JPWO2004093172A1 - Resist removing method and resist removing apparatus - Google Patents
Resist removing method and resist removing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2004093172A1 JPWO2004093172A1 JP2005505465A JP2005505465A JPWO2004093172A1 JP WO2004093172 A1 JPWO2004093172 A1 JP WO2004093172A1 JP 2005505465 A JP2005505465 A JP 2005505465A JP 2005505465 A JP2005505465 A JP 2005505465A JP WO2004093172 A1 JPWO2004093172 A1 JP WO2004093172A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- ozone
- solution
- water
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 184
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 84
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 30
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 12
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 5
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 3
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 acetic acid Chemical class 0.000 description 2
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 150000008049 diazo compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N fluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)CF QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N glycylglycine Chemical compound [NH3+]CC(=O)NCC([O-])=O YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 2
- 239000001393 triammonium citrate Substances 0.000 description 2
- 235000011046 triammonium citrate Nutrition 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 108010008488 Glycylglycine Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-N L-arginine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCCN=C(N)N ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- 229930064664 L-arginine Natural products 0.000 description 1
- 235000014852 L-arginine Nutrition 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- 239000008351 acetate buffer Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 description 1
- 239000007844 bleaching agent Substances 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- ZSJHIZJESFFXAU-UHFFFAOYSA-N boric acid;phosphoric acid Chemical compound OB(O)O.OP(O)(O)=O ZSJHIZJESFFXAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 239000007979 citrate buffer Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000004332 deodorization Methods 0.000 description 1
- PBWZKZYHONABLN-UHFFFAOYSA-N difluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)F PBWZKZYHONABLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L disodium hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].OP([O-])([O-])=O BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000397 disodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019800 disodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229940043257 glycylglycine Drugs 0.000 description 1
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000036284 oxygen consumption Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000008363 phosphate buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M potassium dihydrogen phosphate Chemical compound [K+].OP(O)([O-])=O GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K potassium phosphate Substances [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- OESFSXYRSCBAQJ-UHFFFAOYSA-M sodium;3-carboxy-3,5-dihydroxy-5-oxopentanoate;2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylic acid Chemical compound [Na+].OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O.OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC([O-])=O OESFSXYRSCBAQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本発明の目的は、基板表面のレジストを高効率に除去することができるレジスト除去方法及びレジスト除去装置を提供することである。 本発明は、基板表面のレジストを除去する方法であって、少なくとも、処理面にオゾン溶液を作用させる工程１と、処理面に有機溶剤を作用させる工程２とを有するレジスト除去方法である。An object of the present invention is to provide a resist removal method and a resist removal apparatus that can efficiently remove a resist on a substrate surface. The present invention is a method for removing a resist on the surface of a substrate, and is a resist removal method comprising at least a step 1 of applying an ozone solution to a processing surface and a step 2 of applying an organic solvent to the processing surface.
Description
本発明は、基板表面のレジストを高効率に除去することができるレジスト除去方法及びレジスト除去装置に関する。 The present invention relates to a resist removal method and a resist removal apparatus that can remove a resist on a substrate surface with high efficiency.
半導体基板上に回路を形成する場合や、液晶基板上に色相の異なる複数の着色画素をパターン状に形成する場合には、フォトリソグラフィー工程が必須の工程である。例えば、半導体基板上に回路を形成する場合は、ウエハ上にレジストを塗布し、通常のフォトプロセスにてレジストパターンからなる画像を形成し、これをマスクとしてエッチングした後、不要となったレジストを除去して回路を形成し、次の回路を形成するために、再度レジストを塗布して、画像形成−エッチング−レジストの除去というサイクルを繰り返し行う。
不要となったレジストを除去するレジスト除去工程では、従来、半導体基板のレジスト除去には、アッシャー（灰化手段）や、硫酸や過酸化水素等を用いたＲＣＡ洗浄法が用いられており、液晶基板のレジスト除去には、有機溶媒とアミンとの混合溶液等が用いられていた。しかし、レジストの除去にアッシャーを用いると、高温のため半導体にダメージを与える恐れがあることに加え、無機系の不純物を除去することはできない。また、溶剤や薬品を用いてレジスト除去を行う場合は、十数バッチごとに新たな薬液に交換しなければならないことから、大量の薬液が必要とされ薬液コストがかさむとともに、大量の廃液が生じ、廃液処理の際にもコスト面及び環境面の両面で大きな不利益があった。
一方、オゾンガスを水に溶解して得られるオゾン水は、オゾンの持つ強い酸化力により殺菌・脱臭・漂白等に優れた効果を発揮し、しかもオゾンガスは時間とともに無害な酸素（気体）に自己分解して残留性がないことから、環境にやさしい殺菌・洗浄・漂白剤等として注目されている。近年、環境への関心が高まる中、上述のレジスト除去方法に代わる方法として、オゾン水を用いたレジスト除去プロセスが注目されている。
しかし、常温常圧下ではオゾンは水に５０ｐｐｍ程度の濃度にしか溶解することができず、この濃度のオゾン水ではレジスト除去に長時間を要することから、工業的に応用することは困難であった。
これに対して、有機酸、特に酢酸は水に比べれば高濃度にオゾンを溶解することができ、また、オゾンによって分解することもなく安定して用いることができる。特に有機酸濃度が５０万ｐｐｍ以上になると、極めて高濃度のオゾンを溶解することができる。そこで有機酸に溶解させたオゾン−有機酸液をレジスト除去に用いることが考えられた。
例えば、特開２００１−３４０８１７号公報には、気体中のオゾンとの分配係数が０．６以上である有機溶剤にオゾンを溶解させてなる汚染物質除去用洗浄剤が開示されており、このような有機溶剤として酢酸が例示されている。しかしながら、このような高純度（高濃度）の酢酸等は、刺激臭が強く引火性があり、また、排水処理等にも極めてコストがかかるという問題点があった。また、高濃度有機酸を用いることにより確かにオゾン濃度は向上するものの、レジストの種類によっては、期待された程のレジスト除去効率が得られないという問題があった。
発明の要約
本発明は、上記現状に鑑み、基板表面のレジストを高効率に除去することができるレジスト除去方法及びレジスト除去装置を提供することを目的とする。
第１の本発明は、基板表面のレジストを除去する方法であって、少なくとも、処理面にオゾン溶液を作用させる工程１と、処理面に有機溶剤を作用させる工程２とを有するレジスト除去方法である。第１の本発明のレジスト除去方法では、有機溶剤は、水溶性有機溶剤であることが好ましい。
基板表面のレジストを除去するための装置であって、少なくとも、処理面にオゾン溶液を噴射する手段と、処理面に有機溶剤を噴射する手段とを有するレジスト除去装置もまた、本発明の１つである。
第２の本発明は、有機酸水溶液にオゾンガスを溶解したオゾン溶液を用いて基板表面のレジストを除去する方法であって、前記オゾン溶液中の有機酸濃度が５０００ｐｐｍ未満であるレジスト除去方法である。
第３の本発明は、オゾン水を基板に供給し、基板表面のレジストを除去する方法であって、前記オゾン水はｐＨが４〜８に調整されているレジスト除去方法である。第３の本発明のレジスト除去方法では、オゾン水は、有機酸濃度が５０００ｐｐｍ未満であることが好ましく、ｐＨのバッファー作用を有する試薬を含有することが好ましく、また、オゾン濃度が４０ｐｐｍ以上であることが好ましい。
第１、第２又は第３の本発明のレジスト除去方法において、レジストは、ノボラック型レジストであることが好ましく、紫外線を照射しながらオゾン溶液を処理面に作用させることが好ましい。When a circuit is formed on a semiconductor substrate or when a plurality of colored pixels having different hues are formed in a pattern on a liquid crystal substrate, a photolithography process is an essential process. For example, when a circuit is formed on a semiconductor substrate, a resist is applied on the wafer, an image composed of a resist pattern is formed by a normal photo process, and this is used as a mask for etching. In order to remove and form a circuit and form the next circuit, a resist is applied again, and the cycle of image formation-etching-resist removal is repeated.
In the resist removal process for removing the resist that is no longer necessary, conventionally, the resist removal of the semiconductor substrate uses an asher (ashing means) or an RCA cleaning method using sulfuric acid, hydrogen peroxide, or the like. For removing the resist from the substrate, a mixed solution of an organic solvent and an amine has been used. However, if an asher is used to remove the resist, the semiconductor may be damaged due to the high temperature, and in addition, inorganic impurities cannot be removed. In addition, when removing the resist using a solvent or chemical, it must be replaced with a new chemical every ten or more batches, which requires a large amount of chemical and increases the cost of the chemical and generates a large amount of waste. Even in the waste liquid treatment, there were significant disadvantages in terms of both cost and environment.
On the other hand, ozone water obtained by dissolving ozone gas in water exerts excellent effects on sterilization, deodorization, bleaching, etc. due to the strong oxidizing power of ozone, and ozone gas self-decomposes into harmless oxygen (gas) over time. Therefore, it has been attracting attention as an environmentally friendly sterilization / cleaning / bleaching agent. In recent years, with increasing interest in the environment, a resist removal process using ozone water has attracted attention as an alternative to the resist removal method described above.
