JPWO2010143303A1 - Transfer apparatus and transfer method - Google Patents
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Abstract
モールドに形成された凹凸パターンを被転写体に転写すべくモールドを被転写体に押圧させた後、モールドを被転写体に押圧させる押圧値をゼロにした状態でモールド及び被転写体の内の少なくとも一方を撓ませつつモールドを被転写体から離型する。After the mold is pressed against the transferred body in order to transfer the uneven pattern formed on the mold to the transferred body, the pressure value for pressing the mold against the transferred body is zero, and the mold and the transferred body are The mold is released from the transferred material while at least one of the members is bent.
Description
本発明は、被転写体に凹凸パターンを転写する転写装置及び転写方法に関する。 The present invention relates to a transfer apparatus and a transfer method for transferring an uneven pattern to a transfer target.
現在、凹凸状の微細パターンを各種部材の表面に転写する転写装置が提案されている(例えば、特許文献1の図7及び図8参照)。かかる転写装置においては、型に形成されている微細な転写パターンを被成型品に転写した後に、被成型品から前記型を離す動作の際に、型、被成型品の少なくともいずれかを変形させて、被成型品から型を離す分離手段を有することが開示されている(特に〔0120〕〜〔0121〕の記述)。これにより、被転写体に形成される微細なパターンを破壊することなくモールドを被転写体から離型できるようにしている。 Currently, there has been proposed a transfer device that transfers an uneven fine pattern onto the surface of various members (see, for example, FIGS. 7 and 8 of Patent Document 1). In such a transfer apparatus, after transferring the fine transfer pattern formed on the mold to the molded product, at the time of separating the mold from the molded product, at least one of the mold and the molded product is deformed. Thus, it is disclosed that a separating means for separating the mold from the molded product is provided (particularly, description of [0120] to [0121]). Thus, the mold can be released from the transferred body without destroying the fine pattern formed on the transferred body.
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、転写パターンを破壊させることなく良好にモールドを被転写体から離型させることが可能な転写装置及び転写方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a transfer apparatus and a transfer method capable of releasing a mold from a transfer target well without destroying a transfer pattern. .
請求項1による転写装置は、モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写装置であって、前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧手段と、前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力の少なくとも一部を打ち消す減圧手段と、前記モールド又は前記被転写体の少なくとも一方を撓ませる加撓手段と、前記モールドと前記被転写体とを離型させる離型手段と、を有する。
The transfer device according to
又、請求項9記載による転写方法は、モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写方法であって、前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧ステップと、前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力の少なくとも一部を打ち消す減圧ステップと、前記モールド又は前記被転写体の少なくとも一方を撓ませる加撓ステップと、前記モールドと前記被転写体とを離型させる離型ステップと、を有する。 A transfer method according to claim 9 is a transfer method for transferring a pattern formed on a mold to a transfer target, a pressing step for pressing the mold and the transfer target, the mold and the transfer target. Depressurization step that cancels at least a part of the pressing force that presses the transfer body, a bending step that deflects at least one of the mold or the transfer object, and a mold release that releases the mold and the transfer object Steps.
モールドに形成された凹凸パターンを被転写体に転写すべくモールドを被転写体に押圧させた後、モールドを被転写体に押圧させる押圧値を低下させる、もしくはゼロにした状態でモールド及び被転写体の内の少なくとも一方を撓ませつつモールドを被転写体から離型する。これにより、モールド及び被転写体の外縁部から内周に向けて徐々にモールドの凹凸パターンが被転写体の転写層から剥がれて行くので、この被転写体が例え磁気ディスク基板の如き比較的大面積を有するものであっても、その転写層に転写された凹凸パターンを破壊することなく、モールドを被転写体から離型することが可能となる。 After the mold is pressed against the transferred body in order to transfer the uneven pattern formed on the mold to the transferred body, the pressing value for pressing the mold against the transferred body is reduced or zeroed, and the mold and transferred object are transferred. The mold is released from the transfer object while at least one of the bodies is bent. As a result, the concavo-convex pattern of the mold gradually peels off from the transfer layer of the transferred body from the outer edge of the mold and the transferred body toward the inner periphery, so that the transferred body is relatively large like a magnetic disk substrate. Even if it has an area, the mold can be released from the transfer target without destroying the concave-convex pattern transferred to the transfer layer.
図1は、本発明による転写装置としてのUV(Ultraviolet)式、つまり紫外線硬化式のインプリント装置の概略構成を示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a UV (ultraviolet) type, that is, an ultraviolet curing type imprint apparatus as a transfer apparatus according to the present invention.
尚、このインプリント装置は、夫々に転写すべき凹凸パターンが形成されている上側モールド及び下側モールド(後述する)にて、被転写体としての基板(転写層を含む)の両面にパターン転写を行なうものである。 This imprint apparatus transfers patterns onto both surfaces of a substrate (including a transfer layer) as an object to be transferred using an upper mold and a lower mold (to be described later) on which uneven patterns to be transferred are formed. Is to do.
