JPWO2009093594A1 - Surface position detection apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents
Surface position detection apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2009093594A1 JPWO2009093594A1 JP2009550526A JP2009550526A JPWO2009093594A1 JP WO2009093594 A1 JPWO2009093594 A1 JP WO2009093594A1 JP 2009550526 A JP2009550526 A JP 2009550526A JP 2009550526 A JP2009550526 A JP 2009550526A JP WO2009093594 A1 JPWO2009093594 A1 JP WO2009093594A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light
- observation
- incident
- surface position
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
Abstract
光学部材の変動に影響されずに被検面の面位置を高精度に検出する。被検面(Wa)の近傍に設けられる参照面(9a)を有した参照部材(9)と、第1パターン面上の第1パターンからの測定光を被検面へ導いて第1パターンの中間像を投射し、第2パターン面上の第2パターンからの参照光を参照面に導いて第2パターンの中間像を投射する送光光学系(5〜8)と、被検面によって反射された測定光を第1観測面へ導いて第1パターンの観測像を形成し、参照面によって反射された参照光を第2観測面に導いて第2パターンの観測像を形成する受光光学系(15〜18)と、第1観測面における第1パターンの観測像の第1位置情報および第2観測面における第2パターンの観測像の第2位置情報を検出し、第1位置情報および第2位置情報に基づいて被検面の面位置を検出する検出部(11〜14;PR)とを備えている。The surface position of the test surface is detected with high accuracy without being affected by the fluctuation of the optical member. A reference member (9) having a reference surface (9a) provided in the vicinity of the test surface (Wa), and measurement light from the first pattern on the first pattern surface is guided to the test surface to form the first pattern. A light transmission optical system (5-8) that projects an intermediate image, guides the reference light from the second pattern on the second pattern surface to the reference surface, and projects the intermediate image of the second pattern, and is reflected by the test surface Receiving optical system that guides the measured light to the first observation surface to form an observation image of the first pattern, and guides the reference light reflected by the reference surface to the second observation surface to form the observation image of the second pattern (15-18) and the first position information of the first pattern observation image on the first observation plane and the second position information of the second pattern observation image on the second observation plane are detected, and the first position information and the first position information are detected. 2 Detection part (11-14; P which detects the surface position of a to-be-tested surface based on positional information ) And a.
Description
本発明は、被検面の面位置を検出する面位置検出装置、露光装置、およびデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to a surface position detection apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method for detecting a surface position of a surface to be measured.
マスク上に形成されたパターンを、投影光学系を介して感光性基板上に転写する露光装置においては、投影光学系の焦点深度が浅く、感光性基板の転写面(露光面)が平坦でない場合もある。このため、露光装置では、投影光学系の結像面に対する感光性基板の転写面の位置決め調整を正確に行う必要がある。 In an exposure apparatus that transfers a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate via a projection optical system, the projection optical system has a shallow depth of focus, and the transfer surface (exposure surface) of the photosensitive substrate is not flat. There is also. For this reason, in the exposure apparatus, it is necessary to accurately adjust the positioning of the transfer surface of the photosensitive substrate with respect to the imaging surface of the projection optical system.
投影光学系の光軸方向に沿った感光性基板の面位置(転写面の面位置)を検出する面位置検出装置として、例えば斜入射型オートフォーカスセンサが知られている(特許文献1を参照)。この斜入射型オートフォーカスセンサでは、被検面としての感光性基板に対して斜め方向からスリットの像を投射し、被検面で反射された光により形成されるスリットの像の位置情報を検出し、この位置情報に基づいて感光性基板の面位置を検出する。 For example, a grazing incidence type autofocus sensor is known as a surface position detecting device for detecting the surface position of the photosensitive substrate (the surface position of the transfer surface) along the optical axis direction of the projection optical system (see Patent Document 1). ). In this oblique incidence type autofocus sensor, a slit image is projected from an oblique direction onto a photosensitive substrate as a test surface, and position information of the slit image formed by light reflected from the test surface is detected. The surface position of the photosensitive substrate is detected based on the position information.
上述の斜入射型オートフォーカスセンサにおいては、斜入射型オートフォーカスセンサを構成する光学系内の光学部材の変動(位置変動、屈折率変動等)が発生した場合、投影光学系の光軸方向に沿った感光性基板の面位置を正確に検出することができないという問題があった。 In the above-described grazing incidence type autofocus sensor, when a variation (position variation, refractive index variation, etc.) of an optical member in the optical system constituting the grazing incidence type autofocus sensor occurs, the optical axis direction of the projection optical system There is a problem that the surface position of the photosensitive substrate along the surface cannot be accurately detected.
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、光学部材の変動に影響されずに被検面の面位置を高精度に検出することのできる面位置検出装置、露光装置およびデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and is a surface position detection apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing device that can detect the surface position of a test surface with high accuracy without being affected by fluctuations in optical members. It aims to provide a method.
前記課題を解決するために、本発明の面位置検出装置では、被検面の近傍に設けられる参照面を有した参照部材と、第1パターン面上の第1パターンからの測定光を前記被検面へ導いて該被検面に対して前記第1パターンの中間像を投射し、第2パターン面上の第2パターンからの参照光を前記参照面に導いて該参照面に前記第2パターンの中間像を投射する送光光学系と、前記被検面によって反射された前記測定光を第1観測面へ導いて該第1観測面に前記第1パターンの観測像を形成し、前記参照面によって反射された前記参照光を第2観測面に導いて該第2観測面に前記第2パターンの観測像を形成する受光光学系と、前記第1観測面における前記第1パターンの観測像の第1位置情報および前記第2観測面における前記第2パターンの観測像の第2位置情報を検出し、該第1位置情報および該第2位置情報に基づいて前記被検面の面位置を検出する検出部と、を備えたことを特徴とする。 In order to solve the above-described problem, in the surface position detection apparatus of the present invention, a reference member having a reference surface provided in the vicinity of the test surface, and measurement light from the first pattern on the first pattern surface are transmitted to the test target. Guide to the inspection surface and project the intermediate image of the first pattern onto the inspection surface, guide the reference light from the second pattern on the second pattern surface to the reference surface and the second light on the reference surface. A light transmission optical system for projecting an intermediate image of the pattern, and the measurement light reflected by the test surface is guided to a first observation surface to form an observation image of the first pattern on the first observation surface, A light receiving optical system that guides the reference light reflected by the reference surface to the second observation surface to form an observation image of the second pattern on the second observation surface, and observation of the first pattern on the first observation surface First position information of the image and the second pattern on the second observation surface Detecting a second position information of the observation image, and wherein a detection section for detecting a surface position of the test surface based on the first position information and second position information, further comprising: a.
本発明の露光装置では、感光性基板にパターンを転写する露光装置において、上記の本発明の面位置検出装置と、前記面位置検出装置の検出結果に基づいて、前記パターンが設けられたパターン面または前記感光性基板の転写面の少なくとも一方の位置合わせをする位置合わせ手段と、を備え、前記面位置検出装置は、前記パターン面の面位置と前記転写面の面位置との少なくとも一方を前記被検面の面位置として検出することを特徴とする。 In the exposure apparatus of the present invention, in the exposure apparatus for transferring a pattern to a photosensitive substrate, the pattern surface on which the pattern is provided based on the surface position detection apparatus of the present invention and the detection result of the surface position detection apparatus. Or an alignment means for aligning at least one of the transfer surfaces of the photosensitive substrate, and the surface position detecting device determines at least one of the surface position of the pattern surface and the surface position of the transfer surface It is detected as a surface position of the surface to be measured.
本発明のデバイス製造方法では、上記の本発明の露光装置を用いて、前記パターンを前記感光性基板に転写する露光工程と、前記パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記パターンに対応する形状の転写パターン層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、前記転写パターン層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とする。 In the device manufacturing method of the present invention, using the above-described exposure apparatus of the present invention, an exposure step of transferring the pattern to the photosensitive substrate, and developing the photosensitive substrate to which the pattern has been transferred, form the pattern. It includes a developing step of forming a transfer pattern layer having a corresponding shape on the surface of the photosensitive substrate, and a processing step of processing the surface of the photosensitive substrate through the transfer pattern layer.
本発明の面位置検出装置では、参照光が被検面の近傍に設けられた参照面と、測定光と共通の光学部材とを経て第2観測面まで導かれる。その結果、参照光は、測定光とは異なり被検面の移動に関する情報を含まないが、測定光と同様に光学部材の変動の影響に関する情報を含んでいる。したがって、例えば参照光の観測像の位置ずれ量に基づいて、光学部材の変動に起因する被検面の面位置の検出誤差を計測することができる。 In the surface position detection apparatus of the present invention, the reference light is guided to the second observation surface through the reference surface provided in the vicinity of the test surface and the optical member common to the measurement light. As a result, unlike the measurement light, the reference light does not include information regarding the movement of the test surface, but includes information regarding the influence of fluctuations in the optical member as with the measurement light. Therefore, for example, based on the positional deviation amount of the observation image of the reference light, it is possible to measure the detection error of the surface position of the test surface due to the fluctuation of the optical member.