However, ozone can only be dissolved in water at a concentration of about 50 ppm under normal temperature and normal pressure, and since it takes a long time to remove the resist with this concentration of ozone water, it was difficult to apply industrially. .
In contrast, organic acids, particularly acetic acid, can dissolve ozone at a higher concentration than water, and can be used stably without being decomposed by ozone. Particularly when the organic acid concentration is 500,000 ppm or more, extremely high concentration ozone can be dissolved. Therefore, it has been considered to use an ozone-organic acid solution dissolved in an organic acid for resist removal.
For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-340817 discloses a cleaning agent for removing pollutants obtained by dissolving ozone in an organic solvent having a partition coefficient with ozone in gas of 0.6 or more. Acetic acid is exemplified as a suitable organic solvent. However, such high-purity (high concentration) acetic acid has a strong irritating odor and is flammable, and there is a problem that wastewater treatment is extremely costly. Further, although the ozone concentration is surely improved by using a high concentration organic acid, there is a problem that resist removal efficiency as expected cannot be obtained depending on the type of resist.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a resist removal method and a resist removal apparatus that can remove a resist on a substrate surface with high efficiency.
1st this invention is a method of removing the resist of the substrate surface, Comprising: It is a resist removal method which has the process 1 which makes an ozone solution act on a process surface, and the
An apparatus for removing the resist on the substrate surface, which includes at least means for injecting an ozone solution onto the processing surface and means for injecting an organic solvent onto the processing surface, is also one aspect of the present invention. It is.
The second aspect of the present invention is a method for removing a resist on a substrate surface using an ozone solution in which ozone gas is dissolved in an organic acid aqueous solution, wherein the organic acid concentration in the ozone solution is less than 5000 ppm. .
The third aspect of the present invention is a method of removing ozone from the substrate surface by supplying ozone water to the substrate, wherein the ozone water has a pH adjusted to 4-8. In the resist removal method of the third aspect of the present invention, the ozone water preferably has an organic acid concentration of less than 5000 ppm, preferably contains a reagent having a pH buffering action, and has an ozone concentration of 40 ppm or more. It is preferable.
In the resist removal method of the first, second, or third aspect of the present invention, the resist is preferably a novolak type resist, and it is preferable to cause the ozone solution to act on the treatment surface while irradiating ultraviolet rays.
図１は、オゾン溶液を用いて除去したときのレジスト膜厚と処理時間との関係を示す図である。
図２は、実施例１及び比較例１におけるレジスト膜厚と処理時間との関係を示す図である。
図３は、実施例１及び比較例１における処理開始６０秒後における処理面の表面の状態を撮影したマイクロスコープ写真である。
図４は、実施例２、３、４及び比較例２、３におけるレジスト膜厚と処理時間との関係を示す図である。
図５は、実施例２、３及び比較例２、３における処理開始８０秒後における処理面の表面の状態を撮影したマイクロスコープ写真である。
図６は、実施例５、６、７及び比較例４、５におけるレジスト膜厚と処理時間との関係を示す図である。
発明の詳細な開示
以下に本発明を開示する。
本発明者らは、オゾン溶液によるレジストの除去の態様を詳細に調べて、除去の過程には２つの段階があることを見出した。図１に、オゾン溶液によるレジストを除去する際の、レジスト膜厚と処理時間との関係の１例を示した。
図１より、オゾン溶液によるレジストの除去には、比較的短時間で急速にレジストの膜厚が減少する第１段階と、それに続いて完全にレジストが消滅するまでの第２段階とに分けられることがわかる。
本発明者らが分析を行ったところ、第１段階で除去されるのは主として樹脂成分であり、樹脂成分が除かれた後に主に窒素を含有する成分（以下、残渣ともいう）が残存し、この残渣を除去する第２段階に第１段階以上の時間を要し、全体としてのレジスト除去効率に影響していることがわかった。
従って、全体としてのレジスト除去効率を向上させるためには、特に上記第２段階に要する時間を短縮することが重要である。
なお、このような残渣は、とりわけノボラック型レジストの場合に多くみられ、おそらくはオルトジアゾキノン等の感光剤に起因するものであると考えられる。
第１の本発明のレジスト除去方法は、基板表面のレジストを除去する方法であって、少なくとも、処理面にオゾン溶液を作用させる工程１と、処理面に有機溶剤を作用させる工程２とを有する。
本発明者らは、更に検討した結果、第１段階の除去速度は一定以上の濃度のオゾン溶液を用いる限り充分な速度が得られるのに対し、第２段階の除去速度はオゾン溶液では遅く、有機溶剤を用いることにより飛躍的に向上することを見出し、第１の本発明を完成するに至った。このような効果は、オルトジアゾキノンのみならず、ジアゾ系の化合物を用いるすべてのレジストに共通するものであると考えられる。
第１の本発明のレジスト除去方法において、工程１は、上述の第１段階に対応して主にレジストの樹脂成分を除去する工程であり、工程２は、上述の第２段階に対応して主に残渣を除去する工程である。
工程１に用いるオゾン溶液は、オゾンガスを水に溶解させることにより調製することができる。オゾンガスを溶解させる水は、酢酸等の有機酸を含有していてもよい。有機酸を含有することにより、より高濃度のオゾンを溶解することができる。
上記オゾン溶液を調製する方法としては特に限定されないが、例えば、非多孔性膜からなるガス透過膜を収容したオゾン溶解モジュールを用いることが好ましい。本明細書において、上記非多孔性膜とは、気体を透過させるが液体は透過させない膜を意味する。このようなオゾン溶解モジュールを用いれば、オゾン分子はガス透過膜を構成する樹脂の分子鎖間を透過し、有機酸水溶液中に拡散するが、ガス透過膜が目詰まりしたり、レジスト除去効率を低下させる泡が混入したりすることはない。更に、いったんレジスト除去に用いたオゾン溶液を循環して用いることもでき、容易に効率よく高オゾン濃度のオゾン溶液を得ることができる。
工程２に用いる有機溶剤としては、上記残渣を効率よく溶解できるものであれば特に限定されないが、水溶性有機溶剤が好適である。水溶性有機溶剤を用いる場合には、工程１の終了後処理面を乾燥させる等の操作を必要とせず、連続して工程２を行うことができる。また、水溶性有機溶剤を用いる場合には、水と水溶性有機溶剤との混合液として用いてもかまわない。
上記水溶性有機溶剤としては特に限定されず、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、エチレングリコール等のアルコール類；エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド等のオキサイド類；ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、グリオキザール、アセトン等のアルデヒド・ケトン類；ギ酸、酢酸、ｎ−酪酸、シュウ酸、クエン酸等のカルボン酸類；トリエタノールアミン等の脂肪族アミン類；メタンスルホン酸、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機イオウ化合物等が挙げられる。
上記工程１における処理面にオゾン溶液を作用させる条件、及び上記工程２における処理面に有機溶剤を作用させる条件としては特に限定されず、レジストの種類や厚さによって適宜選択できる。レジストの除去速度は、上記オゾン溶液中のオゾン濃度に影響を及ぼさない範囲で高温なほど速くなる傾向にあることから、処理温度としては５０℃程度が好適である。また、工程１においてオゾン溶液を作用させる際、工程２において有機溶剤を作用させる際には、基板がＧａＡｓ基板等の紫外線に侵されやすい基板でない限りにおいては、紫外線を照射しながらオゾン溶液を処理面に作用させることが好ましい。紫外線を併用することにより、より高いレジストの剥離効果が得られる。ただし、反応槽が複雑化する、ランプ交換等にランニングコストが発生する等の問題点もある。
上記紫外線としては、波長が２５４ｎｍ程度のものが好ましい。また、紫外線の照射強度としては特に限定されないが、０．０１ｍＷ／ｃｍ２程度以上の強度で照射すれば充分な効果が得られる。
第１の本発明のレジスト除去方法が適用されるレジストとしては特に限定されないが、特に上記残渣の量が多いノボラック型レジストに対しては有効である。
なお、ノボラック型レジストとは、ノボラック樹脂を主成分とし、更にオルトジアゾキノン等の感光剤等を含有するものであり、光照射によりアルカリ溶液への溶解性を変化させることができる。ノボラック型レジストは、現在、ガラス基板、化合物基板、シリコン基板等のほとんどの基板に多用されている。
第１の本発明のレジスト除去方法によれば、基板表面のレジストを高効率に除去することができる。特に有機溶剤として、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤を水との混合液として用いる場合には、排出される有機溶剤量を最小限に抑えることができ、環境に対する負荷もごく小さなものとすることができる。
このような第１の本発明のレジスト除去方法は、処理面にオゾン溶液を噴射する手段と、処理面に有機溶剤を噴射する手段とを有するレジスト除去装置を用いることにより、好適に実施することができる。
このような、基板表面のレジストを除去するための装置であって、少なくとも、処理面にオゾン溶液を噴射する手段と、処理面に有機溶剤を噴射する手段とを有するレジスト除去装置もまた、本発明の１つである。
上記処理面にオゾン溶液を噴射する手段及び処理面に有機溶剤を噴射する手段としては特に限定されず、従来公知のノズル等を用いることができる。また、この場合ノズルはオゾン溶液用と有機溶媒用とに別々に設けられていてもよく、また、１つのノズルを共用してもよい。
上記ノズルは、棒流状ノズルであることが好ましい。これにより、更に高い効率でレジストを除去することができる。
本明細書において、上記棒流状ノズルとは、ノズルより噴射されたオゾン水をノズルの内径を大きく超えて広がることなく、ノズル内径と略同径の棒流として基板の処理面に到達させることのできるノズルを意味する。上記棒流状ノズルの噴射角、即ちノズルより噴射されたオゾン水の広がり角度の好ましい上限は１０°、より好ましい上限は５°である。更に好ましくは、ノズルより噴射された直後と基板の処理面に到達した時の噴射方向に対して垂直方向のオゾン水の断面形状がほぼ相似であり、基板の処理面の到達点での噴射方向に対して垂直方向のオゾン水の断面積がノズルの開口面積の１２０％以内である。
