JP2982448B2 - Light control circuit - Google Patents

Light control circuit

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JP2982448B2
JP2982448B2 JP3334372A JP33437291A JP2982448B2 JP 2982448 B2 JP2982448 B2 JP 2982448B2 JP 3334372 A JP3334372 A JP 3334372A JP 33437291 A JP33437291 A JP 33437291A JP 2982448 B2 JP2982448 B2 JP 2982448B2
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optical
light control
light
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optical waveguide
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俊哉 宮川
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Nippon Electric Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3132Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は光波の変調,光切り替え
などを行う光制御デバイスに関し、特に基板中に設けた
光導波路を用いて制御を行う導波型の光制御デバイスに
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical control device for modulating light waves, switching light, and the like, and more particularly to a waveguide type optical control device for controlling using an optical waveguide provided in a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】光通信システムの実用化が進むにつれ、
さらに大容量や多機能を持つ高度のシステムが求められ
ており、より高度の光信号の発生や光伝送路の切り替
え,交換などの新たな機能の付加が必要とされている。
現在の実用システムでは光信号は直接半導体レーザや発
光ダイオードの注入電流を変調することによって得られ
ているが、直接変調では緩和振動などの効果のため、1
0GHz前後以上の高速変調が難しいこと、波長変動が
発生するためコヒーレント光伝送方式には適用が難しい
などの欠点がある。
2. Description of the Related Art As optical communication systems have been put into practical use,
Further, there is a demand for an advanced system having a large capacity and multiple functions, and it is necessary to add new functions such as generation of an advanced optical signal and switching and switching of an optical transmission line.
In the current practical system, the optical signal is obtained by directly modulating the injection current of a semiconductor laser or a light emitting diode.
There are drawbacks in that high-speed modulation of about 0 GHz or more is difficult, and it is difficult to apply to a coherent optical transmission system because of wavelength fluctuation.

【0003】これを解決する手段としては、外部変調器
を使用する方法があり、特に基板中に形成した光導波路
により構成した導波型の光変調器は、小型,高効率,高
速という特長がある。一方、光伝送路の切り替えやネッ
トワークの交換機能を得る手段としては光スイッチが使
用される。
As a means for solving this problem, there is a method using an external modulator. In particular, a waveguide type optical modulator constituted by an optical waveguide formed in a substrate has features of small size, high efficiency, and high speed. is there. On the other hand, an optical switch is used as a means for obtaining an optical transmission line switching or network switching function.

【0004】現在実用されている光スイッチは、プリズ
ム,ミラー,ファイバーなどを機械的に移動させるもの
であり、低速であること,信頼性が不十分,形状が大き
くマトリクス化に不適当等の欠点がある。
An optical switch currently in practical use is one that mechanically moves a prism, a mirror, a fiber, and the like, and has disadvantages such as low speed, insufficient reliability, a large shape, and unsuitable for matrix formation. There is.

【0005】これを解決する手段として開発が進められ
ているものはやはり光導波路を用いた導波型の光スイッ
チであり、高速,多素子の集積化が可能,高信頼等の特
長がある。特にニオブ酸リチウム(以下LiNbO3
する)結晶等の強誘電体材料を用いたものは、光吸収が
小さく低損失であること、大きな電気光学効果を有して
いるため高効率である等の特長があり、従来からも方向
性結合器型光変調器・スイッチ,全反射型光スイッチ又
はマッハツェンダ型光変調器等の種々の方式の光制御素
子が報告されている。
What is being developed as a means for solving this problem is a waveguide type optical switch using an optical waveguide, which has features such as high speed, integration of many elements, and high reliability. In particular, a material using a ferroelectric material such as lithium niobate (hereinafter referred to as LiNbO 3 ) crystal has a small light absorption and a low loss, and has a large electro-optic effect and thus has high efficiency. Various types of optical control elements such as a directional coupler type optical modulator / switch, a total reflection type optical switch, and a Mach-Zehnder type optical modulator have been reported.

【0006】図6に従来の光制御デバイスの一例として
方向性結合器型光スイッチの平面図を、また図7に、図
6の切断線A−A’に沿った断面図を示す。図6におい
てLiNbO3結晶基板51上にTiを拡散して屈折率
を基板よりも大きくして形成したストライプ状の光導波
路52及び53が形成されており、光導波路52及び5
3は中央部で互いに数μm程度まで近接し、方向性結合
器54を形成している。
FIG. 6 is a plan view of a directional coupler type optical switch as an example of a conventional light control device, and FIG. 7 is a sectional view taken along the line AA 'of FIG. In FIG. 6, striped optical waveguides 52 and 53 are formed on a LiNbO 3 crystal substrate 51 by diffusing Ti to have a larger refractive index than that of the substrate.
Numerals 3 are close to each other by about several μm at a central portion to form a directional coupler 54.

【0007】また、方向性結合器54を構成する光導波
路上には図7に示すように電極による光吸収を防ぐため
のバッファ層57を介して光制御電極55及び56が形
成されている。
Light control electrodes 55 and 56 are formed on the optical waveguide constituting the directional coupler 54 via a buffer layer 57 for preventing light absorption by the electrodes as shown in FIG.

【0008】光制御電極55と56が同電位の場合、光
導波路52に入射した入射光1は、方向性結合器54の
部分を伝搬するにしたがって近接した光導波路53へ徐
々に光エネルギーが移り、方向性結合器54を通過後は
光導波路53にほぼ100%エネルギーが移って出射光
2となる。
When the light control electrodes 55 and 56 have the same potential, the incident light 1 incident on the optical waveguide 52 gradually transfers the light energy to the adjacent optical waveguide 53 as it propagates through the directional coupler 54. After passing through the directional coupler 54, almost 100% of the energy is transferred to the optical waveguide 53, and the emitted light 2 is obtained.

【0009】一方電極55,56間に電圧を印加した場
合、電極間に発生する電界によるLiNbO3の電気光
学効果で制御電極下の光導波路の屈折率が変化し、光導
波路52と53を伝搬する導波モードの間に位相速度の
不整合が生じて両者の間の結合状態は変化する。印加電
圧の増加によって光導波路53の出射光2の強度は減少
し、ある特定の電圧(以下VSとする)において極小値
をとる。
On the other hand, when a voltage is applied between the electrodes 55 and 56, the refractive index of the optical waveguide below the control electrode changes due to the electro-optic effect of LiNbO 3 due to the electric field generated between the electrodes, and the light propagates through the optical waveguides 52 and 53. A phase velocity mismatch occurs between the two guided modes, and the coupling state between the two changes. The intensity of the outgoing light 2 from the optical waveguide 53 decreases with an increase in the applied voltage, and takes a minimum value at a specific voltage (hereinafter referred to as V S ).

【0010】このとき、もう一方の光導波路52の出射
光強度が最大となる。印加電圧の極性を反転させた場合
も同様で印加電圧0Vにおいて出射光2が最大に、−V
Sにおいて最小になる。図4に印加電圧に対する出射光
2の変化の一例を実線3で示す。従って、光伝送路の切
り替えを行う場合は、電極間の電圧を0ないしはVS
することにより光信号の出力先を選択する。
At this time, the intensity of light emitted from the other optical waveguide 52 becomes maximum. The same applies to the case where the polarity of the applied voltage is reversed.
Minimum at S FIG. 4 shows an example of a change of the emitted light 2 with respect to the applied voltage by a solid line 3. Therefore, when performing switching of optical transmission line, to select a destination of the optical signal by the voltage between the electrodes to 0 or V S.

