JPS6375711A - Optical coupling structure - Google Patents

Optical coupling structure

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JPS6375711A
JPS6375711A JP21954686A JP21954686A JPS6375711A JP S6375711 A JPS6375711 A JP S6375711A JP 21954686 A JP21954686 A JP 21954686A JP 21954686 A JP21954686 A JP 21954686A JP S6375711 A JPS6375711 A JP S6375711A
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optical
optical fiber
optical element
optical coupling
coupling structure
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JP21954686A
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Takeshi Kato
猛 加藤
Kenichi Mizuishi
賢一 水石
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To easily and stably couple an optical element with an optical fiber with good reproducibility by providing the optical element with a support part which supports the optical fiber mechanically. CONSTITUTION:Laser light is emitted from the light emission part 12 of the end surface of the laser resonator of the optical element 11 and coupled with the optical fiber 13. This optical fiber 13 is supported by the support part 14 and fixed with metal 15 with a low melting point. This support part 14 is a V groove of 200mum in length and worked at a time in the manufacture process of the optical element 11. Thus, the support part 14 is worked with high accuracy, so the coupling operation for the optical fiber 13 is extremely easy, there is no need for fine adjustments, and the reproducibility is excellent. Further, the position of the optical fiber 13 is determined unequivocally, so the stability is also improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光素子に元ファイバを納会させる技術に係り
、特に容易に再現性良く高い光結合効率を得るのに好適
な光結合構造に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a technique for attaching a source fiber to an optical device, and particularly relates to an optical coupling structure suitable for easily obtaining high optical coupling efficiency with good reproducibility. .

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の光素子と光ファイバから成る光結合構造において
は1例えば特開昭56−94316号に記載のように、
光ファイバは貫通する過大寸法の開口を有する低融点金
属本体の開口部に挿入され、低融点金属本体を浴融・流
出後凝固させることで固定されていた。
In a conventional optical coupling structure consisting of an optical element and an optical fiber, for example, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-94316,
The optical fiber was inserted into an opening in a low melting point metal body having an oversized opening extending through it, and was fixed by solidifying the low melting point metal body after the bath melted and flowed out.

〔発明がヂ決しようとする問題点〕[Problems that the invention attempts to solve]

上記従来例では、金属本体の開口部が過大な寸法を有し
ているため、光ファイバが元素子に対して光結合するよ
うに元ファイバの位置を微調整装置によって操作しなけ
ればならない。また、光ファイバは、低融点金属本体中
に埋めこまれて固定されている。
In the conventional example described above, since the opening of the metal body has excessive dimensions, the position of the original fiber must be manipulated by a fine adjustment device so that the optical fiber is optically coupled to the element. Further, the optical fiber is embedded and fixed in the low melting point metal body.

従来、上記のように光素子に光7アイパテ光績合させる
ためには微調整作業を必要としていた。
Conventionally, fine adjustment work has been required in order to combine the optical seven-eye putty into an optical element as described above.

上述のような作業は困難である上多大な労力と時間を費
やす。その上、微調整作業時と低融点金属本体を溶融、
!1固させ固定する時の条件によって光結合効率にばら
つきが出るため、その再現性に関して問題があった。ま
た、光ファイバが低融点金属本体に埋め込まれ固定され
ているので5光フアイバの位置が低融点金属本体の変形
の影響を受は易く、光結合効率の安定性に関して問題が
あった。
The above-mentioned work is difficult and requires a great deal of effort and time. Besides, during fine adjustment work and melting the low melting point metal body,
! Since the optical coupling efficiency varies depending on the conditions when solidifying and fixing, there was a problem with its reproducibility. Furthermore, since the optical fibers are embedded and fixed in the low melting point metal body, the positions of the five optical fibers are easily affected by deformation of the low melting point metal body, which poses a problem regarding the stability of optical coupling efficiency.

本発明の目的は1元素子と光ファイバとの光結合を容易
に再現性良く且つ安定性良く得るための光結合構造を提
供することにちる。
An object of the present invention is to provide an optical coupling structure for easily achieving optical coupling between one element and an optical fiber with good reproducibility and stability.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記目的は、光素子に光7アイパを機械的に支持する部
分を設けることにより達成される。
The above object is achieved by providing the optical element with a portion that mechanically supports the optical 7-eyeper.