このため、本発明の面位置検出装置、露光装置およびデバイス製造方法では、参照光による観測像の検出結果と測定光による観測像の検出結果とに基づいて、被検面の面位置を高精度に検出することができる。 For this reason, in the surface position detection apparatus, the exposure apparatus, and the device manufacturing method of the present invention, the surface position of the surface to be measured is accurately determined based on the observation image detection result using the reference light and the observation image detection result using the measurement light. Can be detected.
1 光源
2 コンデンサーレンズ
3,4 送光プリズム
5,7,15,17 対物レンズ
6 振動ミラー
8,18 落射プリズム
11 光検出器
12 リレーレンズ
13,14 受光プリズム
PR 信号処理部
CR 制御部
R レチクル
RS レチクルステージ
PL 投影光学系
W ウェハ
WS ウェハステージDESCRIPTION OF
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる面位置検出装置を備えた露光装置の構成を概略的に示す図である。図1では、投影光学系PLの光軸AXの方向にZ軸を、光軸AXに垂直な面内において図1の紙面に平行にX軸を、図1の紙面に垂直にY軸を設定している。本実施形態では、露光装置における感光性基板の面位置の検出に対して本発明の面位置検出装置を適用している。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus provided with a surface position detection apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the Z axis is set in the direction of the optical axis AX of the projection optical system PL, the X axis is set parallel to the paper surface of FIG. 1 in the plane perpendicular to the optical axis AX, and the Y axis is set perpendicular to the paper surface of FIG. is doing. In this embodiment, the surface position detection device of the present invention is applied to the detection of the surface position of the photosensitive substrate in the exposure apparatus.
図示の露光装置は、露光用光源(不図示)から射出された照明光(露光光)で、所定のパターンが形成されたマスクとしてのレチクルRを照明する照明系ILを備えている。レチクルRは、レチクルステージRS上においてXY平面に平行に保持されている。レチクルステージRSは、図示を省略した駆動系の作用により、XY平面に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標はレチクル干渉計(不図示)によって計測され且つ位置制御されるように構成されている。 The illustrated exposure apparatus includes an illumination system IL that illuminates a reticle R as a mask on which a predetermined pattern is formed with illumination light (exposure light) emitted from an exposure light source (not shown). The reticle R is held parallel to the XY plane on the reticle stage RS. Reticle stage RS can be moved two-dimensionally along the XY plane by the action of a drive system (not shown), and its position coordinates are measured and controlled by a reticle interferometer (not shown). It is configured.
レチクルRを透過した露光光は、投影光学系PLを介して、感光性基板であるウェハWの表面(転写面)Wa上にレチクルパターン像を形成する。ウェハWは、ウェハステージWS上においてXY平面に沿って保持されている。ウェハステージWSは、図示を省略した駆動系の作用により、レベリング(水平出し)、Z方向(フォーカシング方向)移動、XY平面に沿った二次元的な移動、およびZ軸廻りの回転が可能であり、その位置座標はウェハ干渉計(不図示)によって計測され且つ位置制御されるように構成されている。 The exposure light transmitted through the reticle R forms a reticle pattern image on the surface (transfer surface) Wa of the wafer W, which is a photosensitive substrate, via the projection optical system PL. The wafer W is held along the XY plane on the wafer stage WS. The wafer stage WS can be leveled (leveled), moved in the Z direction (focusing direction), moved two-dimensionally along the XY plane, and rotated around the Z axis by the action of a drive system (not shown). The position coordinates are measured and controlled by a wafer interferometer (not shown).
レチクルRのパターン面上に設けられた回路パターンをウェハWの転写面Wa上の各露光領域に良好に転写するには、各露光領域への露光毎に、投影光学系PLによる結像面を中心とした焦点深度の幅の範囲内に、現在の露光領域を位置合わせする必要がある。そのためには、現在の露光領域における各点の光軸AXに沿った位置、つまり現在の露光領域の面位置を正確に検出した後に、その検出結果に基づいて、ウェハステージWSのレベリングおよびZ方向の移動を、ひいてはウェハWのレベリングおよびZ方向の移動を行えば良い。 In order to satisfactorily transfer the circuit pattern provided on the pattern surface of the reticle R to each exposure area on the transfer surface Wa of the wafer W, an image plane formed by the projection optical system PL is provided for each exposure area. It is necessary to align the current exposure area within the range of the focal depth width. For this purpose, after accurately detecting the position of each point in the current exposure area along the optical axis AX, that is, the surface position of the current exposure area, the leveling of the wafer stage WS and the Z direction are performed based on the detection result. Therefore, the wafer W may be leveled and moved in the Z direction.
そこで、本実施形態の露光装置は、露光領域の面位置を検出するための面位置検出装置を備えている。図1を参照すると、本実施形態の面位置検出装置は、その検出に用いる光を供給する光源1を備えている。一般に、被検面であるウェハWの表面は、レジスト等の薄膜で覆われている。したがって、この薄膜による干渉の影響を低減するために、光源1は波長幅の広い白色光源(たとえば、波長幅が600〜900nmの照明光を供給するハロゲンランプや、これと同様の帯域の広い照明光を供給するキセノン光源など)であることが望ましい。なお、光源1として、レジストに対する感光性の弱い波長帯の光を供給する発光ダイオードを用いることもできる。
Therefore, the exposure apparatus of the present embodiment includes a surface position detection device for detecting the surface position of the exposure region. Referring to FIG. 1, the surface position detection apparatus of the present embodiment includes a
光源1からの光は、コンデンサーレンズ2を介して、測定光用の送光プリズム3および参照光用の送光プリズム4に入射する。送光プリズム3および4は、コンデンサーレンズ2からの光を、屈折作用により−Z方向に向けて偏向させる。送光プリズム3の射出面(第1パターン面)3aには、例えば図2に示すように、複数の測定光用の送光スリットS1〜S12(第1パターン)を有する送光パターンが設けられている。送光プリズム4の射出面(第2パターン面)4aには、例えば図2に示すように、複数の参照光用の送光スリットS13〜S15(第2パターン)が設けられている。
The light from the
また、送光プリズム3の射出面3aと送光プリズム4の射出面4aとは互いに平行に設けられている。図2では、射出面3aにおいて全体座標のY軸に平行な方向にy1軸を、y1軸と直交する方向にx1軸を設定している。
The
送光スリットS1〜S15は、例えばx1方向およびy1方向と45度をなす斜め方向に細長く延びる矩形状(スリット状)の光透過部であり、送光スリットS1〜S15以外の領域は遮光部である。測定光用の送光スリットS1〜S12はx1方向に沿って所定のピッチで配列され、参照光用の送光スリットS13〜S15は測定光用の送光スリットS1〜S12からy1方向に間隔を隔てて設けられ且つx1方向に沿って所定のピッチで配列されている。 The light transmission slits S1 to S15 are rectangular (slit-shaped) light transmission portions that are elongated in an oblique direction, for example, 45 degrees with the x1 direction and the y1 direction, and the regions other than the light transmission slits S1 to S15 are light shielding portions. is there. The light transmission slits S1 to S12 for measurement light are arranged at a predetermined pitch along the x1 direction, and the light transmission slits S13 to S15 for reference light are spaced from the light transmission slits S1 to S12 for measurement light in the y1 direction. They are spaced apart and arranged at a predetermined pitch along the x1 direction.
また、送光スリットS13のx1座標は送光スリットS2とS3との中間位置のx1座標と一致し、送光スリットS14のx1座標は送光スリットS6とS7との中間位置のx1座標と一致し、送光スリットS15のx1座標は送光スリットS10とS11との中間位置のx1座標と一致している。 Further, the x1 coordinate of the light transmission slit S13 coincides with the x1 coordinate of the intermediate position between the light transmission slits S2 and S3, and the x1 coordinate of the light transmission slit S14 matches the x1 coordinate of the intermediate position between the light transmission slits S6 and S7. In addition, the x1 coordinate of the light transmission slit S15 coincides with the x1 coordinate of the intermediate position between the light transmission slits S10 and S11.