【0011】このような導波型の光制御素子を実際の光
通信システムに適用する場合、低損失,高速性等の基本
的性能と同時に特に、動作特性の安定性が重要である。
しかし従来の導波型光制御デバイスでは、動作特性の安
定性に関しては十分な特性が得られていない。
When such a waveguide type optical control element is applied to an actual optical communication system, stability of operation characteristics is particularly important in addition to basic performance such as low loss and high speed.
However, the conventional waveguide type optical control device does not provide sufficient characteristics with respect to stability of operation characteristics.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】従来の光スイッチにお
いては、伝送路の切り替えのために電圧を印加した状態
を続けると、スイッチの光出力−電圧特性が印加電圧方
向へドリフトする現象が起こる(以下この現象をDCド
リフトと呼ぶ)。DCドリフトにより変化した光スイッ
チの電圧−光出力特性の一例を図4の破線4に示す。D
Cドリフトが発生すると、出射光2の最大値,最小値が
得られる電圧はそれぞれ0,VSからΔV,VS+ΔVへ
とシフトする。
In a conventional optical switch, if a voltage is continuously applied for switching the transmission line, a phenomenon occurs in which the optical output-voltage characteristic of the switch drifts in the applied voltage direction ( Hereinafter, this phenomenon is called DC drift). An example of the voltage-optical output characteristics of the optical switch changed by the DC drift is shown by a broken line 4 in FIG. D
When the C drift occurs, the voltages at which the maximum value and the minimum value of the outgoing light 2 are obtained shift from 0 and V S to ΔV and V S + ΔV, respectively.

【0013】このドリフト電圧ΔVは、電圧印加時間及
び印加電圧により変化し、図5に示すように一定時間で
ドリフト量は飽和する。またDCドリフトは可逆的な現
象であり電圧を除くと減少し、ΔVは0に戻る。
The drift voltage ΔV changes depending on the voltage application time and the applied voltage, and the drift amount saturates in a certain time as shown in FIG. Further, DC drift is a reversible phenomenon and decreases when voltage is removed, and ΔV returns to zero.

【0014】このDCドリフトの原因は、ドリフト量の
飽和特性及び可逆性より基板ないしはSiO2バッファ
層に含まれる不純物イオンが電極間の電界に引かれて移
動して反電界を形成し、電気光学効果による屈折率変化
に関与する電界が実効的に減少するためと推定される。
The cause of the DC drift is that the impurity ions contained in the substrate or the SiO 2 buffer layer are attracted by the electric field between the electrodes and move due to the saturation characteristics and reversibility of the drift amount to form an anti-electric field, thereby causing electro-optics. It is estimated that the electric field involved in the change in the refractive index due to the effect is effectively reduced.

【0015】以上説明したDCドリフトが発生すると、
光スイッチの特性はスイッチング状態の履歴により変動
することになり、例えば動作電圧を一定に設定した場
合、クロストーク劣化が起こり安定な動作が望めず、実
用化の上で大きな問題となっている。
When the DC drift described above occurs,
The characteristics of the optical switch fluctuate according to the history of the switching state. For example, when the operating voltage is set to be constant, crosstalk degradation occurs and stable operation cannot be expected, which is a major problem in practical use.

【0016】本発明の目的は上述の従来の光制御回路に
おいて発生しているDCドリフトによる特性の変動を抑
圧し、安定な動作が得られる光制御回路を提供すること
にある。
It is an object of the present invention to provide a light control circuit capable of suppressing fluctuations in characteristics due to a DC drift occurring in the above-described conventional light control circuit and achieving a stable operation.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る光制御回路は、電気光学効果を有する
誘電体基板に形成された光導波路と、前記光導波路の近
傍に設けられ電界を制御することにより前記光導波路の
屈折率を変化させるための少なくとも一対の光制御電極
と、前記光制御電極に対しバイアスされたバイアス電極
とを有し、前記誘電体基板の前記光制御電極の形成面に
対し裏面、かつ光制御電極に対向する位置に設けられた
溝を有し、該溝の底面に前記バイアス電極を有するもの
である
In order to achieve the above object, an optical control circuit according to the present invention comprises an optical waveguide formed on a dielectric substrate having an electro-optic effect, and an electric field provided near the optical waveguide. Controlling at least a pair of light control electrodes for changing the refractive index of the optical waveguide, and a bias electrode biased with respect to the light control electrode, the light control electrode of the dielectric substrate On the forming surface
On the back side, and at the position facing the light control electrode
Having a groove and having the bias electrode on the bottom surface of the groove
It is .

【0018】[0018]

【0019】[0019]

【作用】本発明では光制御電極とバイアス電極間に常時
バイアス電圧を加えておくことによりDCドリフトを引
き起こす不純物イオンの移動を押さえることができる。
従って、スイッチングあるいは変調時のドリフトを抑圧
し、安定な動作をする光制御回路が得られる。
According to the present invention, by constantly applying a bias voltage between the light control electrode and the bias electrode, it is possible to suppress the movement of impurity ions that cause DC drift.
Therefore, an optical control circuit that suppresses drift during switching or modulation and operates stably can be obtained.

【0020】また基板裏面に部分的に溝を設け、光制御
電極とバイアス電極の間隔を小さくすることにより基板
内の電界強度を大きくし、不純物イオンの移動を押さえ
るのに必要なバイアス電圧を低くすることができる。
Further, a groove is partially formed on the back surface of the substrate to reduce the distance between the light control electrode and the bias electrode, thereby increasing the electric field strength in the substrate and lowering the bias voltage necessary for suppressing the movement of impurity ions. can do.

【0021】[0021]

【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図1は本発明の一実施例を示す斜視図であ
る。また図2は平面図である。また図3に、図1の切断
線A−A’に沿った断面図を示す。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a cutting line AA ′ in FIG.

【0022】図1において、Z−Cut LiNbO3
基板11のZ面上にストライプ状のTiを900〜11
00℃で数時間拡散することにより、幅3〜10μm程
度の光導波路12,13を形成する。光導波路12及び
13は、中央部で互いに数μm程度まで近接し方向性結
合器14を形成している。
In FIG. 1, Z-Cut LiNbO 3
900 to 11 stripes of Ti on the Z-plane of the substrate 11
By diffusing at 00 ° C. for several hours, the optical waveguides 12 and 13 having a width of about 3 to 10 μm are formed. The optical waveguides 12 and 13 are close to each other by about several μm at the center to form a directional coupler 14.

【0023】方向性結合器14の長さは、光導波路間の
光の移動が100%となるよう設定されている。また方
向性結合器14を構成する光導波路上には電極による光
吸収を防ぐためのバッファ層17を介して光制御電極1
5,16が形成されている。
The length of the directional coupler 14 is set so that the movement of light between the optical waveguides becomes 100%. The light control electrode 1 is provided on the optical waveguide constituting the directional coupler 14 via a buffer layer 17 for preventing light absorption by the electrode.
5, 16 are formed.

【0024】またLiNbO3基板11の裏面である+
Z面にはイオンミリングにより溝22が形成される。溝
22の位置は光制御電極15,16と対向し、深さは残
された基板の厚さが光導波路厚の5〜10倍程度となる
ようにする。さらに、この溝22の底面にバイアス電極
18を形成する。
Also, the back side of the LiNbO 3 substrate 11
A groove 22 is formed on the Z plane by ion milling. The position of the groove 22 is opposed to the light control electrodes 15 and 16, and the depth is set such that the thickness of the remaining substrate is about 5 to 10 times the thickness of the optical waveguide. Further, a bias electrode 18 is formed on the bottom surface of the groove 22.

【0025】光制御電極16は接地され、光制御電極1
5,16間にはスイッチ19を切り換えることによりス
イッチ電圧VSを印加できるようにスイッチ電源20が
接続される。バイアス電極18と光制御電極15,16
間にはスイッチ電圧VSよりも充分に大きい負のバイア
ス電圧VBが常時印加されている。
The light control electrode 16 is grounded and the light control electrode 1
A switch power supply 20 is connected between 5 and 16 so that a switch voltage V S can be applied by switching a switch 19. Bias electrode 18 and light control electrodes 15 and 16
Negative bias voltage V B sufficiently larger than the switch voltage V S is always applied between.

