JPS6370827A - Production of optical control device - Google Patents

Production of optical control device

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JPS6370827A
JPS6370827A JP21650686A JP21650686A JPS6370827A JP S6370827 A JPS6370827 A JP S6370827A JP 21650686 A JP21650686 A JP 21650686A JP 21650686 A JP21650686 A JP 21650686A JP S6370827 A JPS6370827 A JP S6370827A
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JP
Japan
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diffused
optical waveguide
substrate
film
optical
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JP21650686A
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Mitsukazu Kondo
充和 近藤
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NEC Corp
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NEC Corp
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Abstract

PURPOSE:To obtain stable operation even when a DC voltage is impressed to a device by diffusing metal ions to a substrate to decrease the refractive index under electrodes, thereby decreasing the quantity of transfer of the energy of the light wave propagating in optical waveguides to the substrate surface. CONSTITUTION:The optical waveguide pattern of a Ti film 11 which is a 1st metal ion is formed on a lithium niobate crystal 1. The Ti film is thermally diffused to form a Ti diffused region 12 to 3-10mum depth. A thin MgO film 13 contg. Mg which is the 2nd metal ion is formed thereon. The film 13 is diffused down to about 1-3mum depth to form the optical waveguide 14 consisting of the diffused region of the 1st and 2nd metal ions. The pattern of the electrodes 5 is then formed to part above the optical waveguide 14. The electrodes 5 are finally thermally annealed, by which part of the electrode atoms thereof are diffused to the substrate 1 surface to form electrode metal diffused parts 15. The unstableness and deterioration with lapse of time occurring in a buffer film are thereby eliminated.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光波の変調、光路切換え等を基板中に設けた光
導波路を用いて制御する導波型光制御デバイスの製造方
法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a waveguide type optical control device in which modulation of light waves, optical path switching, etc. are controlled using an optical waveguide provided in a substrate.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

光通信システムの実用化が進むにつれ、さらに大容量や
多機能をもつ高度のシステムが求められており、より高
速の光信号の発生や光伝送路の切換え、交換等の新たな
機能の付加が必要とされている。現在の実用システムで
は、光信号は直接半導体レーザや発光ダイオードの注入
電流を変調することによって得られているが、直接変調
では緩和振動等の効果のため数GHz以上の高速変調が
難しいこと、波長変動が発生するためコヒーシン1−光
伝送方式には適用が難しいこと等の欠点がある。
As the practical use of optical communication systems progresses, advanced systems with higher capacity and multiple functions are required, and new functions such as generation of faster optical signals and switching and switching of optical transmission lines are required. is necessary. In current practical systems, optical signals are obtained by directly modulating the injection current of semiconductor lasers or light emitting diodes, but with direct modulation, high-speed modulation of several GHz or more is difficult due to effects such as relaxation oscillation, and the wavelength The cohesin 1-optical transmission method has drawbacks such as difficulty in application due to fluctuations.

これを解決する手段としては、外部光変調器を使用する
方法があり、特に基板中に形成した光導波路により構成
した導波形の光変調器は、小形、高効率、高速という特
長がある。
One way to solve this problem is to use an external optical modulator. In particular, a waveguide type optical modulator constructed from an optical waveguide formed in a substrate has the advantage of being small, highly efficient, and fast.

一方、光伝送路の切換えやネットワークの交換機能を得
る手段としては光スイッチが使用されている。現在、実
用されている光スィッチは、プリズム、ミラー、ファイ
バー等を機械的に移動させるものであり、低速であるこ
と、信頼性が不十分、形状が大きくマトリクス化に不適
当の欠点がある。
On the other hand, optical switches are used as means for switching optical transmission lines and providing network switching functions. Optical switches currently in practical use mechanically move prisms, mirrors, fibers, etc., and have the disadvantages of slow speed, insufficient reliability, large size, and unsuitability for matrix formation.

