JPWO2006109686A1 - Insulating film material and method of forming the same - Google Patents

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Abstract

本発明は、半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜を得ることを目的とする。本発明の絶縁膜用材料としては、シクロテトラシロキサン系のもの、ジシロキサンモノシラン系のもの、モノシラン系のもの、ジヒドロキシシラン系のもの、トリシラベンゼン系のもの、トリシラシクロヘキサン系のものを用いる。プラズマＣＶＤ反応時に、絶縁膜用材料中の官能基と同じ官能基を有する有機化合物を共存させることが好ましい。An object of the present invention is to obtain an insulating film having a low dielectric constant and high mechanical strength useful for an interlayer insulating film of a semiconductor device. As the insulating film material of the present invention, a cyclotetrasiloxane-based material, a disiloxane monosilane-based material, a monosilane-based material, a dihydroxysilane-based material, a trisilabenzene-based material, or a trisilacyclohexane-based material is used. . It is preferable to coexist an organic compound having the same functional group as the functional group in the insulating film material during the plasma CVD reaction.

Description

この発明は、半導体装置の層間絶縁膜などの絶縁膜を成膜する際に用いられる絶縁膜用材料およびこれを用いた成膜方法ならびに絶縁膜に関する。   The present invention relates to an insulating film material used when forming an insulating film such as an interlayer insulating film of a semiconductor device, a film forming method using the same, and an insulating film.

半導体集積回路装置の高集積化に伴い、配線層が微細化されつつある。しかし、微細な配線層では、配線層における信号遅延の影響が大きくなり高速化を妨げている。この信号遅延は、配線層の抵抗と配線層間容量に比例するため、高速化を実現するためには配線層の低抵抗化と配線層間容量の低減が必須である。   With the high integration of semiconductor integrated circuit devices, wiring layers are being miniaturized. However, in the fine wiring layer, the influence of the signal delay in the wiring layer becomes large, which hinders speeding up. Since this signal delay is proportional to the resistance of the wiring layer and the wiring interlayer capacitance, it is essential to reduce the resistance of the wiring layer and reduce the wiring interlayer capacitance in order to achieve high speed.

このため、最近では配線層をなす材料として、従来のアルミニウムから抵抗率の低い銅を用い、配線層間容量を減らすために、層間絶縁膜をSiO2（比誘電率＝4.1）から誘電率の低いSiOF（比誘電率＝3.7）を用いるようになっている。しかし、層間絶縁膜に求められる比誘電率の値は次第に小さくなり、近い将来では2.4以下という小さな値のものが求められることが予想される。Therefore, recently, copper having a lower resistivity than conventional aluminum is used as a material for the wiring layer, and the interlayer insulating film has a lower dielectric constant than SiO 2 (relative dielectric constant = 4.1) in order to reduce the wiring interlayer capacitance. SiOF (relative dielectric constant = 3.7) is used. However, the value of the relative dielectric constant required for the interlayer insulating film is gradually reduced, and it is expected that a value as small as 2.4 or less will be required in the near future.

配線層を銅から形成する場合には、配線層の形成にはダマシン法と呼ばれる手法が採用されている。ダマシン法とは、予めレジストマスキングにより層間絶縁膜にドライエッチングにより配線溝を形成し、この上に銅を堆積した後、配線溝以外に堆積している銅を化学機械研磨法（CMP）によって除去して銅からなる配線層を形成する手法である。   When the wiring layer is formed from copper, a technique called a damascene method is employed for forming the wiring layer. The damascene method is to form a wiring trench in the interlayer insulation film by dry etching in advance by resist masking, deposit copper on this, and then remove the deposited copper other than the wiring trench by chemical mechanical polishing (CMP) This is a method of forming a wiring layer made of copper.

この化学機械研磨法による操作は、ウエハにスラリとパッドで荷重をかけながら銅を研磨除去するため、層間絶縁膜には上方向と横方向とからの力がかかり、場合によっては層間絶縁膜が破損したり剥離したりする不具合が起こる。
層間絶縁膜が、テトラエトキシシランを用い、CVD法で形成したSiO2膜である場合には、この膜の強度が高いため、化学機械研磨によって破損することは無い。しかし、誘電率を下げるためにSiO2膜を多孔質にすると強度が大きく低下して脆くなる。In this chemical mechanical polishing method, copper is polished and removed while a load is applied to the wafer with a slurry and a pad. Therefore, the interlayer insulating film is subjected to a force from the upper side and the horizontal direction. Failure to break or peel occurs.
When the interlayer insulating film is a SiO 2 film formed by CVD using tetraethoxysilane, the film has high strength and is not damaged by chemical mechanical polishing. However, if the SiO 2 film is made porous in order to lower the dielectric constant, the strength is greatly reduced and the film becomes brittle.

この絶縁膜の強度の指標として、ヤング率を用いるのが一般的であるが、テトラエトキシシランを用いたSiO2膜では80GPa程度あったものが、SiOF膜になると70GPa、更にSiOC膜になると12GPaにまで低下する。
最近の有機物原料を用いた多孔質SiO2膜では、4〜6GPa程度の強度しかないことが判明し、化学機械研磨ができない状況も現出しており、これが半導体集積回路装置の微細化を阻害する原因となっている。It is common to use Young's modulus as an index of the strength of this insulating film, but in the case of SiO 2 film using tetraethoxysilane about 80 GPa, it becomes 70 GPa for SiOF film, and 12 GPa for SiOC film. Drop to.
Recent porous SiO 2 films using organic raw materials have been found to have only about 4-6GPa strength, and it has become impossible to perform chemical mechanical polishing, which hinders miniaturization of semiconductor integrated circuit devices. It is the cause.

半導体集積回路装置の層間絶縁膜として、誘電率を低減させたものを用いるようにした提案は多数あり、以下のその一部を示す。
特開2002-252228号公報 特開2002-256434号公報 特開2004-200626号公報 特開2004-214161号公報 There have been many proposals to use a film having a reduced dielectric constant as an interlayer insulating film of a semiconductor integrated circuit device.
JP 2002-252228 A JP 2002-256434 A JP 2004-200626 JP 2004-214161 A

よって、本発明における課題は、半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜を得ることにある。   Accordingly, an object of the present invention is to obtain an insulating film having a low dielectric constant and a high mechanical strength useful for an interlayer insulating film of a semiconductor device.

かかる課題を解決するため、本願発明は下記の構成をとる。
（１）下記化学式(1)で示される有機シラン化合物を含むプラズマCVD用絶縁膜用材料。In order to solve this problem, the present invention has the following configuration.
(1) An insulating film material for plasma CVD containing an organosilane compound represented by the following chemical formula (1).


（式中、R1〜R8は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ2Ｈ３、Ｃ３Ｈ5、ｉ-Ｃ３Ｈ7の何れかである；但し、R1〜R8はＣ2Ｈ３、又はｉ-Ｃ３Ｈ7を少なくとも１つ以上含む）
(In the formula, R 1 to R 8 are any of H, CH 3 , C 2 H 3 , C 3 H 5 , i-C 3 H 7 ; provided that R 1 to R 8 are C 2 H 3. Or at least one i-C 3 H 7 )

（２）下記化学式(2)で示される有機シラン化合物を含むプラズマCVD用絶縁膜用材料。   (2) An insulating film material for plasma CVD containing an organosilane compound represented by the following chemical formula (2).


（式中、R1〜R6は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ2Ｈ３、Ｃ３Ｈ5、ｉ-Ｃ３Ｈ7の何れかである；但し、R1〜R6はＣ2Ｈ３、又はｉ-Ｃ３Ｈ7を少なくとも１つ以上含む）
(In the formula, R 1 to R 6 are any of H, CH 3 , C 2 H 3 , C 3 H 5 , and i-C 3 H 7 ; provided that R 1 to R 6 are C 2 H 3. Or at least one i-C 3 H 7 )

（３）下記化学式(3)で示される有機シラン化合物を含むプラズマCVD用絶縁膜用材料。   (3) An insulating film material for plasma CVD containing an organosilane compound represented by the following chemical formula (3).


（式中、R1〜R4は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ2Ｈ３、Ｃ３Ｈ5、ｉ-Ｃ３Ｈ7の何れかである；但し、R1〜R4はＣ2Ｈ３、又はｉ-Ｃ３Ｈ7を少なくとも１つ以上含む）
(In the formula, R 1 to R 4 are any of H, CH 3 , C 2 H 3 , C 3 H 5 , and i-C 3 H 7 ; provided that R 1 to R 4 are C 2 H 3. Or at least one i-C 3 H 7 )

（４）下記化学式(4)で示される有機シラン化合物を含むプラズマCVD用絶縁膜用材料。   (4) An insulating film material for plasma CVD containing an organosilane compound represented by the following chemical formula (4).


（式中、R1〜R4は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ2Ｈ３、Ｃ３Ｈ5、ｉ-Ｃ３Ｈ7の何れかである；但し、R1〜R4はＣ2Ｈ３、又はｉ-Ｃ３Ｈ7を少なくとも１つ以上含む）
(In the formula, R 1 to R 4 are any of H, CH 3 , C 2 H 3 , C 3 H 5 , and i-C 3 H 7 ; provided that R 1 to R 4 are C 2 H 3. Or at least one i-C 3 H 7 )

（５）下記化学式(5)で示される有機シラン化合物を含むプラズマCVD用絶縁膜用材料。   (5) A material for an insulating film for plasma CVD containing an organosilane compound represented by the following chemical formula (5).


（式中、R1〜R6は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ2Ｈ３、Ｃ2Ｈ5、Ｃ３Ｈ5、Ｃ３Ｈ7、Ｃ4Ｈ9、ｉ-Ｃ4Ｈ9、ｓ-Ｃ4Ｈ9、ｔ-Ｃ4Ｈ9、の何れかである）
(In the formula, R 1 to R 6 are H, CH 3 , C 2 H 3 , C 2 H 5 , C 3 H 5 , C 3 H 7 , C 4 H 9 , i-C 4 H 9 , s- C 4 H 9 or t-C 4 H 9 )

（６）下記化学式(6)で示される有機シラン化合物を含むプラズマCVD用絶縁膜用材料。   (6) An insulating film material for plasma CVD containing an organosilane compound represented by the following chemical formula (6).


（式中、R1〜R12は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ2Ｈ３、Ｃ３Ｈ5、Ｃ３Ｈ7、ｉ-Ｃ３Ｈ7、Ｃ4Ｈ9、ｉ-Ｃ4Ｈ9、ｓ-Ｃ4Ｈ9、ｔ-Ｃ4Ｈ9、の何れかである）
(In the formula, R 1 to R 12 are H, CH 3 , C 2 H 3 , C 3 H 5 , C 3 H 7 , i-C 3 H 7 , C 4 H 9 , i-C 4 H 9 , s-C 4 H 9 or t-C 4 H 9 )

（７）上記（1）乃至（6）のいずれか一つに記載の有機シラン化合物中の官能基と同一の官能基を少なくとも１つ以上含むアルコール化合物またはエーテル化合物に、当該有機シラン化合物を含むプラズマCVD用絶縁膜用材料を溶解する工程；
当該溶解物を、プラズマCVD成膜装置に供給する工程；
を含むことを特徴とするプラズマCVD法による成膜方法。(7) The organic silane compound is contained in an alcohol compound or ether compound containing at least one functional group identical to the functional group in the organosilane compound described in any one of (1) to (6) above. A step of dissolving a material for an insulating film for plasma CVD;
Supplying the melt to a plasma CVD film forming apparatus;
A film forming method by a plasma CVD method characterized by comprising:

（８）上記（1）乃至（6）のいずれか一つに記載の有機シラン化合物中の官能基と同一の官能基を少なくとも１つ以上含む鎖状炭化水素化合物、アルコール化合物またはエーテル化合物を気化して添加ガスとする工程；
当該添加ガスを、当該有機シラン化合物を含むプラズマCVD用絶縁用材料からなる成膜ガスに添加する工程；
を含むことを特徴とするプラズマCVD法による成膜方法。(8) A chain hydrocarbon compound, alcohol compound or ether compound containing at least one functional group identical to the functional group in the organosilane compound as described in any one of (1) to (6) above Step of converting to additive gas;
Adding the additive gas to a film-forming gas made of an insulating material for plasma CVD containing the organosilane compound;
A film forming method by a plasma CVD method characterized by comprising:

（９）上記（1）乃至（6）のいずれか一つに記載の有機シラン化合物中の官能基と同一の官能基を少なくとも１つ以上含む鎖状炭化水素化合物、アルコール化合物またはエーテル化合物を気化してキャリアガスとする工程；
当該キャリアガスを、当該有機シラン化合物を含むプラズマCVD用絶縁用材料の溶液中に供給する工程；
を含むことを特徴とする成膜方法。(9) A chain hydrocarbon compound, alcohol compound or ether compound containing at least one functional group identical to the functional group in the organosilane compound as described in any one of (1) to (6) above Process to form carrier gas;
Supplying the carrier gas into a solution of an insulating material for plasma CVD containing the organosilane compound;
A film forming method comprising:

（１０）上記（7）乃至（9）のいずれか一つに記載の成膜方法を用いて基板上に成膜された絶縁膜。   (10) An insulating film formed on a substrate using the film forming method described in any one of (7) to (9) above.

本発明によれば、この材料を利用してプラズマCVD法により成膜された絶縁膜は、誘電率が低く、しかも機械的強度が高く、化学機械研磨法によっても、層間絶縁膜が破損することがなくなる等の効果が得られる。特に、誘電率が2.4以下で、ヤング率が10GPa以上の絶縁膜を得ることができる。   According to the present invention, the insulating film formed by the plasma CVD method using this material has a low dielectric constant and high mechanical strength, and the interlayer insulating film is damaged even by the chemical mechanical polishing method. Effects such as disappearance can be obtained. In particular, an insulating film having a dielectric constant of 2.4 or less and a Young's modulus of 10 GPa or more can be obtained.

また、従来、プラズマCVD法により成膜された絶縁膜にあっては、減圧下で絶縁膜用材料分子がプラズマによってラジカルに分解された後に基板上に成膜される。このため、生成した有機ラジカルが絶縁膜中に取り込まれずに成膜され、所望の性能が得られないものがあった。   Conventionally, in an insulating film formed by a plasma CVD method, the insulating film material molecules are decomposed into radicals by plasma under reduced pressure and then formed on the substrate. For this reason, the generated organic radical is formed without being taken into the insulating film, and the desired performance cannot be obtained.

本発明の成膜方法によれば、絶縁膜用材料中の官能基と同じ官能基を有する有機化合物を絶縁膜用材料と一緒にプラズマCVD成膜装置の反応チャンバーに送り込み、反応下に共存させることで、反応時に絶縁膜用材料と有機化合物とから同一の有機ラジカルが生成することになる。   According to the film forming method of the present invention, an organic compound having the same functional group as the functional group in the insulating film material is sent together with the insulating film material to the reaction chamber of the plasma CVD film forming apparatus and coexists in the reaction. Thus, the same organic radical is generated from the insulating film material and the organic compound during the reaction.

このため、CVDチャンバー内での当該有機ラジカルの分圧が高くなり、絶縁膜用材料から発生した有機ラジカルが絶縁膜中に取り込まれなくなることを防ぎ、あるいはより多くの有機ラジカルを絶縁膜中に導入することにより所望の性能の絶縁膜を得ることができる。   For this reason, the partial pressure of the organic radical in the CVD chamber increases, preventing the organic radical generated from the insulating film material from being taken into the insulating film, or more organic radicals into the insulating film. By introducing the insulating film, an insulating film having desired performance can be obtained.

本発明で用いられるプラズマ成膜装置の例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the example of the plasma film-forming apparatus used by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１・・・チャンバー、２・・・排気管、３・・・開閉弁、４・・・排気ポンプ、５・・・上部電極、６・・・下部電極、７・・・高周波電源、８・・・基板、９・・・ヒーター、１０・・・ガス供給配管   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Chamber, 2 ... Exhaust pipe, 3 ... On-off valve, 4 ... Exhaust pump, 5 ... Upper electrode, 6 ... Lower electrode, 7 ... High frequency power supply, 8 ..Substrate, 9 ... heater, 10 ... gas supply piping

以下、本発明を詳しく説明する。
初めに、本発明の絶縁膜用材料について説明する。
本発明のプラズマCVD用絶縁膜用材料のうち、シクロテトラシロキサン系のものは、分子中に水素、メチル基、ビニル基、プロペニル基、アリル基、イソプロピル基のいずれかを有し、かつビニル基、プロペニル基、アリル基、イソプロピル基を1つ以上必ず有するシクロテトラシロキサンであって、上記化学式(1)で表される化合物である。The present invention will be described in detail below.
First, the insulating film material of the present invention will be described.
Among the materials for plasma CVD insulating film of the present invention, those based on cyclotetrasiloxane have hydrogen, methyl group, vinyl group, propenyl group, allyl group, isopropyl group in the molecule, and vinyl group. , A cyclotetrasiloxane having at least one propenyl group, allyl group, and isopropyl group, which is a compound represented by the above chemical formula (1).

具体的な化合物としては、1,3,5,7-テトラビニルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトラプロペニルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトラアリルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトライソプロピルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトラメチル-2,4,6,8-テトラビニルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトラメチル-2,4,6,8-テトラプロペニルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトラメチル-2,4,6,8-テトラアリルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトラメチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトラビニル-2,4,6,8-テトラプロペニルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトラビニル-2,4,6,8-テトラアリルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトラビニル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトラプロペニル-2,4,6,8-テトラアリルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトラプロペニル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロシロキサン、1,3,5,7-テトラアリル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロシロキサン、1,2,3,4,5,6,7,8-オクタビニルシクロシロキサン、1,2,3,4,5,6,7,8-オクタプロペニルシクロシロキサン、1,2,3,4,5,6,7,8-オクタアリルシクロシロキサン、1,2,3,4,5,6,7,8-オクタイソプロピルシクロシロキサンなどがある。   Specific compounds include 1,3,5,7-tetravinylcyclosiloxane, 1,3,5,7-tetrapropenylcyclosiloxane, 1,3,5,7-tetraallylcyclosiloxane, 1,3, 5,7-tetraisopropylcyclosiloxane, 1,3,5,7-tetramethyl-2,4,6,8-tetravinylcyclosiloxane, 1,3,5,7-tetramethyl-2,4,6, 8-tetrapropenylcyclosiloxane, 1,3,5,7-tetramethyl-2,4,6,8-tetraallylcyclosiloxane, 1,3,5,7-tetramethyl-2,4,6,8- Tetraisopropylcyclosiloxane, 1,3,5,7-tetravinyl-2,4,6,8-tetrapropenylcyclosiloxane, 1,3,5,7-tetravinyl-2,4,6,8-tetraallyl Cyclosiloxane, 1,3,5,7-tetravinyl-2,4,6,8-tetraisopropylcyclosiloxane, 1,3,5,7-tetrapropenyl-2,4,6,8-tetraallylcyclosiloxane 1,3,5,7-tetrapropenyl-2,4,6,8-tetraisotop Pyrcyclosiloxane, 1,3,5,7-tetraallyl-2,4,6,8-tetraisopropylcyclosiloxane, 1,2,3,4,5,6,7,8-octavinylcyclosiloxane, 1, 2,3,4,5,6,7,8-octapropenylcyclosiloxane, 1,2,3,4,5,6,7,8-octaallylcyclosiloxane, 1,2,3,4,5, 6,7,8-octaisopropylcyclosiloxane.

また、ジシロキサン系のプラズマCVD用絶縁膜用材料としては分子中に水素、メチル基、ビニル基、プロペニル基、アリル基、イソプロピル基のいずれかを有し、かつビニル基プロペニル基、アリル基、イソプロピル基を1つ以上必ず有するジシロキサンであって、上記化学式(2)で表されるものである。   In addition, as an insulating film material for plasma CVD based on disiloxane, it has any of hydrogen, methyl group, vinyl group, propenyl group, allyl group, isopropyl group in the molecule, and vinyl group propenyl group, allyl group, Disiloxane having at least one isopropyl group, which is represented by the above chemical formula (2).

具体的な化合物としては、1,2,3-トリビニルジシロキサン、1,2,3-トリプロペニルジシロキサン、1,2,3-トリアリルジシロキサン、1,2,3-トリイソプロピルジシロキサン、1,2,3-トリメチル-4,5,6-トリビニルジシロキサン、1,2,3-トリメチル-4,5,6-トリプロペニルジシロキサン、1,2,3-トリメチル-4,5,6-トリアリルジシロキサン、1,2,3-トリメチル-4,5,6-トリイソプロピルジシロキサン、1,2,3-トリビニル-4,5,6-トリプロペニルジシロキサン、1,2,3-トリビニル-4,5,6-トリアリルジシロキサン、1,2,3-トリビニル-4,5,6-トリイソプロピルジシロキサン、1,2,3-トリプロペニル-4,5,6-トリイソプロピルジシロキサン、1,2,3-トリプロペニル-4,5,6-トリイソプロピルジシロキサン、1,2,3-トリアリル-4,5,6-トリイソプロピルジシロキサン、1,2,3,4,5,6-ヘキサビニルジシロキサン、1,2,3,4,5,6-ヘキサプロペニルジシロキサン、1,2,3,4,5,6-ヘキサアリルジシロキサン、1,2,3,4,5,6-ヘキサイソプロピルジシロキサンなどが挙げられる。   Specific compounds include 1,2,3-trivinyldisiloxane, 1,2,3-tripropenyl disiloxane, 1,2,3-triallyldisiloxane, 1,2,3-triisopropyldisiloxane. 1,2,3-trimethyl-4,5,6-trivinyldisiloxane, 1,2,3-trimethyl-4,5,6-tripropenyldisiloxane, 1,2,3-trimethyl-4,5 , 6-Triallyldisiloxane, 1,2,3-trimethyl-4,5,6-triisopropyldisiloxane, 1,2,3-trivinyl-4,5,6-tripropenyldisiloxane, 1,2, 3-trivinyl-4,5,6-triallyldisiloxane, 1,2,3-trivinyl-4,5,6-triisopropyldisiloxane, 1,2,3-tripropenyl-4,5,6-tri Isopropyldisiloxane, 1,2,3-tripropenyl-4,5,6-triisopropyldisiloxane, 1,2,3-triallyl-4,5,6-triisopropyldisiloxane, 1,2,3,4 , 5,6-hexavinyldisiloxane, 1,2,3,4,5,6-hexa Examples include propenyl disiloxane, 1,2,3,4,5,6-hexaallyl disiloxane, 1,2,3,4,5,6-hexaisopropyl disiloxane, and the like.

モノシラン系のプラズマCVD用絶縁膜用材料としては分子中に水素、メチル基、ビニル基、プロペニル基、アリル基、イソプロピル基のいずれかを有し、かつビニル基プロペニル基、アリル基、イソプロピル基を1つ以上必ず有するモノシランであって、上記化学式(3)で表されるものである。   Monosilane plasma CVD insulating film materials have hydrogen, methyl group, vinyl group, propenyl group, allyl group, isopropyl group in the molecule, and vinyl group propenyl group, allyl group, isopropyl group. One or more monosilanes that must be present and represented by the above chemical formula (3).

具体的な化合物としては、トリビニルシラン、トリプロペニルシラン、トリアリルシラン、トリイソプロピルシラン、メチルトリビニルシラン、メチルトリプロペニルシラン、メチルアリルシラン、メチルトリイソプロピルシラン、テトラビニルシラン、テトラプロペニルシラン、テトラアリルシラン、テトライソプロピルシランなどが挙げられる。   Specific compounds include trivinylsilane, tripropenylsilane, triallylsilane, triisopropylsilane, methyltrivinylsilane, methyltripropenylsilane, methylallylsilane, methyltriisopropylsilane, tetravinylsilane, tetrapropenylsilane, tetraallylsilane, tetraisopropyl. Silane etc. are mentioned.

また、ジヒドロキシシラン系のプラズマCVD用絶縁膜用材料としては絶縁膜用材料としては分子中に水素、メチル基、ビニル基、プロペニル基、アリル基、イソプロピル基のいずれかを有し、かつビニル基プロペニル基、アリル基、イソプロピル基を1つ以上必ず有するジヒドロキシシシランであって、上記化学式(4)で表されるものである。   In addition, as an insulating film material for plasma CVD based on dihydroxysilane, the insulating film material has any of hydrogen, methyl group, vinyl group, propenyl group, allyl group, isopropyl group in the molecule, and vinyl group Dihydroxy silane having at least one propenyl group, allyl group, and isopropyl group, and represented by the above chemical formula (4).

具体的な化合物としては、ジビニルジヒドロキシシラン、ジプロペニルジヒドロキシシラン、ジアリルジヒドロキシシラン、ジイソプロピルジヒドロキシシラン、ジビニロキシシラン、ジプロペニロキシシラン、ジアリロキシシラン、ジイソプロピロキシシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジプロペニルジメトキシシラン、ジアリルジメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、ジプロペニルジエトキシシラン、ジビニルジビニロキシシラン、ジビニルジプロペニロキシシラン、ジビニルジアリロキシシラン、ジビニルジイソプロペニロロキシシラン、ジプロペニルジビニロキシシラン、ジプロペニルジプロペニロキシシラン、ジプロペニルジアリロキシシラン、ジプロペニルジイソプロピロキシシラン、ジアリルジビニロキシシラン、ジアリルジプロペニロキシシラン、ジアリルジアリロキシシラン、ジアリルジイソプロピロキシシラン、ジイソプロピルジビジロキシシラン、ジイソプロピルジプロペニロキシシラン、ジイソプロピルジアリロキシシラン、ジイソプロピルジイソプロキシシランなどが挙げられる。   Specific compounds include divinyl dihydroxy silane, dipropenyl dihydroxy silane, diallyl dihydroxy silane, diisopropyl dihydroxy silane, divinyloxy silane, dipropenyloxy silane, diaryloxy silane, diisopropyoxy silane, divinyl dimethoxy silane, dipropenyl Dimethoxysilane, diallyldimethoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, divinyldiethoxysilane, dipropenyldiethoxysilane, divinyldivinyloxysilane, divinyldipropenyloxysilane, divinyldialyloxysilane, divinyldiisopropenyloxysilane, dipropenyl Divinyloxy silane, dipropenyl dipropenyloxy silane, dipropenyl diallyloxy silane, dipropenyl diisopropyloxy sila , Diallyl divinyloxy silane, diallyl dipropenyloxy silane, diallyl diallyloxy silane, diallyl diisopropyloxy silane, diisopropyl dividoxy silane, diisopropyl dipropenyloxy silane, diisopropyl diallyloxy silane, diisopropyl diisoproxy silane, etc. Can be mentioned.

本発明のプラズマCVD用絶縁膜用材料のうち、トリシラベンゼン系のものは、分子中に水素又は、メチル基、エチル基、ビニル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、若しくはターシャリーブチル基のアルキル基を有するものであって、上記化学式(5)で表される化合物である。   Among the materials for insulating films for plasma CVD of the present invention, trisilabenzene-based materials are hydrogen or methyl, ethyl, vinyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, secondary butyl in the molecule. And a compound represented by the above chemical formula (5).

具体的な化合物としては、1,3,5-トリシラベンゼン、1,3,5-トリメチル-1,3,5-トリシラベンゼン、2,4,6-トリメチル-1,3,5-トリシラベンゼン、1,2,3,4,5,6-ヘキサメチル-1,3,5-トリシラベンゼン、1,3,5-トリビニル-1,3,5-トリシラベンゼン、2,4,6-トリビニル-1,3,5-トリシラベンゼン、1,2,3,4,5,6-ヘキサビニル-1,3,5-トリシラベンゼン、1,3,5-トリイソプロピル-1,3,5-トリシラベンゼン、2,4,6-トリイソプロピル-1,3,5-トリシラベンゼン、1,2,3,4,5,6-ヘキサイソプロピル-1,3,5-トリシラベンゼンなどが挙げられる。   Specific compounds include 1,3,5-trisilabenzene, 1,3,5-trimethyl-1,3,5-trisilabenzene, 2,4,6-trimethyl-1,3,5-trisylbenzene. Silabenzene, 1,2,3,4,5,6-hexamethyl-1,3,5-trisilabenzene, 1,3,5-trivinyl-1,3,5-trisilabenzene, 2,4,6 -Trivinyl-1,3,5-trisilabenzene, 1,2,3,4,5,6-hexavinyl-1,3,5-trisilabenzene, 1,3,5-triisopropyl-1,3, 5-trisilabenzene, 2,4,6-triisopropyl-1,3,5-trisilabenzene, 1,2,3,4,5,6-hexaisopropyl-1,3,5-trisilabenzene, etc. Is mentioned.

また、トリシラシクロヘキサン系のプラズマCVD用絶縁膜用材料としては、分子中に水素又は、メチル基、エチル基、ビニル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、若しくはターシャリーブチル基のアルキル基を有するものであって、上記化学式（6）で表されるものである。   Trisilacyclohexane-based materials for plasma CVD insulating films include hydrogen, methyl, ethyl, vinyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, secondary butyl, or tertiary in the molecule. It has an alkyl group of a butyl group and is represented by the above chemical formula (6).

具体的な化合物としては、1,3,5-トリシラシクロヘキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,3,5-トリシラシクロヘキサン、2,2,4,4,6,6-ヘキサメチル-1,3,5-トリシラシクロヘキサン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカメチル-1,3,5-トリシラシクロヘキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサビニル-1,3,5-トリシラシクロヘキサン、2,2,4,4,6,6-ヘキサビニル-1,3,5-トリシラシクロヘキサン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカビニル-1,3,5-トリシラシクロヘキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサイソプロピル-1,3,5-トリシラシクロヘキサン、2,2,4,4,6,6-ヘキサイソプロピル-1,3,5-トリシラシクロヘキサン、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカイソプロピル-1,3,5-トリシラベンゼンなどが挙げられる。   Specific compounds include 1,3,5-trisilacyclohexane, 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,3,5-trisilacyclohexane, 2,2,4,4,6 , 6-Hexamethyl-1,3,5-trisilacyclohexane, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-dodecamethyl-1,3,5-trisilacyclohexane 1,1,3,3,5,5-hexavinyl-1,3,5-trisilacyclohexane, 2,2,4,4,6,6-hexavinyl-1,3,5-trisilacyclohexane, 1 , 1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-dodecavinyl-1,3,5-trisilacyclohexane, 1,1,3,3,5,5-hexaisopropyl- 1,3,5-trisilacyclohexane, 2,2,4,4,6,6-hexaisopropyl-1,3,5-trisilacyclohexane, 1,1,2,2,3,3,4,4 , 5,5,6,6-dodecaisopropyl-1,3,5-trisilabenzene and the like.

次に、本発明の成膜の方法について説明する。
本発明の第1の成膜方法は、上述の絶縁膜用材料を用いプラズマCVDにより成膜を行う際、絶縁膜用材料中の官能基と同一の官能基を含むアルコール化合物またはエーテル化合物に上記絶縁膜用材料を溶解してプラズマCVD成膜装置に供給するものである。Next, the film forming method of the present invention will be described.
In the first film formation method of the present invention, when film formation is performed by plasma CVD using the above-described insulating film material, the alcohol compound or ether compound containing the same functional group as the functional group in the insulating film material is added to the above-described material. The insulating film material is melted and supplied to the plasma CVD film forming apparatus.

ここで、「絶縁膜用材料中の官能基と同一の官能基を含むアルコール化合物またはエーテル化合物」とは、例えば絶縁膜用材料をなす化合物にメチル基とエチル基とビニル基が含まれる場合、当該「メチル基とエチル基とビニル基」とがそれぞれ単独で1個以上含まれる化合物、これら3種の官能基のうち、いずれか2種以上をそれぞれ1個以上含む化合物、これら3種の官能基をすべてそれぞれ1個以上含む化合物の何れかである。すなわち、両者に共通する官能基が1個以上あればよい。
この選択基準は、以下の第2および第3の成膜方法においても同様である。Here, the “alcohol compound or ether compound containing the same functional group as the functional group in the insulating film material” means that, for example, the compound forming the insulating film material includes a methyl group, an ethyl group, and a vinyl group. A compound containing one or more of each of the “methyl group, ethyl group and vinyl group”, a compound containing one or more of each of these three kinds of functional groups, and these three kinds of functions Any of the compounds each containing one or more groups. That is, it is sufficient if there is at least one functional group common to both.
This selection criterion is the same in the following second and third film forming methods.

この際の溶液中の絶縁膜用材料の濃度は、1〜25重量％とされる。成膜装置への供給は、例えばアルゴンなどの不活性ガスをこの溶液にバブリングして気化するか、ヘリウムなどの不活性ガスで材料容器に圧力を加え気化器まで供給し、供給した溶液を気化器にて気化しこれを成膜装置に反応チャンバーに送り込むことができる。
この例では、絶縁膜用材料が蒸気圧が低い、あるいは常温で固体であるものに対して好適である。The concentration of the insulating film material in the solution at this time is 1 to 25% by weight. Supply to the film formation equipment is, for example, by bubbling an inert gas such as argon into this solution to vaporize, or by applying pressure to the material container with an inert gas such as helium and supplying to the vaporizer, and vaporizing the supplied solution It can be vaporized in a vessel and sent to the reaction chamber into the film forming apparatus.
In this example, the insulating film material is suitable for a material having a low vapor pressure or a solid at room temperature.

本願発明の第1の成膜方法において用いるアルコール化合物の例としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、プロペニルアルコール、アリルアルコール、イソプロピルアルコール、セカンダリーブチルアルコール、ターシャリーブチルアルコールなどが挙げられる。
同様にエーテル化合物の例としては、ジメチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルプロピルエーテル、メチルプロペニルエーテル、メチルアリルエーテル、メチルイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、エチルビニルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルプロペニルエーテル、エチルアリルエーテル、エチルイソプロピルエーテル、ジビニルエーテル、ビニルプロピルエーテル、ビニルプロペニルエーテル、ビニルアリルエーテル、ビニルイソプロピルエーテル、ジプロピルエーテル、プロピルプロペニルエーテル、プロピルアリルエーテル、プロピルイソプロピルエーテル、ジプロペニルエーテル、プロペニルアリルエーテル、プロペニルイソプロピルエーテル、ジアリルエーテル、アリルイソプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテルなどが挙げられる。Examples of the alcohol compound used in the first film-forming method of the present invention include methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, propenyl alcohol, allyl alcohol, isopropyl alcohol, secondary butyl alcohol, tertiary butyl alcohol and the like.
Similarly, examples of ether compounds include dimethyl ether, methyl ethyl ether, methyl vinyl ether, methyl propyl ether, methyl propenyl ether, methyl allyl ether, methyl isopropyl ether, diethyl ether, ethyl vinyl ether, ethyl propyl ether, ethyl propenyl ether, ethyl allyl. Ether, ethyl isopropyl ether, divinyl ether, vinyl propyl ether, vinyl propenyl ether, vinyl allyl ether, vinyl isopropyl ether, dipropyl ether, propyl propenyl ether, propyl allyl ether, propyl isopropyl ether, dipropenyl ether, propenyl allyl ether, propenyl Isopropyl ether, diallyl ether, allyl isop Pills ethers, such as diisopropyl ether.

第2の成膜方法は、上述の絶縁膜用材料を用いプラズマCVDにより成膜を行う際、絶縁膜用材料中の官能基と同一の官能基を含む鎖状炭化水素化合物、アルコール化合物またはエーテル化合物をガス状で絶縁膜用材料とともにプラズマCVD成膜装置の反応チャンバーに送り込むものである。
この際の絶縁膜用材料に対するこれら化合物の添加量は、体積比で絶縁膜用材料1に対して0.01〜0.1とされる。The second film-forming method is a chain hydrocarbon compound, alcohol compound or ether containing the same functional group as the functional group in the insulating film material when the film is formed by plasma CVD using the above-mentioned insulating film material. A compound is sent in the form of a gas together with an insulating film material into a reaction chamber of a plasma CVD film forming apparatus.
The amount of these compounds added to the insulating film material at this time is 0.01 to 0.1 with respect to the insulating film material 1 in volume ratio.

