JPS62250418A - Ferroelectric liquid crystal pannel - Google Patents

Ferroelectric liquid crystal pannel

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JPS62250418A
JPS62250418A JP9375586A JP9375586A JPS62250418A JP S62250418 A JPS62250418 A JP S62250418A JP 9375586 A JP9375586 A JP 9375586A JP 9375586 A JP9375586 A JP 9375586A JP S62250418 A JPS62250418 A JP S62250418A
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JP
Japan
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liquid crystal
ferroelectric liquid
substrate
cell
crystal panel
Prior art date
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Pending
Application number
JP9375586A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsuyoshi Kamimura
強 上村
Chikako Ooba
大庭 周子
Hiroyuki Onishi
博之 大西
Hisahide Wakita
尚英 脇田
Isao Oota
勲夫 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain the titled pannel having an improved memory effect by vacuum-depositing an inorg. substance on a substrate from an inclined direction so as to be a surface structure in which the deposited inorg. substance makes fine protruding groups in a certain direction, thereby orientating the liquid crystal molecules so as to have a minimum elastic deformation structure. CONSTITUTION:A tantalum board is used as the depositing source 93, and silicon monoxide is used as the depositing substance. The substrate 92 is formed by depositing conductive indium.tin oxide on the glass substrate. The angle of deposition is used for example, 85 deg. and 60 deg.. Thus, the titled pannel is formed by using the ITO substrate which is deposited in the inclined direction. The ferroelectric liquid crystal substance is composed of a mixture of ester type compds. The titled pannel having a good orientated monodomain structure is obtd. by pouring the ferroelectric liquid crystal in a cell at vacuum, followed by cooling slowly it.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は表示装置に係わり、特に強誘電性液晶パネルに
関わるものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to display devices, and particularly to ferroelectric liquid crystal panels.

従来の技術 従来の技術を以下、図を用いて説明する。Conventional technology The conventional technology will be explained below using figures.

まず強誘電性液晶自体について説明する。First, the ferroelectric liquid crystal itself will be explained.

第3図は強誘電性液晶分子の模式図である。強誘電性液
晶は通常、スメクチック液晶と呼ばれる、層構造を有す
る液晶である。分子は層の垂線方向に対してθだけ傾い
た構造を取っている。
FIG. 3 is a schematic diagram of ferroelectric liquid crystal molecules. Ferroelectric liquid crystals are usually called smectic liquid crystals and have a layered structure. The molecules have a structure tilted by θ with respect to the perpendicular direction of the layer.

また通常、強誘電性液晶はラセミ体でない光学活性な液
晶分子によって構成されている。
Further, ferroelectric liquid crystals are usually composed of optically active liquid crystal molecules that are not racemic.

第3図に示すように強誘電性液晶分子は分子の長軸に垂
直な方向に自発分極となる永久双極子モーメントを有し
ており、カイラルスメクチックC相においては第3図の
円錐形(以下コーンと呼ぶ)の外側を自由に勅く−こと
ができる。またコーンの中心点Oより液晶分子に対して
下したベクトルをCダイレクタ−と呼ぶ。
As shown in Figure 3, ferroelectric liquid crystal molecules have a permanent dipole moment that is spontaneously polarized in the direction perpendicular to the long axis of the molecule, and in the chiral smectic C phase, the conical shape (hereinafter referred to as You can freely cut the outside of the cone (called a cone). Further, the vector directed from the center point O of the cone toward the liquid crystal molecules is called the C director.

カイラルスメクチックC相ではこのCダイレクタ−はコ
ーンの外側を自由に動くことができる。
In the chiral smectic C phase, this C director can move freely outside the cone.

第3図において21は液晶分子、22は、永久双極子、
23はCダイレクタ−124はコーン、25は層構造、
26は層法線方向、27は傾き角θを示している。
In FIG. 3, 21 is a liquid crystal molecule, 22 is a permanent dipole,
23 is a C director, 124 is a cone, 25 is a layered structure,
26 indicates the layer normal direction, and 27 indicates the tilt angle θ.

また強誘電性液晶分子は不斉原子を有しているため通常
ねじれ構造を有している。このねじれ構造を第4図に示
す。
Furthermore, since ferroelectric liquid crystal molecules have asymmetric atoms, they usually have a twisted structure. This twisted structure is shown in FIG.

第4図において31は液晶分子、32は永久双極子モー
メント、33はねじれの周期を表すピンチL534は層
構造、35は層の法線方向、36は傾き角θを表す。強
誘電性液晶パネルのセル厚fd+がピッチより厚いとき
(d>L)、通常、強誘電性液晶はセル基板表面の影響
がセル中央部まで及ばないため、ねじれ構造を持った状
態で存在する。
In FIG. 4, 31 is a liquid crystal molecule, 32 is a permanent dipole moment, 33 is a twist period, pinch L534 is a layer structure, 35 is a normal direction of the layer, and 36 is a tilt angle θ. When the cell thickness fd+ of a ferroelectric liquid crystal panel is thicker than the pitch (d>L), the ferroelectric liquid crystal usually exists in a twisted structure because the influence of the cell substrate surface does not extend to the center of the cell. .

しかしセル層がピンチより小さいとき(d < L)ね
じれ構造は基板表面の力でほどかれ第5図のような分子
が基板表面と平行になった二つの領域が現れる。この二
つの領域は分子の持つ永久双極子モーメントがそれぞれ
反対の方向を向いているものであり、一方は紙面裏から
表方向へもう一方は紙面表から裏方向へ向いている。こ
れはそれぞれ層法線に対する分子の傾き角に対応してい
る。
However, when the cell layer is smaller than a pinch (d < L), the twisted structure is unraveled by the force of the substrate surface, and two regions where the molecules are parallel to the substrate surface appear as shown in FIG. In these two regions, the permanent dipole moments of the molecules point in opposite directions, one direction from the back of the paper to the front, and the other from the front to the back of the paper. Each of these corresponds to the tilt angle of the molecule with respect to the layer normal.

第5図において41は液晶分子、42は紙面裏方向から
表方向を向いている永久双極子モーメント、43は紙面
表方向から裏方向を向いている永久双極子モーメント、
44は層構造、45は層法線方向、46は傾き角を表し
ている。
In FIG. 5, 41 is a liquid crystal molecule, 42 is a permanent dipole moment pointing from the back of the page to the front, 43 is a permanent dipole moment pointing from the front of the page to the back,
44 represents the layer structure, 45 represents the layer normal direction, and 46 represents the inclination angle.

次に強誘電性液晶の動作原理について図を用いて説明す
る。このように強誘電性液晶セルにピッチがセル厚より
も大きな強誘電性液晶(d < L)を封入すると第5
図のような二つの領域を持つ状態となる。このとき紙面
裏方向から表方向に電界を印加すると永久双極子モーメ
ントは全て電界の方向に向き第6図(alのように分子
が全て+θの傾き角を持った状態となる。このような状
態で偏光板の偏光子Pの偏光軸方向を分子の長軸方向に
検光子Aの偏光軸方向を分子の短軸方向に平行にすると
(第6図fbl参照)偏光子Pを通過した直線偏光は複
屈折を受けずに透過し検光子Aにより遮られ暗状態が得
られる。
Next, the operating principle of the ferroelectric liquid crystal will be explained using diagrams. In this way, when a ferroelectric liquid crystal cell is filled with ferroelectric liquid crystal whose pitch is larger than the cell thickness (d < L), the fifth
It will have two areas as shown in the figure. At this time, when an electric field is applied from the back side of the paper to the front side, all the permanent dipole moments point in the direction of the electric field, resulting in a state in which all molecules have an inclination angle of +θ as shown in Figure 6 (al). If the polarization axis direction of the polarizer P of the polarizing plate is made parallel to the long axis direction of the molecule and the polarization axis direction of the analyzer A is parallel to the short axis direction of the molecule (see Figure 6 fbl), the linearly polarized light passing through the polarizer P becomes is transmitted without undergoing birefringence and is blocked by analyzer A, resulting in a dark state.

