JPWO2011033948A1 - GLASS SUBSTRATE FOR INFORMATION RECORDING MEDIUM, INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE FOR INFORMATION RECORDING MEDIUM - Google Patents

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Abstract

低いGA値を得ることできる情報記録媒体用ガラス基板を提供することを目的とし、表面の算術平均うねりWaが0.6nm未満であり、且つ、径方向であって、測定波長が80μm以上120μm以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さRqが0.01nm未満である。The objective is to provide a glass substrate for information recording media capable of obtaining a low GA value. The arithmetic average waviness Wa of the surface is less than 0.6 nm, the radial direction, and the measurement wavelength is 80 μm or more and 120 μm or less. The root mean square height Rq of the microwaviness in the range is less than 0.01 nm.

Description

本発明は、情報記録媒体用ガラス基板、情報記録媒体及び情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a glass substrate for information recording medium, an information recording medium, and a method for manufacturing a glass substrate for information recording medium.

情報記録媒体である磁気ディスク等の磁気記録媒体用基板としてはアルミニウム基板が広く用いられてきたが、磁気ディスクの小型、高密度記録化に伴い、アルミニウム基板に比べ強度及び記録面の平坦性に優れたガラス基板に置き換わりつつある。   An aluminum substrate has been widely used as a substrate for a magnetic recording medium such as a magnetic disk as an information recording medium. However, as a magnetic disk becomes smaller and has a higher recording density, the strength and flatness of the recording surface are improved as compared with an aluminum substrate. It is being replaced by an excellent glass substrate.

近年、記録密度向上のために磁気ヘッド浮上量(グライド・ハイト)の低減が求められており、この要求に答えるには、磁気記録媒体の表面、すなわち磁気記録媒体用ガラス基板の表面を極めて均一な面として仕上げる必要がある。   In recent years, there has been a demand for a reduction in magnetic head flying height (glide height) in order to improve recording density. To meet this requirement, the surface of the magnetic recording medium, that is, the surface of the glass substrate for the magnetic recording medium is extremely uniform. It is necessary to finish as a rough surface.

特許文献1においては、微小うねりが、周期0.1mm〜5mm、振幅0.1nm〜1nmである磁気ディスクが開示されている。   Patent Document 1 discloses a magnetic disk in which minute waviness has a period of 0.1 mm to 5 mm and an amplitude of 0.1 nm to 1 nm.

特許文献2においては、測定波長5.0mmで測定した場合の表面上のうねりの振幅Waが0.1nm〜0.5nmの範囲であって、測定波長30μm〜200μmで測定した場合の前記うねり上に形成された微小うねりの平均振幅Wbが0.3nm以下であり、微小うねりの平均振幅Wbをうねりの振幅Waで除した値Wb/Waが0.6以上である磁気ディスク用基板が開示されている。   In Patent Document 2, the amplitude Wa of the undulation on the surface when measured at a measurement wavelength of 5.0 mm is in the range of 0.1 nm to 0.5 nm, and the above undulation when measured at a measurement wavelength of 30 μm to 200 μm. A magnetic disk substrate is disclosed in which the average amplitude Wb of the micro waviness formed in the above is 0.3 nm or less, and the value Wb / Wa obtained by dividing the average amplitude Wb of the micro waviness by the amplitude Wa of the waviness is 0.6 or more. ing.

磁気ヘッド浮上量の評価は、グライドアバランチの値(GA値)で示される場合がある(例えば、特許文献3)。磁気記録媒体は、GA値がより小さくなると、高記録密度に適したものとなる。   The evaluation of the flying height of the magnetic head may be indicated by a glide avalanche value (GA value) (for example, Patent Document 3). The magnetic recording medium becomes suitable for high recording density when the GA value becomes smaller.

特開2000−207733号公報JP 2000-207733 A 特開2007−164916号公報JP 2007-164916 A 特開2003−173517号公報JP 2003-173517 A

しかしながら、特許文献1及び特許文献2に記載されている磁気ディスク又は磁気ディスク基板の形状を規定している条件を満たしている場合であっても、所望する低いGA値を得られない。   However, a desired low GA value cannot be obtained even when the conditions that define the shape of the magnetic disk or the magnetic disk substrate described in Patent Document 1 and Patent Document 2 are satisfied.

本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、低いGA値を得ることできる情報記録媒体用ガラス基板、その情報記録媒体用ガラス基板を用いた情報記録媒体、及び、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and the object of the present invention is to provide a glass substrate for an information recording medium capable of obtaining a low GA value, and information recording using the glass substrate for the information recording medium. It is to provide a method for producing a medium and a glass substrate for an information recording medium.

上記の課題は、以下の構成により解決される。   Said subject is solved by the following structures.

1.表面の算術平均うねりWaが0.6nm未満であり、
且つ、径方向であって、測定波長が80μm以上120μm以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さRqが0.01nm未満であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
1. The surface arithmetic mean waviness Wa is less than 0.6 nm,
A glass substrate for an information recording medium, characterized in that a root mean square height Rq of micro-waviness in a radial direction and a measurement wavelength in the range of 80 μm to 120 μm is less than 0.01 nm.

2.前記算術平均うねりWaが0.55nm未満であり、且つ、前記微小うねりの二乗平均平方根高さRqが0.007nm未満であることを特徴とする前記1に記載の情報記録媒体用ガラス基板。   2. 2. The glass substrate for an information recording medium according to 1, wherein the arithmetic average waviness Wa is less than 0.55 nm and the root mean square height Rq of the microwaviness is less than 0.007 nm.

3.前記1又は2に記載の情報記録媒体用ガラス基板の表面に磁性膜を有することを特徴とする情報記録媒体。   3. 3. An information recording medium comprising a magnetic film on a surface of the glass substrate for information recording medium according to 1 or 2 above.

4.研磨機の定盤の加重が600kg/m以下であり、且つ、回転数が10rpm以下である研磨工程を有し、
前記研磨工程後の表面の算術平均うねりWaが0.6nm未満であり、
且つ、径方向であって、測定波長が80μm以上120μm以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さRqが0.01nm未満であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
4). The polishing machine has a polishing step in which the weight of the surface plate is 600 kg / m 2 or less and the rotational speed is 10 rpm or less,
The arithmetic average waviness Wa of the surface after the polishing step is less than 0.6 nm,
A method for producing a glass substrate for an information recording medium, characterized in that the root mean square height Rq of the microwaviness in the radial direction in the range of the measurement wavelength of 80 μm or more and 120 μm or less is less than 0.01 nm.

5.前記算術平均うねりWaが0.55nm未満であり、且つ、前記微小うねりの二乗平均平方根高さRqが0.007nm未満であることを特徴とする前記4に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。   5). 5. The glass substrate for an information recording medium according to 4, wherein the arithmetic average waviness Wa is less than 0.55 nm and the root mean square height Rq of the microwaviness is less than 0.007 nm. Method.

本発明によれば、低いGA値を得ることができる情報記録媒体用ガラス基板、その情報記録媒体用ガラス基板を用いた情報記録媒体、及び、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, a glass substrate for an information recording medium capable of obtaining a low GA value, an information recording medium using the glass substrate for the information recording medium, and a method for manufacturing the glass substrate for an information recording medium are provided. Can do.