本発明の第２の成膜方法において用いる鎖状炭化水素化合物の例としては、メタン、エタン、エチレン、プロパン、プロペン、ブタン、ブテン、イソブタンなどが挙げられる。
本発明の第２の成膜方法において用いるアルコール化合物の例としてはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、プロペニルアルコール、アリルアルコール、イソプロピルアルコール、セカンダリーブチルアルコール、ターシャリーブチルアルコールなどが挙げられる。Examples of the chain hydrocarbon compound used in the second film forming method of the present invention include methane, ethane, ethylene, propane, propene, butane, butene, and isobutane.
Examples of alcohol compounds used in the second film-forming method of the present invention include methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, propenyl alcohol, allyl alcohol, isopropyl alcohol, secondary butyl alcohol, tertiary butyl alcohol and the like.

本発明の第２の成膜方法において用いるエーテル化合物の例としては、ジメチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルプロピルエーテル、メチルプロペニルエーテル、メチルアリルエーテル、メチルイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、エチルビニルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルプロペニルエーテル、エチルアリルエーテル、エチルイソプロピルエーテル、ジビニルエーテル、ビニルプロピルエーテル、ビニルプロペニルエーテル、ビニルアリルエーテル、ビニルイソプロピルエーテル、ジプロピルエーテル、プロピルプロペニルエーテル、プロピルアリルエーテル、プロピルイソプロピルエーテル、ジプロペニルエーテル、プロペニルアリルエーテル、プロペニルイソプロピルエーテル、ジアリルエーテル、アリルイソプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテルなどが挙げられる。   Examples of ether compounds used in the second film-forming method of the present invention include dimethyl ether, methyl ethyl ether, methyl vinyl ether, methyl propyl ether, methyl propenyl ether, methyl allyl ether, methyl isopropyl ether, diethyl ether, ethyl vinyl ether, ethyl Propyl ether, ethyl propenyl ether, ethyl allyl ether, ethyl isopropyl ether, divinyl ether, vinyl propyl ether, vinyl propenyl ether, vinyl allyl ether, vinyl isopropyl ether, dipropyl ether, propyl propenyl ether, propyl allyl ether, propyl isopropyl ether, Dipropenyl ether, propenyl allyl ether, propenyl isopropyl ether, Allyl ether, allyl isopropyl ether, diisopropyl ether.

本発明の第３の成膜方法は、上述の絶縁膜用材料を用いプラズマCVDにより成膜を行う際、絶縁膜用材料とともにこの絶縁膜用材料と同一の官能基を含む鎖状炭化水素化合物、アルコール化合物またはエーテル化合物をキャリアガスとしてプラズマCVD成膜装置に供給するものである。   The third film-forming method of the present invention is a chain hydrocarbon compound containing the same functional group as the insulating film material together with the insulating film material when the above-mentioned insulating film material is used for film formation by plasma CVD. An alcohol compound or an ether compound is supplied as a carrier gas to a plasma CVD film forming apparatus.

この成膜方法においては、鎖状炭化水素化合物、アルコール化合物またはエーテル化合物をガス化し、これを絶縁膜用材料溶液中にバブリングし、これをプラズマCVD成膜装置の反応チャンバーに送り込む。   In this film forming method, a chain hydrocarbon compound, an alcohol compound or an ether compound is gasified, bubbled into an insulating film material solution, and sent into a reaction chamber of a plasma CVD film forming apparatus.

この成膜方法において用いることができる鎖状炭化水素化合物の例としては、メタン、エタン、エチレン、プロパン、プロペン、ブタン、ブテン、イソブタンなどが挙げられる。
同様にアルコール化合物の例としてはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、プロペニルアルコール、アリルアルコール、イソプロピルアルコール、セカンダリーブチルアルコール、ターシャリーブチルアルコールなどが挙げられる。Examples of chain hydrocarbon compounds that can be used in this film forming method include methane, ethane, ethylene, propane, propene, butane, butene, and isobutane.
Similarly, examples of alcohol compounds include methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, propenyl alcohol, allyl alcohol, isopropyl alcohol, secondary butyl alcohol, and tertiary butyl alcohol.

同様にエーテル化合物の例としては、ジメチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルプロピルエーテル、メチルプロペニルエーテル、メチルアリルエーテル、メチルイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、エチルビニルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルプロペニルエーテル、エチルアリルエーテル、エチルイソプロピルエーテル、ジビニルエーテル、ビニルプロピルエーテル、ビニルプロペニルエーテル、ビニルアリルエーテル、ビニルイソプロピルエーテル、ジプロピルエーテル、プロピルプロペニルエーテル、プロピルアリルエーテル、プロピルイソプロピルエーテル、ジプロペニルエーテル、プロペニルアリルエーテル、プロペニルイソプロピルエーテル、ジアリルエーテル、アリルイソプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテルなどが挙げられる。   Similarly, examples of ether compounds include dimethyl ether, methyl ethyl ether, methyl vinyl ether, methyl propyl ether, methyl propenyl ether, methyl allyl ether, methyl isopropyl ether, diethyl ether, ethyl vinyl ether, ethyl propyl ether, ethyl propenyl ether, ethyl allyl. Ether, ethyl isopropyl ether, divinyl ether, vinyl propyl ether, vinyl propenyl ether, vinyl allyl ether, vinyl isopropyl ether, dipropyl ether, propyl propenyl ether, propyl allyl ether, propyl isopropyl ether, dipropenyl ether, propenyl allyl ether, propenyl Isopropyl ether, diallyl ether, allyl isop Pills ethers, such as diisopropyl ether.

本発明の成膜方法においては、周知のプラズマCVD法を用いることができ、例えば、図1に示すような平行平板型のプラズマ成膜装置などを使用することができる。   In the film forming method of the present invention, a well-known plasma CVD method can be used. For example, a parallel plate type plasma film forming apparatus as shown in FIG. 1 can be used.

図1に示したプラズマ成膜装置は、減圧可能なチャンバー1を備え、このチャンバー1は、排気管2、開閉弁3を介して排気ポンプ4に接続されている。また、チャンバー1には、図示しない圧力計が備えられ、チャンバー１内の圧力が測定できるようになっている。チャンバー1内には、相対向する一対の平板状の上部電極5と下部電極6とが設けられている。上部電極5は、高周波電源7に接続され、上部電極5に高周波電流が印加されるようになっている。   The plasma film forming apparatus shown in FIG. 1 includes a chamber 1 that can be decompressed, and the chamber 1 is connected to an exhaust pump 4 via an exhaust pipe 2 and an on-off valve 3. The chamber 1 is provided with a pressure gauge (not shown) so that the pressure in the chamber 1 can be measured. In the chamber 1, a pair of flat plate-like upper electrode 5 and lower electrode 6 are provided opposite to each other. The upper electrode 5 is connected to a high frequency power source 7 so that a high frequency current is applied to the upper electrode 5.

下部電極6は、基板8を載置する載置台を兼ねており、その内部にはヒーター9が内蔵され、基板8を加熱できるようになっている。
また、上部電極5には、ガス供給配管10が接続されている。このガス供給配管10には、図示しない成膜用ガス供給源が接続され、この成膜用ガス供給装置からの成膜用のガスが供給され、このガスは上部電極5内に形成された複数の貫通孔を通って、下部電極6に向けて拡散しつつ流れ出るようになっている。The lower electrode 6 also serves as a mounting table on which the substrate 8 is mounted. A heater 9 is built in the lower electrode 6 so that the substrate 8 can be heated.
A gas supply pipe 10 is connected to the upper electrode 5. A film-forming gas supply source (not shown) is connected to the gas supply pipe 10, and a film-forming gas is supplied from the film-forming gas supply device. The liquid flows out through the through-holes while diffusing toward the lower electrode 6.

また、上記成膜用ガス供給源には、上述の絶縁膜用材料を気化する気化装置と、その流量を調整する流量調整弁を備えるとともに、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置、水蒸気、酸素などの酸素含有ガスを供給する供給装置および前述の添加用ガスを供給する供給装置が設けられており、これらのガスもガス供給配管10を流れて、上部電極５からチャンバー1内に流れ出るようになっている。   The deposition gas supply source includes a vaporizer for vaporizing the insulating film material and a flow rate adjusting valve for adjusting the flow rate, and an inert gas such as helium or argon. There are provided a gas supply device, a supply device for supplying an oxygen-containing gas such as water vapor and oxygen, and a supply device for supplying the aforementioned additive gas. These gases also flow through the gas supply pipe 10 and are supplied from the upper electrode 5. It flows out into the chamber 1.

プラズマ成膜装置のチャンバー1内の下部電極6上に基板8を置き、成膜用ガス供給源から上記絶縁膜用材料からなるガス、不活性ガス、酸素含有ガスをチャンバー1内に送り込む。高周波電源7から高周波電流を上部電極5に印加して、チャンバー1内にプラズマを発生させる。これにより、基板8上に上記ガスから気相化学反応により生成した絶縁膜が形成される。   A substrate 8 is placed on the lower electrode 6 in the chamber 1 of the plasma film forming apparatus, and a gas made of the insulating film material, an inert gas, and an oxygen-containing gas are sent into the chamber 1 from a film forming gas supply source. A high frequency current is applied to the upper electrode 5 from the high frequency power source 7 to generate plasma in the chamber 1. As a result, an insulating film generated from the gas by a gas phase chemical reaction is formed on the substrate 8.