これを解決す、る手段として開発が進められているもの
は、光導波路を用いた導波形の光スィッチがあり、高速
、多素子の集積化が可能、高信頼等の特長がある。特に
、ニオブ酸リチウム(LiNb03)結晶等の強誘電体
材料を用いたものは、光吸収が小さく低損失であること
、大きな電気光学効果を有しているため、高効率である
等の特長があり、従来から方向性結合形光変調器、スイ
ッチ、全反射形光スイッチ等の種々の方式の光制御素子
が報告されている。このような導波形の光制御素子を実
際の光通信システムに適用する場合、低損失、高速性等
の基本的性能と同時に、特に動作の安定性や長期的な信
頼性が実用上不可欠である。
A waveguide type optical switch using an optical waveguide is being developed as a means to solve this problem, and has features such as high speed, integration of multiple elements, and high reliability. In particular, those using ferroelectric materials such as lithium niobate (LiNb03) crystals have features such as low light absorption, low loss, and large electro-optic effects, resulting in high efficiency. Various types of light control elements such as directional coupling type optical modulators, switches, and total reflection type optical switches have been reported. When applying such waveguide-type optical control elements to actual optical communication systems, basic performance such as low loss and high speed, as well as operational stability and long-term reliability are essential for practical use. .

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、従来の導波型光制御デバイスでは、安′定性、
信頼性に関しては、十分な特性は得られていなかった。
However, with conventional waveguide type optical control devices, stability and
Regarding reliability, sufficient characteristics were not obtained.

第3図(a)、(b)は従来の光制御デバイスの一例と
して方向性結合型光スィッチの平面図及び側面図を示す
。この光スィッチは、ニオブ酸リチウム(LiNb0.
 )結晶基板1の上にチタンを拡散して屈折率を基板よ
りも大きくして形成した帯状の光導波路2及び3が形成
されており、これら光導波路2及び3は基板1の中央部
で互いに数μm程度まで近接させて方向性結合器4を構
成している。この方向性結合器4を構成する光導波路2
゜3上にはバッファ膜6を介して制御電極5が形成され
ている。
FIGS. 3(a) and 3(b) show a plan view and a side view of a directional coupling type optical switch as an example of a conventional optical control device. This optical switch is made of lithium niobate (LiNb0.
) Strip-shaped optical waveguides 2 and 3 are formed on a crystal substrate 1 by diffusing titanium so that the refractive index is larger than that of the substrate. The directional coupler 4 is configured by making the two adjacent to each other by several micrometers. Optical waveguide 2 constituting this directional coupler 4
A control electrode 5 is formed on the electrode 3 with a buffer film 6 interposed therebetween.

この光導波路2に入射した入射光7は、方向性結合器4
の部分を伝搬するに従って近接した光導波路3へ除々に
光エネルギが移り、方向性結合器4を通過後は光導波路
3にほぼ10’O%エネルギが移って出射光8となる。
The incident light 7 that has entered the optical waveguide 2 is transmitted to the directional coupler 4
As the light propagates through the portion, the light energy gradually transfers to the adjacent optical waveguide 3, and after passing through the directional coupler 4, approximately 10'O% of the energy is transferred to the optical waveguide 3 and becomes the output light 8.

一方、制御電極5に電圧を印加した場合、電気光学効果
により電極5の下の光導波路の屈折率が変化し、光導波
路2,3を伝搬する導波モードの間に位相速度の不整合
を生じ、両者の間の結合状態が変化する。この電極5へ
の印加電圧を上昇すると、光導波路2から光導波路3へ
の光エネルギの移行量が減少し、ある電圧値VSでは入
射光7は方向性結合器4を通過後に光エネルギの100
%が光導波路2に戻ってしまう状態となる。すなわち、
制御電極5への印加電圧の有無により、入射光7は光導
波路2からの出射光9又は光導波路3からの出射光8と
なる。
On the other hand, when a voltage is applied to the control electrode 5, the refractive index of the optical waveguide under the electrode 5 changes due to the electro-optic effect, causing a phase velocity mismatch between the guided modes propagating in the optical waveguides 2 and 3. occurs, and the bonding state between the two changes. When the voltage applied to this electrode 5 is increased, the amount of optical energy transferred from the optical waveguide 2 to the optical waveguide 3 is decreased, and at a certain voltage value VS, the incident light 7 has 100% of the optical energy after passing through the directional coupler 4.
% returns to the optical waveguide 2. That is,
Depending on whether or not a voltage is applied to the control electrode 5, the incident light 7 becomes the output light 9 from the optical waveguide 2 or the output light 8 from the optical waveguide 3.