光源1およびコンデンサーレンズ2は、測定光用の送光スリットS1〜S12と参照光用の送光スリットS13〜S15とを一括して照明する一括照明装置を構成している。送光スリットS1〜S12を通過した光は、測定光として、ウェハWの面位置の検出に用いられる。送光スリットS13〜S15を通過した光は、参照光として、面位置検出装置の検出誤差の計測に用いられる。なお、送光スリットの形状、数、配列、形態などについて様々な変形例が可能であり、測定光を規定する第1パターンおよび参照光を規定する第2パターンについて様々な形態が可能である。
The
送光スリットS1〜S12を通過した測定光および送光スリットS13〜S15を通過した参照光は、第2対物レンズ5、走査手段としての振動ミラー6、および第1対物レンズ7を介して、落射プリズム8に入射する。第2対物レンズ5および第1対物レンズ7は、協働して送光スリットS1〜S15の中間像を所定倍率で形成する。振動ミラー6は、第1対物レンズ7の前側焦点位置に配置され、図1中矢印で示すようにY軸廻りに回動可能に構成されている。落射プリズム8は、XZ平面に沿って平行四辺形状の断面を有する柱状のプリズム部材である。
The measurement light that has passed through the light transmission slits S1 to S12 and the reference light that has passed through the light transmission slits S13 to S15 are incident on the second
図3において実線で示す測定光路に沿って落射プリズム8の入射面8aに入射した測定光Lmは、反射面8bおよび8cで順次反射されてZ方向に平行移動された後、射出面8dから図中実線で示す測定光路(XZ平面内の測定光路)に沿って、ウェハWの表面すなわち被検面としての転写面Wa上の検出領域Aに斜め方向から入射する。この入射角は、例えば80度以上90度未満の大きな角度に設定される。一方、図中破線で示す参照光路に沿って落射プリズム8の入射面8aに入射した参照光Lrは、反射面8bおよび8cで順次反射されてZ方向に平行移動された後、射出面8dから図中破線で示す参照光路(XZ平面内の参照光路)に沿って、平面ミラー9の表面の反射面9aに斜め方向から入射する。この入射角は、転写面Waに対する測定光Lmの入射角に等しく設定されている。なお、図3において、実線で示す測定光路と破線で示す参照光路とは、Z方向だけでなくY方向にも平行に離間している。
The measurement light Lm incident on the
こうして、検出領域Aには、測定光用の送光スリットS1〜S12の中間像が投射される。すなわち、検出領域Aには、送光スリットS1〜S12に対応して、X方向およびY方向と45度をなす斜め方向に細長く延びる12個の測定光照射領域がX方向に沿って所定のピッチで形成される。各測定光照射領域の中心は、検出領域Aにおける検出点に対応している。また、平面ミラー9の反射面9aには、参照光用の送光スリットS13〜S15の中間像が投射され、送光スリットS13〜S15に対応して、X方向およびY方向と45度をなす斜め方向に細長く延びる3個の矩形状の参照光照射領域がX方向に沿って所定のピッチで形成される。
Thus, an intermediate image of the measurement light transmission slits S1 to S12 is projected onto the detection region A. That is, in the detection area A, twelve measurement light irradiation areas extending in an oblique direction that forms 45 degrees with the X direction and the Y direction corresponding to the light transmission slits S1 to S12 have a predetermined pitch along the X direction. Formed with. The center of each measurement light irradiation region corresponds to the detection point in the detection region A. Further, an intermediate image of the reference light transmitting slits S13 to S15 is projected onto the reflecting
このように、平面ミラー9は、転写面Waの近傍に設けられた参照面としての反射面9aを有する参照部材を構成している。また、第2対物レンズ5、振動ミラー6、第1対物レンズ7、および落射プリズム8は、射出面3a上の送光スリットS1〜S12からの測定光を転写面Waへ導いて送光スリットS1〜S12の中間像を転写面Waに投射し、射出面4a上の送光スリットS13〜S15からの参照光を反射面9aに導いて送光スリットS13〜S15の中間像を反射面9aに投射する送光光学系を構成している。ここで、射出面3aは、送光光学系による転写面Waの共役面もしくはその近傍の面に配置され、射出面4aは、送光光学系による反射面9aの共役面もしくはその近傍の面に配置されている。
Thus, the
転写面Waによって反射された測定光Lmおよび反射面9aによって反射された参照光Lrは、落射プリズム18に入射する。落射プリズム18は、所定のYZ平面(例えば、光軸AXを含むYZ平面)に関して落射プリズム8と対称な位置に配置され且つ対称的な構成を有する。具体的には、落射プリズム18は、落射プリズム8を射出面8dについて反転した構成を有する。したがって、落射プリズム18の入射面18aに入射した測定光Lmおよび参照光Lrは、反射面18bおよび18cで順次反射されてZ方向に平行移動された後、射出面18dから射出される。
The measurement light Lm reflected by the transfer surface Wa and the reference light Lr reflected by the
図1を参照すると、落射プリズム18から射出された測定光は、第1対物レンズ17、ミラー16、および第2対物レンズ15を介して、測定光用の受光プリズム13に入射する。落射プリズム18から射出された参照光は、第1対物レンズ17、ミラー16、および第2対物レンズ15を介して、参照光用の受光プリズム14に入射する。第1対物レンズ17、ミラー16、および第2対物レンズ15は、所定のYZ平面(例えば、光軸AXを含むYZ平面)に関して、第1対物レンズ7、振動ミラー6、および第2対物レンズ5とそれぞれ対称な位置に配置され且つそれぞれ対称的な構成を有する。ただし、ミラー16は、振動ミラー6とは異なり、固定的に設置されている。
Referring to FIG. 1, the measurement light emitted from the epi-
受光プリズム13および14は、所定のYZ平面(例えば、光軸AXを含むYZ平面)に関して送光プリズム3および4とそれぞれ対称な位置に配置され且つそれぞれ対称的な構成を有する。
The
ただし、受光プリズム13の入射面13a(送光プリズム3の射出面3aに対応する面)には、図4に示すように、送光スリットS1〜S12に対応した12個の受光スリットSa1〜Sa12が設けられている。また、受光プリズム14の入射面14a(送光プリズム4の射出面4aに対応する面)には、図4に示すように、送光スリットS13〜S15に対応した3個の受光スリットSa13〜Sa15が設けられている。図4では、受光プリズム14の入射面14aと平行な受光プリズム13の入射面13aにおいて全体座標のY軸に平行な方向にy2軸を、入射面13aにおいてy2軸と直交する方向にx2軸を設定している。
However, as shown in FIG. 4, twelve light receiving slits Sa1 to Sa12 corresponding to the light transmitting slits S1 to S12 are formed on the
受光スリットSa1〜Sa15はx2方向およびy2方向と45度をなす斜め方向に細長く延びる矩形状(スリット状)の光透過部であり、受光スリットSa1〜Sa15以外の領域は遮光部である。受光スリットSa1〜Sa12はx2方向に沿って所定のピッチで配列され、受光スリットSa13〜Sa15は受光スリットSa1〜Sa12からy2方向に間隔を隔てて設けられ、且つx2方向に沿って所定のピッチで配列されている。 The light receiving slits Sa <b> 1 to Sa <b> 15 are rectangular (slit-shaped) light transmitting portions that are elongated in an oblique direction forming 45 degrees with the x <b> 2 direction and the y <b> 2 direction, and regions other than the light receiving slits Sa <b> 1 to Sa <b> 15 are light shielding portions. The light receiving slits Sa1 to Sa12 are arranged at a predetermined pitch along the x2 direction, and the light receiving slits Sa13 to Sa15 are spaced apart from the light receiving slits Sa1 to Sa12 in the y2 direction, and at a predetermined pitch along the x2 direction. It is arranged.
