JPS637435B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS637435B2 JPS637435B2 JP55108644A JP10864480A JPS637435B2 JP S637435 B2 JPS637435 B2 JP S637435B2 JP 55108644 A JP55108644 A JP 55108644A JP 10864480 A JP10864480 A JP 10864480A JP S637435 B2 JPS637435 B2 JP S637435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip line
- conductor
- ladder circuit
- microwave
- microwaves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Fixing For Electrophotography (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波加熱方法およびその装置に
関するものであり、マイクロ波を伝導するマイク
ロストリツプ線路にラダー回路を形成し、そのラ
ダー回路上を、箔状の被加熱物体を走査せしめる
ことにより、その物体を加熱することを特徴とす
る。 従来よりマイクロ波を利用して被加熱物体を加
熱することは周知である。しかしながら紙等のよ
うに体積に比して表面積が大なる物体を加熱する
には、マイクロ波の電界強度を高める必要があ
り、加熱効率が低かつた。従つて通常のマイクロ
波加熱装置にて、一枚の紙を加熱することは、実
用的には不可能に近かつた。 本発明は斯る従来例の難点を解決するもので、
以下一実施例につき図面に基き説明する。 第１図において、１はマイクロストリツプ線路
である。このマイクロストリツプ線路１は銅にて
形成された接地板２と、セラミツクにて形成され
た誘電体基板３と、たとえば銀にて形成された中
心導体４とよりなり、接地板２上に誘電体基板３
が固着され、この誘電体基板３上に中心導体４が
固着される。この中心導体４には矩形の開孔５
が、マイクロ波の伝搬方向に沿つて複数個配設さ
れ、ラダー回路が形成される。 ６は前記マイクロストリツプ線路１の入力側に
接続された同軸線路で、７は中心導体、８は外部
導体である。この同軸線路６の入力側には、図示
はしていないが、マグネトロン等のマイクロ波発
振器が備えられる。 ９は前記マイクロストリツプ線路１の入力側と
反対側に接続されたダミーロードで、前記ラダー
回路部にて消費し切れないマイクロ波を吸収消費
し、マグネトロンを保護するものである。 なお、前記マイクロストリツプ線路１と同軸線
路６とは、その中心導体４，７同士が結合され、
接地板２と外部導体８が結合された状態で接続さ
れる。 第２図は他の接続態様を示す図であつて、同軸
線路６がマイクロストリツプ線路１に対して裏面
より直角方向に接続される。このとき、マイクロ
ストリツプ線路１の誘電体基板３および接地板２
には、同軸線路６の外部導体８の内径と略同一径
の貫通孔３′，２′が穿設される。そして同軸線路
６の中心導線７と、マイクロストリツプ線路１の
中心導体４は前記貫通孔２′，３′を通して結合さ
れる。また、同軸線路６の外部導体８は接地板２
に直接結合される。 そして同軸線路６よりマイクロ波が供給される
と、ラダー回路部にて集中的に場を作り、その上
を走査する被加熱物１０が加熱される。 叙上のように本発明は、マイクロストリツプ線
路に直接ラダー回路を形成し、集中的に場を作る
ので、紙等の薄物でも効率的に加熱することがで
き、装置自体も薄く小型にすることができる。 また、誘電体上の導体を、加熱部だけに金属メ
ツキあるいは蒸着することにより形成でき、材料
費および製造コストの低いマイクロ波加熱の方法
および装置を提供することができる。
関するものであり、マイクロ波を伝導するマイク
ロストリツプ線路にラダー回路を形成し、そのラ
ダー回路上を、箔状の被加熱物体を走査せしめる
ことにより、その物体を加熱することを特徴とす
る。 従来よりマイクロ波を利用して被加熱物体を加
熱することは周知である。しかしながら紙等のよ
うに体積に比して表面積が大なる物体を加熱する
には、マイクロ波の電界強度を高める必要があ
り、加熱効率が低かつた。従つて通常のマイクロ
波加熱装置にて、一枚の紙を加熱することは、実
用的には不可能に近かつた。 本発明は斯る従来例の難点を解決するもので、
以下一実施例につき図面に基き説明する。 第１図において、１はマイクロストリツプ線路
である。このマイクロストリツプ線路１は銅にて
形成された接地板２と、セラミツクにて形成され
た誘電体基板３と、たとえば銀にて形成された中
心導体４とよりなり、接地板２上に誘電体基板３
が固着され、この誘電体基板３上に中心導体４が
固着される。この中心導体４には矩形の開孔５
が、マイクロ波の伝搬方向に沿つて複数個配設さ
れ、ラダー回路が形成される。 ６は前記マイクロストリツプ線路１の入力側に
接続された同軸線路で、７は中心導体、８は外部
導体である。この同軸線路６の入力側には、図示
はしていないが、マグネトロン等のマイクロ波発
振器が備えられる。 ９は前記マイクロストリツプ線路１の入力側と
反対側に接続されたダミーロードで、前記ラダー
回路部にて消費し切れないマイクロ波を吸収消費
し、マグネトロンを保護するものである。 なお、前記マイクロストリツプ線路１と同軸線
路６とは、その中心導体４，７同士が結合され、
接地板２と外部導体８が結合された状態で接続さ
れる。 第２図は他の接続態様を示す図であつて、同軸
線路６がマイクロストリツプ線路１に対して裏面
より直角方向に接続される。このとき、マイクロ
ストリツプ線路１の誘電体基板３および接地板２
には、同軸線路６の外部導体８の内径と略同一径
の貫通孔３′，２′が穿設される。そして同軸線路
６の中心導線７と、マイクロストリツプ線路１の
中心導体４は前記貫通孔２′，３′を通して結合さ
れる。また、同軸線路６の外部導体８は接地板２
に直接結合される。 そして同軸線路６よりマイクロ波が供給される
と、ラダー回路部にて集中的に場を作り、その上
を走査する被加熱物１０が加熱される。 叙上のように本発明は、マイクロストリツプ線