【0026】光制御電極15と16間が同電位の場合、
光導波路12に入射した入射光1は、方向性結合器14
の部分を伝搬するにしたがって近接した光導波路13へ
徐々に光エネルギーが移り、方向性結合器14を通過後
は光導波路13にほぼ100%エネルギーが移って出射
光2となる。
When the potential between the light control electrodes 15 and 16 is the same,
The incident light 1 incident on the optical waveguide 12 is directed to a directional coupler 14.
As the light propagates through the portion, the light energy gradually shifts to the optical waveguide 13 adjacent thereto, and after passing through the directional coupler 14, almost 100% of the energy shifts to the optical waveguide 13 to become the outgoing light 2.

【0027】一方、光制御電極15,16間にスイッチ
電圧VSを印加した場合、電極間に発生する電界による
LiNbO3の電気光学効果で制御電極下の光導波路の
屈折率が変化し、光導波路12と13を伝搬する導波モ
ードの間に位相速度の不整合が生じて両者の間の結合状
態は変化し、出射光2の強度はほとんど0となる。
On the other hand, when a switch voltage V S is applied between the light control electrodes 15 and 16, the refractive index of the optical waveguide under the control electrode changes due to the electro-optic effect of LiNbO 3 due to the electric field generated between the electrodes, and A phase velocity mismatch occurs between the waveguide modes propagating in the waveguides 12 and 13, and the coupling state between the two changes, and the intensity of the emitted light 2 becomes almost zero.

【0028】本発明の構成では、光制御電極とバイアス
電極間に常時スイッチ電圧VSよりも充分に大きい負バ
イアス電圧VBを印加しているため、基板に含まれるプ
ラスの不純物イオンがバイアス電圧に引かれて移動して
バイアス電極近傍に集中し光制御電極近傍から不純物イ
オンが無くなるため、光制御電極間の電圧の有無による
不純物イオンの移動による実効的電界の減少、すなわち
DCドリフトもなくなる。
[0028] In the configuration of the present invention, since the application of the sufficiently large negative bias voltage V B than constantly switch voltage V S between the light control electrode and bias electrode, a positive impurity ions bias voltage included in the substrate As the impurity ions disappear from the vicinity of the light control electrode due to the movement of the impurity ions, the effective electric field decreases due to the movement of the impurity ions due to the presence or absence of a voltage between the light control electrodes, that is, the DC drift also disappears.

【0029】バイアス電極に不純物イオンを引き付ける
力は電界強度分布に比例する。従って通常0.5〜1m
mあるLiNbO3基板に溝を形成した光制御電極とバ
イアス電極の間隔を50〜100μm程度にまで短くす
ることにより、基板内部の電界強度を大きくし、バイア
ス電圧を1/10以下に低減することができる。
The force for attracting impurity ions to the bias electrode is proportional to the electric field intensity distribution. Therefore usually 0.5-1m
By reducing the distance between the bias control electrode and the light control electrode having a groove formed in the m LiNbO 3 substrate to about 50 to 100 μm, the electric field strength inside the substrate is increased and the bias voltage is reduced to 1/10 or less. Can be.

【0030】また基板の厚さを部分的に薄くすることに
より破損しやすくなるが、本実施例では、高温に晒され
一番破損の可能性の高いTi熱拡散後に基板裏面の溝形
成を行うので、クラックの入る可能性は低く安全であ
る。
Although the substrate is easily broken by partially reducing the thickness of the substrate, in the present embodiment, a groove is formed on the back surface of the substrate after Ti is thermally exposed and thermally diffused most likely to be damaged. Therefore, the possibility of cracking is low and safe.

【0031】本発明では、バイアス電圧による電気光学
効果によっても光導波路の屈折率は変化するが、光導波
路12及び13にかかる電界の強度・向きは等しくなる
ため両光導波路を伝播する光の導波モードの間に位相速
度の不整合は生じないため、スイッチ動作には全く影響
を及ぼさない。
In the present invention, the refractive index of the optical waveguide changes due to the electro-optic effect caused by the bias voltage. However, the intensity and direction of the electric field applied to the optical waveguides 12 and 13 become equal, so that the light propagating through both optical waveguides is guided. Since there is no phase velocity mismatch during the wave mode, the switch operation is not affected at all.