〔作用〕[Effect]

光素子に設けられた光ファイバと機械的に支持する部分
は、光素子と同様のプロセスによって作成されるため、
高精度に加工できる。従って光ファイバを前記支持部分
に搭載する際に光ファイバの位置と微調整する必要がな
くなり実装作業の効率が向上する上1光線合効率の再現
性が良くなる。
The optical fiber and mechanical support part provided in the optical device are created by the same process as the optical device, so
Can be processed with high precision. Therefore, when mounting the optical fiber on the support portion, there is no need to make fine adjustments to the position of the optical fiber, which improves the efficiency of the mounting work and improves the reproducibility of the single beam combination efficiency.

また、光ファイバの位置は機械的に一意的に決まるので
安定性も向上する。
Furthermore, since the position of the optical fiber is mechanically and uniquely determined, stability is also improved.

〔実施例〕〔Example〕

以下1本発明の実施例を図面により説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本伯明のA1実施例の光素子の製造プロセスを
示す図、第2図は本発明の第1実施例?示す図、第3図
は第2実施例と示す図、第4図は上記実施例の安定性向
上の効果を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the manufacturing process of an optical device according to the A1 embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing the second embodiment, and FIG. 4 is a diagram showing the effect of improving the stability of the above embodiment.

“まず第2図から説明する。“First, let me explain from Figure 2.

第2図は1本発明による光結合構造の第1実施例を示す
図である。同図において、光素子11はInGaAsP
/InP系埋込みへテロ構造型半導体ある。波長1,3
μmで発損し聞はレーザ共掻器端面の発光部12より放
出され光ファイバ13と光結合する。光ファイバエ3は
、光素子11上に搭載するために通常125μmの直径
のシングルモードファイバを4改、弗化アンモニウム混
合液によりエツチングして直径30μmに細径化しであ
る。光7アイバ13の先端部は1発光部12からの放出
光との光結合効率を高めるために球状に加工しレンズ効
果をもたせた。光ファイバ13は、光素子11に設けら
れた光フアイバ支持部分14に低融点金属15によって
固定されている。光フアイバ支持部分14には長さ20
0μmのV形の溝を加工しである。なお、V溝の位置と
深さは光ファイバ13をiaした際に最適の光結合が行
なわれるように充分制御される。本実施例では低融点金
属15にはPb−40wt%8nハ:、yダを用いた。
FIG. 2 is a diagram showing a first embodiment of the optical coupling structure according to the present invention. In the figure, the optical element 11 is made of InGaAsP.
/InP-based buried heterostructure semiconductor. Wavelength 1, 3
The emitted light in μm is emitted from the light emitting part 12 at the end face of the laser co-shaker and is optically coupled to the optical fiber 13. The optical fiber 3 is made by etching a single mode fiber, which normally has a diameter of 125 .mu.m, with an ammonium fluoride mixture to a diameter of 30 .mu.m in order to be mounted on the optical element 11. The tip of the optical 7 eyeball 13 is processed into a spherical shape to provide a lens effect in order to increase the optical coupling efficiency with the light emitted from the 1 light emitting section 12. The optical fiber 13 is fixed to an optical fiber support portion 14 provided on the optical element 11 with a low melting point metal 15. The optical fiber support portion 14 has a length of 20 mm.
A V-shaped groove of 0 μm is machined. Note that the position and depth of the V-groove are sufficiently controlled so that optimal optical coupling is achieved when the optical fiber 13 is ia-connected. In this example, Pb-40wt% 8n:,yda was used as the low melting point metal 15.

光ファイバ13と光フアイバ支持部分14の特定の部分
には、低融点金属15との付着性を高めるために金のメ
タライズ16.17が施されている。
Certain portions of the optical fiber 13 and optical fiber support portion 14 are provided with gold metallization 16, 17 to enhance adhesion to the low melting point metal 15.

次に、第1実施例の光素子11の製造プロセスを第1図
により説明する。光フアイバ支持部分14も本プロセス
で一括加工される。41図には製造プロセスの流れ図と
、各プロセスにおけるウェハの一部分の斜視図を示した
。以下第1図(A)〜(F)のプロセスの順序に従って
述べる。
Next, the manufacturing process of the optical device 11 of the first embodiment will be explained with reference to FIG. The optical fiber support portion 14 is also processed all at once in this process. FIG. 41 shows a flowchart of the manufacturing process and a perspective view of a portion of the wafer in each process. The following will be described in accordance with the order of the processes shown in FIGS. 1(A) to 1(F).

埋込みへテロ購造形成工程 埋込みへテロ構造を形成するまでのプロセスは。Embedded heterogeneous purchasing formation process The process of forming an embedded heterostructure.

文献「ジャーナル オプ オグテイカル コミュニケー
ション 第1巻第10号 1980年(J。
Literature “Journal Op Ogtechal Communication Vol. 1 No. 10 1980 (J.

Qpt、(:’otrmun、、 1. 10.198
0  ) Jに記載されている方法と同様に行なう。プ
ロセス中のメサエッチングは1文献「アイ・イー・イー
・イージャーナル オプ クワンタム エVクトロニク
ス(IEEE J、 Quantum Electro
nies)、 第QE−18巻、第10号、第1704
〜1711頁。
Qpt, (:'otrmun,, 1. 10.198
0) Proceed in the same manner as described in J. Mesa etching during the process is described in one document, “IEEE J, Quantum Electron.
Nies), Volume QE-18, No. 10, No. 1704
~1711 pages.

1982年記載のエツチング液と同じ臭素メタノール混
合液により行なった。
The etching was carried out using the same bromine-methanol mixed solution as the etching solution described in 1982.

第1図AK?いて、r1MInP基板1(面指数(10
0))上のInGaA8P活性層2は、p型InPクラ
ッド層3とp型IflPブロック層4とn型InP層5
によって埋込まれており、ストライプ状に(011)方
向に伸びている。7その厚さは0.2μm2幅は1.4
μm、ウェハ上面からの栗さd = 4.1μmである
1゜ V溝用マスク形成工程 vrs形成のエツチングに必要なマスク6と形成させる
。CVD法により8jCh膜を堆積させたのち、フォト
リソグラフィ技術によりパターンニングを行なう。vイ
I#全形成させる部分のマスクは幅Wのストライプ状(
方向(011,>)に取り除いである。このとき1幅W
の部分の中心線とInGaAsP活性層2のストライプ
の中心線とが一致するように、マスクパターンの位置合
わせを充分に行なう。
Figure 1 AK? and r1MInP substrate 1 (plane index (10
0)) The upper InGaA8P active layer 2 includes a p-type InP cladding layer 3, a p-type IflP block layer 4, and an n-type InP layer 5.
, and extends in the (011) direction in a striped manner. 7 Its thickness is 0.2 μm2 width is 1.4
A mask 6 is formed which is necessary for etching to form a 1° V-groove mask having a depth d of 4.1 μm from the top surface of the wafer. After depositing an 8jCh film by CVD, patterning is performed by photolithography. vI# The mask for the part to be completely formed is in the form of a stripe with a width of W (
It is removed in the direction (011,>). At this time, 1 width W
The mask pattern is sufficiently aligned so that the center line of the portion and the center line of the stripe of the InGaAsP active layer 2 coincide with each other.

なお、vnの角度θは結晶面間の角度であり一定なので
、vnの深さd′はマスク60間隔Wにより決まる。最
適の光結合を行なわせるために。
Note that since the angle θ of vn is the angle between crystal planes and is constant, the depth d' of vn is determined by the interval W between the masks 60. To achieve optimal optical coupling.

光ファイバの半径rと埋込まれた活性層2の深さdとV
溝の角度θとから、Wと以下の式により求める。
The radius r of the optical fiber and the depth d and V of the buried active layer 2
From the angle θ of the groove, W is determined by the following formula.

本実施例では、 r = 15.0 μm、  d =
4.1 am。
In this example, r = 15.0 μm, d =
4.1 am.

