JPWO2007116469A1 - Pattern transfer method and pattern transfer apparatus - Google Patents

Pattern transfer method and pattern transfer apparatus Download PDF

Info

Publication number
JPWO2007116469A1
JPWO2007116469A1 JP2008509620A JP2008509620A JPWO2007116469A1 JP WO2007116469 A1 JPWO2007116469 A1 JP WO2007116469A1 JP 2008509620 A JP2008509620 A JP 2008509620A JP 2008509620 A JP2008509620 A JP 2008509620A JP WO2007116469 A1 JPWO2007116469 A1 JP WO2007116469A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stamper
substrate
resin layer
pattern transfer
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008509620A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
峰生 守部
峰生 守部
馬田 孝博
孝博 馬田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of JPWO2007116469A1 publication Critical patent/JPWO2007116469A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/855Coating only part of a support with a magnetic layer
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/0046Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate using stamping, e.g. imprinting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/74Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
    • G11B5/743Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B29C2059/023Microembossing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C2791/00Shaping characteristics in general
    • B29C2791/004Shaping under special conditions
    • B29C2791/008Using vibrations during moulding
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/86Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers
    • G11B5/865Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers by contact "printing"

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

基板(B)上の樹脂層(92)にスタンパ(1)の凹凸面(10)を密接させ、樹脂層(92)に凹凸パターンを転写するパターン転写方法であって、凹凸面(10)を樹脂層(92)に密接させた状態でこれらの間から気泡(100)を除去するように、基板(B)またはスタンパ(1)に超音波振動を付与する。超音波振動は、気泡(100)の除去に十分な出力レベルで所定時間に限って付与される。A pattern transfer method in which a concavo-convex surface (10) of a stamper (1) is brought into close contact with a resin layer (92) on a substrate (B), and the concavo-convex pattern is transferred to the resin layer (92). Ultrasonic vibration is applied to the substrate (B) or the stamper (1) so that the bubbles (100) are removed from the resin layer (92) in close contact therewith. The ultrasonic vibration is applied only for a predetermined time at an output level sufficient for removing the bubbles (100).

Description

本発明は、いわゆるナノインプリントによって微細な凹凸パターンを転写するためのパターン転写方法およびパターン転写装置に関する。   The present invention relates to a pattern transfer method and a pattern transfer apparatus for transferring a fine uneven pattern by so-called nanoimprint.

ナノインプリントとは、ナノメートル単位のピッチで微細な凹凸面をもつスタンパを、ディスク媒体などの樹脂基板あるいは基板上の樹脂層に押圧することにより、基板の表面にサーボ情報などの凹凸パターンを転写する技術である。従来の微細パターン転写方法としては、特許文献1や特許文献2に開示されたものがある。これらは、いずれも超音波振動によって熱可塑性樹脂に熱を付与しており、超音波振動は、比較的大きな出力レベルでスタンパや基板に印加されるようになっている。   Nanoimprint is a method of transferring a concave / convex pattern such as servo information onto the surface of a substrate by pressing a stamper with a fine concave / convex surface at a nanometer pitch against a resin substrate such as a disk medium or a resin layer on the substrate. Technology. Conventional fine pattern transfer methods include those disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2. All of these apply heat to the thermoplastic resin by ultrasonic vibration, and the ultrasonic vibration is applied to the stamper and the substrate at a relatively large output level.

特開平09−201874号公報JP 09-201874 A 特開2001−266417号公報JP 2001-266417 A

しかしながら、凹凸パターンをエッチング用マスクとして形成するナノインプリントにおいては、樹脂層の厚みが100nmに満たない程度とされるにも関わらず、上記従来のパターン転写方法による手法で樹脂層に凹凸パターンを転写すると、樹脂層に対して超音波振動が強く作用しすぎるために、樹脂層と基板が剥離することがあった。   However, in the nanoimprint in which the concave / convex pattern is formed as an etching mask, the concave / convex pattern is transferred to the resin layer by the conventional pattern transfer method even though the thickness of the resin layer is less than 100 nm. Since the ultrasonic vibration acts too strongly on the resin layer, the resin layer and the substrate may be peeled off.

一方、超音波振動を作用させずにスタンパの凹凸面を樹脂層に密接させると、凹凸面と樹脂層との間に小さな気泡が入り込んでしまい、そのままの状態でスタンパと基板を押圧して加熱処理を行ったのでは、凹凸パターンに転写欠陥が生じてしまう。つまり、従来のパターン転写方法では、超音波振動を利用する目的が適切でないため、高精度に凹凸パターンを転写することができなかった。   On the other hand, if the concave / convex surface of the stamper is brought into close contact with the resin layer without applying ultrasonic vibration, small bubbles enter between the concave / convex surface and the resin layer, and the stamper and the substrate are pressed and heated as they are. When the treatment is performed, a transfer defect occurs in the concavo-convex pattern. That is, in the conventional pattern transfer method, since the purpose of using the ultrasonic vibration is not appropriate, the uneven pattern cannot be transferred with high accuracy.

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものである。本発明は、超音波振動を適切に利用することで高精度に凹凸パターンを転写することができるパターン転写方法およびパターン転写装置を提供することをその課題としている。   The present invention has been conceived under the circumstances described above. An object of the present invention is to provide a pattern transfer method and a pattern transfer apparatus capable of transferring a concavo-convex pattern with high accuracy by appropriately using ultrasonic vibration.

上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。   In order to solve the above problems, the present invention takes the following technical means.

本発明の第1の側面により提供されるパターン転写方法は、基板上の樹脂層にスタンパの凹凸面を密接させ、上記樹脂層に凹凸パターンを転写するパターン転写方法であって、上記凹凸面を上記樹脂層に密接させた状態でこれらの間から気泡を除去するように、上記基板または上記スタンパに超音波振動を付与することを特徴としている。   The pattern transfer method provided by the first aspect of the present invention is a pattern transfer method in which a concavo-convex surface of a stamper is brought into close contact with a resin layer on a substrate, and the concavo-convex pattern is transferred to the resin layer. It is characterized in that ultrasonic vibration is applied to the substrate or the stamper so as to remove bubbles from between them while being in close contact with the resin layer.

好ましくは、上記超音波振動は、気泡の除去に十分な出力レベルで所定時間に限って付与される。   Preferably, the ultrasonic vibration is applied only for a predetermined time at an output level sufficient for removing bubbles.