図1に示すように、かかるインプリント装置は、上側機構部、下側機構部、これら上側機構部及び下側機構部を制御するコントローラ200、及び操作部201から構成される。
As illustrated in FIG. 1, the imprint apparatus includes an upper mechanism unit, a lower mechanism unit, a
上側機構部は、上側センターピン30a、上側デバイスステーション90a、上側モールド保持部501a、ボード状の上側ステージ505a、上側センターピン駆動ユニット507a、上側UV照射ユニット508a及び上側モールド把持ユニット510aを備える。
The upper mechanism unit includes an
上側ステージ505aには、図1に示す如き開口部100aと共に、後述するボールネジ512がねじ込まれるネジ溝が切られているネジ穴部が存在する。上側ステージ505aの下面には上記開口部100aを覆うように透明材料からなる上側モールド保持部501aが設置されており、その上面には上側デバイスステーション90aが設置されている。上側デバイスステーション90a上には、上側センターピン駆動ユニット507a及び上側UV照射ユニット508が移動自在な形態で設けられている。上側デバイスステーション90aは、上側センターピン駆動ユニット507a及び上側UV照射ユニット508aの内で、コントローラ200から供給されたユニット指定信号USUによって指定された方のユニットをユニット動作位置(例えば開口部100aの中心位置)に移動させる。上側センターピン駆動ユニット507aは、コントローラ200から供給された上側センターピン移動信号CGUに応じて、上側センターピン30aを、上側モールド保持部501aの上側モールド保持面DFU(後述する)の中心に設けられている中心孔を貫通させて、このモールド保持面DFUに対して垂直な方向に移動させる。上側UV照射ユニット508aは、コントローラ200から供給された上側紫外線照射信号UVUに応じて、転写材料を硬化させるべきエネルギー線としての紫外線を、開口部100aを介して上側モールド保持部501a側に向けて照射する。上側モールド保持部501aは、上側モールド(後述する)を保持する為の上側モールド保持面DFUを有する。上側モールド保持面DFUは、その直径が上側モールドの直径よりも小なる円形平面を有し、その中心部には上側センターピン30aを貫通させるための中心孔が設けられている。上側モールド保持部501aにおける上側モールド保持面DFUの外周には、複数の上側モールド把持駆動ユニット510aが備えられている。上側モールド把持駆動ユニット510aは、上側モールドの外縁部を把持する為の複数の把持部509aを備える。把持部509aは、円盤状のモールドを把持複数箇所、例えば図23(後述する)に示されるように、120度置きに3箇所もうけられている。上側モールド把持駆動ユニット510aは、コントローラ200から供給された上側モールド把持信号MQUに応じて、上側モールドの外縁部を把持させるべく把持部509aを駆動する。In the
一方、下側機構部は、下側センターピン30b、下側デバイスステーション90b、下側モールド保持部501b、ボード状の下側ステージ505b、下側センターピン駆動ユニット507b、下側UV照射ユニット508b、ステージ上下駆動ユニット511及びボールネジ512を備える。
On the other hand, the lower mechanism unit includes a
下側ステージ505bには、図1に示す如き開口部100bと共に、ボールネジ512が貫通する貫通孔が存在する。ボールネジ512は、下側ステージ505b及び上側ステージ505aの平行状態を維持させたまま両者を連結するように、その一端が下側ステージ505bの貫通孔を貫通し、他端が上側ステージ505aのネジ穴部にネジ込まれている。下側ステージ505bの上面には開口部100bを覆うように透明材料からなる下側モールド保持部501bが設置されており、その下面にはステージ上下駆動ユニット511及び下側デバイスステーション90bが設けられている。下側デバイスステーション90bには、下側センターピン駆動ユニット507b及び下側UV照射ユニット508bが移動自在な形態で設けられている。下側デバイスステーション90bは、下側センターピン駆動ユニット507b及び下側UV照射ユニット508bの内で、コントローラ200から供給されたユニット指定信号USLによって指定された方のユニットをユニット動作位置(例えば開口部100aの中心位置)に移動させる。下側センターピン駆動ユニット507bは、コントローラ200から供給された下側センターピン移動信号CGLに応じて、下側センターピン30bを、下側モールド保持部501bの下側モールド保持面DFL(後述する)の中心に設けられている中心孔を貫通させて、この下側モールド保持面DFLに対して垂直な方向に移動させる。尚、下側センターピン30bの先端部には、上側モールド又は下側モールドを支持する為の第1支持部TB1、及び基板を支持する為の第2支持部TB2が設けられている。下側UV照射ユニット508bは、コントローラ200から供給された下側紫外線照射信号UVLに応じて、転写材料を硬化させるべきエネルギー線としての紫外線を、開口部100bを介して下側モールド保持部501b側に向けて照射する。ステージ上下駆動ユニット511は、コントローラ200から供給されたステージ駆動信号SGに応じて、ボールネジ512を時計方向又は反時計方向に回転させることにより、上側ステージ505aを、下側ステージ505bに対する平行状態を維持したまま上方向又は下方向に移動させる。すなわち、上側ステージ505aの上方向への移動により、上側モールド保持部501aが、下側モールド保持部501bのモールド保持面に対して垂直な方向においてこの下側モールド保持部501bから離間するように移動する。一方、上側ステージ505aの下方向への移動により、上側モールド保持部501aが、下側モールド保持部501bに向けて移動する。下側モールド保持部501bは、下側モールド(後述する)を保持する為の下側モールド保持面DFLを有する。下側モールド保持面DFLは、その直径が下側モールドの直径よりも小なる円形平面を有し、その中心部には下側センターピン30bを貫通させるための中心孔が設けられている。下側モールド保持部501bにおける下側モールド保持面DFLの外周には、複数の下側モールド把持駆動ユニット510bが備えられている。下側モールド把持駆動ユニット510bは、下側モールドの外縁部を把持する為の複数の把持部509bを備える。下側モールド把持駆動ユニット510bは、コントローラ200から供給された下側モールド把持信号MQLに応じて、下側モールドの外縁部を把持させるべく把持部509bを駆動する。The
操作部201は、使用者による各種の操作を受け付け、その操作内容を表す操作信号CSをコントローラ200に供給する。
The
コントローラ200は、図2及び図3に示すインプリント処理プログラムに従って、このインプリント装置を制御する。
The
以下に、かかるインプリント処理プログラムにて為される制御、並びに両面パターン転写動作について、図4〜図7を参照しつつ説明する。尚、図4〜図7は、パターン転写動作における各段階毎に、図1に示すインプリント装置における上側モールド保持部501a、下側モールド保持部501b、上側センターピン30a及び下側センターピン30bを抜粋して夫々の状態(位置関係)を模式的に表すものである。
Hereinafter, control performed by the imprint processing program and double-sided pattern transfer operation will be described with reference to FIGS. 4 to 7 show the upper
図2において、先ず、コントローラ200は、下側センターピン30bを所定の初期位置に移動させるべき下側センターピン移動信号CGLを下側センターピン駆動ユニット507bに供給する(ステップS1)。ステップS1の実行により、下側センターピン30bが、図4の[状態1]に示す如き初期状態、つまり、下側センターピン30bの第1支持部TB1及び第2支持部TB2が共に、下側モールド保持部501bの下側モールド保持面DFLよりも上方の位置に現れる位置に移動する。次に、コントローラ200は、下側センターピン30bがモールドを支持しているか否かの判定を、モールドが支持されるまで繰り返し実行する(ステップS2)。ここで、搬送装置(図示せぬ)は、例えば図8に示すが如き、転写すべき凹凸パターンが形成されているパターン領域PA、このような凹凸パターンが形成されていない最外周領域GA、及び中心孔CAを有するディスク状のモールドを上側モールド503aとして、その凹凸パターンの形成面を下側に向けた状態でインプリント装置に搬送する。尚、上側モールド503aのパターン領域PAのサイズ(直径)は、円形平面である上側モールド保持面DFUの直径と同一、若しくはDFUの直径よりも小である。又、上側モールド503a自体の直径は、上側モールド保持面DFUの直径よりも大である。そして、搬送装置は、上側モールド503aの中心孔CAに下側センターピン30bの先端部が貫通するように、この上側モールド503aを下側センターピン30bに装着する。これにより、上側モールド503aは、図4の[状態2]に示す如く、その凹凸パターン面を下に向けた状態で、センターピン30bの第1支持部TB1に支持される。かかるステップS2において、上側モールド503aが下側センターピン30bに支持されていると判定されると、コントローラ200は、上側ステージ505aを下方向に移動させるべきステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給する(ステップS3)。ステップS3の実行により、上側モールド保持部501aを含む上側機構部全体が徐々に下方向に移動する。次に、コントローラ200は、上側モールド保持部501aの上側モールド保持面DFUが上側モールド503aに接触したか否かを判定する(ステップS4)。ステップS4において、上側モールド503aが上側モールド保持面DFUに接触していないと判定された場合、コントローラ200は、上記ステップS3の実行に戻って前述した如き動作を再び実行する。つまり、図4の[状態3]に示すように、上側モールド503aが上側モールド保持部501aの上側モールド保持面DFUに接触するまで、上側モールド保持部501aを下方向に移動させるのである。ステップS4において、上側モールド503aが上側モールド保持面DFUに接触したと判定された場合、コントローラ200は、上側モールド503aの外縁部である最外周領域GAを把持部509aで把持させ、これを上側モールド保持面DFUに押し付けさせるべき上側モールド把持信号MQUを上側モールド保持駆動ユニット510aに供給する(ステップS5)。ここで、上側モールド保持駆動ユニット510aが上側モールド503aの周辺の3箇所に夫々設置されている場合には、ステップS5の実行により、上側モールド保持駆動ユニット510a各々の把持部509aが、図8に示す如き上側モールド503aの最外周領域GAにおける一点鎖線にて囲まれた領域を把持して、上側モールド503aを上側モールド保持面DFUに押し付ける。よって、ステップS5の実行によれば、上側モールド503aが、上側モールド保持部501aの上側モールド保持面DFUに保持されるのである。2, first, the
