JPS6398555A - ガス濃度測定機の校正方法及びその実施に使用される装置 - Google Patents

ガス濃度測定機の校正方法及びその実施に使用される装置

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JPS6398555A
JPS6398555A JP24617886A JP24617886A JPS6398555A JP S6398555 A JPS6398555 A JP S6398555A JP 24617886 A JP24617886 A JP 24617886A JP 24617886 A JP24617886 A JP 24617886A JP S6398555 A JPS6398555 A JP S6398555A
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則武 祐二
Susumu Nakamaru
中丸 進
Mitsuki Sagane
砂金 光記
Katsu Nakano
中野 克
Yoichi Arai
洋一 新井
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明はガス濃度測定機の校正方法及びその実施に使
用される装置、すなわち測定機及び校正装置に関するも
のである。
従来の技術 従来特定のガスにつき、その濃度を測定する測定機は数
多く提供されているが、すべて該特定のガスについてメ
ーカーで校正する必要があシ、1台の測定機で不特定の
複数種類のガスを測定できず、またデータを記録するこ
とができるものではなく、個人ばくろ測定には使用する
ことができない。ま九ガス測定においては、測定機の指
示値と対象ガス成分量との関係を正しく知ることが重要
であり、そのために標準ガスの調整が行われる。従来そ
のための方法としては拡散セルによる方法及び一定量の
液を定容の容器内で気化させる方法等がその代表的な方
法とされている。
発明が解決しようとする問題点 ところで前記従来の調整方法のうちの前者にあっては、
多i^の清浄空気を必要とするばかりでなく、濃度が安
定するまでに長時間を必要とするという間届かあシ、ま
た後者にあっては、ガスセンサを校正するのに使用しよ
うとしても、容器内にセンサを設置しにくくて、使用す
ることができないといつ問題がある。さらに両者とも実
験室において使用されるように構成されていて、測定現
場においては使用が困難であシ、また容器の洗浄に手間
がかかるといり間層もある。
そこでこの発明の目的は、前記従来の測定機及びその校
正装置のもつ問題を解決し、使用者が測定現場において
、標準ガスの調整及びそれに基く測定機の校正を簡単な
操作で、比較的短い時間に行うことができ、1台の測定
機で複数種類のガス濃度測定を可能とする校正方法及び
その実施に使用される装置t提供するにある。
問題点を解決するための手段 この発明は前記のよりな目的を達成するにつき、半導体
センサを有するガス濃度測定機を試験槽中に設置し、こ
の試験槽を気体循環系路に設置して、この循環系路を清
浄気体で清浄化した後、標準ガスを循環させ、センサの
出力値がガス濃度に対応するように調整することを特徴
とするものである。
作用 前記の方法においては、清浄気体がポンプによって循環
系路内を循環充満し、そのときのセンサ出力が0になる
ように調整したうえ、標準ガスまたは標準液を循環系路
内に導入し、それらが循環路内で希釈されて一定時間後
にそのガス濃度が所定値となった際、センサの出力値が
その数値と異った場合にスパン調整によってそれらを一
致させることとなる。
実施例 第1〜3図には、この発明の方法により校正されるガス
濃度測定機1が示されている。
第1図に示す測定機1は、半導体センサ3、アンプ4、
時計5、キースイッチ6、A/D変換器7、演算処理部
8、ROM9、RAMl0等を有する制御手段と、液晶
表示部11と、メモリカード12及び電源回路13と金
具えている。
この測定機1は携帯型、設置型のいずれとしてもよく、
携帯型の場合の電源回路13はバッテリ内蔵型となる。
前記のものにおいて、ガス検出装置としては各種のもの
が使用されてよいのであるが、その最適なものとして特
開昭59−143946号公報に開示されたものがちシ
、それの構成を第2、第3図を参照して簡単に述べる。
その詳細は該公報の記述を参照されたい。
本実施例におけるガス検出装置は第2図中15で示され
、16が基板、17が絶縁層、18が金属層である。金
属層18はそれぞれが2つの!極部と1つの細線部を有
する3本のパタンに形成されており、22と24がヒー
ター、22 *、 22 d、  24 e、 24 
fがヒーター電極、23がガス検知用リード、23b、
23eが検出用電極である。21はガス検知用半導体層
である。
19は絶縁層であり、各電極部(22a、23b。
24c、22d、23e、24f)には絶縁層19の窓
開けの後バンプ20が形成されている。このガス検出装
置15は、フィルム26上に接着されたリード箔31(
6本)を各電極部(22a。
23b、24c、22d、23e、24f)のバンプ2
0に加熱ボンディングすることによりフイルムク6上に
装着されておシ、下方は下カバー27、上方は防爆ネッ
ト29と防塵フィルター30によって覆われている。防
爆ネット29と防塵フィルター30はフィルム26上に