情報記録媒体用ガラス基板の全体を示す図である。It is a figure which shows the whole glass substrate for information recording media. 情報記録媒体用ガラス基板の表主表面の上に磁性膜を備えている磁気記録媒体の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the magnetic recording medium provided with the magnetic film on the front main surface of the glass substrate for information recording media. ガラス基板の断面の拡大図であり、(a)はガラス基板表面のうねり及び微小うねりを示す図であり、(b)はうねりの一部を拡大して略一周期の微小うねりを示す図である。It is an enlarged view of the cross section of a glass substrate, (a) is a figure which shows the wave | undulation and micro wave | undulation of the glass substrate surface, (b) is a figure which expands a part of wave | undulation and shows the micro wave | undulation of substantially one period. is there. 磁気ディスクの表面形状とヘッドの動く軌跡を模式的に示す図であり、(a)は微小うねりの測定波長L1が120μmを超える場合を示し、(b)は微小うねりの測定波長L2が80μm未満の場合を示す。It is a figure which shows typically the surface shape of a magnetic disc, and the locus | trajectory which a head moves, (a) shows the case where the measurement wavelength L1 of micro waviness exceeds 120 micrometers, (b) shows the measurement wavelength L2 of micro waviness is less than 80 micrometers. This case is shown. 情報記録媒体用ガラス基板の製造工程を説明する製造工程図である。It is a manufacturing process figure explaining the manufacturing process of the glass substrate for information recording media.

本発明を実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限らない。   Although the present invention will be described based on an embodiment, the present invention is not limited to the embodiment.

図1は、本発明に係わる情報記録媒体である磁気ディスクの基板である情報記録媒体用ガラス基板1(以降、ガラス基板1とも称する。)の全体構成を示している。図1に示す様に、ガラス基板1は、中心に孔5が形成されたドーナツ状の円板形状をしている。10tは外周端面、20tは内周端面、7aは表主表面、7bは裏主表面を示している。また、図2は、図1で示したガラス基板1の表主表面7aの上に磁性膜2を備えている磁気記録媒体(磁気ディスクDとも言う。)の一例を示す図である。磁性膜2は裏主表面7bの上にも設けることができる。   FIG. 1 shows the overall structure of an information recording medium glass substrate 1 (hereinafter also referred to as a glass substrate 1) which is a substrate of a magnetic disk which is an information recording medium according to the present invention. As shown in FIG. 1, the glass substrate 1 has a donut-shaped disk shape with a hole 5 formed in the center. 10t is an outer peripheral end surface, 20t is an inner peripheral end surface, 7a is a front main surface, and 7b is a back main surface. FIG. 2 is a diagram showing an example of a magnetic recording medium (also referred to as a magnetic disk D) having the magnetic film 2 on the front main surface 7a of the glass substrate 1 shown in FIG. The magnetic film 2 can also be provided on the back main surface 7b.

ガラス基板の断面の拡大図を図3(a)、(b)に示す。図3(a)の実線がガラス基板の表面形状を示す測定断面曲線11である。また、破線はガラス基板の表面のうねりを表すうねり曲線12である。図3(b)は、図3(a)の一部を拡大した図であり、うねり曲線12の上に発生している粗さ曲線である微小うねり曲線13を表し、Lは、測定波長を示す。   Enlarged views of the cross section of the glass substrate are shown in FIGS. A solid line in FIG. 3A is a measurement cross-sectional curve 11 indicating the surface shape of the glass substrate. Moreover, a broken line is the waviness curve 12 showing the waviness of the surface of a glass substrate. FIG. 3B is an enlarged view of a part of FIG. 3A, showing a fine waviness curve 13 that is a roughness curve generated on the waviness curve 12, and L represents a measurement wavelength. Show.

HDD(Hard Disk Drive)においては、ヘッドが磁気ディスク上を行き交う際に磁気により情報を読み書きしている。磁気ディスクが高記録密度に対応できるためには、ヘッドが低浮上量状態で記録再生することができることが必要である。磁気ディスクの検査において、ヘッドの浮上高さを評価する方法として、グライドアバランチ値(GA値)の測定がある。   In an HDD (Hard Disk Drive), information is read and written by magnetism when a head moves over a magnetic disk. In order for the magnetic disk to be able to cope with a high recording density, it is necessary that the head can perform recording and reproduction with a low flying height. In a magnetic disk inspection, as a method for evaluating the flying height of the head, there is a measurement of a glide avalanche value (GA value).

本実施の形態のGA値は、検査用磁気ディスクにおいて、ヘッドの浮上量を次第に低下させてゆき、ヘッドの浮上が不安定な状態になった時点での浮上量としている。GA値がより小さいほど、磁気ディスクに対するヘッドの浮上量はより小さいものとすることができ、高記録密度に対応可能である。   The GA value of the present embodiment is the flying height when the flying height of the head is gradually lowered and the flying height of the head becomes unstable in the magnetic disk for inspection. The smaller the GA value, the smaller the flying height of the head with respect to the magnetic disk, and it is possible to cope with a high recording density.

今までGA値は、磁気ディスク全体の微小うねりが影響していると考えられていたが、発明者らは、GA値を如何にして小さくすることができるかを鋭意検討した結果、磁気ディスクの径方向の微小うねりがGA値に大きく影響することを見出した。発明者らは、ヘッドの動きにより近い径方向からみた微小うねりがよりGA値に影響があるのではないかと推測し、磁気ディスクの径方向の微小うねりに着目したことから本発明に至った。   Until now, it was thought that the GA value was affected by the micro-waviness of the entire magnetic disk. However, the inventors have intensively studied how the GA value can be reduced. We found that radial waviness greatly affects the GA value. The inventors presumed that micro waviness seen from the radial direction closer to the movement of the head might have an effect on the GA value, and focused on the micro waviness in the radial direction of the magnetic disk, thereby reaching the present invention.

更に、微小うねりの測定波長Lを80μm以上120μm以下の範囲に限定すると、GA値と微小うねりとの関係が顕著であることが分かった。詳しくは、測定波長Lが80μm以上120μm以下の範囲における、径方向の微小うねりの高さを二乗平均平方根で求めた値Rq(以下、二乗平均平方根高さRqという)を0.01nm未満、好ましくは0.007nm未満にすることにより、実用上十分な低いGA値を得ることができることが分かった。   Furthermore, it was found that when the measurement wavelength L of the microwaviness is limited to the range of 80 μm or more and 120 μm or less, the relationship between the GA value and the microwaviness is remarkable. Specifically, a value Rq (hereinafter referred to as root mean square height Rq) obtained by calculating a root mean square root height in the radial direction in the measurement wavelength L range of 80 μm to 120 μm is preferably less than 0.01 nm. It was found that a GA value sufficiently low in practical use can be obtained by setting the thickness to less than 0.007 nm.

測定波長Lが120μmを超える微小うねりはヘッドが追従でき、80μm未満の微小うねりは個々の微小うねりでなく、これらがならされた状態の仮想面にヘッドが追従するものと考えられる。図4(a)、(b)において、8は磁気ディスクの表面形状、Hはヘッドの動く軌跡を模式的に示している。図4(a)の微小うねりの測定波長L1が120μmを超える値であり、図4(b)の微小うねりの測定波長L2が80μm未満の値である。   It is considered that the head can follow a micro swell exceeding the measurement wavelength L of 120 μm, and the micro swell of less than 80 μm is not an individual micro swell, but the head follows a virtual surface where these are conditioned. 4A and 4B, 8 schematically shows the surface shape of the magnetic disk, and H schematically shows the trajectory of the head. The measurement wavelength L1 of the fine undulation in FIG. 4A is a value exceeding 120 μm, and the measurement wavelength L2 of the fine undulation in FIG. 4B is a value less than 80 μm.

微小うねりの測定波長Lが80μm以上120μm以下の範囲は、ヘッドが個々の微小うねりに追従することができる下限値に近い範囲と考えられる。   The range where the measurement wavelength L of the microwaviness is 80 μm or more and 120 μm or less is considered to be a range close to the lower limit value at which the head can follow each microwaviness.

測定波長範囲を広げるとRqは二乗平均平方根で表現されるため平均化されてしまうこと、また、測定範囲をディスク全面のうねりを対象とするとRqは平均化されてしまうことから、低GAを実現できる基板とそうでない基板との差が顕著に現れないと考えられる。   If the measurement wavelength range is widened, Rq is expressed by the root mean square, which means that it will be averaged, and if the measurement range covers the waviness of the entire disk surface, Rq will be averaged, thus realizing a low GA. It is considered that the difference between the substrate that can be made and the substrate that is not so does not appear remarkably.

尚、上記では微小うねりについて説明したが、微小うねりが重畳しているうねりが小さいことも、低いGA値を得る上で必要であり、算術平均うねりWaは、0.6nm未満、好ましくは0.55nm未満であることが必要である。   In the above description, the microwaviness has been described. However, the small waviness on which the microwaviness is superimposed is also necessary for obtaining a low GA value, and the arithmetic average waviness Wa is less than 0.6 nm, preferably 0.8. It must be less than 55 nm.

図3(a)のうねり曲線12のうねりは、多機能ディスク用干渉計(オプティフラット:Phase Shift Technology.Inc.製)を用いて、ガラス基板表面の全面において測定する。測定原理は、ガラス基板の表面に白色光を照射し、位相の異なる参照光と測定光の干渉の強度変化を測定することで、表面の微妙な形状変化を測定する方法である。得られた測定データを測定波長0.1mmから5mmとしてうねりを測定し、算術平均うねりWaをJIS B0601:2001に則り求める。   The undulation of the undulation curve 12 in FIG. 3A is measured over the entire surface of the glass substrate using a multi-function disk interferometer (Optiflat: manufactured by Phase Shift Technology. Inc.). The measurement principle is a method of measuring a subtle shape change of the surface by irradiating the surface of the glass substrate with white light and measuring an intensity change of interference between the reference light and the measurement light having different phases. The obtained measurement data is measured at a measurement wavelength of 0.1 mm to 5 mm, and the swell is measured, and the arithmetic average swell Wa is obtained according to JIS B0601: 2001.

図3(b)の径方向のうねり曲線12の上に発生している微小うねり曲線13の微小うねりは、光学表面アナライザOSA(CANDELA社製、RMS application)によって測定する。測定波長Lは80μm以上120μm以下とする帯域で行い、二乗平均平方根高さRqをJIS B0601:2001に則り求める。   The micro waviness of the micro waviness curve 13 generated on the radial waviness curve 12 in FIG. 3B is measured by an optical surface analyzer OSA (CANDELA, RMS application). The measurement wavelength L is performed in a band of 80 μm or more and 120 μm or less, and the root mean square height Rq is obtained according to JIS B0601: 2001.

光学表面アナライザOSAを用いた微小うねりの径方向の測定は、ガラス基板を円周方向に角度2.88°で125分割し、分割したそれぞれの内径から外径までの径方向に0.89μmステップごとに行い、二乗平均平方根高さRqを計算する。本発明に係るガラス基板は、125分割したすべての径方向において、二乗平均平方根高さRqが0.01nm未満である。
(情報記録媒体用ガラス基板の製造工程)
情報記録媒体用ガラス基板の製造工程に関して図5の製造工程図を用いて説明する。
The measurement of the radial direction of the microwaviness using the optical surface analyzer OSA is performed by dividing the glass substrate into 125 parts at an angle of 2.88 ° in the circumferential direction and 0.89 μm steps in the radial direction from each of the divided inner diameters to outer diameters. Every time, the root mean square height Rq is calculated. The glass substrate according to the present invention has a root-mean-square height Rq of less than 0.01 nm in all 125 radial directions.
(Manufacturing process of glass substrate for information recording medium)
The manufacturing process of the glass substrate for information recording media will be described with reference to the manufacturing process diagram of FIG.

ガラス基板の大きさに限定はない。例えば、外径が2.5インチ、1.8インチ、1インチ、0.8インチなど種々の大きさのガラス基板がある。また、ガラス基板の厚みにも限定はなく、2mm、1mm、0.64mmなど種々の厚みのガラス基板がある。   There is no limitation on the size of the glass substrate. For example, there are glass substrates of various sizes such as an outer diameter of 2.5 inches, 1.8 inches, 1 inch, and 0.8 inches. Further, the thickness of the glass substrate is not limited, and there are glass substrates having various thicknesses such as 2 mm, 1 mm, and 0.64 mm.

まず、ガラス素材を溶融し(ガラス溶融工程)、溶融ガラスを下型に流し込み、上型によってプレス成形して円板状のガラス基板前駆体を得る(プレス成形工程)。尚、円板状のガラス基板前駆体は、プレス成形によらず、例えばダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスを研削砥石で切り出して作製してもよい。   First, a glass material is melted (glass melting step), molten glass is poured into a lower mold, and press molding is performed with an upper mold to obtain a disk-shaped glass substrate precursor (press molding process). Note that the disk-shaped glass substrate precursor may be produced by cutting a sheet glass formed by, for example, a downdraw method or a float method with a grinding stone, without using press molding.

ガラス基板の材料としては、例えば、SiO、NaO、CaOを主成分としたソーダライムガラス;SiO、Al、RO(R=K、Na、Li)を主成分としたアルミノシリケートガラス;ボロシリケートガラス;LiO−SiO系ガラス;LiO−Al−SiO系ガラス;R’O−Al−SiO系ガラス(R’=Mg、Ca、Sr、Ba)などを使用することができる。中でも、アルミノシリケートガラスやボロシリケートガラスは、耐衝撃性や耐振動性に優れるため特に好ましい。As a material of the glass substrate, for example, soda lime glass mainly composed of SiO 2 , Na 2 O, CaO; mainly composed of SiO 2 , Al 2 O 3 , R 2 O (R = K, Na, Li) Aluminosilicate glass; borosilicate glass; Li 2 O—SiO 2 glass; Li 2 O—Al 2 O 3 —SiO 2 glass; R′O—Al 2 O 3 —SiO 2 glass (R ′ = Mg) , Ca, Sr, Ba) and the like can be used. Among these, aluminosilicate glass and borosilicate glass are particularly preferable because they are excellent in impact resistance and vibration resistance.

プレス成形したガラス基板前駆体は、カッター部にダイヤモンド砥石等を備えたコアドリル等で中心部に孔を開ける(コアリング加工工程)。   The press-molded glass substrate precursor is drilled in the center with a core drill or the like having a diamond grindstone or the like in the cutter (coring process).

次に、ガラス基板の両表面を研磨加工し、ガラス基板の全体形状、すなわちガラス基板の平行度、平坦度及び厚みを予備調整する(第1ラッピング工程)。   Next, both surfaces of the glass substrate are polished to preliminarily adjust the overall shape of the glass substrate, that is, the parallelism, flatness and thickness of the glass substrate (first lapping step).

次に、ガラス基板の外周端面及び内周端面を、例えば鼓状のダイヤモンド等の研削砥石により研削することで内・外径加工する(内・外径加工工程)。   Next, the inner and outer diameters are processed by grinding the outer peripheral end surface and the inner peripheral end surface of the glass substrate with, for example, a grinding wheel such as a drum-shaped diamond (inner / outer diameter processing step).

次に、ガラス基板の内周端面を、研磨液を使用したブラシ研磨により面取り部の角部を曲面とし、また微細なキズ等を除去する(内周端面加工工程)。   Next, on the inner peripheral end surface of the glass substrate, the corners of the chamfered portion are curved by brush polishing using a polishing liquid, and fine scratches and the like are removed (inner peripheral end surface processing step).

次に、ガラス基板の両表面を再び研磨加工して、ガラス基板の平行度、平坦度及び厚みを微調整する(第2ラッピング工程)。   Next, both surfaces of the glass substrate are polished again to finely adjust the parallelism, flatness and thickness of the glass substrate (second lapping step).

