined with respect to the radial direction of the annular substrate holding member 10 (more specifically, the holding jig 11 constituting the substrate holding member 10). More substrates S can be held by the holding jig 11.

さらに、基板Ｓは、内側立壁部１１ｂ、外側立壁部１１ｃとの間に保持される。このとき、基板Ｓは，略矩形状に形成された基板Ｓの縁辺のうち、（保持治具１１の）径方向内側の縁辺が、内側立壁部１１ｂに当接するようにして保持治具１１に保持される。より詳細には、径方向内側の縁辺の中心が、内側立壁部１１ｂに当接するようにして保持される。   Furthermore, the board | substrate S is hold | maintained between the inner side standing wall part 11b and the outer side standing wall part 11c. At this time, of the edges of the substrate S formed in a substantially rectangular shape, the substrate S is attached to the holding jig 11 so that the radially inner edge (of the holding jig 11) is in contact with the inner standing wall portion 11b. Retained. More specifically, the center of the radially inner edge is held so as to abut against the inner standing wall portion 11b.

このように、基板Ｓの端部が、それぞれ段差部１１ｅ及び内側立壁部１１ｂに当接して保持されるため、基板Ｓは、保持治具１１上で容易に且つ安定して固定され、その保持位置がずれてしまうことがない。したがって、保持治具１１は、基板Ｓを載置するだけで容易に基板を保持させることができ、さらに基板Ｓが、位置ずれすることなく適切な位置に保持されるため、保持治具１１に基板Ｓを保持させる工程を効率よく行うことが可能となる。また、保持治具１１は、例えば、回転部材６０の回転時であっても、基板Ｓを安定して保持することができるため、形成される薄膜の膜質を低下させることなく、良好な膜質の薄膜を成膜部分Ｓ１に形成することができる。   Thus, since the edge part of the board | substrate S is contact | abutted and hold | maintained at the level | step-difference part 11e and the inner side standing wall part 11b, the board | substrate S is easily and stably fixed on the holding jig 11, and the holding | maintenance is carried out. The position will not shift. Therefore, the holding jig 11 can easily hold the substrate simply by placing the substrate S, and the substrate S is held at an appropriate position without being displaced. The step of holding the substrate S can be performed efficiently. Moreover, since the holding jig 11 can hold the substrate S stably even when the rotating member 60 is rotating, for example, the holding jig 11 has a good film quality without deteriorating the film quality of the formed thin film. A thin film can be formed in the film forming portion S1.

上記構成の段差部１１ｅを備えた保持治具１１において、矩形状の基板Ｓは、以下の関係となるように保持される。矩形状の基板Ｓの縁辺のうち、径方向内側の縁辺の長さをＬ（図５では、対向する縁辺の長さをＬとして示しているが、径方向内側に配設される縁辺と、外側に配設される縁辺の長さは等しい）とし、この縁辺の中心点から、保持治具１１が描く円弧の中心点（基板保持部材１０の回転軸Ｘ）までの距離をｒとしたとき、距離ｒに対する長さＬの半分の長さ、すなわち（Ｌ／２）／ｒ（後述のθ１におけるｔａｎθ１の値）は、０．０５以上、０．７５以下となるように基板保持部材１０（保持治具１１）が形成されている。   In the holding jig 11 having the step portion 11e having the above-described configuration, the rectangular substrate S is held so as to have the following relationship. Of the edges of the rectangular substrate S, the length of the edge on the radially inner side is L (in FIG. 5, the length of the opposite edge is shown as L, but the edge disposed on the radially inner side; And the distance from the center point of this edge to the center point of the arc drawn by the holding jig 11 (rotation axis X of the substrate holding member 10) is r. The substrate holding member 10 (so that the length half of the length L with respect to the distance r, that is, (L / 2) / r (the value of tan θ1 in θ1 described later) is 0.05 or more and 0.75 or less. A holding jig 11) is formed.

換言すると、矩形状の基板Ｓの縁辺のうち、径方向内側の縁辺の中心点と保持治具１１が描く円弧の中心点（回転軸Ｘ）とを通る線分と、矩形状の基板Ｓの頂点のうち、径方向内側に配置される頂点と保持治具１１が描く円弧の中心点（回転軸Ｘ）とを通る線分とが成す角度をθ１としたとき（図５参照）、θ１は、２．９°以上、３６．９°以下となるように基板保持部材１０（保持治具１１）が形成されている。なお、角度θ１は、仮径方向内側の縁辺の中心点と保持治具１１が描く円弧の中心点（回転軸Ｘ）とを通る線分と、矩形状の基板Ｓの頂点のうち、径方向内側に配置される頂点と保持治具１１が描く円弧の中心点（回転軸Ｘ）とを通る線分とが成す角度のうち、鋭角を示す。   In other words, of the edges of the rectangular substrate S, a line segment passing through the center point of the radially inner edge and the center point (rotation axis X) of the arc drawn by the holding jig 11, and the rectangular substrate S Of the vertices, when θ1 is an angle formed between a vertex arranged radially inward and a line segment passing through the center point (rotation axis X) of the circular arc drawn by the holding jig 11 (see FIG. 5), θ1 is The substrate holding member 10 (holding jig 11) is formed to be 2.9 ° or more and 36.9 ° or less. The angle θ1 is the radial direction among the line segment passing through the center point of the inner edge in the temporary radial direction and the center point (rotation axis X) of the arc drawn by the holding jig 11 and the vertex of the rectangular substrate S. Of the angles formed by a line segment passing through the vertex arranged on the inside and the center point (rotation axis X) of the arc drawn by the holding jig 11, an acute angle is shown.

このように、基板保持部材１０を構成する保持治具１１（さらには、上述のように、それぞれ直径が異なる基板保持部材２０，３０，４０を構成する保持治具）が、上記の関係を満たすように形成されていることにより、基板保持部材１０は多数の基板Ｓを保持することができる。また、基板保持部材１０，２０，３０，４０は、その直径が互いに異なっていても、大量の基板Ｓを載置するための段差部を形成する際、上記の関係を満たすようにするとよい。ｔａｎθ１（またはθ１）の値を上記関係とすることにより、一括で大量の基板Ｓを処理可能となり、薄膜形成作業を極めて効率よく行うことが可能となる。   As described above, the holding jig 11 constituting the substrate holding member 10 (and the holding jigs constituting the substrate holding members 20, 30, 40 having different diameters as described above) satisfy the above relationship. Thus, the substrate holding member 10 can hold a large number of substrates S. Moreover, even if the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 have different diameters, it is preferable to satisfy the above relationship when forming a stepped portion for placing a large amount of the substrate S. By setting the value of tan θ1 (or θ1) to the above relationship, a large amount of substrates S can be processed at once, and the thin film forming operation can be performed very efficiently.

また、矩形状に形成された基板Ｓは、重なり合って保持される複数の基板Ｓのうち、一方の基板Ｓの縁辺と、他方の基板Ｓの縁辺とが成す角度が、０°以上９０°以下となるように保持治具１１上に保持される。このような構成で保持治具１１上に基板Ｓを保持させることにより、より多くの基板Ｓを基板保持部材１０に保持させることができ、薄膜形成作業を極めて効率よく行うことができる。   In addition, in the substrate S formed in a rectangular shape, an angle formed by the edge of one substrate S and the edge of the other substrate S among the plurality of substrates S held in an overlapping manner is 0 ° or more and 90 ° or less. It is hold | maintained on the holding jig 11 so that it may become. By holding the substrate S on the holding jig 11 with such a configuration, a larger number of substrates S can be held on the substrate holding member 10 and the thin film forming operation can be performed very efficiently.