受光プリズム13の入射面13aには測定光用の送光スリットS1〜S12の観測像が形成され、受光プリズム14の入射面14aには参照光用の送光スリットS13〜S15の観測像が形成される。すなわち、受光プリズム13の入射面13aには、送光スリットS1〜S12に対応して、x2方向およびy2方向と45度をなす斜め方向に細長く延びる12個の矩形状の測定観測像がx2方向に沿って所定のピッチで形成される。また、受光プリズム14の入射面14aには、送光スリットS13〜S15に対応して、x2方向およびy2方向と45度をなす斜め方向に細長く延びる3個の矩形状の参照観測像がx2方向に沿って所定のピッチで形成される。
Observation images of the measurement light transmission slits S1 to S12 are formed on the
このように、落射プリズム18、第1対物レンズ17、ミラー16、および第2対物レンズ15は、転写面Waによって反射された測定光を受光プリズム13の入射面(第1観測面)13aへ導いて入射面13aに送光スリットS1〜S12の測定観測像を形成し、反射面9aによって反射された参照光を受光プリズム14の入射面(第2観測面)14aへ導いて入射面14aに送光スリットS13〜S15の参照観測像を形成する受光光学系を構成している。すなわち、この受光光学系と前述の送光光学系とにより、入射面13aは転写面Waを介して射出面3aの共役面もしくはその近傍の面に配置され、入射面14aは反射面9aを介して射出面4aの共役面もしくはその近傍の面に配置されている。
As described above, the incident-
図5は、送光プリズムから受光プリズムまでの光路を直線状に展開して光源から受光プリズムまでの構成を概略的に示す図である。図5では、光源1から受光プリズム13,14までの構成の理解を容易にするために、第2対物レンズ5、振動ミラー6、第1対物レンズ7、および落射プリズム8からなる送光光学系SLを1つのレンズで簡略化し、落射プリズム18、第1対物レンズ17、ミラー16、および第2対物レンズ15からなる受光光学系JLを1つのレンズで簡略化し、送光光学系SLおよび受光光学系JLの光路をそれぞれ直線状に展開している。
FIG. 5 is a diagram schematically showing a configuration from the light source to the light receiving prism by linearly developing an optical path from the light transmitting prism to the light receiving prism. In FIG. 5, in order to facilitate understanding of the configuration from the
図1を参照すると、受光プリズム13に入射した測定光は、受光スリットSa1〜Sa12を通過し、所定の角度だけ偏向された後、受光プリズム13から射出される。受光プリズム14に入射した参照光は、受光スリットSa13〜Sa15を通過し、所定の角度だけ偏向された後、受光プリズム14から射出される。受光プリズム13および14から射出された測定光および参照光は、リレーレンズ12を介して、受光スリットSa1〜Sa15のそれぞれの内部に形成された送光スリットS1〜S15の観測像の共役像を、光検出器11の検出面11a上に形成する。
Referring to FIG. 1, the measurement light incident on the
光検出器11の検出面11aには、図6に示すように、15個の受光部RS1〜RS15が、12個の測定光用の受光スリットSa1〜Sa12および3個の参照光用の受光スリットSa13〜Sa15に対応するように設けられている。受光部RS1〜RS15は、受光スリットSa1〜Sa15を通過した光をそれぞれ受光する。すなわち、12個の受光部RS1〜RSl2は送光スリットS1〜S12に対応する12個の受光スリットSa1〜Sa12を通過した測定光を受光し、3個の受光部RS13〜RS15は送光スリットS13〜S15に対応する受光スリットSa13〜Sa15を通過した参照光を受光する。
On the
送光スリットS1〜S12の測定観測像は、転写面WaのZ方向に沿った移動に伴ってx2方向に移動する。一方、送光スリットS13〜S15の参照観測像は、測定観測像とは異なり転写面Waを経ることがないため、転写面WaのZ方向に沿った移動の影響は全く受けない。したがって、受光スリットSa1〜Sa12を通過する測定光の光量は転写面WaのZ方向移動に応じて変化するが、受光スリットSa13〜Sa15を通過する参照光の光量は転写面WaのZ方向移動に依存することなく一定である。換言すれば、受光スリットSa1〜Sa12を通過した測定光は転写面WaのZ方向移動に関する情報を含んでいるが、受光スリットSa13〜Sa15を通過した参照光は転写面WaのZ方向移動に関する情報を含んでいない。 The measurement observation images of the light transmission slits S1 to S12 move in the x2 direction with the movement of the transfer surface Wa along the Z direction. On the other hand, since the reference observation images of the light transmission slits S13 to S15 do not pass through the transfer surface Wa unlike the measurement observation images, they are not affected at all by the movement of the transfer surface Wa along the Z direction. Therefore, the light amount of the measurement light passing through the light receiving slits Sa1 to Sa12 changes according to the movement of the transfer surface Wa in the Z direction, but the light amount of the reference light passing through the light receiving slits Sa13 to Sa15 is changed in the Z direction movement of the transfer surface Wa. It is constant without dependence. In other words, the measurement light that has passed through the light receiving slits Sa1 to Sa12 includes information relating to the Z direction movement of the transfer surface Wa, while the reference light that has passed through the light receiving slits Sa13 to Sa15 is information relating to the Z direction movement of the transfer surface Wa. Is not included.
本実施形態の面位置検出装置では、転写面Waが投影光学系PLの結像面と合致している状態において、測定光用の送光スリットS1〜S12の測定観測像が受光スリットSa1〜Sa12の位置に形成され、参照光用の送光スリットS13〜S15の観測像が受光スリットSa13〜Sa15の位置に形成されるように構成されている。受光部RS1〜RS15の検出信号は、振動ミラー6の振動に同期して変化し、信号処理部PRに供給される。
In the surface position detection apparatus of the present embodiment, measurement observation images of the transmission slits S1 to S12 for measurement light are received by the light receiving slits Sa1 to Sa12 in a state where the transfer surface Wa coincides with the imaging surface of the projection optical system PL. The observation images of the reference light transmission slits S13 to S15 are formed at the positions of the light receiving slits Sa13 to Sa15. The detection signals of the light receiving units RS1 to RS15 change in synchronization with the vibration of the vibrating
上述したように、転写面Waが投影光学系PLの光軸AXに沿ってZ方向に上下移動すると、受光プリズム13の入射面13aに形成される測定観測像は、転写面Waの上下移動に対応してピッチ方向(x2方向)に位置ずれを起こす。信号処理部PRでは、たとえば本出願人による特開平6−97045号公報に開示された光電顕微鏡の原理により、測定観測像の位置ずれ量を検出し、検出した位置ずれ量に基づいて検出領域A内の各検出点のZ方向位置を算出する。
As described above, when the transfer surface Wa moves up and down in the Z direction along the optical axis AX of the projection optical system PL, the measurement observation image formed on the
ただし、前述したように、面位置検出装置を構成する光学部材の位置変動や屈折率変動等により、例えば、転写面Waが投影光学系PLの結像面に合致している(ベストフォーカス状態にある)にもかかわらず、受光プリズム13の入射面13aに形成される各測定観測像の位置がそれぞれ対応する受光スリットSa1〜Sa12の位置から位置ずれすることがある。この場合、各測定観測像の位置の受光スリットSa1〜Sa12からの位置ずれ量に応じて、転写面Waの面位置の検出誤差が発生していることになる。
However, as described above, for example, the transfer surface Wa coincides with the imaging surface of the projection optical system PL due to the position variation and refractive index variation of the optical member constituting the surface position detection device (in the best focus state). Nevertheless, the position of each measurement observation image formed on the
本実施形態の面位置検出装置では、送光スリットS13〜S15からの参照光が、転写面Waの近傍に設けられた反射面9aを経て受光プリズム14の入射面14aまで導かれるので、測定光路と近接した参照光路に沿って、測定光と共通の光学部材を経て、参照観測像を形成することになる。したがって、参照光は、測定光とは異なり転写面WaのZ方向移動に関する情報を含まないが、測定光と同様に測定光と共通の光学部材の変動の影響に関する情報を含んでいる。すなわち、ベストフォーカス状態で参照光が形成する各参照観測像の位置のそれぞれ対応する受光スリットSa13〜Sa15からの位置ずれ量は、ベストフォーカス状態で測定光が形成する各測定観測像の位置のそれぞれ対応する受光スリットSa1〜Sa12のからの位置ずれ量とほぼ等しい。したがって、本実施形態の面位置検出装置では、各参照観測像の位置のそれぞれ対応する受光スリットSa13〜Sa15からの位置ずれ量に基づいて、転写面Waの面位置の検出誤差を計測し、補正することができる。
In the surface position detection apparatus of the present embodiment, the reference light from the light transmission slits S13 to S15 is guided to the
また、本実施形態の面位置検出装置では、入射面13aが転写面Waを介して射出面3aの共役面もしくはその近傍の面に配置されているため、入射面13a上に各測定観測像が鮮鋭に形成され、入射面14aが反射面9aを介して射出面4aの共役面もしくはその近傍の面に配置されているため、入射面14a上に各参照観測像が鮮鋭に形成される。このため、本実施形態の面位置検出装置では、転写面Waがベストフォーカス状態もしくはこれに近い状態にある場合の転写面Waの面位置の検出誤差を高精度に計測することができ、この計測結果をもとに転写面Waの面位置の検出誤差を高精度に補正することができる。
Moreover, in the surface position detection apparatus of this embodiment, since the
信号処理部PRは、受光部RS1〜RS12からの測定光に関する信号に基づいて、12個の測定光用の送光スリットS1〜S12に対応する12個の検出点のZ方向位置を検出する。また、信号処理部PRは、例えば、受光部RS13からの参照光に関する信号に基づいて、送光スリットS1〜S4に対応する4つの検出点のZ方向位置の検出誤差を計測する。 The signal processing unit PR detects the Z-direction positions of the 12 detection points corresponding to the 12 measurement light transmission slits S1 to S12 based on the signals related to the measurement light from the light receiving units RS1 to RS12. Further, the signal processing unit PR measures, for example, detection errors at the Z-direction positions of the four detection points corresponding to the light transmission slits S1 to S4 based on a signal related to the reference light from the light receiving unit RS13.
同様に、信号処理部PRは、受光部RS14および15からの参照光に関する信号に基づいて、送光スリットS5〜S8に対応する4つの検出点のZ方向位置の検出誤差、および送光スリットS9〜S12に対応する4つの検出点のZ方向位置の検出誤差をそれぞれ計測する。そして、信号処理部PRは、各検出点の検出誤差の計測結果に基づいて、各検出点のZ方向位置の検出結果を補正する。信号処理部PRの補正検出結果は、制御部CRに供給される。 Similarly, the signal processing unit PR, based on the signals related to the reference light from the light receiving units RS14 and RS15, the detection errors of the Z direction positions of the four detection points corresponding to the light transmission slits S5 to S8, and the light transmission slit S9. The detection errors of the Z direction positions of the four detection points corresponding to S12 are measured. Then, the signal processing unit PR corrects the detection result of the Z direction position of each detection point based on the measurement result of the detection error of each detection point. The correction detection result of the signal processing unit PR is supplied to the control unit CR.