次に、コントローラ200は、上側ステージ505aを所定距離だけ上方向に移動させるべきステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給する(ステップS6)。ステップS6の実行により、図4の[状態4]に示すように、上側モールド保持部501aが、下側センターピン30bの中心軸方向において上側に移動する。これにより、上側モールド503aが下側センターピン30bから離脱する。次に、コントローラ200は、下側センターピン30bがモールドを支持しているか否かの判定を、モールドが支持されるまで繰り返し実行する(ステップS7)。ここで、搬送装置は、例えば図8に示す如き、転写すべき凹凸パターンが形成されているパターン領域PA、このような凹凸パターンが形成されていない最外周領域GA、及び中心孔CAを有するディスク状のモールドを下側モールド503bとし、その凹凸パターンの形成面を上側に向けた状態でインプリント装置に搬送する。尚、下側モールド503bのパターン領域PAのサイズ(直径)は、円形平面である下側モールド保持面DFLの直径と同一、若しくはDFLの直径よりも小である。又、下側モールド503b自体の直径は、下側モールド保持面DFLの直径よりも大である。搬送装置は、かかる下側モールド503bの中心孔CAに下側センターピン30bの先端部が貫通するように、この下側モールド503bを下側センターピン30bに装着する。これにより、下側モールド503bは、図5の[状態5]に示す如く、その凹凸パターン面を上に向けた状態で下側センターピン30bの第1支持部TB1に支持される。ステップS7において、下側モールド503bが下側センターピン30bに支持されていると判定されると、コントローラ200は、下側センターピン30bを所定位置にまで下降させるべきセンターピン移動信号CGLを下側センターピン駆動ユニット507bに供給する(ステップS8)。ステップS8の実行により、下側センターピン駆動ユニット507bは、下側センターピン30bを、所定位置まで下降させる。つまり、下側センターピン駆動ユニット507bは、図5の[状態6]の如き、下側センターピン30bの第1支持部TB1と下側モールド保持部501bの下側モールド保持面DFLとが互いに同一平面上に位置するようになるまで、下側センターピン30bを下方向に移動させる。これにより、下側モールド503bは、図5の[状態6]に示すように、下側モールド保持部501bの下側モールド保持面DFLに支持されることになる。次に、コントローラ200は、下側モールド503bの外縁部である最外周領域GAを把持部509bで把持させ、これを下側モールド保持面DFLに押し付けさせるべき下側モールド把持信号MQLを下側モールド保持駆動ユニット510bに供給する(ステップS9)。ここで、下側モールド保持駆動ユニット510bが下側モールド503bの周辺の3箇所に夫々設置されている場合には、ステップS9の実行により、下側モールド保持駆動ユニット510b各々の把持部509bが、図8に示す如き下側モールド503bの最外周領域GAにおける一点鎖線にて囲まれた領域を把持して、この下側モールド503bを下側モールド保持面DFLに押し付ける。よって、ステップS9の実行によれば、下側モールド503bが、下側モールド保持部501bの下側モールド保持面DFLに保持されるのである。次に、コントローラ200は、下側センターピン30bに基板が支持されているか否かの判定を、基板が支持されるまで繰り返し実行する(ステップS10)。ここで、搬送装置(図示せぬ)は、例えば、図9に示す如き、中心孔CBを有するディスク状の基板6をインプリント装置に搬送する。尚、基板6は、図9に示すように、支持基板601の一方の面側(上側面)及び他方の面側(下側面)に夫々、エネルギー線としての紫外線が照射されると硬化する転写材料からなる上側転写層604a及び下側転写層604bが形成されてなるものである。この際、上側転写層604a及び下側転写層604bは、図9に示すように、支持基板601の表面上において、その最外周領域QA及び最内周領域JAを省いた転写領域NAに形成される。搬送装置は、かかる基板6の中心孔CBに下側センターピン30bの先端部が貫通するように、基板6をこの下側センターピン30bに装着する。これにより、図9に示す如き基板6の最内周領域JAが下側センターピン30bの第2支持部TB2に当接し、その結果、基板6自体は、図5の[状態7]に示すように、下側センターピン30bの第2支持部TB2で支持されることになる。すなわち、下側センターピン30bは、その第2支持部TB2によって基板6の縁部以外の箇所(非縁部)で基板6を支持するのである。Next, the
ステップS10において、基板6が図5の[状態7]に示すように下側センターピン30bに支持されていると判定されると、コントローラ200は、上側ステージ505aを下方向に移動させるべきステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給する(ステップS11)。ステップS11の実行により、上側モールド保持部501aが、センターピン30bの中心軸方向において下側に移動する。次に、コントローラ200は、上側モールド503aが基板6に接触したか否かを判定する(ステップS12)。ステップS12において上側モールド503aが基板6に接触していないと判定された場合、コントローラ200は、上記ステップS11の実行に戻って前述した如き動作を再び実行する。つまり、図5の[状態8]に示すように、上側モールド503aが基板6に接触するまで、上側モールド保持部501aを下方向に移動させるのである。
If it is determined in step S10 that the
尚、図5の[状態7]では、上側モールド503aよりも先に下側モールド503bを基板6に接触させているが、上側モールド503aの方を先に基板6に接触させるようにしても良い。この際、上側モールド503a及び下側モールド503bが基板6の両面にそれぞれ同時に接触するように、両者の位置関係を保つべき制御を行うのが好ましい。
In [State 7] in FIG. 5, the
ステップS12において上側モールド503aが基板6に接触したと判定された場合、コントローラ200は、上側モールド503aと下側モールド503bとを基板6に押圧させるべきモールド押圧動作を実行する(ステップS13)。モールド押圧動作を実行するために、コントローラ200は、先ず、上側モールド503a及び下側モールド503bを所定の押圧値PVADで基板6に押圧させるべく、上側ステージ505aを下方向に移動させるステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給する。When it is determined in step S12 that the
この状態でステージ駆動信号SGを所定時間供給することで、図6の[状態9]に示すように、基板6の両面が、上側モールド503a及び下側モールド503bによって押圧され、その状態が所定時間保持される。これにより、上側モールド503aに形成されている凹凸パターンが上側転写層604aに押圧されると共に、下側モールド503bに形成されている凹凸パターンが下側転写層604bに夫々押圧される。上側転写層604a及び下側転写層604bは液状(流動可能状態)にあるため、上側転写層604aが上側モールド503aに形成されている凹凸パターン形状に沿って変形すると共に、下側転写層604bが下側モールド503bに形成されている凹凸パターン形状に沿って夫々変形する。尚、上側モールド503a及び下側モールド503bを基板6に押し付ける圧力及び保持時間等の条件は、上側モールド503a及び下側モールド503bの凹凸パターン形状や上側転写層604a及び下側転写層604bの転写材料等に応じて適宜設定される。
By supplying the stage drive signal SG for a predetermined time in this state, both surfaces of the
ステップS13の実行後、コントローラ200は、転写層硬化動作を実行する(ステップS14)。転写層硬化動作を実行するために、コントローラ200は、紫外線照射信号UVを上側UV照射ユニット508a及び下側UV照射ユニット508bに供給する。これにより、上側UV照射ユニット508aが転写層を硬化させるべき紫外線を基板6の上側転写層604aに向けて照射すると共に、下側UV照射ユニット508bが転写層を硬化させるべき紫外線を下側転写層604bに向けて照射する。かかる紫外線の照射によって、上側転写層604a及び下側転写層604b各々の転写層が硬化し、上側転写層604a及び下側転写層604b表面の凹凸パターンが確定する。
After execution of step S13, the
その後、コントローラ200は、上側モールド503a及び下側モールド503bから基板6を離型させるべき離型処理ルーチンを実行する(ステップS15)。
Thereafter, the
図10は、かかる離型処理ルーチンの一例を示す図である。 FIG. 10 is a diagram showing an example of such a release processing routine.