図６、図７に示すように、保持治具１１は、基板Ｓが水平面に対して若干傾斜した状態で基板Ｓを保持する保持面１１ｄと、保持面１１ｄの端部に形成された段差部１１ｅとを備えている。なお、図６は保持治具１１に複数の基板Ｓを載置した状態の概略断面図であり、図７は、図６の部分拡大図である。   As shown in FIGS. 6 and 7, the holding jig 11 includes a holding surface 11d that holds the substrate S in a state where the substrate S is slightly inclined with respect to the horizontal plane, and a step portion formed at the end of the holding surface 11d. 11e. 6 is a schematic cross-sectional view of a state where a plurality of substrates S are placed on the holding jig 11, and FIG. 7 is a partially enlarged view of FIG.

保持面１１ｄには、基板Ｓの成膜部分Ｓ１を成膜源４に対して露出させるための開口部１１ｆが形成されている。この開口部１１ｆは、保持面１１ｄ及び段差部１１ｅと同様に、保持治具１１の円弧形状に沿うように並んで形成されている。そして、開口部１１ｆは、保持面１１ｄに基板Ｓを保持した状態（すなわち、基板Ｓの端部が段差部１１ｅに当接した状態）としたとき、基板Ｓの成膜部分Ｓ１に相当する部分に真円状に形成されている。すなわち、開口部１１ｆは、成膜部分Ｓ１の外周に沿って開口するように形成されている。なお、開口部１１ｆの形状は、基板Ｓの成膜部分Ｓ１の形状に依存して決定されるものであり、真円状以外の形状であってもよいのは勿論である。   In the holding surface 11d, an opening 11f for exposing the film forming portion S1 of the substrate S to the film forming source 4 is formed. The opening 11f is formed side by side along the arc shape of the holding jig 11, like the holding surface 11d and the stepped portion 11e. The opening 11f is a portion corresponding to the film forming portion S1 of the substrate S when the substrate S is held on the holding surface 11d (that is, the end of the substrate S is in contact with the stepped portion 11e). It is formed in a perfect circle shape. That is, the opening 11f is formed so as to open along the outer periphery of the film forming portion S1. Note that the shape of the opening 11f is determined depending on the shape of the film forming portion S1 of the substrate S, and it is needless to say that the shape may be other than a perfect circle.

このように、保持治具１１の保持面１１ｄにおいて開口部１１ｆが形成されていることにより、保持治具１１がマスクの役割を果たすことができる。したがって、保持治具１１以外に基板Ｓを覆う部材を別に設ける必要がなく、成膜作業を効率よく行うことができる。また、成膜部分の形状、大きさを緻密に制御することが容易となる。   As described above, since the opening 11f is formed in the holding surface 11d of the holding jig 11, the holding jig 11 can serve as a mask. Therefore, it is not necessary to separately provide a member for covering the substrate S other than the holding jig 11, and the film forming operation can be performed efficiently. Further, it becomes easy to precisely control the shape and size of the film forming portion.

また、保持治具１１は、水平面に対し、一端側が他端側と比較して高くなるように若干傾斜した保持面１１ｄと、その保持面１１ｄの高くなった部分から一段下がるように形成される段差部１１ｅとを交互に連続して備えることにより、保持治具１１に保持される複数の基板Ｓの保持位置（より詳細には、成膜部分Ｓ１の位置）を均一とすることができる。したがって、保持面１１ｄに形成された開口部１１ｆと、成膜源４との距離を均一にすることができるため、複数の基板Ｓに対して同様の条件で成膜することができ、均一な膜厚で成膜することができる。また、保持治具１１は、段差部１１ｅを備えることにより、段差部１１ｅに対して基板Ｓの端部（縁端）を当接させて基板Ｓの保持位置を容易に決定することができる。   Further, the holding jig 11 is formed so as to be lowered by one step from the holding surface 11d slightly inclined so that one end side is higher than the other end side with respect to the horizontal plane, and the holding surface 11d is raised. By providing the step portions 11e alternately and continuously, the holding positions of the plurality of substrates S held by the holding jig 11 (more specifically, the positions of the film forming portions S1) can be made uniform. Therefore, since the distance between the opening 11f formed in the holding surface 11d and the film forming source 4 can be made uniform, it is possible to form a film on a plurality of substrates S under the same conditions, and to make the uniform The film can be formed with a film thickness. Further, since the holding jig 11 includes the step portion 11e, the holding position of the substrate S can be easily determined by bringing the end portion (edge) of the substrate S into contact with the step portion 11e.

段差部１１ｅの高さは、基板Ｓの厚みと比較して０．０５ｍｍ以上高く形成されている。より詳細には、段差部１１ｅは、０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下の範囲で基板Ｓの厚みよりも高くなるように形成されている。
このように、段差部１１ｅが基板Ｓの厚みよりも若干高く形成されていることにより、段差部１１ｅに対して基板Ｓの端部を当接させやすくすることができる。さらに、保持面１１ｄに基板Ｓを保持させた際、段差部１１ｅの高さによって重なり合う基板Ｓ同士が若干隙間を開けて重ねられるため、基板Ｓの表面が互いに接触しにくくなり、摩擦により基板Ｓの表面が損傷するのを抑制することができる。The height of the stepped portion 11e is higher than the thickness of the substrate S by 0.05 mm or more. More specifically, the step portion 11e is formed to be higher than the thickness of the substrate S in the range of 0.05 mm to 0.1 mm.
As described above, since the step portion 11e is formed slightly higher than the thickness of the substrate S, the end portion of the substrate S can be easily brought into contact with the step portion 11e. Further, when the substrate S is held on the holding surface 11d, the overlapping substrates S are stacked with a slight gap depending on the height of the stepped portion 11e, so that the surfaces of the substrates S are difficult to contact each other, and the substrate S is caused by friction. It is possible to prevent the surface of the substrate from being damaged.

したがって、段差部１１ｅの高さと基板Ｓの厚みとの差が０．０５ｍｍよりも小さいと、基板Ｓ同士が接触しやすくなるため、好ましくない。また、段差部１１ｅの高さと基板Ｓの厚みとの差が０．１ｍｍよりも大きいと、複数の基板Ｓに対して均一な薄膜を形成しにくくなるため、好ましくない。したがって、段差部１１ｅの高さと基板Ｓの厚みとの差は、上記範囲とすることが好ましい。   Therefore, if the difference between the height of the stepped portion 11e and the thickness of the substrate S is smaller than 0.05 mm, the substrates S are likely to come into contact with each other, which is not preferable. Further, if the difference between the height of the stepped portion 11e and the thickness of the substrate S is larger than 0.1 mm, it is difficult to form a uniform thin film on the plurality of substrates S, which is not preferable. Therefore, the difference between the height of the step portion 11e and the thickness of the substrate S is preferably in the above range.

また、上述のように、保持治具１１において、肉厚部１１ｊには、凹部１１ｇが形成されている。凹部１１ｇは、保持治具１１に対して載置される基板Ｓのうち、最初に載置される基板Ｓの表面を、肉厚部１１ｊとの摩擦によって損傷しないように形成されている。したがって、大量の基板Ｓに薄膜を形成する作業において、基板Ｓを損傷することによる歩留まりの低下を抑制することができるため、より効率よく薄膜を形成することが可能となる。   Further, as described above, in the holding jig 11, the thick portion 11j is formed with the concave portion 11g. The recessed part 11g is formed so that the surface of the board | substrate S mounted initially among the board | substrates S mounted with respect to the holding jig 11 is not damaged by friction with the thick part 11j. Therefore, in the operation of forming a thin film on a large number of substrates S, a decrease in yield due to damage to the substrate S can be suppressed, so that the thin film can be formed more efficiently.

基板Ｓを保持治具１１に載置する手順は、以下の通りである。
まず、１枚の基板Ｓを、凹部１１ｇを基板Ｓが覆うようにして肉厚部１１ｊに載置する。このとき、最も肉厚部１１ｊに近い位置に形成されている段差部１１ｅに対して、基板Ｓの端部を当接させるようにして基板Ｓを載置する。The procedure for placing the substrate S on the holding jig 11 is as follows.
First, a single substrate S is placed on the thick portion 11j so that the substrate S covers the recess 11g. At this time, the substrate S is placed so that the end portion of the substrate S is brought into contact with the stepped portion 11e formed at a position closest to the thick portion 11j.

次に、２枚目の基板Ｓを１枚目の基板Ｓの上に重ね、１枚目の基板Ｓが当接した段差部１１ｅの隣の段差部１１ｅに対して２枚目の基板Ｓの端部を当接させる。このとき、２枚目の基板Ｓの成膜部分Ｓ１は、１枚目の基板Ｓに対して重ならないように（さらに、２枚目の基板Ｓの非成膜部分Ｓ２が他方の基板Ｓに重なるようにして）載置される。   Next, the second substrate S is stacked on the first substrate S, and the second substrate S is placed on the step portion 11e adjacent to the step portion 11e with which the first substrate S is in contact. The end is brought into contact. At this time, the film-forming portion S1 of the second substrate S does not overlap the first substrate S (in addition, the non-film-forming portion S2 of the second substrate S is on the other substrate S). It is placed in a way that overlaps.

上記のような手順で複数の基板Ｓを保持治具１１に載置した後、保持治具１１を適宜支持部材５０に取り付け、基板Ｓを真空容器１内で保持させた後、薄膜形成を行う。
このように、保持治具１１は、成膜部分Ｓ１のみを成膜源４に対して露出して保持することができるため、成膜部分Ｓ１及び非成膜部分Ｓ２を備えた基板Ｓを、一括で、大量に生産することができる。したがって、成膜作業に必要な時間を短縮することができ、成膜作業における費用の削減が可能となる。After the plurality of substrates S are placed on the holding jig 11 in the above-described procedure, the holding jig 11 is appropriately attached to the support member 50, the substrate S is held in the vacuum vessel 1, and then a thin film is formed. .
Thus, since the holding jig 11 can expose and hold only the film forming portion S1 with respect to the film forming source 4, the substrate S including the film forming portion S1 and the non-film forming portion S2 is Can be mass produced in batch. Therefore, the time required for the film forming operation can be shortened, and the cost for the film forming operation can be reduced.

（基板保持部材の支持）
上記構成の基板保持部材１０（基板保持部材２０，３０，４０も同様）は、以下のような様々な構成で支持されていてもよい。図８を参照して、基板保持部材１０，２０，３０，４０の支持される構成について、以下、説明する。なお、図８は、基板保持機構３を側方から見た状態（すなわち、側面視の状態）を示すものである。(Support for substrate holding member)
The substrate holding member 10 having the above configuration (the same applies to the substrate holding members 20, 30, and 40) may be supported by the following various configurations. With reference to FIG. 8, a configuration in which the substrate holding members 10, 20, 30, 40 are supported will be described below. FIG. 8 shows a state in which the substrate holding mechanism 3 is viewed from the side (that is, a side view).

基板保持機構３は、上述のように、ドーム状に形成されている。すなわち、基板保持部材１０，２０，３０，４０は、基板保持機構３がドーム状に形成されるように、下方に配設される基板保持部材ほど、その直径が大きくなるように形成されている。そして、基板保持部材１０，２０，３０，４０は、その開口部が、回転部材６０の回転軸Ｘをその中心軸とする仮想ドーム上（仮想ドーム表面上）に位置するように、支持部材５０によって支持されている。   The substrate holding mechanism 3 is formed in a dome shape as described above. That is, the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 are formed such that the diameter of the substrate holding member disposed below is larger so that the substrate holding mechanism 3 is formed in a dome shape. . The substrate holding members 10, 20, 30, and 40 have a support member 50 such that the opening thereof is positioned on the virtual dome (on the virtual dome surface) having the rotation axis X of the rotation member 60 as the central axis. Is supported by.

このように、基板保持部材１０，２０，３０，４０の開口部が回転軸Ｘを中心軸とする仮想ドーム上に位置するように支持されることにより、基板Ｓ上に形成される薄膜の厚さを均一にすることができる。
なお、図８では、上記仮想ドームが円錐台形状のものを例として示したが、所定の曲率を有する球状のドーム（半球状ドーム）の表面上に基板保持部材１０，２０，３０，４０の開口部が配設される構成であってもよい。Thus, the thickness of the thin film formed on the substrate S is supported by supporting the openings of the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 on the virtual dome having the rotation axis X as the central axis. The thickness can be made uniform.
In FIG. 8, the virtual dome has a truncated cone shape as an example, but the substrate holding members 10, 20, 30, 40 are formed on the surface of a spherical dome having a predetermined curvature (semispherical dome). The structure by which an opening part is arrange | positioned may be sufficient.

また、図８において示す基板保持部材１０のように、は、基板Ｓを保持する保持面１１ｄと、回転軸Ｘとが成す角度が可変となるように支持部材５０によって支持されていてもよい。すなわち、基板保持部材１０（基板保持部材２０，３０，４０）の基板Ｓが載置される保持面１１ｄは、水平な状態で保持されていなくてもよい。なお、図８では、基板保持部材１０のみが上記角度を可変とした状態で配設された構成を図示しているが、その他の基板保持部材２０，３０，４０もまた、同様に上記角度を可変としてもよいのは勿論である。   Further, like the substrate holding member 10 shown in FIG. 8, the support member 50 may support the angle formed between the holding surface 11 d that holds the substrate S and the rotation axis X. That is, the holding surface 11d on which the substrate S of the substrate holding member 10 (substrate holding members 20, 30, 40) is placed does not have to be held in a horizontal state. FIG. 8 shows a configuration in which only the substrate holding member 10 is arranged in a state where the angle is variable, but the other substrate holding members 20, 30, and 40 are similarly set to the angle. Of course, it may be variable.

このとき、基板保持部材１０（基板保持部材２０，３０，４０）が、基板Ｓの成膜面Ｔ上に形成される成膜部分Ｓ１（より詳細には、成膜部分Ｓ１の中心点）及び成膜源４（より詳細には、薄膜材料が収められたハースライナーの端部）を通る第１の仮想線Ｖ１と、成膜面Ｔ（より詳細には、成膜面Ｔにおいて、成膜部分Ｓ１の中心点）に対する垂線Ｐとが成す角度θ２が０°以上４５°以下となるように基板Ｓを保持する構成とすると好適である。なお、図８では、簡略化のため、基板保持部材１０上に備えられる複数の基板Ｓのうち、開口部１１ｆに臨むように載置された基板Ｓのみを図示している。なお、角度θ２は仮想線Ｖ１と垂線Ｐとが成す角度のうち、鋭角を示す。   At this time, the substrate holding member 10 (substrate holding members 20, 30, 40) is formed on the film formation surface T of the substrate S, more specifically, the film formation portion S1 (more specifically, the center point of the film formation portion S1) and The first imaginary line V1 passing through the film formation source 4 (more specifically, the end of the hearth liner containing the thin film material) and the film formation surface T (more specifically, film formation on the film formation surface T) It is preferable to hold the substrate S so that an angle θ2 formed by a perpendicular line P to the center point of the portion S1 is 0 ° or more and 45 ° or less. In FIG. 8, for simplification, only the substrate S placed so as to face the opening portion 11f is illustrated among the plurality of substrates S provided on the substrate holding member 10. The angle θ2 indicates an acute angle among the angles formed by the virtual line V1 and the perpendicular line P.