制御部CRは、信号処理部PRで得られた補正検出結果に基づいて、ウェハステージWSのZ方向位置を所要量だけ調整し、転写面Wa上の検出領域Aを、ひいてはウェハWの現在の露光領域を投影光学系PLの結像面位置(ベストフォーカス位置)に位置合わせする。このように、受光プリズム13および14、リレーレンズ12、光検出器11、および信号処理部PRは、受光プリズム13の入射面13aにおける測定光用の送光スリットS1〜S12の観測像の位置情報を検出し、この位置情報に基づいて転写面Waの面位置を検出するとともに、受光プリズム14の入射面14aにおける参照光用の送光スリットS13〜S15の観測像の位置情報を検出し、この位置情報に基づいて転写面Waの面位置の検出結果を補正する検出部を構成している。
The controller CR adjusts the position of the wafer stage WS in the Z direction by a required amount based on the correction detection result obtained by the signal processor PR, and detects the detection area A on the transfer surface Wa and thus the current of the wafer W. The exposure area is aligned with the image plane position (best focus position) of the projection optical system PL. As described above, the
以上のように、本実施形態の面位置検出装置では、面位置検出装置を構成する光学部材の変動に起因する検出誤差を計測することで、その光学部材の変動に影響されずに転写面Waの面位置を高精度に検出することができる。したがって、本実施形態の露光装置では、ウェハWの転写面Waの面位置を高精度に検出することができ、ひいてはレチクルRのパターン面に対応する投影光学系PLの結像面に対して転写面Waを高精度に位置合わせすることができる。 As described above, in the surface position detection device according to the present embodiment, the transfer surface Wa is not affected by the change in the optical member by measuring the detection error caused by the change in the optical member constituting the surface position detection device. Can be detected with high accuracy. Therefore, in the exposure apparatus of the present embodiment, the surface position of the transfer surface Wa of the wafer W can be detected with high accuracy, and as a result, transferred to the imaging surface of the projection optical system PL corresponding to the pattern surface of the reticle R. The surface Wa can be aligned with high accuracy.
なお、上述の実施形態では、測定光用の送光スリットS1〜S12(第1パターン)が設けられた送光プリズム(第1パターン部材)3と、参照光用の送光スリットS13〜S15(第2パターン)が設けられた送光プリズム(第2パターン部材)4とを別体で備えているが、送光プリズム3と4とを一体のプリズムとして備えることもできる。同様に、入射面(第1観測面)13aを有する受光プリズム(第1観測部材)13と、入射面(第2観測面)14aを有する受光プリズム(第2観測部材)14とを別体で備えているが、受光プリズム13と14とを一体に備えることもできる。送光プリズム3と4とを一体化したり、受光プリズム13と14とを一体化したりすることにより、送光スリットS1〜S12と送光スリットS13〜S15との間の位置安定性および受光スリットSa1〜Sa12と受光スリットSa13〜Sa15との間の位置安定性を向上させることができ、ひいては転写面Waの面位置の検出誤差をいっそう安定的に且つ高精度に計測し、補正することができる。
In the above-described embodiment, the light transmission prism (first pattern member) 3 provided with the light transmission slits S1 to S12 (first pattern) for measurement light and the light transmission slits S13 to S15 (reference light) are provided. Although the light transmission prism (second pattern member) 4 provided with the second pattern) is provided separately, the
送光プリズムの一体化をさらに進めて、測定光用の送光スリットS1〜S12と参照光用の送光スリットS13〜S15とが設けられた共通パターン面を有する送光パターン部材を備えることもできる。同様に、受光プリズムの一体化をさらに進めて、測定観測像が形成される第1観測面と参照観測像が形成される第2観測面とを含む共通観測面を有する観測部材を備えることもできる。以下、図7を参照して、共通パターン面を有する送光パターン部材と共通観測面を有する観測部材とを備える変形例を説明する。図8は、図5と同様に、図7の変形例における送光プリズムから受光プリズムまでの光路を直線状に展開して光源から受光プリズムまでの構成を概略的に示す図である。 Further integration of the light transmission prism may include a light transmission pattern member having a common pattern surface provided with light transmission slits S1 to S12 for measurement light and light transmission slits S13 to S15 for reference light. it can. Similarly, further integration of the light receiving prism may include an observation member having a common observation surface including a first observation surface on which a measurement observation image is formed and a second observation surface on which a reference observation image is formed. it can. Hereinafter, with reference to FIG. 7, a modified example including a light transmission pattern member having a common pattern surface and an observation member having a common observation surface will be described. FIG. 8 is a diagram schematically showing a configuration from the light source to the light receiving prism by linearly developing the optical path from the light transmitting prism to the light receiving prism in the modified example of FIG. 7, similarly to FIG.
図7の変形例は、図1の実施形態と類似の構成を有する。しかしながら、図7の変形例では、一対の送光プリズム3,4に代えて共通送光プリズム21を備え、一対の受光プリズム13,14に代えて共通受光プリズム24を備えている点が図1の実施形態と基本的に相違している。図7および図8では、図1および図5における要素と同様の機能を果たす構成要素に図1および図5と同じ参照符号を付している。以下、図1の実施形態との相違点に着目して、図7の変形例の構成および作用を説明する。
The modification of FIG. 7 has a configuration similar to that of the embodiment of FIG. However, in the modified example of FIG. 7, a common
図7の変形例では、光源1からの光が、コンデンサーレンズ2を介して、共通送光プリズム21に入射する。共通送光プリズム21は、コンデンサーレンズ2からの光束を、屈折作用により−Z方向に向けて偏向させる。共通送光プリズム21の共通パターン面である射出面21aには、例えば図2に示すような12個の測定光用の送光スリットS1〜S12と3個の参照光用の送光スリットS13〜S15とが同一平面内に設けられている。
In the modification of FIG. 7, light from the
送光スリットS1〜S12を通過した測定光は、平行平面板22、第2対物レンズ5、振動ミラー6、第1対物レンズ7、および落射プリズム8を介して、転写面Waに入射する。送光スリットS13〜S15を通過した参照光は、平行平面板22を通過することなく、第2対物レンズ5、振動ミラー6、第1対物レンズ7、および落射プリズム8を介して、平面ミラー9の反射面9aに入射する。
The measurement light that has passed through the light transmission slits S <b> 1 to S <b> 12 is incident on the transfer surface Wa via the plane-
転写面Waによって反射された測定光は、落射プリズム18、第1対物レンズ17、ミラー16、第2対物レンズ15、平行平面板23を介して、共通受光プリズム24に入射する。平面ミラー9の反射面9aによって反射された参照光は、落射プリズム18、第1対物レンズ17、ミラー16、および第2対物レンズ15を介して、平行平面板23を通過することなく、共通受光プリズム24に入射する。平行平面板23は、所定のYZ平面(例えば、光軸AXを含むYZ平面)に関して平行平面板22と対称な位置に配置され且つ対称的な構成を有する。
The measurement light reflected by the transfer surface Wa is incident on the common
また、共通受光プリズム24は、所定のYZ平面(例えば、光軸AXを含むYZ平面)に関して共通送光プリズム21と対称な位置に配置され且つ対称的な構成を有する。ただし、共通受光プリズム24の入射面24a(共通送光プリズム21の射出面21aに対応する面)には、図4に示すような12個の受光スリットSa1〜Sa12と3個の受光スリットSa13〜Sa15とが同一平面内に設けられている。こうして、共通受光プリズム24の共通観測面である入射面24aには、測定光用の送光スリットS1〜S12の観測像と参照光用の送光スリットS13〜S15の観測像とが形成される。
The common
共通受光プリズム24に入射した測定光および参照光は、受光スリットSa1〜Sa12およびSa13〜Sa15をそれぞれ通過し、所定の角度だけ偏向された後、共通受光プリズム24からそれぞれ射出される。共通受光プリズム24から射出された測定光および参照光は、リレーレンズ12を介して、送光スリットS1〜S15の観測像と受光スリットSa1〜Sa15との共役像を、光検出器11の検出面11a上に形成する。
The measurement light and reference light incident on the common
図7の変形例では、送光側の測定光路中に配置された平行平面板22が、測定光用の送光スリットS1〜S12が形成された第1パターン面(上記の射出面3aに相当する面)と、参照光用の送光スリットS13〜S15が形成された第2パターン面(上記の射出面4aに相当する面)との相対位置を補正して、この第1パターン面の面位置と第2パターン面の面位置とを一致させる送光側の面位置補正部材として機能している。すなわち、平行平面板22は、第1パターン面から第2対物レンズ5までの測定光の光路の長さ(空気換算長)を、図1の実施形態における射出面3aから第2対物レンズ5までの測定光の光路の長さに等しくしたまま、第1パターン面と第2パターン面との面位置を一致させている。
In the modification of FIG. 7, the parallel
一方、受光側の測定光路中に配置された平行平面板23は、測定光用の送光スリットS1〜S12の測定観測像が形成される第1観測面(上記の入射面13aに相当する面)と、参照光用の送光スリットS13〜S15の参照観測像が形成される第2観測面(上記の入射面14aに相当する面)との相対位置を補正して、この第1観測面の面位置と第2観測面の面位置とを一致させる受光側の面位置補正部材として機能している。すなわち、平行平面板23は、第2対物レンズ15から第1観測面までの測定光の光路の長さ(空気換算長)を、図1の実施形態における第2対物レンズ15から入射面13aまでの測定光の光路の長さに等しくしたまま、第1観測面と第2観測面との面位置を一致させている。
On the other hand, the plane
このように、図7の変形例では、図1に示した実施形態に比べ、送光側の面位置補正部材としての平行平面板22の作用により、第1パターン面の面位置を送光光学系の光軸方向に移動させて第2パターン面の面位置に一致させるとともに、受光側の面位置補正部材としての平行平面板23の作用により、第1観測面の面位置を受光光学系の光軸方向に移動させて第2観測面の面位置に一致させている。その結果、送光スリットS1〜S12(測定用パターン)と送光スリットS13〜S15(参照用パターン)との間の位置安定性および受光スリットSa1〜Sa12と受光スリットSa13〜Sa15との間の位置安定性を向上させることができ、さらに各送光スリットおよび各受光スリットをそれぞれ共通の面上の所望の位置に高精度に設けることができるので、転写面Waの面位置の検出誤差をいっそう安定的に且つ高精度に計測し、補正することができる。
As described above, in the modification of FIG. 7, the surface position of the first pattern surface is set to the light transmission optical by the action of the parallel
なお、図7の変形例では、第1パターン面の面位置と第2パターン面の面位置とを一致させ、第1観測面の面位置と第2観測面の面位置とを一致させているが、これらの面位置を一致させることに限定されることなく、図1に示した実施形態に比べ、第1パターン面の面位置を第2パターン面の面位置に近づけたり、第1観測面の面位置を第2観測面の面位置に近づけたりすることにより、図1に示した実施形態よりも転写面Waの面位置の検出誤差を安定的に且つ高精度に計測し、補正することができる。 In the modification of FIG. 7, the surface position of the first pattern surface and the surface position of the second pattern surface are matched, and the surface position of the first observation surface and the surface position of the second observation surface are matched. However, the surface position of the first pattern surface is made closer to the surface position of the second pattern surface, compared to the embodiment shown in FIG. The surface position detection error of the transfer surface Wa is more stably measured and corrected more accurately than the embodiment shown in FIG. 1 by bringing the surface position of the second observation surface closer to the surface position of the second observation surface. Can do.