そして、ガラス基板の外周端面を、研磨液を使用したブラシ研磨により面取り部の角部を曲面とし、また微細なキズ等を除去する(外周端面加工工程)。   Then, the outer peripheral end surface of the glass substrate is subjected to brush polishing using a polishing liquid so that the corner portion of the chamfered portion is curved, and fine scratches and the like are removed (outer peripheral end surface processing step).

コアリング加工以降の第1ラッピング工程から外周端面加工工程までの順序は、図5に示したものに限定されず、状況に応じて適宜変更することができる。例えば、ラッピング工程を一つにして最初に行い、その後、内・外径加工工程、内周、外周端面加工工程を行っても良い。また、第1ラッピング工程、内・外径加工工程の後、第2ラッピング工程、内周、外周端面加工工程を行っても良い。   The order from the first lapping step after the coring processing to the outer peripheral end surface processing step is not limited to that shown in FIG. 5 and can be changed as appropriate according to the situation. For example, the lapping process may be performed first, and then the inner / outer diameter machining process, the inner circumference, and the outer circumference end face machining process may be performed. Further, after the first lapping step and the inner / outer diameter machining step, a second lapping step, an inner circumference and an outer circumference end face machining step may be performed.

第1及び第2ラッピング工程にてガラス基板を研磨する研磨機について説明する。研磨機は、両面研磨機と呼ばれる公知の研磨機を使用できる。両面研磨機は、互いに平行に上下に配置された円盤状の上定盤と下定盤とを備えており、互いに逆方向に回転する。この上下の定盤の対向するそれぞれの面にガラス基板の主表面を研磨するための複数のダイヤモンドペレットが貼り付けてある。また、ダイヤモンドペレットは、ダイヤモンド砥粒を埋め込んだ樹脂シートでも代用できる。上下の定盤の間には、下定盤の外周に円環状に設けてあるインターナルギアと下定盤の回転軸の周囲に設けてある太陽ギアとに結合して回転する複数のキャリアがある。このキャリアには、複数の穴が設けてあり、この穴にガラス基板をはめ込んで配置する。上下の定盤、インターナルギア及び太陽ギアは別駆動で動作することができる。   A polishing machine that polishes the glass substrate in the first and second lapping steps will be described. As the polishing machine, a known polishing machine called a double-side polishing machine can be used. The double-side polishing machine includes a disk-shaped upper surface plate and a lower surface plate that are arranged vertically in parallel with each other, and rotate in opposite directions. A plurality of diamond pellets for polishing the main surface of the glass substrate are attached to the opposing surfaces of the upper and lower surface plates. The diamond pellet can be substituted by a resin sheet in which diamond abrasive grains are embedded. Between the upper and lower surface plates, there are a plurality of carriers that rotate in combination with an internal gear provided in an annular shape on the outer periphery of the lower surface plate and a sun gear provided around the rotation axis of the lower surface plate. The carrier is provided with a plurality of holes, and a glass substrate is fitted into the holes. The upper and lower surface plates, the internal gear, and the sun gear can be operated by separate driving.

研磨機の研磨動作は、上下の定盤が互いに逆方向に回転し、ダイヤモンドペレットを介して定盤に挟まれているキャリアは、複数のガラス基板を保持した状態で、自転しながら定盤の回転中心に対して下定盤と同じ方向に公転する。このような動作している研磨機において、研削液を上定盤とガラス基板及び下定盤とガラス基板との間に供給することでガラス基板の研磨を行うことができる。   The polishing operation of the polishing machine is such that the upper and lower surface plates rotate in opposite directions, and the carrier sandwiched between the surface plates via the diamond pellets rotates with the surface plate holding a plurality of glass substrates. Revolves in the same direction as the lower surface plate with respect to the center of rotation. In such an operating polishing machine, the glass substrate can be polished by supplying a grinding liquid between the upper surface plate and the glass substrate, and the lower surface plate and the glass substrate.

この両面研磨機を使用する際、ガラス基板に加わる定盤の加重及び定盤の回転数を所望の研磨状態に応じて適宜調整する。第1及び第2ラッピング工程における加重は、600kg/mから1200kg/mとするのが好ましい。また、定盤の回転数は、10rpmから30rpm程度とし、上の定盤の回転数を下の定盤の回転数より30%から40%程度遅くするのが好ましい。定盤による加重を大きくし、定盤の回転数を速くすると研磨量は多くなるが、加重を大きくしすぎると面粗さが良好とならず、また、回転数が速すぎると平坦度が良好とならない。また加重が小さく定盤の回転数が遅いと研磨量が少なく製造効率が低くなる。When using this double-side polishing machine, the weight of the surface plate applied to the glass substrate and the number of rotations of the surface plate are adjusted as appropriate according to the desired polishing state. The weight in the first and second lapping steps is preferably 600 kg / m 2 to 1200 kg / m 2 . Further, the rotation speed of the surface plate is preferably about 10 to 30 rpm, and the rotation speed of the upper surface plate is preferably about 30% to 40% slower than the rotation speed of the lower surface plate. Increasing the load on the surface plate and increasing the rotation speed of the surface plate increases the amount of polishing, but if the load is increased too much, the surface roughness will not be good, and if the rotation speed is too high, the flatness will be good. Not. Further, when the load is small and the rotation speed of the surface plate is slow, the polishing amount is small and the production efficiency is lowered.

第2ラッピング工程を終えた時点で、大きなうねり、欠け、ひび等の欠陥は除去され、ガラス基板の主表面の面粗さは、Rz(最大高さ)が2μmから4μm、Ra(算術平均粗さ)が0.1μmから0.4μm程度とするのが好ましい。このような面状態にしておくことで、第1ポリッシング工程で研磨を効率よく行うことができる。   Upon completion of the second lapping step, defects such as large waviness, chipping and cracks are removed, and the surface roughness of the main surface of the glass substrate is Rz (maximum height) of 2 μm to 4 μm, Ra (arithmetic mean roughness) Is preferably about 0.1 μm to 0.4 μm. By maintaining such a surface state, polishing can be efficiently performed in the first polishing step.

尚、第1ラッピング工程では、第2ラッピング工程を効率よく行うことができるように大まかに大きなうねり、欠け、ひびを効率よく除去する。このため、第2ラッピングで使用する粗さ#1300メッシュから#2200メッシュより粗い#800メッシュから#1200メッシュ程度のダイヤモンドペレットを使用するのが好ましい。第1ラッピング工程が完了した時点での面粗さは、Rzが4μmから8μmで、Raが0.3μmから0.8μm程度とするのが好ましい。   In the first lapping step, roughly large undulations, chips and cracks are efficiently removed so that the second lapping step can be performed efficiently. For this reason, it is preferable to use diamond pellets of about # 800 mesh to # 1200 mesh coarser than # 1300 mesh to # 2200 mesh used in the second wrapping. The surface roughness at the time when the first lapping step is completed is preferably such that Rz is 4 μm to 8 μm and Ra is about 0.3 μm to 0.8 μm.

ガラス基板の内周、外周の端面は、内周及び外周端面加工工程でブラシ研磨によるポリッシング加工を行う。ブラシは、φ0.2からφ0.3mm程度のナイロン、ポリプロピレン等を使用するのが好ましい。また、研磨液は、粒径が数μm程度の酸化セリウムが好ましい。ブラシ研磨の結果、内周、外周の端面の面粗さは、Rzが0.2μmから0.4μmで、Raが0.02μmから0.04μm程度とするのが好ましい。内・外径加工工程及び内周及び外周端面加工工程を経たガラス基板の端面の形状は、主表面と端面とが成す角部が取り除かれ、外周端面から0.2mmから0.5mm程度の位置から主表面よりダレた状態となる。   The inner peripheral and outer peripheral end faces of the glass substrate are polished by brush polishing in the inner peripheral and outer peripheral end face processing steps. The brush is preferably made of nylon, polypropylene or the like having a diameter of about 0.2 to 0.3 mm. The polishing liquid is preferably cerium oxide having a particle size of about several μm. As a result of brush polishing, the surface roughness of the inner and outer end faces is preferably such that Rz is 0.2 μm to 0.4 μm and Ra is about 0.02 μm to 0.04 μm. The shape of the end surface of the glass substrate that has undergone the inner and outer diameter processing steps and the inner and outer peripheral end surface processing steps is such that the corner formed by the main surface and end surface is removed, and the position is about 0.2 mm to 0.5 mm from the outer peripheral end surface From the main surface.