また電界を逆方向に印加すると第6図(b)のように分
子が全て一〇の傾きを持つ状態となり偏光子を通過した
直線偏光は複屈折効果により検光子を通り抜は明状態が
得られる。
Furthermore, when an electric field is applied in the opposite direction, the molecules all have a tilt of 10 as shown in Figure 6(b), and the linearly polarized light that passes through the polarizer becomes bright when it passes through the analyzer due to the birefringence effect. It will be done.

以上のように電界の正負により明暗の状態をそれぞれ得
ることができる。またこのようにセル厚がピッチより小
さいセル(d<l、)においては通常ねじれ構造がほど
けているため電界を取り除いた後も分子はそのままの状
態でいるというメモリー効果が生じるといわれている。
As described above, bright and dark states can be obtained depending on the positive and negative electric fields. Furthermore, in cells where the cell thickness is smaller than the pitch (d<l), the twisted structure is usually unraveled, so it is said that a memory effect occurs in which the molecules remain in the same state even after the electric field is removed.

第6図ta1. fblにおいて51は電界の方向、5
2は分子の永久双極子モーメント、53は層構造、54
は傾き角θ、55は偏光子P、検光子Aの偏光軸をそれ
ぞれ表している。
Figure 6 ta1. In fbl, 51 is the direction of the electric field, 5
2 is the permanent dipole moment of the molecule, 53 is the layer structure, 54
represents the tilt angle θ, and 55 represents the polarization axes of the polarizer P and analyzer A, respectively.

この明状態の通過光強度Iは次式によって与えられる。The transmitted light intensity I in this bright state is given by the following equation.

1−11sin24θ×sin 2 (rt a n 
d /λ)・・・・・・(1) ここでΔnは強誘電性液晶の屈折率の異方性、11は偏
光子を通った後の入射光強度、λは波長、θは液晶分子
の傾き角、dは液晶層の厚みを表している。この表示方
式は一般に複屈折モードと呼ばれている。
1-11 sin24θ×sin 2 (rt a n
d / λ) ... (1) where Δn is the anisotropy of the refractive index of the ferroelectric liquid crystal, 11 is the incident light intensity after passing through the polarizer, λ is the wavelength, and θ is the liquid crystal molecule The tilt angle and d represent the thickness of the liquid crystal layer. This display method is generally called birefringence mode.

この式を人間の眼によって感じる明るさの量である輝度
(Y値)で表すと次式のようになる。
This equation can be expressed as the following equation in terms of brightness (Y value), which is the amount of brightness perceived by the human eye.

Y=l/Kot [3(λ)弓(λ)・y(λ)] d
λ・・・・・・(2) 但し、S(λ):光源の分光分布 (等エネルギー光源) ■ (λ);強誘電性液晶パネルの分光分布y(λ):
視感度曲線 積分範囲:380nm〜700nm このY値をand(位相差)に対して計算式によりプロ
ットしたものを第7図に示す。このとき傾き角θは最も
明るい状態をとるようにθ−22,5@とじた。
Y=l/Kot [3(λ) bow(λ)・y(λ)] d
λ・・・・・・(2) However, S(λ): Spectral distribution of light source (equal energy light source) ■ (λ); Spectral distribution of ferroelectric liquid crystal panel y(λ):
Visibility curve integral range: 380 nm to 700 nm FIG. 7 shows a plot of this Y value against and (phase difference) using a calculation formula. At this time, the tilt angle θ was set to θ-22.5@ so as to take the brightest state.

第7図よりand(位相差)によりY値が大きく変化す
ることがわかる。また、このときセル厚むらによる色差
ΔEl(セル厚むらによる色むらを表す)をandに対
してプロットしたものを第8図に示す、第8図において
セル厚むらは0.2μmとして計算した0色差の計算は
CIELAB均等色差空間を用いて次式によって行った
It can be seen from FIG. 7 that the Y value changes greatly depending on and (phase difference). At this time, the color difference ΔEl (representing color unevenness due to cell thickness unevenness) due to cell thickness unevenness is plotted against and in FIG. 8. In FIG. 8, cell thickness unevenness is calculated assuming 0.2 μm. The color difference was calculated using the CIELAB uniform color difference space using the following equation.

ΔE*−[(ΔL*) 2 + (Δa*)2+(Δb
’l’)2]         ・・・・・・(3)但
し、 L*−116(Y/Y0) −16 a *−500[(X/X0)−(Y/Y、)]b*−
20Or (Y/Y0)−(Z/Z、)]ここでX、、
Y、、Z0は基準白色面の三刺激値であり、X、Y、Z
は測色物の三刺激値を示している。ΔL*、Δa*、Δ
b*は異なる測色物におけるL*、  a*、  b*
の差を示しており、ここではあるセル厚fd)とそれよ
り0.2μm厚いセル厚(d+0.2μm)との差を示
している。第7図、第8図より、最も明るく、色差(色
むら)の小さいand(位相差)は約0,28μmであ
ることがわかる0強誘電性液晶の複屈折の異方性(Δn
)と通常、0.13〜Q、L8であるためセル厚は1.
5〜2.2μm程度と非常に薄くする必要があることが
わかる。
ΔE*−[(ΔL*) 2 + (Δa*)2+(Δb
'l')2] ......(3) However, L*-116(Y/Y0) -16 a *-500[(X/X0)-(Y/Y,)]b*-
20Or (Y/Y0)-(Z/Z,)] where X,,
Y, , Z0 are the tristimulus values of the reference white surface, and X, Y, Z
indicates the tristimulus values of the colorimetric object. ΔL*, Δa*, Δ
b* is L*, a*, b* in different colorimetric objects
Here, it shows the difference between a certain cell thickness fd) and a cell thickness 0.2 μm thicker (d+0.2 μm). From Figures 7 and 8, it can be seen that the brightest and (phase difference) with the smallest color difference (color unevenness) is approximately 0.28 μm.The birefringence anisotropy (Δn
) and usually 0.13~Q, L8, so the cell thickness is 1.
It can be seen that it is necessary to make the film very thin, about 5 to 2.2 μm.

(文献:福田、竹添、近藤、二強誘電性液晶を使った高
速ディスプレイ、オブトロニクス、9合。
(Reference: Fukuda, Takezoe, Kondo, High-speed display using diferroelectric liquid crystal, Obtronics, 9th edition.

64頁、1983年) しかし、以上のような表示方法を用いるためには第6図
(al、 (blのように強誘電性液晶層はある一定の
方向付けがなされていなければならない、ある一定の方
向付けがなされたセルはモノドメインセルと呼ばれてい
る。
64, 1983) However, in order to use the display method described above, the ferroelectric liquid crystal layer must be oriented in a certain way, as shown in Figure 6 (al, (bl). Cells with this orientation are called monodomain cells.

