JPS6383579A - 流動層式か焼装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は■焼装置、特にウランやプルトニウムを含有す
る化合物のような有毒または危険物質を含むスラリーま
たは溶液状供給流を■焼する流動層式■焼装置に係る。

典型的な流動層式■焼装置にあっては、有機または無機
物質から成る供給流誉熱処理することにより粉末状にし
たのち、貯蔵または以後の化学処理のため回収する。こ
の場合、供給物質の融点よりは低いが、炭酸ガス、含有
水分またはその他の揮発性不純物を放散させるのに充分
な高さの熱を加えることにより、■焼すべき供給物質を
粉末状粒子に変える。

また、流動層式■焼装置のあるタイプのものは、粉末状
粒子を■焼装置の反応室を通して■焼装置出口へ搬送す
る搬送ガス流の上昇流によって浮遊状態に維持する。反
応室を通りて■焼装置出口へ流れる粒子の浮遊層はこれ
によって流体特性を与えられるから、この層を流動層と
呼ぶことができる。流動層の下方、搬送ガス流供給源の
上方に穴あき支持部材を配置して層を支持すると共に搬
送ガス流を案内する。多くの場合、供給物質はこれを■
焼装置内ヘスブレーする供給ノズルを介して流動層式■
焼装置へ導入される。■焼処理のため、■焼装置の内部
または外部に設けた複数のヒータによって加熱する。

一般に、流動層式■焼装置を利用することにより、高純
度の有機または無機供給物質を酸化物粉末に変えること
ができる。即ち、流動層式■焼装置を利用することによ
り、ダイ未化することができる。従って、流動層式■焼
装置を利用することにより、重金属塩または溶液供給流
を粉末化し、危険廃棄物供給流を加熱粉末化して廃棄物
容積を縮小し、プロセス流を中間化学処理することがで
きる。

例えば各エネルギー産業の分野では、流動層式■焼装置
を利用することにより、ウラン含有供給流を■焼して酸
化ウラン粉末にすることができる。この場合、供給物質
に減損廃棄ウラン、天然ウランまたは濃縮ウランが含ま
れている場合を想定することができる。原子力エネルギ
ー産業における典型的な応用例では、特定の供給物質と
してニララン酸アンモニウ（ＡＤＵ）ままたは硝酸ウラ
ニウム酸性溶液がある。

有機または無機材料を■焼し、かつ流動層を利用する方
法がすでにいくつか提案されている。本発明は流動層と
いう概念を■焼装置の概念と組み合わせることにより、
原子力エネルギー産業におけるウランまたはプルトニウ
ム含有供給流の粉末処理化及び原子力及び非原子力分野
におけるその他の危険廃棄物の粉末化に利用する反応室
のコンパクトな流動層式■焼装置を構成しようとするも
のである。

無機材料を■焼する公知の方法はＧｅｎｅｒａｌＥｌｅ
ｃｔｒｉｃ　Ｃｏｍｐａｎｙに譲渡された１９７５年１
月２１日付Ｊ、Ｍ、　Ｄｏｔｓｏｎ等の米国特許第３，
８６２，２９６号＠Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ　Ｐｒｏｃｅ
ｓｓ　ｆｏｒ　Ｗａｓｔｅ　Ｎｉｔｒｏｇｅｎ−（：ｏ
ｎｔａｉｎｉｎｇ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ　（廃棄窒素化
合物の変換方法）″に開示されている。この特許はアン
モニアまたはアンモニウム化合物から成る還元剤の存在
において流動層中で窒素含有化合物を変換する方法を利
用する。ガス状媒体により層を流動化し、攪拌し、気体
圧の作用下に■焼装置出口へ搬送する。

Ｗｅｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｃｏｒ
ｐｏｒａｔｉｏｎに譲渡された１９７８年３月１４日付
Ｅ、　Ａ、　Ｃｏ１ｅ等の米国特許第４，０７９，１２
０号″Ｕｒａｎｉｕｍ　ＤｌｏｘｉｄｅＣａｌｃｉｎｉ
ｎｇ　Ａｐｐａｒａｔｕｓ　ａｎｄ　Ｍｅｔｈｏｄ　（
二酸化ウランを■焼する装置及び方法）はニララン酸ア
ンモニウムのようなウラン化合物を■焼することによっ
て二酸化ウランを製造する連続キルン■焼装置を開示し
ている。Ｄｏｔｓｏｎ特許とは異なり、Ｃｏ１ｅ等の装
置は層を攪拌すると共に堰焼装置出口へ機械的に搬送す
るへりカルスクリュウを含む回転キルンから成る。