ここで、Ra(算術平均粗さ)、Rz(最大高さ)は、JIS B0601:2001で規定されている。これらは、原子間力顕微鏡(AFM)等により測定することができる。これら規定及び測定方法は、以降で記述されるRa、Rzについても同じく適用する。   Here, Ra (arithmetic mean roughness) and Rz (maximum height) are defined in JIS B0601: 2001. These can be measured by an atomic force microscope (AFM) or the like. These rules and measurement methods also apply to Ra and Rz described below.

上記の例では、ガラス基板を研磨する際にダイヤモンドペレットと研削液を用いているが、上下の定盤の研磨面にパッドを貼り付け、研磨液を供給して研磨する方法とすることもできる。研磨剤としては、例えば、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マンガン、コロイダルシリカ、ダイヤモンドなどが挙げられる。これらを水で分散化してスラリー状として使用する。パッドは硬質パッドと軟質パッドとに分けられるが、必要に応じて適宜選択して用いることができる。硬質パッドとしては、硬質ベロア、ウレタン発泡、ピッチ含有スウェード等を素材とするパッドが挙げられ、軟質パッドとしては、スウェードやベロア等を素材とするパッドが挙げられる。   In the above example, the diamond pellet and the grinding liquid are used when polishing the glass substrate. However, it is also possible to apply a polishing method by attaching a pad to the polishing surface of the upper and lower surface plates and supplying the polishing liquid. . Examples of the abrasive include cerium oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, manganese oxide, colloidal silica, and diamond. These are dispersed in water and used as a slurry. The pad is divided into a hard pad and a soft pad, but can be appropriately selected and used as necessary. Examples of the hard pad include pads made of hard velor, urethane foam, pitch-containing suede, etc., and examples of the soft pad include pads made of suede, velor, etc.

パッドと研磨剤を使用する研磨方法は、研磨剤の粒度やパッドの種類を変えて、粗研磨から精密研磨まで対応することができる。よって、第1ラッピング工程と第2ラッピング工程で、効率よく大きなうねり、欠け、ひび等を除去し上記の面粗さを得ることができる様に研磨剤、研磨剤の粒度、パッドを適宜組み合わせて対応することができる。   A polishing method using a pad and a polishing agent can cope with rough polishing to precision polishing by changing the particle size of the polishing agent and the type of the pad. Therefore, in the first lapping step and the second lapping step, the abrasive, the particle size of the abrasive, and the pad are appropriately combined so that the above-mentioned surface roughness can be obtained by efficiently removing large undulations, chips, cracks, etc. Can respond.

また、第1及び第2ラッピング工程の後、ガラス基板の表面に残った研磨剤やガラス粉を除去するための洗浄工程を行うことが好ましい。   Moreover, it is preferable to perform the washing | cleaning process for removing the abrasive | polishing agent and glass powder which remained on the surface of the glass substrate after the 1st and 2nd lapping process.

尚、第1ラッピング工程及び第2ラッピング工程で使用する研磨機は、同一構成ではあるがそれぞれの工程専用に用意された別の研磨機を用いて研磨加工を行うのが好ましい。これは、専用のダイヤモンドペレットを貼り付けているため交換が大掛かりな作業となり、また、研磨条件を再設定する等の煩雑な作業が必要となり、製造効率が低下するためである。   It should be noted that the polishing machines used in the first lapping process and the second lapping process have the same configuration, but it is preferable to perform polishing using different polishing machines prepared exclusively for the respective processes. This is because the dedicated diamond pellets are pasted, so that the replacement is a large-scale operation, and complicated operations such as resetting the polishing conditions are required, resulting in a reduction in manufacturing efficiency.

外周端面研磨工程の次に、アニール工程を行う。アニール工程はガラス基板を電気加熱炉に入れ、200℃以上400℃以下の温度で10〜120分の間、保持する。昇温速度、及び降温速度は特に規定しないが、10〜30分程度で所定の温度に上げ、10分〜60分程度の時間をかけて除冷するのが良い。このアニール工程により、これまでの加工工程でガラス基板内部に生じた応力歪みを開放することができる。また、アニール工程は、空気中の他に、シリコーンオイル等のアニールする温度で変質しにくい油中や、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの不活性ガス中や、窒素ガス中などで行うのが好ましい。このような雰囲気中でアニールすると、ガラス基板表面にイオン化した物質が侵入しないので、ガラス基板表面の平坦度を維持することができる。   Following the outer peripheral end face polishing step, an annealing step is performed. In the annealing step, the glass substrate is placed in an electric heating furnace and held at a temperature of 200 ° C. or higher and 400 ° C. or lower for 10 to 120 minutes. The rate of temperature increase and the rate of temperature decrease are not particularly specified, but it is preferable to increase the temperature to a predetermined temperature in about 10 to 30 minutes and to cool down over a period of about 10 to 60 minutes. By this annealing process, the stress strain generated in the glass substrate in the conventional processing process can be released. In addition to air, the annealing step is preferably performed in an oil such as silicone oil that hardly deteriorates at an annealing temperature, in an inert gas such as argon gas or helium gas, or in nitrogen gas. When annealing is performed in such an atmosphere, ionized substances do not enter the glass substrate surface, so that the flatness of the glass substrate surface can be maintained.

次のポリッシング工程は、1工程でも良いが、2工程の方が好ましく、本実施の形態では2工程としている。アニール工程の後にポリッシング工程を行うことにより、ガラス内部に応力歪みが開放され、研磨工程中のクラックの発生が無く、不良品の発生率が少なくなる。   The next polishing step may be one step, but two steps are preferable, and two steps are used in the present embodiment. By performing the polishing process after the annealing process, stress strain is released inside the glass, cracks are not generated during the polishing process, and the incidence of defective products is reduced.

まず、第1ポリッシング工程では、第2ポリッシング工程で最終的に必要とされる面粗さを効率よく得ることができるように、面粗さを向上させると共に第2ポリッシング工程で本発明に係るガラス基板の表面形状を効率よく得ることができるよう研磨を行う。   First, in the first polishing step, the surface roughness is improved and the glass according to the present invention is improved in the second polishing step so that the surface roughness finally required in the second polishing step can be efficiently obtained. Polishing is performed so that the surface shape of the substrate can be obtained efficiently.

研磨の方法は、ラッピング工程で使用したダイヤモンドペレットと研削液に代えて、スウェードパッドと研磨液を使用する以外は第1及び2ラッピング工程で使用した研磨機と同一の構成の研磨機を使用する。   The polishing method uses a polishing machine having the same configuration as the polishing machine used in the first and second lapping processes except that a suede pad and a polishing liquid are used instead of the diamond pellets and the grinding liquid used in the lapping process. .

パッドは硬度Aで70から90程度の硬質パッドで例えば発泡ウレタンを使用するのが好ましい。パッドの硬度が研磨による発熱により柔らかくなると研磨面の形状変化が大きくなるため硬質パッドを用いるのが好ましい。研磨剤は、粒径が0.2μmから1.5μmの酸化セリウム等を水に分散させてスラリー状にして用いるのが好ましい。水と研磨剤との混合比率は、概ね1:9から3:7程度が好ましい。   The pad is preferably a hard pad having a hardness A of about 70 to 90, for example, urethane foam. When the pad hardness becomes soft due to heat generated by polishing, the shape change of the polished surface increases, so it is preferable to use a hard pad. The abrasive is preferably used in the form of a slurry by dispersing cerium oxide or the like having a particle size of 0.2 to 1.5 μm in water. The mixing ratio of water and abrasive is preferably about 1: 9 to 3: 7.

