JPWO2008149972A1 - 水素センサー、及びその製造方法 - Google Patents
水素センサー、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2008149972A1 JPWO2008149972A1 JP2009517906A JP2009517906A JPWO2008149972A1 JP WO2008149972 A1 JPWO2008149972 A1 JP WO2008149972A1 JP 2009517906 A JP2009517906 A JP 2009517906A JP 2009517906 A JP2009517906 A JP 2009517906A JP WO2008149972 A1 JPWO2008149972 A1 JP WO2008149972A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- film
- protective film
- permeable metal
- rare earth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 142
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 142
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 title 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 122
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 67
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 65
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract description 53
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 39
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 64
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 19
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 153
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- -1 AlNx 1 Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0036—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
- G01N33/005—H2
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Description
2 基板
4 複合検知膜
6 希土類金属層
8、13 水素透過性金属粒子
10 保護膜
15 セラミックス材料
t4 複合検知膜の厚さ
t10 保護膜の厚さ
上記複合検知膜4は、水素検知機能を有する希土類金属を主成分とする。希土類金属としては、イットリウム、セリウム及びランタンより成る群から選ばれる少なくとも1種の金属であることが、水素検知能力に優れるので好ましい。複合検知膜は、例えば、真空雰囲気下で、基板上に希土類金属及び水素透過性金属を気相成長法により成膜することにより製造出来る。又は、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で、これら金属の同時スパッタリング法で基板2の表面に成膜することにより、複合検知膜を製造できる。
図1に示す保護膜10は、水素透過性金属粒子13がセラミックス材料15中に分散した薄膜である。保護膜中の水素透過性金属粒子の含有割合は30〜70質量%が好ましく、35〜65質量%がより好ましく、40〜60質量%が特に好ましい。この含有割合が30質量%未満であると、保護膜を透過する水素ガス量が不足し、水素ガスを複合検知膜に供給する性能が不十分になる。一方、この含有割合が70質量%を超えると、保護膜の水素化に伴う保護膜の劣化が顕著となる。更に、複合検知膜に対する水素透過性金属の拡散移行が顕著となり、その結果複合検知膜の水素検知性能の低下が著しくなる。
図1に示すように、水素透過性金属粒子を分散しているマトリックス層は、セラミックス材料15で構成される。セラミックス材料としては、アルミニウム(Al)又は珪素(Si)の窒化物、及び/又は酸化物、或いは希土類金属の珪化物が好ましい。これらのセラミックス材料のうち、AlNx1、AlOx2、SiNx3、SiOx4(但し、0.5≦x1≦1、0.8≦x2≦1.5、0.7≦x3≦1.3、1≦x4≦2)が好ましい。
本発明の水素センサーは、基板の少なくとも片面に気相成長法又はスパッタリング法により複合検知膜4を形成させ、次いで該複合検知膜4の上面に気相成長法又はスパッタリング法により保護膜10を成膜することで製造できる。
2軸以上のカソードを持つスパッタリング装置を用いて図1に示す本水素センサーを作製した。希土類金属ターゲットにYを、水素透過性金属ターゲットにPdを使用した。装置内にアルゴンガスを導入し、圧力9.3×10−1Pa、基板温度を室温に保ち、2つのターゲットを同時スパッタリングして厚さ1μmの複合検知膜4を石英基板2の上に形成した。スパッタリング時間は、1430秒間であった。石英基板2の厚さは1.5mmであった。スパッタリング時のYのスパッタリング出力とPdのスパッタリング出力の比は15:2の出力比とした。この場合、Y中のPdの含有割合は15質量%であった。検知膜4の膜厚は、触針式表面形状粗さ測定器を用いて測定した。
実施例1と同様に操作して、水素センサーを作製した。但し、同時スパッタリング時間を205秒間として、厚さが144nmの検知膜を得た。
実施例1と同様の方法で水素センサーを作製した。但し、検知膜の同時スパッタリング時間を44秒間とし、厚さ30nmの検知膜を得た。
厚さが100nmのY単層膜を検知膜とし、この検知膜の上面に実施例1の保護膜と同一保護膜を形成した。その他は、実施例1と同様に操作した。
検知膜の厚さが1000nmである以外は、比較例1と同じ水素センサーを作製した。
Claims (8)
- 基板と;該基板上に形成された複合検知膜であって、この複合検知膜は希土類金属層と前記希土類金属層に微細分散させた水素透過性金属粒子とからなる複合検知膜と;該複合検知膜上に形成された保護膜であって、この保護膜はセラミックス材料と前記セラミックス材料に分散してなる水素透過性金属粒子とからなる保護膜と;を有することを特徴とする水素センサー。
- 複合検知膜の厚さが5〜1000nmであり、保護膜の厚さが5〜100nmである請求項1に記載の水素センサー。
- 希土類金属がイットリウム(Y)、セリウム(Ce)及びランタン(La)よりなる群から選ばれる少なくとも1種で構成される請求項1に記載の水素センサー。
- 希土類金属中の水素透過性金属の含有割合が1〜25質量%である請求項1に記載の水素センサー。
- 水素透過性金属が、パラジウム(Pd)、プラチナ(Pt)、ニオブ(Nb)、バナジウム(V)及びタンタル(Ta)よりなる群から選ばれる少なくとも1種からなる請求項1に記載の水素センサー。
- セラミックス材料がIVa,Va,VIa族元素の窒化物又は酸化物である請求項1に記載の水素センサー。
- セラミックス材料が、AlNX1、AlOX2、SiNX3及びSiOX4(但し、0.5≦X1≦1.0、0.8≦X2≦1.5、0.7≦X3≦1.3、1≦X4≦2)よりなる群から選ばれる少なくとも1種で構成される請求項1に記載の水素センサー。
- 水素透過性金属と希土類金属とを同時に気相成長させ又はスパッタリングすることにより、基板の表面上に希土類金属中に水素透過性金属粒子を微細分散させた複合検知膜を形成させ、次いで複合検知膜の上に水素透過性金属とセラミックス材料とを同時に気相成長させ又はスパッタリングすることによりセラミックス材料中に水素透過性金属粒子を分散してなる保護膜を成膜する請求項1に記載の水素センサーの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009517906A JP5052607B2 (ja) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | 水素センサー、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007153153 | 2007-06-08 | ||
JP2007153153 | 2007-06-08 | ||
PCT/JP2008/060438 WO2008149972A1 (ja) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | 水素センサー、及びその製造方法 |
JP2009517906A JP5052607B2 (ja) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | 水素センサー、及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008149972A1 true JPWO2008149972A1 (ja) | 2010-08-26 |
JP5052607B2 JP5052607B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=40093776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009517906A Expired - Fee Related JP5052607B2 (ja) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | 水素センサー、及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5052607B2 (ja) |
WO (1) | WO2008149972A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5144563B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2013-02-13 | 株式会社ミクニ | 水素センサ及びその製造方法 |
JP6387240B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-09-05 | 国立大学法人岩手大学 | 水素センサ |
JP7486123B2 (ja) | 2020-07-02 | 2024-05-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ガスセンサ装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002535651A (ja) * | 1999-01-15 | 2002-10-22 | アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド | 微細加工薄膜水素ガスセンサーおよびその製造方法および使用方法 |
JP2005274559A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Mikuni Corp | 水素センサー及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3732076A (en) * | 1971-06-21 | 1973-05-08 | Mc Donnell Douglas Corp | Rare earth hydrogen detector |
US6596236B2 (en) * | 1999-01-15 | 2003-07-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Micro-machined thin film sensor arrays for the detection of H2 containing gases, and method of making and using the same |
-
2008
- 2008-06-06 WO PCT/JP2008/060438 patent/WO2008149972A1/ja active Application Filing
- 2008-06-06 JP JP2009517906A patent/JP5052607B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002535651A (ja) * | 1999-01-15 | 2002-10-22 | アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド | 微細加工薄膜水素ガスセンサーおよびその製造方法および使用方法 |
JP2005274559A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Mikuni Corp | 水素センサー及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008149972A1 (ja) | 2008-12-11 |
JP5052607B2 (ja) | 2012-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1568991B1 (en) | Hydrogen sensor and process for production thereof | |
JP4659481B2 (ja) | 水素センサー及びその製造方法 | |
KR100687586B1 (ko) | 미소 가공된 박막 수소 가스 센서 및 그 제조 방법과 수소검출 방법 | |
TW546476B (en) | Micro-machined thin film sensor arrays for the detection of H2, NH3, and sulfur containing gases, and method of making and using the same | |
Kwoka et al. | Impact of air exposure and annealing on the chemical and electronic properties of the surface of SnO2 nanolayers deposited by rheotaxial growth and vacuum oxidation | |
EP2559778B1 (en) | Hydrogen sensor using hydrogen-absorbing alloy | |
US8205482B2 (en) | Hydrogen sensor with detection film comprised of rare earth metal particles dispersed in a ceramic | |
JP5352049B2 (ja) | 水素センサ | |
JP5052607B2 (ja) | 水素センサー、及びその製造方法 | |
Corso et al. | Room-temperature optical detection of hydrogen gas using palladium nano-islands | |
JP2008261634A (ja) | 水素センサー | |
JP2006300560A (ja) | 水素透過膜、水素センサおよび水素の検知方法 | |
Kosc et al. | Double layer films based on TiO2 and NiOx for gas detection | |
JP2005030907A (ja) | ガスセンサ | |
JP5144563B2 (ja) | 水素センサ及びその製造方法 | |
JP4895741B2 (ja) | 水素センサー | |
Soroka et al. | Comparative H diffusion measurement through metal and non-metal nano-layers using optical sensing | |
JP2006242644A (ja) | 金属薄膜を用いた溶存水素センサ | |
Duś et al. | Oxygen interaction with palladium hydride and titanium hydride surfaces | |
WO2009157123A1 (ja) | センサ装置及びその製造方法 | |
Erkovan et al. | Hydrogen-Sensing Properties of Ultrathin Pt-Co Alloy Films. Chemosensors 2022, 10, 512 | |
JP2010181282A (ja) | 水素検知素子 | |
Simon et al. | 4.1. 3 Pt/Au based Sensor with a PMMA–Film for detecting CO in a Hydrogen Atmosphere | |
KR20230115448A (ko) | 광범위 수소 농도를 검출할 수 있는 수소 검출 센서 | |
Kang et al. | Pt-doped SnO2 thin film based micro gas sensors with |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111227 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20120215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120626 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120724 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5052607 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |