JPWO2012137425A1 - X-ray detector - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N cadmium tellanylidenezinc Chemical compound [Zn].[Cd].[Te] QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
Abstract
半導体厚膜７に光を照射する光照射機構として、Ｘ線を可視光に変換するシンチレータフィルム１１をＸ線の検出面とは逆側の面に配設して備える。Ｘ線検出器１に入射されるＸ線をシンチレータフィルム１１が可視光に変換するので、発光に要する電源や制御部を設ける必要がない。また、使用部品が少なくなり、コスト低減や組み立て作業を軽減することができる。また、シンチレータフィルム１１を備えることで消費電力を低減することができる。また、シンチレータフィルム１１に到達するＸ線強度が、分割電極（画素電極）３間で特に強くなり、必要な場所（特に画素電極間）での蛍光強度が強くなるので、感度変動を抑えることができるＸ線検出器１を実現することができる。As a light irradiation mechanism for irradiating the semiconductor thick film 7 with light, a scintillator film 11 for converting X-rays into visible light is provided on a surface opposite to the X-ray detection surface. Since the scintillator film 11 converts X-rays incident on the X-ray detector 1 into visible light, it is not necessary to provide a power source or a control unit required for light emission. In addition, the number of parts used is reduced, and cost reduction and assembly work can be reduced. Moreover, power consumption can be reduced by providing the scintillator film 11. In addition, the X-ray intensity reaching the scintillator film 11 is particularly strong between the divided electrodes (pixel electrodes) 3 and the fluorescence intensity is increased at a necessary place (especially between the pixel electrodes), thereby suppressing sensitivity fluctuations. A possible X-ray detector 1 can be realized.
Description
この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野等に用いられるＸ線検出器に係り、特に、Ｘ線に有感な半導体によってＸ線を電荷に直接的に変換する直接変換型のＸ線検出器の技術に関する。 The present invention relates to an X-ray detector used in the medical field, industrial field, nuclear power field, and the like, and more particularly, a direct conversion type X that directly converts X-rays into electric charges by a semiconductor sensitive to X-rays. It relates to the technology of line detectors.
従来のＸ線検出器では、分割電極（画素電極）間のスペースの領域に、Ｘ線によって発生した電荷が溜まりやすく、実効的な有感面積が変化し、感度が変動するという現象がある。さらに、Ｘ線入射の停止後に、分割電極間のスペースの領域に溜まった電荷が徐々に掃き出されて、残留出力が発生するという現象がある。これらの現象を防止するために、Ｘ線の検出中に可視光を照射する光照射機構（面発光プレート）を備えたＸ線検出器がある（例えば、特許文献１参照）。 In the conventional X-ray detector, there is a phenomenon that charges generated by X-rays easily accumulate in a space area between the divided electrodes (pixel electrodes), an effective sensitive area changes, and sensitivity changes. Furthermore, there is a phenomenon that after the X-ray incidence is stopped, the electric charge accumulated in the space region between the divided electrodes is gradually swept away to generate a residual output. In order to prevent these phenomena, there is an X-ray detector provided with a light irradiation mechanism (surface emitting plate) that emits visible light during detection of X-rays (see, for example, Patent Document 1).
面発光プレートを備えた場合には、面発光プレートから可視光を半導体厚膜（Ｘ線に有感な半導体）に照射することにより、Ｘ線入射前の状態でも可視光によって発生した電荷のうち一方が分割電極間のスペースの領域にすでに溜まっているので、有感面積が変化せずに感度変動は起こらない。また、Ｘ線入射が停止した後にまで可視光の照射を継続すると、分割電極間のスペースの領域に溜まった電荷が徐々に掃き出されていくことはなく、残留出力は発生しない。オン／オフスイッチや制御部によって電源を制御することで、面発光プレートからの発光を制御する。 When a surface emitting plate is provided, by irradiating a semiconductor thick film (a semiconductor sensitive to X-rays) with visible light from the surface emitting plate, out of charges generated by visible light even before the X-ray incidence. Since one side is already accumulated in the space area between the divided electrodes, the sensitive area does not change and the sensitivity does not change. Further, if the irradiation with visible light is continued until after the X-ray incidence is stopped, the charges accumulated in the space area between the divided electrodes are not gradually swept out, and no residual output is generated. The light emission from the surface light emitting plate is controlled by controlling the power supply with an on / off switch or a control unit.