このような棒流状ノズルは、管状の部材にドリルやレーザー等を用いて穴あけ加工を行ったり、中空糸をノズルとして用いたりすることにより得ることができる。
また、上記ノズルは、処理に供する基板の略全表面に対してオゾン溶液又は有機溶剤を噴射できるように配置されていることが好ましい。このようにオゾン溶液又は有機溶剤を噴射することにより、基板の全表面のレジストを均一に効率よく除去することができる。
第２の本発明は、有機酸水溶液にオゾンガスを溶解したオゾン溶液を用いて基板表面のレジストを除去する方法であって、上記オゾン溶液中の有機酸濃度が５０００ｐｐｍ未満であるレジスト除去方法である。
有機酸水溶液を用いることにより、オゾンガスをより高濃度に溶解することができ、高濃度のオゾン溶液を用いれば、より高い効率でレジストを除去することができる。しかし、一方でオゾン溶液中の有機酸濃度が高くなると、刺激臭や引火性、排水処理等の問題が生じることに加え、かえってレジストの除去効率が悪化する。
本発明者らは、鋭意検討の結果、一定の濃度域の有機酸水溶液を用いれば、刺激臭や引火性、排水処理等の問題の発生を押さえることができ、極めて高い効率でレジストを除去できることを見出し、第２の本発明を完成するに至った。
これは、上述のように、オゾン溶液によるノボラック型レジストの除去は、主としてノボラック樹脂成分を除去する第１段階と、それに続いて、おそらくはオルトジアゾキノン等の感光剤に起因する窒素成分からなる残渣を除去する第２段階とに分けられるが（図１参照）、本発明者らが更に検討した結果、第１段階の除去速度は、有機酸濃度が一定以上になるとほぼ一定の速度になるのに対し、第２段階の除去速度は、有機酸濃度が高くなるとかえって遅くなることがわかり、これが原因であると考えられる。
第２の本発明のレジストの除去方法においては、オゾン溶液中の有機酸濃度を５０００ｐｐｍ未満に限定することにより、第１段階では必要充分な除去速度が得られ、かつ、第２段階では窒素成分からなる残渣の除去を妨げることがない。このような効果は、オルトジアゾキノンのみならず、ジアゾ系の化合物を用いるすべてのレジストに共通するものであると考えられる。
上記有機酸としては特に限定されないが、例えば、オゾンとの反応性が低い酢酸、ｎ−酪酸、しゅう酸、クエン酸、又は、それらの誘導体等が好ましい。なかでも、酢酸、ｎ−酪酸、クエン酸、又は、それらの誘導体がより好ましく、比較的毒性が低い酢酸、クエン酸、又は、その誘導体が更に好ましい。
上記酢酸の誘導体としては特に限定されないが、オゾンとの反応性が低いことから、例えば、モノフルオロ酢酸、ジフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のハロゲン化酢酸等が好適である。
上記有機酸のオゾン溶液中における濃度は５０００ｐｐｍ未満である。５０００ｐｐｍ以上であると、高度な排水処理が必要となることに加え、レジストの種類によっては除去効率が悪化する。好ましくは５００ｐｐｍ以下である。
上記有機酸はごく少量添加するだけで極めて高いオゾン溶解効率の向上効果が得られることから、上記有機酸のオゾン溶液中における濃度の下限は特にないが、０．００１ｐｐｍ以上が好ましく、０．００５ｐｐｍ以上がより好ましい。
第２の本発明のレジスト除去方法が適用されるレジストとしては特に限定されないが、なかでも上記第１の本発明のレジスト除去方法と同様にノボラック型レジストに対しては特に有効である。
第２の本発明のレジストの除去方法に用いる上記オゾン溶液を調製する方法としては特に限定されないが、例えば、上述した第１の本発明のレジスト除去方法におけるオゾン溶液を調製する方法と同様の非多孔性膜からなるガス透過膜を収容したオゾン溶解モジュールを用いることが好ましい。
第２の本発明のレジストの除去方法においては、処理に供する基板の略全表面に対して上記オゾン溶液を４６０ｃｍ／ｓｅｃ以上の線速度で噴射することが好ましい。このようにオゾン溶液を噴射することにより、基板の全表面のレジストを均一に効率よく除去することができる。
第２の本発明のレジストの除去方法における、上記オゾン溶液の処理条件としては特に限定されず、レジストの種類や厚さ等に応じて適宜決定される。レジストの除去速度は、上記オゾン溶液中のオゾン濃度に影響を及ぼさない範囲で高温なほど速くなる傾向にあることから、処理温度としては５０℃程度が好適である。
また、上記第１の本発明のレジスト除去方法と同様に、紫外線を照射しながらオゾン溶液を処理面に作用させることが好ましい。
第２の本発明のレジストの除去方法によれば、一定濃度域の有機酸濃度のオゾン溶液を用いることにより、刺激臭や引火性、排水処理等の問題の発生を抑えることができる。更に、ノボラック型レジストにあっては、高濃度の有機酸溶液を用いる場合に比較して、基板表面のレジストを高効率に除去することができる。
第３の本発明は、オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去する方法であって、上記オゾン水はｐＨが４〜８に調整されているレジスト除去方法である。
本発明者らは、オゾン水による基板表面のレジストの除去の態様を更に詳細に検討した結果、図１に示す第１段階の除去速度は、オゾン濃度が一定以上であれば溶液のｐＨによらず一定であるのに対して、第２段階の除去速度は、オゾン水のｐＨに大きく依存し、一定の範囲にｐＨに調整した場合に極めて高い効率で残渣を除去でき、全体としてのレジスト除去速度が向上することを見出し、第３の本発明を完成するに至った。
第３の本発明のレジスト除去方法は、シリコン基板、化合物基板、液晶基板及びマスク基板等のいずれの基板にも有効である。
上記オゾン水はｐＨ４〜８である。４未満であると、上記第２段階における残渣の除去速度が遅くなり、全体としてのレジスト除去速度も遅くなる。８を超えると、オゾンの溶解濃度が低くなり、レジスト除去速度が遅くなる。好ましくは４．５〜７であり、より好ましくは４．８〜６．５である。
第３の本発明のレジスト除去方法におけるオゾン水は、有機酸水溶液にオゾンガスを溶解したものであってもよい。オゾン水を高オゾン濃度とすることができるからである。ただし、上述した第２の本発明のレジスト除去方法におけるオゾン水と同様に、有機酸濃度が５０００ｐｐｍ未満であることが好ましい。５０００ｐｐｍ以上であると、高度な排水処理が必要となることに加え、レジストの種類によっては除去効率が悪化することがある。
上記オゾン水のｐＨを調整する方法としては特に限定されないが、処理を通じて安定なｐＨを維持するために、オゾン水にｐＨのバッファー作用を有する試薬を含有させることが好ましい。
上記バッファー作用を有する試薬としては、オゾンにより分解等の化学変性することがないものであれば特に限定されず、例えば、酢酸アンモニウム、酢酸ナトリウム等の酢酸バッファー；クエン酸三アンモニウム、クエン酸一ナトリウム等のクエン酸バッファー；リン酸一カリウム、リン酸二ナトリウム等のリン酸バッファー；四硼酸ナトリウム、硼酸アンモニウム等の硼酸バッファー；グリシルグリシン、グリシン、Ｌ−アルギニン、Ｎ−ε−ラウロリル−Ｌ−リジン等のアミノ酸系バッファー等が挙げられる。これらの試薬は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
ただし、基板の種類や用途によっては、カリウム、ナトリウム等の金属や、リン、ホウ素等による汚染が問題になる場合があることから、このような場合にはこれらの元素を含有しないバッファーが好適であり、例えば、酢酸アンモニウム、クエン酸三アンモニウム又はアミノ酸系バッファー等が好適である。
上記オゾン水は、オゾン濃度が４０ｐｐｍ以上であることが好ましい。４０ｐｐｍ未満であると、効率的なレジスト除去が困難であることがある。より好ましくは５０ｐｐｍ以上である。上記オゾン水のオゾン濃度の上限は特に限定されないが、２００ｐｐｍ以下であることが好ましい。２００ｐｐｍを超えると、オゾン水を製造するための装置が大型化し、高コストとなることがある。
第３の本発明のレジスト除去方法に用いる上記オゾン水を調製する方法としては特に限定されないが、例えば、上述した第１の本発明のレジスト除去方法におけるオゾン溶液を調製する方法と同様の非多孔性膜からなるガス透過膜を収容したオゾン溶解モジュールを用いることが好ましい。
第３の本発明のレジスト除去方法においては、処理に供する基板の略全表面に対して上記オゾン水を４６０ｃｍ／ｓｅｃ以上の線速度で噴射することが好ましい。このようにオゾン水を噴射することにより、基板の全表面のレジストを均一に効率よく除去することができる。
第３の本発明のレジスト除去方法における、上記オゾン水の処理条件としては特に限定されず、基板の種類、レジストの種類や厚さ等に応じて適宜決定される。第３の本発明のレジスト除去方法においては特に温度がレジストの剥離速度に影響を与える。レジストの剥離反応は化学反応であることから、原則的には処理温度が高い方が促進される。一方、オゾン水中のオゾンは、オゾン水が酸性である場合には安定であるのに対して、ｐＨが中性〜アルカリ性になるにつれて急速に分解が進む。このようなオゾンの分解は、温度が高いほど進む傾向にある。第３の本発明においてはオゾン水のｐＨを４〜８に調整するが、ｐＨ及び温度の設定によっては、オゾン水中のオゾン濃度が急速に減少してしまい、その結果、レジストの剥離速度が下がってしまう場合がある。また、ガリウム砒素基板等では加熱によりダメージが生じる等、基板の種類によっても温度を選択する必要がある。
最適な処理温度は、用いるバッファーの種類やｐＨの設定にもよるが、概ね３０〜５０℃程度が好適であり、ガリウム砒素基板等の特に耐熱性に劣る基板の場合には２０〜３０℃程度が好適である。
第３の本発明のレジスト除去方法が適用されるレジストとしては特に限定されないが、なかでも上記第１の本発明のレジスト除去方法と同様にノボラック型レジストに対しては特に有効である。
また、上記第１の本発明のレジスト除去方法と同様に、第３の本発明のレジスト除去方法においても、紫外線を照射しながらオゾン水を処理面に作用させることも可能である。
第３の本発明のレジストの除去方法によれば、一定のｐＨのオゾン水を用いることにより、基板表面のレジストを高効率に除去することができる。FIG. 1 is a diagram showing the relationship between the resist film thickness and the processing time when removed using an ozone solution.
FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the resist film thickness and the processing time in Example 1 and Comparative Example 1.
FIG. 3 is a microscope photograph of the surface state of the treated
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the resist film thickness and the processing time in Examples 2, 3, and 4 and Comparative Examples 2 and 3.
FIG. 5 is a microscope photograph of the surface state of the treated
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the resist film thickness and the processing time in Examples 5, 6, and 7 and Comparative Examples 4 and 5. In FIG.
Detailed Disclosure of the Invention The present invention is disclosed below.
The present inventors have investigated in detail the mode of resist removal using an ozone solution and found that the removal process has two stages. FIG. 1 shows an example of the relationship between the resist film thickness and the processing time when removing the resist using an ozone solution.
As shown in FIG. 1, the removal of the resist with the ozone solution is divided into a first stage in which the resist film thickness rapidly decreases in a relatively short time and a second stage in which the resist completely disappears. I understand that.
As a result of analysis by the present inventors, it is mainly the resin component that is removed in the first stage, and after the resin component is removed, a component mainly containing nitrogen (hereinafter also referred to as a residue) remains. It has been found that the second stage for removing the residue requires more time than the first stage, which affects the overall resist removal efficiency.
Therefore, in order to improve the overall resist removal efficiency, it is particularly important to shorten the time required for the second stage.
Such a residue is often observed particularly in the case of a novolak resist, and is probably caused by a photosensitizer such as orthodiazoquinone.
The resist removal method of the first aspect of the present invention is a method for removing a resist on the surface of a substrate, and includes at least a step 1 in which an ozone solution is allowed to act on the treatment surface and a
As a result of further investigation, the inventors have obtained a removal rate in the first stage sufficient as long as an ozone solution having a certain concentration or more is used, whereas a removal rate in the second stage is slow in the ozone solution, It has been found that the use of an organic solvent can dramatically improve, and the first invention has been completed. Such an effect is considered to be common to all resists using not only orthodiazoquinone but also diazo compounds.
In the resist removal method of the first aspect of the present invention, step 1 is a step of mainly removing the resin component of the resist corresponding to the above-described first step, and
The ozone solution used in step 1 can be prepared by dissolving ozone gas in water. The water in which the ozone gas is dissolved may contain an organic acid such as acetic acid. By containing the organic acid, higher concentration ozone can be dissolved.
The method for preparing the ozone solution is not particularly limited. For example, it is preferable to use an ozone dissolution module containing a gas permeable membrane made of a non-porous membrane. In the present specification, the non-porous membrane means a membrane that allows gas to permeate but does not allow liquid to permeate. If such an ozone dissolution module is used, ozone molecules permeate between the resin molecular chains constituting the gas permeable film and diffuse into the organic acid aqueous solution. However, the gas permeable film is clogged and resist removal efficiency is improved. There is no mixing of bubbles to lower. Furthermore, the ozone solution once used for resist removal can be circulated and used, and an ozone solution having a high ozone concentration can be obtained easily and efficiently.
The organic solvent used in
The water-soluble organic solvent is not particularly limited, and examples thereof include alcohols such as methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, and ethylene glycol; oxides such as ethylene oxide and propylene oxide; formaldehyde, acetaldehyde, glyoxal, and acetone. Aldehydes and ketones; Carboxylic acids such as formic acid, acetic acid, n-butyric acid, oxalic acid and citric acid; Aliphatic amines such as triethanolamine; Organic sulfur compounds such as methanesulfonic acid and dimethyl sulfoxide (DMSO) Is mentioned.
The conditions for causing the ozone solution to act on the treated surface in step 1 and the conditions for causing the organic solvent to act on the treated surface in
As the ultraviolet rays, those having a wavelength of about 254 nm are preferable. Further, the irradiation intensity of ultraviolet rays is not particularly limited, but a sufficient effect can be obtained by irradiation with an intensity of about 0.01 mW / cm 2 or more.
The resist to which the resist removal method of the first aspect of the present invention is applied is not particularly limited, but is particularly effective for a novolak type resist having a large amount of the residue.
The novolak-type resist contains a novolak resin as a main component and further contains a photosensitizer such as orthodiazoquinone, and the solubility in an alkali solution can be changed by light irradiation. Currently, novolak resists are widely used on most substrates such as glass substrates, compound substrates, and silicon substrates.
According to the resist removal method of the first aspect of the present invention, the resist on the substrate surface can be removed with high efficiency. In particular, when water-soluble organic solvents such as methanol and ethanol are used as a mixture with water as the organic solvent, the amount of discharged organic solvent can be minimized, and the burden on the environment should be minimal. be able to.
Such a resist removal method of the first aspect of the present invention is preferably carried out by using a resist removal apparatus having means for injecting an ozone solution onto the processing surface and means for injecting an organic solvent onto the processing surface. Can do.
Such an apparatus for removing the resist on the substrate surface, which includes at least means for injecting an ozone solution onto the processing surface and means for injecting an organic solvent onto the processing surface, is also provided in the present invention. It is one of the inventions.
The means for injecting the ozone solution onto the treatment surface and the means for injecting the organic solvent onto the treatment surface are not particularly limited, and a conventionally known nozzle or the like can be used. In this case, the nozzles may be separately provided for the ozone solution and the organic solvent, or one nozzle may be shared.
The nozzle is preferably a rod-like nozzle. Thereby, the resist can be removed with higher efficiency.
In the present specification, the bar-flow nozzle means that the ozone water jetted from the nozzle reaches the processing surface of the substrate as a bar flow substantially the same diameter as the nozzle inner diameter without spreading greatly beyond the inner diameter of the nozzle. This means a nozzle that can be used. The preferable upper limit of the spray angle of the bar-flow nozzle, that is, the spread angle of the ozone water sprayed from the nozzle, is 10 °, and the more preferable upper limit is 5 °. More preferably, the cross-sectional shape of the ozone water in the direction perpendicular to the injection direction immediately after being injected from the nozzle and when it reaches the processing surface of the substrate is substantially similar, and the injection direction at the arrival point of the processing surface of the substrate , The cross-sectional area of the ozone water in the vertical direction is within 120% of the opening area of the nozzle.
Such a bar-flow nozzle can be obtained by drilling a tubular member using a drill or a laser, or by using a hollow fiber as a nozzle.