θ=70.5°であるので、W=42.5ttmとした
Since θ=70.5°, W=42.5ttm.

V溝形成工程 塩酸リン酸混合液(塩酸リッチ)により異方性エツチン
グを行なうと、結晶面(111)面が現われて第1図C
の如くvn7(方向(011,>2が形成される。この
vn7が第1実施例の光フアイバ支持部分14である。
V-groove formation process When anisotropic etching is performed using a hydrochloric acid-phosphoric acid mixture (rich in hydrochloric acid), a crystal plane (111) appears, as shown in Figure 1C.
vn7 (direction (011,>2) is formed as shown below. This vn7 is the optical fiber support portion 14 of the first embodiment.

なお、前記埋込みへテロ構造形成プロセスにおけるメサ
エッチングとV溝形成エツチングが共に可能であること
は先に示した文献IEEE  J、 Quantum 
glectronics。
It should be noted that it is possible to perform both mesa etching and V-groove formation etching in the buried heterostructure formation process, as shown in the above-mentioned document IEEE J, Quantum.
glectronics.

Vol、  QE   18. 41 0.  pp、
  1704−1711゜1982にも示されている。
Vol, QE 18. 41 0. pp,
1704-1711°1982.

本実施例のV溝の深さd′は、(1)式より30.1t
tmである。
The depth d' of the V-groove in this example is 30.1t from equation (1).
It is tm.

レーザ端面用マスク形成工程 第1図りの如く、レーザ端面形成のエツチングに必要な
マスク8を形成させる。スパッタリングにより810*
膜を堆積させ、パターンニングはフォトリソグラフィ技
術により行なう。マスク8はV#の側面にも形成されて
いる。
Step of Forming Mask for Laser End Face As shown in the first diagram, a mask 8 necessary for etching to form the laser end face is formed. 810* by sputtering
A film is deposited and patterned by photolithography. Mask 8 is also formed on the side surface of V#.

V−ザ端面形成工程 次に塩素系ガスプラズマによる反応性イオンエツチング
を行なって、第1図■の(Ill((011>方向にr
s9をmす、V−ザ端面10を形成させる。
V-za end face formation step Next, reactive ion etching using chlorine-based gas plasma is performed to form the (Ill ((011> direction)
s9 to form a V-the end face 10.

反応性イオンエツチングについては文献「エレクトロニ
クスL/ターズ(Electronics Lette
rs)第19巻第6号第213頁、1983年」に記載
の方法と同様の方法で行なった。端面10におけるIn
GaA3F活性層2が、第2図の発光$12である。
Regarding reactive ion etching, please refer to the literature “Electronics Lette”.
rs) Vol. 19, No. 6, p. 213, 1983. In at the end face 10
The GaA3F active layer 2 is the light emitting layer 12 in FIG.

電極形成工程 通常の半導体ンーザの場合と同僚に電極形成を行なう。Electrode formation process Electrode formation is performed in the same manner as in the case of a normal semiconductor laser.

第1図■のp型InPクラッド層3上にAu/Cr電極
を形成させ、n型InP基板1の裏面にA u / E
3 n電極を形成させる。また光素子11のメタライズ
部分17もALI/Crtffl形成時に同時に形成さ
せる。(以上図示省略)ガ開工程 ウェー・を第1図Eの1点鎖線に沿って骨間し。
An Au/Cr electrode is formed on the p-type InP cladding layer 3 shown in FIG.
3 Form an n-electrode. Further, the metallized portion 17 of the optical element 11 is also formed at the same time as the ALI/Crtffl is formed. (The above illustrations are omitted) Opening process: Place the wafer between the bones along the dashed dotted line in Figure 1E.

第1図■の如く個々のチップすなわち光素子11に分け
る。光素子1個につき2面あるレーザ端面のうちの一方
は弁開によって形成される。
It is divided into individual chips, that is, optical elements 11, as shown in FIG. One of the two laser end faces per optical element is formed by opening the valve.