しかしながら、このような構成を有する従来のＸ線検出器の場合には、上述したような発光に要する電源や制御部を設ける必要がある。 However, in the case of a conventional X-ray detector having such a configuration, it is necessary to provide a power source and a control unit required for light emission as described above.
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、発光に要する電源や制御部を要さずに、消費電力を低減することができつつ、感度変動を抑えることができるＸ線検出器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances. An X-ray capable of reducing power consumption and suppressing sensitivity fluctuations without requiring a power source and a control unit required for light emission. An object is to provide a detector.
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、この発明に係るＸ線検出器は、Ｘ線に有感な半導体と、前記半導体に可視光を照射する光照射機構とを備えたＸ線検出器であって、前記光照射機構は、Ｘ線を可視光に変換する蛍光体を備え、Ｘ線の検出面とは逆側の面に前記蛍光体を配設することを特徴とするものである。In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the X-ray detector according to the present invention is an X-ray detector including a semiconductor sensitive to X-rays and a light irradiation mechanism that irradiates the semiconductor with visible light, and the light irradiation mechanism includes: A phosphor that converts X-rays into visible light is provided, and the phosphor is disposed on a surface opposite to the X-ray detection surface.
［作用・効果］この発明に係るＸ線検出器によれば、Ｘ線検出器に入射されるＸ線を蛍光体が可視光に変換するので、発光に要する電源や制御部を設ける必要がない。また、使用部品が少なくなり、コスト低減や組み立て作業を軽減することができる。また、光照射機構として蛍光体をＸ線の検出面とは逆側の面に配設して備えることで消費電力を低減することができる。また、蛍光体に到達するＸ線強度が、分割電極（画素電極）間で特に強くなり、必要な場所（特に画素電極間）での蛍光高度が強くなるので、感度変動を抑えることができるＸ線検出器を実現することができる。 [Operation / Effect] According to the X-ray detector of the present invention, since the phosphor converts the X-rays incident on the X-ray detector into visible light, it is not necessary to provide a power source or a control unit required for light emission. . In addition, the number of parts used is reduced, and cost reduction and assembly work can be reduced. Further, the phosphor can be provided as a light irradiation mechanism on the surface opposite to the X-ray detection surface to reduce power consumption. In addition, the X-ray intensity reaching the phosphor is particularly strong between the divided electrodes (pixel electrodes), and the fluorescence height is increased at a required place (especially between the pixel electrodes), so that the sensitivity variation can be suppressed. A line detector can be realized.
この発明に係るＸ線検出器によれば、Ｘ線検出器に入射されるＸ線を蛍光体が可視光に変換するので、発光に要する電源や制御部を要さずに、消費電力を低減することができつつ、感度変動を抑えることができるＸ線検出器を実現することができる。 According to the X-ray detector of the present invention, since the phosphor converts the X-rays incident on the X-ray detector into visible light, power consumption is reduced without requiring a power source and a control unit required for light emission. It is possible to realize an X-ray detector that can suppress sensitivity fluctuation while being able to.
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係るＸ線検出器の概略断面図であり、図２は、Ｘ線検出器の周囲の回路図であり、図３は、Ｘ線検出器のシンチレータフィルムがＸ線を可視光に変換したときの模式図であり、図４（ａ）や図４（ｂ）は、図１〜図３とは別の実施形態のＸ線検出器の概略断面図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 is a schematic cross-sectional view of an X-ray detector according to an embodiment, FIG. 2 is a circuit diagram around the X-ray detector, and FIG. 3 is an X-ray detected by a scintillator film of the X-ray detector. FIGS. 4A and 4B are schematic cross-sectional views of an X-ray detector according to another embodiment different from FIGS. 1 to 3.
Ｘ線検出器１は、図１に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁性基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）スイッチＳ（図２を参照）、電荷蓄積コンデンサＣａ（図２を参照）および分割電極（画素電極）３が形成されたＴＦＴ基板５上に、Ｘ線に有感な半導体厚膜７が形成され、半導体厚膜７の上面（検出面）には、電圧印加用の共通電極９が形成されている。ＴＦＴ基板５の分割電極３側である裏面（すなわちＸ線の検出面とは逆側の面）には、シンチレータフィルム１１が光学的に結合されている。なお、「光学的に結合する」場合には、ＴＦＴ基板５の裏面に、シンチレータフィルム１１を透明な接着剤によって接着してもよいし、ＴＦＴ基板５の裏面に、シンチレータフィルム１１を機械的に固定してもよい。すなわち、ＴＦＴ基板５へシンチレータフィルム１１からの可視光が到達する状態で配置されている限り、「光学的に結合する」接続方法については特に限定されない。このシンチレータフィルム１１としては、ＣｓＩ、ＮａＩあるいはＧＯＳなどの蛍光体で形成されている。半導体厚膜７は、この発明における半導体に相当し、シンチレータフィルム１１は、この発明における蛍光体に相当し、この発明における光照射機構にも相当する。
As shown in FIG. 1, the
図２に示すように、２次元状に配列された複数（図２では１つのみ図示）のゲートラインＧおよびデータラインＤをＴＦＴ基板５上に形成し、Ｘ線検出器１の周囲には、ゲート駆動回路１３と電荷電圧変換アンプ１５と画像処理部１７とを設けている。ゲート駆動回路１３はゲートラインＧに電気的に接続されており、各ゲートラインＧは同一行の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）スイッチＳに電気的に接続されている。各データラインＤは同一列の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）スイッチＳに電気的に接続されており、下流側において電荷電圧変換アンプ１５に電気的に接続されている。
As shown in FIG. 2, a plurality of gate lines G and data lines D (only one is shown in FIG. 2) arranged two-dimensionally are formed on the
半導体厚膜７は、Ｘ線に有感な半導体であれば、特に限定されず、非晶質のアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）、あるいはＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）、ＺｎＴｅ（テルル化亜鉛）またはＣｄＺｎＴｅ（テルル化カドミウム亜鉛）などで形成されている。 The semiconductor thick film 7 is not particularly limited as long as it is a semiconductor sensitive to X-rays, and is amorphous amorphous selenium (a-Se), CdTe (cadmium telluride), ZnTe (zinc telluride), or CdZnTe. (Cadmium zinc telluride) and the like.