ニオブ酸リチウム結晶を使った導波形の光制御デバイス
では、最も大きな電気光学効果が得られて低電圧動作が
期待でき、しかもファイバとの低損失結合が容易なZ軸
に垂直に切り出した基板、すなわちZ板と基板垂直方向
の偏波モード、すなわち7Mモードの組合せが最もよく
用いられている。このような組合せでは光導波路上に電
極を設置する場合、従来は電極による光吸収を防ぐため
に、第3図(a>、(b)に示すようなバッファ膜6が
設置されている。
Waveguide-type optical control devices using lithium niobate crystals have a substrate cut perpendicular to the Z-axis, which provides the greatest electro-optic effect and can be expected to operate at low voltage, and which facilitates low-loss coupling with fibers. That is, the combination of the Z plate and the polarization mode in the direction perpendicular to the substrate, that is, the 7M mode, is most often used. In such a combination, when an electrode is installed on the optical waveguide, a buffer film 6 as shown in FIGS. 3(a> and 3(b)) is conventionally installed in order to prevent light absorption by the electrode.

このバッファ膜6は、導波路中の光エネルギの電極5へ
のしみ出しを除き、かつニオブ酸リチウム結晶中に電界
を有効に印加するために、ニオブ酸リチウムよりも屈折
率が小さく、かつ絶縁性があって光吸収のない透明な材
料、例えば二酸化ケイ素(5i02) IIiヤ酸化7
 ルミ(Ae z03)pA等が使われる。このような
バッファ膜6を設置する場合、その絶縁性の良否がデバ
イス安定性に大きく影響することがよく知られている。
This buffer film 6 has a refractive index lower than that of lithium niobate and is an insulating material in order to prevent light energy in the waveguide from seeping into the electrode 5 and to effectively apply an electric field to the lithium niobate crystal. A transparent material with no light absorption, such as silicon dioxide (5i02) IIi oxide 7
Lumi (Ae z03)pA, etc. are used. When such a buffer film 6 is provided, it is well known that the quality of its insulation greatly affects device stability.

すなわち、バッファ膜6の絶縁性不十分で比抵抗が小さ
い場合、DC電圧を印加したとき、このバッファ膜6中
を電荷がドリフトし、時間と共にバッファ膜と電極及び
結晶との界面に電荷が蓄積し、結晶中に印加される電圧
が小さくなり、スイッチング特性が変化する。
In other words, if the insulation of the buffer film 6 is insufficient and the specific resistance is small, when a DC voltage is applied, charges will drift in the buffer film 6, and over time, charges will accumulate at the interfaces between the buffer film, electrodes, and crystals. However, the voltage applied to the crystal becomes smaller, and the switching characteristics change.

このようなりC電圧を印加したときの動作特性の経時的
な変化は、光スィッチの場合はタロストークの発生やス
イッチ電圧の変動を招き、光変調器の場合はバイアス電
圧値のドリフトを招く等の導波形光制御デバイスを実際
のシステムに適用する上での大きな障害となっている。
In the case of optical switches, this change in operating characteristics over time when the C voltage is applied causes the generation of tarostoke and fluctuations in the switch voltage, and in the case of optical modulators, it causes drift in the bias voltage value, etc. This is a major obstacle in applying waveguide optical control devices to actual systems.

このバッファ膜の高抵抗化のために、そのコーティング
方法の改良や、コーテイング後の酸素アニールによる高
品質化等も試みられているが十分な安定性や長期的な信
頼性は得られていない。
In order to increase the resistance of this buffer film, attempts have been made to improve the coating method and improve quality by oxygen annealing after coating, but sufficient stability and long-term reliability have not been achieved.

本発明の目的は、これら従来の欠点を除き、DC電圧を
印加した場合にも安定な動作が得られる光制御デバイス
の製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a light control device that eliminates these conventional drawbacks and provides stable operation even when a DC voltage is applied.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の光制御デバイスの製造方法は、誘電体結晶基板
中に、この結晶基板の屈折率を増加させる第1の金属イ
オンを拡散し、その後さらに前記結晶基板の屈折率を減
少させる第2の金属イオンを前記第1の金属イオンの拡
散深さよりも浅く拡散して光導波路を形成する第1の工
程と、この光導波路の上部に直接前記結晶基板に接して
電極を形成し、その後熱アニール処理によって前記電極
の原子の一部を前記基板中に拡散する第2の工程とを含
み構成される。
The method for manufacturing a light control device of the present invention includes diffusing into a dielectric crystal substrate a first metal ion that increases the refractive index of the crystal substrate, and then a second metal ion that further decreases the refractive index of the crystal substrate. A first step of diffusing metal ions to a depth shallower than the diffusion depth of the first metal ions to form an optical waveguide, forming an electrode on the top of the optical waveguide in direct contact with the crystal substrate, and then thermal annealing. and a second step of diffusing some of the atoms of the electrode into the substrate through processing.

