JPS6397917A - Ferroelectric liquid crystal panel - Google Patents

Ferroelectric liquid crystal panel

Info

Publication number
JPS6397917A
JPS6397917A JP24455786A JP24455786A JPS6397917A JP S6397917 A JPS6397917 A JP S6397917A JP 24455786 A JP24455786 A JP 24455786A JP 24455786 A JP24455786 A JP 24455786A JP S6397917 A JPS6397917 A JP S6397917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
ferroelectric liquid
vapor deposition
substrate
crystal panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24455786A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Chikako Ooba
大庭 周子
Tsuyoshi Kamimura
強 上村
Hiroyuki Onishi
博之 大西
Hisahide Wakita
尚英 脇田
Isao Ota
勲夫 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP24455786A priority Critical patent/JPS6397917A/en
Publication of JPS6397917A publication Critical patent/JPS6397917A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To obtain a ferroelectric liquid crystal panel having a strong memory characteristic and good display grade by depositing silicon dioxide by vapor deposition on a substrate from a diagonal direction to execute the orientation control of a ferroelectric liquid crystal. CONSTITUTION:The silicon dioxide (SiO2) is used as a material 93 for vapor deposition and is heated by projecting an electron beam thereto, by which the vapor deposition is executed. A glass substrate on which conductive indium.tin oxide is deposited by evaporation (ITO substrate) is used as the substrate 92. The vapor deposition is executed by using 85 deg. and 60 deg. as a vapor deposition angle to form the film to about 3,000Angstrom thickness in the direction perpendicular to the substrate. The substrate is made into such a surface structure which has fine projecting groups in the certain specified direction by the vapor deposition of the inorg. material (Al2O3) from the diagonal direction in the above- mentioned manner and, therefore, the liquid crystal molecules are eventually oriented to the structure having the least elastic deformation. The ferroelectric liquid crystal panel having a high memory effect is thereby obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は表示装置に係わり、特に強誘電性液晶パネルに
関わるものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to display devices, and particularly to ferroelectric liquid crystal panels.

従来の技術 従来の技術を以下、図面を用いて説明する。Conventional technology The conventional technology will be explained below with reference to the drawings.

まず強誘電性液晶自体について説明する。First, the ferroelectric liquid crystal itself will be explained.

第2図は強誘電性液晶分子の模式図である。強誘電性液
晶は通常、スメクチック液晶と呼ばれる、層構造を有す
る液晶である。分子は層の垂線方向に対してθだけ傾い
た構造を取っている。
FIG. 2 is a schematic diagram of ferroelectric liquid crystal molecules. Ferroelectric liquid crystals are usually called smectic liquid crystals and have a layered structure. The molecules have a structure tilted by θ with respect to the perpendicular direction of the layer.

また通常、強誘電性液晶はラセミ体でない光学活性な液
晶分子によって構成されている。
Further, ferroelectric liquid crystals are usually composed of optically active liquid crystal molecules that are not racemic.

第2図に示すように強誘電性液晶分子は分子の長軸に垂
直な方向に自発分極となる永久双極子モーメントを有し
ており、カイラルスメクチックC相においては第2図の
円錐形(以下コーンと呼ぶ)の外側を自由に動くことが
できる。またコーンの中心点0より液晶分子に対して下
したベクトルをCダイレクタ−と呼ぶ。
As shown in Figure 2, ferroelectric liquid crystal molecules have a permanent dipole moment that is spontaneously polarized in the direction perpendicular to the long axis of the molecule, and in the chiral smectic C phase, the conical shape (hereinafter referred to as can move freely outside the cone (called a cone). Also, the vector drawn from the center point 0 of the cone toward the liquid crystal molecules is called a C director.

カイラルスメクチックC相ではこのCダイレクタ−はコ
ーンの外側を自由に動くことができる。
In the chiral smectic C phase, this C director can move freely outside the cone.

第2図において21は液晶分子、22は永久双極子、2
3はCダイレクタ−124はコーン、25は層構造、2
6は層法線方向、27は傾き角θを示している。
In Figure 2, 21 is a liquid crystal molecule, 22 is a permanent dipole, 2
3 is a C director, 124 is a cone, 25 is a layered structure, 2
Reference numeral 6 indicates the layer normal direction, and reference numeral 27 indicates the inclination angle θ.

また強誘電性液晶分子は不斉原子を有しているため通常
ねじれ構造を有している。このねじれ構造を第3図に示
す。
Furthermore, since ferroelectric liquid crystal molecules have asymmetric atoms, they usually have a twisted structure. This twisted structure is shown in FIG.

第3図において31は液晶分子、32は永久双極子モー
メント、33はねじれの周期を表すピッチ(L)、34
は層構造、35は層の法線方向、36は傾き角θを表す
。強誘電性液晶パネルのセル厚(d)がピッチより厚い
とき(d>L)、通常、強誘電性液晶はセル基板表面の
影響がセル中央部まで及ばないため、ねじれ構造を持っ
た状態で存在する。
In Figure 3, 31 is a liquid crystal molecule, 32 is a permanent dipole moment, 33 is a pitch (L) representing the period of twist, and 34
represents the layer structure, 35 represents the normal direction of the layer, and 36 represents the inclination angle θ. When the cell thickness (d) of a ferroelectric liquid crystal panel is thicker than the pitch (d>L), the ferroelectric liquid crystal usually has a twisted structure because the influence of the cell substrate surface does not extend to the center of the cell. exist.

しかしセル厚がピッチより小さいとき(d < L)ね
じれ構造は基板表面の力でほどかれ第4図のような分子
が基板表面と平行になった二つの領域が現れる。この二
つの領域は分子の持つ永久双極子モーメントがそれぞれ
反対の方向を向いているものであり、一方は紙面裏から
表方向へもう一方は紙面表から裏方向へ向いている。こ
れはそれぞれ層法線に対する分子の傾き角に対応してい
る。
However, when the cell thickness is smaller than the pitch (d < L), the twisted structure is unraveled by the force of the substrate surface, and two regions where the molecules are parallel to the substrate surface appear as shown in FIG. In these two regions, the permanent dipole moments of the molecules point in opposite directions, one direction from the back of the paper to the front, and the other from the front to the back of the paper. Each of these corresponds to the tilt angle of the molecule with respect to the layer normal.

第4図において41は液晶分子、42は紙面裏方向から
表方向を向いている永久双極子モーメント、43は紙面
表方向から裏方向を向いている永久双極子モーメント、
44は層構造、45は層法線方向、46は傾き角を表し
ている。
In FIG. 4, 41 is a liquid crystal molecule, 42 is a permanent dipole moment pointing from the back of the page to the front, 43 is a permanent dipole moment pointing from the front of the page to the back,
44 represents the layer structure, 45 represents the layer normal direction, and 46 represents the inclination angle.