好ましくは、上記樹脂層は、熱可塑性樹脂からなり、上記基板およびスタンパを真空下に配置した状態でこれらの少なくともいずれか一方に上記超音波振動を付与し、その後、上記基板およびスタンパを押圧した状態で上記樹脂層を加熱する。   Preferably, the resin layer is made of a thermoplastic resin, and the ultrasonic vibration is applied to at least one of the substrate and the stamper in a state where the substrate and the stamper are arranged under vacuum, and then the substrate and the stamper are pressed. The resin layer is heated in the state.

好ましくは、上記樹脂層は、熱可塑性樹脂からなり、上記基板およびスタンパを大気圧下もしくは真空下に配置し、かつ、これらを押圧した状態で少なくともいずれか一方に上記超音波振動を付与し、その後、上記基板およびスタンパを押圧した状態で上記樹脂層を加熱する。   Preferably, the resin layer is made of a thermoplastic resin, the substrate and the stamper are arranged under atmospheric pressure or vacuum, and the ultrasonic vibration is applied to at least one of them while being pressed, Thereafter, the resin layer is heated in a state where the substrate and the stamper are pressed.

好ましくは、上記樹脂層は、光硬化樹脂からなり、上記基板およびスタンパを真空下に配置した状態でこれらの少なくともいずれか一方に上記超音波振動を付与し、その後、上記基板およびスタンパを押圧した状態で上記樹脂層に樹脂硬化用光を照射する。   Preferably, the resin layer is made of a photo-curing resin, and the ultrasonic vibration is applied to at least one of the substrate and the stamper in a state where the substrate and the stamper are arranged in a vacuum, and then the substrate and the stamper are pressed. In this state, the resin layer is irradiated with resin curing light.

好ましくは、上記樹脂層は、光硬化樹脂からなり、上記基板およびスタンパを大気圧下もしくは真空下に配置し、かつ、これらを押圧した状態で少なくともいずれか一方に上記超音波振動を付与し、その後、上記基板およびスタンパを押圧した状態で上記樹脂層に樹脂硬化用光を照射する。   Preferably, the resin layer is made of a photo-curing resin, the substrate and the stamper are disposed under atmospheric pressure or vacuum, and the ultrasonic vibration is applied to at least one of them while being pressed, Thereafter, the resin layer is irradiated with resin curing light while the substrate and the stamper are pressed.

好ましくは、上記樹脂層は、常温転写型樹脂からなり、上記基板およびスタンパを真空下に配置した状態でこれらの少なくともいずれか一方に上記超音波振動を付与し、その後、上記基板およびスタンパを押圧する。   Preferably, the resin layer is made of a room temperature transfer type resin, and the ultrasonic vibration is applied to at least one of the substrate and the stamper in a state where the substrate and the stamper are arranged under vacuum, and then the substrate and the stamper are pressed. To do.

好ましくは、上記樹脂層は、常温転写型樹脂からなり、上記基板およびスタンパを大気圧下もしくは真空下に配置し、かつ、これらを押圧した状態で少なくともいずれか一方に上記超音波振動を付与する。   Preferably, the resin layer is made of a room temperature transfer resin, the substrate and the stamper are arranged under atmospheric pressure or vacuum, and the ultrasonic vibration is applied to at least one of them while pressed. .

本発明の第2の側面により提供されるパターン転写装置は、基板上の樹脂層に凹凸パターンを転写するためのパターン転写装置であって、上記樹脂層に凹凸パターンを転写するための凹凸面をもつスタンパと、上記基板およびスタンパを平行に保持して押圧するための押圧保持手段と、上記押圧保持手段によって上記凹凸面を上記樹脂層に密接させた状態でこれらの間から気泡を除去するように、上記基板または上記スタンパに超音波振動を付与する超音波振動子とを備えていることを特徴としている。   The pattern transfer device provided by the second aspect of the present invention is a pattern transfer device for transferring a concavo-convex pattern to a resin layer on a substrate, and has a concavo-convex surface for transferring the concavo-convex pattern to the resin layer. And a stamp holding means for holding and pressing the substrate and the stamper in parallel, and removing the bubbles from the concave and convex surfaces in close contact with the resin layer by the press holding means. And an ultrasonic vibrator for applying ultrasonic vibration to the substrate or the stamper.

本発明が適用されたパターン転写装置の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of the pattern transfer apparatus with which this invention was applied. 本発明が適用されたパターン転写方法の一実施形態を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating one Embodiment of the pattern transfer method to which this invention was applied. 図2に示されたパターン転写方法の具体的内容を説明するための説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining specific contents of the pattern transfer method shown in FIG. 2. 本発明が適用されたパターン転写方法の他の実施形態を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating other embodiment of the pattern transfer method to which this invention was applied. 本発明が適用されたパターン転写方法の他の実施形態を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating other embodiment of the pattern transfer method to which this invention was applied. 本発明が適用されたパターン転写方法の他の実施形態を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating other embodiment of the pattern transfer method to which this invention was applied.

以下、本発明の好ましい実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1に示すように、本発明の一実施形態によるパターン転写装置Aは、たとえばディスクリートトラックメディアと呼ばれる磁気記録媒体Bを製造する過程でこの磁気記録媒体(以下、「基板」と称する)Bに対してナノインプリントにより転写を行うものである。このパターン転写装置Aは、作業室Cの内部に設置されている。パターン転写装置Aは、転写用のスタンパ1、このスタンパ1や上側パネル20を水平に保持するとともに、上部ユニット21を保持する上側固定部材2、基板Bを水平に保持する下側パネル3、基板Bの下面に接するように下側パネル3の中央部に配置された超音波振動子4、下側パネル3および超音波振動子4を保持して上下方向に昇降可能な下側昇降部材5、この下側昇降部材5を昇降動作させるための駆動モータ6、ならびに作業室C内の圧力を減圧するための真空ポンプ7を備えて構成されている。上側パネル20および下側パネル3のそれぞれは、スタンパ1および基板Bに接した状態でこれらに熱を伝えるヒータパネルとして機能する。上部ユニット21の内部には、水平面内においてスタンパ1を基板Bに対して位置決めするための機構や熱交換器が設けられている(図示略)。下側パネル3の内部にも、熱交換器が設けられている(図示略)。   As shown in FIG. 1, a pattern transfer apparatus A according to an embodiment of the present invention applies a magnetic recording medium B (hereinafter referred to as a “substrate”) B in the process of manufacturing a magnetic recording medium B called a discrete track medium, for example. On the other hand, transfer is performed by nanoimprint. The pattern transfer apparatus A is installed inside the work chamber C. The pattern transfer device A holds the stamper 1 for transfer, the stamper 1 and the upper panel 20 horizontally, the upper fixing member 2 that holds the upper unit 21, the lower panel 3 that holds the substrate B horizontally, and the substrate. An ultrasonic transducer 4 disposed at the center of the lower panel 3 so as to be in contact with the lower surface of B, a lower lifting member 5 that holds the lower panel 3 and the ultrasonic transducer 4 and can be moved up and down; A drive motor 6 for raising and lowering the lower elevating member 5 and a vacuum pump 7 for reducing the pressure in the working chamber C are provided. Each of the upper panel 20 and the lower panel 3 functions as a heater panel that transfers heat to the stamper 1 and the substrate B while being in contact with them. Inside the upper unit 21, a mechanism and a heat exchanger (not shown) for positioning the stamper 1 with respect to the substrate B in a horizontal plane are provided. A heat exchanger is also provided inside the lower panel 3 (not shown).

