JPWO2012011390A1 - Input device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

配線層は、電極層の端部との接続位置に設けられた接続端部23a〜23eと、前記接続端部から引き出された配線延出部24a〜24eとを備える。複数本の前記配線層における配線延出部24a〜24eが、夫々、入力領域から見て同じ側のX1側非入力領域12aでX1−X2方向に間隔を空けた状態でY1−Y2方向に延出しているとともに、各配線延出部24a〜24eの配線幅は、前記X1−X2にて並設される前記配線層の本数が少ない領域ほど、大きく形成されている。The wiring layer includes connection end portions 23a to 23e provided at connection positions with the end portions of the electrode layers, and wiring extension portions 24a to 24e drawn from the connection end portions. The wiring extension portions 24a to 24e in the plurality of wiring layers extend in the Y1-Y2 direction with the X1-side non-input area 12a on the same side as viewed from the input area spaced apart in the X1-X2 direction. In addition, the wiring width of each of the wiring extending portions 24a to 24e is formed larger in a region where the number of the wiring layers arranged in parallel at the X1-X2 is smaller.

Description

本発明は、入力領域の外側に位置する非入力領域に複数の配線層が延出して形成されて成る入力装置に関し、特に配線層の構造に関する。   The present invention relates to an input device formed by extending a plurality of wiring layers in a non-input region located outside an input region, and more particularly to a structure of a wiring layer.

以下の特許文献1,2には、入力装置(タッチパネル)の構造が開示されている。入力装置の入力領域には複数本の電極層が配置されている。そして操作者が指等で入力領域を操作すると、その操作位置を静電容量変化等で検出できるようになっている。入力領域の外側の非入力領域には、各電極層に電気的に接続された配線層が形成されている。   The following Patent Documents 1 and 2 disclose the structure of an input device (touch panel). A plurality of electrode layers are arranged in the input area of the input device. When the operator operates the input area with a finger or the like, the operation position can be detected by a change in capacitance or the like. A wiring layer electrically connected to each electrode layer is formed in the non-input region outside the input region.

特許文献1等に示す前記配線層は、図9に示すように、各電極層の端部との接続位置に設けられた幅の太い接続端部1(特許文献1には太幅部と記載されている)と、接続端部1から延出する配線延出部2(特許文献1には細幅部と記載されている)とで構成される。   As shown in FIG. 9, the wiring layer shown in Patent Document 1 or the like has a thick connection end 1 provided at a connection position with the end of each electrode layer (described as a wide width part in Patent Document 1). And a wiring extension portion 2 extending from the connection end portion 1 (described as a narrow width portion in Patent Document 1).

図9に示すように、各配線層の配線延出部2は、ほぼ同じ幅寸法で細長く形成されている。なお特許文献1には前記配線延出部の配線幅について記載されていないが、特許文献1の図面から判断すると、各配線層の配線延出部の配線幅は図9に示すように、全て、ほぼ同じ幅寸法で形成されていると考えられる。   As shown in FIG. 9, the wiring extension part 2 of each wiring layer is formed to be elongated with substantially the same width dimension. In addition, although the wiring width of the said wiring extension part is not described in patent document 1, but judging from the drawing of patent document 1, the wiring width of the wiring extension part of each wiring layer is as shown in FIG. It is considered that they are formed with substantially the same width dimension.

しかしながら、かかる形態では、特に配線延出部2の長い配線層ほど異物の混入等で断線する確率が高くなる構造となっている。また各配線層の配線抵抗のばらつきが大きくなる問題がある。   However, in such a configuration, the wiring layer having a long wiring extension portion 2 has a structure in which the probability of disconnection due to foreign matters is increased. In addition, there is a problem that variation in wiring resistance of each wiring layer becomes large.

また、特許文献2に記載された発明では、配線層の長さ寸法が長いものほど、配線幅が細くなるように形成されているため、ますます断線の問題が生じやすく配線抵抗のばらつきが更に大きくなってしまう。   Further, in the invention described in Patent Document 2, since the wiring layer is formed so that the wiring width becomes narrower as the length of the wiring layer becomes longer, the problem of disconnection is more likely to occur, and the variation in wiring resistance further increases. It gets bigger.

特開2010−61384号公報JP 2010-61384 A 特開2009−258935号公報JP 2009-258935 A

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、配線構造を改良して、断線の確率を低減し、更に各配線層の配線抵抗のばらつきを抑制することが可能な入力装置及びその製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention is for solving the above-described conventional problems, and in particular, an input capable of improving the wiring structure, reducing the probability of disconnection, and further suppressing variations in the wiring resistance of each wiring layer. An object is to provide an apparatus and a method for manufacturing the same.

本発明における入力装置は、
入力領域に設けられた電極層と、入力領域の外側の非入力領域にて引き回された配線層とを有し、
前記配線層は、前記電極層の端部との接続位置に設けられた接続端部と、前記接続端部から引き出された配線延出部とを備え、
平面内にて直交する2方向を第1の方向と第2の方向としたとき、複数本の前記配線層における前記配線延出部が、夫々、前記入力領域から見て同じ側の前記非入力領域で前記第1の方向に間隔を空けた状態で前記第2の方向に延出しているとともに、各配線延出部の配線幅は、前記第1の方向にて並設される前記配線層の本数が少ない領域ほど、大きく形成されていることを特徴とするものである。
The input device in the present invention is
Having an electrode layer provided in the input region and a wiring layer routed in a non-input region outside the input region;
The wiring layer includes a connection end portion provided at a connection position with the end portion of the electrode layer, and a wiring extension portion led out from the connection end portion,
When two directions orthogonal to each other in the plane are defined as a first direction and a second direction, the wiring extension portions in the plurality of wiring layers are each non-input on the same side as viewed from the input region. The wiring layer that extends in the second direction with a space in the first direction in the region, and the wiring width of each wiring extension portion is arranged in parallel in the first direction The region having a smaller number of is larger in size.

また本発明は、入力領域に電極層と、入力領域の外側の非入力領域にて引き回された配線層とを有して成る入力装置の製造方法において、
前記電極層の端部との接続位置に設けられた接続端部と、前記接続端部から引き出された配線延出部とを備える前記配線層を形成し、
平面内にて直交する2方向を第1の方向と第2の方向としたとき、複数本の前記配線層における前記配線延出部を、夫々、前記入力領域から見て同じ側の前記非入力領域で前記第1の方向に間隔を空けた状態で前記第2の方向に延出させるとともに、各配線延出部の配線幅を、前記第1の方向にて並設される前記配線層の本数が少ないほど、大きく形成することを特徴とするものである。
Further, the present invention provides an input device manufacturing method comprising an electrode layer in an input region and a wiring layer routed in a non-input region outside the input region.
Forming the wiring layer comprising a connection end provided at a connection position with the end of the electrode layer, and a wiring extension drawn from the connection end;
When the two directions orthogonal to each other in the plane are defined as the first direction and the second direction, the non-inputs on the same side as viewed from the input region, the wiring extension portions in the plurality of wiring layers, respectively. The wiring layer is extended in the second direction with a space in the first direction in the region, and the wiring width of each wiring extension portion is set to be parallel to the first direction. The smaller the number, the larger the formation.

このように本発明では、各配線延出部の配線幅を従来のように同じ幅で形成するのではなく、並設される配線層の本数が少ない領域ほど大きく形成した。よって、長さの長い配線延出部に対して、並設される配線層の本数が少ない領域で配線幅を大きく形成でき、断線の確率を従来に比べて効果的に低くすることが出来る。さらに、配線延出部の配線幅は、配線延出部の長さ寸法が長くなるほど、平均して大きくすることができるため、各配線層の配線抵抗のばらつきを小さくすることが可能になる。   As described above, in the present invention, the wiring width of each wiring extension portion is not formed with the same width as in the prior art, but is formed larger in a region where the number of wiring layers arranged in parallel is smaller. Therefore, the wiring width can be increased in a region where the number of wiring layers arranged in parallel is small with respect to the long wiring extension portion, and the probability of disconnection can be effectively reduced as compared with the conventional case. Furthermore, since the wiring width of the wiring extension portion can be increased on average as the length dimension of the wiring extension portion becomes longer, it is possible to reduce variations in the wiring resistance of each wiring layer.