【0032】以上Ti拡散LiNbO3光導波路の場合
を例にとって説明したが、他の電気光学効果を有する誘
電体基板や、光導波路に本発明を用いる場合も同様の効
果が得られる。また集中定数型電極に限らず、進行波型
電極でも同様の効果が得られる。また本実施例では、負
バイアス電圧を印加する場合について説明したが、Li
NbO3基板に含まれる不純物イオンの極性が負イオン
である場合は、正バイアス電圧を印加することにより同
様の効果が得られる。
Although the case of the Ti-diffused LiNbO 3 optical waveguide has been described as an example, similar effects can be obtained when the present invention is applied to a dielectric substrate having another electro-optical effect or an optical waveguide. The same effect can be obtained not only with the lumped constant type electrode but also with the traveling wave type electrode. In this embodiment, the case where a negative bias voltage is applied has been described.
When the polarity of the impurity ions contained in the NbO 3 substrate is negative, a similar effect can be obtained by applying a positive bias voltage.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
制御電極とバイアス電極間に常時バイアス電圧を加えて
おくことにより、DCドリフトを引き起こす不純物イオ
ンの移動を押さえることができる。
As described above, according to the present invention, the movement of impurity ions causing a DC drift can be suppressed by constantly applying a bias voltage between the light control electrode and the bias electrode.

【0034】従って、DCドリフトによる特性の変動を
抑圧し、安定な動作が得られる光制御回路を提供するこ
とができる。
Therefore, it is possible to provide a light control circuit that suppresses fluctuations in characteristics due to DC drift and obtains stable operation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing one embodiment of the present invention.

【図4】LiNbO3光スイッチのDCドリフト発生
前、及びDCドリフト発生後の電圧−光出力特性の一例
を示す図である。LiNbO3光スイッチの時間−DC
ドリフト量特性の一例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a voltage-optical output characteristic of a LiNbO 3 optical switch before DC drift occurs and after a DC drift occurs. Time-DC of LiNbO 3 optical switch
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a drift amount characteristic.

【図5】LiNbO3光スイッチの時間−DCドリフト
量特性の一例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a time-DC drift amount characteristic of a LiNbO 3 optical switch.

【図6】従来例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a conventional example.

【図7】従来例を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入射光 2 出射光 3 DCドリフト発生前の電圧−光出力特性 4 DCドリフト発生後の電圧−光出力特性 11,51 LiNbO3基板 12,13,52,53 光導波路 14,54 方向性結合器 15,16,55,56 光制御電極 17,57 バッファ層 18 バイアス電極 19,59 スイッチ 20,60 スイッチ電源 21 バイアス電源 22 溝 23,24 電極引出し線DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Incident light 2 Outgoing light 3 Voltage-optical output characteristic before DC drift generation 4 Voltage-optical output characteristic after DC drift generation 11, 51 LiNbO 3 substrate 12, 13, 52, 53 Optical waveguide 14, 54 Directional coupler 15, 16, 55, 56 Light control electrode 17, 57 Buffer layer 18 Bias electrode 19, 59 Switch 20, 60 Switch power supply 21 Bias power supply 22 Groove 23, 24 Electrode lead wire

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電気光学効果を有する誘電体基板に形成
された光導波路と、 前記光導波路の近傍に設けられ電界を制御することによ
り前記光導波路の屈折率を変化させるための少なくとも
一対の光制御電極と、 前記光制御電極に対しバイアスされたバイアス電極とを
有し、前記誘電体基板の前記光制御電極の形成面に対し裏面、
かつ光制御電極に対向する位置に設けられた溝を有し、
該溝の底面に前記バイアス電極を有する ことを特徴とす
る光制御回路。
1. An optical waveguide formed on a dielectric substrate having an electro-optic effect, and at least one pair of lights provided near the optical waveguide for controlling an electric field to change a refractive index of the optical waveguide. A control electrode, having a bias electrode biased with respect to the light control electrode, a back surface with respect to a surface of the dielectric substrate on which the light control electrode is formed,
And has a groove provided at a position facing the light control electrode,
A light control circuit comprising the bias electrode on a bottom surface of the groove .
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