流動層式■焼装置においては、その効率上、層支持部材
に適正な設計を採用することが好ましい。このような設
計の１例は三井造船（株）に譲渡された１９６９号８月
２６日付Ｓ、　Ｔａｋｅｕｃｈｉの米国特許第３，４６
３，６１７号”Ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇ　Ｐｌａｔｅ　ｆ
ｏｒ　Ｆｌｕｉｄｉｚｅｄ　ＢｅｄＡｐｐａｒａｔｕｓ
　（流動層装置用支持プレート）”に開示されている。

この特許が開示している粒状物焙焼装置は高温ガスを内
蔵するブレナムの上方に材料層を支持する水平プレート
を有し、前記高温ガスがプレートを上向きに貫流して粒
状物を流動化し、かつ加熱する。この支持プレートはプ
レートを通って上向きに流れる高温ガスに渦運動を与え
、ガスを粒状物と接触させて装置の焙焼効率を高めるよ
うに設計されている。プレートは高温ガスがプレートを
通過することを可能にする一連の穴を有する中空の直方
体ブロックから成る。

層支持プレートを適正に設計するだけでなく、スラリー
または溶液状供給流を反応室及び流動層内ヘスブレーす
るための供給ノズルについても効率的な設計を採用する
ことが望ましい。供給ノズルの例はＰｈｉｌｌｉｐｓＰ
ｅｔｒｏｌｅｕｍ　Ｃｏｍｐａｎｙに譲渡された１９７
０年２月２４日付Ｂ、　Ｆ、　Ｌｏｅｗｅｎの米国特許
第３，４９７，３２４号”Ｄｕａｌ　Ｆｌｕｉｄ　Ｉｎ
ｊｅｃｔｏｒ　Ａｓｓｅｍｂｌｙ（複式流体注入集合体
）”に開示されている。カーボンブラック炉へ炭化水素
供給原料を導入するのに利用されるこの装置では、複式
流体供給ノズル集合体は同心関係に配置されて集合体内
に環状路を形成する導管から成る。供給物質は内側導管
を流れ、空気ジャケットは内側導管を囲む環状路を流れ
る。空気ジャケットは内側導管及び環状路の放出端にお
ける付着物の堆積を減少するのに利用される。

本発明の先駆例はエネルギー省後援の （：０ＰＲＥＣＡＬ　（ＣＯＰ　ＲＥｃｉｐｉｔａｔｉ
ｏｎ　ａｎｄ　ＣＡＬｃｌｎａｔｉｏｎ）研究開発プロ
ジェクトのためにＧｅｎｅｒａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃ　
Ｃｏｍｐａｎｙ　ＶａｌｌｅｃｔｏｓＮｕｃｌｅａｒ　
（：ｅｎｔｅｒが開発した流動層暇焼装置の試作モデル
であった。この装置は垂直円筒形■焼反応室を含み１、
ニララン酸アンモニウム（ＡＤＵ）が水冷供給ノズルを
介して反応室内ヘスブレーされるというものであった。

球形のインコネルまたは同様のニッケル合金製のビーズ
と供給原料から成る流動層が高温窒素ガスの上昇流によ
って流動化された。インコネル・ビーズは供給ノズルか
らの供給物質をスプレーされた。■焼プロセスによって
供給物質を粉末状物質に変換し、これをインコネル・ビ
ーズに付着させた。次いで、流動化ガスと、連続ガス噴
流を利用してビーズを反応室内に設けたターゲット・プ
レートに衝突させるジェット・グラインダ・ノズルとに
よってビーズを攪拌してビーズ面から粉末を分離させた
。この時点で、流動化ガスが粉末を堰焼装置出口へ搬送
した。流動層温度は内部及び外部ヒータで４００℃に維
持するように設定されていた。■焼反応室は直径が７．
６２センチ（３インチ）、長さが７６．２センチ（３０
インチ）であり、２．５Ｍ　ＨＮＯｓ　１１中３２５ｇ
Ｕの供給濃度で毎時５００ｇの二酸化ウラン（００２）
を処理するように構成された。