本発明では、前記配線延出部には、前記第2の方向に向けて徐々に配線幅が変化する幅変化領域が形成されていることが好ましい。また前記幅変化領域における側端部の前記第2の方向に対する傾き角度θ1は45°以下であることが好ましい。更に、前記配線延出部は、前記第2の方向に向けて、前記幅変化領域と、前記第2の方向に平行に延びる配線幅が一定の幅一定領域とが交互に繰り返して形成されており、前記幅変化領域は前記幅一定領域から折れ曲がって形成されていることが好ましい。   In the present invention, it is preferable that a width change region in which the wiring width gradually changes toward the second direction is formed in the wiring extension portion. In addition, the inclination angle θ1 of the side end portion in the width change region with respect to the second direction is preferably 45 ° or less. Further, the wiring extension portion is formed by alternately repeating the width changing region and a constant width region extending in parallel to the second direction toward the second direction. The width change region is preferably bent from the constant width region.

上記のように幅変化領域を形成することで、配線層を、エッチングにて所定形状に形成する際に、配線延出部の側端部に形成されるコーナー部分にエッチング液の液溜りができるのを抑制でき、各配線層を所定形状にて適切に形成することが可能になる。また、非入力領域の限られた非入力領域内に効率良く各配線延出部を形成することができる。   By forming the width change region as described above, when the wiring layer is formed into a predetermined shape by etching, the etching liquid can be accumulated in the corner portion formed at the side end portion of the wiring extension portion. Therefore, each wiring layer can be appropriately formed in a predetermined shape. Moreover, each wiring extension part can be efficiently formed in the non-input area where the non-input area is limited.

本発明では、並設される配線層の本数が少ない領域ほど配線幅を大きく形成するため、長さの長い配線延出部に対して、並設される配線層の本数が少ない領域で配線幅を大きく形成できる。よって断線の確率を従来に比べて効果的に低くすることが出来る。さらに、配線延出部の配線幅は、配線延出部の長さ寸法が長くなるほど、平均して大きくすることができるため、各配線層の抵抗抵抗のばらつきを小さくすることが可能になる。   In the present invention, the wiring width is increased in a region where the number of wiring layers arranged in parallel is smaller, so that the wiring width is reduced in a region where the number of wiring layers arranged in parallel is smaller than a long wiring extension portion. Can be formed large. Therefore, the probability of disconnection can be effectively reduced as compared with the conventional case. Furthermore, since the wiring width of the wiring extension portion can be increased on average as the length dimension of the wiring extension portion becomes longer, it is possible to reduce variations in resistance resistance of each wiring layer.

本実施形態の静電容量式の入力装置(タッチパネル)の下部基板の平面図、The top view of the lower board | substrate of the electrostatic capacitance type input device (touch panel) of this embodiment, 本実施形態の上部基板の平面図、A plan view of the upper substrate of this embodiment, 本実施形態における入力装置をX1−X2方向に向けて切断したときの部分縦断面図、The partial longitudinal cross-sectional view when the input device in this embodiment is cut | disconnected toward X1-X2 direction, 図4(a)は、本実施形態における配線層の部分拡大平面図、図4(b)は、図4(a)に示す各配線層の配線延出部の配線幅を示す模式図、図4(c)は、図4(b)と異なる形態を示す配線幅を示す模式図、FIG. 4A is a partially enlarged plan view of the wiring layer in the present embodiment, and FIG. 4B is a schematic diagram showing the wiring width of the wiring extension portion of each wiring layer shown in FIG. 4 (c) is a schematic diagram showing a wiring width showing a different form from FIG. 4 (b), 図3とは異なる形態の入力装置の部分縦断面図、FIG. 3 is a partial vertical cross-sectional view of an input device in a form different from FIG. 図3とは異なる形態の入力装置の部分縦断面図、FIG. 3 is a partial vertical cross-sectional view of an input device in a form different from FIG. 図7(a)は、図1〜図3と異なる形態の入力装置の部分平面図、図7(b)は、部分縦断面図、FIG. 7A is a partial plan view of an input device having a different form from those in FIGS. 1 to 3, and FIG. 本実施形態の入力装置の下部基板の製造方法を示す一工程図(部分縦断面図)、1 process drawing (partial longitudinal cross-sectional view) which shows the manufacturing method of the lower board | substrate of the input device of this embodiment, 従来の配線層の平面図。The top view of the conventional wiring layer.

図1は、本実施形態の静電容量式の入力装置(タッチパネル)の下部基板の平面図、図2は上部基板の平面図、図3は、本実施形態における入力装置をX1−X2方向に向けて切断したときの部分縦断面図、図4(a)は、本実施形態における配線層の部分拡大平面図、図4(b)は、図4(a)に示す各配線層の配線延出部の配線幅を示す模式図、図4(c)は、図4(b)と異なる形態を示す配線幅を示す模式図である。   1 is a plan view of a lower substrate of the capacitive input device (touch panel) of the present embodiment, FIG. 2 is a plan view of the upper substrate, and FIG. 3 is a diagram illustrating the input device according to the present embodiment in the X1-X2 direction. FIG. 4A is a partially enlarged plan view of a wiring layer in the present embodiment, and FIG. 4B is a wiring extension of each wiring layer shown in FIG. 4A. FIG. 4C is a schematic diagram showing the wiring width of the protruding portion, and FIG. 4C is a schematic diagram showing the wiring width showing a different form from FIG. 4B.

図1,図3に示す下部基板22は、下部基材32と下部基材32の表面に形成された複数本の下部電極層14とを有して構成される。各下部電極層14は入力領域(センサ領域)11内に形成される。   The lower substrate 22 shown in FIGS. 1 and 3 includes a lower base 32 and a plurality of lower electrode layers 14 formed on the surface of the lower base 32. Each lower electrode layer 14 is formed in the input region (sensor region) 11.

図1に示すように各下部電極層14は、いずれも複数の第1電極部40がX1−X2方向(第1の方向)に、前記第1電極部40より細い連結部41を介して連設された形態である。なお図1では一つの第1電極部40及び連結部41にのみ符号を付した。図1では、第1電極部40の形状が略菱形形状で形成されているが、この形状に限定するものではない。   As shown in FIG. 1, each lower electrode layer 14 includes a plurality of first electrode portions 40 connected in the X1-X2 direction (first direction) via a connecting portion 41 that is thinner than the first electrode portion 40. It is a set form. In FIG. 1, only one first electrode part 40 and one connection part 41 are denoted by reference numerals. In FIG. 1, although the shape of the 1st electrode part 40 is formed in the substantially rhombus shape, it is not limited to this shape.

そして図1に示すように各下部電極層14は、X1−X2方向に直交するY1−Y2方向(第2の方向)に所定の間隔を空けて配列されている。   As shown in FIG. 1, the lower electrode layers 14 are arranged at a predetermined interval in the Y1-Y2 direction (second direction) orthogonal to the X1-X2 direction.

なお、この実施形態では、X1−X2方向を第1の方向とし、Y1−Y2方向を第2の方向と設定したが、方向を限定するものではない。   In this embodiment, the X1-X2 direction is set as the first direction, and the Y1-Y2 direction is set as the second direction. However, the direction is not limited.

図1に示すように入力領域11の周囲は額縁状の非入力領域12となっている。
図1に示すように、非入力領域12には各下部電極層14のX1−X2方向における端部と電気的に接続される複数本の配線層15a〜15jが形成されている。なお図1では、各配線層15a〜15jを全て同じ線状にて模式的に示したが、実際には後述する図4(a)に示すような配線形状で形成されている。図1に示すように、各配線層15a〜15eは、一つ置きに配列された各下部電極層14のX1側端部に電気的に接続されている。また各配線層15f〜15jは、残りの各下部電極層14のX2側端部に電気的に接続されている。
As shown in FIG. 1, the periphery of the input area 11 is a frame-shaped non-input area 12.
As shown in FIG. 1, a plurality of wiring layers 15 a to 15 j that are electrically connected to the end portions in the X1-X2 direction of the respective lower electrode layers 14 are formed in the non-input region 12. In FIG. 1, all of the wiring layers 15a to 15j are schematically shown in the same line shape, but in actuality, they are formed in a wiring shape as shown in FIG. As shown in FIG. 1, the wiring layers 15 a to 15 e are electrically connected to the X1 side end portions of the lower electrode layers 14 that are arranged every other line. The wiring layers 15 f to 15 j are electrically connected to the X2 side end portions of the remaining lower electrode layers 14.

図1に示すように、各配線層15a〜15eは、入力領域11から見てX1側に位置するX1側非入力領域12a内にて引き回されている。各配線層15a〜15eはX1−X2方向(第1の方向)に間隔を空けた状態で、Y1−Y2方向(第2の方向)に直線状に延出して形成されている。また図1に示すように各配線層15a〜15eの先端は入力領域11から見てY2側に位置するY2側非入力領域12bに位置して、フレキシブルプリント基板(図示しない)と電気的に接続される外部接続部27を構成している。   As shown in FIG. 1, each of the wiring layers 15 a to 15 e is routed in the X1 side non-input area 12 a located on the X1 side when viewed from the input area 11. Each of the wiring layers 15a to 15e is formed to extend linearly in the Y1-Y2 direction (second direction) with a space in the X1-X2 direction (first direction). As shown in FIG. 1, the tips of the wiring layers 15a to 15e are located in the Y2 side non-input area 12b located on the Y2 side when viewed from the input area 11, and are electrically connected to a flexible printed circuit board (not shown). The external connection unit 27 is configured.

また図1に示すように、各配線層15f〜15jは、入力領域11から見てX2側に位置するX2側非入力領域12c内にて引き回されている。各配線層15f〜15jはX1−X2方向(第1の方向)に間隔を空けた状態で、Y1−Y2方向(第2の方向)に直線状に延出して形成されている。また図1に示すように各配線層15f〜15jの先端は入力領域11から見てY2側に位置するY2側非入力領域12bに位置して、フレキシブルプリント基板(図示しない)と電気的に接続される外部接続部17を構成している。   As shown in FIG. 1, the wiring layers 15 f to 15 j are routed in the X2 side non-input area 12 c located on the X2 side when viewed from the input area 11. Each of the wiring layers 15f to 15j is formed to extend linearly in the Y1-Y2 direction (second direction) with an interval in the X1-X2 direction (first direction). Further, as shown in FIG. 1, the tips of the wiring layers 15f to 15j are located in the Y2 side non-input area 12b located on the Y2 side when viewed from the input area 11, and are electrically connected to a flexible printed circuit board (not shown). The external connection unit 17 is configured.

図3に示すように配線層15(図3では統一して符号15と示した)は、透明導電層16上に重ねて形成されている。この透明導電層16は入力領域11に位置する各下部電極層14と一体に形成されたITO膜等であり、非入力領域12では、各配線層15と略同一の配線パターン形状にて形成されている。   As shown in FIG. 3, the wiring layer 15 (generally indicated by reference numeral 15 in FIG. 3) is formed on the transparent conductive layer 16. The transparent conductive layer 16 is an ITO film or the like formed integrally with each lower electrode layer 14 located in the input region 11. In the non-input region 12, the transparent conductive layer 16 is formed in a wiring pattern shape substantially the same as each wiring layer 15. ing.

図2,図3に示す上部基板21は、上部基材33と上部基材33の表面に形成された複数本の上部電極層13とを有して構成される。各上部電極層13は入力領域(センサ領域)11内に形成される。   The upper substrate 21 shown in FIGS. 2 and 3 includes an upper base material 33 and a plurality of upper electrode layers 13 formed on the surface of the upper base material 33. Each upper electrode layer 13 is formed in the input region (sensor region) 11.

図2に示すように各上部電極層13は、いずれも複数の第2電極部42がY1−Y2方向(第2の方向)に、前記第2電極部42より細い連結部43を介して連設された形態である。なお図2では一つの第2電極部42及び連結部43にのみ符号を付した。図2では、第2電極部42の形状が略菱形形状で形成されているが、この形状に限定するものではない。   As shown in FIG. 2, each upper electrode layer 13 includes a plurality of second electrode portions 42 connected in the Y1-Y2 direction (second direction) via a connecting portion 43 that is thinner than the second electrode portion 42. It is a set form. In FIG. 2, only one second electrode portion 42 and the connecting portion 43 are denoted by reference numerals. In FIG. 2, the shape of the second electrode portion 42 is formed in a substantially rhombus shape, but is not limited to this shape.

そして図2に示すように各上部電極層13は、X1−X2方向(第1の方向)に所定の間隔を空けて配列されている。   As shown in FIG. 2, the upper electrode layers 13 are arranged at predetermined intervals in the X1-X2 direction (first direction).

図2に示すように、非入力領域12には各上部電極層13のY1−Y2方向における端部と電気的に接続される複数本の配線層18a〜18gが形成されている。図2に示すように、各配線層18a〜18gは、各上部電極層13のY2側端部に電気的に接続されている。   As shown in FIG. 2, in the non-input region 12, a plurality of wiring layers 18 a to 18 g that are electrically connected to the end portions of the upper electrode layers 13 in the Y1-Y2 direction are formed. As shown in FIG. 2, the wiring layers 18 a to 18 g are electrically connected to the Y2 side end portions of the upper electrode layers 13.

図2に示すように、各配線層18a〜18gは、入力領域11から見てY2側に位置するY2側非入力領域12b内にて引き回されている。そして図2に示すように各配線層18a〜18gの先端は、Y2側非入力領域12b内にて、フレキシブルプリント基板(図示しない)と電気的に接続される外部接続部19を構成している。上部基板21に形成された外部接続部19と、下部基板22に形成された外部接続部27,17(図1参照)とは平面的に重ならないように形成されている。   As shown in FIG. 2, the wiring layers 18 a to 18 g are routed in the Y2 side non-input area 12 b located on the Y2 side when viewed from the input area 11. And as shown in FIG. 2, the front-end | tip of each wiring layer 18a-18g comprises the external connection part 19 electrically connected with a flexible printed circuit board (not shown) in the Y2 side non-input area 12b. . The external connection portion 19 formed on the upper substrate 21 and the external connection portions 27 and 17 (see FIG. 1) formed on the lower substrate 22 are formed so as not to overlap in plan view.

図3に示すように下部基板22と上部基板21との間は粘着層30を介して接合されている。   As shown in FIG. 3, the lower substrate 22 and the upper substrate 21 are bonded via an adhesive layer 30.

各電極層13,14はいずれも基材表面にITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電材料でスパッタや蒸着により成膜される。また基材32,33は、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。また各配線層15a〜15j,18a〜18gは、Cu、Cu合金、CuNi合金、Ni、Ag等の金属材料で形成される。各配線層15a〜15j,18a〜18gは、単層構造であってもよいし積層構造であってもよい。   Each of the electrode layers 13 and 14 is formed on the surface of the substrate by sputtering or vapor deposition with a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide). The base materials 32 and 33 are formed of a film-like transparent base material such as polyethylene terephthalate (PET) or a glass base material. Moreover, each wiring layer 15a-15j, 18a-18g is formed with metal materials, such as Cu, Cu alloy, CuNi alloy, Ni, and Ag. Each of the wiring layers 15a to 15j and 18a to 18g may have a single layer structure or a laminated structure.

図3に示すように、上部基材21の上面側に粘着層31を介して表面部材20が接合されている。粘着層30,31は光学透明粘着層(OCA)、両面粘着テープ等である。表面部材20は特に材質を限定するものではないが、ガラスや透明なプラスチック等で形成される。表面部材20の非入力領域12の裏面には加飾層34が形成されている。これにより、入力領域11を透光性に、非入力領域12を非透光性にできる。   As shown in FIG. 3, the surface member 20 is bonded to the upper surface side of the upper base member 21 via the adhesive layer 31. The adhesive layers 30 and 31 are an optical transparent adhesive layer (OCA), a double-sided adhesive tape, or the like. The surface member 20 is not particularly limited in material, but is formed of glass, transparent plastic, or the like. A decorative layer 34 is formed on the back surface of the non-input area 12 of the front surface member 20. Thereby, the input area 11 can be made translucent and the non-input area 12 can be made non-translucent.

図3に示すように指Fを入力領域11の操作面20a上に接触させると、指Fと、指Fに近い各電極層13,14の電極部40,42との間で静電容量が生じる。よって、指Fを操作面20a上に接触させたときと接触させないときとで容量変化が生じる。そして、この容量変化に基づいて指Fの接触位置を算出することが可能である。なお、操作位置の検出方法は本実施形態以外のものであってもよい。   As shown in FIG. 3, when the finger F is brought into contact with the operation surface 20 a of the input area 11, the capacitance is generated between the finger F and the electrode portions 40 and 42 of the electrode layers 13 and 14 close to the finger F. Arise. Therefore, the capacitance changes between when the finger F is brought into contact with the operation surface 20a and when the finger F is not brought into contact therewith. Then, it is possible to calculate the contact position of the finger F based on this capacitance change. Note that the operation position detection method may be other than that of the present embodiment.

図4(a)は、図1に示すX1側非入力領域12aに配列された各配線層15a〜15eの部分拡大平面図である。図4(a)に示すように、各配線層15a〜15eは、各下部電極層14の端部との接続位置に設けられた接続端部23a〜23eと、各接続端部23a〜23eからY1−Y2方向に延出する配線延出部24a〜24eとを備えて構成される。   FIG. 4A is a partially enlarged plan view of the wiring layers 15a to 15e arranged in the X1 side non-input area 12a shown in FIG. As shown in FIG. 4A, each of the wiring layers 15a to 15e includes connection end portions 23a to 23e provided at connection positions with the end portions of the lower electrode layers 14, and connection end portions 23a to 23e. Wiring extending portions 24a to 24e extending in the Y1-Y2 direction are provided.

ここで各接続端部23a〜23eと各配線延出部24a〜24eとの境界であるが、図4の実施形態では、前記境界が段差部23a1〜23e1で規定され、各配線層15a〜15eにおいて、前記段差部23a1〜23e1よりもY1側が、接続端部23a〜23e、前記段差部23a1〜23e1よりもY2側が、配線延出部24a〜24eとして定義される。各接続端部23a〜23eは、各配線層15a〜15eの中で、最も配線幅が大きい領域を有している。なお接続端部23a〜23eと配線延出部24a〜24eとの境界をどこにするかは、配線層の形態等により適宜、設定することができる。各接続端部23a〜23eのX2側端部23a2〜23e2は、Y1−Y2方向に直線形状で形成され、一列に並んでいる。配線層15eの接続端部23eは他の接続端部23a〜23dに比べて最も大きく形成され、また略矩形状で形成される。一方、接続端部23a〜23dは、X1側端部に傾斜面23a3〜23d3を有しており、接続端部23eとは異なる形状である。各接続端部23a〜23eの大きさは、接続端部23a<接続端部23b<接続端部23c<接続端部23d<接続端部23eの順となっている。   Here, it is a boundary between each connection end portion 23a to 23e and each wiring extension portion 24a to 24e. In the embodiment of FIG. 4, the boundary is defined by step portions 23a1 to 23e1, and each wiring layer 15a to 15e. The Y1 side of the step portions 23a1 to 23e1 is defined as the connection end portions 23a to 23e, and the Y2 side of the step portions 23a1 to 23e1 is defined as the wiring extension portions 24a to 24e. Each of the connection end portions 23a to 23e has a region having the largest wiring width among the wiring layers 15a to 15e. Note that where the boundaries between the connection end portions 23a to 23e and the wiring extension portions 24a to 24e can be set as appropriate depending on the form of the wiring layer and the like. The X2 side end portions 23a2 to 23e2 of the connection end portions 23a to 23e are formed in a linear shape in the Y1-Y2 direction, and are arranged in a line. The connection end portion 23e of the wiring layer 15e is formed to be the largest compared to the other connection end portions 23a to 23d, and is formed in a substantially rectangular shape. On the other hand, the connection end portions 23a to 23d have inclined surfaces 23a3 to 23d3 at the end portion on the X1 side, and have a shape different from that of the connection end portion 23e. The sizes of the connection end portions 23a to 23e are in the order of connection end portion 23a <connection end portion 23b <connection end portion 23c <connection end portion 23d <connection end portion 23e.

次に、配線延出部24a〜24eについて説明する。配線延出部24a〜24eは、配線層15a〜15eのうち、接続端部23a〜23e及び図1に示す外部接続部27以外の部分を指す。各配線延出部24a〜24eは、X1側非入力領域12aとY2側非入力領域12bに引き回される。X1側非入力領域12aに形成される配線延出部24a〜24eの長さ寸法は、配線延出部24a<配線延出部24b<配線延出部24c<配線延出部24d<配線延出部24eの順となっている。   Next, the wiring extension parts 24a to 24e will be described. The wiring extension portions 24a to 24e indicate portions other than the connection end portions 23a to 23e and the external connection portion 27 illustrated in FIG. 1 in the wiring layers 15a to 15e. Each of the wiring extending portions 24a to 24e is routed to the X1 side non-input area 12a and the Y2 side non-input area 12b. The length dimension of the wiring extension parts 24a to 24e formed in the X1 side non-input area 12a is as follows: wiring extension part 24a <wiring extension part 24b <wiring extension part 24c <wiring extension part 24d <wiring extension The order is the part 24e.

本実施形態では、各配線延出部24a〜24eの配線幅(X1−X2方向における幅寸法)は、X1−X2方向にて並設される前記配線層の本数が少ない領域ほど、大きく形成される点に特徴的部分がある。   In this embodiment, the wiring width (width dimension in the X1-X2 direction) of each wiring extension part 24a-24e is formed so that it is so large that the area | region where the number of the said wiring layers arranged in parallel by the X1-X2 direction is few. There is a characteristic part in the point.

図4(b)の各図は、図4(a)と対応する領域の各配線延出部24a〜24eの配線幅を図示したものである。図4(b−5)の領域では、図4(a)に示すように、全ての配線延出部24a〜24eがX1−X2方向に所定の間隔を空けて並設されている。よって、図4(b−5)に示す各配線延出部24a〜24eの領域では、各配線延出部24a〜24eの中で最も配線幅が小さく形成される。   Each drawing in FIG. 4B illustrates the wiring width of each wiring extension portion 24a to 24e in the region corresponding to FIG. 4A. In the region of FIG. 4B-5, as shown in FIG. 4A, all the wiring extending portions 24a to 24e are arranged in parallel at a predetermined interval in the X1-X2 direction. Therefore, in the area | region of each wiring extension part 24a-24e shown in FIG.4 (b-5), wiring width is formed smallest in each wiring extension part 24a-24e.