図10において、先ず、コントローラ200は、所定の押圧値PVDDで上側モールド503aを基板6に押圧させるべく、上側ステージ505aを下方向に移動させるステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給する(ステップS150)。ステップS150の実行により、図6の[状態11]に示すように、基板6の両面が上側モールド503a及び下側モールド503bにて圧着された状態となる。これにより、後述するが如く上側モールド503aの外縁部を上方向に湾曲させた際に、下側モールド503bが基板6から離型してしまうのを防止するのである。次に、コントローラ200は、上側センターピン30aを下方向に移動させるべき上側センターピン移動信号CGUを上側センターピン駆動ユニット507aに供給する(ステップS151)。次に、コントローラ200は、上側センターピン30aが基板6に接触したか否かを判定する(ステップS152)。かかるステップS152において上側センターピン30aの先端が基板6に接触していないと判定された場合には、ステップS151の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。すなわち、図6の[状態12]に示す如く、上側センターピン30aの先端が基板6に接触するまで、上側センターピン30aを下方向に移動させるのである。ここで、上側センターピン30aの先端部が図9に示す如き基板6の最内周領域JAに接触したが故に、ステップS152において上側センターピン30aが基板6に接触したと判定された場合、コントローラ200は、所定力Fで上側センターピン30aを基板6に押圧させるべき上側センターピン移動信号CGUを上側センターピン駆動ユニット507aに供給する(ステップS153)。これにより、図6の[状態12]の如く、上側センターピン30a及び下側センターピン30bが、基板6の最内周領域にてこの基板6を挟み込んで支持しつつ、上側センターピン30aの先端部で基板6の最内周領域を下方向に所定力Fで押圧する。この際、上側センターピン30aによって、基板6の最内周領域に所定力Fが印加されると、基板6の最内周部に撓みが生じる。次に、コントローラ200は、上側モールド503aの最外周領域GAを上方向に所定力fで押圧させるべき上側モールド把持信号MQUを上側モールド保持駆動ユニット510aに供給する(ステップS154)。これにより、上側モールド保持駆動ユニット510aの把持部509aは、図7の[状態13]に示すように、上側モールド503aの外縁部(最外周領域GA)を把持した状態で、この外縁部を上方向に撓ませるように所定力fで押圧する。尚、所定力fは、上記ステップS5において上側モールド503aを上側モールド保持面DFUに保持させておくべく、上側モールド503aの外縁部に掛けた力よりも大、つまりモールドを湾曲させる程度に大なる力である。よって、ステップS154の実行によれば、図11(a)に示すように、上側モールド保持部501aにおける上側モールド保持面DFUでの縁部を支点として上側モールド503aが湾曲し、その最外周領域GAが上方向に湾曲する。次に、コントローラ200は、上側ステージ505aを上方向に移動させるべきステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給する(ステップS155)。ステップS155の実行により、上側モールド保持部501aが上方向に移動し、図7の[状態14]に示す如く上側モールド503aが基板6から離型する。この際、上側モールド503aは、図11(a)に示す如くその最外周領域GAが上方向に撓んだ状態で上方向に移動して基板6から離間する。よって、移動直後、上側モールド503aは、図11(b)に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、先ず、図11(b)に示す如く、上側モールド503aのパターン領域PAの最外周部から、基板6の上側転写層604aに対する離型が生じる。そして、上側モールド503aが上方向に移動するにつれ、図11(b)〜図11(c)に示すように、上側モールド503aの外周部から内周部に向けて徐々にその凹凸パターンが基板6の上側転写層604aから離型するのである。ここで、上側モールド503aが基板6から完全に離型したら、コントローラ200は、下側モールド503bの最外周領域GAを下方向に所定力fで押圧させるべき下側モールド把持信号MQLを下側モールド保持駆動ユニット510bに供給する(ステップS156)。これにより、下側モールド保持駆動ユニット510bの把持部509bは、図7の[状態15]に示すように、下側モールド503bの外縁部(最外周領域GA)を把持した状態で、この外縁部を下方向に押し下げるように所定力fで押圧する。ステップS156の実行によれば、図12(a)に示すように、下側モールド保持部501bにおける下側モールド保持面DFLでの縁部を支点として、下側モールド503bの最外周領域GAが下方向に押し下げられる。次に、コントローラ200は、下側センターピン30bを所定位置にまで上昇させるべきセンターピン移動信号CGLを下側センターピン駆動ユニット507bに供給する(ステップS157)。ステップS157の実行により、下側センターピン30bは、図7の[状態16]に示すようにその第1支持部TB1と下側モールド保持部501bの下側モールド保持面DFLとが互いに同一平面上に位置するようになるまで、上方向に移動する。これにより、図12(a)に示すように、下側モールド503bの最外周領域GAが下方向に押し下げられた状態で、基板6が上方向に移動して下側モールド503bから離間する。よって、移動直後、下側モールド503bは、図12(b)に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、基板6が上方向に移動するにつれ、図12(b)に示す如く、下側モールド503bのパターン領域PAの最外周部から内周に向けて、基板6の下側転写層604bが離型して行く。なお、このとき、下側センターピン30bを上昇させる距離を大きくすることで、基板6の中心部付近にかかる離型力を大きくし、中心付近から離型させることもできる。モールドが基板の外周又は内周の何れから離型するかは、モールドや基板の材質、剛性によっても変わってくるため、適宜調整が必要である。In FIG. 10, first, the
その後、コントローラ200は、図10に示す離型処理ルーチンを抜けて、図3のステップS16の実行に移行する。すなわち、コントローラ200は、操作部201からの操作信号CSとして、動作終了を示す動作指令信号が供給されているか否かを判定する(ステップS16)。ステップS16において動作終了を示す動作指令信号が供給されたと判定された場合、コントローラ200は、このインプリント処理プログラムを終了する。一方、ステップS16において動作終了を表す動作指令信号が供給されていないと判定された場合、コントローラ200は、下側センターピン30bに支持されている基板6を搬送装置が取り外すまでの間待機した後、この下側センターピン30bを、基板6を支持するための所定位置に移動させるべき下側センターピン移動信号CGLを下側センターピン駆動ユニット507bに供給する(ステップS17)。かかるステップS17の終了後、コントローラ200は、ステップS10の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これにより、新たに支持された基板6に対して連続してパターン転写を行なうのである。Thereafter, the
以上の如く、図10に示す離型処理ルーチンでは、基板6から上側モールド503a及び下側モールド503bを夫々離型するにあたり、モールド(503a、503b)を、その凹凸パターン面側をモールドの中心を頂点として隆起させた、図11(b)及び図12(b)に示す如き形態で撓ませた状態で、夫々を基板6から引き離すようにしている。すなわち、まず、上側モールド把持駆動ユニット510a、ステージ上下駆動ユニット511、及びコントローラ200を含む第1離型手段により、上側モールド503aを撓ませる方向に所定加撓力を加え、この上側モールド503aを上方向に移動させることにより、この上側モールド503aを基板6から離型させる。次に、下側モールド把持駆動ユニット510b、下側センターピン駆動ユニット507b、下側センターピン30b及びコントローラ200を含む第2離型手段により、下側モールド503bを撓ませる方向に所定加撓力を加え、基板6を上方向に移動させることにより、この下側モールド503bを基板6から離型させるのである。これにより、モールド(503a、503b)の凹凸パターンが、その外周から内周に向けて徐々に基板6の転写層(604a、604b)から剥がされる。よって、基板6が例えば磁気ディスク基板の如き比較的大面積を有するものであっても、全領域に亘り均一な剥離力にてその転写層(604a、604b)に転写された凹凸パターンを破壊することなく、モールド(503a、503b)を基板6から離型することが可能となる。更に、図10に示す離型処理ルーチンでは、上側モールド503aを基板6から離型するにあたり、図7の[状態13]に示す如く上側センターピン30aの先端部で基板6の最内周部を押圧して基板6の最内周部を撓ませることにより、この内周部での剥離力の均一化を図り、凹凸パターンの破壊を防止するようにしている。
As described above, in the release processing routine shown in FIG. 10, when the
尚、図10に示す離型処理では、基板からモールドを離型する際に、上側モールド503aを撓ませると共に、基板6の内周領域を撓ませるようにしているが、基板6を撓ませずに上側モールド503aだけを撓ませても良い。また、基板6の内周領域を撓ませるだけにしても良い。つまり、基板6における孔(CB)の周辺部を撓ませることにより、モールドと基板を、その孔の周辺部から離型させるのである。
In the mold release process shown in FIG. 10, when the mold is released from the substrate, the