スタンパ1は、たとえば直径6cm程度のNi基板あるいはSiO2基板からなり、別に用意した原盤の片面にレジストの塗布、電子ビームによる露光、現像、およびメッキ処理またはエッチングなどを施して作製されたものである。これらの処理が施されたスタンパ1の片面は、たとえば100nm程度のピッチpで深さhが50nm程度の微細な凹凸面10をなしており(図2参照)、この凹凸面10が基板Bに対して密接させられる。The stamper 1 is made of, for example, a Ni substrate or a SiO 2 substrate having a diameter of about 6 cm, and is manufactured by applying a resist, exposing with an electron beam, developing, plating or etching, etc. on one side of a separately prepared master. is there. One side of the stamper 1 subjected to these treatments forms a fine concavo-convex surface 10 having a pitch p of about 100 nm and a depth h of about 50 nm (see FIG. 2). Close to it.

上側パネル20は、たとえば石英ガラスからなり、下面に接した状態のスタンパ1に対して効率よく熱を伝えるとともに、位置決め用の光を透過する役割を果たす。   The upper panel 20 is made of, for example, quartz glass, and efficiently transmits heat to the stamper 1 in contact with the lower surface, and transmits the positioning light.

上部ユニット21の内部には、位置決め用の光照射器や光検出器、熱交換器が設けられているほか、基板Bに対してたとえば紫外線などの樹脂硬化用光を照射するための光照射器も設けられている(図示略)。なお、樹脂硬化用光を照射する場合、樹脂硬化用光が上側パネル20およびスタンパ1を透過して基板Bに達しなければならないため、スタンパ1としては、光透過性をもつSiO2基板からなるものが好ましい。The upper unit 21 is provided with a positioning light irradiator, a light detector, and a heat exchanger, and a light irradiator for irradiating the substrate B with resin curing light such as ultraviolet rays. Is also provided (not shown). When the resin curing light is irradiated, the resin curing light must pass through the upper panel 20 and the stamper 1 and reach the substrate B. Therefore, the stamper 1 is made of a light-transmitting SiO 2 substrate. Those are preferred.

下側パネル3および超音波振動子4は、駆動モータ6によって下側昇降部材5が昇降させられるのに伴い、これと一体になって上下方向に移動する。すなわち、下側パネル3および超音波振動子4によって水平に保持された基板Bは、床面から一定の高さに保持されたスタンパ1に対して接近あるいは離隔させられ、このスタンパ1の凹凸面10に密接させられた状態でスタンパ1と基板Bとが押圧される。   The lower panel 3 and the ultrasonic transducer 4 move up and down together with the lower lifting member 5 as the lower lifting member 5 is lifted and lowered by the drive motor 6. That is, the substrate B held horizontally by the lower panel 3 and the ultrasonic transducer 4 is moved closer to or away from the stamper 1 held at a certain height from the floor surface. The stamper 1 and the substrate B are pressed in a state where the stamper 1 and the substrate B are in close contact with each other.

超音波振動子4は、下側パネル3の上部に上下動可能に設けられており、基板Bに対して超音波振動を付与する際には、基板Bの下面に超音波振動子4が直接または下側パネル3の一部を介して触れた状態とされる。この超音波振動子4は、たとえば40W程度といった比較的弱い出力レベルで発信周波数が50kHz程度の超音波振動を発振する。   The ultrasonic transducer 4 is provided on the upper portion of the lower panel 3 so as to be movable up and down. When applying ultrasonic vibration to the substrate B, the ultrasonic transducer 4 is directly applied to the lower surface of the substrate B. Or it is in the state which touched through a part of lower panel 3. FIG. The ultrasonic transducer 4 oscillates ultrasonic vibration having a relatively weak output level such as about 40 W and a transmission frequency of about 50 kHz.

真空ポンプ7は、作業室C内の圧力をたとえば1Torr程度まで減圧する能力をもつ。   The vacuum pump 7 has a capability of reducing the pressure in the working chamber C to about 1 Torr, for example.

図2の(a)〜(f)は、基板Bの製造過程を示しており、上記パターン転写装置Aを利用したパターン転写方法は、同図の(a)および(b)に示される過程で実施される。   2A to 2F show the manufacturing process of the substrate B, and the pattern transfer method using the pattern transfer apparatus A is the process shown in FIGS. 2A and 2B. To be implemented.

図2の(a)に示すように、基板Bは、ベース層90の片面に磁性膜91が形成されたものである。磁性膜91の表面には、製造過程でマスクとして用いるための樹脂層92がスピンコートなどによって形成される。この樹脂層92は、たとえばポリメタクリル酸メチル樹脂(PMMA)といった熱可塑性樹脂からなり、ガラス転移点が100℃前後である。   As shown in FIG. 2A, the substrate B is obtained by forming a magnetic film 91 on one side of the base layer 90. On the surface of the magnetic film 91, a resin layer 92 to be used as a mask in the manufacturing process is formed by spin coating or the like. The resin layer 92 is made of a thermoplastic resin such as polymethyl methacrylate resin (PMMA), and has a glass transition point of around 100 ° C.

樹脂層92を形成した後、この樹脂層92には、スタンパ1の凹凸面10が密接させられる。そのままの状態でさらにその後、凹凸面10や樹脂層92には、真空下における超音波振動の付与や加圧処理、さらには加熱処理が行われる。そして、所要の冷却期間を経た後、スタンパ1の凹凸面10は、樹脂層92から離隔させられる。その結果、図2の(b)に示すように、樹脂層92は、凹凸面10に応じた凹凸パターンが転写されて硬化した形態となる。こうして形成された凹凸パターンがエッチング用マスクとして用いられる。   After the resin layer 92 is formed, the uneven surface 10 of the stamper 1 is brought into close contact with the resin layer 92. Thereafter, the concavo-convex surface 10 and the resin layer 92 are further subjected to application of ultrasonic vibration under vacuum, pressure treatment, and heat treatment. After the required cooling period, the uneven surface 10 of the stamper 1 is separated from the resin layer 92. As a result, as shown in FIG. 2B, the resin layer 92 is in a form in which the uneven pattern corresponding to the uneven surface 10 is transferred and cured. The uneven pattern thus formed is used as an etching mask.

凹凸パターンが転写された直後の樹脂層92には、マスクとして不要な残渣部分が存在するため、図2の(c)に示すように、樹脂層92の残渣部分が除去される。これにより、樹脂層92の凹部は、磁性膜91が露出した状態となる。   Since the resin layer 92 immediately after the concavo-convex pattern is transferred has a residue portion unnecessary as a mask, the residue portion of the resin layer 92 is removed as shown in FIG. Thereby, the recessed part of the resin layer 92 will be in the state which the magnetic film 91 exposed.

この樹脂層92をマスクとして磁性膜91にエッチング処理を行い、その後、残った樹脂層92を除去することにより、図2の(d)に示すように、磁性膜91には、凹部93が形成される。   The magnetic film 91 is etched using the resin layer 92 as a mask, and then the remaining resin layer 92 is removed, thereby forming a recess 93 in the magnetic film 91 as shown in FIG. Is done.

その後、図2の(e)に示すように、磁性膜91には、凹部93を埋めながら全体を覆うように非磁性材料94が定着させられる。   After that, as shown in FIG. 2E, the nonmagnetic material 94 is fixed to the magnetic film 91 so as to cover the whole while filling the concave portion 93.

最終的には、図2の(f)に示すように、磁性膜91および非磁性材料94の表面が研磨される。その結果、磁性膜91は、凹部93に埋め込まれた非磁性材料94によって区切られた形態となる。これにより、ディスクリートトラックメディアとしての基板Bが完成する。   Finally, as shown in FIG. 2F, the surfaces of the magnetic film 91 and the nonmagnetic material 94 are polished. As a result, the magnetic film 91 is separated by the nonmagnetic material 94 embedded in the recess 93. Thereby, the substrate B as a discrete track medium is completed.

図2の(a)および(b)に示した本実施形態のパターン転写方法は、具体的には図3の(a)〜(e)に示す手順で行われる。   The pattern transfer method of the present embodiment shown in FIGS. 2A and 2B is specifically performed according to the procedure shown in FIGS. 3A to 3E.

図3の(a)に示すように、スタンパ1の凹凸面10を樹脂層92に密接させる際には、真空ポンプ7(同図においては図示略)を作動させることで作業室Bを真空状態とする。このとき、達成真空度が1Torr程度であり、しかも凹凸面10と樹脂層92とが不完全に接触しやすいため、凹凸面10と樹脂層92との間には、各所に小さい気泡100が入り込んだ状態となる。   As shown in FIG. 3A, when the uneven surface 10 of the stamper 1 is brought into close contact with the resin layer 92, the vacuum chamber 7 is operated in a vacuum state by operating the vacuum pump 7 (not shown in the figure). And At this time, the degree of vacuum achieved is about 1 Torr, and the uneven surface 10 and the resin layer 92 are likely to be incompletely in contact with each other, so that small bubbles 100 enter between the uneven surface 10 and the resin layer 92 in various places. It becomes a state.

そのため、図3の(b)に示すように、基板Bのベース層90には、超音波振動子4が接触させられ、この超音波振動子4を発振させることで凹凸面10と樹脂層92との間に超音波振動が付与される。超音波振動を付与する時間は、凹凸面10と樹脂層92との間から気泡100を除去するのに十分な時間的長さがあればよい。これにより、たとえば超音波振動を付与し始めてから5秒も経過すると、凹凸面10と樹脂層92との間から完全に気泡100が除去される。超音波振動の出力レベルが比較的小さい40W程度であり、超音波振動を付与する時間もそれほど長くないため、凹凸面10と樹脂層92との間に不要な発熱や壊食現象を生じさせることはない。   Therefore, as shown in FIG. 3B, the ultrasonic transducer 4 is brought into contact with the base layer 90 of the substrate B, and the concave and convex surface 10 and the resin layer 92 are caused by oscillating the ultrasonic transducer 4. Ultrasonic vibration is applied between the two. The time for applying the ultrasonic vibration may be long enough to remove the bubbles 100 from between the uneven surface 10 and the resin layer 92. Thereby, for example, when 5 seconds have passed since the start of application of ultrasonic vibration, the bubbles 100 are completely removed from between the uneven surface 10 and the resin layer 92. Since the output level of the ultrasonic vibration is about 40 W, which is relatively small, and the time for applying the ultrasonic vibration is not so long, unnecessary heat generation and erosion phenomenon occur between the uneven surface 10 and the resin layer 92. There is no.

その後、図3の(c)に示すように、スタンパ1および基板Bは、押圧面10と樹脂層92とが接した状態で上側パネル20と下側パネル3との間に挟み込まれ、たとえば500kgf程度の比較的弱い押圧力fで互いに押圧させられる。これにより、凹凸面10と樹脂層92との間における気泡100の除去がより促進される。   Thereafter, as shown in FIG. 3C, the stamper 1 and the substrate B are sandwiched between the upper panel 20 and the lower panel 3 in a state where the pressing surface 10 and the resin layer 92 are in contact with each other, for example, 500 kgf They are pressed against each other with a relatively weak pressing force f of the order. Thereby, the removal of the bubble 100 between the uneven surface 10 and the resin layer 92 is further promoted.

さらにその後、図3の(d)に示すように、スタンパ1および基板Bは、上側パネル20および下側パネル3によって樹脂層92のガラス転移点以上となる135℃程度まで加熱され、たとえば2500kgf程度の比較的強い押圧力fでより強く押圧させられる。   Thereafter, as shown in FIG. 3D, the stamper 1 and the substrate B are heated by the upper panel 20 and the lower panel 3 to about 135 ° C. which is equal to or higher than the glass transition point of the resin layer 92, for example, about 2500 kgf. Can be pressed more strongly with a relatively strong pressing force f.

そして、所要の冷却期間を経た後、作業室Bの真空状態が解除され、図3の(e)に示すように、スタンパ1の凹凸面10は、樹脂層92から離隔させられる。これにより、樹脂層92には、凹凸面10に応じた凹凸パターンが転写される。こうして樹脂層92に形成された凹凸パターンは、気泡などによる転写欠陥をもたない精密なパターンとなる。   Then, after a required cooling period, the vacuum state of the working chamber B is released, and the uneven surface 10 of the stamper 1 is separated from the resin layer 92 as shown in FIG. Thereby, the concavo-convex pattern corresponding to the concavo-convex surface 10 is transferred to the resin layer 92. The concavo-convex pattern formed on the resin layer 92 in this way is a precise pattern having no transfer defect due to bubbles or the like.

したがって、本実施形態のパターン転写方法によれば、凹凸面10と樹脂層92との間に適切な強さおよび時間をもって超音波振動が付与されるので、樹脂層92を剥離させることなくこの樹脂層92に対して凹凸パターンを高精度に転写することができる。   Therefore, according to the pattern transfer method of the present embodiment, since ultrasonic vibration is applied between the uneven surface 10 and the resin layer 92 with appropriate strength and time, this resin can be removed without peeling off the resin layer 92. The uneven pattern can be transferred to the layer 92 with high accuracy.

他の実施形態によるパターン転写方法としては、図4〜6に示す手順で行うようにしてもよい。なお、先述したものと同一または類似の構成要素については、同一符号を付してその説明を省略する。   As a pattern transfer method according to another embodiment, the method shown in FIGS. Note that the same or similar components as those described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図4に示す他の実施形態によるパターン転写方法では、同図の(a)〜(d)の各処理につき、作業室Bを真空状態とした上で行うようにしてもよいし、大気圧下で行うようにしてもよい。   In the pattern transfer method according to another embodiment shown in FIG. 4, each of the processes (a) to (d) in FIG. 4 may be performed after the working chamber B is in a vacuum state, or under atmospheric pressure. You may make it carry out.

図4の(b)に示すように、凹凸面10と樹脂層92との間に超音波振動を付与する際には、それと同時にスタンパ1および基板Bがたとえば500kgf程度の比較的弱い押圧力fで互いに押圧させられる。この際においても、超音波振動の出力レベルが比較的小さい40W程度であり、超音波振動を付与する時間がそれほど長くないため、凹凸面10と樹脂層92との間に不要な発熱や壊食現象を生じさせることなく、これらの間から気泡100を十分に除去することができる。   As shown in FIG. 4B, when applying ultrasonic vibration between the concavo-convex surface 10 and the resin layer 92, at the same time, the stamper 1 and the substrate B have a relatively weak pressing force f of about 500 kgf, for example. Are pressed against each other. Also in this case, since the output level of the ultrasonic vibration is about 40 W, which is relatively small, and the time for applying the ultrasonic vibration is not so long, unnecessary heat generation and erosion occur between the uneven surface 10 and the resin layer 92. The bubble 100 can be sufficiently removed from between these without causing a phenomenon.

その後、図4の(c)に示すように、スタンパ1および基板Bは、上側パネル20および下側パネル3によって樹脂層92のガラス転移点以上となる135℃程度まで加熱される。   Thereafter, as shown in FIG. 4C, the stamper 1 and the substrate B are heated by the upper panel 20 and the lower panel 3 to about 135 ° C. which is equal to or higher than the glass transition point of the resin layer 92.

さらにその後、図4の(d)に示すように、スタンパ1および基板Bは、加熱された状態のまま、たとえば2500kgf程度の比較的強い押圧力fでより強く押圧させられる。   Thereafter, as shown in FIG. 4D, the stamper 1 and the substrate B are pressed more strongly with a relatively strong pressing force f of, for example, about 2500 kgf while being heated.

そして、所要の冷却期間を経た後、図4の(e)に示すように、スタンパ1の凹凸面10は、樹脂層92から離隔させられる。これにより、樹脂層92には、凹凸面10に応じた凹凸パターンが転写される。こうして樹脂層92に形成された凹凸パターンも、先述した実施形態によるものと同様に凹凸面10に応じた転写欠陥のないパターンとなる。   Then, after a required cooling period, the uneven surface 10 of the stamper 1 is separated from the resin layer 92 as shown in FIG. Thereby, the concavo-convex pattern corresponding to the concavo-convex surface 10 is transferred to the resin layer 92. The concave / convex pattern thus formed on the resin layer 92 is also a pattern having no transfer defect according to the concave / convex surface 10 as in the above-described embodiment.

したがって、本実施形態のパターン転写方法によっても、樹脂層92を剥離させることなくこの樹脂層92に対して凹凸パターンを高精度に転写することができる。   Therefore, even by the pattern transfer method of the present embodiment, the concave / convex pattern can be transferred to the resin layer 92 with high accuracy without peeling off the resin layer 92.

図5に示す他の実施形態によるパターン転写方法では、樹脂層92’が光硬化樹脂からなり、スタンパ1としては、光透過性をもつSiO2基板で構成される。同図の(a)に示すように、スタンパ1の凹凸面10を樹脂層92’に密接させる際には、作業室Bを真空状態とする。In the pattern transfer method according to another embodiment shown in FIG. 5, the resin layer 92 ′ is made of a photo-curing resin, and the stamper 1 is made of a light-transmitting SiO 2 substrate. As shown to (a) of the figure, when making the uneven surface 10 of the stamper 1 closely_contact | adhere to resin layer 92 ', the working chamber B is made into a vacuum state.

その後、図5の(b)に示すように、基板Bのベース層90には、超音波振動子4が接触させられ、この超音波振動子4を発振させることで凹凸面10と樹脂層92’との間に超音波振動が付与される。この際においても、超音波振動の出力レベルが比較的小さい40W程度であり、超音波振動を付与する時間がそれほど長くないため、凹凸面10と樹脂層92’との間に不要な発熱や壊食現象を生じさせることなく、これらの間から気泡100を十分に除去することができる。   After that, as shown in FIG. 5B, the ultrasonic transducer 4 is brought into contact with the base layer 90 of the substrate B, and the irregular surface 10 and the resin layer 92 are oscillated by causing the ultrasonic transducer 4 to oscillate. Ultrasonic vibration is given between Even in this case, since the output level of the ultrasonic vibration is about 40 W, which is relatively small, and the time for applying the ultrasonic vibration is not so long, unnecessary heat generation or breakage is caused between the uneven surface 10 and the resin layer 92 ′. The bubbles 100 can be sufficiently removed from between these without causing an erosion phenomenon.

その後、図5の(c)に示すように、スタンパ1および基板Bは、押圧面10と樹脂層92’とが接した状態で上側パネル20と下側パネル3との間に挟み込まれ、たとえば30kgf程度の比較的弱い押圧力fで互いに押圧させられる。これにより、凹凸面10と樹脂層92’との間における気泡100の除去がより促進される。   Thereafter, as shown in FIG. 5C, the stamper 1 and the substrate B are sandwiched between the upper panel 20 and the lower panel 3 in a state where the pressing surface 10 and the resin layer 92 ′ are in contact with each other. They are pressed against each other with a relatively weak pressing force f of about 30 kgf. Thereby, the removal of the bubble 100 between the uneven surface 10 and the resin layer 92 ′ is further promoted.

このようにスタンパ1および基板Bを押圧した状態で、図5の(d)に示すように、樹脂層92’には、上側パネル20およびスタンパ1を通して樹脂硬化用光が照射される。これにより、光硬化樹脂からなる樹脂層92’は、凹凸面10に密接した状態のまま硬化する。   With the stamper 1 and the substrate B thus pressed, the resin layer 92 ′ is irradiated with resin curing light through the upper panel 20 and the stamper 1 as shown in FIG. Thereby, the resin layer 92 ′ made of the photo-curing resin is cured while being in close contact with the uneven surface 10.

そして、所要時間を経た後、作業室Bの真空状態が解除され、図5の(e)に示すように、スタンパ1の凹凸面10は、樹脂層92’から離隔させられる。これにより、樹脂層92’には、凹凸面10に応じた凹凸パターンが転写される。こうして樹脂層92’に形成された凹凸パターンも、先述した実施形態によるものと同様に凹凸面10に応じた転写欠陥のないパターンとなる。   Then, after the required time has elapsed, the vacuum state of the working chamber B is released, and the uneven surface 10 of the stamper 1 is separated from the resin layer 92 ′ as shown in FIG. Thereby, the concavo-convex pattern corresponding to the concavo-convex surface 10 is transferred to the resin layer 92 ′. The concave / convex pattern thus formed on the resin layer 92 ′ is also a pattern having no transfer defect corresponding to the concave / convex surface 10 as in the above-described embodiment.

したがって、本実施形態のパターン転写方法によれば、加熱時間や冷却時間を要する場合に比べてより短時間で光硬化樹脂からなる樹脂層92’に精密な凹凸パターンを転写することができる。   Therefore, according to the pattern transfer method of this embodiment, a precise uneven pattern can be transferred to the resin layer 92 ′ made of a photo-curing resin in a shorter time than when heating time and cooling time are required.

図6に示す他の実施形態によるパターン転写方法も、光硬化樹脂からなる樹脂層92’に対応したものである。同図の(a)〜(d)の各処理については、作業室Bを真空状態とした上で行うようにしてもよいし、大気圧下で行うようにしてもよい。   The pattern transfer method according to another embodiment shown in FIG. 6 also corresponds to the resin layer 92 'made of a photo-curing resin. Each of the processes (a) to (d) in the figure may be performed after the working chamber B is in a vacuum state, or may be performed under atmospheric pressure.

図6の(b)に示すように、凹凸面10と樹脂層92’との間に超音波振動を付与する際には、それと同時にスタンパ1および基板Bがたとえば30kgf程度の比較的弱い押圧力fで互いに押圧させられる。この際においても、超音波振動の出力レベルが比較的小さい40W程度であり、超音波振動を付与する時間がそれほど長くないため、凹凸面10と樹脂層92’との間に不要な発熱や壊食現象を生じさせることなく、これらの間から気泡100を十分に除去することができる。   As shown in FIG. 6B, when applying ultrasonic vibration between the concavo-convex surface 10 and the resin layer 92 ′, at the same time, the stamper 1 and the substrate B have a relatively weak pressing force of about 30 kgf, for example. They are pressed against each other by f. Even in this case, since the output level of the ultrasonic vibration is about 40 W, which is relatively small, and the time for applying the ultrasonic vibration is not so long, unnecessary heat generation or breakage is caused between the uneven surface 10 and the resin layer 92 ′. The bubbles 100 can be sufficiently removed from between these without causing an erosion phenomenon.

その後、図6の(c)に示すように、スタンパ1および基板Bが押圧された状態のまま、樹脂層92’には、上側パネル20およびスタンパ1を通して樹脂硬化用光が照射される。これにより、光硬化樹脂からなる樹脂層92’は、凹凸面10に密接した状態のまま硬化する。   Thereafter, as shown in FIG. 6C, the resin layer 92 ′ is irradiated with resin curing light through the upper panel 20 and the stamper 1 while the stamper 1 and the substrate B are pressed. Thereby, the resin layer 92 ′ made of the photo-curing resin is cured while being in close contact with the uneven surface 10.

そして、所要時間を経た後、図6の(d)に示すように、スタンパ1の凹凸面10は、樹脂層92’から離隔させられる。これにより、樹脂層92’には、凹凸面10に応じた凹凸パターンが転写される。こうして樹脂層92’に形成された凹凸パターンも、先述した実施形態によるものと同様に凹凸面10に応じた転写欠陥のないパターンとなる。   Then, after the required time has elapsed, as shown in FIG. 6D, the uneven surface 10 of the stamper 1 is separated from the resin layer 92 '. Thereby, the concavo-convex pattern corresponding to the concavo-convex surface 10 is transferred to the resin layer 92 ′. The concave / convex pattern thus formed on the resin layer 92 ′ is also a pattern having no transfer defect corresponding to the concave / convex surface 10 as in the above-described embodiment.

したがって、本実施形態のパターン転写方法によっても、短時間でかつ高精度に光硬化樹脂からなる樹脂層92’に凹凸パターンを転写することができる。   Therefore, also by the pattern transfer method of the present embodiment, the concavo-convex pattern can be transferred to the resin layer 92 ′ made of a photo-curing resin in a short time and with high accuracy.

さらにその他の実施形態としては、特に図示しないが、たとえば水素シルセスキオキサン樹脂(HSQ)といった常温転写型樹脂からなる樹脂層に凹凸パターンを転写するようにしてもよい。常温転写型樹脂からなる樹脂層は、熱可塑性樹脂などとは異なり、加熱処理を要することなく速やかに変形するので、図3の(d)あるいは図4の(c),(d)の加熱処理を省略したパターン転写方法を適用することができる。なお、常温転写型樹脂は、熱可塑性樹脂などと比べて粘度が小さいため、スタンパおよび基板を押圧する際には、たとえば10000kgf程度といった相当強い押圧力とするのが好ましい。このような常温転写型樹脂の樹脂層に対するパターン転写方法によれば、加熱処理が必要とされないため、それだけ短時間で精密な凹凸パターンを樹脂層に転写することができる。   In yet another embodiment, although not particularly illustrated, the uneven pattern may be transferred to a resin layer made of a room temperature transfer resin such as hydrogen silsesquioxane resin (HSQ). Unlike a thermoplastic resin or the like, a resin layer made of a room temperature transfer type resin is quickly deformed without requiring a heat treatment. Therefore, the heat treatment of FIG. 3 (d) or FIG. 4 (c), (d). A pattern transfer method in which is omitted can be applied. Since the room temperature transfer resin has a smaller viscosity than a thermoplastic resin or the like, it is preferable to apply a considerably strong pressing force such as about 10,000 kgf when pressing the stamper and the substrate. According to such a pattern transfer method for the resin layer of the room temperature transfer type resin, since heat treatment is not required, a precise uneven pattern can be transferred to the resin layer in such a short time.

なお、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではない。   The present invention is not limited to the above embodiments.

たとえばパターン転写装置においては、スタンパや基板が外気と隔離されたチャンバ室の内部に配置され、このチャンバ室を真空状態とするようにしてもよい。   For example, in a pattern transfer apparatus, a stamper or a substrate may be disposed inside a chamber chamber that is isolated from the outside air, and the chamber chamber may be in a vacuum state.

凹凸パターンを転写する対象物としては、ディスクリートトラックメディアに限らず、所望とする微細な凹凸パターンを必要とする物であれば、他の物でも上記各実施形態によるパターン転写方法を適用することができる。   The object to which the concavo-convex pattern is transferred is not limited to the discrete track media, and the pattern transfer method according to each of the above embodiments can be applied to other objects as long as the object requires a desired fine concavo-convex pattern. it can.

超音波振動は、超音波振動子をスタンパに接触させるようにして付与するようにしてもよい。   The ultrasonic vibration may be applied by bringing the ultrasonic vibrator into contact with the stamper.

Claims (9)

基板上の樹脂層にスタンパの凹凸面を密接させ、上記樹脂層に凹凸パターンを転写するパターン転写方法であって、
上記凹凸面を上記樹脂層に密接させた状態でこれらの間から気泡を除去するように、上記基板または上記スタンパに超音波振動を付与することを特徴とする、パターン転写方法。
A pattern transfer method in which an uneven surface of a stamper is brought into close contact with a resin layer on a substrate, and an uneven pattern is transferred to the resin layer,
A pattern transfer method comprising applying ultrasonic vibration to the substrate or the stamper so as to remove bubbles from between the concave and convex surfaces in close contact with the resin layer.
上記超音波振動は、気泡の除去に十分な出力レベルで所定時間に限って付与される、請求項1に記載のパターン転写方法。   The pattern transfer method according to claim 1, wherein the ultrasonic vibration is applied only for a predetermined time at an output level sufficient for removing bubbles. 上記樹脂層は、熱可塑性樹脂からなり、上記基板およびスタンパを真空下に配置した状態でこれらの少なくともいずれか一方に上記超音波振動を付与し、その後、上記基板およびスタンパを押圧した状態で上記樹脂層を加熱する、請求項1または2に記載のパターン転写方法。   The resin layer is made of a thermoplastic resin, and the ultrasonic vibration is applied to at least one of the substrate and the stamper in a state where the substrate and the stamper are arranged in a vacuum, and then the substrate and the stamper are pressed. The pattern transfer method according to claim 1, wherein the resin layer is heated. 上記樹脂層は、熱可塑性樹脂からなり、上記基板およびスタンパを大気圧下もしくは真空下に配置し、かつ、これらを押圧した状態で少なくともいずれか一方に上記超音波振動を付与し、その後、上記基板およびスタンパを押圧した状態で上記樹脂層を加熱する、請求項1または2に記載のパターン転写方法。   The resin layer is made of a thermoplastic resin, the substrate and the stamper are arranged under atmospheric pressure or vacuum, and the ultrasonic vibration is applied to at least one of them while being pressed, and then the above The pattern transfer method according to claim 1, wherein the resin layer is heated in a state where the substrate and the stamper are pressed. 上記樹脂層は、光硬化樹脂からなり、上記基板およびスタンパを真空下に配置した状態でこれらの少なくともいずれか一方に上記超音波振動を付与し、その後、上記基板およびスタンパを押圧した状態で上記樹脂層に樹脂硬化用光を照射する、請求項1または2に記載のパターン転写方法。   The resin layer is made of a photo-curing resin, and the ultrasonic vibration is applied to at least one of the substrate and the stamper in a state where the substrate and the stamper are arranged under vacuum, and then the substrate and the stamper are pressed. The pattern transfer method according to claim 1, wherein the resin layer is irradiated with resin curing light. 上記樹脂層は、光硬化樹脂からなり、上記基板およびスタンパを大気圧下もしくは真空下に配置し、かつ、これらを押圧した状態で少なくともいずれか一方に上記超音波振動を付与し、その後、上記基板およびスタンパを押圧した状態で上記樹脂層に樹脂硬化用光を照射する、請求項1または2に記載のパターン転写方法。   The resin layer is made of a photo-curing resin, the substrate and the stamper are arranged under atmospheric pressure or vacuum, and the ultrasonic vibration is applied to at least one of them while being pressed, and then the above-mentioned The pattern transfer method according to claim 1, wherein the resin layer is irradiated with resin curing light in a state where the substrate and the stamper are pressed. 上記樹脂層は、常温転写型樹脂からなり、上記基板およびスタンパを真空下に配置した状態でこれらの少なくともいずれか一方に上記超音波振動を付与し、その後、上記基板およびスタンパを押圧する、請求項1または2に記載のパターン転写方法。   The resin layer is made of a room temperature transfer resin, and the ultrasonic vibration is applied to at least one of the substrate and the stamper in a state where the substrate and the stamper are placed under vacuum, and then the substrate and the stamper are pressed. Item 3. The pattern transfer method according to Item 1 or 2. 上記樹脂層は、常温転写型樹脂からなり、上記基板およびスタンパを大気圧下もしくは真空下に配置し、かつ、これらを押圧した状態で少なくともいずれか一方に上記超音波振動を付与する、請求項1または2に記載のパターン転写方法。   The resin layer is made of a room temperature transfer type resin, the substrate and the stamper are arranged under atmospheric pressure or under vacuum, and the ultrasonic vibration is applied to at least one of them while being pressed. 3. The pattern transfer method according to 1 or 2. 基板上の樹脂層に凹凸パターンを転写するためのパターン転写装置であって、
上記樹脂層に凹凸パターンを転写するための凹凸面をもつスタンパと、
上記基板およびスタンパを平行に保持して押圧するための押圧保持手段と、
上記押圧保持手段によって上記凹凸面を上記樹脂層に密接させた状態でこれらの間から気泡を除去するように、上記基板または上記スタンパに超音波振動を付与する超音波振動子と、
を備えていることを特徴とする、パターン転写装置。
A pattern transfer device for transferring an uneven pattern to a resin layer on a substrate,
A stamper having an uneven surface for transferring an uneven pattern to the resin layer;
Press holding means for holding and pressing the substrate and the stamper in parallel;
An ultrasonic vibrator for applying ultrasonic vibrations to the substrate or the stamper so as to remove bubbles from between the concave and convex surfaces in contact with the resin layer by the pressing and holding means;
A pattern transfer apparatus comprising:
JP2008509620A 2006-03-31 2006-03-31 Pattern transfer method and pattern transfer apparatus Withdrawn JPWO2007116469A1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2006/306847 WO2007116469A1 (en) 2006-03-31 2006-03-31 Method of transferring pattern and apparatus for transferring pattern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2007116469A1 true JPWO2007116469A1 (en) 2009-08-20

Family

ID=38580778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008509620A Withdrawn JPWO2007116469A1 (en) 2006-03-31 2006-03-31 Pattern transfer method and pattern transfer apparatus

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2007116469A1 (en)
WO (1) WO2007116469A1 (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4840668B2 (en) * 2007-11-30 2011-12-21 綜研化学株式会社 Thermal imprint mold and method for producing optical element using the mold
JP5194945B2 (en) * 2008-03-28 2013-05-08 凸版印刷株式会社 Article manufacturing method and transfer member
JP5371349B2 (en) * 2008-09-19 2013-12-18 キヤノン株式会社 Imprint apparatus and article manufacturing method
JP5268524B2 (en) * 2008-09-26 2013-08-21 キヤノン株式会社 Processing equipment
JP6427885B2 (en) * 2014-01-28 2018-11-28 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of structure
JP6294686B2 (en) * 2014-02-04 2018-03-14 キヤノン株式会社 Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
JP7015992B2 (en) * 2017-12-11 2022-02-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 Pattern forming method and forming device
JP6575666B2 (en) * 2018-10-30 2019-09-18 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of structure
JP7403961B2 (en) 2019-03-19 2023-12-25 キオクシア株式会社 Imprint method and semiconductor device manufacturing method
JP2021024140A (en) * 2019-08-01 2021-02-22 住友ベークライト株式会社 Production method of molded article

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62140256A (en) * 1985-12-13 1987-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical recording carrier and its production
JPH03227208A (en) * 1990-02-02 1991-10-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd Matrix transferring method
JPH09201874A (en) * 1996-01-30 1997-08-05 Sony Corp Method and apparatus for forming article with embossed design pressed on surface thereof, in particular, optical disc
JP3619863B2 (en) * 2001-11-22 2005-02-16 財団法人新産業創造研究機構 Embossing molding apparatus and embossing molding method
JP2003031852A (en) * 2002-07-01 2003-01-31 Rohm Co Ltd Semiconductor light emitting device and its manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007116469A1 (en) 2007-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2007116469A1 (en) Pattern transfer method and pattern transfer apparatus
JP5268524B2 (en) Processing equipment
JP5163929B2 (en) Imprint method and apparatus
US20080164638A1 (en) Method and apparatus for rapid imprint lithography
JP4506987B2 (en) Energy ray curable resin transfer method, transfer apparatus, and disk or semiconductor device
WO2007099907A1 (en) Imprinting mold and method of imprinting
US20050263915A1 (en) Imprinting method, information recording medium-manufacturing method, and imprinting apparatus
JPWO2007094213A1 (en) Imprint apparatus and imprint method
JP2000194142A (en) Pattern forming method and production of semiconductor device
JP2006245071A (en) Device and method of transferring
US20130224322A1 (en) Method For Cleaning Fine Pattern Surface Of Mold, And Imprinting Device Using Same
JP2010049745A (en) Mold for nano-imprint, and magnetic recording medium fabricated by using the same
JP2010240928A (en) Fine structure transfer stamper and fine structure transfer device
JP2007069462A (en) Method for forming mask and method for producing information recording medium
JP2008078550A (en) Imprint mold, its manufacturing method, and pattern formation method
JP5155814B2 (en) Imprint device
JP2008200997A (en) Method for manufacturing mold for nano-imprint
JP2009087959A (en) Imprint transfer die, imprint transfer method, imprinter, manufacturing method of imprint transfer die, and imprint transfer matter
JP2005349619A (en) Shape transfer mold, manufacturing method of product using it and product having fine shape
JP2007324504A (en) Method and apparatus of transfer printing, and transfer printing product manufactured using the same
JP2003109915A (en) Method and device for performing in-print lithography in releasable atmosphere
JP5062781B2 (en) Imprint method and apparatus using ultrasonic vibration
JP5200726B2 (en) Imprint method, pre-imprint mold, pre-imprint mold manufacturing method, imprint apparatus
JP2010267357A (en) Method and device for manufacturing patterned medium
JP2006164365A (en) Resin mask layer forming method, information recording medium manufacturing method, and resin mask layer forming apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20090930