θ２が４５°よりも大きい構成とすると、基板Ｓの成膜面Ｔに対して薄膜材料が斜めに入射するため、形成される薄膜の密度が低くなり、薄膜の屈折率が低下する。その結果、基板Ｓ上に形成される薄膜において、所望の分光特性が得られにくいという不都合が生じる。   When θ2 is larger than 45 °, the thin film material is obliquely incident on the film formation surface T of the substrate S, so that the density of the formed thin film is lowered and the refractive index of the thin film is lowered. As a result, the thin film formed on the substrate S has a disadvantage that it is difficult to obtain desired spectral characteristics.

したがって、上述のように、成膜面Ｔ上の成膜部分Ｓ１に対して成膜源４から薄膜材料が入射する角度、すなわち、基板Ｓの成膜部分Ｓ１及び成膜源４を通る仮想線Ｖ１と、成膜面Ｔに対する垂線Ｐとが成す角度θ２を０°以上４５°以下とすることにより、基板上に形成される薄膜の厚さを制御しやすく、複数の基板においてより均一な膜厚の薄膜を形成することができる。
なお、図８では、基板保持部材１０のみが保持面１１ｄを水平面に対して傾斜した状態で配設された構成を図示しているが、その他の基板保持部材２０，３０，４０もまた、同様に傾斜した状態としてもよいのは勿論である。Therefore, as described above, the angle at which the thin film material is incident from the film formation source 4 on the film formation portion S1 on the film formation surface T, that is, an imaginary line passing through the film formation portion S1 and the film formation source 4 of the substrate S. By making the angle θ2 formed by V1 and the perpendicular line P with respect to the film-forming surface T be 0 ° or more and 45 ° or less, the thickness of the thin film formed on the substrate can be easily controlled, and a more uniform film on a plurality of substrates A thick thin film can be formed.
8 shows a configuration in which only the substrate holding member 10 is disposed with the holding surface 11d inclined with respect to the horizontal plane, the other substrate holding members 20, 30, and 40 are also the same. Of course, it may be in a state of being inclined.

さらに、上述の通り、平面視で環状に形成された基板保持部材１０，２０，３０，４０は、径方向において互いに隣り合って配設されているが、径方向において互いに隣り合う基板保持部材１０，２０，３０，４０が、以下に説明するような関係となるように配設されていると好ましい。以下では、図８を参照し、径方向において互いに隣り合う基板保持部材２０，３０を例に挙げて説明する。   Further, as described above, the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 formed in an annular shape in plan view are disposed adjacent to each other in the radial direction, but are adjacent to each other in the radial direction. , 20, 30, and 40 are preferably arranged so as to have a relationship as described below. Hereinafter, the substrate holding members 20 and 30 that are adjacent to each other in the radial direction will be described as an example with reference to FIG.

径方向内側に配設される基板保持部材３０の開口部３１ｆは、少なくとも、径方向外側に隣り合って配設される基板保持部材２０の径方向内側の端部よりもさらに内側に配設されるようにして支持部材５０に支持される。   The opening 31f of the substrate holding member 30 disposed on the radially inner side is disposed further on the inner side than at least the radially inner end of the substrate holding member 20 disposed adjacent to the radially outer side. In this way, it is supported by the support member 50.

そして、径方向上で互いに隣り合って配設される基板保持部材２０，３０は、側面視の状態において、一方の基板保持部材３０に形成された開口部３１ｆが、成膜源４に対し、他方の基板保持部材２０の径方向の端部（より詳細には、径方向内側端部）によって遮蔽されない位置（露出する位置）に配設される。この構成とすることにより、基板Ｓ上に形成される薄膜の膜厚を一定とすることができる。   The substrate holding members 20, 30 arranged adjacent to each other in the radial direction have an opening 31 f formed in one of the substrate holding members 30 with respect to the film formation source 4 in a side view state. The other substrate holding member 20 is disposed at a position (exposed position) that is not shielded by a radial end (more specifically, a radial inner end). By setting it as this structure, the film thickness of the thin film formed on the board | substrate S can be made constant.

より詳細には、径方向上で互いに隣り合って配設される基板保持部材２０，３０は、側面視の状態において、一方の基板保持部材３０に形成された開口部３１ｆの外周端部と成膜源４とを通る第２の仮想線Ｖ２に対し、他方の基板保持部材２０の径方向の端部（より詳細には、径方向内側端部）が側面視で２０ｍｍ以上離れた位置で配設される。   More specifically, the substrate holding members 20, 30 arranged adjacent to each other in the radial direction are formed with the outer peripheral end portion of the opening 31 f formed in one substrate holding member 30 in a side view state. With respect to the second virtual line V2 passing through the film source 4, the radial end portion (more specifically, the radial inner end portion) of the other substrate holding member 20 is arranged at a position separated by 20 mm or more in a side view. Established.

すなわち、図８において、径方向に隣り合って配設される基板保持部材２０，３０のうち、径方向内側に配設される基板保持部材３０の開口部３１ｆ（より詳細には、開口部において、基板保持部材３０の径方向外側に位置する端部）及び、成膜源４（より詳細には、薄膜材料が収められたハースライナーの端部であって、上記径方向の外側端部）を通る線分を仮想線Ｖ２とし、また、仮想線Ｖ２に対して平行であり、且つ、基板保持部材３０よりも外側に配設される基板保持部材２０の径方向内側の端部（基板保持部材２０を構成する保持治具の内側立壁部の上端部）を通る線分を仮想線Ｖ３とするとき、仮想線Ｖ２と仮想線Ｖ３の間の距離Ｉが、２０ｍｍ以上となる構成であるとよい。
なお、上記数値の根拠は、後で詳述する。That is, in FIG. 8, among the substrate holding members 20 and 30 disposed adjacent to each other in the radial direction, an opening 31f (more specifically, in the opening) of the substrate holding member 30 disposed on the radially inner side. , An end located on the outer side in the radial direction of the substrate holding member 30) and the film forming source 4 (more specifically, the end of the hearth liner containing the thin film material, which is the outer end in the radial direction). Is a virtual line V2, and is parallel to the virtual line V2 and is located on the radially inner end of the substrate holding member 20 disposed outside the substrate holding member 30 (substrate holding). When a line segment passing through the upper end portion of the inner standing wall portion of the holding jig constituting the member 20 is a virtual line V3, the distance I between the virtual line V2 and the virtual line V3 is 20 mm or more. Good.
The basis for the above numerical values will be described in detail later.

環状に形成された基板保持部材１０，２０，３０，４０が径方向上で隣り合うように配設された基板保持機構３において、基板Ｓ上に形成される薄膜の厚さは、互いに隣り合って配設される基板保持部材１０，２０，３０，４０の影響を受けやすい。したがって、一方の基板保持部材（図８では、基板保持部材３０）の開口部と、他方の基板保持部材（図８では、基板保持部材２０）の径方向の端部との関係を上記構成とすることにより、形成される薄膜の厚さが基板保持部材（図８では、基板保持部材２０）の影響を受けにくくなり、膜厚をより均一にすることができる。
上記の隣り合う基板保持部材１０，２０，３０，４０の配設位置に関して、以下の実施例及び比較例でさらに詳述する。In the substrate holding mechanism 3 in which the annularly formed substrate holding members 10, 20, 30, 40 are arranged adjacent to each other in the radial direction, the thicknesses of the thin films formed on the substrate S are adjacent to each other. Are easily affected by the substrate holding members 10, 20, 30, and 40. Therefore, the relationship between the opening of one substrate holding member (substrate holding member 30 in FIG. 8) and the radial end of the other substrate holding member (substrate holding member 20 in FIG. 8) is the above-described configuration. By doing so, the thickness of the thin film to be formed is less affected by the substrate holding member (substrate holding member 20 in FIG. 8), and the film thickness can be made more uniform.
The arrangement positions of the adjacent substrate holding members 10, 20, 30, 40 will be further described in detail in the following examples and comparative examples.

（実施例１及び比較例１，２）
上記構成の基板保持機構３によって基板Ｓを保持し、屈折率が異なる薄膜を積層させることにより反射防止膜（ＡＲ膜）を作成し、上記距離Ｉの効果について評価した。
なお、反射防止膜を構成する各層の成膜条件は下記のとおりであり、実施例１及び比較例１，２で共通である。(Example 1 and Comparative Examples 1 and 2)
The substrate S was held by the substrate holding mechanism 3 configured as described above, and an antireflection film (AR film) was formed by laminating thin films having different refractive indexes, and the effect of the distance I was evaluated.
The film forming conditions of each layer constituting the antireflection film are as follows, and are common to Example 1 and Comparative Examples 1 and 2.

基板：ガラス基板
高屈折率誘電体材料： ＴｉＯ２
低屈折率誘電体材料： ＳｉＯ２
ＴｉＯ２の成膜速度： ０．２ｎｍ／ｓｅｃ
ＳｉＯ２の成膜速度： ０．３ｎｍ／ｓｅｃ
ＴｉＯ２／ＳｉＯ２蒸発時のイオン源条件
導入ガス：酸素５０ｓｃｃｍ
イオン加速電圧：１０００Ｖ
イオン電流：５００ｍＡ
ニュートラライザの条件
ニュートラライザ電流：１０００ｍＡSubstrate: Glass substrate High refractive index dielectric material: TiO 2
Low refractive index dielectric material: SiO 2
TiO 2 deposition rate: 0.2 nm / sec
SiO 2 deposition rate: 0.3 nm / sec
Ion source conditions during evaporation of TiO 2 / SiO 2
Introduced gas: 50 sccm of oxygen
Ion acceleration voltage: 1000V
Ion current: 500 mA
Neutralizer conditions
Neutralizer current: 1000mA

上記成膜条件により反射防止膜を形成し、上記距離Ｉ、すなわち仮想線Ｖ２と仮想線Ｖ３との距離を２０ｍｍとしたとき（図９：実施例１）、５ｍｍとしたとき（図１０：比較例１）及び１０ｍｍとしたとき（図１１：比較例２）において、それぞれ隣接する基板保持部材がある場合と、ない場合で成膜した反射防止膜の反射率を比較した。   When an antireflection film is formed according to the film forming conditions, the distance I, that is, the distance between the imaginary line V2 and the imaginary line V3 is 20 mm (FIG. 9: Example 1), and 5 mm (FIG. 10: comparison). In the case of Example 1) and 10 mm (FIG. 11: Comparative Example 2), the reflectances of the antireflection films formed with and without the adjacent substrate holding members were compared.

（実施例１）
上記距離Ｉを２０ｍｍとした場合（図９）において、隣接する基板保持部材がある場合は、隣接する基板保持部材がない場合と比較して、形成される反射防止膜の反射率に大きな差があることが示された。なお、図９において、実線で示す「隣接する基板保持部材がある場合」とは、径方向上で隣り合う基板保持部材のうち、一方の基板保持部材に対して、上記距離Ｉが５ｍｍとなるように他方の基板保持部材が配設された状態を示すものである。
反射防止膜の反射防止効果、すなわち反射率は、反射防止膜の厚さに依存する傾向がある。したがって、図９より、上記距離Ｉが２０ｍｍとなるように基板保持部材を配置したとき、形成される薄膜が隣接する基板保持部材の影響を受けることなく、均一な膜厚の薄膜を形成できることが示されている。(Example 1)
In the case where the distance I is 20 mm (FIG. 9), when there is an adjacent substrate holding member, there is a large difference in the reflectance of the formed antireflection film compared to the case where there is no adjacent substrate holding member. It was shown that there is. In FIG. 9, “the case where there is an adjacent substrate holding member” indicated by a solid line means that the distance I is 5 mm with respect to one of the substrate holding members adjacent in the radial direction. Thus, the other substrate holding member is shown.
The antireflection effect of the antireflection film, that is, the reflectance, tends to depend on the thickness of the antireflection film. Therefore, as shown in FIG. 9, when the substrate holding member is arranged so that the distance I is 20 mm, a thin film having a uniform thickness can be formed without being affected by the adjacent substrate holding member. It is shown.

（比較例１）
上記距離Ｉを５ｍｍとした場合（図１０）において、隣接する基板保持部材がある場合は、隣接する基板保持部材がない場合と比較して、形成される反射防止膜の反射率に大きな差があることが示された。なお、図１０において、実線で示す「隣接する基板保持部材がある場合」とは、径方向上で隣り合う基板保持部材のうち、一方の基板保持部材に対して、上記距離Ｉが５ｍｍとなるように他方の基板保持部材が配設された状態を示すものである。
反射防止膜の反射防止効果、すなわち反射率は、反射防止膜の厚さに依存する傾向がある。したがって、図１０より、上記距離Ｉが５ｍｍとなるように基板保持部材を配置したとき、形成される薄膜が隣接する基板保持部材の影響を受けることが示されている。(Comparative Example 1)
In the case where the distance I is 5 mm (FIG. 10), when there is an adjacent substrate holding member, there is a large difference in the reflectance of the formed antireflection film compared to the case where there is no adjacent substrate holding member. It was shown that there is. In FIG. 10, “when there are adjacent substrate holding members” indicated by a solid line means that the distance I is 5 mm with respect to one of the substrate holding members adjacent in the radial direction. Thus, the other substrate holding member is shown.
The antireflection effect of the antireflection film, that is, the reflectance, tends to depend on the thickness of the antireflection film. Therefore, FIG. 10 shows that when the substrate holding member is arranged so that the distance I is 5 mm, the formed thin film is affected by the adjacent substrate holding member.

（比較例２）
また、図１１に示す本発明の比較例２では、上記距離Ｉを１０ｍｍとした。本比較例２において、上記距離Ｉが１０ｍｍの状態で隣接する基板保持部材がある場合と、隣接する基板保持部材がない場合とを比較しても、形成される反射防止膜の反射率に若干の差があることが示された。なお、「隣接する基板保持部材がある場合」とは、径方向上で隣り合う基板保持部材のうち、一方の基板保持部材に対して、上記距離Ｉが１０ｍｍとなるように他方の基板保持部材が配設された状態を示すものである。
図１１においてもまた、上記距離Ｉが１０ｍｍとなるように基板保持部材を配置したとき、形成される薄膜が隣接する基板保持部材の影響を受けることが示されている。(Comparative Example 2)
Moreover, in the comparative example 2 of this invention shown in FIG. 11, the said distance I was 10 mm. In Comparative Example 2, even when there is an adjacent substrate holding member with the distance I being 10 mm and when there is no adjacent substrate holding member, the reflectance of the antireflection film to be formed is slightly It was shown that there is a difference. Note that “when there is an adjacent substrate holding member” means that the other substrate holding member is such that the distance I is 10 mm with respect to one of the substrate holding members adjacent in the radial direction. Shows a state in which is disposed.
FIG. 11 also shows that when the substrate holding member is arranged so that the distance I is 10 mm, the formed thin film is affected by the adjacent substrate holding member.

したがって、上記距離Ｉが少なくとも、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲においては成膜される薄膜の膜厚に対し、近接する基板保持部材１０，２０，３０，４０が影響を及ぼすことが示された。そして、さらに、上記距離Ｉが大きくなるほど、近接する基板保持部材１０，２０，３０，４０が成膜される薄膜に対して与える影響が小さくなることもまた示されている。したがって、上記距離Ｉが１０ｍｍよりもさらに大きい場合は、薄膜に対して与える影響が小さくなると予想される。   Therefore, when the distance I is at least in the range of 5 mm or more and 10 mm or less, it is shown that the adjacent substrate holding members 10, 20, 30, and 40 affect the film thickness of the thin film to be formed. Further, it is also shown that as the distance I increases, the influence of the adjacent substrate holding members 10, 20, 30, and 40 on the thin film to be formed decreases. Therefore, when the distance I is further larger than 10 mm, the influence on the thin film is expected to be small.

そして、実施例１より、上記距離Ｉを２０ｍｍとすると、成膜される薄膜の膜厚に対し、近接する基板保持部材１０，２０，３０，４０がほとんど影響を与えないことが示された。
したがって、上記の距離Ｉについて、隣り合う基板保持部材の径方向の端部が２０ｍｍ以上離れた位置に配設されるようにすることにより、基板Ｓ上に形成される薄膜の反射率、すなわち膜厚を均一とすることができる。And Example 1 showed that the board | substrate holding member 10,20,30,40 which adjoins has little influence with respect to the film thickness of the thin film formed, if the said distance I is 20 mm.
Therefore, with respect to the distance I, the reflectance of the thin film formed on the substrate S, that is, the film, is set such that the radial end portions of the adjacent substrate holding members are disposed at positions separated by 20 mm or more. The thickness can be made uniform.

＜他の実施形態＞
次に、本実施形態の他の実施形態に係る基板保持機構を構成する基板保持部材１０’について、図１２及び図１３を参照して説明する。なお、上記実施形態と共通する構成、作用についてはその説明を省略する。<Other embodiments>
Next, a substrate holding member 10 ′ constituting a substrate holding mechanism according to another embodiment of the present embodiment will be described with reference to FIGS. In addition, the description is abbreviate | omitted about the structure and effect | action common to the said embodiment.

上記実施形態では、基板保持機構３が、環状（ドーナツ状）に形成された基板保持部材１０，２０，３０，４０を備えた構成を説明したが、本実施形態で説明するように、扇状に形成された基板保持部材１０’を複数備えた構成としてもよい。
なお、本実施形態では、回転部材６０の回転方向において５分割（５等分）された基板保持部材のうちの一つである基板保持部材１０’について説明する。なお、基板保持部材１０’は、その円周方向（すなわち、回転部材６０の回転方向）においてそれぞれ５分割（５等分）された例であるが、これ以外の数で分割されていてもよいのは勿論である。In the above embodiment, the substrate holding mechanism 3 has been described as having the substrate holding members 10, 20, 30, and 40 formed in an annular shape (doughnut shape). However, as described in this embodiment, the substrate holding mechanism 3 has a fan shape. It is good also as a structure provided with two or more formed board | substrate holding members 10 '.
In the present embodiment, a substrate holding member 10 ′ that is one of the substrate holding members that are divided into five (5 equal parts) in the rotation direction of the rotating member 60 will be described. The substrate holding member 10 ′ is an example in which the substrate holding member 10 ′ is divided into five parts (divided into five equal parts) in the circumferential direction (that is, the rotation direction of the rotating member 60), but may be divided in other numbers. Of course.

基板保持部材１０’は、平面視で扇状に形成されており、上記実施形態と同様、ドーム状の骨格を成すように形成された支持部材５０に支持される。基板保持部材１０’は、ドーム状の骨組みとして放射状に延びる支持部材５０の間に架設され、全体としてドーム状に支持される。   The substrate holding member 10 ′ is formed in a fan shape in plan view, and is supported by a support member 50 formed so as to form a dome-like skeleton as in the above embodiment. The substrate holding member 10 ′ is installed between support members 50 that extend radially as a dome-shaped framework, and is supported in a dome shape as a whole.

基板保持部材１０’は、上記基板保持部材１０と同様に、複数の保持治具１１’，１２’，１３’を備えており、これら複数の保持治具１１’，１２’，１３’は、扇状に形成された基礎部分に取り付けられる。そして、この基礎部分が支持部材５０に取り付けられることにより、基板保持機構が構成される。本実施形態では、複数の保持治具１１’，１２’，１３’が、基板保持部材１０’の表面において、可能な限り広い面積を覆うことができるように、且つ、基板Ｓの成膜部分Ｓ１を形成するための開口部（図１３参照）が互いに重ならないように配設されている。
基板保持部材１０’を構成する保持治具１１’，１２’，１３’は、いずれも略同様の構成であるため、保持治具１１’についてのみ説明する。The substrate holding member 10 ′ is provided with a plurality of holding jigs 11 ′, 12 ′, 13 ′ similarly to the substrate holding member 10, and the plurality of holding jigs 11 ′, 12 ′, 13 ′ It is attached to the base part formed in a fan shape. Then, the base portion is attached to the support member 50 to constitute a substrate holding mechanism. In the present embodiment, a plurality of holding jigs 11 ′, 12 ′, and 13 ′ can cover as large an area as possible on the surface of the substrate holding member 10 ′, and a film forming portion of the substrate S is formed. The openings for forming S1 (see FIG. 13) are arranged so as not to overlap each other.
Since the holding jigs 11 ′, 12 ′ and 13 ′ constituting the substrate holding member 10 ′ have substantially the same configuration, only the holding jig 11 ′ will be described.

図１３に示すように、保持治具１１’は、上記実施形態において円弧状に形成された保持治具１１とは異なり、平面視で矩形状に形成されている。そして、その長辺の長さは、基板保持部材１０’の大きさに依存して決定され、基板保持部材１０’の表面を可能な限り覆うような大きさに形成されている。   As shown in FIG. 13, the holding jig 11 ′ is formed in a rectangular shape in plan view, unlike the holding jig 11 formed in an arc shape in the above embodiment. The length of the long side is determined depending on the size of the substrate holding member 10 ′, and is formed so as to cover the surface of the substrate holding member 10 ′ as much as possible.

保持治具１１’は、複数の基板Ｓを保持するため、主要な構成要素として、少なくとも、基板Ｓをそれぞれ保持し、さらに成膜源４と基板Ｓとの間に配設される複数の保持面１１ｄ’と、複数の保持面１１ｄ’の間に形成されて基板Ｓの端部（縁端）とそれぞれ当接する複数の段差部１１ｅ’と、基板Ｓの端部が段差部１１ｅ’と当接して保持された状態にあるとき、保持面１１ｄ’上において成膜部分Ｓ１に相当する部分に形成された開口部１１ｆ’とを備えている。   Since the holding jig 11 ′ holds a plurality of substrates S, the holding jig 11 ′ holds at least the substrates S as main components, and a plurality of holding members disposed between the film forming source 4 and the substrate S. A plurality of stepped portions 11e ′ formed between the surface 11d ′ and the plurality of holding surfaces 11d ′ and abutting against the end portions (edges) of the substrate S, and the end portions of the substrate S are in contact with the stepped portion 11e ′. When in the state of being held in contact with each other, an opening portion 11f ′ formed in a portion corresponding to the film forming portion S1 on the holding surface 11d ′ is provided.

保持治具１１’は、図４に示すように、断面略コ字状（Ｕ字状）の部材であり、平面視で矩形状に形成されている。また、保持治具１１’の周囲は内側と比較して若干肉厚に形成された枠部１１ｒ’を備えており、この枠部１１ｒ’で基板Ｓを挟持することにより、基板Ｓを支持することができる。   As shown in FIG. 4, the holding jig 11 ′ is a member having a substantially U-shaped cross section (U shape), and is formed in a rectangular shape in plan view. Further, the periphery of the holding jig 11 ′ is provided with a frame portion 11r ′ formed slightly thicker than the inside, and the substrate S is supported by sandwiching the substrate S with the frame portion 11r ′. be able to.