Ｗｅｔ　５ｃｒａｐ　Ｒｅｃｙｃｌｅ　（ＷＳＲ）　Ｄ
ｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＰｒｏｇｒａｍの一部としてＷｅ
ｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅＥｌｅｃｔｒｉｃ　Ｃｏｒｐｏｒ
ａｔｉｏｎがエネルギー省（Ｄ。

Ｅ）のために運営するｆｌａｎｆｏｒｄ　Ｅｎｇｉｎｅ
ｅｒｉｎｇＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　Ｌａｂｏｒａｔｏ
ｒｙ　（ＨＥ　Ｄ　Ｌ　）はＧｅｎｅｒａｌ　Ｅｌｅｃ
ｔｒｉｃの製造になる■焼装置を組立て、試験した。試
運転中、次のような困難点に遭遇した。（１）数時間の
運転後、ヒータ不調のため内部ヒータの能率が著しく低
下した；（２）停止後、流動層を容易に再流動化できな
かった；　（３）運転中は供給物質により、停止中はイ
ンコネル・ビーズにより供給ノズルがで詰まった；　（
４）一定のシステム動作温度を維持するのが困難であっ
た。

そこで本発明の主要目的なヒータの故障を惹起すること
なく高温で運転でき、供給ノズルに詰まりを生じること
なく停止後再流動化でき、はぼ一定のシステム動作温度
を維持できる流動層式■焼装置を提供することにある。

この目的に鑑み、本発明は、流動層を収容し、流動層を
支持するため底部に配置した流動層支持部材を有する殻
体を含む流動層式■焼装置であって、支持部材の頂面に
、その−方の縁端から他方の縁端に延びるように複数の
平行な第１通路を形成し、支持部材の底面にその一方の
縁端から他方の縁端に達するように複数の平行な第２通
路を第１通路と直交する方向に形成し、第１通路と第２
通路が互いに交差して碁盤模様の格子を形成するように
したことを特徴とする流動層式■焼装置を提案する。

以下、添付図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明
する。

第１図に示すように、流動層式■焼装置２０は例えば、
スケジュール４０　３０４ステンレススチールから成る
垂直な、はぼ円筒形の内部殻体３０を含む。内部殻体３
ｏは内径をほぼ７．６２センチ（３インチ）またはこれ
もより実質的に大きく設定し、流動層式■焼装置２０か
ら■焼生成物を放出するための（図示しない）生成物放
出口を有する（図示しない）頂部蓋板を内部殻体３０に
溶接することによって上端を前記放出口を除いてシール
すればよい。内部殻体３０の下端全面にわたる例えばス
テンレススチール製の下端キャップ４０を例えば溶接に
よって取り付ける。キャップ４０はほぼ円形の水平な流
動層支持部材６０を嵌着するための円錐形内面５０を有
し、円錐形内面５０の上端における大径部７０及び下端
における小径部８０を画定する。

内面５０の小径部８０に続くほぼ円筒形の第１空洞９０
は前記小径部８０から端板１００にまで延びている。

内側面５０にその全面にわたって拡がるように配置され
た支持部材６０はステンレススチールなどで形成され、
流動層１１０と連通関係にあり、支持部材６０の周縁が
内面５゜の壁と当接して層１１０を支持し、層１１０へ
均一なガス流を送入するための均一な矩形スロット１２
０（第２図）を具備する。支持部材６０は上端をこの支
持部材６０に、下端を端板１００にそれぞれ溶接などで
固定したステンレススチールなどから成る垂直管状プレ
ート支持マスト１３０によって下方から支持され、前記
端板１００が内部殻体３ｏを実質的にシールする。支持
マスト１３０は端板ｉｏｏから垂直に空洞９０を貫通し
て部材６０にまで延びている。