次に、図4(b−5)に示す領域よりもY1側に位置する図4(b−4)に示す領域では、図4(a)に示すように、配線延出部24aが形成されておらず、図4(b−5)に示す領域よりも一本少ない配線延出部24b〜24eがX1−X2方向に所定の間隔を空けて並設されている。よって、図4(b−4)の領域における各配線延出部24b〜24eの配線幅は、図4(b−5)における各配線延出部24b〜24eの配線幅よりも大きく形成される。   Next, in the region shown in FIG. 4 (b-4) located on the Y1 side from the region shown in FIG. 4 (b-5), a wiring extension 24a is formed as shown in FIG. 4 (a). However, the wiring extension portions 24b to 24e, which are one fewer than the region shown in FIG. 4B-5, are arranged in parallel at a predetermined interval in the X1-X2 direction. Therefore, the wiring width of each wiring extension part 24b-24e in the area | region of FIG.4 (b-4) is formed larger than the wiring width of each wiring extension part 24b-24e in FIG.4 (b-5). .

次に、図4(b−4)に示す領域よりもY1側に位置する図4(b−3)に示す領域では、図4(a)に示すように、配線延出部24a,24bが形成されておらず、図4(b−4)に示す領域よりも一本少ない配線延出部24c〜24eがX1−X2方向に所定の間隔を空けて並設されている。よって、図4(b−3)の領域における各配線延出部24c〜24eの配線幅は、図4(b−4)における各配線延出部24c〜24eの配線幅よりも大きく形成される。   Next, in the region shown in FIG. 4 (b-3) located on the Y1 side from the region shown in FIG. 4 (b-4), as shown in FIG. 4 (a), the wiring extension portions 24a and 24b are provided. The wiring extension portions 24c to 24e that are not formed and are one line smaller than the region shown in FIG. 4B-4 are arranged in parallel at a predetermined interval in the X1-X2 direction. Therefore, the wiring width of each wiring extension part 24c-24e in the area | region of FIG.4 (b-3) is formed larger than the wiring width of each wiring extension part 24c-24e in FIG.4 (b-4). .

次に、図4(b−3)に示す領域よりもY1側に位置する図4(b−2)に示す領域では、図4(a)に示すように、配線延出部24a〜24cが形成されておらず、図4(b−3)よりも一本少ない配線延出部24d,24eがX1−X2方向に所定の間隔を空けて並設されている。よって、図4(b−2)の領域における各配線延出部24d,24eの配線幅は、図4(b−3)における各配線延出部24d,24eの配線幅よりも大きく形成される。   Next, in the region shown in FIG. 4 (b-2) located on the Y1 side from the region shown in FIG. 4 (b-3), as shown in FIG. 4 (a), the wiring extension portions 24a to 24c are provided. The wiring extension portions 24d and 24e, which are not formed and are one fewer than in FIG. 4B-3, are arranged in parallel in the X1-X2 direction at a predetermined interval. Therefore, the wiring widths of the wiring extension portions 24d and 24e in the region of FIG. 4B-2 are formed larger than the wiring widths of the wiring extension portions 24d and 24e in FIG. 4B-3. .

次に、図4(b−2)に示す領域よりもY1側に位置する図4(b−1)に示す領域では、図4(a)に示すように、配線延出部24a〜24dが形成されておらず、配線延出部24eのみがX1−X2方向に設けられる。よって、図4(b−1)の領域における配線延出部24eの配線幅は、図4(b−2)における各配線延出部24eの配線幅よりも大きく形成される。   Next, in the region shown in FIG. 4 (b-1) located on the Y1 side from the region shown in FIG. 4 (b-2), as shown in FIG. 4 (a), the wiring extending portions 24a to 24d are provided. Not formed, only the wiring extension 24e is provided in the X1-X2 direction. Therefore, the wiring width of the wiring extension portion 24e in the region of FIG. 4B-1 is formed larger than the wiring width of each wiring extension portion 24e in FIG. 4B-2.

よって、図4(b−1)〜図4(b−5)に示すように、配線延出部24eの各領域での配線幅を見てみると、図4(b−5)での幅寸法T5<図4(b−4)での幅寸法T4<図4(b−3)での幅寸法T3<図4(b−2)での幅寸法T2<図4(b−1)での幅寸法T1の順となっている。   Therefore, as shown in FIGS. 4B-1 to 4B-5, when the wiring width in each region of the wiring extension 24e is viewed, the width in FIG. 4B-5 is shown. Dimension T5 <Width dimension T4 in FIG. 4 (b-4) <Width dimension T3 in FIG. 4 (b-3) <Width dimension T2 in FIG. 4 (b-2) <In FIG. 4 (b-1) The width dimension T1 is in this order.

図4(b−1)〜図4(b−5)では、各領域において、X1−X2方向で並設される各配線延出部24a〜24eの配線幅は同じ幅寸法T2〜T5で形成されていたが、例えば、図4(c−1)〜図4(c−3)に示すように、各領域においてX1−X2方向で並設される各配線延出部24a〜24eの配線幅を異なる幅寸法で形成することも可能である。図4(c−1)〜図4(c−3)の各領域では、夫々、配線長さの長い配線延出部24e>配線延出部24d・・の順に配線幅が大きくなるように調整している。   4 (b-1) to 4 (b-5), the wiring widths of the wiring extending portions 24a to 24e arranged in parallel in the X1-X2 direction in each region are formed with the same width dimensions T2 to T5. However, for example, as shown in FIGS. 4 (c-1) to 4 (c-3), the wiring widths of the wiring extending portions 24a to 24e arranged in parallel in the X1-X2 direction in each region. It is also possible to form with different width dimensions. 4 (c-1) to 4 (c-3), adjustment is made so that the wiring width increases in the order of the wiring extension portion 24e having a longer wiring length> the wiring extension portion 24d. doing.

このように本実施形態では、各配線延出部24a〜24eの配線幅を従来のように細い一定幅で形成するのでなく、並設される配線層の本数が少ない領域ほど、各配線延出部24a〜24eの配線幅を大きく形成した。よって、配線延出部の長さ寸法が長くても、並設される配線層の本数が少ない領域では、それだけ、配線幅を大きく形成することができるため、断線の確率を従来よりも効果的に低くすることが出来る。最も配線長さの長い配線延出部24eを見てみると、図4(b−5)から図4(b−1)の各領域にかけて、徐々に配線幅を大きくすることができ、よって並設される配線層の本数に関わらず、配線幅を一律に細い幅で形成していた従来に比べて、配線延出部24eにおける断線の確率を効果的に減少させることが可能である。   As described above, in the present embodiment, each wiring extension portion 24a to 24e is not formed with a thin constant width as in the prior art, but each wiring extension is provided in a region where the number of wiring layers arranged in parallel is small. The wiring widths of the portions 24a to 24e were increased. Therefore, even if the length of the wiring extension portion is long, the wiring width can be increased in an area where the number of wiring layers arranged in parallel is small, so the probability of disconnection is more effective than before. Can be lowered. Looking at the wiring extension portion 24e having the longest wiring length, the wiring width can be gradually increased from each region of FIG. 4 (b-5) to FIG. 4 (b-1). Regardless of the number of wiring layers provided, it is possible to effectively reduce the probability of disconnection in the wiring extension 24e as compared with the conventional case where the wiring width is uniformly narrow.