次に強誘電性液晶の動作原理について図を用いて説明す
る。このように強誘電性液晶セルにピッチがセル厚より
も大きな強誘電性液晶(d < L)を封入すると第4
図のような二つの領域を持つ状態となる。このとき紙面
裏方向から表方向に電界を印加すると永久双極子モーメ
ントは全て電界の方向に向き第5図(a)のように分子
が全て+θの傾き角を持った状態となる。このような状
態で偏光板の偏光子(P)の偏光軸方向を分子の長軸方
向に検光子(A)の偏光軸方向を分子の短軸方向に平行
にすると(第5図(a)参照)偏光子(P)を通過した
直線偏光は複屈折を受けずに透過し検光子(A)により
遮られ暗状態が得られる。
Next, the operating principle of the ferroelectric liquid crystal will be explained using diagrams. In this way, when a ferroelectric liquid crystal cell is filled with ferroelectric liquid crystal whose pitch is larger than the cell thickness (d < L), the fourth
It will have two areas as shown in the figure. At this time, when an electric field is applied from the back to the front of the paper, all the permanent dipole moments are directed in the direction of the electric field, and all the molecules have an inclination angle of +θ as shown in FIG. 5(a). In this state, if the polarization axis direction of the polarizer (P) of the polarizing plate is made parallel to the long axis direction of the molecule and the polarization axis direction of the analyzer (A) is made parallel to the short axis direction of the molecule (Figure 5 (a) Reference) The linearly polarized light that has passed through the polarizer (P) is transmitted without undergoing birefringence and is blocked by the analyzer (A), resulting in a dark state.

また電界を逆方向に印加すると第6図(b)のように分
子が全て−θの傾きを持つ状態となり偏光子を通過した
直線偏光は複屈折効果により検光子を通り抜は明状態が
得られる。
Furthermore, when an electric field is applied in the opposite direction, the molecules all have a tilt of -θ as shown in Figure 6(b), and the linearly polarized light that passes through the polarizer becomes bright when it passes through the analyzer due to the birefringence effect. It will be done.

以上のように電界の正負により明暗の状態をそれぞれ得
ることができる。またこのようにセル厚がピッチより小
さいセル(d<L)においては通常ねじれ構造がほどけ
ているため電界を取り除いた後も分子はそのままの状態
でいるというメモリー効果が生じるといわれている。
As described above, bright and dark states can be obtained depending on the positive and negative electric fields. Furthermore, in cells where the cell thickness is smaller than the pitch (d<L), the twisted structure is usually unraveled, so it is said that a memory effect occurs in which the molecules remain in the same state even after the electric field is removed.

第5図(a) (blにおいて51は電界の方向、52
は分子の永久双極子モーメント、53は層構造、54は
傾き角θ、55は偏光子(P)、検光子(A)の偏光軸
をそれぞれ表している。
Figure 5(a) (In bl, 51 is the direction of the electric field, 52
is the permanent dipole moment of the molecule, 53 is the layered structure, 54 is the tilt angle θ, and 55 is the polarization axis of the polarizer (P) and analyzer (A), respectively.

この明状態の透過光強度Iは次式によって与えられる。The transmitted light intensity I in this bright state is given by the following equation.

r=I、sin”4θX5in”(πΔnd/λ)□(
1) ここでΔnは強誘電性液晶の屈折率の異方性、■、は偏
光子を通った後の入射光強度、λは波長、θは液晶分子
の傾き角、dは液晶層の厚みを表している。この表示方
式は一般に複屈折モードと呼ばれている。
r=I, sin"4θX5in"(πΔnd/λ)□(
1) Here, Δn is the anisotropy of the refractive index of the ferroelectric liquid crystal, ■, is the intensity of the incident light after passing through the polarizer, λ is the wavelength, θ is the tilt angle of the liquid crystal molecules, and d is the thickness of the liquid crystal layer represents. This display method is generally called birefringence mode.

この式を人間の眼によって感じる明るさの量である輝度
(Y値)で表すと次式のようになる。
This equation can be expressed as the following equation in terms of brightness (Y value), which is the amount of brightness perceived by the human eye.

Y=l/KO/ (S  (λ) ・ I (λ)・ 
y (λ)〕 dλ □(2) 但し、S(λ):光源の分光分布(等エネルギー光源) ■ (λ)二強誘電性液晶パネルの分光分布y(λ):
視感度曲線 積分範囲: 380nm〜700nn+このY値をAn
d(位相差)に対して計算式によりプロットしたものを
第6図に示す。このとき傾き角θは最も明るい状態をと
るようにθ=22.5”とした。
Y=l/KO/ (S (λ)・I (λ)・
y (λ)] dλ □ (2) However, S (λ): Spectral distribution of light source (equal energy light source) ■ (λ) Spectral distribution of biferroelectric liquid crystal panel y (λ):
Visibility curve integral range: 380nm to 700nn + this Y value as An
FIG. 6 shows a plot of d (phase difference) using a calculation formula. At this time, the tilt angle θ was set to θ=22.5” to obtain the brightest state.

第6図より、And(位相差)によりY値が大きく変化
することがわかる。また、このときセル厚むらによる色
差ΔE*(セル厚むらによる色むらを表す)をAndに
対してプロットしたものを第7図に示す。第7図におい
てセル厚むらは0.2μmとして計算した。色差の計算
はCI ELAB均等色差空間を用いて次式によって行
った。
From FIG. 6, it can be seen that the Y value changes greatly depending on And (phase difference). Further, FIG. 7 shows a plot of the color difference ΔE* (representing color unevenness due to cell thickness unevenness) due to cell thickness unevenness at this time versus And. In FIG. 7, the cell thickness unevenness was calculated assuming 0.2 μm. The color difference was calculated using the CI ELAB uniform color difference space using the following equation.

ΔE*=((ΔL水)2 + (Δa * ) !+(
Δb * ) ” ) −(31 但し、 L)1’= 116 (Y/Yo ”)  −16a 
*= 500 ((X/Xo ) −(Y/Yo ) 
)b *= 200 ((Y/Yo )  −(Z/Z
o ) )ここでXo、Yo、Zoは基準白色面の三刺
激値であり、X、Y、Zは測色物の三刺激値を示してい
る。ΔL*、Δa*、Δb*は異なる測色物におけるL
*、a*、b*の差を示しており、ここではあるセル厚
(d)とそれより0.2μm厚いセル厚(d + 0.
2μm)との差を示している。第6図、第7図より、最
も明るく、色差(色むら)の小さいΔnd(位相差)は
約0.28μmであることがわかる。強誘電性液晶の複
屈折の異方性(Δn)は通常、0.13〜0.18であ
るためセル厚は1.5〜2.2μm程度と非常に薄くす
る必要があることがわかる。
ΔE*=((ΔL water)2 + (Δa*) !+(
Δb*) ”) −(31 However, L)1′= 116 (Y/Yo ”) −16a
*= 500 ((X/Xo) −(Y/Yo)
)b *= 200 ((Y/Yo) −(Z/Z
o)) Here, Xo, Yo, and Zo are the tristimulus values of the reference white surface, and X, Y, and Z are the tristimulus values of the colorimetric object. ΔL*, Δa*, Δb* are L in different colorimetric objects
It shows the difference between *, a*, and b*, where a certain cell thickness (d) and a cell thickness 0.2 μm thicker (d + 0.
2 μm). From FIGS. 6 and 7, it can be seen that Δnd (phase difference), which is the brightest and has the smallest color difference (color unevenness), is about 0.28 μm. It can be seen that since the birefringence anisotropy (Δn) of ferroelectric liquid crystal is usually 0.13 to 0.18, the cell thickness needs to be very thin, about 1.5 to 2.2 μm.