また、図7の変形例では、面位置補正部材として測定光路中に配置された平行平面板22,23を用いているが、これに限定されることなく、面位置補正部材の具体的な構成、数、位置などについて様々な形態が可能である。一般には、面位置補正部材は、測定光の光路と参照光の光路との少なくとも一方に設けられ、送光光学系の光軸または受光光学系の光軸に対して入射面および射出面が垂直に設けられた光透過部材を含むことができる。
In the modification of FIG. 7, the plane
また、面位置補正部材は、測定光の光路と参照光の光路との少なくとも一方に設けられ、送光光学系の光軸または受光光学系の光軸に対して傾斜して配置された平行平板状の光透過部材を含むことができる。一例として、図9に示すように、共通パターン面21aと送光光学系SLとの間の参照光路中において送光光学系SLの光軸に対して傾斜して配置された平行平面板25を送光側の面位置補正部材とし、受光光学系JLと入射面24aとの間の参照光路中において受光光学系JLの光軸に対して傾斜して配置された平行平面板26を受光側の面位置補正部材とすることができる。
The surface position correction member is provided on at least one of the optical path of the measurement light and the optical path of the reference light, and is arranged in parallel with the optical axis of the light transmission optical system or the optical axis of the light reception optical system. The light-transmitting member may be included. As an example, as shown in FIG. 9, a
また、面位置補正部材は、測定光の光路と参照光の光路との少なくとも一方に設けられ、測定光と参照光との相対角度を変化させる光偏向部材を含むことができる。一例として、図10に示すように、送光光学系SL中(例えば第2対物レンズ5と第1対物レンズ7との間)の参照光路に配置されて参照光を透過させて偏向させる偏角プリズム27を送光側の面位置補正部材とし、受光光学系JL中(例えば第1対物レンズ17と第2対物レンズ15との間)の参照光路に配置されて参照光を透過させて偏向させる偏角プリズム28を受光側の面位置補正部材とすることができる。さらに、上述した異なるタイプの複数の面位置補正部材を組み合わせても良く、送光光学系と受光光学系とで異なるタイプの面位置補正部材を用いても良い。
Further, the surface position correction member can include an optical deflection member that is provided on at least one of the optical path of the measurement light and the optical path of the reference light and changes the relative angle between the measurement light and the reference light. As an example, as shown in FIG. 10, the deflection angle is arranged in the reference optical path in the light transmission optical system SL (for example, between the second
なお、図1の実施形態および図7の変形例では、被検面としての転写面Waの近傍に設けられた参照面を有する参照部材として平面ミラー9を用いているが、これに限定されることなく、参照部材の構成について様々な形態が可能である。例えば、参照部材として、図11に示すような3回反射型のプリズム31を用いることができる。この場合、落射プリズム8からプリズム31の入射面31aに入射した参照光Lrは、反射面31bで反射された後、XY平面に平行な参照面としての反射面31cに入射する。この反射面31cに対する参照光の入射角は、図1の実施形態の反射面9aに対する参照光の入射角より小さくされている。
In the embodiment of FIG. 1 and the modification of FIG. 7, the
反射面31cによって反射された参照光Lrは、反射面31dで反射された後、射出面31eから落射プリズム18に向かって射出される。なお、図11では、参照面としての反射面31cを上側にした姿勢でプリズム31を位置決めしているが、上下に逆の姿勢、すなわち参照面としての反射面31cを下側にした姿勢でプリズム31を用いることもできる。3回反射型のプリズム31は、3つの反射面31b,31c,31dを有し、入射面31aおよび射出面31eの各法線はXZ平面に平行に設けられている。
The reference light Lr reflected by the reflecting
また、3回反射型のプリズム31を用いる場合には、例えば図16に示すように参照光Lrを入射させることもできる。すなわち、落射プリズム8を射出した参照光Lrを、落射プリズム8の射出面8dもしくはその近傍に設けられた偏角プリズム(楔型プリズム)51によって偏向させて、プリズム31の入射面31aに入射させることができる。そして、プリズム31の射出面31eから射出した参照光Lrを、落射プリズム18の入射面18aもしくはその近傍に設けられた偏角プリズム(楔型プリズム)52を介して入射面18aに入射させることができる。
Further, when the three-time
これによって、測定光Lmと平行に落射プリズム8に入射させた参照光Lrを、偏角プリズム51によって偏向させ、XZ平面に沿って測定光Lmに対して傾いた状態でプリズム31に入射させることができる。また、XZ平面に沿って測定光Lmに対して傾いてプリズム31から射出した参照光Lrを、偏角プリズム52によって偏向させて、測定光Lmと平行に落射プリズム18に入射させることができる。
Thus, the reference light Lr incident on the incident
なお、図16では、測定光Lmと参照光Lrとは、Y方向から見て重なった状態で落射プリズム8に入射し、同様にY方向から見て重なった状態で落射プリズム18から射出している。また、偏角プリズム51,52は、測定光Lmおよび参照光Lrのうち参照光Lrのみ透過するように設けられている。
In FIG. 16, the measurement light Lm and the reference light Lr are incident on the epi-
また、参照部材として、図12に示すような1回反射型のプリズム32を用いることができる。この場合、落射プリズム8からプリズム32の入射面32aに入射した参照光Lrは、XY平面に平行な参照面としての反射面32bに入射する。この反射面32bに対する参照光の入射角は、図1の実施形態の反射面9aに対する参照光の入射角より小さくされている。反射面32bによって反射された参照光Lrは、射出面32cから落射プリズム18に向かって射出される。1回反射型のプリズム32は、1つの反射面32bを有し、入射面32aおよび射出面32cの各法線はXZ平面に平行に設けられている。ここで、3回反射型のプリズム31または1回反射型のプリズム32を用いる場合には、平面ミラー9を用いる場合に比して、測定光Lmと参照光Lrとの間に光路の長さ(空気換算長)の差が生じないように、プリズム31,32の形状や屈折率(ガラスの屈折率)の最適化をはかるとか、測定光Lmおよび参照光Lrの少なくとも一方の光路中にその光路の長さの差を補正する光学部材(例えば、平行平面板)を配置した構成を設けるとよい。なお、参照面としての反射面31c,32bに対する参照光の入射角が反射面9aに対する参照光の入射角より小さくされるため、複数の参照光用の送光スリットを用いる場合には、平面ミラー9を用いるよりも、X方向に沿って参照面の所要の長さを確保し易い。
As a reference member, a one-time
また、図1の実施形態および図7の変形例では、光源1およびコンデンサーレンズ2からなる照明装置により、測定光用の送光スリットS1〜S12と参照光用の送光スリットS13〜S15とを一括的に照明している。しかしながら、これに限定されることなく、例えば図13に示すように、一対の照明装置41,42を用いて、測定光用の送光スリットが形成された第1パターン面43、および参照光用の送光スリットが形成された第2パターン面44を個別に照明することもできる。この場合、例えば、測定光用の送光スリットと参照光用の送光スリットとを異なる波長の照明光で照明することができ、測定光および参照光のそれぞれについて最適な波長を適宜選択することができる。
Further, in the embodiment of FIG. 1 and the modification of FIG. 7, the illumination device including the
また、図1の実施形態および図7の変形例では、複数の送光スリットからなる測定光用の送光パターンを用いて複数の検出点の位置を検出しているが、これに限定されることなく、1つの送光スリットからなる測定用送光パターンを用いて1つの検出点の位置を検出することもできる。また、図1の実施形態および図7の変形例では、測定光用の送光スリットよりも参照光用の送光スリットのスリット数が少ないこととしたが、測定光用と参照光用とのスリット数を同数としても良く、あるいは測定光用に比して参照光用のスリット数を多くしても良い。 In the embodiment of FIG. 1 and the modification of FIG. 7, the positions of a plurality of detection points are detected using a light transmission pattern for measurement light composed of a plurality of light transmission slits, but the present invention is not limited to this. It is also possible to detect the position of one detection point using a measurement light transmission pattern composed of one light transmission slit. In the embodiment of FIG. 1 and the modification of FIG. 7, the number of slits of the reference light transmission slit is smaller than that of the measurement light transmission slit. The number of slits may be the same, or the number of slits for reference light may be increased compared to that for measurement light.