再び第１図において、流動層１１０内に位置する複数の
球形ビーズ１４０は例えばインコネル６２５から成り、
約１ｍｍの直径を有し、均一な微粒粉末の形成に必要な
熱伝達表面積を提供すると共にプロセス中の滞留を防止
する。ビーズ１４０は支持部材６０に設けられたスロッ
ト１２０（第２図）よりも大きいから、スロット１２０
を通過して降下し、流動化ガス・オリフィス１５０や第
１空洞９０を詰まらせることはない、ガス・オリフィス
１５０は一端を（図示しない）第１ガス供給手段に、他
端を第１空洞９０にそれぞれ接続した流動化ガス第１導
管１５１の一端に設けられ、第１ガス供給手段から第１
空洞への流動化ガス流の通路として働く。総容積が約８
００ｃｍ’以上のビーズ１４０に例えばニララン酸アン
モニウム・スラリーまたは硝酸ウラニル、または毒性廃
棄物のような供給物質を供給ノズル１６０からスプレー
する。次いで■焼処理によって供給物質が、一部はビー
ズ１４０に付着して、酸化ウランのような微粒粉に変換
される。粉末は（図示しない）内部ジェット・グライン
ダ・ノズルの作用と、粉末を生成物放出口にむかって搬
送する流動化ガスの上向き力によって起こるビーズ１４
０のバウンド運動とにより、ビーズ１４０の表面から分
離する。内部殻体３０の上部にはバウンドしたビーズ１
４０が生成物放出口を通って内部殻体３０から放出され
るのを防止するための障壁として作用する複数の（図示
しない）バッフルを設ける。

内部殻体３０の下部、供給ノズル１６０の下流に（図示
しないが）ジェット・グラインダ・ノズルが配置されて
おり、これが公知のガス供給手段のような（図示しない
）第２ガス供給手段と連通して層１１０内のビーズ１４
０に付着する変換固形物の堆積を極力少なくする。約４
００℃に予熱されたガスが第２ガス供給手段からジェッ
ト・グラインダ・ノズルを通って層１１０へ流入し、変
換固形物をビーズ１４０の表面から離脱させてその堆積
を極力抑制し、ビーズ１４０と被■焼供給物質との間の
熱伝達を促進するに充分な力でビーズ１４０を、例えば
各辺が約０．５インチのステンレススチール方形板から
成る（図示しない）ターゲット・プレートに衝突させる
。

第１−３図から明らかなように、内部殻体３０の下部に
配置され、熱伝達及び輻射によって流動層１１０を加熱
するため流動層１１０と連通関係にある複数の垂直管状
内部ヒータ１８０が電源から給電される。各内部ヒータ
１８０の基部にはその着脱を容易にするための（図示し
ない）コネクタを設けである。

内部ヒータ１８０は例えばＷａｔｌｏｗ　Ｅｌｅｃｔｒ
ｉｃＣｏｍｐａｎｙ、　ＳＴ、　Ｌｏｕｉｓ、　Ｍｉｓ
ｓｏｕｒｉから市販されている、好ましくは実効要約３
０．４８センチ（１２インチ）、直径約１．３ｃｍ、イ
ンコネル６２５被覆された、温度定格９００℃のＦｉｒ
ｅｒｏｄヒータを５本肥列すればよい。電流は内部ヒー
タ１８０を通過し、層を加熱するため各ヒータにおいて
約ＩＫＷ消費される。各内部ヒータ１８０の下部は第２
空洞１９０に配置される。

内部殻体３０を加熱して熱伝導及び輻射で層１１０を加
熱するため、内部殻体３０の全長にわたり、その外側に
円周方向に配置した複数の外部ヒータ２００に電源から
給電する。外部ヒータ２００としては、ＷａｔｌｏｗＥ
ｌｅｃｔｒｉｃ　Ｃｏｍｐａｎｙ、　Ｓｔ、　Ｌｏｕｔ
ｓ、　Ｍｉｓｓｏｕｒｉから市販されているそれぞれの
消費電力がｌｋｗのＣａ１ｒｏｄバンド・ヒータを１３
個使用すればよい。外部ヒータ２００の周りには外部ヒ
ータから内部殻体３０にむかって輻射熱を反射させる垂
直な、はぼ円筒形の外殻２１０を設ける。

内部ヒータ１８０には層１１０の温度を感知し、層１１
０の温度が所定の上限を越えるとヒータ１８０への給電
を断つ感温遮断手段を有する複数の第１熱電対１８１を
設ける。