強誘電性液晶は層構造を有するため通常のネマチック液
晶よりも配向させにくいと言われていた。
Ferroelectric liquid crystals have a layered structure and are said to be more difficult to align than ordinary nematic liquid crystals.

従来では強誘電性液晶を配向させる手段としてシアリン
グ法、温度勾配法、ラビング法などが用いられていた。
Conventionally, shearing method, temperature gradient method, rubbing method, etc. have been used as means for aligning ferroelectric liquid crystals.

これらの配向法ではシアリング法。Among these orientation methods is the shearing method.

温度勾配法は生産性が悪いという欠点があった。The temperature gradient method has the disadvantage of poor productivity.

ラビング法はネマチ7り液晶で広く用いられており強誘
電性液晶でもよく用いられている。このラビング法につ
いて図を用いて説明する。
The rubbing method is widely used for nematic liquid crystals and is also often used for ferroelectric liquid crystals. This rubbing method will be explained using figures.

第9図ta1. (b)は等方性液体(I s o)か
らスメクチックA相(SmA) 、を経て強誘電性を示
すスメクチックCカイラル相(SmC*)となる相転移
系列を有する強誘電性液晶をラビング法によって配向さ
せたときの模式図である。
Figure 9 ta1. (b) is a rubbing method of a ferroelectric liquid crystal that has a phase transition series from an isotropic liquid (Iso) to a smectic A phase (SmA) to a smectic C chiral phase (SmC*) exhibiting ferroelectricity. FIG.

配向について説明する前にスメクチック人相のよびスメ
クチックCカイラル相について図を用いて説明する。
Before explaining the orientation, the smectic human phase and the smectic C chiral phase will be explained using diagrams.

第8図(al、 (blはスメクチックA相とスメクチ
ックCカイラル相の構造をそれぞれ模式化したものであ
る。この図は強誘電性液晶パネルとしてみると基板に対
して垂直方向から見た図である。スメクチックA相、ス
メクチックCカイラル相のどちらも層構造を有している
がスメクチック人相では第9図(alのように分子の長
軸方向が層重線方向に対して平行になっており、第9図
(b)のスメクチックCカイラル相では分子の長軸方向
は層重線方向に対して±θだけ傾いていることがわかる
Figure 8 (al, (bl) is a schematic representation of the structure of the smectic A phase and the smectic C chiral phase, respectively. This figure is a ferroelectric liquid crystal panel viewed from the direction perpendicular to the substrate. Both the smectic A phase and the smectic C chiral phase have a layered structure, but in the smectic human phase, the long axis direction of the molecules is parallel to the layer line direction as shown in Figure 9 (al). It can be seen that in the smectic C chiral phase shown in FIG. 9(b), the long axis direction of the molecules is tilted by ±θ with respect to the direction of the interlayer lines.

第9図tal、 (blにおいて81は液晶分子、82
は層構造、83は分子長軸方向、84は層重線方向、8
5は傾き角θ、86は上下基板のラビング方向を表して
いる。
Figure 9 tal, (in bl, 81 is a liquid crystal molecule, 82
is the layer structure, 83 is the molecular long axis direction, 84 is the layer stacking line direction, 8
5 represents the tilt angle θ, and 86 represents the rubbing direction of the upper and lower substrates.

次にこのような相転移系列を有する強誘電性液晶の配向
について説明する。
Next, the orientation of a ferroelectric liquid crystal having such a phase transition series will be explained.

第9図<alは等方性液体からスメクチックA相に転移
したときの分子の配向の模式図で、ここで分子はスメク
チックA相であるため層構造に対して垂直にその分子長
軸を有している。そのためラビングを施した場合そのラ
ビング方向(配向容易軸)に対して液晶分子長軸が平行
に配向し結果として第9図18)のように層重線方向と
層は平行となる0次にスメクチックA相から強誘電性を
示すスメクチックCカイラル相に相転移するとき層構造
は弾性変形に要するエネルギーが大きいため分子が層内
で傾き層構造はそのまま保たれる。結果として第9図(
blのように層重線方向はラビング方向に平行のままで
分子がラビング方向よりずれた配向状態となる。
Figure 9<al is a schematic diagram of the orientation of molecules when transitioning from an isotropic liquid to a smectic A phase.Since the molecules are in the smectic A phase, their long axes are perpendicular to the layer structure. are doing. Therefore, when rubbing is applied, the long axes of liquid crystal molecules are aligned parallel to the rubbing direction (easy alignment axis), resulting in a zero-order smectic structure in which the layer is parallel to the layer stacking direction as shown in Figure 9, 18). When phase transition occurs from the A phase to the smectic C chiral phase exhibiting ferroelectricity, the layered structure requires a large amount of energy for elastic deformation, so molecules are tilted within the layer and the layered structure is maintained as it is. As a result, Figure 9 (
As shown in bl, the layer stacking line direction remains parallel to the rubbing direction, but the molecules are oriented deviated from the rubbing direction.

しかしながらこのような配向状態では強誘電性液晶分子
は層内で第3図のようにコーンの外側を自由に動くこと
ができるため配向容易軸であるラビング方向にもどって
しまうことが考えられる。
However, in such an alignment state, the ferroelectric liquid crystal molecules can move freely outside the cone within the layer as shown in FIG. 3, so it is conceivable that they return to the rubbing direction, which is the axis of easy alignment.

次に蒸着の従来例を示す。Next, a conventional example of vapor deposition will be shown.

斜め蒸着法はネマチック液晶の配向性として従来、一部
で用いられていたが現在はラビング法が主流を占めてい
る。斜め蒸着法について図を用いて説明する。
Although the oblique vapor deposition method has traditionally been used in some cases to improve the orientation of nematic liquid crystals, the rubbing method is currently the mainstream. The oblique vapor deposition method will be explained using figures.

斜め蒸着法の実際のやり方を第10図に示す。The actual method of oblique vapor deposition is shown in FIG.

真空状態となる蒸着釜(ペルジャー)内に蒸着源があり
、それは電流を流すことにより加熱することができるよ
うになっている。セル基板は基板垂線方向から蒸着方向
に対してθだけ傾けてθセットされる。
There is a deposition source inside a vacuum deposition vessel (pellger), which can be heated by passing an electric current through it. The cell substrate is set at an angle of θ with respect to the vapor deposition direction from the direction perpendicular to the substrate.

91−へルジャー、92−セル基板 93−蒸着源、   94−傾き角θ 斜め蒸着を行うことによって表面には第11図に示すよ
うなカラム状の小さな突起101が無数に存在する構造
ができる。これは通常、セルフシャドウィングと呼ばれ
る効果により生じるものと言われている。 この時、傾
き角θ102を変化させることによりネマチック液晶分
子の配向に違いが生じる。このことについて図を用いて
説明する。
91 - Herger, 92 - Cell substrate 93 - Vapor deposition source, 94 - Tilt angle θ By performing oblique vapor deposition, a structure in which countless small column-shaped protrusions 101 are present on the surface as shown in FIG. 11 is created. This is usually said to be caused by an effect called self-shadowing. At this time, by changing the tilt angle θ102, a difference occurs in the orientation of the nematic liquid crystal molecules. This will be explained using figures.

(1)蒸着角・度(θ)75@〜85°のときθが75
°〜85″のとき第12図(alに示すように液晶分子
は蒸着方向にその分子長軸方向+nl 111を平行に
配向する。このため液晶分子はプレチルト角を15度か
ら30度程度有するとされている。
(1) When evaporation angle/degree (θ) is 75@~85°, θ is 75
As shown in Figure 12 (al) when the angle is between 85° and 85'', the liquid crystal molecules are oriented with their long axis direction +nl 111 parallel to the deposition direction.For this reason, the liquid crystal molecules have a pretilt angle of about 15 degrees to 30 degrees. has been done.

(2)  蒸着角度(θ)〜60@のときθが〜60度
のとき第11図(blに示すように液晶分子は蒸着方向
にその分子長軸方向を垂直に配向する。このときプレチ
ルト角は約0度である。
(2) When the deposition angle (θ) is ~60@ When θ is ~60 degrees, the liquid crystal molecules are aligned with their long axes perpendicular to the deposition direction as shown in Figure 11 (bl).In this case, the pretilt angle is approximately 0 degrees.

これらの蒸着角度の違いによる配向の違いは表面のカラ
ム構造に対して分子がどの方向に配列したとき最も弾性
変形のネルギーが小さくてすむかに依存していると言わ
れている。
It is said that the difference in orientation due to the difference in deposition angle depends on which direction the molecules are aligned with respect to the column structure on the surface to minimize the energy of elastic deformation.

スメクチック液晶、あるいは強誘電性液晶において配向
方法に斜め蒸着法が用いられた例は2〜3ある。しかし
、それらはセル厚が厚い状態(〜7μm以上)で用いて
おり、完全なメモリー性などについて電圧−輝度曲線(
B−V曲線)などは測定しておらず、またプレチルト角
の表示装置としての有用性についても殆ど言及していな
い。
There are a few examples in which oblique vapor deposition was used as an orientation method for smectic liquid crystals or ferroelectric liquid crystals. However, they are used in a state where the cell thickness is thick (~7 μm or more), and the voltage-luminance curve (
BV curve), etc., and there is almost no mention of its usefulness as a pretilt angle display device.

斜め蒸着法の参考文献: (1)タプリュ、アルバック、エム、ボイクス。References for oblique deposition method: (1) Taplu, Ulbach, M, Boix.

イー、ギイヨン;蒸着膜上のネマチック相とスメクチッ
ク相の配向、アブライラド フィジックス レター、2
5巻 9号(1)479頁  1974年 (W、ur
bach+  M、Boix、andE、  Guyo
n ; Alignment of nematics
 andsmec−tics on evaporat
ed  fi1ms+  AppliedPhysic
s  Letters、VOL、25.NO,9,I 
P、479November  1974  ) (2)上本勉、岩崎泰部、吉野勝己、大石嘉雄;スメク
チック強誘電性液晶の電気光学的性質(2)、第4回 
液晶討論会 予稿集(1978年)講演番号 3R13 発明が解決しようとする問題点 (1)  従来、強誘電性液晶の配向制御には工業的に
有利なラビング法が用いられていたがこの方法では強誘
電性液晶分子に電圧が印加された場合メモリー効果が小
さいことが問題であった。以下、図を用いてこのことを
説明する。
Guillon, E.; Orientation of nematic and smectic phases on deposited films, Abraillard Physics Letters, 2
Volume 5, No. 9 (1), page 479, 1974 (W, ur
bach+ M, Boix, and E, Guyo
n ; Alignment of nematics
andsmec-tics on evaporat
ed fi1ms+ Applied Physics
s Letters, VOL, 25. NO, 9, I
P, 479November 1974) (2) Tsutomu Uemoto, Yasube Iwasaki, Katsumi Yoshino, Yoshio Oishi; Electro-optical properties of smectic ferroelectric liquid crystals (2), 4th
Liquid Crystal Symposium Proceedings (1978) Lecture Number 3R13 Problems to be Solved by the Invention (1) Conventionally, an industrially advantageous rubbing method was used to control the alignment of ferroelectric liquid crystals, but this method The problem is that the memory effect is small when voltage is applied to ferroelectric liquid crystal molecules. This will be explained below using figures.

第13図(al、 (b)、 fc)はラビング配向さ
れた強誘電性液晶パネルに電圧を印加した状態を模式的
に表したものである。ここで第13図(alは紙面の裏
から裏方法に電圧を印加した状態、第13口出)は紙面
の表から裏方向に電圧を印加した状態を示している。
FIG. 13 (al, (b), fc) schematically shows a state in which a voltage is applied to a ferroelectric liquid crystal panel subjected to rubbing alignment. Here, FIG. 13 (al indicates a state in which a voltage is applied from the back side of the page to the back side, the 13th exit) shows a state in which a voltage is applied from the front side to the back side of the page.

この二つの状態で強誘電性液晶層の大部分は電界方向に
それぞれ向いている。そのため適当に偏光子と検光子の
位置を決めてやれば明暗の状態を電界の極性によって得
ることができる。
In these two states, most of the ferroelectric liquid crystal layer is oriented in the direction of the electric field. Therefore, by appropriately determining the positions of the polarizer and analyzer, bright and dark states can be obtained depending on the polarity of the electric field.

ここまでは第6図tag、 (blと同じである。次に
電界をゼロ、つまり無印加状態にすると配向容易軸であ
るラビング軸に強誘電性液晶分子はもどってしまい第1
3図(C1のような状態になってしまう、これは結局、
メモリー性が劣化していることを示している。
The steps up to this point are the same as those in Figure 6 (tag and (bl).Next, when the electric field is set to zero, that is, no application is applied, the ferroelectric liquid crystal molecules return to the rubbing axis, which is the axis of easy alignment, and the first
Figure 3 (This results in a state like C1, which is, after all,
This indicates that memory performance has deteriorated.

第13図1al 、 Tol 、 [clにおいて12
1は強誘電性液晶分子、122は層構造、123はラビ
ング方向、124は電界の方向を表している。
Figure 13 1al, Tol, [12 in cl.
1 represents a ferroelectric liquid crystal molecule, 122 represents a layer structure, 123 represents a rubbing direction, and 124 represents an electric field direction.

これらのことを実際に示すため第14図に示すようなラ
ビングによる液晶パネルを作成した。
In order to demonstrate these facts, a liquid crystal panel as shown in FIG. 14 was prepared by rubbing.

ここで131は上下の偏光板、132は上下のガラス基
板、133は透明電極層、134は配向処理を施した有
機高分子膜層、135は強誘電性液晶層、136は対向
基板間の距離(セルw、)を一定にさせるためのスペー
サーを表している。このように対向電極間に強誘電性液
晶を封入し強誘電性液晶パネルを作成した。
Here, 131 is the upper and lower polarizing plate, 132 is the upper and lower glass substrate, 133 is a transparent electrode layer, 134 is an organic polymer film layer subjected to alignment treatment, 135 is a ferroelectric liquid crystal layer, and 136 is the distance between the opposing substrates. It represents a spacer for keeping (cell w,) constant. In this way, a ferroelectric liquid crystal panel was created by sealing ferroelectric liquid crystal between the opposing electrodes.

実験に用いた強誘電性液晶材料はエステル系の温度範囲
がO℃〜58℃まで強誘電性を示す液晶材料を用いて行
った。下に用いた強誘電性液晶の相転移温度を示す。
The ferroelectric liquid crystal material used in the experiment was an ester-based liquid crystal material that exhibits ferroelectricity in the temperature range of 0°C to 58°C. The phase transition temperature of the ferroelectric liquid crystal used below is shown.

Cr −SmCSmA    Ch 〜0℃   58℃   82℃ 一一一→Is。Cr-SmCSmA Ch ~0℃  58℃  82℃ 111→Is.

95℃ ここで、Cr :結晶相 SmC:スメクチックCカイラル相 SmA :スメクチックA相 Ch :コレステリツク相 I30:等方性液体 また、この結晶の複屈折異方性(」n)はセナルモン型
コンペイセイターを用いて測定したところ0.14であ
った。
95℃ Here, Cr: Crystal phase SmC: Smectic C chiral phase SmA: Smectic A phase Ch: Cholesteric phase I30: Isotropic liquid Also, the birefringence anisotropy ('n) of this crystal is a Senarmont type compensator. It was 0.14 when measured using.

配向方向はガラス基板上に設けた有機高分子膜をラビン
グし、液晶注入後、100℃までパネルを加熱し等方性
液体とした後、ゆっくりと徐冷する(0.6℃/m1n
)ことによりスメクチックCカイラル相のモノドメイン
を得た。
The orientation direction is determined by rubbing the organic polymer film provided on the glass substrate, and after injecting the liquid crystal, heating the panel to 100°C to make it an isotropic liquid, and then slowly cooling it (0.6°C/m1n).
), a smectic C chiral phase monodomain was obtained.

次にこのパネルを用いて電圧−透過率曲線(以下、B−
V曲線とする)を測定した。
Next, using this panel, a voltage-transmittance curve (hereinafter referred to as B-
V curve) was measured.

B−V曲線の測定に用いた光学実験系を第15図に示す
。第15図において光源141より発せられた白色光は
偏光子142を通り液晶セル143に直線偏光として入
射した後、検光子144を通って集光レンズ145によ
って集光され光電子倍増管146で感知され、ストレー
ジオシロ147によりB−V曲線として測定される。な
お液晶セルにはプログラムパルスジェネレーター148
により任意の波形を加えることができるようにした。
FIG. 15 shows the optical experimental system used for measuring the BV curve. In FIG. 15, white light emitted from a light source 141 passes through a polarizer 142 and enters a liquid crystal cell 143 as linearly polarized light, passes through an analyzer 144, is focused by a condensing lens 145, and is sensed by a photomultiplier tube 146. , is measured by the storage oscilloscope 147 as a BV curve. Furthermore, the liquid crystal cell has a program pulse generator 148.
Now you can add arbitrary waveforms.

このような実験系において前述の構成を有する強誘電性
液晶パネルのB−V曲線を測定した。
In such an experimental system, the BV curve of the ferroelectric liquid crystal panel having the above-mentioned configuration was measured.

また強誘電性液晶パネルのセル厚は2.8μmのものを
用いた。
Further, the cell thickness of the ferroelectric liquid crystal panel used was 2.8 μm.

得られたB−V曲線を第16図に示す、第16図におい
て横軸は時間(tlであり、縦軸は電圧Vあるいは輝度
Bである。第16図(alは印加した電圧波形であり、
第16図(blは対応する輝度曲線である。第16図を
電圧波形の順に従って説明するとまずパルス高さ+10
v3幅2、Qmaの電圧が印加されたときに輝度は約3
2%と大きく明状態が得られた0次に電圧が無印加(O
v)のときに輝度は小さくなり、分子がラビング方向に
もどっていることがわかる。
The obtained BV curve is shown in Figure 16. In Figure 16, the horizontal axis is time (tl), and the vertical axis is voltage V or brightness B. Figure 16 (al is the applied voltage waveform). ,
Fig. 16 (bl is the corresponding brightness curve. Fig. 16 is explained in the order of voltage waveforms. First, the pulse height +10
v3 width 2, brightness is about 3 when a voltage of Qma is applied
A bright state as large as 2% was obtained when no voltage was applied to the 0th order (O
It can be seen that the brightness decreases at the time of v), and the molecules return to the rubbing direction.

また−1Ovの電圧が印加されたとき輝度は小さくなり
約1%と最も暗い状態となる。しかし、また電圧無印加
の状態となると輝度は再び大きくなり先程の無印加の状
態と同じ輝度となってしまう。これは電界無印加時に分
子がもどってしまうことに起因することでメモリー効果
の無いことを示している。
Further, when a voltage of -1 Ov is applied, the brightness decreases to about 1%, which is the darkest state. However, when the voltage is not applied again, the brightness increases again and becomes the same brightness as the previous state when no voltage is applied. This is due to the molecules returning when no electric field is applied, indicating that there is no memory effect.

(2)従来、強誘電性液晶パネルは複屈折効果を利用す
るため明るさ、色むらの点でセル厚を〜2μm程度と非
常に薄くする必要があった。これは生産性から考えると
非常に不利なことであった。
(2) Conventionally, ferroelectric liquid crystal panels utilize the birefringence effect, so it has been necessary to make the cell thickness very thin, about 2 μm, in order to reduce brightness and color unevenness. This was extremely disadvantageous in terms of productivity.

問題点を解決するための手段 (1)従来のラビング法による一軸処理ではなく無機物
を斜め方向から革着することにより無機物がある一定方
向に微細な突起群を持つような表面構造にする。この表
面構造により、液晶分子は弾性変形の最も少ない構造に
配向することになる。
Means for solving the problem (1) Instead of uniaxial processing using the conventional rubbing method, the inorganic material is applied diagonally to create a surface structure in which the inorganic material has a group of minute protrusions in a certain direction. This surface structure causes the liquid crystal molecules to align in a structure with the least elastic deformation.

この効果による配向はラビング法による一軸処理とは異
なり、メモリー効果の大きい強誘電性液晶パネルを実現
できる。
The alignment due to this effect is different from the uniaxial treatment using the rubbing method, and it is possible to realize a ferroelectric liquid crystal panel with a large memory effect.

(2)  従来の強誘電性液晶パネルは強誘電性液晶分
子が基板表面に対して殆ど傾き角(以後、プレチルト角
と呼ぶ)が0度に近い状態で配向しているためセル厚を
〜2μm程度に薄<シなければならなかった。しかし、
プレチルト角を大きくすることで見掛は上の屈折率の異
方性(Δn)を小さくすることができる。これによりセ
ル厚fd+を従来の方式よりも厚くすることができ、生
産性のよい強誘電性液晶パネルを実現できる。
(2) In conventional ferroelectric liquid crystal panels, the ferroelectric liquid crystal molecules are oriented with a tilt angle (hereinafter referred to as pretilt angle) of almost 0 degrees with respect to the substrate surface, so the cell thickness is limited to ~2 μm. It had to be fairly thin. but,
By increasing the pretilt angle, the apparent anisotropy (Δn) of the upper refractive index can be decreased. As a result, the cell thickness fd+ can be made thicker than in the conventional method, and a ferroelectric liquid crystal panel with good productivity can be realized.

作用 (1)  ラビング法による一軸処理とは異なり無機物
を斜め方向から華着することにより$、機物がある一定
方向に微細な突起群を持つような表面構造にする。この
表面構造により、液晶分子は弾性変形の最も少ない構造
に配向することになる。
Effect (1) Unlike the uniaxial treatment using the rubbing method, by applying the inorganic material from an oblique direction, the surface structure of the material is created such that the material has a group of minute protrusions in a certain direction. This surface structure causes the liquid crystal molecules to align in a structure with the least elastic deformation.

この結果による配向はラビング法による強い一軸処理と
は異なり、メモリー効果の大きい強誘電性液晶パネルを
実現できる。
The resulting orientation is different from the strong uniaxial treatment using the rubbing method, and it is possible to realize a ferroelectric liquid crystal panel with a large memory effect.

(2)基板表面に対して大きなプレチルト角を持たせる
ことにより見掛けのΔnを小さくすることでセル厚を厚
くしても明るい、色づきの少ない強誘電性液晶パネルを
得ることができ、生産性が良い強誘電性液晶パネルを実
現できる。
(2) By reducing the apparent Δn by having a large pretilt angle with respect to the substrate surface, it is possible to obtain a bright ferroelectric liquid crystal panel with less coloring even when the cell thickness is increased, increasing productivity. A good ferroelectric liquid crystal panel can be realized.

実施例 以下本発明の一実施例について図面を用いて説明する。Example An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

実施例1 実施例に用いた斜め蒸着法の行い方は従来例で述べた第
10図の構成を用いた。
Example 1 The oblique vapor deposition method used in this example was performed using the configuration shown in FIG. 10 described in the conventional example.

蒸着源としてタンタルボードを用い、蒸着物質として一
酸化ケイ素(Sin)を用いた。
A tantalum board was used as a deposition source, and silicon monoxide (Sin) was used as a deposition material.

基板はガラス基板上に導電性インジウム、スズ酸化物を
蒸着したもの(ITO基板)を用いた。
The substrate used was a glass substrate on which conductive indium and tin oxide were deposited (ITO substrate).

蒸着角度は85度と60度の両方を用いた。蒸着速度は
約20人/ s e c 、膜厚は基板垂直方向からの
厚さで約800人とした。
Both 85 degrees and 60 degrees were used as the deposition angle. The deposition rate was about 20 people/sec, and the film thickness was about 800 people per second in the direction perpendicular to the substrate.

このように斜め蒸着を行ったITO基板を用いて強誘電
性液晶パネルを作成した。セル構成は第14図に示した
セル構成と本質的に同じである。
A ferroelectric liquid crystal panel was created using the ITO substrate subjected to oblique vapor deposition in this manner. The cell configuration is essentially the same as that shown in FIG.

上下基板の蒸着方向は上下で反平行となるようにした。The deposition directions of the upper and lower substrates were made to be antiparallel.

実施例に用いた強誘電性液晶材料は従来例で用いたもの
と同じエステル系の混合物である。
The ferroelectric liquid crystal material used in the examples is the same ester mixture as used in the conventional examples.

このようなセルに強誘電性液晶を真空中で注入し徐冷す
ることにより良好に配向したモノドメインの強誘電性液
晶パネルを得た。セル厚は3μmとした。
By injecting ferroelectric liquid crystal into such a cell in a vacuum and slowly cooling it, a well-oriented monodomain ferroelectric liquid crystal panel was obtained. The cell thickness was 3 μm.

このときの配向は蒸着角度により異なっていた。The orientation at this time differed depending on the deposition angle.

蒸着角度が85度のとき液晶分子の長軸方向は蒸着方向
と一致していたが60度のときは蒸着方向に垂直にその
長軸方向を有していた。
When the deposition angle was 85 degrees, the long axis direction of the liquid crystal molecules coincided with the deposition direction, but when the deposition angle was 60 degrees, the long axis direction was perpendicular to the deposition direction.

この強誘電性液晶パネルを従来例で述べた光学系を用い
てB−V曲線を測定し、メモリー効果を調べた。結果を
第1図ial、 fblと第2図(a)、山)に示す。
The BV curve of this ferroelectric liquid crystal panel was measured using the optical system described in the conventional example, and the memory effect was investigated. The results are shown in Fig. 1 (ial, fbl) and Fig. 2 (a), mountain).

ここで第1図+a+、 (blは蒸着角度が85度、第
2図(al、 (blは60度の強誘電性液晶パネルで
ある。
Here, FIG. 1 +a+, (bl is a ferroelectric liquid crystal panel in which the deposition angle is 85 degrees, and FIG. 2 (al, (bl is 60 degrees).

第1図(al、 (blを用いて説明する。This will be explained using FIG. 1 (al, (bl).

第1図(al、 (blより、パルス高さ+IOV、幅
2、Qnのパルスが印加されたとき輝度は約32%と大
きく明状態が得られた。次に電圧が無印加(Ov)とな
ったときにも輝度はそのままで分子がパルス印加時と同
じ場所におり、メモリー効果があることがわかる。
From Figure 1 (al, (bl), when a pulse with pulse height + IOV, width 2, and Qn was applied, a bright state with a brightness of approximately 32% was obtained.Next, when no voltage was applied (Ov), a bright state was obtained. Even when the pulse is applied, the brightness remains the same and the molecules are in the same location as when the pulse was applied, indicating a memory effect.

また−10Vのパルスが印加されると輝度は小さくなり
約1%と最も暗い状態となった。
Further, when a pulse of -10V was applied, the brightness decreased to about 1%, which was the darkest state.

また電圧無印加の状態となっても輝度はそのままでメモ
リー効果の強いことがわかる。
It can also be seen that even when no voltage is applied, the brightness remains the same and the memory effect is strong.

これは第2図Tal、 (blでも同じであり、蒸着角
度が85度でも60度でも強いメモリー効果が得られた
This is the same for Tal and (bl) in Figure 2, and a strong memory effect was obtained whether the deposition angle was 85 degrees or 60 degrees.

実施例2 次ニ<さび型にセル厚を徐々に厚くしたセルを用いて色
相の変化を測定した。
Example 2 Changes in hue were measured using a cell in which the cell thickness was gradually increased in a rust-like pattern.

くさび型セルの構成を第17図に示す。The structure of the wedge-shaped cell is shown in FIG.

第17図において161はガラス基板、162はITO
[とそのうえにSiOの斜め蒸着層あるいはラビングを
施された有機高分子膜層を有する層、163は強誘電性
液晶層、164はセル厚調整のためのスペーサー、16
5は蒸着方向、あるいはラビング方向の組合せ方を示す
In Fig. 17, 161 is a glass substrate, 162 is an ITO
163 is a ferroelectric liquid crystal layer; 164 is a spacer for adjusting the cell thickness;
5 indicates the combination of the deposition direction or the rubbing direction.

セル厚の変化は1μm〜7μmであり、85度蒸着、6
0度蒸着及びラビング法によって配向させた強誘電性液
晶パネルをそれぞれ作成した。これらの強誘電性液晶パ
ネルのセル厚の違いによる電界時の輝度を及び色相を色
彩光度計により測定した0色彩光度計はマクベス社製の
ものを用いた。
The change in cell thickness is 1 μm to 7 μm, 85 degree evaporation, 6
Ferroelectric liquid crystal panels oriented by 0-degree vapor deposition and rubbing methods were prepared. The luminance and hue of these ferroelectric liquid crystal panels in an electric field due to differences in cell thickness were measured using a colorimeter manufactured by Macbeth.

まず、60度蒸着及びラビングセルについてセル厚と輝
度の関係を第18図に示す。
First, FIG. 18 shows the relationship between cell thickness and brightness for 60 degree evaporation and rubbing cells.

ここでQ印は60度蒸着、×印はラビングセルをそれぞ
れ示す。
Here, the mark Q indicates 60 degree evaporation, and the mark x indicates a rubbing cell.

次に85度蒸着の強誘電性液晶パネルのセル厚と輝度の
関係を第19図に示す。
Next, FIG. 19 shows the relationship between cell thickness and brightness of a ferroelectric liquid crystal panel deposited at 85 degrees.

強誘電性液晶パネルのセル厚と輝度の関係は従来例で述
べたように理論的に(1)式で与えられる。
The relationship between cell thickness and brightness of a ferroelectric liquid crystal panel is theoretically given by equation (1) as described in the conventional example.

第7図における理論式より与えられる輝度曲線は大体、
andが約0.28あたりで最も明るい状態を持つよう
になっている。これは第18図から60度蒸着セル、ラ
ビングセルにおいてはどちらもセル厚が約2.0μmで
最も明るい状態になっており、本実施例の液晶材料はΔ
nが約0.13であるためAndとして0.28あたり
となり、理論式と対応している。
The brightness curve given by the theoretical formula in Figure 7 is approximately
The brightest state is reached when and is about 0.28. From FIG. 18, both the 60 degree vapor deposition cell and the rubbing cell are at their brightest when the cell thickness is approximately 2.0 μm, and the liquid crystal material of this example is Δ
Since n is approximately 0.13, And is approximately 0.28, which corresponds to the theoretical formula.

第19図における85度蒸着セルでは最も明るくなるセ
ル厚が約2.6μmとなっておりAndで0.36あた
りと、理論式よりもセル厚の厚いところで明るいことが
わかる。
In the 85 degree evaporation cell shown in FIG. 19, the cell thickness at which the brightness is the highest is approximately 2.6 μm, and And is approximately 0.36, which indicates that the cell thickness is brighter than the theoretical formula.

これは斜め蒸着法の説明で述べたように85度蒸着では
大きなプレチルト角を有するからと考えられる。
This is considered to be because, as described in the explanation of the oblique vapor deposition method, 85 degree vapor deposition has a large pretilt angle.

プレチルト角を有するため見掛けの複屈折異方性(Δn
)をAneffとし、プレチルト角をθpとすると屈折
率楕円体の式よりAneffは次式で与えられる。
Apparent birefringence anisotropy (Δn
) is Aneff, and the pretilt angle is θp, Aneff is given by the following equation from the formula of the refractive index ellipsoid.

ΔneH=Δn’cOa2 θp       ・−・
・e(ηここで実際のプレチルト角を測定した。
ΔneH=Δn'cOa2 θp ・-・
・e(η Here, the actual pretilt angle was measured.

強誘電性液晶状態のプレチルト角は測定しにくいのでネ
マチック液晶を用いた。このプレチルト角の測定法はヌ
ルキャパシタンス法と呼ばれる方法で行った。
Since it is difficult to measure the pretilt angle in a ferroelectric liquid crystal state, a nematic liquid crystal was used. The pretilt angle was measured using a method called the null capacitance method.

この結果、85度蒸着セルのプレチルト角は約25度で
あることがわかった。(7)式にプレチルト角の25度
とΔnの0.13の値をそれぞれ代入するとAneff
は0.107という値になる。
As a result, it was found that the pretilt angle of the 85 degree vapor deposition cell was approximately 25 degrees. By substituting the pretilt angle of 25 degrees and the value of Δn of 0.13 into equation (7), Aneff
has a value of 0.107.

Tl1式による理論計算より最も明るくなるAndは約
0.28であるためセル厚はΔnが0.13のとき2.
1μmの必要があったがプレチルト角ををするためAn
effが0.115と小さくなった場合、セル厚が約2
.6μmで最も明るくなることになる。これは85度蒸
着セルの輝度の測定結果とほぼ一致している。
According to the theoretical calculation using the Tl1 formula, the brightest And is about 0.28, so the cell thickness is 2.0 when Δn is 0.13.
1μm was required, but in order to adjust the pre-tilt angle,
When eff is as small as 0.115, the cell thickness is approximately 2
.. It will be the brightest at 6 μm. This almost agrees with the results of measuring the brightness of the 85 degree evaporation cell.

次にプレチルト角を0度から大きくしていったときのΔ
neff/Δnの変化をプロットした図を第20図に示
す。
Next, Δ when increasing the pretilt angle from 0 degrees
FIG. 20 shows a plot of changes in neff/Δn.

第20図よりプレチルト角が約10度ぐらいまでではΔ
neff/Δnは1からあまり変化せずAneffはあ
まり小さくなっていないことがわかる。
From Figure 20, when the pretilt angle is about 10 degrees, Δ
It can be seen that neff/Δn does not change much from 1, and Aneff does not become much smaller.

プレチルト角が10度以上ではΔneff/Δnの変化
量は大きくなり、Aneffか小さくなりセル厚が厚く
とも明るい状態が得られることがわかった。
It has been found that when the pretilt angle is 10 degrees or more, the amount of change in Δneff/Δn becomes large, Aneff becomes small, and a bright state can be obtained even if the cell thickness is thick.

また斜め蒸着法は強誘電性液晶パネルの配向を損なわず
にプレチルト角を大きくする良い方法であることがわか
った。
It was also found that the oblique vapor deposition method is a good method for increasing the pretilt angle without impairing the orientation of the ferroelectric liquid crystal panel.

発明の効果 (1)  本発明は斜め蒸着法を用いて強誘電性液晶の
配向を行うことでメモリー性の強い、表示品位の良好な
強誘電性液晶パネルを得ることができる効果を有する。
Effects of the Invention (1) The present invention has the effect that a ferroelectric liquid crystal panel with strong memory properties and good display quality can be obtained by aligning ferroelectric liquid crystal using an oblique vapor deposition method.

(2)  また大きなプレチルト角を有することで強誘
電性液晶パネルの見掛けのAneff  dを小さくし
、セル厚が厚くても明るい強誘電性液晶パネルを作成す
ることを可能とし、強誘電性液晶パネルの生産性を向上
させる効果を持つものである。
(2) In addition, by having a large pretilt angle, the apparent Aneff d of the ferroelectric liquid crystal panel is reduced, making it possible to create a bright ferroelectric liquid crystal panel even with thick cells. This has the effect of improving productivity.

(3)大きなプレチルト角は斜め蒸着法により良好な配
向とともに得ることができ強いメモリー性を持ち、かつ
セル厚の生産性の良い強誘電性液晶パネルを得ることが
できる効果も有する。
(3) A large pretilt angle can be obtained along with good alignment by the oblique vapor deposition method, which has the effect of making it possible to obtain a ferroelectric liquid crystal panel that has strong memory properties and good cell thickness productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図fat、 (blと第2図(al、 (blは斜
め蒸着を行った強誘電性液晶パネルのメモリー性を示す
特性図、第3図は強誘電性液晶の構造を表す模式図、第
4図は強誘電性液晶のねじれ構造を表す模式図、第いセ
ル厚の強誘電性液晶パネルにおいての動作原理を表す模
式図、第7図は強誘電性液晶パネルのAndと輝度の関
係の理論計算値をプロ7トしたグラフ、第8図は強誘電
性液晶パネルにおいて各々のAndに対してセル厚むら
としての色差の理論計算値をプロットしたグラフ、第9
図+1)、 (blはSmA相とSmC*相の構造とラ
ビングを行ったときの配向状態を示す模式図、第10図
は蒸着装置及び蒸着方法を示す模式図、第11図は斜め
蒸着を行ったときの表面状態を表す模式図、第12図f
at、 fblは蒸着方向を変えたときの液晶分子の配
向方向を表す模式図、第13図18+、 (bl、 f
clはラビング法による電界印加による強誘電性液晶の
動作とメモリー効果が小さいことを表す模式図、第14
図は従来例及び実施例で用いた強誘電性液晶パネルの構
造図、第15図は従来例及び実施例の17図は色測定に
用いたくさび型セルの模式図、第18図はラビングセル
及び60度蒸着セルのセル厚と輝度の実測値のプロット
したグラフ、第19図は85度蒸着セルにおけるセル厚
と輝度の実測値のプロットしたグラフ、第20図はプレ
チルト角とΔnef fの計算値をプロットしたグラフ
である。 121・・・・・・強誘電性液晶分子、122・・・・
・・層構造、123・・・・・・ラビング方向、124
・・・・・・電界の方向、131・・・・・・偏光板、
132・旧・・ガラス基板、133・・・・・・透明電
極層、134・・・・・・有機高分子膜層、135・・
・・・・強誘電性液晶層、136・・・・・・スペーサ
ー。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名第1図 (山ア 8% 閘<rnser−+ 第 2 図 (QJ+ (b〕 所間(―δec) 第3図 s 第4図 第5図 第6図 元ば   、71[(z〕 第9図 第10図 (J         0 第14図 第15図 第16図 1ts間(rnsec) 第18図 t: ノL、ノ1写−(メツ町 第19図 v  L 4  (μm〕 第20図 ツル力づルト角1dql
Figure 1 fat, (bl and Figure 2 al, (bl is a characteristic diagram showing the memory properties of a ferroelectric liquid crystal panel subjected to oblique vapor deposition, Figure 3 is a schematic diagram showing the structure of ferroelectric liquid crystal, Figure 4 is a schematic diagram showing the twisted structure of ferroelectric liquid crystal, a schematic diagram showing the operating principle in a ferroelectric liquid crystal panel with a small cell thickness, and Figure 7 is the relationship between And and brightness of a ferroelectric liquid crystal panel. Figure 8 is a graph plotting the theoretically calculated values of color difference as cell thickness unevenness for each And in a ferroelectric liquid crystal panel.
Figure +1), (bl is a schematic diagram showing the structure of the SmA phase and SmC* phase and the orientation state when rubbing is performed, Figure 10 is a schematic diagram showing the evaporation apparatus and method, and Figure 11 is a diagram showing the oblique evaporation. Schematic diagram showing the surface condition when the process is carried out, Figure 12f
at, fbl is a schematic diagram showing the alignment direction of liquid crystal molecules when the vapor deposition direction is changed, Fig. 1318+, (bl, f
cl is a schematic diagram showing the operation of ferroelectric liquid crystal by applying an electric field by the rubbing method and the small memory effect, No. 14
Figure 15 is a structural diagram of the ferroelectric liquid crystal panel used in the conventional example and example, Figure 15 is a schematic diagram of the wedge-shaped cell used for color measurement, and Figure 18 is a rubbing cell. Figure 19 is a graph plotting the measured values of cell thickness and brightness for a 60 degree evaporation cell, Figure 20 is a graph plotting the actual value of cell thickness and brightness for an 85 degree evaporation cell, and Figure 20 is the calculation of the pretilt angle and Δnef f. This is a graph plotting values. 121... Ferroelectric liquid crystal molecules, 122...
...Layer structure, 123...Rubbing direction, 124
...Direction of electric field, 131 ...Polarizing plate,
132・Old...Glass substrate, 133...Transparent electrode layer, 134...Organic polymer film layer, 135...
...Ferroelectric liquid crystal layer, 136...Spacer. Name of agent Patent attorney Toshio Nakao 1 person Figure 1 (Yamaa 8% Lock<rnser-+ Figure 2 (QJ+ (b) Between (-δec) Figure 3s Figure 4 Figure 5 Figure 6 original part, 71 [(z] Figure 9 Figure 10 (J 0 Figure 14 Figure 15 Figure 16 Figure 1ts interval (rnsec) Figure 18 t: No L, No 1 copy - (Metsu Town No. 19 Figure v L 4 (μm) Figure 20 Tortoise angle 1 dql

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)液晶層と前記液晶層を挾持するように配置した少
なくとも一枚は透明である複数の基板と、前記液晶層に
電圧印加が行えるように前記基板に付設した電圧印加手
段とを具備したパネルにおいて基板に対して斜め方向か
ら無機物質を蒸着することにより、強誘電性液晶の配向
制御を行うことを特徴とする強誘電性液晶パネル。
(1) A liquid crystal layer and a plurality of substrates, at least one of which is transparent, arranged to sandwich the liquid crystal layer, and a voltage application means attached to the substrate so as to apply a voltage to the liquid crystal layer. A ferroelectric liquid crystal panel characterized in that the orientation of ferroelectric liquid crystal is controlled by vapor-depositing an inorganic substance from an oblique direction with respect to a substrate in the panel.
(2)無機物質が酸化ケイ素であることを特徴とする特
許請求の範囲第(1)項記載の強誘電性液晶パネル。
(2) A ferroelectric liquid crystal panel according to claim (1), wherein the inorganic substance is silicon oxide.
(3)液晶層と前記液晶層を挾持するように配置した少
なくとも一枚は透明である複数の基板と、前記液晶層に
電圧印加が行えるように前記基板に付設した電圧印加手
段とを具備した液晶パネルにおいて前記パネル内の少な
くとも一方の基板表面に対して強誘電性液晶が10度以
上の傾き角を有することを特徴とする強誘電性液晶パネ
ル。
(3) A liquid crystal layer and a plurality of substrates, at least one of which is transparent, arranged to sandwich the liquid crystal layer, and a voltage application means attached to the substrate so as to apply a voltage to the liquid crystal layer. A ferroelectric liquid crystal panel, characterized in that the ferroelectric liquid crystal has an inclination angle of 10 degrees or more with respect to the surface of at least one substrate in the panel.
(4)傾き角を付ける手段として斜め方向から無機物質
を蒸着したことを特徴とする特許請求の範囲第(3)項
記載の強誘電性液晶パネル。
(4) A ferroelectric liquid crystal panel according to claim (3), characterized in that an inorganic substance is deposited obliquely as means for imparting a tilt angle.
(5)強誘電性液晶パネルにおいてセル厚が5μm以下
であることを特徴とする特許請求の範囲第(3)項また
は(4)項に記載の強誘電性液晶パネル
(5) A ferroelectric liquid crystal panel according to claim (3) or (4), characterized in that the ferroelectric liquid crystal panel has a cell thickness of 5 μm or less.
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