Moreover, it is preferable that the said nozzle is arrange | positioned so that an ozone solution or an organic solvent can be sprayed with respect to the substantially whole surface of the board | substrate used for a process. By spraying the ozone solution or the organic solvent in this way, the resist on the entire surface of the substrate can be uniformly and efficiently removed.
The second aspect of the present invention is a method of removing a resist on a substrate surface using an ozone solution in which ozone gas is dissolved in an organic acid aqueous solution, wherein the organic acid concentration in the ozone solution is less than 5000 ppm. .
By using the organic acid aqueous solution, ozone gas can be dissolved at a higher concentration, and when a high concentration ozone solution is used, the resist can be removed with higher efficiency. However, when the concentration of the organic acid in the ozone solution increases, problems such as irritating odor, flammability, and wastewater treatment occur, and the resist removal efficiency deteriorates.
As a result of intensive studies, the inventors have been able to suppress the occurrence of problems such as irritating odor, flammability, wastewater treatment, and the like, by using an organic acid aqueous solution in a certain concentration range, and can remove the resist with extremely high efficiency. As a result, the present invention has been completed.
This is because, as described above, the removal of the novolak-type resist with the ozone solution is mainly the first step of removing the novolak resin component, and then the residue consisting of the nitrogen component possibly resulting from the photosensitizer such as orthodiazoquinone. As a result of further investigation by the present inventors, the removal rate of the first step is almost constant when the organic acid concentration is above a certain level. On the other hand, it can be seen that the removal rate in the second stage becomes slower as the organic acid concentration becomes higher, which is considered to be the cause.
In the resist removal method of the second aspect of the present invention, by limiting the organic acid concentration in the ozone solution to less than 5000 ppm, a necessary and sufficient removal rate can be obtained in the first stage, and a nitrogen component in the second stage. The removal of the residue consisting of is not hindered. Such an effect is considered to be common to all resists using not only orthodiazoquinone but also diazo compounds.
Although it does not specifically limit as said organic acid, For example, an acetic acid, n-butyric acid, oxalic acid, a citric acid, or those derivatives etc. with low reactivity with ozone are preferable. Among these, acetic acid, n-butyric acid, citric acid, or derivatives thereof are more preferable, and acetic acid, citric acid, or derivatives thereof having relatively low toxicity are more preferable.
The acetic acid derivative is not particularly limited, but, for example, halogenated acetic acid such as monofluoroacetic acid, difluoroacetic acid, and trifluoroacetic acid is preferable because of its low reactivity with ozone.
The concentration of the organic acid in the ozone solution is less than 5000 ppm. If it is 5000 ppm or more, in addition to requiring advanced wastewater treatment, the removal efficiency deteriorates depending on the type of resist. Preferably it is 500 ppm or less.
Since there is no particular lower limit of the concentration of the organic acid in the ozone solution since the effect of improving the ozone dissolution efficiency can be obtained by adding a very small amount of the organic acid, 0.001 ppm or more is preferable, and 0.005 ppm. The above is more preferable.
The resist to which the resist removal method of the second aspect of the present invention is applied is not particularly limited, but it is particularly effective for a novolak-type resist as in the case of the resist removal method of the first aspect of the present invention.
The method for preparing the ozone solution used in the resist removal method of the second aspect of the present invention is not particularly limited. For example, the ozone solution similar to the method of preparing the ozone solution in the resist removal method of the first aspect of the present invention described above is used. It is preferable to use an ozone dissolution module containing a gas permeable membrane made of a porous membrane.
In the resist removal method of the second aspect of the present invention, it is preferable that the ozone solution is sprayed at a linear velocity of 460 cm / sec or more on substantially the entire surface of the substrate to be processed. By spraying the ozone solution in this way, the resist on the entire surface of the substrate can be uniformly and efficiently removed.
In the resist removal method of the second aspect of the present invention, the treatment conditions for the ozone solution are not particularly limited, and are appropriately determined according to the type and thickness of the resist. Since the resist removal rate tends to increase as the temperature rises within a range that does not affect the ozone concentration in the ozone solution, a processing temperature of about 50 ° C. is suitable.
Moreover, it is preferable to make an ozone solution act on a process surface, irradiating an ultraviolet-ray similarly to the resist removal method of the said 1st this invention.
According to the resist removal method of the second aspect of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of problems such as irritating odor, flammability, and wastewater treatment by using an ozone solution having an organic acid concentration in a certain concentration range. Furthermore, in the case of a novolak resist, the resist on the substrate surface can be removed with higher efficiency than when a high concentration organic acid solution is used.
3rd this invention is a method of removing the resist of the substrate surface using ozone water, Comprising: The said ozone water is a resist removal method by which pH was adjusted to 4-8.
As a result of examining the aspect of removing the resist on the substrate surface with ozone water in more detail, the present inventors have found that the removal rate in the first stage shown in FIG. 1 depends on the pH of the solution if the ozone concentration is above a certain level. The removal rate in the second stage greatly depends on the pH of the ozone water, and the residue can be removed with extremely high efficiency when the pH is adjusted within a certain range. The inventors found that the speed was improved and completed the third invention.
The resist removal method of the third aspect of the present invention is effective for any substrate such as a silicon substrate, a compound substrate, a liquid crystal substrate, and a mask substrate.
The ozone water has a pH of 4-8. If it is less than 4, the residue removal rate in the second stage is reduced, and the overall resist removal rate is also reduced. If it exceeds 8, the dissolved concentration of ozone becomes low, and the resist removal rate becomes slow. Preferably it is 4.5-7, More preferably, it is 4.8-6.5.
The ozone water in the resist removal method of the third aspect of the present invention may be one obtained by dissolving ozone gas in an organic acid aqueous solution. This is because the ozone water can have a high ozone concentration. However, it is preferable that the organic acid concentration is less than 5000 ppm as in the case of ozone water in the resist removal method of the second invention described above. If it is 5000 ppm or more, in addition to requiring advanced wastewater treatment, the removal efficiency may deteriorate depending on the type of resist.
The method for adjusting the pH of the ozone water is not particularly limited, but it is preferable to contain a reagent having a pH buffering action in the ozone water in order to maintain a stable pH throughout the treatment.
The reagent having the buffer action is not particularly limited as long as it does not undergo chemical modification such as decomposition by ozone. For example, acetate buffer such as ammonium acetate and sodium acetate; triammonium citrate, monosodium citrate Citrate buffer such as phosphate buffer such as monopotassium phosphate and disodium phosphate; borate buffer such as sodium tetraborate and ammonium borate; glycylglycine, glycine, L-arginine, N-ε-laurolyl-L- Examples thereof include amino acid buffers such as lysine. These reagents may be used independently and may use 2 or more types together.
However, depending on the type and application of the substrate, contamination with metals such as potassium and sodium, phosphorus, boron, etc. may be a problem. In such cases, a buffer that does not contain these elements is suitable. For example, ammonium acetate, triammonium citrate, or an amino acid buffer is preferable.
The ozone water preferably has an ozone concentration of 40 ppm or more. If it is less than 40 ppm, it may be difficult to remove the resist efficiently. More preferably, it is 50 ppm or more. The upper limit of the ozone concentration of the ozone water is not particularly limited, but is preferably 200 ppm or less. If it exceeds 200 ppm, the apparatus for producing ozone water may become large and costly.
The method for preparing the ozone water used in the resist removal method of the third aspect of the present invention is not particularly limited. For example, the non-porous method similar to the method of preparing the ozone solution in the resist removal method of the first aspect of the present invention described above is used. It is preferable to use an ozone dissolution module containing a gas permeable membrane made of a conductive membrane.
In the resist removal method of the third aspect of the present invention, the ozone water is preferably sprayed at a linear velocity of 460 cm / sec or more onto substantially the entire surface of the substrate to be processed. By spraying ozone water in this way, the resist on the entire surface of the substrate can be uniformly and efficiently removed.
In the resist removal method of the third aspect of the present invention, the treatment conditions of the ozone water are not particularly limited, and are appropriately determined according to the type of substrate, the type and thickness of the resist, and the like. In the resist removal method of the third aspect of the present invention, the temperature particularly affects the resist stripping rate. Since the resist stripping reaction is a chemical reaction, a higher processing temperature is promoted in principle. On the other hand, ozone in ozone water is stable when the ozone water is acidic, but rapidly decomposes as the pH becomes neutral to alkaline. Such decomposition of ozone tends to proceed as the temperature increases. In the third aspect of the present invention, the pH of the ozone water is adjusted to 4 to 8. However, depending on the pH and temperature settings, the ozone concentration in the ozone water decreases rapidly, resulting in a decrease in the resist stripping rate. May end up. In addition, it is necessary to select the temperature depending on the type of substrate, such as gallium arsenide substrate being damaged by heating.
Although the optimum processing temperature depends on the type of buffer used and the pH setting, it is preferably about 30 to 50 ° C., and about 20 to 30 ° C. in the case of a substrate with particularly poor heat resistance such as a gallium arsenide substrate. Is preferred.