以上のプロセスに示したクエハのバッチ処理により第1
実施例の光素子11?作成することができる。光素子1
1にはV形溝状の光フアイバ支持部分14が設けられて
いる。
By batch processing of Queha shown in the above process, the first
Optical element 11 of the embodiment? can be created. Optical element 1
1 is provided with an optical fiber support portion 14 in the form of a V-shaped groove.

上述の如き本実施例のプロセスによれば、光フアイバ支
持部分14の加工精度を再現性よく1μm以下に制御で
きる。また本実施例の光ファイバ13の位置は光ファイ
バ支持部分工4のV形の溝によって機械的に一意的に決
まる。従って、光ファイバ13の位置を微調整する必要
が全くなくなり、光ファイバ23を光フアイバ支持部分
14に搭載するだけで容易に高い光結合効率と得ること
ができる。
According to the process of this embodiment as described above, the processing accuracy of the optical fiber support portion 14 can be controlled to 1 μm or less with good reproducibility. Further, the position of the optical fiber 13 in this embodiment is mechanically and uniquely determined by the V-shaped groove of the optical fiber support part 4. Therefore, there is no need to finely adjust the position of the optical fiber 13, and high optical coupling efficiency can be easily obtained simply by mounting the optical fiber 23 on the optical fiber support portion 14.

5g1実施例の光結合効率の再現性を調べるために、第
1実施例の光結合構造と従来のものとを50個ずつ試作
し、光結合効率に対する個数分布を測定した。その結果
、従来例に比べて第1実施例は同等以上の再現性がある
ことが確認できた。
In order to investigate the reproducibility of the optical coupling efficiency of the 5g1 example, 50 optical coupling structures of the first embodiment and the conventional structure were fabricated as prototypes, and the number distribution with respect to the optical coupling efficiency was measured. As a result, it was confirmed that the first example had the same or better reproducibility than the conventional example.

第3図は本発明?光通信用モジュール内に使用した@2
実施例?示す図である。まず1本発明の光結合構造をも
つ光素子11?マタント18上に固定した。外部からパ
ッケージ20内に導入した光フアイバ13i4マウント
18の固定部工9において固定したのち、更に光素子1
1上の光フアイバ支持部分14に固定した。固定部19
と支持部分14の間において光ファイバの直径?125
μmから30μmK1fllくすることにより、支持部
分14にかかる横方向の応力?約1/100に低減した
Is Figure 3 the invention? @2 used in optical communication module
Example? FIG. First, optical element 11 having the optical coupling structure of the present invention? It was fixed on Matante 18. After the optical fiber 13i4 introduced into the package 20 from the outside is fixed at the fixing part 9 of the mount 18, the optical element 1 is further fixed.
It was fixed to the optical fiber support part 14 on 1. Fixed part 19
and the diameter of the optical fiber between support portion 14? 125
The lateral stress exerted on the support portion 14 by increasing K1flll from μm to 30 μm? It was reduced to about 1/100.

第4図は上記J2実施例の安定性向上の効果を示す図で
ある。本発明による光結合構造を有する光通信用モジュ
ール20個と従来のモジュール20個との4度100C
下lておける光結合効率の時間的変化の結果である。図
の横軸は時間、縦軸は光結合効率の変化?示す。従来例
では、光ファイバの支持部と光素子とは別々の材料で構
成されていたので熱膨張係数の差により熱応力が発生し
光フアイバ支持部の低融点金属体にクリープ変形が生じ
ていた。それに比べて第2実施例では、光素子13と光
7アイバ支持部分14との熱膨張係数には差がなくまた
光ファイバ13の位置は光フアイバ支持部分14のV形
の溝によって決まっているので変形が生じない。第4図
から本実施例によれば、光結合効率の安定性が向上する
効果があることが確認できた。
FIG. 4 is a diagram showing the effect of improving stability in the J2 embodiment. 4 degree 100C between 20 optical communication modules having the optical coupling structure according to the present invention and 20 conventional modules
These are the results of temporal changes in optical coupling efficiency in the lower part. The horizontal axis of the figure is time, and the vertical axis is the change in optical coupling efficiency? show. In conventional systems, the optical fiber support and the optical element were made of different materials, which caused thermal stress due to the difference in thermal expansion coefficients, causing creep deformation in the low melting point metal body of the optical fiber support. . In comparison, in the second embodiment, there is no difference in the coefficient of thermal expansion between the optical element 13 and the optical fiber support portion 14, and the position of the optical fiber 13 is determined by the V-shaped groove of the optical fiber support portion 14. Therefore, no deformation occurs. From FIG. 4, it was confirmed that this example had the effect of improving the stability of optical coupling efficiency.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、容易に再現性良く且つ安定性良く高い
光結合効率ヲ得ることができるので、実装作業が簡略化
され経済性向上の効果がある。
According to the present invention, it is possible to easily obtain high optical coupling efficiency with good reproducibility and stability, thereby simplifying the mounting work and improving economic efficiency.

