JPS64795B2 - - Google Patents
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- JPS64795B2 JPS64795B2 JP9130181A JP9130181A JPS64795B2 JP S64795 B2 JPS64795 B2 JP S64795B2 JP 9130181 A JP9130181 A JP 9130181A JP 9130181 A JP9130181 A JP 9130181A JP S64795 B2 JPS64795 B2 JP S64795B2
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Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はニツケルメツキ層を有する気密端子
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
気密端子は各種の分野に広く応用されており、
その形状、構造も用途に応じて各種のものがある
が、基本的には第１図に示すように、金属外環１
内にガラス２を介してリード線３を気密絶縁的に
封着したものである。この種気密端子において
は、圧縮封止型と称されるものと、整合封止型と
称されるものとがある。前者は、金属外環１を鉄
または低炭素鋼で構成し、ガラス２としてソーダ
バリウムガラスまたはソーダライムガラス等のソ
ーダガラスを用い、リード線３として鉄・ニツケ
ル合金（Fe50％、Ni50％）を用いたもので、金
属外環１の線膨脹係数α1とガラス２の線膨脹係数
α2とをα1＞α2の関係にして、金属外環１によつて
ガラス２に強い圧縮応力が加えられるようにした
ものである。一方、後者は、金属外環１とリード
線３とを鉄・ニツケル・コバルト合金（Fe53％、
Ni28％、Co18％）で構成し、ガラス２にホウケ
イ酸ガラスを使用したもので、金属外環１および
リード線３の線膨脹係数α1、α2とガラス２の線膨
脹係数α2とをα1＝α3≒α2の関係に設定したもので
ある。そして、前者は安価で機械的強度が大きい
という長所がある反面、ガラス２に同心円状の圧
縮歪が入る、封着部分に設計上の制約がある、ガ
ラス２の表面の絶縁性が温度によつて変化しやす
いといつた短所がある。一方、後者は、広い温度
範囲で無歪のため安定である、形状が任意に設計
できる、気密性の信頼性が大きい、ガラス２の表
面の絶縁性の安定性が良い等の長所を有する反
面、鉄・ニツケル・コバルト合金が高価なので原
価高となる、比較的機械的強度が劣るといつた短
所を有する。
その形状、構造も用途に応じて各種のものがある
が、基本的には第１図に示すように、金属外環１
内にガラス２を介してリード線３を気密絶縁的に
封着したものである。この種気密端子において
は、圧縮封止型と称されるものと、整合封止型と
称されるものとがある。前者は、金属外環１を鉄
または低炭素鋼で構成し、ガラス２としてソーダ
バリウムガラスまたはソーダライムガラス等のソ
ーダガラスを用い、リード線３として鉄・ニツケ
ル合金（Fe50％、Ni50％）を用いたもので、金
属外環１の線膨脹係数α1とガラス２の線膨脹係数
α2とをα1＞α2の関係にして、金属外環１によつて
ガラス２に強い圧縮応力が加えられるようにした
ものである。一方、後者は、金属外環１とリード
線３とを鉄・ニツケル・コバルト合金（Fe53％、
Ni28％、Co18％）で構成し、ガラス２にホウケ
イ酸ガラスを使用したもので、金属外環１および
リード線３の線膨脹係数α1、α2とガラス２の線膨
脹係数α2とをα1＝α3≒α2の関係に設定したもので
ある。そして、前者は安価で機械的強度が大きい
という長所がある反面、ガラス２に同心円状の圧
縮歪が入る、封着部分に設計上の制約がある、ガ
ラス２の表面の絶縁性が温度によつて変化しやす
いといつた短所がある。一方、後者は、広い温度
範囲で無歪のため安定である、形状が任意に設計
できる、気密性の信頼性が大きい、ガラス２の表
面の絶縁性の安定性が良い等の長所を有する反
面、鉄・ニツケル・コバルト合金が高価なので原
価高となる、比較的機械的強度が劣るといつた短
所を有する。
そこで、本件出願人は先に、第２図に示すよう
に、鉄・ニツケル合金（Fe58％、Ni42％）より
なる金属外環４内にホウケイ酸ガラス５を介して
鉄・ニツケル・コバルト合金よるなるリード線６
を気密絶縁的に封着してなる気密端子を提案し
た。この気密端子は、鉄・ニツケル合金が鉄・ニ
ツケル・コバルト合金に比較して格段に安価であ
るため、整合封止型の気密端子よりも原価低減が
可能で、しかも金属外環４の線膨脹係数α4（52×
10-7／℃）とガラス５の線膨脹係数α5（47×
10-7／℃）とがα4＞α5の関係になるので、ガラス
４に圧縮応力も加わり、機械的強度も向上すると
いう利点がある。
に、鉄・ニツケル合金（Fe58％、Ni42％）より
なる金属外環４内にホウケイ酸ガラス５を介して
鉄・ニツケル・コバルト合金よるなるリード線６
を気密絶縁的に封着してなる気密端子を提案し
た。この気密端子は、鉄・ニツケル合金が鉄・ニ
ツケル・コバルト合金に比較して格段に安価であ
るため、整合封止型の気密端子よりも原価低減が
可能で、しかも金属外環４の線膨脹係数α4（52×
10-7／℃）とガラス５の線膨脹係数α5（47×
10-7／℃）とがα4＞α5の関係になるので、ガラス
４に圧縮応力も加わり、機械的強度も向上すると
いう利点がある。
さて、このような気密端子においては、金属外
環４とリード線６との素地を露出したままにして
おくと、発錆を生じ各種問題発生の原因となる。
そこで、金属外環４とリード線６の表面に防錆メ
ツキが施されている。この防錆メツキとしては電
気ニツケルメツキまたは化学ニツケルメツキが最
も一般的である。
環４とリード線６との素地を露出したままにして
おくと、発錆を生じ各種問題発生の原因となる。
そこで、金属外環４とリード線６の表面に防錆メ
ツキが施されている。この防錆メツキとしては電
気ニツケルメツキまたは化学ニツケルメツキが最
も一般的である。
しかしながら、従来は、第３図および第４図に
示すように、金属外環４内にガラス５を介してリ
ード線６を気密絶縁的に封着したのち、金属外環
４およびリード線６の表面にニツケルメツキ層
７，８を形成していたので、次の問題点があつ
た。すなわち、ニツケルメツキ層７，８を電気メ
ツキ法で形成する場合は、金属外環４とリード線
６とがガラス５を介して絶縁されているので、両
者にメツキするためにはこれら両者を線縛等によ
り同電位にしておく必要があり、線縛、取り外し
等の作業が極めて煩雑である。またバレルメツキ
を実施すると、リード線６が折れ曲つたり、ガラ
ス５にクラツクが生じるという問題点がある。一
方、ニツケルメツキ層７，８を化学メツキで形成
すると、金属外環４とリード線６とを同電位にす
るための線縛作業が不要になるので、メツキ作業
は著しく容易であるが、鉄・ニツケル合金よりな
る金属外環４上に直接化学ニツケルメツキを施す
と、この気密端子をロウ付けしたり、気密端子に
他の物品をロウ付けする加熱工程で化学ニツケル
メツキ層が割れて、半田のなじみ不良や変色、シ
ミ等の不良になる。これは金属外環４の線膨脹係
数（52×10-7／℃）と化学ニツケルメツキ層の線
膨脹係数（130×10-7／℃）との極端な差による
加熱時の歪によるものであるが、化学ニツケルメ
ツキ層そのものがリンを数〜10数％含んでおり加
熱によつて硬度が増大するという性質を有するた
めである。
示すように、金属外環４内にガラス５を介してリ
ード線６を気密絶縁的に封着したのち、金属外環
４およびリード線６の表面にニツケルメツキ層
７，８を形成していたので、次の問題点があつ
た。すなわち、ニツケルメツキ層７，８を電気メ
ツキ法で形成する場合は、金属外環４とリード線
６とがガラス５を介して絶縁されているので、両
者にメツキするためにはこれら両者を線縛等によ
り同電位にしておく必要があり、線縛、取り外し
等の作業が極めて煩雑である。またバレルメツキ
を実施すると、リード線６が折れ曲つたり、ガラ
ス５にクラツクが生じるという問題点がある。一
方、ニツケルメツキ層７，８を化学メツキで形成
すると、金属外環４とリード線６とを同電位にす
るための線縛作業が不要になるので、メツキ作業
は著しく容易であるが、鉄・ニツケル合金よりな
る金属外環４上に直接化学ニツケルメツキを施す
と、この気密端子をロウ付けしたり、気密端子に
他の物品をロウ付けする加熱工程で化学ニツケル
メツキ層が割れて、半田のなじみ不良や変色、シ
ミ等の不良になる。これは金属外環４の線膨脹係
数（52×10-7／℃）と化学ニツケルメツキ層の線
膨脹係数（130×10-7／℃）との極端な差による
加熱時の歪によるものであるが、化学ニツケルメ
ツキ層そのものがリンを数〜10数％含んでおり加
熱によつて硬度が増大するという性質を有するた
めである。
そのため、この発明の主な目的は、ニツケルメ
ツキ層の形成が容易でしかもニツケルメツキ層に
割れを生じない気密端子の製造方法を提供するこ
とである。
ツキ層の形成が容易でしかもニツケルメツキ層に
割れを生じない気密端子の製造方法を提供するこ
とである。
この発明の上記の目的およびその他の目的と特
徴は、図面を参照して行なう以下の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
徴は、図面を参照して行なう以下の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
第５図はこの発明の一実施例方法を説明するた
めの工程ブロツク図を示し、第６図は上記方法に
よつて製造した気密端子の要部拡大断面図を示
す。第６図において第４図と同一部分には同一参
照符号を付している。まず、鉄・ニツケル合金
（Fe58％、Ni42％）よりなる金属外環４の全面に
厚さが２〜8μｍ程度の電気ニツケルメツキ層９
を形成したのち、この金属外環４内にホウケイ酸
ガラス５を介して鉄・ニツケル・コバルト合金
（Fe53％、Ni28％、Co18％）よりなるリード線
６を気密絶縁的に封着し、次いで金属外環４とリ
ード線６に厚さが２〜8μｍ程度の化学ニツケル
メツキ層１０，１１を形成する。
めの工程ブロツク図を示し、第６図は上記方法に
よつて製造した気密端子の要部拡大断面図を示
す。第６図において第４図と同一部分には同一参
照符号を付している。まず、鉄・ニツケル合金
（Fe58％、Ni42％）よりなる金属外環４の全面に
厚さが２〜8μｍ程度の電気ニツケルメツキ層９
を形成したのち、この金属外環４内にホウケイ酸
ガラス５を介して鉄・ニツケル・コバルト合金
（Fe53％、Ni28％、Co18％）よりなるリード線
６を気密絶縁的に封着し、次いで金属外環４とリ
ード線６に厚さが２〜8μｍ程度の化学ニツケル
メツキ層１０，１１を形成する。
上記の製造方法によれば、封着前に金属外環４
を単体で電気ニツケルメツキ層９を形成するの
で、バレルメツキ法を利用して簡単にメツキで
き、リード線６の折れ曲りやガラス５のクラツク
は発生しない。封着後は化学ニツケルメツキ層１
０，１１を形成するので線縛の必要がなく、バレ
ルメツキを実施しなくてもよいので、リード線６
の折れ曲りやガラス５のクラツクも生じない。さ
らに、鉄・ニツケル合金よりなる金属外環４と化
学ニツケルメツキ層１０との間に電気ニツケルメ
ツキ層９が介在されているので、加熱によつて化
学ニツケルメツキ層１０の硬度が増大し、金属外
環４と化学ニツケルメツキ層１０との線膨脹係数
差による応力が生じても、この応力が柔軟な電気
ニツケルメツキ層９で吸収されるので、化学ニツ
ケルメツキ層１０に割れが発生することがない。
を単体で電気ニツケルメツキ層９を形成するの
で、バレルメツキ法を利用して簡単にメツキで
き、リード線６の折れ曲りやガラス５のクラツク
は発生しない。封着後は化学ニツケルメツキ層１
０，１１を形成するので線縛の必要がなく、バレ
ルメツキを実施しなくてもよいので、リード線６
の折れ曲りやガラス５のクラツクも生じない。さ
らに、鉄・ニツケル合金よりなる金属外環４と化
学ニツケルメツキ層１０との間に電気ニツケルメ
ツキ層９が介在されているので、加熱によつて化
学ニツケルメツキ層１０の硬度が増大し、金属外
環４と化学ニツケルメツキ層１０との線膨脹係数
差による応力が生じても、この応力が柔軟な電気
ニツケルメツキ層９で吸収されるので、化学ニツ
ケルメツキ層１０に割れが発生することがない。
なお、上記実施例は説明の便宜上単純なフラン
ジ付き円筒状の金属外環４内に単一のリード線６
を封着する場合について説明したが、円筒状の金
属外環４内に複数のリード線６を封着するように
してもよいし、あるいは半導体装置用ステムにお
けるステム基板のように平板状の金属外環に複数
の透孔を穿設して、これら各透孔にそれぞれ１本
または複数本のリード線を封着するようにしても
よい。
ジ付き円筒状の金属外環４内に単一のリード線６
を封着する場合について説明したが、円筒状の金
属外環４内に複数のリード線６を封着するように
してもよいし、あるいは半導体装置用ステムにお
けるステム基板のように平板状の金属外環に複数
の透孔を穿設して、これら各透孔にそれぞれ１本
または複数本のリード線を封着するようにしても
よい。
また、上記実施例では金属外環４を特定の組成
の鉄・ニツケル合金で構成する場合について説明
したが、450℃以下の温度範囲における線膨脹係
数が75×10-7／℃以下の材料よりなる金属外環に
おいては同様の問題が生じるので、この発明を適
用することができる。
の鉄・ニツケル合金で構成する場合について説明
したが、450℃以下の温度範囲における線膨脹係
数が75×10-7／℃以下の材料よりなる金属外環に
おいては同様の問題が生じるので、この発明を適
用することができる。
さらに、リード線は封着前に電気ニツケルメツ
キ層を形成しない場合、酸化膜を介してガラスと
強固な封着ができ、リード線の引き抜き強度を増
大できる利点があるが、もし必要ならばリード線
にも封着前に電気ニツケルメツキ層を形成するよ
うにしてもよい。
キ層を形成しない場合、酸化膜を介してガラスと
強固な封着ができ、リード線の引き抜き強度を増
大できる利点があるが、もし必要ならばリード線
にも封着前に電気ニツケルメツキ層を形成するよ
うにしてもよい。
この発明は以上のように、450℃以下の温度範
囲における線膨脹係数が75×10-7／℃以下の材料
よりなる金属外環に電気ニツケルメツキ層を形成
する工程と、この金属外環内にホウケイ酸ガラス
を介して鉄・ニツケル・コバルト合金のリード線
を気密絶縁的に封着する工程と、前記金属外環お
よびリード線に化学ニツケルメツキ層を形成する
工程とを含むものであるから、ニツケルメツキ層
を線縛作業を必要としないで容易に形成でき、リ
ード線の折れ曲りやガラスのクラツクも発生せ
ず、しかも後工程で加熱して化学ニツケルメツキ
の硬度が増大しても化学ニツケルメツキ層に割れ
が生じないといつた各種の効果を奏する。
囲における線膨脹係数が75×10-7／℃以下の材料
よりなる金属外環に電気ニツケルメツキ層を形成
する工程と、この金属外環内にホウケイ酸ガラス
を介して鉄・ニツケル・コバルト合金のリード線
を気密絶縁的に封着する工程と、前記金属外環お
よびリード線に化学ニツケルメツキ層を形成する
工程とを含むものであるから、ニツケルメツキ層
を線縛作業を必要としないで容易に形成でき、リ
ード線の折れ曲りやガラスのクラツクも発生せ
ず、しかも後工程で加熱して化学ニツケルメツキ
の硬度が増大しても化学ニツケルメツキ層に割れ
が生じないといつた各種の効果を奏する。
第１図は典型的な気密端子の断面図、第２図は
この発明の背景となる気密端子の断面図、第３図
はこの発明に先行する気密端子の製造方法を説明
するための工程ブロツク図、第４図はその方法に
よつて製造された気密端子の要部拡大断面図、第
５図はこの発明の一実施例方法を説明するための
工程ブロツク図、第６図はその方法によつて製造
された気密端子の要部拡大断面図である。 ４……金属外環、５……ガラス、６……リード
線、９……電気ニツケルメツキ層、１０，１１…
…化学ニツケルメツキ層。
この発明の背景となる気密端子の断面図、第３図
はこの発明に先行する気密端子の製造方法を説明
するための工程ブロツク図、第４図はその方法に
よつて製造された気密端子の要部拡大断面図、第
５図はこの発明の一実施例方法を説明するための
工程ブロツク図、第６図はその方法によつて製造
された気密端子の要部拡大断面図である。 ４……金属外環、５……ガラス、６……リード
線、９……電気ニツケルメツキ層、１０，１１…
…化学ニツケルメツキ層。
Claims (1)
- １ 450℃以下の温度範囲における線膨脹係数が
75×10-7／℃以下の材料よりなる金属外環に電気
ニツケルメツキ層を形成する工程と、この金属外
環内にホウケイ酸ガラスを介して鉄・ニツケル・
コバルト合金製のリード線を気密絶縁的に封着す
る工程と、前記金属外環およびリード線に化学ニ
ツケルメツキ層を形成する工程とを含むことを特
徴とする気密端子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9130181A JPS57205984A (en) | 1981-06-12 | 1981-06-12 | Method of producing airtight terminal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9130181A JPS57205984A (en) | 1981-06-12 | 1981-06-12 | Method of producing airtight terminal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57205984A JPS57205984A (en) | 1982-12-17 |
| JPS64795B2 true JPS64795B2 (ja) | 1989-01-09 |
Family
ID=14022640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9130181A Granted JPS57205984A (en) | 1981-06-12 | 1981-06-12 | Method of producing airtight terminal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57205984A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0520699U (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-19 | 株式会社イナツクス | 便座取付構造 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152817U (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-13 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 気密端子 |
| JPS60109192A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-14 | 関西日本電気株式会社 | 気密端子の製造方法 |
| JPS60103932U (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-16 | 関西日本電気株式会社 | 水晶振動子用気密端子 |
| JPS61148843A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-07 | Nec Kansai Ltd | ステム |
-
1981
- 1981-06-12 JP JP9130181A patent/JPS57205984A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0520699U (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-19 | 株式会社イナツクス | 便座取付構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57205984A (en) | 1982-12-17 |
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