（図示しない）第２熱電対をビーズ１４０の頂部付近に
設け、外部ヒータ２００に接続する一方、層１１０の動
作温度を所望温度の±２５℃の範囲内で制御する温度制
御装置２２０とも接続する。内部ヒータ１８０、外部ヒ
−タ２００及び温度制御手段２２０の組み合わせが層１
１０を好ましくは約４００℃乃至７００℃の所望動作温
度士約２５℃のレベルに維持する。

第１．２．３及び５図から明らかなように、複数の平行
な、はぼ矩形の第１突条２４０によって画定される複数
の平行な第１通路２３０が部材６０の頂面を横切って、
部材６０の一方の周縁から他方の周縁へ、また部材６０
の頂面から底面へ、第１通路２３０が複数の平行な第２
通路２６０を画定する複数の平行な、はぼ矩形の第２突
条２５０と交差する箇所を除いて貫通している。第２通
路２６０は部材６０の底面を横切り、部材６０の一方の
周縁から他方の周縁まで、また部材６０の底面から頂面
まで、第１突条２４０と交差する箇所を除いて貫通して
いる。第２通路２６０は第１通路２３０と直交し、部材
６０全体に広がる碁盤模様格子状の矩形スロット１２０
を形成する。第１通路２３０及び第２通路２６０は例え
ばステンレススチールから成るワンピース半加工金属片
の頂面と底面を同様に機械加工することによって形成す
ればよい、スロット１２０は部材６０の下流にあって部
材と連通関係にある層１１０ヘガス流を均等に案内する
。例えば窒素のようなガスがガス・オリフィス１５０か
ら上向きに第１空洞９０を流れ、スロット１２０を通過
して層１１０に流入し、層１１０を流動化する。部材６
０をガス流が均等に通過するように、スロット１２０を
ほぼ等間隔に、かつ均等に配置する。各スロット１２０
の大きさをビーズ１４０の最小径よりも小さく設定する
ことにより、ビーズ１４０がスロット１２０を通って下
降し、ガス・オリフィス１５０を詰まらせるの防止する
。均等なガス流とビーズ１４０が層１１０内における均
一な熱伝達を助けて、はぼ均等に■焼された、はぼ均一
な粒子サイズの生成物を生み出す。支持部材６０をその
一方の周縁から他方の周縁に達する平行な第１パーと、
同様に一方の周縁から他方の周縁に至る平行な第２バー
とで構成し、第１バーと第２バーの交差がガス・オリフ
ィス１５０から流動層１１０へ均等または被均等ガス流
を案内する格子状スロットを画定するように実施しても
よい。

第１及び第４図に示す供給ノズル１６０は部材６０の下
流で外殻２１０及び内部殻体３０を貫通し、供給物質供
給手段に接続された供給物質導管２９９から層１１０へ
その物質を供給する。例えばステンレススチールから成
る供給ノズル１６０は一端に入口オリフィス３００、他
端に出口オリフィス３１０を有する本体２９０を含む。

入口オリフィス３００と出口オリフィス３１０を連続的
、な第３空洞３２０が結び、この第３空洞を通って供給
物質が流動層１１０へ流れる。第３空洞３２０は該空洞
３２０、出口オリフィス３１０及びビーズ１４０に化学
清浄剤を供給するための導管としても作用する。ビーズ
１４０、出口オリフィス３１０及び第３空洞３２０の清
浄は■焼完了後、化学清浄剤で行えばよい。

硝酸溶液、水などのような化学清浄剤はビーズ１４０か
ら化学的に残留供給物質を分離させ、先行の■焼が完了
したのち、ビーズが再び流動化されると、出口オリフィ
ス３１０及び第３空洞３２０から除去される。

第４図に示すステンレススチールなどから成る中空管状
供給手段３１９は出口オリフィス３１０から約０．６３
５センチ（０，２５インチ）だけ入口オリフィス３００
を通して第３空洞３２０へ挿入され、供給物質または化
学清浄剤を第３空洞３２０へ送入する。第３空洞３２０
へ挿入された供給手段３１９は供給手段３１９の外面と
第３空洞３２０の内壁との間に環状路３４０を画定する
。一端が清浄剤供給手段と接続する清浄剤供給導管３５
０を供給手段３１９と接続する。導管３５０は化学清浄
剤を利用してビーズ１４０を化学的に清浄すると共に、
出口オリフィス３１０、第３空洞３２０及び供給手段３
１９を清浄する。