〔作用〕[Effect]

本発明の構成が従来の構成と異なる大きな点は、バッフ
ァ膜を用いていないようにしたことである。本発明では
、通常用いる基板の屈折率を増加させる第1の金属イオ
ンを拡散させて光導波路を形成した後、その上部の電極
が設置される部分にさらに基板の屈折率を減少させる第
2の金属イオンを拡散させることによって電極下の屈折
率を下げ、光導波路中を伝搬する光波のエネルギの基板
表面へのしみ出し量を減少させて゛「Mモードの電極に
よる光吸収を防いでいる。さらに、本発明では、電極材
料である金属原子を熱アニールによって基板中に拡散さ
せることによって、電極と結晶界面にショットキーバリ
ヤ等の障壁が生ずるのを防ぎ、それら障壁に電荷が蓄積
されて生ずる動作不安定性を除去している。このように
本発明によれば、バッファ膜を用いていないでがっ電極
をアニールすることによって、従来のようなバッファ膜
に起因する不安定性や経時的な劣化を除くことができる
The major difference between the structure of the present invention and the conventional structure is that a buffer film is not used. In the present invention, after forming an optical waveguide by diffusing a first metal ion that increases the refractive index of a substrate that is normally used, a second metal ion that further decreases the refractive index of the substrate is added to the upper part where an electrode is installed. By diffusing the metal ions, the refractive index under the electrode is lowered, reducing the amount of energy of the light wave propagating in the optical waveguide seeping out to the substrate surface, thereby preventing light absorption by the electrode in the M mode. In the present invention, metal atoms, which are the electrode material, are diffused into the substrate by thermal annealing to prevent the formation of barriers such as Schottky barriers at the interface between the electrode and the crystal, and to prevent the operation caused by the accumulation of charges on these barriers. As described above, according to the present invention, by annealing the electrode without using a buffer film, the instability and deterioration over time caused by the conventional buffer film can be avoided. Can be removed.

〔実施例〕〔Example〕

第1図(a)〜(e)は本発明による光制御デバイスの
製造方法の一実施例を工程順に模式的に示した断面図で
あり、各製造工程における光制御デバイスの一部の断面
を示す0本実施例は、第1図(a>のように、第1の金
属イオンであるTi膜11の光導波路パターンをニオブ
酸リチウム結晶1上に形成する第1の工程と、このTi
膜11を900〜1100℃で数時間熱拡散して深さ3
〜10μmのTi拡散領域12を形成する第2の工程(
第1図(b))と、このTi拡散領域12上の少なくと
も一部に第2の金属イオ〉・であるJを含むMgO薄膜
13を形成する第3の工程(第1図(c))と、コノM
gO薄膜13を600〜10oO℃程度で1〜数時間、
1〜3μm程度の深さまで拡散して第1及び第2の金属
イオン・の拡散領域よりなる光導波路14を形成する第
4の工程(第1図(d))と、この光導波路14上部の
少なくとも一部にTi、Cr、^u、f’t、Si等の
材料からなる電極5のパターンを形成する第5の工程(
第1図(e))と、この電極5を200〜600℃で熱
アニールすることによってその電極原子の一部を基板1
の表面に拡散させて電極金属拡散部分15を形成する第
6の工程(第1図(f))とを順次行なう。
FIGS. 1(a) to 1(e) are cross-sectional views schematically showing an embodiment of the method for manufacturing a light control device according to the present invention in the order of steps, and show a cross section of a part of the light control device in each manufacturing step. As shown in FIG. 1 (a), this embodiment includes the first step of forming an optical waveguide pattern of a Ti film 11, which is a first metal ion, on a lithium niobate crystal 1, and
The film 11 is thermally diffused at 900 to 1100°C for several hours to a depth of 3.
The second step of forming a Ti diffusion region 12 of ~10 μm (
FIG. 1(b)) and a third step of forming an MgO thin film 13 containing J, which is a second metal ion, on at least a portion of this Ti diffusion region 12 (FIG. 1(c)). and Kono M
The gO thin film 13 is heated at about 600 to 10oO℃ for 1 to several hours.
A fourth step (FIG. 1(d)) of forming an optical waveguide 14 consisting of a diffusion region of the first and second metal ions by diffusion to a depth of about 1 to 3 μm, and A fifth step of forming a pattern of the electrode 5 made of a material such as Ti, Cr, ^u, f't, Si, etc. at least in part (
By thermally annealing this electrode 5 at 200 to 600°C, some of the electrode atoms are transferred to the substrate 1 (Fig. 1(e)).
A sixth step (FIG. 1(f)) of forming an electrode metal diffusion portion 15 by diffusing the metal on the surface of the electrode metal is sequentially performed.