保持治具１１’は、基板Ｓを保持するための複数の保持面１１ｄ’が備えられている。そして、複数の保持面１１ｄ’の間には、それぞれ、段差部１１ｅ’（凹部）が形成されている。すなわち、凹状の段差部１１ｅ’は、それぞれ隣接する保持面１１ｄ’の間に形成されている。そして、複数の保持面１１ｄ’及び複数の段差部１１ｅ’は、断面視で基板Ｓを保持する部分が階段状に形成されている。   The holding jig 11 ′ is provided with a plurality of holding surfaces 11 d ′ for holding the substrate S. Stepped portions 11e '(concave portions) are respectively formed between the plurality of holding surfaces 11d'. That is, the concave step portion 11e 'is formed between the adjacent holding surfaces 11d'. The plurality of holding surfaces 11d 'and the plurality of stepped portions 11e' are formed in a stepped shape so as to hold the substrate S in a sectional view.

保持治具１１’において、複数の保持面１１ｄ’及び複数の段差部１１ｅ’が断面視の状態で階段状に形成されており、一つの保持面１１ｄ’に対して一枚の基板Ｓが保持される構成となっている。したがって、この保持治具１１’に対し、基板Ｓを順に重ねていくことにより、複数の基板Ｓは、互いにその一部が重なる状態（さらに、一部がずれた状態）で保持される。   In the holding jig 11 ′, a plurality of holding surfaces 11 d ′ and a plurality of stepped portions 11 e ′ are formed in a step shape in a sectional view, and one substrate S is held by one holding surface 11 d ′. It becomes the composition which is done. Therefore, by sequentially stacking the substrates S on the holding jig 11 ′, the plurality of substrates S are held in a state where some of them overlap each other (and some of them are shifted).

そして、段差部１１ｅ’は、互いに平行となるように形成されており、この段差部１１ｅ’に対して基板Ｓの端部が当接することにより、複数の基板Ｓが直線状に保持される。さらに、基板Ｓは、少なくとも保持面１１ｄ’を挟む位置に、肉厚になるように形成された枠部１１ｒ’にも当接するように保持される。   The step portions 11e 'are formed so as to be parallel to each other, and the plurality of substrates S are held in a straight line by the end portions of the substrates S coming into contact with the step portions 11e'. Further, the substrate S is held so as to be in contact with a frame portion 11r 'formed to be thick at least at a position sandwiching the holding surface 11d'.

したがって、基板Ｓの端部が、それぞれ段差部１１ｅ’及び枠部１１ｒ’に当接して保持されるため、基板Ｓは、保持治具１１’上で容易に且つ安定して固定され、その保持位置がずれてしまうことがない。したがって、保持治具１１’は、基板Ｓを載置するだけで容易に基板を保持させることができ、さらに基板Ｓが、位置ずれすることなく適切な位置に保持されるため、保持治具１１’に基板Ｓを保持させる工程を効率よく行うことが可能となる。   Therefore, since the edge part of the board | substrate S is contact | abutted and hold | maintained at level | step-difference part 11e 'and frame part 11r', respectively, the board | substrate S is easily and stably fixed on the holding jig 11 ', and the holding | maintenance is carried out. The position will not shift. Therefore, the holding jig 11 ′ can easily hold the substrate simply by placing the substrate S, and further, the holding jig 11 ′ is held at an appropriate position without being displaced. It is possible to efficiently perform the process of holding the substrate S on the substrate.

このとき、段差部１１ｅ’の高さは、基板Ｓの厚みよりも若干高くなるように形成されているとよい。すなわち、段差部１１ｅ’を構成する凹部は、基板Ｓの厚みと比較して若干深く形成されていると好適である。この構成により、複数の基板Ｓが重ねられた状態であっても、基板Ｓの表面が損傷するのを抑制することができる。   At this time, the height of the stepped portion 11e 'is preferably formed to be slightly higher than the thickness of the substrate S. That is, it is preferable that the concave portion constituting the step portion 11e 'is formed slightly deeper than the thickness of the substrate S. With this configuration, it is possible to suppress the surface of the substrate S from being damaged even when the plurality of substrates S are stacked.

また、保持面１１ｄ’には、基板Ｓの成膜部分Ｓ１を成膜源４に対して露出させるための開口部１１ｆ’が形成されている。上記の実施形態では、一つの保持面１１ｄに対して一つの開口部１１ｆが形成された構成を示したが、本実施形態では、複数の保持面１１ｄ’に亘って開口部１１ｆ’が一体で形成されている。   In addition, an opening 11 f ′ for exposing the film forming portion S 1 of the substrate S to the film forming source 4 is formed in the holding surface 11 d ′. In the above-described embodiment, the configuration in which one opening portion 11f is formed on one holding surface 11d is shown. However, in this embodiment, the opening portion 11f ′ is integrated over a plurality of holding surfaces 11d ′. Is formed.

開口部１１ｆ’は、複数の保持面１１ｄ’及び段差部１１ｅ’に亘って長穴として形成されている。なお、基板保持部材１０’において、保持部材１１’が取り付けられる部分のうち、少なくとも、開口部１１ｆ’が形成される部分は、基板Ｓの成膜部分Ｓ１が露出するように開口した構成となっている。
なお、本実施形態において、開口部１１ｆ’は、長穴状のものを示したが、上記の実施形態と同様に、各保持面１１ｄ’に対してそれぞれ個別に形成されたものであってもよい。The opening 11f ′ is formed as a long hole across the plurality of holding surfaces 11d ′ and the stepped portion 11e ′. In the substrate holding member 10 ′, at least a portion where the opening 11f ′ is formed among the portions to which the holding member 11 ′ is attached is configured to be opened so that the film forming portion S1 of the substrate S is exposed. ing.
In the present embodiment, the opening 11f ′ has a long hole shape. However, similarly to the above-described embodiment, the opening 11f ′ may be formed individually for each holding surface 11d ′. Good.

矩形状に形成された保持治具１１’において、その長手方向の一端側は、平面状に形成された平面部１１ｓ’を備えている。この平面部１１ｓ’は、主として基板Ｓの非成膜部分Ｓ２を支持するために備えられる。   In the holding jig 11 ′ formed in a rectangular shape, one end side in the longitudinal direction is provided with a flat surface portion 11 s ′ formed in a flat shape. This flat surface portion 11s' is provided mainly for supporting the non-film forming portion S2 of the substrate S.

基板Ｓを保持治具１１’に載置する手順は、以下の通りである。
まず、１枚の基板Ｓを、平面部１１ｓ’に対して載置する。このとき、最も平面部１１ｓ’に近い位置に形成されている段差部１１ｅ’に対して、基板Ｓの端部を当接させるようにして基板Ｓを載置する。The procedure for placing the substrate S on the holding jig 11 ′ is as follows.
First, one substrate S is placed on the flat surface portion 11s ′. At this time, the substrate S is placed so that the end portion of the substrate S is brought into contact with the stepped portion 11e ′ formed at a position closest to the flat surface portion 11s ′.

次に、２枚目の基板Ｓを１枚目の基板Ｓの上に重ね、１枚目の基板Ｓが当接した段差部１１ｅ’の隣の段差部１１ｅ’に対して２枚目の基板Ｓの端部を当接させる。このとき、２枚目の基板Ｓの成膜部分Ｓ１は、１枚目の基板Ｓに対して重ならないように（さらに、２枚目の基板Ｓの非成膜部分Ｓ２が他方の基板Ｓに重なるようにして）載置される。   Next, the second substrate S is overlaid on the first substrate S, and the second substrate with respect to the step portion 11e ′ adjacent to the step portion 11e ′ with which the first substrate S abuts. The end of S is brought into contact. At this time, the film-forming portion S1 of the second substrate S does not overlap the first substrate S (in addition, the non-film-forming portion S2 of the second substrate S is on the other substrate S). It is placed in a way that overlaps.