再び第４図において、本体２９０の外面と環状路３４０
を連続的なダクト３６０が結んでいる。ダクト３６０は
環状路３４０へのガス流路として作用する。本体２９０
の外部でダクト３６０に第３ガス供給導管３６１を接続
する。第３ガス供給導管３６１を第３ガス供給手段と接
続し、第３ガス供給手段から例えば窒素などのようなガ
スが第３導管３６１、ダクト３６０１環状路３４０を通
って第３空洞３２０に流入し、第３空洞３２０から出口
オリフィス３１０へ供給物質へ搬送する。本体２９０を
その内部に設けた冷却手段３７０で約５０℃に冷却する
ことにより、供給物質が出口オリフィス３１０において
予備的に■焼されるのを防止する。冷却手段３７０は水
などのような冷却剤が通過する環状域として構成すれば
よい。あるいは本体２９０の外面周りに円周方向または
その長手方向に冷却手段３７０を配置してもよい。

運転中、電源から内部ヒータ１８０及び外部ヒータ２０
０に給電する。内部殻体３０内に配置された内部ヒータ
１８０と、内部殻体３０の全長にわたフてその外側に円
周方向に配置された外部ヒータ２００とが熱伝達と輻射
で層１１０を加熱する。内部ヒータ１８０内には層１１
０が温度を感知し、この温度が一定上限を越えるとヒー
タ１８０への給電を断つ感温遮断手段１８２を含む複数
の第１熱電対１８１を設ける。ビーズ１４０の頂部付近
に配置された第２熱電対は外部ヒータ２００と接続する
一方、層１１０の動作温度を所望温度の士約２５℃の範
囲内に制御する温度制御手段２２０とも接続する。

運転中、約３５０℃以上に予熱された予熱流動化ガスが
部材６０の上流で第１ガス供給導管１５１と接続する流
動化ガス・オリフィス１５０から流れる。この予熱ガス
は支持部材６０に設けたスロット１２０を上向きに通過
する。流動化ガスの上向きの力が支持部材６０の下流に
配置されたビーズ１４０を攪拌し、ビーズ１４０を内部
殻体３０内でバウンドさせる。スラリーまたは溶液状供
給物質が供給手段３１９に流入し、本体２９０内の空洞
３２０へ流入する。第３ガス供給導管３６１からダクト
３６０を通って環状路３４０ヘガスが流入して供給物質
を空洞３２０から出口オリフィス３１０へ搬送し、供給
物質を層１１０ヘスプレーする。冷却剤は本体２９０内
に設けた冷却手段３７０を通過して本体２９０を冷却す
る。内部ジェット・グラインダ・ノズルは第２ガス供給
手段から層１１０へ予熱ガスを供給して層１１０中のビ
ーズ１４０に付着する変換固形物の堆積を極力抑制する
ことにより、ビーズ１４０から被■焼供給物質への熱伝
達及び輻射を促進する。

運転中、供給ノズル１６０から供給物質をビーズ１４０
とスプレーすると、ビーズ１４０と供給物質が一緒にな
って層１１０の内容物質を形成する。環状路３４０の存
在とこの環状路３４０から噴出するガス流の力が供給物
質による出口オリフィス３１０の詰まりを軽減する。流
動層１１０は内部ヒータ１８０及び外部ヒータ２００に
よって加熱される。

流動層１１０中で■焼される供給物質には内部ヒータ１
８０及び外部ヒータ２００からの加熱によって粉末状粒
子となり、前記両ヒータにより層１１０の温度は供給物
質の融点よりは低いが、炭酸ガスを解放し、含有水分及
びその他の揮発性不純物を除去するのに充分な高さのレ
ベルに維持される。粒子の一部は流動化ガス・オリフィ
ス１５０からのガスの上向き流れによって攪拌されるビ
ーズ１４０に付着する流動化ガスはガス・オリフィス１
５０から上向きにスロット１２０を通って層１１０に流
入する。スロット１２０はこれを通過する流動化ガスの
流れがほぼ均一となるように配置されている。複数ビー
ズ１４０の攪拌と、ジェット・グラインダ・ノズルと対
向するように内部殻体３０内に配置されたターゲット・
プレートに対するビーズ１４０の衝撃力により、残留粒
子がビーズ１４０から分離され、流動化ガスの力によフ
て生成物放出口を通って上向きに搬送される。粒子は以
後の処理に備えて生成物放出口の下流に設けた（図示し
ない）フィルタ上に回収される。