第2図(a)、(b)は第1図に示した製造方法によっ
て製作された光制御デバイスの一例の方向性結合型光ス
ィッチの平面図及び側面図を示す。ニオブ欣リチウム結
晶基板1の上に第1の金属イオンであるチタンを900
〜・1100”C程度で数時間熱拡散して形成された深
さ3〜10μm程度の先導波路2.3が設置され、基板
の中央部で両光導波路は互いに数μmまで近接して方向
性結合器4を構成している。この方向性結合器4が形成
されている基板1の表面の一部分1oには、深さ1〜2
μm程度の領域まで第2の金属イオンであるマグネシウ
ムが拡散されており、この拡散部分10の屈折率はマグ
ネシウムが拡散されていない部分に比べて低くなってい
る。
FIGS. 2(a) and 2(b) show a plan view and a side view of a directional coupling type optical switch, which is an example of a light control device manufactured by the manufacturing method shown in FIG. 1. 900% of titanium, which is the first metal ion, is placed on the niobium lithium crystal substrate 1.
A guide waveguide 2.3 with a depth of about 3 to 10 μm formed by thermal diffusion at about 1100”C for several hours is installed, and both optical waveguides are close to each other within a few μm in the center of the substrate, and the directionality is A portion 1o of the surface of the substrate 1 on which the directional coupler 4 is formed has a depth of 1 to 2.
Magnesium, which is the second metal ion, is diffused to a region of about μm, and the refractive index of this diffused portion 10 is lower than that of a portion where magnesium is not diffused.

このマグネシウムの拡散は、先ず先導波路2゜3を形成
後、酸化マグネシウムをスバ・ツタ等の方法で基板表面
にコーディングし、800〜1000℃で熱拡散するこ
とによってなされる。このようにマグネシウムを第2の
金属イオンとして使用した場合、マグネシウムの拡散速
度はチタンの拡散速度に比べて十分大きく、またマグネ
シウムの拡散深さは、チタンの拡散深さに比べ゛ζ十分
小さくてよいので、マグネシウム拡散の際に、既にチタ
ンを拡散して形成されている光導波路はほとんど影響を
受けないという特長がある。なお、マグネシウムを拡散
した場合のニオブ酸リチウム結晶基板の屈折率が減少す
ることは、雑誌「ジャーナル・オブ・アプライド・フィ
ジックス(J、^ppl。
This diffusion of magnesium is accomplished by first forming a guide waveguide 2.3, then coating the substrate surface with magnesium oxide using a method such as a sprinkling method, and then thermally diffusing it at 800 to 1000°C. When magnesium is used as the second metal ion, the diffusion rate of magnesium is sufficiently higher than that of titanium, and the diffusion depth of magnesium is sufficiently smaller than that of titanium. Therefore, when magnesium is diffused, the optical waveguide that has already been formed by diffusing titanium is hardly affected. It should be noted that the decrease in the refractive index of a lithium niobate crystal substrate when magnesium is diffused is reported in the journal ``Journal of Applied Physics (J, ^ppl.

Phys、L+第49巻、3150頁に説明されている
4 本実施例の方向性結合型光スィッチの基本的なスイッチ
動作は、第3図の従来例と同様であり、入射光7は制御
電極5への印加電圧の有無により出射光8又は9となる
。但し、本実施例においては、バッファ膜6が設置され
ておらず、その代りに制御電極5の下の光導波路2.3
の表面にはマグネシウムが拡散されて屈折率が減少した
部分10がある。そこで本実施例もバッファ膜6を設置
した場合と同様に、光導波路を伝搬するTMモードの光
エネルギの基板表面へのしみ出しをマグネシウムが拡散
された領域10によって防ぎ、制御電極5による光吸収
を除いている。さらに、本実施例では、バッファ膜を用
いていないので、バッファ膜の不完全性に起因するDC
電圧を印加した場合の不安定な現象は存在しない。また
、電極を熱アニールすることによって電極と結晶界面に
ショットキーバリヤ等の障壁が生ずるのを防いでいる。
The basic switch operation of the directional coupling type optical switch of this embodiment is the same as that of the conventional example shown in FIG. 3, and the incident light 7 is The output light becomes 8 or 9 depending on the presence or absence of a voltage applied to 5. However, in this embodiment, the buffer film 6 is not provided, and instead, the optical waveguide 2.3 under the control electrode 5 is
There is a portion 10 on the surface of which has a reduced refractive index due to the diffusion of magnesium. Therefore, in this embodiment as well, similarly to the case where the buffer film 6 is provided, the TM mode light energy propagating through the optical waveguide is prevented from seeping into the substrate surface by the region 10 in which magnesium is diffused, and the control electrode 5 absorbs light. is excluded. Furthermore, in this example, since a buffer film is not used, DC
There are no unstable phenomena when voltage is applied. Furthermore, thermal annealing of the electrodes prevents the formation of a barrier such as a Schottky barrier at the interface between the electrodes and the crystal.