なお1本発明による光結合構造は簡素な微細構造である
ので東横化がoT能であり5例えば光素子とアレイ状に
配した光渠撰回路において本発明を実施し得ることは勿
論である。また、光ファイバを光素子間のインターコネ
クションに使用する場合や、ファイバ共振器レーザやフ
ァイバ型レーザやファイバセンサ々どの特殊機能付光フ
ァイバ?実装する場合においても本発明と実施し、得る
ことは言うまでもない。
Note that since the optical coupling structure according to the present invention has a simple microstructure, Toyoko conversion is possible, and it goes without saying that the present invention can be implemented in, for example, an optical conduit selection circuit arranged in an array with optical elements. Also, when using optical fibers for interconnection between optical elements, fiber resonator lasers, fiber type lasers, fiber sensors, etc. Which optical fibers have special functions? It goes without saying that even in the case of implementation, the present invention can be implemented and obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1実施例の光素子の製造プロセスと
示す工程説明図、第2図は本発明の第1実施例?示す光
結合構造の斜視図、第3図は本発明の第2実施例?示す
光結合構造の横断面図、第4図は上記実施例の安定性向
上の効果と示すグラフである。 11・・・光素子、13・・・光ファイバ、14・・・
光7アVJ1   図 7 V溝 ど マスク 篤  1  図 /ρ L−サ゛r焔面 f Z  図 /l 光電テ /Z  発光音P 73  尤ファイバ /4 光7フイバを峙音P分 15  イ、a4火、屯Uへ
FIG. 1 is a process explanatory diagram showing the manufacturing process of an optical device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a process explanatory diagram showing a manufacturing process of an optical device according to a first embodiment of the present invention. The perspective view of the optical coupling structure shown in FIG. 3 is a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of the optical coupling structure shown, and a graph showing the effect of improving the stability of the above embodiment. 11... Optical element, 13... Optical fiber, 14...
Optical 7 A VJ1 Fig. 7 V groove mask depth 1 Fig./ρ L-Sir flame surface f Z Fig./l Photoelectric te/Z Luminous sound P 73 Y fiber/4 Opposite optical 7 fiber Sound P 15 A, a4 Tue, to Tun U

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、光素子と光ファイバより成る光結合構造において、
前記光素子に前記光ファイバを機械的に支持する部分を
設けたことを特徴とする光結合構造。 2、上記光ファイバを支持する部分が、前記光素子の製
造プロセスにおいて一括加工されることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の光結合構造。 3、前記の光ファイバを支持する部分には、V形の溝が
加工されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の光結合構造。 4、光素子と光ファイバより成る光結合構造において、
前記光ファイバ先端の直径が細径化されていることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の光結合構造。
[Claims] 1. In an optical coupling structure consisting of an optical element and an optical fiber,
An optical coupling structure characterized in that the optical element is provided with a portion that mechanically supports the optical fiber. 2. The optical coupling structure according to claim 1, wherein the portion supporting the optical fiber is processed all at once in the manufacturing process of the optical element. 3. The optical coupling structure according to claim 1, wherein a V-shaped groove is formed in the portion supporting the optical fiber. 4. In an optical coupling structure consisting of an optical element and an optical fiber,
2. The optical coupling structure according to claim 1, wherein the diameter of the tip of the optical fiber is reduced.
JP21954686A 1986-09-19 1986-09-19 Optical coupling structure Pending JPS6375711A (en)

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