定盤によるガラス基板への加重は、任意に調整できるが、生産性の面から900kg/mから1100kg/mとするのが好ましい。定盤によるガラス基板への加重は、外周端部の形状に大きく影響する。加重を大きくしてゆくと、外周端部の内側が下がり外側に向かって上がる傾向を示す。また、加重を小さくしてゆくと、外周端部は平面に近くなると共に面ダレが大きくなる傾向を示す。こうした傾向を観察しながら加重を決めることができる。Weighted on the glass substrate by platen, it can be adjusted arbitrarily, preferably the 1100 kg / m 2 from 900 kg / m 2 in terms of productivity. The load applied to the glass substrate by the surface plate greatly affects the shape of the outer peripheral edge. When the weight is increased, the inner side of the outer peripheral end portion tends to fall and rise toward the outside. Further, as the weight is decreased, the outer peripheral end portion tends to be close to a flat surface and the surface sagging increases. The weight can be determined while observing these trends.

また、面粗さを向上させるために、定盤の回転数は任意に調整できるが、生産性の面から25rpmから50rpmとし、上の定盤の回転数を下の定盤の回転数より30%から40%遅くするのが好ましい。   Moreover, in order to improve surface roughness, the rotation speed of the surface plate can be arbitrarily adjusted. From the viewpoint of productivity, the rotation speed of the upper surface plate is set to 30 rpm from the rotation speed of the lower surface plate. % To 40% is preferred.

上記の研磨条件により研磨量を30μmから40μmとするのが好ましい。30μm未満では、キズや欠陥を十分に除去ができない。また40μmを超える場合は、必要以上に研磨を行うことになり製造効率が低下する。   The polishing amount is preferably 30 μm to 40 μm depending on the above polishing conditions. If it is less than 30 μm, scratches and defects cannot be removed sufficiently. On the other hand, when the thickness exceeds 40 μm, the polishing is performed more than necessary, and the production efficiency is lowered.

第2ポリッシング工程は、第1ポリッシング工程後のガラス基板の表面を更に精密に研磨する工程である。第2ポリッシング工程で使用するパッドは、第1ポリッシング工程で使用するパッドより柔らかい硬度65から80(Asker−C)程度の軟質パッドで、例えば発泡ウレタンやスウェードを使用するのが好ましい。研磨剤としては、第1ポリッシング工程と同様の酸化セリウムやコロイダルシリカ等を用いることができるが、ガラス基板の表面をより滑らかにするため、粒径がより細かくバラツキが少ない研磨剤を用いるのが好ましい。粒径の平均粒子径が10nmから50nm、好ましくは20nm程度の粒径の揃った研磨剤を水に分散させてスラリー状にし、これを研磨液として用いる。   The second polishing step is a step of further precisely polishing the surface of the glass substrate after the first polishing step. The pad used in the second polishing step is a soft pad having a hardness of about 65 to 80 (Asker-C) softer than the pad used in the first polishing step, and it is preferable to use, for example, urethane foam or suede. As the abrasive, the same cerium oxide or colloidal silica as in the first polishing step can be used, but in order to make the surface of the glass substrate smoother, it is preferable to use an abrasive having a finer particle size and less variation. preferable. An abrasive having an average particle diameter of 10 nm to 50 nm, preferably about 20 nm, is dispersed in water to form a slurry, which is used as a polishing liquid.

研磨液は、水と研磨剤との混合比率を1:9から3:7程度とするのが好ましく、更に、硫酸や過酸化水素を加え、pHが7より低い酸性とし、より好ましくはpH2以下とする。研磨液を酸性にすることにより、研磨剤の凝集を抑制することができ、研磨剤本来の粒径による研磨を行うことができ、より精密な研磨を行うことができる。   In the polishing liquid, the mixing ratio of water and abrasive is preferably about 1: 9 to 3: 7, and further, sulfuric acid or hydrogen peroxide is added to make the pH lower than 7, more preferably pH 2 or lower. And By making the polishing liquid acidic, agglomeration of the abrasive can be suppressed, polishing with the original particle size of the abrasive can be performed, and more precise polishing can be performed.

ポリッシング工程では、ラッピング工程と同様にガラス基板に加重して加工する。ガラス基板に加重することにより基板が持っているうねりは強制的に緩和され平坦にされた状態でポリッシング加工される。ポリッシング加工により、ガラス基板はうねりがより少ない状態になるが、ガラス基板から加重を除去すると強制的に抑えられていたうねりが戻り、加重除去前よりうねりが大きくなる。   In the polishing process, the glass substrate is loaded and processed as in the lapping process. By applying weight to the glass substrate, the waviness of the substrate is forcibly relaxed and polished in a flattened state. The polishing process causes the glass substrate to have less undulation, but if the weight is removed from the glass substrate, the undulation that was forcibly suppressed is restored, and the undulation is greater than before the weight removal.

第2ポリッシング工程では、従来の加重より少ない加重である600kg/m以下とし、下限値は特に規定しないが、生産性の観点から550kg/mから600kg/mの範囲が好ましい。加重を550kg/m未満で次第に少なくしてゆくと、ガラス基板を研磨する上で加重が不十分となり、研磨を行うことに次第に多くの時間を必要となって、ついには実用的でなくなってしまう。In the second polishing step, the weight is 600 kg / m 2 or less, which is less than the conventional weight, and the lower limit is not particularly defined, but the range of 550 kg / m 2 to 600 kg / m 2 is preferable from the viewpoint of productivity. When the weight is gradually reduced below 550 kg / m 2 , the weight becomes insufficient for polishing the glass substrate, and more time is required for polishing, and finally it becomes impractical. End up.

第2ポリッシング工程で加重を600kg/m以下とすることにより、加重によるうねりの強制的な緩和が低減され、この時点でガラス基板が持っているうねりにより近い状態でポリッシング加工される。このため、ポリッシング加工の後、加重除去後のうねりの戻り量が小さくなり、ガラス基板が有するうねり及び微小うねりを小さくすることができる。By setting the load to 600 kg / m 2 or less in the second polishing step, forced relaxation of the swell due to the load is reduced, and polishing is performed in a state closer to the swell of the glass substrate at this point. For this reason, after the polishing process, the return amount of the waviness after the weight removal is reduced, and the waviness and minute waviness of the glass substrate can be reduced.

また、定盤の回転数は、10rpm以下とする。回転数が10rpmを超えて多くすると、回転する定盤に振動が発生し、この結果としてガラス基板にうねりが発生してしまう。定盤の回転数は、10rpm以下とすることにより、定盤に生じる振動が抑えられ、ガラス基板に生じるうねり及び微小うねりを少なくすることができる。下限値は特に規定しないが、回転数を次第に少なくしてゆくと、研磨を行うことに次第に多くの時間を必要となって、ついには実用的でなくなってしまう。   Moreover, the rotation speed of a surface plate shall be 10 rpm or less. When the rotational speed exceeds 10 rpm, vibration occurs in the rotating surface plate, and as a result, undulation occurs in the glass substrate. By setting the number of rotations of the surface plate to 10 rpm or less, vibration generated on the surface plate can be suppressed, and undulation and minute undulation generated on the glass substrate can be reduced. Although the lower limit is not particularly defined, if the rotational speed is gradually reduced, more time is required to perform polishing, and eventually it becomes impractical.