設けられた上カバーワク28に取り付けられ固定されて
いる。
防爆ネット29は着火防止用である。防塵フィルター3
0はガス検出装置15が微細構造であって、表面に付着
したゴミによって寿命の低下や動作が不安定になる等の
影響を受けるのを防ぐ為であシ、本実施例のガス検出装
置15をフィルム26に取シ付ける場合には、0.1μ
m以上のゴミを通さず尚且つガスの流出入には支障を起
さないグラスウールを使用している。ガスはこの防爆ネ
ット29と防塵フィルター30を通してガス検知用半導
体21に吸着される。
第4〜6図には、この発明の方法の際使用される校正装
置2についての詳細が示されている。
校正装置2においては、一方にガス吸込口36が他方に
活性炭フィルタ付空気吸込口37がそれぞれ設けられた
吸気管38に3方コック39t−介して連結管40の一
端が連結されている。そしてこの連結管40の他端には
4方;ツク41を介して、その2方には閉管路42が、
また一方には排気管44がそれぞれ連結されている。
そして閉管路42にはコック41から遠ざかる方向に順
次バッファタンク45、試験槽46、サンプリング口4
7、気液注入口48及びポンプ49が配置されている。
このポンプ49はダイヤフラムポンプまたはベローズポ
ンプ等からなり、気体接触部はテフロン、ガラスまたは
ステンレス等の腐食や吸着の少ないものによって形成さ
れる。
第5図にはサンプリング口47、気液注入口48の、ま
た第6図には試験槽46の口部が示されておシ、これら
の口部にはそれぞれテフロン張シシリコン栓50.51
が施され、シリコン栓50はパツキンを通して、シリジ
ン針(図示せず)を差込めるよりになっている。
第7図には、試験槽46にセンサ3を装着した状態を示
し、この際の栓50’はセンサ止具51及びコード52
装着用の孔53を有しているものとなっている。
この校正装置2の各部材は、それぞれ図示しない継手に
よって分離可能に接続され、その結果一部の変換及び各
部の清掃が別個に行われるようになっている。またバッ
ファタンク45及び試験槽46等にヒーターを付設し、
温度’t−一定に保つようにしてもよく、それらは組立
てられた後は一体となって保管、運搬が容易なように構
成する。
第8図は、測定機1の校正時における作動についてのフ
ローチャートであ夛、これをも参照して校正作業につい
て説明する。
センサ3を第7図示のように試験槽46に装着し、3方
コツク39を第9図G)に示す位置とし、4方コック4
1t″第10図(a)に示す位置とすると、吸気管38
の吸込口37の活性炭フィルタを通して清浄空気が連結
管40を通して閉管路42に導入されて、排気管44か
ら排出されるようになるので、4方コツク41を第1O
図〜)に示す位置に切換えて排気管44を閉鎖し、これ
によって校正装置2の系内が清浄空気で充満される。そ
こでこのとき表示部11に表示されるセンサ3の出力値
がOとなるように制御手段の操作によりゼロ調整を行う
ここで気液注入口48からシリジン等を用いて、標準液
または標準ガスを注入すると、標準液は気化希釈されて
ガスとなシ、また標準ガスは希釈されて、この希釈され
たガスが系内に充満し、一定時間後にその濃度0は次式
で計算したものとなる。
(1)  標準液注入の場合 M:分子量      ρ:密度C1/m1)V:標準
液注入1k(μυ人!系内の容t(J)T8氷点温度2
73.15(”K)  t +温度(C)(2)標準ガ
ス注入の場合 0:標準ガス濃度CP) マ:標準ガス量(μり この場合、標準液または標準ガスを順次追加注入してい
くことにより、系内のガス濃度0を段階的に上昇させる
ことができる。
ここに1例として系内の容量が51のものを使用し、2
5Cのときのアセトンの注入量μl。
と、系内の7七トンの濃度−の関係t−第11図のグラ
フに示す。
つぎに他の例として標準液としてトルエンを使用した場
合について説明すると、ガスセンサ3の出力のO調整後
、アセトンに代えてトルエンlμiを注入し、前記によ
りトルエン濃度を46−に調整し、そのときのセンサ3
の出力値音読み、その値が46四以外であることが表示
されれば、制御手段の操作によりスパン調整を行って、
表示値が46pとなるように調整し、これによりガスセ
ンサ3の出力値が正しい値を示すこととなる。
この場合上ンサ3の出力電圧と、ガス濃度との関係は直
線関係でないので、演算処理部8内で直線化し、それが
液晶表示部11に表示されることとなシ、これによって
測定機10校正作業が終了する。
このようにして校正f!:終えた測定機1により、その
後に測定現場の環境中の被検ガスを測定し、それが表示
部11に表示されることとなシ、その際キースイッチ6
によって書込み開始信号を送ると、メモリカード12に
被検ガスの濃度を蓄積して行くことができる。そしてこ
のメモリカードをパソコン等に読み出させ、気中濃度の
経時変化を第12図に示すよりにグラフ化してみること
ができる。
前記校正作業中サンプリング口47金利用し、ここから
ガスタクトシリンジ等によυ系内のガスヲ採取し、これ
をガスクロマトグラフ分析等のための標準ガスとして使
用することができる。
前記のようにして校正作業が終了すると、校正袋W12
の系内金洗浄することとなるが、それには3方コツク3
9を第9図(ハ)またはに)に示す位置とし、4方コツ
ク41を第10図体)に示す位置とし、ポンプ49金作
動する。このポンプ49の作動によって系内は減圧状態
となって、各部材の内壁に吸着している物lB、全排出
することとなる。
その後3方コツク39を第9図G)または(ロ)の位置
とすると、吸込口37からの清浄空気または吸込口36
からの窒素ガス等で系内金置換することとなる。
前記のような洗浄作業を繰返えすことにより、系内の洗
浄が行われることとなるが、その際ヒータ等により装置
を加熱すると洗浄が一層効果的になされる。
前記のような校正装置にあっては、接ガス部に濃度の経
時変化を少くするように、吸着、分解の少ないテフロン
、ガラスまたはステンレス等を使用するのがよい。また
試験槽46に部材を入れて異なるガスによる劣化試験を
行うことができる。
発明の効果 この発明は前記のようであって、ガス種度測定機の半導
体セ/すを試験槽中に設置し、この試験槽が標準ガス循
環系路に設置され、この循環系路を清浄気体で清浄化し
た後、該系路内を標準ガスを循環させ、このガス濃度に
対応するように前記センサの出力を調整するようにした
ので、使用者が標準ガスの調整及び測定機の校正を測定
現場において簡単に実施することができ、したがって1
台の測定機で異ったガスの測定が可能となシ、清浄気体
や標準液または標準ガスの使用が少量ですむのに加えて
、校正作業が迅速に行われるという効果がある。そのた
め有機溶剤等の作業者の個人ばくろ濃度の経時変化の測
定も可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の測定機の実施例の概略回路図、第
2図は、同上のものに最適な検出装置の概略図、第3図
は、同上の線1−1による断面図、第4図は、この発明
の校正装置の実施例の概略図、第5図は、第4図の5部
分の拡大断面図、第6図は、第4図の6部分の拡大断面
図、第7図は、第6図示のものに測定機のセンサを装着
した状態を示す図面、第8図は、この発明の方法実施時
における測定機のフローチャ−ト図、第9図(イ)仲)
(ハ)に)は、第2図のものの3万コツクの作動説明図
、第10図(、) (b)は、同4方コツクの作動説明
図、第11図は、第2図のものにおけるアセトン注入量
と濃度との関係を示すグラフ、第12図は測定機による
測定時における気中濃度と時間との関係を示すグラフで
ある。 1・・・測定機     2・・・校正装置3・・・半
導体センサ  7・・・A/D変換器8・・・演算処理
部   9・・・几0M10・・・RAM      
11・・・液晶表示部37・・・空気吸込口   39
・・・3方コツク41・・・4方コツク   42・・
・閉管路44・・・排気管    46・・・試験槽4
8・・・気液注入口 特許出願人 株式会社 リ コ − 代理人 弁理士 月  村    茂 外1名馬1 図 荒2図 尾3図 篤7図 篤12図 時間(H) ち8図 帛9図 篤10叉 (d、)            (b)月11図 注入量(ml) 昭和62年1月21日 1、事件の表示 昭和61年特許願第246178号 二2、発明の名称 ガス濃度測定機の校正方法及びその実 施に使用される装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 (674)  株式会社 リ コ − 代表者  浜  1)  広 4、代理人 東京都千代田区麹町4丁目5番地(〒102)の簡単な
説明」の各欄 6、 補正の内容 1、 明細書第10頁第1行の「ゼロ調整」を「自動的
にゼロ調整」と補正する。 モ2.  回書同頁第16行の「μQ」を「ml」と補
正IL    す、。 1g 3、 同書第12頁第11行の「ガスタクト」を「ガス
タイト」と補正する 4、 同書筒15頁第1,3行の「第2図」を「第4図
」と補正する。 5、 同書同頁第12行の「空気吸込口」の前に「活性
炭フィルター付」を挿入する。 6、同書同頁第15行の「気液注入口」のあとに、「4
9・・・ポンプ」を加入する。 以   上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体センサを有するガス濃度測定機の前記センサ
    を、気体循環系路に設置された試験槽内に設置し、前記
    循環系路内を清浄気体により清浄にし、その後該循環系
    路内を標準ガスを循環させ、前記センサの出力値がガス
    濃度に対応するよりに測定機を調整することを特徴とす
    るガス濃度測定機の校正方法。 2、半導体センサと、この半導体センサからの出力信号
    を制御する制御手段と、表示手段とを具え、前記制御手
    段はROMによつて電気的に制御されるよりになつてお
    り、該ROMに設定された制御内容に従つて該制御手段
    に入力された半導体センサの出力信号をガス濃度として
    変換し、前記表示手段に表示するようになつていること
    を特徴とするガス濃度測定機。 3、気体の循環系路と、この循環系路へ清浄気体を供給
    し排出するために循環系路に設けられた気体の供給口及
    び排出口と、前記循環系路に設けられた試験槽及び気液
    注入口と、前記循環系路に設けられて系路内を気体を循
    環させるポンプとを具えていることを特徴とするガス濃
    度測定機の校正装置。
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