更に本実施形態では、各配線延出部の配線幅は、配線延出部の長さ寸法が長くなるほど、平均して大きく形成することができる。つまり配線延出部24aの配線幅(平均)<配線延出部24bの配線幅(平均)<配線延出部24cの配線幅(平均)<配線延出部24dの配線幅(平均)<配線延出部24eの配線幅(平均)の順にできる。よって各配線層15a〜15eの配線抵抗のばらつきを従来に比べて小さくすることが可能になる。   Furthermore, in this embodiment, the wiring width of each wiring extension part can be formed larger on average as the length dimension of the wiring extension part becomes longer. That is, the wiring width (average) of the wiring extension 24a <the wiring width (average) of the wiring extension 24b <the wiring width (average) of the wiring extension 24c <the wiring width (average) of the wiring extension 24d <wiring This can be done in the order of the wiring width (average) of the extending portion 24e. Therefore, it is possible to reduce the variation in the wiring resistance of each of the wiring layers 15a to 15e as compared with the conventional case.

また本実施形態では、配線延出部24dを例にとると、配線延出部24dには、Y1−Y2方向に向けて徐々にX1−X2方向の配線幅が変化する幅変化領域24d1〜24d3が形成されている。また幅変化領域24d1〜24d3には、Y1−Y2方向に平行に延出する幅一定領域が連続して接続されており、幅一定領域−幅変化領域24d1−幅一定領域−幅変化領域24d2−幅一定領域−幅変化領域24d3−幅一定領域の順に接続された形状となっている。図4(a)に示すように各幅変化領域24d1〜24d3は、幅一定領域から折れ曲がって形成されている。このように幅変化領域24d1〜24d3を折れ曲がるように形成することで、限られたX1側非入力領域12a内に効率よく、複数本の配線延出部24a〜24eを配置することが可能である。なお幅変化領域について、配線延出部24dを例にして説明したが、他の配線延出部24b〜24eにつても同様に幅変化領域を設けることができる。ただし、配線延出部24aは、最も配線長さが短いうえ、X1側非入力領域12aでは常に全配線延出部と対向した位置関係にあるため、幅変化領域を形成して、更に、配線延出部24aの配線幅を細くすることが必要ではない。つまり、配線延出部24aについては一定の配線幅で形成することができる。最も外側に位置する配線延出部24eにも、徐々に配線幅が変化する幅変化領域が形成されるが、幅一定領域から折れ曲がるように形成されておらず、配線延出部24eのX1側端部24e1はY1−Y2方向に直線的に延びる形状で形成されている。   Further, in this embodiment, taking the wiring extension 24d as an example, the wiring extension 24d has width change regions 24d1 to 24d3 in which the wiring width in the X1-X2 direction gradually changes in the Y1-Y2 direction. Is formed. Further, constant width regions extending in parallel with the Y1-Y2 direction are continuously connected to the width change regions 24d1 to 24d3, and the constant width region-width change region 24d1-constant width region-width change region 24d2- The shape is connected in the order of constant width region-width changing region 24d3-constant width region. As shown in FIG. 4A, each of the width change regions 24d1 to 24d3 is formed by being bent from a constant width region. By thus forming the width change regions 24d1 to 24d3 so as to be bent, it is possible to efficiently arrange a plurality of wiring extension portions 24a to 24e in the limited X1 side non-input region 12a. . The width change region has been described by taking the wiring extension portion 24d as an example, but the width change region can be similarly provided for the other wire extension portions 24b to 24e. However, the wiring extension portion 24a has the shortest wiring length and is always in a positional relationship facing the entire wiring extension portion in the X1 side non-input region 12a. It is not necessary to reduce the wiring width of the extending portion 24a. That is, the wiring extension portion 24a can be formed with a constant wiring width. A width change region in which the wiring width gradually changes is also formed in the outermost wiring extension portion 24e, but it is not formed so as to bend from the constant width region, and the X1 side of the wiring extension portion 24e. The end 24e1 is formed in a shape extending linearly in the Y1-Y2 direction.

また図4(a)に示すように、各幅変化領域24d1〜24d3における側端部25のY1−Y2方向に対する傾き角度θ1は、0°より大きく45°以下であることが好適である。このような傾き角度θ1で幅変化領域を形成することで、特に製造方法における以下の効果を期待することができる。   Further, as shown in FIG. 4A, the inclination angle θ1 with respect to the Y1-Y2 direction of the side end portion 25 in each of the width change regions 24d1 to 24d3 is preferably greater than 0 ° and 45 ° or less. By forming the width change region at such an inclination angle θ1, the following effects in the manufacturing method can be expected.

図8は、本実施形態における下部基板22における製造方法を示す一工程図である。図8(a)に示す工程では、下部基材32上の全面にITO等の透明導電層16をスパッタ法や蒸着法等で形成する。更に、透明導電層16の表面全面に金属材料層35をスパッタ法や蒸着法等で形成する。   FIG. 8 is a process diagram showing a manufacturing method of the lower substrate 22 in the present embodiment. In the step shown in FIG. 8A, the transparent conductive layer 16 such as ITO is formed on the entire surface of the lower substrate 32 by sputtering or vapor deposition. Further, a metal material layer 35 is formed on the entire surface of the transparent conductive layer 16 by sputtering or vapor deposition.

次に図8(b)の工程では、金属材料層35の非入力領域12の表面に、各配線層15a〜15jのパターンから成るレジスト層36をフォトリソグラフィ技術により形成する。すなわち図4に示す配線層15a〜15eの平面パターンを備えるレジスト層36を形成する。よってレジスト層36には、図4(a)に示す傾き角度θ1を有して幅変化領域を形成する。このときの傾き角度θ1は、0°より大きく45°以下であることが好適である。   Next, in the process of FIG. 8B, a resist layer 36 having a pattern of each of the wiring layers 15a to 15j is formed on the surface of the non-input region 12 of the metal material layer 35 by a photolithography technique. That is, a resist layer 36 having a planar pattern of the wiring layers 15a to 15e shown in FIG. 4 is formed. Therefore, a width change region is formed in the resist layer 36 with the inclination angle θ1 shown in FIG. The tilt angle θ1 at this time is preferably greater than 0 ° and not greater than 45 °.

そして前記レジスト層36に覆われていない金属材料層35を例えばウエットエッチングにより除去する。このとき、0°よりも大きく45°以下の傾き角度θ1を有して幅変化領域の側部を形成することで、幅一定領域から幅変化領域にかけてのコーナー部分(例えば図4(a)の符号Aの部分)が直角にならず、なだらかに傾きが変化するため、前記コーナー部分にエッチング液の液溜りができるのを抑制できる。したがって各配線層15a〜15eの配線延出部24a〜24eを所定の配線幅にて適切に形成することができる。   Then, the metal material layer 35 not covered with the resist layer 36 is removed by, for example, wet etching. At this time, by forming the side portion of the width change region with an inclination angle θ1 of greater than 0 ° and 45 ° or less, a corner portion (for example, as shown in FIG. 4A) from the constant width region to the width change region is formed. The portion A) does not form a right angle and the inclination changes gently, so that it is possible to suppress the accumulation of the etching solution in the corner portion. Therefore, the wiring extending portions 24a to 24e of the wiring layers 15a to 15e can be appropriately formed with a predetermined wiring width.