なお、本発明は本実施例に用いた基板材料、金属イオン
に限定されるものではなく、基板材料としては電気光学
効果を有するいかなる結晶、例えばLiTaO3結晶等
を使用することができ、また、第1の金属イオンとして
は屈折率を増加させる効果をもつイオン、例えば銅やニ
オブ等な用いることができる。さらに、制御電極材料と
してはTi−^U。
Note that the present invention is not limited to the substrate material and metal ions used in this example, and any crystal having an electro-optic effect, such as LiTaO3 crystal, can be used as the substrate material. As the metal ion 1, ions having the effect of increasing the refractive index, such as copper and niobium, can be used. Furthermore, the control electrode material is Ti-^U.

Cr−Au等の金属多層膜や半導体材料も用いることが
できる。
Metal multilayer films such as Cr-Au and semiconductor materials can also be used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明の光制御デバイスの製造方
法では、バッファ膜を用いないので、従来の光制御デバ
イスに比べ安定な動作が得られるという特徴がある。
As explained above, the method for manufacturing an optical control device of the present invention is characterized in that, since a buffer film is not used, stable operation can be obtained compared to conventional optical control devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)〜(f)は本発明による光制御デバイスの
製造方法を工程順に示した断面図、第2図(a)、(b
)は本発明の製造方法を用いた光制御デバイスの一例の
正面図および側面図、第3図(a>、(b)は従来の光
制御デバイスの一例の平面図および側面図である。 1・・・ニオブ酸リチウム結晶基板、2.3.14・・
・光導波路、5・・・制御電極、6・・・バッファ膜、
7、・・・入射光、8.9・・・出射光、10・・・第
2の金属イオン(Mg)の拡散部分、11・・・Ti膜
、12・・・、?噌−21I5イ[ 茅 2 回 茅 3 図
FIGS. 1(a) to (f) are cross-sectional views showing the manufacturing method of a light control device according to the present invention in the order of steps, and FIGS. 2(a) to (b)
) are a front view and a side view of an example of a light control device using the manufacturing method of the present invention, and FIGS. 3(a) and 3(b) are a plan view and a side view of an example of a conventional light control device.1 ...Lithium niobate crystal substrate, 2.3.14...
・Optical waveguide, 5... control electrode, 6... buffer film,
7. Incident light, 8.9... Outgoing light, 10... Diffusion part of second metal ion (Mg), 11... Ti film, 12...,?噌-21I5ii [茅 2 times 茅 3 fig.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 誘電体結晶基板中に、この結晶基板の屈折率を増加させ
る第1の金属イオンを拡散し、その後さらに前記結晶基
板の屈折率を減少させる第2の金属イオンを前記第1の
金属イオンの拡散深さよりも浅く拡散して光導波路を形
成する第1の工程と、前記光導波路の上部に直接前記結
晶基板に接して電極を形成し、その後熱アニール処理に
よって前記電極の原子の一部を前記基板中に拡散する第
2の工程とを含むことを特徴とする光制御デバイスの製
造方法。
Diffusion of a first metal ion into the dielectric crystal substrate that increases the refractive index of the crystal substrate, and then diffusion of the first metal ion with a second metal ion that further decreases the refractive index of the crystal substrate. A first step is to form an optical waveguide by diffusion shallower than the depth, and an electrode is formed on the top of the optical waveguide in direct contact with the crystal substrate, and then a part of the atoms of the electrode is removed by thermal annealing. A method for manufacturing a light control device, comprising: a second step of diffusing into a substrate.
JP21650686A 1986-09-12 1986-09-12 Production of optical control device Pending JPS6370827A (en)

Priority Applications (1)

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