(文献二福田、竹添、近藤、二強誘電性液晶を使った高
速ディスプレイ、オブトロニクス、9号、64頁、19
83年) しかし、以上のような表示方法を用いるためには第5図
(a) (blのように強誘電性液晶層はある一定の方
向付けがなされていなければならない。ある一定の方向
付けがなされたセルはモノドメインセルと呼ばれている
(References Nifukuda, Takezoe, Kondo, High-speed display using biferroelectric liquid crystal, Obtronics, No. 9, p. 64, 19
(1983) However, in order to use the above display method, the ferroelectric liquid crystal layer must be oriented in a certain way as shown in Figure 5(a) (bl). Cells in which this is done are called monodomain cells.

強誘電性液晶は層構造を有するため通常のネマチック液
晶よりも配向させにくいと言われていた。
Ferroelectric liquid crystals have a layered structure and are said to be more difficult to align than ordinary nematic liquid crystals.

従来では強誘電性液晶を配向させる手段としてシアリン
グ法、温度勾配法、ラビング法などが用いられていた。
Conventionally, shearing method, temperature gradient method, rubbing method, etc. have been used as means for aligning ferroelectric liquid crystals.

これらの配向性でシアリング法、温度勾配法は生産性が
悪いという欠点があった。
Due to these orientations, the shearing method and temperature gradient method have the disadvantage of poor productivity.

ラビング法はネマチック液晶で広く用いられており強誘
電性液晶でもよく用いられている。このラビング法につ
いて図を用いて説明する。
The rubbing method is widely used for nematic liquid crystals and is also often used for ferroelectric liquid crystals. This rubbing method will be explained using figures.

第8図(a) (b)は等方性液体(I s o)から
スメクチックA相(SmA) 、を経て強誘電性を示す
スメクチックCカイラル相(SmC*)となる相転移系
列を有する強誘電性液晶をラビング法によって配向させ
たときの模式図である。
Figures 8(a) and 8(b) show a strong liquid with a phase transition sequence from an isotropic liquid (Iso) to a smectic A phase (SmA) to a smectic C chiral phase (SmC*) exhibiting ferroelectricity. It is a schematic diagram when dielectric liquid crystal is oriented by the rubbing method.

配向について説明する前にスメクチックA相およびスメ
クチックCカイラル相について図を用いて説明する。
Before explaining the orientation, the smectic A phase and the smectic C chiral phase will be explained using diagrams.

第8図(al (b)はスメクチックA相とスメクチッ
クCカイラル相の構造をそれぞれ模式化したものである
。この図は強誘電性液晶パネルとしてみると基板に対し
て垂直方向から見た図である。スメクチックA相、スメ
クチックCカイラル相のどちらも層構造を有しているが
スメクチックA相では第8図(a)のように分子の長軸
方向が相乗線方向に対して平行になっており、第8図(
b)のスメクチックCカイラル相では分子の長軸方向は
層重線方向に対して±θだけ傾いていることがわかる。
Figure 8 (al (b)) is a schematic representation of the structure of the smectic A phase and the smectic C chiral phase. This figure is a view of a ferroelectric liquid crystal panel viewed from the direction perpendicular to the substrate. Both the smectic A phase and the smectic C chiral phase have a layered structure, but in the smectic A phase, the long axis direction of the molecules is parallel to the synergistic line direction, as shown in Figure 8 (a). Figure 8 (
It can be seen that in the smectic C chiral phase b), the long axis direction of the molecules is tilted by ±θ with respect to the direction of interlayer lines.

第8図(al (b)において81は液晶分子、82は
層構造、83は分子長軸方向、84は層重線方向、85
は傾き角(θ)、86は上下基板のラビング方向を表し
ている。
In FIG. 8 (al (b)), 81 is a liquid crystal molecule, 82 is a layer structure, 83 is a molecule long axis direction, 84 is a layer line direction, 85
represents the tilt angle (θ), and 86 represents the rubbing direction of the upper and lower substrates.

次にこのような相転移系列を有する強誘電性液晶の配向
について説明する。
Next, the orientation of a ferroelectric liquid crystal having such a phase transition series will be explained.

第8図(alは等方性液体からスメクチックA相に転移
したときの分子の配向の模式図で、ここで分子はスメク
チックA相であるため層構造に対して垂直にその分子長
軸を有している。そのためラビングを施した場合そのラ
ビング方向(配向容易軸)に対して液晶分子長軸が平行
に配向し結果として第8図(a)のように層重線方向と
層は平行となる。
Figure 8 (al is a schematic diagram of the orientation of molecules when transitioning from an isotropic liquid to a smectic A phase; here, since the molecules are in the smectic A phase, their long axis of the molecules is perpendicular to the layer structure. Therefore, when rubbing is applied, the long axis of the liquid crystal molecules is aligned parallel to the rubbing direction (easy alignment axis), and as a result, the layer line direction and the layers are parallel to each other as shown in Figure 8 (a). Become.

次にスメクチックA相から強誘電性を示すスメクチック
Cカイラル相に相転移するとき層構造は弾性変形に要す
るエネルギーが大きいため分子が層内で傾き層構造はそ
のまま保たれる。結果として第8図(blのように層重
線方向はラビング方向に平行のままで分子がラビング方
向よりずれた配向状態となる。
Next, when phase transition occurs from the smectic A phase to the smectic C chiral phase exhibiting ferroelectricity, the layered structure requires a large amount of energy for elastic deformation, so molecules are tilted within the layer and the layered structure is maintained as it is. As a result, as shown in FIG. 8 (bl), the layer stacking line direction remains parallel to the rubbing direction, but the molecules are oriented deviated from the rubbing direction.

しかしながらこのような配向状態では強誘電性液晶分子
は層内で第2図のようにコーンの外側を自由に動くこと
ができるため配向容易軸であるラビング方向にもどって
しまうことが考えられる。
However, in such an alignment state, the ferroelectric liquid crystal molecules can move freely outside the cone within the layer as shown in FIG. 2, so it is conceivable that the ferroelectric liquid crystal molecules return to the rubbing direction, which is the axis of easy alignment.

斜方蒸着の従来例。Conventional example of oblique deposition.

斜方蒸着法はネマチック液晶の配向性として従来、一部
で用いられていたが現在はラビング法が主流を占めてい
る。斜め蒸着法について図を用いて説明する。
Although the oblique evaporation method has traditionally been used in some cases to improve the orientation of nematic liquid crystals, the rubbing method is now the mainstream. The oblique vapor deposition method will be explained using figures.

斜め蒸着法の実際のやり方を第9図に示す。The actual method of oblique vapor deposition is shown in FIG.

真空状態となる蒸着釜(ペルジャー)内に蒸着源があり
、抵抗加熱、あるいは電子ビームを照射することにより
加熱することができるようになっている。セル基板は基
板垂線方向から蒸着方向に対してθだけ傾けてセントさ
れる。
A vapor deposition source is located in a vacuum vapor deposition pot (pellger), and can be heated by resistance heating or electron beam irradiation. The cell substrate is tilted by an angle θ from the substrate perpendicular direction to the vapor deposition direction.

91はペルジャー、92はセル基板、93は蒸着源、9
4は傾き角θ、斜め蒸着を行うことによって表面には第
10図に示すようなカラム状の小さな突起101が無数
に存在する構造ができる。これは通常、セルフシャドウ
ィングと呼ばれる効果により生じるものと言われている
91 is a Pelger, 92 is a cell substrate, 93 is an evaporation source, 9
4 has an inclination angle θ, and by performing oblique vapor deposition, a structure in which countless small column-shaped protrusions 101 are present on the surface as shown in FIG. 10 is created. This is usually said to be caused by an effect called self-shadowing.

この時、傾き角θ102を変化させることによりネマチ
ック液晶分子の配向に違いが生じる。このことについて
図面を用いて説明する。
At this time, by changing the tilt angle θ102, a difference occurs in the orientation of the nematic liquid crystal molecules. This will be explained using the drawings.

■蒸着角度(θ)75°〜85°のときθが75度〜8
5度のとき第11図(alに示すように液晶分子は蒸着
方向にその分子長軸方向(n)  111を平行に配向
する。このため液晶分子はプレチルト角を15度から3
0度程度有するとされている。
■When the deposition angle (θ) is 75° to 85°, θ is 75° to 8
When the pretilt angle is 5 degrees, as shown in Figure 11 (al), the liquid crystal molecules are aligned with their long axis (n) 111 parallel to the deposition direction.For this reason, the liquid crystal molecules change the pretilt angle from 15 degrees to 3 degrees.
It is said to have a temperature of about 0 degrees.

■蒸着角度(θ)〜60°のとき θが〜60度のとき第11図(b)に示すように液晶分
子は蒸着方向にその分子長軸方向を垂直に配向する。こ
のときプレチルト角は約0度である。
(2) When the deposition angle (θ) is ~60° When θ is ~60° As shown in FIG. 11(b), the liquid crystal molecules are aligned with their long axes perpendicular to the deposition direction. At this time, the pretilt angle is approximately 0 degrees.

これらの蒸着角度の違いによる配向の違いは表面のカラ
ム構造に対して分子がどの方向に配列したとき最も弾性
変形のエネルギーが小さくてすむかに依存していると言
われている。
It is said that the difference in orientation due to the difference in deposition angle depends on which direction the molecules are aligned with respect to the surface column structure to minimize the energy of elastic deformation.

スメクチック液晶、あるいは強誘電性液晶において配向
方法に斜め蒸着法が用いられた例は2〜3ある。しかし
、それらはセル厚が厚い状態(〜7μm以上)で用いて
おり、完全なメモリー性などについて電圧−輝度曲線(
B−V曲線)などは測定しておらず、またプレチルト角
の表示装置としての有用性についても殆ど言及していな
い。
There are a few examples in which oblique vapor deposition was used as an orientation method for smectic liquid crystals or ferroelectric liquid crystals. However, they are used in a state where the cell thickness is thick (~7 μm or more), and the voltage-luminance curve (
BV curve), etc., and there is almost no mention of its usefulness as a pretilt angle display device.

○斜め蒸着法の参考文献: ■ダブリュ、アルバフク、エム、ボイクス、イー。○References for oblique evaporation method: ■Double, Albabuk, M, Voix, E.

ギイヨン;蒸着膜上のネマチック相とスメクチック相の
配向、アブライフド フィジックス レター、25巻 
9号(1)  479頁 1974年(W、tlrba
ch。
Guillon: Orientation of nematic and smectic phases on deposited films, Alived Physics Letters, vol. 25
No. 9 (1) 479 pages 1974 (W, tlrba
Ch.

M、Boix、and E、Guyon  ;  Al
ignment of nematicsand  s
mectics  on  evaporated  
 films、  AppliedPhysics L
etters、  Vol、25+  No、9+I 
P、479 Novem−ber  1974) ■上木勉、岩崎泰部、吉野勝己、大石嘉雄;スメクチッ
ク強誘電性液晶の電気光学的性質(2)、第4回 液晶
討論会 予稿集(1978年) 講演番号R13 発明が解決しようとする問題点 (1)  従来、強誘電性液晶の配向制御には工業的に
有利なラビング法が用いられていたがこの方法では強誘
電性液晶分子に電圧が印加された場合、メモリー効果が
小さいことが問題であった。以下、図を用いてこのこと
を説明する。
M, Boix, and E, Guyon; Al
ignment of nematics and s
mectics on evaporated
films, Applied Physics L
etters, Vol, 25+ No, 9+I
P, 479 Novem-ber 1974) ■ Tsutomu Kamiki, Yasube Iwasaki, Katsumi Yoshino, Yoshio Oishi; Electro-optical properties of smectic ferroelectric liquid crystals (2), Proceedings of the 4th Liquid Crystal Symposium (1978) Lecture Number R13 Problems to be Solved by the Invention (1) Conventionally, an industrially advantageous rubbing method has been used to control the alignment of ferroelectric liquid crystals, but in this method, voltage is not applied to the ferroelectric liquid crystal molecules. In this case, the problem was that the memory effect was small. This will be explained below using figures.

第12図(a) (bl (C1はラビング配向された
強誘電性液晶パネルに電圧を印加した状態を模式的に表
したものである。ここで第12図(a)は紙面の裏から
表方向に電圧を印加した状態、第12図(b)は紙面の
表から裏方向に電圧を印加した状態を示している。
Figure 12(a) (bl (C1 is a schematic representation of the state in which a voltage is applied to a ferroelectric liquid crystal panel subjected to rubbing alignment.Here, Figure 12(a) is viewed from the back of the paper to the front. FIG. 12(b) shows a state in which a voltage is applied in the direction from the front to the back of the paper.

この二つの状態で強誘電性液晶層の大部分は電界方向に
それぞれ向いている。そのため適当に偏光子と検光子の
位置を決めてやれば明暗の状態を電界の極性によって得
ることができる。ここまでは第5図(a) (b)と同
じである。次に電界をゼロ、つまり無印加状態にすると
配向容易軸であるラビング軸に強誘電性液晶分子はもど
ってしまい第12図(C)のような状態になってしまう
。これは結局、メモリー性が劣化していることを示して
いる。
In these two states, most of the ferroelectric liquid crystal layer is oriented in the direction of the electric field. Therefore, by appropriately determining the positions of the polarizer and analyzer, bright and dark states can be obtained depending on the polarity of the electric field. The steps up to this point are the same as those in FIGS. 5(a) and 5(b). Next, when the electric field is reduced to zero, that is, no application is applied, the ferroelectric liquid crystal molecules return to the rubbing axis, which is the axis of easy alignment, resulting in a state as shown in FIG. 12(C). This ultimately shows that the memory performance has deteriorated.

第12図(a) (b) (c)において121は強誘
電性液晶分子、122は層構造、123はラビング方向
、124は電界の方向を表している。
In FIGS. 12(a), (b), and (c), 121 represents ferroelectric liquid crystal molecules, 122 represents a layer structure, 123 represents a rubbing direction, and 124 represents an electric field direction.

これらのことを実際に示すため第13図に示すようなラ
ビングによる液晶パネルを作成した。ここで131は上
下の偏光板、132は上下のガラス基板、133は透明
電極層、134は配向処理を施した有機高分子膜層、1
35は強誘電性液晶層、136は対向基板間の距離(セ
ル厚)を一定にさせるためのスペーサーを表している。
In order to demonstrate these facts, a liquid crystal panel as shown in FIG. 13 was prepared by rubbing. Here, 131 is an upper and lower polarizing plate, 132 is an upper and lower glass substrate, 133 is a transparent electrode layer, 134 is an organic polymer film layer subjected to alignment treatment, 1
35 represents a ferroelectric liquid crystal layer, and 136 represents a spacer for keeping the distance (cell thickness) between opposing substrates constant.

このように対向電極間に強誘電性液晶を封入し強誘電性
液晶パネルを作成した。
In this way, a ferroelectric liquid crystal panel was created by sealing ferroelectric liquid crystal between the opposing electrodes.

実験に用いた強誘電性液晶材料はエステル系の温度範囲
がθ℃〜58℃まで強誘電性を示す液晶材料を用いて行
った。下に用いた強誘電性液晶の相転移温度を示す。
The ferroelectric liquid crystal material used in the experiment was an ester-based liquid crystal material that exhibits ferroelectricity in the temperature range of θ°C to 58°C. The phase transition temperature of the ferroelectric liquid crystal used below is shown.

Cr−−→SmC*    SmA    Ch〜0℃
    58℃    82℃ −一→Is。
Cr--→SmC* SmA Ch~0℃
58°C 82°C −1→Is.

95℃ ここで、Cr  :結晶相 SmC* :スメクチックCカイラル相SmA  :ス
メクチックA相 Ch  :コレステリック相 ISO二環方性液体 また、この液晶の複屈折異方性(Δn)はセナルモン型
コンベンセイターを用いて測定したところ0.13であ
った。
95°C Here, Cr: Crystal phase SmC*: Smectic C chiral phase SmA: Smectic A phase Ch: Cholesteric phase It was 0.13 when measured using.

配向方法はガラス基板上に設けた有機高分子膜をラビン
グし、液晶注入後、100℃までパネルを加熱し等方性
液体とした後、ゆっくりと徐冷する(0.6℃/5in
)ことによりスメクチックCカイラル相のモノドメイン
を得た。
The orientation method is to rub the organic polymer film provided on the glass substrate, and after injecting the liquid crystal, heat the panel to 100 °C to make it an isotropic liquid, and then slowly cool it (0.6 °C / 5 inches).
), a smectic C chiral phase monodomain was obtained.

次にこのパネルを用いて電圧−透過率曲線(以下、B−
V曲線とする)を測定した。
Next, using this panel, a voltage-transmittance curve (hereinafter referred to as B-
V curve) was measured.

B−V曲線の測定に用いた光学実験系を第14図に示す
。第14図において光源141より発せられた白色光は
偏光子142を通り液晶セル143に直線偏光として入
射した後、検光子144を通って集光レンズ145によ
って集光され光電子倍増管146で感知され、ストレー
ジオシロ147によりB−V曲線として測定される。な
お液晶セルにはプログラマブルパルスジェネレーター1
48により任意の波形を加えることができるようにした
FIG. 14 shows the optical experimental system used for measuring the BV curve. In FIG. 14, white light emitted from a light source 141 passes through a polarizer 142 and enters a liquid crystal cell 143 as linearly polarized light, passes through an analyzer 144, is focused by a condensing lens 145, and is sensed by a photomultiplier tube 146. , is measured by the storage oscilloscope 147 as a BV curve. Furthermore, the liquid crystal cell is equipped with a programmable pulse generator 1.
48 allows arbitrary waveforms to be added.

このような実験系において前述の構成を有する強誘電性
液晶パネルのB−V曲線を測定した。また強誘電性液晶
パネルのセル厚は2.8μmのものを用いた。
In such an experimental system, the BV curve of the ferroelectric liquid crystal panel having the above-mentioned configuration was measured. Further, the cell thickness of the ferroelectric liquid crystal panel used was 2.8 μm.

得られたB−V曲線を第15図(a) (b)に示す。The obtained BV curves are shown in FIGS. 15(a) and 15(b).

第15図(a) (b)において横軸は時間(1)であ
り、縦軸は電圧(V)あるいは輝度(B)である。上図
は印加した電圧波形であり、下図は対応する輝度曲線で
ある。第15図fat (b)を電圧波形の順に従って
説明するとまずパルス高さ+1.OV、幅2.On+s
の電圧が印加されたときに輝度は約32%と大きく明状
態が得られた。次に電圧が無印加(0■)のときに輝度
は小さくなり、分子がラビング方向にもどっていること
がわかる。また−10Vの電圧が印加されたとき輝度は
小さくなり約1%と最も暗い状態となる。しかし、また
電圧無印加の状態となると輝度は再び大きくなり先程の
無印加の状態と同じ輝度となってしまう。これは電界無
印加時に分子がもどってしまうことに起因することでメ
モリー効果の無いことを示している。
In FIGS. 15(a) and 15(b), the horizontal axis is time (1), and the vertical axis is voltage (V) or brightness (B). The upper figure is the applied voltage waveform, and the lower figure is the corresponding brightness curve. Fig. 15 fat (b) will be explained according to the order of the voltage waveforms. First, the pulse height +1. OV, width 2. On+s
When this voltage was applied, the brightness was as high as about 32%, and a bright state was obtained. Next, when no voltage is applied (0■), the brightness decreases, and it can be seen that the molecules have returned to the rubbing direction. Further, when a voltage of -10V is applied, the brightness decreases to about 1%, which is the darkest state. However, when the voltage is not applied again, the brightness increases again and becomes the same brightness as the previous state when no voltage is applied. This is due to the molecules returning when no electric field is applied, indicating that there is no memory effect.

(2)従来、強誘電性液晶パネルは複屈折効果を利用す
るため明るさ、色むらの点でセル厚を〜2μm程度と非
常に薄くする必要があった。これは生産性から考えると
非常に不利なことであった。
(2) Conventionally, ferroelectric liquid crystal panels utilize the birefringence effect, so it has been necessary to make the cell thickness very thin, about 2 μm, in order to reduce brightness and color unevenness. This was extremely disadvantageous in terms of productivity.

問題点を解決するための手段 基板に対して斜め方向から二酸化ケイ素を蒸着すること
により、強誘電性液晶の配向制御を行う。
Means for Solving the Problems The orientation of the ferroelectric liquid crystal is controlled by depositing silicon dioxide obliquely onto the substrate.

作用 (11ラビング法による一軸処理とは異なり無機物(A
I、03)を斜め方向から蒸着することにより無機物(
ALos)がある一定方向に微細な突起群を持つような
表面構造にする。この表面構造により、液晶分子は弾性
変形の最も少ない構造に配向することになる。
Effect (11) Unlike uniaxial treatment using the rubbing method, inorganic substances (A
Inorganic substances (I, 03) are deposited from an oblique direction.
ALos) has a surface structure with a group of minute protrusions in a certain direction. This surface structure causes the liquid crystal molecules to align in a structure with the least elastic deformation.

この効果による配向はラビング法による強い一軸処理と
は異なり、メモリー効果の大きい強誘電性液晶パネルを
実現できる。
The alignment due to this effect is different from the strong uniaxial treatment using the rubbing method, and it is possible to realize a ferroelectric liquid crystal panel with a large memory effect.

(2)基板表面に対して大きなプレチルト角を持たせる
ことにより見掛けのΔnを小さくすくことでセル厚を厚
くしても明るい、色づきの少ない強誘電性液晶パネルを
得ることができ、生産性が良い強誘電性液晶パネルを実
現できる。
(2) By reducing the apparent Δn by providing a large pretilt angle with respect to the substrate surface, it is possible to obtain a bright ferroelectric liquid crystal panel with less coloring even when the cell thickness is increased, which improves productivity. A good ferroelectric liquid crystal panel can be realized.

実施例 (実施例1) 以下に本発明の強誘電性液晶パネルの一実施例について
図面を用いて説明する。
Example (Example 1) An example of the ferroelectric liquid crystal panel of the present invention will be described below with reference to the drawings.

実施例に用いた斜方蒸着法の行い方は従来例で述べた第
9図の構成を用いた。
The oblique evaporation method used in the example was performed using the configuration shown in FIG. 9 described in the conventional example.

蒸着物質として二酸化ケイ素(S i O□)を用い、
これに電子ビームを照射することにより加熱し、蒸着を
行った。
Using silicon dioxide (S i O□) as a deposition material,
This was heated by irradiating it with an electron beam to perform vapor deposition.

基板はガラス基板上に導電性インジウム・スズ酸化物を
蒸着したもの(ITO基板)を用いた。
The substrate used was a glass substrate on which conductive indium tin oxide was deposited (ITO substrate).

蒸着角度は85度と60度の両方を用いた。Both 85 degrees and 60 degrees were used as the deposition angle.

蒸着速度は約20人/sec、膜厚は基板垂直方向から
の厚さで約3000人とした。
The deposition rate was about 20 people/sec, and the film thickness was about 3000 people per second in the direction perpendicular to the substrate.

このように斜方蒸着を行ったITO基板を用いて強誘電
性液晶パネルを作成した。セル構成は第13図に示した
セル構成と本質的に同じである。
A ferroelectric liquid crystal panel was created using the ITO substrate subjected to oblique evaporation in this manner. The cell configuration is essentially the same as that shown in FIG.

上下基板の蒸着方向は上下で反平行となるようにした。The deposition directions of the upper and lower substrates were made to be antiparallel.

実施例に用いた強誘電性液晶材料は従来例で用いたもの
と同じエステル系の混合物である。
The ferroelectric liquid crystal material used in the examples is the same ester mixture as used in the conventional examples.

このようなセルに強誘電性液晶を真空中で注入し徐冷す
ることにより良好に配向したモノドメインの強誘電性液
晶パネルを得た。セル厚は2.5μmとした。
By injecting ferroelectric liquid crystal into such a cell in a vacuum and slowly cooling it, a well-oriented monodomain ferroelectric liquid crystal panel was obtained. The cell thickness was 2.5 μm.

このときの配向は蒸着角度により異なっていた。The orientation at this time differed depending on the deposition angle.

蒸着角度が85度のとき液晶分子の長軸方向は蒸着方向
と一致していたが60度のときは蒸着方向に垂直にその
長軸方向を有していた。
When the deposition angle was 85 degrees, the long axis direction of the liquid crystal molecules coincided with the deposition direction, but when the deposition angle was 60 degrees, the long axis direction was perpendicular to the deposition direction.

この強誘電性液晶パネルを従来例で述べた光学系を用い
てB−V曲線を測定し、メモリー効果を調べた。結果を
第1図(al (bl (cl (dlに示す。ここで
第1図fa) (b)は蒸着角度が85度、第1図(C
1(dlは60度の強誘電性液晶パネルである。第1図
(al fblを用いて説明する。
The BV curve of this ferroelectric liquid crystal panel was measured using the optical system described in the conventional example, and the memory effect was investigated. The results are shown in FIG.
1 (dl is a 60 degree ferroelectric liquid crystal panel. The explanation will be made using FIG. 1 (al fbl).

第1図(a) (b)より、パルス高さ+IOV、幅2
.Omsのパルスが印加されたとき輝度は約32%と大
きく明状態が得られた。次に電圧が無印加(0■)とな
ったときにも輝度はそのままで分子がパルス印加時と同
じ場所におり、メモリー効果があることがわかる。
From Figure 1 (a) and (b), pulse height + IOV, width 2
.. When a pulse of Oms was applied, a bright state with a brightness of about 32% was obtained. Next, even when no voltage is applied (0■), the brightness remains the same and the molecules remain in the same location as when the pulse was applied, indicating that there is a memory effect.

また、−10■のパルスが印加されると輝度は小さくな
り約1%と最も暗い状態となった。
Furthermore, when a pulse of -10■ was applied, the brightness decreased to about 1%, which was the darkest state.

また、電圧無印加の状態となっても輝度はそのままでメ
モリー効果の強いことがわかる。
Furthermore, it can be seen that even when no voltage is applied, the brightness remains unchanged and the memory effect is strong.

これは第1図(C) (d)でも同じであり、蒸着角度
が85度でも60度でも強いメモリー効果が得られた。
This was the same in FIGS. 1(C) and 1(d), and a strong memory effect was obtained whether the deposition angle was 85 degrees or 60 degrees.

(実施例2) 次にくさび型にセル厚を徐々に厚くしたセルを用いて色
相の変化を測定した。
(Example 2) Next, changes in hue were measured using a wedge-shaped cell in which the cell thickness was gradually increased.

くさび型セルの構成を第16図に示す。The structure of the wedge-shaped cell is shown in FIG.

第16図において、161はガラス基板、162はIT
O層とそのうえにA1zO□斜方蒸着層あるいはラビン
グを施された有機高分子膜層を有する層、163は強誘
電性液晶層、164はセル厚調整のためのスペーサー、
165は蒸着方向、あるいはラビング方向の組合せ方を
示す。
In FIG. 16, 161 is a glass substrate, 162 is an IT
163 is a ferroelectric liquid crystal layer, 164 is a spacer for adjusting the cell thickness,
165 indicates the combination of the deposition direction or the rubbing direction.

セル厚の変化は1μm〜7μmとし、85度蒸着、60
度蒸着及びラビング法によって配向させた強誘電性液晶
パネルをそれぞれ作成した。これらの強誘電性液晶パネ
ルのセル厚の違いによる電界時の輝度を及び色相を色彩
光度計により測定した。色彩光度計はマクベス社製のも
のを用いた。
The change in cell thickness was 1 μm to 7 μm, 85 degrees vapor deposition, 60 degrees
Oriented ferroelectric liquid crystal panels were prepared by repeated vapor deposition and rubbing methods. The brightness and hue of these ferroelectric liquid crystal panels in an electric field due to differences in cell thickness were measured using a colorimeter. A color photometer manufactured by Macbeth was used.

まず、60度蒸着およびラビングセルについてセル厚と
輝度の関係を第17図に示す。
First, FIG. 17 shows the relationship between cell thickness and brightness for 60 degree evaporation and rubbing cells.

ここでO印は60度蒸着、×印はラビングセルをそれぞ
れ示す。
Here, the O symbol indicates 60 degree vapor deposition, and the X symbol indicates a rubbing cell.

次に85度蒸着の強誘電性液晶パネルのセル厚と輝度の
関係を第18図に示す。
Next, FIG. 18 shows the relationship between cell thickness and brightness of a ferroelectric liquid crystal panel deposited at 85 degrees.

強誘電性液晶パネルのセル厚と輝度の関係は従来例で述
べたように理論的に(11弐で与えられる。
The relationship between the cell thickness and brightness of a ferroelectric liquid crystal panel is theoretically given by (112) as described in the conventional example.

第6図における理論式より与えられる輝度曲線は大体、
Δndが約0.28あたりで最も明るい状態を持つよう
になっている。これは第17図から60度蒸着セル、ラ
ビングセルにおいてはどちらもセル厚が約2.0μmで
最も明るい状態になっており、本実施例の液晶材料はΔ
nが約0.13であるためΔndとして0.28あたり
となり、理論式と対応している。
The brightness curve given by the theoretical formula in Figure 6 is approximately
The brightest state is reached when Δnd is about 0.28. As can be seen from FIG. 17, both the 60 degree vapor deposition cell and the rubbing cell are at their brightest when the cell thickness is approximately 2.0 μm, and the liquid crystal material of this example is Δ
Since n is approximately 0.13, Δnd is approximately 0.28, which corresponds to the theoretical formula.

第18図における85度蒸着セルでは最も明る(なるセ
ル厚が約2.6μmとなっておりΔndで0.36あた
りと、理論式よりもセル厚の厚いところで明るいことが
わかる。
The 85 degree vapor deposition cell in FIG. 18 is the brightest (the cell thickness is about 2.6 μm, and Δnd is around 0.36, which means that it is brighter at a thicker cell than the theoretical formula.

これは斜め蒸着法の説明で述べたように85度蒸着では
大きなプレチルト角を有するからと考えられる。
This is considered to be because, as described in the explanation of the oblique vapor deposition method, 85 degree vapor deposition has a large pretilt angle.

プレチルト角を有するため見掛けの複屈折異方性(Δn
)をΔneffとし、プレチルト角をθpとすると屈折
率楕円体の弐よりΔneffは次式%式% ここで実際のプレチルト角を測定した。
Apparent birefringence anisotropy (Δn
) is Δneff, and the pretilt angle is θp, Δneff from the second side of the refractive index ellipsoid is expressed by the following formula % Here, the actual pretilt angle was measured.

強誘電性液晶状態のプレチルト角は測定しに(いのでネ
マチック液晶を用いた。このプレチルト角の測定法はヌ
ルキャパシタンス法と呼ばれる方法で行った。
A nematic liquid crystal was used to measure the pretilt angle of the ferroelectric liquid crystal state.The pretilt angle was measured by a method called the null capacitance method.

この結果、85度蒸着セルのプレチルト角は約25度で
あることがわかった。(7)式にプレチルト角の25度
とΔnの0.13の値をそれぞれ代入するとΔneff
は0.107という値になる。
As a result, it was found that the pretilt angle of the 85 degree vapor deposition cell was approximately 25 degrees. Substituting the pretilt angle of 25 degrees and the value of 0.13 of Δn into equation (7), Δneff
has a value of 0.107.

(1)式による理論計算より最も明るくなるΔndは約
0.28であるためセル厚はΔnが0.13のとき2.
1μmの必要があったがプレチルト角を有するためΔn
effが0.115と小さくなった場合、セル厚が約2
.6μmで最も明るくなることになる。これは85度蒸
着セルの輝度の測定結果とほぼ一致している。
According to the theoretical calculation using equation (1), the brightest Δnd is approximately 0.28, so the cell thickness is 2.0 when Δn is 0.13.
1 μm was required, but since it has a pretilt angle, Δn
When eff is as small as 0.115, the cell thickness is approximately 2
.. It will be the brightest at 6 μm. This almost agrees with the results of measuring the brightness of the 85 degree evaporation cell.

次にプレチルト角を0度から大きくしていったときのΔ
neff/Δnの変化をプロットした図を第19図に示
す。
Next, Δ when increasing the pretilt angle from 0 degrees
FIG. 19 shows a plot of changes in neff/Δn.

第19図よりプレチルト角が約10度ぐらいまでではΔ
neff/Δnは1からあまり変化せずΔneffはあ
まり小さくなっていないことがわかる。
From Figure 19, when the pretilt angle is about 10 degrees, Δ
It can be seen that neff/Δn does not change much from 1, and Δneff does not become much smaller.

プレチルト角が10度以上ではΔneff/Δnの変化
量は大きくなり、Δneffが小さくなりセル厚が厚く
とも明るい状態が得られることがわかった。また斜め蒸
着法は強誘電性液晶パネルの配向を損なわずにプレチル
ト角を大きくする良い方法であることがわかった。
It was found that when the pretilt angle is 10 degrees or more, the amount of change in Δneff/Δn becomes large, Δneff becomes small, and a bright state can be obtained even if the cell thickness is thick. It was also found that the oblique vapor deposition method is a good method for increasing the pretilt angle without impairing the orientation of the ferroelectric liquid crystal panel.

発明の効果 (1)本発明は蒸着物質としてAlzOzを用いて斜め
蒸着法を行い、強誘電性液晶の配向を行うことでメモリ
ー製の強い、表示品位の良好な強誘電性液晶パネルを得
ることができる効果を有する。
Effects of the Invention (1) The present invention uses AlzOz as a vapor deposition substance and performs an oblique vapor deposition method to orient the ferroelectric liquid crystal, thereby obtaining a strong ferroelectric liquid crystal panel made of memory and having good display quality. It has the effect of

(2)  また大きなプレチルト角を有することで強誘
電性液晶パネルの見掛けのΔneff  dを小さくし
、セル厚が厚くても明るい強誘電性液晶パネルを作成す
ることを可能とし、強誘電性液晶パネルの生産性を向上
させる効果を持つものである。
(2) In addition, by having a large pretilt angle, the apparent Δneff d of the ferroelectric liquid crystal panel is reduced, making it possible to create a bright ferroelectric liquid crystal panel even with a thick cell. This has the effect of improving productivity.

(3)大きなプレチルト角は斜め蒸着法により良好な配
向とともに得ることができ強いメモリー性を持ち、かつ
セル厚の厚い生産性の良い強誘電性液晶パネルを得るこ
とができる効果も有する。
(3) A large pretilt angle can be obtained with good alignment by the oblique vapor deposition method, and it has the effect of making it possible to obtain a ferroelectric liquid crystal panel that has strong memory properties and has thick cells and good productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(al (bl (C1(dlは斜め蒸着を行っ
た強誘電性液晶パネルのメモリー性を示すグラフ、第2
図は強誘電性液晶の構造を表す模式図、第3図は強誘電
性液晶のねじれ構造を表す模式図、第4図は強誘電性液
晶の薄いセル厚のパネルでねじれ構造がほどけた状態を
表す模式図、第5図(a) (blは薄いセル厚の強誘
電性液晶パネルにおいての動作原理を表す模式図、第6
図は強誘電性液晶パネルのΔndと輝度の関係の理論計
算値をプロットしたグラフ、第7図は強誘電性液晶パネ
ルにおいて各々のΔndに対してセル厚むらとしての色
差の理論計算値をプロットしたグラフ、第8図(al 
(b)はSmA相とSmC*相の構造とラビングを行っ
たときの配向状態を示す模式図、第9図は蒸着装置およ
び蒸着方法を示す模式図、第10図は斜め蒸着を行った
ときの表面状態を表す模式図、第11図(al (bl
は蒸着方向を変えたときの液晶分子の配向方向を表す模
式図、第12図(a) (b) (c)はラビング法に
よる電界印加による強誘電性液晶の動作とメモリー効果
が小さいことを表す模式図、第13図は従来例および実
施例で用いた強誘電性液晶パネルの構造図、第14図は
従来例および実施例のB−V曲線測定に用いた光学系の
模式図、第15図(a) (b)はラビングセルのメモ
リー効果を示すグラフ、第16図は色測定に用いたくさ
び型セルの模式図、第17図はラビングセルおよび60
度蒸着セルのセル厚と輝度の実測値をプロットしたグラ
フ、第18図は80度蒸着セルにおけるセル厚と輝度の
実測値をプロットしたグラフ、第19図はプレチルト角
とΔneffの計算値をプロットしたグラフである。 161・・・・・・ガラス基板、162・・・・・・I
TO層とそのうえにAl2O3斜方蒸着層あるいはラビ
ングを施された有機高分子膜層を有する層、163・・
・・・・強誘電性液晶層、164・・・・・・セル厚調
整のためのスペーサー、165・・・・・・蒸着方向、
あるいはラビング方向の組合せ方を示す。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名第1図 IIIF間[m5ec] 第1図 特開(msec] 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 Δnd (β72) 第7図 0.2    (140,60,F!    10  
  /、2Δrtd (μm) 第8図 尻 第9図 第10図 第11図 第12図 第13図 /3φ 第14図 第15図 時間(rnsec) EH11図 でル厚(μm) 箪18図 てル厚(μm〕
FIG.
The figure is a schematic diagram showing the structure of ferroelectric liquid crystal, Figure 3 is a schematic diagram showing the twisted structure of ferroelectric liquid crystal, and Figure 4 is a state in which the twisted structure is unraveled in a panel with a thin cell thickness of ferroelectric liquid crystal. (bl is a schematic diagram showing the operating principle in a ferroelectric liquid crystal panel with a thin cell thickness, Figure 6.
The figure is a graph plotting theoretically calculated values of the relationship between Δnd and brightness for a ferroelectric liquid crystal panel, and Figure 7 plots the theoretically calculated values of color difference as cell thickness unevenness for each Δnd in a ferroelectric liquid crystal panel. The graph shown in Figure 8 (al
(b) is a schematic diagram showing the structure of the SmA phase and SmC* phase and the orientation state when rubbing is performed, Figure 9 is a schematic diagram showing the evaporation apparatus and method, and Figure 10 is when oblique evaporation is performed. FIG. 11 is a schematic diagram showing the surface state of (al (bl
Figures 12(a), 12(b), and 12(c) show the behavior of ferroelectric liquid crystals and the small memory effect caused by applying an electric field using the rubbing method. 13 is a structural diagram of the ferroelectric liquid crystal panel used in the conventional example and the example. FIG. 14 is a schematic diagram of the optical system used for measuring the BV curve in the conventional example and the example. Figures 15(a) and 15(b) are graphs showing the memory effect of the rubbing cell, Figure 16 is a schematic diagram of the wedge-shaped cell used for color measurement, and Figure 17 is the rubbing cell and 60
Figure 18 is a graph plotting the measured values of cell thickness and brightness for an 80 degree evaporated cell, Figure 19 is a graph plotting the calculated value of pretilt angle and Δneff. This is the graph. 161...Glass substrate, 162...I
A layer having a TO layer and an Al2O3 oblique evaporation layer or a rubbed organic polymer film layer thereon, 163...
... Ferroelectric liquid crystal layer, 164 ... Spacer for adjusting cell thickness, 165 ... Vapor deposition direction,
Alternatively, it shows how to combine rubbing directions. Name of agent Patent attorney Toshio Nakao (1 person) Figure 1 Between IIIF [m5ec] Figure 1 Unexamined patent application (msec) Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 6 Δnd (β72) Figure 7 0.2 (140,60,F! 10
/, 2Δrtd (μm) Fig. 8 Bottom Fig. 9 Fig. 10 Fig. 11 Fig. 12 Fig. 13 Fig. 13 / 3φ Fig. 14 Fig. 15 Time (rnsec) Thickness (μm)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)液晶層と前記液晶層を挾持するように配置した少
なくとも一枚は透明である複数の基板と、前記、液晶層
に電圧印加が行えるように前記、基板に付設した電圧印
加手段とを具備したパネルにおいて基板に対して斜め方
向から二酸化ケイ素を蒸着することにより、強誘電性液
晶の配向制御を行うことを特徴とする強誘電性液晶パネ
ル。
(1) A liquid crystal layer and a plurality of substrates, at least one of which is transparent, arranged to sandwich the liquid crystal layer, and a voltage applying means attached to the substrates so as to apply a voltage to the liquid crystal layer. 1. A ferroelectric liquid crystal panel characterized in that the orientation of ferroelectric liquid crystal is controlled by vapor-depositing silicon dioxide from an oblique direction with respect to a substrate in the panel.
(2)強誘電性液晶パネルにおいてセル厚が5μm以下
であることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載
の強誘電性液晶パネル。
(2) A ferroelectric liquid crystal panel according to claim (1), wherein the ferroelectric liquid crystal panel has a cell thickness of 5 μm or less.
JP24455786A 1986-10-15 1986-10-15 Ferroelectric liquid crystal panel Pending JPS6397917A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24455786A JPS6397917A (en) 1986-10-15 1986-10-15 Ferroelectric liquid crystal panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24455786A JPS6397917A (en) 1986-10-15 1986-10-15 Ferroelectric liquid crystal panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6397917A true JPS6397917A (en) 1988-04-28

Family

ID=17120480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24455786A Pending JPS6397917A (en) 1986-10-15 1986-10-15 Ferroelectric liquid crystal panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6397917A (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60156043A (en) * 1984-01-23 1985-08-16 Canon Inc Liquid crystal element
JPS61161122A (en) * 1985-01-05 1986-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Removal of sulfur component
JPS6252528A (en) * 1985-09-02 1987-03-07 Hitachi Ltd Electrooptic device using ferroelectric liquid crystal

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60156043A (en) * 1984-01-23 1985-08-16 Canon Inc Liquid crystal element
JPS61161122A (en) * 1985-01-05 1986-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Removal of sulfur component
JPS6252528A (en) * 1985-09-02 1987-03-07 Hitachi Ltd Electrooptic device using ferroelectric liquid crystal

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5543943A (en) Chiral smectic device subjected to a simultaneous thermal and AC field treatment
EP0539992B1 (en) Liquid crystal device
US5453861A (en) Chiral smectic liquid crystal device and display apparatus
JPH06347796A (en) Liquid crystal device
US5278684A (en) Parallel aligned chiral nematic liquid crystal display element
JP2523811B2 (en) Liquid crystal light modulator
US5557435A (en) Liquid crystal device and display apparatus
JPH01216318A (en) Liquid crystal element
JPS6397917A (en) Ferroelectric liquid crystal panel
JPS6366537A (en) Ferroelectric liquid crystal panel
JPS6250735A (en) Liquid crystal display device
JPH0743476B2 (en) Liquid crystal light modulator
JP2839248B2 (en) LCD panel display method
JPS6366539A (en) Ferroelectric liquid crystal panel
JPS63278031A (en) Liquid crystal panel
JPS6381325A (en) Ferroelectric liquid crystal panel
JPS6366538A (en) Ferroelectric liquid crystal panel
JPS6366535A (en) Ferroelectric liquid crystal panel
JPS62250418A (en) Ferroelectric liquid crystal pannel
JPS6366536A (en) Ferroelectric liquid crystal panel
JPH0222625A (en) Ferroelectric liquid crystal panel
JPS6366533A (en) Ferroelectric liquid crystal panel
JPH0325418A (en) Liquid crystal element
JP3180171B2 (en) Ferroelectric liquid crystal device
JP2645744B2 (en) Ferroelectric liquid crystal display device