The resist to which the resist removal method of the third aspect of the present invention is applied is not particularly limited, but is particularly effective for a novolak type resist as in the case of the resist removal method of the first aspect of the present invention.
Similarly to the resist removal method of the first aspect of the present invention, in the resist removal method of the third aspect of the present invention, ozone water can be applied to the treated surface while irradiating ultraviolet rays.
According to the resist removal method of the third aspect of the present invention, the resist on the substrate surface can be removed with high efficiency by using ozone water having a constant pH.
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
５０℃に調整した１００００ｐｐｍの酢酸水溶液に対してオゾンガスを溶解してオゾン溶液を得た。
一方、処理サンプルとして、ＧａＡｓ基板（φ１００ｍｍ、厚さ０．６２５ｍｍ）を、スピンコーター（３０００ｒｐｍ、３０秒）を用いてＨＭＤＳ（ナガセケムテック社製、ＮＰ−１００）で処理して水洗した後、レジスト液（富士フィルムアーチ社製、ＦＨｉ３９５０）を塗布し、スピンコーター（ミカサ社製、１Ｈ−ＤＸ２型）にて３０００ｒｐｍ、３０秒間処理した後、更に１０５℃２０分間乾燥したものを１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさにカットし、Ｉ線ステッパーを用いて露光したものをアルカリ系で現像した。この処理サンプルの処理面におけるレジストの厚さは約１．０μｍであった。
得られたオゾン溶液を処理サンプルの処理面に対して垂直方向から到達時の線速度が１５００ｃｍ／ｓｅｃとなるようにオゾン水を５０秒間連続的に噴射した。
次いで、処理サンプルの処理面に対して垂直方向から到達時の線速度が１５００ｃｍ／ｓｅｃとなるようにメタノールを１０秒間連続的に噴射した。
膜厚計（大塚電子社製、ＦＥ−３０００型）を用いて、レジストの厚さを測定した。処理時間とレジスト膜厚との関係を図２に示した。
また、処理開始６０秒後の処理面の表面の状態をマイクロスコープを用いて撮影した。これを図３ａに示した。
（比較例１）
途中でメタノール噴射に切り換えることなく、オゾン溶液を噴射し続けた以外は実施例１と同様にして処理サンプルのレジスト除去を行った。
また、処理開始６０秒後の処理面の表面の状態をマイクロスコープを用いて撮影した。これを図３ｂに示した。
図２より、実施例１ではオゾン溶液噴射により処理面のレジスト膜厚は急速に減少し、更に、メタノール噴射に切り換えるとまもなくレジストは完全に除去された。一方、比較例１では、オゾン溶液噴射により処理面のレジスト膜厚は急速に減少したが、そのままオゾン溶液を噴射し続けても、完全にはレジストを除去することはできなかった。
また、図３より、実施例１では処理開始６０秒後には、完全にレジストが認められないのに対して、比較例１では明らかに残存するレジストが認められた。Ozone gas was dissolved in a 10,000 ppm acetic acid aqueous solution adjusted to 50 ° C. to obtain an ozone solution.
On the other hand, as a processing sample, a GaAs substrate (φ100 mm, thickness 0.625 mm) was treated with HMDS (NP-100, manufactured by Nagase Chemtech Co., Ltd.) using a spin coater (3000 rpm, 30 seconds) and washed with water. A resist solution (FHi3950, manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.) was applied, treated with a spin coater (Mikasa Co., 1H-DX2 type) at 3000 rpm for 30 seconds, and further dried at 105 ° C. for 20 minutes. What was cut into a size and exposed using an I-line stepper was developed with an alkaline system. The resist thickness on the treated surface of this treated sample was about 1.0 μm.
Ozone water was continuously jetted for 50 seconds so that the resulting ozone solution reached a linear velocity of 1500 cm / sec from the direction perpendicular to the treated surface of the treated sample.
Subsequently, methanol was continuously injected for 10 seconds so that the linear velocity at the time of arrival from the vertical direction with respect to the treatment surface of the treatment sample was 1500 cm / sec.
The thickness of the resist was measured using a film thickness meter (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd., FE-3000 type). The relationship between processing time and resist film thickness is shown in FIG.
Further, the surface state of the treated
(Comparative Example 1)
The resist removal of the treated sample was performed in the same manner as in Example 1 except that the ozone solution was continuously sprayed without switching to methanol spraying on the way.
Further, the surface state of the treated
As shown in FIG. 2, in Example 1, the resist film thickness on the treated surface decreased rapidly by ozone solution injection, and the resist was completely removed soon after switching to methanol injection. On the other hand, in Comparative Example 1, the resist film thickness on the treated surface decreased rapidly due to the ozone solution injection, but even if the ozone solution was continuously sprayed as it was, the resist could not be completely removed.
Further, from FIG. 3, in Example 1, no resist was completely recognized after 60 seconds from the start of treatment, whereas in Comparative Example 1, a clearly remaining resist was recognized.
５０℃に調整した５０ｐｐｍの酢酸水溶液に対してオゾンガスを溶解して濃度８６ｐｐｍのオゾン溶液を得た。
一方、処理サンプルとして、ＧａＡｓ基板（φ１００ｍｍ、厚さ０．６２５ｍｍ）をＨＭＤＳ（ナガセケムテック社製、ＮＰ−１００）で処理して水洗した後、レジスト液（富士フィルムアーチ社製、ＦＨｉ３９５０）を塗布し、スピンコーター（ミカサ社製、１Ｈ−ＤＸ２型）にて３０００ｒｐｍ、３０秒間処理した後、更に１０５℃２０分間乾燥したものを１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさにカットし、Ｉ線ステッパーを用いて露光したものをアルカリ系で現像した。この処理サンプルの処理面におけるレジストの膜厚は１．１８９μｍであった。
得られたオゾン溶液を処理サンプルの処理面に対して垂直方向から到達時の線速度が１５００ｃｍ／ｓｅｃとなるようにオゾン水を連続的に噴射した。膜厚計（大塚電子社製、ＦＥ−３０００型）を用いて、処理開始４０、６０、８０、１００及び１２０秒後のレジストの膜厚を測定した。
処理時間とレジスト膜厚との関係を図４に示した。
なお、図４ａは開始直後からのレジスト膜厚の変化をプロットしたものであり、図４ｂは、開始４０秒後からのレジスト膜厚の変化を縦軸のスケールを拡大してプロットしたものである。
また、処理開始８０秒後の処理面の表面の状態をマイクロスコープを用いて撮影した。
これを図５ａに示した。Ozone gas was dissolved in a 50 ppm aqueous acetic acid solution adjusted to 50 ° C. to obtain an ozone solution having a concentration of 86 ppm.
On the other hand, as a processing sample, a GaAs substrate (φ100 mm, thickness 0.625 mm) was treated with HMDS (manufactured by Nagase Chemtech, NP-100) and washed with water, and then a resist solution (FHi3950, FHi3950) was used. After coating and treating with a spin coater (Mikasa, 1H-DX2 type) at 3000 rpm for 30 seconds, further dried at 105 ° C. for 20 minutes, cut into a size of 10 mm × 10 mm, and using an I-line stepper The exposed one was developed with an alkaline system. The resist film thickness on the treated surface of this treated sample was 1.189 μm.
Ozone water was continuously jetted so that the linear velocity when the obtained ozone solution was reached from the direction perpendicular to the treated surface of the treated sample was 1500 cm / sec. Using a film thickness meter (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd., FE-3000 type), the film thickness of the resist 40, 60, 80, 100 and 120 seconds after the start of processing was measured.
The relationship between the processing time and the resist film thickness is shown in FIG.
FIG. 4a is a plot of the change in resist film thickness immediately after the start, and FIG. 4b is a plot of the change in resist film thickness after 40 seconds from the start with the vertical scale enlarged. .
Moreover, the state of the surface of the
This is shown in FIG. 5a.
５０℃に調整した５００ｐｐｍの酢酸水溶液に対してオゾンガスを溶解して濃度８７ｐｐｍのオゾン溶液を得た。
得られたオゾン溶液を用いた以外は実施例２と同様にして処理サンプルのレジスト除去を行なった。また、処理開始８０秒後の処理面の表面の状態をマイクロスコープを用いて撮影した。これを図５ｂに示した。
（比較例２）
５０℃に調整した蒸留水に対してオゾンガスを溶解して濃度７５ｐｐｍのオゾン溶液を得た。
得られたオゾン溶液を用いた以外は実施例２と同様にして処理サンプルのレジスト除去を行なった。また、処理開始８０秒後の処理面の表面の状態をマイクロスコープを用いて撮影した。これを図５ｃに示した。
（比較例３）
５０℃に調整した５０００ｐｐｍの酢酸水溶液に対してオゾンガスを溶解して濃度８７ｐｐｍのオゾン溶液を得た。
得られたオゾン溶液を用いた以外は実施例２と同様にして処理サンプルのレジスト除去を行なった。また、処理開始８０秒後の処理面の表面の状態をマイクロスコープを用いて撮影した。これを図５ｄに示した。Ozone gas was dissolved in a 500 ppm acetic acid aqueous solution adjusted to 50 ° C. to obtain an ozone solution having a concentration of 87 ppm.
The treated sample was subjected to resist removal in the same manner as in Example 2 except that the obtained ozone solution was used. Moreover, the state of the surface of the
(Comparative Example 2)
Ozone gas was dissolved in distilled water adjusted to 50 ° C. to obtain an ozone solution having a concentration of 75 ppm.
The treated sample was subjected to resist removal in the same manner as in Example 2 except that the obtained ozone solution was used. Moreover, the state of the surface of the
(Comparative Example 3)
Ozone gas was dissolved in a 5000 ppm acetic acid aqueous solution adjusted to 50 ° C. to obtain an ozone solution having a concentration of 87 ppm.
The treated sample was subjected to resist removal in the same manner as in Example 2 except that the obtained ozone solution was used. Moreover, the state of the surface of the
５０℃に調整した５０ｐｐｍの酢酸水溶液に対してオゾンガスを溶解して濃度８６ｐｐｍのオゾン溶液を得た。
一方、処理サンプルとして、Ｓｉ基板（φ１００ｍｍ、厚さ０．６２５ｍｍ）をＨＭＤＳで処理して水洗した後、レジスト液（東京応化社製、ＴＨＭＲＩＰ３１００）を塗布し、スピンコーター（ミカサ社製、１Ｈ−ＤＸ２型）にて３０００ｒｐｍ、３０秒間処理した後、更に１０５℃２０分間乾燥したものを１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさにカットし、Ｉ線ステッパーを用いて露光したものをアルカリ系で現像した。この処理サンプルの処理面におけるレジストの膜厚は１．１８９μｍであった。
得られたオゾン溶液を処理サンプルの処理面に対して垂直方向から到達時の線速度が１５００ｃｍ／ｓｅｃとなるようにオゾン水を連続的に噴射した。このとき、波長２５４ｎｍのＵＶランプ（ケミトロニクス社製、Ｃ−２５０ＷＦ）を用いて、処理面における紫外線強度が１．２ｍＷ／ｃｍ２となるように紫外線を処理面に照射しながら操作を行った。膜厚計（大塚電子社製、ＦＥ−３０００型）を用いて、処理開始４０、６０、８０、１００及び１２０秒後のレジストの膜厚を測定した。
処理時間とレジスト膜厚との関係を図４に示した。
図４より、実施例２、３では、処理開始後急速にレジスト厚が減少し、その後８０秒後までにほぼ完全にレジストが除去された。これに対して、比較例２では蒸留水中では充分に高いオゾン濃度が得られず、レジストの除去は極めて遅いものであった。一方、比較例３では、５０００ｐｐｍの酢酸溶液を用いたことにより極めて高濃度のオゾン溶液が得られたにも係わらず、初期のレジスト除去速度こそ実施例２、３の場合よりも速いものの、６０秒以降は逆転しなかなか完全にはレジストが除去されなかった。
実施例４では、初期のレジスト除去速度は比較例３と同等であり、しかも、実施例２、３と同様に８０秒後までにほぼ完全にレジストが除去された。
また、図５より、処理開始８０秒後の処理面の表面の状態を比較したところ、実施例２ではレジストは全く認められず、実施例３でも痕跡程度のレジストが残されているのみであった。これに対して、比較例２ではほとんど未処理のものと変わりなく、また、比較例３でも明確に残存するレジストが認められた。
更に、実施例２〜４において、レジスト除去後の液をＵＶ照射処理した廃液について、ＪＩＳ Ｋ ０１０２−１７（１００℃における過マンガン酸カリウムによる酸素消費量（ＣＯＤＭｎ））に準拠した方法によりＣＯＤ、及び、ＪＩＳ Ｋ ０１０２−２２．２（赤外線式ＴＯＣ自動計測法）に準拠した方法によりＴＯＣ（有機体炭素）を測定した。
この結果を表１に示した。
On the other hand, as a processing sample, a Si substrate (φ100 mm, thickness 0.625 mm) was treated with HMDS and washed with water, and then a resist solution (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd., THMRIP3100) was applied, and a spin coater (Mikasa Co., 1H- DX2 type) was processed at 3000 rpm for 30 seconds, further dried at 105 ° C. for 20 minutes, cut into a size of 10 mm × 10 mm, and exposed using an I-line stepper and developed with an alkaline system. The resist film thickness on the treated surface of this treated sample was 1.189 μm.
Ozone water was continuously jetted so that the linear velocity when the obtained ozone solution was reached from the direction perpendicular to the treated surface of the treated sample was 1500 cm / sec. At this time, using a UV lamp (C-250WF, manufactured by Chemitronics Co., Ltd.) having a wavelength of 254 nm, the operation was performed while irradiating the treatment surface with ultraviolet rays so that the ultraviolet intensity on the treatment surface was 1.2 mW / cm 2 . . Using a film thickness meter (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd., FE-3000 type), the film thickness of the resist 40, 60, 80, 100 and 120 seconds after the start of processing was measured.
The relationship between the processing time and the resist film thickness is shown in FIG.
As shown in FIG. 4, in Examples 2 and 3, the resist thickness rapidly decreased after the start of processing, and the resist was almost completely removed by 80 seconds thereafter. In contrast, in Comparative Example 2, a sufficiently high ozone concentration was not obtained in distilled water, and the removal of the resist was extremely slow. On the other hand, in Comparative Example 3, although an extremely high concentration ozone solution was obtained by using a 5000 ppm acetic acid solution, the initial resist removal rate was faster than those in Examples 2 and 3, but 60% The resist was not completely removed after 2 seconds.
In Example 4, the initial resist removal rate was equivalent to that of Comparative Example 3, and the resist was almost completely removed by 80 seconds as in Examples 2 and 3.
Further, from FIG. 5, when the state of the surface of the processing surface after 80 seconds from the start of processing was compared, no resist was found in Example 2, and only traces of resist were left in Example 3. It was. On the other hand, the comparative example 2 was almost the same as the untreated one, and the comparative example 3 also showed a clearly remaining resist.
Further, in Examples 2 to 4, the waste solution obtained by subjecting the resist-removed solution to UV irradiation was subjected to COD by a method based on JIS K 0102-17 (oxygen consumption (COD Mn ) by potassium permanganate at 100 ° C.). And TOC (organic carbon) was measured by the method based on JISK0102-22.2 (infrared type TOC automatic measurement method).
The results are shown in Table 1.
ナガセケムテック社のポジ型ｉ線レジスト８９５ｉを塗布した厚さ０．２５インチのマスクブランクス（基板表面におけるレジストの厚さ約０．５μｍ）を３０ｍｍ×３０ｍｍの大きさにカットし、処理サンプルとした。
５０ｐｐｍの酢酸水溶液を６４ｐｐｍの酢酸アンモニウムを用いてｐＨ５に調整した。この溶液にオゾンガスを溶解して、オゾン水を得た。得られたオゾン水中のオゾン濃度は８０ｐｐｍ、ｐＨは４．８であった。
得られたオゾン水を５０℃に加熱し、処理サンプルの処理面の略全面に対して垂直方向から到達時の線速度が１５００ｃｍ／ｓｅｃとなるように連続的に噴射した。膜厚計（大塚電子社製、ＦＥ−３０００型）を用いて、処理開始１５、３０、４５、６０及び９０秒後のレジストの膜厚を測定した。
処理時間とレジスト膜厚との関係を図６に示した。
なお、図６ａは開始直後からのレジスト膜厚の変化をプロットしたものであり、図６ｂは、開始４０秒後からのレジスト膜厚の変化を縦軸のスケールを拡大してプロットしたものである。A 0.25 inch thick mask blank coated with Nagase Chemtech's positive i-line resist 895i (resist thickness on the substrate surface of about 0.5 μm) was cut to a size of 30 mm × 30 mm, did.
A 50 ppm aqueous acetic acid solution was adjusted to
The obtained ozone water was heated to 50 ° C. and continuously jetted so as to reach a linear velocity of 1500 cm / sec from the vertical direction with respect to substantially the entire treated surface of the treated sample. Using a film thickness meter (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd., FE-3000 type), the film thickness of the resist was measured at 15, 30, 45, 60 and 90 seconds after the start of treatment.
The relationship between processing time and resist film thickness is shown in FIG.
FIG. 6a is a plot of the change in resist film thickness immediately after the start, and FIG. 6b is a plot of the change in resist film thickness after 40 seconds from the start with the vertical scale enlarged. .
５０ｐｐｍのクエン酸水溶液を６０ｐｐｍのクエン酸アンモニウムを用いてｐＨ８に調整した。この溶液にオゾンガスを溶解して、オゾン水を得た。得られたオゾン水中のオゾン濃度は６０ｐｐｍ、ｐＨは７．７であった。
得られたオゾン水を３０℃に加熱して用いた以外は実施例５と同様にして処理サンプルのレジスト除去を行った。
結果を図６に示した。A 50 ppm aqueous citric acid solution was adjusted to pH 8 using 60 ppm ammonium citrate. Ozone gas was dissolved in this solution to obtain ozone water. The obtained ozone water had an ozone concentration of 60 ppm and a pH of 7.7.
The treated sample was subjected to resist removal in the same manner as in Example 5 except that the obtained ozone water was heated to 30 ° C. and used.
The results are shown in FIG.
濃度０．７ｍｏｌ／Ｌのリン酸−硼酸バッファーでｐＨ７に調整した水溶液にオゾンガスを溶解して、オゾン水を得た。得られたオゾン水中のオゾン濃度は７７ｐｐｍ、ｐＨは６．５であった。
得られたオゾン水を３０℃に加熱して用いた以外は実施例５と同様にして処理サンプルのレジスト除去を行った。
結果を図６に示した。
（比較例４）
５０ｐｐｍの酢酸水溶液を１％のアンモニウムを用いてｐＨ９．０に調整した。この溶液にオゾンガスを溶解して、オゾン水を得た。得られたオゾン水中のオゾン濃度は５ｐｐｍ、ｐＨは９．０であった。
得られたオゾン水を３０℃に加熱して用いた以外は実施例５と同様にして処理サンプルのレジスト除去を行った。
結果を図６に示した。
（比較例５）
超純水（ｐＨ６．５）にオゾンガスを溶解して、オゾン水を得た。得られたオゾン水中のオゾン濃度は７０ｐｐｍ、ｐＨは３．２であった。
得られたオゾン水を５０℃に加熱して用いた以外は実施例５と同様にして処理サンプルのレジスト除去を行った。
結果を図６に示した。
図６より、実施例５〜７では、処理開始後急速にレジスト厚が減少し、その後８０秒後までにほぼ完全にレジストが除去された。これに対して、比較例４では高ｐＨにしたことにより充分に高いオゾン濃度が得られず、レジストの除去は極めて遅いものであった。一方、比較例５では、初期のレジスト除去速度こそ実施例５〜７の場合と同等であるものの、なかなか完全にはレジストが除去されなかった。Ozone gas was dissolved in an aqueous solution adjusted to pH 7 with a phosphoric acid-boric acid buffer having a concentration of 0.7 mol / L to obtain ozone water. The ozone concentration in the obtained ozone water was 77 ppm, and the pH was 6.5.
The treated sample was subjected to resist removal in the same manner as in Example 5 except that the obtained ozone water was heated to 30 ° C. and used.
The results are shown in FIG.
(Comparative Example 4)
A 50 ppm aqueous acetic acid solution was adjusted to pH 9.0 with 1% ammonium. Ozone gas was dissolved in this solution to obtain ozone water. The obtained ozone water had an ozone concentration of 5 ppm and a pH of 9.0.
The treated sample was subjected to resist removal in the same manner as in Example 5 except that the obtained ozone water was heated to 30 ° C. and used.
The results are shown in FIG.
(Comparative Example 5)
Ozone gas was dissolved in ultrapure water (pH 6.5) to obtain ozone water. The ozone concentration in the obtained ozone water was 70 ppm, and the pH was 3.2.
The treated sample was subjected to resist removal in the same manner as in Example 5 except that the obtained ozone water was heated to 50 ° C. and used.
The results are shown in FIG.
As shown in FIG. 6, in Examples 5 to 7, the resist thickness rapidly decreased after the start of processing, and the resist was almost completely removed by 80 seconds thereafter. On the other hand, in Comparative Example 4, a sufficiently high ozone concentration could not be obtained due to the high pH, and the removal of the resist was extremely slow. On the other hand, in Comparative Example 5, the initial resist removal rate was the same as in Examples 5-7, but the resist was not completely removed.
本発明によれば、基板表面のレジストを高効率に除去することができるレジスト除去方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resist removal method which can remove the resist of the substrate surface highly efficiently can be provided.
Claims (10)
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003111997 | 2003-04-16 | ||
| JP2003111997 | 2003-04-16 | ||
| JP2003111996 | 2003-04-16 | ||
| JP2003111996 | 2003-04-16 | ||
| JP2004024070 | 2004-01-30 | ||
| JP2004024070 | 2004-01-30 | ||
| PCT/JP2004/005452 WO2004093172A1 (en) | 2003-04-16 | 2004-04-16 | Resist stripping method and device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2004093172A1 true JPWO2004093172A1 (en) | 2006-07-06 |
| JP4373979B2 JP4373979B2 (en) | 2009-11-25 |
Family
ID=33303692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005505465A Expired - Fee Related JP4373979B2 (en) | 2003-04-16 | 2004-04-16 | Resist removing method and resist removing apparatus |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4373979B2 (en) |
| KR (1) | KR20060003346A (en) |
| TW (1) | TW200506553A (en) |
| WO (1) | WO2004093172A1 (en) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173211A (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Sekisui Chem Co Ltd | Method and device for removing resist |
| JP4824395B2 (en) * | 2004-12-13 | 2011-11-30 | 積水化学工業株式会社 | Resist removing method and resist removing apparatus |
| JP4555729B2 (en) * | 2005-05-17 | 2010-10-06 | 積水化学工業株式会社 | Resist removing method and resist removing apparatus |
| KR100672752B1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-01-22 | 주식회사 바맥스 | Method of removing photoresist and apparatus for performing the same |
| CN101443886B (en) * | 2006-05-30 | 2012-06-27 | Hoya株式会社 | Mask blank manufacturing method and transfer mask manufacturing method |
| JP5006111B2 (en) * | 2007-06-12 | 2012-08-22 | 国立大学法人 筑波大学 | Photoresist removal device |
| JP5006112B2 (en) * | 2007-06-12 | 2012-08-22 | 国立大学法人 筑波大学 | Photoresist removal method |
| US11358172B2 (en) * | 2015-09-24 | 2022-06-14 | Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg | Method for treating substrates with an aqueous liquid medium exposed to UV-radiation |
| CN112384858A (en) * | 2018-07-13 | 2021-02-19 | 富士胶片株式会社 | Chemical solution, kit, pattern forming method, chemical solution manufacturing method, and chemical solution container |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3239998B2 (en) * | 1998-08-28 | 2001-12-17 | 三菱マテリアルシリコン株式会社 | Semiconductor substrate cleaning method |
| JP2000277473A (en) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | Cleaning method of silicon wafer |
| JP2001035827A (en) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Memc Kk | High concentration ozone water, preparation method thereof and cleaning method using the same |
| JP2001196348A (en) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Seiko Epson Corp | Method for decomposing organic matter and method of manufacturing semiconductor element |
| JP2002100599A (en) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | Washing method for silicon wafer |
-
2004
- 2004-04-16 TW TW093110588A patent/TW200506553A/en unknown
- 2004-04-16 KR KR1020057019496A patent/KR20060003346A/en not_active Application Discontinuation
- 2004-04-16 WO PCT/JP2004/005452 patent/WO2004093172A1/en active Application Filing
- 2004-04-16 JP JP2005505465A patent/JP4373979B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2004093172A1 (en) | 2004-10-28 |
| TW200506553A (en) | 2005-02-16 |
| KR20060003346A (en) | 2006-01-10 |
| JP4373979B2 (en) | 2009-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6431183B1 (en) | Method for treating semiconductor substrates | |
| US20040198627A1 (en) | Process and apparatus for removing residues from the microstructure of an object | |
| US7011716B2 (en) | Compositions and methods for drying patterned wafers during manufacture of integrated circuitry products | |
| JP4373979B2 (en) | Resist removing method and resist removing apparatus | |
| WO2003057811A1 (en) | Supercritical fluid cleaning of semiconductor substrates | |
| KR20130020845A (en) | Method for removal of photoresist | |
| KR19990063297A (en) | Cleaning water for electronic materials | |
| US20080006295A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus for use in process of cleaning semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
| JP2006278644A (en) | Cleaning method and cleaning device | |
| JPH04179225A (en) | Cleaning method | |
| US20150007856A1 (en) | Method for treating a substrate surface using ozonated solvent and ultraviolet light | |
| JP4460373B2 (en) | Organic substance removing method and organic substance removing apparatus | |
| JP4555729B2 (en) | Resist removing method and resist removing apparatus | |
| JP2007193053A (en) | Method for removing resist | |
| JP4824395B2 (en) | Resist removing method and resist removing apparatus | |
| JP2000216130A (en) | Washing water and method for electronic material | |
| KR19990023759A (en) | Method and apparatus for removing photoresist on semiconductor substrate | |
| JP2005266534A (en) | Resist removing apparatus for mask substrate | |
| JP2006173211A (en) | Method and device for removing resist | |
| JPH0974080A (en) | Ozone cleaning of semiconductor substrate | |
| JP2008091533A (en) | Device and method for preventing chemical oxidization | |
| JP4167257B2 (en) | Residue removal composition | |
| JP4153706B2 (en) | Ozone-organic acid solution generator, resist stripping apparatus, and resist stripping method | |
| KR100801299B1 (en) | Apparatus and method for removing photoresist on wafer | |
| JP2003142449A (en) | Washing apparatus and method therefor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070124 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090710 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090710 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090901 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090904 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |