JPS646562B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS646562B2 JPS646562B2 JP8969583A JP8969583A JPS646562B2 JP S646562 B2 JPS646562 B2 JP S646562B2 JP 8969583 A JP8969583 A JP 8969583A JP 8969583 A JP8969583 A JP 8969583A JP S646562 B2 JPS646562 B2 JP S646562B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- temperature
- attenuation
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/54—Modifications of networks to reduce influence of variations of temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
Landscapes
- Attenuators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、PINダイオードを用いた定インピー
ダンス形の可変抵抗減衰回路に関する。特に、
PINダイオードに与えるバイアス電圧を温度補償
型にした可変抵抗減衰回路の改良に関する。
ダンス形の可変抵抗減衰回路に関する。特に、
PINダイオードに与えるバイアス電圧を温度補償
型にした可変抵抗減衰回路の改良に関する。
第１図は従来例回路の構成図である。高周波信
号は定インピーダンス抵抗減衰器１の入力端子１
ａに与えられ、減衰を受けて出力端子１ｂに送出
される。この定インピーダンス抵抗減衰器１は橋
絡Ｔ形であり、その直列アームにはPINダイオー
ド１ｃが挿入され、並列アームにはPINダイオー
ド１ｄが挿入されている。このPINダイオード１
ｃおよび１ｄの直流回路はコイル１ｆおよび１ｇ
により直列に接続され、そのバイアス電圧は電源
端子１ｈから与えられる。この電源端１ｈにバイ
アス電圧を与えるバイアス電圧発生回路は、定電
流回路２により駆動され、周囲温度を検出してそ
の温度により内部抵抗値の変化するダイオード３
の端子電圧を増幅器４により増幅するように構成
されている。コイル１ｆおよび１ｇの接続点は制
御端子１ｋに接続され、この制御端子１ｋには電
源５の電圧をポテンシオメータ６で分岐した電圧
が与えられている。電源５には直列に温度補償用
のサーミスタ７が挿入されている。
号は定インピーダンス抵抗減衰器１の入力端子１
ａに与えられ、減衰を受けて出力端子１ｂに送出
される。この定インピーダンス抵抗減衰器１は橋
絡Ｔ形であり、その直列アームにはPINダイオー
ド１ｃが挿入され、並列アームにはPINダイオー
ド１ｄが挿入されている。このPINダイオード１
ｃおよび１ｄの直流回路はコイル１ｆおよび１ｇ
により直列に接続され、そのバイアス電圧は電源
端子１ｈから与えられる。この電源端１ｈにバイ
アス電圧を与えるバイアス電圧発生回路は、定電
流回路２により駆動され、周囲温度を検出してそ
の温度により内部抵抗値の変化するダイオード３
の端子電圧を増幅器４により増幅するように構成
されている。コイル１ｆおよび１ｇの接続点は制
御端子１ｋに接続され、この制御端子１ｋには電
源５の電圧をポテンシオメータ６で分岐した電圧
が与えられている。電源５には直列に温度補償用
のサーミスタ７が挿入されている。
このような従来例回路では、ポテンシオメータ
６を変化させると、PINダイオード１ｃおよび１
ｄのバイアス電圧が変化して、入力端子１ａから
出力端子１ｂに至る高周波信号の減衰量が変化す
る。電源端子１ｈに与えるバイアス電圧は温度の
変化に応じて、PINダイオード１ｃおよび１ｄの
特性を補償するように温度補償が施されている。
制御端子１ｋに与える制御電圧もサーミスタ７に
より温度補償が施されているが、このサーミスタ
７は単に電源５に直列に接続されているので、そ
の温度補償の効果は、ポテンシオメータ６の位置
により相違することになる欠点がある。
６を変化させると、PINダイオード１ｃおよび１
ｄのバイアス電圧が変化して、入力端子１ａから
出力端子１ｂに至る高周波信号の減衰量が変化す
る。電源端子１ｈに与えるバイアス電圧は温度の
変化に応じて、PINダイオード１ｃおよび１ｄの
特性を補償するように温度補償が施されている。
制御端子１ｋに与える制御電圧もサーミスタ７に
より温度補償が施されているが、このサーミスタ
７は単に電源５に直列に接続されているので、そ
の温度補償の効果は、ポテンシオメータ６の位置
により相違することになる欠点がある。
本発明は利得制御用のポテンシオメータの位置
により、温度補償効果の相違することのない可変
抵抗減衰回路を提供することを目的とする。ま
た、本発明は制御電圧の温度補償を行うための温
度補償用サーミスタを不要にする可変抵抗減衰回
路を提供することを目的とする。
により、温度補償効果の相違することのない可変
抵抗減衰回路を提供することを目的とする。ま
た、本発明は制御電圧の温度補償を行うための温
度補償用サーミスタを不要にする可変抵抗減衰回
路を提供することを目的とする。
本発明は、直流バイアス電圧発生回路の温度補
償された電圧を分岐して入力とする利得可変増幅
器と、この利得可変増幅器の出力電圧を上記制御
電圧に加算する加算回路とを備え、制御端子の温
度補償をも直流バイアス電圧発生回路の出力で行
い、サーミスタを不要とするとともに、ポテンシ
オメータの位置が変化しても温度補償の効果が変
化しないように構成されたことを特徴とする。
償された電圧を分岐して入力とする利得可変増幅
器と、この利得可変増幅器の出力電圧を上記制御
電圧に加算する加算回路とを備え、制御端子の温
度補償をも直流バイアス電圧発生回路の出力で行
い、サーミスタを不要とするとともに、ポテンシ
オメータの位置が変化しても温度補償の効果が変
化しないように構成されたことを特徴とする。
第２図は本発明実施例回路構成図である。定イ
ンピーダンス抵抗減衰器１の入力端子１ａには高
周波信号が入力し、減衰を受けて出力端子１ｂに
送出される。この定インピーダンス抵抗減衰器は
橋絡Ｔ形の可変抵抗減衰器で、その電源端子１ｈ
には直流バイアス電圧が与えられ、制御端子１ｋ
には制御電圧が与えられる。
ンピーダンス抵抗減衰器１の入力端子１ａには高
周波信号が入力し、減衰を受けて出力端子１ｂに
送出される。この定インピーダンス抵抗減衰器は
橋絡Ｔ形の可変抵抗減衰器で、その電源端子１ｈ
には直流バイアス電圧が与えられ、制御端子１ｋ
には制御電圧が与えられる。
直流バイアス電圧発生回路は、定電流回路２に
より定電流が与えられたダイオード２と、その端
子電圧を増幅する増幅器４により構成される。ダ
イオード２はその温度特性が定インピーダンス抵
抗減衰器１のPINダイオード１ｃおよび１ｄとほ
ぼ等しいものが選ばれ、増幅器４はそのダイオー
ド３の端子電圧を２倍に増幅してバイアス電圧と
するように構成される。この２倍の値は、２個の
PINダイオード１ｃおよび１ｄが直流回路として
は直列に接続されているからである。
より定電流が与えられたダイオード２と、その端
子電圧を増幅する増幅器４により構成される。ダ
イオード２はその温度特性が定インピーダンス抵
抗減衰器１のPINダイオード１ｃおよび１ｄとほ
ぼ等しいものが選ばれ、増幅器４はそのダイオー
ド３の端子電圧を２倍に増幅してバイアス電圧と
するように構成される。この２倍の値は、２個の
PINダイオード１ｃおよび１ｄが直流回路として
は直列に接続されているからである。
ここで、本発明の特徴とするところは、このダ
イオード３の端子電圧を分岐して、利得可変の増
幅器８に与え、その出力電圧を加算回路９の一方
の端子に導き、その他方の端子には電源５の電圧
を分岐するポテンシオメータ６の出力を導き、こ
の加算回路９の電圧加算出力を定インピーダンス
抵抗減衰器１の制御端子１ｋに与える制御電圧と
するところにある。本発明の回路では電源５に直
列にサーミスタを接続する必要がない。
イオード３の端子電圧を分岐して、利得可変の増
幅器８に与え、その出力電圧を加算回路９の一方
の端子に導き、その他方の端子には電源５の電圧
を分岐するポテンシオメータ６の出力を導き、こ
の加算回路９の電圧加算出力を定インピーダンス
抵抗減衰器１の制御端子１ｋに与える制御電圧と
するところにある。本発明の回路では電源５に直
列にサーミスタを接続する必要がない。
このように構成された回路では、定インピーダ
ンス抵抗減衰器１のバイアス電圧は従来どおり温
度補償されている。この抵抗減衰器１の減衰量は
制御端子１ｋに与える制御電圧により制御される
が、ポテンシオメータ６の出力には増幅器８の出
力が加算されて制御電圧となる。したがつて、ポ
テンシオメータ６を変化することにより減衰量を
制御することができるとともに、ポテンシオメー
タ６の位置がどこにあつても、増幅器８から一定
の温度補償用の電圧が与えられているので、ポテ
ンシオメータ６の位置にかかわらず、制御電圧を
一定の状態で温度補償することができる。温度補
償の効果は利得可変増幅器８の利得を加減するこ
とにより任意に設定することができる。
ンス抵抗減衰器１のバイアス電圧は従来どおり温
度補償されている。この抵抗減衰器１の減衰量は
制御端子１ｋに与える制御電圧により制御される
が、ポテンシオメータ６の出力には増幅器８の出
力が加算されて制御電圧となる。したがつて、ポ
テンシオメータ６を変化することにより減衰量を
制御することができるとともに、ポテンシオメー
タ６の位置がどこにあつても、増幅器８から一定
の温度補償用の電圧が与えられているので、ポテ
ンシオメータ６の位置にかかわらず、制御電圧を
一定の状態で温度補償することができる。温度補
償の効果は利得可変増幅器８の利得を加減するこ
とにより任意に設定することができる。
第３図は本発明実施例回路の特性図である。端
子１ｋに与える制御電圧に対して、入力端子１ａ
から出力端子１ｂに至る高周波信号の減衰量を
dBで示す。高周波信号の周波数は1.7GHzである。
減衰量４〜18dBの範囲で制御電圧に対して減衰
量がよい直線性を示す。
子１ｋに与える制御電圧に対して、入力端子１ａ
から出力端子１ｂに至る高周波信号の減衰量を
dBで示す。高周波信号の周波数は1.7GHzである。
減衰量４〜18dBの範囲で制御電圧に対して減衰
量がよい直線性を示す。
上記例は増幅器８の入力を増幅器４の入力側か
ら得るように説明したが、これは増幅器４の出力
側から得るように構成することもできる。
ら得るように説明したが、これは増幅器４の出力
側から得るように構成することもできる。
以上説明したように、本発明によれば制御電圧
を温度補償するためのサーミスタを省くことがで
きるとともに、制御電圧の値すなわち制御電圧を
与えるポテンシオメータの位置により温度補償の
効果が変化するようなことがなく、一定の状態で
温度補償を行うことができる優れた特性の可変抵
抗減衰回路が得られる。
を温度補償するためのサーミスタを省くことがで
きるとともに、制御電圧の値すなわち制御電圧を
与えるポテンシオメータの位置により温度補償の
効果が変化するようなことがなく、一定の状態で
温度補償を行うことができる優れた特性の可変抵
抗減衰回路が得られる。
第１図は従来例回路の構成図、第２図は本発明
実施例回路の構成図、第３図は本発明実施例回路
の特性図。 １…定インピーダンス抵抗減衰器、２…定電流
回路、３…温度特性がPINダイオードにほぼ等し
いダイオード、４…利得が２である増幅器、５…
電源、６…制御電圧を与えるポテンシオメータ、
７…サーミスタ、８…利得可変増幅器、９…加算
回路。
実施例回路の構成図、第３図は本発明実施例回路
の特性図。 １…定インピーダンス抵抗減衰器、２…定電流
回路、３…温度特性がPINダイオードにほぼ等し
いダイオード、４…利得が２である増幅器、５…
電源、６…制御電圧を与えるポテンシオメータ、
７…サーミスタ、８…利得可変増幅器、９…加算
回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 入力高周波信号に減衰を与えて出力する定イ
ンピーダンス抵抗減衰器を備え、 この定インピーダンス抵抗減衰器の直列アーム
および並列アームにそれぞれPINダイオードを含
み、 このPINダイオードの直流バイアス電圧は２つ
のPINダイオードについて直列に与えられるよう
に直流バイアス回路が構成され、 このPINダイオードの温度特性に対応するよう
に温度補償の施された上記直流バイアス電圧を発
生する直流バイアス電圧発生回路を備え、 上記２つのPINダイオードの直流回路の接続点
に上記定インピーダンス抵抗減衰器の減衰量を制
御するための制御電圧を与えるように構成された
温度補償型可変抵抗減衰回路において、 上記直流バイアス電圧発生回路の温度補償され
た電圧を分岐して入力とする利得可変増幅器と、 この利得可変増幅器の出力電圧を上記制御電圧
に加算する加算回路と を備えたことを特徴とする温度補償型可変抵抗減
衰回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8969583A JPS59215107A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 温度補償型可変抵抗減衰回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8969583A JPS59215107A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 温度補償型可変抵抗減衰回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215107A JPS59215107A (ja) | 1984-12-05 |
| JPS646562B2 true JPS646562B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=13977897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8969583A Granted JPS59215107A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 温度補償型可変抵抗減衰回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215107A (ja) |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP8969583A patent/JPS59215107A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59215107A (ja) | 1984-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4207538A (en) | Temperature compensation circuit | |
| US4050086A (en) | Dynamic transducer biasing signal amplifying circuitry | |
| US4462003A (en) | Variable gain amplifier | |
| US3089098A (en) | Stabilized transistor amplifier | |
| US4437070A (en) | Amplifier arrangement whose overall gain is controllable by means of a control voltage | |
| JPH07312525A (ja) | 広帯域定インピーダンス増幅器 | |
| JPS646562B2 (ja) | ||
| JPS646563B2 (ja) | ||
| US5327099A (en) | Differential stage that provides minimal offset between inputs | |
| US3872395A (en) | Signal conditioning circuit apparatus | |
| US4480229A (en) | Amplifier arrangement with parallel-operated amplifier sections | |
| CA1137180A (en) | Circuit arrangement for automatic distortion correction of a signal | |
| AU701157B2 (en) | Improvements to a logarithmic converter | |
| JPH0232608A (ja) | 増幅回路 | |
| US4506231A (en) | Single adjustment phase resolver with constant amplitude output | |
| US4013972A (en) | Amplifier with gain control means | |
| US4663583A (en) | Automatically variable phase characteristic all-pass circuit | |
| US3638133A (en) | Feedback amplifier with bridge-stabilized output impedance | |
| US3497823A (en) | Variable impedance circuit | |
| EP0152151B1 (en) | Broadband control amplifier | |
| RU2074507C1 (ru) | Широкополосный усилитель высокой частоты | |
| US3373369A (en) | Temperature stabilized transistor amplifier | |
| US4456886A (en) | Control circuit for voltage controlled variable attenuator | |
| US3629617A (en) | Voltage-controlled logarithmic attenuator | |
| US3538351A (en) | Circuit arrangement for an amplitude expandor in the electric telecommunication engineering |