流動化ガスの力で浮遊状態にあるビーズ１４０は生成物
放出口の上流に位置する内部殻体３０の上部に設けたバ
ッフルに衝突して流動層１１０へ落下する。従って、バ
ッフルはビーズ１４０が生成物放出口を通りて■焼装置
から放出されるのを防止し、■焼生成物だけを生成物放
出口へ移動させる障壁として作用する。

従って、本発明は危険物質を遠隔■焼処理することがで
き、■焼終了後に供給ノズル及び流動層を清浄する手段
及び随意に流動化を再開する手段を備えた流動層式■焼
装置を提供するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は流動層式■焼装置の下部を示す部分断面図。 第２図は流動層式■焼装置に組み込まれる流動層支持部
材を示す、第１図ＩＩ　−ＩＩ線における部分立面図。 第３図は第２図ＩＩＩ　−ＩＩＩにおける断面図。 第４図は流動層式■焼装置の内外殻体壁に設けた供給ノ
ズルの断面図。 第５図は流動層支持部材を示す、第２図Ｖ−Ｖ線におけ
る部分断面図である。 ６０・・・・流動層支持部材 ２３０・◆第１通路 ２６０・・第２通路

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、流動層を収容し、流動層を支持するため底部に配置
   した流動層支持部材を有する殻体を含む流動層式■焼装
   置であって、支持部材の頂面に、その一方の縁端から他
   方の縁端に延びるように複数の平行な第１通路を形成 し、支持部材の底面にその一方の縁端から他方の縁端に
   達するように複数の平行な第２通路を第１通路と直交す
   る方向に形成し、第１通路と第２通路が互いに交差して
   ￥碁盤模様の格子を形成する￥ようにしたことを特徴と
   する流動層式■焼装置。 ２、支持部材がスロットを画定するように碁盤模様格子
   状に配列した複数のバーより成ることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項に記載の流動層式■焼装置。 ３、流動層支持部材の下流に位置するように殻体内に配
   置した供給ノズルを有し、これにより流動層に供給物質
   を送入すると共に化学清浄剤を送入して流動層及び供給
   ノズルを洗浄することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項に記載の流動層式■焼装置。 ４、供給ノズルが一端に出口オリフィス、他端に入口オ
   リフィス、両オリフィス間で連続的な空洞をそれぞれ有
   する細長いノズル本体と、入口オリフィスを通って空洞
   内へ一定距離送入され、空洞へ供給物質を送入する中空
   管状供給手段とから成ることを特徴とする特許請求の範
   囲第３項に記載の流動層式■焼装置。 ５、管状供給手段が管状供給手段と空洞の壁との間に環
   状路を画定することを特徴とする特許請求の範囲第４項
   に記載の流動層式■焼装置。 ６、供給ノズルが、ノズル本体の外面から環状路へノズ
   ル空洞からノズル出口オリフィスへ供給物質を搬送する
   ことのできるガスを送入すべくノズル本体の外面から環
   状路に延びるダクトと、ノズル本体の外部にダクトと連
   通関係に配置したガス供給手段を含むことを特徴とする
   特許請求の範囲第５項に記載の流動層式■焼装置。 ７、供給ノズルがノズル本体を冷却するためノズル本体
   内に配置した冷却手段と、管状供給手段、ノズル本体空
   洞及びノズル出口オリフィスを洗浄するため中空管状供
   給手段と連通関係にある清浄手段を含むことを特徴とす
   る特許請求の範囲第４、５または６項に記載の流動層式
   ■焼装置。 ８、流動層を加熱するため流動層内にまで延びるように
   殻体内に配置した複数の内部ヒータを含むことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項から第７項までのいずれかに
   記載の流動層式■焼装置。 ９、殻体を加熱するため、殻体の全長にわたってその周
   りに配置した複数の外部ヒータを含むことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項から第７項までのいずれかに記載
   の流動層式■焼装置。