前記（1）ないし（6）の材料を用い、図1に示したプラズマCVD成膜装置で成膜を行う際の条件は、例えば絶縁膜用材料供給量50〜100cc/min、不活性ガス供給量50〜100cc/min、酸素含有ガス供給量0〜50cc/min、圧力1〜10torr、RFパワー500W、基板温度200〜400℃とすることができる。   Using the materials (1) to (6) described above, the conditions for film formation with the plasma CVD film forming apparatus shown in FIG. 1 are, for example, an insulating film material supply rate of 50 to 100 cc / min, and an inert gas supply. The amount can be 50 to 100 cc / min, the oxygen-containing gas supply amount is 0 to 50 cc / min, the pressure is 1 to 10 torr, the RF power is 500 W, and the substrate temperature is 200 to 400 ° C.

前記（7）に示した方法で、図1に示したプラズマCVD成膜装置を使って成膜する際の条件の例としては、絶縁材料を濃度5〜25％に溶解した混合物の供給量（ガス化後）200〜400CC/min、不活性ガス供給量50〜100cc/min、酸素含有ガス供給量0〜50cc/min、圧力1〜10torr、RFパワー500W、基板温度200〜400℃とすることができる。   As an example of conditions for forming a film using the plasma CVD film forming apparatus shown in FIG. 1 by the method shown in (7) above, a supply amount of a mixture in which an insulating material is dissolved to a concentration of 5 to 25% ( After gasification) 200-400CC / min, inert gas supply rate 50-100cc / min, oxygen-containing gas supply rate 0-50cc / min, pressure 1-10torr, RF power 500W, substrate temperature 200-400 ° C Can do.

前記（8）に示した方法で、図1に示したプラズマCVD成膜装置を使って成膜する条件の例としては、絶縁膜用材料供給量50〜100cc/min、添加ガス供給量1〜5cc/min、不活性ガス供給量50〜100cc/min、酸素含有ガス供給量0〜50cc/min、圧力1〜10torr、RFパワー500W、基板温度200〜400℃とすることができる。   Examples of conditions for forming a film using the plasma CVD film forming apparatus shown in FIG. 1 by the method shown in (8) above include: an insulating film material supply rate of 50 to 100 cc / min; an additive gas supply rate of 1 to 5 cc / min, inert gas supply rate 50-100 cc / min, oxygen-containing gas supply rate 0-50 cc / min, pressure 1-10 torr, RF power 500 W, substrate temperature 200-400 ° C.

前記（9）に示した方法で、図1に示したプラズマCVD成膜装置を使ってでの成膜を行う際の条件の例としては、バブリングしたキャリアガスの供給量100〜500cc/min、不活性ガス供給量50〜100cc/min、酸素含有ガス供給量0〜50cc/min、圧力1〜10torr、RFパワー500W、基板温度200〜400℃とすることができる。   As an example of conditions when performing film formation using the plasma CVD film forming apparatus shown in FIG. 1 by the method shown in (9) above, the supply amount of a bubbled carrier gas is 100 to 500 cc / min, The inert gas supply rate is 50 to 100 cc / min, the oxygen-containing gas supply rate is 0 to 50 cc / min, the pressure is 1 to 10 torr, the RF power is 500 W, and the substrate temperature is 200 to 400 ° C.

このときに使用する絶縁膜用材料は、材料中に含まれる金属成分が合計100ppb未満であり、酸素、窒素成分はそれぞれ10ppm未満のものである。
絶縁膜用材料中の金属成分は、成膜された膜のリーク特性を悪化させるため少ないほうがよい。また、酸素は成膜時にSiと結合し膜内に取り込まれ膜の特性を変化させてしまうため少ないほうが良い。また、窒素は成膜後ArFレジストを行う際にアミンを生成するなどの悪影響があるため少ないほうが良い。The insulating film material used at this time has a total of less than 100 ppb of metal components contained in the material, and less than 10 ppm of oxygen and nitrogen components, respectively.
The metal component in the insulating film material is preferably small because it deteriorates the leakage characteristics of the film formed. In addition, oxygen is preferable to be less because it combines with Si during film formation and is taken into the film and changes the characteristics of the film. Nitrogen is preferable because it has an adverse effect such as generation of amine when an ArF resist is formed after film formation.

このようにして本発明の方法で成膜された絶縁膜は、誘電率が2.5以下で、ヤング率が8GPa以上、成膜条件によっては10GPa程度となって、機械的強度が高いものとなった。
このため、この絶縁膜は、化学機械研磨によって破損したり、基板から剥離するようなことがない。Thus, the insulating film formed by the method of the present invention has a high mechanical strength, with a dielectric constant of 2.5 or less, a Young's modulus of 8 GPa or more, and about 10 GPa depending on the film forming conditions. .
For this reason, this insulating film is not damaged by chemical mechanical polishing or peeled off from the substrate.

以下、具体例を示す。
（比較例）
図１に示したプラズマ成膜装置を使用し、テトラエトキシシランを用いてSiO2からなる絶縁膜を形成した。成膜条件は、以下の通りである。
テトラエトキシシラン流量 ：100cc/min
酸素流量 ：50cc/min
RFパワー ：500W
チャンバー圧力 ：5.0torr
基板温度 ：370℃
厚さ ：200nm
得られた絶縁膜の誘電率は4.1であった。Specific examples are shown below.
(Comparative example)
Using the plasma film forming apparatus shown in FIG. 1, an insulating film made of SiO 2 was formed using tetraethoxysilane. The film forming conditions are as follows.
Tetraethoxysilane flow rate: 100cc / min
Oxygen flow rate: 50cc / min
RF power: 500W
Chamber pressure: 5.0torr
Substrate temperature: 370 ° C
Thickness: 200nm
The dielectric constant of the obtained insulating film was 4.1.

図１に示したプラズマ成膜装置を使用し、1,3,5,7-テトラメチル-2,4,6,8-テトラビニルシクロシロキサンを用いた成膜条件は下記のとおりである。
絶縁膜用材料流量 ：100cc/min
酸素流量 ：5cc/min
ヘリウム流量 ：100cc/min
圧力 ：5torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
厚さ ：200nm
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.4、ヤング率は10GPaであった。The film forming conditions using 1,3,5,7-tetramethyl-2,4,6,8-tetravinylcyclosiloxane using the plasma film forming apparatus shown in FIG. 1 are as follows.
Insulating film material flow rate: 100cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Helium flow rate: 100cc / min
Pressure: 5torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
Thickness: 200nm
The insulating film thus obtained had a dielectric constant of 2.4 and Young's modulus of 10 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し、1,3,5,7-テトラメチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロシロキサンをイソプロピルアルコールに溶解した場合の成膜条件は下記のとおりである。
絶縁膜用材料の濃度 ：5％
溶解した混合物の供給量（ガス化後）：400cc/min
酸素流量 ：5cc/min
ヘリウム流量 ：100cc/min
圧力 ：5torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
厚さ ：200nm
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.3、ヤング率は9GPaであった。The film forming conditions when the plasma film forming apparatus shown in FIG. 1 is used and 1,3,5,7-tetramethyl-2,4,6,8-tetraisopropylcyclosiloxane is dissolved in isopropyl alcohol are as follows: It is as follows.
Concentration of insulating film material: 5%
Supply amount of dissolved mixture (after gasification): 400cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Helium flow rate: 100cc / min
Pressure: 5torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
Thickness: 200nm
The dielectric film thus obtained had a dielectric constant of 2.3 and Young's modulus of 9 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用しジイソプロピルジビニロキシシランをビニルイソプロピルエーテルに溶解した場合の成膜条件は下記のとおりである。
絶縁膜用材料の濃度 ：5％
溶解した混合物の供給量（ガス化後）：400cc/min
酸素流量 ：5cc/min
ヘリウム流量 ：100cc/min
圧力 ：5torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
厚さ ：200nm
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.3、ヤング率は9GPaであった。The film forming conditions when diisopropyldivinyloxysilane is dissolved in vinyl isopropyl ether using the plasma film forming apparatus shown in FIG. 1 are as follows.
Concentration of insulating film material: 5%
Supply amount of dissolved mixture (after gasification): 400cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Helium flow rate: 100cc / min
Pressure: 5torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
Thickness: 200nm
The dielectric film thus obtained had a dielectric constant of 2.3 and Young's modulus of 9 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し1,2,3-トリメチル-4,5,6-トリビニルジシロキサンにエチレンをガス状で添加した場合の成膜条件は下記のとおりである。
絶縁膜用材料流量 ：50cc/min
添加ガス流量 ：5cc/min
酸素流量 ：5cc/min
ヘリウム流量 ：50cc/min
圧力 ：5torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
厚さ ：200nm
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.2、ヤング率は8GPaであった。The film forming conditions when ethylene is added in gaseous form to 1,2,3-trimethyl-4,5,6-trivinyldisiloxane using the plasma film forming apparatus shown in FIG. 1 are as follows.
Insulating film material flow rate: 50cc / min
Additive gas flow rate: 5cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Helium flow rate: 50cc / min
Pressure: 5torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
Thickness: 200nm
The insulating film thus obtained had a dielectric constant of 2.2 and Young's modulus of 8 GPa.

図１に示したプラズマ成膜装置を使用し、テトライソプロピルシランにイソプロパノールをガス状で添加した場合のプラズマ成膜装置を使用した成膜条件は下記のとおりである。
絶縁膜用材料流量 ：50cc/min
添加ガス流量 ：5cc/min
酸素流量 ：5cc/min
ヘリウム流量 ：50cc/min
圧力 ：5torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
厚さ ：200nm
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.2、ヤング率は8GPaであった。The film forming conditions using the plasma film forming apparatus when the plasma film forming apparatus shown in FIG. 1 is used and isopropanol is added to tetraisopropylsilane in the form of gas are as follows.
Insulating film material flow rate: 50cc / min
Additive gas flow rate: 5cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Helium flow rate: 50cc / min
Pressure: 5torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
Thickness: 200nm
The insulating film thus obtained had a dielectric constant of 2.2 and Young's modulus of 8 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し、1,2,3-トリメチル-4,5,6-トリイソプロピルジシロキサンにビニルイソプロピルエーテルをガス状で添加した場合の成膜条件は下記のとおりである。
絶縁膜用材料流量 ：50cc/min
添加ガス流量 ：5cc/min
酸素流量 ：5cc/min
ヘリウム流量 ：50cc/min
圧力 ：5torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
厚さ ：200nm
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.2、ヤング率は8GPaであった。The film formation conditions when vinyl isopropyl ether is added in a gaseous form to 1,2,3-trimethyl-4,5,6-triisopropyldisiloxane using the plasma film formation apparatus shown in FIG. It is.
Insulating film material flow rate: 50cc / min
Additive gas flow rate: 5cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Helium flow rate: 50cc / min
Pressure: 5torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
Thickness: 200nm
The insulating film thus obtained had a dielectric constant of 2.2 and Young's modulus of 8 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し、1,2,3-トリメチル-4,5,6-トリビニルジシロキサンにキャリアガスとしてエチレンを添加した場合の成膜条件は下記のとおりである。
キャリアガスでバブリングした絶縁膜用材料流量：500cc/min
酸素流量 ：5cc/min
圧力 ：10torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
厚さ ：200nm
このようにして得られた膜の誘電率は2.3、ヤング率は9GPaであった。The film formation conditions when ethylene is added as a carrier gas to 1,2,3-trimethyl-4,5,6-trivinyldisiloxane using the plasma film formation apparatus shown in FIG. 1 are as follows. .
Material flow rate for insulating film bubbled with carrier gas: 500cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Pressure: 10torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
Thickness: 200nm
The film thus obtained had a dielectric constant of 2.3 and Young's modulus of 9 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し、テトライソプロピルシランにキャリアガスとしてイソプロパノールを添加した場合の成膜条件は下記のとおりである。
キャリアガスでバブリングした絶縁膜用材料流量：500cc/min
酸素流量 ：5cc/min
圧力 ：10torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
厚さ ：200nm
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.3、ヤング率は9GPaであった。The film forming conditions when the plasma film forming apparatus shown in FIG. 1 is used and isopropanol is added as a carrier gas to tetraisopropylsilane are as follows.
Material flow rate for insulating film bubbled with carrier gas: 500cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Pressure: 10torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
Thickness: 200nm
The dielectric film thus obtained had a dielectric constant of 2.3 and Young's modulus of 9 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し、1,3,5-トリシラベンゼンを用いた成膜条件は下記のとおりである。
絶縁膜用材料流量 ：100cc/min
酸素流量 ：5cc/min
ヘリウム流量 ：100cc/min
圧力 ：5torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.4、ヤング率は10GPaであった。The film forming conditions using the plasma film forming apparatus shown in FIG. 1 and using 1,3,5-trisilabenzene are as follows.
Insulating film material flow rate: 100cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Helium flow rate: 100cc / min
Pressure: 5torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
The insulating film thus obtained had a dielectric constant of 2.4 and Young's modulus of 10 GPa.

図１に示したプラズマ成膜装置を使用し、1,2,3,4,5,6-ヘクトプロピル-1,3,5-トリシラベンゼンをイソプロピルアルコールに溶解した場合の成膜条件は下記のとおりである。
絶縁膜用材料の濃度 ：5％
溶解した混合物の供給量（ガス化後）：400cc/min
酸素流量 ：5cc/min
ヘリウム流量 ：100cc/min
圧力 ：5torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.3、ヤング率は9GPaであった。The film forming conditions when 1,2,3,4,5,6-hectpropyl-1,3,5-trisilabenzene is dissolved in isopropyl alcohol using the plasma film forming apparatus shown in FIG. It is as follows.
Concentration of insulating film material: 5%
Supply amount of dissolved mixture (after gasification): 400cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Helium flow rate: 100cc / min
Pressure: 5torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
The insulating film thus obtained had a dielectric constant of 2.3 and Young's modulus of 9 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し1,2,3,4,5,6-ヘクトビニル-1,3,5-トリシラベンゼンをビニルイソプロピルエーテルに溶解した場合の成膜条件は下記のとおりである。
絶縁膜用材料の濃度 ：5％
溶解した混合物の供給量（ガス化後）：400cc/min
酸素流量 ：5cc/min
ヘリウム流量 ：100cc/min
圧力 ：5torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.3、ヤング率は9GPaであった。The film forming conditions when 1,2,3,4,5,6-hectvinyl-1,3,5-trisilabenzene was dissolved in vinyl isopropyl ether using the plasma film forming apparatus shown in FIG. It is as follows.
Concentration of insulating film material: 5%
Supply amount of dissolved mixture (after gasification): 400cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Helium flow rate: 100cc / min
Pressure: 5torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
The dielectric film thus obtained had a dielectric constant of 2.3 and Young's modulus of 9 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し1,1,3,3,5,5-ヘキサビニル-1,3,5-トリシラシクロヘキサンにエチレンをガス状で添加した場合の成膜条件は下記のとおりである。
絶縁膜用材料流量 ：5cc/min
添加ガス流量 ：5cc/min
酸素流量 ：50cc/min
ヘリウム流量 ：50cc/min
圧力 ：5torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.2、ヤング率は8GPaであった。The film deposition conditions when ethylene is added in gaseous form to 1,1,3,3,5,5-hexavinyl-1,3,5-trisilacyclohexane using the plasma film deposition system shown in FIG. It is as follows.
Insulating film material flow rate: 5cc / min
Additive gas flow rate: 5cc / min
Oxygen flow rate: 50cc / min
Helium flow rate: 50cc / min
Pressure: 5torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
The insulating film thus obtained had a dielectric constant of 2.2 and Young's modulus of 8 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し、1,2,3,4,5,6-ヘクトプロピル-1,3,5-トリシラベンゼンにイソプロパノールをガス状で添加した場合のプラズマ成膜装置を使用した成膜条件は下記のとおりである。
絶縁膜用材料流量 ：50cc/min
添加ガス流量 ：5cc/min
酸素流量 ：5cc/min
ヘリウム流量 ：50cc/min
圧力 ：5torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.2、ヤング率は8GPaであった。Using the plasma deposition system shown in Figure 1, plasma deposition when isopropanol is added in gaseous form to 1,2,3,4,5,6-hectpropyl-1,3,5-trisilabenzene The film forming conditions using the apparatus are as follows.
Insulating film material flow rate: 50cc / min
Additive gas flow rate: 5cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Helium flow rate: 50cc / min
Pressure: 5torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
The insulating film thus obtained had a dielectric constant of 2.2 and Young's modulus of 8 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し、1,1,3,3,5,5-ヘキサイソプロピル-1,3,5-トリシラシクロヘキサンにビニルイソプロピルエーテルを添加した場合の成膜条件は下記のとおりである。
絶縁膜用材料流量 ：50cc/min
添加ガス流量 ：5cc/min
酸素流量 ：5cc/min
ヘリウム流量 ：50cc/min
圧力 ：5torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.2、ヤング率は8GPaであった。When using the plasma deposition system shown in Fig. 1 and adding vinyl isopropyl ether to 1,1,3,3,5,5-hexaisopropyl-1,3,5-trisilacyclohexane, It is as follows.
Insulating film material flow rate: 50cc / min
Additive gas flow rate: 5cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Helium flow rate: 50cc / min
Pressure: 5torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
The insulating film thus obtained had a dielectric constant of 2.2 and Young's modulus of 8 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し、2,4,6-トリビニル-1,3,5-トリシラベンゼンにキャリアガスとしてエチレンを添加した場合の成膜条件は下記のとおりである。
キャリアガスでバブリングした絶縁膜用材料流量：500cc/min
酸素流量 ：5cc/min
圧力 ：10torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.3、ヤング率は9GPaであった。Film formation conditions when ethylene is added as a carrier gas to 2,4,6-trivinyl-1,3,5-trisilabenzene using the plasma film formation apparatus shown in FIG. 1 are as follows.
Material flow rate for insulating film bubbled with carrier gas: 500cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Pressure: 10torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
The dielectric film thus obtained had a dielectric constant of 2.3 and Young's modulus of 9 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し、2,2,4,4,6,6-ヘキサイソプロピル-1,3,5-トリシラシクロヘキサンにキャリアガスとしてイソプロパノールを添加した場合の成膜条件は下記のとおりである。
キャリアガスでバブリングした絶縁膜用材料流量：500cc/min
酸素流量 ：5cc/min
圧力 ：10torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.3、ヤング率は9GPaであった。Film formation conditions when isopropanol is added as a carrier gas to 2,2,4,4,6,6-hexaisopropyl-1,3,5-trisilacyclohexane using the plasma film formation system shown in FIG. Is as follows.
Material flow rate for insulating film bubbled with carrier gas: 500cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Pressure: 10torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
The insulating film thus obtained had a dielectric constant of 2.3 and Young's modulus of 9 GPa.

図1に示したプラズマ成膜装置を使用し、2,4,6-トリイソプロピル-1,3,5-トリシラベンゼンにキャリアガスとしてイソプロパノールを添加した場合の成膜条件は下記のとおりである。
キャリアガスでバブリングした絶縁膜用材料流量：500cc/min
酸素流量 ：5cc/min
圧力 ：10torr
RFパワー ：500W
基板温度 ：350℃
このようにして得られた絶縁膜の誘電率は2.3、ヤング率は9GPaであった。The film formation conditions when using the plasma film formation apparatus shown in FIG. 1 and adding isopropanol as a carrier gas to 2,4,6-triisopropyl-1,3,5-trisilabenzene are as follows. .
Material flow rate for insulating film bubbled with carrier gas: 500cc / min
Oxygen flow rate: 5cc / min
Pressure: 10torr
RF power: 500W
Substrate temperature: 350 ° C
The insulating film thus obtained had a dielectric constant of 2.3 and Young's modulus of 9 GPa.

本発明によれば、プラズマCVD法により成膜された絶縁膜は、誘電率が低く、しかも機械的強度が高く、化学機械研磨法によっても、層間絶縁膜が破損することがない。また誘電率が2.4以下で、ヤング率が10GPa以上の絶縁膜を得ることができる。   According to the present invention, the insulating film formed by the plasma CVD method has a low dielectric constant and high mechanical strength, and the interlayer insulating film is not damaged even by the chemical mechanical polishing method. In addition, an insulating film having a dielectric constant of 2.4 or less and a Young's modulus of 10 GPa or more can be obtained.

Claims (10)

下記化学式（１）：

（式中、R1〜R8は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ2Ｈ３、Ｃ３Ｈ5、ｉ-Ｃ３Ｈ7の何れかである；但し、R1〜R8はＣ2Ｈ３、又はｉ-Ｃ３Ｈ7を少なくとも１つ以上含む）
で示されるプラズマCVD用絶縁膜用材料。The following chemical formula (1):

(In the formula, R 1 to R 8 are any of H, CH 3 , C 2 H 3 , C 3 H 5 , i-C 3 H 7 ; provided that R 1 to R 8 are C 2 H 3. Or at least one i-C 3 H 7 )
Insulating film material for plasma CVD indicated by 下記化学式（２）：

（式中、R1〜R6は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ2Ｈ３、Ｃ３Ｈ5、ｉ-Ｃ３Ｈ7の何れかである；但し、R1〜R6はＣ2Ｈ３、又はｉ-Ｃ３Ｈ7を少なくとも１つ以上含む）
で示されるプラズマCVD用絶縁膜用材料。The following chemical formula (2):

(In the formula, R 1 to R 6 are any of H, CH 3 , C 2 H 3 , C 3 H 5 , and i-C 3 H 7 ; provided that R 1 to R 6 are C 2 H 3. Or at least one i-C 3 H 7 )
Insulating film material for plasma CVD indicated by 下記化学式（３）：

（式中、R1〜R4は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ2Ｈ３、Ｃ３Ｈ5、ｉ-Ｃ３Ｈ7の何れかである；但し、R1〜R4はＣ2Ｈ３、又はｉ-Ｃ３Ｈ7を少なくとも１つ以上含む）
で示されるプラズマCVD用絶縁膜用材料。The following chemical formula (3):

(In the formula, R 1 to R 4 are any of H, CH 3 , C 2 H 3 , C 3 H 5 , and i-C 3 H 7 ; provided that R 1 to R 4 are C 2 H 3. Or at least one i-C 3 H 7 )
Insulating film material for plasma CVD indicated by 下記化学式（４）：

（式中、R1〜R4は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ2Ｈ３、Ｃ３Ｈ5、ｉ-Ｃ３Ｈ7の何れかである；但し、R1〜R4はＣ2Ｈ３、又はｉ-Ｃ３Ｈ7を少なくとも１つ以上含む）
で示されるプラズマCVD用絶縁膜用材料。The following chemical formula (4):

(In the formula, R 1 to R 4 are any of H, CH 3 , C 2 H 3 , C 3 H 5 , and i-C 3 H 7 ; provided that R 1 to R 4 are C 2 H 3. Or at least one i-C 3 H 7 )
Insulating film material for plasma CVD indicated by 下記化学式（５）：

（式中、R1〜R6は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ2Ｈ３、Ｃ2Ｈ5、Ｃ３Ｈ5、Ｃ３Ｈ7、Ｃ4Ｈ9、ｉ-Ｃ4Ｈ9、ｓ-Ｃ4Ｈ9、ｔ-Ｃ4Ｈ9、の何れかである）
で示されるプラズマCVD用絶縁膜用材料。The following chemical formula (5):

(In the formula, R 1 to R 6 are H, CH 3 , C 2 H 3 , C 2 H 5 , C 3 H 5 , C 3 H 7 , C 4 H 9 , i-C 4 H 9 , s- C 4 H 9 or t-C 4 H 9 )
Insulating film material for plasma CVD indicated by 下記化学式（６）：

（式中、R1〜R12は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ2Ｈ３、Ｃ３Ｈ5、Ｃ３Ｈ7、ｉ-Ｃ３Ｈ7、Ｃ4Ｈ9、ｉ-Ｃ4Ｈ9、ｓ-Ｃ4Ｈ9、ｔ-Ｃ4Ｈ9、の何れかである）
で示されるプラズマCVD用絶縁膜用材料。The following chemical formula (6):

(In the formula, R 1 to R 12 are H, CH 3 , C 2 H 3 , C 3 H 5 , C 3 H 7 , i-C 3 H 7 , C 4 H 9 , i-C 4 H 9 , s-C 4 H 9 or t-C 4 H 9 )
Insulating film material for plasma CVD indicated by 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の有機シラン化合物中の官能基と同一の官能基を少なくとも１つ以上含むアルコール化合物またはエーテル化合物に、当該有機シラン化合物を含むプラズマCVD用絶縁膜用材料を溶解する工程；
当該溶解物を、プラズマCVD成膜装置に供給する工程；
を含むことを特徴とするプラズマCVD法による成膜方法。7. An insulating film for plasma CVD containing an organosilane compound in an alcohol compound or ether compound containing at least one functional group identical to the functional group in the organosilane compound according to any one of claims 1 to 6. Dissolving the material;
Supplying the melt to a plasma CVD film forming apparatus;
A film forming method by a plasma CVD method characterized by comprising: 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の有機シラン化合物中の官能基と同一の官能基を少なくとも１つ以上含む鎖状炭化水素化合物、アルコール化合物またはエーテル化合物を気化して添加ガスとする工程；
当該添加ガスを、当該有機シラン化合物を含むプラズマCVD用絶縁用材料からなる成膜ガスに添加する工程；
を含むことを特徴とするプラズマCVD法による成膜方法。The chain hydrocarbon compound, alcohol compound or ether compound containing at least one functional group identical to the functional group in the organosilane compound according to any one of claims 1 to 6 is vaporized to form an additive gas. Process;
Adding the additive gas to a film-forming gas made of an insulating material for plasma CVD containing the organosilane compound;
A film forming method by a plasma CVD method characterized by comprising: 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の有機シラン化合物中の官能基と同一の官能基を少なくとも１つ以上含む鎖状炭化水素化合物、アルコール化合物またはエーテル化合物を気化してキャリアガスとする工程；
当該キャリアガスを、当該有機シラン化合物を含むプラズマCVD用絶縁用材料の溶液中に供給する工程；
を含むことを特徴とする成膜方法。A chain hydrocarbon compound, an alcohol compound or an ether compound containing at least one functional group identical to the functional group in the organosilane compound according to any one of claims 1 to 6 is vaporized to form a carrier gas. Process;
Supplying the carrier gas into a solution of an insulating material for plasma CVD containing the organosilane compound;
A film forming method comprising: 請求項７乃至９のいずれか一項に記載の成膜方法を用いて基板上に成膜された絶縁膜。   An insulating film formed on a substrate using the film forming method according to claim 7.
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