上記のような手順で複数の基板Ｓを保持治具１１’に載置した後、保持治具１１’を適宜支持部材５０（または保持部材１０’）に取り付け、基板Ｓを真空容器１内で保持させた後、薄膜形成を行う。
このように、保持治具１１’は、成膜部分Ｓ１のみを成膜源４に対して露出して保持することができるため、成膜部分Ｓ１及び非成膜部分Ｓ２を備えた基板Ｓを、一括で、大量に生産することができる。したがって、成膜作業に必要な時間を短縮することができ、成膜作業における費用の削減が可能となる。
After placing the plurality of substrates S on the holding jig 11 ′ in the above procedure, the holding jig 11 ′ is appropriately attached to the support member 50 (or the holding member 10 ′), and the substrate S is placed in the vacuum container 1. After being held, thin film formation is performed.
As described above, the holding jig 11 ′ can expose and hold only the film forming part S1 with respect to the film forming source 4, and thus the substrate S including the film forming part S1 and the non-film forming part S2 can be held. Can be mass produced in a batch. Therefore, the time required for the film forming operation can be shortened, and the cost for the film forming operation can be reduced.

Claims (11)

複数の基板を保持する基板保持機構を有し、前記複数の基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記基板保持機構は、
前記複数の基板のうち前記薄膜が形成されない非成膜部分の一部が互いに重なり合うと共に、前記薄膜が形成される成膜部分が露出するように前記複数の基板を保持する基板保持部材と、
該基板保持部材を支持する支持部材と、
該支持部材を回転させる回転部材と、を備え、
前記基板保持部材は、
前記複数の基板を保持し、前記薄膜の材料を放出する成膜源と前記複数の基板との間に配設される複数の保持面と、
該複数の保持面の間に形成され、前記複数の基板の端部とそれぞれ当接する複数の段差部と、
該複数の段差部に前記複数の基板の端部がそれぞれ当接した状態にあるとき、前記成膜部分に相当する部分の前記複数の保持面上にそれぞれ形成された複数の開口部と、を有することを特徴とする薄膜形成装置。A thin film forming apparatus having a substrate holding mechanism for holding a plurality of substrates and forming a thin film on the plurality of substrates,
The substrate holding mechanism is
A substrate holding member that holds the plurality of substrates so that a part of the non-film-forming portions where the thin film is not formed of the plurality of substrates overlap each other and the film-forming portions where the thin film is formed are exposed;
A support member for supporting the substrate holding member;
A rotating member that rotates the support member,
The substrate holding member is
A plurality of holding surfaces disposed between the plurality of substrates and a film forming source that holds the plurality of substrates and releases the material of the thin film;
A plurality of stepped portions formed between the plurality of holding surfaces and respectively in contact with end portions of the plurality of substrates;
A plurality of openings respectively formed on the plurality of holding surfaces of a portion corresponding to the film forming portion when the end portions of the plurality of substrates are in contact with the plurality of stepped portions, respectively. A thin film forming apparatus comprising: 前記基板保持部材は、前記回転部材の回転方向において２以上８以下に分割されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。   The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the substrate holding member is divided into 2 or more and 8 or less in a rotation direction of the rotating member. 前記基板保持部材は、平面視環状に形成され、前記基板保持部材の径方向上で、前記基板保持部材が複数隣り合って配設されることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜形成装置。   3. The thin film according to claim 1, wherein the substrate holding member is formed in an annular shape in plan view, and a plurality of the substrate holding members are arranged adjacent to each other in a radial direction of the substrate holding member. Forming equipment. 前記支持部材は、前記基板保持部材の前記複数の保持面と、前記回転部材の回転軸とが成す角度が可変となるように前記基板保持部材を保持することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。   The said supporting member hold | maintains the said board | substrate holding member so that the angle which the said several holding surface of the said board | substrate holding member and the rotating shaft of the said rotation member make is variable. The thin film formation apparatus as described in any one of these. 前記基板保持部材は、前記成膜部分と前記成膜源とを通る第１の仮想線と、前記成膜部分の成膜面に対する垂線とが成す角度が０°以上４５°以下となるように前記複数の基板を保持することを特徴とする請求項１乃至４に記載の薄膜形成装置。   The substrate holding member is configured such that an angle formed between a first imaginary line passing through the film formation portion and the film formation source and a perpendicular to the film formation surface of the film formation portion is 0 ° to 45 °. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the plurality of substrates are held. 前記支持部材は、前記複数の保持面に形成された前記複数の開口部が、前記回転部材の回転軸を中心軸とする仮想ドーム上に位置するように前記基板保持部材を支持することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。   The support member supports the substrate holding member such that the plurality of openings formed in the plurality of holding surfaces are positioned on a virtual dome having a rotation axis of the rotation member as a central axis. The thin film forming apparatus according to any one of claims 1 to 5. 前記径方向上で互いに隣り合って配設される前記基板保持部材は、側面視の状態で、一方の前記基板保持部材に形成された前記開口部が、前記成膜源に対し、他方の前記基板保持部材によって遮蔽されない位置に配設されることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。   The substrate holding members disposed adjacent to each other in the radial direction have a side view in which the opening formed in one of the substrate holding members is in contact with the film-forming source on the other side. The thin film forming apparatus according to claim 3, wherein the thin film forming apparatus is disposed at a position that is not shielded by the substrate holding member. 前記支持部材は、平面視環状に形成されて径方向において複数配設される前記基板保持部材を支持し、
前記径方向上で互いに隣り合って配設される前記基板保持部材は、一方の前記基板保持部材の前記保持面に形成された前記開口部の外周と前記成膜源とを通る第２の仮想線に対し、他方の前記基板保持部材の前記径方向の端部が２０ｍｍ以上離れた位置に配設されることを特徴とする請求項３乃至７のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。The support member supports the substrate holding member that is formed in a ring shape in plan view and is arranged in the radial direction,
The substrate holding members disposed adjacent to each other in the radial direction are second imaginary paths that pass through the outer periphery of the opening formed on the holding surface of one of the substrate holding members and the film forming source. The thin film forming apparatus according to any one of claims 3 to 7, wherein the radial end portion of the other substrate holding member is disposed at a position separated by 20 mm or more with respect to the line. 前記複数の段差部は、前記径方向に対して傾斜する方向に沿って形成され、
前記複数の基板は矩形状の板材からなり、前記複数の基板において前記径方向内側の縁辺の長さをそれぞれＬとし、前記複数の基板のそれぞれの縁辺の中心点から前記回転部材の回転軸までの距離をｒとしたとき、
前記基板保持部材は、（Ｌ／２）／ｒの値が０．０５以上０．７５以下となるように前記複数の基板を保持することを特徴とする請求項３乃至８のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。The plurality of step portions are formed along a direction inclined with respect to the radial direction,
The plurality of substrates are made of a rectangular plate, and the length of the radially inner edge of each of the plurality of substrates is L, and from the center point of each edge of the plurality of substrates to the rotation axis of the rotating member. When the distance of r is r,
The said board | substrate holding member hold | maintains these several board | substrates so that the value of (L / 2) / r may be 0.05 or more and 0.75 or less. The thin film forming apparatus described in 1. 前記基板保持部材は、重なり合って保持される前記複数の基板のうち、一方の前記基板の縁辺と、他方の前記基板の縁辺とが成す角度が、０°以上９０°以下となるように前記複数の基板を保持することを特徴とする請求項９に記載の薄膜形成装置。   The substrate holding member includes a plurality of the plurality of substrates so that an angle formed by an edge of one of the substrates and an edge of the other of the substrates is 0 ° or more and 90 ° or less. The thin film forming apparatus according to claim 9, wherein the substrate is held. 前記複数の段差部の高さは、前記複数の基板の厚みと比較して０．０５ｍｍ以上高く形成されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。
11. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the height of the plurality of stepped portions is formed to be 0.05 mm or more higher than the thickness of the plurality of substrates. .
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