ガラス基板への加重及び定盤の回転数を上記の通りに設定することにより、算術平均うねりWaを0.6nm未満、径方向の測定波長Lが80μm以上120μm以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さRqを0.01nm未満とすることができる。   By setting the weight on the glass substrate and the rotational speed of the surface plate as described above, the arithmetic mean waviness Wa is less than 0.6 nm, and the square mean of the microwaviness in the radial measurement wavelength L is in the range of 80 μm to 120 μm. The square root height Rq can be less than 0.01 nm.

研磨量は2μmから5μmとするのが好ましい。研磨量をこの範囲とすると、表面に発生した微小な荒れやうねり、これまでの工程で生じた微小な傷痕といった微小な欠陥を効率良く除去することができる。尚、ポリッシング工程を1つの工程とする場合、本実施の形態の第1ポリッシング工程を省けばよい。   The polishing amount is preferably 2 to 5 μm. When the polishing amount is within this range, minute defects such as minute roughness and undulation generated on the surface and minute scratches generated in the process so far can be efficiently removed. When the polishing process is a single process, the first polishing process of the present embodiment may be omitted.

第2ポリッシング工程の終了後、ガラス基板の洗浄及び検査を行い、情報記録媒体用ガラス基板が完成する。
(磁性体成膜)
これまで説明したガラス基板に磁性膜を設けた磁気記録媒体である磁気ディスクDの斜視図を図2に示す。この磁気ディスクDは、円形の情報記録媒体用ガラス基板1の表面に磁性膜2を直接形成されている。磁性膜2の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。スピンコート法での膜厚は約0.3μm〜1.2μm程度、スパッタリング法での膜厚は0.04μm〜0.08μm程度、無電解めっき法での膜厚は0.05μm〜0.1μm程度であり、薄膜化及び高密度化の観点からはスパッタリング法及び無電解めっき法による膜形成が好ましい。
After completion of the second polishing step, the glass substrate is cleaned and inspected to complete the information recording medium glass substrate.
(Magnetic film formation)
FIG. 2 shows a perspective view of a magnetic disk D that is a magnetic recording medium in which a magnetic film is provided on the glass substrate described so far. In the magnetic disk D, a magnetic film 2 is directly formed on the surface of a circular glass substrate 1 for an information recording medium. As a method for forming the magnetic film 2, a conventionally known method can be used. For example, a method in which a thermosetting resin in which magnetic particles are dispersed is spin-coated on a substrate, or a method by sputtering or electroless plating is used. A method is mentioned. The film thickness by spin coating is about 0.3 μm to 1.2 μm, the film thickness by sputtering is about 0.04 μm to 0.08 μm, and the film thickness by electroless plating is 0.05 μm to 0.1 μm. From the viewpoint of thinning and densification, film formation by sputtering and electroless plating is preferable.

磁性膜に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いCoを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でNiやCrを加えたCo系合金などが好適である。具体的には、Coを主成分とするCoPt、CoCr、CoNi、CoNiCr、CoCrTa、CoPtCr、CoNiPtや、CoNiCrPt、CoNiCrTa、CoCrPtTa、CoCrPtB、CoCrPtSiOなどが挙げられる。磁性膜は、非磁性膜(例えば、Cr、CrMo、CrVなど)で分割しノイズの低減を図った多層構成(例えば、CoPtCr/CrMo/CoPtCr、CoCrPtTa/CrMo/CoCrPtTaなど)としてもよい。上記の磁性材料の他、フェライト系、鉄−希土類系や、SiO、BNなどからなる非磁性膜中にFe、Co、FeCo、CoNiPt等の磁性粒子を分散された構造のグラニュラーなどであってもよい。また、磁性膜は、内面型及び垂直型のいずれの記録形式であってもよい。The magnetic material used for the magnetic film is not particularly limited, and a conventionally known material can be used. However, in order to obtain a high coercive force, Ni having a high crystal anisotropy is basically used, and Ni or A Co-based alloy to which Cr is added is suitable. Specific examples include CoPt, CoCr, CoNi, CoNiCr, CoCrTa, CoPtCr, and CoNiPt containing Co as a main component, CoNiCrPt, CoNiCrTa, CoCrPtTa, CoCrPtB, and CoCrPtSiO. The magnetic film may have a multilayer structure (for example, CoPtCr / CrMo / CoPtCr, CoCrPtTa / CrMo / CoCrPtTa) that is divided by a non-magnetic film (for example, Cr, CrMo, CrV, etc.) to reduce noise. In addition to the above magnetic materials, granular materials such as ferrite, iron-rare earth, and non-magnetic films made of SiO 2 , BN, etc. in which magnetic particles such as Fe, Co, FeCo, CoNiPt are dispersed, etc. Also good. Further, the magnetic film may be either an inner surface type or a vertical type recording format.

また、磁気ヘッドの滑りをよくするために磁性膜の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル(PFPE)をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。   In addition, a lubricant may be thinly coated on the surface of the magnetic film in order to improve the sliding of the magnetic head. Examples of the lubricant include those obtained by diluting perfluoropolyether (PFPE), which is a liquid lubricant, with a freon-based solvent.

更に必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Niなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。Coを主成分とする磁性膜の場合には、磁気特性向上等の観点からCr単体やCr合金であることが好ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等の多層下地層としてもよい。   Furthermore, you may provide a base layer and a protective layer as needed. The underlayer in the magnetic disk is selected according to the magnetic film. Examples of the material for the underlayer include at least one material selected from nonmagnetic metals such as Cr, Mo, Ta, Ti, W, V, B, Al, and Ni. In the case of a magnetic film containing Co as a main component, Cr alone or a Cr alloy is preferable from the viewpoint of improving magnetic characteristics. Further, the underlayer is not limited to a single layer, and may have a multi-layer structure in which the same or different layers are stacked. For example, a multilayer underlayer such as Cr / Cr, Cr / CrMo, Cr / CrV, NiAl / Cr, NiAl / CrMo, or NiAl / CrV may be used.

磁性膜の摩耗や腐食を防止する保護層としては、例えば、Cr層、Cr合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Cr層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、更に焼成して二酸化ケイ素(SiO)層を形成してもよい。Examples of the protective layer that prevents wear and corrosion of the magnetic film include a Cr layer, a Cr alloy layer, a carbon layer, a hydrogenated carbon layer, a zirconia layer, and a silica layer. These protective layers can be formed continuously with an in-line type sputtering apparatus, such as an underlayer and a magnetic film. In addition, these protective layers may be a single layer, or may have a multilayer structure including the same or different layers. Note that another protective layer may be formed on the protective layer or instead of the protective layer. For example, in place of the protective layer, tetraalkoxysilane is diluted with an alcohol-based solvent on the Cr layer, colloidal silica fine particles are dispersed and applied, and then baked to form a silicon dioxide (SiO 2 ) layer. It may be formed.

本発明に係る情報記録媒体用ガラス基板は、磁気記録媒体(磁気ディスク)に限定されるものではなく、光磁気ディスクや光ディスクなどにも用いることができる。   The glass substrate for an information recording medium according to the present invention is not limited to a magnetic recording medium (magnetic disk), and can be used for a magneto-optical disk, an optical disk, and the like.