図8(c)の工程では、各配線層15(図8(c)では統一して符号15で示した)上から透明導電層16上にかけてレジスト層37を形成する。前記レジスト層37を、フォトリソグラフィ技術により、入力領域11では、各下部電極層14と同じ電極パターンにて形成し、更に前記電極パターンに連続して非入力領域12では、各配線層15上を覆う配線パターンにて形成する。そして前記レジスト層37に覆われていない透明導電層16を除去する。これにより、入力領域11には、図1に示す各下部電極層14を形成でき、非入力領域12では、各配線層15の下に透明導電層16を残すことができる。上記した製造方法を用いて上部基板21も形成することが可能である。なお上記した製造方法はあくまでも一例であり、他の製造方法により各基板21,22を形成することが可能である。   In the step of FIG. 8C, a resist layer 37 is formed from above each wiring layer 15 (indicated by reference numeral 15 in FIG. 8C) to the transparent conductive layer 16. The resist layer 37 is formed with the same electrode pattern as that of each lower electrode layer 14 in the input region 11 by a photolithography technique, and further on each wiring layer 15 in the non-input region 12 continuously to the electrode pattern. The wiring pattern is covered. Then, the transparent conductive layer 16 not covered with the resist layer 37 is removed. Thereby, each lower electrode layer 14 shown in FIG. 1 can be formed in the input region 11, and the transparent conductive layer 16 can be left under each wiring layer 15 in the non-input region 12. The upper substrate 21 can also be formed using the manufacturing method described above. The manufacturing method described above is merely an example, and the substrates 21 and 22 can be formed by other manufacturing methods.

なお各配線層をスクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷等の印刷法で形成することもできる。また、配線層としては、Agペースト、Agナノ材料、Cuナノ材料等を用いることができる。   Each wiring layer can also be formed by a printing method such as screen printing, gravure printing, or ink jet printing. As the wiring layer, Ag paste, Ag nanomaterial, Cu nanomaterial, or the like can be used.

なお、図4に示す配線構造は、下部基板22のみならず上部基板21にも適用することが可能である。図2に示すように上部基板21の配線層18a〜18gは、Y1−Y2方向にて並設される配線層の本数がX1−X2方向に向けて変化している。よって、各配線層18a〜18gのX1−X2方向に延びる配線延出部の配線幅(Y1−Y2方向の幅寸法)を、Y1−Y2方向にて並設される配線層の本数が少ない領域ほど大きく形成することが可能である。   Note that the wiring structure shown in FIG. 4 can be applied not only to the lower substrate 22 but also to the upper substrate 21. As shown in FIG. 2, in the wiring layers 18a to 18g of the upper substrate 21, the number of wiring layers arranged in parallel in the Y1-Y2 direction changes in the X1-X2 direction. Therefore, a region in which the wiring width (width dimension in the Y1-Y2 direction) of the wiring extension portion extending in the X1-X2 direction of each wiring layer 18a-18g is small in the number of wiring layers arranged in parallel in the Y1-Y2 direction. It can be formed as large as possible.

図3では、下部基板22の下部電極層14及び上部基板21の上部電極層13を全て操作面20a側に向けた状態で、下部基板22と上部基板21間が粘着層30を介して接合されているが、図5のように、下部基板22の下部電極層14を操作面20a側に向けて、上部基板21の上部電極層13を、操作面20a側とは逆側に向けた状態にして、下部基板22と上部基板21間が粘着層30を介して接合されていてもよいし、あるいは、図6に示すように、一つの基材38の上下面に下部電極層14及び上部電極層13が形成された形態としてもよい。   In FIG. 3, the lower substrate 22 and the upper substrate 21 are bonded via the adhesive layer 30 with the lower electrode layer 14 of the lower substrate 22 and the upper electrode layer 13 of the upper substrate 21 all directed toward the operation surface 20a. However, as shown in FIG. 5, the lower electrode layer 14 of the lower substrate 22 faces the operation surface 20a, and the upper electrode layer 13 of the upper substrate 21 faces the operation surface 20a. The lower substrate 22 and the upper substrate 21 may be bonded via the adhesive layer 30. Alternatively, as shown in FIG. 6, the lower electrode layer 14 and the upper electrode are formed on the upper and lower surfaces of one substrate 38. A form in which the layer 13 is formed may be employed.

または、図7(a)(b)に示す構成であってもよい。図7(a)は部分平面図であるが(b)に示す絶縁層等を省略した。また図7(b)は図7(a)のA−A線に沿って切断し矢印方向から見た部分縦断面図である。図7(a)(b)では、一つの基材38の表面に複数の電極層50,51を配列し、このうち電極層50をX方向に向けて接続するとともに、電極層50の連結部52上を絶縁層53で覆う。そして、絶縁層53上に各電極層51を接続するための連結部54を形成し、連結部54を介して各電極層51をY方向に繋げている。図7の構成では、同じ基材38の同じ表面に、X方向に繋がる電極層50とY方向に繋がる電極層51とが形成されている。   Or the structure shown to Fig.7 (a) (b) may be sufficient. FIG. 7A is a partial plan view, but the insulating layer and the like shown in FIG. 7B are omitted. FIG. 7B is a partial longitudinal sectional view taken along the line AA in FIG. 7 (a) and 7 (b), a plurality of electrode layers 50 and 51 are arranged on the surface of a single substrate 38, and the electrode layer 50 is connected in the X direction, and the connecting portion of the electrode layer 50 is connected. 52 is covered with an insulating layer 53. And the connection part 54 for connecting each electrode layer 51 on the insulating layer 53 is formed, and each electrode layer 51 is connected to the Y direction via the connection part 54. In the configuration of FIG. 7, an electrode layer 50 connected in the X direction and an electrode layer 51 connected in the Y direction are formed on the same surface of the same base material 38.

上記実施形態では、静電容量式の入力装置を用いて説明したが、本実施形態における配線構造は、静電容量式以外の、例えば、マルチタッチ方式の抵抗式入力装置にも適用できる。   In the embodiment described above, the capacitance type input device has been described. However, the wiring structure in the present embodiment can be applied to, for example, a multi-touch type resistance input device other than the capacitance type.

本実施形態における入力装置は、携帯電話機、デジタルカメラ、PDA、ゲーム機、カーナビゲーション等に使用される。   The input device in this embodiment is used for a mobile phone, a digital camera, a PDA, a game machine, a car navigation system, and the like.

11 入力領域
12、12a〜12c 非入力領域
13 上部電極層
14 下部電極層
15、15a〜15j、18a〜18g 配線層
21 上部基板
22 下部基板
23a〜23e 接続端部
24a〜24e 配線延出部
36、37 レジスト層
24d1〜24d3 幅変化領域
50、51 電極層
11 Input region 12, 12a-12c Non-input region 13 Upper electrode layer 14 Lower electrode layer 15, 15a-15j, 18a-18g Wiring layer 21 Upper substrate 22 Lower substrates 23a-23e Connection end portions 24a-24e Wiring extension portion 36 37 Resist layers 24d1-24d3 Width changing regions 50, 51 Electrode layer

本発明における入力装置は、
入力領域に設けられた電極層と、入力領域の外側の非入力領域にて引き回された配線層とを有し、
前記配線層は、前記電極層の端部との接続位置に設けられた接続端部と、前記接続端部から引き出された配線延出部とを備え、
平面内にて直交する2方向を第1の方向と第2の方向としたとき、複数本の前記配線層における前記配線延出部が、夫々、前記入力領域から見て同じ側の前記非入力領域で前記第1の方向に間隔を空けた状態で前記第2の方向に延出しているとともに、各配線延出部の配線幅は、前記第1の方向にて並設される前記配線層の本数が少ない領域ほど、大きく形成されており、
前記配線延出部には、前記第2の方向に向けて徐々に配線幅が変化する幅変化領域が形成されていることを特徴とするものである。
The input device in the present invention is
Having an electrode layer provided in the input region and a wiring layer routed in a non-input region outside the input region;
The wiring layer includes a connection end portion provided at a connection position with the end portion of the electrode layer, and a wiring extension portion led out from the connection end portion,
When two directions orthogonal to each other in the plane are defined as a first direction and a second direction, the wiring extension portions in the plurality of wiring layers are each non-input on the same side as viewed from the input region. The wiring layer that extends in the second direction with a space in the first direction in the region, and the wiring width of each wiring extension portion is arranged in parallel in the first direction more regions the number of small, are larger,
The wiring extension portion is formed with a width change region in which the wiring width gradually changes in the second direction .