要するに、基板からモールドを離型する際に、上側モールド503aを撓ませるべき動作、及び基板6を撓ませる動作の内の少なくとも一方を実行することにより、離型時における凹凸パターンの破壊防止を図るのである。なお、モールドと基板の何れか一方を撓ませた場合と、両方を撓ませた場合では、離型が生じる方向(内周から、または外周から)が、異なってくる場合がある。これは用いる基板やモールドの材質、剛性などによっても変化するため、適宜調整が必要である。
In short, when the mold is released from the substrate, at least one of the operation to bend the
又、図11(a)の如く上側モールド503aを撓ませた際に、上側モールド503aで基板6を押圧する押圧値を低下させる、もしくはゼロにすることにより、上側モールド503aを撓みやすくさせることができる。ここで、押圧値をゼロにするということは、上記モールド押圧動作によって上側モールド503aの凹凸パターンが基板6の転写層604aにめり込んでいるものの、凹凸パターンの凸部にかかる圧力値がゼロになるということである。よって、例えば、上記モールド押圧動作において上側モールド503aを基板6に押圧する際の押圧値PVADが、
PVAD=Q+U
Q:上側モールド503aを含む上側機構部の重量
U:上側機構部を下方向に移動させる力
で表せる場合には、上側機構部の下方向への移動を停止させ、更に上記Qに対応した力で上側機構部を引き上げることにより、基板6を押圧する押圧値をゼロにする、又は減少させるのである。また上記Q以下の力PVLL(後述する)で上側機構部を引き上げることにより、基板6を押圧する押圧力を上記Q以下に低下させることもできる。Further, when the
PV AD = Q + U
Q: Weight of upper mechanism part including
U: When expressed by a force that moves the upper mechanism part downward, the downward movement of the upper mechanism part is stopped, and the upper mechanism part is pulled up by a force corresponding to the above Q, whereby the
図13は、上述した如き、上側モールド503aを撓ませる際に基板6を押圧する押圧値を低下、もしくはゼロにする処理を含む離型処理ルーチンを示す図である。尚、図13に示す離型処理ルーチンは、図3のステップS15において図10に示される離型処理ルーチンに代わって実行されるものである。
FIG. 13 is a diagram showing a mold release process routine including a process of reducing or reducing the pressing value for pressing the
図13において、先ず、コントローラ200は、上側モールド503aを基板6に押しつける押圧値を低下させる、もしくはゼロにすべきステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給する(ステップS250)。ステップS250の実行により、インプリント装置は図6の[状態10]から図14の[状態11]に遷移する。すなわち、上側モールド保持部501aは、上側モールド503aを基板6に押し付ける動作を停止、つまり上側モールドによる基板6に対する押圧値を低下させる、もしくはゼロにして上側モールド503aの垂直方向における位置を固定する。次に、コントローラ200は、上側センターピン30aを下方向に移動させるべき上側センターピン移動信号CGUを上側センターピン駆動ユニット507aに供給する(ステップS251)。次に、コントローラ200は、上側センターピン30aが基板6に接触したか否かを判定する(ステップS252)。かかるステップS252において上側センターピン30aの先端が基板6に接触していないと判定された場合には、ステップS251の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。すなわち、図14の[状態12]に示す如く、上側センターピン30aの先端が基板6に接触するまで、上側センターピン30aを下方向に移動させるのである。ここで、上側センターピン30aの先端部が図9に示す如き基板6の最内周領域JAに接触したが故に、ステップS252にて上側センターピン30aが基板6に接触したと判定された場合、コントローラ200は、上側モールド503aの最外周領域GAを上方向に所定力fで押圧させるべき上側モールド把持信号MQUを上側モールド保持駆動ユニット510aに供給する(ステップS254)。これにより、上側モールド保持駆動ユニット510aの把持部509aは、図14の[状態13]に示すように、上側モールド503aの外縁部(最外周領域GA)を把持した状態で、この外縁部を上方向に撓ませるように所定力fで押圧する。尚、所定力fは、モールドを湾曲させる程度に大なる力である。よって、ステップS254の実行によれば、図15(a)に示すように、上側モールド保持部501aにおける上側モールド保持面DFUでの縁部を支点として上側モールド503aが湾曲し、その最外周領域GAが上方向に撓む。次に、コントローラ200は、上側ステージ505aを上方向に移動させるべきステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給する(ステップS255)。ステップS255の実行により、上側モールド保持部501aが上方向に移動し、図14の[状態14]に示す如く上側モールド503aが基板6から離型する。この際、上側モールド503aは、図15(a)に示す如くその最外周領域GAが上方向に撓んだ状態で上方向に移動して基板6から離間する。よって、移動直後、上側モールド503aは、図15(b)に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、先ず、図15(b)に示す如く、上側モールド503aのパターン領域PAの最外周部から、基板6の上側転写層604aに対する離型が生じる。そして、上側モールド503aが上方向に移動するにつれ、図15(b)〜図15(c)に示すように、上側モールド503aの外周部から内周部に向けて徐々にその凹凸パターンが基板6の上側転写層604aから離型するのである。ここで、上側モールド503aが基板6から完全に離型したら、コントローラ200は、下側モールド503bの最外周領域GAを下方向に所定力fで押圧させるべき下側モールド把持信号MQLを下側モールド保持駆動ユニット510bに供給する(ステップS256)。これにより、下側モールド保持駆動ユニット510bの把持部509bは、図7の[状態15]に示すように、下側モールド503bの外縁部(最外周領域GA)を把持した状態で、この外縁部を下方向に押し下げるように所定力fで押圧する。ステップS256の実行によれば、図12(a)に示すように、下側モールド保持部501bにおける下側モールド保持面DFLでの縁部を支点として、下側モールド503bの最外周領域GAが下方向に押し下げられる。次に、コントローラ200は、下側センターピン30bを所定位置にまで上昇させるべきセンターピン移動信号CGLを下側センターピン駆動ユニット507bに供給する(ステップS257)。ステップS257の実行により、下側センターピン30bは、図7の[状態16]に示すようにその第1支持部TB1と下側モールド保持部501bの下側モールド保持面DFLとが互いに同一平面上に位置するようになるまで、上方向に移動する。これにより、図12(a)に示すように、下側モールド503bの最外周領域GAが下方向に押し下げられた状態で、基板6が上方向に移動して下側モールド503bから離間する。よって、移動直後、下側モールド503bは、図12(b)に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、基板6が上方向に移動するにつれ、図12(b)に示す如く、下側モールド503bのパターン領域PAの最外周部から内周に向けて、基板6の下側転写層604bが離型して行く。その後、コントローラ200は、図13に示す離型処理ルーチンを抜ける。In FIG. 13, first, the
すなわち、図13に示す離型処理ルーチンでは、上側モールド503aで基板6を押圧する押圧値を低下させる、もしくはゼロにした(ステップS250)状態で、上側モールド503aを撓ませるべき動作(ステップS254)を実行するようにしている。これにより、図10に示す離型処理ルーチンを実行した場合に比して上側モールド503aの撓み量が増大するので、モールドの離型が容易に為されるようになり、基板の転写層に形成された凹凸パターンの破壊を確実に防ぐことが可能となる。
That is, in the mold release processing routine shown in FIG. 13, in the state where the pressing value for pressing the
尚、図13に示す離型処理ルーチンにおいて、上側モールド503aを撓ませつつ、基板6の内周領域に対する撓み動作を実行するようにしても良い。
In the mold release processing routine shown in FIG. 13, the bending operation for the inner peripheral region of the
図16は、かかる点に鑑みて為された離型処理ルーチンを示す図である。尚、図16に示す離型処理ルーチンは、図3のステップS15において図13に示される離型処理ルーチンに代わって実行されるものである。 FIG. 16 is a diagram showing a release processing routine performed in view of the above points. Note that the release processing routine shown in FIG. 16 is executed in place of the release processing routine shown in FIG. 13 in step S15 of FIG.