共通電極９にバイアス電圧を印加して、Ｘ線を入射すると半導体厚膜７で電荷が生成されて、その電荷が分割電極３を介して電荷蓄積コンデンサＣａに蓄積される。ゲート駆動回路１３から各ゲートラインＧに電圧を印加することで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）スイッチＳをＯＮにして、電荷蓄積コンデンサＣａに蓄積されたキャリアをデータラインＤに読み出す。読み出された電荷は電荷電圧変換アンプ１５にて電圧に変換された状態で増幅され、画像処理部１７は電圧値に対して各種の信号処理を行って、２次元状の画像を得る。
When a bias voltage is applied to the common electrode 9 and X-rays are incident, charges are generated in the semiconductor thick film 7 and the charges are accumulated in the charge storage capacitor Ca via the divided
このように構成されたＸ線検出器１では、Ｘ線を入射することで、図３に示すように、共通電極９，半導体厚膜７およびＴＦＴ基板５をＸ線が透過して、検出中にシンチレータフィルム１１にＸ線が入射される。特に、ＴＦＴ基板５を構成する基板は透明な絶縁性基板であって、本実施例ではガラス基板であるので、入射されたＸ線におけるＸ線検出器１でのＸ線減衰率を７０％とすると、残りの３０％のＸ線がＴＦＴ基板５を透過してシンチレータフィルム１１に到達する。
In the
Ｘ線入射時（すなわちＸ線の検出中）に、入射されたＸ線をシンチレータフィルム１１が可視光Ｏｐｔ（図３を参照）に変換して発光する。このシンチレータフィルム１１からの発光により、可視光がシンチレータフィルム１１から半導体厚膜７に照射される。
When X-rays are incident (that is, during detection of X-rays), the
なお、シンチレータフィルム１１からの可視光が裏面（すなわちＸ線の検出面とは逆側の面）に外部に出てしまう恐れがあるので、図３に示すように、光反射シート１９（図１や図２も参照）等に代表される反射部材を備えるのが好ましい。シンチレータフィルム１１の裏面（Ｘ線の検出面とは逆側の面）に光反射シート１９等に代表される反射部材を備えることで、可視光が裏面に外部に出ることを防止して、ＴＦＴ基板５，半導体厚膜７に向けて可視光を導くことができる。
Since visible light from the
また、可視光がＴＦＴ基板５にて反射されるのを防止するために、図３に示すように、ＴＦＴ基板５に反射防止コーティング２１（図１や図２も参照）を施すのが好ましい。ＴＦＴ基板５に反射防止コーティング２１を施すことで、可視光がＴＦＴ基板５にて反射されるのを防止して、半導体厚膜７に向けて可視光を導くことができる。
In order to prevent visible light from being reflected by the
なお、入射されたＸ線は分割電極３で遮られるので、シンチレータフィルム１１に到達するＸ線強度は、分割電極３間で特に強くなる。そして、シンチレータフィルム１１からの可視光も分割電極３で遮られるので、分割電極３間での蛍光強度が強くなる。
Since the incident X-rays are blocked by the divided
上述の構成を備えた本実施例に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出器１に入射されるＸ線をシンチレータフィルム１１が可視光に変換するので、発光に要する電源や制御部を設ける必要がない。また、使用部品が少なくなり、コスト低減や組み立て作業を軽減することができる。また、光照射機構としてシンチレータフィルム１１をＸ線の検出面とは逆側の面に配設して備えることで消費電力を低減することができる。また、シンチレータフィルム１１に到達するＸ線強度が、分割電極（画素電極）３間で特に強くなり、必要な場所（特に画素電極間）での蛍光強度が強くなるので、感度変動を抑えることができるＸ線検出器１を実現することができる。
According to the
上述したように、Ｘ線減衰率を７０％とすると、残りの３０％のＸ線がＴＦＴ基板５を透過してシンチレータフィルム１１に到達する。蛍光変換率（輝度）は、１０［ｃｄ・ｍ−２／Ｒ・ｓｅｃ−１］前後の値であり、入射されたＸ線の線量を０．５［Ｒ・ｓｅｃ−１］とすると、シンチレータフィルム１１からの可視光の輝度は、０．５［Ｒ・ｓｅｃ−１］×３０％×１０［ｃｄ・ｍ−２／Ｒ・ｓｅｃ−１］＝１．５［ｃｄ・ｍ−２］程度になる。もし、シンチレータフィルム１１からの可視光の輝度が、感度変動を抑えるのに少ない場合には、図４（ａ）に示すように、補助的に面発光プレート２３等に代表される発光手段を用いてもよい。As described above, when the X-ray attenuation rate is 70%, the remaining 30% of X-rays pass through the
例えば、光照射機構は、上述のシンチレータフィルム１１等に代表される蛍光体の他に、図４（ａ）に示すように、面発光プレート２３等に代表される発光手段を備え、発光手段から可視光を発生させる。そして、シンチレータフィルム１１等に代表される蛍光体からの可視光とともに、面発光プレート２３等に代表される発光手段からの可視光を半導体厚膜７に照射する。図４（ａ）に示す構造の場合には、発光に要する電源や制御部を設ける必要があるが、シンチレータフィルム１１からの可視光の分だけ消費電力を抑えることができる。
For example, the light irradiation mechanism includes, in addition to the phosphor represented by the
また、Ｘ線は、半導体厚膜７やＴＦＴ基板５などで散乱Ｘ線となる。この散乱Ｘ線は、本来であればノイズ成分であるが、これを有効に利用してもよい。すなわち、図４(ｂ)に示すように、散乱Ｘ線（図中の点線を参照）を可視光に変換する散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５を備え、Ｘ線の検出面とは逆側の面とは別の側面にも散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５を配設してもよい。図４（ｂ）では、半導体厚膜７の外部に透過する散乱Ｘ線や、ＴＦＴ基板５の外部に透過する散乱Ｘ線を有効に利用して、半導体厚膜７の側面に散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５を備え、ＴＦＴ基板５の側面にも散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５を備えている。散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５は、この発明における散乱Ｘ線用蛍光体に相当する。
The X-rays become scattered X-rays at the semiconductor thick film 7 and the
このような散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５を備えることで、散乱Ｘ線を散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５が可視光に変換して、散乱Ｘ線を有効に利用することができる。なお、図１〜図３と同様に、散乱Ｘ線用光反射シート２７等に代表される反射部材を備え、ＴＦＴ基板５や半導体厚膜７に散乱Ｘ線用反射防止コーティング２９を施すのが好ましい。
By providing such a
なお、半導体厚膜７の側面に散乱Ｘ線用シンチレータフィルムを備えず、ＴＦＴ基板５の側面に散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５を備えてもよい。少なくともＴＦＴ基板５の側面に散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５を備えることで、必要な場所（特に画素電極間）での蛍光強度が強くなるという効果を奏する。散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５を半導体厚膜７の側面に備えた場合には、散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５からの可視光がＴＦＴ基板５で反射されるので、散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５側の面には、ＴＦＴ基板５は反射防止コーティングを必ずしも施さなくてもよい。
The scattered
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as follows.
（１）上述した実施例では、反射部材は、光反射シートであったが、可視光が外部に出ることを防止する反射部材であれば、物質や形態については特に限定されない。例えば、反射剤からなる塗料を塗布してもよい。 (1) In the above-described embodiments, the reflecting member is a light reflecting sheet, but the material and form are not particularly limited as long as it is a reflecting member that prevents visible light from going outside. For example, a paint made of a reflective agent may be applied.
（２）上述した実施例では、蛍光体は、ＣｓＩ、ＮａＩあるいはＧＯＳで形成されたシンチレータフィルムであったが、Ｘ線から可視光に変換する蛍光体であれば、物質や形態については特に限定されない。例えば蛍光体からなる素子であってもよいし、蛍光体からなる塗料を塗布してもよい。散乱Ｘ線用蛍光体においても、シンチレータフィルム（散乱Ｘ線用シンチレータフィルム２５）に限定されず、蛍光体からなる素子であってもよいし、蛍光体からなる塗料を塗布してもよい。 (2) In the above-described embodiments, the phosphor is a scintillator film formed of CsI, NaI, or GOS. However, as long as the phosphor converts X-rays into visible light, the substance and form are particularly limited. Not. For example, an element made of a phosphor may be used, or a paint made of a phosphor may be applied. The scattered X-ray phosphor is not limited to the scintillator film (scattered X-ray scintillator film 25), and may be an element made of a phosphor or a coating made of a phosphor.
（３）上述した実施例では、発光手段は、図４（ａ）に示す面発光プレートであったが、白色光源である冷陰極管と、アクリル板の表面を微細加工した導光板とから構成される構造であってもよい。 (3) In the above-described embodiment, the light emitting means is the surface light emitting plate shown in FIG. 4A. However, the light emitting means is composed of a cold cathode tube which is a white light source and a light guide plate obtained by finely processing the surface of the acrylic plate. It may be a structure.
（４）図４（ａ）の構造と図４（ｂ）の構造とを両方組み合わせてもよい。 (4) You may combine both the structure of Fig.4 (a), and the structure of FIG.4 (b).
（５）上述した実施例では、電圧印加用の共通電極９は図１および図２に示すような構造であったが、例えば支持基板と電圧印加用の共通電極とを兼用したグラファイト基板を備えた構造にもこの発明は適用することができる。 (5) In the embodiment described above, the voltage application common electrode 9 has a structure as shown in FIGS. 1 and 2, but for example, includes a support substrate and a graphite substrate that serves both as a voltage application common electrode. The present invention can also be applied to other structures.
１ … Ｘ線検出器
７ … 半導体厚膜
１１ … シンチレータフィルム
２５ … 散乱Ｘ線用シンチレータフィルム
Ｏｐｔ … 可視光DESCRIPTION OF
Claims (13)
前記半導体に可視光を照射する光照射機構と
を備えたＸ線検出器であって、
前記光照射機構は、Ｘ線を可視光に変換する蛍光体を備え、
Ｘ線の検出面とは逆側の面に前記蛍光体を配設することを特徴とするＸ線検出器。A semiconductor sensitive to X-rays,
An X-ray detector comprising: a light irradiation mechanism for irradiating the semiconductor with visible light,
The light irradiation mechanism includes a phosphor that converts X-rays into visible light,
An X-ray detector, wherein the phosphor is disposed on a surface opposite to the X-ray detection surface.
前記光照射機構は、可視光を発生させる発光手段を備え、
前記蛍光体からの可視光とともに、前記発光手段からの可視光を前記半導体に照射することを特徴とするＸ線検出器。The X-ray detector according to claim 1,
The light irradiation mechanism includes a light emitting means for generating visible light,
An X-ray detector for irradiating the semiconductor with visible light from the light emitting means together with visible light from the phosphor.
散乱Ｘ線を可視光に変換する散乱Ｘ線用蛍光体を備え、
前記Ｘ線の検出面とは逆側の面とは別の側面にも前記散乱Ｘ線用蛍光体を配設することを特徴とするＸ線検出器。The X-ray detector according to claim 1 or 2,
A phosphor for scattered X-rays that converts scattered X-rays into visible light;
An X-ray detector, wherein the scattered X-ray phosphor is disposed on a side surface different from a surface opposite to the X-ray detection surface.
前記蛍光体はシンチレータフィルムであることを特徴とするＸ線検出器。In the X-ray detector in any one of Claims 1-3,
The X-ray detector, wherein the phosphor is a scintillator film.
前記シンチレータフィルムは、ＣｓＩ、ＮａＩあるいはＧＯＳであることを特徴とするＸ線検出器。The X-ray detector according to claim 4,
The X-ray detector, wherein the scintillator film is CsI, NaI or GOS.
前記蛍光体のＸ線の検出面とは逆側の面に反射部材を備えることを特徴とするＸ線検出器。The X-ray detector according to any one of claims 1 to 5,
An X-ray detector comprising a reflecting member on a surface opposite to the X-ray detection surface of the phosphor.
電圧印加用の共通電極を備え、
前記半導体の検出面に、前記電圧印加用の共通電極を形成することを特徴とするＸ線検出器。The X-ray detector according to any one of claims 1 to 6,
With a common electrode for voltage application,
An X-ray detector, wherein a common electrode for applying voltage is formed on a detection surface of the semiconductor.
透明な絶縁性基板上に薄膜トランジスタスイッチ、電荷蓄積コンデンサおよび画素電極が形成されたＴＦＴ基板を備え、
前記ＴＦＴ基板上に前記半導体を形成し、前記半導体上に前記電圧印加用の共通電極を形成することを特徴とするＸ線検出器。The X-ray detector according to claim 7.