また、上述の実施形態では、送光光学系と受光光学系とが所定のYZ平面(例えば、光軸AXを含むYZ平面)に対して対称的な構成を有するものとしたが、対称的な構成に限定されるものではなく、非対称的な構成とすることもできる。 In the above-described embodiment, the light transmitting optical system and the light receiving optical system have a symmetric configuration with respect to a predetermined YZ plane (for example, the YZ plane including the optical axis AX). The configuration is not limited, and an asymmetric configuration may be used.
また、上述の実施形態では、光電顕微鏡の原理(振動ミラーを用いる計測原理)に基づいて被検面の面位置を検出しているが、これに限定されることなく、例えば画像処理を用いる検出系によって測定観測像および参照観測像の各位置情報を検出し、検出した各位置情報に基づいて被検面の位置を算出することもできる。 In the above-described embodiment, the surface position of the test surface is detected based on the principle of the photoelectric microscope (measurement principle using a vibrating mirror). However, the present invention is not limited to this. For example, detection using image processing is performed. The position information of the measurement observation image and the reference observation image can be detected by the system, and the position of the test surface can be calculated based on the detected position information.
また、上述の実施形態では、露光装置が単一の面位置検出装置を備えている例を説明しているが、これに限定されることなく、必要に応じて複数組の面位置検出装置で検出視野を分割することもできる。この場合、第1の面位置検出装置の検出視野と第2の面位置検出装置の検出視野との共通の視野における検出結果に基づいて、各面位置検出装置のキャリブレーションを行うこともできる。 In the above-described embodiment, an example in which the exposure apparatus includes a single surface position detection device is described. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of sets of surface position detection devices may be used as necessary. The detection visual field can also be divided. In this case, each surface position detection device can be calibrated based on a detection result in a common visual field between the detection field of the first surface position detection device and the detection field of the second surface position detection device.
また、上述の実施形態では、露光装置の感光性基板の面位置の検出に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、露光装置のマスクのパターン面の面位置の検出に対して本発明を適用することもできる。また、上述の実施形態では、露光装置における感光性基板の面位置の検出に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、露光装置以外の各種装置における一般の被検面の面位置の検出に対して本発明を適用することもできる。また、上述の実施形態では、投影光学系を用いた露光装置に対して本発明を適用しているが、例えばプロキシミティ露光装置等、投影光学系を用いない露光装置に対しても適用することができる。 In the above-described embodiment, the present invention is applied to the detection of the surface position of the photosensitive substrate of the exposure apparatus. However, the present invention is not limited to this, and the surface position of the pattern surface of the mask of the exposure apparatus is not limited to this. The present invention can also be applied to detection. In the above-described embodiment, the present invention is applied to the detection of the surface position of the photosensitive substrate in the exposure apparatus. However, the present invention is not limited to this, and general inspections in various apparatuses other than the exposure apparatus are possible. The present invention can also be applied to detection of the surface position of a surface. In the above-described embodiment, the present invention is applied to an exposure apparatus that uses a projection optical system. However, the present invention is also applicable to an exposure apparatus that does not use a projection optical system, such as a proximity exposure apparatus. Can do.
なお、上述の実施形態では、マスクの代わりに、所定の電子データに基づいて所定パターンを形成する可変パターン形成装置を用いることができる。このような可変パターン形成装置を用いれば、パターン面が縦置きでも同期精度に及ぼす影響を最低限にできる。なお、可変パターン形成装置としては、たとえば所定の電子データに基づいて駆動される複数の反射素子を含むDMD(デジタル・マイクロミラー・デバイス)を用いることができる。DMDを用いた露光装置は、例えば特開2004−304135号公報、国際特許公開第2006/080285号パンフレットに開示されている。また、DMDのような非発光型の反射型空間光変調器以外に、透過型空間光変調器を用いても良く、自発光型の画像表示素子を用いても良い。なお、パターン面が横置きの場合であっても可変パターン形成装置を用いても良い。 In the above-described embodiment, a variable pattern forming apparatus that forms a predetermined pattern based on predetermined electronic data can be used instead of a mask. By using such a variable pattern forming apparatus, the influence on the synchronization accuracy can be minimized even if the pattern surface is placed vertically. As the variable pattern forming apparatus, for example, a DMD (digital micromirror device) including a plurality of reflecting elements driven based on predetermined electronic data can be used. An exposure apparatus using DMD is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-304135 and International Patent Publication No. 2006/080285. In addition to a non-light-emitting reflective spatial light modulator such as DMD, a transmissive spatial light modulator may be used, or a self-luminous image display element may be used. Note that a variable pattern forming apparatus may be used even when the pattern surface is placed horizontally.
上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The exposure apparatus of the above-described embodiment is manufactured by assembling various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Is done. To ensure these various accuracies, before and after this assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
次に、上述の実施形態にかかる露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図14は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図14に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハWに金属膜を蒸着し(ステップS40)、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する(ステップS42)。つづいて、上述の実施形態の露光装置を用い、マスクとしてのレチクルRに形成されたパターンをウェハW上の各ショット領域に転写し(ステップS44:露光工程)、この転写が終了したウェハWの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う(ステップS46:現像工程)。その後、ステップS46によってウェハWの表面に生成されたレジストパターンを加工用のマスクとし、ウェハWの表面に対してエッチング等の加工を行う(ステップS48:加工工程)。 Next, a device manufacturing method using the exposure apparatus according to the above-described embodiment will be described. FIG. 14 is a flowchart showing a manufacturing process of a semiconductor device. As shown in FIG. 14, in the semiconductor device manufacturing process, a metal film is vapor-deposited on a wafer W to be a semiconductor device substrate (step S40), and a photoresist, which is a photosensitive material, is applied on the vapor-deposited metal film. (Step S42). Subsequently, using the exposure apparatus of the above-described embodiment, the pattern formed on the reticle R as a mask is transferred to each shot area on the wafer W (step S44: exposure process), and the transfer of the wafer W after the transfer is completed. Development, that is, development of the photoresist to which the pattern has been transferred is performed (step S46: development process). Thereafter, the resist pattern generated on the surface of the wafer W in step S46 is used as a processing mask, and processing such as etching is performed on the surface of the wafer W (step S48: processing step).
ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層(転写パターン層)であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップS48では、このレジストパターンを介してウェハWの表面の加工を行う。ステップS48で行われる加工には、例えばウェハWの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップS44では、上述の実施形態の露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハWを感光性基板としてパターンの転写を行う。 Here, the resist pattern is a photoresist layer (transfer pattern layer) in which unevenness having a shape corresponding to the pattern transferred by the exposure apparatus of the above-described embodiment is generated, and the recess penetrates the photoresist layer. It is what you are doing. In step S48, the surface of the wafer W is processed through this resist pattern. The processing performed in step S48 includes, for example, at least one of etching of the surface of the wafer W or film formation of a metal film or the like. In step S44, the exposure apparatus of the above-described embodiment performs pattern transfer using the wafer W coated with the photoresist as a photosensitive substrate.
図15は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図15に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程(ステップS50)、カラーフィルタ形成工程(ステップS52)、セル組立工程(ステップS54)およびモジュール組立工程(ステップS56)を順次行う。 FIG. 15 is a flowchart showing a manufacturing process of a liquid crystal device such as a liquid crystal display element. As shown in FIG. 15, in the liquid crystal device manufacturing process, a pattern formation process (step S50), a color filter formation process (step S52), a cell assembly process (step S54), and a module assembly process (step S56) are sequentially performed.
ステップS50のパターン形成工程では、感光性基板としてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、上述の実施形態の露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、上述の実施形態の露光装置を用いてフォトレジスト層にパターンを転写する露光工程と、パターンが転写された感光性基板の現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層(転写パターン層)を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。 In the pattern forming step in step S50, predetermined patterns such as a circuit pattern and an electrode pattern are formed on the glass substrate coated with a photoresist as the photosensitive substrate, using the exposure apparatus of the above-described embodiment. The pattern forming process includes an exposure process in which a pattern is transferred to a photoresist layer using the exposure apparatus of the above-described embodiment, and development of a photosensitive substrate to which the pattern is transferred, that is, development of a photoresist layer on a glass substrate. And a development step for generating a photoresist layer (transfer pattern layer) having a shape corresponding to the pattern, and a processing step for processing the surface of the glass substrate through the developed photoresist layer.
ステップS52のカラーフィルタ形成工程では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応する3つのドットの組をマトリックス状に多数配列するか、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。 In the color filter forming process in step S52, a large number of sets of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix or three R, G, and B A color filter is formed by arranging a plurality of stripe filter sets in the horizontal scanning direction.
ステップS54のセル組立工程では、ステップS50によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップS52によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップS56のモジュール組立工程では、ステップS54によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。 In the cell assembly process in step S54, a liquid crystal panel (liquid crystal cell) is assembled using the glass substrate on which the predetermined pattern is formed in step S50 and the color filter formed in step S52. Specifically, for example, a liquid crystal panel is formed by injecting liquid crystal between a glass substrate and a color filter. In the module assembling process in step S56, various components such as an electric circuit and a backlight for performing the display operation of the liquid crystal panel are attached to the liquid crystal panel assembled in step S54.
また、本発明は、半導体デバイスまたは液晶デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、プラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程(露光装置)にも適用することができる。 The present invention is not limited to application to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal device. For example, an exposure apparatus for a display device such as a plasma display, an image sensor (CCD or the like), a micromachine, The present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing various devices such as a thin film magnetic head and a DNA chip. Furthermore, the present invention can also be applied to an exposure process (exposure apparatus) when manufacturing a mask (photomask, reticle, etc.) on which mask patterns of various devices are formed using a photolithography process.
Claims (19)
第1パターン面上の第1パターンからの測定光を前記被検面へ導いて該被検面に対して前記第1パターンの中間像を投射し、第2パターン面上の第2パターンからの参照光を前記参照面に導いて該参照面に前記第2パターンの中間像を投射する送光光学系と、
前記被検面によって反射された前記測定光を第1観測面へ導いて該第1観測面に前記第1パターンの観測像を形成し、前記参照面によって反射された前記参照光を第2観測面に導いて該第2観測面に前記第2パターンの観測像を形成する受光光学系と、
前記第1観測面における前記第1パターンの観測像の第1位置情報および前記第2観測面における前記第2パターンの観測像の第2位置情報を検出し、該第1位置情報および該第2位置情報に基づいて前記被検面の面位置を検出する検出部と、
を備えたことを特徴とする面位置検出装置。A reference member having a reference surface provided in the vicinity of the test surface;
Measuring light from the first pattern on the first pattern surface is guided to the test surface, an intermediate image of the first pattern is projected onto the test surface, and the second pattern on the second pattern surface is projected from the second pattern. A light transmission optical system that guides reference light to the reference surface and projects an intermediate image of the second pattern onto the reference surface;
The measurement light reflected by the test surface is guided to a first observation surface to form an observation image of the first pattern on the first observation surface, and the reference light reflected by the reference surface is second observed. A light receiving optical system that leads to a surface and forms an observation image of the second pattern on the second observation surface;
First position information of an observation image of the first pattern on the first observation plane and second position information of an observation image of the second pattern on the second observation plane are detected, and the first position information and the second position information are detected. A detection unit that detects a surface position of the test surface based on position information;
A surface position detecting device comprising:
請求項1乃至17のいずれか1項に記載の面位置検出装置と、
前記面位置検出装置の検出結果に基づいて、前記パターンが設けられたパターン面または前記感光性基板の転写面の少なくとも一方の位置合わせをする位置合わせ手段と、を備え、
前記面位置検出装置は、前記パターン面の面位置と前記転写面の面位置との少なくとも一方を前記被検面の面位置として検出することを特徴とする露光装置。In an exposure apparatus that transfers a pattern to a photosensitive substrate,
A surface position detection device according to any one of claims 1 to 17,
Alignment means for aligning at least one of the pattern surface provided with the pattern or the transfer surface of the photosensitive substrate based on the detection result of the surface position detection device;
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the surface position detection device detects at least one of a surface position of the pattern surface and a surface position of the transfer surface as a surface position of the test surface.
前記パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記パターンに対応する形状の転写パターン層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記転写パターン層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。An exposure step of transferring the pattern to the photosensitive substrate using the exposure apparatus according to claim 18;
Developing the photosensitive substrate to which the pattern has been transferred, and forming a transfer pattern layer having a shape corresponding to the pattern on the surface of the photosensitive substrate;
And a processing step of processing the surface of the photosensitive substrate through the transfer pattern layer.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008013209 | 2008-01-24 | ||
JP2008013209 | 2008-01-24 | ||
PCT/JP2009/050831 WO2009093594A1 (en) | 2008-01-24 | 2009-01-21 | Surface position detecting device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009093594A1 true JPWO2009093594A1 (en) | 2011-05-26 |
Family
ID=40901102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009550526A Pending JPWO2009093594A1 (en) | 2008-01-24 | 2009-01-21 | Surface position detection apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2009093594A1 (en) |
TW (1) | TW200937145A (en) |
WO (1) | WO2009093594A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2005821A (en) | 2009-12-23 | 2011-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying a pattern to a substrate. |
DE102019117293B3 (en) * | 2019-06-27 | 2020-11-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Device for measuring masks for microlithography and autofocusing processes |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06104158A (en) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | Position detecting device |
JP3517504B2 (en) * | 1995-12-15 | 2004-04-12 | キヤノン株式会社 | Position detecting apparatus and device manufacturing method using the same |
US7411667B2 (en) * | 2005-06-03 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Method for correcting disturbances in a level sensor light path |
TWI432910B (en) * | 2006-07-14 | 2014-04-01 | 尼康股份有限公司 | Surface position detecting device, exposure device and component manufacturing method |
-
2009
- 2009-01-21 WO PCT/JP2009/050831 patent/WO2009093594A1/en active Application Filing
- 2009-01-21 JP JP2009550526A patent/JPWO2009093594A1/en active Pending
- 2009-01-23 TW TW098102721A patent/TW200937145A/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009093594A1 (en) | 2009-07-30 |
TW200937145A (en) | 2009-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6555222B2 (en) | Position detection apparatus, exposure apparatus, and exposure method | |
JP5630628B2 (en) | Surface position detection apparatus, surface position detection method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5577625B2 (en) | Surface position detection apparatus, exposure apparatus, surface position detection method, and device manufacturing method | |
TWI417508B (en) | Surface position survey apparauts, exposure system and manufacturing method of the semiconductor device | |
TWI432910B (en) | Surface position detecting device, exposure device and component manufacturing method | |
JP2010066256A (en) | Plane position detection apparatus, exposure system, method for detecting plane position, and method for manufacturing device | |
JP2009236655A (en) | Displacement detecting apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2009031169A (en) | Position detection apparatus, exposure apparatus, and manufacturing method for device | |
WO2009093594A1 (en) | Surface position detecting device, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5401770B2 (en) | Surface position detection apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
WO2013168456A1 (en) | Surface position measurement device, exposure device, and device production method | |
JP2008177308A (en) | Position detection apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
WO2013168457A1 (en) | Surface position measurement device, surface position measurement method, exposure device, and device production method | |
JP5622126B2 (en) | Surface position detection apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2009170560A (en) | Surface position detection device, exposure equipment, and method for manufacturing device | |
JP2010010240A (en) | Device for detecting face position, exposure device, and device manufacturing method | |
JP2007329384A (en) | Surface position detection device, exposure equipment, and method for manufacturing device | |
JP2009194181A (en) | Plan position detecting device, plan position detection method, exposure apparatus and method of manufacturing device | |
JP5055649B2 (en) | Projection optical apparatus, exposure apparatus, device manufacturing method, image plane information detection apparatus, and projection optical system adjustment method | |
JP2014075513A (en) | Surface position detector, exposure device and device manufacturing method | |
JP2014036151A (en) | Surface position measuring device, exposure device, and manufacturing method of device |