図16において、先ず、コントローラ200は、上側モールド503aを基板6に押しつける押圧値を低下させる、もしくはゼロにすべきステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給する(ステップS350)。ステップS350の実行により、インプリント装置は図6の[状態10]から図17の[状態11]に遷移する。すなわち、上側モールド保持部501aは、上側モールド503aを基板6に押し付ける動作を停止、つまり基板6に対する押圧値を低下させる、もしくはゼロにして上側モールド503aの垂直方向における位置を固定する。次に、コントローラ200は、上側センターピン30aを下方向に移動させるべき上側センターピン移動信号CGUを上側センターピン駆動ユニット507aに供給する(ステップS351)。次に、コントローラ200は、上側センターピン30aが基板6に接触したか否かを判定する(ステップS352)。かかるステップS352において上側センターピン30aの先端が基板6に接触していないと判定された場合には、ステップS351の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。すなわち、図17の[状態12]に示す如く、上側センターピン30aの先端が基板6に接触するまで、上側センターピン30aを下方向に移動させるのである。ここで、ステップS352において上側センターピン30aが基板6に接触したと判定された場合、コントローラ200は、所定力Fで上側センターピン30aを基板6に押圧させるべき上側センターピン移動信号CGUを上側センターピン駆動ユニット507aに供給する(ステップS353)。これにより、図17の[状態12]の如く、上側センターピン30a及び下側センターピン30bが、基板6の最内周領域にてこの基板6を挟み込んで支持しつつ、上側センターピン30aの先端部で基板6の最内周領域を下方向に所定力Fで押圧する。この際、図18(a)に示すように、上側センターピン30aにて、基板6の最内周領域に所定力Fが印加されると、基板6の最内周部に撓みが生じる。次に、コントローラ200は、上側モールド503aの最外周領域GAを上方向に所定力fで押圧させるべき上側モールド把持信号MQUを上側モールド保持駆動ユニット510aに供給する(ステップS354)。これにより、上側モールド保持駆動ユニット510aの把持部509aは、図17の[状態13]に示すように、上側モールド503aの外縁部(最外周領域GA)を把持した状態で、この外縁部を上方向に撓ませるように所定力fで押圧する。尚、所定力fは、モールドを湾曲させる程度に大なる力である。よって、ステップS354の実行によれば、図18(a)に示すように、上側モールド保持部501aにおける上側モールド保持面DFUでの縁部を支点として上側モールド503aが湾曲し、その最外周領域GAが上方向に撓む。次に、コントローラ200は、上側ステージ505aを上方向に移動させるべきステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給する(ステップS355)。ステップS355の実行により、上側モールド保持部501aが上方向に移動し、図17の[状態14]に示す如く上側モールド503aが基板6から離型する。この際、上側モールド503aは、図18(a)に示す如くその最外周領域GAが上方向に撓んだ状態で上方向に移動して基板6から離間する。よって、移動直後、上側モールド503aは、図18(b)に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、先ず、図18(b)に示す如く、上側モールド503aのパターン領域PAの最外周部から、基板6の上側転写層604aに対する離型が生じる。そして、上側モールド503aが上方向に移動するにつれ、図18(b)〜図18(c)に示すように、上側モールド503aの外周部から内周部に向けて徐々にその凹凸パターンが基板6の上側転写層604aから離型するのである。In FIG. 16, first, the
ここで、上側モールド503aが基板6から完全に離型したら、コントローラ200は、下側モールド503bの最外周領域GAを下方向に所定力fで押圧させるべき下側モールド把持信号MQLを下側モールド保持駆動ユニット510bに供給する(ステップS356)。これにより、下側モールド保持駆動ユニット510bの把持部509bは、図7の[状態15]に示すように、下側モールド503bの外縁部(最外周領域GA)を把持した状態で、この外縁部を下方向に押し下げるように所定力fで押圧する。ステップS356の実行によれば、図12(a)に示すように、下側モールド保持部501bにおける下側モールド保持面DFLでの縁部を支点として、下側モールド503bの最外周領域GAが下方向に押し下げられる。次に、コントローラ200は、下側センターピン30bを所定位置にまで上昇させるべきセンターピン移動信号CGLを下側センターピン駆動ユニット507bに供給する(ステップS357)。ステップS357の実行により、下側センターピン30bは、その第1支持部TB1と下側モールド保持部501bの下側モールド保持面DFLとが互いに同一平面上に位置するようになるまで、上方向に移動する。これにより、図12(a)に示すように、下側モールド503bの最外周領域GAが下方向に押し下げられた状態で、基板6が上方向に移動して下側モールド503bから離間する。よって、移動直後、下側モールド503bは、図12(b)に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、基板6が上方向に移動するにつれ、図12(b)に示す如く、下側モールド503bのパターン領域PAの最外周部から内周に向けて、基板6の下側転写層604bが離型して行く。その後、コントローラ200は、図16に示す離型処理ルーチンを抜ける。Here, when the
このように、図16に示す離型処理ルーチンでは、モールドを基板に押しつける押圧値を低下させる、もしくはゼロにした状態で、モールド(503a、503b)を撓ませるべき動作(ステップS354、S356)と共に、基板の最内周部を撓ませるべき動作(ステップS353)を実行するようにしている。これにより、図13に示す離型処理ルーチンを実行した場合に比して、モールド内周部での凹凸パターンの破壊を確実に防止することが可能となる。 As described above, in the mold release processing routine shown in FIG. 16, with the operation (steps S354, S356) to bend the mold (503a, 503b) in a state where the pressing value for pressing the mold against the substrate is reduced or zero. The operation (step S353) to bend the innermost peripheral portion of the substrate is performed. This makes it possible to reliably prevent the concavo-convex pattern from being broken at the inner periphery of the mold, as compared with the case where the mold release processing routine shown in FIG. 13 is executed.
尚、図16に示す離型処理では、基板6を内周領域を撓ませると共に、上側モールド503aを撓ませるようにしているが、基板6の内周領域を撓ませるだけでも良い。要するに、基板からモールドを離型する際に、モールドを基板に押しつける押圧値を低下させる、もしくはゼロにした状態で、モールド及び基板の内の少なくとも一方を撓ませることにより、離型時における凹凸パターンの破壊防止を図るのである。
In the mold release process shown in FIG. 16, the
又、上記実施例では、基板の両面に夫々押圧されたモールドを離型する場合を一例にとってモールド離型動作について説明したが、基板の片面側だけに押圧されたモールドを離型する場合にも同様に適用可能である。 In the above embodiment, the mold releasing operation has been described by taking as an example the case where the molds pressed on both sides of the substrate are released, but also when the mold pressed only on one side of the substrate is released. The same applies.
以下に、基板の片面側だけに押圧されたモールドをこの基板から離型する場合におけるモールド離型動作について説明する。 The mold release operation in the case where the mold pressed only on one side of the substrate is released from the substrate will be described below.
図19は、図1に示すインプリント装置において、上側モールド503a及び下側モールド503bの内の上側モールド503aを用いて基板6の上側転写層604aだけに凹凸パターンの転写を行った後に、この上側モールド503aを基板6から離型すべく実施される離型処理ルーチンを示す図である。尚、かかる離型処理ルーチンを実行する直前の段階で、インプリント装置は、図20の[状態11]にあるものとする。
FIG. 19 shows the imprint apparatus shown in FIG. 1, after transferring the concavo-convex pattern only to the
図19において、先ず、コントローラ200は、上側モールド503aを基板6に押しつける押圧値を低下させる、もしくはゼロにすべきステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給する(ステップS449)。ステップS449の実行により、上側モールド保持部501aは、上側モールド503aを基板6に押し付ける動作を停止、つまり基板6に対する押圧値を低下させる、もしくはゼロにして上側モールド503aの垂直方向における位置を固定する。次に、コントローラ200は、上側ステージ505aを上方向に移動させるべきステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給すると共に、この上側ステージ505aの上方向への移動に追従させて下側センターピン30bを上方向に移動させるべきセンターピン移動信号CGLを下側センターピン駆動ユニット507bに供給する(ステップS450)。ステップS450の実行により、図20の[状態12]に示すように、基板6は上側モールド503aが接着した状態のまま下側モールド保持部501bから離間する。次に、コントローラ200は、上側センターピン30aを下方向に移動させるべき上側センターピン移動信号CGUを上側センターピン駆動ユニット507aに供給する(ステップS451)。次に、コントローラ200は、上側センターピン30aが基板6に接触したか否かを判定する(ステップS452)。かかるステップS452において上側センターピン30aの先端が基板6に接触していないと判定された場合には、ステップS451の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。すなわち、図20の[状態13]に示す如く、上側センターピン30aの先端が基板6に接触するまで、上側センターピン30aを下方向に移動させるのである。上記ステップS452において上側センターピン30aが基板6に接触したと判定された場合、コントローラ200は、所定力Fで上側センターピン30aを基板6に押圧させるべき上側センターピン移動信号CGUを上側センターピン駆動ユニット507aに供給する(ステップS453)。これにより、図20の[状態13]の如く、上側センターピン30a及び下側センターピン30bが、基板6の最内周領域にてこの基板6を挟み込んで支持しつつ、上側センターピン30aの先端部で基板6の最内周領域を下方向に所定力Fで押圧する。この際、上側センターピン30aによって、基板6の最内周領域に所定力Fが印加されると、基板6の最内周部に撓みが生じる。次に、コントローラ200は、上側モールド503aの最外周領域GAを上方向に所定力fで押圧させるべき上側モールド把持信号MQUを上側モールド保持駆動ユニット510aに供給する(ステップS454)。これにより、上側モールド保持駆動ユニット510aの把持部509aは、図20の[状態13]に示すように、上側モールド503aの外縁部(最外周領域GA)を把持した状態で、この外縁部を撓ませるように所定力fで押圧する。よって、ステップS454の実行によれば、図21(a)に示すように、上側モールド保持部501aにおける上側モールド保持面DFUでの縁部を支点として、上側モールド503aの最外周領域GAが上方向に撓む。次に、コントローラ200は、上側ステージ505aを上方向に移動させるべきステージ駆動信号SGをステージ上下駆動ユニット511に供給する(ステップS455)。ステップS455の実行により、上側モールド保持部501aが上方向に移動し、図20の[状態14]に示す如く上側モールド503aが基板6から離型する。この際、上側モールド503aは、図21(a)に示す如くその最外周領域GAが上方向に撓んだ状態で上方向に移動して基板6から離間する。よって、移動直後、上側モールド503aは、図21(b)に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、先ず、図21(b)に示す如く、上側モールド503aのパターン領域PAの最外周部から、基板6の上側転写層604aに対する離型が生じる。そして、上側モールド503aが上方向に移動するにつれ、図21(c)に示すように、上側モールド503aの外周部から内周部に向けて徐々にその凹凸パターンが基板6の上側転写層604aから離型するのである。In FIG. 19, first, the
ここで、図13、図16、図19に示す離型処理ルーチンでは、モールド離型時において上側モールド503aの撓み量を増大させるべく、ステップS255、S355、S45において上側モールド503aで基板6を押圧する押圧値を低下(又は0)させるようにしているが、その押圧値の各段階毎の遷移を図22に示す。図22に示すように、上側モールド503a及び下側モールド503b各々を押圧値PVADで基板6に押圧させるべく下方に向けて掛けていた上側ステージ505aの駆動力PVADを、離型動作の初期段階、つまり、図14、図17、図20各々の[状態11]〜[状態13]の段階で、上方に向けた駆動力PVLLに変更する。この際、駆動力PVLLは、上側モールド503aを含む上側機構部の重量を支える力よりも僅かに小である。よって、このような駆動力PVLLを上方向に向けて掛けることにより、図22の一点鎖線に示すように、上側ステージ505aの上下方向での位置を押圧時の位置から変更せずに、基板6に掛かる力のみを低下(又はゼロ)させるのである。Here, in the mold release processing routine shown in FIGS. 13, 16, and 19, the
尚、上記実施例では、離型動作時においてモールド(503a、503b)を撓ませるべく、複数の把持部(509a又は509b)にて同時にモールドの外縁部に所定力fを掛けるようにしているが、各把持部毎に所定力fを掛け始める開始タイミングをずらすようにしても良い。例えば、図23に示すように、モールド(503a、503b)の外縁部の3箇所を、3つの把持部509a1〜509a3(509b1〜509b3)で夫々把持する場合、上記ステップS154、S254、S354又はS454では、把持部509a1、509a2、509a3の順に、上側モールド503aの外縁部に所定力fを掛けて行く。又、ステップS156、S256、又はS356では、把持部509b1、509b2、509b3の順に、下側モールド503bの外縁部に所定力fを掛けて行くのである。In the above embodiment, a predetermined force f is simultaneously applied to the outer edge of the mold by a plurality of gripping portions (509a or 509b) in order to bend the mold (503a, 503b) during the mold release operation. The start timing at which the predetermined force f starts to be applied for each gripping part may be shifted. For example, as shown in FIG. 23, the mold (503a, 503b) and three of the outer edge portion of the case of each gripping with three gripper 509 a1 ~509 a3 (509 b1 ~509 b3), step S154, S254 in S354 or S454, the order of the grip portion 509 a1, 509 a2, 509 a3 , go over the predetermined force f at the outer edge of the
又、上記実施例では、上側モールド保持部501a及び下側モールド保持部501bとして、透明材料からなるものを採用しているが、全体が透明材料で構築されている必要は無い。要するに、上側モールド保持部501a及び下側モールド保持部501b各々において、少なくともUV照射ユニット(508a、508b)から発せられた紫外線の照射軸上の領域が、この紫外線を透過する透明材料で構築されていれば良い。
Moreover, in the said Example, although what consists of a transparent material is employ | adopted as the upper mold holding |
又、図1に示すインプリント装置では、開口部(100a、100b)により、ステージ(505a、505b)及びモールド保持部(501a、501b)に囲まれてなる空間の領域が形成されているが、この領域を透明な石英部材で構築するようにしても良い。 In the imprint apparatus shown in FIG. 1, a space region surrounded by the stage (505a, 505b) and the mold holding unit (501a, 501b) is formed by the opening (100a, 100b). This region may be constructed of a transparent quartz member.
【0001】
技術分野
[0001]
本発明は、被転写体に凹凸パターンを転写する転写装置及び転写方法に関する。
背景技術
[0002]
現在、凹凸状の微細パターンを各種部材の表面に転写する転写装置が提案されている(例えば、特許文献1の図7及び図8参照)。かかる転写装置においては、型に形成されている微細な転写パターンを被成型品に転写した後に、被成型品から前記型を離す動作の際に、型、被成型品の少なくともいずれかを変形させて、被成型品から型を離す分離手段を有することが開示されている(特に[0120]〜[0121]の記述)。これにより、被転写体に形成される微細なパターンを破壊することなくモールドを被転写体から離型できるようにしている。
先行技術文献
特許文献
[0003]
特許文献1:特開2009−56762号公報
特許文献2:特開2009−60091号公報
発明の開示
発明が解決しようとする課題
[0004]
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、転写パターンを破壊させることなく良好にモールドを被転写体から離型させることが可能な転写装置及び転写方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0005]
請求項1による転写装置は、モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写装置であって、前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧手段と、前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力を低下させる、[0001]
Technical field [0001]
The present invention relates to a transfer apparatus and a transfer method for transferring an uneven pattern to a transfer target.
Background art [0002]
Currently, there has been proposed a transfer device that transfers an uneven fine pattern onto the surface of various members (see, for example, FIGS. 7 and 8 of Patent Document 1). In such a transfer apparatus, after transferring the fine transfer pattern formed on the mold to the molded product, at the time of separating the mold from the molded product, at least one of the mold and the molded product is deformed. Thus, it is disclosed to have a separating means for separating the mold from the molded product (especially, description of [0120] to [0121]). Thus, the mold can be released from the transferred body without destroying the fine pattern formed on the transferred body.
Prior Art Literature Patent Literature [0003]
Patent Document 1: JP 2009-56762 A Patent Document 2: JP 2009-60091 A Disclosure of the Invention [0004]
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a transfer apparatus and a transfer method capable of releasing a mold from a transfer target well without destroying a transfer pattern. .