A TFT substrate having a thin film transistor switch, a charge storage capacitor, and a pixel electrode formed on a transparent insulating substrate,
An X-ray detector, wherein the semiconductor is formed on the TFT substrate, and the common electrode for voltage application is formed on the semiconductor.
前記ＴＦＴ基板に反射防止コーティングを施すことを特徴とするＸ線検出器。The X-ray detector according to claim 8.
An X-ray detector, wherein an antireflection coating is applied to the TFT substrate.
前記ＴＦＴ基板の下面に前記蛍光体を光学的に結合することを特徴とするＸ線検出器。The X-ray detector according to claim 8 or 9,
An X-ray detector, wherein the phosphor is optically coupled to a lower surface of the TFT substrate.
前記ＴＦＴ基板の下面に前記蛍光体を透明な接着剤によって接着することを特徴とするＸ線検出器。The X-ray detector according to claim 10.
An X-ray detector, wherein the phosphor is bonded to a lower surface of the TFT substrate with a transparent adhesive.
前記ＴＦＴ基板の下面に前記蛍光体を機械的に固定することを特徴とするＸ線検出器。The X-ray detector according to claim 10 or 11,
An X-ray detector, wherein the phosphor is mechanically fixed to a lower surface of the TFT substrate.
前記透明な絶縁性基板は、ガラス基板であることを特徴とするＸ線検出器。The X-ray detector according to any one of claims 8 to 12,
The X-ray detector, wherein the transparent insulating substrate is a glass substrate.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011082863 | 2011-04-04 | ||
| JP2011082863 | 2011-04-04 | ||
| PCT/JP2012/001830 WO2012137425A1 (en) | 2011-04-04 | 2012-03-15 | X-ray detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2012137425A1 true JPWO2012137425A1 (en) | 2014-07-28 |
Family
ID=46968841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013508737A Pending JPWO2012137425A1 (en) | 2011-04-04 | 2012-03-15 | X-ray detector |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2012137425A1 (en) |
| WO (1) | WO2012137425A1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110176519B (en) * | 2019-06-17 | 2021-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | Flat panel detector and manufacturing method thereof |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117082A (en) * | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Toshiba Corp | Radiation detector |
| JPS61259577A (en) * | 1985-05-14 | 1986-11-17 | Toshiba Corp | Radiation detector |
| JPH04241458A (en) * | 1991-01-14 | 1992-08-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor optical detector |
| JPH0621484A (en) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Switching device |
| JPH06140613A (en) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor light detector |
| JPH11304931A (en) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Shimadzu Corp | Radiation detector |
| JP2007163155A (en) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Canon Inc | Radiation detecting device and radiation imaging system using it |
| JP2011054746A (en) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Fujifilm Corp | Imaging element and imaging device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62218887A (en) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Toshiba Corp | X-ray image receiving apparatus |
| US5563421A (en) * | 1995-06-07 | 1996-10-08 | Sterling Diagnostic Imaging, Inc. | Apparatus and method for eliminating residual charges in an image capture panel |
| JPH11188021A (en) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Shimadzu Corp | X ray face sensor and radiographic device |
-
2012
- 2012-03-15 JP JP2013508737A patent/JPWO2012137425A1/en active Pending
- 2012-03-15 WO PCT/JP2012/001830 patent/WO2012137425A1/en active Application Filing
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117082A (en) * | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Toshiba Corp | Radiation detector |
| JPS61259577A (en) * | 1985-05-14 | 1986-11-17 | Toshiba Corp | Radiation detector |
| JPH04241458A (en) * | 1991-01-14 | 1992-08-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor optical detector |
| JPH0621484A (en) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Switching device |
| JPH06140613A (en) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor light detector |
| JPH11304931A (en) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Shimadzu Corp | Radiation detector |
| JP2007163155A (en) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Canon Inc | Radiation detecting device and radiation imaging system using it |
| JP2011054746A (en) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Fujifilm Corp | Imaging element and imaging device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012137425A1 (en) | 2012-10-11 |
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|
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