実施例1〜4及び比較例1〜4のガラス基板及び磁気ディスクを以下のように作製した。
(ガラス基板の作製)
ガラス材料としてアルミノシリケートガラス(Tg:500℃)を用い、溶融ガラスをプレス成形してブランク材を作製した。内外周加工工程、ラッピング工程を経て、外径65mm、内径20mmのガラス基板とした。ガラス基板の厚みは0.64mmとした。
(アニール工程)
アニール工程として、空気雰囲気で電気加熱炉を用い、アニール温度350℃、アニール時間10分でそれぞれガラス基板を100枚ずつ作製した。常温からの昇温時間は、30分とし、常温への降温時間は1時間とした。
(ポリッシング工程)
第1ポリッシング工程として、ニッタ・ハース社製のウレタンパッドを用い、研磨剤としては、酸化セリウムを用いた。
The glass substrates and magnetic disks of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 were produced as follows.
(Production of glass substrate)
Aluminosilicate glass (Tg: 500 ° C.) was used as a glass material, and a molten glass was press-molded to produce a blank material. A glass substrate having an outer diameter of 65 mm and an inner diameter of 20 mm was obtained through an inner and outer peripheral processing step and a lapping step. The thickness of the glass substrate was 0.64 mm.
(Annealing process)
As an annealing process, an electric heating furnace was used in an air atmosphere, and 100 glass substrates were respectively produced at an annealing temperature of 350 ° C. and an annealing time of 10 minutes. The temperature rising time from room temperature was 30 minutes, and the temperature lowering time to room temperature was 1 hour.
(Polishing process)
As the first polishing process, a urethane pad manufactured by Nitta Haas was used, and cerium oxide was used as the abrasive.

第2ポリッシング工程として、FILWEL社製のスウェードパッドを用い、研磨剤としては、酸化セリウム及びコロイダルシリカを用いた。   As the second polishing step, a suede pad manufactured by FILWEL was used, and cerium oxide and colloidal silica were used as the abrasive.

第2ポリッシング工程のポリッシング条件として、パッドの硬度80(Asker−C)、研磨剤の粒径20nm〜30nm程度、研磨液は過酸化水素を加え約pH2とし、上下定盤の回転数(rpm)、加重(kg/m)の条件については表1に示す。
(洗浄工程)
洗浄工程として、ロールスクラブ機、カップスクラブ機でのブラシ洗浄を行い、その後超音波洗浄機で洗浄を行った。
(うねりの高さ、微小うねりの測定)
Opti Flat(Phase Shift Technology 社製、測定波長0.1〜5mm)を用いて、作製したガラス基板表面のうねりを測定し、その算術平均うねりWaを求めた。
As polishing conditions for the second polishing step, the hardness of the pad is 80 (Asker-C), the particle size of the abrasive is about 20 nm to 30 nm, and the polishing liquid is added with hydrogen peroxide to about pH 2, and the rotation speed of the upper and lower platen (rpm) The weighting (kg / m 2 ) conditions are shown in Table 1.
(Washing process)
As a cleaning process, brush scrubbing with a roll scrubbing machine and cup scrubbing machine was performed, followed by cleaning with an ultrasonic cleaner.
(Measures swell height and micro swell)
Using Opti Flat (manufactured by Phase Shift Technology, measurement wavelength: 0.1 to 5 mm), the swell of the prepared glass substrate surface was measured, and the arithmetic average swell Wa was determined.

測定波長Lが80μm以上120μm以下の範囲における微小うねりの高さは、光学表面アナライザOSA(CANDELA社製、RMS application)を用いて測定し、その二乗平均平方根高さRqを求めた。結果を表1に示す。
(磁気ディスクの作製)
得られたガラス基板の表面に、磁性粒子CoPtをスパッタリングして、0.05μmの磁性膜を形成し、磁気ディスクを作製した。
(GA値測定)
磁気ディスクを検査用ディスクとしてGA値測定用の専用装置に取り付け一定のスピードで回転させ、ヘッドをディスク上に浮上させる。この状態で、ヘッドからの信号を観測しながら検査用ディスク上でヘッドが浮上している空間内を減圧してゆき、ヘッドからの信号が不安定になる時点での空気圧を求め、この空気圧からGA値を求めた。
The height of the microwaviness in the measurement wavelength L range of 80 μm or more and 120 μm or less was measured using an optical surface analyzer OSA (CANDELA, RMS application), and the root mean square height Rq was obtained. The results are shown in Table 1.
(Production of magnetic disk)
On the surface of the obtained glass substrate, magnetic particles CoPt were sputtered to form a 0.05 μm magnetic film, thereby producing a magnetic disk.
(GA value measurement)
A magnetic disk is attached as an inspection disk to a dedicated device for GA value measurement, rotated at a constant speed, and the head is floated on the disk. In this state, while observing the signal from the head, depressurize the space where the head is floating on the inspection disk, and obtain the air pressure at which the signal from the head becomes unstable. The GA value was determined.

GA値は、実用上、3nm未満である必要があり、表1での判定として、以下の基準に従って記号(◎、○、×)で示した。
◎:2nm未満
○:2nm以上3nm未満
×:3nm以上
The GA value needs to be practically less than 3 nm, and as a determination in Table 1, it is indicated by symbols (◎, ○, ×) according to the following criteria.
A: Less than 2 nm B: 2 nm or more and less than 3 nm X: 3 nm or more

表1より、算術平均うねりWaが0.6nm未満で、径方向の微小うねりの二乗平均平方根高さRqが0.01nm未満である磁気ディスクは、何れもGA値が3nm未満であり、良好な結果が得られた。   As shown in Table 1, the magnetic average waving Wa is less than 0.6 nm and the root mean square height Rq of the microscopic waviness in the radial direction is less than 0.01 nm. Results were obtained.

1 情報記録媒体用ガラス基板(ガラス基板)
2 磁性膜
5 孔
7a 表主表面
7b 裏主表面
10t 外周端面
11 測定断面曲線
12 うねり曲線
13 微小うねり曲線
20t 内周端面
D 磁気ディスク
1 Glass substrate for information recording media (glass substrate)
2 magnetic film 5 hole 7a front main surface 7b back main surface 10t outer peripheral end surface 11 measurement cross-section curve 12 waviness curve 13 micro waviness curve 20t inner peripheral end surface D magnetic disk

Claims (5)

表面の算術平均うねりWaが0.6nm未満であり、
且つ、径方向であって、測定波長が80μm以上120μm以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さRqが0.01nm未満であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
The surface arithmetic mean waviness Wa is less than 0.6 nm,
A glass substrate for an information recording medium, characterized in that a root mean square height Rq of micro-waviness in a radial direction and a measurement wavelength in the range of 80 μm to 120 μm is less than 0.01 nm.
前記算術平均うねりWaが0.55nm未満であり、且つ、前記微小うねりの二乗平均平方根高さRqが0.007nm未満であることを特徴とする請求項1に記載の情報記録媒体用ガラス基板。   2. The glass substrate for an information recording medium according to claim 1, wherein the arithmetic average waviness Wa is less than 0.55 nm, and the root mean square height Rq of the minute waviness is less than 0.007 nm. 請求項1又は2に記載の情報記録媒体用ガラス基板の表面に磁性膜を有することを特徴とする情報記録媒体。   An information recording medium comprising a magnetic film on a surface of the glass substrate for information recording medium according to claim 1 or 2. 研磨機の定盤の加重が600kg/m以下であり、且つ、回転数が10rpm以下である研磨工程を有し、
前記研磨工程後の表面の算術平均うねりWaが0.6nm未満であり、
且つ、径方向であって、測定波長が80μm以上120μm以下の範囲における微小うねりの二乗平均平方根高さRqが0.01nm未満であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
The polishing machine has a polishing step in which the weight of the surface plate is 600 kg / m 2 or less and the rotational speed is 10 rpm or less,
The arithmetic average waviness Wa of the surface after the polishing step is less than 0.6 nm,
A method for producing a glass substrate for an information recording medium, characterized in that the root mean square height Rq of the microwaviness in the radial direction in the range of the measurement wavelength of 80 μm or more and 120 μm or less is less than 0.01 nm.
前記算術平均うねりWaが0.55nm未満であり、且つ、前記微小うねりの二乗平均平方根高さRqが0.007nm未満であることを特徴とする請求項4に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。   5. The glass substrate for an information recording medium according to claim 4, wherein the arithmetic average waviness Wa is less than 0.55 nm and the root mean square height Rq of the microwaviness is less than 0.007 nm. Production method.
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