Means for Solving the Problems [0005]
The transfer device according to
【0002】
若しくはゼロにする減圧手段と、前記被転写体を内周部側から第一の方向に撓ませる加撓手段と、前記モールドと前記加撓手段によって撓みの生じた前記被転写体とを離型させる離型手段と、を有する。
[0006]
又、請求項6記載による転写方法は、モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写方法であって、前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧ステップと、前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力を低下させる、若しくはゼロにする減圧ステップと、前記被転写体を内周部側から第一の方向に撓ませる加撓ステップと、前記加撓ステップによって撓みの生じた前記被転写体と前記モールドとを離型させる離型ステップと、を有する。
又、請求項7記載によるプログラムは、モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写装置に搭載されているコントローラで実行するプログラムであって、前記モールドと前記被転写体とを押圧させるべく前記転写装置を制御する押圧ステップと、前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力を低下させる若しくはゼロにすべく前記転写装置を制御する減圧ステップと、前記被転写体を内周部側から第一の方向に撓ませるべく前記転写装置を制御する加撓ステップと、前記加撓ステップの実行によって撓みの生じた前記被転写体と前記モールドとを離型させるべく前記転写装置を制御する離型ステップと、を有する。
図面の簡単な説明
[0007]
[図1]本発明に係るインプリント装置の概略構成を示す図である。
[図2]図1に示すインプリント装置において実施されるインプリント方法を示すフローチャートの一例を示す図である。
[図3]図1に示すインプリント装置において実施されるインプリント方法を示すフローチャートの一例を示す図である。
[図4]両面転写動作の各段階毎に、図1に示すインプリント装置の上側モールド保持部501a、下側モールド保持部501b及び下側センターピン30b各々の状態(位置関係)を模式的に表す図である。
[図5]両面転写動作の各段階毎に、図1に示すインプリント装置の上側モールド保持部501a、下側モールド保持部501b及び下側センターピン30b各々の状態(位置関係)を模式的に表す図である。
[図6]両面転写動作の各段階毎に、図1に示すインプリント装置の上側モールド保持部501a、下側モールド保持部501b及び下側センターピン30b各々の状態(位置関係)を模式的に表す図である。
[図7]両面転写動作の各段階毎に、図1に示すインプリント装置の上側モールド保持部501a、下側モールド保持部501b及び下側センターピン30b各々の状態(位置関係)を模式的に表す図である。
[図8]上側モールド503a及び下側モールド503bの概略構成を示す図で[0002]
Alternatively, the pressure reducing means for zeroing, the bending means for bending the transferred body in the first direction from the inner peripheral side, and the mold and the transferred body that has been bent by the bending means are released. Mold release means.
[0006]
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a transfer method for transferring a pattern formed on a mold to a transfer target, a pressing step for pressing the mold and the transfer target, the mold and the transfer target. Depressurization step for reducing or reducing the pressing force to press the transfer body, a bending step for bending the transfer body in the first direction from the inner peripheral side, and a bending caused by the bending step. And a mold release step for releasing the transferred object and the mold.
The program according to claim 7 is a program executed by a controller mounted on a transfer device that transfers a pattern formed on a mold to a transfer target, and presses the mold and the transfer target. A pressing step for controlling the transfer device, a pressure reducing step for controlling the transfer device to reduce or reduce a pressing force for pressing the mold and the transfer target, and an inner peripheral portion of the transfer target. A bending step for controlling the transfer device to bend in the first direction from the side, and the transfer device is controlled to release the mold from the transferred object and the mold that have been bent by the execution of the bending step. A mold release step.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [0007]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an imprint apparatus according to the present invention.
2 is a diagram showing an example of a flowchart showing an imprint method performed in the imprint apparatus shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a diagram showing an example of a flowchart showing an imprint method performed in the imprint apparatus shown in FIG. 1;
[FIG. 4] Each state (positional relationship) of the upper
[FIG. 5] Each state (positional relationship) of the upper
[FIG. 6] Each state (positional relationship) of the upper
[FIG. 7] Each state (positional relationship) of the upper
FIG. 8 is a diagram showing a schematic configuration of the
Claims (11)
前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧手段と、
前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力の少なくとも一部を打ち消す減圧手段と、
前記モールド又は前記被転写体の少なくとも一方を撓ませる加撓手段と、
前記モールドと前記被転写体とを離型させる離型手段と、を有することを特徴とする転写装置。A transfer device for transferring a pattern formed on a mold to a transfer target,
A pressing means for pressing the mold and the transfer object;
Pressure reducing means for canceling at least part of the pressing force for pressing the mold and the transfer object;
A bending means for bending at least one of the mold or the transfer object;
A transfer apparatus comprising: a mold release unit configured to release the mold and the transfer target.
前記押圧力の少なくとも一部が打ち消された状態で、前記モールド又は前記被転写体の少なくとも一方を撓ませるべく前記加撓手段を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項1記載の転写装置。The decompression means cancels a part of the pressing force when bending at least one of the mold or the transfer object,
2. The transfer according to claim 1, further comprising a control unit that controls the bending unit to bend at least one of the mold and the transfer target in a state where at least a part of the pressing force is canceled. apparatus.
前記加撓手段は、前記上側支持手段で前記被転写体を押圧することで前記被転写体を内周部から撓ませることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1に記載の転写装置。A lower support means for supporting the transfer object by penetrating through a hole formed in the transfer object; and an upper side for pressing the transfer object supported by the lower support means against the lower support means Supporting means,
The transfer device according to claim 1, wherein the bending unit bends the transfer target body from an inner peripheral portion by pressing the transfer target body with the upper support unit. .
前記制御手段は、前記外周部の複数の箇所に夫々異なるタイミングで力を加えさせることを特徴とする請求項3〜7のいずれか1に記載の転写装置。The bending means includes a grip portion that applies force to each of a plurality of locations on the outer peripheral portion of the mold,
The transfer device according to claim 3, wherein the control unit applies forces to the plurality of locations on the outer peripheral portion at different timings.
前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧ステップと、
前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力の少なくとも一部を打ち消す減圧ステップと、
前記モールド又は前記被転写体の少なくとも一方を撓ませる加撓ステップと、
前記モールドと前記被転写体とを離型させる離型ステップと、を有することを特徴とする転写方法。A transfer method for transferring a pattern formed on a mold to a transfer target,
A pressing step for pressing the mold and the transferred body;
A pressure reducing step for canceling at least a part of the pressing force for pressing the mold and the transfer target;
A bending step of bending at least one of the mold or the transfer object;
A transfer method comprising: a mold release step for releasing the mold and the transfer object.
前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧手段と、
前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力の少なくとも一部を打ち消す減圧手段と、
前記モールドを撓ませる加撓手段と、
前記モールドが撓んだ状態で、前記モールドと前記被転写体とを離型させる離型手段と、を有することを特徴とする転写装置。A transfer device for transferring a pattern formed on a mold to a transfer target,
A pressing means for pressing the mold and the transfer object;
Pressure reducing means for canceling at least part of the pressing force for pressing the mold and the transfer object;
Bending means for bending the mold;
A transfer apparatus comprising: a mold release unit configured to release the mold and the transfer target body in a state where the mold is bent.
前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧手段と、
前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力の少なくとも一部を打ち消す減圧手段と、
前記被転写体の少なくとも一方を撓ませる加撓手段と、
前記モールドが撓んだ状態で、前記モールドと前記被転写体とを離型させる離型手段と、を有することを特徴とする転写装置。A transfer device for transferring a pattern formed on a mold to a transfer target,
A pressing means for pressing the mold and the transfer object;
Pressure reducing means for canceling at least part of the pressing force for pressing the mold and the transfer object;
A bending means for bending at least one of the transferred bodies;
A transfer apparatus comprising: a mold release unit configured to release the mold and the transfer target body in a state where the mold is bent.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140325 |