路に直接ラダー回路を形成し、集中的に場を作る
ので、紙等の薄物でも効率的に加熱することがで
き、装置自体も薄く小型にすることができる。 また、誘電体上の導体を、加熱部だけに金属メ
ツキあるいは蒸着することにより形成でき、材料
費および製造コストの低いマイクロ波加熱の方法
および装置を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２
図は他の実施例を示す縦断面図である。 １…マイクロストリツプ線路、２…接地板、３
…誘電体基板、４…中心導体、５…矩形の開孔、
６…同軸線路、７…中心導体、８…外部導体。
図は他の実施例を示す縦断面図である。 １…マイクロストリツプ線路、２…接地板、３
…誘電体基板、４…中心導体、５…矩形の開孔、
６…同軸線路、７…中心導体、８…外部導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面の導体に、マイクロ波の伝搬方向に沿つ
て矩形の開口が複数個配設され、ラダー回路が形
成されたマイクロストリツプ線路にマイクロ波を
導入しつつ、前記ラダー回路上を、被加熱物体を
走査させマイクロ波加熱することを特徴とするマ
イクロ波加熱方法。 ２ 表面の導体に、マイクロ波の伝搬方向に沿つ
て矩形の開口が複数個配設され、ラダー回路が形
成されたマイクロストリツプ線路と、このマイク
ロストリツプ線路にマイクロ波を供給するための
手段と、前記ラダー回路上を、被加熱物体を走査
させるための手段とよりなるマイクロ波加熱装
置。 ３ 同軸線路の外部導体および中心導体が、マイ
クロストリツプ線路の接地板および中心導体に
夫々対応して接続され、前記マイクロストリツプ
線路の導体にマイクロ波の伝搬方向に沿つて矩形
の開口が複数個配設され、ラダー回路が形成され
てなるマイクロ波加熱装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10864480A JPS5732595A (en) | 1980-08-06 | 1980-08-06 | Method and device for heating by microwave |
| US06/287,054 US4399341A (en) | 1980-08-06 | 1981-07-27 | Microwave heating apparatus |
| GB8124008A GB2081559B (en) | 1980-08-06 | 1981-08-06 | Microwave heating apparatus |
| DE3131213A DE3131213C2 (de) | 1980-08-06 | 1981-08-06 | Mikrowellenheizvorrichtung |
| NLAANVRAGE8103715,A NL185887C (nl) | 1980-08-06 | 1981-08-06 | Microgolfverwarmingsinrichting. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10864480A JPS5732595A (en) | 1980-08-06 | 1980-08-06 | Method and device for heating by microwave |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5732595A JPS5732595A (en) | 1982-02-22 |
| JPS637435B2 true JPS637435B2 (ja) | 1988-02-16 |
Family
ID=14490022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10864480A Granted JPS5732595A (en) | 1980-08-06 | 1980-08-06 | Method and device for heating by microwave |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5732595A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108701768B (zh) | 2016-02-29 | 2022-07-05 | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 | 有机半导体组合物及包含其的有机薄膜、与其用途 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5425544A (en) * | 1977-07-28 | 1979-02-26 | Nec Corp | High frequency heating device |
| JPS5728196A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-15 | Mizusawa Industrial Chem | Manufacture of metal soap granules |
-
1980
- 1980-08-06 JP JP10864480A patent/JPS5732595A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5425544A (en) * | 1977-07-28 | 1979-02-26 | Nec Corp | High frequency heating device |
| JPS5728196A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-15 | Mizusawa Industrial Chem | Manufacture of metal soap granules |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5732595A (en) | 1982-02-22 |
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