また本発明は、入力領域に設けられた電極層と、入力領域の外側の非入力領域にて引き回された配線層とを有して成る入力装置の製造方法において、
前記電極層の端部との接続位置に設けられた接続端部と、前記接続端部から引き出された配線延出部とを備える前記配線層をエッチングにて所定形状に形成し、
平面内にて直交する2方向を第1の方向と第2の方向としたとき、複数本の前記配線層における前記配線延出部を、夫々、前記入力領域から見て同じ側の前記非入力領域で前記第1の方向に間隔を空けた状態で前記第2の方向に延出させるとともに、各配線延出部の配線幅を、前記第1の方向にて並設される前記配線層の本数が少ないほど、大きく形成するとともに、前記配線延出部に、前記第2の方向に向けて徐々に配線幅が変化する幅変化領域を形成することを特徴とするものである。
Further, the present invention provides an input device manufacturing method comprising an electrode layer provided in an input region and a wiring layer routed in a non-input region outside the input region.
Forming the wiring layer comprising a connection end provided at a connection position with the end of the electrode layer and a wiring extension extending from the connection end into a predetermined shape by etching ;
When the two directions orthogonal to each other in the plane are defined as the first direction and the second direction, the non-inputs on the same side as viewed from the input region, the wiring extension portions in the plurality of wiring layers, respectively. The wiring layer is extended in the second direction with a space in the first direction in the region, and the wiring width of each wiring extension portion is set to be parallel to the first direction. The smaller the number, the larger and the width extension region in which the wiring width gradually changes in the second direction is formed in the wiring extension portion .

た前記幅変化領域における側端部の前記第2の方向に対する傾き角度θ1は45°以下であることが好ましい。更に、前記配線延出部は、前記第2の方向に向けて、前記幅変化領域と、前記第2の方向に平行に延びる配線幅が一定の幅一定領域とが交互に繰り返して形成されており、前記幅変化領域は前記幅一定領域から折れ曲がって形成されていることが好ましい。
また本発明では、前記各配線延出部における前記幅一定領域の配線幅は、前記第1の方向にて並設される前記配線層の本数が同じ各領域にて、同じ幅寸法で形成されることが好ましい。
Tilt angle θ1 with respect to the second direction side end portion in the width change region was or is preferably 45 ° or less. Further, the wiring extension portion is formed by alternately repeating the width changing region and a constant width region extending in parallel to the second direction toward the second direction. The width change region is preferably bent from the constant width region.
In the present invention, the wiring width of the constant width region in each wiring extension portion is formed with the same width dimension in each region where the number of the wiring layers arranged in parallel in the first direction is the same. It is preferable.

Claims (8)

入力領域に設けられた電極層と、入力領域の外側の非入力領域にて引き回された配線層とを有し、
前記配線層は、前記電極層の端部との接続位置に設けられた接続端部と、前記接続端部から引き出された配線延出部とを備え、
平面内にて直交する2方向を第1の方向と第2の方向としたとき、複数本の前記配線層における前記配線延出部が、夫々、前記入力領域から見て同じ側の前記非入力領域で前記第1の方向に間隔を空けた状態で前記第2の方向に延出しているとともに、各配線延出部の配線幅は、前記第1の方向にて並設される前記配線層の本数が少ない領域ほど、大きく形成されていることを特徴とする入力装置。
Having an electrode layer provided in the input region and a wiring layer routed in a non-input region outside the input region;
The wiring layer includes a connection end portion provided at a connection position with the end portion of the electrode layer, and a wiring extension portion led out from the connection end portion,
When two directions orthogonal to each other in the plane are defined as a first direction and a second direction, the wiring extension portions in the plurality of wiring layers are each non-input on the same side as viewed from the input region. The wiring layer that extends in the second direction with a space in the first direction in the region, and the wiring width of each wiring extension portion is arranged in parallel in the first direction An input device characterized in that a region having a smaller number of is formed larger.
前記配線延出部には、前記第2の方向に向けて徐々に配線幅が変化する幅変化領域が形成されている請求項1記載の入力装置。   The input device according to claim 1, wherein a width change region in which a wiring width gradually changes in the second direction is formed in the wiring extension portion. 前記幅変化領域における側端部の前記第2の方向に対する傾き角度θ1は45°以下である請求項2記載の入力装置。   The input device according to claim 2, wherein an inclination angle θ <b> 1 of the side end portion in the width change region with respect to the second direction is 45 ° or less. 前記配線延出部は、前記第2の方向に向けて、前記幅変化領域と、前記第2の方向に平行に延びる配線幅が一定の幅一定領域とが交互に繰り返して形成されており、前記幅変化領域は前記幅一定領域から折れ曲がって形成されている請求項2または3に記載の入力装置。   The wiring extension portion is formed by alternately repeating the width change region and the constant width region extending in parallel with the second direction toward the second direction, The input device according to claim 2, wherein the width change region is formed by being bent from the constant width region. 入力領域に設けられた電極層と、入力領域の外側の非入力領域にて引き回された配線層とを有して成る入力装置の製造方法において、
前記電極層の端部との接続位置に設けられた接続端部と、前記接続端部から引き出された配線延出部とを備える前記配線層を形成し、
平面内にて直交する2方向を第1の方向と第2の方向としたとき、複数本の前記配線層における前記配線延出部を、夫々、前記入力領域から見て同じ側の前記非入力領域で前記第1の方向に間隔を空けた状態で前記第2の方向に延出させるとともに、各配線延出部の配線幅を、前記第1の方向にて並設される前記配線層の本数が少ないほど、大きく形成することを特徴とする入力装置の製造方法。
In an input device manufacturing method comprising an electrode layer provided in an input region and a wiring layer routed in a non-input region outside the input region,
Forming the wiring layer comprising a connection end provided at a connection position with the end of the electrode layer, and a wiring extension drawn from the connection end;
When the two directions orthogonal to each other in the plane are defined as the first direction and the second direction, the non-inputs on the same side as viewed from the input region, the wiring extension portions in the plurality of wiring layers, respectively. The wiring layer is extended in the second direction with a space in the first direction in the region, and the wiring width of each wiring extension portion is set to be parallel to the first direction. A method for manufacturing an input device, characterized in that the smaller the number, the larger the number.
前記配線層をエッチングにて所定形状に形成し、この際、前記配線延出部に、前記第2の方向に向けて徐々に配線幅が変化する幅変化領域を形成する請求項5記載の入力装置の製造方法。   6. The input according to claim 5, wherein the wiring layer is formed into a predetermined shape by etching, and at this time, a width changing region in which the wiring width gradually changes in the second direction is formed in the wiring extension portion. Device manufacturing method. 前記幅変化領域における側端部の前記第2の方向に対する傾き角度θ1を45°以下に設定する請求項6記載の入力装置の製造方法。   The manufacturing method of the input device according to claim 6, wherein an inclination angle θ <b> 1 of the side end portion in the width change region with respect to the second direction is set to 45 ° or less. 前記配線延出部を、前記第2の方向に向けて、前記幅変化領域と、前記第2の方向に平行に延びる配線幅が一定の幅一定領域とを交互に繰り返して形成し、このとき、前記幅変化領域を前記幅一定領域から折れ曲がるように形成する請求項6または7に記載の入力装置の製造方法。   The wiring extension portion is formed by alternately repeating the width change region and the constant width region extending in parallel to the second direction in the second direction. The method of manufacturing an input device according to claim 6, wherein the width change region is formed to be bent from the constant width region.
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